JPWO2009096165A1 - 光学的情報記録媒体とその製造方法、及びターゲット - Google Patents

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Abstract

本発明の光学的情報記録媒体（９）は、Ｎ個の情報層（Ｎは２以上の自然数）と、Ｎ個の情報層を光学的に互いに分離する中間層と、を備えた光学的情報記録媒体である。Ｎ個の情報層を、光入射側から順に第１情報層（１０）〜第Ｎ情報層（７）とした場合、Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎー１を満たす少なくとも１つの自然数）に相当する第１情報層（１０）は、光の照射によって情報を記録し得る記録層（１０４）と、反射層（１０８）と、透過率調整層（１０９）とを、光入射側からこの順で含んでいる。透過率調整層（１０９）は、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含んでいる。

Description

本発明は、光学的に情報を記録、消去、書き換え、及び／又は再生する情報記録媒体とその製造方法、及びターゲットに関するものである。
従来の情報記録媒体として、その記録層（相変化材料層）が相変化を生じる現象を利用する相変化形情報記録媒体がある。この相変化形情報記録媒体の中で、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書き換え、再生する情報記録媒体は、レーザビームの照射により発生する熱によって記録層の相変化材料を、例えば結晶相と非晶質相との間で状態変化させ、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出して情報として読みとるものである。
相変化形情報記録媒体のうち、情報の消去や書き換えが可能な書き換え型情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は結晶相であり、情報を記録する場合には、高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を溶融して急激に冷却することによって、レーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時より低いパワー（消去パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することにより、レーザ照射部を結晶相にする。したがって、書き換え型情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワーレベルとの間でパワー変調させたレーザビームを記録層に照射することによって、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録する又は書き換えることが可能である。記録層が結晶相に変化するためには、記録層を、結晶相に変化する温度（結晶化温度）に一定時間（結晶化時間）だけ保持する必要がある。結晶化時間が短いほど、結晶相への変化に要する時間が短くなるため、短時間すなわち高速な消去・書き換えが可能となる。
また、相変化形情報記録媒体のうち、一回だけ情報の記録が可能で、情報の消去や書き換えが不可能な追記型情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は非晶質相であり、情報を記録する場合には高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することによって、レーザ照射部を結晶相にする。
現在、光学的情報記録媒体を大容量化するための技術として、さまざまな技術が導入されている。例えば、短波長の青紫色レーザを用いたり、レーザビームが入射する側の基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズを使用したりすることによって、レーザビームのスポット径をより小さくして高密度の記録を行う技術が導入されている。
また、２つの情報層を備える光学的情報記録媒体を用いて記録容量を２倍に高め、且つその片側から入射するレーザビームによって２つの情報層の記録再生を行う技術も導入されている（例えば、特開２０００−３６１３０号公報（第２−１１頁、図２）参照）。この２層光学的情報記録媒体では、レーザビームの入射側に近い情報層（以下、第１情報層という）を透過したレーザビームを用いて、レーザビームの入射側から遠い情報層（以下、第２情報層という）の記録再生を行う。このため、第１情報層では記録層、及び光を効率的に記録層に吸収させ、且つ第１情報層の反射率を高めるために配置される反射層の膜厚を極めて薄くする必要があった。また、光学干渉によってさらに透過率を高めるため、高屈折率の透過率調整層を配置する必要があった。この透過率調整層として、従来はチタン（Ｔｉ）の酸化物であるＴｉＯ2を用いることにより第１情報層の透過率を高めていた（例えば、国際公開第２００３／０２５９２２号（第１０−２０頁、図１）参照）。
しかしながら、従来より用いている透過率調整層のＴｉＯ2層は、成膜法として一般的に用いられるスパッタリング法で成膜した場合、単位時間あたりに成膜される膜厚（以下、成膜速度という）が薄く、所望の膜厚を成膜するまでに時間がかかる（すなわち、成膜速度が遅い）という課題があった。さらに、ＴｉＯ2層の成膜速度は、成膜室の真空度に依存するため、成膜速度が一定の範囲で変化する。このため、特に量産時にＴｉＯ2層を所望の膜厚範囲に保つことが難しいという課題もあった。将来的に実現が見込まれる、３つ以上の情報層を有する多層光学的情報記録媒体では、レーザビーム入射側にある情報層の数が増えるため、透過率調整層として使用するＴｉＯ2層の数が増えて、この課題がさらに顕著となる可能性がある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、従来の透過率調整層が備えていた屈折率や耐湿性等の特性を大きく低下させることなく、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を提供して、量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、上記のような透過率調整層を形成する際に用いることができるターゲットを提供することも目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の光学的情報記録媒体は、Ｎ個の情報層（Ｎは２以上の自然数）と、前記Ｎ個の情報層を光学的に互いに分離する中間層と、を備えた光学的情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、光入射側から順に第１情報層〜第Ｎ情報層とした場合、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎー１を満たす少なくとも１つの自然数）は、光の照射によって情報を記録し得る記録層と、反射層と、透過率調整層とを、光入射側からこの順で含んでおり、前記透過率調整層が、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含む。
また、本発明は、上記の本発明の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、前記透過率調整層を成膜する工程を少なくとも含み、前記透過率調整層を成膜する工程において、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むターゲットを使用して前記透過率調整層を成膜する、又は、少なくともタングステン（Ｗ）を含むターゲットと少なくとも酸素（Ｏ）を含むガスとを使用して前記透過率調整層を成膜する、光学的情報記録媒体の製造方法も提供する。
また、本発明は、少なくともタングステン（Ｗ）とＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むターゲット（第１のターゲット）、又は、少なくともタングステン（Ｗ）とＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むターゲット（第２のターゲット）を提供する。
本発明の光学的情報記録媒体によれば、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を、その特性を低下させることなく実現できるので、情報層の透過率が高く、量産性に優れた光学的情報記録媒体を提供することができる。また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法及び本発明のターゲットによれば、本発明の光学的情報記録媒体を容易に製造することができる。
図１は、本発明のＮ層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図２は、本発明の２層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図３は、本発明の３層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図４は、本発明の４層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図５は、本発明のＮ層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図６は、本発明の２層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図７は、本発明の３層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図８は、本発明の４層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 図９は、本発明の光学的情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の構成の一部を、模式的に示す図である。 図１０は、本発明の光学的情報記録媒体を製造する際に用いられるスパッタリング装置の一部を、模式的に示す図である。
本発明の光学的情報記録媒体は、Ｎ個の情報層（Ｎは２以上の自然数）と、前記Ｎ個の情報層を光学的に互いに分離する中間層と、を備えた光学的情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、光入射側から順に第１情報層〜第Ｎ情報層とした場合、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎー１を満たす少なくとも１つの自然数）は、光の照射によって情報を記録し得る記録層と、反射層と、透過率調整層とを、光入射側からこの順で含んでおり、前記透過率調整層が、タングステン（以下、「Ｗ」と表記する。）と酸素（以下、「Ｏ」と表記する。）とを含むことを特徴とする。この特徴により、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を提供し、量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、透過率調整層が、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよい。このとき、透過率調整層が、下記の式（１）：
Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （１）
（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（１）で表される材料のうち、ａ１が１０＜ａ１＜２２、ｂ１が５＜ｂ１＜２３を満たす材料が好適に用いられる。また、別の側面から表して、透過率調整層が、下記の式（２）：
（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （２）
（但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（２）で表される材料のうち、ｃ１が５０≦ｃ１≦８０を満たす材料が好適に用いられる。
以上のような材料を用いることにより、透過率調整層の屈折率を高め、情報層の透過率をさらに高めることができる。
なお、本明細書において、「Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％）」とは、「Ｗ」原子、「Ｍ１」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００％）として表された組成式であることを示している。さらに、「（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％）」は、（１００−ｃ１）ｍｏｌ％のＷＯ3とｃ１ｍｏｌ％の化合物Ｄ１との混合物であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。また、本明細書において、以下に示す「Ｍ１」も、上記と同様に、Ｃｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素を表す。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、透過率調整層が、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよい。このとき、透過率調整層が、Ａｇ2ＷＯ4、Ｂｉ2ＷＯ6、ＭｇＷＯ4、ＭｎＷＯ4、Ｙ2Ｗ3Ｏ12、ＺｎＷＯ4及びＺｒＷ2Ｏ8から選ばれる少なくとも一つの化合物を含んでもよい。また、透過率調整層が、下記の式（３）：
Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （３）
（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。
以上のような材料を用いることにより、透過率調整層の安定性を高め、情報層の透過率が高く量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することができる。なお、本明細書において、以下に示す「Ｍ２」も、上記と同様に、Ａｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素を表す。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、Ｗ及びＯを含む透過率調整層が、さらにＭ１及びＭ２を共に含んでいてもよい。このとき、透過率調整層が、下記の式（４）：
Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （４）
（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含んでもよい。
このことにより、透過率調整層の屈折率、情報層の透過率、透過率調整層の安定性及び量産性が高い、光学的情報記録媒体を提供することができる。
なお、本発明の光学的情報記録媒体における透過率調整層は、本発明が目的としている特性を備えた透過率調整層が得られる限り、上記各材料を構成する成分以外の他の成分を少量含んでもよいが、実質的に上記各材料からなるものが好適に用いられる。なお、透過率調整層が実質的に上記各材料のみによって形成されるとは、透過率調整層が上記各材料のみからなる場合はもちろん、上記各材料に他の成分が不可避に混入した材料からなる場合も含む意味である。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、透過率調整層の膜厚ｄ１（ｎｍ）が、９≦ｄ１≦３０の範囲であってもよい。このことにより、情報層の透過率を高めることができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、記録層が、光の照射によって相変化を起こし得る層であってもよい。例えば、記録層が、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素とＧｅとＴｅとを含み、且つ、記録層におけるＴｅの含有率が５０原子％以上であってもよい。また、記録層が、Ｓｂを７０原子％以上含んでもよい。このことにより、書き換え時の消去特性が良好な光学的情報記録媒体を提供できる。
なお、記録層の膜厚が９ｎｍ以下であってもよい。このことにより、情報層の透過率を高めることができる。
また、反射層が、主としてＡｇを含んでもよい。反射層が主としてＡｇを含むとは、反射層におけるＡｇの含有量が５０原子％以上ということである。このことにより、情報層の透過率、記録感度、及び信号強度が良好な光学的情報記録媒体を提供できる。
なお、反射層の膜厚が１５ｎｍ以下であってもよい。このことにより、情報層の透過率を高めることができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、中間層が、主としてアクリル系の樹脂を含んでもよい。中間層が主としてアクリル系の樹脂を含むとは、中間層における当該樹脂の含有量が９０重量％以上ということである。このことにより、量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することができる。
本発明の光学的情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、ＷとＯとを含む透過率調整層を成膜する工程を少なくとも含み、前記透過率調整層を成膜する工程において、少なくともＷとＯとを含むターゲットを使用して前記透過率調整層を成膜する、又は、少なくともＷを含むターゲットと少なくともＯを含むガスとを使用して前記透過率調整層を成膜する。
また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法において、ターゲットと透過率調整層が、さらにＭ１を含んでもよい。このことにより、透過率調整層の屈折率を高め、情報層の透過率をさらに高めた光学的情報記録媒体を製造することができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法において、ターゲットと透過率調整層が、さらにＭ２を含んでもよい。このことにより、透過率調整層の安定性を高め、情報層の透過率が高い光学的情報記録媒体を量産性良く製造することができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法において、透過率調整層を成膜する工程よりも前に、中間層を形成する工程をさらに含んでいてもよい。このことにより、複数の情報層を備える光学的情報記録媒体を量産性良く製造することができる。
本発明の光学的情報記録媒体として、Ｗ、Ｏ及びＭ１を含む透過率調整層を備えた光学的情報記録媒体を製造する場合、その製造時に用いるターゲット（第１のターゲット）は、少なくとも、ＷとＭ１とを含む。このようなターゲットを用いることにより、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を成膜でき、量産性良く光学的情報記録媒体を作製することができる。この第１のターゲットは、さらにＭ２を含んでいてもよい。第１のターゲットがさらにＭ２を含むことによって、より安定性が高く、さらに情報層の透過率を高めることができる、Ｗ、Ｏ、Ｍ１及びＭ２を含む透過率調整層を成膜できる。また、第１のターゲットがＯを含んでいてもよく、その場合は酸素を含むガスを用いて反応性スパッタリングを行わなくても、本発明の光学的情報記録媒体の透過率調整層が作製可能である。
本発明の第１のターゲットが、Ｗ、Ｍ１及びＯを含んでいる場合、第１のターゲットは、下記の式（５）：
Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （５）
（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含んでもよい。また、別の側面から表して、第１のターゲットが、下記の式（６）：
（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （６）
（但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。このような第１のターゲットを用いることにより、透過率調整層の屈折率を高め、情報層の透過率をさらに高めた光学的情報記録媒体を作製することができる。
本発明の第１のターゲットが、Ｗ、Ｍ１、Ｍ２及びＯを含む場合、第１のターゲットが、下記の式（７）：
Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （７）
（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含んでもよい。このようなターゲットを用いることにより、透過率調整層の屈折率及び安定性を高め、情報層の透過率が高く量産性の高い光学的情報記録媒体を作製することができる。
なお、本発明における第１のターゲットは、上記各材料を含むターゲットであり、作製する透過率調整層の成分に応じて他の成分を含んでいてもよいが、実質的に上記各材料のみによって形成されていてもよい。なお、実質的に上記各材料のみによって形成されるとは、第１のターゲットが上記各材料のみからなる場合はもちろん、上記各材料に他の成分が不可避に混入する材料からなる場合も含む意味である。
本発明の光学的情報記録媒体として、Ｗ、Ｏ及びＭ２を含む透過率調整層を備えた光学的情報記録媒体を製造する場合、その製造時に用いる別のターゲット（第２のターゲット）として、少なくともＷ及びＭ２を含むターゲットを用いることもできる。この第２のターゲットはさらにＯを含んでもよい。この第２のターゲットがＷ、Ｍ２及びＯを含んでいる場合、この第２のターゲットは下記の式（８）：
Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （８）
（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。なお、本発明における第２のターゲットは、上記各材料を含むターゲットであり、作製する透過率調整層の成分に応じて他の成分を含んでいてもよいが、実質的に上記各材料のみによって形成されていてもよい。なお、「実質的に」の意味は、第１のターゲットの場合と同様である。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
（実施の形態１）
実施の形態１として、本発明の光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態１の光学的情報記録媒体９の一部断面図を図１に示す。光学的情報記録媒体９は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体９は、基板８上に、中間層６、５、３等を介して順次積層された、第Ｎ情報層７、…、第２情報層４及び第１情報層１０を含むＮ個（ＮはＮ≧２を満たす自然数）の情報層、及び透明層２により構成されている。なお、本実施の形態では、レーザビーム１の入射側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）に配置されている情報層を「第Ｋ情報層」と記す。ここで、レーザビーム１の入射側から数えて（Ｎ−１）番目までの情報層である、第１情報層１０、第２情報層４、第３情報層（図示せず）、…、第Ｎ−１情報層（図示せず）は、光透過形の情報層である。
透明層２の材料は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、又は誘電体等からなり、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。透明層２の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。また、透明層２は、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の樹脂、又はガラスから成るシート又は板であってもよい。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、又は粘着性のシート等を用いて、第１誘電体層１０２に貼り合わせることが可能である。透明層２の厚さは、例えばＮＡ＝０．６の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、５０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましい。
レーザビーム１の波長λは、高密度記録の場合、特に４５０ｎｍ以下であることが好ましい。レーザビーム１を集光した際のスポット径が、波長λによって決まってしまう（波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能である）ためである。また、λが３５０ｎｍ未満であると、透明層２等による光吸収が大きくなってしまう。よって、λは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
基板８は、透明な円盤状の基板である。基板８を構成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、又はガラスを用いることができる。基板８の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。
基板８の第Ｎ情報層７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。他方、基板８の第Ｎ情報層７側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板８の厚さは、十分な強度が確保され、且つ光学的情報記録媒体９の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．５ｍｍ〜１．２ｍｍの範囲内であることが好ましい。なお、透明層２の厚さが０．６ｍｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能な厚さ）の場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、透明層２の厚さが０．１ｍｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録再生が可能）の場合、１．０５ｍｍ〜１．１５ｍｍの範囲内であることが好ましい。
中間層６、５、３等は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、又は誘電体等からなる。中間層６、５、３等は、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。中間層６、５、３等の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。
中間層６、５、３等は、光学的情報記録媒体９の第１情報層１０、第２情報層４、…及び第Ｎ情報層７等のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。中間層６、５、３等の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザビーム１の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のとき、ΔＺ＝０．２８０μｍとなり、±０．３μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、中間層６、５、３等の厚さは０．６μｍ以上であることが必要である。
隣接する２つの情報層間の距離、及び第１情報層１０とこれから最も離れた第Ｎ情報層７との間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム１を集光することが可能である範囲となるようにすることが望ましい。したがって、中間層６、５、３等の厚さの合計は、対物レンズが許容できる公差内（例えば６０μｍ以下）にすることが好ましい。
中間層６、５、３等において、レーザビーム１の入射側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。
この場合、片側からのレーザビーム１の照射のみにより、第Ｋ情報層（この場合、Ｋは１＜Ｋ≦Ｎの自然数）を、第１〜第（Ｋ−１）情報層を透過したレーザビーム１によって記録再生することが可能である。
なお、第１情報層から第Ｎ情報層のいずれかを、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ））、あるいは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ））としてもよい。
以下、第１情報層１０の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
第１情報層１０は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第１誘電体層１０２、第１記録層１０４、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９を備える。なお、第１情報層１０は、第１誘電体層１０２と第１記録層１０４の間に、第１界面層１０３を備えてもよい。
第１誘電体層１０２は、誘電体からなる。この第１誘電体層１０２は、第１記録層１０４の酸化、腐食、及び変形等を防止する働きと、光学距離を調整して第１記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きと、を有する。
第１誘電体層１０２を形成する材料として、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、及びＴｅＯ2等から選ばれる１又は複数の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等から選ばれる１又は複数の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3、ＣｅＦ3等の弗化物、及びＣを、第１誘電体層１０２の材料として用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１又は複数の材料の混合物を用いて、第１誘電体層１０２を形成することもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ2は、第１誘電体層１０２の材料として特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、非晶質材料であり、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性及び耐湿性が良好であることによる。
第１誘電体層１０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、第１記録層１０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きく、且つ第１記録層１０４での光吸収が大きく、且つ第１情報層１０の透過率が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
必要に応じて配置される第１界面層１０３は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０２と第１記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第１界面層１０３は、第１記録層１０４の結晶化を促進又は抑制する、結晶化能を調整する働きもする。第１界面層１０３は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、第１記録層１０４との密着性が良い材料から形成されることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム１を照射した際に、溶けて第１記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第１界面層１０３の材料が混入すると、第１記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、第１記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。
第１界面層１０３は、第１誘電体層１０２に用いることができる材料と同様の材料、すなわち上記酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することができる。その中でも、特にＣｒとＯを含む材料は、第１記録層１０４の結晶化をより促進するため、好ましい。その中でも、ＣｒとＯがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物が、より好ましい材料である。Ｃｒ2Ｏ3は、第１記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３の材料として、特にＩｎとＯを含む材料を用いることもできる。その中でも、ＩｎとＯがＩｎ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｉｎ2Ｏ3は第１記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３の材料として、特にＧａとＯを含む材料を用いることもできる。その中でも、ＧａとＯがＧａ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｇａ2Ｏ3は第１記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３には、ＣｒとＯ、ＧａとＯ、又はＩｎとＯの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよく、当該元素は酸化物として含まれることがより好ましい。ＺｒＯ2及びＨｆＯ2は、透明で、融点が約２７００〜２８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料で、光学的情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を良くする。また、Ｙ2Ｏ3は透明な材料で、且つＺｒＯ2及びＨｆＯ2を安定化させる働きをする。また、この３種類の酸化物のいずれか１つ又は複数を混合することによって、第１界面層１０３を第１記録層１０４と部分的に又は全体的に接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い第１情報層１０を実現できる。
第１記録層１０４との密着性を確保するため、第１界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、又はＩｎ2Ｏ3の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。さらに、第１界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、第１界面層１０３での光吸収を小さく保つため、７０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。Ｃｒ2Ｏ3が多くなると光吸収が増加する傾向にある。
第１界面層１０３には、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含む材料を用いてもよい。Ｓｉを、例えばＳｉＯ2として第１界面層１０３内に含ませることにより、第１界面層１０３の透明性が高くなり、記録性能に優れた第１情報層１０を実現できる。第１界面層１０３中のＳｉＯ2の含有量は５ｍｏｌ％以上であることが好ましく、第１記録層１０４との密着性を確保するため５０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
第１界面層１０３の膜厚は、第１界面層１０３での光吸収によって第１情報層１０の記録前後の反射光量の変化が小さくならないよう、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
第１記録層１０４の材料は、レーザビーム１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす材料からなる。この場合、第１記録層１０４の材料として、Ｇｅ−Ｔｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、及び（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることができる。さらに、第１記録層１０４の材料として、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｓｎ−Ｇｅ、及び（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかを含む材料を用いることもできる。
上記材料の内、第１記録層１０４として、例えば、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇｅと、Ｔｅとを含む材料が好適に用いられる。この場合、第１記録層１０４は、Ｔｅを５０原子％以上含んでいてもよい。また、第１記録層１０４がＳｂを含む材料によって形成される場合は、Ｓｂを７０原子％以上含んでいてもよい。
第１情報層１０は、レーザビーム１の入射側から第１情報層１０より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量を到達させるため、その透過率を高くする必要がある。このため、第１記録層１０４の膜厚は、９ｎｍ以下であることが好ましく、８ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、第１記録層１０４は、Ｔｅを含む層、Ｂｉを含む層、Ｇｅを含む層、Ｓｂを含む層、Ｇｅ−Ｔｅを含む層、Ｂｉ−Ｔｅを含む層、Ｓｂ−Ｇｅを含む層等から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部として形成してもよい。なお、本明細書において、「（元素Ａ）−（元素Ｂ）」で表される材料とは、元素Ａと元素Ｂとを成分として含む材料のことであり、元素Ａ及び元素Ｂの混合物又は合金であることを意味する。例えば、結晶化速度が比較的速いＢｉを含む層と、アモルファス相が比較的安定なＧｅ−Ｔｅを含む層とを積層する構造を含むことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度、及び消去性能を容易に調整することができる。
積層構造の例としては、Ｂｉ2Ｔｅ3（３ｎｍ）／ＧｅＴｅ（４ｎｍ）、（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3（３ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（４ｎｍ）、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3（５ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（２ｎｍ）、Ｓｂ−Ｇｅ（４ｎｍ）／Ｓｂ−Ｔｅ（３ｎｍ）等があげられる。もちろん、ここに挙げた材料以外の材料から成る層を使用する、あるいは層の膜厚をここに例示した膜厚以外の膜厚にした構造や、積層順を入れ替えた構造を採用することも可能である。例えば、上記において例示した膜厚を好ましい膜厚比としてとらえ、記録部の所望の膜厚に応じて、各々、例えば２〜４倍にしてよい。
また、第１記録層１０４は、不可逆な相変化を起こす材料を用いて構成してもよく、例えばＴｅ−Ｏ、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、又はＳｂ−Ｏで表される材料で形成することもできる。この場合、第１記録層１０４の膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、第１記録層１０４は、不可逆な合金化を起こす材料の積層膜（例えば、Ｃｕ／Ｓｉ積層構成）としてもよい。
第２誘電体層１０６は、光学距離を調整して第１記録層１０４の光吸収効率を高める働き、及び記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きをする。第２誘電体層１０６は、第１誘電体層１０２の材料と同様の系の材料を用いて形成することができる。また、第２誘電体層１０６の膜厚は、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第２誘電体層１０６の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、第１記録層１０４で発生した熱を効果的に第１反射層１０８側に拡散させることができる。
なお、第１記録層１０４と第２誘電体層１０６との間に、第２界面層（図示せず）を配置してもよい。図１に示す光学的情報記録媒体９において、第２界面層が設けられる場合、第２界面層は、符号１０４で示される層と符号１０６で示される層との間に、例えば、符号１０５で示される層として表すことができる（図１には第２界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第２界面層１０５」として説明する）。第２界面層１０５は、第１界面層１０３と同様に、繰り返し記録によって第２誘電体層１０６と第１記録層１０４との間で生じる物質移動を防止するために設けることができる。第２界面層１０５は、第１誘電体層１０２と同様の系の材料を用いて形成することができる。その中でも、特にＩｎとＯを含む材料を用いることが好ましい。その中でも、ＩｎとＯがＩｎ2Ｏ3を形成した酸化物が好ましい材料である。また、第２界面層１０５は、特にＣｒとＯを含む材料を用いて構成することもできる。その中でも、ＣｒとＯがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物が好ましい材料である。また、第２界面層１０５は、特にＧａとＯを含む材料を用いて構成することもできる。その中でも、ＧａとＯがＧａ2Ｏ3を形成した酸化物が好ましい材料である。
また、第２界面層１０５は、第１界面層１０３と同様に、ＩｎとＯ、ＣｒとＯ、又はＧａとＯの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよい。また、第２界面層１０５は、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含んでもよい。第２界面層１０５は第１界面層１０３より密着性が悪い傾向にあるため、第２界面層１０５中のＩｎ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3の好ましい含有量の下限値は、第１界面層１０３のそれより多い２０ｍｏｌ％である。
第２界面層１０５の膜厚は、第１界面層１０３と同様に、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
第１反射層１０８は、第１記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、第１反射層１０８は、第１記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、第１記録層１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、第１反射層１０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第１反射層１０８の材料としては、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｇ−Ｇａ、Ａｇ−Ｇａ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ又はＣｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特に、Ａｇを５０原子％以上含むＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、第１反射層１０８の材料として好ましい。第１反射層１０８の膜厚は、第１情報層１０の透過率をできるだけ高くするため、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。第１反射層１０８の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡散機能が十分で、且つ第１情報層１０の反射率を確保でき、さらに第１情報層１０の透過率も十分となる。
本実施の形態の光学的情報記録媒体９において、透過率調整層１０９は誘電体からなり、第１情報層１０の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層１０９によって、第１記録層１０４が結晶相である場合の第１情報層１０の透過率Ｔc1（％）と、第１記録層１０４が非晶質相である場合の第１情報層１０の透過率Ｔa1（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層１０９を備える第１情報層１０の透過率は、透過率調整層１０９が無い場合に比べて、２％〜１０％程度上昇する。また、透過率調整層１０９は、第１記録層１０４で発生した熱を効果的に拡散させる機能も有する。
透過率調整層１０９の材料は、ＷとＯとを少なくとも含むことが好ましい。この場合、ＷとＯとが化合物を形成し、酸化物ＷＯ3となっていることが好ましい。酸化物ＷＯ3は、融点が１４７０℃と高く、空気中で安定であるためである。これらの材料を含むことにより、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を提供できる。また、透過率調整層１０９は、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む材料を用いて形成することもできる。このとき、透過率調整層１０９が、下記の式（１）：
Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （１）
（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（１）で表される材料のうち、ａ１が１０＜ａ１＜２２、ｂ１が５＜ｂ１＜２３を満たす材料が好適に用いられる。また、別の側面から表して、透過率調整層１０９が、下記の式（２）：
（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （２）
（但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（２）で表される材料のうち、ｃ１が５０≦ｃ１≦８０を満たす材料が好適に用いられる。
以上のような材料を用いることにより、透過率調整層１０９の屈折率を高め、第１情報層１０の透過率をさらに高めることができる。
また、透過率調整層１０９は、ＷとＯとに加えて、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む材料を用いて形成することもできる。このとき、透過率調整層１０９が、Ａｇ2ＷＯ4、Ｂｉ2ＷＯ6、ＭｇＷＯ4、ＭｎＷＯ4、Ｙ2Ｗ3Ｏ12、ＺｎＷＯ4及びＺｒＷ2Ｏ8から選ばれる少なくとも一つの化合物（複合酸化物）を含んでもよい。また、透過率調整層１０９が、下記の式（３）：
Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （３）
（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。また、透過率調整層１０９が、下記の式（４）：
Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （４）
（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含んでもよい。このことにより、透過率調整層１０９の安定性が高まり、第１情報層１０の透過率が高く量産性の高い光学的情報記録媒体９を提供することができる。
上記の材料は屈折率が大きく（ｎ＝２．４〜２．８）、消衰係数も小さい（ｋ＝０．０〜０．０５）ため、これらを用いて形成した透過率調整層１０９は、第１情報層１０の透過率をより高めることができる。
透過率調整層１０９の屈折率ｎt及び消衰係数ｋtは、第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1を高める作用をより大きくするため、２．０≦ｎt且つｋt≦０．１を満たすことが好ましく、２．４≦ｎt≦３．０且つｋt≦０．０５を満たすことがより好ましい。
透過率調整層１０９の膜厚ｄ１は、（３／３２）λ／ｎt≦ｄ１≦（５／３２）λ／ｎtの範囲内であることが好ましい。レーザビーム１の波長λと透過率調整層１０９の屈折率ｎtとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．０≦ｎt≦３．０を満たすように選ぶと、ｄ１の好ましい範囲は、９ｎｍ≦ｄ１≦３０ｎｍとなる。ｄ１をこの範囲内で選ぶことによって、第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1を共に高くすることができる。
第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第１情報層１０より遠い側にある情報層に到達させるため、４０＜Ｔc1且つ４０＜Ｔa1を満たすことが好ましく、４６＜Ｔc1且つ４６＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第１情報層１０より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層１０の第１記録層１０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層１０において、第１記録層１０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層１０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦５且つ４≦Ｒc1≦１５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦３且つ４≦Ｒc1≦１０を満たすことがより好ましい。
光学的情報記録媒体９は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に（Ｎ−１）個の情報層（第Ｎ情報層７〜第２情報層４）を、中間層（中間層６、５等）を介して順次積層する。各情報層は、単層膜、又は多層膜からなる。情報層を構成する各層は、成膜装置内で、材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、中間層は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を情報層上に塗布して、その後、基板８を回転させて樹脂を均一に延ばした後（スピンコート）、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、基板８と当該基板８に密着させた基板（型）とを回転させてスピンコートし、樹脂を硬化させた後、基板（型）をはがすことによって、中間層に案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
このようにして、基板８上に（Ｎ−１）個の情報層を、中間層を介して積層したのち、さらに、中間層３（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。
続いて、中間層３上に第１情報層１０を形成する。具体的には、中間層を介して積層された（Ｎ−１）個の情報層上にさらに中間層３を形成した基板８を、成膜装置内に配置して、中間層３上に透過率調整層１０９を成膜する。少なくともＷとＯを含むターゲットを使用して、希ガス（特にＡｒガス）雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で高周波（ＲＦ）電源を用いてスパッタリングすることによって、ＷとＯとを含む透過率調整層１０９を形成できる。また、少なくともＷを含むターゲットと、少なくともＯを含むガス（例えば、希ガスとＯ2ガスとの混合ガス等）の雰囲気中でＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって、ＷとＯを含む透過率調整層１０９を形成することもできる。
また、透過率調整層１０９は、上記式（１）〜（４）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、又はそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。例えば、（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）50（ｍｏｌ％）組成の透過率調整層１０９を成膜したい場合、例えば（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）50（ｍｏｌ％）組成のスパッタリングターゲットを用意して、Ａｒガス雰囲気中、或いはＡｒとＯ2ガスの混合ガス雰囲気中で成膜することにより形成することができる。実際に成膜した膜の組成が所望の組成になっているかは、例えばＸ線マイクロアナライザーによる組成分析により調べることが可能である。スパッタリング装置によって、膜中の酸化物の酸素が欠損しやすかったり、膜中の酸素が多くなったりして、所望の組成からずれることがある。このため、ターゲットの組成をあらかじめ調整したり、Ａｒガスに混合するＯ2ガスの量を調整することで、所望の膜組成を得ることが可能である。
なお、成膜速度を高めるため、透過率調整層１０９を構成する材料に導電性の材料を微量添加してターゲットに導電性を付加し、直流（ＤＣ）電源、又はパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
なお、透過率調整層１０９は、単体の化合物の各々のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、透過率調整層１０９は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
続いて、透過率調整層１０９上に、第１反射層１０８を成膜する。第１反射層１０８は、第１反射層１０８を構成する金属又は合金からなるターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス）雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（例えば、Ｏ2ガス及びＮ2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又はＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。第１反射層１０８は金属又は合金であるため、成膜速度を高められるＤＣ電源、又はパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
続いて、第１反射層１０８上に、第２誘電体層１０６を成膜する。第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する化合物からなるターゲットを、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中でＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。なお、成膜速度を高めるため、第２誘電体層１０６を構成する材料に導電性の材料を微量添加してターゲットに導電性を付加し、ＤＣ電源、又はパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることもできる。また、第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する金属からなるターゲットを、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又はＲＦ電源を用いて反応性スパッタリングすることによっても形成できる。
あるいは、第２誘電体層１０６は、単体の化合物の各々のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、第２誘電体層１０６は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
続いて、第２誘電体層１０６上に、必要に応じて第２界面層１０５を成膜する。第２界面層１０５は、第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第２誘電体層１０６又は第２界面層１０５上に、第１記録層１０４を成膜する。第１記録層１０４は、例えば、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇｅと、Ｔｅを含み、且つ、Ｔｅを５０原子％以上含むターゲット、又は、Ｓｂを７０原子％以上含むターゲットを一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。また、第１記録層１０４は、例えばＴｅを含むターゲット、Ｂｉを含むターゲット、Ｇｅを含むターゲット、Ｓｂを含むターゲット、Ｇｅ−Ｔｅを含むターゲット、Ｂｉ−Ｔｅを含むターゲット、Ｓｂ−Ｇｅを含むターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のターゲットを、２個以上の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するターゲットの種類及び数、ならびに電源の出力等に応じて、得られる記録層の組成が決定されることとなるので、それらを適宜選択して、所望の組成の第１記録層１０４が得られるようにすることが好ましい。このように２種以上のターゲットを使用することは、例えば、混合物のターゲットを形成することが困難である場合に有用である。
また、第１記録層１０４は、２種以上の層を積層してなる記録部として形成される場合、例えばＴｅを含むターゲット、Ｂｉを含むターゲット、Ｇｅを含むターゲット、Ｓｂを含むターゲット、Ｇｅ−Ｔｅを含むターゲット、Ｂｉ−Ｔｅを含むターゲット、Ｓｂ−Ｇｅを含むターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のターゲットを、２個以上の電源を用いて順次及び／又は同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。即ち、記録部を成膜するために、２つ以上のターゲットを使用して、スパッタリングを２回以上実施してよく、又は２つ以上のターゲットを同時にスパッタリングしてよい。
スパッタリングの雰囲気ガスとしては、単層構造の第１記録層１０４記録層を形成する場合、及び２種以上の層を積層してなる記録部として第１記録層１０４を形成する場合のいずれにおいても、希ガス、又は希ガスと反応ガス（例えば、Ｎ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガス）との混合ガスを用いることができる。また、スパッタリングに用いる電源も、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又はＲＦ電源のいずれかを用いることが可能である。
続いて、第１記録層１０４上に、第１界面層１０３を成膜する。第１界面層１０３は、第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第１界面層１０３上に、第１誘電体層１０２を成膜する。第１誘電体層１０２は、第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
最後に、第１誘電体層１０２上に透明層２を形成する。透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を、第１誘電体層１０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２として、透明な円盤状の基板を用いてよく、基板は、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、又はガラスから成る。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布して、基板を第１誘電体層１０２上に密着させて、スピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、基板に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを第１誘電体層１０２に密着させることもできる。
なお、第１誘電体層１０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。また、第１情報層１０以外の情報層を第１情報層１０と同様に形成してもよい。
（実施の形態２）
実施の形態２として、実施の形態１の本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態２の光学的情報記録媒体１２の一部断面図を図２に示す。光学的情報記録媒体１２は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体１２は、基板８上に順次積層した、第２情報層１１、中間層３、第１情報層１０、及び透明層２により構成されている。基板８、中間層３、第１情報層１０、及び透明層２は、実施の形態１で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
以下、第２情報層１１の構成について詳細に説明する。
第２情報層１１は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第３誘電体層２０２、第３界面層２０３、第２記録層２０４、第４誘電体層２０６、及び第２反射層２０８を備える。第２情報層１１について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１０、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
第３誘電体層２０２は、実施の形態１で説明した第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の第１誘電体層１０２と同様である。
第３誘電体層２０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、第２記録層２０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
第３界面層２０３は、実施の形態１の第１界面層１０３と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。
第２記録層２０４は、実施の形態１の第１記録層１０４と同様の材料で形成することができる。第２記録２０４の膜厚は、その材料が可逆的な相変化を起こす材料の場合、第２情報層１１の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内においても、第２記録層２０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる場合がある。また、第２記録層２０４が薄い場合には、第２情報層１１の反射率が小さくなる場合がある。したがって、第２記録層２０４の膜厚は、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、第２記録層２０４を、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）を用いて構成する場合は、第２記録層２０４の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
第４誘電体層２０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様である。
なお、第２記録層２０４と第４誘電体層２０６の間に、必要に応じて第４界面層を配置してもよい。第４界面層は、実施の形態１の第２界面層１０５と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２界面層１０５と同様である。図２に示す光学的情報記録媒体１２において、第４界面層が設けられる場合、第４界面層は、符号２０４で示される層と符号２０６で示される層との間に、例えば、符号２０５で示される層として表すことができる（図２には第４界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第４界面層２０５」として説明する）。
第２反射層２０８は、実施の形態１の第１反射層１０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の第１反射層１０８と同様である。第２反射層２０８の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、第２反射層２０８が２００ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて第２情報層１１の記録感度が低下する。したがって、第２反射層２０８の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
第２反射層２０８と第４誘電体層２０６の間に、界面層をさらに配置してもよい。図２に示す光学的情報記録媒体１２においてこのような界面層が設けられる場合、界面層は、符号２０８で示される層と符号２０６で示される層との間に、符号２０７で示される層として形成してよい。この場合、界面層２０７（図２には界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「界面層２０７」として説明する）。を形成する材料としては、第２反射層２０８について説明した材料よりも熱伝導率の低い材料を用いることができる。第２反射層２０８にＡｇ合金を用いた場合、界面層２０７の材料として、例えばＡｌ、又はＡｌ合金を用いることができる。
また、界面層２０７の材料としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ及びＣ等の元素や、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、及びＴｅＯ2等の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3、ＣｅＦ3等の弗化物、及びＣを用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１又は複数の材料の混合物を用いて、界面層２０７を構成することもできる。界面層２０７の膜厚は３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
第２情報層１１において、第２記録層２０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層２０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。この関係を満たすことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2−Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、反射率Ｒc2、Ｒa2は、０．２≦Ｒa2≦１０且つ１２≦Ｒc2≦４０を満たすことが好ましく、０．２≦Ｒa2≦５且つ１２≦Ｒc2≦３０を満たすことがより好ましい。
光学的情報記録媒体１２は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、第２情報層１１を形成する。具体的には、まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板８上に第２反射層２０８を成膜する。このとき、基板８にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２反射層２０８を成膜する。第２反射層２０８は、実施の形態１の第１反射層１０８と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層２０８上に、必要に応じて界面層２０７を成膜する。界面層２０７は、実施の形態１の第１反射層１０８、又は第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層２０８又は界面層２０７上に、第４誘電体層２０６を成膜する。第４誘電体層２０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第４誘電体層２０６上に、必要に応じて第４界面層２０５を成膜する。第４界面層２０５は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第４誘電体層２０６、又は第４界面層２０５上に、第２記録層２０４を成膜する。第２記録層２０４は、その組成に応じたターゲットを用いて、実施の形態１の第１記録層１０４と同様の方法で形成できる。
続いて、第２記録層２０４上に、必要に応じて第３界面層２０３を成膜する。第３界面層２０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第２記録層２０４、又は第３界面層２０３上に、第３誘電体層２０２を成膜する。第３誘電体層２０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
このようにして、第２情報層１１を形成する。
続いて、第２情報層１１の第３誘電体層２０２上に中間層３（厚さが例えば２５μｍ）を形成する。中間層３は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第３誘電体層２０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層３がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層３の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
なお、第３誘電体層２０２を成膜したのち、又は中間層３を形成したのち、必要に応じて、第２記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に第１情報層１０を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第１記録層１０４、第１界面層１０３及び第１誘電体層１０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第２誘電体層１０６と第１記録層１０４との間に第２界面層１０５を成膜してもよい。また、第１界面層１０３は必要に応じて設ければよいため、必ずしも設ける必要はない。これらの各層は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
最後に、第１誘電体層１０２上に透明層２（厚さが例えば７５μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第１誘電体層１０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
また、第１誘電体層１０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第２記録層２０４、及び第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、第１記録層１０４の結晶化を先に行うと、第２記録層２０４を結晶化するために必要なレーザパワーが大きくなる傾向にあるため、第２記録層２０４を先に結晶化させることが好ましい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体１２を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態１の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝３、すなわち３個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の光学的情報記録媒体１６の一部断面図を図３に示す。光学的情報記録媒体１６は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な３層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体１６は、基板８上に順次積層した、第３情報層１５、中間層５、第２情報層１４、中間層３、第１情報層１３、及び透明層２により構成されている。基板８、中間層３、５及び透明層２は、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
以下、第３情報層１５、第２情報層１４、及び第１情報層１３の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第１情報層１３及び第２情報層１４が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
第３情報層１５は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第５誘電体層５０２、第５界面層５０３、第３記録層５０４、第６誘電体層５０６、及び第３反射層５０８を備える。なお、第５界面層５０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第３記録層５０４と第６誘電体層５０６の間に、第６界面層５０５（図３には第６界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第６界面層５０５」として説明する）。をさらに備えてもよい。さらに、第６誘電体層５０６と第３反射層５０８の間に界面層５０７（図３には界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「界面層５０７」として説明する）。を備えてもよい。第３情報層１５について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１３、中間層３、第２情報層１４、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。
第３情報層１５を形成する、第５誘電体層５０２、第５界面層５０３、第３記録層５０４、第６界面層５０５、第６誘電体層５０６、界面層５０７、及び第３反射層５０８は、それぞれ実施の形態２の第２情報層１１の第３誘電体層２０２、第３界面層２０３、第２記録層２０４、第４界面層２０５、第４誘電体層２０６、界面層２０７、及び第２反射層２０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第３情報層１５において、第３記録層５０４が結晶相である場合の反射率Ｒc3（％）、及び第３記録層５０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc3−Ｒa3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc3、Ｒa3は、１≦Ｒa3≦１２且つ１６≦Ｒc3≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒa3≦６且つ１６≦Ｒc3≦３２を満たすことがより好ましい。
第２情報層１４は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第３誘電体層４０２、第３界面層４０３、第２記録層４０４、第４誘電体層４０６、第２反射層４０８、及び第２透過率調整層４０９を備える。なお、第３界面層４０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第２記録層４０４と第４誘電体層４０６の間に第４界面層４０５を備えてもよい（図３には第４界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第４界面層４０５」として説明する）。第２情報層１４について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１３、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
第２情報層１４を形成する、第３誘電体層４０２、第３界面層４０３、第２記録層４０４、第４界面層４０５、第４誘電体層４０６、第２反射層４０８、及び第２透過率調整層４０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第２情報層１４において、第２記録層４０４が結晶相である場合の透過率Ｔc2（％）、及び第２記録層４０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１４より遠い側にある情報層に到達させるため、５０＜Ｔc2且つ５０＜Ｔa2を満たすことが好ましく、５５＜Ｔc2且つ５５＜Ｔa2を満たすことがより好ましい。
第２情報層１４の透過率Ｔc2及びＴa2は、−５≦（Ｔc2−Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc2−Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１４より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１４の第２記録層４０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第２情報層１４において、第２記録層４０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層４０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2−Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc2、Ｒa2は、０．３≦Ｒa2≦４且つ５≦Ｒc2≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒa2≦３且つ５≦Ｒc2≦９を満たすことがより好ましい。
第１情報層１３は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第１記録層３０４、第２誘電体層３０６、第１反射層３０８、及び第１透過率調整層３０９を備える。なお、第１界面層３０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第１記録層３０４と第２誘電体層３０６の間に、第２界面層３０５を備えてもよい（図３には第２界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第２界面層３０５」として説明する）。
第１情報層１３を形成する、第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第１記録層３０４、第２界面層３０５、第２誘電体層３０６、第１反射層３０８、及び第１透過率調整層３０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第１情報層１３において、第１記録層３０４が結晶相である場合の透過率Ｔc1（％）、及び第１記録層３０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa1（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第１情報層１３より遠い側にある情報層に到達させるため、５０＜Ｔc1且つ５０＜Ｔa1を満たすことが好ましく、５５＜Ｔc1且つ５５＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層１３の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第１情報層１３より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層１３の第１記録層３０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層１３において、第１記録層３０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層３０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦１且つ１．５≦Ｒc1≦５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦０．７且つ１．５≦Ｒc1≦３を満たすことがより好ましい。
このようにＲc1、Ｒa1、Ｒc2、Ｒa2、Ｒc3、Ｒa3、Ｔc1、Ｔa1、Ｔc2、Ｔa2を設計することにより、第１情報層１３、第２情報層１４、第３情報層１５からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が２％）ことができる。
光学的情報記録媒体１６は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板８上に第３情報層を形成する。具体的には、まず、基板８上に、第３反射層５０８、第６誘電体層５０６、第３記録層５０４、第５界面層５０３、及び第５誘電体層５０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第３反射層５０８と第６誘電体層５０６の間に界面層５０７を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第６誘電体層５０６と第３記録層５０４の間に第６界面層５０５を成膜してもよい。また、不要であれば、第５界面層５０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態２で説明した、第２情報層１１の第２反射層２０８、界面層２０７、第４誘電体層２０６、第４界面層２０５、第２記録層２０４、第３界面層２０３、及び第３誘電体層２０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第３情報層１５を形成する。
続いて、第３情報層１５の第５誘電体層５０２上に中間層５（厚さが例えば１５μｍ）を形成する。中間層５は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第５誘電体層５０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層５がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
なお、第５誘電体層５０２を成膜したのち、又は中間層５を形成したのち、必要に応じて、第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層５上に第２情報層１４を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、第２透過率調整層４０９、第２反射層４０８、第４誘電体層４０６、第２記録層４０４、第３界面層４０３、及び第３誘電体層４０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第４誘電体層４０６と第２記録層４０４の間に第４界面層４０５を成膜してもよい。また、不要であれば第３界面層４０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第２情報層１４を形成する。
続いて、第２情報層１４の第３誘電体層４０２上に、上述の中間層５と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば２５μｍ）を形成する。
なお、第３誘電体層４０２を成膜したのち、又は中間層３を形成したのち、必要に応じて、第２記録層４０４及び／又は第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層４０４及び／又は第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に第１情報層１３を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、第１透過率調整層３０９、第１反射層３０８、第２誘電体層３０６、第１記録層３０４、第１界面層３０３、及び第１誘電体層３０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第２誘電体層３０６と第１記録層３０４の間に第２界面層３０５を成膜してもよい。また、不要であれば第１界面層３０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第１情報層１３を形成する。
最後に、第１誘電体層３０２上に透明層２（厚さが例えば６０μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第１誘電体層３０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層３０４、第２記録層４０４、及び／又は第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層３０４、第２記録層４０４、及び／又は第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体１６を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態４）
実施の形態４として、実施の形態１の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態４の光学的情報記録媒体２１の一部断面図を図４に示す。光学的情報記録媒体２１は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な４層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２１は、基板８上に順次積層した、第４情報層２０、中間層６、第３情報層１９、中間層５、第２情報層１８、中間層３、第１情報層１７、及び透明層２により構成されている。基板８、中間層３、５、６及び透明層２は、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
以下、第４情報層２０、第３情報層１９、第２情報層１８及び第１情報層１７の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第１情報層１７、第２情報層１８及び第３情報層１９が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
第４情報層２０は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第７誘電体層９０２、第７界面層９０３、第４記録層９０４、第８誘電体層９０６、及び第４反射層９０８を備える。なお、第７界面層９０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第４記録層９０４と第８誘電体層９０６の間に、第８界面層９０５を備えてもよい（図４には第８界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第８界面層９０５」として説明する）。さらに、第８誘電体層９０６と第４反射層９０８の間に界面層９０７を備えてもよい（図４には界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「界面層９０７」として説明する）。第４情報層２０について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１７、中間層３、第２情報層１８、中間層５、第３情報層１９、及び中間層６を透過したレーザビーム１によって行われる。
第４情報層２０を形成する、第７誘電体層９０２、第７界面層９０３、第４記録層９０４、第８界面層９０５、第８誘電体層９０６、界面層９０７、及び第４反射層９０８は、それぞれ実施の形態２の第２情報層１１の第３誘電体層２０２、第３界面層２０３、第２記録層２０４、第４界面層２０５、第４誘電体層２０６、界面層２０７、及び第２反射層２０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第４情報層２０において、第４記録層９０４が結晶相である場合の反射率Ｒc4（％）、及び第４記録層９０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa4（％）は、Ｒa4＜Ｒc4を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc4−Ｒa4）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc4、Ｒa4は、１≦Ｒa4≦１２且つ１６≦Ｒc4≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒa4≦６且つ１６≦Ｒc4≦３２を満たすことがより好ましい。
第３情報層１９は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第５誘電体層８０２、第５界面層８０３、第３記録層８０４、第６誘電体層８０６、第３反射層８０８、及び第３透過率調整層８０９を備える。なお、第５界面層８０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第３記録層８０４と第６誘電体層８０６の間に第６界面層８０５を備えてもよい（図４には第６界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第６界面層８０５」として説明する）。第３情報層１９について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１７、中間層３、第２情報層１８、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。
第３情報層１９を形成する、第５誘電体層８０２、第５界面層８０３、第３記録層８０４、第６界面層８０５、第６誘電体層８０６、第３反射層８０８、及び第３透過率調整層８０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第３情報層１９において、第３記録層８０４が結晶相である場合の透過率Ｔc3（％）、及び第３記録層８０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa3（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第３情報層１９より遠い側にある情報層に到達させるため、５５＜Ｔc3且つ５５＜Ｔa3を満たすことが好ましく、６０＜Ｔc3且つ６０＜Ｔa3を満たすことがより好ましい。
第３情報層１９の透過率Ｔc3及びＴa3は、−５≦（Ｔc3−Ｔa3）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc3−Ｔa3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc3及びＴa3がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第３情報層１９より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層１９の第３記録層８０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第３情報層１９において、第３記録層８０４が結晶相である場合の反射率Ｒc3（％）、及び第３記録層８０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc3−Ｒa3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc3、Ｒa3は、０．３≦Ｒa3≦４且つ５≦Ｒc3≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒa3≦３且つ５≦Ｒc3≦９を満たすことがより好ましい。
第２情報層１８は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第３誘電体層７０２、第３界面相７０３、第２記録層７０４、第４誘電体層７０６、第２反射層７０８、及び第２透過率調整層７０９を備える。なお、第３界面層７０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第２記録層７０４と第４誘電体層７０６の間に第４界面層７０５を備えてもよい（図４には第４界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第４界面層７０５」として説明する）。第２情報層１８について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１７、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
第２情報層１８を形成する、第３誘電体層７０２、第３界面層７０３、第２記録層７０４、第４界面層７０５、第４誘電体層７０６、第２反射層７０８、及び第２透過率調整層７０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第２情報層１８において、第２記録層７０４が結晶相である場合の透過率Ｔc2（％）、及び第２記録層７０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１８より遠い側にある情報層に到達させるため、６０＜Ｔc2且つ６０＜Ｔa2を満たすことが好ましく、６５＜Ｔc2且つ６５＜Ｔa2を満たすことがより好ましい。
第２情報層１８の透過率Ｔc2及びＴa2は、−５≦（Ｔc2−Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc2−Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１８より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１８の第２記録層７０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第２情報層１８において、第２記録層７０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層７０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2−Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc2、Ｒa2は、０．１≦Ｒa2≦１且つ１．５≦Ｒc2≦６を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa2≦０．７且つ１．５≦Ｒc2≦３．５を満たすことがより好ましい。
第１情報層１７は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第１誘電体層６０２、第１界面層６０３、第１記録層６０４、第２誘電体層６０６、第１反射層６０８、及び第１透過率調整層６０９を備える。なお、第１界面層６０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第１記録層６０４と第２誘電体層６０６の間に、第２界面層６０５を備えてもよい（図４には第２界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第２界面層６０５」として説明する）。
第１情報層１７を形成する、第１誘電体層６０２、第１界面層６０３、第１記録層６０４、第２界面層６０５、第２誘電体層６０６、第１反射層６０８、及び第１透過率調整層６０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第１情報層１７において、第１記録層６０４が結晶相である場合の透過率Ｔc1（％）、及び第１記録層６０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa1（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第１情報層１７より遠い側にある情報層に到達させるため、６０＜Ｔc1且つ６０＜Ｔa1を満たすことが好ましく、６５＜Ｔc1且つ６５＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層１７の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第１情報層１７より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層１７の第１記録層６０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層１７において、第１記録層６０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層６０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦０．８且つ１．２≦Ｒc1≦３を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦０．５且つ１．２≦Ｒc1≦２を満たすことがより好ましい。
このようにＲc1、Ｒa1、Ｒc2、Ｒa2、Ｒc3、Ｒa3、Ｒc4、Ｒa4、Ｔc1、Ｔa1、Ｔc2、Ｔa2、Ｔc3、Ｔa3を設計することにより、第１情報層１７、第２情報層１８、第３情報層１９、第４情報層２０からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が１．５％）ことができる。
光学的情報記録媒体２１は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板８上に第４情報層を形成する。具体的には、まず、基板８上に、第４反射層９０８、第８誘電体層９０６、第４記録層９０４、第７界面層９０３及び第７誘電体層９０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第４反射層９０８と第８誘電体層９０６の間に界面層９０７を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第８誘電体層９０６と第４記録層９０４の間に第８界面層９０５を成膜してもよい。また、不要であれば第７界面層９０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態２で説明した、第２情報層１１の第２反射層２０８、界面層２０７、第４誘電体層２０６、第４界面層２０５、第２記録層２０４、第３界面層２０３、及び第３誘電体層２０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第４情報層２０を形成する。
続いて、第４情報層２０の第７誘電体層９０２上に中間層６（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。中間層６は、光硬化性樹脂（特にアクリル系のに紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第７誘電体層９０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層６がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
なお、第７誘電体層９０２を成膜したのち、又は中間層６を形成したのち、必要に応じて、第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層６上に第３情報層１９を形成する。具体的には、まず、中間層６上に、第３透過率調整層８０９、第３反射層８０８、第６誘電体層８０６、第３記録層８０４、第５界面層８０３及び第５誘電体層８０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第６誘電体層８０６と第３記録層８０４の間に第６界面層８０５を成膜してもよい。また、不要であれば第５界面層８０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第３情報層１９を形成する。
続いて、第３情報層１９の第５誘電体層８０２上に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層５（厚さが例えば２０μｍ）を形成する。
なお、第５誘電体層８０２を成膜したのち、又は中間層５を形成したのち、必要に応じて、第３記録層８０４及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層８０４及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層５上に第２情報層１８を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、第２透過率調整層７０９、第２反射層７０８、第４誘電体層７０６、第２記録層７０４、第３界面層７０３及び第３誘電体層７０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第４誘電体層７０６と第２記録層７０４の間に第４界面層７０５を成膜してもよい。また、不要であれば第３界面層７０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第２情報層１８を形成する。
続いて、第２情報層１８の第３誘電体層７０２上に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば１５μｍ）を形成する。
なお、第３誘電体層７０２を成膜したのち、又は中間層３を形成したのち、必要に応じて、第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に第１情報層１７を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、第１透過率調整層６０９、第１反射層６０８、第２誘電体層６０６、第１記録層６０４、第１界面層６０３及び第１誘電体層６０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第２誘電体層６０６と第１記録層６０４の間に第２界面層６０５を成膜してもよい。また、不要であれば第１界面層６０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第１情報層１７を形成する。
最後に、第１誘電体層６０２上に透明層２（厚さが例えば５５μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第１誘電体層６０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層６０４、第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層６０４、第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２１を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態５）
実施の形態５として、本発明の光学的情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態５の光学的情報記録媒体２５の一部断面図を図５に示す。光学的情報記録媒体２５は、実施の形態１の光学的情報記録媒体９と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２５は、基板２２上に中間層３、５等を介して順次積層した、第１情報層１０、第２情報層４、…を含む（Ｎ−１）個の情報層と、基板２４上に積層した第Ｎ情報層７とが、中間層２３を介して密着された構成である。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
基板２２及び２４は透明で円盤状の基板である。基板２２及び２４を構成する材料としては、基板８と同様に、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、又はガラスを用いることができる。
基板２２の第１情報層１０側の表面、及び基板２４の第Ｎ情報層７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２２の第１情報層１０側と反対側の表面、及び基板２４の第Ｎ情報層７側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板２２及び基板２４の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。なお、基板２２及び基板２４の厚さは、十分な強度が確保され、且つ光学的情報記録媒体２５の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。
中間層２３は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。中間層２３の厚さは、中間層３及び５等と同様の理由により、０．６μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
その他、実施の形態１と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒体２５は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層１０を形成する。このとき、基板２２にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層１０を形成する。具体的には、基板２２を成膜装置内に配置し、第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、透過率調整層１０９を順次積層する。なお、不要であれば第１界面層１０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第１記録層１０４と第２誘電体層１０６との間に第２界面層１０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態１の各層の成膜方法と同様である。その後、（Ｎ−２）層の情報層（第２情報層〜第（Ｎ−１）情報層）を、中間層を介して順次積層する。
別に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第Ｎ情報層７を形成する。第Ｎ情報層７は、単層膜、又は多層膜からなり、それらの各層は、実施の形態１と同様、成膜装置内で材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。
最後に、情報層が積層された基板２２及び基板２４を、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を情報層７上に塗布して、第１情報層１０を成膜した基板２２を第Ｎ情報層７上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第Ｎ情報層７上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを基板２２に密着させることもできる。
なお、基板２２及び基板２４を密着させた後、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２５を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態６）
実施の形態６として、実施の形態５の本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態６の光学的情報記録媒体２６の一部断面図を図６に示す。光学的情報記録媒体２６は、実施の形態２の光学的情報記録媒体１２と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２６は、基板２２上に第１情報層１０、基板２４上に第２情報層１１を積層し、これらの積層体を中間層２３を介して密着させた構成である。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
基板２２の第２反射層２０８側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２２の第２反射層２０８側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。
その他、実施の形態２、及び実施の形態５と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒体２６は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、実施の形態５と同様の方法により第１情報層１０を形成する。
なお、透過率調整層１０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
別に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第２情報層１１を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２情報層１１を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第２反射層２０８、第４誘電体層２０６、第２記録層２０４、第３界面層２０３第３誘電体層２０２を順次積層する。なお、不要であれば第３界面層２０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第２記録層２０４と第４誘電体層２０６の間に第４界面層２０５を成膜してもよい。また、必要に応じて第２反射層２０８と第４誘電体層２０６の間に界面層２０７を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態２の各層の成膜方法と同様である。
なお、第３誘電体層２０２を成膜したのち、必要に応じて、第２記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
最後に、第１情報層１０を積層した基板２２と、第２情報層１１を積層した基板２４とを、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第１情報層１０又は第２情報層１１上に塗布して、基板２４上の第３誘電体層２０２と基板２２上の透過率調整層１０９とを密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第１情報層１０又は第２情報層１１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、基板２２と基板２４を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第２記録層２０４、及び第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、実施の形態２と同様の理由により、第２記録層２０４を先に結晶化させることが好ましい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２６を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態７）
実施の形態７として、実施の形態５の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝３、すなわち３個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態７の光学的情報記録媒体２７の一部断面図を図７に示す。光学的情報記録媒体２７は、実施の形態３の光学的情報記録媒体１６と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な３層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２７は、基板２２上に第１情報層１３、及び第２情報層１４を積層し、基板２４上に第３情報層１５を積層して、これらの積層体を中間層２３を介して密着させた構成である。本実施の形態では、第１情報層１３及び第２情報層１４が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
その他、実施の形態３、実施の形態５、及び実施の形態６と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒２７は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層１３を形成する。このとき、基板２２にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層２２を形成する。具体的には、基板２２を成膜装置内に配置し、第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第１記録層３０４、第２誘電体層３０６、第１反射層３０８、第１透過率調整層３０９を順次積層する。なお、不要であれば第１界面層３０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第１記録層３０４と第２誘電体層３０６の間に第２界面層３０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層のそれと同様である。
続いて、第１透過率調整層３０９上に、実施の形態３と同様の方法により、中間層３を形成する。なお、中間層３を形成したのち、又は第１透過率調整層３０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層３０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に、第２情報層１４を形成する。具体的には、基板２２上に第１情報層１３及び中間層３を形成したものを成膜装置内に配置し、第３誘電体層４０２、第３界面層４０３、第２記録層４０４、第４誘電体層４０６、第２反射層４０８、第２透過率調整層４０９を順次積層する。なお、不要であれば第３界面層４０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第２記録層４０４と第４誘電体層４０６の間に第４界面層４０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層のそれと同様である。なお、第２透過率調整層４０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層３０４、及び／又は第２記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層３０４、及び／又は第２記録層４０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
次に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第３情報層１５を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第３情報層１５を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第３反射層５０８、第６誘電体層５０６、第３記録層５０４、第５界面層５０３及び第５誘電体層５０２を順次積層する。なお、不要であれば第５界面層５０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第３記録層５０４と第６誘電体層５０６の間に第６界面層５０５を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第６誘電体層５０６と第３反射層５０８の間に界面層５０７を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層のそれと同様である。
なお、第５誘電体層５０２を成膜したのち、必要に応じて、第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
最後に、第１情報層１３、中間層３及び第２情報層１４を積層した基板２２と、第３情報層１５を積層した基板２４とを、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第２情報層１４又は第３情報層１５上に塗布して、基板２２と基板２４を密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第２情報層１４又は第３情報層１５上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、基板２２と基板２４を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第３記録層５０４、第２記録層４０４、及び／又は第１記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２７を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態８）
実施の形態８として、実施の形態５の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態８の光学的情報記録媒体２８の一部断面図を図８に示す。光学的情報記録媒体２８は、実施の形態４の光学的情報記録媒体２１と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な４層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２８は、基板２２上に第１情報層１７、及び第２情報層１８を積層し、基板２４上に第４情報層２０、及び第３情報層１９を積層して、これらの積層体を中間層２３を介して密着させた構成である。本実施の形態では、第１情報層１７、第２情報層１８及び第３情報層１９が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
その他、実施の形態４、実施の形態５、実施の形態６、及び実施の形態７と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒体２８は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層１７を形成する。このとき、基板２２にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層１７を形成する。具体的には、基板２２を成膜装置内に配置し、第１誘電体層６０２、第１界面層６０３、第１記録層６０４、第２誘電体層６０６、第１反射層６０８、第１透過率調整層６０９を順次積層する。なお、不要であれば第１界面層６０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第１記録層６０４と第２誘電体層６０６の間に第２界面層６０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
続いて、第１透過率調整層６０９上に、実施の形態４と同様の方法により、中間層３を形成する。なお、中間層３を形成したのち、又は第１透過率調整層６０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層６０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層６０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に、第２情報層１８を形成する。具体的には、基板２２上に第１情報層１７及び中間層３を形成したものを成膜装置内に配置し、第３誘電体層７０２、第３界面層７０３、第２記録層７０４、第４誘電体層７０６、第２反射層７０８、第２透過率調整層７０９を順次積層する。なお、不要であれば第３界面層７０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第２記録層７０４と第４誘電体層７０６の間に第４界面層７０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。なお、第２透過率調整層７０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層６０４、及び／又は第２記録層７０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層６０４、及び／又は第２記録層７０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
次に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第４情報層２０を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第４情報層２０を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第４反射層９０８、第８誘電体層９０６、第４記録層９０４、第７界面層９０３、第７誘電体層９０２を順次積層する。なお、不要であれば第７界面層９０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第４記録層９０４と第８誘電体層９０６の間に第８界面層９０５を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第８誘電体層９０６と第４反射層９０８の間に界面層９０７を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
続いて、第７誘電体層９０２上に、実施の形態４と同様の方法により、中間層６を形成する。なお、中間層６を形成したのち、又は第７誘電体層９０２を成膜したのち、必要に応じて、第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層６上に、第３情報層１９を形成する。具体的には、基板２４上に第４情報層２０及び中間層６を形成したものを成膜装置内に配置し、第３透過率調整層８０９、第３反射層８０８、第６誘電体層８０６、第３記録層８０４、第５界面層８０３、第５誘電体層８０２を順次積層する。なお、不要であれば第５界面層８０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第３記録層８０４と第６誘電体層８０６の間に第６界面層８０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層の成膜方法と同様である。なお、第５誘電体層８０２を成膜したのち、必要に応じて、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
最後に、第１情報層１７、中間層３及び第２情報層１８を積層した基板２２と、第４情報層２０、中間層６及び第３情報層１９を積層した基板２４とを、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第２情報層１８又は第３情報層１９上に塗布して、基板２２と基板２４を密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第２情報層１８又は第３情報層１９上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、基板２２と基板２４を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第４記録層９０４、第３記録層８０４、第２記録層７０４、及び／又は第１記録層６０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２８を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態９）
実施の形態９では、実施の形態１、２、３、４、５、６、７及び８として説明した本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方法について説明する。
本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方法に用いられる記録再生装置３４の一部の構成を図９に模式的に示す。図９に示す記録再生装置３４は、光学的情報記録媒体３３を回転させるためのスピンドルモータ２９と、半導体レーザ３１、及び半導体レーザ３１から出射されるレーザビーム１を集光する対物レンズ３０を備える光学ヘッド３２とを備える。光学的情報記録媒体３３は、実施の形態１〜８の光学的情報記録媒体であり、複数の情報層（例えば第１情報層１０、第２情報層１１）を備える。対物レンズ３０は、レーザビーム１を情報層上に集光する。
光学的情報記録媒体への情報の記録、消去、及び上書き記録は、レーザビーム１のパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐb（ｍＷ））との間で変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビーム１を照射することによって、記録層の局所的な一部分が非晶質相にされ、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビーム１が照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビーム１を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスはピークパワー、バイアスパワーのパワーレベルだけで２値変調されてもよいし、バイアスパワーよりさらに低パワーのクーリングパワー（Ｐc（ｍＷ））及びボトムパワー（ＰB（ｍＷ））を加えて、０ｍＷ〜ピークパワーの範囲のパワーレベルによって３値変調、又は４値変調されてもよい。
また、情報信号の再生は、再生パワーのレーザビーム１を照射することによって得られる光学的情報記録媒体からの信号を検出器で読みとることにより実施する。再生パワー（Ｐr（ｍＷ））は、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビーム１の照射によって、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ光学的情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるパワーに設定される。
対物レンズ３０の開口数ＮＡは、レーザビームのスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内であることが好ましく、０．６〜０．９の範囲内であることがより好ましい。レーザビーム１の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録する際の光学的情報記録媒体の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる４ｍ／秒〜５０ｍ／秒の範囲内であることが好ましく、９ｍ／秒〜４０ｍ／秒の範囲内であることがより好ましい。光学的情報記録媒体の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、及び線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビームの波長は、６５０〜６７０ｎｍであってもよい。
二つの情報層を備えた光学的情報記録媒体１２、及び光学的情報記録媒体２６において、第１情報層１０で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を第１記録層１０４に合わせ、透明層２（又は基板２２）を透過したレーザビーム１によって第１記録層１０４に情報を記録する。再生は、第１記録層１０４によって反射され、透明層２（又は基板２２）を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。第２情報層１１で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を第２記録層２０４に合わせ、透明層２（又は基板２２）、第１情報層１０、及び中間層３（又は中間層２３）を透過したレーザビーム１によって情報を記録する。再生は、第２記録層２０４によって反射され、中間層３（又は中間層２３）、第１情報層１０、及び透明層２（又は基板２２）を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。
なお、基板８、中間層３、５、及び６に、レーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム１の入射側から近い方の溝面（グルーブ）に行われてもよいし、遠い方の溝面（ランド）に行われてもよい。また、グルーブとランドの両方に情報を記録してもよい。
この記録再生装置を用いて、光学的情報記録媒体の性能を次のようにして評価できる。記録性能は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、記録マークの前端間、及び後端間のジッター（マーク位置の誤差）をタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。なお、ジッター値が小さいほど、記録性能がよい。なお、ＰpとＰbは、前端間、及び後端間のジッターの平均値（平均ジッター）が最小となるよう決定される。このときの最適Ｐpを記録感度とする。
また、消去性能は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、１１回目に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後９Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅の差を、２Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定することにより評価できる。なお、消去率が大きいほど、消去性能がよい。
また、信号強度は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、最後に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定することによって評価できる。なお、ＣＮＲが大きいほど信号強度が強い。
さらに、繰り返し書き換え回数は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を同じグルーブに連続記録し、各記録書き換え回数における前端間、及び後端間ジッターをタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。１回目の前端間と後端間の平均ジッター値に対し、３％増加するときの書き換え回数を上限値とする。なお、Ｐp、Ｐb、Ｐc、及びＰBは、平均ジッター値が最も小さくなるように決定する。
（実施の形態１０）
実施の形態１０として、本発明のターゲットの実施の形態について、以下に説明する。
本発明のターゲットは、少なくともＷを含む。これを用いると、Ｗを含む誘電体層（透過率調整層）を形成することができる。また、本発明のターゲットは、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよく、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよい。これを用いると、Ｗ−Ｍ１、Ｗ−Ｍ２、又はＷ−Ｍ１−Ｍ２を含む透過率調整層を形成することができる。このようなターゲットを用い、且つ、希ガスと微量の反応ガス（特に酸素ガス）を導入することによって、実施の形態１〜８で説明したような本発明の光学的情報記録媒体に含まれる透過率調整層を形成することができる。
上記のターゲットにさらにＯを含むターゲットを用いることもできる。このようなターゲットを用い、且つ、希ガスのみ、又は希ガスと微量の反応ガス（特に酸素ガス）を導入することによっても、実施の形態１〜８で説明したような本発明の光学的情報記録媒体に含まれる透過率調整層を形成することができる。
また、高速成膜において、光学的情報記録媒体の、例えば反射率の個体ばらつきや、ジッタの媒体面内ばらつきを小さく抑えることができる。より高速な成膜を行い、ばらつきをより小さくするように、本ターゲットは、密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する）が高いことが好ましい。好ましくは、密度８０％以上で、より好ましくは密度９０％以上である。
次に、本発明のターゲットの製造方法の一例を説明する。
例えば、ＷとＭ１を含むターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末及び材料Ｍ１の粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、ターゲットの面内・厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度及び時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なターゲットを製造することが可能になる。このようにして、ＷとＭ１を所定の組成比で含むターゲットが完成する。焼結後、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着してもよい。こうすることにより、スパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。
同様に、ＷとＭ２を含むターゲットは、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末、及び材料Ｍ２の粉末を準備して、上記の方法でターゲットを製造することができる。また、ＷとＭ１及びＭ２を含むターゲットは、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末、材料Ｍ１の粉末及び材料Ｍ２の粉末を準備して、上記の方法でターゲットを製造することができる。あるいは、上記のターゲットを製造する際には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗ−Ｍ１の粉末及び材料Ｗ−Ｍ２の粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末、材料Ｍ１−Ｍ２の粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗ−Ｍ１−Ｍ２の粉末を準備してもよく、いずれの粉末の組み合わせでも、上記の方法でターゲットを製造することもできる。
同様に、製造するターゲットがＯを含む場合には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗ−Ｏの粉末、材料Ｍ１−Ｏの粉末、材料Ｍ２−Ｏの粉末、材料Ｗ−Ｍ１−Ｏの粉末、材料Ｗ−Ｍ２−Ｏの粉末、及びＷ−Ｍ１−Ｍ２−Ｏを準備して、上記の方法でターゲットを製造することができる。
本発明の光学的情報記録媒体に設けられる透過率調整層を作製する方法としては、上記ターゲットを用いて、スパッタリング法を用いて成膜を行うことが望ましい。スパッタリング法を用いた場合、多層膜を積層するための量産用の成膜装置が既に市場に提供されており、比較的容易に良好な膜質の薄膜が得られるという利点がある。
ここで、本実施の形態において用いられるスパッタリング装置の一例について説明する。図１０にはスパッタリング装置を用いて成膜する様子が示されている。図１０に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器３５に排気口３６を通して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器３５内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口３７からは、一定流量のガスを供給できるようになっている。基板３９（ここでの基板とは、膜を堆積させるための基材のことである。）は陽極３８に載置されている。真空容器３５を接地することにより、真空容器３５及び基板３９が陽極に保たれている。スパッタリングターゲット４０は陰極４１に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源４２に接続されている。陽極３８と陰極４１との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット４０から放出された粒子により基板３９上に薄膜が形成できる。
本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
（実施例１）
実施例１では、本発明における透過率調整層の材料と、当該透過率調整層の成膜速度、及び成膜室の真空度と成膜速度との関係を調べた。具体的には、基板上に異なる材料の透過率調整層を成膜し、成膜前の成膜室の真空度が異なる状態での成膜速度を測定した。
成膜速度は以下のようにして測定した。まず、基板として、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意し、基板上に膜厚測定用のガラス基板（長さ１２ｍｍ×幅１８ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を貼り付けた。そして、そのガラス基板を貼り付けた基板上に、透過率調整層をスパッタリング法によって成膜した。成膜前、及び成膜中の成膜室の真空度は電離真空計を用いて測定した。
上記の透過率調整層をスパッタリングする成膜装置は、この透過率調整層を成膜するスパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。透過率調整層の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。
最後に、基板上に貼り付けたガラス基板に成膜された透過率調整層の膜厚を触針式段差計を用いて測定した。測定した膜厚と透過率調整層を成膜した時間から、単位時間あたりに成膜される膜厚、すなわち成膜速度を計算した。
成膜された透過率調整層の材料と成膜室の真空度と透過率調整層の成膜速度の関係を（表１）に示す。なお、成膜速度については、成膜前の成膜室の真空度が１．３×１０-4Ｐａの場合のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。
Figure 2009096165
この結果、透過率調整層としてＷＯ3を成膜した場合には、ＴｉＯ2を成膜した場合に比べ、成膜速度が速く、成膜前の成膜室の真空度の悪化に伴い成膜速度が低下することもないことがわかった。このことから、ＷとＯとを含む材料のＷＯ3は透過率調整層の材料として好ましいことがわかった。
（実施例２）
実施例２では、図２の光学的情報記録媒体１２を作製し、透過率調整層１０９の材料と、透過率調整層１０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１０の透過率（Ｔc1）、及び第１情報層１０の耐湿性との関係を調べた。具体的には、透過率調整層１０９の材料が異なる第１情報層１０を含む光学的情報記録媒体１２のサンプル２−１から２−２７を作製し、透過率調整層１０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１０の透過率、及び第１情報層１０の耐湿性を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、第２記録層２０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第３界面層２０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２反射層２０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層２０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層２０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層２０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３誘電体層２０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第２反射層２０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第４誘電体層２０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第２記録層２０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第３界面層２０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３誘電体層２０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層２０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１０側に形成された、厚さ２５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、透過率調整層１０９（厚さ：２０ｎｍ）、第１反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：９ｎｍ）、第２誘電体層１０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層１０５として（ＳｉＯ2）20（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）30層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：７ｎｍ）、第１界面層１０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ、透過率調整層１０９を成膜するスパッタリングターゲット、第１反射層１０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層１０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層１０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層１０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層１０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層１０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
透過率調整層１０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１反射層１０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー１００Ｗで行った。第２誘電体層１０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。第２界面層１０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１記録層１０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー５０Ｗで行った。第１界面層１０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層１０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２を形成した。その後、第２記録層２０４、及び第１記録層１０４を、レーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、透過率調整層１０９の材料が異なる複数のサンプルを製造した。これらのサンプルは、透過率と耐湿性とを評価するためのサンプルとして用いた。
なお、成膜速度については、実施例１で行った方法と同様の方法により測定した。成膜速度の安定性は、成膜速度の測定結果を用いて評価した。ここで、成膜速度の安定性とは、成膜前の成膜室の真空度に対する成膜速度の変化率が小さいことを意味する。また、透過率調整層１０９の屈折率を測定するサンプルは、ポリカーボネート基板上に屈折率測定用の石英基板（長さ１２ｍｍ×幅１８ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を貼り付け、その石英基板を貼り付けたポリカーボネート基板上に、透過率調整層１０９となる材料をスパッタリング法によって成膜することにより準備した。屈折率の測定にはエリプソメータを用いた。
透過率及び耐湿性の評価用として作製したサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体１２の第２情報層１１及び第１情報層１０の反射率（Ｒc1、Ｒc2）を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１０の透過率（Ｔc1）については、第２情報層１１のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル２−１から２−２７の第２情報層１１の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
また、第１情報層１０の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨ（ｒｅｌａｔｉｖｅ ｈｕｍｉｄｉｔｙ）の条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
各サンプルについて、成膜された透過率調整層１０９の材料（膜組成）、透過率調整層１０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１０の透過率、及び耐湿性を（表２）に示す。なお、成膜速度については、実施例１で測定した成膜室真空度が１．３×１０-4Ｐａの時のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。また、成膜速度の安定性については、成膜前の成膜室の真空度１．３×１０-4Ｐａから８．０×１０-4Ｐａまでの成膜速度の変化率が５％未満を○、５％以上１０％未満を△、１０％以上を×とした。また、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。さらに総合評価として、透過率４４％以上で、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに○判定の場合をＡ、透過率が４４％未満、又は、成膜速度の安定性もしくは耐湿性で△判定がある場合をＢ、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに△判定の場合をＣ、成膜速度の安定性又は耐湿性で×判定がある場合をＤ、とした。
Figure 2009096165
この結果、透過率調整層１０９がＴｉＯ2のみからなるサンプル２−６では、成膜速度が真空度により１０％以上低下し、成膜速度の安定性が悪いことがわかった。また、透過率調整層１０９がＢｉ2Ｏ3のみからなるサンプル２−１３では、耐湿性が悪いことがわかった。透過率調整層１０９がＮｂ2Ｏ5のみからなるサンプル２−２６では、耐湿性が悪いことがわかった。さらに、透過率調整層１０９がＣｅＯ2のみからなるサンプル２−２７では、成膜速度の安定性が悪いことがわかった。
透過率調整層１０９がＷとＯを含むサンプル２−１、透過率調整層１０９が上記式（１）（Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％）（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。））で表されるサンプル２−２から２−５、２−７から２−１０、及び透過率調整層１０９が上記式（３）（Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％）（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。））で表されるサンプル２−１１から２−１４、２−１６から２−２１、さらに透過率調整層１０９が上記式（４）（Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％）（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。））で表されるサンプル２−２２から２−２４は、透過率調整層１０９の成膜速度が速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も２．１以上と高いことがわかった。また、第１情報層１０の透過率、及び耐湿性も良好であることがわかった。この中でも特に、透過率調整層１０９がＷと、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔｉ、及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物であるサンプル２−３から２−５、２−７から２−１０、２−１１から２−１４、２−２２から２−２４では、屈折率が２．５以上と高く第１情報層１０の透過率を４５％以上に高めることができるため、透過率調整層として特に優れていることがわかった。また、透過率調整層１０９がＭ１（ここではＭ１がＴｉ及びＮｂ）とＯとのみからなる、比較例として作製されたサンプル２−２５を、ＷとＭ１（ここではＭ１がＴｉ及びＮｂ）とＯとからなるサンプル２−８及び２−９と比較すると、成膜速度がやや遅く、耐湿性もやや悪化していた。また、透過率調整層１０９がＷを含まず、Ｍ１（ここではＭ１がＮｂ又はＣｅ）とＯとのみからなる、比較例として作製されたサンプル２−２６及び２−２７は、Ｎｂ2Ｏ5の場合は耐湿性が悪く、ＣｅＯ2の場合は成膜速度の安定性が悪かった。
また、上記式（１）において１０＜ａ１＜２２及び５＜ｂ１＜２３を満たすサンプル２−３及び２−４は、透過率調整層１０９の成膜速度が十分速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も十分高く、さらに耐湿性にも優れていた。
以上の結果から、透過率調整層１０９の組成は少なくともＷとＯを含むことが望ましく、式（１）、式（３）及び式（４）で表される材料を含むことがさらに好ましいことがわかった。
（実施例３）
実施例３では、図３の光学的情報記録媒体１６を作製し、第１透過率調整層３０９の材料と、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１３の透過率、及び第１情報層１３の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１透過率調整層３０９の材料が異なる第１情報層１３を含む光学的情報記録媒体１６のサンプル３−１から３−１１を作製し、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１３の透過率、及び第１情報層１３の耐湿性を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第３反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第６誘電体層５０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第６界面層５０５（図示せず）として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第３記録層５０４としてＳｂ80Ｔｅ14Ｇｅ6層（厚さ：１０ｎｍ）、第５界面層５０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第５誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第３反射層５０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第６誘電体層５０６を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第６界面層５０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３記録層５０４を成膜するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第５界面層５０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第５誘電体層５０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。なお、スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
第３反射層５０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第６誘電体層５０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第６界面層５０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３記録層５０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第５界面層５０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第５誘電体層５０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第５誘電体層５０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１４側に形成された、厚さ１５μｍの中間層５を得た。
その後、中間層５の上に、第２透過率調整層４０９として（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50層（厚さ：２０ｎｍ）、第２反射層４０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第４誘電体層４０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層４０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｓｂ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：６ｎｍ）、第３界面層４０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第４誘電体層４０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２透過率調整層４０９を成膜する（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２反射層４０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層４０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第４記録層４０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層４０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層４０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
第２透過率調整層４０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２反射層４０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第４誘電体層４０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２記録層４０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第３界面層４０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３誘電体層４０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層４０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１３側に形成された、厚さ２５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、第１透過率調整層３０９（厚さ：１５ｎｍ）、第１反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第２誘電体層３０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層３０５（図示せず）として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層３０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：５．５ｎｍ）、第１界面層３０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第１透過率調整層３０９を成膜するスパッタリングターゲット、第１反射層３０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層３０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層３０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層３０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層３０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第１透過率調整層３０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１反射層３０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第２誘電体層３０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２界面層３０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第１記録層３０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層３０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。第１誘電体層３０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層３０２上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６０μｍの透明層２を形成した。その後、第３記録層５０４、第２記録層４０４、及び第１記録層３０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１透過率調整層３０９の材料が異なる複数のサンプルを製造した。これらのサンプルは、透過率と耐湿性とを評価するためのサンプルとして用いた。
なお、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、及び屈折率については実施例２で行った方法と同様の方法により測定した。
透過率及び耐湿性の評価用として作製したサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体１６の第３情報層１５、第２情報層１４、及び第１情報層１３の反射率（Ｒc1、Ｒc2、Ｒc3）を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１３の透過率（Ｔc1）については、第２情報層１４のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル３−１から３−１１の第２情報層１４の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
また、第１情報層１３の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
各サンプルについて、成膜された第１透過率調整層３０９の材料（膜組成）、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１３の透過率（Ｔc1）、及び耐湿性を（表３）に示す。成膜速度については、実施例１で測定した成膜室真空度が１．３×１０-4Ｐａの時のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。なお、成膜速度の安定性については、成膜前の成膜室の真空度１．３×１０-4Ｐａから８．０×１０-4Ｐａまでの成膜速度の変化率が５％未満を○、５％以上１０％未満を△、１０％以上を×とした。また、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。さらに総合評価として、透過率５０％以上で、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに○判定の場合をＡ、透過率が５０％未満、又は、成膜速度の安定性もしくは耐湿性で△判定がある場合をＢ、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに△判定の場合をＣ、成膜速度の安定性又は耐湿性で×判定がある場合をＤ、とした。
Figure 2009096165
この結果、第１透過率調整層３０９がＷとＯを含み、上記式（１）、上記式（３）、及び上記式（４）で表されるサンプル３−１から３−１１は、第１透過率調整層３０９の成膜速度が速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も２．５以上と高いことがわかった。また、第１情報層１３の透過率、及び耐湿性も良好であることがわかった。
以上の結果から、第１透過率調整層３０９の組成は、少なくともＷとＯを含むことが望ましく、例えば式（１）、式（３）及び式（４）で表されることが好ましいことがわかった。
（実施例４）
実施例４では、図４の光学的情報記録媒体２１を作製し、第１透過率調整層６０９の材料と、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１７の透過率、及び第１情報層１７の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１透過率調整層６０９の材料が異なる第１情報層１７を含む光学的情報記録媒体２１のサンプル４−１から４−８を作製し、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１７の透過率、及び第１情報層１７の耐湿性を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第４反射層９０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第８誘電体層９０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第８界面層９０５（図示せず）として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第４記録層９０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１２ｎｍ）、第７界面層９０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第７誘電体層９０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第４反射層９０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第８誘電体層９０６を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第８界面層９０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第４記録層９０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第７界面層９０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第７誘電体層９０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第４反射層９０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第８誘電体層９０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第８界面層９０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第４記録層９０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第７界面層９０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第７誘電体層９０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第７誘電体層９０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第３情報層１９側に形成された、厚さ１０μｍの中間層６を得た。
その後、中間層６の上に、第３透過率調整層８０９として（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50層（厚さ：２０ｎｍ）、第３反射層８０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第６誘電体層８０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第３記録層８０４としてＳｂ85Ｇｅ15層（厚さ：６ｎｍ）、第５界面層８０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第５誘電体層８０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第３透過率調整層８０９を成膜する（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第３反射層８０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第６誘電体層８０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３記録層８０４を成膜するＳｂ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第５界面層８０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第５誘電体層８０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
第３透過率調整層８０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第３反射層８０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第６誘電体層８０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第３記録層８０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第５界面層８０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第５誘電体層８０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第５誘電体層８０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１８側に形成された、厚さ２０μｍの中間層５を得た。
その後、中間層５の上に、第２透過率調整層７０９として（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）30（Ｂｉ2Ｏ3）20層（厚さ：２０ｎｍ）、第２反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第４誘電体層７０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層７０４としてＳｂ81Ｔｅ13Ｇｅ6層（厚さ：５ｎｍ）、第３界面層７０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２透過率調整層７０９を成膜する（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）30（Ｂｉ2Ｏ3）20スパッタリングターゲット、第２反射層７０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層７０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層７０４を成膜するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層７０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層７０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第２透過率調整層７０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２反射層７０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第４誘電体層７０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２記録層７０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第３界面層７０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３誘電体層７０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層７０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１７側に形成された、厚さ１５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、第１透過率調整層６０９（厚さ：１５ｎｍ）、第１反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：６ｎｍ）、第２誘電体層６０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層６０５（図示せず）として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：３ｎｍ）、第１記録層６０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：４．５ｎｍ）、第１界面層６０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第１透過率調整層６０９を成膜するスパッタリングターゲット、第１反射層６０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層６０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層６０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層６０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層６０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層６０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第１透過率調整層６０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１反射層６０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第２誘電体層６０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２界面層６０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第１記録層６０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層６０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第１誘電体層６０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層６０２上に塗布し回転させることによって均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、厚さ５５μｍの透明層２を形成した。その後、第４記録層９０４、第３記録層８０４、第２記録層７０４、及び第１記録層６０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１透過率調整層６０９の材料が異なる複数のサンプルを製造した。これらのサンプルは、透過率と耐湿性とを評価するためのサンプルとして用いた。
なお、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、及び屈折率については実施例２で行った方法と同様の方法により測定した。
透過率及び耐湿性の評価用として作製したサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体２１の第４情報層２０、第３情報層１９、第２情報層１８、及び第１情報層１７の反射率を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１７の透過率（Ｔc1）については、第２情報層１８のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル４−１から４−８の第２情報層１８の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
また、第１情報層１７の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
各サンプルについて、成膜された第１透過率調整層６０９の材料（膜組成）、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１７の透過率、及び耐湿性を（表４）に示す。成膜速度については、実施例１で測定した成膜室真空度が１．３×１０-4Ｐａの時のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。なお、成膜速度の安定性については、成膜前の成膜室の真空度１．３×１０-4Ｐａから８．０×１０-4Ｐａまでの成膜速度の変化率が５％未満を○、５％以上１０％未満を△、１０％以上を×とした。また、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。さらに総合評価として、透過率５０％以上で、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに○判定の場合をＡ、透過率が５０％未満、又は、成膜速度の安定性もしくは耐湿性で△判定がある場合をＢ、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに△判定の場合をＣ、成膜速度の安定性又は耐湿性で×判定がある場合をＤ、とした。
Figure 2009096165
この結果、第１透過率調整層６０９がＷとＯを含み、上記式（１）、上記式（３）、及び上記式（４）で表されるサンプル４−１から４−８は、第１透過率調整層６０９の成膜速度が速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も２．６以上と高いことがわかった。また、第１情報層１７の透過率、及び耐湿性も良好であることがわかった。
以上の結果から、第１透過率調整層６０９の組成は少なくともＷとＯを含むことが望ましく、例えば式（１）、式（３）及び式（４）で表されることが好ましいことがわかった。
（実施例５）
実施例５では、図２の光学的情報記録媒体１２を作製し、透過率調整層１０９の膜厚と、第１情報層１０の透過率との関係を調べた。具体的には、透過率調整層１０９の膜厚が異なる第１情報層１０を含む光学的情報記録媒体１２のサンプル５−１から５−８を作製し、第１情報層１０の透過率を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、第２記録層２０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第３界面層２０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２反射層２０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層２０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層２０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層２０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３誘電体層２０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第２反射層２０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第４誘電体層２０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第２記録層２０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３界面層２０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３誘電体層２０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層２０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１０側に形成された、厚さ２５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、透過率調整層１０９として（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50層、第１反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：９ｎｍ）、第２誘電体層１０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層１０５として（ＳｉＯ2）20（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）30層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：７ｎｍ）、第１界面層１０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層１０９を成膜する（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第１反射層１０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層１０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層１０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層１０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層１０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層１０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
透過率調整層１０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第１反射層１０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー１０００Ｗで行った。第２誘電体層１０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第２界面層１０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第１記録層１０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層１０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。第１誘電体層１０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し回転させて均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２を形成した。その後、第２記録層２０４、及び第１記録層１０４を、レーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、透過率調整層１０９の膜厚が異なる複数のサンプルを製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体１２の第２情報層１１、及び第１情報層１０の反射率（Ｒc1、Ｒc2）を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１０の透過率（Ｔc1）は、第２情報層１１のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル２−１から２−２４の第２情報層１１の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
各サンプルについて、透過率調整層１０９の膜厚と第１情報層１０の透過率を（表５）に示す。
Figure 2009096165
この結果、透過率調整層１０９の膜厚が９ｎｍ以上３０ｎｍ以下のサンプル５−２から５−７では、第１情報層１０において４５％以上の透過率が得られることがわかった。
以上の結果から、透過率調整層１０９の膜厚は９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることが好ましいことがわかった。
（実施例６）
実施例３において、図９の記録再生装置３４を用いて、サンプル３−１から３−１１の光学的情報記録媒体１６の第１情報層１３の信号強度、及び消去性能を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は９．８ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとし、情報はグルーブに記録した。その結果、いずれのサンプルにおいても信号強度については４２ｄＢ以上のＣＮＲ、消去性能については２５ｄＢ以上の消去率が得られ、書き換え型の光学的情報記録媒体として使用可能であることを確認できた。
（実施例７）
実施例１から実施例６において、透過率調整層１０９、第１透過率調整層３０９、第２透過率調整層４０９、第１透過率調整層６０９、第２透過率調整層７０９、及び／又は第３透過率調整層８０９を、酸素を含まないＷ、Ｗ−Ｍ１、Ｗ−Ｍ２、及び／又はＷ−Ｍ１−Ｍ２合金スパッタリングターゲットを用い、酸素を多く含むＡｒとの混合ガス雰囲気（例えば全体に対して５０％の割合の酸素ガス）で成膜したところ、同様の結果が得られた。
本発明にかかる光学的情報記録媒体によれば、複数の情報層を備える多層光学的情報記録媒体を効率よく製造することができ、高密度の書き換え型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ−ＲＥ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、＋ＲＷ等）、追記型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（ＢＤ−Ｒ）、ＤＶＤ−Ｒ等）、及び再生専用型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ（ＢＤ−ＲＯＭ）、ＤＶＤ−ＲＯＭ等）の光ディスク等として有用である。
本発明は、光学的に情報を記録、消去、書き換え、及び／又は再生する情報記録媒体とその製造方法、及びターゲットに関するものである。
従来の情報記録媒体として、その記録層（相変化材料層）が相変化を生じる現象を利用する相変化形情報記録媒体がある。この相変化形情報記録媒体の中で、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書き換え、再生する情報記録媒体は、レーザビームの照射により発生する熱によって記録層の相変化材料を、例えば結晶相と非晶質相との間で状態変化させ、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出して情報として読みとるものである。
相変化形情報記録媒体のうち、情報の消去や書き換えが可能な書き換え型情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は結晶相であり、情報を記録する場合には、高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を溶融して急激に冷却することによって、レーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時より低いパワー（消去パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することにより、レーザ照射部を結晶相にする。したがって、書き換え型情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワーレベルとの間でパワー変調させたレーザビームを記録層に照射することによって、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録する又は書き換えることが可能である。記録層が結晶相に変化するためには、記録層を、結晶相に変化する温度（結晶化温度）に一定時間（結晶化時間）だけ保持する必要がある。結晶化時間が短いほど、結晶相への変化に要する時間が短くなるため、短時間すなわち高速な消去・書き換えが可能となる。
また、相変化形情報記録媒体のうち、一回だけ情報の記録が可能で、情報の消去や書き換えが不可能な追記型情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は非晶質相であり、情報を記録する場合には高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することによって、レーザ照射部を結晶相にする。
現在、光学的情報記録媒体を大容量化するための技術として、さまざまな技術が導入されている。例えば、短波長の青紫色レーザを用いたり、レーザビームが入射する側の基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズを使用したりすることによって、レーザビームのスポット径をより小さくして高密度の記録を行う技術が導入されている。
また、２つの情報層を備える光学的情報記録媒体を用いて記録容量を２倍に高め、且つその片側から入射するレーザビームによって２つの情報層の記録再生を行う技術も導入されている（例えば、特開２０００−３６１３０号公報（第２−１１頁、図２）参照）。この２層光学的情報記録媒体では、レーザビームの入射側に近い情報層（以下、第１情報層という）を透過したレーザビームを用いて、レーザビームの入射側から遠い情報層（以下、第２情報層という）の記録再生を行う。このため、第１情報層では記録層、及び光を効率的に記録層に吸収させ、且つ第１情報層の反射率を高めるために配置される反射層の膜厚を極めて薄くする必要があった。また、光学干渉によってさらに透過率を高めるため、高屈折率の透過率調整層を配置する必要があった。この透過率調整層として、従来はチタン（Ｔｉ）の酸化物であるＴｉＯ2を用いることにより第１情報層の透過率を高めていた（例えば、国際公開第２００３／０２５９２２号（第１０−２０頁、図１）参照）。
特開２０００−３６１３０号公報（第２−１１頁、図２） 国際公開第２００３／０２５９２２号パンフレット（第１０−２０頁、図１）
しかしながら、従来より用いている透過率調整層のＴｉＯ2層は、成膜法として一般的に用いられるスパッタリング法で成膜した場合、単位時間あたりに成膜される膜厚（以下、成膜速度という）が薄く、所望の膜厚を成膜するまでに時間がかかる（すなわち、成膜速度が遅い）という課題があった。さらに、ＴｉＯ2層の成膜速度は、成膜室の真空度に依存するため、成膜速度が一定の範囲で変化する。このため、特に量産時にＴｉＯ2層を所望の膜厚範囲に保つことが難しいという課題もあった。将来的に実現が見込まれる、３つ以上の情報層を有する多層光学的情報記録媒体では、レーザビーム入射側にある情報層の数が増えるため、透過率調整層として使用するＴｉＯ2層の数が増えて、この課題がさらに顕著となる可能性がある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、従来の透過率調整層が備えていた屈折率や耐湿性等の特性を大きく低下させることなく、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を提供して、量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、上記のような透過率調整層を形成する際に用いることができるターゲットを提供することも目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の光学的情報記録媒体は、Ｎ個の情報層（Ｎは２以上の自然数）と、前記Ｎ個の情報層を光学的に互いに分離する中間層と、を備えた光学的情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、光入射側から順に第１情報層〜第Ｎ情報層とした場合、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎー１を満たす少なくとも１つの自然数）は、光の照射によって情報を記録し得る記録層と、反射層と、透過率調整層とを、光入射側からこの順で含んでおり、前記透過率調整層が、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含む。
また、本発明は、上記の本発明の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、前記透過率調整層を成膜する工程を少なくとも含み、前記透過率調整層を成膜する工程において、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むターゲットを使用して前記透過率調整層を成膜する、又は、少なくともタングステン（Ｗ）を含むターゲットと少なくとも酸素（Ｏ）を含むガスとを使用して前記透過率調整層を成膜する、光学的情報記録媒体の製造方法も提供する。
また、本発明は、少なくともタングステン（Ｗ）とＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むターゲット（第１のターゲット）、又は、少なくともタングステン（Ｗ）とＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むターゲット（第２のターゲット）を提供する。
本発明の光学的情報記録媒体によれば、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を、その特性を低下させることなく実現できるので、情報層の透過率が高く、量産性に優れた光学的情報記録媒体を提供することができる。また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法及び本発明のターゲットによれば、本発明の光学的情報記録媒体を容易に製造することができる。
本発明のＮ層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の２層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の３層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の４層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明のＮ層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の２層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の３層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の４層の情報層を備えた光学的情報記録媒体の層構成の一例を示す一部断面図である。 本発明の光学的情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の構成の一部を、模式的に示す図である。 本発明の光学的情報記録媒体を製造する際に用いられるスパッタリング装置の一部を、模式的に示す図である。
本発明の光学的情報記録媒体は、Ｎ個の情報層（Ｎは２以上の自然数）と、前記Ｎ個の情報層を光学的に互いに分離する中間層と、を備えた光学的情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、光入射側から順に第１情報層〜第Ｎ情報層とした場合、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎー１を満たす少なくとも１つの自然数）は、光の照射によって情報を記録し得る記録層と、反射層と、透過率調整層とを、光入射側からこの順で含んでおり、前記透過率調整層が、タングステン（以下、「Ｗ」と表記する。）と酸素（以下、「Ｏ」と表記する。）とを含むことを特徴とする。この特徴により、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を提供し、量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、透過率調整層が、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよい。このとき、透過率調整層が、下記の式（１）：
Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （１）
（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（１）で表される材料のうち、ａ１が１０＜ａ１＜２２、ｂ１が５＜ｂ１＜２３を満たす材料が好適に用いられる。また、別の側面から表して、透過率調整層が、下記の式（２）：
（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （２）
（但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（２）で表される材料のうち、ｃ１が５０≦ｃ１≦８０を満たす材料が好適に用いられる。
以上のような材料を用いることにより、透過率調整層の屈折率を高め、情報層の透過率をさらに高めることができる。
なお、本明細書において、「Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％）」とは、「Ｗ」原子、「Ｍ１」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００％）として表された組成式であることを示している。さらに、「（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％）」は、（１００−ｃ１）ｍｏｌ％のＷＯ3とｃ１ｍｏｌ％の化合物Ｄ１との混合物であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。また、本明細書において、以下に示す「Ｍ１」も、上記と同様に、Ｃｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素を表す。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、透過率調整層が、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよい。このとき、透過率調整層が、Ａｇ2ＷＯ4、Ｂｉ2ＷＯ6、ＭｇＷＯ4、ＭｎＷＯ4、Ｙ2Ｗ3Ｏ12、ＺｎＷＯ4及びＺｒＷ2Ｏ8から選ばれる少なくとも一つの化合物を含んでもよい。また、透過率調整層が、下記の式（３）：
Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （３）
（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。
以上のような材料を用いることにより、透過率調整層の安定性を高め、情報層の透過率が高く量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することができる。なお、本明細書において、以下に示す「Ｍ２」も、上記と同様に、Ａｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素を表す。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、Ｗ及びＯを含む透過率調整層が、さらにＭ１及びＭ２を共に含んでいてもよい。このとき、透過率調整層が、下記の式（４）：
Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （４）
（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含んでもよい。
このことにより、透過率調整層の屈折率、情報層の透過率、透過率調整層の安定性及び量産性が高い、光学的情報記録媒体を提供することができる。
なお、本発明の光学的情報記録媒体における透過率調整層は、本発明が目的としている特性を備えた透過率調整層が得られる限り、上記各材料を構成する成分以外の他の成分を少量含んでもよいが、実質的に上記各材料からなるものが好適に用いられる。なお、透過率調整層が実質的に上記各材料のみによって形成されるとは、透過率調整層が上記各材料のみからなる場合はもちろん、上記各材料に他の成分が不可避に混入した材料からなる場合も含む意味である。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、透過率調整層の膜厚ｄ１（ｎｍ）が、９≦ｄ１≦３０の範囲であってもよい。このことにより、情報層の透過率を高めることができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、記録層が、光の照射によって相変化を起こし得る層であってもよい。例えば、記録層が、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素とＧｅとＴｅとを含み、且つ、記録層におけるＴｅの含有率が５０原子％以上であってもよい。また、記録層が、Ｓｂを７０原子％以上含んでもよい。このことにより、書き換え時の消去特性が良好な光学的情報記録媒体を提供できる。
なお、記録層の膜厚が９ｎｍ以下であってもよい。このことにより、情報層の透過率を高めることができる。
また、反射層が、主としてＡｇを含んでもよい。反射層が主としてＡｇを含むとは、反射層におけるＡｇの含有量が５０原子％以上ということである。このことにより、情報層の透過率、記録感度、及び信号強度が良好な光学的情報記録媒体を提供できる。
なお、反射層の膜厚が１５ｎｍ以下であってもよい。このことにより、情報層の透過率を高めることができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体において、中間層が、主としてアクリル系の樹脂を含んでもよい。中間層が主としてアクリル系の樹脂を含むとは、中間層における当該樹脂の含有量が９０重量％以上ということである。このことにより、量産性の高い光学的情報記録媒体を提供することができる。
本発明の光学的情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、ＷとＯとを含む透過率調整層を成膜する工程を少なくとも含み、前記透過率調整層を成膜する工程において、少なくともＷとＯとを含むターゲットを使用して前記透過率調整層を成膜する、又は、少なくともＷを含むターゲットと少なくともＯを含むガスとを使用して前記透過率調整層を成膜する。
また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法において、ターゲットと透過率調整層が、さらにＭ１を含んでもよい。このことにより、透過率調整層の屈折率を高め、情報層の透過率をさらに高めた光学的情報記録媒体を製造することができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法において、ターゲットと透過率調整層が、さらにＭ２を含んでもよい。このことにより、透過率調整層の安定性を高め、情報層の透過率が高い光学的情報記録媒体を量産性良く製造することができる。
また、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法において、透過率調整層を成膜する工程よりも前に、中間層を形成する工程をさらに含んでいてもよい。このことにより、複数の情報層を備える光学的情報記録媒体を量産性良く製造することができる。
本発明の光学的情報記録媒体として、Ｗ、Ｏ及びＭ１を含む透過率調整層を備えた光学的情報記録媒体を製造する場合、その製造時に用いるターゲット（第１のターゲット）は、少なくとも、ＷとＭ１とを含む。このようなターゲットを用いることにより、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を成膜でき、量産性良く光学的情報記録媒体を作製することができる。この第１のターゲットは、さらにＭ２を含んでいてもよい。第１のターゲットがさらにＭ２を含むことによって、より安定性が高く、さらに情報層の透過率を高めることができる、Ｗ、Ｏ、Ｍ１及びＭ２を含む透過率調整層を成膜できる。また、第１のターゲットがＯを含んでいてもよく、その場合は酸素を含むガスを用いて反応性スパッタリングを行わなくても、本発明の光学的情報記録媒体の透過率調整層が作製可能である。
本発明の第１のターゲットが、Ｗ、Ｍ１及びＯを含んでいる場合、第１のターゲットは、下記の式（５）：
Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （５）
（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含んでもよい。また、別の側面から表して、第１のターゲットが、下記の式（６）：
（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （６）
（但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。このような第１のターゲットを用いることにより、透過率調整層の屈折率を高め、情報層の透過率をさらに高めた光学的情報記録媒体を作製することができる。
本発明の第１のターゲットが、Ｗ、Ｍ１、Ｍ２及びＯを含む場合、第１のターゲットが、下記の式（７）：
Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （７）
（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含んでもよい。このようなターゲットを用いることにより、透過率調整層の屈折率及び安定性を高め、情報層の透過率が高く量産性の高い光学的情報記録媒体を作製することができる。
なお、本発明における第１のターゲットは、上記各材料を含むターゲットであり、作製する透過率調整層の成分に応じて他の成分を含んでいてもよいが、実質的に上記各材料のみによって形成されていてもよい。なお、実質的に上記各材料のみによって形成されるとは、第１のターゲットが上記各材料のみからなる場合はもちろん、上記各材料に他の成分が不可避に混入する材料からなる場合も含む意味である。
本発明の光学的情報記録媒体として、Ｗ、Ｏ及びＭ２を含む透過率調整層を備えた光学的情報記録媒体を製造する場合、その製造時に用いる別のターゲット（第２のターゲット）として、少なくともＷ及びＭ２を含むターゲットを用いることもできる。この第２のターゲットはさらにＯを含んでもよい。この第２のターゲットがＷ、Ｍ２及びＯを含んでいる場合、この第２のターゲットは下記の式（８）：
Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （８）
（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。なお、本発明における第２のターゲットは、上記各材料を含むターゲットであり、作製する透過率調整層の成分に応じて他の成分を含んでいてもよいが、実質的に上記各材料のみによって形成されていてもよい。なお、「実質的に」の意味は、第１のターゲットの場合と同様である。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
（実施の形態１）
実施の形態１として、本発明の光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態１の光学的情報記録媒体９の一部断面図を図１に示す。光学的情報記録媒体９は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体９は、基板８上に、中間層６、５、３等を介して順次積層された、第Ｎ情報層７、…、第２情報層４及び第１情報層１０を含むＮ個（ＮはＮ≧２を満たす自然数）の情報層、及び透明層２により構成されている。なお、本実施の形態では、レーザビーム１の入射側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）に配置されている情報層を「第Ｋ情報層」と記す。ここで、レーザビーム１の入射側から数えて（Ｎ−１）番目までの情報層である、第１情報層１０、第２情報層４、第３情報層（図示せず）、…、第Ｎ−１情報層（図示せず）は、光透過形の情報層である。
透明層２の材料は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、又は誘電体等からなり、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。透明層２の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。また、透明層２は、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の樹脂、又はガラスから成るシート又は板であってもよい。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、又は粘着性のシート等を用いて、第１誘電体層１０２に貼り合わせることが可能である。透明層２の厚さは、例えばＮＡ＝０．６の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを用いて記録再生を行う場合、５０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましい。
レーザビーム１の波長λは、高密度記録の場合、特に４５０ｎｍ以下であることが好ましい。レーザビーム１を集光した際のスポット径が、波長λによって決まってしまう（波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能である）ためである。また、λが３５０ｎｍ未満であると、透明層２等による光吸収が大きくなってしまう。よって、λは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
基板８は、透明な円盤状の基板である。基板８を構成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、又はガラスを用いることができる。基板８の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。
基板８の第Ｎ情報層７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。他方、基板８の第Ｎ情報層７側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板８の厚さは、十分な強度が確保され、且つ光学的情報記録媒体９の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．５ｍｍ〜１．２ｍｍの範囲内であることが好ましい。なお、透明層２の厚さが０．６ｍｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能な厚さ）の場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、透明層２の厚さが０．１ｍｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録再生が可能）の場合、１．０５ｍｍ〜１．１５ｍｍの範囲内であることが好ましい。
中間層６、５、３等は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、又は誘電体等からなる。中間層６、５、３等は、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。中間層６、５、３等の材料としては、特にアクリル系の樹脂が好ましい。
中間層６、５、３等は、光学的情報記録媒体９の第１情報層１０、第２情報層４、…及び第Ｎ情報層７等のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。中間層６、５、３等の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザビーム１の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のとき、ΔＺ＝０．２８０μｍとなり、±０．３μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、中間層６、５、３等の厚さは０．６μｍ以上であることが必要である。
隣接する２つの情報層間の距離、及び第１情報層１０とこれから最も離れた第Ｎ情報層７との間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム１を集光することが可能である範囲となるようにすることが望ましい。したがって、中間層６、５、３等の厚さの合計は、対物レンズが許容できる公差内（例えば６０μｍ以下）にすることが好ましい。
中間層６、５、３等において、レーザビーム１の入射側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。
この場合、片側からのレーザビーム１の照射のみにより、第Ｋ情報層（この場合、Ｋは１＜Ｋ≦Ｎの自然数）を、第１〜第（Ｋ−１）情報層を透過したレーザビーム１によって記録再生することが可能である。
なお、第１情報層から第Ｎ情報層のいずれかを、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ））、あるいは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ））としてもよい。
以下、第１情報層１０の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
第１情報層１０は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第１誘電体層１０２、第１記録層１０４、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９を備える。なお、第１情報層１０は、第１誘電体層１０２と第１記録層１０４の間に、第１界面層１０３を備えてもよい。
第１誘電体層１０２は、誘電体からなる。この第１誘電体層１０２は、第１記録層１０４の酸化、腐食、及び変形等を防止する働きと、光学距離を調整して第１記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きと、を有する。
第１誘電体層１０２を形成する材料として、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、及びＴｅＯ2等から選ばれる１又は複数の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等から選ばれる１又は複数の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3、ＣｅＦ3等の弗化物、及びＣを、第１誘電体層１０２の材料として用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１又は複数の材料の混合物を用いて、第１誘電体層１０２を形成することもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ2は、第１誘電体層１０２の材料として特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、非晶質材料であり、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性及び耐湿性が良好であることによる。
第１誘電体層１０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、第１記録層１０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きく、且つ第１記録層１０４での光吸収が大きく、且つ第１情報層１０の透過率が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
必要に応じて配置される第１界面層１０３は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０２と第１記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第１界面層１０３は、第１記録層１０４の結晶化を促進又は抑制する、結晶化能を調整する働きもする。第１界面層１０３は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、第１記録層１０４との密着性が良い材料から形成されることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム１を照射した際に、溶けて第１記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第１界面層１０３の材料が混入すると、第１記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、第１記録層１０４と密着性が良い材料であることは、信頼性確保に必要な特性である。
第１界面層１０３は、第１誘電体層１０２に用いることができる材料と同様の材料、すなわち上記酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成することができる。その中でも、特にＣｒとＯを含む材料は、第１記録層１０４の結晶化をより促進するため、好ましい。その中でも、ＣｒとＯがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物が、より好ましい材料である。Ｃｒ2Ｏ3は、第１記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３の材料として、特にＩｎとＯを含む材料を用いることもできる。その中でも、ＩｎとＯがＩｎ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｉｎ2Ｏ3は第１記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３の材料として、特にＧａとＯを含む材料を用いることもできる。その中でも、ＧａとＯがＧａ2Ｏ3を形成した酸化物が、好ましい材料である。Ｇａ2Ｏ3は第１記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３には、ＣｒとＯ、ＧａとＯ、又はＩｎとＯの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよく、当該元素は酸化物として含まれることがより好ましい。ＺｒＯ2及びＨｆＯ2は、透明で、融点が約２７００〜２８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料で、光学的情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を良くする。また、Ｙ2Ｏ3は透明な材料で、且つＺｒＯ2及びＨｆＯ2を安定化させる働きをする。また、この３種類の酸化物のいずれか１つ又は複数を混合することによって、第１界面層１０３を第１記録層１０４と部分的に又は全体的に接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い第１情報層１０を実現できる。
第１記録層１０４との密着性を確保するため、第１界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、又はＩｎ2Ｏ3の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。さらに、第１界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、第１界面層１０３での光吸収を小さく保つため、７０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。Ｃｒ2Ｏ3が多くなると光吸収が増加する傾向にある。
第１界面層１０３には、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含む材料を用いてもよい。Ｓｉを、例えばＳｉＯ2として第１界面層１０３内に含ませることにより、第１界面層１０３の透明性が高くなり、記録性能に優れた第１情報層１０を実現できる。第１界面層１０３中のＳｉＯ2の含有量は５ｍｏｌ％以上であることが好ましく、第１記録層１０４との密着性を確保するため５０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
第１界面層１０３の膜厚は、第１界面層１０３での光吸収によって第１情報層１０の記録前後の反射光量の変化が小さくならないよう、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
第１記録層１０４の材料は、レーザビーム１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす材料からなる。この場合、第１記録層１０４の材料として、Ｇｅ−Ｔｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、及び（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることができる。さらに、第１記録層１０４の材料として、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｓｎ−Ｇｅ、及び（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかを含む材料を用いることもできる。
上記材料の内、第１記録層１０４として、例えば、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇｅと、Ｔｅとを含む材料が好適に用いられる。この場合、第１記録層１０４は、Ｔｅを５０原子％以上含んでいてもよい。また、第１記録層１０４がＳｂを含む材料によって形成される場合は、Ｓｂを７０原子％以上含んでいてもよい。
第１情報層１０は、レーザビーム１の入射側から第１情報層１０より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量を到達させるため、その透過率を高くする必要がある。このため、第１記録層１０４の膜厚は、９ｎｍ以下であることが好ましく、８ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、第１記録層１０４は、Ｔｅを含む層、Ｂｉを含む層、Ｇｅを含む層、Ｓｂを含む層、Ｇｅ−Ｔｅを含む層、Ｂｉ−Ｔｅを含む層、Ｓｂ−Ｇｅを含む層等から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部として形成してもよい。なお、本明細書において、「（元素Ａ）−（元素Ｂ）」で表される材料とは、元素Ａと元素Ｂとを成分として含む材料のことであり、元素Ａ及び元素Ｂの混合物又は合金であることを意味する。例えば、結晶化速度が比較的速いＢｉを含む層と、アモルファス相が比較的安定なＧｅ−Ｔｅを含む層とを積層する構造を含むことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度、及び消去性能を容易に調整することができる。
積層構造の例としては、Ｂｉ2Ｔｅ3（３ｎｍ）／ＧｅＴｅ（４ｎｍ）、（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3（３ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（４ｎｍ）、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3（５ｎｍ）／（ＧｅＳｎ）Ｔｅ（２ｎｍ）、Ｓｂ−Ｇｅ（４ｎｍ）／Ｓｂ−Ｔｅ（３ｎｍ）等があげられる。もちろん、ここに挙げた材料以外の材料から成る層を使用する、あるいは層の膜厚をここに例示した膜厚以外の膜厚にした構造や、積層順を入れ替えた構造を採用することも可能である。例えば、上記において例示した膜厚を好ましい膜厚比としてとらえ、記録部の所望の膜厚に応じて、各々、例えば２〜４倍にしてよい。
また、第１記録層１０４は、不可逆な相変化を起こす材料を用いて構成してもよく、例えばＴｅ−Ｏ、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、又はＳｂ−Ｏで表される材料で形成することもできる。この場合、第１記録層１０４の膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、第１記録層１０４は、不可逆な合金化を起こす材料の積層膜（例えば、Ｃｕ／Ｓｉ積層構成）としてもよい。
第２誘電体層１０６は、光学距離を調整して第１記録層１０４の光吸収効率を高める働き、及び記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きをする。第２誘電体層１０６は、第１誘電体層１０２の材料と同様の系の材料を用いて形成することができる。また、第２誘電体層１０６の膜厚は、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第２誘電体層１０６の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、第１記録層１０４で発生した熱を効果的に第１反射層１０８側に拡散させることができる。
なお、第１記録層１０４と第２誘電体層１０６との間に、第２界面層（図示せず）を配置してもよい。図１に示す光学的情報記録媒体９において、第２界面層が設けられる場合、第２界面層は、符号１０４で示される層と符号１０６で示される層との間に、例えば、符号１０５で示される層として表すことができる（図１には第２界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第２界面層１０５」として説明する）。第２界面層１０５は、第１界面層１０３と同様に、繰り返し記録によって第２誘電体層１０６と第１記録層１０４との間で生じる物質移動を防止するために設けることができる。第２界面層１０５は、第１誘電体層１０２と同様の系の材料を用いて形成することができる。その中でも、特にＩｎとＯを含む材料を用いることが好ましい。その中でも、ＩｎとＯがＩｎ2Ｏ3を形成した酸化物が好ましい材料である。また、第２界面層１０５は、特にＣｒとＯを含む材料を用いて構成することもできる。その中でも、ＣｒとＯがＣｒ2Ｏ3を形成した酸化物が好ましい材料である。また、第２界面層１０５は、特にＧａとＯを含む材料を用いて構成することもできる。その中でも、ＧａとＯがＧａ2Ｏ3を形成した酸化物が好ましい材料である。
また、第２界面層１０５は、第１界面層１０３と同様に、ＩｎとＯ、ＣｒとＯ、又はＧａとＯの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよい。また、第２界面層１０５は、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含んでもよい。第２界面層１０５は第１界面層１０３より密着性が悪い傾向にあるため、第２界面層１０５中のＩｎ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3の好ましい含有量の下限値は、第１界面層１０３のそれより多い２０ｍｏｌ％である。
第２界面層１０５の膜厚は、第１界面層１０３と同様に、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
第１反射層１０８は、第１記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、第１反射層１０８は、第１記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、第１記録層１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、第１反射層１０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第１反射層１０８の材料としては、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｇ−Ｇａ、Ａｇ−Ｇａ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ又はＣｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特に、Ａｇを５０原子％以上含むＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、第１反射層１０８の材料として好ましい。第１反射層１０８の膜厚は、第１情報層１０の透過率をできるだけ高くするため、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。第１反射層１０８の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡散機能が十分で、且つ第１情報層１０の反射率を確保でき、さらに第１情報層１０の透過率も十分となる。
本実施の形態の光学的情報記録媒体９において、透過率調整層１０９は誘電体からなり、第１情報層１０の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層１０９によって、第１記録層１０４が結晶相である場合の第１情報層１０の透過率Ｔc1（％）と、第１記録層１０４が非晶質相である場合の第１情報層１０の透過率Ｔa1（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層１０９を備える第１情報層１０の透過率は、透過率調整層１０９が無い場合に比べて、２％〜１０％程度上昇する。また、透過率調整層１０９は、第１記録層１０４で発生した熱を効果的に拡散させる機能も有する。
透過率調整層１０９の材料は、ＷとＯとを少なくとも含むことが好ましい。この場合、ＷとＯとが化合物を形成し、酸化物ＷＯ3となっていることが好ましい。酸化物ＷＯ3は、融点が１４７０℃と高く、空気中で安定であるためである。これらの材料を含むことにより、成膜速度が速く、且つ成膜速度が成膜室の真空度に依存しない透過率調整層を提供できる。また、透過率調整層１０９は、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む材料を用いて形成することもできる。このとき、透過率調整層１０９が、下記の式（１）：
Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （１）
（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（１）で表される材料のうち、ａ１が１０＜ａ１＜２２、ｂ１が５＜ｂ１＜２３を満たす材料が好適に用いられる。また、別の側面から表して、透過率調整層１０９が、下記の式（２）：
（ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （２）
（但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。式（２）で表される材料のうち、ｃ１が５０≦ｃ１≦８０を満たす材料が好適に用いられる。
以上のような材料を用いることにより、透過率調整層１０９の屈折率を高め、第１情報層１０の透過率をさらに高めることができる。
また、透過率調整層１０９は、ＷとＯとに加えて、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む材料を用いて形成することもできる。このとき、透過率調整層１０９が、Ａｇ2ＷＯ4、Ｂｉ2ＷＯ6、ＭｇＷＯ4、ＭｎＷＯ4、Ｙ2Ｗ3Ｏ12、ＺｎＷＯ4及びＺｒＷ2Ｏ8から選ばれる少なくとも一つの化合物（複合酸化物）を含んでもよい。また、透過率調整層１０９が、下記の式（３）：
Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （３）
（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含んでもよい。また、透過率調整層１０９が、下記の式（４）：
Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （４）
（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含んでもよい。このことにより、透過率調整層１０９の安定性が高まり、第１情報層１０の透過率が高く量産性の高い光学的情報記録媒体９を提供することができる。
上記の材料は屈折率が大きく（ｎ＝２．４〜２．８）、消衰係数も小さい（ｋ＝０．０〜０．０５）ため、これらを用いて形成した透過率調整層１０９は、第１情報層１０の透過率をより高めることができる。
透過率調整層１０９の屈折率ｎt及び消衰係数ｋtは、第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1を高める作用をより大きくするため、２．０≦ｎt且つｋt≦０．１を満たすことが好ましく、２．４≦ｎt≦３．０且つｋt≦０．０５を満たすことがより好ましい。
透過率調整層１０９の膜厚ｄ１は、（３／３２）λ／ｎt≦ｄ１≦（５／３２）λ／ｎtの範囲内であることが好ましい。レーザビーム１の波長λと透過率調整層１０９の屈折率ｎtとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．０≦ｎt≦３．０を満たすように選ぶと、ｄ１の好ましい範囲は、９ｎｍ≦ｄ１≦３０ｎｍとなる。ｄ１をこの範囲内で選ぶことによって、第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1を共に高くすることができる。
第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第１情報層１０より遠い側にある情報層に到達させるため、４０＜Ｔc1且つ４０＜Ｔa1を満たすことが好ましく、４６＜Ｔc1且つ４６＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層１０の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第１情報層１０より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層１０の第１記録層１０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層１０において、第１記録層１０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層１０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦５且つ４≦Ｒc1≦１５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦３且つ４≦Ｒc1≦１０を満たすことがより好ましい。
光学的情報記録媒体９は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に（Ｎ−１）個の情報層（第Ｎ情報層７〜第２情報層４）を、中間層（中間層６、５等）を介して順次積層する。各情報層は、単層膜、又は多層膜からなる。情報層を構成する各層は、成膜装置内で、材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、中間層は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を情報層上に塗布して、その後、基板８を回転させて樹脂を均一に延ばした後（スピンコート）、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、基板８と当該基板８に密着させた基板（型）とを回転させてスピンコートし、樹脂を硬化させた後、基板（型）をはがすことによって、中間層に案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
このようにして、基板８上に（Ｎ−１）個の情報層を、中間層を介して積層したのち、さらに、中間層３（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。
続いて、中間層３上に第１情報層１０を形成する。具体的には、中間層を介して積層された（Ｎ−１）個の情報層上にさらに中間層３を形成した基板８を、成膜装置内に配置して、中間層３上に透過率調整層１０９を成膜する。少なくともＷとＯを含むターゲットを使用して、希ガス（特にＡｒガス）雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で高周波（ＲＦ）電源を用いてスパッタリングすることによって、ＷとＯとを含む透過率調整層１０９を形成できる。また、少なくともＷを含むターゲットと、少なくともＯを含むガス（例えば、希ガスとＯ2ガスとの混合ガス等）の雰囲気中でＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって、ＷとＯを含む透過率調整層１０９を形成することもできる。
また、透過率調整層１０９は、上記式（１）〜（４）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、又はそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。例えば、（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）50（ｍｏｌ％）組成の透過率調整層１０９を成膜したい場合、例えば（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）50（ｍｏｌ％）組成のスパッタリングターゲットを用意して、Ａｒガス雰囲気中、或いはＡｒとＯ2ガスの混合ガス雰囲気中で成膜することにより形成することができる。実際に成膜した膜の組成が所望の組成になっているかは、例えばＸ線マイクロアナライザーによる組成分析により調べることが可能である。スパッタリング装置によって、膜中の酸化物の酸素が欠損しやすかったり、膜中の酸素が多くなったりして、所望の組成からずれることがある。このため、ターゲットの組成をあらかじめ調整したり、Ａｒガスに混合するＯ2ガスの量を調整することで、所望の膜組成を得ることが可能である。
なお、成膜速度を高めるため、透過率調整層１０９を構成する材料に導電性の材料を微量添加してターゲットに導電性を付加し、直流（ＤＣ）電源、又はパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
なお、透過率調整層１０９は、単体の化合物の各々のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、透過率調整層１０９は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
続いて、透過率調整層１０９上に、第１反射層１０８を成膜する。第１反射層１０８は、第１反射層１０８を構成する金属又は合金からなるターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス）雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（例えば、Ｏ2ガス及びＮ2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又はＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。第１反射層１０８は金属又は合金であるため、成膜速度を高められるＤＣ電源、又はパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることが好ましい。
続いて、第１反射層１０８上に、第２誘電体層１０６を成膜する。第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する化合物からなるターゲットを、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中でＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。なお、成膜速度を高めるため、第２誘電体層１０６を構成する材料に導電性の材料を微量添加してターゲットに導電性を付加し、ＤＣ電源、又はパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることもできる。また、第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する金属からなるターゲットを、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又はＲＦ電源を用いて反応性スパッタリングすることによっても形成できる。
あるいは、第２誘電体層１０６は、単体の化合物の各々のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、第２誘電体層１０６は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
続いて、第２誘電体層１０６上に、必要に応じて第２界面層１０５を成膜する。第２界面層１０５は、第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第２誘電体層１０６又は第２界面層１０５上に、第１記録層１０４を成膜する。第１記録層１０４は、例えば、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇｅと、Ｔｅを含み、且つ、Ｔｅを５０原子％以上含むターゲット、又は、Ｓｂを７０原子％以上含むターゲットを一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。また、第１記録層１０４は、例えばＴｅを含むターゲット、Ｂｉを含むターゲット、Ｇｅを含むターゲット、Ｓｂを含むターゲット、Ｇｅ−Ｔｅを含むターゲット、Ｂｉ−Ｔｅを含むターゲット、Ｓｂ−Ｇｅを含むターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のターゲットを、２個以上の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するターゲットの種類及び数、ならびに電源の出力等に応じて、得られる記録層の組成が決定されることとなるので、それらを適宜選択して、所望の組成の第１記録層１０４が得られるようにすることが好ましい。このように２種以上のターゲットを使用することは、例えば、混合物のターゲットを形成することが困難である場合に有用である。
また、第１記録層１０４は、２種以上の層を積層してなる記録部として形成される場合、例えばＴｅを含むターゲット、Ｂｉを含むターゲット、Ｇｅを含むターゲット、Ｓｂを含むターゲット、Ｇｅ−Ｔｅを含むターゲット、Ｂｉ−Ｔｅを含むターゲット、Ｓｂ−Ｇｅを含むターゲット等から選ばれる少なくとも２個以上のターゲットを、２個以上の電源を用いて順次及び／又は同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。即ち、記録部を成膜するために、２つ以上のターゲットを使用して、スパッタリングを２回以上実施してよく、又は２つ以上のターゲットを同時にスパッタリングしてよい。
スパッタリングの雰囲気ガスとしては、単層構造の第１記録層１０４記録層を形成する場合、及び２種以上の層を積層してなる記録部として第１記録層１０４を形成する場合のいずれにおいても、希ガス、又は希ガスと反応ガス（例えば、Ｎ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガス）との混合ガスを用いることができる。また、スパッタリングに用いる電源も、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又はＲＦ電源のいずれかを用いることが可能である。
続いて、第１記録層１０４上に、第１界面層１０３を成膜する。第１界面層１０３は、第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第１界面層１０３上に、第１誘電体層１０２を成膜する。第１誘電体層１０２は、第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
最後に、第１誘電体層１０２上に透明層２を形成する。透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を、第１誘電体層１０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２として、透明な円盤状の基板を用いてよく、基板は、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、又はガラスから成る。この場合、透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布して、基板を第１誘電体層１０２上に密着させて、スピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、基板に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを第１誘電体層１０２に密着させることもできる。
なお、第１誘電体層１０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体９を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。また、第１情報層１０以外の情報層を第１情報層１０と同様に形成してもよい。
（実施の形態２）
実施の形態２として、実施の形態１の本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態２の光学的情報記録媒体１２の一部断面図を図２に示す。光学的情報記録媒体１２は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体１２は、基板８上に順次積層した、第２情報層１１、中間層３、第１情報層１０、及び透明層２により構成されている。基板８、中間層３、第１情報層１０、及び透明層２は、実施の形態１で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
以下、第２情報層１１の構成について詳細に説明する。
第２情報層１１は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第３誘電体層２０２、第３界面層２０３、第２記録層２０４、第４誘電体層２０６、及び第２反射層２０８を備える。第２情報層１１について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１０、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
第３誘電体層２０２は、実施の形態１で説明した第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の第１誘電体層１０２と同様である。
第３誘電体層２０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、第２記録層２０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
第３界面層２０３は、実施の形態１の第１界面層１０３と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。
第２記録層２０４は、実施の形態１の第１記録層１０４と同様の材料で形成することができる。第２記録層２０４の膜厚は、その材料が可逆的な相変化を起こす材料の場合、第２情報層１１の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内においても、第２記録層２０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる場合がある。また、第２記録層２０４が薄い場合には、第２情報層１１の反射率が小さくなる場合がある。したがって、第２記録層２０４の膜厚は、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、第２記録層２０４を、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）を用いて構成する場合は、第２記録層２０４の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
第４誘電体層２０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様である。
なお、第２記録層２０４と第４誘電体層２０６の間に、必要に応じて第４界面層を配置してもよい。第４界面層は、実施の形態１の第２界面層１０５と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２界面層１０５と同様である。図２に示す光学的情報記録媒体１２において、第４界面層が設けられる場合、第４界面層は、符号２０４で示される層と符号２０６で示される層との間に、例えば、符号２０５で示される層として表すことができる（図２には第４界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第４界面層２０５」として説明する）。
第２反射層２０８は、実施の形態１の第１反射層１０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能についても、実施の形態１の第１反射層１０８と同様である。第２反射層２０８の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、第２反射層２０８が２００ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて第２情報層１１の記録感度が低下する。したがって、第２反射層２０８の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
第２反射層２０８と第４誘電体層２０６の間に、界面層をさらに配置してもよい。図２に示す光学的情報記録媒体１２においてこのような界面層が設けられる場合、界面層は、符号２０８で示される層と符号２０６で示される層との間に、符号２０７で示される層として形成してよい。この場合、界面層２０７（図２には界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「界面層２０７」として説明する。）を形成する材料としては、第２反射層２０８について説明した材料よりも熱伝導率の低い材料を用いることができる。第２反射層２０８にＡｇ合金を用いた場合、界面層２０７の材料として、例えばＡｌ、又はＡｌ合金を用いることができる。
また、界面層２０７の材料としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ及びＣ等の元素や、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、及びＴｅＯ2等の酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ3、ＣｅＦ3等の弗化物、及びＣを用いることもできる。また、上記材料から選ばれる１又は複数の材料の混合物を用いて、界面層２０７を構成することもできる。界面層２０７の膜厚は３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
第２情報層１１において、第２記録層２０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層２０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。この関係を満たすことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2−Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、反射率Ｒc2、Ｒa2は、０．２≦Ｒa2≦１０且つ１２≦Ｒc2≦４０を満たすことが好ましく、０．２≦Ｒa2≦５且つ１２≦Ｒc2≦３０を満たすことがより好ましい。
光学的情報記録媒体１２は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、第２情報層１１を形成する。具体的には、まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板８上に第２反射層２０８を成膜する。このとき、基板８にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２反射層２０８を成膜する。第２反射層２０８は、実施の形態１の第１反射層１０８と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層２０８上に、必要に応じて界面層２０７を成膜する。界面層２０７は、実施の形態１の第１反射層１０８、又は第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層２０８又は界面層２０７上に、第４誘電体層２０６を成膜する。第４誘電体層２０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第４誘電体層２０６上に、必要に応じて第４界面層２０５を成膜する。第４界面層２０５は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第４誘電体層２０６、又は第４界面層２０５上に、第２記録層２０４を成膜する。第２記録層２０４は、その組成に応じたターゲットを用いて、実施の形態１の第１記録層１０４と同様の方法で形成できる。
続いて、第２記録層２０４上に、必要に応じて第３界面層２０３を成膜する。第３界面層２０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
続いて、第２記録層２０４、又は第３界面層２０３上に、第３誘電体層２０２を成膜する。第３誘電体層２０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
このようにして、第２情報層１１を形成する。
続いて、第２情報層１１の第３誘電体層２０２上に中間層３（厚さが例えば２５μｍ）を形成する。中間層３は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第３誘電体層２０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層３がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層３の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
なお、第３誘電体層２０２を成膜したのち、又は中間層３を形成したのち、必要に応じて、第２記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に第１情報層１０を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第１記録層１０４、第１界面層１０３及び第１誘電体層１０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第２誘電体層１０６と第１記録層１０４との間に第２界面層１０５を成膜してもよい。また、第１界面層１０３は必要に応じて設ければよいため、必ずしも設ける必要はない。これらの各層は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
最後に、第１誘電体層１０２上に透明層２（厚さが例えば７５μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第１誘電体層１０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
また、第１誘電体層１０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第２記録層２０４、及び第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、第１記録層１０４の結晶化を先に行うと、第２記録層２０４を結晶化するために必要なレーザパワーが大きくなる傾向にあるため、第２記録層２０４を先に結晶化させることが好ましい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体１２を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態１の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝３、すなわち３個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の光学的情報記録媒体１６の一部断面図を図３に示す。光学的情報記録媒体１６は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な３層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体１６は、基板８上に順次積層した、第３情報層１５、中間層５、第２情報層１４、中間層３、第１情報層１３、及び透明層２により構成されている。基板８、中間層３、５及び透明層２は、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
以下、第３情報層１５、第２情報層１４、及び第１情報層１３の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第１情報層１３及び第２情報層１４が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
第３情報層１５は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第５誘電体層５０２、第５界面層５０３、第３記録層５０４、第６誘電体層５０６、及び第３反射層５０８を備える。なお、第５界面層５０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第３記録層５０４と第６誘電体層５０６の間に、第６界面層５０５（図３には第６界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第６界面層５０５」として説明する。）をさらに備えてもよい。さらに、第６誘電体層５０６と第３反射層５０８の間に界面層５０７（図３には界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「界面層５０７」として説明する。）を備えてもよい。第３情報層１５について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１３、中間層３、第２情報層１４、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。
第３情報層１５を形成する、第５誘電体層５０２、第５界面層５０３、第３記録層５０４、第６界面層５０５、第６誘電体層５０６、界面層５０７、及び第３反射層５０８は、それぞれ実施の形態２の第２情報層１１の第３誘電体層２０２、第３界面層２０３、第２記録層２０４、第４界面層２０５、第４誘電体層２０６、界面層２０７、及び第２反射層２０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第３情報層１５において、第３記録層５０４が結晶相である場合の反射率Ｒc3（％）、及び第３記録層５０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc3−Ｒa3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc3、Ｒa3は、１≦Ｒa3≦１２且つ１６≦Ｒc3≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒa3≦６且つ１６≦Ｒc3≦３２を満たすことがより好ましい。
第２情報層１４は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第３誘電体層４０２、第３界面層４０３、第２記録層４０４、第４誘電体層４０６、第２反射層４０８、及び第２透過率調整層４０９を備える。なお、第３界面層４０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第２記録層４０４と第４誘電体層４０６の間に第４界面層４０５を備えてもよい（図３には第４界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第４界面層４０５」として説明する）。第２情報層１４について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１３、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
第２情報層１４を形成する、第３誘電体層４０２、第３界面層４０３、第２記録層４０４、第４界面層４０５、第４誘電体層４０６、第２反射層４０８、及び第２透過率調整層４０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第２情報層１４において、第２記録層４０４が結晶相である場合の透過率Ｔc2（％）、及び第２記録層４０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１４より遠い側にある情報層に到達させるため、５０＜Ｔc2且つ５０＜Ｔa2を満たすことが好ましく、５５＜Ｔc2且つ５５＜Ｔa2を満たすことがより好ましい。
第２情報層１４の透過率Ｔc2及びＴa2は、−５≦（Ｔc2−Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc2−Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１４より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１４の第２記録層４０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第２情報層１４において、第２記録層４０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層４０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2−Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc2、Ｒa2は、０．３≦Ｒa2≦４且つ５≦Ｒc2≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒa2≦３且つ５≦Ｒc2≦９を満たすことがより好ましい。
第１情報層１３は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第１記録層３０４、第２誘電体層３０６、第１反射層３０８、及び第１透過率調整層３０９を備える。なお、第１界面層３０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第１記録層３０４と第２誘電体層３０６の間に、第２界面層３０５を備えてもよい（図３には第２界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第２界面層３０５」として説明する）。
第１情報層１３を形成する、第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第１記録層３０４、第２界面層３０５、第２誘電体層３０６、第１反射層３０８、及び第１透過率調整層３０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第１情報層１３において、第１記録層３０４が結晶相である場合の透過率Ｔc1（％）、及び第１記録層３０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa1（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第１情報層１３より遠い側にある情報層に到達させるため、５０＜Ｔc1且つ５０＜Ｔa1を満たすことが好ましく、５５＜Ｔc1且つ５５＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層１３の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第１情報層１３より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層１３の第１記録層３０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層１３において、第１記録層３０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層３０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦１且つ１．５≦Ｒc1≦５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦０．７且つ１．５≦Ｒc1≦３を満たすことがより好ましい。
このようにＲc1、Ｒa1、Ｒc2、Ｒa2、Ｒc3、Ｒa3、Ｔc1、Ｔa1、Ｔc2、Ｔa2を設計することにより、第１情報層１３、第２情報層１４、第３情報層１５からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が２％）ことができる。
光学的情報記録媒体１６は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板８上に第３情報層を形成する。具体的には、まず、基板８上に、第３反射層５０８、第６誘電体層５０６、第３記録層５０４、第５界面層５０３、及び第５誘電体層５０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第３反射層５０８と第６誘電体層５０６の間に界面層５０７を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第６誘電体層５０６と第３記録層５０４の間に第６界面層５０５を成膜してもよい。また、不要であれば、第５界面層５０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態２で説明した、第２情報層１１の第２反射層２０８、界面層２０７、第４誘電体層２０６、第４界面層２０５、第２記録層２０４、第３界面層２０３、及び第３誘電体層２０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第３情報層１５を形成する。
続いて、第３情報層１５の第５誘電体層５０２上に中間層５（厚さが例えば１５μｍ）を形成する。中間層５は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第５誘電体層５０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層５がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
なお、第５誘電体層５０２を成膜したのち、又は中間層５を形成したのち、必要に応じて、第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層５上に第２情報層１４を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、第２透過率調整層４０９、第２反射層４０８、第４誘電体層４０６、第２記録層４０４、第３界面層４０３、及び第３誘電体層４０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第４誘電体層４０６と第２記録層４０４の間に第４界面層４０５を成膜してもよい。また、不要であれば第３界面層４０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第２情報層１４を形成する。
続いて、第２情報層１４の第３誘電体層４０２上に、上述の中間層５と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば２５μｍ）を形成する。
なお、第３誘電体層４０２を成膜したのち、又は中間層３を形成したのち、必要に応じて、第２記録層４０４及び／又は第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層４０４及び／又は第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に第１情報層１３を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、第１透過率調整層３０９、第１反射層３０８、第２誘電体層３０６、第１記録層３０４、第１界面層３０３、及び第１誘電体層３０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第２誘電体層３０６と第１記録層３０４の間に第２界面層３０５を成膜してもよい。また、不要であれば第１界面層３０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第１情報層１３を形成する。
最後に、第１誘電体層３０２上に透明層２（厚さが例えば６０μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第１誘電体層３０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層３０４、第２記録層４０４、及び／又は第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層３０４、第２記録層４０４、及び／又は第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体１６を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態４）
実施の形態４として、実施の形態１の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態４の光学的情報記録媒体２１の一部断面図を図４に示す。光学的情報記録媒体２１は、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な４層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２１は、基板８上に順次積層した、第４情報層２０、中間層６、第３情報層１９、中間層５、第２情報層１８、中間層３、第１情報層１７、及び透明層２により構成されている。基板８、中間層３、５、６及び透明層２は、実施の形態１及び２で説明したものと同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１及び２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
以下、第４情報層２０、第３情報層１９、第２情報層１８及び第１情報層１７の構成について詳細に説明する。本実施の形態では、第１情報層１７、第２情報層１８及び第３情報層１９が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
第４情報層２０は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第７誘電体層９０２、第７界面層９０３、第４記録層９０４、第８誘電体層９０６、及び第４反射層９０８を備える。なお、第７界面層９０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第４記録層９０４と第８誘電体層９０６の間に、第８界面層９０５を備えてもよい（図４には第８界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第８界面層９０５」として説明する）。さらに、第８誘電体層９０６と第４反射層９０８の間に界面層９０７を備えてもよい（図４には界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「界面層９０７」として説明する）。第４情報層２０について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１７、中間層３、第２情報層１８、中間層５、第３情報層１９、及び中間層６を透過したレーザビーム１によって行われる。
第４情報層２０を形成する、第７誘電体層９０２、第７界面層９０３、第４記録層９０４、第８界面層９０５、第８誘電体層９０６、界面層９０７、及び第４反射層９０８は、それぞれ実施の形態２の第２情報層１１の第３誘電体層２０２、第３界面層２０３、第２記録層２０４、第４界面層２０５、第４誘電体層２０６、界面層２０７、及び第２反射層２０８と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態２で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第４情報層２０において、第４記録層９０４が結晶相である場合の反射率Ｒc4（％）、及び第４記録層９０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa4（％）は、Ｒa4＜Ｒc4を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc4−Ｒa4）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc4、Ｒa4は、１≦Ｒa4≦１２且つ１６≦Ｒc4≦４８を満たすことが好ましく、１≦Ｒa4≦６且つ１６≦Ｒc4≦３２を満たすことがより好ましい。
第３情報層１９は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第５誘電体層８０２、第５界面層８０３、第３記録層８０４、第６誘電体層８０６、第３反射層８０８、及び第３透過率調整層８０９を備える。なお、第５界面層８０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第３記録層８０４と第６誘電体層８０６の間に第６界面層８０５を備えてもよい（図４には第６界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第６界面層８０５」として説明する）。第３情報層１９について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１７、中間層３、第２情報層１８、及び中間層５を透過したレーザビーム１によって行われる。
第３情報層１９を形成する、第５誘電体層８０２、第５界面層８０３、第３記録層８０４、第６界面層８０５、第６誘電体層８０６、第３反射層８０８、及び第３透過率調整層８０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第３情報層１９において、第３記録層８０４が結晶相である場合の透過率Ｔc3（％）、及び第３記録層８０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa3（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第３情報層１９より遠い側にある情報層に到達させるため、５５＜Ｔc3且つ５５＜Ｔa3を満たすことが好ましく、６０＜Ｔc3且つ６０＜Ｔa3を満たすことがより好ましい。
第３情報層１９の透過率Ｔc3及びＴa3は、−５≦（Ｔc3−Ｔa3）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc3−Ｔa3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc3及びＴa3がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第３情報層１９より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層１９の第３記録層８０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第３情報層１９において、第３記録層８０４が結晶相である場合の反射率Ｒc3（％）、及び第３記録層８０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc3−Ｒa3）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc3、Ｒa3は、０．３≦Ｒa3≦４且つ５≦Ｒc3≦１５を満たすことが好ましく、０．３≦Ｒa3≦３且つ５≦Ｒc3≦９を満たすことがより好ましい。
第２情報層１８は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第３誘電体層７０２、第３界面層７０３、第２記録層７０４、第４誘電体層７０６、第２反射層７０８、及び第２透過率調整層７０９を備える。なお、第３界面層７０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第２記録層７０４と第４誘電体層７０６の間に第４界面層７０５を備えてもよい（図４には第４界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第４界面層７０５」として説明する）。第２情報層１８について、情報の記録再生は、透明層２、第１情報層１７、及び中間層３を透過したレーザビーム１によって行われる。
第２情報層１８を形成する、第３誘電体層７０２、第３界面層７０３、第２記録層７０４、第４界面層７０５、第４誘電体層７０６、第２反射層７０８、及び第２透過率調整層７０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第２情報層１８において、第２記録層７０４が結晶相である場合の透過率Ｔc2（％）、及び第２記録層７０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa2（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第２情報層１８より遠い側にある情報層に到達させるため、６０＜Ｔc2且つ６０＜Ｔa2を満たすことが好ましく、６５＜Ｔc2且つ６５＜Ｔa2を満たすことがより好ましい。
第２情報層１８の透過率Ｔc2及びＴa2は、−５≦（Ｔc2−Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc2−Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第２情報層１８より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層１８の第２記録層７０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第２情報層１８において、第２記録層７０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層７０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc2−Ｒa2）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc2、Ｒa2は、０．１≦Ｒa2≦１且つ１．５≦Ｒc2≦６を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa2≦０．７且つ１．５≦Ｒc2≦３．５を満たすことがより好ましい。
第１情報層１７は、レーザビーム１の入射側から順に配置された第１誘電体層６０２、第１界面層６０３、第１記録層６０４、第２誘電体層６０６、第１反射層６０８、及び第１透過率調整層６０９を備える。なお、第１界面層６０３は必要に応じて設ければよく、必ずしも設ける必要はない。また、第１記録層６０４と第２誘電体層６０６の間に、第２界面層６０５を備えてもよい（図４には第２界面層は示されていないが、本明細書では便宜上「第２界面層６０５」として説明する）。
第１情報層１７を形成する、第１誘電体層６０２、第１界面層６０３、第１記録層６０４、第２界面層６０５、第２誘電体層６０６、第１反射層６０８、及び第１透過率調整層６０９は、それぞれ実施の形態１の第１情報層１０の第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２界面層１０５、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、及び透過率調整層１０９と同様の材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能についても、実施の形態１で説明した、それらの形状及び機能と同様である。
第１情報層１７において、第１記録層６０４が結晶相である場合の透過率Ｔc1（％）、及び第１記録層６０４が非晶質相である場合の透過率Ｔa1（％）は、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム１の入射側から第１情報層１７より遠い側にある情報層に到達させるため、６０＜Ｔc1且つ６０＜Ｔa1を満たすことが好ましく、６５＜Ｔc1且つ６５＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層１７の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすことにより、レーザビーム１の入射側から第１情報層１７より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層１７の第１記録層６０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層１７において、第１記録層６０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層６０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦０．８且つ１．２≦Ｒc1≦３を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦０．５且つ１．２≦Ｒc1≦２を満たすことがより好ましい。
このようにＲc1、Ｒa1、Ｒc2、Ｒa2、Ｒc3、Ｒa3、Ｒc4、Ｒa4、Ｔc1、Ｔa1、Ｔc2、Ｔa2、Ｔc3、Ｔa3を設計することにより、第１情報層１７、第２情報層１８、第３情報層１９、第４情報層２０からの実効反射光量を合わせる（例えば、実効反射率が１．５％）ことができる。
光学的情報記録媒体２１は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板８（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板８上に第４情報層を形成する。具体的には、まず、基板８上に、第４反射層９０８、第８誘電体層９０６、第４記録層９０４、第７界面層９０３及び第７誘電体層９０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第４反射層９０８と第８誘電体層９０６の間に界面層９０７を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第８誘電体層９０６と第４記録層９０４の間に第８界面層９０５を成膜してもよい。また、不要であれば第７界面層９０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態２で説明した、第２情報層１１の第２反射層２０８、界面層２０７、第４誘電体層２０６、第４界面層２０５、第２記録層２０４、第３界面層２０３、及び第３誘電体層２０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第４情報層２０を形成する。
続いて、第４情報層２０の第７誘電体層９０２上に中間層６（厚さが例えば１０μｍ）を形成する。中間層６は、光硬化性樹脂（特にアクリル系のに紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂を第７誘電体層９０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、中間層６がレーザビーム１の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。中間層の形成方法は、上記のスピンコート法だけでなく、例えばスクリーン法、インクジェット法といった印刷技術を微細加工技術に応用して用いることもできる。
なお、第７誘電体層９０２を成膜したのち、又は中間層６を形成したのち、必要に応じて、第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層６上に第３情報層１９を形成する。具体的には、まず、中間層６上に、第３透過率調整層８０９、第３反射層８０８、第６誘電体層８０６、第３記録層８０４、第５界面層８０３及び第５誘電体層８０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第６誘電体層８０６と第３記録層８０４の間に第６界面層８０５を成膜してもよい。また、不要であれば第５界面層８０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第３情報層１９を形成する。
続いて、第３情報層１９の第５誘電体層８０２上に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層５（厚さが例えば２０μｍ）を形成する。
なお、第５誘電体層８０２を成膜したのち、又は中間層５を形成したのち、必要に応じて、第３記録層８０４及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層８０４及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層５上に第２情報層１８を形成する。具体的には、まず、中間層５上に、第２透過率調整層７０９、第２反射層７０８、第４誘電体層７０６、第２記録層７０４、第３界面層７０３及び第３誘電体層７０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第４誘電体層７０６と第２記録層７０４の間に第４界面層７０５を成膜してもよい。また、不要であれば第３界面層７０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第２情報層１８を形成する。
続いて、第２情報層１８の第３誘電体層７０２上に、上述の中間層６と同様の方法により、中間層３（厚さが例えば１５μｍ）を形成する。
なお、第３誘電体層７０２を成膜したのち、又は中間層３を形成したのち、必要に応じて、第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に第１情報層１７を形成する。具体的には、まず、中間層３上に、第１透過率調整層６０９、第１反射層６０８、第２誘電体層６０６、第１記録層６０４、第１界面層６０３及び第１誘電体層６０２をこの順序で成膜する。このとき、必要に応じて第２誘電体層６０６と第１記録層６０４の間に第２界面層６０５を成膜してもよい。また、不要であれば第１界面層６０３を成膜しなくてもよい。これらの各層は、それぞれ実施の形態１で説明した、第１情報層１０の透過率調整層１０９、第１反射層１０８、第２誘電体層１０６、第２界面層１０５、第１記録層１０４、第１界面層１０３、及び第１誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
このようにして、第１情報層１７を形成する。
最後に、第１誘電体層６０２上に透明層２（厚さが例えば５５μｍ）を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第１誘電体層６０２を成膜したのち、又は透明層２を形成したのち、必要に応じて、第１記録層６０４、第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層６０４、第２記録層７０４、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２１を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態５）
実施の形態５として、本発明の光学的情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態５の光学的情報記録媒体２５の一部断面図を図５に示す。光学的情報記録媒体２５は、実施の形態１の光学的情報記録媒体９と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２５は、基板２２上に中間層３、５等を介して順次積層した、第１情報層１０、第２情報層４、…を含む（Ｎ−１）個の情報層と、基板２４上に積層した第Ｎ情報層７とが、中間層２３を介して密着された構成である。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
基板２２及び２４は透明で円盤状の基板である。基板２２及び２４を構成する材料としては、基板８と同様に、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、又はガラスを用いることができる。
基板２２の第１情報層１０側の表面、及び基板２４の第Ｎ情報層７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２２の第１情報層１０側と反対側の表面、及び基板２４の第Ｎ情報層７側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板２２及び基板２４の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。なお、基板２２及び基板２４の厚さは、十分な強度が確保され、且つ光学的情報記録媒体２５の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。
中間層２３は、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。中間層２３の厚さは、中間層３及び５等と同様の理由により、０．６μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
その他、実施の形態１と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒体２５は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層１０を形成する。このとき、基板２２にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層１０を形成する。具体的には、基板２２を成膜装置内に配置し、第１誘電体層１０２、第１界面層１０３、第１記録層１０４、第２誘電体層１０６、第１反射層１０８、透過率調整層１０９を順次積層する。なお、不要であれば第１界面層１０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第１記録層１０４と第２誘電体層１０６との間に第２界面層１０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態１の各層の成膜方法と同様である。その後、（Ｎ−２）層の情報層（第２情報層〜第（Ｎ−１）情報層）を、中間層を介して順次積層する。
別に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第Ｎ情報層７を形成する。第Ｎ情報層７は、単層膜、又は多層膜からなり、それらの各層は、実施の形態１と同様、成膜装置内で材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。
最後に、情報層が積層された基板２２及び基板２４を、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を情報層７上に塗布して、第１情報層１０を成膜した基板２２を第Ｎ情報層７上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第Ｎ情報層７上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを基板２２に密着させることもできる。
なお、基板２２及び基板２４を密着させた後、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２５を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態６）
実施の形態６として、実施の形態５の本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態６の光学的情報記録媒体２６の一部断面図を図６に示す。光学的情報記録媒体２６は、実施の形態２の光学的情報記録媒体１２と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２６は、基板２２上に第１情報層１０、基板２４上に第２情報層１１を積層し、これらの積層体を中間層２３を介して密着させた構成である。本実施の形態では、第１情報層１０が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
基板２２の第２反射層２０８側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２２の第２反射層２０８側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。
その他、実施の形態２、及び実施の形態５と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒体２６は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、実施の形態５と同様の方法により第１情報層１０を形成する。
なお、透過率調整層１０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層１０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
別に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第２情報層１１を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２情報層１１を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第２反射層２０８、第４誘電体層２０６、第２記録層２０４、第３界面層２０３第３誘電体層２０２を順次積層する。なお、不要であれば第３界面層２０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第２記録層２０４と第４誘電体層２０６の間に第４界面層２０５を成膜してもよい。また、必要に応じて第２反射層２０８と第４誘電体層２０６の間に界面層２０７を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態２の各層の成膜方法と同様である。
なお、第３誘電体層２０２を成膜したのち、必要に応じて、第２記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第２記録層２０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
最後に、第１情報層１０を積層した基板２２と、第２情報層１１を積層した基板２４とを、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第１情報層１０又は第２情報層１１上に塗布して、基板２４上の第３誘電体層２０２と基板２２上の透過率調整層１０９とを密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第１情報層１０又は第２情報層１１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、基板２２と基板２４を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第２記録層２０４、及び第１記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、実施の形態２と同様の理由により、第２記録層２０４を先に結晶化させることが好ましい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２６を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態７）
実施の形態７として、実施の形態５の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝３、すなわち３個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態７の光学的情報記録媒体２７の一部断面図を図７に示す。光学的情報記録媒体２７は、実施の形態３の光学的情報記録媒体１６と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な３層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２７は、基板２２上に第１情報層１３、及び第２情報層１４を積層し、基板２４上に第３情報層１５を積層して、これらの積層体を中間層２３を介して密着させた構成である。本実施の形態では、第１情報層１３及び第２情報層１４が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
その他、実施の形態３、実施の形態５、及び実施の形態６と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒２７は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層１３を形成する。このとき、基板２２にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層１３を形成する。具体的には、基板２２を成膜装置内に配置し、第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第１記録層３０４、第２誘電体層３０６、第１反射層３０８、第１透過率調整層３０９を順次積層する。なお、不要であれば第１界面層３０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第１記録層３０４と第２誘電体層３０６の間に第２界面層３０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層のそれと同様である。
続いて、第１透過率調整層３０９上に、実施の形態３と同様の方法により、中間層３を形成する。なお、中間層３を形成したのち、又は第１透過率調整層３０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層３０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に、第２情報層１４を形成する。具体的には、基板２２上に第１情報層１３及び中間層３を形成したものを成膜装置内に配置し、第３誘電体層４０２、第３界面層４０３、第２記録層４０４、第４誘電体層４０６、第２反射層４０８、第２透過率調整層４０９を順次積層する。なお、不要であれば第３界面層４０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第２記録層４０４と第４誘電体層４０６の間に第４界面層４０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層のそれと同様である。なお、第２透過率調整層４０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層３０４、及び／又は第２記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層３０４、及び／又は第２記録層４０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
次に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第３情報層１５を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第３情報層１５を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第３反射層５０８、第６誘電体層５０６、第３記録層５０４、第５界面層５０３及び第５誘電体層５０２を順次積層する。なお、不要であれば第５界面層５０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第３記録層５０４と第６誘電体層５０６の間に第６界面層５０５を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第６誘電体層５０６と第３反射層５０８の間に界面層５０７を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層のそれと同様である。
なお、第５誘電体層５０２を成膜したのち、必要に応じて、第３記録層５０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層５０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
最後に、第１情報層１３、中間層３及び第２情報層１４を積層した基板２２と、第３情報層１５を積層した基板２４とを、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第２情報層１４又は第３情報層１５上に塗布して、基板２２と基板２４を密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第２情報層１４又は第３情報層１５上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、基板２２と基板２４を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第３記録層５０４、第２記録層４０４、及び／又は第１記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２７を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態８）
実施の形態８として、実施の形態５の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４個の情報層によって構成された光学的情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態８の光学的情報記録媒体２８の一部断面図を図８に示す。光学的情報記録媒体２８は、実施の形態４の光学的情報記録媒体２１と同様、片面からのレーザビーム１の照射によって情報の記録再生が可能な４層光学的情報記録媒体である。
光学的情報記録媒体２８は、基板２２上に第１情報層１７、及び第２情報層１８を積層し、基板２４上に第４情報層２０、及び第３情報層１９を積層して、これらの積層体を中間層２３を介して密着させた構成である。本実施の形態では、第１情報層１７、第２情報層１８及び第３情報層１９が、本発明の光学的情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当する。なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体において、同様の機能を有する層が複数設けられている場合は、説明の便宜上、レーザビーム１の入射側から順に第１、第２、…として区別する。
その他、実施の形態４、実施の形態５、実施の形態６、及び実施の形態７と同一の符号を付した部分については、その説明を省略する。
光学的情報記録媒体２８は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２２（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層１７を形成する。このとき、基板２２にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層１７を形成する。具体的には、基板２２を成膜装置内に配置し、第１誘電体層６０２、第１界面層６０３、第１記録層６０４、第２誘電体層６０６、第１反射層６０８、第１透過率調整層６０９を順次積層する。なお、不要であれば第１界面層６０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第１記録層６０４と第２誘電体層６０６の間に第２界面層６０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
続いて、第１透過率調整層６０９上に、実施の形態４と同様の方法により、中間層３を形成する。なお、中間層３を形成したのち、又は第１透過率調整層６０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層６０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層６０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層３上に、第２情報層１８を形成する。具体的には、基板２２上に第１情報層１７及び中間層３を形成したものを成膜装置内に配置し、第３誘電体層７０２、第３界面層７０３、第２記録層７０４、第４誘電体層７０６、第２反射層７０８、第２透過率調整層７０９を順次積層する。なお、不要であれば第３界面層７０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第２記録層７０４と第４誘電体層７０６の間に第４界面層７０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。なお、第２透過率調整層７０９を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層６０４、及び／又は第２記録層７０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第１記録層６０４、及び／又は第２記録層７０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
次に、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第４情報層２０を形成する。このとき、基板２４にレーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第４情報層２０を形成する。具体的には、基板２４を成膜装置内に配置し、第４反射層９０８、第８誘電体層９０６、第４記録層９０４、第７界面層９０３、第７誘電体層９０２を順次積層する。なお、不要であれば第７界面層９０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第４記録層９０４と第８誘電体層９０６の間に第８界面層９０５を成膜してもよい。さらに、必要に応じて第８誘電体層９０６と第４反射層９０８の間に界面層９０７を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
続いて、第７誘電体層９０２上に、実施の形態４と同様の方法により、中間層６を形成する。なお、中間層６を形成したのち、又は第７誘電体層９０２を成膜したのち、必要に応じて、第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
続いて、中間層６上に、第３情報層１９を形成する。具体的には、基板２４上に第４情報層２０及び中間層６を形成したものを成膜装置内に配置し、第３透過率調整層８０９、第３反射層８０８、第６誘電体層８０６、第３記録層８０４、第５界面層８０３、第５誘電体層８０２を順次積層する。なお、不要であれば第５界面層８０３を成膜しなくてもよい。また、必要に応じて第３記録層８０４と第６誘電体層８０６の間に第６界面層８０５を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層の成膜方法と同様である。なお、第５誘電体層８０２を成膜したのち、必要に応じて、第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。第３記録層８０４、及び／又は第４記録層９０４の結晶化は、レーザビームを照射することによって行うことができる。
最後に、第１情報層１７、中間層３及び第２情報層１８を積層した基板２２と、第４情報層２０、中間層６及び第３情報層１９を積層した基板２４とを、中間層２３を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特にアクリル系の紫外線硬化性樹脂）又は遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第２情報層１８又は第３情報層１９上に塗布して、基板２２と基板２４を密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第２情報層１８又は第３情報層１９上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、基板２２と基板２４を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第４記録層９０４、第３記録層８０４、第２記録層７０４、及び／又は第１記録層６０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
以上のようにして、光学的情報記録媒体２８を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、又はＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態９）
実施の形態９では、実施の形態１、２、３、４、５、６、７及び８として説明した本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方法について説明する。
本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方法に用いられる記録再生装置３４の一部の構成を図９に模式的に示す。図９に示す記録再生装置３４は、光学的情報記録媒体３３を回転させるためのスピンドルモータ２９と、半導体レーザ３１、及び半導体レーザ３１から出射されるレーザビーム１を集光する対物レンズ３０を備える光学ヘッド３２とを備える。光学的情報記録媒体３３は、実施の形態１〜８の光学的情報記録媒体であり、複数の情報層（例えば第１情報層１０、第２情報層１１）を備える。対物レンズ３０は、レーザビーム１を情報層上に集光する。
光学的情報記録媒体への情報の記録、消去、及び上書き記録は、レーザビーム１のパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐb（ｍＷ））との間で変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビーム１を照射することによって、記録層の局所的な一部分が非晶質相にされ、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビーム１が照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビーム１を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスはピークパワー、バイアスパワーのパワーレベルだけで２値変調されてもよいし、バイアスパワーよりさらに低パワーのクーリングパワー（Ｐc（ｍＷ））及びボトムパワー（ＰB（ｍＷ））を加えて、０ｍＷ〜ピークパワーの範囲のパワーレベルによって３値変調、又は４値変調されてもよい。
また、情報信号の再生は、再生パワーのレーザビーム１を照射することによって得られる光学的情報記録媒体からの信号を検出器で読みとることにより実施する。再生パワー（Ｐr（ｍＷ））は、ピークパワー及びバイアスパワーのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビーム１の照射によって、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ光学的情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるパワーに設定される。
対物レンズ３０の開口数ＮＡは、レーザビームのスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内であることが好ましく、０．６〜０．９の範囲内であることがより好ましい。レーザビーム１の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録する際の光学的情報記録媒体の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる４ｍ／秒〜５０ｍ／秒の範囲内であることが好ましく、９ｍ／秒〜４０ｍ／秒の範囲内であることがより好ましい。光学的情報記録媒体の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、及び線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビームの波長は、６５０〜６７０ｎｍであってもよい。
二つの情報層を備えた光学的情報記録媒体１２、及び光学的情報記録媒体２６において、第１情報層１０で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を第１記録層１０４に合わせ、透明層２（又は基板２２）を透過したレーザビーム１によって第１記録層１０４に情報を記録する。再生は、第１記録層１０４によって反射され、透明層２（又は基板２２）を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。第２情報層１１で記録を行う際には、レーザビーム１の焦点を第２記録層２０４に合わせ、透明層２（又は基板２２）、第１情報層１０、及び中間層３（又は中間層２３）を透過したレーザビーム１によって情報を記録する。再生は、第２記録層２０４によって反射され、中間層３（又は中間層２３）、第１情報層１０、及び透明層２（又は基板２２）を透過してきたレーザビーム１を検出して行う。
なお、基板８、中間層３、５、及び６に、レーザビーム１を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム１の入射側から近い方の溝面（グルーブ）に行われてもよいし、遠い方の溝面（ランド）に行われてもよい。また、グルーブとランドの両方に情報を記録してもよい。
この記録再生装置を用いて、光学的情報記録媒体の性能を次のようにして評価できる。記録性能は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、記録マークの前端間、及び後端間のジッター（マーク位置の誤差）をタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。なお、ジッター値が小さいほど、記録性能がよい。なお、ＰpとＰbは、前端間、及び後端間のジッターの平均値（平均ジッター）が最小となるよう決定される。このときの最適Ｐpを記録感度とする。
また、消去性能は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、１１回目に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後９Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅の差を、２Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定することにより評価できる。なお、消去率が大きいほど、消去性能がよい。
また、信号強度は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録し、最後に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定することによって評価できる。なお、ＣＮＲが大きいほど信号強度が強い。
さらに、繰り返し書き換え回数は、レーザビーム１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を同じグルーブに連続記録し、各記録書き換え回数における前端間、及び後端間ジッターをタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。１回目の前端間と後端間の平均ジッター値に対し、３％増加するときの書き換え回数を上限値とする。なお、Ｐp、Ｐb、Ｐc、及びＰBは、平均ジッター値が最も小さくなるように決定する。
（実施の形態１０）
実施の形態１０として、本発明のターゲットの実施の形態について、以下に説明する。
本発明のターゲットは、少なくともＷを含む。これを用いると、Ｗを含む誘電体層（透過率調整層）を形成することができる。また、本発明のターゲットは、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよく、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでもよい。これを用いると、Ｗ−Ｍ１、Ｗ−Ｍ２、又はＷ−Ｍ１−Ｍ２を含む透過率調整層を形成することができる。このようなターゲットを用い、且つ、希ガスと微量の反応ガス（特に酸素ガス）を導入することによって、実施の形態１〜８で説明したような本発明の光学的情報記録媒体に含まれる透過率調整層を形成することができる。
上記のターゲットにさらにＯを含むターゲットを用いることもできる。このようなターゲットを用い、且つ、希ガスのみ、又は希ガスと微量の反応ガス（特に酸素ガス）を導入することによっても、実施の形態１〜８で説明したような本発明の光学的情報記録媒体に含まれる透過率調整層を形成することができる。
また、高速成膜において、光学的情報記録媒体の、例えば反射率の個体ばらつきや、ジッタの媒体面内ばらつきを小さく抑えることができる。より高速な成膜を行い、ばらつきをより小さくするように、本ターゲットは、密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する）が高いことが好ましい。好ましくは、密度８０％以上で、より好ましくは密度９０％以上である。
次に、本発明のターゲットの製造方法の一例を説明する。
例えば、ＷとＭ１を含むターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末及び材料Ｍ１の粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、ターゲットの面内・厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度及び時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なターゲットを製造することが可能になる。このようにして、ＷとＭ１を所定の組成比で含むターゲットが完成する。焼結後、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着してもよい。こうすることにより、スパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。
同様に、ＷとＭ２を含むターゲットは、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末、及び材料Ｍ２の粉末を準備して、上記の方法でターゲットを製造することができる。また、ＷとＭ１及びＭ２を含むターゲットは、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末、材料Ｍ１の粉末及び材料Ｍ２の粉末を準備して、上記の方法でターゲットを製造することができる。あるいは、上記のターゲットを製造する際には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗ−Ｍ１の粉末及び材料Ｗ−Ｍ２の粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗの粉末、材料Ｍ１−Ｍ２の粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗ−Ｍ１−Ｍ２の粉末を準備してもよく、いずれの粉末の組み合わせでも、上記の方法でターゲットを製造することもできる。
同様に、製造するターゲットがＯを含む場合には、所定の粒径を有する高純度な材料Ｗ−Ｏの粉末、材料Ｍ１−Ｏの粉末、材料Ｍ２−Ｏの粉末、材料Ｗ−Ｍ１−Ｏの粉末、材料Ｗ−Ｍ２−Ｏの粉末、及びＷ−Ｍ１−Ｍ２−Ｏを準備して、上記の方法でターゲットを製造することができる。
本発明の光学的情報記録媒体に設けられる透過率調整層を作製する方法としては、上記ターゲットを用いて、スパッタリング法を用いて成膜を行うことが望ましい。スパッタリング法を用いた場合、多層膜を積層するための量産用の成膜装置が既に市場に提供されており、比較的容易に良好な膜質の薄膜が得られるという利点がある。
ここで、本実施の形態において用いられるスパッタリング装置の一例について説明する。図１０にはスパッタリング装置を用いて成膜する様子が示されている。図１０に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器３５に排気口３６を通して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器３５内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口３７からは、一定流量のガスを供給できるようになっている。基板３９（ここでの基板とは、膜を堆積させるための基材のことである。）は陽極３８に載置されている。真空容器３５を接地することにより、真空容器３５及び基板３９が陽極に保たれている。スパッタリングターゲット４０は陰極４１に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源４２に接続されている。陽極３８と陰極４１との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット４０から放出された粒子により基板３９上に薄膜が形成できる。
本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
（実施例１）
実施例１では、本発明における透過率調整層の材料と、当該透過率調整層の成膜速度、及び成膜室の真空度と成膜速度との関係を調べた。具体的には、基板上に異なる材料の透過率調整層を成膜し、成膜前の成膜室の真空度が異なる状態での成膜速度を測定した。
成膜速度は以下のようにして測定した。まず、基板として、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意し、基板上に膜厚測定用のガラス基板（長さ１２ｍｍ×幅１８ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を貼り付けた。そして、そのガラス基板を貼り付けた基板上に、透過率調整層をスパッタリング法によって成膜した。成膜前、及び成膜中の成膜室の真空度は電離真空計を用いて測定した。
上記の透過率調整層をスパッタリングする成膜装置は、この透過率調整層を成膜するスパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。透過率調整層の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。
最後に、基板上に貼り付けたガラス基板に成膜された透過率調整層の膜厚を触針式段差計を用いて測定した。測定した膜厚と透過率調整層を成膜した時間から、単位時間あたりに成膜される膜厚、すなわち成膜速度を計算した。
成膜された透過率調整層の材料と成膜室の真空度と透過率調整層の成膜速度の関係を（表１）に示す。なお、成膜速度については、成膜前の成膜室の真空度が１．３×１０-4Ｐａの場合のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。
Figure 2009096165
この結果、透過率調整層としてＷＯ3を成膜した場合には、ＴｉＯ2を成膜した場合に比べ、成膜速度が速く、成膜前の成膜室の真空度の悪化に伴い成膜速度が低下することもないことがわかった。このことから、ＷとＯとを含む材料のＷＯ3は透過率調整層の材料として好ましいことがわかった。
（実施例２）
実施例２では、図２の光学的情報記録媒体１２を作製し、透過率調整層１０９の材料と、透過率調整層１０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１０の透過率（Ｔc1）、及び第１情報層１０の耐湿性との関係を調べた。具体的には、透過率調整層１０９の材料が異なる第１情報層１０を含む光学的情報記録媒体１２のサンプル２−１から２−２７を作製し、透過率調整層１０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１０の透過率、及び第１情報層１０の耐湿性を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、第２記録層２０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第３界面層２０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２反射層２０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層２０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層２０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層２０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３誘電体層２０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第２反射層２０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第４誘電体層２０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第２記録層２０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第３界面層２０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３誘電体層２０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層２０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１０側に形成された、厚さ２５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、透過率調整層１０９（厚さ：２０ｎｍ）、第１反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：９ｎｍ）、第２誘電体層１０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層１０５として（ＳｉＯ2）20（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）30層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：７ｎｍ）、第１界面層１０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ、透過率調整層１０９を成膜するスパッタリングターゲット、第１反射層１０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層１０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層１０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層１０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層１０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層１０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
透過率調整層１０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１反射層１０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー１００Ｗで行った。第２誘電体層１０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。第２界面層１０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１記録層１０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー５０Ｗで行った。第１界面層１０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層１０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２を形成した。その後、第２記録層２０４、及び第１記録層１０４を、レーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、透過率調整層１０９の材料が異なる複数のサンプルを製造した。これらのサンプルは、透過率と耐湿性とを評価するためのサンプルとして用いた。
なお、成膜速度については、実施例１で行った方法と同様の方法により測定した。成膜速度の安定性は、成膜速度の測定結果を用いて評価した。ここで、成膜速度の安定性とは、成膜前の成膜室の真空度に対する成膜速度の変化率が小さいことを意味する。また、透過率調整層１０９の屈折率を測定するサンプルは、ポリカーボネート基板上に屈折率測定用の石英基板（長さ１２ｍｍ×幅１８ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を貼り付け、その石英基板を貼り付けたポリカーボネート基板上に、透過率調整層１０９となる材料をスパッタリング法によって成膜することにより準備した。屈折率の測定にはエリプソメータを用いた。
透過率及び耐湿性の評価用として作製したサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体１２の第２情報層１１及び第１情報層１０の反射率（Ｒc1、Ｒc2）を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１０の透過率（Ｔc1）については、第２情報層１１のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル２−１から２−２７の第２情報層１１の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
また、第１情報層１０の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨ（ｒｅｌａｔｉｖｅ ｈｕｍｉｄｉｔｙ）の条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
各サンプルについて、成膜された透過率調整層１０９の材料（膜組成）、透過率調整層１０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１０の透過率、及び耐湿性を（表２）に示す。なお、成膜速度については、実施例１で測定した成膜室真空度が１．３×１０-4Ｐａの時のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。また、成膜速度の安定性については、成膜前の成膜室の真空度１．３×１０-4Ｐａから８．０×１０-4Ｐａまでの成膜速度の変化率が５％未満を○、５％以上１０％未満を△、１０％以上を×とした。また、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。さらに総合評価として、透過率４４％以上で、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに○判定の場合をＡ、透過率が４４％未満、又は、成膜速度の安定性もしくは耐湿性で△判定がある場合をＢ、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに△判定の場合をＣ、成膜速度の安定性又は耐湿性で×判定がある場合をＤ、とした。
Figure 2009096165
この結果、透過率調整層１０９がＴｉＯ2のみからなるサンプル２−６では、成膜速度が真空度により１０％以上低下し、成膜速度の安定性が悪いことがわかった。また、透過率調整層１０９がＢｉ2Ｏ3のみからなるサンプル２−１３では、耐湿性が悪いことがわかった。透過率調整層１０９がＮｂ2Ｏ5のみからなるサンプル２−２６では、耐湿性が悪いことがわかった。さらに、透過率調整層１０９がＣｅＯ2のみからなるサンプル２−２７では、成膜速度の安定性が悪いことがわかった。
透過率調整層１０９がＷとＯを含むサンプル２−１、透過率調整層１０９が上記式（１）（Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％）（但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。））で表されるサンプル２−２から２−５、２−７から２−１０、及び透過率調整層１０９が上記式（３）（Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％）（但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。））で表されるサンプル２−１１から２−１４、２−１６から２−２１、さらに透過率調整層１０９が上記式（４）（Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％）（但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。））で表されるサンプル２−２２から２−２４は、透過率調整層１０９の成膜速度が速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も２．１以上と高いことがわかった。また、第１情報層１０の透過率、及び耐湿性も良好であることがわかった。この中でも特に、透過率調整層１０９がＷと、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔｉ、及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物であるサンプル２−３から２−５、２−７から２−１０、２−１１から２−１４、２−２２から２−２４では、屈折率が２．５以上と高く第１情報層１０の透過率を４５％以上に高めることができるため、透過率調整層として特に優れていることがわかった。また、透過率調整層１０９がＭ１（ここではＭ１がＴｉ及びＮｂ）とＯとのみからなる、比較例として作製されたサンプル２−２５を、ＷとＭ１（ここではＭ１がＴｉ及びＮｂ）とＯとからなるサンプル２−８及び２−９と比較すると、成膜速度がやや遅く、耐湿性もやや悪化していた。また、透過率調整層１０９がＷを含まず、Ｍ１（ここではＭ１がＮｂ又はＣｅ）とＯとのみからなる、比較例として作製されたサンプル２−２６及び２−２７は、Ｎｂ2Ｏ5の場合は耐湿性が悪く、ＣｅＯ2の場合は成膜速度の安定性が悪かった。
また、上記式（１）において１０＜ａ１＜２２及び５＜ｂ１＜２３を満たすサンプル２−３及び２−４は、透過率調整層１０９の成膜速度が十分速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も十分高く、さらに耐湿性にも優れていた。
以上の結果から、透過率調整層１０９の組成は少なくともＷとＯを含むことが望ましく、式（１）、式（３）及び式（４）で表される材料を含むことがさらに好ましいことがわかった。
（実施例３）
実施例３では、図３の光学的情報記録媒体１６を作製し、第１透過率調整層３０９の材料と、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１３の透過率、及び第１情報層１３の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１透過率調整層３０９の材料が異なる第１情報層１３を含む光学的情報記録媒体１６のサンプル３−１から３−１１を作製し、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１３の透過率、及び第１情報層１３の耐湿性を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第３反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第６誘電体層５０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第６界面層５０５（図示せず）として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第３記録層５０４としてＳｂ80Ｔｅ14Ｇｅ6層（厚さ：１０ｎｍ）、第５界面層５０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第５誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第３反射層５０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第６誘電体層５０６を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第６界面層５０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３記録層５０４を成膜するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第５界面層５０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第５誘電体層５０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。なお、スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
第３反射層５０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第６誘電体層５０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第６界面層５０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３記録層５０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第５界面層５０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第５誘電体層５０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第５誘電体層５０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１４側に形成された、厚さ１５μｍの中間層５を得た。
その後、中間層５の上に、第２透過率調整層４０９として（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50層（厚さ：２０ｎｍ）、第２反射層４０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第４誘電体層４０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層４０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｓｂ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：６ｎｍ）、第３界面層４０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第４誘電体層４０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２透過率調整層４０９を成膜する（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２反射層４０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層４０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第４記録層４０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層４０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層４０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
第２透過率調整層４０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２反射層４０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第４誘電体層４０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２記録層４０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第３界面層４０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３誘電体層４０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層４０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１３側に形成された、厚さ２５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、第１透過率調整層３０９（厚さ：１５ｎｍ）、第１反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第２誘電体層３０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層３０５（図示せず）として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層３０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：５．５ｎｍ）、第１界面層３０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第１透過率調整層３０９を成膜するスパッタリングターゲット、第１反射層３０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層３０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層３０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層３０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層３０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第１透過率調整層３０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１反射層３０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第２誘電体層３０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２界面層３０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第１記録層３０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層３０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。第１誘電体層３０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層３０２上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６０μｍの透明層２を形成した。その後、第３記録層５０４、第２記録層４０４、及び第１記録層３０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１透過率調整層３０９の材料が異なる複数のサンプルを製造した。これらのサンプルは、透過率と耐湿性とを評価するためのサンプルとして用いた。
なお、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、及び屈折率については実施例２で行った方法と同様の方法により測定した。
透過率及び耐湿性の評価用として作製したサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体１６の第３情報層１５、第２情報層１４、及び第１情報層１３の反射率（Ｒc1、Ｒc2、Ｒc3）を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１３の透過率（Ｔc1）については、第２情報層１４のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル３−１から３−１１の第２情報層１４の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
また、第１情報層１３の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
各サンプルについて、成膜された第１透過率調整層３０９の材料（膜組成）、第１透過率調整層３０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１３の透過率（Ｔc1）、及び耐湿性を（表３）に示す。成膜速度については、実施例１で測定した成膜室真空度が１．３×１０-4Ｐａの時のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。なお、成膜速度の安定性については、成膜前の成膜室の真空度１．３×１０-4Ｐａから８．０×１０-4Ｐａまでの成膜速度の変化率が５％未満を○、５％以上１０％未満を△、１０％以上を×とした。また、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。さらに総合評価として、透過率５０％以上で、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに○判定の場合をＡ、透過率が５０％未満、又は、成膜速度の安定性もしくは耐湿性で△判定がある場合をＢ、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに△判定の場合をＣ、成膜速度の安定性又は耐湿性で×判定がある場合をＤ、とした。
Figure 2009096165
この結果、第１透過率調整層３０９がＷとＯを含み、上記式（１）、上記式（３）、及び上記式（４）で表されるサンプル３−１から３−１１は、第１透過率調整層３０９の成膜速度が速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も２．５以上と高いことがわかった。また、第１情報層１３の透過率、及び耐湿性も良好であることがわかった。
以上の結果から、第１透過率調整層３０９の組成は、少なくともＷとＯを含むことが望ましく、例えば式（１）、式（３）及び式（４）で表されることが好ましいことがわかった。
（実施例４）
実施例４では、図４の光学的情報記録媒体２１を作製し、第１透過率調整層６０９の材料と、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１７の透過率、及び第１情報層１７の耐湿性との関係を調べた。具体的には、第１透過率調整層６０９の材料が異なる第１情報層１７を含む光学的情報記録媒体２１のサンプル４−１から４−８を作製し、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１７の透過率、及び第１情報層１７の耐湿性を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第４反射層９０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第８誘電体層９０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第８界面層９０５（図示せず）として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第４記録層９０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１２ｎｍ）、第７界面層９０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第７誘電体層９０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第４反射層９０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第８誘電体層９０６を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第８界面層９０５を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第４記録層９０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第７界面層９０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第７誘電体層９０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第４反射層９０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第８誘電体層９０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第８界面層９０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第４記録層９０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第７界面層９０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第７誘電体層９０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第７誘電体層９０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第３情報層１９側に形成された、厚さ１０μｍの中間層６を得た。
その後、中間層６の上に、第３透過率調整層８０９として（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50層（厚さ：２０ｎｍ）、第３反射層８０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第６誘電体層８０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第３記録層８０４としてＳｂ85Ｇｅ15層（厚さ：６ｎｍ）、第５界面層８０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第５誘電体層８０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第３透過率調整層８０９を成膜する（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第３反射層８０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第６誘電体層８０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３記録層８０４を成膜するＳｂ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第５界面層８０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第５誘電体層８０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
第３透過率調整層８０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第３反射層８０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第６誘電体層８０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第３記録層８０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第５界面層８０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第５誘電体層８０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第５誘電体層８０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第２情報層１８側に形成された、厚さ２０μｍの中間層５を得た。
その後、中間層５の上に、第２透過率調整層７０９として（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）30（Ｂｉ2Ｏ3）20層（厚さ：２０ｎｍ）、第２反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第４誘電体層７０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層７０４としてＳｂ81Ｔｅ13Ｇｅ6層（厚さ：５ｎｍ）、第３界面層７０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２透過率調整層７０９を成膜する（ＷＯ3）50（ＴｉＯ2）30（Ｂｉ2Ｏ3）20スパッタリングターゲット、第２反射層７０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層７０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層７０４を成膜するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層７０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層７０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第２透過率調整層７０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２反射層７０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第４誘電体層７０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２記録層７０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第３界面層７０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３誘電体層７０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層７０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１７側に形成された、厚さ１５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、第１透過率調整層６０９（厚さ：１５ｎｍ）、第１反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：６ｎｍ）、第２誘電体層６０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層６０５（図示せず）として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：３ｎｍ）、第１記録層６０４としてＧｅ40Ｓｎ5Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：４．５ｎｍ）、第１界面層６０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第１透過率調整層６０９を成膜するスパッタリングターゲット、第１反射層６０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層６０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層６０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層６０４を成膜するＧｅ−Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層６０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層６０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第１透過率調整層６０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第１反射層６０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１０００Ｗで行った。第２誘電体層６０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２０００Ｗで行った。第２界面層６０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第１記録層６０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層６０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第１誘電体層６０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２５００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層６０２上に塗布し回転させることによって均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、厚さ５５μｍの透明層２を形成した。その後、第４記録層９０４、第３記録層８０４、第２記録層７０４、及び第１記録層６０４をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第１透過率調整層６０９の材料が異なる複数のサンプルを製造した。これらのサンプルは、透過率と耐湿性とを評価するためのサンプルとして用いた。
なお、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、及び屈折率については実施例２で行った方法と同様の方法により測定した。
透過率及び耐湿性の評価用として作製したサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体２１の第４情報層２０、第３情報層１９、第２情報層１８、及び第１情報層１７の反射率を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１７の透過率（Ｔc1）については、第２情報層１８のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル４−１から４−８の第２情報層１８の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
また、第１情報層１７の耐湿性については、作製したサンプルを温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で加速試験し、試験後の状態を光学顕微鏡で観察することにより判定した。
各サンプルについて、成膜された第１透過率調整層６０９の材料（膜組成）、第１透過率調整層６０９の成膜速度、成膜速度の安定性、屈折率、第１情報層１７の透過率、及び耐湿性を（表４）に示す。成膜速度については、実施例１で測定した成膜室真空度が１．３×１０-4Ｐａの時のＴｉＯ2の成膜速度を１として規格化した。なお、成膜速度の安定性については、成膜前の成膜室の真空度１．３×１０-4Ｐａから８．０×１０-4Ｐａまでの成膜速度の変化率が５％未満を○、５％以上１０％未満を△、１０％以上を×とした。また、耐湿性については、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの条件で、２００ｈｒ加速後まで腐食・剥離が発生しなかった場合を○、２００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生したが、１００ｈｒ加速後までは発生しなかった場合を△、１００ｈｒ加速後に腐食・剥離が発生した場合を×とした。さらに総合評価として、透過率５０％以上で、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに○判定の場合をＡ、透過率が５０％未満、又は、成膜速度の安定性もしくは耐湿性で△判定がある場合をＢ、成膜速度の安定性及び耐湿性がともに△判定の場合をＣ、成膜速度の安定性又は耐湿性で×判定がある場合をＤ、とした。
Figure 2009096165
この結果、第１透過率調整層６０９がＷとＯを含み、上記式（１）、上記式（３）、及び上記式（４）で表されるサンプル４−１から４−８は、第１透過率調整層６０９の成膜速度が速く、成膜速度の安定性も良好で、屈折率も２．６以上と高いことがわかった。また、第１情報層１７の透過率、及び耐湿性も良好であることがわかった。
以上の結果から、第１透過率調整層６０９の組成は少なくともＷとＯを含むことが望ましく、例えば式（１）、式（３）及び式（４）で表されることが好ましいことがわかった。
（実施例５）
実施例５では、図２の光学的情報記録媒体１２を作製し、透過率調整層１０９の膜厚と、第１情報層１０の透過率との関係を調べた。具体的には、透過率調整層１０９の膜厚が異なる第１情報層１０を含む光学的情報記録媒体１２のサンプル５−１から５−８を作製し、第１情報層１０の透過率を確認した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板８として、レーザビーム１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、第２記録層２０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第３界面層２０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２反射層２０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層２０６を成膜する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層２０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層２０３を成膜する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３誘電体層２０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
第２反射層２０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第４誘電体層２０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第２記録層２０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、パルスＤＣ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３界面層２０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー３０００Ｗで行った。第３誘電体層２０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層２０２上にアクリル系の紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を配置して密着させ、回転させることによって、均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１を導く案内溝が第１情報層１０側に形成された、厚さ２５μｍの中間層３を得た。
その後、中間層３の上に、透過率調整層１０９として（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50層、第１反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：９ｎｍ）、第２誘電体層１０６としてＡｌ2Ｏ3層（厚さ：１０ｎｍ）、第２界面層１０５として（ＳｉＯ2）20（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）30層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：７ｎｍ）、第１界面層１０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層１０９を成膜する（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第１反射層１０８を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層１０６を成膜するＡｌ2Ｏ3スパッタリングターゲット、第２界面層１０５を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層１０４を成膜するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層１０３を成膜する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１誘電体層１０２を成膜する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。
透過率調整層１０９の成膜は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第１反射層１０８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、ＤＣ電源を用いて投入パワー１０００Ｗで行った。第２誘電体層１０６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第２界面層１０５の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２０００Ｗで行った。第１記録層１０４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、パルスＤＣ電源を用いて投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層１０３の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー３０００Ｗで行った。第１誘電体層１０２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１３Ｐａとして、ＲＦ電源を用いて投入パワー２５００Ｗで行った。
最後に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し回転させて均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２を形成した。その後、第２記録層２０４、及び第１記録層１０４を、レーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、透過率調整層１０９の膜厚が異なる複数のサンプルを製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置３４を用いて、光学的情報記録媒体１２の第２情報層１１、及び第１情報層１０の反射率（Ｒc1、Ｒc2）を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は４．９ｍ／ｓとした。また、反射率はグルーブで測定した。
第１情報層１０の透過率（Ｔc1）は、第２情報層１１のみを成膜したサンプルの反射率（Ｒc0）をあらかじめ測定し、その反射率とサンプル５−１から５−８の第２情報層１１の反射率（Ｒc2）から計算（Ｒc2＝Ｒc0×Ｔc1×Ｔc1）して求めた。
各サンプルについて、透過率調整層１０９の膜厚と第１情報層１０の透過率を（表５）に示す。
Figure 2009096165
この結果、透過率調整層１０９の膜厚が９ｎｍ以上３０ｎｍ以下のサンプル５−２から５−７では、第１情報層１０において４５％以上の透過率が得られることがわかった。
以上の結果から、透過率調整層１０９の膜厚は９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることが好ましいことがわかった。
（実施例６）
実施例３において、図９の記録再生装置３４を用いて、サンプル３−１から３−１１の光学的情報記録媒体１６の第１情報層１３の信号強度、及び消去性能を測定した。このとき、レーザビーム１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３０の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は９．８ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとし、情報はグルーブに記録した。その結果、いずれのサンプルにおいても信号強度については４２ｄＢ以上のＣＮＲ、消去性能については２５ｄＢ以上の消去率が得られ、書き換え型の光学的情報記録媒体として使用可能であることを確認できた。
（実施例７）
実施例１から実施例６において、透過率調整層１０９、第１透過率調整層３０９、第２透過率調整層４０９、第１透過率調整層６０９、第２透過率調整層７０９、及び／又は第３透過率調整層８０９を、酸素を含まないＷ、Ｗ−Ｍ１、Ｗ−Ｍ２、及び／又はＷ−Ｍ１−Ｍ２合金スパッタリングターゲットを用い、酸素を多く含むＡｒとの混合ガス雰囲気（例えば全体に対して５０％の割合の酸素ガス）で成膜したところ、同様の結果が得られた。
本発明にかかる光学的情報記録媒体によれば、複数の情報層を備える多層光学的情報記録媒体を効率よく製造することができ、高密度の書き換え型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ−ＲＥ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、＋ＲＷ等）、追記型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（ＢＤ−Ｒ）、ＤＶＤ−Ｒ等）、及び再生専用型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ（ＢＤ−ＲＯＭ）、ＤＶＤ−ＲＯＭ等）の光ディスク等として有用である。

Claims (31)

  1. Ｎ個の情報層（Ｎは２以上の自然数）と、前記Ｎ個の情報層を光学的に互いに分離する中間層と、を備えた光学的情報記録媒体であって、
    前記Ｎ個の情報層を、光入射側から順に第１情報層〜第Ｎ情報層とした場合、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎー１を満たす少なくとも１つの自然数）は、光の照射によって情報を記録し得る記録層と、反射層と、透過率調整層とを、光入射側からこの順で含んでおり、
    前記透過率調整層が、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含む、光学的情報記録媒体。
  2. 前記透過率調整層が、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  3. 前記透過率調整層が、下記の式（１）：
    Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （１）
    （但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含む、請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
  4. 前記透過率調整層が、下記の式（２）：
    （ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （２）
    （但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含む、請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
  5. 前記透過率調整層が、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  6. 前記透過率調整層が、Ａｇ2ＷＯ4、Ｂｉ2ＷＯ6、ＭｇＷＯ4、ＭｎＷＯ4、Ｙ2Ｗ3Ｏ12、ＺｎＷＯ4及びＺｒＷ2Ｏ8から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、請求項５に記載の光学的情報記録媒体。
  7. 前記透過率調整層が、下記の式（３）：
    Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （３）
    （但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含む、請求項５に記載の光学的情報記録媒体。
  8. 前記透過率調整層が、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）とＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  9. 前記透過率調整層が、下記の式（４）：
    Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （４）
    （但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含む、請求項８に記載の光学的情報記録媒体。
  10. 前記透過率調整層の膜厚ｄ１（ｎｍ）が、９≦ｄ１≦３０の範囲である、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  11. 前記記録層が、光の照射によって相変化を起こし得る、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  12. 前記記録層が、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇｅと、Ｔｅとを含み、
    前記記録層におけるＴｅの含有量が５０原子％以上である、請求項１１に記載の光学的情報記録媒体。
  13. 前記記録層がＳｂを７０原子％以上含む、請求項１１に記載の光学的情報記録媒体。
  14. 前記記録層の膜厚が９ｎｍ以下である、請求項１１に記載の光学的情報記録媒体。
  15. 前記反射層が、主としてＡｇを含む、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  16. 前記反射層の膜厚が１５ｎｍ以下である、請求項１５に記載の光学的情報記録媒体。
  17. 前記中間層が、主としてアクリル系の樹脂を含む、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  18. 請求項１に記載の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、
    前記透過率調整層を成膜する工程を少なくとも含み、
    前記透過率調整層を成膜する工程において、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むターゲットを使用して前記透過率調整層を成膜する、又は、少なくともタングステン（Ｗ）を含むターゲットと少なくとも酸素（Ｏ）を含むガスとを使用して前記透過率調整層を成膜する、光学的情報記録媒体の製造方法。
  19. 前記ターゲットと前記透過率調整層が、さらにＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む、請求項１８に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
  20. 前記ターゲットと前記透過率調整層が、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む、請求項１８に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
  21. 前記透過率調整層を成膜する工程よりも前に、前記中間層を形成する工程をさらに含む、請求項１８に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
  22. 少なくとも、タングステン（Ｗ）とＭ１（但し、Ｍ１はＣｅ、Ｎｂ及びＴｉから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む、ターゲット。
  23. 前記ターゲットが、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む、請求項２２に記載のターゲット。
  24. さらに酸素（Ｏ）を含む、請求項２２に記載のターゲット。
  25. 前記ターゲットが、下記の式（５）：
    Ｗa1Ｍ１b1Ｏ100-a1-b1（原子％） （５）
    （但し、ａ１及びｂ１は、０＜ａ１＜３０、０＜ｂ１＜２９を満たす。）で表される材料を含む、請求項２４に記載のターゲット。
  26. 前記ターゲットが、下記の式（６）：
    （ＷＯ3）100-c1（Ｄ１）c1（ｍｏｌ％） （６）
    （但し、Ｄ１はＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5及びＴｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、ｃ１は、０＜ｃ１≦９５を満たす。）で表される材料を含む、請求項２４に記載のターゲット。
  27. 前記ターゲットが、さらにＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む、請求項２４に記載のターゲット。
  28. 前記ターゲットが、下記の式（７）：
    Ｗa3Ｍ１b3Ｍ２c3Ｏ100-a3-b3-c3（原子％） （７）
    （但し、ａ３、ｂ３及びｃ３は、０＜ａ３＜３０、４＜ｂ３＜１６、３＜ｃ３＜２２を満たす。）で表される材料を含む、請求項２７に記載のターゲット。
  29. 少なくとも、タングステン（Ｗ）とＭ２（但し、Ｍ２はＡｇ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む、ターゲット。
  30. さらに酸素（Ｏ）を含む、請求項２９に記載のターゲット。
  31. 前記ターゲットが、下記の式（８）：
    Ｗa2Ｍ２b2Ｏ100-a2-b2（原子％） （８）
    （但し、ａ２及びｂ２は、０＜ａ２＜３０、０＜ｂ２＜３５を満たす。）で表される材料を含む、請求項３０に記載のターゲット。
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