TW201832227A - 資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材 - Google Patents

資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材 Download PDF

Info

Publication number
TW201832227A
TW201832227A TW107102910A TW107102910A TW201832227A TW 201832227 A TW201832227 A TW 201832227A TW 107102910 A TW107102910 A TW 107102910A TW 107102910 A TW107102910 A TW 107102910A TW 201832227 A TW201832227 A TW 201832227A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
dielectric film
film
recording medium
information
Prior art date
Application number
TW107102910A
Other languages
English (en)
Inventor
槌野晶夫
兒島理惠
會田和輝
Original Assignee
日商松下知識產權經營股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商松下知識產權經營股份有限公司 filed Critical 日商松下知識產權經營股份有限公司
Publication of TW201832227A publication Critical patent/TW201832227A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic System, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24304—Metals or metalloids group 2 or 12 elements (e.g. Be, Ca, Mg, Zn, Cd)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/2432—Oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B2007/25408—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25411—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers

Abstract

資訊記錄媒體係利用雷射光照射來記錄或再生資訊，且該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層。第1資訊層為3層以上資訊層中之至少一資訊層，且該第1資訊層自雷射光照射面來看由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜。第1介電質膜含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1之氧化物。記錄膜至少含有W、Cu、Mn、氧及選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M，並且在記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及M滿足下述式(1)： WxCuyMnzM100-x-y-z(原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。

Description

資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材
本揭示涉及一種以光學機構記錄或再生資訊之大容量資訊記錄媒體與其製造方法及濺鍍靶材。
發明背景 隨著網際網路的普及播放數位化等，數位資料之利用量逐年增長。光學資訊記錄媒體的光碟作為適合長期保存資料且高可靠性的資訊記錄媒體，一直以來不斷隨著資訊量增大持續進展大容量化。
BDXL規格(BD：Blu-ray(註冊商標) Disc)制定於2010年6月。遵照該規格的3層光碟(具備3層資訊層)之每1資訊層的記錄容量為33.4十億位元組(GB)，單面可保存100GB之大容量資料。關於3層光碟的3層資訊層，距離雷射光光源最遠者稱為「L0層」，次遠者稱為「L1層」，距離雷射光光源最近者稱為「L2層」。已有文獻提出使用該BD-R XL光碟可實現最大約638兆位元組(TB)的大容量光碟櫃(disc-library)(如參照非專利文獻1)。
BDXL規格的次階規格則有2014年3月制定之業務用光碟規格「歸檔光碟(Archival Disc)」(如參照非專利文獻2)。歸檔光碟具有比BD更高的可靠性，其藉由採用溝台及溝槽(land and groove)記錄方式而具有較高的記錄密度。此外，歸檔光碟於基板兩面具備光碟片結構，因此可供作較大容量的記錄媒體。歸檔光碟規格的發展藍圖(road map)係制定成依序增加每片光碟的記錄容量。根據該發展藍圖，具體計畫為第1代為開發300GB系統，第2代為開發500GB系統，第3代則開發1TB系統。
第1代300GB的歸檔光碟係於基板兩面設置可保存150GB之資訊的3層光碟，每片可記錄再生300GB的資訊。即，在該歸檔光碟每1資訊層的記錄容量為50GB。各資訊層係以氧化物介電質膜包夾氧化物記錄膜的簡單構造(譬如參照專利文獻1及2)。對記錄膜照射雷射光，記錄膜便會產生形狀變化而記錄訊號。已有文獻提出使用該光碟可實現最大1.9千兆位元組(PB)的大容量光碟櫃(譬如參照非專利文獻3)。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：國際公開第2013/183277號 專利文獻2：日本專利第4210620號公報 非專利文獻 非專利文獻1：Panasonic Co., 資料歸檔程式LB-DH8系列目錄，2016年9月 非專利文獻2：Archival Disc White Paper: Archival Disc Technology 1st Edition July 2015(歸檔光碟白皮書：歸檔光碟技術，初版，2015年7月) 非專利文獻3：Panasonic Co., 資料歸檔程式LB-DH7系列目錄，2016年9月
發明概要 在第2代500GB容量的歸檔光碟中，設於單面的3層光碟必須實踐250GB的容量。即，每1資訊層的記錄容量必須從第1代的50GB增加至83.4GB。增加記錄容量的手法之一，有一種提高一層資訊層的記錄密度之方法。本揭示目的即在於提供一種可提高記錄密度之資訊記錄媒體，以實踐第2代歸檔光碟或比第1代歸檔光碟更大容量的記錄媒體。
本揭示一態樣之資訊記錄媒體係利用雷射光照射來記錄或再生資訊； 該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層； 第1資訊層為3層以上資訊層中之至少一資訊層，且該第1資訊層自雷射光照射面來看由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜； 第1介電質膜含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1之氧化物； 記錄膜至少含有W、Cu、Mn及氧且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M，並且在記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之另一態樣之資訊記錄媒體係利用雷射光照射來記錄或再生資訊； 該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層； 3層以上資訊層中之至少一資訊層自雷射光照射面看，由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜； 第1介電質膜及第2介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物； 記錄膜至少含有W、Cu、Mn、Ti及氧，並且在記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及Ti滿足下述式(2)： Wx Cuy Mnz Ti100-x-y-z (原子%)…(2) (式(2)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之資訊記錄媒體之製造方法包含一形成資訊記錄媒體所具3層以上資訊層之各資訊層的步驟，且形成3層以上資訊層中之至少一資訊層的步驟包含以下步驟： 形成第1介電質膜之步驟，係使用含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1的靶材，利用濺鍍來形成含有元素D1之氧化物的第1介電質膜；及 形成記錄膜之步驟，係使用至少含有W、Cu及Mn且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M的靶材，利用濺鍍來形成至少含有W、Cu、Mn及氧且更含有至少一種元素M的記錄膜； 在形成記錄膜之步驟中使用的靶材中，氧除外之W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之濺鍍靶材係用以形成資訊記錄媒體之記錄膜； 該濺鍍靶材至少含有W、Cu及Mn且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M；並且氧除外之W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之資訊記錄媒體即使提高記錄密度並縮短記號長，也可賦予較高的S/N，因此可記錄再生大容量資訊。
用以實施發明之形態 (完成本揭示一實施形態的原委) 作為提高以光學方式記錄資訊之媒體的記錄容量的手段之一，可舉如提高記錄密度。提高記錄密度的手段之一則可舉如縮短最短記號長之方法。記號長愈短，周期訊號會變得愈高頻，便衍生出受系統雜訊的影響，使光碟之S/N(S：訊號、N：雜訊)降低，造成訊號品質變差之課題。為了獲得良好的訊號品質，必須增加進入光學讀頭的再生光量以提升S/N。再生光量取決於資訊層之反射率與光學讀頭之再生功率之積。本發明人等探討了可進一步增加其積(即再生光量)之資訊層的構成。
在此詳細說明反射率。反射率係各資訊層之導引溝(溝台部、溝槽部)的反射率，指在未積層有資訊層之狀態(即單層)下測得之值。在實際組裝好光碟之狀態下於各資訊層測得之反射率稱為有效反射率。在單面3層歸檔光碟的情況下，譬如L0層之有效反射率係藉由求出使再生雷射光入射光碟並通過L2層與L1層而達至L0層之光反射後，再次通過L1層及L2層返回光學讀頭之光量來測定。亦即，L0層之有效反射率係藉由求出所回歸之再生雷射功率相對於射出讀頭之再生雷射功率(100%)的比率來測定。L1層之有效反射率係藉由求出通過L2層之光被反射後又通過L2層返回光學讀頭之光量來測定。L2層之有效反射率則藉由求出未通過其他資訊層而入射之光被反射後未通過其他層即返回光學讀頭之光量來測定。
歸檔光碟係採用溝台及溝槽記錄方式。在此記錄方式下，一旦提高記錄密度，串音(crosstalk)之影響就會變大。為了降低此現象宜進一步加深溝深，但加深溝深卻有致使反射率降低之傾向。
接著說明再生功率之定義。再生功率係定義為對記錄訊號連續照射預定功率之再生雷射光並可進行100萬次再生(100萬遍)的最大功率。更具體而言，最大功率可依以下方法求出：以在某功率下再生100萬次後，記錄訊號之通道位元錯誤率值自初始值的變化量、或以再生100萬次後之通道位元錯誤值本身來判斷合格與否，若為合格，便進一步提高功率實施100萬次再生來判斷合不合格，並提高功率直至不合格為止。譬如，通道位元錯誤率值若為2×E-3以下，即可判斷其功率為合格。
再生功率高表示再生耐久性優良。在3層光碟的情況下，L0層之再生耐久性係藉由使用通過L2層及L1層之再生雷射光測定再生功率來做評估。L1層之再生功率係使用通過L2層之再生雷射光來測定。L2層之再生功率則使用未通過其他層之再生雷射光來測定再生功率。
從有效反射率與再生功率可求出再生光量。具體上係求出各層之有效反射率與再生功率之積並將該值除以100，(有效反射率R(%)×再生功率Pr(mW)/100)來求算再生光量。就第2代歸檔光碟而言，較高的再生光量視為必要要件，譬如在4倍速下必須≧0.09。另外，若使用第1代歸檔光碟所採用的記錄膜及介電質膜來製作溝台及溝槽記錄之500GB歸檔光碟，再生光量則如下所示。 L0層之再生光量：0.056(2.8%×2mW/100) L1層之再生光量：0.077(4.5%×1.7mW/100) L2層之再生光量：0.082(6.3%×1.3mW/100)
如此，明白可知藉由第1代歸檔光碟所用記錄膜及介電質膜，無法確保第2代歸檔光碟要求的再生光量。尤其L0層之再生光量比所需值小了許多。
要提升再生光量，需具備下列任一項：1)提高反射率及再生功率兩者；2)再生功率幾乎無法提高但提高反射率；3)再生功率下降但提高反射率；4)反射率幾乎無法提高但提高再生功率；5)反射率下降但提高再生功率。其中，1)之方法最佳，但有時亦不得不選擇2)~5)之選項。如上述，第2代歸檔光碟之L0層所需再生光量大於第1代歸檔光碟之L0層所需再生光量，要以1)~5)之任一手法提升再生光量，就必須重新檢視L0層之記錄膜與介電質膜的構成。
L0層自雷射光照射面(或雷射光源)來看，由較遠位置起依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜。以採用矩陣法之計算來說，提高L0層反射率的方法已知有加厚第1介電質膜之方法、增大第1介電質膜之折射率的方法及加大記錄膜之折射率的方法。
加厚第1介電質膜之方法從計算上來看，提高反射率之效果很小。發明人等增加實際採用在300GB之L0層的ZrO2 -SiO2 -In2 O3 第1介電質膜的膜厚(自11.5nm改成17nm)，試圖提升反射率。結果，有效反射率相對上僅提高了5%。
另外，也有提高L1層及L2層之透射率以增加抵達L0層之雷射光來提升L0層之有效反射率的方法。
另一方面，要提高再生功率，使L0層更加透明以使記錄感度變差則相當有效。更具體而言，係使L0層之記錄膜更加透明，亦即降低記錄膜之光吸收率的方法很有效。L0層之光吸收率可藉由縮小記錄膜之消光係數來降低。藉此，可提高L0層之透射率，降低吸收率。
縮小記錄膜之消光係數的方法可舉如減少記錄膜中所含Cu及Mn之比率的方法。此係因該等金屬之光吸收大之故。然而，一旦減少Cu及Mn，將產生下列課題：1)導電性降低而不易進行DC濺鍍；2)訊號調變度下降，而使訊號品質降低等。
或者，藉由將構成L0層之層組成設為構成L1層及L2層之層組成，亦可降低L0層之吸收率。然而，L0層之吸收率一旦降低，再生功率雖會提高，但反射率反而降低，兩相抵消而無法達成大幅增加再生光量。另，將構成L1層之層組成應用於L0層時，L0層之再生光量為0.077；將構成L2層之層組成適用於L0層時，L0層之再生光量則為0.082。
第1代之300GB所採用的記錄膜為W-Cu-Zn-Mn-O(O：氧)。以下說明各元素功能。
記錄膜中之W-O為透明氧化物，具有於對記錄膜照射雷射光時產生氧使記錄膜膨脹的功能。又，使用含W之靶材以DC濺鍍形成記錄膜時，靶材中之W具有穩定持續DC濺鍍的功能。無W，記錄膜便不會膨脹而難以形成記錄記號。使用含W之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜時，W會在記錄膜中形成W-O或與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
記錄膜中之Cu-O係具有光吸收性之氧化物，負責使記錄膜吸收雷射光的功能。又，靶材中之Cu可賦予靶材導電性，以DC濺鍍形成記錄膜時，具有穩定持續DC濺鍍的功能。若使用無Cu之靶材，DC濺鍍將非常不易執行。使用含Cu之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜時，Cu會在記錄膜中形成Cu-O或與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
記錄膜中之Zn-O為具有導電性之氧化物，使用含其之靶材利用DC濺鍍形成記錄膜時，DC濺鍍之持續性較為穩定。又，藉由調整Zn-O量，可調整記錄膜之透射率及光吸收率。惟，靶材中即使不含Zn-O，也能執行DC濺鍍。使用含Zn-O之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜時，Zn-O會即以此型態存在在記錄膜中或是與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
記錄膜中之Mn-O為具有光吸收性之氧化物，具有於對記錄膜照射雷射光時產生氧使記錄膜膨脹的功能。Mn-O愈多，調變度會變愈大，而訊號品質能獲提升。若無Mn-O，便無法形成品質良好的記錄記號。使用含Mn-O之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜時，Mn-O會即以此型態存在在記錄膜中或是與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
本發明人等就提高記錄膜之折射率的方法，檢討了將即便不存在也不會影響DC濺鍍及記錄再生特性的Zn-O取代成折射率大於Zn-O之其他氧化物的方法。
且本發明人等認為，要增加L0層之再生光量僅靠調整L0層之記錄膜或調整第1介電質膜的組成仍有所不足，並認為較佳構成係將L0層之記錄膜與第1介電質膜的折射率一同適度增大，且適度縮小記錄膜之消光係數。而且，本發明人等研討了種種記錄膜及第1介電質膜之組合，發現將第1介電質膜之組成及記錄膜之組成個別設定為特定組成，可提高有效反射率及再生功率中之至少一者，而較能增大再生光量。
亦即，本揭示之第1態樣為一種資訊記錄媒體，係利用雷射光照射來記錄或再生資訊； 該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層； 第1資訊層為3層以上資訊層中之至少一資訊層，且該第1資訊層自雷射光照射面來看由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜； 第1介電質膜含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1之氧化物； 記錄膜至少含有W、Cu、Mn及氧且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M，並且在記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之第2態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中式(1)中x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
本揭示之第3態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中元素D1為選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。
本揭示之第4態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中元素M為選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。
本揭示之第5態樣係如第1至第4態樣中任一態樣之資訊記錄媒體，其中第1資訊層係配置在自雷射光照射面來看距離最遠的位置上。
本揭示之第6態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中第2介電質膜含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi、Ce、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D2之氧化物。
本揭示之第7態樣係如第6態樣之資訊記錄媒體，其中元素D2為選自Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素。
本揭示之第8態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中記錄膜更含有Zn。
本揭示之第9態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中第1介電質膜更含有Zr氧化物，且相對於Zr氧化物與元素D1之氧化物的合計量，Zr氧化物之比率為70mol%以下。
本揭示之第10態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中第1資訊層更含有第3介電質膜，且該第1資訊層自雷射光照射面來看由遠至近依序配置有第3介電質膜、第1介電質膜及記錄膜。
本揭示之第11態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中第1資訊層更含有第3介電質膜，且該第1資訊層自雷射光照射面來看由遠至近依序配置有第1介電質膜、第3介電質膜及記錄膜。
本揭示之第12態樣係如第10或第11態樣之資訊記錄媒體，其中第3介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物。
本揭示之第13態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中屬3層以上資訊層中之至少一資訊層且有別於第1資訊層之第2資訊層具有記錄膜，並且第2資訊層之記錄膜至少含有W、Cu、Mn及氧。
本揭示之第14態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其包含基板，且在基板兩側分別配置有3層以上資訊層。
本揭示之第15態樣係如第1態樣之資訊記錄媒體，其中3層以上資訊層之各層具有凹凸，且該等資訊層係將資訊記錄在與自雷射光照射面來看較近之側的面(溝槽)及較遠之側的面(溝台)之兩面對應的位置上。
本揭示之第16態樣係如第1態樣或第8態樣之資訊記錄媒體，其中第1資訊層係位在自雷射光照射面來看最遠的位置上，並且屬3層以上資訊層中之至少一資訊層且有別於第1資訊層之第2資訊層，自雷射光照射側來看由遠依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜，且第1介電質膜及第2介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物。
本揭示之第17態樣係如第16態樣之資訊記錄媒體，其中第1介電質膜至少含有Zr及Si，且含Zr比Si更多。
本揭示之第18態樣係一種資訊記錄媒體，其利用雷射光照射來記錄或再生資訊；該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層；3層以上資訊層中之至少一資訊層自雷射光照射面來看，由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜； 第1介電質膜及第2介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物； 記錄膜至少含有W、Cu、Mn、Ti及氧，並且在記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及Ti滿足下述式(2)： Wx Cuy Mnz Ti100-x-y-z (原子%)…(2) (式(2)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之第19態樣係如第18態樣之資訊記錄媒體，其中記錄膜更含有選自Zn、Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。
本揭示之第20態樣係如第1態樣、第10態樣、第11態樣或第18態樣之資訊記錄媒體，其中至少第1介電質膜、第2介電質膜或第3介電質膜更含有C。
本揭示之第21態樣為一種資訊記錄媒體之製造方法，包含一形成資訊記錄媒體所具3層以上資訊層之各資訊層的步驟，且形成3層以上資訊層中之至少一資訊層的步驟包含下列步驟： 形成第1介電質膜之步驟，係使用含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1的靶材，利用濺鍍來形成含有元素D1之氧化物的第1介電質膜； 形成記錄膜之步驟，係使用至少含有W、Cu及Mn且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M的靶材，利用濺鍍形成至少含有W、Cu、Mn及氧且更含有至少一種元素M的記錄膜； 在形成記錄膜之步驟中使用的靶材中，氧除外之W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之第22態樣係如第21態樣之資訊記錄媒體之製造方法，其中式(1)中之x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
本揭示之第23態樣係如第21態樣之資訊記錄媒體之製造方法，其中形成記錄膜之步驟中係採用導入氧的反應性濺鍍法。
本揭示之第24態樣係如第21態樣之資訊記錄媒體之製造方法，其中形成記錄膜之步驟中使用的靶材更含有Zn，並且形成記錄膜之步驟中係利用濺鍍來形成至少含有W、Cu、Mn、元素M、Zn及氧的記錄膜。
本揭示之第25態樣係一種濺鍍靶材，係用以形成資訊記錄媒體之記錄膜；該濺鍍靶材至少含有W、Cu及Mn且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M；並且，氧除外之W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
本揭示之第26態樣係如第25態樣之濺鍍靶材，其中式(1)中x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
本揭示之第27態樣係如第25態樣之濺鍍靶材，其中濺鍍靶材含有Zn。
以下將邊參照圖式來說明本揭示之實施形態。以下之實施形態僅為例示，本揭示不受以下實施形態限定。 (實施形態1)
實施形態1係說明以雷射光6來記錄及再生資訊之資訊記錄媒體之一例。於圖1顯示該光學性資訊記錄媒體之截面。本實施形態之資訊記錄媒體100為一多層光學性資訊記錄媒體，其係將記錄及再生資訊之資訊層隔著基板1於兩側各設置3層(合計6層)，並可自覆蓋層4側照射雷射光6來記錄及再生各資訊層中之資訊者。雷射光6為波長405nm附近之藍紫色區的雷射光。
資訊記錄媒體100係將A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102貼合而成的雙面資訊記錄媒體。A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102係在該等之基板1背面(與具有資訊層之面為相反側)透過貼合層5而貼合。A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102各自於基板1上隔著中間分離層2及3等具有作為資訊層依序積層之L0層10、L1層20及L2層30，且更具有設置成與L2層30相接之覆蓋層4。L1層20及L2層30為透射型資訊層。
在資訊記錄媒體100中於基板1形成有導引溝時，本說明書中，權宜上係將靠近雷射光6之側的面稱作「溝槽」，距雷射光6較遠之側的面則權宜上稱作「溝台」。若在與該溝槽及溝台兩者對應之位置上，對記錄膜提高記錄密度(即縮短記號長)而形成坑(溝台-溝槽記錄)，即可使每1資訊層之容量成為譬如83.4GB。在資訊記錄媒體100中可以6層資訊層進行資訊之記錄及再生，因此資訊記錄媒體100可供作具有500GB之容量的資訊記錄媒體。導引溝如後述亦可形成於中間分離層2及3。尤其在L1層20及L2層30中實施溝台-溝槽記錄時，宜於中間分離層2及3形成導引溝。
3層資訊層的有效反射率可藉由分別調整L0層10、L1層20及L2層30之反射率與L1層20及L2層30之透射率來控制。本說明書中如上述係將以積層了3層資訊層之狀態下測得的各資訊層之反射率定義為有效反射率。在未特別提及之前提下，若無記述為「有效」即表示未經積層所測得之反射率。又，反射率Rg 表示溝槽部在未記錄狀態下之溝部反射率，反射率Rl 則表示溝台部在未記錄狀態下之溝部反射率。
本實施形態中，舉一例說明設計成如下的構成：L0層10之有效反射率Rg 為3.4%且有效反射率Rl 為3.7%、L1層20之有效反射率Rg 為4.8%且有效反射率Rl 為5.1%、L2層30之有效反射率Rg 為6.4%且有效反射率Rl 為6.8%。
L2層30之透射率為79%且L1層20之透射率為72%時，若設計成L0層10之反射率Rg 為10.5%且反射率Rl 為11.3%、L1層20之反射率Rg 為7.7%且反射率Rl 為8.2%、L2層30之反射率Rg 為6.4%且反射率Rl 為6.8%，即可獲得前述之有效反射率。此處的透射率表示記錄膜在未記錄狀態時在溝槽部及溝台部之平均值。
以下針對基板1、中間分離層2、中間分離層3、覆蓋層4及貼合層5之功能、材料及厚度加以說明。
基板1之材料可使用譬如聚碳酸酯、非晶聚烯烴或PMMA等樹脂或是玻璃。於基板1之記錄膜12側表面可視需求形成有用以引導雷射光之凹凸導引溝。基板1宜為透明，亦可為半透明，且未特別限定透明性。又，基板1之形狀無特別限定，亦可為圓盤狀。基板1係譬如厚度約0.5mm且直徑約120mm之圓盤狀物。
於基板1之L0層10側表面可視需求形成有用以引導雷射光6之凹凸導引溝。於基板1形成有導引溝時，如同前述，靠近雷射光6之側的溝(面)稱作「溝槽」，距雷射光6較遠之側的溝(面)則稱作「溝台」。溝深(溝槽面與溝台面之高低差)譬如可為10nm以上且50nm以下。採用溝台-溝槽記錄方式且為高記錄密度時，為了降低串音之影響，亦可將溝深做加深設計。但，加深溝深反有反射率降低之傾向。為了能降低串音且同時可維持反射率，溝深宜為20nm以上且40nm以下。在實施形態1，溝台-溝槽間距離(溝槽寬度方向之中心和與該溝槽鄰接之溝台寬度方向之中心之間的距離)約0.225μm，但不在此限。
中間分離層2及3係由光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等之樹脂等構成，譬如由丙烯酸系樹脂所構成。中間分離層2及3對用來記錄及再生之波長λ之雷射光的光吸收若小，便可使雷射光6有效率地抵達L0層10及L1層20。中間分離層2及3係為了區別L0層10、L1層20及L2層30之聚焦位置所設置。因此，中間分離層2及3的厚度可設為譬如焦點深度ΔZ以上，該焦點深度ΔZ係由物鏡之開口數(NA)及雷射光之波長λ決定。在焦點之光強度基準假設為無像差時之80%的情況下，ΔZ可近似於ΔZ=λ/{2(NA)2 }。又，為了防止L1層20之背面焦點的影響，中間分離層2與中間分離層3之厚度可設為不同值。
在中間分離層2及3亦可於雷射光6之入射側形成有凹凸導引溝。設於中間分離層2及3之導引溝的高低差及溝台-溝槽間距離則如同設在基板1之導引溝時所說明。在實施形態1中係設定溝深(溝槽面與溝台面之高低差)為30nm、溝台-溝槽間距離約0.225μm，但不受該等限定。
覆蓋層4係由譬如光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂或是介電質等所構成。覆蓋層4對使用之雷射光的光吸收小。或者，覆蓋層4可使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂或是玻璃來形成。使用該等材料時，覆蓋層4可為片狀或薄板狀。片狀或薄板狀之覆蓋層4譬如可以光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等之樹脂作為接著劑，與L2層30之第2介電質膜33貼合來形成。覆蓋層4之厚度譬如可為NA=0.85且能良好記錄及再生之厚度40μm~80μm左右，尤宜為50μm~65μm左右。
貼合層5係由譬如光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂所構成，用來使A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102接著。貼合層5之透明性無特別限定，可為透明亦可為半透明。亦可於貼合層5設置遮蔽雷射光6之膜。貼合層5之厚度可為5μm~80μm左右，尤宜為20μm~50μm左右。
將資訊記錄媒體100之厚度設成與BD規格之媒體同等厚度時，中間分離層2及3以及覆蓋層4的厚度總和可設定為100μm。譬如可將中間分離層2設定為約25μm厚度，中間分離層3設定為約18μm厚度，覆蓋層4則設定為約57μm厚度。
接下來說明L0層10之構成。L0層10係於基板1之表面上依序至少積層第1介電質膜11、記錄膜12及第2介電質膜13而形成。
第1介電質膜11具有調節光學相位差以控制訊號振幅的作用以及調整記錄記號之膨脹以控制訊號振幅的作用。此外，第1介電質膜11也具有抑制水分侵入記錄膜12的作用及抑制記錄膜12中之氧漏逸至外部的作用。
位在距離雷射光入射之面(覆蓋層4之表面)最遠位置的L0層10具有其再生光量變最小之傾向。又，根據本發明人等之見解得知，位於記錄膜12兩側之二片介電質膜中，位在距離雷射光之入射面較遠之側的第1介電質膜11較容易影響再生光量。
爰此，在本實施形態中將第1介電質膜11設為含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1之氧化物之膜。元素D1之氧化物可形成透明膜。含有元素D1之氧化物的介電質膜具有高折射率，有益於提高L0層10之反射率。
第1介電質膜11可含有一種元素D1之氧化物(可為一元系)，屆時譬如可含Nb2 O5 、MoO3 、Ta2 O5 、WO3 、TiO2 、Bi2 O3 及CeO2 中之任一者。該等為透明氧化物，且折射率皆在2.2以上。更具體來說，使用光譜型橢圓偏光計(SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER)實際測得之折射率值，在波長405nm下Nb2 O5 為2.42、MoO3 為2.21、Ta2 O5 為2.26、WO3 為2.25、TiO2 為2.62、Bi2 O3 為2.76、CeO2 為2.62。該等氧化物皆有益於提高L0層10之反射率。
第1介電質膜11係譬如利用濺鍍形成的奈米等級薄膜。所以，第1介電質膜11中所含氧化物有因為濺鍍中的氧及/或金屬之缺損以及無法避免之不純物混入，而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之情形。基於該理由，在本實施形態及其他實施形態中第1介電質膜11所含氧化物無須非得為化學計量組成。又，在本說明書中以化學計量組成表示之材料亦包含因氧及/或金屬之缺損以及不純物混入等而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之物。
為了更加提高第1介電質膜11之導電性，亦可使用NbOx (x＜2.5，相當於缺氧之Nb2 O5 )及TiOx (x＜2，相當於缺氧之TiO2 )。另，第1介電質膜11之比電阻值宜為1Ω・cm以下。此設定在後述之第1介電質膜21、31中亦同。
第1介電質膜11可由選自該等氧化物之2種以上氧化物之混合物構成，或可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。第1介電質膜11含有2種金屬元素作為元素D1時(為二元系時)，其組成譬如可為Nb2 O5 -MoO3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 、Nb2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -TiO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 、MoO3 -WO3 、MoO3 -TiO2 、MoO3 -Bi2 O3 、MoO3 -CeO2 、Ta2 O5 -WO3 、Ta2 O5 -TiO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -CeO2 、WO3 -TiO2 、WO3 -Bi2 O3 、WO3 -CeO2 、TiO2 -Bi2 O3 、TiO2 -CeO2 、Bi2 O3 -CeO2 等。在此，符號「-」表示「混合」。因此，譬如Nb2 O5 -MoO3 係表示混合有Nb2 O5 及MoO3 之2種氧化物之意。在二元系組成中，氧化物之混合比無特別限定。
第1介電質膜11含有3種金屬元素作為元素D1時(為三元系時)，其組成譬如可為Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 、Nb2 O5 -MoO3 -WO3 、Nb2 O5 -MoO3 -TiO2 、Nb2 O5 -MoO3 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -CeO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -CeO2 、Nb2 O5 -WO3 -TiO2 、Nb2 O5 -WO3 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -WO3 -CeO2 、Nb2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -TiO2 -CeO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 -WO3 、MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 、MoO3 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、MoO3 -Ta2 O5 -CeO2 、MoO3 -WO3 -TiO2 、MoO3 -WO3 -Bi2 O3 、MoO3 -WO3 -CeO2 、MoO3 -TiO2 -Bi2 O3 、MoO3 -TiO2 -CeO2 、MoO3 -Bi2 O3 -CeO2 、Ta2 O5 -WO3 -TiO2 、Ta2 O5 -WO3 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -WO3 -CeO2 、Ta2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -TiO2 -CeO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 -CeO2 、WO3 -TiO2 -Bi2 O3 、WO3 -TiO2 -CeO2 、WO3 -Bi2 O3 -CeO2 、TiO2 -Bi2 O3 -CeO2 等。在三元系組成中，氧化物之混合比無特別限定。
第1介電質膜11含有四種金屬元素作為元素D1時(為四元系時)，其組成譬如可為Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -CeO2 、Nb2 O5 -MoO3 -WO3 -TiO2 、Nb2 O5 -MoO3 -WO3 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -WO3 -CeO2 、Nb2 O5 -MoO3 -TiO2 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -TiO2 -CeO2 、Nb2 O5 -MoO3 -Bi2 O3 -CeO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 -TiO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 -CeO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiO2 -CeO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -Bi2 O3 -CeO2 、Nb2 O5 -WO3 -TiO2 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -WO3 -TiO2 -CeO2 、Nb2 O5 -WO3 -Bi2 O3 -CeO2 、Nb2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 -WO3 -TiO2 、MoO3 -Ta2 O5 -WO3 -Bi2 O3 、MoO3 -Ta2 O5 -WO3 -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 、MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 -Bi2 O3 -CeO2 、MoO3 -WO3 -TiO2 -Bi2 O3 、MoO3 -WO3 -TiO2 -CeO2 、MoO3 -WO3 -Bi2 O3 -CeO2 、MoO3 -TiO2 -Bi2 O3 -CeO2 、Ta2 O5 -WO3 -TiO2 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -WO3 -TiO2 -CeO2 、Ta2 O5 -WO3 -Bi2 O3 -CeO2 、Ta2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 -CeO2 、WO3 -TiO2 -Bi2 O3 -CeO2 等。在四元系組成中，氧化物之混合比無特別限定。
上述中，例示之一至四元系組成中亦可用NbOx 替代Nb2 O5 ，且可用TiOx 替代TiO2 。此設定在後述之第1介電質膜21、31中亦同。
第1介電質膜11亦可含有譬如50mol%以上之元素D1之氧化物，或可實質上由元素D1之氧化物構成。在此，「實質上」一詞係考慮到譬如當第1介電質膜11利用濺鍍形成時，無法避免地含有存在於濺鍍氣體環境中之稀有氣體(Ar、Kr、Xe)、水分、有機物(C)、空氣及源自配置在濺鍍室之夾具及濺鍍靶材中所含不純物之其他元素的情況而使用。令第1介電質膜11中所含總原子為100原子%時，可以10原子%為上限含有該等無法避免之成分。該定義同樣可應用在針對後述之其他介電質膜使用「實質上」一詞之情況。
元素D1之氧化物尤其可為選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素的氧化物。由於該等元素之氧化物在405nm下之折射率為2.2以上，所以可進一步提高L0層10之再生光量。又，藉由含有該等元素之氧化物，可以高成膜率形成第1介電質膜11。選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素之氧化物可含50mol%以上。或者，第1介電質膜11可實質上由選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素之氧化物構成。
在上述例示之二元系、三元系及四元系組成中含有選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素之氧化物時，該氧化物可含50mol%以上。
第1介電質膜11之組成譬如為Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 時，混合比無特別限定可為任意。第1介電質膜11之組成為Nb2 O5 -MoO3 -WO3 時，宜含有50mol%以上之Nb2 O5 -MoO3 (2種氧化物之混合物)。第1介電質膜11之組成為Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 時，宜含有50mol%以上之Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 (3種氧化物之混合物)。
第1介電質膜11更可含有Zr氧化物。Zr氧化物譬如為ZrO2 但無須非得為化學計量組成。Zr氧化物可調整第1介電質膜11之硬度或與基板1之密著性等，且可提升L0層10之再生功率。含有Zr氧化物時，相對於Zr氧化物與元素D1之氧化物的合計量，其比率可為70mol%以下。Zr氧化物比率若太大，有折射率下降而無法提高L0層10之反射率之情形。
含有元素D1之氧化物與Zr氧化物的第1介電質膜11譬如具有ZrO2 -Nb2 O5 、ZrO2 -MoO3 、ZrO2 -Ta2 O5 、ZrO2 -WO3 、ZrO2 -TiO2 、ZrO2 -Bi2 O3 、ZrO2 -CeO2 之組成。或者，含有元素D1之氧化物與Zr氧化物的第1介電質膜可具有ZrO2 -Nb2 O5 -MoO3 、ZrO2 -Nb2 O5 -Ta2 O5 、ZrO2 -Nb2 O5 -WO3 、ZrO2 -Nb2 O5 -TiO2 、ZrO2 -Nb2 O5 -Bi2 O3 、ZrO2 -Nb2 O5 -CeO2 、ZrO2 -MoO3 -Ta2 O5 、ZrO2 -MoO3 -WO3 、ZrO2 -MoO3 -TiO2 、ZrO2 -MoO3 -Bi2 O3 、ZrO2 -MoO3 -CeO2 、ZrO2 -Ta2 O5 -WO3 、ZrO2 -Ta2 O5 -TiO2 、ZrO2 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、ZrO2 -Ta2 O5 -CeO2 、ZrO2 -WO3 -TiO2 、ZrO2 -WO3 -Bi2 O3 、ZrO2 -WO3 -CeO2 、ZrO2 -TiO2 -Bi2 O3 、ZrO2 -TiO2 -CeO2 、ZrO2 -Bi2 O3 -CeO2 等組成。在此所例示之含有ZrO2 之組成中，亦可用NbOx 替代Nb2 O5 ，且可用TiOx 替代TiO2 。此設定在後述之第1介電質膜21、31中亦同。
第1介電質膜11之厚度譬如可為5nm以上且40nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜12之情形。超過40nm，則有L0層10之反射率降低之情形。
第1介電質膜11之組成譬如可以X射線微分析器(XMA)、電子探針顯微分析器(EPMA)或拉塞福回向散射分析法(RBS)進行分析。後述之其他介電質膜亦同樣地可以該等手法分析其組成。
記錄膜12含有W、Cu、Mn與氧且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M。記錄膜12含有W、Cu、Mn與氧，所以譬如藉由照射雷射光6可使O分離或使O彼此鍵結而形成成為記錄記號之膨脹部。該膨脹部之形成為非可逆變化，因此具備該記錄膜12之L0層為單寫多讀型。
元素M可使記錄膜12之折射率及消光係數最佳化，藉此而提升L0層之再生光量。記錄膜12若含有元素M，即可利用前述提高再生光量之1)~5)手段中，2)~5)手段中之任一手段來提高再生光量。
Nb、Mo、Ta及Ti在記錄膜12中亦可以氧化物之形態存在。Nb、Mo、Ta及Ti分別可形成氧化數不同的多種氧化物。一般氧較多的氧化物為透明。譬如，NbO(鈮2價)及NbO2 (鈮4價)為黑色，Nb2 O5 (鈮5價)則為無色。亦存在馬格涅利相(Magneli phase)之氧化物Nb3n ＋1 O8n-2 。MoO2 (鉬4價)為黑色，MoO3 (鉬6價)則為無色。亦存在MoO3 還原所得藍色馬格涅利相之氧化物。TaO2 (鉭4價)為黑色，Ta2 O5 (鉭5價)則為無色。TiO(鈦2價)為黑色，Ti2 O3 (鈦3價)為深紫色，TiO2 (鈦4價)則為無色。
令記錄膜12中所含W、Cu、Mn及元素M合計為100原子%時，各元素比率可以下述式(1)表示： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。W、Cu、Mn及元素M滿足上述式之記錄膜12可優化L0層10之記錄再生特性。
式(1)中，x(W之比率)宜為15以上且60以下。x若在該範圍內，便可利用穩定的DC濺鍍形成記錄膜12，製得具有良好記錄再生特性的L0層。在實施將W、Cu、Mn及M之各單體靶材同時進行濺鍍之多靶濺鍍的情況下，x≧15即可良好實施DC濺鍍。使用混合有W、Cu、Mn及M之合金靶材時，20≦x≦50即可良好實施DC濺鍍。
x若低於15，實施DC濺鍍時，濺鍍可能變不穩定而容易發生異常放電。x若大於60，有於L0層10之記錄需要很大的雷射功率之情形。
x/z可為0.5以上且3.0以下。x/z若在該範圍內，便可穩定實施DC濺鍍。x/z若低於0.5，實施DC濺鍍時，有濺鍍會變不穩定而容易發生異常放電之情形。x/z若大於3.0，有於L0層10之記錄需要很大的雷射功率之情形。
y及z滿足y≦z之關係。藉由滿足該關係，可縮小記錄膜12之消光係數，而提高L0層10之透射率。z譬如可為y之1倍~10倍。y＞z時，記錄膜12之消光係數會變大，使L0層10之透射率降低且吸收率變大，因此有無法提高再生功率之情形。另，y＞z時，有訊號品質降低之情形。
z滿足0＜z≦40。使z為40以下，可抑制記錄膜12之消光係數(吸收率)，提高再生功率。z愈大，L0層之反射率愈有提高之傾向。譬如，滿足20≦z≦40之記錄膜12較能提高L0層10之反射率。
x+y+z為60以上且98以下。60≦x+y+z≦98時，L0層10之記錄再生特性良好。又，60≦x+y+z≦98時，記錄膜12之折射率及消光係數可獲最佳化而提高L0層10之反射率，同時可縮小吸收率而提高再生功率。x+y+z若小於60，元素M就會太多，使記錄膜12之消光係數變小，而有透射率變得過高，致使吸收率變小之情形。結果，有於L0層10之記錄需要很大的雷射功率之情形，而且也有難以進行高速記錄之情形。另，x+y+z若大於98，M比率便減少，有無法提高記錄膜12之折射率之情形。
記錄膜12之元素M較宜為選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。記錄膜12中含有該等元素之任一元素作為元素M時，可提高記錄膜12之折射率從而提升L0層之反射率，同時可進一步加快濺鍍速度，以良好生產性形成記錄膜12。
記錄膜12更可含有Zn。藉由含有Zn，在以DC濺鍍形成記錄膜12時可進一步提升濺鍍之穩定性。所以，即使提高濺鍍功率或減少Ar氣，也不易發生異常放電，從而提升生產性。為了免於影響記錄膜12之折射率及消光係數，令W、Cu、Mn、元素M及Zn之原子數合計為100時，Zn含量可為20原子%以下。
記錄膜12之組成譬如可為W-Cu-Mn-Nb-O(O：氧)、W-Cu-Mn-Nb-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-Ti-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ti-O、W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Ta-O、W-Cu-Mn-Nb-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Ta-Ti-O、W-Cu-Mn-Nb-Ta-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Ti-O、W-Cu-Mn-Nb-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Mo-O、W-Cu-Mn-Mo-Zn-O、W-Cu-Mn-Mo-Ta-O、W-Cu-Mn-Mo-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn-Mo-Ta-Ti-O、W-Cu-Mn-Mo-Ta-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Mo-Ti-O、W-Cu-Mn-Mo-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Ta-O、W-Cu-Mn-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn-Ta-Ti-O、W-Cu-Mn-Ta-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Ti-O、W-Cu-Mn-Ti-Zn-O等。
記錄膜12中之W可以透明性高的WO3 之形態存在。記錄膜12中亦可含有金屬W、WO2 、WO2 與WO3 之中間氧化物(W18 O49 、W20 O58 、W50 O148 、W40 O119 等)或馬格涅利相(Wn O3n-1 )。
記錄膜12中之Cu可以CuO或Cu2 O之形態存在。記錄膜12中亦可含有金屬Cu。
記錄膜12膜中之Mn可以選自MnO、Mn3 O4 、Mn2 O3 及MnO2 中之至少一種氧化物形態存在。記錄膜12中亦可含有金屬Mn。
記錄膜12中之Nb可以無色之Nb2 O5 或NbOx 之形態存在。Nb2 O5 及NbOx 可混合存在。記錄膜12中亦可含有NbO、NbO2 或馬格涅利相(Nb3n ＋1 O8n-2 )。記錄膜12中亦可含有金屬Nb。
記錄膜12中之Mo可以無色之MoO3 之形態存在。記錄膜12中亦可含有MoO2 、MoO2 與MoO3 之中間氧化物(Mo3 O8 、Mo4 O11 、Mo5 O14 、Mo8 O23 、Mo9 O26 、Mo17 O47 等)或馬格涅利相(Mon O3n-2 )。記錄膜12中亦可含有金屬Mo。
記錄膜12中之Ta可以無色之Ta2 O5 之形態存在。記錄膜12中亦可含有TaO2 。記錄膜12中亦可含有金屬Ta。
記錄膜12中之Ti亦可以無色之TiO2 或TiOx 之形態存在。TiO2 及TiOx 可混合存在。記錄膜12中亦可含有TiO、Ti2 O3 或馬格涅利相(Tin O2n-1 )。記錄膜12中亦可含有金屬Ti。
記錄膜12中亦可存在含有選自W、Cu、Mn、元素M及Zn中之2種以上金屬的複合氧化物。
記錄膜12之組成譬如為W-Cu-Mn-Nb-O時，記錄膜12之系統有高度可能性為WO3 -CuO-MnO2 -Nb2 O5 、WO3 -CuO-Mn2 O3 -Nb2 O5 、WO3 -CuO-Mn3 O4 -Nb2 O5 、WO3 -CuO-MnO-Nb2 O5 、WO3 -Cu2 O-MnO2 -Nb2 O5 、WO3 -Cu2 O-Mn2 O3 -Nb2 O5 、WO3 -Cu2 O-Mn3 O4 -Nb2 O5 及WO3 -Cu2 O-MnO-Nb2 O5 中之任一者。在此所示系統中，亦可取代Nb2 O5 而存在NbOx ，或可Nb2 O5 及NbOx 混合存在。
記錄膜12之組成譬如為W-Cu-Mn-Mo-O時，記錄膜12之系統有高度可能性為WO3 -CuO-MnO2 -MoO3 、WO3 -CuO-Mn2 O3 -MoO3 、WO3 -CuO-Mn3 O4 -MoO3 、WO3 -CuO-MnO-MoO3 、WO3 -Cu2 O-MnO2 -MoO3 、WO3 -Cu2 O-Mn2 O3 -MoO3 、WO3 -Cu2 O-Mn3 O4 -MoO3 及WO3 -Cu2 O-MnO-MoO3 中之任一者。
記錄膜12之組成譬如為W-Cu-Mn-Ta-O時，記錄膜12之系統有高度可能性為WO3 -CuO-MnO2 -Ta2 O5 、WO3 -CuO-Mn2 O3 -Ta2 O5 、WO3 -CuO-Mn3 O4 -Ta2 O5 、WO3 -CuO-MnO-Ta2 O5 、WO3 -Cu2 O-MnO2 -Ta2 O5 、WO3 -Cu2 O-Mn2 O3 -Ta2 O5 、WO3 -Cu2 O-Mn3 O4 -Ta2 O5 、及WO3 -Cu2 O-MnO-Ta2 O5 中之任一者。
記錄膜12之組成譬如為W-Cu-Mn-Ti-O時，記錄膜12之系統有高度可能性為WO3 -CuO-MnO2 -TiO2 、WO3 -CuO-Mn2 O3 -TiO2 、WO3 -CuO-Mn3 O4 -TiO2 、WO3 -CuO-MnO-TiO2 、WO3 -Cu2 O-MnO2 -TiO2 、WO3 -Cu2 O-Mn2 O3 -TiO2 、WO3 -Cu2 O-Mn3 O4 -TiO2 及WO3 -Cu2 O-MnO-TiO2 中之任一者。亦可取代TiO2 而存在TiOx ，或可TiO2 及TiOx 混合存在。
上述任一系統皆可含有Zn，屆時，可想而知Zn會以ZnO之形態被含有。
如此一來，記錄膜12若含有多種氧化物且氧以外之元素W、Cu、Mn及M之組成以Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)表示，式中x、y及z滿足15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98且宜為0.5≦(x/z)≦3.0，即可獲得可確保記錄再生大容量(譬如每1光碟500GB)資訊所需之S/N的再生光量。
就記錄膜12中所含氧之比率而言，在令W、Cu、Mn、元素M、氧之原子數合計為100%時，以及若含有Zn時，令W、Cu、Mn、元素M、氧及Zn之原子數合計為100%時，前述比率譬如可為60原子%以上且80原子%以下，尤其可為63原子%以上且73原子%以下。氧之比率若低於60原子%，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。氧之比率若超過80原子%，記錄感度變太差而需要很大的功率來進行記錄，高速記錄也變得困難。
記錄膜12可實質上由W、Cu、Mn、元素M、氧構成，以及若含有Zn時，可實質上由W、Cu、Mn、元素M、氧及Zn構成。在此，「實質上」一詞係考慮到譬如當記錄膜12利用濺鍍形成時，無法避免地含有存在於濺鍍氣體環境中之稀有氣體(Ar、Kr、Xe)、水分、有機物(C)、空氣及源自配置在濺鍍室之夾具及濺鍍靶材中所含不純物之其他元素的情況而使用。令記錄膜12中所含總原子為100原子%時，可以10原子%為上限含有該等無法避免之成分。該定義同樣可應用在針對後述之其他記錄膜使用「實質上」一詞之情況。
記錄膜12之厚度譬如可設為10nm以上且50nm以下，尤其可設為20nm以上且40nm以下。記錄膜12之厚度若小於10nm，記錄膜12便無法充分膨脹，而可能無法形成良好的記錄記號，結果會使通道位元錯誤率變差。記錄膜12之厚度若超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜12之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜12成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜12之組成譬如可以X射線微分析器(XMA)、EDS(能量分散型X射線分析)或拉塞福回向散射分析法(RBS)進行分析。
第2介電質膜13與第1介電質膜11同樣具有調節光學相位差以控制訊號振幅的作用及抑制記錄坑之膨脹以控制訊號振幅的作用。又，第2介電質膜13也具有抑制水分從中間分離層2側侵入記錄膜12的作用及抑制記錄膜12中之氧漏逸至外部的作用。第2介電質膜13也兼具抑制有機物從中間分離層2混入記錄膜12或確保L0層10與中間分離層2之密著性的功能。
第2介電質膜13與第1介電質膜11同樣地可含有元素D1之氧化物，或可為其他組成。如前述，第2介電質膜13之組成對L0層10之再生光量所及影響小於第1介電質膜11之組成對L0層10之再生光量所及的影響，因此第2介電質膜13之組成無特別限定。第2介電質膜13譬如可與第1代歸檔光碟之介電質膜所採用的介電質膜為相同組成。
第2介電質膜13可為含有譬如選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi、Ce、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D2之氧化物。元素D2中，Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce相當於上述元素D1。因此，第2介電質膜13含有該等元素之氧化物時，有L0層10之反射率變高、再生光量增加之傾向。Zr、In、Sn及Si之氧化物可提高第2介電質膜13與中間分離層2之密著性。
第2介電質膜13可含有一種元素D2之氧化物(可為一元系)，屆時譬如可含有Nb2 O5 、MoO3 、Ta2 O5 、WO3 、TiO2 、Bi2 O3 、CeO2 、ZrO2 、In2 O3 、SnO2 及SiO2 中之任一者。該等為透明氧化物，且能與中間分離層2良好密著。
第2介電質膜13係譬如利用濺鍍形成的奈米等級薄膜。所以，第2介電質膜13中所含氧化物有因為濺鍍中的氧及/或金屬之缺損以及無法避免之不純物混入，而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之情形。基於該理由，在本實施形態及其他實施形態中第2介電質膜13所含氧化物無須非得為化學計量組成。又如前述，在本說明書中以化學計量組成表示之材料亦包含因氧及/或金屬之缺損以及不純物混入等而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之物。
為了使第2介電質膜13具有導電性，亦可使用NbOx (x＜2.5，相當於缺氧之Nb2 O5 )或TiOx (x＜2、相當於缺氧之TiO2 )。另，第2介電質膜13之比電阻值宜為1Ω・cm以下。此設定在後述之第2介電質膜23、33中亦同。
第2介電質膜13可由選自該等氧化物之2種以上氧化物之混合物構成，或可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。第2介電質膜13含有2種金屬元素作為元素D2時(為二元系時)，其組成譬如可為Nb2 O5 -MoO3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 、Nb2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -TiO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -CeO2 、Nb2 O5 -ZrO2 、Nb2 O5 -In2 O3 、Nb2 O5 -SnO2 、Nb2 O5 -SiO2 、MoO3 -Ta2 O5 、MoO3 -WO3 、MoO3 -TiO2 、MoO3 -Bi2 O3 、MoO3 -CeO2 、MoO3 -ZrO2 、MoO3 -In2 O3 、MoO3 -SnO2 、MoO3 -SiO2 、Ta2 O5 -WO3 、Ta2 O5 -TiO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -CeO2 、Ta2 O5 -ZrO2 、Ta2 O5 -In2 O3 、Ta2 O5 -SnO2 、Ta2 O5 -SiO2 、WO3 -TiO2 、WO3 -Bi2 O3 、WO3 -CeO2 、WO3 -ZrO2 、WO3 -In2 O3 、WO3 -SnO2 、WO3 -SiO2 、TiO2 -Bi2 O3 、TiO2 -CeO2 、TiO2 -ZrO2 、TiO2 -In2 O3 、TiO2 -SnO2 、TiO2 -SiO2 、Bi2 O3 -CeO2 、Bi2 O3 -ZrO2 、Bi2 O3 -In2 O3 、Bi2 O3 -SnO2 、Bi2 O3 -SiO2 、CeO2 -ZrO2 、CeO2 -In2 O3 、CeO2 -SnO2 、CeO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、ZrO2 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、SnO2 -SiO2 等。在二元系組成中，氧化物之混合比無特別限定。
第2介電質膜13含有3種金屬元素作為元素D2時(為三元系時)，其組成譬如可為Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 、Nb2 O5 -MoO3 -WO3 、Nb2 O5 -MoO3 -TiO2 、Nb2 O5 -MoO3 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -CeO2 、Nb2 O5 -MoO3 -ZrO2 、Nb2 O5 -MoO3 -In2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -SnO2 、Nb2 O5 -MoO3 -SiO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -CeO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -ZrO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -In2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -SnO2 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -SiO2 、Nb2 O5 -WO3 -TiO2 、Nb2 O5 -WO3 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -WO3 -CeO2 、Nb2 O5 -WO3 -ZrO2 、Nb2 O5 -WO3 -In2 O3 、Nb2 O5 -WO3 -SnO2 、Nb2 O5 -WO3 -SiO2 、Nb2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -TiO2 -CeO2 、Nb2 O5 -TiO2 -ZrO2 、Nb2 O5 -TiO2 -In2 O3 、Nb2 O5 -TiO2 -SnO2 、Nb2 O5 -TiO2 -SiO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 -CeO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 -ZrO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 -In2 O3 、Nb2 O5 -Bi2 O3 -SnO2 、Nb2 O5 -Bi2 O3 -SiO2 、Nb2 O5 -CeO2 -ZrO2 、Nb2 O5 -CeO2 -In2 O3 、Nb2 O5 -CeO2 -SnO2 、Nb2 O5 -CeO2 -SiO2 、Nb2 O5 -ZrO2 -In2 O3 、Nb2 O5 -ZrO2 -SnO2 、Nb2 O5 -ZrO2 -SiO2 、Nb2 O5 -In2 O3 -SnO2 、Nb2 O5 -In2 O3 -SiO2 、Nb2 O5 -SnO2 -SiO2 、MoO3 -Ta2 O5 -WO3 、MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 、MoO3 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、MoO3 -Ta2 O5 -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 -ZrO2 、MoO3 -Ta2 O5 -In2 O3 、MoO3 -Ta2 O5 -SnO2 、MoO3 -Ta2 O5 -SiO2 、MoO3 -WO3 -TiO2 、MoO3 -WO3 -Bi2 O3 、MoO3 -WO3 -CeO2 、MoO3 -WO3 -ZrO2 、MoO3 -WO3 -In2 O3 、MoO3 -WO3 -SnO2 、MoO3 -WO3 -SiO2 、MoO3 -TiO2 -Bi2 O3 、MoO3 -TiO2 -CeO2 、MoO3 -TiO2 -ZrO2 、MoO3 -TiO2 -In2 O3 、MoO3 -TiO2 -SnO2 、MoO3 -TiO2 -SiO2 、MoO3 -Bi2 O3 -CeO2 、MoO3 -Bi2 O3 -ZrO2 、MoO3 -Bi2 O3 -In2 O3 、MoO3 -Bi2 O3 -SnO2 、MoO3 -Bi2 O3 -SiO2 、MoO3 -CeO2 -ZrO2 、MoO3 -CeO2 -In2 O3 、MoO3 -CeO2 -SnO2 、MoO3 -CeO2 -SiO2 、MoO3 -ZrO2 -In2 O3 、MoO3 -ZrO2 -SnO2 、MoO3 -ZrO2 -SiO2 、MoO3 -In2 O3 -SnO2 、MoO3 -In2 O3 -SiO2 、MoO3 -SnO2 -SiO2 、Ta2 O5 -WO3 -TiO2 、Ta2 O5 -WO3 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -WO3 -CeO2 、Ta2 O5 -WO3 -ZrO2 、Ta2 O5 -WO3 -In2 O3 、Ta2 O5 -WO3 -SnO2 、Ta2 O5 -WO3 -SiO2 、Ta2 O5 -TiO2 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -TiO2 -CeO2 、Ta2 O5 -TiO2 -ZrO2 、Ta2 O5 -TiO2 -In2 O3 、Ta2 O5 -TiO2 -SnO2 、Ta2 O5 -TiO2 -SiO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 -CeO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 -ZrO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 -In2 O3 、Ta2 O5 -Bi2 O3 -SnO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 -SiO2 、Ta2 O5 -CeO2 -ZrO2 、Ta2 O5 -CeO2 -In2 O3 、Ta2 O5 -CeO2 -SnO2 、Ta2 O5 -CeO2 -SiO2 、Ta2 O5 -ZrO2 -In2 O3 、Ta2 O5 -ZrO2 -SnO2 、Ta2 O5 -ZrO2 -SiO2 、Ta2 O5 -In2 O3 -SnO2 、Ta2 O5 -In2 O3 -SiO2 、Ta2 O5 -SnO2 -SiO2 、WO3 -TiO2 -ZrO2 、WO3 -TiO2 -In2 O3 、WO3 -TiO2 -SnO2 、WO3 -TiO2 -SiO2 、WO3 -Bi2 O3 -ZrO2 、WO3 -Bi2 O3 -In2 O3 、WO3 -Bi2 O3 -SnO2 、WO3 -Bi2 O3 -SiO2 、WO3 -CeO2 -ZrO2 、WO3 -CeO2 -In2 O3 、WO3 -CeO2 -SnO2 、WO3 -CeO2 -SiO2 、WO3 -ZrO2 -In2 O3 、WO3 -ZrO2 -SnO2 、WO3 -ZrO2 -SiO2 、WO3 -In2 O3 -SnO2 、WO3 -In2 O3 -SiO2 、WO3 -SnO2 -SiO2 、TiO2 -Bi2 O3 -ZrO2 、TiO2 -Bi2 O3 -In2 O3 、TiO2 -Bi2 O3 -SnO2 、TiO2 -Bi2 O3 -SiO2 、TiO2 -CeO2 -ZrO2 、TiO2 -CeO2 -In2 O3 、TiO2 -CeO2 -SnO2 、TiO2 -CeO2 -SiO2 、TiO2 -ZrO2 -In2 O3 、TiO2 -ZrO2 -SnO2 、TiO2 -ZrO2 -SiO2 、TiO2 -In2 O3 -SnO2 、TiO2 -In2 O3 -SiO2 、TiO2 -SnO2 -SiO2 、Bi2 O3 -CeO2 -ZrO2 、Bi2 O3 -CeO2 -In2 O3 、Bi2 O3 -CeO2 -SnO2 、Bi2 O3 -CeO2 -SiO2 、Bi2 O3 -ZrO2 -In2 O3 、Bi2 O3 -ZrO2 -SnO2 、Bi2 O3 -ZrO2 -SiO2 、Bi2 O3 -In2 O3 -SnO2 、Bi2 O3 -In2 O3 -SiO2 、Bi2 O3 -SnO2 -SiO2 、CeO2 -ZrO2 -In2 O3 、CeO2 -ZrO2 -SnO2 、CeO2 -ZrO2 -SiO2 、CeO2 -In2 O3 -SnO2 、CeO2 -In2 O3 -SiO2 、CeO2 -SnO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O-SnO2 、ZrO2 -In2 O-SiO2 、ZrO2 -SnO2 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 等。在三元系組成中，氧化物之混合比無特別限定。
上述中，例示之一至三元系組成中亦可用NbOx 替代Nb2 O5 ，且可用TiOx 替代TiO2 。此設定在後述之第2介電質膜23、33中亦同。
第2介電質膜13亦可含有譬如50mol%以上之元素D2之氧化物，或可實質上由元素D2之氧化物構成。「實質上」一詞之意如同先前關於第1介電質膜11所說明。元素D2之氧化物比率若太少，便無法提高反射率而有無法提高再生光量之情形，或有第2介電質膜13與中間分離層2之密著性降低之情形。
元素D2之氧化物尤其可為選自Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素之氧化物。該等元素之氧化物可進一步提高L0層10之反射率，及/或可提高第2介電質膜13與中間分離層2之密著性。選自Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素之氧化物可含有50mol%以上。或者，第2介電質膜13可實質上由選自Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素之氧化物構成。
在上述例示之二元系及三元系組成中含有選自Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素之氧化物時，該氧化物可含50mol%以上。
第2介電質膜13之組成譬如為Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 或ZrO2 -In2 O3 -SiO2 時，混合比無特別限定，可為任意。第2介電質膜13之組成譬如為Nb2 O5 -MoO3 -WO3 時，宜含有50mol%以上之Nb2 O5 -MoO3 (2種氧化物之混合物)。
第1介電質膜11及/或第2介電質膜13含有ZrO2 時，亦可用穩定化氧化鋯(於ZrO2 摻雜有10%以下Y2 O3 、MgO或CaO之物)作為該ZrO2 。此設定在後述之第1介電質膜21、31、第2介電質膜23、33中亦同。
第2介電質膜13之厚度譬如可為5nm以上且30nm以下。厚度若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜12之情形。厚度若大於30nm，則L0層10之反射率會下降。
第1介電質膜11、記錄膜12、第2介電質膜13的具體厚度可採用根據矩陣法(譬如參考久保田廣著「波動光學」岩波書店、1971年、第3章)之計算來設計。藉由調整各膜厚度，可調整記錄膜12之在未記錄與記錄時的各反射率及反射光在記錄部-未記錄部間的相位差，使再生訊號之訊號品質最佳化。
接下來說明L1層20之構成。L1層20係於中間分離層2之表面上依序至少積層第1介電質膜21、記錄膜22及第2介電質膜23而形成。
第1介電質膜21之功能同於前述L0層10之第1介電質膜11之功能。又，第1介電質膜21也具有使中間分離層2與L1層20密著之作用。第1介電質膜21之組成並不如第1介電質膜11般受限。此乃因為L1層20位在比L0層10更靠近雷射光6之入射面之側，故不特定第1介電質膜21之組成也能輕易確保L1層20之有效反射率及再生光量。因此，第1介電質膜21可用關於第1介電質膜11或第2介電質膜13所例示之材料來形成，或者第1介電質膜21可用其他材料譬如折射率小於第1介電質膜11所用材料的材料來形成。
第1介電質膜21之組成譬如可為ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、SnO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 等。ZrO2 -SiO2 -In2 O3 及In2 O3 -SnO2 之膜可利用DC濺鍍形成。
另，藉由使第1介電質膜21所含Zr量多過Si量，可獲得更高的再生功率。此乃因為使Zr量多過Si量，可緩和從中間分離層2脫離之有機物或水分給予第1介電質膜21的不良影響，而可抑制再生耐久性惡化所致。
第1介電質膜21之厚度可為10nm以上且50nm以下。若低於10nm，有與中間分離層2之密著性會降低而減弱抑制水分侵入記錄膜22的保護功能之情形。超過50nm，則有L1層20之反射率降低之情形。另，第1介電質膜21之厚度若大於50nm，有拉長第1介電質膜21成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜22之功能同於前述L0層10之記錄膜12之功能。如上述，L1層20大致上比L0層10更容易賦予高度的有效反射率及再生光量，故記錄膜22之組成並不如記錄膜12般受限。因此，記錄膜22可用與關於記錄膜12所例示之材料相同的材料來形成，或者可用其他材料譬如含有W、Cu及Mn但不含元素M之材料來形成。記錄膜22更可含有Zn。
更具體而言，記錄膜22與記錄膜12同樣地可以含有W、Cu、Mn、元素M及氧且W、Cu、Mn及M之組成以Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)(式中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)表示之材料形成。這時，可提高L1層20之透射率且提升L0層10之反射率，亦即可增大L0層10之再生光量。
L1層20位在比L0層10更靠近雷射光6之位置，因此容易提高其有效反射率。所以，記錄膜22以確保高透射率為優先，可以z值(Mn量)小於L0層10之記錄膜12的材料形成。上述式中，z譬如可滿足10≦z≦30。z所減少的量可用來增加x值(W量)。
或者，記錄膜22可以與第1代歸檔光碟之記錄膜相同材料形成。屆時，可將用於製造第1代歸檔光碟之濺鍍靶材兼用來製造本實施形態之資訊記錄媒體，因此有可提升生產性或降低成本之情形。更具體而言，譬如可以W-Cu-Mn-Zn-O形成記錄膜22。
就記錄膜22中所含氧之比率而言，在令金屬元素與氧之原子數合計為100%時，前述比率譬如可為60原子%以上且80原子%以下，尤其可為65原子%以上且75原子%以下。
記錄膜22之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜22便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以通道位元錯誤率會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜22之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜22成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜23之功能同於前述L0層10之第2介電質膜13之功能。第2介電質膜23之組成無特別限定。此乃因為L1層20位在比L0層10更靠近雷射光6之入射面之側，故不特定第2介電質膜23之組成也能輕易確保其有效反射率及再生光量。可用關於第1介電質膜11或第2介電質膜13所例示之材料來形成。或者，第2介電質膜23可用其他材料譬如折射率小於第1介電質膜11所用材料的材料來形成。
第2介電質膜23之組成譬如可為ZrO2 、SiO2 、In2 O3 、SnO2 、ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、SnO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 等。ZrO2 -SiO2 -In2 O3 及In2 O3 -SnO2 之膜可利用DC濺鍍形成。
第2介電質膜23之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜22之情形；超過30nm，則有L1層20之反射率下降之情形。
接著說明L2層30之構成。L2層30係於中間分離層3之表面上依序至少積層第1介電質膜31、記錄膜32及第2介電質膜33而形成。
L2層30之構成基本上與L1層20相同。第1介電質膜31具有與L1層20之第1介電質膜21相同功能，因此具有與L0層10之第1介電質膜11相同功能。又，第1介電質膜31也具有使中間分離層3與L2層30密著之作用。且第1介電質膜31與第1介電質膜21同樣地其組成不特別受限。L2層30位於最外側，所以不特定第1介電質膜31之組成也能輕易確保L2層30之有效反射率及再生光量。因此，第1介電質膜31可用關於L0層10之第1介電質膜11及第2介電質膜13所例示之材料來形成，或可使用其他材料形成。第1介電質膜31譬如可用折射率小於第1介電質膜11所用材料的材料來形成。屆時，第1介電質膜31可以關於L1層20之第1介電質膜21所說明的材料來形成。
第1介電質膜31之厚度可為10nm以上且50nm以下。若低於10nm，有與中間分離層3之密著性降低而減弱抑制水分侵入記錄膜32的保護功能之情形。超過50nm，則有L2層30之反射率降低之情形。另，第1介電質膜31之厚度若大於50nm，有拉長第1介電質膜31成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜32之功能同於L1層20之記錄膜22之功能，因此同於L0層10之記錄膜12之功能。如上述，L2層30位在最外側，比L1層20及L0層10更容易賦予高再生光量，故記錄膜32之組成並不若記錄膜12般受限。因此，記錄膜32與記錄膜22同樣地可用關於L0層10之記錄膜12所例示之材料來形成，或者可用其他材料譬如含有W、Cu及Mn但不含元素M之材料來形成。記錄膜32更可含有Zn。
更具體而言，記錄膜32與記錄膜12同樣地可以含有W、Cu、Mn、元素M及氧且W、Cu、Mn及M之組成以Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)(式中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)表示之材料形成。這時，可提高L2層30之透射率且提升L0層10之反射率，亦即可增大L0層10之再生光量。
L2層30位在最靠近雷射光6之位置，因此容易增大其有效反射率。所以，記錄膜32以確保高透射率為優先，可以z值(Mn量)小於L0層10之記錄膜12及L1層20之記錄膜22的材料形成。上述式中，z譬如可滿足5≦z≦30。z所減少的量可用來增加x值(W量)。
或者，記錄膜32可以與第1代歸檔光碟之記錄膜相同材料形成。屆時，可將用於製造第1代歸檔光碟之濺鍍靶材兼用來製造本實施形態之資訊記錄媒體，因此有可提升生產性或降低成本之情形。更具體而言，譬如可以W-Cu-Mn-Zn-O形成記錄膜32。
就記錄膜32中所含氧之比率而言，其與記錄膜22之比率同樣，在令金屬元素與氧之原子數合計為100%時，前述比率譬如可為60原子%以上且80原子%以下，尤其可為65原子%以上且75原子%以下。
記錄膜32之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜32便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以通道位元錯誤率會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜32之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜32成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜33具有與L1層20之第2介電質膜23相同功能，因此具有與L0層10之第2介電質膜13相同功能。且第2介電質膜33與第2介電質膜23同樣地其組成不特別受限。因為L2層30位在最外側，所以比L1層20及L0層10更容易給予高再生光量，故不特定第2介電質膜33之組成也能輕易確保其有效反射率及再生光量。因此，第2介電質膜33可用關於L0層10之第1介電質膜11及第2介電質膜13所例示之材料來形成，或可使用其他材料形成。第2介電質膜33譬如可用折射率小於第1介電質膜11所用材料的材料來形成。屆時，第2介電質膜33可以關於L1層20之第2介電質膜23所說明的材料來形成。
第2介電質膜33之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜32之情形。超過30nm，則有L2層30之反射率降低之情形。
第1介電質膜11、21、31、記錄膜12、22、32及第2介電質膜13、23，33可藉由RF濺鍍或DC濺鍍，使用將構成該等之氧化物混合而成的濺鍍靶材來形成。或者，該等膜可使用不含氧之合金濺鍍靶材，利用在導入氧下之RF濺鍍或在導入氧下之DC濺鍍來形成。更或者，可以將各氧化物之濺鍍靶材分別安裝在個別的電源並同時供於RF濺鍍或DC濺鍍之方法來形成該等膜(多靶濺鍍法)。RF濺鍍及DC濺鍍亦可同時實施。此外，其他的膜形成方法還可舉如：將由金屬單體或合金構成之濺鍍靶材或氧化物濺鍍靶材分別安裝於個別的電源，視需求邊導入氧並同時進行RF濺鍍之方法或同時進行DC濺鍍之方法。或者，可藉由使用金屬與氧化物混合而成之濺鍍靶材，邊導入氧並進行RF濺鍍或DC濺鍍之方法來形成該等膜。
就實施形態1之變形例而言，在本實施形態所示資訊記錄媒體100中，任一資訊層之記錄膜可為Te-O-Pd或Ge-Bi-O等其他記錄膜，亦即可為W-O系記錄膜以外的記錄膜。或者，就其他變形例而言，亦可視需求設置反射膜及由上述未例示之材料構成的介電質膜。本揭示之技術效果亦可在該等變形例中達成。
此外，就其他變形例而言，特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合可以L0層再加另一資訊層來實現，或以另一資訊層取代L0層來實現。特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合對於提升再生光量容易降低之L0層的再生光量效果卓越，用在其他資訊層時也能提升該其他資訊層的再生光量。
又，將特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合用於L1層或L2層時，可提高L1層或L2層之透射率，因此抵達L0層之雷射光6量會增加，而可提高L0層之有效反射率，最終可提升L0層之再生光量。亦即，於L1層及L2層應用特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜，也會提高記錄在L0層之短記號的S/N比。
資訊記錄媒體100之記錄方式可為線速恆定之Constant Linear Velocity(CLV，恆定線性速度)、轉速恆定之Constant Angular Velocity(CAV，恆定角速度)、Zoned CLV(分區恆定線性速度)及Zoned CAV(分區恆定角速度)中之任一者。可使用之資料位元長為51.3nm。
對本實施形態之資訊記錄媒體100的資訊記錄及再生可以物鏡開口數NA為0.91之光學系統實施或可以NA＞1之光學系統實施。光學系統亦可使用Solid Immersion Lens(SIL，固態浸沒透鏡)或Solid Immersion Mirror(SIM，固態浸沒鏡)。此時，中間分離層2及3以及覆蓋層4可為5μm以下之厚度。或者亦可採用利用近場光的光學系統。 (實施形態2)
說明本揭示之資訊記錄媒體的另一例作為實施形態2。實施形態2係說明以雷射光來記錄及再生資訊之資訊記錄媒體之一例。於圖2顯示其光學性資訊記錄媒體之截面。本實施形態之資訊記錄媒體200具有A面資訊記錄媒體201及B面資訊記錄媒體202，且在L0層10a中第3介電質膜14a係設置在第1介電質膜11及基板1之間，而本實施形態僅在此點有別於實施形態1。
L0層10a自雷射光6照射側來看，由較遠位置起可依序含有第3介電質膜14a、第1介電質膜11、記錄膜12及第2介電質膜13。
第3介電質膜14a係為了改善L0層10a之再生耐久性以提高再生功率而設置。又，第3介電質膜14a亦具有與第1介電質膜11良好密著以提升基板1與L0層10之密著性的功能。
將第1介電質膜11之組成選擇成如前所述雖可提升L0層10之反射率，但當再生功率幾乎不上昇或再生功率下降時，可視需求設置第3介電質膜14a。又，若為了再生記錄在L0層之訊號而連續照射預定功率的雷射光6，則可能在基板1與第1介電質膜11之間發生剝離或原子擴散的現象。為了抑制這種剝離或原子擴散以確保在基板1與L0層之間的良好密著性，可設置第3介電質膜14a。
第3介電質膜14a含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物。第3介電質膜14a之組成譬如可為ZrO2 、SiO2 、In2 O3 、SnO2 、ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、SnO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 。針對二至三元系氧化物之混合物，氧化物之混合比並無特別限定。第3介電質膜14a可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。且與實施形態1之L0層10之第1介電質膜11同樣地，元素D3之氧化物也無須非得為化學計量組成。
第3介電質膜14a亦可含有譬如50mol%以上之元素D3之氧化物，或可實質上由元素D3之氧化物構成。「實質上」一詞之意如同實施形態1中有關第1介電質膜11所說明。
又，第3介電質膜14a/第1介電質膜11之組合譬如可為ZrO2 (第3介電質膜14a)/Nb2 O5 (第1介電質膜11)、ZrO2 /NbOx 、ZrO2 /MoO3 、ZrO2 /Ta2 O5 、SiO2 /Nb2 O5 、SiO2 /NbOx 、SiO2 /MoO3 、SiO2 /Ta2 O5 、In2 O3 /Nb2 O5 、In2 O3 /NbOx 、In2 O3 /MoO3 、In2 O3 /Ta2 O5 、SnO2 /Nb2 O5 、SnO2 /NbOx 、SnO2 /MoO3 、SnO2 /Ta2 O5 、ZrO2 -SiO2 /Nb2 O5 、ZrO2 -SiO2 /NbOx 、ZrO2 -SiO2 /MoO3 、ZrO2 -SiO2 /Ta2 O5 、ZrO2 -In2 O3 /Nb2 O5 、ZrO2 -In2 O3 /NbOx 、ZrO2 -In2 O3 /MoO3 、ZrO2 -In2 O3 /Ta2 O5 、ZrO2 -In2 O3 /WO3 、ZrO2 -In2 O3 /TiO2 、ZrO2 -In2 O3 /TiOx 、ZrO2 -In2 O3 /Bi2 O3 、ZrO2 -In2 O3 /CeO2 、ZrO2 -SnO2 /Nb2 O5 、ZrO2 -SnO2 /NbOx 、ZrO2 -SnO2 /MoO3 、ZrO2 -SnO2 /Ta2 O5 、In2 O3 -SiO2 /Nb2 O5 、In2 O3 -SiO2 /NbOx 、In2 O3 -SiO2 /MoO3 、In2 O3 -SiO2 /Ta2 O5 、In2 O3 -SnO2 /Nb2 O5 、In2 O3 -SnO2 /NbOx 、In2 O3 -SnO2 /MoO3 、In2 O3 -SnO2 /Ta2 O5 、In2 O3 -SnO2 /WO3 、In2 O3 -SnO2 /TiO2 、In2 O3 -SnO2 /TiOx 、In2 O3 -SnO2 /Bi2 O3 、In2 O3 -SnO2 /CeO2 、SnO2 -SiO2 /Nb2 O5 、SnO2 -SiO2 /NbOx 、SnO2 -SiO2 /MoO3 、SnO2 -SiO2 /Ta2 O5 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /Nb2 O5 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /NbOx 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /MoO3 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /Ta2 O5 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /WO3 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /TiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /TiOx 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /Bi2 O3 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /CeO2 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 /Nb2 O5 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 /NbOx 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 /MoO3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 /Ta2 O5 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 /Nb2 O5 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 /NbOx 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 /MoO3 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 /Ta2 O5 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 /Nb2 O5 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 /NbOx 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 /MoO3 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 /Ta2 O5 。
尤其，第3介電質膜14a/第1介電質膜11之組合可為ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /Nb2 O5 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 /NbOx 、In2 O3 -SnO2 /Nb2 O5 、In2 O3 -SnO2 /NbOx 。該等組合係第3介電質膜14a及第1介電質膜11可一同藉由DC濺鍍形成之組合。因此，使用該等組合，便可利用DC濺鍍以良好的生產性製造資訊記錄媒體200。第1介電質膜11為先前例示之二元系、三元系或四元系組成時亦可設置第3介電質膜14a。
第3介電質膜14a之厚度可為3nm以上且35nm以下。小於3nm時，有無法充分提高基板1與第1介電質膜11之密著性之情形。超過35nm，則有L0層10之反射率降低之情形。
第3介電質膜14a以外之膜及層的構成如同實施形態1中所說明，故在此省略其說明。
另，在實施形態2係將第3介電質膜14a形成在基板1與第1介電質膜11之間，不過作為變形例亦可將第3介電質膜14a形成在中間分離層2與第1介電質膜21之間或中間分離層3與第1介電質膜31之間。即，在圖1所示資訊記錄媒體100中，可在中間分離層2與第1介電質膜21之間或中間分離層3與第1介電質膜31之間形成第3介電質膜14a。 (實施形態3)
說明本揭示之資訊記錄媒體的另一例作為實施形態2。實施形態3係說明以雷射光來記錄及再生資訊之資訊記錄媒體之一例。於圖3顯示其光學性資訊記錄媒體之截面。本實施形態之資訊記錄媒體300具有A面資訊記錄媒體301及B面資訊記錄媒體302，且在L0層10b中第3介電質膜14b係設置在第1介電質膜11與記錄膜12之間，而本實施形態僅在此點有別於實施形態1。
L0層10b自雷射光6照射側來看，由較遠位置起可依序含有第1介電質膜11、第3介電質膜14b、記錄膜12及第2介電質膜13。第3介電質膜14b係為了改善L0層10b之再生耐久性以提高再生功率而設置。
將第1介電質膜11之組成選擇成如前所述雖可提升L0層10之反射率，但當再生功率幾乎不上昇或再生功率下降時，可視需求設置第3介電質膜14b。又，若為了再生記錄在L0層之訊號而連續照射預定功率的雷射光6，則可能在第1介電質膜11與記錄膜12之間發生剝離或原子擴散的現象。為了抑制這種剝離或原子擴散以確保在第1介電質膜11與記錄膜12之間的良好密著性，可設置第3介電質膜14b。
構成第3介電質膜14b之材料例與實施形態2中說明之第3介電質膜14a之材料例相同。又，第3介電質膜14b/第1介電質膜11之組合例與實施形態2中說明之第3介電質膜14a/第1介電質膜11之組合例相同。
第3介電質膜14b之厚度可為3nm以上且35nm以下。小於3nm時，有無法充分提高第1介電質膜11與記錄膜12之密著性之情形。超過35nm，則有L0層10之反射率降低之情形。
第3介電質膜14b之其他構成如同先前實施形態2中所說明之第3介電質膜14a，故在此省略其說明。第3介電質膜14b以外之膜及層的構成如同實施形態1中所說明，故在此省略其說明。 (實施形態4)
說明本揭示之資訊記錄媒體的另一例作為實施形態4。實施形態4係說明以雷射光來記錄及再生資訊之資訊記錄媒體之一例。於圖4顯示其光學性資訊記錄媒體之截面。本實施形態之資訊記錄媒體400除了具有3層資訊層之L0層10、L1層20、L2層30更具有作為另一資訊層之L3層40，本實施形態在此點有別於實施形態1。於L3層40與L2層30之間設有中間分離層7。A面資訊記錄媒體401及B面資訊記錄媒體402皆具有四層資訊層，故該資訊記錄媒體400合計具有八層資訊層。
L0層10、L1層20、L2層30如同實施形態1中所說明，故在此省略其說明。中間分離層7之功能及形狀以及材料如同中間分離層2及3之功能及形狀以及材料，故在此省略其說明。中間分離層7之厚度可設成與中間分離層2及3之值不同之值。
接著說明L3層之構成。L3層40係於中間分離層7之表面上依序至少積層第1介電質膜41、記錄膜42及第2介電質膜43而形成。L3層40之構成基本上與L1層(及與L1層為相同構成之L2層)相同。
第1介電質膜41具有與實施形態1中說明之L1層20之第1介電質膜21相同功能。又，第1介電質膜41也具有使中間分離層7與L3層40密著之作用。且第1介電質膜41與第1介電質膜21同樣地其組成不特別受限。L3層40位於最外側，所以不特定第1介電質膜41之組成也能輕易確保L3層40之有效反射率及再生光量。因此，第1介電質膜41可用與關於實施形態1之L0層10之第1介電質膜11及第2介電質膜13所例示之材料相同的材料來形成，或可使用其他材料形成。第1介電質膜41譬如可用折射率小於第1介電質膜11所用材料的材料來形成。屆時，第1介電質膜41可以關於實施形態1之L1層20之第1介電質膜21所說明之材料來形成。
第1介電質膜41之厚度可為10nm以上且50nm以下。若低於10nm，有與中間分離層7之密著性降低而減弱抑制水分侵入記錄膜42的保護功能之情形。超過50nm，則有L3層40之反射率降低之情形。
記錄膜42之功能同於實施形態1中所說明之L1層20之記錄膜22之功能，因此同於L0層10之記錄膜12之功能。如上述，L3層40位在最外側，比L0層10乃至L2層30更容易賦予高再生光量，故記錄膜42之組成並不若實施形態1之L0層10之記錄膜12般受限。因此，記錄膜42與實施形態1之記錄膜22同樣地可用關於實施形態1之L0層10之記錄膜12所例示之材料來形成，或者可用其他材料譬如含有W、Cu及Mn但不含元素M之材料來形成。記錄膜42更可含有Zn。
更具體而言，記錄膜42與實施形態1之記錄膜12同樣地可以含有W、Cu、Mn、元素M及氧且W、Cu、Mn及M之組成以Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)(式中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)表示之材料形成。這時，可提高L3層40之透射率且提升L0層10之反射率，亦即可增大L0層10之再生光量。
L3層40位在最靠近雷射光6之位置，因此容易增大其有效反射率。所以，記錄膜42以確保高透射率為優先，可以z值(Mn量)小於L0層10之記錄膜12、L1層20之記錄膜22及L2層30之記錄膜32的材料形成。上述式中，z譬如可滿足5≦z≦30。z所減少的量可用來增加x值(W量)。
或者，記錄膜42可以與第1代歸檔光碟之記錄膜相同材料形成。屆時，可將用於製造第1代歸檔光碟之濺鍍靶材兼用來製造本實施形態之資訊記錄媒體，因此有可提升生產性或降低成本之情形。更具體而言，譬如可以W-Cu-Mn-Zn-O形成記錄膜42。
就記錄膜42中所含氧之比率而言，在令金屬元素與氧之原子數合計為100%時，前述比率譬如可為60原子%以上且80原子%以下，尤其可為65原子%以上且75原子%以下。
記錄膜42之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜42便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以通道位元錯誤率會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜42之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜42成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜43具有與實施形態1中說明之L1層20之第2介電質膜23相同功能，因此具有與L0層10之第2介電質膜13相同功能。且第2介電質膜43與第2介電質膜23同樣地其組成不特別受限。因為L3層40位在最外側，所以比L2層30及L0層10更容易給予高再生光量，故不特定第2介電質膜43之組成也能輕易確保其有效反射率及再生光量。因此，第2介電質膜43可用關於實施形態1之L0層10之第1介電質膜11及第2介電質膜13所例示之材料來形成，或可使用其他材料形成。第2介電質膜43譬如可用折射率小於第1介電質膜11所用材料的材料來形成。屆時，第2介電質膜43可以關於實施形態1之L1層20之第2介電質膜23所說明之材料來形成。
第2介電質膜43之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜42之情形。超過30nm，則有L2層30之反射率降低之情形。
就資訊記錄媒體400之變形例而言，上述特定組成之第1介電質膜與上述特定組成之記錄膜的組合可以L0層再加另一資訊層來實現，或以另一資訊層取代L0層來實現。特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合對於提升再生光量容易降低之L0層的再生光量效果卓越，用在其他資訊層時也能提升該其他資訊層的再生光量。譬如，可僅L1層、L2層或L3層中之任一層採用上述特定組成之第1介電質膜及上述特定組成之記錄膜的組合。
又，若將特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合用在L1層至L3層中之任一層，可提高該資訊層之透射率，因此抵達L0層之雷射光6量會增加，而可提高L0層之有效反射率，最終可提升L0層之再生光量。亦即，於L1層至L3層中之任一層應用特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜，也會提高記錄在L0層之短記號的S/N比。
就資訊記錄媒體400之另一變形例而言，可在基板1或中間分離層2、3、7與上述特定組成之第1介電質膜11、21、31、41之間設有第3介電質膜14a。或者就另一變形例而言，可在上述特定組成之第1介電質膜11、21、31、41與特定組成之記錄膜12、22、32、42之間設置第3介電質膜14b。第3介電質膜14a、14b之功能、形狀及材料如同先前實施形態2及3中所說明。 (實施形態5)
接下來，以實施形態5說明實施形態1中所說明之資訊記錄媒體100之製造方法。
構成L0層10之第1介電質膜11、記錄膜12及第2介電質膜13可利用氣相成膜法之一的濺鍍法形成。
首先，將基板1(譬如厚0.5mm、直徑120mm)配置到成膜裝置內。
接著，先成膜第1介電質膜11。此時，於基板1形成有螺旋狀的導引溝時，係於該導引溝側形成第1介電質膜11。第1介電質膜11可視欲取得之組成使用含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1的靶材，在稀有氣體環境或稀有氣體與反應氣體(譬如氧氣)之混合氣體環境中進行濺鍍來形成。稀有氣體譬如有Ar氣、Kr氣或Xe氣，成本面上以Ar氣較為有利。這在以稀有氣體或其混合氣體作為濺鍍環境氣體的任何濺鍍中皆適用。
濺鍍靶材可以氧化物形態含有元素D1，或可以單體金屬或合金形態含有元素D1。使用由金屬(含合金)構成之靶材時，可藉由在含氧氣之環境中實施的反應性濺鍍形成氧化物。
使用具有導電性(比電阻值宜為1Ω・cm以下)之濺鍍靶材實施DC(DC：Direct Current)濺鍍或脈衝DC濺鍍，比實施RF濺鍍時更能達成高成膜率。
具體上，濺鍍靶材之組成可為： NbOx 、Nb2 O5 、MoO3 、Ta2 O5 、WO3 、TiOx 、TiO2 、Bi2 O3 、CeO2 、 NbOx -MoO3 、Nb2 O5 -MoO3 、NbOx -Ta2 O5 、Nb2 O5 -Ta2 O5 、NbOx -WO3 、Nb2 O5 -WO3 、NbOx -TiO2 、NbOx -TiOx 、Nb2 O5 -TiO2 、Nb2 O5 -TiOx 、NbOx -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -CeO2 、NbOx -CeO2 、MoO3 -Ta2 O5 、MoO3 -WO3 、MoO3 -TiOx 、MoO3 -TiO2 、MoO3 -Bi2 O3 、MoO3 -CeO2 、Ta2 O5 -WO3 、Ta2 O5 -TiOx 、Ta2 O5 -TiO2 、Ta2 O5 -Bi2 O3 、Ta2 O5 -CeO2 、WO3 -TiO2 、WO3 -TiOx 、WO3 -Bi2 O3 、WO3 -CeO2 、TiOx -Bi2 O3 、TiO2 -Bi2 O3 、TiOx -CeO2 、TiO2 -CeO2 、Bi2 O3 -CeO2 、 NbOx -MoO3 -Ta2 O5 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 、NbOx -MoO3 -WO3 、Nb2 O5 -MoO3 -WO3 、NbOx -MoO3 -TiO2 、NbOx -MoO3 -TiOx 、Nb2 O5 -MoO3 -TiOx 、Nb2 O5 -MoO3 -TiO2 、NbOx -MoO3 -Bi2 O3 、 Nb2 O5 -MoO3 -Bi2 O3 、NbOx -MoO3 -CeO2 、Nb2 O5 -MoO3 -CeO2 、NbOx -Ta2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 、NbOx -Ta2 O5 -TiO2 、NbOx -Ta2 O5 -TiOx 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiOx 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiO2 、NbOx -Ta2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -Ta2 O5 -CeO2 、NbOx -Ta2 O5 -CeO2 、 NbOx -MoO3 -Ta2 O5 -WO3 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -WO3 、NbOx -MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 、NbOx -MoO3 -Ta2 O5 -TiOx 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -TiOx 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -TiO2 、NbOx -MoO3 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -Bi2 O3 、NbOx -MoO3 -Ta2 O5 -CeO2 、Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 -CeO2 、 ZrO2 -NbOx 、ZrO2 -Nb2 O5 、ZrO2 -MoO3 、ZrO2 -Ta2 O5 、ZrO2 -WO3 、ZrO2 -TiO2 、ZrO2 -Bi2 O3 、ZrO2 -CeO2 、ZrO2 -NbOx -MoO3 、ZrO2 -Nb2 O5 -MoO3 、ZrO2 -NbOx -Ta2 O5 、ZrO2 -Nb2 O5 -Ta2 O5 、ZrO2 -NbOx -WO3 、ZrO2 -Nb2 O5 -WO3 、ZrO2 -NbOx -TiO2 、ZrO2 -NbOx -TiOx 、ZrO2 -Nb2 O5 -TiOx 、ZrO2 -Nb2 O5 -TiO2 、ZrO2 -NbOx -Bi2 O3 、ZrO2 -Nb2 O5 -Bi2 O3 、ZrO2 -NbOx -CeO2 、ZrO2 -Nb2 O5 -CeO2 等。
使用該等濺鍍靶材，可形成與濺鍍靶材略相同組成之薄膜。又，含有NbOx 及/或TiOx 之組成的濺鍍靶材導電性高，藉由DC濺鍍可穩定地形成第1介電質膜11。因此，使用含有NbOx 及/或TiOx 之組成的濺鍍靶材，在形成第1介電質膜11時可期待高成膜率。
又，以多種介電質材料形成第1介電質膜11時，可使用介電質材料之各濺鍍靶材，從多個陰極同時堆積介電質材料，來實施多靶濺鍍。在多靶濺鍍中，可藉由調整各陰極之濺鍍功率而在薄膜獲得期望的組成比。
譬如，以形成Nb2 O5 -MoO3 所構成之薄膜作為第1介電質膜11時，濺鍍靶材之組合可使用(NbOx 、MoO3 )或(Nb2 O5 、MoO3 )。同樣地，分別可以下列所示濺鍍靶材組合(括弧內所記載之多種氧化物相當於靶材組合)形成下列二元系至四元系之薄膜。 ・Nb2 O5 -Ta2 O5 ：(NbOx 、Ta2 O5 )或(Nb2 O5 、Ta2 O5 ) ・Nb2 O5 -WO3 ：(NbOx 、WO3 )或(Nb2 O5 、WO3 ) ・Nb2 O5 -TiO2 ：(NbOx 、TiO2 )、(NbOx 、TiOx )、(Nb2 O5 、TiO2 )或(Nb2 O5 、TiOx ) ・Nb2 O5 -Bi2 O3 ：(NbOx 、Bi2 O3 )或(Nb2 O5 、Bi2 O3 ) ・Nb2 O5 -CeO2 ：(NbOx 、CeO2 )或(Nb2 O5 、CeO2 ) ・MoO3 -Ta2 O5 ：(MoO3 、Ta2 O5 ) ・MoO3 -WO3 ：(MoO3 、WO3 ) ・MoO3 -TiO2 ：(MoO3 、TiOx )或(MoO3 、TiO2 ) ・MoO3 -Bi2 O3 ：(MoO3 、Bi2 O3 ) ・MoO3 -CeO2 ：(MoO3 、CeO2 ) ・Ta2 O5 -WO3 ：(Ta2 O5 、WO3 ) ・Ta2 O5 -TiO2 ：(Ta2 O5 、TiOx )或(Ta2 O5 、TiO2 ) ・Ta2 O5 -Bi2 O3 ：(Ta2 O5 、Bi2 O3 ) ・Ta2 O5 -CeO2 ：(Ta2 O5 、CeO2 ) ・WO3 -TiO2 ：(WO3 -TiOx )或(WO3 、TiO2 ) ・WO3 -Bi2 O3 ：(WO3 、Bi2 O3 ) ・WO3 -CeO2 ：(WO3 、CeO2 ) ・TiO2 -Bi2 O3 ：(TiOx 、Bi2 O3 )或(TiO2 、Bi2 O3 ) ・TiO2 -CeO2 ：(TiOx 、CeO2 )或(TiO2 、CeO2 ) ・Bi2 O3 -CeO2 ：(Bi2 O3 -CeO2 ) ・Nb2 O5 -MoO3 -Ta2 O5 ：(NbOx 、MoO3 、Ta2 O5 )或(Nb2 O5 、MoO3 、Ta2 O5 ) ・Nb2 O5 -MoO3 -WO3 ：(NbOx 、MoO3 、WO3 )或(Nb2 O5 、MoO3 、WO3 ) ・Nb2 O5 -MoO3 -TiO2 ：(NbOx 、MoO3 、TiO2 )、(NbOx 、MoO3 、TiOx )、(Nb2 O5 、MoO3 、TiOx )或(Nb2 O5 、MoO3 、TiO2 ) ・Nb2 O5 -MoO3 -Bi2 O3 ：(NbOx 、MoO3 、Bi2 O3 )或(Nb2 O5 、MoO3 、Bi2 O3 ) ・Nb2 O5 -MoO3 -CeO2 ：(NbOx 、MoO3 、CeO2 )或(Nb2 O5 、MoO3 、CeO2 ) ・Nb2 O5 -Ta2 O5 -WO3 ：(NbOx 、Ta2 O5 、WO3 )或(Nb2 O5 、Ta2 O5 、WO3 )、 ・Nb2 O5 -Ta2 O5 -TiO2 ：(NbOx 、Ta2 O5 、TiO2 )、(NbOx 、Ta2 O5 、TiOx )、(Nb2 O5 、Ta2 O5 、TiOx )或(Nb2 O5 、Ta2 O5 、TiO2 )、 ・Nb2 O5 -Ta2 O5 -Bi2 O3 ：(NbOx 、Ta2 O5 、Bi2 O3 )或(Nb2 O5 、Ta2 O5 、Bi2 O3 ) ・NbOx -Ta2 O5 -CeO2 ：(Nb2 O5 、Ta2 O5 、CeO2 )、(NbOx 、Ta2 O5 、CeO2 )
接著，於第1介電質膜11上形成記錄膜12。記錄膜12可因應其組成使用由金屬合金或金屬-氧化物之混合物所構成的濺鍍靶材，在稀有氣體環境中或稀有氣體與反應氣體之混合氣體環境中實施濺鍍來形成。記錄膜12之厚度比第1介電質膜11等介電質膜更厚，因此考慮到生產性，記錄膜12宜利用可期待比RF濺鍍更高之成膜率的DC濺鍍或脈衝DC濺鍍來進行成膜。為使記錄膜12中含有許多氧，因此環境氣體中宜混合多量的氧氣。
濺鍍靶材可含有W、Cu、Mn及元素M且氧除外之W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)：Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。 尤其，可使用上述式(1)中之x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0之濺鍍靶材。
令濺鍍靶材中所含W、Cu、Mn及元素M的合計原子數為100%時，W含量若低於15原子%，DC或脈衝DC濺鍍就會變不穩定而容易產生異常放電。欲形成之記錄膜12中所含W含量少於20原子%時可實施多靶濺鍍，即同時濺鍍由構成記錄膜12之各金屬單體或其氧化物所構成的靶材。在多靶濺鍍中，可藉由調整各陰極之濺鍍功率而在薄膜獲得期望的組成比。
具體上，在成膜記錄膜12之際使用合金靶材或混合物靶材時，靶材組成可為W-Cu-Mn-Nb、W-Cu-Mn3 O4 -Nb、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx 、W-Cu-Mn-Mo、W-Cu-Mn3 O4 -Mo、W-Cu-Mn-Ta、W-Cu-Mn3 O4 -Ta、W-Cu-Mn-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -Ti、W-Cu-Mn3 O4 -TiOx 、W-Cu-Mn-Nb-Zn、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ta、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-Ta、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ta-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-Ta-TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ta-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ta-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-Ta-TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Mo-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Mo-TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ta、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Ta、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ta-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Ta-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Ta-TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ta-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -Ta-TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Nb-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -NbOx -TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ta、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ta-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ta-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ta-TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ta-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ta-TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Mo-TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Ta-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Ta-Ti、W-Cu-Mn3 O4 -Ta-TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Ta-Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Ta-TiOx -ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -Ti、W-Cu-Mn3 O4 -TiOx 、W-Cu-Mn3 O4 -Ti-ZnO、W-Cu-Mn3 O4 -TiOx -ZnO等。
另，藉由多靶濺鍍譬如在形成W-Cu-Mn-Nb-O所構成之薄膜作為記錄膜12時，濺鍍靶材之組合可使用(W、Cu、Mn、Nb)或(W、Cu、Mn、 NbOx )等。為了更穩定放電以取得高生產性，宜使用金屬構成的單體靶材。同樣地，分別可以下列所示濺鍍靶材組合(括弧內所記載之多種金屬相當於靶材組合)形成以下列舉之組成的薄膜。 ・W-Cu-Mn-Mo-O：(W、Cu、Mn、Mo) ・W-Cu-Mn-Ta-O：(W、Cu、Mn、Ta) ・W-Cu-Mn-Ti-O：(W、Cu、Mn、Ti) ・W-Cu-Mn-Nb-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Ta) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Ta、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-Ti-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Ta、Ti) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ta-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Ta、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ti-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Ti) ・W-Cu-Mn-Nb-Mo-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Mo、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Ta-O：(W、Cu、Mn、Nb、Ta) ・W-Cu-Mn-Nb-Ta-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Ta、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Ta-Ti-O：(W、Cu、Mn、Nb、Ta、Ti) ・W-Cu-Mn-Nb-Ta-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Ta、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Nb-Ti-O：(W、Cu、Mn、Nb、Ti) ・W-Cu-Mn-Nb-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Nb、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Mo-Zn-O：(W、Cu、Mn、Mo、Zn) ・W-Cu-Mn-Mo-Ta-O：(W、Cu、Mn、Mo、Ta) ・W-Cu-Mn-Mo-Ta-Zn-O：(W、Cu、Mn、Mo、Ta、Zn) ・W-Cu-Mn-Mo-Ta-Ti-O：(W、Cu、Mn、Mo、Ta、Ti) ・W-Cu-Mn-Mo-Ta-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Mo、Ta、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Mo-Ti-O：(W、Cu、Mn、Mo、Ti) ・W-Cu-Mn-Mo-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Mo、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Ta-Zn-O：(W、Cu、Mn、Ta、Zn) ・W-Cu-Mn-Ta-Ti-O：(W、Cu、Mn、Ta、Ti) ・W-Cu-Mn-Ta-Ti-Zn-O：(W、Cu、Mn、Ta、Ti、Zn) ・W-Cu-Mn-Ti-Zn-O則為(W、Cu、Mn、Ti、Zn)
接著，於記錄膜12上形成第2介電質膜13。第2介電質膜13可使用因應第2介電質膜13之組成的濺鍍靶材，在稀有氣體環境或稀有氣體與反應氣體之混合氣體環境中實施濺鍍來形成。又，以多種介電質材料形成第2介電質膜13時，可使用各介電質材料之濺鍍靶材，來實施多靶濺鍍。
用於形成第2介電質膜13之濺鍍靶材可用前述形成第1介電質膜11之濺鍍靶材。或者，用於形成第2介電質膜13之濺鍍靶材的組成可為NbOx -In2 O3 、Nb2 O5 -In2 O3 、NbOx -SnO2 、Nb2 O5 -SnO2 、NbOx -SiO2 、Nb2 O5 -SiO2 、MoO3 -In2 O3 、MoO3 -SnO2 、MoO3 -SiO2 、Ta2 O5 -In2 O3 、Ta2 O5 -SnO2 、Ta2 O5 -SiO2 、WO3 -In2 O3 、WO3 -SnO2 、WO3 -SiO2 、TiO2 -In2 O3 、TiOx -In2 O3 、TiO2 -SnO2 、TiOx -SnO2 、TiO2 -SiO2 、TiOx -SiO2 、Bi2 O3 -In2 O3 、Bi2 O3 -SnO2 、Bi2 O3 -SiO2 、CeO2 -In2 O3 、CeO2 -SnO2 、CeO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、SnO2 -SiO2 、NbOx -ZrO2 -SiO2 、Nb2 O5 -ZrO2 -SiO2 、MoO3 -ZrO2 -SiO2 、Ta2 O5 -ZrO2 -SiO2 、WO3 -ZrO2 -SiO2 、TiO2 -ZrO2 -SiO2 、TiOx -ZrO2 -SiO2 、Bi2 O3 -ZrO2 -SiO2 、CeO2 -ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 等。
接下來，於第2介電質膜13上形成中間分離層2。中間分離層2可將光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂(譬如丙烯酸系樹脂)塗佈於L0層10上並旋塗後，使樹脂硬化而形成。於中間分離層2設置導引溝時，可在使表面形成有預定形狀之溝的轉印用基板(模)密著於硬化前之樹脂的狀態下進行旋塗後使樹脂硬化，其後再將轉印用基板從硬化之樹脂剝去的方法來形成中間分離層2。又，中間分離層2亦可以二階段形成，具體上可先以旋塗法形成佔厚度大部分的部分後，接著以旋塗法及利用轉印用基板進行轉印的組合來形成具有導引溝的部分。
接著，形成L1層20。具體上，首先將第1介電質膜21形成在中間分離層2之上。第1介電質膜21可以與前述第1介電質膜11同樣的方法，使用與欲得組成對應之濺鍍靶材形成。接著於第1介電質膜21上形成記錄膜22。記錄膜22則可以與前述記錄膜12同樣的方法，使用與欲得組成對應之濺鍍靶材形成。接著，於記錄膜22上形成第2介電質膜23。第2介電質膜23可以與前述第2介電質膜13同樣的方法，使用與欲得組成對應之濺鍍靶材形成。接下來，於第2介電質膜23上形成中間分離層3。中間分離層3可以與前述中間分離層2同樣的方法形成。
再來，形成L2層30。L2層30基本上可以與前述L1層20同樣的方法形成。首先，於中間分離層3上形成第1介電質膜31。第1介電質膜31可以與前述第1介電質膜11同樣的方法，使用與欲得組成對應之濺鍍靶材形成。接著於第1介電質膜31上形成記錄膜32。記錄膜32則可以與前述記錄膜12同樣的方法，使用與欲得組成對應之濺鍍靶材形成。接著，於記錄膜32上形成第2介電質膜33。第2介電質膜33可以與前述第2介電質膜13同樣的方法，使用與欲得組成對應之濺鍍靶材形成。
所有介電質膜及記錄膜皆可將濺鍍時之供給電力設為10W~10kW且成膜室之壓力設為0.01Pa~10Pa來形成。
接下來於第2介電質膜33上形成覆蓋層4。覆蓋層4可將光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂塗佈於第2介電質膜33上並旋塗後，使樹脂硬化而形成。或者，覆蓋層4可以貼合聚碳酸酯、非晶聚烯烴或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂或是貼合由玻璃構成之圓盤狀基板的方法來形成。具體上，可以在第2介電質膜33上塗佈光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂，使基板與塗好之樹脂密著的狀態下實施旋塗讓樹脂均勻延展，其後使樹脂硬化的方法來形成覆蓋層4。
又，各層之成膜方法除了濺鍍法以外，亦可使用真空蒸鍍法、離子鍍法、化學氣相沉積法(CVD法：Chemical Vapor Deposition)及分子束磊晶法(MBE法：Molecular Beam Epitaxy)。
依上述方法可製造A面資訊記錄媒體101。此外，亦可視需求使基板1及L0層10含有光碟識別碼(譬如BCA(Burst Cutting Area))。譬如，欲於聚碳酸酯製基板1賦予識別碼時，可於基板1成形後使用CO2 雷射等將聚碳酸酯溶解、氣化來賦予識別碼。又，於L0層10賦予識別碼時，可使用半導體雷射等對記錄膜12進行記錄或將記錄膜12分解來賦予識別碼。於L0層10賦予識別碼之步驟可在第2介電質膜13形成後、中間分離層2形成後、覆蓋層4形成後或後述之貼合層5形成後實施。
同樣地也可製作B面資訊記錄媒體102。於B面資訊記錄媒體102之基板1設置導引溝時，螺旋的旋轉方向可與前述A面資訊記錄媒體101之基板1的導引溝之螺旋的旋轉方向逆向或可同方向。
最後，將光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)均勻塗佈在A面資訊記錄媒體101中基板1之設有導引溝之面的相反面上後，再將B面資訊記錄媒體102之基板1之設有導引溝之面的相反面貼附至塗好的樹脂上。其後對樹脂照射光使其硬化而形成貼合層5。或者，亦可將遲效性硬化型之光硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體101後照光，然後與B面資訊記錄媒體102貼合來形成貼合層5。如此一來，即可製造出實施形態1之雙面具有資訊層的資訊記錄媒體100。 (實施形態6)
接下來，以實施形態6說明實施形態2中所說明之光學性資訊記錄媒體200之製造方法。光學性資訊記錄媒體200之製造方法除了形成第3介電質膜14a的部分以外，與實施形態5中所說明之製造方法相同。以下說明第3介電質膜14a之形成方法。
第3介電質膜14a係形成在基板1上。第3介電質膜14a可視欲取得之組成使用由單一介電質或混合介電質構成之濺鍍靶材，在稀有氣體環境或稀有氣體與反應氣體(譬如氧氣)之混合氣體環境中進行濺鍍而形成。使用具有導電性(比電阻值宜為1Ω・cm以下)之濺鍍靶材實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍，比實施RF濺鍍時更能達成高成膜率。
具體上，濺鍍靶材之組成可為ZrO2 、SiO2 、In2 O3 、SnO2 、ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、SnO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 等。
又，以多種介電質材料形成第3介電質膜14a時，可使用各介電質材料之濺鍍靶材，從多個陰極同時堆積介電質材料，來實施多靶濺鍍。在多靶濺鍍中，可藉由調整各陰極之濺鍍功率而在薄膜獲得期望的組成比。
形成第3介電質膜14a後，以實施形態5中所說明之方法形成第1介電質膜11等，即可製造實施形態2之資訊記錄媒體200。
另，關於在實施形態2之變形例中所說明，於中間分離層2與第1介電質膜21之間或中間分離層3與第1介電質膜31之間形成第3介電質膜14a的資訊記錄媒體，亦可在中間分離層2、3上形成第3介電質膜14a來製造。 (實施形態7)
接下來，以實施形態7說明實施形態3中所說明之光學性資訊記錄媒體之製造方法。光學性資訊記錄媒體300之製造方法除了形成第3介電質膜14b的部分以外，與實施形態5中所說明之製造方法相同。以下說明第3介電質膜14b之形成方法。
第3介電質膜14b係形成在第1介電質膜11上。第1介電質膜11之形成方法如同實施形態5中所說明。第3介電質膜14b可視欲取得之組成使用由單一介電質或混合介電質構成之濺鍍靶材，在稀有氣體環境或稀有氣體與反應氣體(譬如氧氣)之混合氣體環境中進行濺鍍而形成。使用具有導電性(比電阻值宜為1Ω・cm以下)之濺鍍靶材實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍，比實施RF濺鍍時更能達成高成膜率。
具體上，濺鍍靶材之組成可為ZrO2 、SiO2 、In2 O3 、SnO2 、ZrO2 -SiO2 、ZrO2 -In2 O3 、ZrO2 -SnO2 、In2 O3 -SiO2 、In2 O3 -SnO2 、SnO2 -SiO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 、ZrO2 -SiO2 -SnO2 、ZrO2 -In2 O3 -SnO2 、In2 O3 -SnO2 -SiO2 等。
又，以多種介電質材料形成第3介電質膜14b時，可使用各介電質材料之濺鍍靶材，從多個陰極同時堆積介電質材料，來實施多靶濺鍍。在多靶濺鍍中，可藉由調整各陰極之濺鍍功率而在薄膜獲得期望的組成比。
形成第3介電質膜14b後，以實施形態5中所說明之方法形成記錄膜12等，即可製造實施形態3之資訊記錄媒體300。 (實施形態8)
實施形態8係說明用以形成實施形態1中所說明之記錄膜12之濺鍍靶材。本實施形態之濺鍍靶材係一種至少含有W、Cu及Mn，並且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M且氧除外之W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)的靶材： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。式(1)中，x及z可滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
本實施形態之靶材可為經將粉末在高溫及高壓下予以燒結之燒結體。其充填率(密度)可為90%以上，尤其可為95%以上。
含有Nb作為元素M且W、Cu、Mn及元素M之組成以Wx Cuy Mnz Nb100-x-y-z (原子%)表示之靶材可為金屬及/或氧化物之燒結體。具體上，靶材譬如可為金屬W、金屬Cu、金屬Mn、金屬Nb所構成之合金靶材。
在該靶材中，W可以選自金屬W粉末、WO3 粉末、WO2 粉末、WO2 與WO3 之中間氧化物的粉末及馬格涅利相(Wn O3n-1 )之粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)的形態而含有。W尤其可以選自金屬W粉末及WO3 粉末中之至少一種粉末形態而含有。金屬W之熔點為3400℃，WO3 之熔點為1473℃(參照岩波理化學辭典第五版等，下同)，因此該等材料之粉末可在高溫下燒結。
該靶材中，Cu可以選自金屬Cu粉末、CuO粉末及Cu2 O粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)之形態而含有。Cu尤其可以選自金屬Cu粉末及Cu2 O粉末中之至少一種粉末形態而含有。金屬Cu之熔點為1083℃，Cu2 O之熔點為1230℃，因此該等材料之粉末可在高溫下燒結。
該靶材中，Mn可以選自金屬Mn粉末、MnO粉末、Mn3 O4 粉末、Mn2 O3 粉末及MnO2 粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)之形態而含有。Mn尤其可以選自金屬Mn粉末、MnO粉末及Mn3 O4 粉末中之至少一種粉末形態而含有。金屬Mn之熔點為1240℃，MnO之熔點為1840℃，Mn3 O4 之熔點為1700℃，因此該等材料之粉末可在高溫下燒結。
該靶材中，Nb可以選自金屬Nb粉末、Nb2 O5 粉末及NbOx 粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)之形態被含有。金屬Nb之熔點為2470℃，Nb2 O5 之熔點為1485℃，因此該等材料之粉末可在高溫下燒結。
含有Mo作為元素M且W、Cu、Mn及元素M之組成以Wx Cuy Mnz Mo100-x-y-z (原子%)表示之靶材可為金屬及/或氧化物的燒結體。具體上，靶材譬如可為金屬W、金屬Cu、金屬Mn、金屬Mo所構成之合金靶材。
該靶材中所含W、Cu及Mn之形態如同先前關於含有Nb作為元素M之靶材所說明，故省略說明。
該靶材中，Mo可以選自金屬Mo粉末及MoO3 粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)之形態而含有。Mo尤其可以金屬Mo粉末之形態而含有。金屬Mo之熔點為2620℃，因此其粉末可在高溫下燒結。
含有Ta作為元素M且W、Cu、Mn及元素M之組成以Wx Cuy Mnz Ta100-x-y-z (原子%)表示之靶材可為金屬及/或氧化物的燒結體。具體上，靶材譬如可為金屬W、金屬Cu、金屬Mn、金屬Ta之合金靶材。
該靶材中所含W、Cu及Mn之形態如同先前關於含有Nb作為元素M之靶材所說明，故省略說明。
該靶材中，Ta可以選自金屬Ta粉末及Ta2 O5 粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)之形態而含有。Ta之熔點為2990℃，Ta2 O5 之熔點為1870℃，因此該等材料之粉末可在高溫下燒結。
含有Ti作為元素M且W、Cu、Mn及元素M之組成以Wx Cuy Mnz Ti100-x-y-z (mol%)表示之靶材可為金屬及/或氧化物之燒結體。具體上，靶材譬如可為金屬W、金屬Cu、金屬Mn、金屬Ti之合金靶材。
該靶材中所含W、Cu及Mn之形態如同先前關於含有Nb作為元素M之靶材所說明，故省略說明。
該靶材中，Ti可以選自金屬Ti粉末、TiO2 粉末、TiOx 粉末中之至少一種粉末(更正確來說為經燒結之粉末)之形態而含有。Ti之熔點為1660℃，TiO2 之熔點為1840℃，因此該等材料之粉末可在高溫下燒結。
為了讓x、y及z皆滿足上述關係，可嚴謹秤量單體金屬粉末及/或氧化物粉末供於燒結，以獲得期望組成比之靶材。
上述組成之任一靶材只要可製造，亦可為熔融靶材。靶材的形狀無特別限定，譬如可為圓盤形、矩形或圓筒形。靶材譬如可為直徑200mm、厚10mm之圓盤狀靶材。又，靶材亦可利用In或In-Sn貼附於稱作背板(backing plate)之以銅為主成分之板上來使用。使用貼附於背板狀態之靶材的濺鍍可在濺鍍裝置內一邊將背板直接或間接予以水冷來實施。
本實施形態之靶材可為能進行DC濺鍍者。這類的靶材具有譬如小於1×10-2 Ω・cm之比電阻值，尤其具有5×10-3 Ω・cm以下之比電阻值。 (實施形態9)
說明本揭示之資訊記錄媒體的另一例作為實施形態9。實施形態9係說明以雷射光來記錄及再生資訊之資訊記錄媒體之一例。於圖5顯示其光學性資訊記錄媒體之截面。本實施形態之資訊記錄媒體500如圖5所示係由A面資訊記錄媒體501、貼合層5及B面資訊記錄媒體502構成。又，A面資訊記錄媒體501及B面資訊記錄媒體502具有L0層60、L1層70及L2層80，且構成該等之介電質膜或記錄膜雖與實施形態1不同，但其他基板1、中間分離層2、3、覆蓋層4、貼合層5等則與實施形態1相同。
接著說明L0層60之構成。L0層10係於基板1之表面上依序積層第1介電質膜61、記錄膜62及第2介電質膜63而形成。
第1介電質膜61具有調節光學相位差以控制訊號振幅的作用以及調整記錄記號之膨脹以控制訊號振幅的作用。此外，第1介電質膜61也具有抑制水分侵入記錄膜62的作用及抑制記錄膜62中之氧漏逸至外部的作用。
第1介電質膜11係含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物之膜。另，第1介電質膜之比電阻值宜為1Ω・cm以下。此設定在後述之第1介電質膜71、81中亦同。第1介電質膜61可由選自該等氧化物之2種以上氧化物之混合物構成，或可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。其組成譬如可為ZrO2 -In2 O3 、In2 O5 -SnO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 等。
第1介電質膜61之厚度譬如可為5nm以上且40nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜62之情形。超過40nm，則有L0層60之反射率降低之情形。
記錄膜62含有W、Cu、Mn、Ti及氧。Ti氧化物具有高折射率及低消光係數，可提升反射率，藉此可提高L0層之再生光量。
令記錄膜62中所含W、Cu、Mn及Ti合計為100原子%時，各元素比率可以下述式(2)表示： Wx Cuy Mnz Ti100-x-y-z (原子%)…(2) (式(2)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。W、Cu、Mn及Ti滿足上述式(2)之記錄膜62可優化L0層60之記錄再生特性。
記錄膜62更可含有Zn。藉由含有Zn，在以DC濺鍍形成記錄膜62時可進一步提升濺鍍之穩定性。所以，即使提高濺鍍功率或減少Ar氣，也不易發生異常放電，從而提升生產性。就Zn含量而言，為了免於影響記錄膜62之折射率及消光係數，令W、Cu、Mn、元素M及Zn之原子數合計為100時，Zn含量可為30原子%以下。
記錄膜62之組成譬如可為W-Cu-Mn-Ti-O或W-Cu-Mn-Ti-Zn-O。記錄膜62中亦可存在含有W、Cu、Mn及Ti之複合氧化物。
記錄膜62之組成譬如為W-Cu-Mn-Ti-O時，記錄膜62之系統有高度可能性為WO3 -CuO-MnO2 -TiO2 、WO3 -CuO-Mn2 O3 -TiO2 、WO3 -CuO-Mn3 O4 -TiO2 、WO3 -CuO-MnO-TiO2 、WO3 -Cu2 O-MnO2 -TiO2 、WO3 -Cu2 O-Mn2 O3 -TiO2 、WO3 -Cu2 O-Mn3 O4 -TiO2 及WO3 -Cu2 O-MnO-TiO2 中之任一者。亦可換去TiO2 而存在TiOx ，或可TiO2 及TiOx 混合存在。上述任一系統皆可含有Zn，屆時，可想而知Zn會以ZnO之形態被含有。
記錄膜62之厚度譬如可設為10nm以上且50nm以下，尤其可設為20nm以上且40nm以下。記錄膜62之厚度若小於10nm，記錄膜62便無法充分膨脹，而有無法形成良好的記錄記號之情形，結果會使通道位元錯誤率變差。記錄膜62之厚度若超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜62之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜62成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜63與第1介電質膜61同樣具有調節光學相位差以控制訊號振幅的作用及抑制記錄坑之膨脹以控制訊號振幅的作用。又，第2介電質膜63也具有抑制水分從中間分離層2側侵入記錄膜62的作用及抑制記錄膜62中之氧漏逸至外部的作用。第2介電質膜63也兼具抑制有機物從中間分離層2混入記錄膜62或確保L0層60與中間分離層2之密著性的功能。
第2介電質膜63可與第1介電質膜61為同樣組成。如前述，第2介電質膜63之組成對L0層60之再生光量所及影響小於第1介電質膜61之組成對L0層60之再生光量所及的影響，因此第2介電質膜63之組成無特別限定。第2介電質膜63譬如可與第1代歸檔光碟之介電質膜所採用的介電質膜為相同組成。
第2介電質膜63係含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物之膜。另，第2介電質膜之比電阻值宜為1Ω・cm以下。此設定在後述之第2介電質膜73、83中亦同。
第2介電質膜63可由選自該等氧化物之2種以上氧化物之混合物構成，或可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。其組成譬如可為ZrO2 -In2 O3 、In2 O5 -SnO2 、ZrO2 -SiO2 -In2 O3 等。
第2介電質膜63之厚度譬如可為5nm以上且30nm以下。厚度若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜62之情形。厚度若大於30nm，則L0層60之反射率會下降。
第1介電質膜61、記錄膜62、第2介電質膜63的具體厚度可採用根據矩陣法(譬如參考久保田廣著「波動光學」岩波書店、1971年、第3章)之計算來設計。藉由調整各膜厚度，可調整記錄膜62之在未記錄與記錄時的各反射率及反射光在記錄部-未記錄部間的相位差，使再生訊號之訊號品質最佳化。
接下來說明L1層70之構成。L1層70係於中間分離層2之表面上依序至少積層第1介電質膜71、記錄膜72及第2介電質膜73而形成。
第1介電質膜71之功能及組成同於前述L0層60之第1介電質膜61之功能及組成。又，第1介電質膜71也具有使中間分離層2與L1層70密著之作用。另，藉由使第1介電質膜71所含Zr量多過Si量，可獲得更高的再生功率。此乃因為使Zr量多過Si量，可緩和從中間分離層2脫離之有機物或水分給予第1介電質膜71的不良影響，而可抑制再生耐久性惡化所致。
第1介電質膜71之厚度可為10nm以上且50nm以下。若低於10nm，有與中間分離層2之密著性降低而減弱抑制水分侵入記錄膜72的保護功能之情形。超過50nm，則有L1層70之反射率降低之情形。另，第1介電質膜71之厚度若大於50nm，有拉長第1介電質膜71成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜72之功能及組成同於前述L0層60之記錄膜62之功能及組成。記錄膜72之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜72便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以通道位元錯誤率會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜72之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜72成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜73之功能及組成同於前述L0層60之第2介電質膜63之功能及組成。第2介電質膜73之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜72之情形；超過30nm，則有L1層70之反射率下降之情形。
接著說明L2層80之構成。L2層80係於中間分離層3之表面上依序至少積層第1介電質膜81、記錄膜82及第2介電質膜83而形成。L2層80之構成基本上與L1層70相同。
第1介電質膜81具有與L1層70之第1介電質膜71相同功能及組成，因此具有與L0層60之第1介電質膜61相同功能及組成。又，第1介電質膜81也具有使中間分離層3與L2層80密著之作用。
第1介電質膜81之厚度可為10nm以上且50nm以下。若低於10nm，有與中間分離層3之密著性降低而減弱抑制水分侵入記錄膜82的保護功能之情形。超過50nm，則有L2層80之反射率降低之情形。另，第1介電質膜81之厚度若大於50nm，有拉長第1介電質膜81成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜82之功能及組成同於L1層70之記錄膜72之功能及組成，因此同於L0層60之記錄膜62之功能及組成。
記錄膜82之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜82便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以通道位元錯誤率會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜82之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜82成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜83具有與L1層70之第2介電質膜73相同功能及組成，因此具有與L0層60之第2介電質膜63相同功能及組成。
第2介電質膜83之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能下降而無法抑制水分侵入記錄膜82之情形。超過30nm，則有L2層80之反射率降低之情形。
第1介電質膜61、71、81、記錄膜62、72、82及第2介電質膜63、73、83可藉由RF濺鍍或DC濺鍍使用將構成該等之氧化物混合而成的濺鍍靶材來形成。或者，該等膜可使用不含氧之合金濺鍍靶材，利用在導入氧下之RF濺鍍或在導入氧下之DC濺鍍來形成。更或者，可以將各氧化物之濺鍍靶材分別安裝在個別的電源並同時供於RF濺鍍或DC濺鍍之方法來形成該等膜(多靶濺鍍法)。RF濺鍍及DC濺鍍亦可同時實施。此外，其他的膜形成方法還可舉如：將由金屬單體或合金構成之濺鍍靶材或氧化物濺鍍靶材分別安裝於個別的電源，視需求邊導入氧並同時進行RF濺鍍之方法或同時進行DC濺鍍之方法。或者，可藉由使用金屬與氧化物混合而成之濺鍍靶材，邊導入氧並進行RF濺鍍或DC濺鍍之方法來形成該等膜。
以上說明了實施形態作為本揭示之技術範例。並提供附件圖式及詳細說明。
所以，附件圖式及詳細說明所述構成要素中，不僅包含用以解決課題所必要且必須的構成要素，也包含為了例示上述技術而非用以解決課題必須的構成要素。因此，不應以該等非必須之構成要素載述於附件圖式或詳細說明中，就直接將該等非必須構成要素認定為必須要素。
又，上述實施形態為用以例示本揭示之技術，所以可在申請專利範圍或與之相當的範圍內進行各種變化、置換、附加或省略等。
另，本揭示之資訊記錄媒體除了可用在以相當於1位元之0、1資料作為記錄再生記錄記號之有無的方式，亦可用在將記錄記號之資訊進行多值化成相當於2位元之4值或相當於3位元之8值，以將容量提高成2倍、3倍的多值記錄方式。
接下來，以實施例詳細說明本揭示技術。 實施例 (實施例1-1)
本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之一例。首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。就基板1準備了形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於該基板1上利用濺鍍法依序形成厚17nm之表1及表2所示組成的介電質膜作為第1介電質膜11、厚31nm~34nm之表1及表2所示組成之膜作為記錄膜12及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜13。
第1介電質膜11中如實施形態所述亦可含有源自從基板1脫離之有機物的C，不過在本說明書中於第1介電質膜11之組成省略C之記載。以下關於第1介電質膜11的部分亦同。
又，含C時，在要開始成膜之靠近基板1之處也有含有多量C之傾向。
在此，記錄膜之組成就元素比僅以記述金屬元素比(原子%)之形態表記，以下亦以同樣方式表記。譬如，W19 Cu25 Zn20 Mn36 (原子%)之氧化物表記為W19 Cu25 Zn20 Mn36 -O。惟，在表中為了方便理解，僅以記述金屬元素比(原子%)之形態表記。
照射波長405nm之雷射光6時，L0層10在無L1層20及L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.0~15.0%、反射率Rl ≒7.5~16.0%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或RF電源進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。令金屬元素合計為100原子%時W量為20~50原子%之組成的記錄膜12係藉由使用含有全部構成元素之合金靶材的濺鍍進行成膜。其以外之組成的記錄膜12則藉由可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)來進行成膜。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化型樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化型樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層20。具體上係利用濺鍍法依序形成厚17nm的(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之W33 Cu16 Zn34 Mn17 -O作為記錄膜22及厚7nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜23。
第1介電質膜21中如實施形態所述亦可含有源自從中間分離層2脫離之有機物的C，不過在本說明書中於第1介電質膜21之組成省略C之記載。以下關於第1介電質膜21的部分亦同。
又，含C時，在要開始成膜之靠近中間分離層2之處也有含有多量C之傾向。
第1介電質膜21及第2介電質膜23之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L1層20在無L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.7%、反射率Rl ≒8.2%且透射率約72%的方式來決定膜厚。
第1介電質膜21及第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜22之成膜係採用合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。利用濺鍍法依序形成厚19nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜31、厚38nm之W38 Cu10 Zn38 Mn14 -O作為記錄膜32及厚9nm的(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜33。
第1介電質膜31中如實施形態所述亦可含有源自從中間分離層3脫離之有機物的C，不過在本說明書中於第1介電質膜31之組成省略C之記載。以下關於第1介電質膜31的部分亦同。
又，含C時，在要開始成膜之靠近中間分離層3之處也有含有多量C之傾向。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L2層30之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒6.4%、反射率Rl ≒6.8%、透射率約79%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜31及第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源、脈衝DC電源進行。記錄膜32之成膜係採用合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
然後，將紫外線硬化型樹脂塗佈於第2介電質膜33上並旋塗後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體101之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體101之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層10、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體102係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體101之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體101時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體101之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2及3亦設與A面資訊記錄媒體101之中間分離層2及3分為相同構成，並以相同方法形成。
但，在B面資訊記錄媒體102中設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體101之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。又，照射波長405nm之雷射光6時，L0層10在無L1層20及L2層30之情況下的反射率與A面資訊記錄媒體101之L0層10在無L1層20及L2層30之情況下的反射率同樣，在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.0~15.0%、反射率Rl ≒7.5~16.0%。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體101之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體102之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體100(光碟No.1-101~112)。 (比較例1)
除了將A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜11設定為厚17nm之(ZrO2 )15 (SiO2 )15 (In2 O3 )70 (mol%)，將記錄膜12設定為厚31nm之W19 Cu25 Mn36 Zn20 -O以外，製作與實施例1-1相同構成的資訊記錄媒體(光碟No.1-001)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L0層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。其結果列於表1及表2。
針對單面三層結構之光碟以下列方法評估反射率等。反射率係使用反射率評估裝置(PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製、商品名ODU-1000)進行測定。測定反射率時採用波長405nm、物鏡開口數NA為0.85之雷射光源。
用以評估訊號之評估裝置(PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製、商品名ODU-1000)的雷射光波長為405nm，物鏡開口數NA為0.91，在溝槽及溝台記錄資訊。記錄線速設為13.54m/s(500GB-6倍速)及再生線速設為9.03m/s(500GB-4倍速)。令資料位元長為51.3nm且每1資訊層記錄83.4GB之資訊。又，再生時之功率對L0層10及L1層20設為1.6mW，對L2層30則設為1.2mW。再生光係採用以2：1進行高頻重疊(調變)的雷射光6。利用隨機訊號(2T~12T)進行記錄，訊號品質則以c-bER(channel bit error rate)做評估。在本實施例中，參考值係以2×E-3作為訊號品質的優劣基準。c-bER若為2×E-3以下，即判斷訊號品質良好。
又，再生耐久性係以再生功率(再生時的雷射光功率上限)的大小做評估。具體上係在鄰接之溝槽及溝台記錄隨機訊號，將位在做過記錄之軌道中央的溝槽在線速9.03m/s下再生100萬次後，測定c-bER。轉換再生時之功率來測定再生100萬次後之c-bER，並以c-bER為2×E-3之功率視為再生功率。溝槽顯示出比溝台更高的光吸收率且溝槽之再生耐久性比溝台之再生耐久性差，所以不以溝台再生進行評估而是以溝槽再生進行評估。再生功率非絕對值，而是以某一光碟之再生功率為基準值(1.00)，再以經其基準值規格化之值(即，為基準值的幾倍)來做評估。在本實施例係以光碟No.1-001之再生功率為基準值。No.1-001之再生光量(反射率R×再生功率Pr)為0.030，以該再生光量無法取得良好的再生訊號品質。
測定反射率、再生耐久性及訊號品質後，根據下述基準綜合評估各光碟。評估基準如下。 ◎：再生功率與比較例之光碟的再生功率相同或比其高，再生光量(R×Pr)大於比較例之光碟的再生光量(R×Pr)且c-bER小於1.0×E-3。 ○：再生功率小於比較例之光碟的再生功率且再生光量(R×Pr)大於比較例之光碟的再生光量(R×Pr)。或c-bER為1.0×E-3以上且2.0×E-3以下。 ×：再生光量(R×Pr)與比較例之光碟的再生光量(R×Pr)相同或比其小。或c-bER大於2.0×E-3。
在本實施例，在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。 [表1][表2]
透過光碟No.1-101~104與光碟No.1-001的比較可知，設第1介電質膜11為Nb2 O5 且設記錄膜12為含有W、Cu、Mn及元素M之物，可提升L0層10之反射率，從而提高再生光量(R×Pr)。關於B面資訊記錄媒體102亦同樣可見L0層10之再生光量提升。
光碟No.1-105~112係改變第1介電質膜11中所含元素D1之氧化物種類及比例所得。透過與光碟No.1-001的比較可知，藉由含有元素D1之氧化物可提升L0層10之反射率，藉此也提高再生光量。第1介電質膜11含有WO3 、TiO2 、Bi2 O3 或CeO2 時，有再生功率降低之傾向。第1介電質膜11含有Nb2 O5 、MoO3 及Ta2 O5 時，相較於光碟No.1-001，未見再生功率降低。該等傾向在B面資訊記錄媒體102之L0層10亦能觀察到。 (實施例1-2)
除了將第1介電質膜11設為厚17nm之Nb2 O5 、記錄膜12設為厚31~34nm之W19 Cu25 Mn36 Mo20 -O、第2介電質膜13設為厚9nm之表3所示組成的介電質膜以外，以與實施例1-1同樣方式製作資訊記錄媒體100(光碟No.1-113~122)。針對該等光碟評估L0層10之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.1-113~122之再生功率係以光碟No.1-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。結果列於表3。 [表3]
相較於光碟No.1-001，第2介電質膜13含有元素D2之氧化物的光碟反射率都很高，所以再生光量也高。尤其當第2介電質膜13含有Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si之氧化物時，相較於光碟No.1-001，無再生功率降低，可取得較高的再生光量。關於B面資訊記錄媒體102亦同樣可見L0層10之再生光量提升。 (實施例1-3)
除了將第1介電質膜11設為厚17nm之表4及表5所示組成的介電質膜且將記錄膜12設為厚31~34nm之W19 Cu25 Mn36 Mo20 -O以外，以與實施例1-1同樣方式製作資訊記錄媒體100(光碟No.1-123~133)。針對該等光碟評估L0層10之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.1-123~133之再生功率係以光碟No.1-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。結果顯示於表4及表5。 [表4][表5]
從光碟No.1-123~129與光碟No.1-105、107~112(參照表2)之比較來看，第1介電質膜11含有元素D1之氧化物且含有Zr氧化物時，相較於僅含元素D1之氧化物的情況，可見L0層10之再生功率的提升。又，根據光碟No.1-130~133的評估結果，Zr氧化物比率愈大，反射率雖愈容易降低，但依舊可獲得大於光碟No.1-001的反射率及再生功率。關於B面資訊記錄媒體102亦同樣可見L0層10之再生功率提升。 (實施例1-4)
本實施例中說明圖2所示資訊記錄媒體200之一例。圖2之資訊記錄媒體200係具有L0層10a之資訊記錄媒體，且該L0層10a在基板1與第1介電質膜11之間設有第3介電質膜14a與該等基板1與第1介電質膜11相接。
在本實施例中係形成厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14a、厚12nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11及厚31~34nm之表6所示組成之膜作為記錄膜12，除此以外以與實施例1-1同樣方式製作資訊記錄媒體100(光碟No.1-134~145、171~173)。第3介電質膜14a之成膜係在Ar或Ar+O2 氣體環境中使用DC電源或脈衝DC電源進行。
第3介電質膜14a中如實施形態所述亦可含有源自從基板1脫離之有機物的C，不過在本說明書中於第3介電質膜14a之組成省略C之記載。以下關於第3介電質膜14a的部分亦同。
又，含C時，在要開始成膜之靠近基板1之處也有含有多量C之傾向。
針對實施例及比較例之光碟評估L0層之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.1-134~145、171~173之再生功率係以光碟No.1-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。結果列於表6。 [表6]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。又，透過光碟No.1-134~136與光碟No.1-101~103(參照表1)的比較可知，藉由設置第3介電質膜14a，使再生功率(再生耐久性)變更高，且再生光量獲得提升。關於B面資訊記錄媒體202亦同樣可見L0層10a之再生功率提升。 (實施例1-5)
本實施例中說明圖2所示資訊記錄媒體200之一例。圖2之資訊記錄媒體200係具有L0層10a之資訊記錄媒體，且該L0層10a在基板1與第1介電質膜11之間設有第3介電質膜14a與該等基板1與第1介電質膜11相接。
在本實施例中係形成厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14a、厚12nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11、厚31~34nm之表7所示組成之膜作為記錄膜12，除此以外以與實施例1-1同樣方式製作資訊記錄媒體200(光碟No.1-146~163)。第3介電質膜14a之成膜係在Ar或Ar+O2 氣體環境中使用DC電源或脈衝DC電源進行。針對該等光碟評估L0層10a之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.1-146~163之再生功率係以光碟No.1-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。結果列於表7。 [表7]
在本實施例中評估改變記錄膜12之組成時的反射率、再生功率、再生光量及訊號品質。在以Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)表示之式(1)中，x若小於15(光碟No.1-148)或大於60(光碟No.1-153)，訊號品質會降低。又，y大於z時(光碟No.1-156、1-163)，可見再生功率降低或訊號品質下降。z大於40(光碟No.1-159)時，可見再生功率降低。x+y+z大於98(光碟No.1-161)時，可見再生功率降低及再生光量下降。關於B面資訊記錄媒體202之L0層10a亦見相同傾向。 (實施例1-6)
本實施例中說明圖2所示資訊記錄媒體200之一例。圖2之資訊記錄媒體200係具有L0層10a之資訊記錄媒體，且該L0層10a在基板1與第1介電質膜11之間設有第3介電質膜14a與該等基板1與第1介電質膜11相接。
在本實施例中係形成厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14a、厚12nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11、厚31~34nm之表8所示組成之膜作為記錄膜12，除此以外以與實施例1-1同樣方式製作資訊記錄媒體200(光碟No.1-174~185)。第3介電質膜14a之成膜係在Ar或Ar+O2 氣體環境中使用DC電源或脈衝DC電源進行。針對該等光碟評估L0層10a之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.1-174~185之再生功率係以光碟No.1-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。結果列於表8。 [表8]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。關於B面資訊記錄媒體202亦同樣可見L0層10a之再生耐久性及再生光量提升。 (實施例1-7)
本實施例中說明圖3所示資訊記錄媒體300之一例。圖3之資訊記錄媒體300係具有L0層10b之資訊記錄媒體，且該L0層10a在第1介電質膜11與記錄膜12之間設有第3介電質膜14b與該等第1介電質膜11與記錄膜12相接。
在本實施例中係形成厚12nm之表9所示組成之介電質膜作為第1介電質膜11、厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14b、厚31~34nm之W19 Cu25 Mn36 Mo20 -O作為記錄膜12，除此以外以與實施例1-1同樣方式製作資訊記錄媒體300(光碟No.1-164~170)。第3介電質膜14b之成膜係在Ar或Ar+O2 氣體環境中使用DC電源或脈衝DC電源進行。針對該等光碟評估L0層10b之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.1-164~170之再生功率係以光碟No.1-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。結果列於表9。 [表9]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。關於B面資訊記錄媒體302亦同樣可見L0層10b之再生耐久性及再生光量提升。 (實施例2-1)
本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之一例。首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於其基板1上利用濺鍍法依序形成厚17nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11、厚31nm之W19 Cu25 Zn20 Mn36 -O作為記錄膜12及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜13。照射波長405nm之雷射光6時，L0層10在無L1層20及L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒11.5%、反射率Rl ≒12.3%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜12係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源利用可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)進行成膜。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化型樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化型樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層20。具體上係利用濺鍍法依序形成厚17nm之表10所示組成之介電質膜作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之表10所示組成之膜作為記錄膜22及厚7nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜23。
照射405nm之雷射光6時，L1層20在無L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.0~10.0%、反射率Rl ≒7.5~11.0%且透射率為65~77%。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源、脈衝DC電源或RF電源進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。令金屬元素合計為100原子%時W量為20~50原子%之組成的記錄膜22係藉由使用含有全部構成元素之合金靶材的濺鍍進行成膜。其以外之組成的記錄膜22則藉由可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)來進行成膜。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。利用濺鍍法依序形成厚19nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜31、厚38nm之W38 Cu10 Zn38 Mn14 -O作為記錄膜32及厚9nm的(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜33。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L2層30之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒6.4%、反射率Rl ≒6.8%、透射率約79%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜31及第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜32之成膜係採用合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
然後，將紫外線硬化型樹脂塗佈於第2介電質膜33上並旋塗後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體101之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體101之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層10、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體102係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體101之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體101時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體101之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2及3亦與A面資訊記錄媒體101的中間分離層2及3為相同構成。但，在B面資訊記錄媒體102中設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體101之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體101之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體102之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體100(光碟No.2-101~104)。 (比較例2)
除了將A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜21設為厚17nm之(ZrO2 )15 (SiO2 )15 (In2 O3 )70 (mol%)、記錄膜22設為厚35nm之W33 Cu16 Mn17 Zn34 -O以外，製作與實施例2-1同樣構成之資訊記錄媒體(光碟No.2-001)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L1層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.2-101~104之再生功率係以光碟No.2-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.2-001。No.2-001之再生光量(反射率R×再生功率Pr)為0.048，以該再生光量無法取得良好的再生訊號品質。其結果列於表10。 [表10]
透過光碟No.2-101~104與光碟No.2-001的比較可知，設第1介電質膜21為含有元素D1之氧化物之物且設記錄膜22為含有W、Cu、Mn及元素M之物，可提高反射率，提升再生光量。即，將特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合應用在L1層20時，確認可提升L1層20之再生光量。關於B面資訊記錄媒體102亦同樣可見L1層20之再生光量提升。 (實施例2-2)
在本實施例中說明：如實施形態2之變形例中所說明在中間分離層2與第1介電質膜21之間形成有第3介電質膜且該第3介電質膜與該等中間分離層2與第1介電質膜21相接之構成的資訊記錄媒體。
在本實施例中係形成厚5nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第3介電質膜、厚17nm之表1所示組成之介電質膜作為第1介電質膜21及厚35nm之表11所示組成之膜作為記錄膜22，除此以外以與實施例2-1同樣方式製作資訊記錄媒體(光碟No.2-113~124)。第3介電質膜之成膜係在Ar或Ar+O2 氣體環境中使用DC電源或脈衝DC電源進行。
第3介電質膜中如實施形態所述亦可含有源自從中間分離層2脫離之有機物的C，不過在本說明書中於第3介電質膜之組成省略C之記載。以下關於第3介電質膜的部分亦同。
又，含C時，在要開始成膜之靠近中間分離層2之處也有含有多量C之傾向。
針對該等光碟評估L1層之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.2-113~124之再生功率係以光碟No.2-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.2-001。結果列於表11。 [表11]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。又，透過光碟No.2-101~104(參照表10)與光碟No.2-113~116的比較可知，藉由設置第3介電質膜，使反射率及再生功率(再生耐久性)變更高，且再生光量獲得提升。另，透過光碟No.2-113~118與光碟No.2-119~124的比較可知，在記錄膜22藉由含有更多的Cu及Mn可提升反射率。關於B面資訊記錄媒體亦同樣可見L1層之反射率及再生功率提升。 (實施例2-3)
於本實施例說明圖2所示資訊記錄媒體200一例。首先，說明A面資訊記錄媒體201之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於其基板1上利用濺鍍法依序形成厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14a、厚12nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11、厚31nm之W25 Cu21 Mn28 Ta21 Zn5 -O作為記錄膜12、厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜13。照射波長405nm之雷射光6時，L0層10a在無L1層20及L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg≒10.0%、反射率Rl≒11.0%。
第3介電質膜14a及第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜12之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L0層10a上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層20。具體上係利用濺鍍法依序形成厚20nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之表12所示組成之膜作為記錄膜22及厚12nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜23。照射405nm之雷射光6時，L1層20在無L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒5.5~8.0%、反射率Rl ≒6.0~8.5%且透射率為67~78%。
第1介電質膜21及第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。令金屬元素合計為100原子%時W量為20~50原子%之組成的記錄膜22係藉由使用含有全部構成元素之合金靶材的濺鍍進行成膜。其以外之組成的記錄膜22則藉由可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)來進行成膜。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。利用濺鍍法依序形成厚21nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜31、厚34nm之W31 Cu18 Mn19 Ta21 Zn11 -O作為記錄膜32及厚19nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜33。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L2層30之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒5.8%、反射率Rl ≒6.3%、透射率約79%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜31及第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜32之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈於第2介電質膜33上並旋塗後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體201之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體202之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體201之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層10a、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體102係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體201之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體201時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體201之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2及3亦與A面資訊記錄媒體201的中間分離層2及3為相同構成。但，在B面資訊記錄媒體202中設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體201之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體201之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體202之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體200(光碟No.2-125~138)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L1層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.2-125~138之再生功率係以光碟No.2-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.2-001。其結果列於表12。 [表12]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。關於B面資訊記錄媒體202亦同樣可見L1層20之再生光量提升。 (實施例2-4)
於本實施例說明圖2所示資訊記錄媒體200之一例。在本實施例中係形成厚20nm之表13所示膜作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之W31 Cu18 Mn19 Ta21 Zn11 -O作為記錄膜22，除此以外以與實施例2-3同樣方式製作資訊記錄媒體200(光碟No.2-139~150)。
針對該等光碟評估L1層20之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.2-139~150之再生功率係以光碟No.2-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.2-001。結果列於表13。 [表13]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。又，透過光碟No.2-139與光碟No.2-140~144之比較，在第1介電質膜21中即使為相同的In2 O3 量，ZrO2 量一多，再生功率便有所提升。藉此，藉由使第1介電質膜21之Zr量多過Si量，可製得具有較高再生功率(再生耐久性)的L1層20。 (實施例3-1)
本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之一例。首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於其基板1上利用濺鍍法依序成膜厚17nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11、厚31nm之W19 Cu25 Zn20 Mn36 -O作為記錄膜12及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜13。照射波長405nm之雷射光6時，無L1層20及L2層30之情況下的L0層10之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒11.5%、反射率Rl ≒12.3%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜12係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源利用可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)進行成膜。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化型樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化型樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層20。具體上係利用濺鍍法依序成膜厚17nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之W33 Cu16 Zn34 Mn17 -O作為記錄膜22及厚7nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜23。
第1介電質膜21及第2介電質膜23之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，無L2層30之狀態下的L1層20之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.8%、反射率Rl ≒8.2%且透射率為72%的方式來決定膜厚。
第1介電質膜21及第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源以合金靶材進行成膜。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。利用濺鍍法依序成膜厚19nm之表14所示組成之介電質膜作為第1介電質膜31、厚38nm之表14所示組成之膜作為記錄膜32及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜33。照射405nm之雷射光6時，L2層30之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒5.0~9.0%、反射率Rl ≒5.5~9.0%且透射率約68~83%。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源、脈衝DC電源或RF電源進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。令金屬元素合計為100原子%時W量為20~50原子%之組成的記錄膜32係藉由使用含有全部構成元素之合金靶材的濺鍍進行成膜。其以外之組成的記錄膜32則藉由可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)來進行成膜。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。
然後，將紫外線硬化型樹脂旋塗塗佈於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體101之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體101之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層10、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體102係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體101之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體101時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體101之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2及3亦與A面資訊記錄媒體101的部分為相同構成。但，在B面資訊記錄媒體102中設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體101之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體101之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體102之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體100(光碟No.3-101~104)。 (比較例3)
除了將A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31設為厚19nm之(ZrO2 )15 (SiO2 )15 (In2 O3 )70 (mol%)、記錄膜32設為厚38nm之W33 Cu16 Mn17 Zn34 -O以外，製作與實施例3-1相同構成的資訊記錄媒體(光碟No.3-001)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L2層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.3-101~104之再生功率係以光碟No.3-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.3-001。No.3-001之再生光量(反射率R×再生功率Pr)為0.060，以該再生光量無法取得良好的再生訊號品質。其結果列於表14。 [表14]
透過光碟No.3-101~104與光碟No.3-001的比較可知，設第1介電質膜31為含有元素D1之氧化物之物且設記錄膜32為含有W、Cu、Mn及元素M之物，可提高反射率，提升再生光量。即，將特定組成之第1介電質膜與特定組成之記錄膜的組合應用在L2層30時，確認可提升L2層30之再生光量。關於B面資訊記錄媒體102亦同樣可見L2層30之再生光量提升。 (實施例3-2)
在本實施例中說明：如實施形態2之變形例中所說明在中間分離層3與第1介電質膜31之間形成有第3介電質膜且該第3介電質膜與該等中間分離層3與第1介電質膜31相接之構成的資訊記錄媒體。
在本實施例係形成厚5nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第3介電質膜、厚17nm之表15所示組成之介電質膜作為第1介電質膜31及厚35nm之表15所示組成之膜作為記錄膜32，除此以外以與實施例3-1同樣方式製作資訊記錄媒體(光碟No.3-113~124)。第3介電質膜之成膜係在Ar或Ar+O2 氣體環境中使用DC電源、脈衝DC電源進行。
第3介電質膜中如實施形態所述亦可含有源自從中間分離層3脫離之有機物的C，不過在本說明書中於第3介電質膜之組成省略C之記載。以下關於第3介電質膜的部分亦同。
又，含C時，在要開始成膜之靠近中間分離層3之處也有含有多量C之傾向。
針對該等光碟評估L2層之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.3-113~124之再生功率係以光碟No.3-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.3-001。結果列於表15。 [表15]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。又，透過光碟No.3-113~116與光碟No.3-101~104的比較可知，藉由設置第3介電質膜，使再生功率(再生耐久性)變更高，且再生光量獲得提升。另，透過光碟No.3-113~118與光碟No.3-119~124的比較可知，在記錄膜32藉由含有更多的Cu及Mn可提升反射率。關於B面資訊記錄媒體亦同樣可見L2層之再生功率提升。 (實施例3-3)
於本實施例說明圖2所示資訊記錄媒體200一例。首先，說明A面資訊記錄媒體201之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於其基板1上利用濺鍍法依序形成厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14a、厚12nm之Nb2 O5 作為第1介電質膜11、厚31nm之W25 Cu2 1Mn28 Ta21 Zn5 -O作為記錄膜12及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2)25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜13。照射波長405nm之雷射光6時，L0層10a在無L1層20及L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒10.0%、反射率Rl ≒11.0%。
第3介電質膜14a及第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜12之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L0層10a上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層20。具體上係利用濺鍍法依序形成厚20nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之W31 Cu18Mn19Ta21Zn11-O作為記錄膜22及厚12nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜23。照射405nm之雷射光6時，L1層20在無L2層30之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒6.8%、反射率Rl ≒7.5%且透射率約75%。
又，第1介電質膜21及第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜22之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。利用濺鍍法依序形成厚21nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜31、厚34nm之表16所示組成之膜作為記錄膜32及厚13nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜33。第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L2層30之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒5.0~7.0%、反射率Rl ≒5.5~7.5%、透射率為70~80%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜31及第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。令金屬元素合計為100原子%時W量為20~50原子%之組成的記錄膜22係藉由使用含有全部構成元素之合金靶材的濺鍍進行成膜。其以外之組成的記錄膜32則藉由可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)來進行成膜。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈於第2介電質膜33上並旋塗後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體201之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體202之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體201之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層10a、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體202係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體201之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體201時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體201之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2及3亦與A面資訊記錄媒體201的中間分離層2及3為相同構成。但，在B面資訊記錄媒體202中設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體201之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體201之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體202之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體200(光碟No.3-125~138)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L2層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.3-125~138之再生功率係以光碟No.3-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.3-001。其結果列於表16。 [表16]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。關於B面資訊記錄媒體202亦同樣可見L2層30之再生光量提升。 (實施例3-4)
於本實施例說明圖2所示資訊記錄媒體200之一例。在本實施例係形成厚20nm之表17所示膜作為L2層30之第1介電質膜31、厚34nm之W31 Cu18 Mn19 Ta21 Zn11 -O作為記錄膜32，除此以外以與實施例3-3同樣方式製作資訊記錄媒體200(光碟No.3-139~150)。
針對該等光碟評估L2層30之溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.3-139~150之再生功率係以光碟No.3-001之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.3-001。結果列於表17。 [表17]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。又，透過光碟No.3-139與光碟No.3-140~144之比較，在第1介電質膜31中即使為相同的In2 O3 量，ZrO2 量一多，再生功率便有所提升。藉此，藉由使第1介電質膜21之Zr量多過Si量，可製得具有較高再生功率(再生耐久性)的L2層30。 (實施例4)
在本實施例中說明：如圖4所示資訊記錄媒體400之變形例在基板1與第1介電質膜11之間形成有第3介電質膜14a且該第3介電質膜與該等基板1與第1介電質膜11相接之構成的資訊記錄媒體。
首先，說明A面資訊記錄媒體之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於其基板1上利用濺鍍法依序形成厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第3介電質膜14a、厚12nm之表18所示組成之介電質膜作為第1介電質膜11、厚31nm~34nm之表18所示組成之膜作為記錄膜12及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜13。照射波長405nm之雷射光6時，L0層在無L1層20、L2層30及L3層40之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.0~14.0%、反射率Rl ≒7.5~15.0%。
第3介電質膜14a之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境或Ar+O2 之混合氣體環境下使用DC電源或RF電源進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。令金屬元素合計為100原子%時W量為20~50原子%之組成的記錄膜12係藉由使用含有全部構成元素之合金靶材的濺鍍進行成膜。其以外之組成的記錄膜12則藉由可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍(共濺鍍)來進行成膜。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。
接著，於L0層上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化型樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化型樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層20。具體上係利用濺鍍法依序形成厚15nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為L1層20之第1介電質膜21、厚35nm之W38 Cu10 Zn38 Mn14 -O作為記錄膜22及厚5nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜23。第1介電質膜21及第2介電質膜23之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L1層20在無L2層30及L3層40之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒8.2%、反射率Rl ≒8.7%且透射率約79%的方式來決定膜厚。
第1介電質膜21及第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜22之成膜係採用合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層3之厚度約13μm。
於中間分離層3上形成L2層30。利用濺鍍法依序形成厚17nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜31、厚35nm之W42 Cu6 Zn42 Mn10 -O作為記錄膜32及厚7nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜33。第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L2層30在無L3層40之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒6.8%、反射率Rl ≒7.2%且透射率約83%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜31及第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源，以可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍來進行。
接著，於L2層30上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層7。中間分離層7可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層7之厚度約18μm。
於中間分離層7上形成L3層40。利用濺鍍法依序形成厚17nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜41、厚35nm之W45 Cu3 Zn45 Mn7 -O作為記錄膜42及厚7nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜43。第1介電質膜41及第2介電質膜43之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L3層40之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒6.0%、反射率Rl ≒6.3%且透射率約86%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜41及第2介電質膜43之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜42之成膜係在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源，以可將各構成元素之金屬靶材同時進行濺鍍的多靶濺鍍來進行。
然後，將紫外線硬化型樹脂塗佈於第2介電質膜43上並旋塗後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層10a、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30、中間分離層7、L3層40及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2、3及7亦與A面資訊記錄媒體的中間分離層2、3及7為相同構成。
但，在B面資訊記錄媒體設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。又，L0層10a在無L1層20、L2層30及L3層40之情況下的反射率與A面資訊記錄媒體同樣，在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.0~14.0%、反射率Rl ≒7.5~15.0%。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體(光碟No.4-101~109)。 (比較例4)
除了將A面資訊記錄媒體與B面資訊記錄媒體之第1介電質膜11設為厚12nm之(ZrO2 )15 (SiO2 )15 (In2 O3 )70 (mol%)、記錄膜12設為厚31nm之W19 Cu25 Zn20 Mn36 -O及未形成第3介電質膜以外，製作與實施例4相同構成之資訊記錄媒體400(光碟No.4-001)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L0層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。其結果列於表18。
針對單面四層結構之光碟以下列方法評估反射率等。反射率係使用反射率評估裝置(PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製、商品名ODU-1000)進行測定。測定反射率時採用波長405nm、物鏡開口數NA為0.85之雷射光源。
用以評估訊號之評估裝置(PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製、商品名ODU-1000)的雷射光波長為405nm，物鏡開口數NA為0.91，在溝槽及溝台記錄資訊。記錄線速設為13.38m/s(500GB-6倍速)及再生線速設為8.85m/s(500GB-4倍速)。令資料位元長為51.3nm且每1資訊層記錄83.4GB之資訊。又，再生時之功率對L0層10、L1層20、L2層30設為2.0mW，對L3層40則設為1.5mW。再生光係採用以2：1進行高頻重疊(調變)的雷射光6。利用隨機訊號(2T~12T)進行記錄，訊號品質則以c-bER(channel bit error rate)做評估。在本實施例中，參考值係以2×E-3作為訊號品質的優劣基準。c-bER若為2×E-3以下，訊號品質即為良好。
又，再生耐久性係以再生功率(再生時的雷射光功率上限)的大小做評估。具體上係在鄰接之溝槽及溝台記錄隨機訊號，將位在做過記錄之軌道中央的溝槽在線速8.85m/s下再生100萬次後，測定c-bER。轉換再生時之功率來測定再生100萬次後之c-bER，並以c-bER為2×E-3之功率視為再生功率。溝槽顯示出比溝台更高的光吸收率且溝槽之再生耐久性比溝台之再生耐久性差，所以不以溝台再生進行評估而是以溝槽再生進行評估。再生功率非絕對值，而是以某一光碟之再生功率為基準值(1.00)，再以經其基準值規格化之值(即，為基準值的幾倍)來做評估。在本實施例中係以光碟No.4-001之再生功率為基準值。
綜合評估係以與實施例1-1同樣方式實施。惟，在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.4-001。 [表18]
透過光碟No.4-101~109與光碟No.4-001的比較可知，設第1介電質膜11為Nb2 O5 且設記錄膜12為含有W、Cu、Mn及元素M之物，可提升再生功率，提高再生光量。又，將記錄膜12之組成改成Cu量及Mn量較少，反射率雖略微降低，但再生功率提高，結果上可提升再生光量。關於B面資訊記錄媒體亦同樣可見L0層之再生光量提升。 (實施例5)
於本實施例說明圖5所示資訊記錄媒體500之一例。首先，說明A面資訊記錄媒體501之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。於其基板1上利用濺鍍法依序形成厚12nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第1介電質膜61、厚31nm之表19所示組成之膜作為記錄膜62及厚9nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜63。照射波長405nm之雷射光6時，L0層60在無L1層70及L2層80之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒8.0~14.0%、反射率Rl ≒9.0~15.0%。
第1介電質膜61及第2介電質膜63之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜62之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L0層60上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。具體上，首先藉由旋塗紫外線硬化樹脂與利用紫外線照射進行硬化，來形成佔中間分離層2厚度大部分之主要部分。接著，於主要部分之表面旋塗紫外線硬化樹脂，並在其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的轉印用基板，以紫外線使樹脂硬化後，剝離轉印用基板而形成已形成有導引溝之中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
於中間分離層2上形成L1層70。具體上利用濺鍍法依序形成厚20nm之(ZrO2 )30 (SiO2 )30 (In2 O3 )40 (mol%)作為L1層70之第1介電質膜71、厚35nm之W31 Cu18 Mn19 Ta21 Zn11 -O作為記錄膜72及厚12nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜73。照射405nm之雷射光6時，L1層70在無L2層80之情況下的反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒7.0%、反射率Rl ≒7.5%且透射率約75%。
第1介電質膜71及第2介電質膜73之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜72之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
接著，於L1層70上形成設有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3可以與中間分離層2同樣的方法形成。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層80。利用濺鍍法依序形成厚21nm之(ZrO2 )30 (SiO2)30 (In2 O3 )40 (mol%)作為第1介電質膜81、厚34nm之W31 Cu18 Mn19 Ta21 Zn11 -O作為記錄膜82及厚19nm之(ZrO2 )25 (SiO2 )25 (In2 O3 )50 (mol%)作為第2介電質膜83。第1介電質膜81及第2介電質膜83之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體上係以照射405nm之雷射光6時，L2層80之反射率在未記錄狀態下反射率Rg ≒5.8%、反射率Rl ≒6.3%且透射率約79%的方式來決定膜厚。
又，第1介電質膜81及第2介電質膜83之成膜係在Ar氣體環境下使用DC電源或脈衝DC電源進行。記錄膜82之成膜係採用含有全部構成元素的合金靶材在Ar+O2 之混合氣體環境下使用脈衝DC電源進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈於第2介電質膜83上並旋塗後，以紫外線使樹脂硬化而形成厚約57μm之覆蓋層4。藉此完成A面資訊記錄媒體501之製作。
接下來說明B面資訊記錄媒體502之構成。就基板1準備形成有螺旋狀導引溝(深30nm、軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體501之形成於基板1上之導引溝之螺旋旋轉方向為相反方向。
於其基板1上形成L0層60、中間分離層2、L1層70、中間分離層3、L2層80及覆蓋層4。B面資訊記錄媒體502係以各資訊層之構成(各膜之組成、厚度、各資訊層之反射率及透射率等)同於A面資訊記錄媒體501之各資訊層構成的方式，來形成構成各資訊層之膜(第1介電質膜、記錄膜、第2介電質膜)。各膜則以在形成A面資訊記錄媒體501時採用之方法相同的方法形成。覆蓋層4亦設與A面資訊記錄媒體501之覆蓋層4為相同構成，並以相同方法形成。中間分離層2及3亦與A面資訊記錄媒體501的中間分離層2及3為相同構成。但，在B面資訊記錄媒體502中設於中間分離層2及3之螺旋狀導引溝的旋轉方向，與A面資訊記錄媒體501之設於中間分離層2及3之導引溝螺旋的旋轉方向相反。
最後，將紫外線硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體501之基板1之設有導引溝之面的相反面，並將B面資訊記錄媒體502之基板1之形成有導引溝之面的相反面貼附於塗好的樹脂上。然後利用紫外線使樹脂硬化，形成貼合層5。以上述方式製作本實施例之資訊記錄媒體500(光碟No.5-101~106)。
評估實施例及比較例之資訊記錄媒體之L0層的溝槽反射率、再生耐久性及訊號品質。光碟No.5-101~106之再生功率係以光碟No.1-001(比較例1)之再生功率為基準值而予以規格化之值。在綜合評估中作為比較對象的光碟為No.1-001。其結果列於表19。 [表19]
實施例之光碟都比比較例之光碟更能給予高再生光量。關於B面資訊記錄媒體502亦同樣可見L0層60之再生光量提升。
產業上之可利用性 本揭示之資訊記錄媒體及其製造方法係以具有可賦予更高再生光量之資訊層的方式構成，因此適合用於在高記錄密度下記錄資訊，而有用於記錄大容量內容的光碟。具體上係有用於根據歸檔光碟規格於兩面具備3層至4層資訊層的次世代光碟(譬如記錄容量500GB)。
100、200、300、400、500‧‧‧資訊記錄媒體
101、201、301、401、501‧‧‧A面資訊記錄媒體
102、202、302、402、502‧‧‧B面資訊記錄媒體
10、10a、10b、60‧‧‧L0層
20、70‧‧‧L1層
30、80‧‧‧L2層
40‧‧‧L3層
12、22、32、42、62、72、82‧‧‧記錄膜
11、21、31、41、61、71、81‧‧‧第1介電質膜
13、23、33、43、63、73、83‧‧‧第2介電質膜
14a、14b‧‧‧第3介電質膜
1‧‧‧基板
2、3、7‧‧‧中間分離層
4‧‧‧覆蓋層
5‧‧‧貼合層
6‧‧‧雷射光
圖1係本揭示實施形態1之資訊記錄媒體100的截面圖。 圖2係本揭示實施形態2之資訊記錄媒體200的截面圖。 圖3係本揭示實施形態3之資訊記錄媒體300的截面圖。 圖4係本揭示實施形態4之資訊記錄媒體400的截面圖。 圖5係本揭示實施形態9之資訊記錄媒體500的截面圖。

Claims (27)

  1. 一種資訊記錄媒體，係利用雷射光照射來記錄或再生資訊； 該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層； 第1資訊層為前述3層以上資訊層中之至少一資訊層，且該第1資訊層自雷射光照射面來看由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜； 前述第1介電質膜含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1之氧化物； 前述記錄膜至少含有W、Cu、Mn及氧且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M，並且在前述記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (前述式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
  2. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述式(1)中，x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
  3. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述元素D1係選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。
  4. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述元素M係選自Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。
  5. 如請求項1至4中任一項之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層係配置在自前述雷射光照射面來看距離最遠的位置上。
  6. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第2介電質膜含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi、Ce、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D2之氧化物。
  7. 如請求項6之資訊記錄媒體，其中前述元素D2係選自Nb、Mo、Ta、Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素。
  8. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述記錄膜更含有Zn。
  9. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第1介電質膜更含有Zr氧化物，且相對於前述Zr氧化物與前述元素D1之氧化物的合計量，前述Zr氧化物之比率為70mol%以下。
  10. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層更含有第3介電質膜，且該第1資訊層自前述雷射光照射面來看，由遠至近依序配置有前述第3介電質膜、前述第1介電質膜及前述記錄膜。
  11. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層更含有第3介電質膜，且該第1資訊層自前述雷射光照射面來看，由遠至近依序配置有前述第1介電質膜、前述第3介電質膜及前述記錄膜。
  12. 如請求項10或11之資訊記錄媒體，其中前述第3介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物。
  13. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述3層以上資訊層中之至少一資訊層且有別於前述第1資訊層之第2資訊層具有記錄膜，並且 前述第2資訊層之前述記錄膜至少含有W、Cu、Mn及氧。
  14. 如請求項1之資訊記錄媒體，其包含基板，且在前述基板兩側分別配置有前述3層以上資訊層。
  15. 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述3層以上資訊層之各層具有凹凸，且該等資訊層係將資訊記錄在與自前述雷射光照射面來看較近之側的面(溝槽)及較遠之側的面(溝台)之兩面對應的位置上。
  16. 如請求項1或請求項8之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層位在自前述雷射光照射面來看最遠的位置上，並且屬前述3層以上資訊層中之至少一資訊層且有別於前述第1資訊層之第2資訊層，自雷射光照射側來看由較遠位置起依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜，且前述第1介電質膜及前述第2介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物。
  17. 如請求項16之資訊記錄媒體，其中前述第1介電質膜至少含有Zr及Si，且含Zr比Si更多。
  18. 一種資訊記錄媒體，係利用雷射光照射來記錄或再生資訊； 該資訊記錄媒體含有3層以上資訊層； 前述3層以上資訊層中之至少一資訊層自雷射光照射面來看，由遠至近依序含有第1介電質膜、記錄膜及第2介電質膜； 前述第1介電質膜及前述第2介電質膜含有選自Zr、In、Sn及Si中之至少一種元素D3之氧化物； 前述記錄膜至少含有W、Cu、Mn、Ti及氧，並且在前述記錄膜中氧除外之W、Cu、Mn及Ti滿足下述式(2)： Wx Cuy Mnz Ti100-x-y-z (原子%)…(2) (前述式(2)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
  19. 如請求項18之資訊記錄媒體，其中前述記錄膜更含有選自Zn、Nb、Mo及Ta中之至少一種元素。
  20. 請求項10、請求項11或請求項18之資訊記錄媒體，其中至少前述第1介電質膜、前述第2介電質膜或第3介電質膜更含有C。
  21. 一種資訊記錄媒體之製造方法，包含一形成前述資訊記錄媒體所具3層以上資訊層之各資訊層的步驟，且前述形成3層以上資訊層中之至少一資訊層的步驟包含以下步驟： 形成第1介電質膜之步驟，係使用含有選自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi及Ce中之至少一種元素D1的靶材，利用濺鍍來形成含有前述元素D1之氧化物的第1介電質膜；及 形成記錄膜之步驟，係使用至少含有W、Cu及Mn且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M的靶材，利用濺鍍來形成至少含有W、Cu、Mn及氧且更含有至少一種前述元素M的記錄膜； 在前述形成記錄膜之步驟中使用的前述靶材中，氧除外之W、Cu、Mn及前述元素M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (前述式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
  22. 如請求項21之資訊記錄媒體之製造方法，其中前述式(1)中之x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
  23. 如請求項21之資訊記錄媒體之製造方法，其中前述形成記錄膜之步驟中係採用導入氧的反應性濺鍍法。
  24. 如請求項21之資訊記錄媒體之製造方法，其中前述形成記錄膜之步驟中使用的前述靶材更含有Zn，並且 在前述形成記錄膜之步驟中係利用濺鍍來形成至少含有W、Cu、Mn、前述元素M、Zn及氧的記錄膜。
  25. 一種濺鍍靶材，係用以形成資訊記錄媒體之記錄膜； 該濺鍍靶材至少含有W、Cu及Mn且更含有選自Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M；並且 氧除外之W、Cu、Mn及前述元素M滿足下述式(1)： Wx Cuy Mnz M100-x-y-z (原子%)…(1) (前述式(1)中，15≦x≦60、y≦z、0＜z≦40且60≦x+y+z≦98)。
  26. 如請求項25之濺鍍靶材，其中前述式(1)中x及z滿足0.5≦(x/z)≦3.0。
  27. 如請求項25之濺鍍靶材，其中前述濺鍍靶材含有Zn。
TW107102910A 2017-02-24 2018-01-26 資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材 TW201832227A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-033226 2017-02-24
JP2017033226 2017-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201832227A true TW201832227A (zh) 2018-09-01

Family

ID=63253641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107102910A TW201832227A (zh) 2017-02-24 2018-01-26 資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190371360A1 (zh)
JP (1) JPWO2018155070A1 (zh)
CN (1) CN110313032A (zh)
TW (1) TW201832227A (zh)
WO (1) WO2018155070A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807097B (zh) * 2018-09-19 2023-07-01 日商迪睿合股份有限公司 Mn-Nb-W-Cu-O系濺鍍靶材及其製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112543973B (zh) * 2018-08-09 2023-03-10 松下知识产权经营株式会社 信息记录介质及其制造方法
JP7096113B2 (ja) * 2018-09-19 2022-07-05 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ－Ｔａ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP7447815B2 (ja) 2019-02-01 2024-03-12 ソニーグループ株式会社 光記録媒体
JP2022105228A (ja) * 2019-05-15 2022-07-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体とその製造方法
TW202141472A (zh) * 2019-12-26 2021-11-01 日商索尼股份有限公司 光記錄媒體

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003132535A (ja) * 1995-03-28 2003-05-09 Toray Ind Inc 光記録媒体への記録方法
KR100401282B1 (ko) * 1995-03-28 2004-02-05 도레이 가부시끼가이샤 광기록매체
CN1536567A (zh) * 2003-04-09 2004-10-13 远东技术学院 光记录媒体的结构
CN1567442A (zh) * 2003-07-08 2005-01-19 铼德科技股份有限公司 高记录密度光学记录媒体的读取方法
JP2012033218A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Sony Corp 光記録媒体
JP5799742B2 (ja) * 2011-10-17 2015-10-28 ソニー株式会社 光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体
TWI521505B (zh) * 2012-06-04 2016-02-11 Sony Corp Information media
US9830941B2 (en) * 2013-12-04 2017-11-28 Sony Corporation Recording layer for optical recording medium and optical recording medium
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2016129237A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807097B (zh) * 2018-09-19 2023-07-01 日商迪睿合股份有限公司 Mn-Nb-W-Cu-O系濺鍍靶材及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018155070A1 (ja) 2018-08-30
CN110313032A (zh) 2019-10-08
US20190371360A1 (en) 2019-12-05
JPWO2018155070A1 (ja) 2019-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201832227A (zh) 資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材
KR100671253B1 (ko) 정보 기록 매체와 그 제조 방법
WO2010095467A1 (ja) 情報記録媒体
WO2017159560A1 (ja) 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
JP2004213720A (ja) 光記録媒体
WO2016129237A1 (ja) 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
JP4136980B2 (ja) 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
KR100629227B1 (ko) 광학 정보기록매체와 그 제조방법
TW201807255A (zh) 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層
JP6201377B2 (ja) 光記録媒体
JP2011042070A (ja) 光記録媒体
JP2019128969A (ja) 情報記録媒体とその製造方法、およびターゲット
JP2008097791A (ja) 多層相変化型光記録媒体
JP5870318B2 (ja) 情報記録媒体とその製造方法
JP2005302264A (ja) 相変化型光情報記録媒体及び２層相変化型光情報記録媒体
JP5298623B2 (ja) 追記型光記録媒体
TWI808220B (zh) 資訊記錄媒體及其製造方法
WO2007061021A1 (ja) 追記型光記録媒体およびその製造方法
TW202111693A (zh) 資訊記錄媒體及其製造方法
JPWO2010032348A1 (ja) 情報記録媒体及びその製造方法
JP4322719B2 (ja) 光情報記録媒体及びその製造方法とスパッタリングターゲット
JPWO2008096680A1 (ja) 情報記録媒体およびその製造方法、スパッタリングターゲットならびに成膜装置
TW202347321A (zh) 資訊記錄媒體
JP2023101049A (ja) 情報記録媒体とその製造方法
JP4216178B2 (ja) 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法