WO2010095467A1 - 情報記録媒体 - Google Patents

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recording
interface
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西原孝史
児島理恵
槌野晶夫
山田昇
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パナソニック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an information recording medium for optically recording, erasing, rewriting and / or reproducing information.
  • an information recording medium for optically recording, erasing, rewriting and / or reproducing information, for example, from the light incident side, a second dielectric layer, a recording layer, and a first dielectric layer And a configuration in which the reflective layers are arranged in this order.
  • (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) has been used as the material for the first and second dielectric layers.
  • This material is an amorphous material, has low thermal conductivity, high transparency, and high refractive index.
  • the film formation rate at the time of film formation is high, and mechanical properties and moisture resistance are excellent, it has been put into practical use as a material suitable for forming a dielectric layer.
  • BD Blu-ray Disc
  • a material containing ZrO 2 —Cr 2 O 3 hereinafter referred to as Zr—Cr—O
  • Zr—Cr—O Zr—Cr—O
  • This material is suitable for the interface layer because it does not contain S, has a high melting point, excellent heat resistance, and good adhesion to the recording layer.
  • the translucent information layer (L1) located in the layer has a structure in which the recording layer is about 6 nm and the reflection layer is about 10 nm, which is a very thin layer, but is an interface layer made of Zr—Cr—O.
  • next-generation DVD Digital Versatile Disc
  • BD recorders with built-in large-capacity hard disks and large-sized televisions with built-in BD recorders have been released, and the spread of BD recorders and BD media Is accelerating.
  • the next theme of the BD medium is an increase in capacity. By increasing the capacity, it becomes possible to record a high-definition image on a BD medium for a longer time, or the BD medium can be used as a replaceable medium instead of a hard disk.
  • a method for increasing the capacity there are a method for increasing the recording capacity per information layer and a method for increasing the number of layers (number of information layers). By combining both, the capacity can be further increased.
  • the inventor has worked on the development of a BD medium of 100 GB by combining both. Specifically, an information layer of 33.4 GB (25 GB conventionally) is developed per layer, and three layers are laminated. Increasing the recording capacity from 25 GB to 33.4 GB means that the recording density increases 1.34 times, and the recorded mark itself becomes smaller. Therefore, obtaining a signal amplitude equal to or greater than that of a conventional mark from a small mark is a technical problem.
  • the transmittance of the information layer (L2) located closest to the light incident side must be higher than that in the case of two layers.
  • the optical design was performed with the transmittance of L1 being 50%, but for the three layers, the optical design should be performed with the transmittance of L2 being 56% or more.
  • the recording layer and the reflection layer, which are light absorbing layers, of the three layers L2 may be made thinner than the two layers L1, which causes a decrease in R c / R a .
  • the transmittance and R c / R a are in a trade-off relationship with each other. Therefore, in order to increase the capacity, it is required to realize an information layer that can obtain both high transmittance and high reflectance ratio. That is, development of a film configuration capable of realizing such an information layer, specifically, development of a dielectric material used for a layer provided in contact with the recording layer is required.
  • the information layer is required to have not only the above optical characteristics but also good moisture resistance, repeated rewriting performance, and the like. Therefore, the layer provided in contact with the recording layer is also required to have good adhesion with the recording layer.
  • the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and by providing an information layer capable of realizing high transmittance and high reflectance ratio, and also realizing good moisture resistance and repeated rewriting performance, the capacity can be increased.
  • An object of the present invention is to provide an information recording medium capable of recording data.
  • the present invention is an information recording medium capable of recording or reproducing information by light irradiation, and includes a second interface layer, a recording layer, and a first interface layer in this order from the light incident side.
  • the layer and the second interface layer are disposed in contact with the recording layer, and the second interface layer is M1 (where M1 is at least one selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, and Al).
  • M1 is at least one selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, and Al
  • the first interface layer is M2 (where M2 is at least one selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, Al, Zr and Hf).
  • M2 is at least one selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, Al, Zr and Hf
  • One element), Cr and oxygen (O) and the first interface layer and the second interface layer are 50 mol% or less when converted to oxide (Cr 2 O 3 ).
  • an information recording medium containing Cr
  • the information recording medium of the present invention it is possible to realize a multilayer rewritable information recording medium having a capacity of 33.4 GB or more per information layer, for example. Thereby, it is possible to realize an information recording medium having a large capacity of 100 GB or more.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of the layer structure of an information recording medium having N information layers according to the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing an example of the layer structure of an information recording medium having three information layers according to the present invention.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing an example of the layer structure of an information recording medium having four information layers according to the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a part of the configuration of an example of a recording / reproducing apparatus used for recording / reproducing of the information recording medium of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a part of the configuration of an example of a sputtering apparatus used for manufacturing the information recording medium of the present invention.
  • the information recording medium of the present invention is an information recording medium capable of increasing the capacity by providing an information layer that can realize a high transmittance and a high reflectance ratio, and that can also realize good moisture resistance and repeated rewriting performance. It is an invention made for the purpose of providing.
  • the present inventor pays attention to the information layer (L2) located closest to the light incident side in the three-layer BD medium, and enters the light incident side.
  • L2 information layer located closest to the light incident side in the three-layer BD medium, and enters the light incident side.
  • optical design Calculation
  • L2 in which Zr—Cr—O is applied to the first interface layer and the second interface layer and L2 in which a more transparent material is applied to the first interface layer and the second interface layer are experimentally manufactured.
  • R c / R a was compared, it was confirmed that R c / R a of L2 to which a more transparent material was applied was increased. From this result, for example, the first interface layer and the second interface layer of L2 need a new transparent interface layer having a small extinction coefficient (preferably an extinction coefficient of less than 0.1). It was confirmed.
  • the interface layer using Zr—Cr—O is an interface layer having excellent moisture resistance and repeated rewriting performance
  • ZrO 2 is a transparent and thermally stable material
  • Cr 2 O 3 is a chalcogen-based material.
  • This material has excellent adhesion to the recording layer.
  • the extinction coefficient of Cr 2 O 3 at a wavelength of 405 nm is as large as about 0.2, it cannot be used alone even if it has excellent adhesion.
  • ZrO 2 is a transparent material, since it has insufficient adhesion to the recording layer, it is necessary to add a certain amount of Cr 2 O 3 .
  • Dielectric exhibits excellent adhesion to the chalcogen based recording layer material is very small, according to the inventor's experiments, in addition to SiC of Cr 2 O 3, ZnS, Ge -N, Ga 2 O 3 and In 2 O 3 is exemplified.
  • SiC has an extinction coefficient of about 0.3 in light with a wavelength of 405 nm, which is larger than Cr 2 O 3 , and ZnS causes S diffusion as described above.
  • Ge—N has a decomposition temperature around 700 ° C., and a blue-violet laser cannot withstand repeated recording.
  • Ga 2 O 3 and In 2 O 3 are transparent and excellent in adhesion, but are expensive. Therefore, it has been concluded that Cr 2 O 3 is the most preferable material for ensuring adhesion with the recording layer.
  • the present inventor comprises the configuration of the information recording medium of the present invention, that is, the second interface layer, the recording layer, and the first interface layer in this order from the light incident side.
  • Two interface layers are disposed in contact with the recording layer, and the second interface layer is M1 (where M1 is at least one element selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, and Al). Cr and oxygen (O) are included, and the first interface layer has M2 (where M2 is at least one element selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, Al, Zr and Hf) and Cr And oxygen (O), and the first interface layer and the second interface layer contain Cr in a range of 50 mol% or less when converted to oxide (Cr 2 O 3 ). Reached.
  • Embodiment 1 As Embodiment 1, an example of the information recording medium of the present invention will be described. A partial cross-sectional view of the information recording medium 9 of Embodiment 1 is shown in FIG.
  • the information recording medium 9 is a multilayer information recording medium capable of recording / reproducing information by irradiation of the laser beam 1 from one side.
  • the information recording medium 9 includes a substrate 8, and a first information layer 7,..., An N-1th information layer 4 and an Nth information layered sequentially on the substrate 8 through intermediate layers 6, 5, 3, etc.
  • the information layer includes N layers (N is an integer satisfying N ⁇ 2) including the layer 10, and the transparent layer 2.
  • the second information layer (not shown),..., The (N-1) th information layer 4 and the second information layer are the second to Nth information layers counted from the substrate 8 side that is the incident side of the laser beam 1.
  • the N information layer 10 (hereinafter, the information layer arranged at the Kth (1 ⁇ K ⁇ N) from the substrate 8 side is referred to as a “Kth information layer”) is a light transmission type information layer. .
  • the material of the transparent layer 2 is made of a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet-curing resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, and has a small light absorption with respect to the laser beam 1 to be used.
  • a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet-curing resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric
  • the birefringence is optically small in the short wavelength region.
  • an acrylic resin is particularly preferable.
  • the transparent layer 2 may be a transparent disc-shaped polycarbonate, a resin such as amorphous polyolefin or PMMA (polymethylmethacrylate), or a sheet or plate made of glass.
  • the transparent layer 2 can be bonded to the second dielectric layer 102 with a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or an adhesive sheet. is there.
  • the wavelength ⁇ of the laser beam 1 is particularly preferably 450 nm or less in the case of high-density recording. This is because the spot diameter when the laser beam 1 is condensed is determined by the wavelength ⁇ (the shorter the wavelength ⁇ , the smaller the spot diameter can be condensed). If ⁇ is less than 350 nm, light absorption by the transparent layer 2 and the like will increase. Therefore, ⁇ is more preferably in the range of 350 nm to 450 nm.
  • the substrate 8 is a transparent disk-shaped substrate.
  • a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin or PMMA, or glass can be used.
  • polycarbonate is particularly useful because of its excellent transferability and mass productivity and low cost.
  • a guide groove for guiding the laser beam 1 may be formed on the surface of the substrate 8 on the first information layer 7 side as necessary.
  • the surface of the substrate 8 opposite to the first information layer 7 side is preferably smooth.
  • the thickness of the substrate 8 is preferably in the range of 0.5 mm to 1.2 mm so that sufficient strength is ensured and the thickness of the information recording medium 9 is about 1.2 mm.
  • the thickness is preferably in the range of 0.55 mm to 0.65 mm.
  • the thickness is preferably in the range of 1.05 mm to 1.15 mm.
  • the intermediate layers 6, 5, 3, etc. are made of a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric.
  • the intermediate layers 6, 5, 3, and the like preferably have small optical absorption with respect to the laser beam 1 to be used, and preferably have low optical birefringence in a short wavelength region.
  • an acrylic resin is particularly preferable.
  • the intermediate layers 6, 5, 3, etc. are layers provided to distinguish the focus positions of the Nth information layer 10, the N ⁇ 1th information layer 4,... And the first information layer 7 of the information recording medium 9. .
  • the distance between two adjacent information layers, and the distance between the Nth information layer 10 and the first information layer 7 farthest from the Nth information layer 10 are within a range in which the laser beam 1 can be collected using the objective lens. It is desirable that Therefore, it is preferable that the total thickness of the intermediate layers 6, 5, 3, etc. be within a tolerance that the objective lens can tolerate (for example, 60 ⁇ m or less).
  • guide grooves for guiding the laser beam 1 may be formed on the surface on the incident side of the laser beam 1 as necessary.
  • the Kth information layer (K is an integer of 1 ⁇ K ⁇ N) is recorded and reproduced by the laser beam 1 transmitted through the Nth to (K + 1) th information layers. It is possible.
  • Any one of the first information layer to the Nth information layer is designated as a read-only information layer (ROM (Read Only Memory)) or a write-once information layer (R (Recordable)) that can be written only once. Also good.
  • ROM Read Only Memory
  • R write-once information layer
  • the Nth information layer 10 corresponds to the information layer having the characteristic configuration of the present invention, that is, the Lth information layer in the information recording medium of the present invention.
  • the Nth information layer 10 includes a second dielectric layer 102, a second interface layer 103, a recording layer 104, a first interface layer 105, a first dielectric layer 106, and a reflective layer arranged in order from the incident side of the laser beam 1. 108 and a transmittance adjustment layer 109. Note that the second dielectric layer 102 and / or the first dielectric layer 106 may be omitted as necessary.
  • the second dielectric layer 102 is made of a dielectric.
  • the second dielectric layer 102 functions to prevent oxidation, corrosion, deformation, and the like of the recording layer 104, to increase the light absorption efficiency of the recording layer 104 by adjusting the optical distance, and to reflect the amount of reflected light before and after recording. A function of increasing the signal intensity by increasing the change.
  • the material for forming the second dielectric layer 102 for example TiO 2, ZrO 2, HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, SiO 2, SnO 2, Al 2 O 3, Bi 2 O 3, Cr 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , Sc 2 O 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Yb 2 O 3 , CaO, MgO, CeO 2 and one or more oxides selected from TeO 2 and the like can be used.
  • CN Ti-N, Zr-N, Nb-N, Ta-N, Si-N, Ge-N, Cr-N, Al-N, Ge-Si-N, and Ge-Cr-N
  • sulfides such as ZnS, carbides such as SiC, fluorides such as LaF 3 and CeF 3 , and C can also be used as the material of the second dielectric layer 102.
  • the second dielectric layer 102 can be formed using a mixture of one or more materials selected from the above materials.
  • ZnS-SiO 2 which is a mixture of ZnS and SiO 2 is particularly excellent as the material of the second dielectric layer 102. This is because ZnS—SiO 2 is an amorphous material, has a high refractive index, a high film formation rate, and good mechanical properties and moisture resistance.
  • the thickness of the second dielectric layer 102 has a large change in the amount of reflected light when the recording layer 104 is in the crystalline phase and when it is in the amorphous phase, and the recording layer 104 Can be strictly determined so as to satisfy the condition that the light absorption at the second layer is large and the transmittance of the Nth information layer 10 is large.
  • the film thickness of the second dielectric layer 102 is preferably in the range of 20 nm to 50 nm, and more preferably in the range of 30 nm to 40 nm.
  • the second interface layer 103 which is an essential component of the information recording medium of the present invention, functions to prevent mass transfer between the second dielectric layer 102 and the recording layer 104 due to repeated recording.
  • the second interface layer 103 also functions to adjust the crystallization ability to promote or suppress the crystallization of the recording layer 104.
  • the second interface layer 103 is preferably made of a material with low light absorption, a high melting point that does not melt during recording, and good adhesion to the recording layer 104.
  • the material having a high melting point that does not melt during recording is a characteristic necessary for melting and not mixing into the recording layer 104 when the high-power laser beam 1 is irradiated.
  • the material having good adhesion to the recording layer 104 is a characteristic necessary for ensuring reliability.
  • the second interface layer 103 is M1 (where M1 is at least one element selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, and Al. In the present specification, M1 shown below is also the same). .), Cr, and oxygen (O).
  • M1 is at least one element selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, and Al. In the present specification, M1 shown below is also the same). .), Cr, and oxygen (O).
  • M1, Cr, and O By using a material containing M1, Cr, and O, the second interface layer 103 can achieve both excellent adhesion to the recording layer 104 and high transparency.
  • the second interface layer 103 only needs to contain M1, Cr, and O, but preferably contains M1, Cr, and O as main components. In order to more reliably obtain the effects of the present invention, the second interface layer 103 may be substantially formed of M1, Cr, and O.
  • the fact that the second interface layer 103 contains M1, Cr, and O as main components means that when the total of all atoms contained in the second interface layer 103 is 100 atomic%, M1, The total of Cr and O atoms is 80 atomic% or more, preferably 90 atomic% or more. Even when the second interface layer 103 is substantially formed of M1, Cr, and O, other elements (for example, Sn) are mixed in a trace amount (for example, 5 atomic% or less). Also good.
  • a material containing Cr and O is preferable because it further promotes crystallization of the recording layer 104.
  • an oxide in which Cr and O form Cr 2 O 3 is a preferable material.
  • Cr 2 O 3 is a material having good adhesion to the recording layer 104.
  • a material containing M1 and O is preferable because the transparency of the second interface layer 103 can be increased.
  • M1 and O are preferably Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3.
  • An oxide formed with TiO 2 , SiO 2, and Al 2 O 3 is a preferable material.
  • Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 and Al 2 O 3 are highly transparent materials.
  • the above oxide may be mixed, but among them, aluminum titanate (Al 2 TiO 5 ) containing TiO 2 and Al 2 O 3 in a ratio of 1: 1 is a composite oxide, Since the melting point is 1860 ° C. and is thermally stable and the refractive index with respect to light having the wavelength of the laser beam 1 can be increased, it is preferable as a material for the second interface layer 103.
  • the second interface layer 103 may include a low oxide (an oxide having less oxygen than the stoichiometric composition) or a mixture in addition to the above-described compound or composite oxide.
  • the second interface layer 103 has the following formula (1): M1 a Cr b O 100-ab (atomic%) (1) (However, a and b may include a material represented by 12 ⁇ a ⁇ 40, 0 ⁇ b ⁇ 25, and 25 ⁇ (a + b) ⁇ 40), and may be substantially formed of this material. Good.
  • the fact that it is formed from a material substantially expressed by M1 a Cr b O 100-ab (atomic%) means that the total of M1, Cr, and O atoms contained in the second interface layer 103 is 95 atomic% or more. , Preferably 98 atomic% or more.
  • the second interface layer 103 has the following formula (3): (D1) e (Cr 2 O 3 ) 100-e (mol%) (3) (However, D1 is at least one oxide selected from Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 and Al 2 O 3 , and e satisfies 50 ⁇ e ⁇ 100. And may be formed substantially from this material.
  • the fact that it is made of a material substantially represented by (D1) e (Cr 2 O 3 ) 100-e (mol%) means that the oxides of D1 and Cr 2 O 3 contained in the second interface layer 103 It means that the total is 95 mol% or more, preferably 98 mol% or more.
  • the second interface layer 103 that achieves both excellent adhesion to the recording layer 104 and high transparency.
  • a high reflectance ratio can be provided. It is possible to provide the Nth information layer 10 having both high transmittance and high transmittance.
  • the amount of Cr contained in the second interface layer 103 is set to a range that is 50 mol% or less when converted to oxide (Cr 2 O 3 ). If the amount of Cr contained in the second interface layer 103 is too large, the transparency of the second interface layer 103 is lowered, so the range of the amount of Cr is set in this way.
  • M1 a Cr b O 100-ab (atomic%) is based on the total number of “M1” atoms, “Cr” atoms, and “O” atoms (100 atomic%). It shows that the composition formula is expressed. Furthermore, “(D1) e (Cr 2 O 3 ) 100-e (mol%)” indicates that it is a mixture of e mol% of compound D1 and 100-e mol% of Cr 2 O 3. Yes. Hereinafter, the same notation method is used with the same meaning.
  • the second interface layer 103 may include an oxide Cr and and O to form a Cr 2 O 3, to ensure the adhesiveness to the recording layer 104, containing Cr 2 O 3 in the second interface layer 103
  • the amount is more preferably 10 mol% or more.
  • the content of Cr 2 O 3 in the second interface layer 103 is more preferably 30 mol% or less in order to keep the transparency in the second interface layer 103 higher. This is because as the amount of Cr 2 O 3 increases, light absorption increases, and thus the transparency tends to decrease as described above.
  • the film thickness of the second interface layer 103 is in the range of 0.5 nm to 50 nm so that the change in the amount of reflected light before and after recording of the Nth information layer 10 does not become small due to light absorption in the second interface layer 103. Desirably, it is more preferably in the range of 1 nm to 15 nm.
  • the recording layer 104 is made of a material that causes a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase when irradiated with the laser beam 1.
  • the recording layer 104 may contain Ge—Te and contain 40 atomic% or more of Ge.
  • the material of the recording layer 104 is GeTe, (Ge—Sn) Te, GeTe—Sb 2 Te 3 , (Ge—Sn) Te—Sb 2 Te 3 , GeTe—Bi 2 Te 3 , (Ge—Sn).
  • the recording layer 104 may contain at least one material selected from Sb—Ge and Sb—Te, and may contain 70 atomic% or more of Sb.
  • the Nth information layer 10 needs to have a high transmittance in order to reach the information layer on the side farther than the Nth information layer 10 from the incident side of the laser beam 1 in order to reach the amount of laser light necessary for recording and reproduction. is there.
  • the film thickness of the recording layer 104 is preferably 9 nm or less, and more preferably 8 nm or less.
  • the recording layer 104 includes at least two layers selected from a layer containing Te, a layer containing Bi, a layer containing Ge, a layer containing Sb, a layer containing Ge—Te, a layer containing Sb—Ge, and the like. It may be formed as a recording portion formed by stacking layers.
  • the recording sensitivity and erasing performance of the phase change information recording medium can be obtained by including a structure in which a layer containing Bi having a relatively high crystallization speed and a layer containing Ge—Te in which the amorphous phase is relatively stable are included. Can be adjusted easily.
  • a material represented by “(element A) ⁇ (element B)” is a material containing elements A and B as components, and a mixture of element A and element B or Means an alloy.
  • Examples of the laminated structure include Bi 2 Te 3 (3 nm) / GeTe (4 nm), (Bi—In) 2 Te 3 (3 nm) / (GeSn) Te (4 nm), GeTe—Bi 2 Te 3 (5 nm) / (GeSn) Te (2 nm), Sb—Ge (4 nm) / Sb—Te (3 nm), and the like.
  • a layer made of a material other than those listed here or to adopt a structure in which the film thickness of the layer is different from the film thickness exemplified here, or a structure in which the stacking order is changed. It is.
  • the film thicknesses exemplified above may be regarded as a preferable film thickness ratio, and may be increased by 2 to 4 times, for example, depending on the desired film thickness of the recording unit.
  • the recording layer 104 may be configured using a material that causes an irreversible phase change.
  • the recording layer 104 is formed of a material represented by Te—O, Te—Pd—O, Bi—O, or Sb—O. You can also In this case, the film thickness of the recording layer 104 is preferably 30 nm or less.
  • the recording layer 104 may be a laminated film (for example, a Cu / Si laminated structure) of a material that causes irreversible alloying.
  • the first interface layer 105 which is an essential component of the information recording medium of the present invention, functions to prevent mass transfer between the first dielectric layer 106 and the recording layer 104 due to repeated recording.
  • the first interface layer 105 also functions to adjust the crystallization ability to promote or suppress the crystallization of the recording layer 104.
  • the first interface layer 105 is preferably made of a material with low light absorption, a high melting point that does not melt during recording, and good adhesion to the recording layer 104.
  • the material having a high melting point that does not melt during recording is a characteristic necessary for melting and not mixing into the recording layer 104 when the high-power laser beam 1 is irradiated.
  • the material having good adhesion to the recording layer 104 is a characteristic necessary for ensuring reliability.
  • the first interface layer 105 is M2 (where M2 is at least one element selected from Nb, Y, Dy, Ti, Si, Al, Zr, and Hf. In this specification, M2 shown below is used. This also includes Cr, and oxygen (O). By using a material containing M2, Cr, and O, the first interface layer 105 can achieve both excellent adhesion with the recording layer 104 and high transparency.
  • the first interface layer 105 only needs to contain M2, Cr, and O, but preferably contains M2, Cr, and O as main components. In order to more reliably obtain the effects of the present invention, the first interface layer 105 may be substantially formed of M2, Cr, and O.
  • the fact that the first interface layer 105 contains M2, Cr, and O as main components means that when the total of all atoms contained in the first interface layer 105 is 100 atomic%, M2, The total of Cr and O atoms is 80 atomic% or more, preferably 90 atomic% or more. Even when the first interface layer 105 is substantially formed of M2, Cr, and O, other elements (for example, Sn) are mixed in a trace amount (for example, 5 atomic% or less). Also good.
  • a material containing Cr and O is preferable because it further promotes crystallization of the recording layer 104.
  • an oxide in which Cr and O form Cr 2 O 3 is a preferable material.
  • a material containing M2 and O is preferable because the transparency of the first interface layer 105 can be increased.
  • M2 and O are preferably Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3. , TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 and oxides with HfO 2 are preferred materials.
  • Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 and HfO 2 are highly transparent materials.
  • mullite in a proportion of 3 (Al 6 Si 2 O 13 ) is a composite oxide, Since the melting point is thermally stable at 1850 ° C. and the refractive index can be lowered, it is a preferable material for the first interface layer 105.
  • low oxides oxides having less oxygen than the stoichiometric composition
  • mixtures may be included.
  • the first interface layer 105 has the following formula (2): M2 c Cr d O 100-cd ( atomic%) (2) (However, c and d may include a material represented by 12 ⁇ c ⁇ 40, 0 ⁇ d ⁇ 25, and 25 ⁇ (c + d) ⁇ 40), and may be substantially formed from this material. Good.
  • the fact that it is formed from a material substantially represented by M2 c Cr d O 100-cd (atomic%) means that the total of atoms of M2, Cr, and O contained in the first interface layer 105 is 95 atomic% or more. , Preferably 98 atomic% or more.
  • the first interface layer 105 has the following formula (4): (D2) f (Cr 2 O 3 ) 100-f (mol%) (4) (However, D2 is at least one oxide selected from Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 and HfO 2 , and f is , 50 ⁇ f ⁇ 100.) May be included, and may be formed substantially from this material.
  • the fact that it is formed from a material substantially represented by (D2) f (Cr 2 O 3 ) 100-f (mol%) means that the oxides of D2 and Cr 2 O 3 contained in the first interface layer 105 The total is 95 mol% or more, preferably 98 mol% or more. By including these materials, it is possible to provide the first interface layer 105 that achieves both excellent adhesion to the recording layer 104 and high transparency. By applying this first interface layer 105, a high reflectance ratio can be provided. It is possible to provide the Nth information layer 10 having both high transmittance and high transmittance.
  • the amount of Cr contained in the first interface layer 105 is in a range that is 50 mol% or less when converted to oxide (Cr 2 O 3 ). If the amount of Cr contained in the first interface layer 105 is too large, the transparency of the first interface layer 105 is lowered, so the range of the Cr amount is set in this way.
  • the first interface layer 105 may include an oxide Cr and and O to form a Cr 2 O 3, to ensure the adhesiveness to the recording layer 104, containing Cr 2 O 3 in the first interface layer 105
  • the amount is more preferably 10 mol% or more.
  • the content of Cr 2 O 3 in the first interface layer 105 is more preferably 30 mol% or less in order to keep the transparency in the first interface layer 105 high. This is because as the amount of Cr 2 O 3 increases, light absorption increases, and thus the transparency tends to decrease as described above.
  • the film thickness of the first interface layer 105 is in the range of 0.5 nm to 30 nm so that the change in the amount of reflected light before and after recording of the Nth information layer 10 does not become small due to light absorption in the first interface layer 105. Is desirable, and it is more preferably in the range of 1 nm to 10 nm.
  • the refractive index of the second interface layer 103 is n2 and the refractive index of the first interface layer 105 is n1 with respect to light having the wavelength ⁇ of the laser beam 1, the relationship of n1 ⁇ n2 is satisfied.
  • This is preferable for achieving both a high reflectance ratio and a high transmittance of the Nth information layer 10.
  • Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 and TiO 2 are materials having a relatively high refractive index
  • the second interface layer 103 contains a large amount of these materials.
  • SiO 2 and Al 2 O 3 are materials having a relatively low refractive index, it is preferable that the first interface layer 105 contains more of these materials.
  • the difference between the refractive index n1 of the first interface layer 105 and the refractive index n2 of the second interface layer 103 is preferably large, for example, in the range of 0.2 to 0.5.
  • a part of Cr contained in the second interface layer 103 and / or the first interface layer 105 may be substituted with at least one element selected from Ga and In.
  • Cr is contained in the form of oxides of Cr 2 O 3
  • a part of Cr 2 O 3 is included in the second interface layer 103 and / or the first interface layer 105, Ga 2 O 3 and In 2 O It may be substituted with at least one oxide selected from 3 .
  • Ga 2 O 3 and In 2 O 3 are materials having good adhesion to the recording layer 104. If the amount of the substitution element (Ga, In) is too large, the adhesion with the recording layer 104 may be lowered. Therefore, the amount of the substitution element is preferably in a range not exceeding the Cr amount.
  • the first dielectric layer 106 functions to increase the light absorption efficiency of the recording layer 104 by adjusting the optical distance, and to increase the signal intensity by increasing the amount of reflected light before and after recording.
  • the first dielectric layer 106 can be formed using a material similar to the material of the second dielectric layer 102.
  • the film thickness of the first dielectric layer 106 is preferably in the range of 0.5 nm to 30 nm, and more preferably in the range of 1 nm to 20 nm. By selecting the film thickness of the first dielectric layer 106 within this range, the heat generated in the recording layer 104 can be effectively diffused to the reflective layer 108 side.
  • the reflective layer 108 has an optical function of increasing the amount of light absorbed by the recording layer 104.
  • the reflective layer 108 also has a thermal function of quickly diffusing heat generated in the recording layer 104 and making the recording layer 104 easily amorphous.
  • the reflective layer 108 also has a function of protecting the multilayer film from the environment in which it is used.
  • a single metal having a high thermal conductivity such as Ag, Au, Cu, and Al can be used.
  • an Ag alloy containing 50 atomic% or more of Ag is preferable as a material for the reflective layer 108 because of its high thermal conductivity.
  • the thickness of the reflective layer 108 is preferably 15 nm or less, and more preferably 10 nm or less in order to make the transmittance of the Nth information layer 10 as high as possible. When the thickness of the reflective layer 108 is within this range, the thermal diffusion function is sufficient, the reflectance of the Nth information layer 10 can be secured, and the transmittance of the Nth information layer 10 is also sufficient.
  • the transmittance adjusting layer 109 is made of a dielectric and has a function of adjusting the transmittance of the Nth information layer 10.
  • the transmittance adjusting layer 109 allows the transmittance T c (%) of the Nth information layer 10 when the recording layer 104 is in a crystalline phase and the Nth information layer 10 when the recording layer 104 is in an amorphous phase.
  • the transmittance T a (%) of both can be increased.
  • the transmittance of the Nth information layer 10 including the transmittance adjustment layer 109 is increased by about 2% to 10% compared to the case where the transmittance adjustment layer 109 is not provided.
  • the transmittance adjustment layer 109 also has a function of effectively diffusing heat generated in the recording layer 104.
  • Examples of the material for the transmittance adjusting layer 109 include TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Bi 2 O 3 , CeO 2 , WO 3.
  • Oxides such as Cr 2 O 3 , Ga 2 O 3 , and Sr—O can be used.
  • nitrides such as Ti—N, Zr—N, Nb—N, Ta—N, Si—N, Ge—N, Cr—N, Al—N, Ge—Si—N, and Ge—Cr—N Can also be used.
  • a sulfide such as ZnS can also be used. A mixture of the above materials can also be used.
  • Refractive index n t and the extinction coefficient k t of the transmittance adjustment layer 109 with respect to light having a wavelength ⁇ of the laser beam 1 has, in order to further increase the effect of increasing the transmittance T c and T a of the N information layers 10, it is preferable to satisfy 2.0 ⁇ n t and k t ⁇ 0.1, and more preferably satisfies 2.4 ⁇ n t ⁇ 3.0 and k t ⁇ 0.05.
  • Thickness d1 of the transmittance adjusting layer 109 is preferably in the range of (3/32) ⁇ / n t ⁇ d1 ⁇ (5/32) ⁇ / n t.
  • a preferable range of d1 is 9 nm ⁇ d1 ⁇ 30 nm.
  • the transmittances T c and T a of the Nth information layer 10 are used to cause the amount of laser light necessary for recording and reproduction to reach the information layer farther from the incident side of the laser beam 1 than the Nth information layer 10. preferably satisfies 45 ⁇ T c and 45 ⁇ T a, more preferably satisfies the 50 ⁇ T c and 50 ⁇ T a.
  • the transmittances T c and T a of the Nth information layer 10 preferably satisfy ⁇ 5 ⁇ (T c ⁇ T a ) ⁇ 5, and more preferably satisfy ⁇ 3 ⁇ (T c ⁇ T a ) ⁇ 3. preferable.
  • T c and T a depending on the state of the recording layer 104 of the Nth information layer 10 at the time of recording / reproducing of the information layer on the side farther than the Nth information layer 10 from the incident side of the laser beam 1 The influence of the change in transmittance is small, and good recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • R a (%) preferably satisfies R a ⁇ R c .
  • R c and R a are 0.1 ⁇ R a ⁇ 1 and 1.5 ⁇ R c ⁇ so that the reflectance difference (R c ⁇ R a ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics.
  • 5 is preferably satisfied, more preferably 0.1 ⁇ R a ⁇ 0.7 and 1.5 ⁇ R c ⁇ 3.
  • the information recording medium 9 can be manufactured by the method described below.
  • (N ⁇ 1) information layers are arranged on a substrate 8 (thickness is, for example, 1.1 mm), and intermediate layers (intermediate layers 6, 5, etc.). ) Are sequentially stacked.
  • Each information layer consists of a single layer film or a multilayer film.
  • Each layer constituting each information layer can be formed by sequentially sputtering a sputtering target as a material in a film forming apparatus.
  • the intermediate layer was formed by applying a photo-curing resin (particularly an acrylic UV-curing resin) or a slow-acting thermosetting resin on the information layer, and then rotating the substrate 8 to uniformly extend the resin. Later (spin coating), the resin can be cured.
  • the substrate (mold) on which the groove is formed is brought into close contact with the resin before curing, and then the die is placed on the substrate 8 (adhered substrate (mold) )) Is rotated and spin coated to cure the resin, and then the substrate (mold) is peeled off to form guide grooves in the intermediate layer.
  • a method for forming the intermediate layer not only the above-described spin coating method but also a printing technique such as a screen method or an ink jet method can be applied to a fine processing technique.
  • the intermediate layer 3 (thickness is, for example, 10 ⁇ m) is further formed.
  • the Nth information layer 10 is formed on the intermediate layer 3.
  • a substrate 8 in which an intermediate layer 3 is further formed on (N ⁇ 1) information layers stacked via the intermediate layer is disposed in a film forming apparatus, and the transmittance is provided on the intermediate layer 3.
  • the adjustment layer 109 is formed.
  • the transmittance adjusting layer 109 is a high-frequency (RF) sputtering target made of a dielectric constituting the transmittance adjusting layer 109 in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas (especially O 2 gas). It can be formed by sputtering using a power source.
  • a small amount of a conductive material is added to the material constituting the transmittance adjusting layer 109 to add conductivity to the sputtering target, and sputtering is performed using a direct current (DC) power source or a pulsed DC power source.
  • DC direct current
  • the transmittance adjusting layer 109 reacts a sputtering target made of metal constituting the transmittance adjusting layer 109 with a DC power source, a pulse DC power source, or an RF power source in a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas. It can also be formed by reactive sputtering.
  • the transmittance adjusting layer 109 can be formed by simultaneously sputtering each sputtering target of a single dielectric using a plurality of power supplies.
  • the transmittance adjusting layer 109 can also be formed by simultaneously sputtering a binary sputtering target, a ternary sputtering target, or the like in which two or more dielectric materials are combined using a plurality of power supplies. Even when these sputtering targets are used, sputtering can be performed in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas (particularly O 2 gas).
  • the reflective layer 108 is formed on the transmittance adjusting layer 109.
  • the reflective layer 108 is selected from a sputtering target made of a metal or an alloy constituting the reflective layer 108 in a rare gas (eg, Ar gas) atmosphere or from a rare gas and a reactive gas (eg, O 2 gas and N 2 gas). It can be formed by sputtering using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in a mixed gas atmosphere with at least one gas). Since the reflective layer 108 is a metal or an alloy, it is preferable to perform sputtering using a DC power source or a pulsed DC power source that can increase the deposition rate.
  • a sputtering target made of a metal or an alloy constituting the reflective layer 108 in a rare gas (eg, Ar gas) atmosphere or from a rare gas and a reactive gas (eg, O 2 gas and N 2 gas). It can be formed by sputtering using a DC power source
  • a first dielectric layer 106 is formed on the reflective layer 108 as necessary.
  • the first dielectric layer 106 can be formed by the same method as the transmittance adjusting layer 109.
  • the first interface layer 105 is formed on the reflective layer 108 (on the first dielectric layer 106 in the case where the first dielectric layer 106 is provided).
  • the first interface layer 105 can be formed by the same method as the transmittance adjusting layer 109.
  • the first interface layer 105 is a sputtering whose composition is adjusted so as to have a composition containing the material represented by any one of the above formulas (2) and (4), or to have a composition made of only those materials.
  • the target can be formed by sputtering using a single power source.
  • the first interface layer 105 can be formed by preparing a sputtering target having a composition of (mol%) and forming a film in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 gas. Whether the composition of the actually formed film has a desired composition can be examined by, for example, composition analysis using an X-ray microanalyzer. Depending on the sputtering apparatus, oxygen in the oxide in the film is likely to be deficient or oxygen in the film increases, which may deviate from the desired composition. For this reason, it is possible to obtain a desired film composition by adjusting the composition of the sputtering target in advance or adjusting the amount of O 2 gas mixed with Ar gas.
  • the recording layer 104 contains, for example, a sputtering target containing Ge—Te and containing 40 atomic% or more of Ge, or at least one material selected from Sb—Ge and Sb—Te, and Sb containing 70 atoms.
  • the sputtering target containing at least% can be formed by sputtering using one power source.
  • the recording layer 104 includes, for example, a sputtering target containing Te, a sputtering target containing Bi, a sputtering target containing Ge, a sputtering target containing Sb, a sputtering target containing Ge—Te, a sputtering target containing Sb—Ge, and It can also be formed by simultaneously sputtering at least two or more sputtering targets selected from sputtering targets containing Sb—Te using two or more power supplies.
  • the composition of the recording layer to be obtained is determined according to the type and number of sputtering targets to be used, the output of the power source, etc., so that they are appropriately selected to record the desired composition.
  • the recording layer is preferably configured so that the layer 104 is obtained. Use of two or more kinds of sputtering targets in this way is useful, for example, when it is difficult to form a mixture sputtering target.
  • the recording layer 104 is formed as a recording portion formed by laminating two or more kinds of layers, for example, a sputtering target containing Te, a sputtering target containing Bi, a sputtering target containing Ge, a sputtering target containing Sb, Ge
  • a sputtering target containing Te a sputtering target containing Te
  • a sputtering target containing Bi a sputtering target containing Ge
  • a sputtering target containing Sb containing Sb
  • Ge a sputtering target containing Sb
  • At least two or more sputtering targets selected from a sputtering target containing -Te, a sputtering target containing Sb-Ge and a sputtering target containing Sb-Te are sequentially and / or simultaneously sputtered using two or more power supplies. It can also be formed. That is, in order to form a recording
  • a rare gas or a rare gas and a reactive gas are used in both cases of forming the recording layer 104 having a single layer structure and forming the recording layer 104 as a recording portion.
  • a mixed gas with at least one gas selected from gas and O 2 gas can be used.
  • a power source used for sputtering any one of a DC power source, a pulse DC power source, and an RF power source can be used.
  • a second interface layer 103 is formed on the recording layer 104.
  • the second interface layer 103 can be formed by the same method as the transmittance adjustment layer 109.
  • the second interface layer 103 is a sputtering whose composition is adjusted such that the second interface layer 103 has a composition containing the material represented by any one of the above formulas (1) and (3) or a composition made of only those materials.
  • the target can be formed by sputtering using a single power source.
  • the second interface layer 103 can be formed by preparing a sputtering target having a composition of (mol%) and forming a film in an Ar gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 gas. Whether the composition of the actually formed film has a desired composition can be examined by, for example, composition analysis using an X-ray microanalyzer. Depending on the sputtering apparatus, oxygen in the oxide in the film is likely to be deficient or oxygen in the film increases, which may deviate from the desired composition. For this reason, it is possible to obtain a desired film composition by adjusting the composition of the sputtering target in advance or adjusting the amount of O 2 gas mixed with Ar gas.
  • a second dielectric layer 102 is formed on the second interface layer 103 as necessary.
  • the second dielectric layer 102 can be formed by the same method as the transmittance adjusting layer 109.
  • the transparent layer 2 is formed on the second interface layer 103 (on the second dielectric layer 102 in the case where the second dielectric layer 102 is provided).
  • the transparent layer 2 is formed by applying a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin onto the second interface layer 103 (or the second dielectric layer 102) and spin-coating the resin. Can be formed by curing.
  • substrate as the transparent layer 2, for example, a board
  • the transparent layer 2 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the second interface layer 103 (or the second dielectric layer 102),
  • a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin
  • the substrate can be formed by bringing the substrate into close contact with the second dielectric layer 102, spin coating, and then curing the resin.
  • an adhesive resin can be uniformly applied to the substrate in advance, and can be adhered to the second interface layer 103 (or the second dielectric layer 102).
  • an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 104 may be performed as necessary.
  • the recording layer 104 can be crystallized by irradiation with a laser beam.
  • the information recording medium 9 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used. is there. Further, information layers other than the Nth information layer 10 may be formed in the same manner as the Nth information layer 10.
  • the information recording medium 14 is a three-layer information recording medium capable of recording and reproducing information by irradiation with the laser beam 1 from one side.
  • the information recording medium 14 includes a substrate 8, a first information layer 11, an intermediate layer 5, a second information layer 12, an intermediate layer 3, a third information layer 13, and a transparent layer 2, which are sequentially stacked on the substrate 8. It is comprised by.
  • the substrate 8, the intermediate layers 3 and 5, and the transparent layer 2 can be formed using the same materials as those described in the first embodiment. Also, their shapes and functions are the same as those shapes and functions described in the first embodiment.
  • the configuration of the first information layer 11, the second information layer 12, and the third information layer 13 will be described in detail.
  • the second information layer 12 and the third information layer 13 correspond to the Lth information layer of the information recording medium of the present invention.
  • the first information layer 11 can also be used as the L information layer. Function.
  • the first information layer 11 includes a second interface layer 203, a recording layer 204, a first interface layer 205, and a reflective layer 208 that are arranged in order from the incident side of the laser beam 1.
  • a second dielectric layer 202 may be provided between the intermediate layer 5 and the second interface layer 203.
  • the first dielectric layer 206 may be provided between the first interface layer 205 and the reflective layer 208.
  • a further interface layer 207 (see FIG. 5) is provided between the first interface layer 205 and the reflective layer 208 (between the first dielectric layer 206 and the reflective layer 208 in the case where the first dielectric layer 206 is provided).
  • 2 may be provided for the sake of convenience in this specification as “interface layer 207”.
  • Information recording / reproduction of the first information layer 11 is performed by the laser beam 1 transmitted through the transparent layer 2, the third information layer 13, the intermediate layer 3, the second information layer 12, and the intermediate layer 5.
  • the second dielectric layer 202 can be formed using a material similar to the material of the second dielectric layer 102 of the first embodiment.
  • the function is also the same as that of the second dielectric layer 102 of the first embodiment.
  • the film thickness of the second dielectric layer 202 satisfies the condition that the change in the amount of reflected light between the case where the recording layer 204 is in the crystalline phase and the case where it is in the amorphous phase is large by calculation based on the matrix method. So that it can be determined strictly.
  • the film thickness of the second dielectric layer 202 is preferably in the range of 50 nm to 80 nm, and more preferably in the range of 60 nm to 70 nm.
  • the second interface layer 203 can be formed using a material similar to that of the second interface layer 103 of Embodiment 1. Further, the function and shape are the same as those of the second interface layer 103 of the first embodiment.
  • the second interface layer 203 can also be formed using a material containing at least one selected from oxides, nitrides, carbides, sulfides, and fluorides, and among them, particularly contains Cr and O. Materials (among them, oxides in which Cr and O form Cr 2 O 3 ), materials containing In and O (among them, oxides in which In and O form In 2 O 3 ), and Ga It is preferable to use a material containing O (among others, an oxide in which Ga and O form Ga 2 O 3 ).
  • the second interface layer 203 may further include at least one element selected from Zr, Hf, and Y, and it is more preferable that the element is included as an oxide.
  • ZrO 2 and HfO 2 are materials that are transparent, have a high melting point of about 2700 to 2800 ° C., and have low thermal conductivity among oxides, and improve the repeated rewriting performance of information recording media.
  • Y 2 O 3 is a transparent material and functions to stabilize ZrO 2 and HfO 2 .
  • the highly reliable first information layer 11 can be realized.
  • the second interface layer 203 may be made of a material containing Si.
  • Si in the second interface layer 203 as, for example, SiO 2 , the first information layer 11 with high transparency and excellent recording performance can be realized.
  • the recording layer 204 can be formed of the same material as the recording layer 104 of the first embodiment.
  • the film thickness of the recording layer 204 is preferably in the range of 6 nm to 15 nm in order to increase the recording sensitivity of the first information layer 11 when the material causes a reversible phase change. Even within this range, when the recording layer 204 is thick, the thermal influence on the adjacent region due to the diffusion of heat in the in-plane direction becomes large. Further, when the recording layer 204 is thin, the reflectance of the first information layer 11 becomes small. Therefore, the film thickness of the recording layer 204 is more preferably in the range of 8 nm to 13 nm. In the case where the recording layer 204 is formed using a material that causes an irreversible phase change (for example, Te—Pd—O), the thickness of the recording layer 204 is preferably in the range of 10 nm to 40 nm.
  • the first interface layer 205 can be formed using a material similar to the material of the first interface layer 105 in Embodiment 1. Further, the function and shape are the same as those of the first interface layer 105 of the first embodiment. Note that, similarly to the second interface layer 203, the first interface layer 105 can be formed using a material containing at least one selected from oxide, nitride, carbide, sulfide, and fluoride. Among these, materials containing Cr 2 O 3 , In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 can be preferably used.
  • the first dielectric layer 206 can be formed using a material similar to the material of the first dielectric layer 106 of the first embodiment. Also, the function and shape are the same as those of the first dielectric layer 106 of the first embodiment.
  • the reflective layer 208 can be formed using a material similar to that of the reflective layer 108 of Embodiment 1.
  • the function is also the same as that of the reflective layer 108 of the first embodiment.
  • the thickness of the reflective layer 208 is preferably 30 nm or more at which the thermal diffusion function is sufficient. Even within this range, when the reflective layer 208 is thicker than 200 nm, the thermal diffusion function becomes too large, and the recording sensitivity of the first information layer 11 is lowered. Therefore, the thickness of the reflective layer 208 is more preferably in the range of 30 nm to 200 nm.
  • a further interface layer may be disposed between the reflective layer 208 and the first interface layer 205 (between the reflective layer 208 and the first dielectric layer 206 in the case where the first dielectric layer 206 is provided).
  • the interface layer is formed as a layer indicated by reference numeral 207 between a layer indicated by reference numeral 208 and a layer indicated by reference numeral 206. You can do it.
  • a material for forming the interface layer 207 a material having a lower thermal conductivity than the material described for the reflective layer 208 can be used.
  • an Ag alloy is used for the reflective layer 208, for example, Al or an Al alloy can be used as the material of the interface layer 207.
  • the material of the interface layer 207 includes elements such as Cr, Ni, Si and C, TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 , Bi 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , Sc 2 O 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Yb Oxides such as 2 O 3 , CaO, MgO, CeO 2 , and TeO 2 can be used.
  • elements such as Cr, Ni, Si and C, TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 , Bi 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , Sc 2 O 3 ,
  • CN Ti-N, Zr-N, Nb-N, Ta-N, Si-N, Ge-N, Cr-N, Al-N, Ge-Si-N, and Ge-Cr-N
  • a nitride such as.
  • sulfides such as ZnS, carbides such as SiC, fluorides such as LaF 3 and CeF 3 , and C can also be used.
  • the interface layer 207 can be formed using a mixture of one or more materials selected from the above materials.
  • the film thickness of the interface layer 207 is preferably in the range of 3 nm to 100 nm, and more preferably in the range of 10 nm to 50 nm.
  • R a1 (%) preferably satisfies R a1 ⁇ R c1 .
  • the reflectance is increased in an initial state where no information is recorded, and the recording / reproducing operation can be performed stably.
  • R c1 and R a1 satisfy 1 ⁇ R a1 ⁇ 12 and 16 ⁇ R c1 ⁇ 48 so that the reflectance difference (R c1 ⁇ R a1 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics. It is more preferable that 1 ⁇ R a1 ⁇ 6 and 16 ⁇ R c1 ⁇ 32.
  • the second information layer 12 includes a second dielectric layer 302, a second interface layer 303, a recording layer 304, a first interface layer 305, a first dielectric layer 306, and a reflective layer arranged in order from the incident side of the laser beam 1. 308 and a transmittance adjustment layer 309. Note that the second dielectric layer 302 and the first dielectric layer 306 can be omitted if necessary.
  • Information recording / reproduction of the second information layer 12 is performed by the laser beam 1 transmitted through the transparent layer 2, the third information layer 13, and the intermediate layer 3.
  • the second dielectric layer 302, the second interface layer 303, the recording layer 304, the first interface layer 305, the first dielectric layer 306, the reflective layer 308, and the transmittance adjusting layer 309 that constitute the second information layer 12 are ,
  • a material similar to that of the adjustment layer 109 can be used. Also, their shapes and functions are the same as those shapes and functions described in the first embodiment.
  • the transmittance T a2 (%) is 45 ⁇ T c2 and 45 in order to allow the laser light amount necessary for recording / reproduction to reach the information layer farther from the incident side of the laser beam 1 than the second information layer 12. It is preferable to satisfy ⁇ T a2, it is more preferable to satisfy the 50 ⁇ T c2 and 50 ⁇ T a2.
  • the transmittances T c2 and T a2 of the second information layer 12 preferably satisfy ⁇ 5 ⁇ (T c2 ⁇ T a2 ) ⁇ 5, and more preferably satisfy ⁇ 3 ⁇ (T c2 ⁇ T a2 ) ⁇ 3. preferable.
  • T c2 and T a2 depending on the state of the recording layer 304 of the second information layer 12 at the time of recording / reproducing of the information layer on the side farther from the second information layer 12 from the incident side of the laser beam 1.
  • the influence of the change in transmittance is small, and good recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • R a2 (%) preferably satisfies R a2 ⁇ R c2 .
  • R c2 and R a2 are 0.3 ⁇ R a2 ⁇ 4 and 5 ⁇ R c2 ⁇ 15 so that the reflectance difference (R c2 ⁇ R a2 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics.
  • 0.3 ⁇ R a2 ⁇ 3 and 5 ⁇ R c2 ⁇ 9 are satisfied.
  • the third information layer 13 includes a second dielectric layer 402, a second interface layer 403, a recording layer 404, a first interface layer 405, a first dielectric layer 406, and a reflective layer arranged in order from the incident side of the laser beam 1. 408 and a transmittance adjustment layer 409. Note that the second dielectric layer 402 and the first dielectric layer 406 can be omitted as necessary.
  • the second dielectric layer 402, the second interface layer 403, the recording layer 404, the first interface layer 405, the first dielectric layer 406, the reflective layer 408, and the transmittance adjusting layer 409 constituting the third information layer 13 are ,
  • T a3 (%) is 50 ⁇ T c3 and 50 ⁇ T in order to cause the laser light amount necessary for recording / reproduction to reach the information layer farther from the third information layer 13 from the incident side of the laser beam 1. It is preferable to satisfy the a3, it is more preferable to satisfy 55 ⁇ T c3 and 55 ⁇ T a3.
  • the transmittances T c3 and T a3 of the third information layer 13 preferably satisfy ⁇ 5 ⁇ (T c3 ⁇ T a3 ) ⁇ 5, and more preferably satisfy ⁇ 3 ⁇ (T c3 ⁇ T a3 ) ⁇ 3. preferable.
  • T c3 and T a3 depending on the state of the recording layer 404 of the third information layer 13 at the time of recording / reproducing of the information layer on the side farther from the third information layer 13 from the incident side of the laser beam 1.
  • the influence of the change in transmittance is small, and good recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • the reflectance R a3 (%) preferably satisfies R a3 ⁇ R c3 .
  • R c3 and R a3 are 0.1 ⁇ R a3 ⁇ 1 and 1.5 ⁇ R c3 so that the reflectance difference (R c3 ⁇ R a3 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics. It is preferable to satisfy ⁇ 5, and it is more preferable to satisfy 0.1 ⁇ R a3 ⁇ 0.7 and 1.5 ⁇ R c3 ⁇ 3.
  • the first information layer 13 and the second information layer 14 are designed.
  • the amount of effective reflected light from the third information layer 15 can be matched (for example, the effective reflectance is 2%).
  • the information recording medium 14 can be manufactured by the method described below.
  • a substrate 8 (having a thickness of, for example, 1.1 mm) is prepared and placed in a film forming apparatus.
  • a first information layer is formed on the substrate 8. Specifically, first, the reflective layer 208, the first interface layer 205, the recording layer 204, and the second interface layer 203 are formed on the substrate 8 in this order. At this time, an interface layer 207 may be formed between the reflective layer 208 and the first interface layer 205 as necessary. Further, the first dielectric layer 206 may be formed between the reflective layer 208 and the first interface layer 205 as necessary. Furthermore, a second dielectric layer 202 may be formed between the intermediate layer 5 and the second interface layer 203 as necessary.
  • the reflective layer 208 When the reflective layer 208 is formed on the substrate 8, when the guide groove for guiding the laser beam 1 is formed on the substrate 8, the reflective layer 208 is formed on the side where the guide groove is formed.
  • the reflective layer 208 can be formed by a method similar to that of the reflective layer 108 in Embodiment 1.
  • an interface layer 207 is formed on the reflective layer 208 as necessary.
  • the interface layer 207 can be formed by a method similar to that of the reflective layer 108 or the transmittance adjusting layer 109 in Embodiment 1.
  • a first dielectric layer 206 is formed on the reflective layer 208 (on the interface layer 207 in the case where the interface layer 207 is provided) as necessary.
  • the first dielectric layer 206 can be formed by the same method as the transmittance adjustment layer 109 of the first embodiment.
  • the interface layer 207 is provided on the upper layer.
  • the first interface layer 205 can be formed by a method similar to that of the first interface layer 105 of the first embodiment.
  • the recording layer 204 is formed on the first interface layer 205.
  • the recording layer 204 can be formed by a method similar to that of the recording layer 104 of Embodiment 1 using a sputtering target corresponding to the composition.
  • the second interface layer 203 is formed on the recording layer 204.
  • the second interface layer 203 can be formed by a method similar to that of the second interface layer 103 in the first embodiment.
  • a second dielectric layer 202 is formed on the second interface layer 203 as necessary.
  • the second dielectric layer 202 can be formed by the same method as the transmittance adjustment layer 109 of the first embodiment.
  • the first information layer 11 is formed.
  • the intermediate layer 5 (having a thickness of, for example, 25 ⁇ m) is formed on the second interface layer 203 of the first information layer 11 (on the second dielectric layer 202 in the case where the second dielectric layer 202 is provided).
  • the intermediate layer 5 is formed by applying a photocurable resin (particularly an acrylic ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin onto the second interface layer 203 (or the second dielectric layer 202) and spin-coating it. It can be formed by curing the resin.
  • the intermediate layer 5 includes the guide groove of the laser beam 1
  • the substrate (mold) on which the groove is formed is brought into close contact with the resin before curing, the resin is cured, and then the substrate (mold) is mounted.
  • a guide groove can be formed by peeling.
  • a method for forming the intermediate layer not only the above-described spin coating method but also a printing technique such as a screen method or an ink jet method can be applied to a fine processing technique.
  • an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 204 is performed as necessary. Also good.
  • the recording layer 204 can be crystallized by irradiation with a laser beam.
  • the second information layer 12 is formed on the intermediate layer 5.
  • the transmittance adjusting layer 309, the reflective layer 308, the first interface layer 305, the recording layer 304, and the second interface layer 303 are formed in this order on the intermediate layer 5.
  • a first dielectric layer 306 may be formed between the reflective layer 308 and the first interface layer 305 as necessary.
  • the second dielectric layer 302 may be formed after the second interface layer 303 is formed.
  • Each of these layers includes the transmittance adjustment layer 109, the reflection layer 108, the first dielectric layer 106, the first interface layer 105, the recording layer 104, and the second interface of the Nth information layer 10 described in the first embodiment.
  • the layer 103 and the second dielectric layer 102 can be formed by the same method.
  • the second information layer 12 is formed.
  • an intermediate layer is formed on the second interface layer 303 of the second information layer 12 (on the second dielectric layer 302 in the case where the second dielectric layer 302 is provided) by the same method as that for the intermediate layer 5 described above.
  • Layer 3 (with a thickness of 18 ⁇ m, for example) is formed.
  • a chemical conversion step may be performed. Crystallization of the recording layer 204 and / or the recording layer 304 can be performed by irradiation with a laser beam.
  • the third information layer 13 is formed on the intermediate layer 3.
  • the transmittance adjusting layer 409, the reflective layer 408, the first interface layer 405, the recording layer 404, and the second interface layer 403 are formed on the intermediate layer 3 in this order.
  • the first dielectric layer 406 may be formed between the reflective layer 408 and the first interface layer 405 as necessary.
  • the second dielectric layer 402 may be formed after forming the second interface layer 403 as necessary.
  • Each of these layers includes the transmittance adjustment layer 109, the reflection layer 108, the first dielectric layer 106, the first interface layer 105, the recording layer 104, and the second interface of the Nth information layer 10 described in the first embodiment.
  • the layer 103 and the second dielectric layer 102 can be formed by the same method.
  • the third information layer 13 is formed.
  • the transparent layer 2 (with a thickness of 57 ⁇ m, for example) is formed on the second interface layer 403 of the third information layer 13 (on the second dielectric layer 402 when the second dielectric layer 402 is provided). To do.
  • the transparent layer 2 can be formed by the method described in the first embodiment.
  • the entire surface of the recording layer 204, the recording layer 304, and / or the recording layer 404 is formed as necessary.
  • An initialization step for crystallizing the substrate may be performed.
  • the recording layer 204, the recording layer 304, and / or the recording layer 404 can be crystallized by irradiation with a laser beam.
  • the information recording medium 14 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used. is there.
  • the information recording medium 19 is a four-layer information recording medium capable of recording and reproducing information by irradiation with the laser beam 1 from one side.
  • the information recording medium 19 includes a substrate 8 and a first information layer 15, an intermediate layer 6, a second information layer 16, an intermediate layer 5, a third information layer 17, an intermediate layer 3, a fourth layer, which are sequentially stacked on the substrate 8.
  • the information layer 18 and the transparent layer 2 are included.
  • the substrate 8, the intermediate layers 3, 5, 6 and the transparent layer 2 can be formed using the same materials as those described in the first and second embodiments. Also, their shapes and functions are the same as those shapes and functions described in the first and second embodiments.
  • the configuration of the first information layer 15, the second information layer 16, the third information layer 17, and the fourth information layer 18 will be described in detail.
  • the second information layer 16, the third information layer 17, and the fourth information layer 18 correspond to the Lth information layer of the information recording medium of the present invention.
  • the first information layer 15 can also be used as the L information layer. Function.
  • the first information layer 15 includes a second interface layer 503, a recording layer 504, a first interface layer 505, and a reflective layer 508 that are arranged in order from the incident side of the laser beam 1.
  • a second dielectric layer 502 may be further provided between the intermediate layer 6 and the second interface layer 503.
  • a first dielectric layer 506 may be further provided between the first interface layer 505 and the reflective layer 508.
  • a further interface layer (between the second dielectric layer 506 and the reflective layer 508 in the case where the first dielectric layer 506 is provided) is provided between the first interface layer 505 and the reflective layer 508 (FIG. 3).
  • information recording / reproduction passed through the transparent layer 2, the fourth information layer 18, the intermediate layer 3, the third information layer 17, the intermediate layer 5, the second information layer 16, and the intermediate layer 6. Performed by the laser beam 1.
  • the second dielectric layer 502, the second interface layer 503, the recording layer 504, the first interface layer 505, the first dielectric layer 506, the interface layer 507, and the reflective layer 508 constituting the first information layer 15 are respectively
  • R a1 (%) preferably satisfies R a1 ⁇ R c1 .
  • the reflectance is increased in an initial state where no information is recorded, and the recording / reproducing operation can be performed stably.
  • R c1 and R a1 satisfy 1 ⁇ R a1 ⁇ 12 and 16 ⁇ R c1 ⁇ 48 so that the reflectance difference (R c1 ⁇ R a1 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics. It is more preferable that 1 ⁇ R a1 ⁇ 6 and 16 ⁇ R c1 ⁇ 32.
  • the second information layer 16 includes a second interface layer 603, a recording layer 604, a first interface layer 605, a reflective layer 608, and a transmittance adjustment layer 609 arranged in order from the incident side of the laser beam 1.
  • a second dielectric layer 602 may be further provided between the intermediate layer 5 and the second interface layer 603.
  • a first dielectric layer 606 may be further provided between the first interface layer 605 and the reflective layer 608.
  • Information recording / reproduction of the second information layer 16 is performed by the laser beam 1 transmitted through the transparent layer 2, the fourth information layer 18, the intermediate layer 3, the third information layer 17, and the intermediate layer 5.
  • the second dielectric layer 602, the second interface layer 603, the recording layer 604, the first interface layer 605, the first dielectric layer 606, the reflective layer 608, and the transmittance adjusting layer 609 constituting the second information layer 16 are ,
  • T a2 (%) is such that 55 ⁇ T c2 and 55 ⁇ T so that the amount of laser light necessary for recording / reproduction reaches the information layer farther from the incident side of the laser beam 1 than the second information layer 16. It is preferable to satisfy a2 , more preferably 60 ⁇ T c2 and 60 ⁇ T a2 .
  • the transmittances T c2 and T a2 of the second information layer 16 preferably satisfy ⁇ 5 ⁇ (T c2 ⁇ T a2 ) ⁇ 5, and more preferably satisfy ⁇ 3 ⁇ (T c2 ⁇ T a2 ) ⁇ 3. preferable.
  • T c2 and T a2 satisfy this condition, depending on the state of the recording layer 604 of the second information layer 16 at the time of recording / reproducing of the information layer on the side farther from the second information layer 16 from the incident side of the laser beam 1 The influence of the change in transmittance is small, and good recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • R a2 (%) preferably satisfies R a2 ⁇ R c2 .
  • R c2 and R a2 are 0.3 ⁇ R a2 ⁇ 4 and 5 ⁇ R c2 ⁇ 15 so that the reflectance difference (R c2 ⁇ R a2 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics.
  • 0.3 ⁇ R a2 ⁇ 3 and 5 ⁇ R c2 ⁇ 9 are satisfied.
  • the third information layer 17 includes a second interface layer 703, a recording layer 704, a first interface layer 705, a reflection layer 708, and a transmittance adjustment layer 709 arranged in order from the incident side of the laser beam 1.
  • a second dielectric layer 702 may be further provided between the intermediate layer 3 and the second interface layer 703.
  • a first dielectric layer 706 may be further provided between the first interface layer 705 and the reflective layer 708.
  • Information recording / reproduction of the third information layer 17 is performed by the laser beam 1 transmitted through the transparent layer 2, the fourth information layer 18, and the intermediate layer 3.
  • the second dielectric layer 702, the second interface layer 703, the recording layer 704, the first interface layer 705, the first dielectric layer 706, the reflection layer 708, and the transmittance adjustment layer 709 constituting the third information layer 17 are ,
  • T a3 (%) is 60 ⁇ T c3 and 60 ⁇ T in order to cause the laser light amount necessary for recording / reproduction to reach the information layer farther from the third information layer 17 from the incident side of the laser beam 1. It is preferable to satisfy the a3, it is more preferable to satisfy 65 ⁇ T c3 and 65 ⁇ T a3.
  • the transmittances T c3 and T a3 of the third information layer 17 preferably satisfy ⁇ 5 ⁇ (T c3 ⁇ T a3 ) ⁇ 5, and more preferably satisfy ⁇ 3 ⁇ (T c3 ⁇ T a3 ) ⁇ 3. preferable.
  • T c3 and T a3 depending on the state of the recording layer 704 of the third information layer 17 at the time of recording / reproducing of the information layer on the side farther from the third information layer 17 from the incident side of the laser beam 1.
  • the influence of the change in transmittance is small, and good recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • R a3 (%) preferably satisfies R a3 ⁇ R c3 .
  • R c3 and R a3 are 0.1 ⁇ R a3 ⁇ 1 and 1.5 ⁇ R c3 so that the reflectance difference (R c3 ⁇ R a3 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics. It is preferable to satisfy ⁇ 6, and it is more preferable to satisfy 0.1 ⁇ R a3 ⁇ 0.7 and 1.5 ⁇ R c3 ⁇ 3.5.
  • the fourth information layer 18 includes a second interface layer 803, a recording layer 804, a first interface layer 805, a reflection layer 808, and a transmittance adjustment layer 809 arranged in order from the incident side of the laser beam 1.
  • a second dielectric layer 802 may be further provided between the transparent layer 2 and the second interface layer 803.
  • a first dielectric layer 806 may be further provided between the first interface layer 805 and the reflective layer 808.
  • the second dielectric layer 802, the second interface layer 803, the recording layer 804, the first interface layer 805, the first dielectric layer 806, the reflective layer 808, and the transmittance adjusting layer 809 constituting the fourth information layer 18 are ,
  • T a4 (%) is 60 ⁇ T c4 and 60 ⁇ T in order to allow the laser light quantity necessary for recording / reproduction to reach the information layer farther from the fourth information layer 18 from the incident side of the laser beam 1. It is preferable to satisfy the a4, it is more preferable to satisfy the 65 ⁇ T c4 and 65 ⁇ T a4.
  • the transmittances T c4 and T a4 of the fourth information layer 18 preferably satisfy ⁇ 5 ⁇ (T c4 ⁇ T a4 ) ⁇ 5, and more preferably satisfy ⁇ 3 ⁇ (T c4 ⁇ T a4 ) ⁇ 3. preferable.
  • T c4 and T a4 depending on the state of the recording layer 804 of the fourth information layer 18 at the time of recording / reproducing of the information layer on the side farther from the fourth information layer 18 from the incident side of the laser beam 1.
  • the influence of the change in transmittance is small, and good recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • R a4 (%) preferably satisfies R a4 ⁇ R c4 .
  • R c4 and R a4 are 0.1 ⁇ R a4 ⁇ 0.8 and 1.2 ⁇ so that the reflectance difference (R c4 ⁇ R a4 ) is increased to obtain good recording / reproduction characteristics.
  • R c4 ⁇ 3 is preferably satisfied, more preferably 0.1 ⁇ R a4 ⁇ 0.5 and 1.2 ⁇ R c4 ⁇ 2.
  • R c1 , R a1 , R c2 , R a2 , R c3 , R a3 , R c4 , R a4 , T c2 , T a2 , T c3 , T a3 , T c4 , T a4 The effective amount of reflected light from the first information layer 15, the second information layer 16, the third information layer 17, and the fourth information layer 18 can be matched (for example, the effective reflectance is 1.5%).
  • the information recording medium 19 can be manufactured by the method described below.
  • a substrate 8 (having a thickness of, for example, 1.1 mm) is prepared and placed in a film forming apparatus.
  • the first information layer 15 is formed on the substrate 8.
  • the reflective layer 508, the first interface layer 505, the recording layer 504, and the second interface layer 503 are formed in this order on the substrate 8.
  • an interface layer 507 may be formed between the reflective layer 508 and the first interface layer 505 as necessary.
  • the first dielectric layer 506 may be formed between the reflective layer 508 and the first interface layer 505 as necessary.
  • a second dielectric layer 502 may be formed between the intermediate layer 6 and the second interface layer 503 as necessary.
  • These layers are the reflective layer 208, the interface layer 207, the first dielectric layer 206, the first interface layer 205, the recording layer 204, and the second interface layer described in the second embodiment, respectively.
  • 203 and the second dielectric layer 202 can be formed by the same method.
  • the first information layer 15 is formed.
  • the intermediate layer 6 (thickness is, for example, 10 ⁇ m) is formed on the second interface layer 503 of the first information layer 15 (on the second dielectric layer 502 when the second dielectric layer 502 is provided).
  • the intermediate layer 6 is spin-coated by applying a photo-curing resin (particularly an acrylic UV curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the second interface layer 503 (or the second dielectric layer 502). Then, it can be formed by curing the resin.
  • the intermediate layer 6 is provided with a guide groove for the laser beam 1
  • the substrate (mold) on which the groove is formed is brought into close contact with the resin before curing, the resin is cured, and then the substrate (mold) is mounted.
  • a guide groove can be formed by peeling.
  • a method for forming the intermediate layer not only the above-described spin coating method but also a printing technique such as a screen method or an ink jet method can be applied to a fine processing technique.
  • an initialization process for crystallizing the entire surface of the recording layer 504 may be performed as necessary.
  • the recording layer 504 can be crystallized by irradiation with a laser beam.
  • the second information layer 16 is formed on the intermediate layer 6.
  • the transmittance adjusting layer 609, the reflective layer 608, the first interface layer 605, the recording layer 604, and the second interface layer 603 are formed in this order on the intermediate layer 6.
  • a first dielectric layer 606 may be formed between the reflective layer 608 and the first interface layer 605 as necessary.
  • the second dielectric layer 602 may be formed between the intermediate layer 5 and the second interface layer 603 as necessary.
  • Each of these layers includes the transmittance adjustment layer 109, the reflection layer 108, the first dielectric layer 106, the first interface layer 105, the recording layer 104, the second layer, and the second information layer 10 described in the first embodiment.
  • the interface layer 103 and the second dielectric layer 102 can be formed by the same method.
  • the second information layer 16 is formed.
  • an intermediate layer is formed on the second interface layer 603 of the second information layer 16 (on the second dielectric layer 602 in the case where the second dielectric layer 602 is provided) by the same method as that for the intermediate layer 6 described above.
  • Layer 5 thickness is, for example, 20 ⁇ m
  • a chemical conversion step may be performed. Crystallization of the recording layer 504 and / or the recording layer 604 can be performed by irradiation with a laser beam.
  • the third information layer 17 is formed on the intermediate layer 5.
  • the transmittance adjusting layer 709, the reflective layer 708, the first interface layer 705, the recording layer 704, and the second interface layer 703 are formed on the intermediate layer 5 in this order.
  • a first dielectric layer 706 may be formed between the reflective layer 708 and the first interface layer 705 as necessary.
  • a second dielectric layer 702 may be formed between the intermediate layer 3 and the second interface layer 703 as necessary.
  • Each of these layers includes the transmittance adjustment layer 109, the reflection layer 108, the first dielectric layer 106, the first interface layer 105, the recording layer 104, the second layer, and the second information layer 10 described in the first embodiment.
  • the interface layer 103 and the second dielectric layer 102 can be formed by the same method.
  • the third information layer 17 is formed.
  • an intermediate layer is formed on the second interface layer 703 of the third information layer 17 (on the second dielectric layer 702 in the case where the second dielectric layer 702 is provided) by the same method as the above-described intermediate layer 6.
  • Layer 3 thickness is, for example, 15 ⁇ m
  • the entire surface of the recording layer 504, the recording layer 604, and / or the recording layer 704 is formed as necessary.
  • An initialization step for crystallizing the substrate may be performed.
  • the recording layer 504, the recording layer 604, and / or the recording layer 704 can be crystallized by irradiation with a laser beam.
  • the fourth information layer 18 is formed on the intermediate layer 3.
  • the transmittance adjusting layer 809, the reflective layer 808, the first interface layer 805, the recording layer 804, and the second interface layer 803 are formed on the intermediate layer 3 in this order.
  • a first dielectric layer 806 may be formed between the reflective layer 808 and the first interface layer 805 as necessary.
  • Each of these layers includes the transmittance adjustment layer 109, the reflection layer 108, the first dielectric layer 106, the first interface layer 105, the recording layer 104, and the second interface described in the first embodiment.
  • the layer 103 and the second dielectric layer 102 can be formed by the same method.
  • the fourth information layer 18 is formed.
  • the transparent layer 2 (thickness is, for example, 55 ⁇ m) is formed on the second interface layer 803 (on the second dielectric layer 802 in the case where the second dielectric layer 802 is provided).
  • the transparent layer 2 can be formed by the method described in the first embodiment.
  • the recording layer 504, the recording layer 604, the recording layer 704, and / or the recording layer are formed as necessary.
  • An initialization step of crystallizing the entire surface of the layer 804 may be performed.
  • the recording layer 504, the recording layer 604, the recording layer 704, and / or the recording layer 804 can be crystallized by irradiation with a laser beam.
  • the information recording medium 19 can be manufactured as described above. Note that although a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a CVD method, an MBE method, or the like can also be used. is there.
  • FIG. 4 schematically shows a part of the configuration of an example of the recording / reproducing apparatus 34 used in the information recording medium recording / reproducing method of the present invention.
  • the recording / reproducing apparatus 34 shown in FIG. 4 includes an optical head including a spindle motor 29 for rotating the information recording medium 33, a semiconductor laser 31, and an objective lens 30 that condenses the laser beam 1 emitted from the semiconductor laser 31. 32.
  • the information recording medium 33 is the information recording medium of Embodiments 1 to 3, and includes a plurality of information layers (for example, the first information layer 11, the second information layer 12, and the third information layer 13).
  • the objective lens 30 condenses the laser beam 1 on the information layer.
  • Information recording, erasing, and overwriting recording on the information recording medium are performed by changing the power of the laser beam 1 between a high power peak power (P p (mW)) and a low power bias power (P b (mW)). By modulating between.
  • P p (mW) peak power
  • P b (mW) low power bias power
  • a local part of the recording layer becomes an amorphous phase
  • the amorphous phase becomes a recording mark.
  • a laser beam 1 having a bias power is irradiated to form a crystal phase (erased portion).
  • a so-called multi-pulse formed by a pulse train is generally used.
  • the multi-pulse may be binary-modulated only by the power level of the peak power and the bias power, or the cooling power (P c (mW)) and the bottom power (P B (mW)) lower than the bias power.
  • ternary modulation or quaternary modulation may be performed depending on the power level in the range of 0 mW to peak power.
  • the information signal is reproduced by reading a signal from the information recording medium obtained by irradiating the laser beam 1 of reproduction power with a detector.
  • the reproduction power (P r (mW)) is lower than the power levels of the peak power and the bias power, and the optical state of the recording mark is not affected by the irradiation of the laser beam 1 at the power level.
  • the power is set such that a sufficient amount of reflected light for reproducing the recording mark can be obtained from the recording medium.
  • the numerical aperture NA of the objective lens 30 is preferably in the range of 0.5 to 1.1 in order to adjust the spot diameter of the laser beam 1 in the range of 0.4 ⁇ m to 0.7 ⁇ m, and 0.6 More preferably, it is in the range of -0.9.
  • the wavelength of the laser beam 1 is preferably 450 nm or less (more preferably in the range of 350 nm to 450 nm).
  • the linear velocity of the information recording medium at the time of recording information is preferably in the range of 2 m / sec to 15 m / sec at which crystallization due to reproduction light hardly occurs and sufficient erasing performance is obtained, and is 6 m / sec. More preferably, it is in the range of ⁇ 10 m / sec.
  • the wavelength, the numerical aperture of the objective lens, and the linear velocity not illustrated here may be used according to the type of the information recording medium.
  • the wavelength of the laser beam 1 may be 650 to 670 nm.
  • recording and reproduction may be performed using an optical system with NA> 1.
  • a solid immersion lens (SIL) or a solid immersion mirror (SIM) can be used.
  • the intermediate layer and the transparent layer may be formed with a thickness of 5 ⁇ m or less.
  • the laser beam 1 when recording is performed on the first information layer 11, the laser beam 1 is focused on the recording layer 204, the transparent layer 2, and the third information.
  • Information is recorded on the recording layer 204 by the laser beam 1 transmitted through the layer 13, the intermediate layer 3, the second information layer 12 and the intermediate layer 5.
  • the reproduction is performed by detecting the laser beam 1 reflected by the recording layer 204 and transmitted through the intermediate layer 5, the second information layer 12, the intermediate layer 3, the third information layer 13 and the transparent layer 2.
  • the laser beam 1 is focused on the recording layer 304, and information is recorded by the laser beam 1 transmitted through the transparent layer 2, the third information layer 13, and the intermediate layer 3.
  • the reproduction is performed by detecting the laser beam 1 reflected by the recording layer 304 and transmitted through the intermediate layer 3, the third information layer 13 and the transparent layer 2.
  • the laser beam 1 is focused on the recording layer 404 and information is recorded by the laser beam 1 transmitted through the transparent layer 2.
  • Reproduction is performed by detecting the laser beam 1 reflected by the recording layer 404 and transmitted through the transparent layer 2.
  • the signal intensity is obtained by power-modulating the laser beam 1 between 0 and P p (mW), and recording a signal having mark lengths of 0.168 ⁇ m (3T) and 0.446 ⁇ m (8T) alternately in the same groove 10 times, It can be evaluated by measuring the ratio of the signal amplitude (carrier level) to the noise amplitude (noise level) at the frequency of the 3T signal when the 3T signal is overwritten with a spectrum analyzer. . Note that the signal strength is stronger as the CNR is larger.
  • the power of the laser beam 1 is modulated between 0 and P p (mW), and signals with mark lengths of 0.168 ⁇ m (3T) and 0.446 ⁇ m (8T) are alternately recorded 10 times in the same groove. Then, the difference between the signal amplitude of the 3T signal when the 3T signal is overwritten for the 11th time and the signal amplitude of the 3T signal when the 8T signal is overwritten thereafter is measured by a spectrum analyzer as the erasure rate of the 3T signal. Can be evaluated. Note that the larger the erasure rate, the better the erasing performance.
  • P p , P b , P c , and P B are determined so that the signal amplitude and the erasure rate are maximized.
  • Embodiment 5 As Embodiment 5, an embodiment of a sputtering target used for forming the second interface layer and the first interface layer of the present invention will be described below.
  • the sputtering target of the present embodiment used for forming the second interface layer contains M1 and Cr.
  • the sputtering target of the present embodiment used for forming the first interface layer includes M2 and Cr.
  • a rare gas and a reactive gas especially O 2 gas
  • a second interface layer containing M1, Cr and O, and a first interface layer containing M2, Cr and O can be formed.
  • a sputtering target containing O in addition to the above sputtering target can also be used.
  • the second interface layer and the first interface layer can be formed by introducing only a rare gas or a mixed gas of a rare gas and a trace amount of reactive gas (especially O 2 gas). .
  • This sputtering target has a high density (shows the powder filling rate, and the state in which the powder is filled without any gaps is defined as 100%) so that the film can be formed at a higher speed and the variation becomes smaller. Is preferred. Preferably it is 80% or more, More preferably, it is 90% or more.
  • a method for manufacturing a sputtering target containing M1 and Cr will be described.
  • a high-purity material M1 powder and a material Cr powder having a predetermined particle diameter are prepared, weighed and mixed so as to have a predetermined mixing ratio, and placed in a hot press apparatus. If necessary, the hot press apparatus is evacuated and held under a predetermined high pressure and high temperature condition for a predetermined time to sinter the mixed powder.
  • the hot press apparatus is evacuated and held under a predetermined high pressure and high temperature condition for a predetermined time to sinter the mixed powder.
  • the in-plane and thickness direction composition of the sputtering target becomes uniform. Further, by optimizing the conditions of pressure, temperature, and time, the filling property is improved and a high-density sputtering target can be manufactured.
  • solder such as In may be used to adhere to a copper plate having a smooth surface, for example. By carrying out like this, it can attach to a sputtering device and can be sputtered.
  • a sputtering target containing M2 and Cr can also be manufactured by the above-mentioned method by preparing a powder of a high-purity material M2 having a predetermined particle size and a powder of material Cr.
  • a high-purity material M1-Cr powder having a predetermined particle size and a material M2-Cr powder may be prepared, and any combination of powders, A sputtering target can be manufactured by the above method.
  • the sputtering target to be manufactured contains O, a high-purity material M1-O powder having a predetermined particle size, a material M2-O powder, and a material Cr-O powder are prepared, A sputtering target can be manufactured by the above method.
  • the second interface layer and the first interface layer As a method for producing the second interface layer and the first interface layer, it is desirable to form a film using the sputtering target and using the sputtering method.
  • the sputtering method When the sputtering method is used, a mass-production film forming apparatus for laminating multilayer films has already been provided on the market, and there is an advantage that a thin film with good film quality can be obtained relatively easily.
  • FIG. 5 shows a state where a film is formed using a sputtering apparatus.
  • a vacuum pump (not shown) is connected to the vacuum vessel 35 through the exhaust port 36 so that the inside of the vacuum vessel 35 can be kept at a high vacuum.
  • a gas with a constant flow rate can be supplied from the gas supply port 37.
  • a substrate 39 (the substrate here is a base material for depositing a film) is placed on the anode 38. By grounding the vacuum vessel 35, the vacuum vessel 35 and the substrate 39 are kept at the anode.
  • the sputtering target 40 is connected to a cathode 41 and connected to a power source 42 via a switch (not shown).
  • a predetermined voltage between the anode 38 and the cathode 41 By applying a predetermined voltage between the anode 38 and the cathode 41, a thin film can be formed on the substrate 39 by the particles emitted from the sputtering target 40.
  • Example 1 In Example 1, the information recording medium 14 of FIG. 2 was produced, and the materials of the first interface layer 405 and the second interface layer 403 of the third information layer 13 and the refraction of the first interface layer 405 and the second interface layer 403 were produced. Rate, extinction coefficient, reflectance ratio R c3 / R a3 of the third information layer 13, transmittance T c3 of the third information layer 13, CNR of the third information layer 13, The relationship between the erasure rate and the moisture resistance of the third information layer 13 was examined.
  • the refractive index and extinction coefficient of the interface layer 405 and the second interface layer 403, the reflectance ratio R c3 / R a3 of the third information layer 13, the transmittance T c3 of the third information layer 13, and the CNR of the third information layer 13 The erasure rate of the third information layer 13 and the moisture resistance of the third information layer 13 were confirmed.
  • the sample was manufactured as follows. First, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) for guiding the laser beam 1 were formed was prepared as the substrate 8. And the 1st information layer 11 was laminated
  • the reflective layer 208 is an Ag—Pd—Cu layer (thickness: 100 nm)
  • the first dielectric layer 206 is a (SiO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 25 layer (thickness: 10 nm)
  • the first (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 layer (thickness: 5 nm) as one interface layer 205
  • Ge 45 Sb 4 Te 51 layer (thickness: 11 nm) as recording layer 204
  • ( Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 layers (thickness: 5 nm) and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 60 nm) as the second dielectric layer 202 were sequentially stacked by sputtering. .
  • the film forming apparatus for sputtering each of the above layers forms an Ag—Pd—Cu alloy sputtering target for forming the reflective layer 208 and the first dielectric layer 206 (SiO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50.
  • (ZrO 2 ) 25 sputtering target forming first interface layer 205 (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 sputtering target, Ge—Sb—Te alloy sputtering target forming recording layer 204, second A (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 sputtering target for forming the interface layer 203 and a (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 sputtering target for forming the second dielectric layer 202 were provided.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the reflective layer 208 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.2 Pa and a DC power source with an input power of 2000 W.
  • the first dielectric layer 206 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.13 Pa and an RF power supply with an input power of 2000 W.
  • the first interface layer 205 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the recording layer 204 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 203 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 202 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2500 W.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 202, and a substrate on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) are formed is covered and brought into close contact, and rotated.
  • a uniform resin layer was formed, and the substrate was peeled after the resin was cured.
  • an intermediate layer 5 having a thickness of 25 ⁇ m in which a guide groove for guiding the laser beam 1 was formed on the second information layer 12 side was obtained.
  • the second information layer 12 was laminated on the intermediate layer 5.
  • the transmittance adjusting layer 309 (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 layers (thickness: 20 nm), the reflective layer 308 as an Ag—Pd—Cu layer (thickness: 9 nm), and the first dielectric layer 306 as Al 2 O 3 layer (thickness: 10 nm), (Cr 2 O 3 ) 40 (Al 2 O 3 ) 60 layer (thickness: 5 nm) as the first interface layer 305, and Ge 45 Sb 3 In 1 as the recording layer 304 Te 51 layer (thickness: 7 nm), (Cr 2 O 3 ) 30 (Al 2 O 3 ) 70 layer (thickness: 5 nm) as the second interface layer 303, (ZnS) 80 (second dielectric layer 302) SiO 2 ) 20 layers (thickness: 40 nm) were sequentially laminated by a sputtering method.
  • the film forming apparatus for sputtering each of the above layers forms a transmittance adjusting layer 309 (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 sputtering target and Ag—Pd—Cu alloy sputtering for forming the reflective layer 308.
  • a target, an Al 2 O 3 sputtering target for forming the first dielectric layer 306, and a (Cr 2 O 3 ) 40 (Al 2 O 3 ) 60 sputtering target and a recording layer 304 for forming the first interface layer 305 are formed.
  • a ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 sputtering target was provided.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the transmittance adjustment layer 309 is formed by using a pulsed DC power source with a pressure of 0.13 Pa in a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 (O 2 gas at a ratio of 3% with respect to the whole). Performed at 2000W.
  • the reflective layer 308 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.2 Pa and a DC power source with an input power of 200 W.
  • the first dielectric layer 306 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.13 Pa and an RF power supply with an input power of 2000 W.
  • the first interface layer 305 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the recording layer 304 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 303 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 302 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2500 W.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 302, and a substrate on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) are formed is covered and brought into close contact with the substrate to rotate.
  • a uniform resin layer was formed, and the substrate was peeled after the resin was cured.
  • an intermediate layer 3 having a thickness of 18 ⁇ m in which a guide groove for guiding the laser beam 1 was formed on the third information layer 13 side was obtained.
  • the third information layer 13 was laminated on the intermediate layer 3.
  • (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 layers (thickness: 15 nm), as the reflective layer 408, Ag—Pd—Cu layer (thickness: 8 nm), and as the first dielectric layer 406
  • An Al 2 O 3 layer (thickness: 6 nm)
  • a first interface layer 405 (thickness: 5 nm)
  • a Ge 45 In 1 Bi 3 Te 51 layer (thickness: 6 nm) as the recording layer 404
  • a first interface layer 403 (Thickness: 5 nm), (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 35 nm) were sequentially laminated as the second dielectric layer 402 by sputtering.
  • the film forming apparatus for sputtering each layer described above forms a transmittance adjusting layer 409 (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 sputtering target, and Ag—Pd—Cu alloy sputtering for forming a reflective layer 408.
  • a target, an Al 2 O 3 sputtering target for forming the first dielectric layer 406, a sputtering target for forming the first interface layer 405, a Ge—In—Bi—Te alloy sputtering target for forming the recording layer 404, a first A sputtering target for forming the two interface layer 403 and a (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 sputtering target for forming the second dielectric layer 402 were provided.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the transmittance adjusting layer 409 is formed in a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 (O 2 gas at a ratio of 1% with respect to the whole), at a pressure of 0.13 Pa, using an RF power source and an input power of 2000 W I went there.
  • the reflective layer 408 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.2 Pa and a DC power source with an input power of 200 W.
  • the first dielectric layer 406 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2000 W.
  • the first interface layer 405 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the recording layer 404 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 403 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power supply with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 402 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using an RF power source with an input power of 2500 W.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 402 and rotated to form a uniform resin layer, and then the resin is cured by irradiating with ultraviolet rays to obtain a thickness of 57 ⁇ m.
  • Transparent layer 2 was formed.
  • an initialization process for crystallizing the recording layer 204, the recording layer 304, and the recording layer 404 with a laser beam was performed. As described above, a plurality of samples having different materials for the first interface layer 405 and the second interface layer 403 were manufactured.
  • a sample for measuring the refractive index and extinction coefficient of the first interface layer 405 and the second interface layer 403 is a quartz substrate (length 12 mm ⁇ width 18 mm, thickness) on a polycarbonate substrate. 1.1 mm), and a material for forming the first interface layer 405 or the second interface layer 403 is formed on the polycarbonate substrate to which the quartz substrate is attached by a sputtering method so that the film thickness is about 20 nm. Prepared by filming. An ellipsometer was used to measure the refractive index and extinction coefficient.
  • the reflectance of the first information layer 11, the second information layer 12, and the third information layer 13 of the information recording medium 14 was measured using the recording / reproducing apparatus 34 of FIG. .
  • the wavelength of the laser beam 1 was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens 30 was 0.85
  • the linear velocity of the sample during measurement was 7.4 m / s
  • the reproduction power was 1.0 mW.
  • the reflectance was measured with a groove.
  • the reflectance (R c0 ) of the sample in which only the second information layer 12 is formed is measured in advance, and the reflectance and samples 1-1 to 1-6 are measured.
  • Samples 2-1 to 2-6, Samples 3-1 to 3-6, Samples 4-1 to 4-6, Samples 5-1 to 5-6, Samples 6-1 to 6-6, Sample 7-1 To 7-3 and calculated from the reflectance (R c2 ) of the second information layer 14 (R c2 R c0 ⁇ T c3 ⁇ T c3 ).
  • the recording mark length when measuring the CNR and erasure rate of the third information layer 13 was 0.168 ⁇ m (3T) and 0.446 ⁇ m (8T).
  • the moisture resistance of the third information layer 13 was determined by accelerating the prepared sample under conditions of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% RH, and observing the state after the test with an optical microscope.
  • the material of the first interface layer 405 and the material of the second interface layer 403 are (Table 1-1), (Table 2-1), (Table 3-1), (Table 4-1), (Table (5-1), (Table 6-1) and (Table 7-1).
  • the transmittance T c3 of the layer 13, the CNR of the third information layer 13, the erasure rate of the third information layer 13, the moisture resistance of the third information layer 13, and the overall evaluation are shown in (Table 1-2) and (Table 2- 2), (Table 3-2), (Table 4-2), (Table 5-2), (Table 6-2) and (Table 7-2).
  • the moisture resistance the case where corrosion / peeling did not occur until 200 hr acceleration under the conditions of temperature 85 ° C. and relative humidity 85% RH, corrosion / peeling occurred after 200 hr acceleration, but after 100 hr acceleration The case where no corrosion occurred was indicated by ⁇ , and the case where corrosion / peeling occurred after 100 hr acceleration was indicated by ⁇ .
  • Comprehensive evaluation indicates that the transmittance is 50% or more, the CNR is 50 dB or more, and the moisture resistance satisfies all of ⁇ to ⁇ : ⁇ , the transmittance is less than 50%, the CNR is less than 50 dB, or the moisture resistance is ⁇ The case where the above is satisfied is indicated as x.
  • Samples 1-1, 2-1, 3-1, 4-1, 5-1, and 6-1 as comparative examples using O 13 and Al 2 TiO 5 have an extinction coefficient of about 0.01. Although it was small and the reflectance ratio R c3 / R a3 of the third information layer 13 was as large as 6 or more and the CNR was as good as 50 dB or more, the moisture resistance was poor and the overall evaluation was x.
  • the moisture resistance was good, but the extinction coefficient was as large as 0.1 or more, the reflectance ratio R c3 / R a3 of the third information layer 13 was as small as 6 or less, and the CNR was also low.
  • the overall evaluation was poor with less than 50 dB.
  • Samples 1-2 to 1-5, 2-2 as examples of the present invention using materials containing 5 mol% to 50 mol% of Cr 2 O 3 for the first interface layer 405 and the second interface layer 403 2-5, 3-2 to 3-5, 4-2 to 4-5, 5-2 to 5-5, and 6-2 to 6-5 have a small extinction coefficient of less than 0.1 and are reflected
  • the ratio Rc3 / Ra3 was as large as 6 or more, the CNR was as good as 50 dB or more, the moisture resistance was good, and the overall evaluation was also good. From the above results, it was found that the amount of Cr 2 O 3 contained in the first interface layer 405 and the second interface layer 403 was 50 mol% or less.
  • Example 2 In Example 2, the information recording medium 19 of FIG. 3 was produced, and the materials of the first interface layer 805 and the second interface layer 803 of the fourth information layer 18 and the refraction of the first interface layer 805 and the second interface layer 803 were used. Rate, extinction coefficient, reflectance ratio R c4 / R a4 of the fourth information layer 18, transmittance T c4 of the fourth information layer 18, CNR of the fourth information layer 18, The relationship between the erasure rate and the moisture resistance of the fourth information layer 18 was examined.
  • samples 8-1 to 8-11 of the information recording medium 19 including the fourth information layer 18 having different materials for the first interface layer 805 and the second interface layer 803 are manufactured, and the first interface layer 805 and The refractive index and extinction coefficient of the second interface layer 803, the reflectance ratio R c4 / R a4 of the fourth information layer 18, the transmittance T c4 of the fourth information layer 18, and the CNR of the fourth information layer 18 The erasure rate of the fourth information layer 18 and the moisture resistance of the fourth information layer 18 were confirmed.
  • the sample was manufactured as follows. First, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) for guiding the laser beam 1 were formed was prepared as the substrate 8. And the 1st information layer 15 was laminated
  • the reflective layer 508 is an Ag—Pd—Cu layer (thickness: 100 nm)
  • the first dielectric layer 506 is a (SiO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 25 layer (thickness: 10 nm)
  • the first (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 layers (thickness: 5 nm) as one interface layer 505, Sb 77 Te 15 Ge 8 layer (thickness: 12 nm) as recording layer 504, and (second interface layer 503) Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 layers (thickness: 5 nm) and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 45 nm) as the second dielectric layer 502 were sequentially laminated by sputtering.
  • the film forming apparatus for sputtering each of the above layers forms an Ag—Pd—Cu alloy sputtering target for forming the reflective layer 508 and the first dielectric layer 506 (SiO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50.
  • (ZrO 2 ) 25 sputtering target forming first interface layer 505 (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 sputtering target, Sb—Te—Ge alloy sputtering target for forming recording layer 504, second A (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 50 sputtering target for forming the interface layer 503 and a (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 sputtering target for forming the second dielectric layer 502 were provided.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the reflective layer 508 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.2 Pa and a DC power supply with an input power of 2000 W.
  • the first dielectric layer 506 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2000 W.
  • the first interface layer 505 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the recording layer 504 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 503 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 502 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an input power of 2500 W using an RF power source.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 502, and a substrate on which a guide groove (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) is formed is covered and brought into close contact with the substrate to rotate.
  • a uniform resin layer was formed, and the substrate was peeled after the resin was cured.
  • an intermediate layer 6 having a thickness of 10 ⁇ m in which a guide groove for guiding the laser beam 1 was formed on the second information layer 16 side was obtained.
  • the transmittance adjusting layer 609 is a TiO 2 layer (thickness: 20 nm)
  • the reflective layer 608 is an Ag—Pd—Cu layer (thickness: 8 nm)
  • the first interface layer 605 is (Cr 2 O 3 ) 40 (Al 2 O 3 ) 60 layers (thickness: 10 nm), Ge 45 Sb 4 Te 51 layer (thickness: 6 nm) as the recording layer 604, (Cr 2 O 3 ) 40 (Al 2 O 3 ) 60 layer as the second interface layer 603 (Thickness: 5 nm), (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 45 nm) were sequentially stacked as the second dielectric layer 602 by sputtering.
  • the film forming apparatus for sputtering each of the above layers forms a TiO 2 sputtering target for forming the transmittance adjusting layer 609, an Ag—Pd—Cu alloy sputtering target for forming the reflective layer 608, and a first interface layer 605.
  • (Cr 2 O 3 ) 40 (Al 2 O 3 ) 60 sputtering target, Ge—Sb—Te alloy sputtering target for forming the recording layer 604, and second interface layer 603 are formed (Cr 2 O 3 ) 40 A (Al 2 O 3 ) 60 sputtering target and a (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 sputtering target for forming the second dielectric layer 602 were provided.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the transmittance adjustment layer 609 is formed by using a pulsed DC power source with a pressure of 0.13 Pa in a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 (O 2 gas at a ratio of 3% with respect to the whole). Performed at 2000W.
  • the reflective layer 608 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.2 Pa and a DC power source with an input power of 200 W.
  • the first interface layer 605 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an input power of 3000 W using an RF power source.
  • the recording layer 604 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 603 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 602 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2500 W.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 602, and a substrate on which a guide groove (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) is formed is covered and brought into close contact with the substrate to rotate.
  • a uniform resin layer was formed, and the substrate was peeled after the resin was cured.
  • an intermediate layer 5 having a thickness of 20 ⁇ m in which a guide groove for guiding the laser beam 1 was formed on the third information layer 17 side was obtained.
  • the third information layer 17 was laminated on the intermediate layer 5.
  • (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 layers thickness: 20 nm
  • the reflective layer 708 as an Ag—Pd—Cu layer (thickness: 7 nm)
  • the first interface layer 705 ( Cr 2 O 3 ) 40 Al 2 O 3 ) 60 layers (thickness: 10 nm)
  • Sb 86 Ge 14 layer thickness: 5 nm
  • (Cr 2 O 3 ) 40 as the second interface layer 703 (Al 2 O 3 ) 60 layers (thickness: 5 nm) and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 40 nm) were sequentially laminated as the second dielectric layer 702 by sputtering.
  • the film forming apparatus for sputtering each layer described above forms a transmittance adjusting layer 709 (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 sputtering target and Ag—Pd—Cu alloy sputtering for forming a reflective layer 708.
  • first interface layer 705 is formed (Cr 2 O 3 ) 40 (Al 2 O 3 ) 60 sputtering target, Sb—Ge alloy sputtering target for forming recording layer 704, and third interface layer 703 is formed (SiO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 (ZrO 2 ) 25 sputtering target and (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 sputtering target for forming the third dielectric layer 702 were provided.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the transmittance adjusting layer 709 is formed in a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 (O 2 gas at a ratio of 1% with respect to the whole), at a pressure of 0.13 Pa, using an RF power source and an input power of 2000 W I went there.
  • the reflective layer 708 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.2 Pa and a DC power source with an input power of 200 W.
  • the first interface layer 705 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the recording layer 704 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 703 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 702 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.13 Pa and an RF power supply with an input power of 2500 W.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 702, and a substrate on which a guide groove (depth 20 nm, track pitch 0.32 ⁇ m) is formed is covered and brought into close contact, and rotated.
  • a uniform resin layer was formed, and the substrate was peeled after the resin was cured.
  • an intermediate layer 3 having a thickness of 15 ⁇ m in which a guide groove for guiding the laser beam 1 was formed on the fourth information layer 18 side was obtained.
  • the transmittance adjusting layer 809 is (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 (thickness: 15 nm), the reflective layer 808 is an Ag—Pd—Cu layer (thickness: 6 nm), and the first dielectric layer 806 is Al.
  • first interface layer 805 (thickness: 5 nm), Ge 45 In 1 Bi 3 Te 51 layer (thickness: 4.5 nm) as recording layer 804, second interface layer 803 (Thickness: 5 nm), (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 layers (thickness: 35 nm) were sequentially stacked as the second dielectric layer 802 by sputtering.
  • the film forming apparatus for sputtering each of the above layers forms a transmittance adjusting layer 809 (TiO 2 ) 60 (Bi 2 O 3 ) 40 sputtering target and Ag—Pd—Cu alloy sputtering for forming a reflective layer 808.
  • the shape of the sputtering target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
  • the transmittance adjusting layer 809 is formed in a mixed gas atmosphere of Ar and O 2 (O 2 gas at a ratio of 1% with respect to the whole), at a pressure of 0.13 Pa, using an RF power source and an input power of 2000 W I went there.
  • the reflective layer 808 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.2 Pa and a DC power source with an input power of 200 W.
  • the first dielectric layer 806 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2000 W.
  • the first interface layer 805 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the recording layer 804 was formed in an Ar gas atmosphere with a pressure of 0.13 Pa and a pulsed DC power source with an input power of 200 W.
  • the second interface layer 803 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 3000 W.
  • the second dielectric layer 802 was formed in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and an RF power source with an input power of 2500 W.
  • an acrylic ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric layer 802 and rotated to form a uniform resin layer, and then the resin is cured by irradiating with ultraviolet rays to obtain a thickness of 55 ⁇ m.
  • the transparent layer 2 was formed.
  • an initialization process for crystallizing the recording layer 504, the recording layer 604, the recording layer 704, and the recording layer 804 with a laser beam was performed. As described above, a plurality of samples having different materials for the first interface layer 805 and the second interface layer 803 were manufactured.
  • the refractive index and extinction coefficient of the first interface layer 805 and the second interface layer 803 were measured by the same method as that used in Example 1.
  • the first information layer 15, the second information layer 16, the third information layer 17, and the fourth information layer 18 of the information recording medium 19 are recorded using the recording / reproducing apparatus 34 of FIG.
  • the reflectance of was measured.
  • the wavelength of the laser beam 1 was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens 30 was 0.85
  • the linear velocity of the sample during measurement was 7.4 m / s
  • the reproduction power was 1.0 mW.
  • the reflectance was measured with a groove.
  • the recording mark length when measuring the CNR and erasure rate of the fourth information layer 18 was set to 0.168 ⁇ m (3T) and 0.446 ⁇ m (8T).
  • the moisture resistance of the fourth information layer 18 was determined by accelerating the prepared sample under the conditions of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% RH, and observing the state after the test with an optical microscope.
  • the material of the first interface layer 805 and the material of the second interface layer 803 are shown in (Table 8-1).
  • the refractive index and extinction coefficient of the first interface layer 805, the refractive index and extinction coefficient of the second interface layer 803, the reflectance ratio R c4 / R a4 of the fourth information layer 18, and the fourth information are shown in Table 8-2.
  • the moisture resistance the case where corrosion / peeling did not occur until 200 hr acceleration under the conditions of temperature 85 ° C.
  • the amount of Cr 2 O 3 is about 30 mol%, and the rest is Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3. , ZrO 2 and HfO 2 , and in the second interface layer 803, the amount of Cr 2 O 3 is about 30 mol%, and the rest is Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O.
  • Samples 8-1 to 8-8 which are a mixture selected from TiO 2 , SiO 2, and Al 2 O 3 , have a small extinction coefficient of 0.03 or less and a reflectance ratio R c4 / R a4 of 7
  • the CNR was as good as 50 dB or more, the moisture resistance was good, and the overall evaluation was also good.
  • Samples 8-9 to 8-11 in which a part of Cr 2 O 3 is replaced with Ga 2 O 3 and / or In 2 O 3 also have an extinction coefficient as small as 0.03 or less and reflectivity ratio R c4 / Ra4 was as large as 7 or more, CNR was as good as 50 dB or more, moisture resistance was good, and the overall evaluation was also good.
  • the first interface layer 805 has at least one oxidation selected from Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , Dy 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 and HfO 2. and a goods and 50 mol% or less of Cr 2 O 3, a second interface layer 803 is selected from Nb 2 O 5, Y 2 O 3, Dy 2 O 3, TiO 2, SiO 2 and Al 2 O 3 It has been found that it is preferable to contain at least one oxide and 50 mol% or less of Cr 2 O 3 . It has also been found that part of Cr 2 O 3 may be replaced with Ga 2 O 3 and / or In 2 O 3 .
  • an experiment similar to the above was performed on 705 and the second interface layer 703, the same result as that of the fourth information layer 18 was obtained.
  • the information recording medium of the present invention can realize a large-capacity optical information recording medium by using an excellent dielectric material for the layer provided in contact with the recording layer, the rewritable multilayer Blu-ray Disc Rewritable (BD) -RE), write-once multilayer Blu-ray Disc Recordable (BD-R), etc.
  • BD rewritable multilayer Blu-ray Disc Rewritable
  • BD-R write-once multilayer Blu-ray Disc Recordable
  • the information recording medium of the present invention is a next generation that can be recorded and reproduced by an optical system with NA> 1, such as an optical system using SIL or SIM, as an optical information recording medium having an excellent dielectric layer and a large capacity. It is also useful for a rewritable information recording medium or a next generation rewritable multilayer information recording medium.

Landscapes

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Abstract

　本発明の情報記録媒体（９）は、光（１）の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光（１）の入射側から、第２界面層（１０３）、記録層（１０４）及び第１界面層（１０５）をこの順に備えている。第１界面層（１０５）及び第２界面層（１０３）は、記録層（１０４）に接して配置されている。第２界面層（１０３）は、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含む。第１界面層（１０５）は、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含む。第１界面層（１０５）及び第２界面層（１０３）は、酸化物（Ｃｒ2Ｏ3）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでいる。

Description

情報記録媒体
　本発明は、光学的に情報を記録、消去、書き換え、及び／または再生する情報記録媒体に関するものである。
　光学的に情報を記録、消去、書き換え、及び／または再生する情報記録媒体の基本的な構成の一例として、例えば、光の入射側から、第２誘電体層、記録層、第１誘電体層、及び反射層がこの順に配置した形態が挙げられる。従来、第１及び第２誘電体層の材料には、例えば（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）が用いられてきた。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導性が低く、高透明性及び高屈折率を有する。また、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性及び耐湿性にも優れているため、誘電体層を形成するのに適した材料として、実用化されてきた。
　しかしながら、この材料を書換形の情報記録媒体の誘電体層に用いる場合、レーザ光を記録層に照射して繰り返し書き換えを実施すると（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）中のＳが記録層中に拡散し、繰り返し書き換え性能を著しく低下させるという課題があった。この課題を解決するために、第１誘電体層と記録層との間、及び、記録層と第２誘電体層との間に、それぞれ、５ｎｍ程度の厚さを有するもう１層の誘電体層（界面層）を設ける構成が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
　例えば、ハイビジョン画像の録画媒体として実用化したブルーレイ・ディスク（以下、ＢＤと略記する。）媒体の場合、界面層にＺｒＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を含む材料（以下、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏ）を用いており、１万回以上の優れた繰り返し書き換えを実現している（例えば、特許文献２参照）。この材料は、Ｓを含まず、高融点で耐熱性に優れ、さらに記録層との密着性も良好であるため、界面層に適した材料である。複数の情報層を備えたＢＤ媒体において、情報層を光入射側と反対側から順にＬ０、Ｌ１、…と表した場合、特に５０ギガバイト（ＧＢ）の２層ＢＤ媒体においては、光の入射側に位置する半透明な情報層（Ｌ１）は、記録層が約６ｎｍ、反射層が約１０ｎｍと非常に薄い層が積層された構成を有しているが、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏからなる界面層を採用することによって、１万回の繰り返し書き換え性能を達成することが可能となった。
特許第３７０７７９７号公報 特許第３９６１４１１号公報
　近年、次世代ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）として、規格がＢＤに一本化されたことから、大容量ハードディスク内蔵のＢＤレコーダ、及びＢＤレコーダ内蔵の大型テレビが発売され、ＢＤレコーダ及びＢＤ媒体の普及が加速しつつある。そのような状況において、ＢＤ媒体の次のテーマは大容量化である。大容量化によって、ハイビジョン画像をより長時間ＢＤ媒体に録画できるようになり、あるいは、ＢＤ媒体をハードディスクの代わりの可換媒体としても使用できるようになる。
　大容量化の方法としては、情報層１層あたりの記録容量を増やす方法と、層数（情報層数）を増やす方法とがあり、両者を組み合わせることによりさらなる大容量化が可能となる。本発明者は、両者を組み合わせて、１００ＧＢのＢＤ媒体の開発に取り組んだ。具体的には、１層あたり３３．４ＧＢ（従来２５ＧＢ）の情報層を開発し、これを３層積層する形態である。記録容量を２５ＧＢから３３．４ＧＢに増やすということは、記録密度が１．３４倍に増加することを意味し、記録するマーク自体が小さくなる。そこで、小さいマークから従来と同等以上の信号振幅を得ることが技術的課題となる。信号振幅を大きくするためには、記録層のアモルファス相（マーク）と結晶相（マーク間）の反射率比Ｒc／Ｒaを大きくすることが効果的である（Ｒc：記録層が結晶相である場合のＢＤ媒体の鏡面反射率、Ｒa：記録層がアモルファス相である場合のＢＤ媒体の鏡面反射率）。また、層数を２層から３層に増やすためには、最も光の入射側に位置する情報層（Ｌ２）の透過率を２層の場合よりも高めなければならない。２層の場合はＬ１の透過率を５０％で光学設計していたが、３層に対してはＬ２の透過率を５６％以上で光学設計しなければならない。そのためには、３層のＬ２について、光を吸収する層である記録層や反射層を２層のＬ１よりも薄くすればよいが、それはＲc／Ｒaを低下させる要因となる。このように、透過率とＲc／Ｒaとは、互いにトレードオフの関係にある。したがって、大容量化のためには、高透過率と高反射率比とが共に得られるような情報層の実現が要求される。すなわち、このような情報層が実現できるような膜構成の開発、具体的には、記録層に接して設けられる層に用いられる誘電体材料の開発が求められる。
　また、情報層には、上記のような光学的な特性だけでなく、良好な耐湿性や繰り返し書き換え性能等も求められる。そのため、記録層に接して設けられる層には、記録層との良好な密着性も要求される。
　本発明は、前記従来の問題を解決するもので、高透過率と高反射率比とを実現でき、さらに良好な耐湿性及び繰り返し書き換え性能も実現できる情報層を提供することによって、大容量化が可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
　本発明は、光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光の入射側から、第２界面層、記録層、及び第１界面層をこの順に備え、前記第１界面層及び前記第２界面層は、前記記録層に接して配置されており、前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、前記第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、前記第１界面層及び前記第２界面層は、酸化物（Ｃｒ2Ｏ3）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでいる、情報記録媒体を提供する。
　本発明の情報記録媒体によれば、例えば情報層１層あたり３３．４ＧＢ以上の容量を持つ、多層の書換形の情報記録媒体を実現できる。それにより、１００ＧＢ以上の大容量の情報記録媒体を実現することが可能となる。
図１は、本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図２は、本発明の３層の情報層を備えた情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図３は、本発明の４層の情報層を備えた情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図４は、本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の一例について、その構成の一部を模式的に示す図である。 図５は、本発明の情報記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置の一例について、その構成の一部を模式的に示す図である。
　本発明の情報記録媒体は、高透過率と高反射率比とを実現でき、さらに良好な耐湿性及び繰り返し書き換え性能も実現できる情報層を提供することによって、大容量化が可能な情報記録媒体を提供することを目的としてなされた発明である。
　上記目的のうち、高透過率及び高反射率比を達成するために、本発明者は、３層ＢＤ媒体において最も光の入射側に位置する情報層（Ｌ２）に着目し、光の入射側から、第２誘電体層、第２界面層、記録層、第１界面層、第１誘電体層、反射層、及び高屈折率層が順に配置された構成を有する情報層について、光学設計（計算）を行った。その結果、第２界面層及び第１界面層により透明な材料を適用すれば、Ｒc／Ｒaをより大きくできることがわかった。実際に、第１界面層及び第２界面層にＺｒ－Ｃｒ－Ｏを適用したＬ２と、第１界面層及び第２界面層に、より透明な材料を適用したＬ２とを試作して、Ｒc／Ｒaを比較したところ、より透明な材料を適用したＬ２のＲc／Ｒaが大きくなることが確かめられた。この結果から、例えばＬ２の第１界面層及び第２界面層には、消衰係数が小さい（好ましくは消衰係数が０．１未満の）、新規な透明界面層が必要であるということが確かめられた。
　ここで、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏを用いた界面層は、耐湿性及び繰り返し書き換え性能に優れた界面層であり、ＺｒＯ2が透明で熱的に安定した材料であり、Ｃｒ2Ｏ3がカルコゲン系の記録層との密着性に優れた材料である。しかしながら、Ｃｒ2Ｏ3の波長４０５ｎｍの光における消衰係数は約０．２と大きいため、密着性に優れていても単独では使えない。また、ＺｒＯ2は透明な材料であるが、記録層との密着性が不足しているため、ある程度のＣｒ2Ｏ3を添加する必要がある。カルコゲン系の記録層との優れた密着性を示す誘電体材料は非常に少なく、本発明者の実験によれば、Ｃｒ2Ｏ3の他にＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｇｅ－Ｎ、Ｇａ2Ｏ3及びＩｎ2Ｏ3が挙げられる。ただし、ＳｉＣは波長４０５ｎｍの光における消衰係数が０．３程度とＣｒ2Ｏ3よりも大きく、ＺｎＳは上述のようにＳの拡散が生じる。また、Ｇｅ－Ｎは分解温度が７００℃付近にあり、青紫色レーザでは繰り返し記録に耐えない。Ｇａ2Ｏ3及びＩｎ2Ｏ3は透明で密着性にも優れているが、価格が高い。よって、記録層との密着性を確保する材料としては、Ｃｒ2Ｏ3が最も好ましい材料である、との結論に至った。
　上記の検討により、本発明者は、本発明の情報記録媒体の構成、すなわち、光の入射側から、第２界面層、記録層及び第１界面層をこの順に備え、第１界面層及び第２界面層が記録層に接して配置されており、前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、第１界面層及び第２界面層が、酸化物（Ｃｒ2Ｏ3）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでいる構成に到達した。
　以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
　（実施の形態１）
　実施の形態１として、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態１の情報記録媒体９の一部断面図を図１に示す。情報記録媒体９は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な多層情報記録媒体である。
　情報記録媒体９は、基板８と、基板８上に中間層６、５、３等を介して順次積層された、第１情報層７、…、第Ｎ－１情報層４、及び第Ｎ情報層１０を含むＮ層（ＮはＮ≧２を満たす整数）の情報層と、透明層２と、により構成されている。ここで、レーザビーム１の入射側である基板８側から数えて２番目からＮ番目までの情報層である、第２情報層（図示せず）、…、第Ｎ－１情報層４及び第Ｎ情報層１０（以下、基板８側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）に配置されている情報層を「第Ｋ情報層」と記す。）は、光透過形の情報層である。
　透明層２の材料は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。透明層２の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。また、透明層２は、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の樹脂、またはガラスから成るシートもしくは板であってもよい。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または粘着性のシート等によって第２誘電体層１０２に貼り合わせることが可能である。透明層２の厚さは、例えばＮＡ＝０．６の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、０．５５ｍｍ～０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、５０μｍ～１２０μｍの範囲内であることが好ましい。
　レーザビーム１の波長λは、高密度記録の場合、特に４５０ｎｍ以下であることが好ましい。レーザビーム１を集光した際のスポット径が、波長λによって決まってしまう（波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能）ためである。また、λが３５０ｎｍ未満であると、透明層２等による光吸収が大きくなってしまう。よって、λは、３５０ｎｍ～４５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
　基板８は、透明な円盤状の基板である。基板８を構成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを用いることができる。基板８の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。
　基板８の第１情報層７側の表面には、必要に応じてレーザビーム１を導くための案内溝が形成されていてもよい。他方、基板８の第１情報層７側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板８の厚さは、十分な強度が確保され、且つ情報記録媒体９の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．５ｍｍ～１．２ｍｍの範囲内であることが好ましい。なお、透明層２の厚さが０．６ｍｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能な厚さ）の場合、０．５５ｍｍ～０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、透明層２の厚さが０．１ｍｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録再生が可能）の場合、１．０５ｍｍ～１．１５ｍｍの範囲内であることが好ましい。
　中間層６、５、３等は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。中間層６、５、３等は、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。中間層６、５、３等の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。
　中間層６、５、３等は、情報記録媒体９の第Ｎ情報層１０、第Ｎ－１情報層４、…及び第１情報層７のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。中間層６、５、３等の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザビーム１の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のとき、ΔＺ＝０．２８０μｍとなり、±０．３μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、中間層６、５、３等の厚さは０．６μｍ以上であることが必要である。
　隣接する２つの情報層間の距離、及び第Ｎ情報層１０とこれから最も離れた第１情報層７との間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム１を集光することが可能である範囲となるようにすることが望ましい。したがって、中間層６、５、３等の厚さの合計は、対物レンズが許容できる公差内（例えば６０μｍ以下）にすることが好ましい。
　中間層６、５、３等において、レーザビーム１の入射側の表面には、必要に応じてレーザビーム１を導くための案内溝が形成されていてもよい。
　この場合、片側からのレーザビーム１の照射のみにより、第Ｋ情報層（Ｋは１≦Ｋ＜Ｎの整数）を、第Ｎ～第（Ｋ＋１）情報層を透過したレーザビーム１によって記録再生することが可能である。
　なお、第１情報層から第Ｎ情報層のいずれかを、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ））、あるいは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ））としてもよい。
　以下、第Ｎ情報層１０の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第Ｎ情報層１０が、本発明の特徴的な構成を有する情報層、すなわち本発明の情報記録媒体における第Ｌ情報層に相当する。
　第Ｎ情報層１０は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９を備える。なお、第２誘電体層１０２及び／または第１誘電体層１０６は、必要に応じて省略することも可能である。
　第２誘電体層１０２は、誘電体からなる。この第２誘電体層１０２は、記録層１０４の酸化、腐食、及び変形等を防止する働きと、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きと、を有する。
　第２誘電体層１０２を形成する材料として、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、及びＴｅＯ2等から選ばれる１または複数の酸化物を用いることができる。また、Ｃ－Ｎ、Ｔｉ－Ｎ、Ｚｒ－Ｎ、Ｎｂ－Ｎ、Ｔａ－Ｎ、Ｓｉ－Ｎ、Ｇｅ－Ｎ、Ｃｒ－Ｎ、Ａｌ－Ｎ、Ｇｅ－Ｓｉ－Ｎ、及びＧｅ－Ｃｒ－Ｎ等から選ばれる１または複数の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3及びＣｅＦ3等の弗化物、及びＣを、第２誘電体層１０２の材料として用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１または複数の材料の混合物を用いて、第２誘電体層１０２を形成することもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物であるＺｎＳ－ＳｉＯ2は、第２誘電体層１０２の材料として特に優れている。ＺｎＳ－ＳｉＯ2は、非晶質材料であり、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性及び耐湿性が良好であることによる。
　第２誘電体層１０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層１０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きく、且つ記録層１０４での光吸収が大きく、且つ第Ｎ情報層１０の透過率が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２誘電体層１０２の膜厚は、２０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であることが望ましく、３０ｎｍ～４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
　本発明の情報記録媒体の必須の構成要素である第２界面層１０３は、繰り返し記録によって第２誘電体層１０２と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第２界面層１０３は、記録層１０４の結晶化を促進または抑制する、結晶化能を調整する働きもする。第２界面層１０３は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、記録層１０４との密着性が良い材料から成ることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム１を照射した際に、溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第２界面層１０３の材料が混入すると、記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。
　第２界面層１０３は、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素である。本明細書において、以下に示すＭ１も同様である。）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含んでいる。Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを含む材料を用いることにより、第２界面層１０３は、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立することができる。なお、第２界面層１０３は、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを含んでいればよいが、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを主成分として含んでいることが好ましい。本発明の効果をより確実に得るために、第２界面層１０３が、実質的にＭ１、Ｃｒ、及びＯから形成されていてもよい。本明細書において、第２界面層１０３が、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯを主成分として含むとは、第２界面層１０３に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｍ１、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上であることをいう。また、第２界面層１０３が実質的にＭ１、Ｃｒ、及びＯから形成される場合であっても、これら以外の元素（例えばＳｎ）が微量に（例えば５原子％以下で）混入していてもよい。
　ＣｒとＯとを含む材料は、記録層１０４の結晶化をより促進するため好ましく、その中でも、ＣｒとＯがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｃｒ2Ｏ3は記録層１０４との密着性が良い材料である。また、Ｍ１とＯとを含む材料は、第２界面層１０３の透明性を高くすることができるため好ましく、その中でも、Ｍ１とＯとがＮｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3は、透明性が高い材料である。また、上記の酸化物を混合してもよいが、その中でも特にＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とを１：１の割合で含むチタン酸アルミニウム（Ａｌ2ＴｉＯ5）は、複合酸化物であり、融点が１８６０℃と熱的に安定で、且つレーザビーム１の波長の光に対する屈折率を高くできるため、第２界面層１０３用の材料として好ましい。第２界面層１０３は、上記の化合物や複合酸化物以外に、低酸化物（化学量論組成よりも酸素が少ない酸化物）や混合物を含んでもよい。
　第２界面層１０３は、下記式（１）：
Ｍ１aＣｒbＯ100-a-b（原子％）　（１）
（但し、ａ及びｂは、１２＜ａ＜４０、０＜ｂ≦２５、且つ２５＜（ａ＋ｂ）≦４０）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的にＭ１aＣｒbＯ100-a-b（原子％）で表される材料から形成されるとは、第２界面層１０３に含まれるＭ１、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。
　また、第２界面層１０３は、下記式（３）：
（Ｄ１）e（Ｃｒ2Ｏ3）100-e（モル％）　（３）
（但し、Ｄ１はＮｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3から選ばれる少なくとも一つの酸化物であり、ｅは、５０≦ｅ＜１００を満たす。）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的に（Ｄ１）e（Ｃｒ2Ｏ3）100-e（モル％）で表される材料から形成されるとは、第２界面層１０３に含まれるＤ１及びＣｒ2Ｏ3の酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。これらの材料を含むことにより、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立した第２界面層１０３を提供でき、この第２界面層１０３を適用することにより、高反射率比と高透過率とを兼ね備えた第Ｎ情報層１０を提供することができる。
　ただし、第２界面層１０３に含まれるＣｒ量は、酸化物（Ｃｒ2Ｏ3）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲とする。第２界面層１０３に含まれるＣｒ量が多すぎると第２界面層１０３の透明性が低下するため、Ｃｒ量の範囲がこのように設定される。
　なお、本明細書において、「Ｍ１aＣｒbＯ100-a-b（原子％）」とは、「Ｍ１」原子、「Ｃｒ」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００原子％）として表された組成式であることを示している。さらに、「（Ｄ１）e（Ｃｒ2Ｏ3）100-e（モル％）」とは、ｅモル％の化合物Ｄ１と１００－ｅモル％のＣｒ2Ｏ3との混合物であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。
　第２界面層１０３が、ＣｒとＯとがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物を含む場合、記録層１０４との密着性を確保するため、第２界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。さらに、第２界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、第２界面層１０３での透明性をより高く保つため、３０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。Ｃｒ2Ｏ3が多くなると光吸収が増加するため、上述のとおり透明性が低下する傾向にあるからである。
　第２界面層１０３の膜厚は、第２界面層１０３での光吸収によって第Ｎ情報層１０の記録前後の反射光量の変化が小さくならないように、０．５ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ～１５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
　記録層１０４は、レーザビーム１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす材料からなる。本実施の形態の情報記録媒体９において、記録層１０４が、Ｇｅ－Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含んでいてもよい。この場合、記録層１０４の材料として、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ－Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ－Ｓｎ）Ｔｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ－Ｓｎ）Ｔｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ－（Ｓｂ－Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ－Ｓｎ）Ｔｅ－（Ｓｂ－Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ－（Ｂｉ－Ｉｎ）2Ｔｅ3、及び（Ｇｅ－Ｓｎ）Ｔｅ－（Ｂｉ－Ｉｎ）2Ｔｅ3から選ばれるいずれか一つを含む材料を用いることができる。また、記録層１０４が、Ｓｂ－Ｇｅ及びＳｂ－Ｔｅから選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含んでいてもよい。この場合、（Ｓｂ－Ｔｅ）－Ｇａ、Ｓｂ－Ｇｅ、（Ｓｂ－Ｔｅ）－Ｇｅ、（Ｓｂ－Ｔｅ）－Ｉｎ、Ｓｂ－Ｍｎ－Ｇｅ、Ｓｂ－Ｓｎ－Ｇｅ、Ｓｂ－Ｍｎ－Ｓｎ－Ｇｅ、及び（Ｓｂ－Ｔｅ）－Ａｇ－Ｉｎから選ばれるいずれか一つを含む材料を用いることもできる。
　第Ｎ情報層１０は、レーザビーム１の入射側から第Ｎ情報層１０より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量を到達させるため、その透過率を高くする必要がある。このため、記録層１０４の膜厚は、９ｎｍ以下であることが好ましく、８ｎｍ以下であることがより好ましい。
　また、記録層１０４は、Ｔｅを含む層、Ｂｉを含む層、Ｇｅを含む層、Ｓｂを含む層、Ｇｅ－Ｔｅを含む層、Ｓｂ－Ｇｅを含む層等から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部として形成してもよい。例えば、結晶化速度が比較的速いＢｉを含む層と、アモルファス相が比較的安定なＧｅ－Ｔｅを含む層とを積層する構造を含むことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を容易に調整することができる。なお、本明細書において、「（元素Ａ）－（元素Ｂ）」で表される材料とは、元素Ａと元素Ｂとを成分として含む材料のことであり、元素Ａ及び元素Ｂの混合物または合金であることを意味する。
　積層構造の例としては、Ｂｉ2Ｔｅ3（３ｎｍ）／ＧｅＴｅ（４ｎｍ）、（Ｂｉ－Ｉｎ）2Ｔｅ3（３ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（４ｎｍ）、ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3（５ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（２ｎｍ）、Ｓｂ－Ｇｅ（４ｎｍ）／Ｓｂ－Ｔｅ（３ｎｍ）等が挙げられる。もちろん、ここに挙げた材料以外の材料から成る層を使用する、あるいは層の膜厚をここに例示した膜厚以外の膜厚にする構造や、積層順を入れ替えた構造を採用することは可能である。例えば、上記において例示した膜厚を好ましい膜厚比としてとらえ、記録部の所望の膜厚に応じて、各々、例えば２～４倍にしてもよい。
　また、記録層１０４は、不可逆な相変化を起こす材料を用いて構成してもよく、例えばＴｅ－Ｏ、Ｔｅ－Ｐｄ－Ｏ、Ｂｉ－Ｏ、またはＳｂ－Ｏで表される材料で形成することもできる。この場合、記録層１０４の膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
　また、記録層１０４は、不可逆な合金化を起こす材料の積層膜（例えば、Ｃｕ／Ｓｉ積層構造）としてもよい。
　本発明の情報記録媒体の必須の構成要素である第１界面層１０５は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０６と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第１界面層１０５は、記録層１０４の結晶化を促進または抑制する、結晶化能を調整する働きもする。第１界面層１０５は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、記録層１０４との密着性が良い材料から成ることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム１を照射した際に、溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第１界面層１０５の材料が混入すると、記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。
　第１界面層１０５は、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素である。本明細書において、以下に示すＭ２も同様である。）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含んでいる。Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを含む材料を用いることにより、第１界面層１０５は、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立することができる。なお、第１界面層１０５は、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを含んでいればよいが、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを主成分として含んでいることが好ましい。本発明の効果をより確実に得るために、第１界面層１０５が、実質的にＭ２、Ｃｒ、及びＯから形成されていてもよい。本明細書において、第１界面層１０５が、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯを主成分として含むとは、第１界面層１０５に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｍ２、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上であることをいう。また、第１界面層１０５が実質的にＭ２、Ｃｒ、及びＯから形成される場合であっても、これら以外の元素（例えばＳｎ）が微量に（例えば５原子％以下で）混入していてもよい。
　ＣｒとＯとを含む材料は、記録層１０４の結晶化をより促進するため好ましく、その中でも、ＣｒとＯとがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。また、Ｍ２とＯとを含む材料は、第１界面層１０５の透明性を高くすることができるため好ましく、その中でも、Ｍ２とＯとがＮｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2は、透明性が高い材料である。また、上記の酸化物を混合してもよいが、その中でも特にＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とを２：３の割合で含むムライト（Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13）は、複合酸化物であり、融点が１８５０℃と熱的に安定で、且つ屈折率を低くできるため、第１界面層１０５に好ましい材料である。また、上記の化合物や複合酸化物以外に、低酸化物（化学量論組成よりも酸素が少ない酸化物）や混合物を含んでもよい。
　第１界面層１０５は、下記式（２）：
Ｍ２cＣｒdＯ100-c-d（原子％）　（２）
（但し、ｃ及びｄは、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２５＜（ｃ＋ｄ）≦４０）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的にＭ２cＣｒdＯ100-c-d（原子％）で表される材料から形成されるとは、第１界面層１０５に含まれるＭ２、Ｃｒ、及びＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。
　また、第１界面層１０５は、下記式（４）：
（Ｄ２）f（Ｃｒ2Ｏ3）100-f（モル％）　（４）
（但し、Ｄ２は、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物であり、ｆは、５０≦ｆ＜１００を満たす。）で表される材料を含んでもよく、実質的にこの材料から形成されていてもよい。実質的に（Ｄ２）f（Ｃｒ2Ｏ3）100-f（モル％）で表される材料から形成されるとは、第１界面層１０５に含まれるＤ２及びＣｒ2Ｏ3の酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。これらの材料を含むことにより、記録層１０４との優れた密着性と高透明性とを両立した第１界面層１０５を提供でき、この第１界面層１０５を適用することにより、高反射率比と高透過率とを兼ね備えた第Ｎ情報層１０を提供することができる。
　ただし、第１界面層１０５に含まれるＣｒ量は、酸化物（Ｃｒ2Ｏ3）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲とする。第１界面層１０５に含まれるＣｒ量が多すぎると第１界面層１０５の透明性が低下するため、Ｃｒ量の範囲がこのように設定される。
　第１界面層１０５が、ＣｒとＯとがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物を含む場合、記録層１０４との密着性を確保するため、第１界面層１０５中のＣｒ2Ｏ3の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。さらに、第１界面層１０５中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、第１界面層１０５での透明性を高く保つため、３０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。Ｃｒ2Ｏ3が多くなると光吸収が増加するため、上述のとおり透明性が低下する傾向にあるからである。
　第１界面層１０５の膜厚は、第１界面層１０５での光吸収によって第Ｎ情報層１０の記録前後の反射光量の変化が小さくならないように、０．５ｎｍ～３０ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ～１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
　ここで、レーザビーム１が有する波長λの光に対して第２界面層１０３の屈折率をｎ２、第１界面層１０５の屈折率をｎ１としたとき、ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことが、第Ｎ情報層１０の高反射率比と高透過率とを両立するために好ましい。Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3及びＴｉＯ2は屈折率が比較的高い材料であるため、第２界面層１０３にはこれらの材料が多く含まれることが好ましい。また、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3は屈折率が比較的低い材料であるため、第１界面層１０５にはこれらの材料がより多く含まれることが好ましい。第１界面層１０５の屈折率ｎ１と第２界面層１０３の屈折率ｎ２との差は大きいことが好ましく、例えば０．２～０．５の範囲であることが好ましい。
　さらに、第２界面層１０３及び／または第１界面層１０５に含まれるＣｒの一部が、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されていてもよい。ＣｒがＣｒ2Ｏ3の酸化物の状態で含まれる場合は、第２界面層１０３及び／または第１界面層１０５に含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3及びＩｎ2Ｏ3から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されていてもよい。これは、Ｇａ2Ｏ3及びＩｎ2Ｏ3が記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。置換元素（Ｇａ、Ｉｎ）の量が多くなりすぎると記録層１０４との密着性が低下する可能性があるため、置換元素の量はＣｒ量を超えない範囲であることが好ましい。
　第１誘電体層１０６は、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きとを有する。第１誘電体層１０６は、第２誘電体層１０２の材料と同様の系の材料を用いて形成することができる。また、第１誘電体層１０６の膜厚は、０．５ｎｍ～３０ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ～２０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第１誘電体層１０６の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、記録層１０４で発生した熱を効果的に反射層１０８側に拡散させることができる。
　反射層１０８は、記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１０８は、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、反射層１０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
　反射層１０８の材料としては、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、及びＡｌといった、熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、Ａｌ－Ｃｒ、Ａｌ－Ｔｉ、Ａｌ－Ｎｉ、Ａｌ－Ｃｕ、Ａｕ－Ｐｄ、Ａｕ－Ｃｒ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｔｉ、Ａｇ－Ｒｕ－Ａｕ、Ａｇ－Ｃｕ－Ｎｉ、Ａｇ－Ｚｎ－Ａｌ、Ａｇ－Ｎｄ－Ａｕ、Ａｇ－Ｎｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｂｉ、Ａｇ－Ｇａ、Ａｇ－Ｇａ－Ｉｎ、Ａｇ－Ｇａ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｉｎ、Ａｇ－Ｉｎ－Ｓｎ、またはＣｕ－Ｓｉといった合金を用いることもできる。特に、Ａｇを５０原子％以上含むＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１０８の材料として好ましい。反射層１０８の膜厚は、第Ｎ情報層１０の透過率をできるだけ高くするため、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。反射層１０８の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡散機能が十分で、且つ第Ｎ情報層１０の反射率を確保でき、さらに第Ｎ情報層１０の透過率も十分となる。
　透過率調整層１０９は、誘電体からなり、第Ｎ情報層１０の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層１０９によって、記録層１０４が結晶相である場合の第Ｎ情報層１０の透過率Ｔc（％）と、記録層１０４が非晶質相である場合の第Ｎ情報層１０の透過率Ｔa（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層１０９を備える第Ｎ情報層１０の透過率は、透過率調整層１０９が無い場合に比べて、２％～１０％程度上昇する。また、透過率調整層１０９は、記録層１０４で発生した熱を効果的に拡散させる機能も有する。
　透過率調整層１０９の材料には、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＷＯ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｒ－Ｏ等の酸化物を用いることができる。また、Ｔｉ－Ｎ、Ｚｒ－Ｎ、Ｎｂ－Ｎ、Ｔａ－Ｎ、Ｓｉ－Ｎ、Ｇｅ－Ｎ、Ｃｒ－Ｎ、Ａｌ－Ｎ、Ｇｅ－Ｓｉ－Ｎ、及びＧｅ－Ｃｒ－Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。これらの中でも、特にＴｉＯ2、またはＴｉＯ2を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（屈折率ｎ＝２．６～２．８）、消衰係数も小さい（消衰係数ｋ＝０．０～０．０５）ため、第Ｎ情報層１０の透過率を高める作用が大きくなる。
　レーザビーム１が有する波長λの光に対する透過率調整層１０９の屈折率ｎt及び消衰係数ｋtは、第Ｎ情報層１０の透過率Ｔc及びＴaを高める作用をより大きくするため、２．０≦ｎt且つｋt≦０．１を満たすことが好ましく、２．４≦ｎt≦３．０且つｋt≦０．０５を満たすことがより好ましい。
　透過率調整層１０９の膜厚ｄ１は、（３／３２）λ／ｎt≦ｄ１≦（５／３２）λ／ｎtの範囲内であることが好ましい。レーザビーム１の波長λと透過率調整層１０９の屈折率ｎtとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．０≦ｎt≦３．０を満たすように選ぶと、ｄ１の好ましい範囲は、９ｎｍ≦ｄ１≦３０ｎｍとなる。ｄ１をこの範囲内で選ぶことによって、第Ｎ情報層１０の透過率Ｔc及びＴaを共に高くすることができる。
　第Ｎ情報層１０の透過率Ｔc及びＴaは、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第Ｎ情報層１０より遠い側にある情報層に到達させるため、４５≦Ｔc且つ４５≦Ｔaを満たすことが好ましく、５０≦Ｔc且つ５０≦Ｔaを満たすことがより好ましい。
　第Ｎ情報層１０の透過率Ｔc及びＴaは、－５≦（Ｔc－Ｔa）≦５を満たすことが好ましく、－３≦（Ｔc－Ｔa）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc及びＴaがこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第Ｎ情報層１０より遠い側にある情報層の記録再生の際、第Ｎ情報層１０の記録層１０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
　第Ｎ情報層１０において、記録層１０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc（％）、及び記録層１０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa（％）は、Ｒa＜Ｒcを満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc－Ｒa）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc、Ｒaは、０．１≦Ｒa≦１且つ１．５≦Ｒc≦５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa≦０．７且つ１．５≦Ｒc≦３を満たすことがより好ましい。
　情報記録媒体９は、以下に説明する方法によって製造できる。
　まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に（Ｎ－１）個の情報層（第１情報層７から第Ｎ－１情報層４）を、中間層（中間層６、５等）を介して順次積層する。各情報層は、単層膜、または多層膜からなる。各情報層を構成する各層は、成膜装置内で、材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、中間層は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を情報層上に塗布して、その後、基板８を回転させて樹脂を均一に延ばした後（スピンコート）、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板８とかぶせた型（密着させた基板（型））とを回転させてスピンコートし、樹脂を硬化させた後、基板（型）をはがすことによって、中間層に案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
　このようにして、基板８上に（Ｎ－１）個の情報層を、中間層を介して積層した後、さらに、中間層３（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。
　続いて、中間層３上に第Ｎ情報層１０を形成する。具体的には、中間層を介して積層された（Ｎ－１）個の情報層上にさらに中間層３を形成した基板８を、成膜装置内に配置し、中間層３上に透過率調整層１０９を成膜する。透過率調整層１０９は、透過率調整層１０９を構成する誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で高周波（ＲＦ）電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。なお、成膜速度を高めるため、透過率調整層１０９を構成する材料に導電性の材料を微量添加してスパッタリングターゲットに導電性を付加し、直流（ＤＣ）電源またはパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることもできる。また、透過率調整層１０９は、透過率調整層１０９を構成する金属からなるスパッタリングターゲットを、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源を用いて反応性スパッタリングすることによっても形成できる。
　あるいは、透過率調整層１０９は、単独の誘電体の各々のスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、透過率調整層１０９は、２以上の誘電体を組み合わせた２元系スパッタリングターゲットや３元系スパッタリングターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのスパッタリングターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
　続いて、透過率調整層１０９上に、反射層１０８を成膜する。反射層１０８は、反射層１０８を構成する金属または合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、Ｏ2ガス及びＮ2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中で、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。反射層１０８は金属または合金であるため、成膜速度を高められるＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
　続いて、反射層１０８上に、必要に応じて第１誘電体層１０６を成膜する。第１誘電体層１０６は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。
　続いて、反射層１０８上（第１誘電体層１０６を設ける構成の場合は第１誘電体層１０６上）に、第１界面層１０５を成膜する。第１界面層１０５は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。第１界面層１０５は、上記式（２）、（４）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、またはそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。例えば、（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）の組成を有する第１界面層１０５を成膜する場合、（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）の組成を有するスパッタリングターゲットを用意して、Ａｒガス雰囲気中、或いはＡｒとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜することにより、第１界面層１０５を形成することができる。実際に成膜した膜の組成が所望の組成になっているかは、例えばＸ線マイクロアナライザーによる組成分析により調べることが可能である。スパッタリング装置によって、膜中の酸化物の酸素が欠損しやすかったり、膜中の酸素が多くなったりして、所望の組成からずれることがある。このため、スパッタリングターゲットの組成をあらかじめ調整したり、Ａｒガスに混合するＯ2ガスの量を調整したりすることで、所望の膜組成を得ることが可能である。
　続いて、第１界面層１０５上に、記録層１０４を成膜する。記録層１０４は、例えば、Ｇｅ－Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含むスパッタリングターゲット、または、Ｓｂ－Ｇｅ及びＳｂ－Ｔｅから選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含むスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。また、記録層１０４は、例えばＴｅを含むスパッタリングターゲット、Ｂｉを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅ－Ｔｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂ－Ｇｅを含むスパッタリングターゲット、及び、Ｓｂ－Ｔｅを含むスパッタリングターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを、２個以上の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するスパッタリングターゲットの種類及び数、ならびに電源の出力等に応じて、得られる記録層の組成が決定されることとなるので、それらを適宜選択して、所望の組成の記録層１０４が得られるように記録層を構成することが好ましい。このように２種以上のスパッタリングターゲットを使用することは、例えば、混合物のスパッタリングターゲットを形成することが困難である場合に有用である。
　また、記録層１０４が２種以上の層を積層してなる記録部として形成される場合、例えばＴｅを含むスパッタリングターゲット、Ｂｉを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂを含むスパッタリングターゲット、Ｇｅ－Ｔｅを含むスパッタリングターゲット、Ｓｂ－Ｇｅを含むスパッタリングターゲット及びＳｂ－Ｔｅを含むスパッタリングターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを、２個以上の電源を用いて順次及び／または同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。即ち、記録部を成膜するために、２つ以上のスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを２回以上実施してもよく、または２つ以上のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングしてもよい。
　スパッタリングの雰囲気ガスとしては、単層構造の記録層１０４を形成する場合、及び記録部としての記録層１０４を形成する場合のいずれにおいても、希ガス、または希ガスと反応ガス（例えば、Ｎ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガス）との混合ガスを用いることができる。また、スパッタリングに用いる電源も、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源のいずれかを用いることが可能である。
　続いて、記録層１０４上に、第２界面層１０３を成膜する。第２界面層１０３は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。第２界面層１０３は、上記式（１）、（３）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、またはそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。例えば、（Ｎｂ2Ｏ5）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）の組成を有する第２界面層１０３を成膜する場合、（Ｎｂ2Ｏ5）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）の組成を有するスパッタリングターゲットを用意して、Ａｒガス雰囲気中、或いはＡｒとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜することにより、第２界面層１０３を形成することができる。実際に成膜した膜の組成が所望の組成になっているかは、例えばＸ線マイクロアナライザーによる組成分析により調べることが可能である。スパッタリング装置によって、膜中の酸化物の酸素が欠損しやすかったり、膜中の酸素が多くなったりして、所望の組成からずれることがある。このため、スパッタリングターゲットの組成をあらかじめ調整したり、Ａｒガスに混合するＯ2ガスの量を調整したりすることで、所望の膜組成を得ることが可能である。
　続いて、第２界面層１０３上に、必要に応じて第２誘電体層１０２を成膜する。第２誘電体層１０２は、透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。
　最後に、第２界面層１０３上（第２誘電体層１０２を設ける構成の場合は第２誘電体層１０２上）に透明層２を形成する。透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を、第２界面層１０３（または第２誘電体層１０２）上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２として、透明な円盤状の基板を用いてもよく、基板は、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスから成る。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２界面層１０３（または第２誘電体層１０２）上に塗布して、基板を第２誘電体層１０２上に密着させて、スピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、基板に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを第２界面層１０３（または第２誘電体層１０２）に密着させることもできる。
　なお、第２誘電体層１０２を成膜した後、または透明層２を形成した後、必要に応じて、記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　以上のようにして、情報記録媒体９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。また、第Ｎ情報層１０以外の情報層を第Ｎ情報層１０と同様に形成してもよい。
　（実施の形態２）
　実施の形態２として、実施の形態１の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎ＝３、すなわち３層の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態２の情報記録媒体１４の一部断面図を図２に示す。情報記録媒体１４は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な３層情報記録媒体である。
　情報記録媒体１４は、基板８と、基板８上に順次積層した、第１情報層１１、中間層５、第２情報層１２、中間層３、第３情報層１３、及び透明層２と、により構成されている。基板８、中間層３、５、及び透明層２は、実施の形態１で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　以下、第１情報層１１、第２情報層１２、及び第３情報層１３の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第２情報層１２及び第３情報層１３が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。ただし、第１情報層１１も、第１界面層及び第２界面層に実施の形態１で説明した第１界面層１０５及び第２界面層１０３の構成をそれぞれ適用すれば、第Ｌ情報層として機能する。
　第１情報層１１は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層２０３、記録層２０４、第１界面層２０５、及び反射層２０８を備える。なお、中間層５と第２界面層２０３との間に、第２誘電体層２０２を備えてもよい。また、第１界面層２０５と反射層２０８との間に、第１誘電体層２０６を備えてもよい。さらに、第１界面層２０５と反射層２０８との間（第１誘電体層２０６を設ける構成の場合は、第１誘電体層２０６と反射層２０８との間）に、さらなる界面層２０７（図２には示されていないが、本明細書では便宜上「界面層２０７」として説明する）を備えてもよい。第１情報層１１について、情報の記録再生は、透明層２、第３情報層１３、中間層３、第２情報層１２、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。
　第２誘電体層２０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の第２誘電体層１０２と同様である。
　第２誘電体層２０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録層２０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２誘電体層２０２の膜厚は、５０ｎｍ～８０ｎｍの範囲内であることが望ましく、６０ｎｍ～７０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
　第２界面層２０３は、実施の形態１の第２界面層１０３と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２界面層１０３と同様である。また、第２界面層２０３は、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することもでき、その中でも、特にＣｒとＯを含む材料（その中でも、ＣｒとＯとがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物）、ＩｎとＯを含む材料（その中でも、ＩｎとＯとがＩｎ2Ｏ3を形成した酸化物）、及びＧａとＯを含む材料（その中でも、ＧａとＯとがＧａ2Ｏ3を形成した酸化物）を用いることが好ましい。また、第２界面層２０３は、これらの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよく、当該元素は酸化物として含まれることがより好ましい。ＺｒＯ2及びＨｆＯ2は、透明で、融点が約２７００～２８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料で、情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を良くする。また、Ｙ2Ｏ3は透明な材料で、且つＺｒＯ2及びＨｆＯ2を安定化させる働きをする。また、この３種類の酸化物のいずれか１つまたは複数を混合することによって、第２界面層２０３を記録層２０４と部分的にまたは全体的に接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い第１情報層１１を実現できる。また、第２界面層２０３には、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含む材料を用いてもよい。Ｓｉを例えばＳｉＯ2として第２界面層２０３内に含ませることにより、透明性が高くなり、記録性能に優れた第１情報層１１を実現できる。
　記録層２０４は、実施の形態１の記録層１０４と同様の材料で形成することができる。記録層２０４の膜厚は、その材料が可逆的な相変化を起こす材料の場合、第１情報層１１の記録感度を高くするために、６ｎｍ～１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内においても、記録層２０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層２０４が薄い場合には、第１情報層１１の反射率が小さくなる。したがって、記録層２０４の膜厚は、８ｎｍ～１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、記録層２０４を、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ－Ｐｄ－Ｏ）を用いて構成する場合は、記録層２０４の膜厚は１０ｎｍ～４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
　第１界面層２０５は、実施の形態１の第１界面層１０５の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０５と同様である。なお、第２界面層２０３と同様に、第１界面層１０５を、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することもでき、その中でも、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3及びＳｉＯ2を含む材料を好適に用いることができる。
　第１誘電体層２０６は、実施の形態１の第１誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１誘電体層１０６と同様である。
　反射層２０８は、実施の形態１の反射層１０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の反射層１０８と同様である。反射層２０８の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層２０８が２００ｎｍよりも厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて第１情報層１１の記録感度が低下する。したがって、反射層２０８の膜厚は３０ｎｍ～２００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
　反射層２０８と第１界面層２０５との間（第１誘電体層２０６を設ける構成の場合は反射層２０８と第１誘電体層２０６との間）に、さらなる界面層を配置してもよい。図２に示す情報記録媒体１４においてこのような界面層が設けられる場合、当該界面層は、符号２０８で示される層と符号２０６で示される層との間に、符号２０７で示される層として形成してよい。この場合、界面層２０７を形成する材料としては、反射層２０８について説明した材料よりも熱伝導率の低い材料を用いることができる。反射層２０８にＡｇ合金を用いた場合、界面層２０７の材料として、例えばＡｌ、またはＡｌ合金を用いることができる。
　また、界面層２０７の材料としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ及びＣ等の元素や、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、及びＴｅＯ2等の酸化物を用いることができる。また、Ｃ－Ｎ、Ｔｉ－Ｎ、Ｚｒ－Ｎ、Ｎｂ－Ｎ、Ｔａ－Ｎ、Ｓｉ－Ｎ、Ｇｅ－Ｎ、Ｃｒ－Ｎ、Ａｌ－Ｎ、Ｇｅ－Ｓｉ－Ｎ、及びＧｅ－Ｃｒ－Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3及びＣｅＦ3等の弗化物、及びＣを用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１または複数の材料の混合物を用いて、界面層２０７を構成することもできる。界面層２０７の膜厚は、３ｎｍ～１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
　第１情報層１１において、記録層２０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc1（％）、及び記録層２０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1－Ｒa1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、１≦Ｒa1≦１２且つ１６≦Ｒc1≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒa1≦６且つ１６≦Ｒc1≦３２を満たすことがより好ましい。
　第２情報層１２は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２誘電体層３０２、第２界面層３０３、記録層３０４、第１界面層３０５、第１誘電体層３０６、反射層３０８、及び透過率調整層３０９を備える。なお、第２誘電体層３０２及び第１誘電体層３０６は、必要に応じて省略することも可能である。第２情報層１２について、情報の記録再生は、透明層２、第３情報層１３、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
　第２情報層１２を構成する、第２誘電体層３０２、第２界面層３０３、記録層３０４、第１界面層３０５、第１誘電体層３０６、反射層３０８、及び透過率調整層３０９は、それぞれ実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　第２情報層１２において、記録層３０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔc2（％）、及び第２記録層３０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔa2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１２より遠い側にある情報層に到達させるため、４５≦Ｔc2且つ４５≦Ｔa2を満たすことが好ましく、５０≦Ｔc2且つ５０≦Ｔa2を満たすことがより好ましい。
　第２情報層１２の透過率Ｔc2及びＴa2は、－５≦（Ｔc2－Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、－３≦（Ｔc2－Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１２より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１２の記録層３０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
　第２情報層１２において、記録層３０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc2（％）、及び記録層３０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2－Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc2、Ｒa2は、０．３≦Ｒa2≦４且つ５≦Ｒc2≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒa2≦３且つ５≦Ｒc2≦９を満たすことがより好ましい。
　第３情報層１３は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２誘電体層４０２、第２界面層４０３、記録層４０４、第１界面層４０５、第１誘電体層４０６、反射層４０８、及び透過率調整層４０９を備える。なお、第２誘電体層４０２及び第１誘電体層４０６は、必要に応じて省略することも可能である。
　第３情報層１３を構成する、第２誘電体層４０２、第２界面層４０３、記録層４０４、第１界面層４０５、第１誘電体層４０６、反射層４０８、及び透過率調整層４０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　第３情報層１３において、記録層４０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔc3（％）、及び記録層４０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔa3（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第３情報層１３より遠い側にある情報層に到達させるため、５０≦Ｔc3且つ５０≦Ｔa3を満たすことが好ましく、５５≦Ｔc3且つ５５≦Ｔa3を満たすことがより好ましい。
　第３情報層１３の透過率Ｔc3及びＴa3は、－５≦（Ｔc3－Ｔa3）≦５を満たすことが好ましく、－３≦（Ｔc3－Ｔa3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc3及びＴa3がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第３情報層１３より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層１３の記録層４０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
　第３情報層１３において、記録層４０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc3（％）、及び第１記録層４０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc3－Ｒa3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc3、Ｒa3は、０．１≦Ｒa3≦１且つ１．５≦Ｒc3≦５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa3≦０．７且つ１．５≦Ｒc3≦３を満たすことがより好ましい。
　このようにＲc1、Ｒa1、Ｒc2、Ｒa2、Ｒc3、Ｒa3、Ｔc2、Ｔa2、Ｔc3、Ｔa3、を設計することにより、第１情報層１３、第２情報層１４、第３情報層１５からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が２％）ことができる。
　情報記録媒体１４は、以下に説明する方法によって製造できる。
　まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
　続いて、基板８上に第１情報層を形成する。具体的には、まず、基板８上に、反射層２０８、第１界面層２０５、記録層２０４、及び第２界面層２０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層２０８と第１界面層２０５の間に界面層２０７を成膜してもよい。また、必要に応じて反射層２０８と第１界面層２０５との間に第１誘電体層２０６を成膜してもよい。さらに、必要に応じて中間層５と第２界面層２０３との間に第２誘電体層２０２を成膜してもよい。
　基板８上に反射層２０８を成膜するとき、基板８にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に反射層２０８を成膜する。反射層２０８は、実施の形態１の反射層１０８と同様の方法で形成できる。
　続いて、反射層２０８上に、必要に応じて界面層２０７を成膜する。界面層２０７は、実施の形態１の反射層１０８、または透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。
　続いて、反射層２０８上（界面層２０７を設ける構成の場合は界面層２０７上）に、必要に応じて第１誘電体層２０６を成膜する。第１誘電体層２０６は、実施の形態１の透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。
　続いて、反射層２０８上（第１誘電体層２０６を設ける構成の場合は第１誘電体層２０６上、第１誘電体層２０６を設けず且つ界面層２０７を設ける構成の場合は界面層２０７上）に、第１界面層２０５を成膜する。第１界面層２０５は、実施の形態１の第１界面層１０５と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１界面層２０５上に、記録層２０４を成膜する。記録層２０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４と同様の方法で形成できる。
　続いて、記録層２０４上に、第２界面層２０３を成膜する。第２界面層２０３は、実施の形態１の第２界面層１０３と同様の方法で形成できる。
　続いて、第２界面層２０３上に、必要に応じて第２誘電体層２０２を成膜する。第２誘電体層２０２は、実施の形態１の透過率調整層１０９と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第１情報層１１を形成する。
　続いて、第１情報層１１の第２界面層２０３上（第２誘電体層２０２を設ける構成の場合は第２誘電体層２０２上）に、中間層５（厚さが例えば２５μｍ）を形成する。中間層５は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を第２界面層２０３（または第２誘電体層２０２）上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層５がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
　なお、第２界面層２０３または第２誘電体層２０２を成膜した後、または、中間層５を形成した後に、必要に応じて、記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　続いて、中間層５上に第２情報層１２を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、透過率調整層３０９、反射層３０８、第１界面層３０５、記録層３０４、及び第２界面層３０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層３０８と第１界面層３０５との間に第１誘電体層３０６を成膜してもよい。また、必要に応じて、第２界面層３０３を成膜した後、第２誘電体層３０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第２情報層１２を形成する。
　続いて、第２情報層１２の第２界面層３０３上（第２誘電体層３０２を設ける構成の場合は第２誘電体層３０２上）に、上述の中間層５と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば１８μｍ）を形成する。
　なお、第２界面層３０３または第２誘電体層３０２を成膜した後、または中間層３を形成した後に、必要に応じて、記録層２０４及び／または記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４及び／または記録層３０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　続いて、中間層３上に第３情報層１３を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、透過率調整層４０９、反射層４０８、第１界面層４０５、記録層４０４、及び第２界面層４０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層４０８と第１界面層４０５との間に第１誘電体層４０６を成膜してもよい。また、必要に応じて第２界面層４０３を成膜した後、第２誘電体層４０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第３情報層１３を形成する。
　最後に、第３情報層１３の第２界面層４０３上（第２誘電体層４０２を設ける構成の場合は第２誘電体層４０２上）に、透明層２（厚さが例えば５７μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
　なお、第２界面層４０３または第２誘電体層４０２を成膜した後、または透明層２を形成した後に、必要に応じて、記録層２０４、記録層３０４、及び／または記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層２０４、記録層３０４、及び／または記録層４０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　以上のようにして、情報記録媒体１４を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
　（実施の形態３）
　実施の形態３として、実施の形態１の多層情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４層の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の情報記録媒体１９の一部断面図を図３に示す。情報記録媒体１９は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な４層情報記録媒体である。
　情報記録媒体１９は、基板８と、基板８上に順次積層した、第１情報層１５、中間層６、第２情報層１６、中間層５、第３情報層１７、中間層３、第４情報層１８、及び透明層２と、により構成されている。基板８、中間層３、５、６、及び透明層２は、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　以下、第１情報層１５、第２情報層１６、第３情報層１７及び第４情報層１８の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第２情報層１６、第３情報層１７及び第４情報層１８が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。ただし、第１情報層１５も、第１界面層及び第２界面層に実施の形態１で説明した第１界面層１０５及び第２界面層１０３の構成をそれぞれ適用すれば、第Ｌ情報層として機能する。
　第１情報層１５は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層５０３、記録層５０４、第１界面層５０５、及び反射層５０８を備える。なお、中間層６と第２界面層５０３との間に、第２誘電体層５０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層５０５と反射層５０８との間に、第１誘電体層５０６をさらに備えてもよい。さらに、第１界面層５０５と反射層５０８との間（第１誘電体層５０６を設ける構成の場合は、第２誘電体層５０６と反射層５０８との間）に、さらなる界面層（図３には示されていないが、本明細書では便宜上「界面層５０７」として説明する）を備えてもよい。第１情報層１５について、情報の記録再生は、透明層２、第４情報層１８、中間層３、第３情報層１７、中間層５、第２情報層１６、及び中間層６を透過したレーザビーム１によって行われる。
　第１情報層１５を構成する、第２誘電体層５０２、第２界面層５０３、記録層５０４、第１界面層５０５、第１誘電体層５０６、界面層５０７、及び反射層５０８は、それぞれ、実施の形態２の第１情報層１１の第２誘電体層２０２、第２界面層２０３、記録層２０４、第１界面層２０５、第１誘電体層２０６、界面層２０７、及び反射層２０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　第１情報層１５において、記録層５０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc1（％）、及び記録層５０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1－Ｒa1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、１≦Ｒa1≦１２且つ１６≦Ｒc1≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒa1≦６且つ１６≦Ｒc1≦３２を満たすことがより好ましい。
　第２情報層１６は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層６０３、記録層６０４、第１界面層６０５、反射層６０８、及び透過率調整層６０９を備える。なお、中間層５と第２界面層６０３の間に、第２誘電体層６０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層６０５と反射層６０８の間に、第１誘電体層６０６をさらに備えてもよい。第２情報層１６について、情報の記録再生は、透明層２、第４情報層１８、中間層３、第３情報層１７、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。
　第２情報層１６を構成する、第２誘電体層６０２、第２界面層６０３、記録層６０４、第１界面層６０５、第１誘電体層６０６、反射層６０８、及び透過率調整層６０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　第２情報層１６において、記録層６０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔc2（％）、及び記録層６０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔa2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１６より遠い側にある情報層に到達させるため、５５≦Ｔc2且つ５５≦Ｔa2を満たすことが好ましく、６０≦Ｔc2且つ６０≦Ｔa2を満たすことがより好ましい。
　第２情報層１６の透過率Ｔc2及びＴa2は、－５≦（Ｔc2－Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、－３≦（Ｔc2－Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１６より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１６の記録層６０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
　第２情報層１６において、記録層６０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc2（％）、及び記録層６０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2－Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc2、Ｒa2は、０．３≦Ｒa2≦４且つ５≦Ｒc2≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒa2≦３且つ５≦Ｒc2≦９を満たすことがより好ましい。
　第３情報層１７は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層７０３、記録層７０４、第１界面層７０５、反射層７０８、及び透過率調整層７０９を備える。なお、中間層３と第２界面層７０３の間に、第２誘電体層７０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層７０５と反射層７０８との間に、第１誘電体層７０６をさらに備えてもよい。第３情報層１７について、情報の記録再生は、透明層２、第４情報層１８、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
　第３情報層１７を構成する、第２誘電体層７０２、第２界面層７０３、記録層７０４、第１界面層７０５、第１誘電体層７０６、反射層７０８、及び透過率調整層７０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　第３情報層１７において、記録層７０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔc3（％）、及び記録層７０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔa3（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第３情報層１７より遠い側にある情報層に到達させるため、６０≦Ｔc3且つ６０≦Ｔa3を満たすことが好ましく、６５≦Ｔc3且つ６５≦Ｔa3を満たすことがより好ましい。
　第３情報層１７の透過率Ｔc3及びＴa3は、－５≦（Ｔc3－Ｔa3）≦５を満たすことが好ましく、－３≦（Ｔc3－Ｔa3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc3及びＴa3がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第３情報層１７より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層１７の記録層７０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
　第３情報層１７において、記録層７０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc3（％）、及び記録層７０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc3－Ｒa3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc3、Ｒa3は、０．１≦Ｒa3≦１且つ１．５≦Ｒc3≦６を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa3≦０．７且つ１．５≦Ｒc3≦３．５を満たすことがより好ましい。
　第４情報層１８は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第２界面層８０３、記録層８０４、第１界面層８０５、反射層８０８、及び透過率調整層８０９を備える。なお、透明層２と第２界面層８０３の間に、第２誘電体層８０２をさらに備えてもよい。また、第１界面層８０５と反射層８０８との間に、第１誘電体層８０６をさらに備えてもよい。
　第４情報層１８を構成する、第２誘電体層８０２、第２界面層８０３、記録層８０４、第１界面層８０５、第１誘電体層８０６、反射層８０８、及び透過率調整層８０９は、それぞれ、実施の形態１の第Ｎ情報層１０の第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
　第４情報層１８において、記録層８０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔc4（％）、及び記録層８０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての透過率Ｔa4（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第４情報層１８より遠い側にある情報層に到達させるため、６０≦Ｔc4且つ６０≦Ｔa4を満たすことが好ましく、６５≦Ｔc4且つ６５≦Ｔa4を満たすことがより好ましい。
　第４情報層１８の透過率Ｔc4及びＴa4は、－５≦（Ｔc4－Ｔa4）≦５を満たすことが好ましく、－３≦（Ｔc4－Ｔa4）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc4及びＴa4がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第４情報層１８より遠い側にある情報層の記録再生の際、第４情報層１８の記録層８０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
　第４情報層１８において、記録層８０４が結晶相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒc4（％）、及び記録層８０４が非晶質相である場合のレーザビーム１についての反射率Ｒa4（％）は、Ｒa4＜Ｒc4を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc4－Ｒa4）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc4、Ｒa4は、０．１≦Ｒa4≦０．８且つ１．２≦Ｒc4≦３を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa4≦０．５且つ１．２≦Ｒc4≦２を満たすことがより好ましい。
　このようにＲc1、Ｒa1、Ｒc2、Ｒa2、Ｒc3、Ｒa3、Ｒc4、Ｒa4、Ｔc2、Ｔa2、Ｔc3、Ｔa3、Ｔc4、Ｔa4、を設計することにより、第１情報層１５、第２情報層１６、第３情報層１７、第４情報層１８からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が１．５％）ことができる。
　情報記録媒体１９は、以下に説明する方法によって製造できる。
　まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
　続いて、基板８上に第１情報層１５を形成する。具体的には、まず、基板８上に、反射層５０８、第１界面層５０５、記録層５０４、及び第２界面層５０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層５０８と第１界面層５０５との間に界面層５０７を成膜してもよい。また、必要に応じて反射層５０８と第１界面層５０５との間に第１誘電体層５０６を成膜してもよい。さらに、必要に応じて中間層６と第２界面層５０３との間に第２誘電体層５０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態２で説明した、第１情報層１１の反射層２０８、界面層２０７、第１誘電体層２０６、第１界面層２０５、記録層２０４、第２界面層２０３、及び第２誘電体層２０２と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第１情報層１５を形成する。
　続いて、第１情報層１５の第２界面層５０３上（第２誘電体層５０２を設ける構成の場合は第２誘電体層５０２上）に、中間層６（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。中間層６は、光硬化性樹脂（特にアクリル系のに紫外線硬化性樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を第２界面層５０３上（または第２誘電体層５０２上）に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層６がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
　なお、第２界面層５０３または第２誘電体層５０２を成膜した後、または中間層６を形成した後、必要に応じて、記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　続いて、中間層６上に第２情報層１６を形成する。具体的には、まず、中間層６上に、透過率調整層６０９、反射層６０８、第１界面層６０５、記録層６０４、及び第２界面層６０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層６０８と第１界面層６０５との間に第１誘電体層６０６を成膜してもよい。また、必要に応じて中間層５と第２界面層６０３との間に第２誘電体層６０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した、第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第２情報層１６を形成する。
　続いて、第２情報層１６の第２界面層６０３上（第２誘電体層６０２を設ける構成の場合は第２誘電体層６０２上）に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層５（厚さが例えば２０μｍ）を形成する。
　なお、第２界面層６０３または第２誘電体層６０２を成膜した後、または中間層５を形成した後、必要に応じて、記録層５０４及び／または記録層６０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４及び／または記録層６０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　続いて、中間層５上に第３情報層１７を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、透過率調整層７０９、反射層７０８、第１界面層７０５、記録層７０４、及び第２界面層７０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層７０８と第１界面層７０５との間に第１誘電体層７０６を成膜してもよい。また、必要に応じて中間層３と第２界面層７０３との間に第２誘電体層７０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ、実施の形態１で説明した、第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第３情報層１７を形成する。
　続いて、第３情報層１７の第２界面層７０３上（第２誘電体層７０２を設ける構成の場合は第２誘電体層７０２上）に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば１５μｍ）を形成する。
　なお、第２界面層７０３または第２誘電体層７０２を成膜した後、または中間層３を形成した後、必要に応じて、記録層５０４、記録層６０４、及び／または記録層７０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４、記録層６０４、及び／または記録層７０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　続いて、中間層３上に第４情報層１８を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、透過率調整層８０９、反射層８０８、第１界面層８０５、記録層８０４、及び第２界面層８０３をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて反射層８０８と第１界面層８０５との間に第１誘電体層８０６を成膜してもよい。また、必要に応じて透明層２と第２界面層８０３との間に第２誘電体層８０２を成膜してもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第Ｎ情報層１０の透過率調整層１０９、反射層１０８、第１誘電体層１０６、第１界面層１０５、記録層１０４、第２界面層１０３、及び第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
　このようにして、第４情報層１８を形成する。
　最後に、第２界面層８０３上（第２誘電体層８０２を設ける構成の場合は第２誘電体層８０２上）に、透明層２（厚さが例えば５５μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
　なお、第２界面層８０３または第２誘電体層８０２を成膜した後、または透明層２を形成した後、必要に応じて、記録層５０４、記録層６０４、記録層７０４、及び／または記録層８０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層５０４、記録層６０４、記録層７０４、及び／または記録層８０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
　以上のようにして、情報記録媒体１９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
　（実施の形態４）
　実施の形態４では、実施の形態１、２及び３として説明した本発明の情報記録媒体の記録再生方法について説明する。
　本発明の情報記録媒体の記録再生方法に用いられる記録再生装置３４の一例について、その一部の構成を図４に模式的に示す。図４に示す記録再生装置３４は、情報記録媒体３３を回転させるためのスピンドルモータ２９と、半導体レーザ３１、及び半導体レーザ３１から出射されるレーザビーム１を集光する対物レンズ３０を備える光学ヘッド３２とを備える。情報記録媒体３３は、実施の形態１～３の情報記録媒体であり、複数の情報層（例えば第１情報層１１、第２情報層１２及び第３情報層１３）を備える。対物レンズ３０は、レーザビーム１を情報層上に集光する。
　情報記録媒体への情報の記録、消去、及び上書き記録は、レーザビーム１のパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐb（ｍＷ））との間で変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビーム１を照射することによって、記録層の局所的な一部分が非晶質相にされ、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビーム１が照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビーム１を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスは、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルだけで２値変調されてもよいし、バイアスパワーよりさらに低パワーのクーリングパワー（Ｐc（ｍＷ））及びボトムパワー（ＰB（ｍＷ））を加えて、０ｍＷ～ピークパワーの範囲のパワーレベルによって３値変調、または４値変調されてもよい。
　また、情報信号の再生は、再生パワーのレーザビーム１を照射することによって得られる情報記録媒体からの信号を検出器で読みとることにより実施する。再生パワー（Ｐr（ｍＷ））は、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビーム１の照射によって、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるパワーに設定される。
　対物レンズ３０の開口数ＮＡは、レーザビーム１のスポット径を０．４μｍ～０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５～１．１の範囲内であることが好ましく、０．６～０．９の範囲内であることがより好ましい。レーザビーム１の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ～４５０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録する際の情報記録媒体の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる２ｍ／秒～１５ｍ／秒の範囲内であることが好ましく、６ｍ／秒～１０ｍ／秒の範囲内であることがより好ましい。情報記録媒体の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、及び線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビーム１の波長は、６５０～６７０ｎｍであってよい。また、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）やソリッドイマージョンミラー（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間層と透明層は５μｍ以下で形成してよい。
　３つの情報層を備えた情報記録媒体１４（図２参照）において、第１情報層１１で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を記録層２０４に合わせ、透明層２、第３情報層１３、中間層３、第２情報層１２及び中間層５を透過したレーザビーム１によって記録層２０４に情報を記録する。再生は、記録層２０４によって反射され、中間層５、第２情報層１２、中間層３、第３情報層１３及び透明層２を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。第２情報層１２で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を記録層３０４に合わせ、透明層２、第３情報層１３、中間層３を透過したレーザビーム１によって情報を記録する。再生は、記録層３０４によって反射され、中間層３、第３情報層１３及び透明層２を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。第３情報層１３で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を記録層４０４に合わせ、透明層２を透過したレーザビーム１によって情報を記録する。再生は、記録層４０４によって反射され、透明層２を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。
　なお、基板８、中間層３、５、６に、レーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム１の入射側から近い方の溝面（グルーブ）に行われてもよいし、遠い方の溝面（ランド）に行われてもよい。また、グルーブとランドの両方に情報を記録してもよい。この場合、グルーブのみに情報を記録することが好ましい。
　この記録再生装置を用いて、情報記録媒体の性能を次のようにして評価できる。信号強度は、レーザビーム１を０～Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１６８μｍ（３Ｔ）と０．４４６μｍ（８Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、最後に３Ｔ信号を上書きした場合の３Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ　ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ　ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定することによって、評価できる。なお、ＣＮＲが大きいほど信号強度が強い。
　また、消去性能は、レーザビーム１を０～Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１６８μｍ（３Ｔ）と０．４４６μｍ（８Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、１１回目に３Ｔ信号を上書きした場合の３Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後８Ｔ信号を上書きした場合の３Ｔ信号の信号振幅の差を、３Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定することにより評価できる。なお、消去率が大きいほど、消去性能が良い。
　なお、Ｐp、Ｐb、Ｐc、及びＰBは、信号振幅と消去率が最も大きくなるように決定する。
　（実施の形態５）
　実施の形態５として、本発明の第２界面層及び第１界面層の成膜に用いられるスパッタリングターゲットの実施の形態について、以下に説明する。
　第２界面層の成膜に用いられる本実施の形態のスパッタリングターゲットは、Ｍ１とＣｒとを含む。第１界面層の成膜に用いられる本実施の形態のスパッタリングターゲットは、Ｍ２とＣｒと含む。これらを用いると、希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）とを導入することにより、Ｍ１とＣｒとＯとを含む第２界面層と、Ｍ２とＣｒとＯとを含む第１界面層とを形成することができる。さらに、上記のスパッタリングターゲットにさらにＯを含めるスパッタリングターゲットを用いることもできる。このようなスパッタリングターゲットを用いることにより、希ガスのみ、または希ガスと微量の反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガスを導入することにより、第２界面層及び第１界面層が形成できる。
　また、高速成膜において、情報記録媒体の、例えば反射率の個体ばらつきや、ジッタの媒体面内ばらつきを小さく抑えることができる。より高速な成膜を行い、ばらつきをより小さくするように、本スパッタリングターゲットは、密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する）が高いことが好ましい。好ましくは８０％以上で、より好ましくは９０％以上である。
　次に、本実施の形態のスパッタリングターゲットの製造方法の一例を説明する。
　例えば、Ｍ１とＣｒとを含むスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ１の粉末及び材料Ｃｒの粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、スパッタリングターゲットの面内・厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度及び時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なスパッタリングターゲットを製造することが可能になる。このようにして、Ｍ１とＣｒとを所定の組成比で含むスパッタリングターゲットが完成する。焼結後、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着してもよい。こうすることにより、スパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。
　同様に、Ｍ２とＣｒとを含むスパッタリングターゲットも、所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ２の粉末、及び材料Ｃｒの粉末を準備して、上記の方法で製造することができる。
　あるいは、上記のスパッタリングターゲットを製造する際には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ１－Ｃｒの粉末、及び材料Ｍ２－Ｃｒの粉末を準備してもよく、いずれの粉末の組み合わせでも、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造できる。
　同様に、製造するスパッタリングターゲットがＯを含む場合には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｍ１－Ｏの粉末、材料Ｍ２－Ｏの粉末、及び材料Ｃｒ－Ｏの粉末を準備して、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造することができる。
　第２界面層及び第１界面層を作製する方法としては、上記スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法を用いて成膜を行うことが望ましい。スパッタリング法を用いた場合、多層膜を積層するための量産用の成膜装置が既に市場に提供されており、比較的容易に良好な膜質の薄膜が得られるという利点がある。
　ここで、本実施の形態において用いられるスパッタリング装置の一例について説明する。図５にはスパッタリング装置を用いて成膜する様子が示されている。図５に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器３５に排気口３６を通して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器３５内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口３７からは、一定流量のガスを供給できるようになっている。基板３９（ここでの基板とは、膜を堆積させるための基材のことである。）は陽極３８に載置されている。真空容器３５を接地することにより、真空容器３５及び基板３９が陽極に保たれている。スパッタリングターゲット４０は陰極４１に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源４２に接続されている。陽極３８と陰極４１との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット４０から放出された粒子により基板３９上に薄膜が形成できる。
　本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
　（実施例１）
　実施例１では、図２の情報記録媒体１４を作製し、第３情報層１３の第１界面層４０５及び第２界面層４０３の材料と、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の屈折率及び消衰係数と、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3と、第３情報層１３の透過率Ｔc3と、第３情報層１３のＣＮＲと、第３情報層１３の消去率と、第３情報層１３の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の材料が異なる第３情報層１３を含む情報記録媒体１４のサンプル１－１から１－６、サンプル２－１から２－６、サンプル３－１から３－６、サンプル４－１から４－６、サンプル５－１から５－６、サンプル６－１から６－６、サンプル７－１から７－３を作製し、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の屈折率と消衰係数、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3、第３情報層１３の透過率Ｔc3、第３情報層１３のＣＮＲ、第３情報層１３の消去率、及び第３情報層１３の耐湿性を確認した。
　サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１情報層１１を積層した。反射層２０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第１誘電体層２０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層２０５として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層２０４としてＧｅ45Ｓｂ4Ｔｅ51層（厚さ：１１ｎｍ）、第２界面層２０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層２０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層２０６を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１界面層２０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、記録層２０４を成膜するＧｅ－Ｓｂ－Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層２０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２誘電体層２０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。なお、スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　反射層２０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１誘電体層２０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層２０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層２０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層２０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層２０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
　次に、第２誘電体層２０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１２側に形成された、厚さ２５μｍの中間層５を得た。
　その後、中間層５の上に、第２情報層１２を積層した。透過率調整層３０９として（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層３０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：９ｎｍ）、第１誘電体層３０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層３０５として（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60層（厚さ：５ｎｍ）、記録層３０４としてＧｅ45Ｓｂ3Ｉｎ1Ｔｅ51層（厚さ：７ｎｍ）、第２界面層３０３として（Ｃｒ2Ｏ3）30（Ａｌ2Ｏ3）70層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層３０９を成膜する（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40スパッタリングターゲット、反射層３０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第１界面層３０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60スパッタリングターゲット、記録層３０４を成膜するＧｅ－Ｓｂ－Ｉｎ－Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層３０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）30（Ａｌ2Ｏ3）70スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　透過率調整層３０９の成膜は、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合のＯ2ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層３０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層３０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層３０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層３０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層３０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層３０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
　次に、第２誘電体層３０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第３情報層１３側に形成された、厚さ１８μｍの中間層３を得た。
　その後、中間層３の上に、第３情報層１３を積層した。透過率調整層４０９として（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40層（厚さ：１５ｎｍ）、反射層４０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第１誘電体層４０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：６ｎｍ）、第１界面層４０５（厚さ：５ｎｍ）、記録層４０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：６ｎｍ）、第１界面層４０３（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層４０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４０９を成膜する（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40スパッタリングターゲット、反射層４０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層４０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第１界面層４０５を成膜するスパッタリングターゲット、記録層４０４を成膜するＧｅ－Ｉｎ－Ｂｉ－Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層４０３を成膜するスパッタリングターゲット、第２誘電体層４０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　透過率調整層４０９の成膜は、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気（全体に対して１％の割合のＯ2ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層４０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層４０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層４０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層４０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層４０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層４０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
　最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第２誘電体層４０２上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ５７μｍの透明層２を形成した。その後、記録層２０４、記録層３０４、及び記録層４０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層４０５、及び第２界面層４０３の材料が異なる複数のサンプルを製造した。
　なお、第１界面層４０５及び第２界面層４０３の屈折率及び消衰係数を測定するサンプルは、ポリカーボネート基板上に屈折率及び消衰係数測定用の石英基板（長さ１２ｍｍ×幅１８ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を貼り付け、その石英基板を貼り付けたポリカーボネート基板上に、第１界面層４０５または第２界面層４０３となる材料を膜厚が２０ｎｍ程度となるように、スパッタリング法によって成膜することにより準備した。屈折率及び消衰係数の測定にはエリプソメータを用いた。
　このようにして得られたサンプルについて、図４の記録再生装置３４を用いて、情報記録媒体１４の第１情報層１１、第２情報層１２、及び第３情報層１３の反射率を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は７．４ｍ／ｓ、再生パワーは１．０ｍＷとした。また、反射率はグルーブで測定した。
　第３情報層１３の透過率（Ｔc3）については、第２情報層１２のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル１－１から１－６、サンプル２－１から２－６、サンプル３－１から３－６、サンプル４－１から４－６、サンプル５－１から５－６、サンプル６－１から６－６、サンプル７－１から７－３の第２情報層１４の反射率（Ｒc2）とから計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc3×Ｔc3）して求めた。
　また、第３情報層１３のＣＮＲ及び消去率を測定する際の記録マーク長は、０．１６８μｍ（３Ｔ）及び０．４４６μｍ（８Ｔ）とした。
　さらに、第３情報層１３の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
　各サンプルについて、第１界面層４０５の材料及び第２界面層４０３の材料を（表１－１）、（表２－１）、（表３－１）、（表４－１）、（表５－１）、（表６－１）及び（表７－１）に示す。また、各サンプルについて、第１界面層４０５の屈折率と消衰係数、第２界面層４０３の屈折率と消衰係数、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3、第３情報層１３の透過率Ｔc3、第３情報層１３のＣＮＲ、第３情報層１３の消去率、第３情報層１３の耐湿性、及び総合評価を、（表１－２）、（表２－２）、（表３－２）、（表４－２）、（表５－２）、（表６－２）及び（表７－２）に示す。なお、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。総合評価は、透過率が５０％以上、ＣＮＲが５０ｄＢ以上、及び耐湿性が△～○の全てを満たす場合を○、透過率が５０％未満、ＣＮＲが５０ｄＢ未満、または耐湿性が×のいずれかを満たす場合を×とした。
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Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
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　この結果、第１界面層４０５及び第２界面層４０３に、Ｃｒ2Ｏ3を含まないＮｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13及びＡｌ2ＴｉＯ5を用いた、比較例としてのサンプル１－１、２－１、３－１、４－１、５－１及び６－１では、消衰係数が０．０１程度と小さく、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3も６以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好であったが、耐湿性が悪く、総合評価も×であった。また、第１界面層４０５及び第２界面層４０３に、Ｃｒ2Ｏ3を６０モル％含む材料を用いた比較例としてのサンプル１－６、２－６、３－６、４－６、５－６及び６－６では、耐湿性は良好であったが、消衰係数が０．１以上と大きく、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3も６以下と小さく、ＣＮＲも５０ｄＢ未満と悪く、総合評価も×であった。第１界面層４０５及び第２界面層４０３に、Ｃｒ2Ｏ3を５モル％から５０モル％含む材料を用いた、本発明の実施例としてのサンプル１－２から１－５、２－２から２－５、３－２から３－５、４－２から４－５、５－２から５－５及び６－２から６－５では、消衰係数が０．１未満と小さく、反射率比Ｒc3／Ｒa3も６以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好で、且つ耐湿性も良好であり、総合評価も○であった。以上の結果から、第１界面層４０５及び第２界面層４０３に含まれるＣｒ2Ｏ3の量は、５０モル％以下とすることがわかった。
　また、サンプル６－２から６－５では、第１界面層４０５の屈折率（ｎ１）が第２界面層４０３の屈折率（ｎ２）よりも小さいため、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3を大きくすることができ、ＣＮＲを向上させることができた。同様に、サンプル７－１から７－３でも、Ｃｒ2Ｏ3の量が同じサンプル１－４、２－４、３－４、４－４及び５－４よりも、第３情報層１３の反射率比Ｒc3／Ｒa3を大きくすることができ、ＣＮＲを向上させることができた。以上の結果から、第１界面層４０５の屈折率（ｎ１）が第２界面層４０３の屈折率（ｎ２）よりも小さいことが好ましいことがわかった。
　なお、第１情報層１１の第１界面層２０５及び第２界面層２０３、及び第２情報層１２の第１界面層３０５及び第２界面層３０３において、上記と同様の実験を行ったところ、第３情報層１３と同様の結果が得られた。
　（実施例２）
　実施例２では、図３の情報記録媒体１９を作製し、第４情報層１８の第１界面層８０５及び第２界面層８０３の材料と、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数と、第４情報層１８の反射率比Ｒc4／Ｒa4と、第４情報層１８の透過率Ｔc4と、第４情報層１８のＣＮＲと、第４情報層１８の消去率と、第４情報層１８の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の材料が異なる第４情報層１８を含む情報記録媒体１９のサンプル８－１から８－１１を作製し、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数と、第４情報層１８の反射率比Ｒc4／Ｒa4と、第４情報層１８の透過率Ｔc4と、第４情報層１８のＣＮＲと、第４情報層１８の消去率と、第４情報層１８の耐湿性とを確認した。
　サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１情報層１５を積層した。反射層５０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第１誘電体層５０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層５０５として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層５０４としてＳｂ77Ｔｅ15Ｇｅ8層（厚さ：１２ｎｍ）、第２界面層５０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層５０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層５０６を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１界面層５０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、記録層５０４を成膜するＳｂ－Ｔｅ－Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層５０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２誘電体層５０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　反射層５０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第１誘電体層５０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層５０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層５０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層５０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層５０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
　次に、第２誘電体層５０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１６側に形成された、厚さ１０μｍの中間層６を得た。
　その後、中間層６の上に、第２情報層１６を積層した。透過率調整層６０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層６０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第１界面層６０５として（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層６０４としてＧｅ45Ｓｂ4Ｔｅ51層（厚さ：６ｎｍ）、第２界面層６０３として（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層６０９を成膜するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、反射層６０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１界面層６０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60スパッタリングターゲット、記録層６０４を成膜するＧｅ－Ｓｂ－Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層６０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60スパッタリングターゲット、第２誘電体層６０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　透過率調整層６０９の成膜は、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合のＯ2ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層６０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１界面層６０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。記録層６０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層６０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層６０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
　次に、第２誘電体層６０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第３情報層１７側に形成された、厚さ２０μｍの中間層５を得た。
　その後、中間層５の上に、第３情報層１７を積層した。透過率調整層７０９として（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層７０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第１界面層７０５として（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層７０４としてＳｂ86Ｇｅ14層（厚さ：５ｎｍ）、第２界面層７０３として（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60層（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層７０９を成膜する（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40スパッタリングターゲット、反射層７０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１界面層７０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ａｌ2Ｏ3）60スパッタリングターゲット、記録層７０４を成膜するＳｂ－Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層７０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層７０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　透過率調整層７０９の成膜は、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気（全体に対して１％の割合のＯ2ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層７０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１界面層７０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層７０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層７０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層７０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
　次に、第２誘電体層７０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第４情報層１８側に形成された、厚さ１５μｍの中間層３を得た。
　その後、中間層３の上に、第４情報層１８を積層した。透過率調整層８０９として（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40（厚さ：１５ｎｍ）、反射層８０８としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層（厚さ：６ｎｍ）、第１誘電体層８０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：６ｎｍ）、第１界面層８０５（厚さ：５ｎｍ）、記録層８０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：４．５ｎｍ）、第２界面層８０３（厚さ：５ｎｍ）、第２誘電体層８０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
　上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層８０９を成膜する（ＴｉＯ2）60（Ｂｉ2Ｏ3）40スパッタリングターゲット、反射層８０８を成膜するＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１誘電体層８０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第１界面層８０５を成膜するスパッタリングターゲット、記録層８０４を成膜するＧｅ－Ｉｎ－Ｂｉ－Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第２界面層８０３を成膜するスパッタリングターゲット、第２誘電体層８０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
　透過率調整層８０９の成膜は、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気（全体に対して１％の割合のＯ2ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。反射層８０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層８０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１界面層８０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。記録層８０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層８０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第２誘電体層８０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
　最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第２誘電体層８０２上に塗布し回転させることによって、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、厚さ５５μｍの透明層２を形成した。その後、記録層５０４、記録層６０４、記録層７０４、及び記録層８０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の材料が異なる複数のサンプルを製造した。
　なお、第１界面層８０５及び第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数については、実施例１で行った方法と同様の方法により測定した。
　このようにして得られたサンプルについて、図４の記録再生装置３４を用いて、情報記録媒体１９の第１情報層１５、第２情報層１６、第３情報層１７、及び第４情報層１８の反射率を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は７．４ｍ／ｓ、再生パワーは１．０ｍＷとした。また、反射率はグルーブで測定した。
　第４情報層１８の透過率（Ｔc4）については、第３情報層１７のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル８－１から８－１１の第３情報層１７の反射率（Ｒc3）とから計算（Ｒc3＝Ｒc0×Ｔc4×Ｔc4）して求めた。
　また、第４情報層１８のＣＮＲ及び消去率を測定する際の記録マーク長は、０．１６８μｍ（３Ｔ）及び０．４４６μｍ（８Ｔ）とした。
　また、第４情報層１８の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
　各サンプルについて、第１界面層８０５の材料及び第２界面層８０３の材料を、（表８－１）に示す。また、各サンプルについて、第１界面層８０５の屈折率及び消衰係数、第２界面層８０３の屈折率及び消衰係数、第４情報層１８の反射率比Ｒc4／Ｒa4、第４情報層１８の透過率Ｔc4、第４情報層１８のＣＮＲ、第４情報層１８の消去率、及び第４情報層１８の耐湿性を、（表８－２）に示す。なお、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。総合評価は、透過率が５０％以上、ＣＮＲが５０ｄＢ以上、及び耐湿性が△～○の全てを満たす場合を○、透過率が５０％未満、ＣＮＲが５０ｄＢ未満、または耐湿性が×のいずれかを満たす場合を×とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　この結果、第１界面層８０５において、Ｃｒ2Ｏ3の量が３０モル％程度で、残りがＮｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2から選ばれた混合物であり、且つ第２界面層８０３において、Ｃｒ2Ｏ3の量が３０モル％程度で、残りがＮｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3から選ばれた混合物であるサンプル８－１から８－８では、消衰係数が０．０３以下と小さく、反射率比Ｒc4／Ｒa4も７以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好で、且つ耐湿性も良好であり、総合評価も○であった。また、Ｃｒ2Ｏ3の一部をＧａ2Ｏ3及び／またはＩｎ2Ｏ3で置き換えたサンプル８－９から８－１１においても、消衰係数が０．０３以下と小さく、反射率比Ｒc4／Ｒa4も７以上と大きく、ＣＮＲも５０ｄＢ以上と良好で、且つ耐湿性も良好であり総合評価も○であった。
　以上の結果から、第１界面層８０５が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物と５０モル％以下のＣｒ2Ｏ3とを含み、第２界面層８０３が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3から選ばれる少なくとも一つの酸化物と５０モル％以下のＣｒ2Ｏ3とを含むことが好ましいことがわかった。また、Ｃｒ2Ｏ3の一部をＧａ2Ｏ3及び／またはＩｎ2Ｏ3で置き換えてもよいことがわかった。
　なお、第１情報層１５の第１界面層５０５及び第２界面層５０３と、第２情報層１６の第１界面層６０５及び第２界面層６０３と、第３情報層１７の第１界面層７０５及び第２界面層７０３において、上記と同様の実験を行ったところ、第４情報層１８と同様の結果が得られた。
　本発明の情報記録媒体は、記録層に接して設けられる層に優れた誘電体材料を用いることにより、大容量の光学的情報記録媒体を実現できるので、書換形多層Ｂｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃ　Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ－ＲＥ）、追記形多層Ｂｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃ　Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（ＢＤ－Ｒ）等に有用である。
　また本発明の情報記録媒体は、優れた誘電体層を有し大容量な光学的情報記録媒体として、ＮＡ＞１の光学系、たとえばＳＩＬやＳＩＭを使った光学系で記録再生できる、次世代の書換形情報記録媒体、あるいは次世代の書換形多層情報記録媒体にも有用である。

Claims (15)

  1. 　光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、
    　光の入射側から、第２界面層、記録層及び第１界面層をこの順に備え、
    　前記第１界面層及び前記第２界面層は、前記記録層に接して配置されており、
    　前記第２界面層が、Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、
    　前記第１界面層が、Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｎｂ、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる少なくともいずれか一つの元素）とＣｒと酸素（Ｏ）とを含み、
    　前記第１界面層及び前記第２界面層は、酸化物（Ｃｒ2Ｏ3）に換算した場合に５０モル％以下となるような範囲でＣｒを含んでいる、
    情報記録媒体。
  2. 　前記第２界面層が、下記の式（１）：
    Ｍ１aＣｒbＯ100-a-b（原子％）　（１）
    （但し、ａ及びｂは、１２＜ａ＜４０、０＜ｂ≦２５、且つ２５＜（ａ＋ｂ）≦４０）で表される材料を含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 　前記第１界面層が、下記の式（２）：
    Ｍ２cＣｒdＯ100-c-d（原子％）　（２）
    （但し、ｃ及びｄは、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２５＜（ｃ＋ｄ）≦４０）で表される材料を含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  4. 　前記第２界面層が、Ｄ１（但し、Ｄ１は、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物）とＣｒ2Ｏ3とを含み、下記の式（３）：
    （Ｄ１）e（Ｃｒ2Ｏ3）100-e（モル％）　（３）
    （但し、ｅは、５０≦ｅ＜１００を満たす。）で表される材料を含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  5. 　前記第１界面層が、Ｄ２（但し、Ｄ２は、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2から選ばれる少なくとも一つの酸化物）とＣｒ2Ｏ3とを含み、下記の式（４）：
    （Ｄ２）f（Ｃｒ2Ｏ3）100-f（モル％）　（４）
    （但し、ｆは、５０≦ｆ＜１００を満たす。）で表される材料を含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  6. 　前記光に対する前記第１界面層の屈折率ｎ１、前記第２界面層の屈折率をｎ２としたとき、
    ｎ１＜ｎ２の関係を満たす、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  7. 　前記第１界面層及び前記第２界面層から選ばれる少なくともいずれか一つに含まれるＣｒの一部が、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されている、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  8. 　前記第２界面層に含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3及びＩｎ2Ｏ3から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されている、
    請求項４に記載の情報記録媒体。
  9. 　前記第１界面層に含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3及びＩｎ2Ｏ3から選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されている、
    請求項５に記載の情報記録媒体。
  10. 　Ｎ層の情報層を含み、前記Ｎは２以上の整数であって、前記Ｎ層の情報層を、光入射側と反対側から順に第１情報層から第Ｎ情報層としたとき、前記Ｎ層の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎを満たす少なくともいずれか１つの整数）が、前記光の入射側から、前記第２界面層、前記記録層及び前記第１界面層をこの順に備える、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  11. 　前記Ｎが３である、請求項１０に記載の情報記録媒体。
  12. 　前記記録層が、前記光の照射によって相変化を起こす材料によって形成されている、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  13. 　前記記録層が、Ｇｅ－Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  14. 　前記記録層が、Ｓｂ－Ｇｅ及びＳｂ－Ｔｅから選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  15. 　波長４０５ｎｍの光に対する前記第１界面層及び前記第２界面層の消衰係数が、０．１未満である、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
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