CN101303867A - 光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法 - Google Patents

Abstract

在基板(1)上依次层叠有反射膜(2)、界面膜(3)、第1电介质膜(4)、记录膜(5)、第2电介质膜(6)、防湿膜(7)、保护膜(8)、覆盖层(9)。在覆盖层(9)上射入用于记录或再现信息的激光(L)。防湿膜(7)含有铟氧化物，至少一部分是无定形的。防湿膜(7)含有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种。在含有锡氧化物的情况下优选含有20mol％以上但低于80mol％。

Description

光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法

技术领域

本发明涉及利用例如激光来记录或再现信息的光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法，特别涉及具有将记录层设置于光信息记录介质的一个表面附近的结构的追记型光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法。

背景技术

以往，作为利用激光来记录或再现信息的光信息记录介质，虽然DVD是主流，但是记录容量比DVD大的蓝光光盘(Blu-ray Disc)正在出现并普及。DVD和蓝光光盘(以下简称为BD)的形状虽然都是直径12cm、厚1.2mm的圆盘状，但是具有如下的不同点。在DVD中记录层位于距离其厚度的中心、即距离光信息记录介质的两面0.6mm的位置，对该记录层利用650nm的红色波长的激光进行记录再现。

另一方面，在BD中记录层位于距离光信息记录介质的一个面0.1mm的位置，对该记录层利用405nm的蓝紫色波长的激光进行记录再现。就BD而言，通过在使激光短波长化的同时，增大物镜的数值孔径(NA)，来使记录标记比DVD中的还小，从而提高记录密度。BD的一般的层结构是在厚1.1mm的树脂基板上至少具有反射膜、第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜、覆盖层的结构。除了树脂基板以外，反射膜、第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜、覆盖层等总计具有0.1mm的厚度。

根据发明人的研究，如果将目前市售的BD在高温多湿的环境下放置一定时间，则可判明再现信号变差。将光信息记录介质置于高温多湿的环境下的试验是在短时间内推定光信息记录介质的长期可靠性的方法，例如一般是在80℃85％RH的环境下放置96小时。这相当于在通常的环境下(25℃30％RH)保存数十年～数百年。另外，长期可靠性的特性可以通过例如使用测量仪测量平均SER(Symbol Error Rate)来判定。上述再现信号的劣化可以作为平均SER的劣化进行观测。可推定再现信号劣化的原因是，大气中的水分到达记录膜和反射膜的任何一方或者双方，在这些膜自身上产生了某种反应，或者在这些膜和相邻的膜之间产生了某种反应。另外，记录膜或反射膜由于某种反应而劣化时，也会给在记录膜上的信息记录带来不好的影响。

作为解决这种因大气中的水分浸入光信息记录介质内部而产生的问题的提案，在专利文献1(日本特开2006-294169号公报)中有记载。在专利文献1中记载的发明是在由有机材料构成的记录层和覆盖层之间设置调整水分透过率的中间层的技术。作为该中间层，记载了使用含有至少一种Nb(铌)，Al(铝)，Si(硅)的氧化物或氮化物、含有Zn(锌)的硫化物。

[专利文献1]：日本特开2006-294169号公报

本发明人对于具有无机记录膜的光信息记录介质，通过试制设置有由Nb₂O₅形成的中间层的光信息记录介质而进行了评价长期可靠性的实验，结果可知，在高温多湿的环境下放置后，平均SER严重恶化，仅就专利文献1中记载的发明而言就不能充分确保长期可靠性。在专利文献1中，比较了在高温多湿的环境下放置前后的再现抖动(jitter)，但是仅抑制抖动的变化是不够的，还要求长期可靠性更优异的光信息记录介质。

发明内容

本发明是鉴于这种问题而提出的，目的是提供可抑制大气中的水分到达记录膜或反射膜、长期可靠性优异的光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法。

本发明为了解决上述以往的技术课题，提供一种光信息记录介质，其特征在于，具备：基板(1)，被射入用于记录或再现信息的光的覆盖层(9)，在上述基板和上述覆盖层之间从上述基板侧开始依次层叠的反射膜(2)、第1电介质膜(4)、记录膜(5)、第2电介质膜(6)，以及设置在上述第2电介质膜和上述覆盖层之间、并且含有铟氧化物的至少一部分为无定形的防湿膜(7)。

在这里，上述防湿膜优选含有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种。

另外，上述防湿膜优选含有20mol％以上但低于80mol％的锡氧化物。

此外，在以上的结构中，优选在上述第2电介质膜和上述覆盖层之间具有保护膜，并且上述防湿膜设置于上述第2电介质膜和上述保护膜之间。

本发明为了解决上述以往的技术课题，提供一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在基板(1)上通过溅射至少依次层叠反射膜(2)、第1电介质膜(4)、记录膜(5)、第2电介质膜(6)的工序，在上述第2电介质膜上通过溅射层叠防湿膜(7)的工序，上述溅射使用了添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种的铟氧化物的靶，在上述防湿膜上通过旋涂形成保护膜(8)的工序和在上述保护膜上粘贴覆盖层(9)的工序。

另外，还提供了一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在基板(1)上通过溅射至少依次层叠反射膜(2)、第1电介质膜(4)、记录膜(5)、第2电介质膜(6)的工序，在上述第2电介质膜上通过溅射层叠防湿膜(7)的工序，上述溅射使用了添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种的铟氧化物的靶，以及在上述防湿膜上通过旋涂形成作为覆盖层的树脂层(9)的工序。

此外，还提供了一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在基板(1)上通过溅射至少依次层叠反射膜(2)、第1电介质膜(4)、记录膜(5)、第2电介质膜(6)的工序，在上述第2电介质膜上通过溅射层叠防湿膜(7)的工序，上述溅射使用了添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种的铟氧化物的靶，在上述防湿膜上通过旋涂形成紫外线固化树脂的保护膜(8)的工序，在上述保护膜上放置覆盖层(9)的工序，以及通过从上述覆盖层侧照射紫外线而使上述保护膜固化，从而将上述覆盖层粘贴在上述保护膜上的工序。

根据本发明的光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法，可以抑制大气中的水分到达记录膜或反射膜，可以大幅度地提高光信息记录介质的长期可靠性。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的光信息记录介质的放大剖面图。

符号说明

1基板

2反射膜

3界面膜

4第1电介质膜

5记录膜

6第2电介质膜

7防湿膜

8保护膜

9覆盖层

100光信息记录介质

具体实施方式

<光信息记录介质的结构>

下面，对本发明的光信息记录介质和光信息记录介质的制造方法，参照附图进行说明。图1是表示本发明的一个实施方式的光信息记录介质的放大剖面图。如图1中所示，在一个实施方式的光信息记录介质100中，在厚1.1mm的基板1上依次层叠了反射膜2、界面膜3、第1电介质膜4、记录膜5、第2电介质膜6、防湿膜7、保护膜8、覆盖层9。反射膜2～覆盖层9的总计厚度为0.1mm。用于记录或再现的激光L从覆盖层9侧照射在光信息记录介质100上。

由于基板1与DVD的情况不同，不需要透射激光L，所以可以考虑物理强度和制造成本后适当选择材料。作为基板1的材料，可以使用例如玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。其中，由于聚碳酸酯成形容易，吸湿性小，所以特别优选作为基板1的材料。

作为反射膜2的材料，可以使用具有光反射性的Al、Au(金)、Ag(银)等金属、以这些金属为主成分含有由一种以上的金属或者半导体构成的添加元素的合金，在上述金属中混和有Al、Si等的金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等金属化合物的材料。作为合金的例子，一般是在Al中混和有Si、Mg(镁)、Cu(铜)、Pd(钯)、Ti(钛)、Cr(铬)、Hf(铪)、Ta(钽)、Nb、Mn(锰)、Zr(锆)等的至少一种元素的合金，或者在Au或Ag中混和有Cr、Ag、Cu、Pd、Pt(铂)、Ni(镍)、Nd(钕)、In(铟)等的至少一种元素的合金。其中，Ag和以Ag为主成分的合金对蓝紫色波长的光反射性高且可以提高导热率，可以增大信号强度，所以优选。

另外，反射膜2的厚度可以根据形成反射膜2的材料的导热率大小适当设定，优选为50nm～300nm。反射膜2的厚度为50nm以上时，反射膜2不会产生光学变化，不会给反射率的值带来影响，但是反射膜2的厚度增大时，对冷却速度的影响变大。当形成超过300nm厚的反射膜2时，在制造方面需要大量的时间。因此，优选使用导热率高的材料，将反射膜2的层厚控制在上述最适合范围内。

在这里，作为反射膜2使用Ag或Ag合金，作为第1电介质膜4使用ZnS(硫化锌)或者ZnS的混合物时，如图1中所示，优选在反射膜2和第1电介质膜4之间插入界面膜3。这是因为由第1电介质膜4中的S(硫)和反射膜2中的Ag的化学反应生成的AgS化合物可抑制缺陷的产生。因此，作为界面膜3的材料，必须不含有硫。作为界面膜3的材料，优选含有氮化物、氧化物、碳化物中的至少一种的材料，具体地讲，优选含有氮化锗、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铬、碳中的至少一种的材料。另外，也可以在这些材料中含有氧、氮、氢等。另外，上述的氮化物、氧化物、碳化物可以不是化学计量组成，氮、氧、碳可以过量或者不足。

第1电介质层4和第2电介质层6的设置是为了防止对记录膜5记录信息时产生的热使基板1或保护膜8变形而使记录特性变差，通过光学干涉效果来改善再现时的信号对比度。第1电介质层4和第2电介质层6优选分别对于记录、再现或者消去用的激光是透明的且折射率n在1.9≤n≤2.5的范围内。此外，从热特性的观点考虑，作为第1电介质层4和第2电介质层6，优选SiO₂、SiO、ZnO、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、MgO等氧化物的单体、ZnS、In₂S₃、TaS₄等硫化物的单体、TaC、WC(碳化钨)、TiC等碳化物的单体、或者它们的混合物。其中，ZnS和SiO₂的混和膜的记录灵敏度以及C/N良好，成膜速度大，生产率高，所以特别优选。

第1电介质膜4和第2电介质膜6可以不是相同的材料、组成，也可以由不同种类的材料构成。第1电介质膜4和第2电介质膜6的厚度为约10nm～200nm范围。

在第1电介质膜4和第2电介质膜6之间设置的记录膜5由无机材料构成，是金属、半导体元素的二层结构或者金属氧化物或金属氮化物的一层结构。当记录膜5是二层结构时，通过用激光L加热使二层元素熔融来记录信息，当记录膜5是一层结构时，通过用激光L加热使氧或者氮从金属氧化物或金属氮化物游离来记录信息。其中，金属氮化物由于具有低抖动特性和高记录功率裕度特性，可获得良好的记录特性，所以特别优选作为记录膜5的材料。

另外，使用金属氮化物作为记录膜5的材料时，在记录温度即约600℃以下产生氮游离对信息记录来说是必须的，可以设置成至少含有在约600℃以下产生相分离的低熔点材料的材料。作为这样的低熔点材料，可列举BiN(氮化铋)、Fe₂N(氮化铁)、Cu₃N等。另外，为了抑制交差消除，优选不仅含有低熔点材料，而且还含有在约600℃以下不产生相分离的高熔点材料。作为这种高熔点材料，一般作为熔点高的材料的氮化物或氧化物就可以，可列举例如GeN、TiN、NbN、ZrN、WO、ZrO₂、TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅等。作为一个例子，当选择BiN作为低熔点材料、选择GeN作为高熔点材料来形成记录膜5时，GeN和BiN的摩尔比率为2∶8～8∶2。

向具有该组成的记录膜5照射用于信息记录的激光L，该部分的温度上升时，氮从BiN产生游离，铋成为金属单质。由此，由于光学特性变化，所以可以进行信息的记录和读取(再现)。另外，由于氮从BiN产生游离的变化是不可逆变化，所以一旦游离的氮就不会再次与铋结合。即，具有上述结构的光信息记录介质100作为不能改写记录信息的追记型光信息记录介质而发挥作用。另外，记录膜5的厚度为10nm～40nm。记录膜5的厚度比10nm薄时，难以获得记录、未记录的反射率差，比40nm厚时，会引起记录灵敏度变差。

如图1中所示，在第2电介质膜6上设置有防湿膜7。防湿膜7对于激光L是透明的，而且，由防湿膜7可阻止或减少大气中的水分浸透到基板1侧的层上。如果满足这样的条件，则防湿膜7的材料没有特别限制，优选含有氮化物、氧化物、碳化物中的至少一种。其中，优选含有In氧化物的无定形膜。本实施方式中，作为防湿膜7的一种材料，使用富含SnO₂的ITO(铟锡氧化物)。ITO是在氧化铟(In₂O₃)中添加氧化锡(SnO₂)形成的物质，SnO₂的含量多时，ITO膜质变为无定形。

通过将ITO膜设置为无定形的，即设置为富含SnO₂的，可降低防湿膜7的水分透过率。当防湿膜7不是无定形的结构而具有结晶物质的结构时，由于存在晶界，所以水分易于通过该晶界而移动。另一方面，如果防湿膜7是无定形的，由于不存在晶界，所以可以阻碍水分的移动，或者与结晶物质相比水分难以移动。另外，可以说防湿膜7最优选其全部是无定形的，但是这未必是必须的，至少一部分是无定形的即可。优选防湿膜7的总体积的50％以上是无定形的。防湿膜7的厚度为5nm～100mm。薄于5nm时，不能阻止水分的移动。比60nm厚时，由于引起生产率下降，所以优选防湿膜7的厚度为5nm～60nm。

在防湿膜7上设置有由紫外线固化树脂形成的保护膜8。保护膜8的厚度为数μm左右即可。在保护膜8上层叠有覆盖层9。覆盖层9例如是在聚碳酸酯片材(PC片材)的一个面(保护膜8侧的面)上涂布粘着材料，在另一个面(光信息记录介质100的表面侧)上涂布涂覆剂而形成的层。反射膜2～保护膜8的膜厚由于非常薄，所以覆盖层9的厚度大致为0.1mm。

<光信息记录介质的制造方法>

下面，对光信息记录介质100的制造方法进行说明。上述的反射膜2、界面膜3、第1电介质膜4、记录膜5、第2电介质膜6、防湿膜7可在基板1上使用公知的在真空中的薄膜形成法来成膜。作为薄膜形成法，可以使用例如电阻加热型或电子束型的真空蒸镀法或离子镀(Ion plating)法、直流或交流溅射或者反应性溅射的溅射法，特别从组成和膜厚的控制容易的观点考虑，优选使用溅射法。

在基板1上使反射膜2～防湿膜7成膜时，可以使用在真空槽内使多个基板1同时成膜的分批法，也可以使用对每一个基板1进行处理的单张式成膜装置进行成膜。反射膜2～防湿膜7的各个膜厚的控制可以通过控制溅射电源的投入功率和时间，或者用水晶振动型膜厚计控制堆积状态来容易地进行。另外，反射膜2～防湿膜7的成膜可以在固定基板1的状态和使基板1移动或旋转的状态的任何一种状态下进行。从膜厚的面内均匀性优异的观点出发，优选使基板1自转，更优选将自转和公转组合。根据成膜时基板1的放热情况，根据需要可以通过对基板1进行冷却来降低基板1的翘曲量。

如上所述地使反射膜2～防湿膜7成膜后，通过在防湿膜7上涂布紫外线固化树脂并照射紫外线使其固化而形成保护膜8。然后，在保护膜8上粘贴由涂布了粘接材料的PC片材构成的覆盖层9，从而完成光信息记录介质100。另外，也可以不在防湿膜7上设置保护膜8，而是涂布大致0.1mm的高粘度紫外线固化树脂并将使其固化的产物作为覆盖层9。考虑到大量生产性，与形成保护膜8后粘贴由PC片材构成的覆盖层9的方法相比，更优选用高粘度紫外线固化树脂直接形成大致0.1mm的覆盖层9的方法，但是考虑到厚度的面内均匀性，优选在保护膜8上粘贴覆盖层9的方法。

另外，也可以在防湿膜7上涂布作为保护膜8的紫外线固化树脂，在未固化状态的保护膜8上放置作为覆盖层9的PC片材，从覆盖层9侧照射紫外线而使保护膜8固化，从而使覆盖层9粘贴在保护膜8上。另外，也可以在PC片材或者高粘度紫外线固化树脂上设置热固化型的硬涂层。即使是设置硬涂层的情况，也需要使基板1以外的整体厚度为0.1mm。

可是，虽然图1中省略了图示，但是在基板1上形成了用于跟踪记录或再现用的激光L的凹凸(岸地凹槽)。在具有该凹凸的基板1上用直线运动性高的溅射法等将反射膜2、界面膜3、第1电介质膜4、记录膜5、第2电介质膜6、防湿膜7成膜时，在防湿膜7上也反映出凹凸形状。在具有凹凸的防湿膜7上层叠平坦的覆盖层9时，由于在凹部残留空气，该空气成为长期可靠性的缺陷。因此，可以通过在防湿膜7上通过旋涂形成保护膜8来去掉防湿膜7上的凹凸。由此可以除去凹部的空气，除掉导致长期可靠性的缺陷的一个因素。由此，优选保护膜8在防湿膜7上通过旋涂来成膜。在防湿膜7上涂布大致0.1mm的高粘度紫外线固化树脂而形成覆盖层9时，也优选通过旋涂进行。

<防湿膜7的材料的研究>

本发明人推定，为了使光信息记录介质的长期可靠性优异，适合的是在第2电介质膜6和保护膜8之间设置防湿膜7，再把含有In氧化物的无定形作为防湿膜7，基于下述的实施例1～3和比较例1～6，发现该推定是正确的，长期可靠性比以往的光信息记录介质还优异。

实施例

在以下的各个实施例和各个比较例中，使用安装了波长为405nm的激光二极管、NA＝0.85的光学透镜的パルステツク公司制的光盘驱动测试仪(ODU1000)，测量在80℃85％RH的环境下保存96小时后的平均SER。

(实施例1)

在直径为120mm、板厚为1.1mm的聚碳酸酯制的基板1上形成后述的各膜。在基板1上按照磁道间距为0.32μm的方式形成空槽。该槽深为25nm，凹槽和岸地(Groove and Land)的宽度比约为50∶50。

首先，使真空容器内排气至3×10^-4pa后，在2×10^-1Pa的Ar气气氛下使用Ag-Pd-Cu合金靶通过磁控溅射法形成厚80nm的反射膜2。接着，在Ar气和N₂气的混合气氛中使用GeCr合金靶形成厚2nm的GeCrN膜作为界面膜3，然后使用加入了20mol％SiO₂的ZnS靶形成厚20nm的第1电介质膜4。

另外，在Ar气和N₂气的混合气氛中使用GeBi(元素比50∶50)合金靶以25nm的厚度形成GeBiN的记录膜5。接着，在记录膜5上用与第1电介质膜4相同的材料以50nm的厚度形成第2电介质膜6。另外，在第2电介质膜6上使用添加了40mol％SiO₂的In₂O₃靶形成厚20nm的防湿膜7。

将如上所述地使反射膜2～防湿膜7成膜后的基板1从真空容器内取出后，通过在防湿膜7上旋涂丙烯酸系紫外线固化树脂(Sony Chemical制SK5110)而形成保护膜8，在其上隔着粘接材料粘贴材料粘贴PC片材作为覆盖层9，从而获得图1所示的光信息记录介质100。粘接材料和PC片材的总厚度大致为0.1mm。另外，使用添加了40mol％的SiO₂的In₂O₃靶制作在硅晶片上层叠了100nm的In₂O₃的溅射膜样品，结果，该溅射膜用X射线衍射法确认为是无定形的。由此，光信息记录介质100中的防湿膜7是无定形的。

对于这样制作的光信息记录介质100，用上述的パルステツク公司制的光盘驱动测试仪记录规定的信息，在80℃85％RH的环境下保存96小时，测量记录磁道的平均SER。如表1所示，平均SER为5.0×10^-5。平均SER把数据可靠性高的2.0×10^-4作为良好结果的上限值。实施例1中，获得了平均SER低于2.0×10^-4的良好结果。

[表1]

	防湿膜7的材料	膜质	平均SER
				实施例1	ITO(In2O3+SnO2)	无定形	5.0×10-5
实施例2	IWO(In2O3+W2O5)	无定形	9.1×10-5
				实施例3	ICO(In2O3+CeO2)	无定形	6.8×10-5
比较例1	无	-	3.2×10-3
				比较例2	In2O3	结晶物质	2.1×10-3
比较例3	Si3N4	无定形	不能测量
				比较例4	Si3N4+SiO2	无定形	1.8×10-2
比较例5	Al2O3	无定形	不能测量
				比较例6	SiC	无定形	1.6×10-3

(实施例2)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了20mol％的W₂O₅的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作实施例2的光信息记录介质100。确认了添加有20mol％的W₂O₅的In₂O₃的溅射膜也是无定形的。与实施例1相同地测量平均SER，结果，如表1所示，获得了平均SER为9.1×10^-5的良好结果。另外，表1中的IWO是指铟·钨氧化物。

(实施例3)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了20mol％的CeO₂(氧化铈)的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作实施例3的光信息记录介质100。确认了添加有20mol％的CeO₂的In₂O₃的溅射膜也是无定形的。如表1所示，获得了平均SER为6.8×10^-5的良好结果。另外，表1中的ICO是指铟·铈氧化物。

在以上的实施例1～3中，是通过使用了分别单独添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物的In₂O₃靶的溅射来使防湿膜7成膜，但是也可以使用添加了将锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的两种或三种混和形成的混合物的In₂O₃靶。

(比较例1)

除了不使防湿膜7成膜外，与实施例1相同地制作比较例1的光信息记录介质。如表1所示，平均SER为3.2×10^-5，结果不好。

(比较例2)

除了把防湿膜7的材料改变为In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作比较例2的光信息记录介质。与实施例1相同地进行测量，结果In₂O₃的溅射膜是结晶物质，如表1所示，平均SER为2.1×10^-5，结果不好。

(比较例3)

除了把防湿膜7的材料改变为Si₃N₄靶以外，与实施例1相同地制作比较例3的光信息记录介质。与实施例1相同地进行测量，结果Si₃N₄的溅射膜是无定形的。在80℃85％RH的环境下保存96小时后尝试着测量平均SER，但是产生了大量的缺陷，不能测量平均SER。

(比较例4)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了50mol％SiO₂的Si₃N₄靶以外，与实施例1相同地制作比较例4的光信息记录介质。添加了50mol％SiO₂的Si₃N₄的溅射膜是无定形的。如表1所示，平均SER为1.8×10^-2，结果不好。

(比较例5)

除了把防湿膜7的材料改变为Al₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作比较例5的光信息记录介质。Al₂O₃的溅射膜是无定形的。与比较例3相同，产生了大量的缺陷，不能测量平均SER。

(比较例6)

除了把防湿膜7的材料改变为SiC靶以外，与实施例1相同地制作比较例6的光信息记录介质。SiC的溅射膜是无定形的。如表1所示，平均SER为1.6×10^-3，结果不好。

由以上的实施例1～3和比较例1～6可推定，没有防湿膜7时，记录膜5等由于浸入了来自覆盖层9侧的水分而产生腐蚀。如比较例1那样平均SER为3.2×10^-3，结果非常差。由此可判断防湿膜7是必须的。另外，由实施例1～3和比较例2-6可知，可以维持良好的平均SER的防湿膜7的材料是有限制的，优选含有In氧化物的材料，进而判明作为防湿膜7，是无定形的膜质是很重要的。基于上述的实施例1～3和比较例1～6，要想获得良好的长期可靠性，就要在第2电介质膜6和保护膜8之间设置防湿膜7，作为防湿膜7，含有In氧化物的无定形是良好的，这种推定显然是正确的。确认了本实施方式的光信息记录介质100的长期可靠性比以往的光信息记录介质高得多。

<ITO中的SnO₂含量的研究>

此外，本发明人根据上述的实施例1和比较例2以及以下的实施例4～7和比较例7～9，对适于使防湿膜7为无定形的ITO中SnO₂的含量程度进行了研究。

(实施例4)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了20mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作实施例4的光信息记录介质100。确认添加了20mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜是无定形的。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为7.2×10^-5，获得了良好的结果。表2中还示出了上述的实施例1和比较例2的数据。

[表2]

	ITO中SnO2含量[mol％]	膜质	平均SER
				实施例1	40	无定形	5.0×10-5
实施例4	20	无定形	7.2×10-5
				实施例5	30	无定形	6.9×10-5
实施例6	60	无定形	5.3×10-5
				实施例7	70	无定形	1.8×10-4
比较例2	0	结晶物质	2.1×10-3
				比较例7	5	结晶物质	1.1×10-3
比较例8	10	结晶物质	7.8×10-4
				比较例9	80	无定形	9.5×10-4

(实施例5)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了30mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作实施例5的光信息记录介质100。确认添加了30mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜是无定形的。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为6.9×10^-5，获得了良好的结果。

(实施例6)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了60mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作实施例6的光信息记录介质100。确认添加了60mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜是无定形的。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为5.3×10^-5，获得了良好的结果。

(实施例7)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了70mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作实施例7的光信息记录介质100。确认添加了70mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜是无定形的。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为1.8×10^-4，获得了良好的结果。

(比较例7)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了5mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作比较例7的光信息记录介质。确认添加了5mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜不是无定形的而是结晶物质。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为1.1×10^-3，结果不好。

(比较例8)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了10mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作比较例8的光信息记录介质。确认添加了10mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜不是无定形的而是结晶物质。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为7.8×10^-4，结果不好。

(比较例9)

除了把防湿膜7的材料改变为添加了80mol％SnO₂的In₂O₃靶以外，与实施例1相同地制作比较例9的光信息记录介质。确认添加了80mol％SnO₂的In₂O₃的溅射膜是无定形的。但是，与实施例1相同地测量平均SER，结果如表2所示，平均SER为9.5×10^-4，结果不好。

由以上的实施例1、4～7和比较例2、7～9可判断，要想使ITO的溅射膜为无定形，优选使SnO₂为20mol％以上。另外，SnO₂为80mol％时，虽然ITO的溅射膜为无定形，但是平均SER的值不好，由此判断优选SnO₂低于80mol％。这样一来，要想使防湿膜7为无定形，且使平均SER为良好的值，优选ITO中SnO₂的含量为20mol％以上但低于80mol％。

<膜结构的研究>

另外，本发明人对应该把防湿膜7设置于基板1上的哪个位置进行了研究。作为设置防湿膜7的位置，除了如图1所示那样设置于第2电介质膜6和保护膜8之间以外，还可以考虑设置于记录膜5和第2电介质膜6之间。如果浸透的水分对反射膜2有影响，则还可考虑将防湿膜7设置于第1电介质膜4和界面膜3之间、或者界面膜3和反射膜2之间的任何一种。因此，制作了与实施例1的膜结构的顺序不同的比较例10～12的光信息记录介质，并与实施例1进行比较研究。

(比较例10)

仅改变实施例1的膜结构的顺序，在基板1上按照反射膜2、界面膜3、第1电介质膜4、记录膜5、防湿膜7、第2电介质膜6的顺序成膜而制作比较例10的光信息记录介质。尝试与实施例1相同地测量平均SER，但是如表3所示，不能测量平均SER。认为其原因是防湿膜7中的Sn和由GeBiN构成的记录膜5之间产生了离子迁移，产生了腐蚀。

[表3]

	防湿膜7的位置	膜质	平均SER
				实施例1	第2电介质膜6和保护膜8之间	无定形
比较例10	记录膜5和第2电介质膜6之间	无定形	不能测量
				比较例11	界面膜3和第1电介质膜4之间	无定形
比较例12	反射膜2和界面膜3之间	无定形

(比较例11)

仅改变实施例1的膜结构的顺序，在基板1上按照反射膜2、界面膜3、防湿膜7、第1电介质膜4、记录膜5、第2电介质膜6的顺序成膜而制作比较例11的光信息记录介质。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表3所示，平均SER为2.3×10^-3，结果不好。认为其原因是由于记录膜5没有被防湿膜7保护，所以记录膜5受到了水分浸透的影响。

(比较例12)

仅改变实施例1的膜结构的顺序，在基板1上按照反射膜2、防湿膜7、界面膜3、第1电介质膜4、记录膜5、第2电介质膜6的顺序成膜而制作比较例12的光信息记录介质。与实施例1相同地测量平均SER，结果如表3所示，平均SER为2.5×10^-3，结果不好。认为其原因与比较例11相同，是由于记录膜5没有被防湿膜7保护，所以记录膜5受到了水分浸透的影响。

由以上的实施例1和比较例10～12可知，要形成长期可靠性优异的光信息记录介质，需要在第2电介质层6和覆盖层9之间设置防湿层7。另外，图1所示的本实施方式的光信息记录介质中，由于在保护膜8上设置了覆盖层9，为了严密起见，将防湿层7设置于第2电介质层6和保护膜8之间。如上所述，由于有时不是保护膜8和覆盖层9的二层结构，而设置成高粘度紫外线固化树脂单层的覆盖层9，所以可以将防湿层7设置于第2电介质层6和覆盖层9之间。

本发明并不限于以上说明的本实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内可以进行各种改变。本实施方式中，作为把记录层设置于光信息记录介质的一个表面附近的光信息记录介质的一个例子，虽然以BD为例，但是本发明并不限于BD。本发明将记录层设置于光信息记录介质的一个表面附近，可以用于覆盖层(或者与其等价的表面层)薄的任意的光信息记录介质。

Claims (7)

1、一种光信息记录介质，其特征在于，具备：

基板，

被射入用于记录或再现信息的光的覆盖层，

在所述基板和所述覆盖层之间从所述基板侧开始依次层叠的反射膜、第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜，

以及设置在所述第2电介质膜和所述覆盖层之间、并且含有铟氧化物的至少一部分为无定形的防湿膜。

2、根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述防湿膜含有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种。

3、根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述防湿膜含有20mol％以上但低于80mol％的锡氧化物。

4、根据权利要求1～3任何一项所述的光信息记录介质，其特征在于，在所述第2电介质膜和所述覆盖层之间具有保护膜，所述防湿膜设置于所述第2电介质膜和所述保护膜之间。

5、一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板上通过溅射至少依次层叠反射膜、第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜的工序，

在所述第2电介质膜上通过溅射层叠防湿膜的工序，所述溅射使用了添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种的铟氧化物的靶，

在所述防湿膜上通过旋涂形成保护膜的工序，

以及在所述保护膜上粘贴覆盖层的工序。

6、一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板上通过溅射至少依次层叠反射膜、第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜的工序，

在所述第2电介质膜上通过溅射层叠防湿膜的工序，所述溅射使用了添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种的铟氧化物的靶，

以及在所述防湿膜上通过旋涂形成作为覆盖层的树脂层的工序。

7、一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板上通过溅射至少依次层叠反射膜、第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜的工序，

在所述第2电介质膜上通过溅射层叠防湿膜的工序，所述溅射使用了添加有锡氧化物、钨氧化物和铈氧化物中的至少一种的铟氧化物的靶，

在所述防湿膜上通过旋涂形成紫外线固化树脂的保护膜的工序，

在所述保护膜上放置覆盖层的工序，

以及通过从所述覆盖层侧照射紫外线而使所述保护膜固化，从而将所述覆盖层粘贴在所述保护膜上的工序。