JP2007323743A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】情報層を少なくとも１層有する相変化型光記録媒体において、高い反射率が得られる光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、第３保護膜１０、記録膜１１をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。特定波長の光Ｌにおける第１保護膜の屈折率をｎ１、第２保護膜の屈折率をｎ２、第３保護膜の屈折率をｎ３としたときにｎ１＞ｎ２＞ｎ３またはｎ２＞ｎ１＞ｎ３を満たす。
【選択図】図１
【解決手段】光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、第３保護膜１０、記録膜１１をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。特定波長の光Ｌにおける第１保護膜の屈折率をｎ１、第２保護膜の屈折率をｎ２、第３保護膜の屈折率をｎ３としたときにｎ１＞ｎ２＞ｎ３またはｎ２＞ｎ１＞ｎ３を満たす。
【選択図】図１
Description
本発明は、光（例えばレーザ光）の照射によって情報の記録・再生または消去を行う相変化型光記録媒体に関するものである。特に本発明は、光ディスク、光カードなどの高反射率を有する相変化型光記録媒体に関する。
相変化型光記録媒体とは、例えば近年のＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭやＢＤ−ＲＥ(Blu-ray Disc Rewritable)であり、記録層を形成する材料を光により結晶相と非結晶相との間で可逆的に変化させ、記録層に対して情報を記録または消去する記録媒体である。なかでもＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭ、ＢＤ−ＲＥは、主に映像情報のような情報量が大きいものの記録、書換えに使用されることが多い。
更に大きな情報量を記録するには、記録密度を増大させることが考えられ、基板の片面側に記録層と反射膜からなる情報層を２層以上重ね合わせて、光記録媒体を多層化する方法（多層型光記録媒体）がある。
更に大きな情報量を記録するには、記録密度を増大させることが考えられ、基板の片面側に記録層と反射膜からなる情報層を２層以上重ね合わせて、光記録媒体を多層化する方法（多層型光記録媒体）がある。
上記したような複数の情報層を有する多層型光記録媒体において、レーザ光が入射する側から見て手前側にある情報層は、光の吸収率が大きい記録膜や反射膜を記録特性が良好となるような厚みで形成することが必要である。従って、手前側の情報層の透過率を大きくすることは困難である。このような多層型光記録媒体に記録再生のためにレーザ光を照射すると、レーザ光は手前側の情報層において大きく減衰するため、レーザ光入射側から見て奥側にある情報層では反射率が小さくなる。
特開２０００−３２２７６６号公報（特許文献１）は、情報層が入射光に対して高い反射率を有するように、基板上に第１保護膜、第２保護膜、第３保護膜、第４保護膜、記録膜、第５保護膜、反射膜を順に積層して形成し、第１〜第３保護膜の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２、ｎ３＞ｎ２の関係を満たす、相変化型光記録媒体の構造を開示している。しかしながら、本発明者の検討では、第１〜第３保護膜の屈折率ｎ１〜ｎ３を全て同じにして形成した場合と反射率は変わらず、保護膜を多層膜にしたことによる反射率の向上は見られなかった。
特開２０００−３２２７６６号公報
特開２０００−３２２７６６号公報（特許文献１）は、情報層が入射光に対して高い反射率を有するように、基板上に第１保護膜、第２保護膜、第３保護膜、第４保護膜、記録膜、第５保護膜、反射膜を順に積層して形成し、第１〜第３保護膜の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２、ｎ３＞ｎ２の関係を満たす、相変化型光記録媒体の構造を開示している。しかしながら、本発明者の検討では、第１〜第３保護膜の屈折率ｎ１〜ｎ３を全て同じにして形成した場合と反射率は変わらず、保護膜を多層膜にしたことによる反射率の向上は見られなかった。
上記したように、基板上に情報層を複数形成すると、レーザ光に対し手前側の情報層がレーザ光を吸収するため、奥側の情報層の反射率が低下しやすい。
そこで本発明は、前記した問題を解決するために、情報層を複数有する多層型相変化型光記録媒体において光が入射する側から遠い奥側の情報層が、高い反射率を有し、更に生産性を損なわないような光記録媒体を提供することを目的とする。また、情報層を少なくとも１層有する相変化型光記録媒体において、高い反射率を有する光記録媒体を提供することを目的とする。
そこで本発明は、前記した問題を解決するために、情報層を複数有する多層型相変化型光記録媒体において光が入射する側から遠い奥側の情報層が、高い反射率を有し、更に生産性を損なわないような光記録媒体を提供することを目的とする。また、情報層を少なくとも１層有する相変化型光記録媒体において、高い反射率を有する光記録媒体を提供することを目的とする。
上記した課題を解決するために本発明は、次の（ａ）〜（ｄ）の相変化型光記録媒体を提供するものである。
（ａ）光（Ｌ）により情報が記録または再生される光記録媒体（Ｄ）において、前記光を入射させる基板（１）と、前記基板上に少なくとも第１保護膜（８）、第２保護膜（９）、第３保護膜（１０）、記録膜（１１）をこの順に積層した情報層（Ｄ２）を備え、特定波長の前記光における前記第１保護膜の屈折率をｎ１、前記第２保護膜の屈折率をｎ２、前記第３保護膜の屈折率をｎ３としたときに、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３、またはｎ２＞ｎ１＞ｎ３を満たすことを特徴とする光記録媒体。
（ｂ）前記第１から第３保護膜における２つの保護膜の屈折率の差の絶対値、｜ｎ１−ｎ２｜、｜ｎ２−ｎ３｜、｜ｎ１−ｎ３｜のうち、最小の屈折率の差Δｎは０．０１以上であることを特徴とする（ａ）記載の光記録媒体。
（ｃ）前記第１保護膜の膜厚をｄ１、前記第２保護膜の膜厚をｄ２、前記第３保護膜の膜厚をｄ３とし、前記特定波長をλとしたときに、０．１７≦（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λ≦０．２６を満たすことを特徴とする（ｂ）記載の光記録媒体。
（ｄ）前記第１保護膜、第２保護膜及び第３保護膜はＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料で構成され、前記第１保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα１とし、前記第２保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα２とし、前記第３保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα３としたときに、α１、α２、α３が０以上０．８以下であることを特徴とする（ａ）ないし（ｃ）のいずれかに記載の光記録媒体。
（ｅ）前記情報層を、前記基板の光が入射する入射面から見て奥側に位置する奥側情報層として備えるとともに、前記奥側情報層よりも前記入射面側に位置する入射面側情報層を備え、前記奥側情報層は、前記特定波長において２８％以上の反射率を有することを特徴とする（ａ）ないし（ｄ）のいずれかに記載の光記録媒体。
（ａ）光（Ｌ）により情報が記録または再生される光記録媒体（Ｄ）において、前記光を入射させる基板（１）と、前記基板上に少なくとも第１保護膜（８）、第２保護膜（９）、第３保護膜（１０）、記録膜（１１）をこの順に積層した情報層（Ｄ２）を備え、特定波長の前記光における前記第１保護膜の屈折率をｎ１、前記第２保護膜の屈折率をｎ２、前記第３保護膜の屈折率をｎ３としたときに、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３、またはｎ２＞ｎ１＞ｎ３を満たすことを特徴とする光記録媒体。
（ｂ）前記第１から第３保護膜における２つの保護膜の屈折率の差の絶対値、｜ｎ１−ｎ２｜、｜ｎ２−ｎ３｜、｜ｎ１−ｎ３｜のうち、最小の屈折率の差Δｎは０．０１以上であることを特徴とする（ａ）記載の光記録媒体。
（ｃ）前記第１保護膜の膜厚をｄ１、前記第２保護膜の膜厚をｄ２、前記第３保護膜の膜厚をｄ３とし、前記特定波長をλとしたときに、０．１７≦（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λ≦０．２６を満たすことを特徴とする（ｂ）記載の光記録媒体。
（ｄ）前記第１保護膜、第２保護膜及び第３保護膜はＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料で構成され、前記第１保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα１とし、前記第２保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα２とし、前記第３保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα３としたときに、α１、α２、α３が０以上０．８以下であることを特徴とする（ａ）ないし（ｃ）のいずれかに記載の光記録媒体。
（ｅ）前記情報層を、前記基板の光が入射する入射面から見て奥側に位置する奥側情報層として備えるとともに、前記奥側情報層よりも前記入射面側に位置する入射面側情報層を備え、前記奥側情報層は、前記特定波長において２８％以上の反射率を有することを特徴とする（ａ）ないし（ｄ）のいずれかに記載の光記録媒体。
本発明によれば、複数の情報層を有する相変化型光記録媒体において、奥側の情報層において高い反射率を得られ、更に量産性を損なうこともない。また、情報層を少なくとも１層有する相変化型光記録媒体において、高い反射率が得られる。
≪光記録媒体の構成≫
記録膜を有する情報層を複数層備える相変化型光記録媒体（以下、多層型光記録媒体）としては、ＤＶＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク、光カード等の情報を繰り返しオーバライト可能な媒体が挙げられる。なお以下の説明においては本発明の多層型光記録媒体の一実施形態として、多層型光ディスク（光記録媒体）Ｄを用いるが、これ以外の同様な構成を有する多層型光記録媒体についても本発明を適用可能である。
図１は、本発明の一実施形態である多層型光記録媒体Ｄを示す拡大断面図である。光記録媒体Ｄは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光Lが入射する入射面１Ａを底面とする第１基板１上に、第１情報層Ｄ１と中間層７を介して第２情報層Ｄ２と第２基板１３とを積層したものである。
光記録媒体Ｄにおいて入射面１Ａ側に位置する第１情報層Ｄ１は、第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６を順次積層したものである。レーザ光Ｌの入射面１Ａから見て奥側に位置する第２情報層Ｄ２は、第２基板１４のレーベル面１４Ｂを底面とした第２基板１４上に形成され、反射膜１３、第６保護膜１２、記録膜１１、第５保護膜１０、第４保護膜９、第３保護膜８を順次積層したものである。第１情報層Ｄ１の光学調整膜６と第２情報層Ｄ２の第３保護膜８とが中間層７を介して対向するように接着されている。
記録膜を有する情報層を複数層備える相変化型光記録媒体（以下、多層型光記録媒体）としては、ＤＶＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク、光カード等の情報を繰り返しオーバライト可能な媒体が挙げられる。なお以下の説明においては本発明の多層型光記録媒体の一実施形態として、多層型光ディスク（光記録媒体）Ｄを用いるが、これ以外の同様な構成を有する多層型光記録媒体についても本発明を適用可能である。
図１は、本発明の一実施形態である多層型光記録媒体Ｄを示す拡大断面図である。光記録媒体Ｄは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光Lが入射する入射面１Ａを底面とする第１基板１上に、第１情報層Ｄ１と中間層７を介して第２情報層Ｄ２と第２基板１３とを積層したものである。
光記録媒体Ｄにおいて入射面１Ａ側に位置する第１情報層Ｄ１は、第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６を順次積層したものである。レーザ光Ｌの入射面１Ａから見て奥側に位置する第２情報層Ｄ２は、第２基板１４のレーベル面１４Ｂを底面とした第２基板１４上に形成され、反射膜１３、第６保護膜１２、記録膜１１、第５保護膜１０、第４保護膜９、第３保護膜８を順次積層したものである。第１情報層Ｄ１の光学調整膜６と第２情報層Ｄ２の第３保護膜８とが中間層７を介して対向するように接着されている。
第１基板１の材料としては、各種透明な合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。第２基板１４は、第２情報層Ｄ２への記録再生が入射面１Ａから第1情報層Ｄ１を通して行われるため透明である必要はないが、第１基板１と同じ材料でもよい。このような第１基板１及び第２基板１４の材料として例えば、ガラス、ポリカーボネイト樹脂、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、光学的複屈折及び吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカーボネイト樹脂が好ましい。
第１基板１及び第２基板１４の厚さは、特に限定するものではないが、全厚が１．２ｍｍであるＤＶＤとの互換性を考慮すると０．０１ｍｍ〜０．６ｍｍが好ましく、なかでも０．５５ｍｍ〜０．６ｍｍが最も好ましい。第１基板１の厚さが０．０１ｍｍ未満となると、第１基板１の入射面１Ａ側から収束したレーザ光で記録する際にごみの影響を受け易くなるので好ましくない。また光記録媒体Ｄの全厚に制限がないのであれば、実用的には０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であればよい。５ｍｍ以上となると対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射レーザ光のスポットサイズが大きくなるため、記録密度をあげることが困難になる。
第１基板１及び第２基板１４はフレキシブルなものでも良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな第１基板１及び第２基板１４は、テープ状、シート状、カード状の光記録媒体で使用する。リジッドな第１基板１及び第２基板１４は、カード状、あるいはディスク状の光記録媒体で使用する。
第１基板１及び第２基板１４はフレキシブルなものでも良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな第１基板１及び第２基板１４は、テープ状、シート状、カード状の光記録媒体で使用する。リジッドな第１基板１及び第２基板１４は、カード状、あるいはディスク状の光記録媒体で使用する。
第１保護膜２、第２保護膜４、第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０及び第６保護膜１２（以下、第１保護膜〜第６保護膜）は、第１基板１、半透過記録膜３、記録膜１１及び第２基板１４等が記録時の発熱によって変形して記録特性が劣化することを防止する。また光学的な干渉効果により再生信号のコントラストを改善する効果を有する。
第１保護膜〜第６保護膜はそれぞれ、記録・再生または消去用のレーザ光に対して透明であって屈折率ｎが１．５≦ｎ≦２．３の範囲にあることが望ましい。さらに、第１保護膜〜第６保護膜の材料は熱特性の点から、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物、いずれかの単体及び混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起こりにくいことから特に好ましい。
また第１保護膜〜第６保護膜は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
第１保護膜〜第６保護膜はそれぞれ、記録・再生または消去用のレーザ光に対して透明であって屈折率ｎが１．５≦ｎ≦２．３の範囲にあることが望ましい。さらに、第１保護膜〜第６保護膜の材料は熱特性の点から、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物、いずれかの単体及び混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起こりにくいことから特に好ましい。
また第１保護膜〜第６保護膜は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
第１保護膜２、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の厚さは、およそ５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であればよい。さらには、第１保護膜２、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の厚さは、所望の光学特性が得られ、かつ、第１基板１や半透過記録膜３や中間層７や記録膜１１から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことが好ましい。これらを考慮すると、第１保護膜２の厚み及び、第３保護膜８と第４保護膜９と第５保護膜１０とを合わせた厚みは、いずれも４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とするのが好ましい。４０ｎｍより薄いと所望の光学特性を確保しにくく、２００ｎｍより厚いとクラックや剥離を生じ、さらには生産性が劣る。
第２保護膜４及び第６保護膜１２の厚さは、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性を良好とし、安定に多数回の書き換えが可能となるよう、０．５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲とするのが好ましい。０．５ｎｍより薄いと半透過記録膜３及び記録膜１１の熱確保が難しくなるためＣ／Ｎや消去率が良好となる最適記録パワーが上昇し、５０ｎｍより厚いとオーバライト時のＣ／Ｎや消去特性の悪化を招いて、好ましくない。
第２保護膜４及び第６保護膜１２の厚さは、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性を良好とし、安定に多数回の書き換えが可能となるよう、０．５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲とするのが好ましい。０．５ｎｍより薄いと半透過記録膜３及び記録膜１１の熱確保が難しくなるためＣ／Ｎや消去率が良好となる最適記録パワーが上昇し、５０ｎｍより厚いとオーバライト時のＣ／Ｎや消去特性の悪化を招いて、好ましくない。
半透過記録膜３及び記録膜１１は、Ｓｂ−Ｔｅ合金にＡｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅのうち少なくとも１種類以上を含む組成、またはＧｅ−ＳｂにＩｎ、Ｓｎ、Ｂｉのうち少なくとも１種類以上を含む組成、またはＧａ−ＳｂにＩｎ、Ｓｎ、Ｂｉのうち少なくとも１種類以上を含む組成から構成される合金膜である。
半透過記録膜３の膜厚は、３ｎｍ〜１５ｎｍが好ましい。膜厚が３ｎｍより薄いと結晶化速度が低下し記録特性が悪くなり、１５ｎｍより厚いと第１情報層Ｄ１の透過率が低下する。また記録膜１１の膜厚は１０ｎｍ〜２５ｎｍが好ましい。これを１０ｎｍより薄くすると光吸収が小さくなり発熱し難くなることによる記録感度の悪化が起こり、２５ｎｍより厚くすると記録時に大きなレーザパワーが必要となる。
半透過記録膜３と記録膜１１は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
半透過記録膜３の膜厚は、３ｎｍ〜１５ｎｍが好ましい。膜厚が３ｎｍより薄いと結晶化速度が低下し記録特性が悪くなり、１５ｎｍより厚いと第１情報層Ｄ１の透過率が低下する。また記録膜１１の膜厚は１０ｎｍ〜２５ｎｍが好ましい。これを１０ｎｍより薄くすると光吸収が小さくなり発熱し難くなることによる記録感度の悪化が起こり、２５ｎｍより厚くすると記録時に大きなレーザパワーが必要となる。
半透過記録膜３と記録膜１１は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
また半透過記録膜３及び記録膜１１の片面、もしくは両面に接する界面膜を設けても良い。界面膜の材料としては、硫黄物を含まないことが重要である。硫黄物を含む材料を界面膜として用いると、オーバライトの繰り返しにより界面膜に含まれる硫黄が半透過記録膜３または記録膜１１中に拡散し、記録特性が劣化することがあるので好ましくない。
界面膜の材料としては、窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰あるいは不足していても良い。
界面膜の材料としては、窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰あるいは不足していても良い。
半透過反射膜５及び反射膜１３の材料としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、これらの金属を主成分とし１種類以上の金属または半導体からなる添加元素を含む合金、及びこれらの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。ここで、主成分とするとは、半透過反射膜５を構成する全材料のうちＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属の占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
なかでもＡｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらの金属を主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましい。合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどの少なくとも１種類の元素を混合したもの、あるいは、ＡｕまたはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄなどの少なくとも１種類の元素を混合したものなどが一般的である。しかし高線速度記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が、記録特性の点から好ましい。また半透過反射膜５は記録光の波長において透過しやすい材料が好ましく、とりわけ消衰係数が小さいＡｕ、Ａｇが好ましい。
ただし、半透過反射膜５または反射膜１３に純銀や銀合金を用いた場合には、エラーレートの要因となるＡｇＳ化合物の生成を防止するため、半透過反射膜５または反射膜１３に接する膜はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。
なかでもＡｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらの金属を主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましい。合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどの少なくとも１種類の元素を混合したもの、あるいは、ＡｕまたはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄなどの少なくとも１種類の元素を混合したものなどが一般的である。しかし高線速度記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が、記録特性の点から好ましい。また半透過反射膜５は記録光の波長において透過しやすい材料が好ましく、とりわけ消衰係数が小さいＡｕ、Ａｇが好ましい。
ただし、半透過反射膜５または反射膜１３に純銀や銀合金を用いた場合には、エラーレートの要因となるＡｇＳ化合物の生成を防止するため、半透過反射膜５または反射膜１３に接する膜はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。
半透過反射膜５の厚さは、半透過反射膜５を形成する材料の熱伝導率の大きさによって変化するが、３ｎｍ〜２０ｎｍとするのが好ましい。半透過反射膜５の厚みが３ｎｍより薄いと半透過記録膜３で発熱した熱を吸収できないため記録特性が劣り、２０ｎｍより厚いと第１情報層Ｄ１の透過率が劣るので好ましくない。また反射膜１３の厚さも、反射膜１３を形成する材料の熱伝導率の大きさによって変化するが、５０ｎｍ〜３００ｎｍであるのが好ましい。反射膜１３の厚みが５０ｎｍ以上であれば、反射膜１３は光学的には変化せず反射率の値に影響を与えないが、反射膜１３の厚みが増すと冷却速度への影響が大きくなる。また、３００ｎｍを超える厚さを形成するのは製造上多くの時間を要する。従って熱伝導率の高い材料を用いることにより、反射膜１３の層厚を上記した最適範囲に制御する。
ここで、半透過反射膜５あるいは反射膜１３にＡｇまたはＡｇ合金を、第２保護膜４あるいは第６保護膜１２にＺｎＳの混合物を用いる場合には、第２保護膜４と半透過反射膜５との間または第６保護膜１２と反射膜１３との間に拡散防止膜（図示せず）を挿入することが好ましい。これは第２保護膜４や第６保護膜１２中のＳと半透過反射膜５や反射膜１３中のＡｇとの化学反応により生成されるＡｇＳ化合物による反射率の低下を抑制するためである。
拡散防止膜の材料は、上記した界面膜と同様に硫黄物を含まない材料であることが重要であり、具体的な材料は、界面膜の材料と同じものや金属、半導体、窒化シリコン、窒化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウムクロムを用いることができる。
拡散防止膜の材料は、上記した界面膜と同様に硫黄物を含まない材料であることが重要であり、具体的な材料は、界面膜の材料と同じものや金属、半導体、窒化シリコン、窒化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウムクロムを用いることができる。
光学調整膜６は、第１情報層Ｄ１の透過率を向上させるため、半透過反射膜５の材料よりも高い屈折率を有し、消衰係数は１よりも小さいものが好ましい。また、光学調整膜６の膜厚は、光学調整膜６の屈折率や透過するレーザの波長を考慮して第１情報層Ｄ１の透過率が大きくなるように設定する。例えば、レーザが６６０ｎｍの波長を有し、光学調整膜６の屈折率が２．１である場合には、４０ｎｍ〜７０ｎｍの膜厚が好ましい。
光学調整膜６の材料としては、Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｉＨいずれかの単体、またはＧｅ、Ｓｉ、ＳｉＨいずれかを主成分とするもの、または、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物の単体もしくは混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、スパッタレートが速く、生産性が高いことから特に好ましい。ここで、主成分とするとは、光学調整膜６を構成する全材料のうちＧｅ、Ｓｉ、ＳｉＨなどの占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
光学調整膜６の材料としては、Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｉＨいずれかの単体、またはＧｅ、Ｓｉ、ＳｉＨいずれかを主成分とするもの、または、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物の単体もしくは混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、スパッタレートが速く、生産性が高いことから特に好ましい。ここで、主成分とするとは、光学調整膜６を構成する全材料のうちＧｅ、Ｓｉ、ＳｉＨなどの占める割合が全材料の５０％を超える場合をさし、９０％以上の場合が好ましい。
≪光記録媒体の製造方法≫
第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６、第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０、記録膜１１、第６保護膜１２、反射膜１３などを第１基板１または第２基板１４上に積膜する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法が挙げられる。例えば、真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）であり、特に、組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
また真空漕内で複数の基板を同時に成膜するバッチ法や、基板を１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使用することが好ましい。形成するそれぞれの膜の膜厚の制御は、スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計で堆積状態をモニタリングしたりすることで容易に行える。
また上記した各膜の形成は、基板を固定した状態、あるいは移動、回転した状態のどちらで行っても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させることが好ましく、更に公転を組み合わせることがより好ましい。成膜時における基板の発熱状況によっては、必要に応じて第１基板１や第２基板１４の冷却を行うと第１基板１や第２基板１４の反り量を減少させることができる。
第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６、第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０、記録膜１１、第６保護膜１２、反射膜１３などを第１基板１または第２基板１４上に積膜する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法が挙げられる。例えば、真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）であり、特に、組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
また真空漕内で複数の基板を同時に成膜するバッチ法や、基板を１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使用することが好ましい。形成するそれぞれの膜の膜厚の制御は、スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計で堆積状態をモニタリングしたりすることで容易に行える。
また上記した各膜の形成は、基板を固定した状態、あるいは移動、回転した状態のどちらで行っても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させることが好ましく、更に公転を組み合わせることがより好ましい。成膜時における基板の発熱状況によっては、必要に応じて第１基板１や第２基板１４の冷却を行うと第１基板１や第２基板１４の反り量を減少させることができる。
光記録媒体Ｄを形成するには、第１基板１上に第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６を順次成膜したものと、第２基板１４上に反射膜１３、第６保護膜１２、記録膜１１、第５保護膜１０、第４保護膜９、第３保護膜８を順次成膜したものを、粘着シートまたは紫外線硬化樹脂により形成される中間層７を介して接着を行う方法（第１の形成方法）がある。
またその他の形成方法には、第１基板１上に第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６を順次成膜した後、紫外線硬化樹脂を塗布し、溝転写用のクリアスタンパを押し付けながら、紫外線照射により硬化させて中間層７を形成し、クリアスタンパを剥離する。その後、中間層７上に第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０、記録膜１１、第６保護膜１２、反射膜１３を順次成膜し、最後に第２基板１４を粘着シートまたは紫外線硬化樹脂により接着させる方法（第２の形成方法）がある。
生産性を考慮すると、第２の形成方法よりも第１の形成方法のほうが好ましい。
またその他の形成方法には、第１基板１上に第１保護膜２、半透過記録膜３、第２保護膜４、半透過反射膜５、光学調整膜６を順次成膜した後、紫外線硬化樹脂を塗布し、溝転写用のクリアスタンパを押し付けながら、紫外線照射により硬化させて中間層７を形成し、クリアスタンパを剥離する。その後、中間層７上に第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０、記録膜１１、第６保護膜１２、反射膜１３を順次成膜し、最後に第２基板１４を粘着シートまたは紫外線硬化樹脂により接着させる方法（第２の形成方法）がある。
生産性を考慮すると、第２の形成方法よりも第１の形成方法のほうが好ましい。
上記形成方法により形成された光記録媒体Ｄを初期化するために、続いて半透過記録膜３及び記録膜１１にレーザ光、またはキセノンフラッシュランプ等の光を照射して、半透過記録膜３及び記録膜１１の構成材料を加熱して結晶化させる必要がある。再生ノイズが少ないことからレーザ光による初期化が好ましい。
≪第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の屈折率の検討≫
本発明者は第２情報層Ｄ２の反射率を高くするために、中間層７と第２情報層Ｄ２を構成する記録膜１１とに隣接する保護膜を、第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０というように３膜化して形成し、後述する実施例１〜３及び比較例１〜５に基づいて第３保護膜８の屈折率ｎ１と第４保護膜９の屈折率ｎ２と第５保護膜１０の屈折率ｎ３の大小関係と第２情報層Ｄ２の反射率との関係を調べた。
本実施形態で行った以下の各実施例及び各比較例において、光学定数測定は株式会社溝尻光学工業所製エリプソメータ（ＤＶＡ−３６１３）を用い、シリコンウエハ上に測定したい材料を用いてスパッタにて約１００ｎｍの厚さで成膜し、測定波長λ＝６６０ｎｍとして行った。さらに波長が６６０ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．６０の光学レンズを搭載したパルステック工業株式会社製光ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ−１０００）を用いて、第２情報層Ｄ２の反射率測定を行った。
本発明者は第２情報層Ｄ２の反射率を高くするために、中間層７と第２情報層Ｄ２を構成する記録膜１１とに隣接する保護膜を、第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０というように３膜化して形成し、後述する実施例１〜３及び比較例１〜５に基づいて第３保護膜８の屈折率ｎ１と第４保護膜９の屈折率ｎ２と第５保護膜１０の屈折率ｎ３の大小関係と第２情報層Ｄ２の反射率との関係を調べた。
本実施形態で行った以下の各実施例及び各比較例において、光学定数測定は株式会社溝尻光学工業所製エリプソメータ（ＤＶＡ−３６１３）を用い、シリコンウエハ上に測定したい材料を用いてスパッタにて約１００ｎｍの厚さで成膜し、測定波長λ＝６６０ｎｍとして行った。さらに波長が６６０ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．６０の光学レンズを搭載したパルステック工業株式会社製光ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ−１０００）を用いて、第２情報層Ｄ２の反射率測定を行った。
（実施例１）
直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の第１基板１上に、後述する各膜を形成した。第１基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ５０：５０であった。なおグルーブはレーザ光Ｌの入射方向から見て凸状になっている。
まず、真空容器内を３×１０-4Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により、第１基板１上に厚さ７０ｎｍの第１保護膜２を形成した。続いて、半透過記録膜３をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの合金ターゲットで厚さ５ｎｍとして形成した。続いて第２保護膜４を第１保護膜２と同じ材料で厚さ１０ｎｍ、半透過反射膜５をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金ターゲットで厚さ１０ｎｍ、光学調整膜６を第１保護膜２と同じ材料で厚さ５０ｎｍとして順次積層し、第１情報層Ｄ１を作成した。
直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の第１基板１上に、後述する各膜を形成した。第１基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ５０：５０であった。なおグルーブはレーザ光Ｌの入射方向から見て凸状になっている。
まず、真空容器内を３×１０-4Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により、第１基板１上に厚さ７０ｎｍの第１保護膜２を形成した。続いて、半透過記録膜３をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの合金ターゲットで厚さ５ｎｍとして形成した。続いて第２保護膜４を第１保護膜２と同じ材料で厚さ１０ｎｍ、半透過反射膜５をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金ターゲットで厚さ１０ｎｍ、光学調整膜６を第１保護膜２と同じ材料で厚さ５０ｎｍとして順次積層し、第１情報層Ｄ１を作成した。
次に、第１基板１と同じように成型された第２基板１４上に第１情報層Ｄ１と同条件のスパッタにて、反射膜１３を半透過反射膜５と同じ材料で厚さ１００ｎｍ、第６保護膜１２を第１保護膜２と同じ材料で厚さ２５ｎｍ、記録膜１１を半透過記録膜３と同じ材料で厚さ２０ｎｍ、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットで厚さ４７ｎｍ、第４保護膜９をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットで厚さ４７ｎｍ、第３保護膜８を第１保護膜２と同じ材料で厚さ４７ｎｍとして順次積層し、第２情報層Ｄ２を作成した。
続いて、第１情報層Ｄ１の光学調整膜６上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製ＳＤ６６１）をスピンコートし、膜厚が５０μｍの中間層７を紫外線照射により硬化させて形成し、第２情報層Ｄ２の第３保護膜８が光学調製膜６と向かい合うように貼り合せて図１に示す光記録媒体Ｄを得た。
続いて、第１情報層Ｄ１の光学調整膜６上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製ＳＤ６６１）をスピンコートし、膜厚が５０μｍの中間層７を紫外線照射により硬化させて形成し、第２情報層Ｄ２の第３保護膜８が光学調製膜６と向かい合うように貼り合せて図１に示す光記録媒体Ｄを得た。
こうして作製した光記録媒体Ｄに、トラック方向のビーム幅が光記録媒体Ｄの半径方向のビーム幅より広い形をしているワイドビームのレーザ光を照射して、半透過記録膜３と記録膜１１とを結晶化温度以上に加熱し、初期化処理を行った。
続いて、レーザ光を第１情報層Ｄ１を通じて第２情報層Ｄ２に照射したときの、第２情報層Ｄ２の反射率を測定した。なお反射率は、良好な再生が可能となる５．０％を下限値とし、５．０％以上の値であれば良好な反射率とした。
更に、シリコンウエハ上に上述の条件で第３保護膜８のみをスパッタで１００ｎｍ形成し、エリプソメータで屈折率ｎ１を測定した。同様に、シリコンウエハ上に第４保護膜９のみを１００ｎｍ形成して屈折率ｎ２を測定し、第５保護膜１０のみを１００ｎｍ形成して屈折率ｎ３を測定した。測定結果を表１に示す。材料の欄には、例えばＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを、ZnS(80)-SiO2(20)というように記載した。なお、表１には以下の実施例２、３及び比較例１〜５の結果も示す。
続いて、レーザ光を第１情報層Ｄ１を通じて第２情報層Ｄ２に照射したときの、第２情報層Ｄ２の反射率を測定した。なお反射率は、良好な再生が可能となる５．０％を下限値とし、５．０％以上の値であれば良好な反射率とした。
更に、シリコンウエハ上に上述の条件で第３保護膜８のみをスパッタで１００ｎｍ形成し、エリプソメータで屈折率ｎ１を測定した。同様に、シリコンウエハ上に第４保護膜９のみを１００ｎｍ形成して屈折率ｎ２を測定し、第５保護膜１０のみを１００ｎｍ形成して屈折率ｎ３を測定した。測定結果を表１に示す。材料の欄には、例えばＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを、ZnS(80)-SiO2(20)というように記載した。なお、表１には以下の実施例２、３及び比較例１〜５の結果も示す。
表１に示すように、第３保護膜８の屈折率ｎ１は２．１０、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．９５、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．７８であるため、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３という関係を満たしている。第２情報層Ｄ２の反射率は６．０％と、５．０％を超える良好な値が得られた。
（実施例２）
第３保護膜８をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は２．１８、第４保護膜９の屈折率ｎ２は２．０２、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．９５であり、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たす。第２情報層Ｄ２の反射率は５．７％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は２．１８、第４保護膜９の屈折率ｎ２は２．０２、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．９５であり、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たす。第２情報層Ｄ２の反射率は５．７％と良好な結果が得られた。
（実施例３）
第３保護膜８をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．９５、第４保護膜９の屈折率ｎ２は２．１０、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．７８であり、ｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たす。第２情報層Ｄ２の反射率は５．９％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．９５、第４保護膜９の屈折率ｎ２は２．１０、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．７８であり、ｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たす。第２情報層Ｄ２の反射率は５．９％と良好な結果が得られた。
（比較例１）
第４保護膜９、第５保護膜１０の材料を第３保護膜８と同じにした以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１、第４保護膜９の屈折率ｎ２、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は全て２．１０であり、ｎ１＝ｎ２＝ｎ３という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は４．６％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
第４保護膜９、第５保護膜１０の材料を第３保護膜８と同じにした以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１、第４保護膜９の屈折率ｎ２、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は全て２．１０であり、ｎ１＝ｎ２＝ｎ３という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は４．６％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
（比較例２）
第４保護膜９をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は２．１０、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．７８、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．９５であり、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は４．３％と下限値の４．８％を下回り、良好でなかった。
第４保護膜９をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は２．１０、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．７８、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．９５であり、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は４．３％と下限値の４．８％を下回り、良好でなかった。
（比較例３）
第３保護膜８をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．７８、第４保護膜９の屈折率ｎ２は２．１０、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．９５であり、ｎ２＞ｎ３＞ｎ１という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は４．１％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
第３保護膜８をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．７８、第４保護膜９の屈折率ｎ２は２．１０、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は１．９５であり、ｎ２＞ｎ３＞ｎ１という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は４．１％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
（比較例４）
第３保護膜８をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．９５、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．７８、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は２．１０であり、ｎ３＞ｎ１＞ｎ２という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は３．７％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
第３保護膜８をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．９５、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．７８、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は２．１０であり、ｎ３＞ｎ１＞ｎ２という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は３．７％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
（比較例５）
第３保護膜８をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．７８、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．９５、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は２．１０であり、ｎ３＞ｎ２＞ｎ１という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は３．１％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
第３保護膜８をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、第３保護膜８の屈折率ｎ１は１．７８、第４保護膜９の屈折率ｎ２は１．９５、第５保護膜１０の屈折率ｎ３は２．１０であり、ｎ３＞ｎ２＞ｎ１という関係であった。第２情報層Ｄ２の反射率は３．１％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
以上のことより、中間層７と記録膜１１との間に設けられていて、第２情報層Ｄ２を構成する保護膜を、第３保護膜８、第４保護膜９、第５保護膜１０というように３膜化して形成し、更に第３保護膜８の屈折率をｎ１、第４保護膜９の屈折率をｎ２、第５保護膜１０の屈折率をｎ３とした場合、それぞれの屈折率がｎ１＞ｎ２＞ｎ３という関係、あるいはｎ２＞ｎ１＞ｎ３という関係を満たすと第２情報層Ｄ２の反射率が良好な値となることが判明した。これは、本実施形態の第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０が測定波長λに対して充分に薄いため、互いに光学干渉し波長λの光を強めあい、反射率の向上につながるからである。
比較例１は、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の材料を同じとしたため、実質１層の保護膜となっており、第２情報層Ｄ２は充分な反射率が得られなかった。
なお本実施形態では、波長λ＝６６０ｎｍを用いて屈折率を測定したが、測定に用いられる波長λは限定されない。特に４０５ｎｍ〜６８０ｎｍの波長λを用いた場合に上記関係が満たされるように光記録媒体Ｄを作成すると、第２情報層Ｄ２の反射率が良好な値となる。
なお本実施形態では、波長λ＝６６０ｎｍを用いて屈折率を測定したが、測定に用いられる波長λは限定されない。特に４０５ｎｍ〜６８０ｎｍの波長λを用いた場合に上記関係が満たされるように光記録媒体Ｄを作成すると、第２情報層Ｄ２の反射率が良好な値となる。
≪第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の屈折率差の検討≫
本発明者は、上記したような第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の屈折率がｎ１＞ｎ２＞ｎ３という関係、あるいはｎ２＞ｎ１＞ｎ３という関係を満たす第２情報層Ｄ２の反射率を更に良好な値とするため、これらの屈折率の差において良好な反射率を得られる範囲があるのではないかと推定し、下記の実施例４〜１０及び比較例６、７より好ましい範囲を求めた。
屈折率の差は、ｎ１、ｎ２、ｎ３における２つの屈折率の差の絶対値（｜ｎ１−ｎ２｜，｜ｎ２−ｎ３｜，｜ｎ１−ｎ３｜）をそれぞれ求め、そのなかで最も小さい値をΔｎとして、指標にした。
本発明者は、上記したような第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の屈折率がｎ１＞ｎ２＞ｎ３という関係、あるいはｎ２＞ｎ１＞ｎ３という関係を満たす第２情報層Ｄ２の反射率を更に良好な値とするため、これらの屈折率の差において良好な反射率を得られる範囲があるのではないかと推定し、下記の実施例４〜１０及び比較例６、７より好ましい範囲を求めた。
屈折率の差は、ｎ１、ｎ２、ｎ３における２つの屈折率の差の絶対値（｜ｎ１−ｎ２｜，｜ｎ２−ｎ３｜，｜ｎ１−ｎ３｜）をそれぞれ求め、そのなかで最も小さい値をΔｎとして、指標にした。
（実施例４）
第４保護膜９をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は５．９％と良好な結果が得られた。
結果を表２に示す。なお、表２には以下の実施例５〜１０及び比較例１の結果も示す。
第４保護膜９をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は５．９％と良好な結果が得られた。
結果を表２に示す。なお、表２には以下の実施例５〜１０及び比較例１の結果も示す。
（実施例５）
第５保護膜１０をＳｉＯ2を５０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．３％と良好な結果が得られた。
第５保護膜１０をＳｉＯ2を５０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．３％と良好な結果が得られた。
（実施例６）
第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．７％と良好な結果が得られた。
第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．７％と良好な結果が得られた。
（実施例７）
第３保護膜８をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．１６であった。第２情報層Ｄ２の反射率は７．０％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．１６であった。第２情報層Ｄ２の反射率は７．０％と良好な結果が得られた。
（実施例８）
第３保護膜８をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．０％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．０％と良好な結果が得られた。
（実施例９）
第３保護膜８をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．５％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０８であった。第２情報層Ｄ２の反射率は６．５％と良好な結果が得られた。
（実施例１０）
第３保護膜８をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．１６であった。第２情報層Ｄ２の反射率は７．１％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を３０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ２＞ｎ１＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．１６であった。第２情報層Ｄ２の反射率は７．１％と良好な結果が得られた。
（比較例６）
第４保護膜９をＳｉＯ2を２５ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０３であった。本比較例において、第２情報層Ｄ２の反射率は４．９％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
第４保護膜９をＳｉＯ2を２５ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０．０３であった。本比較例において、第２情報層Ｄ２の反射率は４．９％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
（比較例７）
第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＝ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０であった。本比較例において、第２情報層Ｄ２の反射率は４．６％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
第４保護膜９をＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて形成した以外は、実施例４と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例４と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＝ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、屈折率の差Δｎ（|n1-n2|）は０であった。本比較例において、第２情報層Ｄ２の反射率は４．６％と下限値の５．０％を下回り、良好でなかった。
以上の表２に示した結果に基づいて、図２に屈折率の差Δｎに対する第２情報層Ｄ２の反射率の関係を示す。図２より、第２情報層Ｄ２が５．０％以上の反射率を得られるのは、屈折率の差Δｎが０．０１以上であることが判明した。屈折率の差Δｎが０．０１以上であれば、レーザ波長に対し第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０が光学干渉し、高い反射率を得られると考えられる。また、屈折率の差Δｎが０．０８以上であると反射率が６．０％程度となり、生産マージンを考慮した充分な反射率が確保できて好ましい。
なお本実施形態では、波長λ＝６６０ｎｍを用いて屈折率を測定したが、測定に用いられる波長λは限定されない。特に４０５ｎｍ〜６８０ｎｍの波長λを用いた場合に上記関係が満たれるように光記録媒体Ｄを作成すると、第２情報層Ｄ２の反射率が良好な値となる。
なお本実施形態では、波長λ＝６６０ｎｍを用いて屈折率を測定したが、測定に用いられる波長λは限定されない。特に４０５ｎｍ〜６８０ｎｍの波長λを用いた場合に上記関係が満たれるように光記録媒体Ｄを作成すると、第２情報層Ｄ２の反射率が良好な値となる。
≪第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の膜厚の検討≫
本発明者は更に、第３保護膜８の膜厚をｄ１、第４保護膜９の膜厚をｄ２、第５保護膜１０の膜厚をｄ３とし、記録・再生または消去用レーザ光の波長をλとしたときに、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の全厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）とレーザ光の波長λとの間に第２情報層Ｄ２の良好な反射率を得られる関係があるのではないかと推定し、既述した実施例１と実施例１１〜実施例２１及び比較例８〜比較例２３に基づいて反射率が良好となる全厚と波長λの関係（（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λ）（光路長）を求めた。
本発明者は更に、第３保護膜８の膜厚をｄ１、第４保護膜９の膜厚をｄ２、第５保護膜１０の膜厚をｄ３とし、記録・再生または消去用レーザ光の波長をλとしたときに、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の全厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）とレーザ光の波長λとの間に第２情報層Ｄ２の良好な反射率を得られる関係があるのではないかと推定し、既述した実施例１と実施例１１〜実施例２１及び比較例８〜比較例２３に基づいて反射率が良好となる全厚と波長λの関係（（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λ）（光路長）を求めた。
（実施例１１）
第３保護膜８を４０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．５３％と良好な結果が得られた。
結果を表３に示す。なお、表３には既述した実施例１と以下の実施例１２〜実施例２１、比較例８〜比較例２３の結果も示す。
第３保護膜８を４０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．５３％と良好な結果が得られた。
結果を表３に示す。なお、表３には既述した実施例１と以下の実施例１２〜実施例２１、比較例８〜比較例２３の結果も示す。
（実施例１２）
第３保護膜８を４３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．９０％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を４３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．９０％と良好な結果が得られた。
（実施例１３）
第３保護膜８を５０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．８８％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を５０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．８８％と良好な結果が得られた。
（実施例１４）
第３保護膜８を５３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．５２％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を５３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．５２％と良好な結果が得られた。
（実施例１５）
第３保護膜８をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて３７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて３７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を８０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて３７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．６５％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８をＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて３７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９をＳｉＯ2を６０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて３７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０をＳｉＯ2を８０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用いて３７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．６５％と良好な結果が得られた。
（実施例１６）
第３保護膜８を４０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．３８％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を４０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．３８％と良好な結果が得られた。
（実施例１７）
第３保護膜８を４３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．８５％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を４３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．８５％と良好な結果が得られた。
（実施例１８）
第３保護膜８を４７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は７．００％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を４７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を４７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を４７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は７．００％と良好な結果が得られた。
（実施例１９）
第３保護膜８を５０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．８３％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を５０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．８３％と良好な結果が得られた。
（実施例２０）
第３保護膜８を５３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．３６％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を５３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は６．３６％と良好な結果が得られた。
（実施例２１）
第３保護膜８を５７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．６５％と良好な結果が得られた。
第３保護膜８を５７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たし、更に第２情報層Ｄ２の反射率は５．６５％と良好な結果が得られた。
（比較例８）
第３保護膜８を２０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は１．９０％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を２０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は１．９０％と良好な結果が得られなかった。
（比較例９）
第３保護膜８を２３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．０２％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を２３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．０２％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１０）
第３保護膜８を２７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．５０％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を２７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．５０％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１１）
第３保護膜８を３０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．２８％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を３０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．２８％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１２）
第３保護膜８を３３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．０９％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を３３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．０９％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１３）
第３保護膜８を３７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．７８％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を３７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．７８％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１４）
第３保護膜８を５７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．８２％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を５７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を５７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を５７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．８２％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１５）
第３保護膜８を６０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．１１％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を６０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．１１％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１６）
第３保護膜８を６３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．３０％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を６３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．３０％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１７）
第３保護膜８を２０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．２１％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を２０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．２１％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１８）
第３保護膜８を２３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．３４％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を２３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．３４％と良好な結果が得られなかった。
（比較例１９）
第３保護膜８を２７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．９１％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を２７ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を２７ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を２７ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は２．９１％と良好な結果が得られなかった。
（比較例２０）
第３保護膜８を３０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．７７％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を３０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．７７％と良好な結果が得られなかった。
（比較例２１）
第３保護膜８を３３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．７１％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を３３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を３３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を３３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．７１％と良好な結果が得られなかった。
（比較例２２）
第３保護膜８を６０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．７２％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を６０ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６０ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６０ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は４．７２％と良好な結果が得られなかった。
（比較例２３）
第３保護膜８を６３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．７８％と良好な結果が得られなかった。
第３保護膜８を６３ｎｍの厚さｄ１で形成し、第４保護膜９を６３ｎｍの厚さｄ２で形成し、第５保護膜１０を６３ｎｍの厚さｄ３で形成した以外は、実施例１５と同様の条件で光記録媒体Ｄを作成した。
実施例１５と同様に測定を行ったところ、それぞれの屈折率はｎ１＞ｎ２＞ｎ３の関係を満たしたものの、第２情報層Ｄ２の反射率は３．７８％と良好な結果が得られなかった。
以上の表３に示した結果に基づいて、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λと第２情報層Ｄ２の反射率との関係を図３に示す。
図３より、第３保護膜８の屈折率ｎ１が２．１０、第４保護膜９の屈折率ｎ２が１．９５、第５保護膜１０の屈折率ｎ３が１．７８である光記録媒体Ｄ（実施例１、実施例１１〜実施例１４及び比較例８〜比較例１６）は、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１７以上０．２６以下の範囲において、５．０％以上の第２情報層Ｄ２の反射率を得られる。また、第３保護膜８の屈折率ｎ１が２．１８、第４保護膜９の屈折率ｎ２が１．７８、第５保護膜１０の屈折率ｎ３が１．６３である光記録媒体Ｄ（実施例１５〜実施例２１及び比較例１７〜比較例２３）は、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１５以上０．２７以下の範囲において、５．０％以上の第２情報層Ｄ２の反射率を得られる。
従って、いずれの屈折率ｎ１、ｎ２、ｎ３の組み合わせにおいても、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１７以上０．２６以下の範囲にあれば、５．０％以上の第２情報層Ｄ２の反射率を得られて、好ましい関係にある。また、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１８以上０．２４以下の範囲にあると更に良好な第２情報層Ｄ２の反射率を得られるため、より好ましい。
図３より、第３保護膜８の屈折率ｎ１が２．１０、第４保護膜９の屈折率ｎ２が１．９５、第５保護膜１０の屈折率ｎ３が１．７８である光記録媒体Ｄ（実施例１、実施例１１〜実施例１４及び比較例８〜比較例１６）は、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１７以上０．２６以下の範囲において、５．０％以上の第２情報層Ｄ２の反射率を得られる。また、第３保護膜８の屈折率ｎ１が２．１８、第４保護膜９の屈折率ｎ２が１．７８、第５保護膜１０の屈折率ｎ３が１．６３である光記録媒体Ｄ（実施例１５〜実施例２１及び比較例１７〜比較例２３）は、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１５以上０．２７以下の範囲において、５．０％以上の第２情報層Ｄ２の反射率を得られる。
従って、いずれの屈折率ｎ１、ｎ２、ｎ３の組み合わせにおいても、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１７以上０．２６以下の範囲にあれば、５．０％以上の第２情報層Ｄ２の反射率を得られて、好ましい関係にある。また、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１８以上０．２４以下の範囲にあると更に良好な第２情報層Ｄ２の反射率を得られるため、より好ましい。
なお、本実施形態においてはレーザ光の波長λを６６０ｎｍとして、第２情報層Ｄ２が良好な反射率を得られる（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λを求めたが、波長λは当然これに限定されるものではない。なかでも４０５ｎｍ〜６８０ｎｍの波長λを用いて、（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λが０．１７以上０．２６以下となるように光記録媒体Ｄを作成すると、第２情報層Ｄ２の反射率が良好な値となる。
表３に示したように、本実施形態において良好な第２情報層Ｄ２の反射率が得られる第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の全厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）は、１１０ｎｍ以上となり厚い。従って量産性を考慮すると、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０を形成する材料は、スパッタレートが速いものが好ましい。
表４に、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０の形成に用いられる材料とその屈折率、スパッタレートをそれぞれ示す。なおスパッタレートは、ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲット（ZnS(80)-SiO2(20)）を１．０とし、比較した値である。１．０より小さいと、ZnS(80)-SiO2(20)のスパッタレートよりも遅いことを表す。
表４より、スパッタレートが１．０に近いものは、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）のみであり、その他の材料（ＳｉＯ2、ＳｉＣ、ＴｉＯ2、ＳｉＨ、ＧｅＮ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2及びＮｂ2Ｏ5）はスパッタレートが大幅に１．０よりも小さいことが判明した。従ってＺｎＳ−ＳｉＯ2以外の材料を用いると、スパッタレートが遅く量産性に向いていない。
このことより、第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０にＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いて、第３保護膜８の屈折率ｎ１と第４保護膜９の屈折率ｎ２と第５保護膜１０の屈折率ｎ３とが既述したような関係を満たすように光記録媒体Ｄを形成する必要がある。既述した関係を満たすことで第２情報層Ｄ２の高い反射率が得られ、量産性に優れた光記録媒体Ｄが形成できる。
図４に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2におけるＳｉＯ2のモル比αと屈折率ｎの関係を示す。ＳｉＯ2のモル比が大きくなると、屈折率ｎは小さくなる。また、ＳｉＯ2のモル比が０．８を超えるとスパッタレートが遅くなるため、量産には適さない。
図４に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2におけるＳｉＯ2のモル比αと屈折率ｎの関係を示す。ＳｉＯ2のモル比が大きくなると、屈折率ｎは小さくなる。また、ＳｉＯ2のモル比が０．８を超えるとスパッタレートが遅くなるため、量産には適さない。
以上のことより、ＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料を用いて第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０を形成することが好ましい。更に第３保護膜８を形成する材料におけるＳｉＯ2のモル比をα１、第４保護膜９を形成する材料におけるＳｉＯ2のモル比をα２、第５保護膜１０を形成する材料におけるＳｉＯ2のモル比をα３としたときに、α１、α２、α３がそれぞれ０以上０．８以下となるような材料を用いると、良好な第２情報層Ｄ２の反射率が得られる。
図５に、第２情報層Ｄ２単独での反射率と第２情報層Ｄ２の反射率との関係を示す。第２情報層Ｄ２単独とは、第１基板１上に第１情報層Ｄ１及び中間層７を設けずに第２情報層Ｄ２を形成し、続いて第２基板１４を形成したものをさす。所定の透過率Ｔ（０．４２、０．４６、０．５０）となるように第２情報層Ｄ２の構成をそれぞれ設定し、各透過率Ｔの構成において、第２情報層Ｄ２単独の反射率を増大させた。第２情報層Ｄ２単独の反射率は、パルステック工業株式会社製光ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ−１０００）を用いて測定した。
同様の構成条件で本実施形態の光記録媒体Ｄをそれぞれ形成し、第２情報層Ｄ２の反射率を測定した。なお本実施形態の第１情報層Ｄ１の透過率は、６６０ｎｍのレーザ波長λにおいて０．４３程度である。
同様の構成条件で本実施形態の光記録媒体Ｄをそれぞれ形成し、第２情報層Ｄ２の反射率を測定した。なお本実施形態の第１情報層Ｄ１の透過率は、６６０ｎｍのレーザ波長λにおいて０．４３程度である。
図５より、いずれの透過率Ｔにおいても、第２情報層Ｄ２単独の反射率が２８％以上となると第２情報層Ｄ２の反射率は５．０％以上となる。従って、本実施形態の光記録媒体Ｄにおいてレーザ入射面１Ａから見て奥側の、第２情報層Ｄ２単独の反射率は２８％以上が好ましい。
本発明は、記録膜を有する情報層を複数層備える多層型相変化光記録媒体Ｄを用いて検討を行ったが、図６に示すような情報層が１層の相変化型光記録媒体Ｄｓでも、既述した第３保護膜８と第４保護膜９と第５保護膜１０との関係を満たすように情報層を形成すると、高い反射率が得られる。
図６の光記録媒体Ｄｓは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光Ｌが入射する入射面２１Ａを底面とする第１基板２１上に第１保護膜２２、第２保護膜２３、第３保護膜２４、記録膜２５、第４保護膜２６、反射膜２７を順次積層し、その上に第５保護膜２８を塗布したものである。第１保護膜２２、第２保護膜２３及び第３保護膜２４が、図１に示す多層型相変化光記録媒体Ｄの第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０にそれぞれ対応する。従って、第１保護膜２２の屈折率ｎ２２と第２保護膜２３の屈折率ｎ２３と第３保護膜２４の屈折率ｎ２４が、既述した第３保護膜８の屈折率ｎ１と第４保護膜９の屈折率ｎ２と第５保護膜１０の屈折率ｎ３との関係を満たすように形成すればよい。
図６の光記録媒体Ｄｓは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光Ｌが入射する入射面２１Ａを底面とする第１基板２１上に第１保護膜２２、第２保護膜２３、第３保護膜２４、記録膜２５、第４保護膜２６、反射膜２７を順次積層し、その上に第５保護膜２８を塗布したものである。第１保護膜２２、第２保護膜２３及び第３保護膜２４が、図１に示す多層型相変化光記録媒体Ｄの第３保護膜８、第４保護膜９及び第５保護膜１０にそれぞれ対応する。従って、第１保護膜２２の屈折率ｎ２２と第２保護膜２３の屈折率ｎ２３と第３保護膜２４の屈折率ｎ２４が、既述した第３保護膜８の屈折率ｎ１と第４保護膜９の屈折率ｎ２と第５保護膜１０の屈折率ｎ３との関係を満たすように形成すればよい。
１ 第１基板（基板）
８ 第３保護膜（第１保護膜）
９ 第４保護膜（第２保護膜）
１０ 第５保護膜（第３保護膜）
１１ 記録膜
８ 第３保護膜（第１保護膜）
９ 第４保護膜（第２保護膜）
１０ 第５保護膜（第３保護膜）
１１ 記録膜
Claims (5)
- 光により情報が記録または再生される光記録媒体において、
前記光を入射させる基板と、
前記基板上に少なくとも第１保護膜、第２保護膜、第３保護膜、記録膜をこの順に積層した情報層を備え、
特定波長の前記光における前記第１保護膜の屈折率をｎ１、前記第２保護膜の屈折率をｎ２、前記第３保護膜の屈折率をｎ３としたときに、以下の（１）式または（２）式、
ｎ１＞ｎ２＞ｎ３…（１）
ｎ２＞ｎ１＞ｎ３…（２）
を満たすことを特徴とする光記録媒体。 - 前記第１から第３保護膜における２つの保護膜の屈折率の差の絶対値、｜ｎ１−ｎ２｜、｜ｎ２−ｎ３｜、｜ｎ１−ｎ３｜のうち、最小の屈折率の差Δｎは０．０１以上であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
- 前記第１保護膜の膜厚をｄ１、前記第２保護膜の膜厚をｄ２、前記第３保護膜の膜厚をｄ３とし、前記特定波長をλとしたときに、以下の（３）式、
０．１７≦（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／λ≦０．２６…（３）
を満たすことを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 前記第１保護膜、第２保護膜及び第３保護膜はＺｎＳとＳｉＯ2との少なくとも一方を含む材料で構成され、前記第１保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα１とし、前記第２保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα２とし、前記第３保護膜を構成する前記材料のＳｉＯ2モル比率をα３としたときに、α１、α２、α３が０以上０．８以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光記録媒体。
- 前記情報層を、前記基板の光が入射する入射面から見て奥側に位置する奥側情報層として備えるとともに、前記奥側情報層よりも前記入射面側に位置する入射面側情報層を備え、
前記奥側情報層は、前記特定波長において２８％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の光記録媒体。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010150755A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 三菱化学メディア株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2013507274A (ja) * | 2009-10-16 | 2013-03-04 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | 単一および複層における高反射率、耐引っ掻き性ＴｉＯ２被膜 |
-
2006
- 2006-06-01 JP JP2006153209A patent/JP2007323743A/ja active Pending
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