WO2010095466A1 - 情報記録媒体 - Google Patents

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WO2010095466A1
WO2010095466A1 PCT/JP2010/001147 JP2010001147W WO2010095466A1 WO 2010095466 A1 WO2010095466 A1 WO 2010095466A1 JP 2010001147 W JP2010001147 W JP 2010001147W WO 2010095466 A1 WO2010095466 A1 WO 2010095466A1
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dielectric layer
recording medium
mol
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児島理恵
西原孝史
槌野晶夫
山田昇
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パナソニック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an information recording medium capable of optically recording, erasing, rewriting and / or reproducing information.
  • the second dielectric layer, the recording layer, the first dielectric layer, and the reflective layer are arranged in this order from the light incident side. It is done.
  • (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) has been used as the material for the first and second dielectric layers.
  • This material is an amorphous material, has low thermal conductivity, high transparency, and high refractive index.
  • the film formation rate at the time of film formation is high, and mechanical properties and moisture resistance are excellent, it has been put into practical use as a material suitable for forming a dielectric layer.
  • BD Blu-ray disc
  • Zr—Cr—O a material containing ZrO 2 —Cr 2 O 3
  • the rewriting is excellent over 10,000 times (for example, see Patent Document 2).
  • This material is suitable for the interface layer because it does not contain S, has a high melting point, excellent heat resistance, and good adhesion to the recording layer.
  • the semi-transparent information layer (L1) located in is composed of a very thin layer of about 6 nm for the recording layer and about 10 nm for the reflective layer, but is formed using Zr—Cr—O. It was possible to achieve 10,000 cycle performance by adopting the interface layer.
  • next-generation DVD Digital Versatile Disc
  • BD recorder with a built-in large-capacity hard disk and a large television with a built-in BD recorder have been released, and the spread of BD recorders and BD media has become widespread. Accelerating.
  • the next theme of the BD medium is an increase in capacity. By increasing the capacity, it becomes possible to record a high-definition image on a BD medium for a longer time, or the BD medium can be used as a replaceable medium instead of a hard disk.
  • a method for increasing the capacity there are a method for increasing the recording capacity per information layer and a method for increasing the number of layers (number of information layers). By combining the two, the capacity can be further increased.
  • the inventor has worked on the development of a BD medium of 100 GB by combining both. Specifically, an information layer of 33.4 GB (25 GB conventionally) is developed per layer, and three layers are laminated. Increasing the recording capacity from 25 GB to 33.4 GB means that the recording density increases 1.34 times, and the recorded mark itself becomes smaller. Therefore, obtaining a signal amplitude equal to or greater than that of a conventional mark from a small mark is a technical problem.
  • the transmittance of the information layer (L2) located closest to the light incident side must be higher than in the case of two layers.
  • the L1 transmittance was optically designed at 50%.
  • the L2 transmittance could be 56% or more and the L1 transmittance could be 50% or more.
  • the L1 of the three layers must ensure a transmittance of 50% or more and obtain a good signal quality using the light transmitted through the L2, it requires a higher Rc than the L2.
  • Rc By design, when Rc is increased, Ra also tends to increase, and as a result, Rc / Ra tends to decrease as in L2. Therefore, in order to increase the capacity, it is required to realize an information layer that can obtain both high transmittance and high reflectance ratio. That is, development of a film configuration capable of realizing such an information layer, specifically, development of a dielectric material used for a layer provided in contact with the recording layer is required.
  • the information layer is required to have not only the above optical characteristics but also good repeated rewriting performance. Therefore, the layer provided in contact with the recording layer is also required to have good adhesion with the recording layer.
  • the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and can provide a large capacity by providing an information layer that can realize high transmittance and high reflectance ratio, and can also realize good repeated rewriting performance.
  • An object is to provide an information recording medium.
  • the information recording medium of the present invention is an information recording medium capable of recording or reproducing information by irradiation of light, and includes a dielectric layer b, a recording layer, and a dielectric layer a in this order from the light incident side,
  • the dielectric layer a includes at least one element M selected from Al, Dy, Nb, Si, Ti and Y, Cr and O, and the dielectric layer b is selected from Zr and Hf. At least one element A, Cr, and O are included, and the dielectric layer a and the dielectric layer b are disposed in contact with the recording layer.
  • a multilayer rewritable recording medium having a capacity of 33.4 GB or more per information layer can be realized.
  • a large capacity information recording medium of 100 GB or more can be realized.
  • FIG. 1 is a partial sectional view showing an example of the information recording medium of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial sectional view showing another example of the information recording medium of the present invention.
  • FIG. 3 is a partial sectional view showing still another example of the information recording medium of the present invention.
  • FIG. 4 is a partial sectional view showing still another example of the information recording medium of the present invention.
  • the information recording medium of the present invention is an information recording medium capable of increasing the capacity by providing an information layer that can realize a high transmittance and a high reflectance ratio, and can also realize a good moisture resistance and repeated rewriting performance. It is an invention made for the purpose of providing.
  • the present inventor has developed an information layer (L2) positioned closest to the light incident side in the three-layer BD medium and an information layer positioned in the middle (L2).
  • L1 from the light incident side, the second dielectric layer, the second interface layer, the recording layer, the first interface layer, the first dielectric layer, the reflective layer, and the high refractive index layer are Optical design (calculation) was performed on the information layer having the configuration arranged in order. As a result, it was found that Rc / Ra can be increased by applying a relatively transparent material to the first interface layer. It has also been found that Rc / Ra can be further increased if a material having a refractive index smaller than that of the second interface layer is used for the first interface layer.
  • L2 (test 2) in which Zr—Cr—O was applied to the second interface layer was prototyped and Rc / Ra was measured.
  • test 2 was able to increase Rc / Ra.
  • the extinction coefficient of the Zr—Cr—O interface layer with light having a wavelength of 405 nm is about 0.1.
  • Rc / Ra can be increased by applying a dielectric material having a smaller extinction coefficient than Zr—Cr—O to the first interface layer.
  • the Zr—Cr—O interface layer is an interface layer excellent in moisture resistance and repeated rewriting performance
  • ZrO 2 is a transparent and thermally stable material
  • Cr 2 O 3 is a chalcogen-based recording layer It is a material with excellent adhesion.
  • the extinction coefficient of Cr 2 O 3 at a wavelength of 405 nm is as large as about 0.2, it cannot be used alone even if it has excellent adhesion. Since the supplemented adhesion deficiency of the ZrO 2 in Cr 2 O 3 added, simply measures that transparent by reducing the Cr 2 O 3, since lowering the adhesion, not taken. The same applies to the Hf—Cr—O interface layer.
  • the present inventor has configured the information recording medium of the present invention, that is, an information recording medium capable of recording or reproducing information by light irradiation, from the light incident side, the dielectric layer b,
  • the recording layer and the dielectric layer a are provided in this order, and the dielectric layer a includes at least one element M selected from Al, Dy, Nb, Si, Ti, and Y, Cr, and O,
  • the dielectric layer b includes at least one element A selected from Zr and Hf, Cr, and O, and the dielectric layer a and the dielectric layer b are disposed in contact with the recording layer. Has reached the configuration.
  • a dielectric material containing at least one element A selected from Zr and Hf, Cr and O which has both high heat resistance and excellent adhesion to the recording layer.
  • a dielectric material containing at least one element M selected from Y, Cr, and O on an interface layer (dielectric layer a) located on the side opposite to the light incident side with respect to the recording layer Use.
  • the dielectric layer a may contain a material represented by M c Cr d O 100-cd (atomic%).
  • M c Cr d O 100-cd (atomic%) the subscripts c, d and 100-cd represent the composition ratio of M, Cr and O expressed in atomic%, where c and d are 12 ⁇ c ⁇ 40, 0 ⁇ d ⁇ 25, and 20 ⁇ (c + d) ⁇ 50.
  • the element M included in the dielectric layer a may be at least one element selected from Al, Si, and Ti.
  • M c Cr d O 100-cd (atomic%) is based on the total number of “M” atoms, “Cr” atoms, and “O” atoms (100 atomic%). It shows that the composition formula is expressed.
  • the dielectric layer a is at least one selected from Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Nb 2 O 5 , SiO 2 , TiO 2 and Y 2 O 3 .
  • a material represented by (D) h (Cr 2 O 3 ) 100-h (mol%) may be included, including oxide D and Cr 2 O 3 .
  • the subscripts h and 100-h indicate the composition ratio of D and Cr 2 O 3 expressed in mol%, where h is 50 ⁇ h ⁇ 100.
  • the oxide D included in the dielectric layer a may be at least one oxide selected from Al 2 O 3 , SiO 2, and TiO 2 .
  • (D) h (Cr 2 O 3 ) 100-h (mol%) is a mixture of h mol% of compound D and 100-h mol% of Cr 2 O 3. It shows that there is.
  • the same notation method is used with the same meaning.
  • the dielectric layer b may contain a material represented by A f Cr g O 100-fg (atomic%).
  • a f Cr g O 100-fg (atomic%) the subscripts f, g and 100-f-g indicate the composition ratio of A, Cr and O expressed in atomic%, and f and g are 4 ⁇ f ⁇ 16, 21 ⁇ g ⁇ 35, and 30 ⁇ (f + g) ⁇ 50.
  • the dielectric layer b is, Al, Dy, Nb, Si, further comprising at least any one element X selected from Ti and Y, A k Cr m X n O 100-kmn ( atomic% ) May be included.
  • the subscripts k, m, n and 100-kmn are the compositions of A, Cr, X and O expressed in atomic%.
  • K, m, and n satisfy 1 ⁇ k ⁇ 18, 3 ⁇ m ⁇ 35, 0 ⁇ n ⁇ 31, and 25 ⁇ (k + m + n) ⁇ 50.
  • the element A contained in the dielectric layer b may be Zr, and the element X may be at least one element selected from Al, Dy, Si, and Ti.
  • the dielectric layer b is one of the oxide AO 2 at least one selected from ZrO 2 and HfO 2, and a Cr 2 O 3, (AO 2 ) j ( Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%) may be included.
  • (AO 2 ) j (Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%) the subscripts j and 100-j represent the composition ratio of AO 2 and Cr 2 O 3 expressed in mol%, j satisfies 20 ⁇ j ⁇ 60.
  • the dielectric layer b further includes at least one oxide L selected from Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Nb 2 O 5 , SiO 2 , TiO 2 and Y 2 O 3.
  • a material represented by (AO 2 ) p (Cr 2 O 3 ) t (L) 100-pt (mol%) may be included.
  • the subscripts p, t and 100- pt are AO 2 , Cr 2 expressed in mol%.
  • the composition ratio of O 3 and L is shown, and p and t satisfy 20 ⁇ p ⁇ 60, 20 ⁇ t ⁇ 80, and 60 ⁇ (p + t) ⁇ 100.
  • the oxide L included in the dielectric layer b may be at least one oxide selected from Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , SiO 2 and TiO 2 .
  • a part of Cr contained in the dielectric layer a may be substituted with at least one element selected from Ga and In.
  • a part of Cr 2 O 3 contained in the dielectric layer a is at least one selected from Ga 2 O 3 and In 2 O 3 It may be substituted with one oxide.
  • a part of Cr contained in the dielectric layer b may be substituted with at least one element selected from Ga and In.
  • a part of Cr 2 O 3 contained in the dielectric layer b is at least one selected from Ga 2 O 3 and In 2 O 3 It may be substituted with one oxide.
  • the information recording medium of the present invention preferably satisfies na ⁇ nb, where na is the refractive index of the dielectric layer a and nb is the refractive index of the dielectric layer b.
  • the information recording medium of the present invention includes N information layers, where N is an integer greater than or equal to 2, and the N information layers are arranged from the first information layer to the Nth in order from the side opposite to the light incident side.
  • N is an integer greater than or equal to 2
  • the recording layer, and the dielectric layer a may be included in this order.
  • N may be 3.
  • the recording layer may be formed of a material that causes a phase change by the light irradiation.
  • the recording layer may contain Ge—Te and contain 40 atomic% or more of Ge, or contain at least one material selected from Sb—Ge and Sb—Te, and contain 70 atoms of Sb. % Or more may be included.
  • FIG. 1 shows a partial cross section of the information recording medium 300.
  • a first information layer 310, an intermediate layer 303, a second information layer 320, an intermediate layer 304, a third information layer 330, and a transparent layer 302 are arranged in this order on a substrate 301.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention are applied to all of the first information layer 310 to the third information layer 330, all the information layers are the information of the present invention. Although it corresponds to the Lth information layer of the recording medium, the present invention is not limited to this, and if at least one of the first information layer 310 to the third information layer 330 corresponds to the Lth information layer. Good.
  • the second information layer 320 includes a dielectric layer 321, a reflective layer 322, a dielectric layer 323, an interface layer 324, a recording layer 325, an interface layer 326, and a dielectric layer 327 on one surface of the intermediate layer 303. It is formed by arranging in this order.
  • the third information layer 330 includes a dielectric layer 331, a reflective layer 332, a dielectric layer 333, an interface layer 334, a recording layer 335, an interface layer 336, and a dielectric layer 337 on one surface of the intermediate layer 304. It is formed by arranging in order.
  • information is recorded and reproduced by the laser beam 10 in the blue-violet region near the wavelength of 405 nm.
  • the laser beam 10 is incident from the transparent layer 302 side.
  • Information is recorded on and reproduced from the first information layer 310 by the laser light 10 that has passed through the third information layer 330 and the second information layer 320.
  • Information is recorded on and reproduced from the second information layer 320 by the laser light 10 that has passed through the third information layer 330.
  • information can be recorded / reproduced in three information layers, so that an information recording medium having a capacity of 100 GB can be obtained by setting the capacity per information layer to 33.4 GB, for example. .
  • the effective reflectances of the three information layers are approximately equal. This is achieved by adjusting the reflectivity of the first, second and third information layers and the transmittance of the second and third information layers, respectively.
  • a configuration designed to have an effective Rc of 2.2% and an effective Ra of 0.3% will be described as an example.
  • the reflectance of each information layer measured in a state where three information layers are stacked is defined as an effective reflectance. Unless stated otherwise, unless stated as “effective”, it refers to the reflectance measured without lamination.
  • Rc is the mirror reflectivity of the information layer when the recording layer is in the crystalline phase
  • Ra is the mirror reflectivity of the information layer when the recording layer is in the amorphous phase.
  • the effective Rc-g is, for example, 1.8%.
  • the average value ((Tc + Ta) / 2) of the third information layer 330 is 56%
  • the average value ((Tc + Ta) / 2) of the second information layer 320 is 50%
  • the first information layer 310 has an Rc of 28%, Ra of 4%
  • the second information layer 320 has an Rc of 7%
  • the third information layer 330 has an Rc of 2.2%, It can be designed such that Ra is 0.3%.
  • Tc is the transmittance of the information layer when the recording layer is in the crystalline phase
  • Ta is the transmittance of the information layer when the recording layer is in the amorphous phase.
  • Tc + Ta When (Tc + Ta) / 2 is 56%, for example, Tc may be 55% and Ta may be 57%. Alternatively, Tc may be 56% and Ta may be 57%. Tc and Ta are preferably close values, but may not be equal. In the following, when the transmittance of the information layer is simply referred to without specifying Tc and Ta, it means the average value of transmittance ((Tc + Ta) / 2).
  • the substrate 301 mainly has a function as a support, is a disc, is transparent, and has a smooth surface.
  • the material include a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin or polymethyl methacrylate (PMMA), or glass. In view of moldability, cost and mechanical strength, polycarbonate is preferably used.
  • a substrate 301 having a thickness of about 1.1 mm and a diameter of about 120 mm is preferably used.
  • An uneven guide groove for guiding the laser beam 10 may be formed on the surface of the substrate 301 on the side where the information layer 310 is formed.
  • the surface on the side close to the laser beam 10 is referred to as a “groove surface” for convenience, and the surface on the side far from the laser beam 10 is referred to as “ Called “land surface”.
  • the step between the groove surface and the land surface is preferably 10 nm or more and 30 nm or less. In Blu-ray Disc, recording is performed only on the groove surface, but the distance between the groove and the groove (from the center of the groove surface to the center of the groove surface) is preferably about 0.32 ⁇ m.
  • the intermediate layer 303 has a function of separating the focal position of the laser beam 10 in the second information layer 320 and the focal position of the laser beam 10 in the first information layer 310, and the second information layer if necessary.
  • a guide groove of the layer 320 may be formed.
  • the intermediate layer 304 has a function of separating the focal position of the laser light 10 in the third information layer 330 and the focal position of the laser light 10 in the second information layer 320.
  • Three guide grooves of the information layer 330 may be formed.
  • the intermediate layers 303 and 304 can be formed of an ultraviolet curable resin. Moreover, you may have the structure by which the some resin layer was laminated
  • the intermediate layers 303 and 304 are preferably transparent to the light of wavelength ⁇ to be recorded / reproduced so that the laser beam 10 efficiently reaches the first information layer 310 and the second information layer 320.
  • the thicknesses of the intermediate layers 303 and 304 are (1) the depth of focus determined by the numerical aperture of the objective lens and the wavelength of the laser beam 10, and (2) the distance between the recording layer 315 and the recording layer 335 is the objective lens (3)
  • the thickness of the transparent layer 302 and the thickness of the transparent layer 302 are preferably within the tolerance of the substrate thickness acceptable by the objective lens used.
  • the distance from the surface of the transparent layer 302 to the recording layer 315 of the first information layer 310 is preferably 80 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less. Furthermore, the reproduction of signals from the first information layer 310, the second information layer 320, and the third information layer 330, and the recording / erasing / rewriting of signals to these information layers are mutually performed from other information layers. It is preferable that the film thicknesses of the intermediate layers 303 and 304 are different from each other so that the film can be satisfactorily performed without being affected by the above.
  • the thickness of each intermediate layer is preferably selected in the range of 3 ⁇ m to 30 ⁇ m, and more preferably in the range of 10 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the film thicknesses of the intermediate layer 303, the intermediate layer 304, and the transparent layer 302 may be set so that the distance from the surface of the transparent layer 302 to the recording layer 315 is 100 ⁇ m.
  • the intermediate layer 303 can be set to 25 ⁇ m
  • the intermediate layer 304 can be set to 18 ⁇ m
  • the transparent layer 302 can be set to 57 ⁇ m.
  • it can also set in order like 16 micrometers, 24 micrometers, and 60 micrometers in order.
  • the transparent layer 302 will be described.
  • As a method of increasing the recording density of the information recording medium there is a method of increasing the numerical aperture NA of the objective lens so that the laser light can be narrowed down using a short wavelength laser light.
  • NA numerical aperture
  • the transparent layer 302 positioned on the side on which the laser beam 10 is incident is designed to be thinner than the substrate 301. According to this configuration, it is possible to obtain a large-capacity information recording medium 300 capable of higher density recording.
  • the transparent layer 302 is disc-shaped, transparent, and has a smooth surface.
  • the transparent layer 302 may be composed of, for example, a disk-shaped sheet and an adhesive layer, or may be composed of an ultraviolet curable resin.
  • An uneven guide groove for guiding the laser beam 10 may be formed as necessary.
  • the protective layer may be provided on the surface of the dielectric layer 337. Any configuration may be used, but the total thickness (for example, sheet thickness + adhesive layer thickness + protective layer thickness, or thickness of only the ultraviolet curable resin) is preferably 20 ⁇ m to 100 ⁇ m, and more preferably 30 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • the sheet is preferably formed of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, and particularly preferably formed of polycarbonate. Further, since the transparent layer 302 is located on the laser beam 10 incident side, it is preferable that the birefringence in the short wavelength region is small optically.
  • the third information layer 330 has the dielectric layer 331, the reflective layer 332, the dielectric layer 333, the interface layer 334, the recording layer 335, the interface layer 336, and the dielectric on one surface of the intermediate layer 304.
  • the body layer 337 is formed by arranging in this order.
  • the third information layer 330 is designed to have a high transmittance so that the laser light 10 can reach the first information layer 310 and the second information layer 320.
  • Tc (%) is the light transmittance of the third information layer 330 when the recording layer 335 is in the crystalline phase, and the third information layer 330 when the recording layer 335 is in the amorphous phase.
  • the light transmittance is Ta (%), it is preferably 53% ⁇ (Ta + Tc) / 2, and more preferably 56% ⁇ (Ta + Tc) / 2.
  • the dielectric layer 331 has a function of increasing the light transmittance of the third information layer 330.
  • the material is preferably transparent and has a refractive index of 2.4 or more with respect to the laser beam 10 having a wavelength of 405 nm.
  • the refractive index of the dielectric layer 331 is small, the reflectance ratio Rc / Ra of the third information layer 330 is large, but the light transmittance is small.
  • a refractive index of 2.4 or higher is preferable as a refractive index that provides a reflectance ratio of 4 or higher and a transmittance of 53% or higher. Therefore, if the refractive index is less than 2.4, the light transmittance of the third information layer 330 is reduced, and sufficient laser light 10 reaches the first information layer 310 and the second information layer 320. You may not get.
  • a material of the dielectric layer 33 for example, a material containing at least one of ZrO 2 , Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 , CeO 2 , TiO 2 and WO 3 may be used.
  • TiO 2 is preferably used because it has a high refractive index of 2.7 and excellent moisture resistance.
  • ZrO 2, Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3, CeO 2 at least any one of TiO 2 and WO 3 may be used a material containing more than 50 mol%.
  • (ZrO 2 ) 80 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%), (Bi 2 O 3 ) 60 (SiO 2 ) 40 (mol%), (Bi 2 O 3 ) 60 (TeO 2 ) 40 (mol) %), (CeO 2 ) 50 (SnO 2 ) 50 (mol%), (TiO 2 ) 50 (HfO 2 ) 50 (mol%), (WO 3 ) 75 (Y 2 O 3 ) 25 (mol%), (Nb 2 O 5 ) 50 (MnO) 50 (mol%), (Al 2 O 3 ) 50 (TiO 2 ) 50 (mol%), or the like may be used.
  • a material in which at least any two of ZrO 2 , Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 , CeO 2 , TiO 2 and WO 3 are mixed may be used.
  • Bi 4 Ti 3 O 12 ((Bi 2 O 3 ) 40 (TiO 2 ) 60 (mol%)), Bi 2 Ti 4 O 11 ((Bi 2 O 3 ) 20 (TiO 2 ) 80 (mol%) ), Bi 12 TiO 20 ((Bi 2 O 3 ) 85.7 (TiO 2 ) 14.3 (mol%)), (WO 3 ) 50 (Bi 2 O 3 ) 50 (mol%), (TiO 2 ) 50 (Nb 2 O 5 ) 50 (mol%), (CeO 2 ) 50 (TiO 2 ) 50 (mol%), (ZrO 2 ) 50 (TiO 2 ) 50 (mol%), (WO 3 ) 67 (ZrO 2 ) 33 ( Mol%) and the like may be used.
  • the thickness of the dielectric layer 331 is ⁇ / (8n 1 ) (nm) ( ⁇ is the wavelength of the laser beam 10, n 1 is the refractive index of the dielectric layer 331) and the vicinity thereof.
  • the transmittance of the third information layer 330 is the maximum value.
  • the reflectance contrast (Rc ⁇ Ra) / (Rc + Ra) takes a maximum value when the film thickness of the dielectric layer 331 is between ⁇ / (16n 1 ) and ⁇ / (4n 1 ). Therefore, the thickness of the dielectric layer 331 can be selected so that both are compatible, and is preferably 9 nm or more and 42 nm or less, more preferably 8 nm or more and 30 nm or less.
  • the dielectric layer 331 may be composed of two or more layers.
  • the reflective layer 332 optically increases the amount of light absorbed by the recording layer 335, or the difference in reflectance of the third information layer 330 between when the recording layer 335 is amorphous and when it is crystalline. It has a function to enlarge. In addition, it has the function of quickly diffusing heat generated in the recording layer 335 to rapidly cool the recording layer 335 and to make it amorphous easily. Further, the reflective layer 332 also has a function of protecting the multilayer film including the dielectric layers 333 to 337 from the usage environment.
  • the reflective layer 332 has a function of quickly diffusing the heat of the recording layer 335. As described above, since the third information layer 330 requires high light transmittance, it is desirable that the light absorption by the reflective layer 332 be small. Therefore, the reflective layer 332 is preferably designed to be thin, and it is preferable to use a material having high thermal conductivity that can quickly diffuse heat even if it is thin.
  • the reflective layer 332 preferably uses Ag or an Ag alloy.
  • the Ag alloy for example, an alloy material such as Ag—Pd, Ag—Pd—Cu, Ag—Ga, Ag—Ga—Cu, Ag—Cu, or Ag—In—Cu may be used.
  • a material obtained by adding a rare earth metal to Ag or Ag—Cu may be used.
  • Ag—Pd—Cu, Ag—Ga—Cu, Ag—Cu, and Ag—In—Cu are preferably used because they have low light absorption, high thermal conductivity, and excellent moisture resistance.
  • the film thickness is adjusted with the thickness of the recording layer, it is preferably 3 nm or more and 15 nm or less.
  • the thickness is less than 3 nm, it is difficult to form a homogeneous thin film, the function of diffusing heat is reduced, and marks are hardly formed on the recording layer 335.
  • the thickness is larger than 15 nm, the light transmittance of the third information layer 330 is less than 53%.
  • the dielectric layers 333 and 337 have a function of adjusting Rc, Ra, Tc, and Ta of the third information layer 330 by adjusting the optical distance.
  • the recording layer 335 has a function of increasing the light absorption efficiency and a function of protecting the recording layer 335 from moisture and the like.
  • the film has high transparency with respect to the laser wavelength to be used and is excellent in heat resistance in addition to moisture resistance.
  • oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides, and mixtures thereof can be used as materials for the dielectric layers 333 and 337.
  • oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides, and mixtures thereof can be used as materials for the dielectric layers 333 and 337.
  • oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides, and mixtures thereof can be used as materials for the dielectric layers 333 and 337.
  • oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides, and mixtures thereof can be used as materials for the dielectric layers 333 and 337.
  • oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides, and mixtures thereof can be used as materials for the dielectric layers 333 and 337.
  • oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides, and mixtures thereof can be used as materials for the di
  • nitride for example, AlN, BN, CrN, Ge 3 N 4 , HfN, NbN, Si 3 N 4 , TaN, TiN, VN and ZrN may be used.
  • Al 4 C 3 , B 4 C, CaC 2 , Cr 3 C 2 , HfC, Mo 2 C, NbC, SiC, TaC, TiC, VC, W 2 C, WC, and ZrC may be used as the carbide. Good.
  • fluoride for example, CaF 2 , CeF 3 , DyF 3 , ErF 3 , GdF 3 , HoF 3 , LaF 3 , MgF 2 , NdF 3 , YF 3 and YbF 3 may be used.
  • Examples of the mixture include ZnS—SiO 2 , ZnS—SiO 2 —Ta 2 O 5 , ZnS—SiO 2 —LaF 3 , ZrO 2 —SiO 2 , ZrO 2 —Cr 2 O 3 , ZrO 2 —SiO 2 —Cr 2.
  • O 3 ZrO 2 —Ga 2 O 3 , ZrO 2 —SiO 2 —Ga 2 O 3 , ZrO 2 —In 2 O 3, ZrO 2 —SiO 2 —In 2 O 3 and the like may be used.
  • the dielectric layers 333 and 337 are made of at least one selected from oxides, sulfides and fluorides by 90 mol% or more. More preferably.
  • a composite material or mixed material containing ZrO 2 has high transparency with respect to a wavelength near 405 nm and is excellent in heat resistance.
  • the materials containing ZrO 2, in place of ZrO 2 CaO, MgO, may be used the added partially stabilized zirconia or stabilized zirconia any of Y 2 O 3 in ZrO 2.
  • the HfO 2 to ZrO 2 and chemical properties are similar, may be used in place of ZrO 2.
  • the dielectric layer 333 adjacent to the reflective layer 332 it is preferable to use Ag or an Ag alloy for the reflective layer 332, and thus it is more preferable that no sulfide is included.
  • a more transparent material for the dielectric layer 337 located on the laser beam 10 incident side For example, ZnS—SiO 2 is a material that is amorphous, has low thermal conductivity, has high transparency and a high refractive index, has a high film formation rate during film formation, and has excellent mechanical properties and moisture resistance. Therefore, it is preferable as a material for the dielectric layer 337.
  • As the dielectric layer 337 (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) is particularly preferably used.
  • the dielectric layer 333 or the dielectric layer 337 may be formed of two or more layers in which the above oxides or the like are stacked.
  • the optical path length can be accurately determined by calculation based on, for example, the matrix method (for example, see Hiroshi Kubota “Wave Optics” Iwanami Shinsho, 1971, Chapter 3).
  • the film thickness d can be determined from the optical path length nd.
  • the third information layer 330 has a transmittance ((Tc + Ta) / 2) of 56%, a reflectance Rc of 2.2%, and a reflectance Ra of 0.3%. Designed to.
  • the thickness of the dielectric layer 333 is preferably 20 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 15 nm or less.
  • the thickness of the dielectric layer 337 is preferably 15 nm or more and 60 nm or less, and more preferably 20 nm or more and 50 nm or less.
  • the dielectric layer 333 and the dielectric layer 337 can be provided as necessary.
  • the dielectric layer 333 is not necessarily provided.
  • the dielectric layer 337 is not necessarily provided.
  • the third information layer 330 has a configuration in which a dielectric layer 331, a reflective layer 332, an interface layer 334, a recording layer 335, an interface layer 336, and a dielectric layer 337 are arranged in this order on the intermediate layer 304.
  • the dielectric layer 331, the reflective layer 332, the interface layer 334, the recording layer 335, and the interface layer 336 may be arranged in this order.
  • the third information layer 330 has a configuration in which the dielectric layer 331, the reflective layer 332, the dielectric layer 333, the interface layer 334, the recording layer 335, and the interface layer 336 are arranged in this order on the intermediate layer 304. You may do it.
  • Both the interface layer 334 and the interface layer 336 are provided in contact with the recording layer 335.
  • the interface layer provided in contact with the recording layer 335 is required to at least be (1) high melting point and not melt during recording, and (2) good adhesion to the recording layer that is a chalcogenide material. The As described above, at the time of recording, the region where the recording mark is formed is heated to the melting point or higher and melted, so that the highest temperature is recorded during a series of recording and erasing operations.
  • the interface layers 334 and 336 may have a nominal melting point of 1000 ° C. or more in order not to melt during recording. preferable. This is because a thin film of several nanometers may cause diffusion, decomposition, and melting at a temperature lower than the nominal melting point.
  • na-ika refractive index of the interface layer 334
  • ka extinction coefficient of the interface layer 3334
  • the smaller the ka the larger the reflectance ratio Rc / Ra of the third information layer 330 can be. If na is small, the effect is greater.
  • ka is preferably 0.07 or less, and more preferably 0.04 or less.
  • na is more preferably relatively smaller than the refractive index nb of the interface layer 336.
  • a material containing at least one element M selected from Al, Dy, Nb, Si, Ti, and Y, Cr, and O is used. Its composition can be expressed as M c Cr d O 100-cd (atomic%), and the subscripts c, d and 100-cd represent the composition ratio of M, Cr and O expressed in atomic%. Show. In this case, c and d preferably satisfy 12 ⁇ c ⁇ 40, 0 ⁇ d ⁇ 25, and 20 ⁇ (c + d) ⁇ 50. In this composition range, both high transparency and excellent adhesion to the chalcogenide recording film can be achieved.
  • the interface layer 334 only needs to contain the elements M, Cr, and O, but preferably contains the elements M, Cr, and O as main components.
  • the interface layer 334 may be substantially formed of the elements M, Cr, and O.
  • the interface layer 334 includes the elements M, Cr, and O as main components when the total of all atoms included in the interface layer 334 is 100 atomic%. The total of these atoms is 90 atomic% or more, preferably 95 atomic% or more.
  • the interface layer 334 is substantially formed of the elements M, Cr, and O.
  • other components such as impurities may be mixed in a trace amount, but the total of the atoms of the elements M, Cr, and O Is 95 atomic% or more, preferably 98 atomic% or more.
  • Specific materials include, for example, Al—Cr—O, Al—Dy—Cr—O, Al—Dy—Nb—Cr—O, Al—Dy—Si—Cr—O, and Al—Dy—Ti—Cr—O.
  • a part of Cr contained in the material may be substituted with at least one element selected from Ga and In.
  • Al—Cr—O may be Al—Cr—In—O, Al—Cr—Ga—O, or Al—Cr—In—Ga—O.
  • Al—Si—Cr—O may be Al—Si—Cr—In—O, Al—Si—Cr—Ga—O, or Al—Si—Cr—In—Ga—O.
  • Al—Ti—Cr—O may be Al—Ti—Cr—In—O, Al—Ti—Cr—Ga—O, or Al—Ti—Cr—In—Ga—O.
  • the oxide of element M is transparent and has a high melting point. Therefore, it is preferable that the element M is contained in the interface layer 334 in an oxide state.
  • the interface layer 334 includes at least one oxide D selected from Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Nb 2 O 5 , SiO 2 , TiO 2, and Y 2 O 3. It's okay.
  • the melting point and complex refractive index of each oxide D are as follows: Al 2 O 3 has a melting point of about 2000 ° C. and a complex refractive index of 1.66-i0.00, and Dy 2 O 3 has a melting point of 2000 ° C. and a complex refractive index.
  • Nb 2 O 5 has a melting point of about 1500 ° C. and a complex refractive index of 2.51-i0.01
  • SiO 2 has a melting point of about 1700 ° C. and a complex refractive index of 1.47-i0. 00
  • TiO 2 has a melting point of about 1800 ° C. and a complex refractive index of 2.68-i0.01
  • Y 2 O 3 has a melting point of about 2400 ° C. and a complex refractive index of 1.94-i0.01.
  • fusing point is a solid literature value and a complex refractive index is an inventor's experimental value.
  • the interface layer 334 may include a complex oxide of the element M, for example, a complex oxide of the oxide D.
  • Al 6 Si 2 O 13 has a melting point of about 1900 ° C. and a complex refractive index of 1.59-i0.00
  • Al 2 TiO 5 has a melting point of about 1900 ° C. and a complex refractive index of 2.17-i 0.01. is there.
  • the interface layer 334 may include, as the element M oxide, a low oxide (an oxide having less oxygen than the stoichiometric composition) or a mixture other than the above-described compounds and composite oxides.
  • the interface layer 334 includes a low oxide of the element M, a low oxide of Al, a low oxide of Dy, a low oxide of Nb, a low oxide of Si, a low oxide of Ti, and a low oxide of Y
  • at least one selected from a low oxide of Al—Si and a low oxide of Al—Ti may be included.
  • the interface layer 334 includes, for example, Al 2 O 3 —Dy 2 O 3 , Dy 2 O 3 —Nb 2 O 5 , Nb 2 O 5 — It may contain at least one selected from SiO 2 , SiO 2 —TiO 2 , TiO 2 —Y 2 O 3 and the like.
  • the interface layer 334 As a material for the interface layer 334, it is preferable to use a material containing these oxides D and Cr.
  • the composition is represented by (D) h (Cr 2 O 3 ) 100-h (mol%), and indicates the composition ratio of D and Cr 2 O 3 in which the suffixes h and 100-h are represented by mol%.
  • H preferably satisfies 50 ⁇ h ⁇ 100.
  • the oxide of Cr is preferably present as Cr 2 O 3 in the interface layer 334 and may be present as a low oxide of Cr 2 O 3 .
  • the interface layer 334 may be formed of a material substantially represented by (D) h (Cr 2 O 3 ) 100-h (mol%).
  • a mixture of oxide D and Cr 2 O 3 is used as the material of the interface layer 334, specifically, Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 , Dy 2 O 3 —Cr 2 O 3 , Nb 2 O 5 -Cr 2 O 3, can be used SiO 2 -Cr 2 O 3, TiO 2 -Cr 2 O 3 and Y 2 O 3 -Cr 2 O 3 .
  • a mixture of a composite oxide of oxide D and Cr 2 O 3 specifically, for example, Al 6 Si 2 O 13 —Cr 2 O 3 , Al 2 TiO 5 —Cr 2 O 3 is used. May be used.
  • a mixture of the low oxide of element M and Cr 2 O 3 may be used.
  • a mixture of oxide D and Cr 2 O 3 can also be used.
  • the oxide D it is more preferable to include an Al oxide or an Al composite oxide in which oxygen vacancies are less likely to occur during thin film formation.
  • Specific examples include Al 2 O 3 , Al 6 Si 2 O 13 , and Al 2 TiO 5 .
  • a part of Cr 2 O 3 contained in the material may be substituted with at least one oxide selected from Ga 2 O 3 and In 2 O 3 .
  • Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 is replaced with Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 —In 2 O 3 , Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 —Ga 2 O 3 or Al 2 O 3 —Cr 2.
  • O 3 —In 2 O 3 —Ga 2 O 3 may be used.
  • Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 is replaced with Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 —In 2 O 3 or Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 —Ga 2 O. 3 or Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 —In 2 O 3 —Ga 2 O 3 may be used.
  • Al 2 O 3 —TiO 2 —Cr 2 O 3 is replaced with Al 2 O 3 —TiO 2 —Cr 2 O 3 —In 2 O 3 , Al 2 O 3 —TiO 2 —Cr 2 O 3.
  • the extinction coefficient ka is reduced without reducing the adhesion of the interface layer 334.
  • the transparency can be increased and the refractive index na can be reduced.
  • the total content of Ga 2 O 3 and In 2 O 3 in the interface layer 334 is preferably 30 mol% or less.
  • the interface layer 336 (dielectric layer b)
  • high heat resistance is required in addition to high melting point and adhesion.
  • the semitransparent information layer such as the third information layer 330 or the second information layer 320
  • the interface layer 336 needs a material having higher heat resistance than the interface layer 334.
  • the order of forming the thin film layer is that the interface layer 336 is formed after the recording layer 335 is formed.
  • a material for the interface layer 336 a material containing at least one element A selected from Zr and Hf, Cr, and O is used. Its composition can be expressed as A f Cr g O 100-fg (atomic%), and the subscripts f, g and 100-f-g represent the composition ratio of A, Cr and O expressed in atomic%. Show. In this case, it is preferable that f and g satisfy 4 ⁇ f ⁇ 16, 21 ⁇ g ⁇ 35, and 30 ⁇ (f + g) ⁇ 50. In this composition range, both excellent adhesion to the chalcogenide recording film and high heat resistance can be achieved.
  • the interface layer 336 only needs to contain the elements A, Cr, and O, but preferably contains the elements A, Cr, and O as main components. In order to obtain the effect of the present invention more reliably, the interface layer 336 may be substantially formed of the elements A, Cr, and O. In this specification, the interface layer 336 includes the elements A, Cr, and O as main components when the total of all atoms included in the interface layer 336 is 100 atomic%. The total of these atoms is 90 atomic% or more, preferably 95 atomic% or more. Further, the interface layer 336 is substantially formed of the elements A, Cr, and O. For example, other components such as impurities may be mixed in a trace amount, but the total of the atoms of the elements A, Cr, and O Is 95 atomic% or more, preferably 98 atomic% or more.
  • the interface layer 336 may further include at least one element X selected from Al, Dy, Nb, Si, Ti, and Y.
  • the interface layer 336 is represented by A k Cr m X n O 100-kmn (atomic%), and the subscripts k, m, n, and 100- kmn are represented by atomic%, A,
  • the composition ratio of Cr, X, and O is shown, and k, m, and n include a material that satisfies 1 ⁇ k ⁇ 18, 3 ⁇ m ⁇ 35, 0 ⁇ n ⁇ 31, and 25 ⁇ (k + m + n) ⁇ 50. Is preferred.
  • the refractive index nb of the interface layer 336 can be adjusted.
  • the interface layer 336 only needs to contain the elements A, Cr, elements X and O, but may contain the elements A, Cr, elements X and O as main components (elements A, Cr, elements X).
  • the total of X and O atoms may be 90 atomic% or more, preferably 95 atomic% or more), and may be substantially formed from the elements A, Cr, elements X and O (element A, Cr, elements X and O).
  • the total number of atoms is 95 atomic% or more, preferably 98 atomic% or more).
  • Zr—Al—Cr—O may be Zr—Al—Cr—In—O, Zr—Al—Cr—Ga—O, or Zr—Al—Cr—In—Ga—O.
  • Zr—Al—Si—Cr—O is replaced with Zr—Al—Si—Cr—In—O, Zr—Al—Si—Cr—Ga—O, or Zr—Al—Si—Cr—In—Ga—O. It is good.
  • Zr—Al—Ti—Cr—O is replaced with Zr—Al—Ti—Cr—In—O, Zr—Al—Ti—Cr—Ga—O, or Zr—Al—Ti—Cr—In. It may be -Ga-O.
  • the oxide of element A is transparent and has a high melting point. Therefore, it is preferable that the element A is contained in the interface layer 336 in an oxide state.
  • the interface layer 336 may include at least one oxide AO 2 selected from ZrO 2 and HfO 2 .
  • the oxide AO 2 include ZrO 2 , HfO 2, and ZrO 2 —HfO 2 .
  • ZrO 2 has a melting point of about 2700 ° C. and a complex refractive index of 2.18-i0.01
  • HfO 2 has a melting point of about 2800 ° C. and a complex refractive index of 2.14-i0.00.
  • fusing point is a solid literature value and a complex refractive index is an inventor's experimental value.
  • a material containing these oxides AO 2 and Cr oxide is preferably used as a material of the interface layer 336.
  • the composition is represented by (AO 2 ) j (Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%), and the composition of AO 2 and Cr 2 O 3 in which the subscripts j and 100-j are represented by mol%. It is more preferable that j represents a ratio, and j satisfies 20 ⁇ j ⁇ 60. Thereby, the lack of adhesion of ZrO 2 or HfO 2 can be supplemented with Cr 2 O 3 .
  • the interface layer 336 may contain a material represented by (AO 2 ) j (Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%), but substantially (AO 2 ) j (Cr 2 It may be formed from a material represented by O 3 ) 100-j (mol%). It is formed from a material substantially represented by (AO 2 ) j (Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%) to oxidize oxides AO 2 and Cr 2 O 3 contained in the interface layer 336. It means that the total of the products is 95 mol% or more, preferably 98 mol% or more.
  • the oxide of Cr is preferably present as Cr 2 O 3 in the interface layer 336 and may be present as a low oxide of Cr 2 O 3 .
  • ZrO 2 is transparent, and according to the analysis of the present inventor, structural stability that no diffusion or decomposition occurs at least up to 1000 ° C. is obtained.
  • HfO 2 having similar chemical properties to ZrO 2 has structural stability. However, since HfO 2 is expensive, it is more preferable to use ZrO 2 .
  • the interface layer 336 As a material of the interface layer 336, as a mixture of the oxide of element A and the oxide of Cr, specifically, ZrO 2 —Cr 2 O 3 , HfO 2 —Cr 2 O 3 , ZrO 2 —HfO 2 — Cr 2 O 3 can be used.
  • the oxide of element X is transparent and has a high melting point.
  • the oxide of the element X may include at least one oxide L selected from Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Nb 2 O 5 , SiO 2 , TiO 2 and Y 2 O 3 (melting point).
  • the complex refractive index is the same as the description of the oxide D).
  • the refractive index nb of the interface layer 336 can be adjusted.
  • TiO 2 has a great effect of increasing the refractive index.
  • the interface layer 336 may contain a material represented by (AO 2 ) p (Cr 2 O 3 ) t (L) 100-pt (mol%), but substantially (AO 2 ).
  • p (Cr 2 O 3) t (L) 100-pt may also be formed from a material expressed with (mol%).
  • the fact that it is formed from a material substantially represented by (AO 2 ) p (Cr 2 O 3 ) t (L) 100-pt (mol%) means that the oxides AO 2 and Cr 2 contained in the interface layer 336
  • the sum of the oxides of O 3 and oxide L is 95 mol% or more, preferably 98 mol% or more.
  • the oxide L includes at least one selected from Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , SiO 2 and TiO 2 having high transparency and an extinction coefficient of 0.02 or less.
  • a part of Cr 2 O 3 contained in the material may be replaced with at least one oxide selected from Ga 2 O 3 and In 2 O 3 .
  • ZrO 2 —Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 is replaced with ZrO 2 —Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 —Ga 2 O 3
  • ZrO 2 —Al 2 O 3 —Cr 2 O 3 —In 2 O 3 —Ga 2 O 3 may be used.
  • ZrO 2 —Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 is replaced with ZrO 2 —Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 —Ga 2 O 3 , ZrO 2 —Al 2 O 3 —SiO 2.
  • ZrO 2 —Cr 2 O 3 —In 2 O 3 or ZrO 2 —Al 2 O 3 —SiO 2 —Cr 2 O 3 —Ga 2 O 3 —In 2 O 3 may be used.
  • ZrO 2 —Al 2 O 3 —TiO 2 —Cr 2 O 3 is replaced with ZrO 2 —Al 2 O 3 —TiO 2 —Cr 2 O 3 —Ga 2 O 3 , ZrO 2 —Al 2 O. 3 -TiO 2 -Cr 2 O 3 -In 2 O 3 or ZrO 2 -Al 2 O 3 -TiO 2 -Cr 2 O 3 -Ga 2 O 3 -In 2 O 3 may be used.
  • the extinction coefficient kb is maintained without deteriorating the adhesion and heat resistance of the interface layer 336.
  • the transparency can be increased by reducing the size of the screen.
  • the total content of Ga 2 O 3 and In 2 O 3 in the interface layer 336 is preferably 20 mol% or less. If the contents of Ga 2 O 3 and In 2 O 3 are excessively increased, the content of Cr 2 O 3 is decreased excessively, the heat resistance of the interface layer 336 is decreased, and a decrease in the number of rewrites may be started. Because there is.
  • the complex refractive indexes of the interface layer 334 (dielectric layer a) and the interface layer 336 (dielectric layer b) are na-ika and nb-ikb (na: refractive index of the interface layer 334, ka: interface layer 334) More preferably, nb: refractive index of the interface layer 336, kb: extinction coefficient of the interface layer 336), and na ⁇ nb.
  • the reflectance ratio Rc / Ra of the third information layer 330 can be further increased. Such a relationship can provide a greater effect especially in a semi-transparent information layer with low reflectance.
  • the film thickness of the interface layer 334 is preferably 1 nm or more so that adhesion to the recording layer 335 can be secured and atomic diffusion from the other layers to the recording layer 335 can be suppressed.
  • the thickness of the interface layer 334 is preferably 30 nm or less, more preferably 25 nm or less, in combination with the thickness of the dielectric layer 333. Since a highly transparent material is used for the interface layer 334, when the function of the dielectric layer 333 is also used, the thickness may be increased to 30 nm.
  • the film thickness of the interface layer 336 is preferably 1 nm or more so that adhesion to the recording layer 335 can be secured and atomic diffusion from the other layers to the recording layer 335 can be suppressed. Moreover, it is preferable to make it thinner as the extinction coefficient kb is larger so as not to exert an optical influence.
  • the thickness of the interface layer 336 is preferably 15 nm to 70 nm, more preferably 20 nm to 60 nm, combined with the thickness of the dielectric layer 337.
  • the composition of the interface layers 334 and 336 and the dielectric layers 333 and 337 is analyzed by, for example, an X-ray microanalyzer (XMA), an electron beam microanalyzer (EPMA), or Rutherford backscattering analysis (RBS). Can do.
  • XMA X-ray microanalyzer
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • RBS Rutherford backscattering analysis
  • the interface layers 334 and 336 and the dielectric layers 333 and 337 formed by sputtering include rare gases (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H, H), organic matter (C) present in the sputtering atmosphere.
  • Air N, O
  • components metal of jigs placed in the sputtering chamber, and impurities (metals, semi-metals, semiconductors, dielectrics) contained in the target may inevitably be included.
  • the method may detect these components.
  • These components (other components other than the components specified as components included in the interface layer in the present invention) have an upper limit of 10 atomic percent when the total atoms contained in the interface layer and the dielectric layer are defined as 100 atomic percent. It may be contained as long as the components of the interface layer excluding other components satisfy the above-mentioned preferred composition ratio.
  • the recording layer 335 is formed of a material that undergoes a phase change when irradiated with the laser beam 10, and includes, for example, at least one selected from Ge—Te, Sb—Ge, and Sb—Te. With this material configuration, for example, information can be recorded or reproduced on the third information layer 330 whose capacity is increased to 33.4 GB.
  • a GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo binary material a GeTe—Bi 2 Te 3 pseudo binary material, an Sb—Te eutectic material, or a Ge—Sb eutectic material can be used. These materials are phase change recording materials having both a high crystallization speed, a large optical change, and a high crystallization temperature.
  • the crystallization speed is the relative speed of transition from the amorphous phase to the crystalline phase
  • the optical change is the difference between the complex refractive index in the crystalline phase and the complex refractive index in the amorphous phase, the crystallization temperature and Is defined as the temperature at which the amorphous phase transitions to the crystalline phase.
  • the GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo-binary material includes GeTe containing Ge and Te 1: 1, and Sb 2 Te 3 containing Sb and Te 2: 3, and the crystal structure is a rock salt structure. . Since the rock salt structure has high objectivity, the time required for the reversible phase transition between the amorphous phase and the crystalline phase is shortened, that is, the crystallization rate is high. As the amount of Sb 2 Te 3 increases, the crystallization rate increases relatively.
  • the Ge concentration in the GeTe—Sb 2 Te 3 pseudobinary material is preferably 40 atomic% to 48 atomic%.
  • the GeTe-Bi 2 Te 3 pseudo-binary material includes GeTe containing Ge and Te 1: 1, and Bi 2 Te 3 containing Bi and Te 2: 3, and also has a rock salt type crystal structure. Have. Since Bi 2 Te 3 is easier to crystallize than Sb 2 Te 3 , the GeTe-Bi 2 Te 3 pseudobinary material has a higher crystallization rate than the GeTe-Sb 2 Te 3 pseudobinary material. . As the amount of Bi 2 Te 3 increases, the crystallization rate increases relatively.
  • the GeTe—Bi 2 Te 3 pseudo-binary material is expressed by a composition ratio (atomic%), y (y satisfies 0 ⁇ y ⁇ 100) is used, and (Ge 0.5 Te 0.5 ) y (Bi 0.4 Te 0.6 ) Can be written as 100-y .
  • sufficient signal quality may not be obtained if Ge is less than 40 atomic%.
  • the Ge concentration range is large because the crystallization speed is high. If 99 ⁇ x, that is, if Ge is included more than 49.5%, the crystallization speed may be insufficient and sufficient rewriting performance may not be obtained. . Therefore, the Ge concentration in the GeTe—Bi 2 Te 3 pseudobinary material is preferably 40 atomic% or more and 49.5 atomic% or less.
  • the recording layer 335 is formed by laminating a GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo binary material or a GeTe—Bi 2 Te 3 pseudo binary material with Sn 50 Te 50 or Ge a Sn 50-a Te 50. It may be formed. Further, in order to improve the recording and storage reliability, a part of Sb or Bi may be replaced with at least one of Al, Ga, and In, or Al 2 Te 3 , Ga 2 Te 3.
  • the recording layer 335 may be formed by laminating with In 2 Te 3 .
  • a GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo binary material and a GeTe—Bi 2 Te 3 pseudo binary material may be mixed and used as a GeTe—Sb 2 Te 3 —Bi 2 Te 3 material.
  • a GeTe—Sb 2 Te 3 pseudobinary material and a GeTe—Bi 2 Te 3 pseudobinary material may be laminated and used. These effective elements may be used in combination.
  • the Sb composition ratio can be arbitrarily determined as long as it is within an appropriate composition range, and has a high crystallization speed and a high crystallization temperature.
  • Sb itself has a crystallinity that is stronger as it is crystallized in a thin film state even at room temperature, but a system to which Ge is added is preferably used because of poor recording storage reliability and small optical change. Since this system has a relatively high crystallization rate and a high crystallization temperature than the Sb—Te system, it is an excellent material in terms of storage reliability.
  • the Sb concentration is preferably 60 atomic% or more. If the Sb concentration is less than 60 atomic%, the crystallization speed may be insufficient and sufficient rewriting performance may not be obtained. On the other hand, if the Sb concentration exceeds 90 atomic%, the record storage reliability may be lowered. Add at least one of Ag, In, Te, B, C, Si, and Zn at a composition ratio of 15 atomic% or less in order to increase the optical change or adjust the crystallization speed. May be.
  • M1 represents at least one of Ag, In, N, Ge, B, C, Si, and Zn, and preferably satisfies 0.6 ⁇ z1 ⁇ 0.9 and 80 ⁇ z2 ⁇ 100. .
  • the Sb—Te eutectic material can arbitrarily determine the Sb composition ratio within an appropriate composition range, and has a large crystallization speed and a high crystallization temperature.
  • Sb itself has a crystallinity that is stronger as it is crystallized in a thin film state even at room temperature, a system to which Te is added is preferably used because of poor recording storage reliability and small optical change.
  • an Sb concentration of 60 atomic% or more is preferable. When the Sb concentration is less than 60 atomic%, the crystallization speed is insufficient and sufficient rewriting performance cannot be obtained.
  • the recording storage reliability is lowered.
  • at least one of Ag, In, and Ge may be added at a composition ratio of 10 atomic% or less.
  • at least one of B, C, Si, and Zn may be added at a composition ratio of 10 atomic% or less.
  • M1 represents at least one of Ag, In, N, Ge, B, C, Si, and Zn, and preferably 0.6 ⁇ z3 ⁇ 0.9 and 80 ⁇ z4 ⁇ 100.
  • composition of the recording layer 335 can be analyzed by, for example, high frequency inductively coupled plasma (ICP) emission spectroscopic analysis, X-ray microanalyzer (XMA), or electron beam microanalyzer (EPMA).
  • ICP inductively coupled plasma
  • XMA X-ray microanalyzer
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • the recording layer 335 formed by sputtering has a rare gas (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H, H), organic matter (C), air (N, O), sputtering chamber present in the sputtering atmosphere.
  • the components (metals) of the jig placed on the metal and impurities (metals, metalloids, semiconductors, dielectrics) contained in the target may be inevitably contained. These are analyzed by ICP emission spectroscopic analysis, XMA, EPMA, etc. May be detected. These components (components other than the components specified above as components contained in the recording layer) may be contained up to 10 atomic percent when the total atoms contained in the recording layer are 100 atomic percent.
  • the components of the recording layer excluding the other components satisfy the above-described preferable composition ratio. This applies similarly to recording layers 325 and 315 described later, and similarly applies to recording layers 415, 425, 435, 445, 215, 225, and 115 described in the following embodiments.
  • the film thickness of the recording layer 335 is preferably 3 nm or more and 8 nm or less. If the thickness exceeds 8 nm, the light transmittance of the third information layer 330 decreases, and if it is less than 3 nm, the optical change of the recording layer 335 decreases. Since the crystallization speed decreases as the thickness of the recording layer decreases, the recording layer 335 preferably uses a composition ratio having a larger crystallization speed than the composition ratio used in the recording layer 325 or the recording layer 315.
  • the second information layer 320 includes a dielectric layer 321, a reflective layer 322, a dielectric layer 323, an interface layer 324, a recording layer 325, an interface layer 326, and a dielectric layer 327 on one surface of the intermediate layer 303. It is formed by arranging in this order.
  • the second information layer 320 is designed to have a high transmittance so that the laser light 10 can reach the first information layer 310.
  • the light transmittance of the second information layer 320 when the recording layer 325 is in the crystalline phase is Tc (%), and the second information layer 320 when the recording layer 325 is in the amorphous phase.
  • the light transmittance is Ta (%), it is preferably 47% ⁇ (Ta + Tc) / 2, and more preferably 50% ⁇ (Ta + Tc) / 2.
  • the second information layer 320 may be designed such that the transmittance ((Tc + Ta) / 2) is 50%, the reflectance Rc is 7%, and the reflectance Ra is 1%.
  • Tc + Ta) / 2 is 50%
  • Tc may be 49% and Ta may be 51%.
  • Tc may be 50% and Ta may be 52%.
  • Tc and Ta are preferably close values, but they may not be equal.
  • the dielectric layer 321 has a function similar to that of the dielectric layer 331, and preferred materials are also the same.
  • the thickness of the dielectric layer 321 is preferably 10 nm or more and 30 nm or less so that a reflectance ratio of 4 or more and a transmittance of 47% or more can be obtained.
  • the dielectric layer 321 may also be composed of two or more layers.
  • the reflective layer 322 has a function similar to that of the reflective layer 332, and preferred materials are also the same.
  • the film thickness is preferably 5 nm or more and 18 nm or less. If the thickness is less than 5 nm, the function of diffusing heat decreases, and it becomes difficult to form marks on the recording layer 325. On the other hand, if the thickness is larger than 18 nm, the transmittance of the second information layer 320 is less than 47%.
  • the dielectric layers 323 and 327 have a function of adjusting Rc, Ra, Tc, and Ta of the second information layer 320 by adjusting the optical path length nd.
  • the optical path lengths nd of the dielectric layer 323 and the dielectric layer 327 are strictly calculated by a matrix method so that 47% ⁇ (Ta + Tc) / 2, 7% ⁇ Rc, and Ra ⁇ 1.8% are satisfied. Can be determined.
  • the thickness of the dielectric layer 327 is preferably 10 nm to 70 nm, more preferably 20 nm to 60 nm. is there.
  • the thickness of the dielectric layer 323 is preferably 2 nm or more and 40 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 30 nm or less.
  • the material of the dielectric layers 323 and 327 can be selected from the materials of the dielectric layers 333 and 337 described above.
  • the dielectric layers 323 and 327 may be provided as necessary, like the dielectric layers 333 and 337.
  • the dielectric layer 323 is not necessarily provided.
  • the dielectric layer 326 also has the function of the dielectric layer 327, the dielectric layer 327 is not necessarily provided. Is not necessarily provided.
  • the interface layer 324 (dielectric layer a) and the interface layer 326 (dielectric layer b) have the same functions as the interface layers 334 and 336, and preferred materials are also the same.
  • the film thickness of the interface layer 324 is preferably 1 nm or more so that adhesion to the recording layer 325 can be ensured and atomic diffusion from the other layers to the recording layer 325 can be suppressed.
  • the thickness of the interface layer 324 is preferably 50 nm or less, more preferably 40 nm or less, combined with the dielectric layer 323. Since a highly transparent material is used for the interface layer 324, the interface layer 324 may be thickened to 50 nm in order to function as the dielectric layer 323.
  • the thickness of the interface layer 326 is preferably 1 nm or more so that adhesion to the recording layer 325 can be secured and atomic diffusion from the other layers to the recording layer 325 can be suppressed.
  • the thickness of the interface layer 326 is preferably 10 nm or more and 80 nm or less, and more preferably 20 nm or more and 70 nm or less, in combination with the thickness of the dielectric layer 327.
  • the recording layer 325 has the same function as the recording layer 335. Further, since the second information layer 320 requires a transmittance of 47% or more, the thickness of the recording layer 325 is preferably 3 nm or more and 9 nm or less. When the thickness exceeds 9 nm, the light transmittance of the second information layer 320 decreases, and when it is less than 3 nm, the optical change of the recording layer 325 decreases. Since the crystallization speed of the recording layer decreases as the film thickness decreases, the recording layer 325 preferably uses a composition having a larger crystallization speed than the composition used for the recording layer 315.
  • the reflective layer 312, the dielectric layer 313, the interface layer 314, the recording layer 315, the interface layer 316, and the dielectric layer 317 are arranged in this order on one surface of the substrate 301. Is formed by.
  • the first information layer 310 information is recorded / reproduced by the laser beam 10 attenuated after passing through the third information layer 330 and the second information layer 320. Therefore, it is necessary to record within the output laser power range and to detect the signal with the reproduction power. Therefore, unlike the semi-transparent third information layer 330 and the second information layer 320, it is designed to have a high reflectance and a high light absorption rate. For example, to obtain an effective Rc-g of at least 1.5%, Rc-g is 19% or more, and Rc is about 24% or more.
  • the reflective layer 312 has the same function as the reflective layer 332. However, since the first information layer 310 does not need to be translucent, the thickness of the reflective layer 312 can be increased, and the choice of preferred materials increases. For example, a metal selected from Al, Au, Ag, and Cu or an alloy thereof can be used. A material in which other elements are added to the above metal or alloy in order to improve its moisture resistance or adjust its thermal conductivity or optical properties (for example, light reflectance, light absorption or light transmittance). May be used.
  • the additive elements are Mg, Ca, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ni, Pd, Pt, Zn , B, Ga, In, C, Si, Ge, Sn, N, Sb, Bi, O, Te, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Y And at least one selected from Lu is preferred. At this time, the addition concentration is preferably 3 atomic% or less.
  • the reflection layer 312 has a small light absorption at the wavelength of the laser beam 10 used so as to increase the amount of light absorbed by the recording layer 315.
  • a reflective layer 312 containing 97 atomic% or more of Ag is preferably used for the first information layer 310.
  • alloy materials such as Ag—Pd, Ag—Cu, Ag—Bi, Ag—Ga—Cu, Ag—In—Sn, Ag—Pd—Cu, and Ag—Pd—Ti can be used. Of these, Ag—Pd—Cu is excellent in moisture resistance and is more preferably used.
  • the reflective layer 312 may be formed of two or more layers.
  • the substrate 301 may be a layer made of a dielectric material.
  • the thickness of the reflective layer 312 is adjusted according to the linear velocity of the medium used and the composition of the recording layer 315, and is preferably 40 nm or more and 300 nm or less.
  • the rapid cooling condition is insufficient, the heat of the recording layer is difficult to diffuse, and the recording layer is difficult to become amorphous.
  • it is thicker than 300 nm the rapid cooling condition becomes excessive, the heat of the recording layer 315 is excessively diffused, and the recording sensitivity is deteriorated (that is, a larger laser power is required).
  • the dielectric layer 313 and the dielectric layer 317 have the same functions as the dielectric layer 333 and the dielectric layer 337, respectively.
  • a matrix method for example, “Wave Optics” Iwanami Shinsho, written by Hiroshi Kubota, for example
  • Rc can be increased
  • Rc / Ra can be increased
  • Ac light absorption rate of the recording layer 315 in the crystalline phase
  • the thickness of each layer is set so that the first information layer 310 satisfies 28% Rc and 4% Ra.
  • the thickness of the dielectric layer 313 is preferably 30 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 20 nm or less.
  • the thickness of the dielectric layer 317 is preferably 30 nm to 130 nm, and more preferably 30 nm to 100 nm.
  • the dielectric layer 313 and the dielectric layer 317 can be provided as necessary, similarly to the dielectric layer 333 and the dielectric layer 337.
  • the dielectric layer 313 is not necessarily provided.
  • the dielectric layer 313 is not necessarily provided.
  • the layer 317 is not necessarily provided.
  • the interface layer 314 (dielectric layer a) and the interface layer 316 (dielectric layer b) have the same functions as the interface layers 334 and 336, and preferred materials are also the same.
  • the film thickness of the interface layer 314 is preferably 1 nm or more so that adhesion to the recording layer 315 can be ensured and atomic diffusion from the other layers to the recording layer 315 can be suppressed.
  • the thickness of the interface layer 314 is preferably 40 nm or less, more preferably 5 nm or more and 30 nm or less, in combination with the dielectric layer 313. Since a highly transparent material is used for the interface layer 314, the interface layer 314 may be thickened to 40 nm in order to function as the dielectric layer 313.
  • the film thickness of the interface layer 316 is preferably 1 nm or more so that adhesion to the recording layer 315 can be ensured and atomic diffusion from the other layers to the recording layer 315 can be suppressed. Moreover, it is preferable to make it thinner as the extinction coefficient is larger so as not to affect optically.
  • the thickness of the interface layer 316 is preferably 30 nm to 140 nm, and more preferably 30 nm to 110 nm, in combination with the dielectric layer 317.
  • the recording layer 315 has the same function as the recording layer 335, and preferred materials are also the same.
  • the film thickness of the recording layer 315 is preferably 7 nm or more and 16 nm or less. If it exceeds 16 nm, the heat capacity increases and the laser power required for recording increases. In addition, the heat generated in the recording layer 315 is difficult to diffuse in the direction of the reflective layer 312 and it is difficult to form small recording marks necessary for high-density recording. If it is thinner than 7 nm, the reflectance Ra is increased, and Rc / Ra is decreased, making it difficult to obtain a good read signal.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention may be included in at least one information layer. Preferably, it is contained in a semitransparent information layer.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention may be applied to all of the included information layers. That is, the interface layers 334, 324, and 314 may correspond to the dielectric layer a in the present invention, and the interface layers 336, 326, and 316 may correspond to the dielectric layer b in the present invention.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b are dielectric materials that exhibit excellent adhesion to the chalcogen-based recording layer, and can be a reversible phase change recording layer (rewritable type) or an irreversible phase. It can also be used together with a recording layer (recordable type) that can cause a change.
  • An oxide containing at least one of them, a material in which two or more layers are stacked and alloyed or reacted at the time of recording, or an organic dye-based recording material may be used.
  • the first information layer 310 does not necessarily include the dielectric layer a or the dielectric layer b. There is no need, for example, a read-only information layer may be used.
  • the third information layer 330 includes the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention
  • the second information layer 320 and the first information layer 310 do not necessarily include the dielectric layer a or the dielectric layer b.
  • the second information layer 320 may be a write-once information layer
  • the first information layer 310 may be a read-only information layer.
  • the read-only information layer includes a material containing at least one of a metal element, a metal alloy, a dielectric, a dielectric compound, a semiconductor element, and a metalloid element as a reflective layer on a pre-formed recording pit. Etc. may be formed.
  • a reflective layer containing Ag or an Ag alloy may be formed, or the dielectric layer a or the dielectric layer b in the present invention may be formed.
  • a magneto-optical recording layer may be formed on the first information layer 310.
  • it may be an information recording medium including five or more information layers. The effects of the present invention can be obtained regardless of these modes.
  • the information recording medium 300 can be either Constant Linear Velocity (CLV) with a constant linear velocity or Constant Angular Velocity (CAV) with a constant rotation speed.
  • CLV Constant Linear Velocity
  • CAV Constant Angular Velocity
  • an optical system in which the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85 is preferably used, but recording / reproduction may be performed using an optical system with NA> 1.
  • NA the numerical aperture
  • SIL solid immersion lens
  • SIM solid immersion mirror
  • the intermediate layer and the transparent layer may be formed with a thickness of 5 ⁇ m or less.
  • the information recording medium 300 includes a first information layer 310, an intermediate layer 303, a second information layer 320, an intermediate layer 304, a third information layer 330, and a transparent layer 302 on a substrate 301 serving as a support. It is obtained by forming in order.
  • the substrate 301 on which guide grooves (groove surface and land surface) are formed is placed in a sputtering apparatus, and a reflective layer 312, a dielectric layer 313, an interface layer 314, and a recording layer 315 are formed on the surface of the substrate 301 on which the guide grooves are formed.
  • the interface layer 316 and the dielectric layer 317 are formed in this order.
  • the first information layer 310 is formed on the substrate 301.
  • the substrate 301 on which the first information layer 310 is formed is taken out from the sputtering apparatus, and the intermediate layer 303 is formed.
  • the intermediate layer 303 is formed by the following procedure. First, an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the dielectric layer 317 by, for example, spin coating. Next, the concavo-convex forming surface of the polycarbonate substrate having the concavo-convex complementary to the guide groove to be formed in the intermediate layer 303 is adhered to the ultraviolet curable resin. In this state, the resin is cured by irradiating ultraviolet rays, and then the polycarbonate substrate having unevenness is peeled off. Thereby, guide grooves having a shape complementary to the irregularities are formed in the ultraviolet curable resin, and the intermediate layer 303 having the guide grooves to be formed is formed.
  • the shapes of the guide grooves formed on the substrate 301 and the guide grooves formed on the intermediate layer 303 may be the same or different.
  • the intermediate layer 303 may be formed by forming a layer that protects the dielectric layer 317 with an ultraviolet curable resin and forming a layer having a guide groove thereon. In that case, the obtained intermediate layer 303 has a two-layer structure.
  • the intermediate layer 303 may have a configuration in which three or more layers are stacked.
  • the intermediate layer 303 may be formed by a printing method, an inkjet method, or a casting method.
  • the substrate 301 formed up to the intermediate layer 303 is again placed in the sputtering apparatus, and the dielectric layer 321, the reflective layer 322, the dielectric layer 323, the interface layer 324, the recording layer are formed on the surface of the intermediate layer 303 having the guide groove. 325, the interface layer 326, and the dielectric layer 327 are formed in this order. As a result, the second information layer 320 is formed on the intermediate layer 303.
  • the substrate 301 on which the second information layer 320 is formed is taken out from the sputtering apparatus, and the intermediate layer 304 is formed in the same manner as the intermediate layer 303.
  • the substrate 301 formed up to the intermediate layer 304 is again placed in the sputtering apparatus, and the dielectric layer 331, the reflective layer 332, the dielectric layer 333, the interface layer 334, the recording layer are formed on the surface of the intermediate layer 304 having the guide groove. 335, the interface layer 336, and the dielectric layer 337 are formed in this order.
  • the third information layer 330 is formed on the intermediate layer 304.
  • the substrate 301 formed up to the third information layer 330 is taken out from the sputtering apparatus. Then, a transparent layer 302 is formed on the surface of the dielectric layer 337.
  • the transparent layer 302 is formed by the following procedure.
  • a transparent layer 302 having a target thickness can be formed by applying an ultraviolet curable resin to the surface of the dielectric layer 337 by, for example, a spin coating method and irradiating the ultraviolet ray to cure the resin.
  • an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the dielectric layer 337 by a spin coating method, a disk-shaped sheet is adhered to the applied ultraviolet curable resin, and the resin is cured by irradiating ultraviolet rays from the sheet side.
  • the transparent layer 302 can also be formed.
  • the transparent layer 302 can be formed by sticking a disk-shaped sheet having an adhesive layer.
  • the transparent layer 302 may be composed of a plurality of layers having different physical properties, and the transparent layer 302 may be formed after providing another transparent layer on the surface of the dielectric layer 337. Alternatively, after forming the transparent layer 302 on the surface of the dielectric layer 337, another transparent layer may be formed on the surface of the transparent layer 302.
  • the plurality of transparent layers may be different in viscosity, hardness, refractive index, and transparency. In this way, the transparent layer 302 is formed.
  • the first information layer 310, the second information layer 320, and the third information layer 330 are initialized as necessary.
  • Initialization is a step of crystallizing the amorphous recording layers 315, 325, and 335 by, for example, irradiating a semiconductor laser and raising the temperature to a crystallization temperature or higher.
  • a good initialization can be performed.
  • the initialization may be performed after the formation of the transparent layer 302 or may be performed before the formation.
  • the recording layer 315 may be initialized after the first information layer 310 is formed, and the recording layer 325 may be initialized after the intermediate layer 303 and the second information layer 320 are formed.
  • the effect of the present invention does not depend on the timing of performing initialization.
  • the reflective layers 312, 322, and 332 are formed by sputtering a target containing a metal or alloy that constitutes the reflective layer. Sputtering may be performed using a direct current power source or a high frequency power source in a rare gas atmosphere or in a mixed gas atmosphere of oxygen gas and / or nitrogen gas and rare gas.
  • the rare gas may be any of Ar gas, Kr gas, and Xe gas.
  • the dielectric layers 313, 317, 321, 323, 327, 331, 333 and 337 are formed by sputtering a sputtering target containing an element, a mixture or a compound constituting the dielectric layer.
  • Sputtering may be performed using a high-frequency power source in a rare gas atmosphere or in a mixed gas atmosphere of oxygen gas and / or nitrogen gas and rare gas. If possible, a DC power supply or a pulse generating DC power supply may be used.
  • the rare gas may be any of Ar gas, Kr gas, and Xe gas.
  • oxygen When forming a dielectric layer containing an oxide, oxygen may be deficient during sputtering. Therefore, use a target that suppresses oxygen deficiency, or use a small amount of oxygen gas of 10% or less as a rare gas.
  • Sputtering may be performed in a mixed atmosphere.
  • the interface layers 314, 316, 324, 326, 334, and 336 are formed by sputtering a sputtering target containing an element, a mixture, or a compound that constitutes the interface layer.
  • Sputtering may be performed using a high-frequency power source in a rare gas atmosphere or in a mixed gas atmosphere of oxygen gas and / or nitrogen gas and rare gas. If possible, a DC power supply or a pulse generating DC power supply may be used.
  • the rare gas may be any of Ar gas, Kr gas, and Xe gas.
  • the material and composition of the sputtering target are determined so that the interface layer can be formed from the materials of the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention.
  • the composition of the sputtering target and the composition of the interface layer to be formed may not match, and in this case, the composition of the sputtering target can be adjusted to obtain the interface layer having the target composition.
  • oxygen may be deficient in oxygen during sputtering, a target with suppressed oxygen deficiency may be used, or sputtering may be performed in an atmosphere in which a small amount of oxygen gas of 10% or less is mixed with a rare gas. .
  • (Al 2 O 3 ) 70 (Cr 2 O 3 ) 30 (mol%) when an interface layer represented by (Al 2 O 3 ) 70 (Cr 2 O 3 ) 30 (mol%) is formed, (Al 2 O 3 ) 70 (Cr 2 O 3 ) 30 (mol%) Sputtering may be performed using a sputtering target represented in a rare gas atmosphere or an atmosphere in which a small amount of oxygen gas is mixed with a rare gas.
  • the interface layer can also be formed by simultaneously sputtering each sputtering target of a single compound using a plurality of power supplies.
  • the interface layer can also be formed by simultaneously sputtering a binary target, a ternary target, or the like in which two or more compounds are combined using a plurality of power supplies. Even when these sputtering targets are used, the sputtering may be performed in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of oxygen gas and / or nitrogen gas and rare gas.
  • the recording layers 315, 325 and 335 are formed by sputtering a sputtering target containing a material constituting the recording layer.
  • Sputtering may be performed in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of oxygen gas and / or nitrogen gas and rare gas using a direct current power source, a high frequency power source, or a pulse generation direct current power source.
  • the rare gas may be any of Ar gas, Kr gas, and Xe gas.
  • the composition of the sputtering target may not match the composition of the recording layer to be formed. In this case, the recording layer having the target composition can be obtained by adjusting the composition of the sputtering target.
  • a recording layer having a target composition can be obtained by adjusting the output of each power source and controlling the composition.
  • the target composition is adjusted by adjusting the flow rate and pressure of oxygen gas and nitrogen gas, the flow rate ratio and pressure ratio with noble gas. Recording layer can be obtained.
  • a sputtering method is used as a method for forming each layer in this embodiment mode, the present invention is not limited to this, and a vacuum evaporation method, an ion plating method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or a molecular beam is used. It is also possible to use an epitaxy (MBE) method or the like.
  • the information recording medium 300 of Embodiment 1 can be manufactured.
  • the information recording medium of the present invention can obtain the effect regardless of the structure of the information recording medium if the dielectric layer a and the dielectric layer b of the present invention are applied to the layer in contact with the recording layer.
  • the transparent layer 302 is a transparent support substrate
  • the third information layer 330, the intermediate layer 304, the second information layer 320, the intermediate layer 303, and the first information layer 310 are arranged in this order on the support substrate.
  • the structure of the present invention can also be applied to a structure in which the substrate 312 is finally bonded with an ultraviolet curable resin or the like.
  • the position where the substrate is bonded may be the position of any intermediate layer. The same applies to the following second to fourth embodiments.
  • FIG. 2 shows a partial cross section of the information recording medium 400.
  • the information recording medium 400 includes a first information layer 410, an intermediate layer 403, a second information layer 420, an intermediate layer 404, a third information layer 430, an intermediate layer 405, and a fourth information layer 440 on a substrate 401.
  • the transparent layer 402 is formed by arrange
  • positioning in order. That is, the information recording medium 400 of the present embodiment is an information recording medium including N information layers (N is an integer of 2 or more), and corresponds to the case where N 4.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention are applied to all of the first information layer 410 to the fourth information layer 440, all the information layers are the information of the present invention. Although it corresponds to the Lth information layer of the recording medium, the present invention is not limited to this, and at least one of the first information layer 410 to the fourth information layer 430 may correspond to the Lth information layer. .
  • a reflective layer 412, a dielectric layer 413, an interface layer 414, a recording layer 415, an interface layer 416, and a dielectric layer 417 are arranged in this order on one surface of the substrate 401. Is formed by.
  • the second information layer 420 includes a dielectric layer 421, a reflective layer 422, a dielectric layer 423, an interface layer 424, a recording layer 425, an interface layer 426, and a dielectric layer 427 on one surface of the intermediate layer 403. It is formed by arranging in this order.
  • the third information layer 430 includes a dielectric layer 431, a reflective layer 432, a dielectric layer 433, an interface layer 434, a recording layer 435, an interface layer 436, and a dielectric layer 437 on one surface of the intermediate layer 404. It is formed by arranging in this order.
  • the fourth information layer 440 includes a dielectric layer 441, a reflective layer 442, a dielectric layer 443, an interface layer 444, a recording layer 445, an interface layer 446, and a dielectric layer 447 on one surface of the intermediate layer 405. It is formed by arranging in this order.
  • the first information layer 410 to the third information layer 430 correspond to the first information layer 310 to the third information layer 330 of Embodiment 1, and the arrangement order of each layer is the same, and the functions and materials are also the same. It is.
  • the fourth information layer 440 also corresponds to the third information layer 330 of Embodiment 1, and the arrangement order of the layers is the same, and the functions and materials are the same.
  • the film thickness of each layer may be optimized so as to satisfy a desired effective reflectance. As in the first embodiment, the thicknesses of the intermediate layers 403, 404, and 405 are optimized so that no interference occurs between the information during recording and reproduction.
  • the dielectric layer a of the present invention corresponds to the interface layers 414, 424, 434, 444, and the dielectric layer b corresponds to the interface layers 416, 426, 436, 446. Even if the number of information layers increases, the effect of the present invention is the same as that of the first embodiment.
  • the laser beam 10 is incident from the transparent layer 402 side.
  • Information recording / reproduction with respect to the first information layer 410 is performed by the laser light 10 that has passed through the fourth information layer 440, the third information layer 430, and the second information layer 420.
  • information can be recorded on each of the four recording layers.
  • an information recording medium having a capacity of 133 GB, which is about 1.3 times that of the first embodiment, can be obtained by using a laser beam in a blue-violet region near a wavelength of 405 nm for recording and reproduction.
  • the information recording medium 400 may also be used with CLV or CAV specifications.
  • the configuration in which the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention are applied to all of the first information layer 410 to the fourth information layer 440 has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention may be applied to at least one information layer. Preferably, it is contained in a semitransparent information layer.
  • FIG. 3 shows a partial cross section of the information recording medium 200.
  • N is an integer of 2 or more
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b are applied to both the first information layer 210 and the second information layer 220, all the information layers are included in the information recording medium of the present invention.
  • the present invention is not limited to this, and at least one of the first information layer 210 and the second information layer 220 may correspond to the Lth information layer.
  • a reflective layer 212, a dielectric layer 213, an interface layer 214, a recording layer 215, an interface layer 216, and a dielectric layer 217 are arranged in this order on one surface of the substrate 201. Is formed by.
  • the second information layer 220 includes a dielectric layer 221, a reflective layer 222, a dielectric layer 223, an interface layer 224, a recording layer 225, an interface layer 226, and a dielectric layer 227 on one surface of the intermediate layer 203. It is formed by arranging in this order.
  • the first information layer 210 and the second information layer 220 correspond to the first information layer 310 and the second information layer 320 of Embodiment 1, and the arrangement order of each layer is the same, and the functions and materials are the same. It is.
  • the film thickness of each layer may be optimized so as to satisfy a desired effective reflectance.
  • the thickness of the intermediate layer 203 is optimized so that no interference occurs between the information during recording and reproduction.
  • the dielectric layer a of the present invention corresponds to the interface layers 214 and 224, and the dielectric layer b corresponds to the interface layers 216 and 226. Even if the number of information layers is reduced, the effect of the present invention is the same as that of the first embodiment.
  • the laser beam 10 is incident from the transparent layer 202 side.
  • Information recording / reproduction with respect to the first information layer 210 is performed by the laser beam 10 that has passed through the second information layer 220.
  • information can be recorded in each of the two recording layers.
  • an information recording medium having a capacity of 67 GB, which is approximately 0.67 times that of the first embodiment, can be obtained by using laser light in a blue-violet region near a wavelength of 405 nm for recording and reproduction.
  • the information recording medium 200 may also be used with CLV or CAV specifications.
  • the configuration in which the first information layer 210 and the second information layer 220 include the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the dielectric layer a and the dielectric layer b in the present invention may be included in at least one information layer.
  • it may be included in the second information layer 220 which is a translucent information layer.
  • FIG. 4 shows a partial cross section of the information recording medium 100.
  • the information recording medium 100 is formed by arranging an information layer 110 and a transparent layer 102 on a substrate 101 in this order.
  • the information layer 110 includes a reflective layer 112, a dielectric layer 113, an interface layer 114, a recording layer 115, an interface layer 116, and a dielectric layer 117 arranged in this order on one surface of the substrate 101. Is formed.
  • the information recording medium 100 can be used as a Blu-ray Disc having a capacity of 25 GB or more, for example, for recording and reproducing information with the laser beam 10 in the blue-violet region near the wavelength of 405 nm.
  • the information recording medium 100 having this configuration is irradiated with the laser beam 10 from the transparent layer 102 side, thereby recording and reproducing information.
  • the information layer 110 corresponds to the first information layer 310 of the first embodiment, the arrangement order of each layer is the same, and the function and material are also the same. What is necessary is just to optimize the film thickness of each layer so that a desired reflectance may be satisfy
  • the dielectric layer a of the present invention corresponds to the interface layer 114, and the dielectric layer b corresponds to the interface layer 116. Even in an information recording medium composed of one information layer, the obtained effect of the present invention is the same as in the first embodiment.
  • Example 1 In Example 1, for the materials used for the dielectric layer a and the dielectric layer b, the optical constant (complex refractive index) in light having a wavelength of 405 nm (dielectric layer a: na-ika (na: refractive index, ka: extinction) Attenuation coefficient) and dielectric layer b: nb-ikb (nb: refractive index, kb: extinction coefficient)) were experimentally investigated.
  • the sample for calculating the optical constant was prepared by forming a dielectric layer having a thickness of about 20 nm on a quartz substrate by sputtering.
  • Sample numbers 1-1 to 1-10 are materials for the dielectric layer a, and sample numbers 1-11 to 1-25 are materials for the dielectric layer b.
  • a sample having a composition of (ZrO 2 ) 20 (Cr 2 O 3 ) 80 was prepared as a comparative example.
  • each sample As the sputtering target, those having the same composition notation as the composition notation of each dielectric layer shown in (Table 1-1) to (Table 1-3) were used. For example, if the sample 1-1, (Al 2 O 3) 80 by (Cr 2 O 3) 20 sputtering a sputtering target, labeled (mol%) and, (Al 2 O 3) 80 (Cr 2 O 3 ) A dielectric layer a expressed as 20 (mol%) was formed.
  • the sputtering target had a diameter of 200 mm and a thickness of 6 mm, and was attached to the cathode of an RF (high frequency) power source of the sputtering apparatus.
  • a jig on which a quartz substrate (12 mm ⁇ 18 mm ⁇ 1.1 mm thickness) is set is mounted in a vacuum chamber so as to face the sputtering target, and a power of 3 kW is applied in an Ar gas atmosphere of 0.13 Pa.
  • Each dielectric layer was deposited on a quartz substrate by sputtering.
  • Table 1-1 shows the results of materials used as the dielectric layer a.
  • Table 1-2 shows the results of materials used as the dielectric layer b.
  • Table 1-3 shows the results of the material containing oxide L used as the dielectric layer b.
  • the composition represented by (AO 2 ) p (Cr 2 O 3 ) t (L) 100-pt (mol%) converted to A k Cr m X n O 100-kmn (atomic%) is also described. .
  • Sample numbers 1-12 to 1-15 were kb ⁇ 0.07, and were more preferable materials. As shown in Sample Nos. 1-12 and 1-13, when HfO 2 was included, kb was slightly reduced. Further, as shown in sample numbers 1-14 and 1-15, when replacing a part of Cr 2 O 3 by In 2 O 3 or Ga 2 O 3, kb is further reduced, decreased to 0.05 or less .
  • the dielectric layer b Since the dielectric layer b requires high heat resistance in addition to excellent adhesion with the recording layer, it contains at least one element A selected from Zr and Hf, Cr, and O. In this composition, since the Cr concentration is higher than that of the dielectric layer a, the extinction coefficient of the dielectric layer b is larger than that of the dielectric layer a.
  • Example 2 In Example 2, the information recording medium 300 of FIG. 1 was manufactured, and the relationship between the adhesion of the recording layer 325 and the material of the interface layer 324 (dielectric layer a) of the second information layer 320 was examined.
  • the interface layer 326 corresponding to the dielectric layer b (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) having excellent adhesion to the recording layer 325 is used, and for the interface layer 324, (Al 2 O 3 ) h (Cr 2 O 3 ) 100-h (mol%) was used.
  • each layer As the substrate 301, a polycarbonate substrate (diameter 120 mm, thickness 1.1 mm) on which guide grooves (depth 20 nm, groove-to-groove 0.32 ⁇ m) were formed was prepared and mounted in a sputtering apparatus. On the surface of the substrate 301 where the guide groove is formed, an Ag—Pd—Cu alloy is formed as a reflective layer 312 with a thickness of 100 nm, and a dielectric layer 313 is formed of (ZrO 2 ) 40 (SiO 2 ) 40 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%).
  • (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) is 5 nm thick as the interface layer 314, and Ge 45 Sb 4 Te 51 (atomic%) is 12 nm thick as the recording layer 315.
  • As the interface layer 316, (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) has a thickness of 5 nm, and as the dielectric layer 317, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) has a thickness of 60 nm. Laminated. Thus, the first information layer 310 was formed.
  • an intermediate layer 303 having guide grooves was formed on the surface of the dielectric layer 317 to a thickness of 25 ⁇ m.
  • Bi 4 Ti 3 O 12 is 20 nm thick as the dielectric layer 321
  • Ag—Pd—Cu alloy is 9 nm thick as the reflective layer 322
  • Al 2 O is used as the dielectric layer 323.
  • 3 is 10 nm thick
  • the interface layer 324 is 5 nm thick
  • the recording layer 325 is Ge 45 Sb 3 In 1 Te 51 is 7 nm thick
  • the interface layer 326 is (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%).
  • the second information layer 320 was formed.
  • the interface layer 324 was produced using the media sample numbers 2-1 to 2-7 shown in (Table 2). In Comparative Examples 2 to 4, the materials shown in (Table 2) were used.
  • an intermediate layer 304 having a guide groove was formed on the surface of the dielectric layer 327 with a thickness of 18 ⁇ m.
  • Bi 4 Ti 3 O 12 is 15 nm thick as the dielectric layer 331
  • Ag—Pd—Cu alloy is 8 nm thick as the reflective layer 332
  • Al 2 O is used as the dielectric layer 333.
  • 3 is 6 nm thick
  • (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) is 5 nm thick as the interface layer 334
  • Ge 45 Bi 3 In 1 Te 51 is 6 nm thick as the recording layer 335.
  • All the sputtering targets used had a round shape, a diameter of 200 mm, and a thickness of 6 mm.
  • the dielectric layers 321 and 331 have a Bi 4 Ti 3 O 12 target of 2 kW using a high frequency power source in a mixed gas atmosphere in which the volume ratio of Ar gas and O 2 gas at a pressure of 0.13 Pa is 97: 3. Sputtered with output to form.
  • the reflective layer 312 was formed by sputtering an Ag—Pd—Cu alloy target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.2 Pa using a DC power source with an output of 2 kW.
  • the reflective layers 322 and 332 were formed by sputtering an Ag—Pd—Cu alloy target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.2 Pa using a direct current power source with an output of 200 W.
  • the dielectric layer 313 is formed by using a (ZrO 2 ) 40 (SiO 2 ) 40 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%) target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa at a power of 3 kW using a high frequency power source. It was formed by sputtering.
  • the dielectric layers 317, 327, and 337 are obtained by sputtering a (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa using a high frequency power source with an output of 2.5 kW. Formed.
  • the interface layers 314, 316, 326, 334, and 336 are 3 kW of a (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) target using a high frequency power source in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa. Sputtered with output.
  • the interface layer 324 is formed by sputtering a sputtering target having the same composition notation as the composition of the interface layer 324 shown in (Table 2) in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa and using a high frequency power source at an output of 3 kW. did.
  • the recording layer 315 was formed by sputtering a Ge—Sb—Te alloy target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa using a pulse generation type DC power source with an output of 200 W.
  • the recording layer 325 was formed by sputtering a Ge—Sb—In—Te alloy target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa using a pulse generation type DC power source with an output of 200 W.
  • the recording layer 335 was formed by sputtering a Ge—Bi—In—Te alloy target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa using a pulse generation type DC power source with an output of 200 W.
  • the substrate 301 having the third information layer 330 formed on the intermediate layer 304 was taken out of the sputtering apparatus. And the ultraviolet curable resin was apply
  • the transparent layer 302 After the formation of the transparent layer 302, initialization was performed. Using a semiconductor laser having a wavelength of 810 nm, the recording layers 315, 325, and 335 of the information recording medium 300 were crystallized over almost the entire surface in an annular region having a radius of 22 to 60 mm.
  • the intermediate layer 303 was formed by the following procedure. First, an ultraviolet curable resin was applied to the surface of the dielectric layer 317 by spin coating. Next, the unevenness forming surface of the polycarbonate substrate having unevenness (depth 20 nm, groove-to-groove 0.32 ⁇ m) complementary to the guide groove to be formed in the intermediate layer 303 was brought into close contact with the ultraviolet curable resin. In this state, the resin was cured by irradiating with ultraviolet rays, and then the polycarbonate substrate having unevenness was peeled off. As a result, a guide groove having the same shape as the substrate 301 was formed on the surface of the intermediate layer 303. The intermediate layer 304 was also formed on the surface of the dielectric layer 327 in the same procedure.
  • the adhesion of the interface layer 324 in the second information layer 320 of the information recording medium 300 was evaluated based on the presence or absence of peeling under high temperature and high humidity conditions. Specifically, the initialized information recording medium 300 is left in a constant temperature and humidity chamber maintained at a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85%, and after 50 hours, 100 hours, 200 hours, and 300 hours. The sample was taken out and visually examined using an optical microscope. When the reflected light is observed from the transparent layer 302 side through the third information layer 330, the peeling appears as round or elliptical interference fringes. As a matter of course, a sample without peeling is evaluated as having good adhesion, and a sample with peeling is evaluated as being poor in adhesion.
  • ⁇ and ⁇ at each time of the adhesion verification test indicate that no peeling occurred and ⁇ represents that peeling occurred.
  • x is peeled off in 50 hours
  • ⁇ is peeled off in 50 hours (however, peeled off in 200 hours)
  • ⁇ is not peeled off in 200 hours (however, 300 hours)
  • ⁇ indicates no occurrence of peeling for 300 hours or more. If peeling does not occur in 200 hours, it can withstand practical use. Those in which peeling occurs in less than 50 hours are not practical. Even if peeling occurs in 200 hours, if peeling does not occur in 50 hours, the indoor environment can be used.
  • the extinction coefficient ka is preferably 0.07 or less, and more preferably 0.04 or less. If it exceeds 0.1, the effect of increasing Rc / Ra cannot be obtained, which is not preferable. Therefore, x, ⁇ , ⁇ and ⁇ of evaluation are 0.1 ⁇ ka, ⁇ is 0.07 ⁇ ka ⁇ 0.1, ⁇ is 0.04 ⁇ ka ⁇ 0.07, and ⁇ is ka ⁇ 0. .04.
  • x, ⁇ , and ⁇ are x evaluations for either adhesion or complex refractive index
  • ⁇ is ⁇ evaluation for either adhesion or complex refractive index
  • ⁇ is either adhesion or complex refractive index
  • ⁇ is either adhesion or complex refractive index
  • a comprehensive evaluation of ⁇ or ⁇ is practical, and the composition of the interface layer 324 for which ⁇ evaluation is obtained is more preferable.
  • x does not endure practical use. Therefore, 50 ⁇ h ⁇ 100 is preferable in (Al 2 O 3 ) h (Cr 2 O 3 ) 100-h (mol%) (with emphasis on complex refractive index evaluation). More preferably, 50 ⁇ h ⁇ 80.
  • Example 3 In Example 3, the information recording medium 300 shown in FIG. 1 was manufactured, and the adhesion relationship between the material of the interface layer 326 (dielectric layer b) of the second information layer 320 and the recording layer 325 was examined. Except for the interface layer 324 and the interface layer 326, the information recording medium 300 manufactured in Example 2 was used. In order to accurately investigate the adhesion between the interface layer 326 and the recording layer 325, the interface layer 324 corresponding to the dielectric layer a has (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 ) that is superior in adhesion to the recording layer 325. O 3 ) 50 (mol%) was used. (ZrO 2 ) j (Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%) was used for the interface layer 326. In either case, the film thickness was 5 nm.
  • the interface layer 324 was formed by sputtering a (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) target in an Ar gas atmosphere at a pressure of 0.13 Pa using a high frequency power source at an output of 3 kW.
  • the interface layer 326 was produced using the media sample numbers 3-1 to 3-7 shown in (Table 3). In Comparative Examples 5 and 6, the materials shown in (Table 3) were used. In either case, a sputtering target having the same composition notation as that of the interface layer 326 was formed by sputtering at a power of 3 kW using a high frequency power source in an Ar gas atmosphere having a pressure of 0.13 Pa. The comparative example was also formed under similar sputtering conditions.
  • the adhesion was evaluated according to the adhesion evaluation method of Example 1.
  • the complex refractive index was also calculated in the same manner as in Example 1.
  • the definitions of x and ⁇ for each time of the adhesion verification test and x, ⁇ , ⁇ , and ⁇ for evaluation are the same as in Example 2.
  • the interface layer 326 (dielectric layer b) has a larger extinction coefficient than the interface layer 324 (dielectric layer a). Therefore, the definition of the evaluation of the complex refractive index is different from that in Example 2, where x is 0.15 ⁇ kb, ⁇ is 0.10 ⁇ kb ⁇ 0.15, ⁇ is 0.05 ⁇ kb ⁇ 0.10, and ⁇ It is assumed that kb ⁇ 0.05.
  • the definitions of x, ⁇ , and ⁇ in the comprehensive evaluation are the same as in Example 2.
  • the complex refractive index was evaluated as ⁇ when the extinction coefficient k exceeded 0.1 when ZrO 2 was 30 mol% or less.
  • Example 4 In Example 4, the information recording medium 300 of FIG. 1 was manufactured, and the relationship between the material of the interface layer 326 (dielectric layer b) of the second information layer 320 and the adhesion between the recording layer 325 was examined. Except for the interface layer 326, the information recording medium 300 manufactured in Example 3 was used. (AO 2 ) p (Cr 2 O 3 ) t (L) 100-pt (mol%) was used for the interface layer 326, and the film thickness was 5 nm.
  • the interface layer 326 was produced using the media sample numbers 4-1 to 4-19 shown in (Table 4). In either case, a sputtering target having the same composition notation as that of the interface layer 326 was formed by sputtering at a power of 3 kW using a high frequency power source in an Ar gas atmosphere having a pressure of 0.13 Pa. Also in this example, the adhesion was evaluated according to the adhesion evaluation method of Example 1. The complex refractive index was also calculated in the same manner as in Example 1. The results of adhesion and complex refractive index are shown in (Table 4).
  • media sample numbers 4-1 to 4-11 a material having a composition of (ZrO 2 ) p (Cr 2 O 3 ) t (TiO 2 ) 100-pt (mol%) was used for the interface layer 326.
  • Media sample numbers 4-12 to 4-19 have a composition of (ZrO 2 ) 30 (Cr 2 O 3 ) 50 (L) 20 (mol%), and L contains Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Nb 2 O 5 , SiO 2 , TiO 2 , Y 2 O 3 , Al 6 Si 2 O 13 , and Al 2 TiO 5 were used.
  • media sample numbers 3-7 of Example 3 when comparing media sample numbers 3-7 of Example 3 with media sample numbers 4-5 and 4-10 of this example, these samples have a Cr 2 O 3 content of 30 mol% and an extinction coefficient of 0.04. However, media sample Nos. 3-7 were peeled off in 200 hours, whereas media samples Nos. 4-5 and 4-10 were not peeled off until 200 hours.
  • Example 5 In Example 5, the information recording medium 300 of FIG. 1 is manufactured, and the material of the interface layer 324 (dielectric layer a) of the second information layer 320 and the material of the interface layer 326 (dielectric layer b) are combined. The optical characteristics and the recording / reproducing characteristics were examined in a configuration satisfying na ⁇ nb (na: refractive index of dielectric layer a, nb: refractive index of dielectric layer b). Except for the interface layer 324 and the interface layer 326, the information recording medium 300 manufactured in Example 2 was used.
  • the interface layer 324 and the interface layer 326 are represented by the media sample numbers 5-1-1 to 5-1-15 and the media sample numbers 5-2-1 to 5 shown in (Table 5-1) to (Table 5-5). -3, media sample number 5-3-1, media sample number 5-4-1, and media sample numbers 5-5-1 to 5-5-5, respectively.
  • the materials shown in Table 5-6 were used for the interface layer 324 and the interface layer 326 in Comparative Examples 7 to 10, respectively. In both cases, a sputtering target having the same composition notation as the interface notation of the interface layer 324 and the interface layer 326 was formed by sputtering at a power of 3 kW using a high frequency power source in an Ar gas atmosphere having a pressure of 0.13 Pa. Comparative examples 7 to 10 were also formed under similar sputtering conditions. The materials of the interface layer 324 and the interface layer 326 in each medium sample will be described below.
  • (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) was used for the interface layer 326 and Al 2 was used for the interface layer 324.
  • the Dy 2 O 3, Nb 2 O 5, SiO 2, TiO 2 and Y 2 O 80 mole% of at least one of oxide D is selected from 3 and Cr 2 O 3 containing materials 20 mol% Using.
  • (ZrO 2 ) 50 (Cr 2 O 3 ) 50 (mol%) was used for the interface layer 326 and (Al 2 O 3 ) was used for the interface layer 324.
  • a material in which a part of Cr 2 O 3 in 80 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%) was substituted with In 2 O 3 or Ga 2 O 3 was used.
  • the interface layer 324 Al 2 O 3) 80 (Cr 2 O 3) 20 used (mol%), Al 2 O 3 in the interface layer 326, dy 2 O 3, Nb 2 O 5, SiO 2, and 25 mole% of at least one oxide L is selected from TiO 2 and Y 2 O 3, and the ZrO 2 25 mol%, Cr 2 O 3 50 mol % Containing material was used.
  • a recording / reproduction evaluation method for the information recording medium 300 will be described.
  • a spindle motor that rotates the information recording medium 300, an optical head that includes a semiconductor laser that emits laser light 10, and an objective lens that focuses the laser light 10 on a recording layer of the information recording medium 300;
  • the recording / reproducing apparatus of the general structure equipped with these was used.
  • information was recorded on the recording layer 325 of the second information layer 320 of the information recording medium 300.
  • recording corresponding to a capacity of 33.4 GB was performed using a semiconductor laser having a wavelength of 405 nm and an objective lens having a numerical aperture of 0.85. Recording was performed at a radius of 40 mm under the condition of a linear velocity of 7.4 m / sec. Reproduction evaluation of the recorded signal was performed by irradiating with a 1.0 mW laser beam under the condition of a linear velocity of 7.4 m / sec.
  • CNR signal amplitude to noise ratio
  • Repetitive rewrite performance was defined as the rewrite performance when the CNR decreased by 3 (dB) compared to the CNR of the signal recorded for the 11th time by alternately rewriting 3T and 8T.
  • the adhesion was evaluated according to the adhesion evaluation method of Example 1. Regarding the evaluation criteria in the table, the case where peeling occurred in 50 hours was evaluated as x, the case where peeling did not occur in 50 hours (however, peeling occurred in 200 hours), and the case where peeling did not occur in 200 hours as ⁇ . .
  • the reflectance ratio and transmittance of the second information layer 320 are determined by separately preparing a measurement medium in which the second information layer 320 and the transparent layer 302 are formed on the substrate 301 (which has not only a groove but also a mirror surface). And measured. Initialization was done only on one side. The transmittance was measured with a spectrophotometer at a wavelength of 405 nm. Since the transmittance Tc (the transmittance of the information layer when the recording layer is a crystalline phase) is lower than the Ta (the transmittance of the information layer when the recording layer is an amorphous phase), ( In Tables 5-1) to (Table 5-6), only the measured values of Tc are listed.
  • Rc reflectance ratio
  • Ra specular reflectivity when Ra is a crystalline phase
  • Ra specular reflectivity when the recording layer is an amorphous phase
  • the reflectivity ratio Rc / Ra is preferably 7 or more as a guideline for a value at which 3TCNR is 50 (dB) or more (in this embodiment, the design value of Rc is 7%, but 6%, 5% If the design value is lowered to%, Rc / Ra can be made larger, and the effect of the present invention can be obtained in this case as well.)
  • the transmittance Tc is preferably 46% or more as a guide. If Tc is 46% or more, Ta can be obtained by 48% or more, so that 47% ⁇ (Ta + Tc) / 2 can be satisfied.
  • the criteria for comprehensive evaluation are: Rc / Ra ⁇ 7, Tc ⁇ 46%, no peeling in 200 hours, repeated rewrite times ⁇ 10000, ⁇ 5.6 ⁇ Rc / Ra ⁇ 7, no peeling at 50 hours, peeling at 200 hours, 1000 ⁇ repetitive rewriting ⁇ 10000, if any one is true, ⁇ If any one of Rc / Ra ⁇ 5.6, Tc ⁇ 46%, occurrence of delamination in 50 hours, and repeated rewrite count ⁇ 1000, ⁇ , It was. Therefore, in all the samples shown in (Table 5-1) to (Table 5-5), the overall evaluation was “good”.
  • the recording power (through the third information layer 330) was about 23 mW for all the media, and the erasing power was 7 mW for all the media. It was rank.
  • Comparative Example 8 since the interface layer 326 was formed of a material containing Ti instead of at least one element selected from Zr and Hf, the heat resistance was insufficient, and the number of rewrites was only 500 times.
  • the medium of Comparative Example 8 satisfied na ⁇ nb and was excellent in Rc / Ra and CNR, but unfortunately the heat resistance was insufficient and the repetition performance was poor.
  • nb ⁇ na and Rc / Ra was as small as 4. Further, since (Al 2 O 3 ) 80 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%) was used for the interface layer 326, the heat resistance was insufficient, and the number of rewrites was only 1000 times. Similarly, in Comparative Example 10, since (ZrO 2 ) 50 (Ga 2 O 3 ) 50 was used for the interface layer 326, the heat resistance was insufficient and the number of rewritings was only 800 times.
  • the material of the interface layer in contact with the recording layer is a combination of the materials of the dielectric layer a and the dielectric layer b limited in the information recording medium of the present invention.
  • the semitransparent information layer it was possible to obtain performance superior to that of conventional information recording media.
  • Example 6 In Example 6, as in Example 5, the information recording medium 300 of FIG. 1 was manufactured, and the material of the interface layer 324 (dielectric layer a) of the second information layer 320 and the interface layer 326 (dielectric layer b) were manufactured. The optical characteristics and the recording / reproducing characteristics were examined in a configuration satisfying na ⁇ nb (na: refractive index of dielectric layer a, nb: refractive index of dielectric layer b) in combination with the materials. Except for the interface layer 324 and the interface layer 326, the information recording medium 300 manufactured in Example 5 was used.
  • the interface layer 324 and the interface layer 326 were produced using the media sample numbers 6-1 to 6-7 shown in (Table 6), respectively.
  • (Al 2 O 3 ) 80 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%) is used for the interface layer 324, and
  • (ZrO 2 ) j (Cr 2 O 3 ) 100-j (mol%) is used for the interface layer 326. Using.
  • Example 7 In Example 7, the information recording medium 300 of FIG. 1 was manufactured, and all the interface layers included in the first information layer 310, the second information layer 320, and the third information layer 330 were formed on the dielectric according to the present invention. The material of layer a and dielectric layer b was applied.
  • Rc of the first information layer 310 is about 28%
  • Rc of the second information layer 320 is about 6%
  • (Tc + Ta) / 2 is about 48%
  • Rc of the third information layer 330 is about The design was such that 3% and (Tc + Ta) / 2 were about 59%.
  • the first information layer 310 (Al 2 O 3 ) 70 (Cr 2 O 3 ) 30 (mol%) is used for the interface layer 314, and (ZrO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) is used for the interface layer 316. 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was used.
  • the thicknesses of the interface layers 314 and 316 were both 5 nm. The material and film thickness of each layer other than these were the same as in Example 5.
  • the second information layer 320 For the second information layer 320, (Al 2 O 3 ) 80 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%) is used for the interface layer 324, and (ZrO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) is used for the interface layer 326. 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was used. Both the interface layers 324 and 326 had a thickness of 5 nm.
  • the dielectric layer 327 was made of (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) and had a thickness of 38 nm. The material and film thickness of each layer other than these were the same as in Example 5.
  • the dielectric layer 331 was made of Bi 4 Ti 3 O 12 and had a thickness of 18 nm. Further, (Al 2 O 3 ) 80 (Cr 2 O 3 ) 20 (mol%) is used for the interface layer 334, and (ZrO 2 ) 25 (Cr 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 is used for the interface layer 336. Using (mol%), the film thicknesses of these interface layers were both 5 nm.
  • the dielectric layer 337 was made of (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 (mol%) and had a thickness of 37 nm. The material and film thickness of each layer other than these were the same as in Example 5.
  • the information recording medium of Example 7 was produced as described above.
  • the reflectance (Rc, Ra), the reflectance ratio (Rc / Ra), the transmittance (Tc, Ta), and the average value of the transmittance ((Tc + Ta) / 2) of each information layer. was measured respectively.
  • the complex refractive index of the interface layer of each information layer was also measured by the same method as in Example 1.
  • the effective Rc and effective Ra of each information layer were measured to obtain the effective Rc / effective Ra.
  • a recording / reproducing apparatus equipped with a semiconductor laser having a wavelength of 405 nm and an objective lens having a numerical aperture of 0.85 was used as in Example 5.
  • the laser beam is focused on the recording layer of the information layer to be measured of the information recording medium 300, the effective Rc is measured at the mirror surface of the initialization unit, and is effective at the mirror surface at the boundary between the initialization unit and the uninitialized unit. Ra was measured.
  • the effective Rc and effective Ra of the first information layer 310 are determined by the laser light 10 that has passed through the transparent layer 302, the third information layer 330, the intermediate layer 304, the second information layer 320, and the intermediate layer 303 as the first information layer 310. Irradiates the layer 310, and detects the reflected laser light reflected by the first information layer 310 and passing through the intermediate layer 303, the second information layer 320, the intermediate layer 304, the third information layer 330, and the transparent layer 302. Is required. Similarly, the effective Rc and effective Ra of the second information layer 320 are obtained by irradiating the second information layer 320 with laser light that has passed through the transparent layer 302, the third information layer 330, and the intermediate layer 304.
  • the effective Rc and effective Ra of the third information layer 330 are reflected by irradiating the third information layer 330 with the laser light that has passed through the transparent layer 302, reflected by the third information layer 330, and passed through the transparent layer 302. It is obtained by detecting the laser beam.
  • the effective Ra of the second information layer 320 and the third information layer 330 was less than 0.2%, and the servo of the evaluator was unstable and could not be measured accurately.
  • Rc / Ra exceeded 10.
  • a high reflectance ratio Rc / Ra a high transmittance, and excellent adhesion , High CNR, and an excellent number of repetitions exceeding 10,000.
  • Rc / Ra exceeded 11 in the second information layer 320 and the third information layer 330 which are translucent information layers.
  • the dielectric layer a having both high transparency and excellent adhesion to the recording layer, and high heat resistance and the recording layer
  • the dielectric layer b having excellent adhesion
  • a translucent information layer having high reflectance ratio, high transmittance, and high rewriting performance can be realized.
  • an information recording medium having a large capacity of 100 GB or more can be realized.
  • the information recording medium of the present invention is useful for a rewritable multilayer Blu-ray Disc, a write-once multilayer Blu-ray Disc, etc. as a large-capacity optical information recording medium realized by providing an excellent dielectric layer.
  • the information recording medium of the present invention can be recorded and reproduced by an optical system with NA> 1, for example, an optical system using SIL (solid immersion lens) or SIM (solid immersion mirror), as a large-capacity optical information recording medium. It is also useful for next-generation rewritable information recording media or next-generation rewritable multilayer information recording media.

Abstract

　本発明の情報記録媒体（３００）は、光（１０）の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光（１０）の入射側から、誘電体層ｂ、記録層３３５および誘電体層ａをこの順に備えている。誘電体層ａおよび誘電体層ｂは、記録層３３５に接して配置されている層であり、界面層３３４が誘電体層ａに相当し、界面層３３６が誘電体層ｂに相当する。誘電体層ａは、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｍと、Ｃｒと、Ｏとを含んでいる。誘電体層ｂは、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含んでいる。

Description

情報記録媒体
　本発明は、光学的に情報を記録し、消去し、書き換えおよび／または再生することが可能な情報記録媒体に関するものである。
　光学的情報記録媒体の基本的な構成の一例として、例えば、光の入射側から、第２の誘電体層、記録層、第１の誘電体層および反射層がこの順に配置された形態が挙げられる。従来、第１および第２の誘電体層の材料には、例えば（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）が用いられてきた。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導性が低く、高透明性および高屈折率を有する。また、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性および耐湿性にも優れているため、誘電体層を形成するのに適した材料として、実用化されてきた。
　しかしながら、この材料を書換形の情報記録媒体の誘電体層に用いる場合、レーザ光を記録層に照射して繰り返し書換えを実施すると、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）中のＳが記録層中に拡散し、繰り返し書換え性能を著しく低下させるという課題があった。そのため、第１の誘電体層と記録層との間、および、記録層と第２の誘電体層との間に、厚さ５ｎｍ程度のもう１層の誘電体層（界面層）を設ける構成が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
　例えば、ハイビジョン画像の録画媒体として実用化したブルーレイ・ディスク（以下、ＢＤと略記する）媒体の場合、界面層としてＺｒＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を含む材料（以下、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏ）を用いており、１万回以上の優れた繰り返し書換えを実現している（例えば、特許文献２参照）。この材料は、Ｓを含まず、高融点で耐熱性に優れ、記録層との密着性も良好であるため、界面層に適した材料である。複数の情報層を備えたＢＤ媒体において、情報層を光入射側と反対側から順にＬ０、Ｌ１、…と表した場合、特に５０ギガバイト（ＧＢ）の２層ＢＤ媒体においては、光の入射側に位置する半透明な情報層（Ｌ１）は、記録層が約６ｎｍ、反射層が約１０ｎｍと非常に薄い層が積層された構成を有しているが、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏを用いて形成された界面層を採用して、１万回のサイクル性能を達成することが可能となった。
特許第３７０７７９７号公報 特許第３９６１４１１号公報
　近年、次世代ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）として、規格がＢＤに一本化されたことから、大容量ハードディスク内蔵のＢＤレコーダおよびＢＤレコーダ内蔵の大型テレビが発売され、ＢＤレコーダおよびＢＤ媒体の普及が加速しつつある。そのような状況において、ＢＤ媒体の次のテーマは大容量化である。大容量化によって、ハイビジョン画像をより長時間ＢＤ媒体に録画できるようになり、あるいは、ＢＤ媒体をハードディスクの代わりの可換媒体としても使用できるようになる。
　大容量化する方法としては、情報層１層あたりの記録容量を増やす方法と、層数（情報層数）を増やす方法とがあり、両者を組み合わせることによりさらなる大容量化が可能となる。本発明者は、両者を組み合わせて、１００ＧＢのＢＤ媒体の開発に取り組んだ。具体的には、１層あたり３３．４ＧＢ（従来２５ＧＢ）の情報層を開発し、これを３層積層する形態である。記録容量を２５ＧＢから３３．４ＧＢに増やすということは、記録密度が１．３４倍に増加することを意味し、記録するマーク自体が小さくなる。そこで、小さいマークから従来と同等以上の信号振幅を得ることが技術的課題となる。信号振幅を大きくするには、記録層の、アモルファス相（マーク）と結晶相（マーク間）の反射率比Ｒｃ／Ｒａを大きくすることが効果的である（Ｒｃ：記録層が結晶相である場合のＢＤ媒体の鏡面反射率、Ｒａ：記録層がアモルファス相である場合のＢＤ媒体の鏡面反射率）。
　また、層数を２層から３層に増やすためには、最も光の入射側に位置する情報層（Ｌ２）の透過率を２層の場合よりも高めなければならない。２層の場合は、Ｌ１の透過率を５０％で光学設計していたが、３層に対してはＬ２の透過率を５６％以上、Ｌ１の透過率を５０％以上で光学設計することが好ましい（光の入射側からＬ２、Ｌ１、Ｌ０）。Ｌ２は、光を吸収する層である記録層や反射層を２層のＬ１よりも薄くしなければならないが、それはＲｃ／Ｒａを低下させる要因となり、透過率とＲｃ／Ｒａとは互いにトレードオフの関係にある。また、３層のＬ１は５０％以上の透過率を確保した上で、Ｌ２を通した光を用いて良好な信号品質を得なくてはならないので、Ｌ２よりも高いＲｃを要する。設計上、Ｒｃを高くするとＲａも高くなる傾向にあり、結果として、Ｌ２同様にＲｃ／Ｒａは低下する傾向にある。したがって、大容量化のためには、高透過率と高反射率比とが共に得られるような情報層の実現が要求される。すなわち、このような情報層が実現できるような膜構成の開発、具体的には、記録層に接して設けられる層に用いられる誘電体材料の開発が求められる。
　また、情報層には、上記のような光学的な特性だけでなく、良好な繰り返し書き換え性能等も求められる。そのため、記録層に接して設けられる層には、記録層との良好な密着性も要求される。
　本発明は、前記従来の問題を解決するもので、高透過率と高反射率比とを実現でき、さらに良好な繰り返し書き換え性能も実現できる情報層を提供することによって、大容量化が可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
　本発明の情報記録媒体は、光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光の入射側から、誘電体層ｂ、記録層および誘電体層ａをこの順に備え、前記誘電体層ａが、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｍと、Ｃｒと、Ｏとを含み、前記誘電体層ｂが、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含み、前記誘電体層ａおよび前記誘電体層ｂは、前記記録層に接して配置されている。
　本発明の情報記録媒体によれば、例えば情報層１層あたり３３．４ＧＢ以上の容量を持つ、多層の書換え形記録媒体を実現できる。それにより、１００ＧＢ以上の大容量情報記録媒体を実現することができる。
図１は、本発明の情報記録媒体の一例を示す部分断面図である。 図２は、本発明の情報記録媒体の別の例を示す部分断面図である。 図３は、本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図である。 図４は、本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図である。
　本発明の情報記録媒体は、高透過率と高反射率比とを実現でき、さらに良好な耐湿性および繰り返し書き換え性能も実現できる情報層を提供することによって、大容量化が可能な情報記録媒体を提供することを目的としてなされた発明である。
　上記目的のうち、高透過率および高反射率比を達成するために、本発明者は、３層ＢＤ媒体において最も光の入射側に位置する情報層（Ｌ２）と真ん中に位置する情報層（Ｌ１）とに着目し、光の入射側から、第２の誘電体層、第２の界面層、記録層、第１の界面層、第１の誘電体層、反射層および高屈折率層が順に配置された構成を有する情報層について、光学設計（計算）を行った。その結果、第１の界面層に相対的により透明な材料を適用すれば、Ｒｃ／Ｒａをより大きくできることがわかった。また、第１の界面層に相対的に第２の界面層よりも屈折率が小さい材料を用いれば、さらにＲｃ／Ｒａを大きくできることもわかった。
　実際に、第１の界面層および第２の界面層にＺｒ－Ｃｒ－Ｏを適用したＬ２（テスト１）と、第１の界面層にＺｒ－Ｃｒ－Ｏよりも透明で低屈折率な材料を適用して第２の界面層にＺｒ－Ｃｒ－Ｏを適用したＬ２（テスト２）とを試作して、Ｒｃ／Ｒａを実測したところ、テスト２の方がＲｃ／Ｒａを大きくできた。Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏ界面層の波長４０５ｎｍの光における消衰係数は約０．１である。そこで、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏよりも消衰係数が小さい誘電体材料を第１の界面層に適用すれば、Ｒｃ／Ｒａを大きくできることが実験的に確かめられた。
　また、本発明者の熱計算によると、Ｌ２やＬ１のような半透明な情報層では、記録層にレーザ光を照射して記録を行う際、最も温度が上がるのは、記録層ではなく、記録層よりもレーザ光入射側に設けられた第２の界面層であることがわかった（記録時には、記録マークを形成する領域が融点以上に加熱されて溶融されるので、一連の記録消去動作の中では記録時が最も高温になる）。そのため、繰り返し書き換え時は、第２の界面層の熱負荷が最も大きいと考えられ、優れた繰り返し書換性能を確保するには、第２の界面層に大きな熱負荷に耐え得る界面層が必要になる。本発明者の実験によれば、やはりＺｒ－Ｃｒ－Ｏ界面層が最も耐熱性がよいという結果が得られた。あるいは、化学的性質がＺｒと似ているＨｆを含む、ＨｆＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を含む（以下、Ｈｆ－Ｃｒ－Ｏ）界面層も、耐熱性がよいという結果が得られた。
　ここで、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏ界面層は、耐湿性および繰り返し書換性能に優れた界面層であり、ＺｒＯ2が透明で熱的に安定した材料であり、Ｃｒ2Ｏ3がカルコゲン系の記録層との密着性に優れた材料である。しかしながら、Ｃｒ2Ｏ3の波長４０５ｎｍの光における消衰係数は約０．２と大きいため、密着性に優れていても単独では使えない。ＺｒＯ2の密着性不足分をＣｒ2Ｏ3添加で補っているため、単にＣｒ2Ｏ3を減らして透明にするという対策は、密着性を低下させるので、講じられない。Ｈｆ－Ｃｒ－Ｏ界面層についても同様である。カルコゲン系の記録層と優れた密着性を示す誘電体材料は非常に少なく、発明者の実験によれば、Ｃｒ2Ｏ3の他にＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｇｅ－Ｎ、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3が挙げられる。ただし、ＳｉＣは、波長４０５ｎｍの光における消衰係数が０．３を超えているため、Ｃｒ2Ｏ3よりも消衰係数が大きい。ＺｎＳは、上述のようにＳの拡散が生じる。また、Ｇｅ－Ｎは、分解温度が７００℃付近にあり、青紫色レーザでは繰り返し記録に耐えない。Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3は、透明で密着性にも優れているが、価格が高い。よって、記録層との密着性を確保する材料としては、Ｃｒ2Ｏ3が最も好ましい材料であるとの結論に至った。
　上記の検討により、本発明者は、本発明の情報記録媒体の構成、すなわち、光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光の入射側から、誘電体層ｂ、記録層および誘電体層ａをこの順に備え、前記誘電体層ａが、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｍと、Ｃｒと、Ｏとを含み、前記誘電体層ｂが、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含み、前記誘電体層ａおよび前記誘電体層ｂが前記記録層に接して配置されている、構成に到達した。
　本発明の情報記録媒体においては、高耐熱性と記録層との優れた密着性とを兼ね備えた、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくとも一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含む誘電体材料を、記録層に対して光の入射側に位置する界面層（誘電体層ｂ）に用い、高透明性と記録層との優れた密着性とを兼ね備えた、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍと、Ｃｒと、Ｏとを含む誘電体材料を、記録層に対して光が入射する側と反対の側に位置する界面層（誘電体層ａ）に用いる。界面層にこれらの誘電体材料を適用することにより、高反射率比および高透過率と、さらには高繰り返し書換え性能を兼ね備えた半透明の情報層を提供できる。さらに、この半透明な情報層を有する多層情報記録媒体を提供することにより、１００ＧＢ以上の容量を有する情報記録媒体を実現することも可能である。
　本発明の情報記録媒体において、前記誘電体層ａが、ＭcＣｒdＯ100-c-d（原子％）で表される材料を含んでいてもよい。ただし、ＭcＣｒdＯ100-c-d（原子％）において、添え字ｃ、ｄおよび１００－ｃ－ｄは、原子％で表されるＭ、ＣｒおよびＯの組成比を示し、ｃおよびｄが、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２０＜（ｃ＋ｄ）＜５０を満たす。この場合、誘電体層ａに含まれる前記元素Ｍは、Ａｌ、ＳｉおよびＴｉより選ばれる少なくともいずれか一つの元素であってもよい。なお、本明細書において、「ＭcＣｒdＯ100-c-d（原子％）」とは、「Ｍ」原子、「Ｃｒ」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００原子％）として表された組成式であることを示している。
　また、本発明の情報記録媒体では、前記誘電体層ａが、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｄと、Ｃｒ2Ｏ3とを含む、（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）で表される材料を含んでいてもよい。ただし、（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）において、添え字ｈおよび１００－ｈは、モル％で表されるＤおよびＣｒ2Ｏ3の組成比を示し、ｈが、５０≦ｈ＜１００を満たす。この場合、誘電体層ａに含まれる前記酸化物Ｄは、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物であってもよい。なお、本明細書において、「（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）」とは、ｈモル％の化合物Ｄと１００－ｈモル％のＣｒ2Ｏ3との混合物であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。
　本発明の情報記録媒体において、前記誘電体層ｂが、ＡfＣｒgＯ100-f-g（原子％）で表される材料を含んでいてもよい。ただし、ＡfＣｒgＯ100-f-g（原子％）において、添え字ｆ、ｇおよび１００－ｆ－ｇは、原子％で表されるＡ、ＣｒおよびＯの組成比を示し、ｆおよびｇが、４＜ｆ＜１６、２１＜ｇ＜３５、且つ３０＜（ｆ＋ｇ）＜５０を満たす。また、この場合、前記誘電体層ｂは、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｘをさらに含む、ＡkＣｒmＸnＯ100-k-m-n（原子％）で表される材料を含んでいてもよい。ただし、ＡkＣｒmＸnＯ100-k-m-n（原子％）において、添え字ｋ、ｍ、ｎおよび１００－ｋ－ｍ－ｎは、原子％で表されるＡ、Ｃｒ、ＸおよびＯの組成比を示し、ｋ、ｍおよびｎが、１＜ｋ＜１８、３＜ｍ＜３５、０＜ｎ＜３１、且つ２５＜（ｋ＋ｍ＋ｎ）＜５０を満たす。この場合、誘電体層ｂに含まれる前記元素ＡはＺｒであってもよいし、元素ＸはＡｌ、Ｄｙ、ＳｉおよびＴｉより選ばれる少なくともいずれか一つの元素であってもよい。
　また、本発明の情報記録媒体では、前記誘電体層ｂが、ＺｒＯ2およびＨｆＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物ＡＯ2と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む、（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）で表される材料を含んでいてもよい。ただし、（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）において、添え字ｊおよび１００－ｊは、モル％で表されるＡＯ2およびＣｒ2Ｏ3の組成比を示し、ｊが、２０≦ｊ≦６０を満たす。また、この場合、前記誘電体層ｂは、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｌをさらに含む、（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）で表される材料を含んでいてもよい。ただし、（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）において、添え字ｐ、ｔおよび１００－ｐ－ｔは、モル％で表されるＡＯ2、Ｃｒ2Ｏ3およびＬの組成比を示し、ｐおよびｔが、２０≦ｐ≦６０、２０≦ｔ＜８０、且つ６０≦（ｐ＋ｔ）＜１００を満たす。この場合、誘電体層ｂに含まれる前記酸化物Ｌは、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物であってもよい。
　本発明の情報記録媒体において、前記誘電体層ａに含まれるＣｒの一部が、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されていてもよい。前記誘電体層ａがＣｒをＣｒ2Ｏ3の形態で含む場合は、前記誘電体層ａに含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されていてもよい。
　前記誘電体層ｂに含まれるＣｒの一部が、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されていてもよい。前記誘電体層ｂがＣｒをＣｒ2Ｏ3の形態で含む場合は、前記誘電体層ｂに含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されていてもよい。
　本発明の情報記録媒体は、前記誘電体層ａの屈折率をｎａ、前記誘電体層ｂの屈折率をｎｂとしたとき、ｎａ＜ｎｂを満たすことが好ましい。
　本発明の情報記録媒体は、Ｎ個の情報層を含み、前記Ｎは２以上の整数であって、前記Ｎ個の情報層を、光入射側と反対側から順に第１情報層から第Ｎ情報層としたとき、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎを満たす少なくともいずれか一つの整数）が、前記光の入射側から、前記誘電体層ｂ、前記記録層、前記誘電体層ａをこの順に含んでいてもよい。前記Ｎが３であってよい。
　本発明の情報記録媒体は、前記記録層が、前記光の照射によって相変化を起こす材料によって形成されていてもよい。この場合、前記記録層は、Ｇｅ－Ｔｅを含み且つＧｅを４０原子％以上含んでいてもよいし、Ｓｂ－ＧｅおよびＳｂ－Ｔｅより選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み且つＳｂを７０原子％以上含んでいてもよい。
　以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
　（実施の形態１）
　本発明の実施の形態１として、情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その情報記録媒体３００の一部断面を示す。情報記録媒体３００には、基板３０１上に、第１の情報層３１０、中間層３０３、第２の情報層３２０、中間層３０４、第３の情報層３３０および透明層３０２がこの順に配置されている。すなわち、本実施の形態の情報記録媒体３００は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であり、Ｎ＝３の場合に相当する。本実施の形態では、第１の情報層３１０から第３の情報層３３０の全てに本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂが適用されているため、全ての情報層が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当するが、これに限定されず、第１の情報層３１０から第３の情報層３３０のうちの少なくともいずれか一つの情報層が第Ｌ情報層に相当すればよい。
　第１の情報層３１０は、基板３０１の一方の表面上に、反射層３１２、誘電体層３１３、界面層３１４、記録層３１５、界面層３１６および誘電体層３１７が、この順に配置されることによって形成されている。第２の情報層３２０は、中間層３０３の一方の表面上に、誘電体層３２１、反射層３２２、誘電体層３２３、界面層３２４、記録層３２５、界面層３２６および誘電体層３２７が、この順に配置されることによって形成されている。第３の情報層３３０は、中間層３０４の一方の表面上に、誘電体層３３１、反射層３３２、誘電体層３３３、界面層３３４、記録層３３５、界面層３３６および誘電体層３３７がこの順に配置されることによって形成されている。
　情報記録媒体３００では、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光１０によって、情報が記録再生される。レーザ光１０は、透明層３０２の側から入射される。第１の情報層３１０には、第３の情報層３３０および第２の情報層３２０を通過したレーザ光１０によって、情報が記録再生される。第２の情報層３２０には、第３の情報層３３０を通過したレーザ光１０によって、情報が記録再生される。このように、情報記録媒体３００においては、３つの情報層に情報を記録再生できるので、例えば１情報層あたりの容量を３３．４ＧＢにして、１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
　光学的には、３つの情報層の実効反射率はおおよそ同等であることが好ましい。それは、第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率とを各々調整することにより達成される。本実施の形態では、一例として実効Ｒｃが２．２％、実効Ｒａが０．３％となるように設計した構成を説明する。本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Ｒｃは記録層が結晶相であるときの情報層の鏡面部反射率、Ｒａは記録層が非晶質相であるときの情報層の鏡面部反射率である。ここで、記録層が結晶相であるときの情報層の溝部反射率をＲｃ－ｇとすると、実効Ｒｃ－ｇは例えば１．８％となる。
　一例として、第３の情報層３３０の透過率の平均値（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）が５６％、第２の情報層３２０の透過率の平均値（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）が５０％である場合、第１の情報層３１０はＲｃが２８％、Ｒａが４％、第２の情報層３２０はＲｃが７％、Ｒａが１％、第３の情報層３３０はＲｃが２．２％、Ｒａが０．３％、となるように設計することができる。ここで、Ｔｃは記録層が結晶相であるときの情報層の透過率、Ｔａは記録層が非晶質相であるときの情報層の透過率である。（Ｔｃ＋Ｔａ）／２が５６％の場合、一例として、Ｔｃが５５％、Ｔａが５７％であってよい。あるいは、Ｔｃが５６％、Ｔａが５７％であってよい。ＴｃとＴａとは近い値であることが好ましいが、等しくなくてもよい。なお、以下、Ｔｃ、Ｔａと特定せずに、単に情報層の透過率という場合は、透過率の平均値（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）を指す。
　以下、基板３０１、中間層３０３、中間層３０４および透明層３０２の機能、材料および厚みについて説明する。
　基板３０１は、主に支持体としての機能を有し、円盤状で、透明且つ表面の平滑なものを使用する。材料としては、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のような樹脂、またはガラスを挙げることができる。成形性、価格および機械強度を考慮すると、ポリカーボネートが好ましく使用される。図示した形態において、厚さ約１．１ｍｍ、直径約１２０ｍｍの基板３０１が好ましく用いられる。
　基板３０１の情報層３１０を形成する側の表面には、レーザ光１０を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板３０１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光１０に近い側にある面を便宜的に「グルーブ面」と呼び、レーザ光１０から遠い側にある面を便宜的に「ランド面」と呼ぶ。たとえば、情報記録媒体３００をＢｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃとして使用する場合、グルーブ面とランド面との段差は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。また、Ｂｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃでは、グルーブ面のみに記録を行うが、グルーブ－グルーブ間の距離（グルーブ面中心からグルーブ面中心まで）は、約０．３２μｍであることが好ましい。
　中間層３０３は、第２の情報層３２０におけるレーザ光１０の焦点位置と第１の情報層３１０におけるレーザ光１０の焦点位置とを分離する機能を有し、必要に応じて、第２の情報層３２０の案内溝が形成されていてもよい。同様に、中間層３０４は、第３の情報層３３０におけるレーザ光１０の焦点位置と第２の情報層３２０におけるレーザ光１０の焦点位置とを分離する機能を有し、必要に応じて、第３の情報層３３０の案内溝が形成されていてもよい。中間層３０３および３０４は、紫外線硬化性樹脂で形成することができる。また、必要に応じて、複数の樹脂層が積層された構成を有していてもよい。たとえば、中間層３０３の場合、誘電体層３１７を保護する層と案内溝を有する層とを含む２層以上の構成にしてもよい。
　中間層３０３および３０４は、レーザ光１０が効率よく第１の情報層３１０および第２の情報層３２０に到達するように、記録再生する波長λの光に対して透明であることが望ましい。中間層３０３および３０４の厚さは、（１）対物レンズの開口数とレーザ光１０の波長とにより決定される焦点深度以上、（２）記録層３１５および記録層３３５間の距離が、対物レンズの集光可能な範囲内、（３）透明層３０２の厚さと合わせて、使用する対物レンズが許容できる基板厚公差内、にすることが好ましい。
　透明層３０２の表面から第１の情報層３１０の記録層３１５までの距離は、８０μｍ以上１２０μｍ以下となることが好ましい。さらに、第１の情報層３１０、第２の情報層３２０および第３の情報層３３０からの信号の再生と、これら情報層への信号の記録・消去・書換えとが、互いに他の情報層からの影響を受けずに良好に行えるよう、中間層３０３および３０４の膜厚は互いに異なることが好ましい。各中間層の膜厚は、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲で選ばれることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲で選ばれることがより好ましい。例えば、透明層３０２の表面から記録層３１５までの距離が１００μｍとなるように、中間層３０３、中間層３０４、透明層３０２の膜厚を設定してよい。一例として、中間層３０３を２５μｍ、中間層３０４を１８μｍ、透明層３０２を５７μｍのように設定できる。あるいは、順に、１６μｍ、２４μｍ、６０μｍのように設定することもできる。
　透明層３０２について説明する。情報記録媒体の記録密度を大きくする方法として、短波長のレーザ光を使用して、レーザ光を絞り込めるように対物レンズの開口数ＮＡを上げる方法がある。この場合、焦点位置が浅くなるため、レーザ光１０が入射する側に位置する透明層３０２は、基板３０１と比べてより薄く設計される。この構成によれば、より高密度の記録が可能な、大容量の情報記録媒体３００を得ることができる。
　透明層３０２は、基板３０１同様、円盤状で、透明且つ表面の平滑なものを使用する。透明層３０２は、例えば、円盤状のシートと接着層からなってもよいし、紫外線硬化性樹脂よりなってもよい。必要に応じて、レーザ光１０を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。また、誘電体層３３７の表面に保護層を設けた上に設けてもよい。いずれの構成でもよいが、総厚み（例えば、シート厚＋接着層厚＋保護層厚、または紫外線硬化性樹脂のみの厚）が、２０μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、３０μｍ以上８０μｍ以下がより好ましい。シートは、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡのような樹脂で形成することが好ましく、特にポリカーボネートで形成することが好ましい。また、透明層３０２は、レーザ光１０入射側に位置するため、光学的には短波長域における複屈折が小さいことが好ましい。
　次に、各情報層について説明する。始めに、第３の情報層３３０の構成について説明する。
　第３の情報層３３０は、上述したように、中間層３０４の一方の表面上に、誘電体層３３１、反射層３３２、誘電体層３３３、界面層３３４、記録層３３５、界面層３３６および誘電体層３３７が、この順に配置されることによって形成されている。
　第３の情報層３３０は、レーザ光１０が第１の情報層３１０および第２の情報層３２０に到達し得るように、高透過率となるように設計される。具体的には、記録層３３５が結晶相であるときの第３の情報層３３０の光透過率をＴｃ（％）、記録層３３５が非晶質相であるときの第３の情報層３３０の光透過率をＴａ（％）としたとき、５３％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、となることが好ましく、５６％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、となることがより好ましい。
　誘電体層３３１は、第３の情報層３３０の光透過率を高める機能を有する。材料は、透明で、波長４０５ｎｍのレーザ光１０に対して、屈折率が２．４以上あることが好ましい。誘電体層３３１の屈折率が小さいと、第３の情報層３３０の反射率比Ｒｃ／Ｒａが大きくなる反面、光透過率は小さくなる。４以上の反射率比と５３％以上の透過率とが得られる屈折率として、２．４以上の屈折率が好ましい。よって、屈折率が２．４未満であると、第３の情報層３３０の光透過率が低下して、第１の情報層３１０および第２の情報層３２０に十分なレーザ光１０が到達し得ない場合がある。
　誘電体層３３１の材料としては、例えばＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＴｉＯ2およびＷＯ3のうちの少なくともいずれか一つを含む材料を用いてよい。中でも、ＴｉＯ2は、屈折率が２．７と高く、耐湿性にも優れていることから、好ましく用いられる。あるいは、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＴｉＯ2およびＷＯ3のうちの少なくともいずれか一つを５０ｍｏｌ％以上含む材料を使用してもよい。例えば、（ＺｒＯ2）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）、（Ｂｉ2Ｏ3）60（ＳｉＯ2）40（モル％）、（Ｂｉ2Ｏ3）60（ＴｅＯ2）40（モル％）、（ＣｅＯ2）50（ＳｎＯ2）50（モル％）、（ＴｉＯ2）50（ＨｆＯ2）50（モル％）、（ＷＯ3）75（Ｙ2Ｏ3）25（モル％）、（Ｎｂ2Ｏ5）50（ＭｎＯ）50（モル％）、（Ａｌ2Ｏ3）50（ＴｉＯ2）50（モル％）等を用いてよい。あるいは、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＴｉＯ2およびＷＯ3のうちの少なくともいずれか２つを混合した材料を使用してもよい。例えば、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12（（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（モル％））、Ｂｉ2Ｔｉ4Ｏ11（（Ｂｉ2Ｏ3）20（ＴｉＯ2）80（モル％））、Ｂｉ12ＴｉＯ20（（Ｂｉ2Ｏ3）85.7（ＴｉＯ2）14.3（モル％））、（ＷＯ3）50（Ｂｉ2Ｏ3）50（モル％）、（ＴｉＯ2）50（Ｎｂ2Ｏ5）50（モル％）、（ＣｅＯ2）50（ＴｉＯ2）50（モル％）、（ＺｒＯ2）50（ＴｉＯ2）50（モル％）、（ＷＯ3）67（ＺｒＯ2）33（モル％）等を用いてよい。
　光学的計算によれば、誘電体層３３１の膜厚がλ／（８ｎ1）（ｎｍ）（λはレーザ光１０の波長、ｎ1は誘電体層３３１の屈折率）とその近傍において、第３の情報層３３０の透過率が最大値となる。反射率コントラスト（Ｒｃ－Ｒａ）／（Ｒｃ＋Ｒａ）は、誘電体層３３１の膜厚がλ／（１６ｎ1）以上、λ／（４ｎ1）以下の間で最大値をとる。よって、両者が両立するように誘電体層３３１の膜厚を選ぶことができ、９ｎｍ以上４２ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは８ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。なお、誘電体層３３１は２以上の層からなってもよい。
　反射層３３２は、光学的には記録層３３５に吸収される光量を増大させたり、記録層３３５が非晶質である場合と結晶である場合との第３の情報層３３０の反射率差を大きくしたりする機能を有する。また、熱的には記録層３３５で生じた熱を速やかに拡散させて記録層３３５を急冷し、非晶質化し易くする機能を有する。さらに、反射層３３２は、誘電体層３３３から誘電体層３３７までを含む多層膜を使用環境から保護する機能をも有する。
　反射層３３２は、記録層３３５の熱を速やかに拡散させる機能を有する。また、上記のように、第３の情報層３３０は高い光透過率を要するため、反射層３３２での光吸収は小さいことが望ましい。よって、反射層３３２は薄く設計することが好ましく、材料には、薄くても熱を速やかに拡散させることができる、熱伝導率が大きい材料を用いることが好ましい。
　具体的には、反射層３３２は、好ましくは、ＡｇまたはＡｇ合金を用いる。Ａｇ合金としては、例えば、Ａｇ－Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｇａ、Ａｇ－Ｇａ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｉｎ－Ｃｕ等の合金材料を用いてよい。あるいは、ＡｇもしくはＡｇ－Ｃｕに希土類金属を添加した材料を用いてもよい。中でもＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｇａ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｉｎ－Ｃｕは、光吸収が小さく、熱伝導率が大きく、耐湿性にも優れていることから、好ましく用いられる。膜厚は記録層の厚みとの調整になるが、好ましくは３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。３ｎｍよりも薄いと、均質な薄膜が形成されにくくなり、熱を拡散させる機能が低下して記録層３３５にマークが形成されにくくなる。また、１５ｎｍよりも厚いと、第３の情報層３３０の光透過率が５３％に満たなくなる。
　誘電体層３３３および３３７は、光学距離を調節して、第３の情報層３３０のＲｃ、Ｒａ、ＴｃおよびＴａを調節する機能を有する。また、記録層３３５の光吸収効率を高める機能と、記録層３３５を水分等から保護する機能を兼ね備える。特性としては、使用するレーザ波長に対して透明性が高く、耐湿性に加えて耐熱性にも優れていることが好ましい。
　誘電体層３３３および３３７の材料としては、酸化物、硫化物、窒化物、炭化物および弗化物、およびこれらの混合物を用いることができる。酸化物としては、例えばＡｌ2Ｏ3、Ａｌ2ＴｉＯ5、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13、Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＯ、ＣｅＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、ＧｅＯ2、ＨｆＯ2、Ｈｏ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｍ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｅＯ2、ＴｉＯ2、ＷＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＺｒＯ2およびＺｒＳｉＯ4等を用いてもよい。硫化物としては、例えばＺｎＳ等を用いてもよい。窒化物としては、例えばＡｌＮ、ＢＮ、ＣｒＮ、Ｇｅ3Ｎ4、ＨｆＮ、ＮｂＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＶＮおよびＺｒＮ等を用いてもよい。炭化物としては、例えばＡｌ4Ｃ3、Ｂ4Ｃ、ＣａＣ2、Ｃｒ3Ｃ2、ＨｆＣ、Ｍｏ2Ｃ、ＮｂＣ、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、ＶＣ、Ｗ2Ｃ、ＷＣおよびＺｒＣ等を用いてもよい。弗化物としては、例えばＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＤｙＦ3、ＥｒＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＬａＦ3、ＭｇＦ2、ＮｄＦ3、ＹＦ3およびＹｂＦ3等を用いてもよい。
　混合物としては、例えばＺｎＳ－ＳｉＯ2、ＺｎＳ－ＳｉＯ2－Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ－ＳｉＯ2－ＬａＦ3、ＺｒＯ2－ＳｉＯ2、ＺｒＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＳｉＯ2－Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｉｎ2Ｏ3およびＺｒＯ2－ＳｉＯ2－Ｉｎ2Ｏ3等を用いてもよい。
　第３の情報層３３０は５３％以上の高い透過率を要するため、誘電体層３３３および３３７の材料としては、酸化物、硫化物および弗化物より選ばれる少なくともいずれか一つを９０モル％以上含むことがより好ましい。たとえば、ＺｒＯ2を含む複合材料もしくは混合材料は、４０５ｎｍ付近の波長に対して透明性が高く、耐熱性にも優れている。ＺｒＯ2を含む材料には、ＺｒＯ2の代わりにＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3のいずれかをＺｒＯ2に添加した部分安定化ジルコニアまたは安定化ジルコニアを用いてもよい。また、ＺｒＯ2と化学的性質が似ているＨｆＯ2を、ＺｒＯ2の代わりに用いてもよい。
　反射層３３２と隣接する誘電体層３３３については、反射層３３２にＡｇまたはＡｇ合金を用いることが好ましいため、硫化物を含まないことがより好ましい。一方、レーザ光１０入射側に位置する誘電体層３３７には、より透明な材料を用いることが好ましい。例えば、ＺｎＳ－ＳｉＯ2は、非晶質で、熱伝導性が低く、高透明性および高屈折率を有し、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性および耐湿性にも優れた材料であるので、誘電体層３３７の材料として好ましい。誘電体層３３７として、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）が特に好ましく用いられる。あるいは、誘電体層３３３もしくは誘電体層３３７を、上記酸化物等や混合物を積層した２以上の層で形成してもよい。
　光路長は誘電体層の屈折率ｎと誘電体層の膜厚ｄとの積ｎｄであって、ｎｄ＝ａλで表される（λはレーザ光１０の波長、ａは正の数）。光路長は、例えばマトリクス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書、１９７１年、第３章を参照）に基づく計算によって正確に決定することができる。光路長ｎｄから、膜厚ｄを決定することができる。
　本実施の形態では、一例として、第３の情報層３３０は、透過率（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）が５６％、反射率Ｒｃが２．２％、反射率Ｒａが０．３％となるように設計される。屈折率が１．５から３である誘電体材料を誘電体層３３３および誘電体層３３７に用いる場合、誘電体層３３３の厚さは２０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましい。また、誘電体層３３７の厚さは１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。
　なお、誘電体層３３３および誘電体層３３７は、必要に応じて設けることができる。界面層３３４が上記の誘電体層３３３の機能を兼ね備える場合には、誘電体層３３３は必ずしも設けられる必要はない。同様に、界面層３３６が上記の誘電体層３３７の機能を兼ね備える場合には、誘電体層３３７は必ずしも設けられる必要はない。例えば、第３の情報層３３０は、中間層３０４上に、誘電体層３３１、反射層３３２、界面層３３４、記録層３３５、界面層３３６および誘電体層３３７がこの順に配置された構成を有していてもよいし、誘電体層３３１、反射層３３２、界面層３３４、記録層３３５および界面層３３６がこの順に配置された構成を有していてもよい。あるいは、第３の情報層３３０は、中間層３０４上に、誘電体層３３１、反射層３３２、誘電体層３３３、界面層３３４、記録層３３５および界面層３３６がこの順に配置された構成を有していてもよい。
　次に、界面層３３４（誘電体層ａ）および界面層３３６（誘電体層ｂ）について説明する。界面層３３４と界面層３３６は、いずれも記録層３３５と接して設けられている。記録層３３５と接して設けられる界面層には、（１）融点が高く記録の際に溶融しないこと、（２）カルコゲナイド材料である記録層との密着性が良好であること、が少なくとも要求される。先にも述べたように、記録時には記録マークを形成する領域が融点以上に加熱されて溶融されるので、一連の記録消去動作の中では記録時が最も高温になる。本発明において用いられる記録層の材料には、融点が７００℃を超える材料も含まれるため、界面層３３４および３３６が記録の際に溶融しないためには、公称１０００℃以上の融点を有することが好ましい。数ナノメータ程度の薄膜であるから、公称値の融点よりも低い温度で、拡散や分解、融解が生じる可能性があるからである。
　界面層３３４の場合、高融点と密着性に加えて高透明性が要求される。複素屈折率ｎａ－ｉｋａにおいて（ｎａ：界面層３３４の屈折率、ｋａ：界面層３３４の消衰係数）、ｋａが小さいほど第３の情報層３３０の反射率比Ｒｃ／Ｒａを大きくすることができ、ｎａが小さければその効果はより大きくなる。ここで、ｋａは０．０７以下が好ましく、０．０４以下がより好ましい。また、ｎａは界面層３３６の屈折率ｎｂよりも相対的に小さいことがより好ましい。
　界面層３３４には、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｍと、Ｃｒと、Ｏとを含む材料を用いる。その組成は、ＭcＣｒdＯ100-c-d（原子％）で表すことができ、添え字ｃ、ｄおよび１００－ｃ－ｄは、原子％で表されるＭ、ＣｒおよびＯの組成比を示す。この場合、ｃおよびｄは、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２０＜（ｃ＋ｄ）＜５０を満たすことが好ましい。この組成範囲において、高い透明性とカルコゲナイド記録膜との優れた密着性とを両立することができる。なお、界面層３３４は、元素Ｍ、ＣｒおよびＯを含んでいればよいが、元素Ｍ、ＣｒおよびＯを主成分として含んでいることが好ましい。本発明の効果をより確実に得るために、界面層３３４が、実質的に元素Ｍ、ＣｒおよびＯから形成されていてもよい。本明細書において、界面層３３４が、元素Ｍ、ＣｒおよびＯを主成分として含むとは、界面層３３４に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、元素Ｍ、ＣｒおよびＯの原子の合計が９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上であることをいう。また、界面層３３４が実質的に元素Ｍ、ＣｒおよびＯから形成されるとは、例えば不純物等として他の成分が微量に混入していてもよいが、元素Ｍ、ＣｒおよびＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。
　具体的な材料は、例えばＡｌ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｄｙ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｄｙ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｄｙ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｄｙ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｎｂ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｎｂ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ａｌ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｎｂ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｎｂ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｄｙ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｎｂ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｓｉ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｙ－Ｃｒ－Ｏ等を用いてよい。
　やや価格が高くなるが、上記材料に含まれるＣｒの一部を、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換してもよい。例えば、Ａｌ－Ｃｒ－Ｏを、Ａｌ－Ｃｒ－Ｉｎ－ＯもしくはＡｌ－Ｃｒ－Ｇａ－ＯもしくはＡｌ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｏとしてもよい。あるいは、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏを、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－ＯもしくはＡｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｇａ－ＯもしくはＡｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｏとしてもよい。また別の例として、Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏを、Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－ＯもしくはＡｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｇａ－ＯもしくはＡｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｏとしてもよい。Ｃｒの一部を、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換することにより、界面層３３４の密着性を低下させないで、消衰係数ｋａを小さくして透明性を高めたり、屈折率ｎａを小さくしたりすることができる。
　元素Ｍの酸化物は、透明で融点も高い。したがって、元素Ｍは、酸化物の状態で界面層３３４に含まれていることが好ましい。元素Ｍの酸化物として、界面層３３４は、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｄを含んでよい。各酸化物Ｄの融点および複素屈折率は、Ａｌ2Ｏ3は、融点が約２０００℃で複素屈折率が１．６６－ｉ０．００、Ｄｙ2Ｏ3は融点が２０００℃で複素屈折率が２．０４－ｉ０．０１、Ｎｂ2Ｏ5は融点が約１５００℃で複素屈折率が２．５１－ｉ０．０１、ＳｉＯ2は融点が約１７００℃で複素屈折率が１．４７－ｉ０．００、ＴｉＯ2は融点が約１８００℃で複素屈折率が２．６８－ｉ０．０１、Ｙ2Ｏ3は融点が約２４００℃で複素屈折率が１．９４－ｉ０．０１である。ただし、融点は固体の文献値であり、複素屈折率は本発明者の実験値である。
　界面層３３４は、元素Ｍの複合酸化物を含んでもよく、例えば酸化物Ｄの複合酸化物を含んでもよい。例えば、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2との複合酸化物であるＡｌ6Ｓｉ2Ｏ13［＝（Ａｌ2Ｏ3）60（ＳｉＯ2）40（モル％）］やＡｌ2ＴｉＯ5［＝（Ａｌ2Ｏ3）50（ＴｉＯ2）50（モル％）］を含ませることができる。Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13は、融点が約１９００℃で複素屈折率が１．５９－ｉ０．００、Ａｌ2ＴｉＯ5は、融点が約１９００℃で複素屈折率が２．１７－ｉ０．０１である。
　界面層３３４は、元素Ｍの酸化物として、上記の化合物や複合酸化物以外に、低酸化物（化学量論組成よりも酸素が少ない酸化物）や混合物を含んでもよい。
　界面層３３４が元素Ｍの低酸化物を含む場合は、Ａｌの低酸化物、Ｄｙの低酸化物、Ｎｂの低酸化物、Ｓｉの低酸化物、Ｔｉの低酸化物、Ｙの低酸化物、Ａｌ－Ｓｉの低酸化物およびＡｌ－Ｔｉの低酸化物より選ばれる少なくともいずれか一つを含んでもよい。元素Ｍの酸化物の混合物として、酸化物Ｄの混合物を含む場合は、界面層３３４は、例えばＡｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2、ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3等より選ばれる少なくともいずれか一つを含んでもよい。
　界面層３３４の材料としては、これら酸化物ＤとＣｒの酸化物とを含む材料を用いることが好ましい。その組成は、（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）で表され、添え字ｈおよび１００－ｈがモル％で表されるＤおよびＣｒ2Ｏ3の組成比を示し、ｈが、５０≦ｈ＜１００を満たすことがより好ましい。Ｃｒの酸化物は、界面層３３４において、Ｃｒ2Ｏ3として存在することが好ましく、Ｃｒ2Ｏ3の低酸化物として存在していてもよい。界面層３３４は、実質的に（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）で表される材料から形成されていてもよい。実質的に（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）で表される材料から形成されるとは、界面層３３４に含まれる酸化物ＤおよびＣｒ2Ｏ3の酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。
　前述したように、カルコゲン系の記録層と優れた密着性を示す誘電体材料は非常に少なく、本発明者の実験によれば、Ｃｒ2Ｏ3が最も好ましい材料、との結論に至った。ただ、Ｃｒ2Ｏ3の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは約０．２と大きいため、密着性に優れていても単独では使えない。それ故、高透明性を確保するために、Ｃｒ2Ｏ3の含有量を５０ｍｏｌ％以下とし、且つＣｒ2Ｏ3を５０ｍｏｌ％以下だけ含んでも密着性が確保できるような酸化物Ｄが厳密に選ばれた。
　界面層３３４の材料として、酸化物ＤとＣｒ2Ｏ3との混合物を用いる場合、具体的には、Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3およびＹ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3を用いることができる。あるいは、酸化物Ｄの複合酸化物とＣｒ2Ｏ3との混合物を用いる場合は、具体的には、例えばＡｌ6Ｓｉ2Ｏ13－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2ＴｉＯ5－Ｃｒ2Ｏ3を用いてよい。あるいは、元素Ｍの低酸化物とＣｒ2Ｏ3との混合物を用いてよい。
　あるいは、酸化物Ｄの混合物とＣｒ2Ｏ3との混合物を用いることもできる。具体的にはＡｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2ＴｉＯ5－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2ＴｉＯ5－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2ＴｉＯ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2ＴｉＯ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3等より選ばれる少なくともいずれか一つを用いることができる。
　酸化物Ｄとしては、薄膜形成時に酸素欠損を生じにくいＡｌの酸化物もしくはＡｌの複合酸化物を含むことがより好ましい。具体的にはＡｌ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13、Ａｌ2ＴｉＯ5が挙げられる。
　やや価格が高くなるが、上記材料に含まれるＣｒ2Ｏ3の一部を、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくとも一つの酸化物で置換してもよい。例えば、Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3を、Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3もしくはＡｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3としてもよい。あるいは、Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を、Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3もしくはＡｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3としてもよい。また別の例として、Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を、Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3もしくはＡｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3としてもよい。Ｃｒ2Ｏ3の一部を、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくとも一つの酸化物で置換することにより、界面層３３４の密着性を低下させないで、消衰係数ｋａを小さくして透明性を高めたり、屈折率ｎａを小さくしたりすることができる。この場合、界面層３３４におけるＧａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3の含有量の合計は、３０モル％以下とすることが好ましい。Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3の含有量が多くなりすぎると、Ｃｒ2Ｏ3の含有量が少なくなりすぎて、界面層３３４の耐熱性が低下して繰り返し書換回数の低下が始まる場合があるためである。ここで、Ｃｒ2Ｏ3は、融点が約２３００℃で複素屈折率が２．７０－ｉ０．２０、Ｇａ2Ｏ3は、融点が約１７００℃で複素屈折率が１．９３－ｉ０．０１、Ｉｎ2Ｏ3は、融点が約１９００℃で複素屈折率が２．１２－ｉ０．０６である。ただし、融点は固体の文献値であり、複素屈折率は本発明者の実験値である。
　界面層３３６（誘電体層ｂ）の場合、高融点と密着性に加えて高耐熱性が要求される。前述したように、本発明者の熱計算によると、第３の情報層３３０や第２の情報層３２０のような半透明な情報層では、記録層にレーザ光を照射して記録を行う際、最も温度が上がるのは、記録層ではなく、記録層に対してレーザ光入射側に設けられた界面層（誘電体層ｂ）である。そのため、界面層３３６には、界面層３３４よりも耐熱性の高い材料が必要になる。また、後述するが、薄膜層の形成順序は、記録層３３５を形成した後で界面層３３６を形成する。したがって、界面層３３６の構成成分が形成中に分解したり拡散したりして記録層３３５に混ざらないように、構造安定性も求められる。高融点に加えて、少なくとも１０００℃までは拡散や分解が生じないことが好ましい。
　界面層３３６の材料としては、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含む材料を用いる。その組成は、ＡfＣｒgＯ100-f-g（原子％）で表すことができ、添え字ｆ、ｇおよび１００－ｆ－ｇは、原子％で表されるＡ、ＣｒおよびＯの組成比を示す。この場合、ｆおよびｇが、４＜ｆ＜１６、２１＜ｇ＜３５、且つ３０＜（ｆ＋ｇ）＜５０を満たすことが好ましい。この組成範囲において、カルコゲナイド記録膜との優れた密着性と高い耐熱性とを両立することができる。具体的には、Ｚｒ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｃｒ－Ｏを用いてよい。なお、界面層３３６は、元素Ａ、ＣｒおよびＯを含んでいればよいが、元素Ａ、ＣｒおよびＯを主成分として含んでいることが好ましい。本発明の効果をより確実に得るために、界面層３３６が、実質的に元素Ａ、ＣｒおよびＯから形成されていてもよい。本明細書において、界面層３３６が、元素Ａ、ＣｒおよびＯを主成分として含むとは、界面層３３６に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、元素Ａ、ＣｒおよびＯの原子の合計が９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上であることをいう。また、界面層３３６が実質的に元素Ａ、ＣｒおよびＯから形成されるとは、例えば不純物等として他の成分が微量に混入していてもよいが、元素Ａ、ＣｒおよびＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。
　界面層３３６は、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｘをさらに含んでもよい。この場合、界面層３３６は、ＡkＣｒmＸnＯ100-k-m-n（原子％）で表され、添え字ｋ、ｍ、ｎおよび１００－ｋ－ｍ－ｎが原子％で表されるＡ、Ｃｒ、ＸおよびＯの組成比を示し、ｋ、ｍおよびｎが、１＜ｋ＜１８、３＜ｍ＜３５、０＜ｎ＜３１、且つ２５＜（ｋ＋ｍ＋ｎ）＜５０を満たす材料を含むことが好ましい。元素Ｘを含ませることにより、界面層３３６の屈折率ｎｂを調節することができる。元素Ｘの中でも、Ｔｉは、屈折率を大きくする効果が大きい。この場合、界面層３３６は、元素Ａ、Ｃｒ、元素ＸおよびＯを含んでいればよいが、元素Ａ、Ｃｒ、元素ＸおよびＯを主成分として含んでいてもよく（元素Ａ、Ｃｒ、元素ＸおよびＯの原子の合計が９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上）、実質的に元素Ａ、Ｃｒ、元素ＸおよびＯから形成されていてもよい（元素Ａ、Ｃｒ、元素ＸおよびＯの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上）。
　具体的には、例えばＺｒ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｄｙ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｄｙ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｄｙ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｄｙ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｎｂ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｎｂ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ａｌ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ａｌ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ａｌ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｄｙ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｄｙ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｄｙ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｄｙ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｎｂ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｎｂ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｈｆ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｄｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｄｙ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｄｙ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｄｙ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｄｙ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｎｂ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｎｂ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｎｂ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｓｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｔｉ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ、Ｚｒ－Ｈｆ－Ｙ－Ｃｒ－Ｏ等を用いてよい。
　やや価格が高くなるが、上記材料に含まれるＣｒの一部を、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換してもよい。例えば、Ｚｒ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｏを、Ｚｒ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｇａ－ＯもしくはＺｒ－Ａｌ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｏとしてもよい。あるいは、Ｚｒ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｏを、Ｚｒ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｇａ－ＯもしくはＺｒ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｏとしてもよい。また別の例として、Ｚｒ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｏを、Ｚｒ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｏ、Ｚｒ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｇａ－ＯもしくはＺｒ－Ａｌ－Ｔｉ－Ｃｒ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｏとしてもよい。Ｃｒの一部を、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換することにより、界面層３３６の密着性および耐熱性を低下させないで、消衰係数ｋｂを小さくして透明性を高めることができる。
　元素Ａの酸化物は、透明で且つ高融点を有する。したがって、元素Ａは、酸化物の状態で界面層３３６に含まれていることが好ましい。元素Ａの酸化物として、界面層３３６は、ＺｒＯ2およびＨｆＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物ＡＯ2を含んでよい。酸化物ＡＯ2としては、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2またはＺｒＯ2－ＨｆＯ2が挙げられる。ここで、ＺｒＯ2は、融点が約２７００℃で複素屈折率が２．１８－ｉ０．０１、ＨｆＯ2は、融点が約２８００℃で複素屈折率が２．１４－ｉ０．００である。ただし、融点は固体の文献値であり、複素屈折率は本発明者の実験値である。
　界面層３３６の材料としては、これら酸化物ＡＯ2とＣｒの酸化物とを含む材料を用いることが好ましい。その組成は、（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）で表され、添え字ｊおよび１００－ｊがモル％で表されるＡＯ2とＣｒ2Ｏ3との組成比を示し、ｊが、２０≦ｊ≦６０を満たすことがより好ましい。これにより、ＺｒＯ2もしくはＨｆＯ2の密着性不足分をＣｒ2Ｏ3で補うことができる。この場合、界面層３３６は、（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）で表される材料を含んでいればよいが、実質的に（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）で表される材料から形成されていてもよい。実質的に（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）で表される材料から形成されるとは、界面層３３６に含まれる酸化物ＡＯ2およびＣｒ2Ｏ3の酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。
　Ｃｒの酸化物は、界面層３３６において、Ｃｒ2Ｏ3として存在することが好ましく、Ｃｒ2Ｏ3の低酸化物として存在していてもよい。ＺｒＯ2は透明で、本発明者の分析によれば、少なくとも１０００℃までは拡散や分解が生じないという構造安定性が得られた。また、ＺｒＯ2と化学的性質が似ているＨｆＯ2も、同様に構造安定性を有する。しかし、ＨｆＯ2は価格が高いため、ＺｒＯ2を用いることがより好ましい。
　界面層３３６の材料として、元素Ａの酸化物とＣｒの酸化物との混合物としては、具体的には、ＺｒＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を用いることができる。
　元素Ｘの酸化物は、透明で融点も高い。元素Ｘの酸化物としては、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｌを含んでよい（融点と複素屈折率は、酸化物Ｄの説明に同じ）。その組成は、（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）で表され、添え字ｐ、ｔおよび１００－ｐ－ｔがモル％で表されるＡＯ2、Ｃｒ2Ｏ3およびＬの組成比を示し、ｐおよびｔが、２０≦ｐ≦６０、２０≦ｔ＜８０、且つ６０≦（ｐ＋ｔ）＜１００を満たすことがより好ましい。酸化物Ｌを含ませることにより、界面層３３６の屈折率ｎｂを調節することができる。酸化物Ｌの中でも、ＴｉＯ2は屈折率を大きくする効果が大きい。この場合、界面層３３６は、（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）で表される材料を含んでいればよいが、実質的に（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）で表される材料から形成されていてもよい。実質的に（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）で表される材料から形成されるとは、界面層３３６に含まれる酸化物ＡＯ2およびＣｒ2Ｏ3および酸化物Ｌの酸化物の合計が９５モル％以上、好ましくは９８モル％以上であることをいう。
　具体的には、例えばＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｄｙ2Ｏ3－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｎｂ2Ｏ5－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－ＳｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－ＴｉＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2－ＨｆＯ2－Ｙ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3等を用いてよい。ＺｒＯ2－ＳｉＯ2は、少なくともその一部がＺｒＳｉＯ4として存在してもよい。ＨｆＯ2－ＳｉＯ2も、少なくともその一部がＨｆＳｉＯ4として存在してもよい。
　酸化物Ｌとしては、透明性の高い、消衰係数が０．０２以下を満たすＡｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2より選ばれる少なくとも一つを含むことがより好ましい。
　やや価格が高くなるが、上記材料に含まれるＣｒ2Ｏ3の一部を、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換してもよい。例えば、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3を、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3もしくはＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3としてもよい。あるいは、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3もしくはＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3としてもよい。また別の例として、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3を、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3もしくはＺｒＯ2－Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3－Ｇａ2Ｏ3－Ｉｎ2Ｏ3としてもよい。Ｃｒ2Ｏ3の一部を、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくとも一つの酸化物で置換することにより、界面層３３６の密着性および耐熱性を低下させないで、消衰係数ｋｂを小さくして透明性を高めることができる。この場合、界面層３３６におけるＧａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3の含有量の合計は、２０モル％以下とすることが好ましい。Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3の含有量が多くなりすぎると、Ｃｒ2Ｏ3の含有量が少なくなりすぎて、界面層３３６の耐熱性が低下して繰り返し書換回数の低下が始まる場合があるためである。
　界面層３３４（誘電体層ａ）と界面層３３６（誘電体層ｂ）の複素屈折率を、ｎａ－ｉｋａおよびｎｂ－ｉｋｂとしたとき（ｎａ：界面層３３４の屈折率、ｋａ：界面層３３４の消衰係数、ｎｂ：界面層３３６の屈折率、ｋｂ：界面層３３６の消衰係数）、ｎａ＜ｎｂを満たすことがより好ましい。このような関係において、第３の情報層３３０の反射率比Ｒｃ／Ｒａをより大きくすることができる。このような関係は、特に、反射率が低く半透明な情報層においてより大きな効果を得ることができる。
　界面層３３４の膜厚は、記録層３３５との密着性が確保でき、記録層３３５への他層からの原子拡散を抑制できるよう、１ｎｍ以上であることが好ましい。また、界面層３３４の膜厚は、誘電体層３３３の膜厚と合わせた厚さが３０ｎｍ以下となるようにすることが好ましく、２５ｎｍ以下となるようにすることがより好ましい。界面層３３４には透明性の高い材料を用いるので、誘電体層３３３の機能を兼ねる場合は、３０ｎｍまで厚くしてもよい。
　界面層３３６の膜厚は、記録層３３５との密着性が確保でき、記録層３３５への他層からの原子拡散を抑制できるよう、１ｎｍ以上であることが好ましい。また、光学的な影響を及ぼさないよう、消衰係数ｋｂが大きいほど薄くすることが好ましい。界面層３３６の膜厚は、誘電体層３３７の膜厚と合わせた厚さが１５ｎｍ以上７０ｎｍ以下となるようにすることが好ましく、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下となるようにすることがより好ましい。
　ここで、上記界面層３３４および３３６、誘電体層３３３および３３７の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された上記界面層３３４および３３６、誘電体層３３３および３３７には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ，Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）等が不可避に含まれることがあり、これらの分析方法でこれらの成分が検出されることがある。これらの成分（本発明において界面層に含まれる成分として特定した成分以外の他の成分）は、界面層や誘電体層に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、他の成分を除く界面層の成分が、前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する界面層３２４、３２６、３１４、３１６、誘電体層３２３、３２７、３１３、３１７にも同様に適用され、また以降の実施の形態で説明する界面層４１４、４１６、４２４、４２６、４３４、４３６、４４４、４４６、２１４、２１６、２２４、２２６、１１４、１１６、誘電体層４１３、４１７、４２３、４２７、４３３、４３７、４４３、４４７、２１３、２１７、２２３、２２７、１１３、１１７にも同様に適用される。
　記録層３３５は、レーザ光１０の照射によって相変化を起こす材料によって形成されており、例えば、Ｇｅ-Ｔｅ、Ｓｂ－ＧｅおよびＳｂ－Ｔｅより選ばれる少なくともいずれか一つを含む。この材料構成により、例えば容量を３３．４ＧＢに向上させた第３の情報層３３０に、情報を記録または再生することができる。材料としては、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料、ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料、Ｓｂ-Ｔｅ共晶系材料、またはＧｅ-Ｓｂ共晶系材料を用いることができる。これらの材料は、大きな結晶化速度、大きな光学変化および高い結晶化温度を併せ持つ相変化記録材料である。ここで、結晶化速度とは、アモルファス相から結晶相に転移する相対的な速さ、光学変化とは、結晶相における複素屈折率と非晶質相における複素屈折率の差、結晶化温度とは、アモルファス相から結晶相に転移する温度として定義する。
　ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料は、ＧｅとＴｅを１：１で含むＧｅＴｅと、ＳｂとＴｅを２：３で含むＳｂ2Ｔｅ3とを含み、結晶構造は岩塩型構造である。岩塩型構造は対象性が高いので、アモルファス相と結晶相間の可逆的相転移に要する時間が短くなる、すなわち結晶化速度が大きい。Ｓｂ2Ｔｅ3が多いほど相対的に結晶化速度は大きくなる。ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料を組成比（原子％）で表す場合、ｘ（ｘは、０＜ｘ＜１００を満たす）を用いて、（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）x（Ｓｂ0.4Ｔｅ0.6）100-xと書き表すことができる。ＧｅＴｅが大きな光学変化を示すので、この式において、ｘ≦８０、すなわちＧｅが４０原子％に満たないと、波長約４０５ｎｍの青紫色レーザに対して光学変化が不足して、十分な信号品質が得られない場合がある。また、９６＜ｘ、すなわちＧｅを４８％より多く含むと、結晶化速度が不足して十分な書き換え性能が得られない場合がある。よって、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料におけるＧｅの濃度は、４０原子％以上４８原子％以下が好ましい。
　ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料は、ＧｅとＴｅを１：１で含むＧｅＴｅと、ＢｉとＴｅを２：３で含むＢｉ2Ｔｅ3とを含み、同様に岩塩型の結晶構造をもつ。Ｂｉ2Ｔｅ3は、Ｓｂ2Ｔｅ3よりもさらに結晶化しやすいので、ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料は、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料よりも大きな結晶化速度を有する。Ｂｉ2Ｔｅ3が多いほど相対的に結晶化速度は大きくなる。ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料を組成比（原子％）で表す場合、ｙ（ｙは、０＜ｙ＜１００を満たす）を用いて、（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）y（Ｂｉ0.4Ｔｅ0.6）100-yと書き表すことができる。上記同様、Ｇｅが４０原子％に満たないと、十分な信号品質が得られない場合がある。また、結晶化速度が大きい分、Ｇｅ濃度の範囲は大きく、９９＜ｘ、すなわちＧｅを４９．５％より多く含むと、結晶化速度が不足して十分な書き換え性能が得られない場合がある。よって、ＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料におけるＧｅの濃度は、４０原子％以上４９．５原子％以下が好ましい。
　ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料およびＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料では、結晶化速度を調整したり、書換え保存信頼性を高めたりするために、Ｇｅの一部をＳｎで置換してもよい。あるいは、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料やＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料を、Ｓｎ50Ｔｅ50やＧｅaＳｎ50-aＴｅ50と積層することによって、記録層３３５を形成してもよい。また、記録保存信頼性を高めるために、ＳｂまたはＢｉの一部をＡｌ、Ｇａ、Ｉｎのうちの少なくともいずれか一つで置換してもよいし、あるいは、Ａｌ2Ｔｅ3、Ｇａ2Ｔｅ3、もしくはＩｎ2Ｔｅ3と積層することによって記録層３３５を形成してもよい。あるいは、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料とＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料とを混合して、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3－Ｂｉ2Ｔｅ3系材料として用いてもよいし、ＧｅＴｅ－Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系材料とＧｅＴｅ－Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系材料とを積層して用いてもよい。これらの効果的要素を組み合わせて用いてもよい。
　Ｇｅ-Ｓｂ共晶系材料においても、適切な組成範囲内であれば任意にＳｂ組成比を決めることができ、大きな結晶化速度と高い結晶化温度を持ち合わせる。Ｓｂ自体は、室温でも薄膜状態で結晶化するほど結晶性が強いが、記録保存信頼性に劣ることと、光学変化が小さいことからＧｅを添加した系が好ましく用いられる。この系は、Ｓｂ-Ｔｅ系よりも相対的に結晶化速度が大きく、結晶化温度が高いので、保存信頼性に関しては優れた材料である。波長約４０５ｎｍの青紫色レーザに対して良好な記録再生性能を得るためには、Ｓｂ濃度は６０原子％以上が好ましい。Ｓｂ濃度が６０原子％を下回ると、結晶化速度が不足して十分な書き換え性能が得られない場合がある。また、Ｓｂ濃度が９０原子％を超えると、記録保存信頼性が低下する場合がある。光学変化を大きくしたり、結晶化速度を調整したりするために、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＺｎのうちの少なくともいずれか一つを、１５原子％以下の組成比で添加してもよい。ｚ１を、Ｓｂ－Ｇｅ全体を１とした場合のＳｂの原子数比とし、ｚ２を、Ｓｂ－ＧｅにＭ１を添加した材料全体を１００原子％とした場合のＳｂ－Ｇｅの原子％とした場合、（Ｓｂz1Ｇｅ1-z1）z2Ｍ１100-z2と書き表すことができる。但し、Ｍ１は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ、Ｇｅ、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＺｎのうち少なくともいずれか一つを示し、０．６≦ｚ１≦０．９且つ８０≦ｚ２＜１００を満たすことが好ましい。
　Ｓｂ－Ｔｅ共晶系材料は、適切な組成範囲内であれば任意にＳｂ組成比を決めることができ、大きな結晶化速度と高い結晶化温度を持ち合わせる。Ｓｂ自体は、室温でも薄膜状態で結晶化するほど結晶性が強いが、記録保存信頼性に劣ることと、光学変化が小さいことからＴｅを添加した系が好ましく用いられる。波長約４０５ｎｍの青紫色レーザに対して良好な記録再生性能を得るためには、Ｓｂ濃度６０原子％以上が好ましい。Ｓｂ濃度が６０原子％を下回ると、結晶化速度が不足して十分な書き換え性能が得られない。また、Ｓｂ濃度が９０原子％を超えると、記録保存信頼性が低下する。また、結晶化温度を高めたり、記録保存信頼性を確保したりするために、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅのうちの少なくともいずれか一つを１０原子％以下の組成比で添加してもよい。あるいは、書換え保存信頼性を確保するために、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎのうちの少なくとも一つを１０原子％以下の組成比で添加してもよい。これらの効果的要素を組み合わせて用いてもよい。ｚ３を、Ｓｂ－Ｔｅ全体を１とした場合のＳｂの原子数比とし、ｚ４を、Ｓｂ－ＴｅにＭ１を添加した材料全体を１００原子％とした場合のＳｂ－Ｔｅの原子％とした場合、（Ｓｂz3Ｔｅ1-z3）z4Ｍ１100-z4と書き表すことができる。但し、Ｍ１は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ、Ｇｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくとも一つを示し、０．６≦ｚ３≦０．９且つ８０≦ｚ４＜１００が好ましい。
　ここで、記録層３３５の組成は、例えば、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析や、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）で分析することができる。ＣやＢのような軽元素を含む場合は、ＸＭＡまたはＥＰＭＡが適している。
　スパッタリングで形成された記録層３３５には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ，Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）等が不可避に含まれることがあり、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡ等の分析でこれらの成分が検出されることがある。これらの成分（記録層に含まれる成分として上記で特定した成分以外の他の成分）は、記録層に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、他の成分を除く記録層の成分が、前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録層３２５、３１５にも同様に適用され、また以降の実施の形態で説明する記録層４１５、４２５、４３５、４４５、２１５、２２５および１１５にも同様に適用される。
　記録層３３５の膜厚は、３ｎｍ以上８ｎｍ以下が好ましい。８ｎｍを超えると第３の情報層３３０の光透過率が低下し、３ｎｍ未満であると記録層３３５の光学的変化が小さくなる。記録層は膜厚が薄くなると結晶化速度が低下するため、記録層３３５は、記録層３２５や記録層３１５で用いる組成比よりも、より大きな結晶化速度を有する組成比を用いることが好ましい。
　次に、第２の情報層３２０の構成について説明する。
　第２の情報層３２０は、中間層３０３の一方の表面上に、誘電体層３２１、反射層３２２、誘電体層３２３、界面層３２４、記録層３２５、界面層３２６および誘電体層３２７が、この順に配置されることによって形成されている。
　第２の情報層３２０は、レーザ光１０が第１の情報層３１０に到達し得るように、高透過率となるように設計される。具体的には、記録層３２５が結晶相であるときの第２の情報層３２０の光透過率をＴｃ（％）、記録層３２５が非晶質相であるときの第２の情報層３２０の光透過率をＴａ（％）としたとき、４７％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、となることが好ましく、５０％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、となることがより好ましい。第２の情報層３２０は、たとえば、透過率（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）が５０％、反射率Ｒｃが７％、反射率Ｒａが１％となるように設計してよい。一例として、（Ｔｃ＋Ｔａ）／２が５０％の場合、Ｔｃが４９％、Ｔａが５１％であってよい。あるいは、Ｔｃが５０％、Ｔａが５２％であってよい。ＴｃとＴａは近い値であることが好ましいが、等しくなくてもよい。
　誘電体層３２１は、誘電体層３３１と同様の機能を有し、好ましい材料も同様である。第２の情報層３２０において、４以上の反射率比と４７％以上の透過率とが得られるよう、誘電体層３２１の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、誘電体層３２１も２以上の層からなってもよい。
　反射層３２２は、反射層３３２と同様の機能を有し、好ましい材料も同様である。膜厚は５ｎｍ以上１８ｎｍ以下が好ましい。５ｎｍよりも薄いと、熱を拡散させる機能が低下して記録層３２５にマークが形成されにくくなる。また、１８ｎｍよりも厚いと、第２の情報層３２０の透過率が４７％に満たなくなる。
　誘電体層３２３および３２７は、光路長ｎｄを調節して、第２の情報層３２０のＲｃ、Ｒａ、ＴｃおよびＴａを調節する機能を有する。例えば、４７％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、７％≦Ｒｃ、Ｒａ≦１．８％を満足するように、誘電体層３２３および誘電体層３２７の光路長ｎｄをマトリクス法に基づく計算により厳密に決定することができる。屈折率が１．５から３である誘電体材料を誘電体層３２３および３２７とする場合、誘電体層３２７の厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。また、誘電体層３２３の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
　誘電体層３２３および３２７の材料は、上記の誘電体層３３３および３３７の材料より選択することができる。
　なお、誘電体層３２３および３２７も、誘電体層３３３および３３７同様、必要に応じて設ければよい。界面層３２４が誘電体層３２３の機能を兼ね備える場合には、誘電体層３２３は必ずしも設ける必要はなく、同様に、界面層３２６が誘電体層３２７の機能を兼ね備える場合には、誘電体層３２７は必ずしも設ける必要はない。
　界面層３２４（誘電体層ａ）および界面層３２６（誘電体層ｂ）は、界面層３３４および３３６と同様の機能を有し、好ましい材料も同様である。
　界面層３２４の膜厚は、記録層３２５との密着性が確保でき、記録層３２５への他層からの原子拡散を抑制できるよう、１ｎｍ以上であることが好ましい。また、界面層３２４の膜厚は、誘電体層３２３と合わせた厚さが５０ｎｍ以下となるようにすることが好ましく、４０ｎｍ以下となるようにすることがより好ましい。界面層３２４には透明性の高い材料を用いるので、誘電体層３２３の機能を兼ねて５０ｎｍまで厚くしてよい。界面層３２６の膜厚は、記録層３２５との密着性が確保でき、記録層３２５への他層からの原子拡散を抑制できるよう、１ｎｍ以上であることが好ましい。また、光学的に影響しないよう、消衰係数が大きいほど薄くすることが好ましい。界面層３２６の膜厚は、誘電体層３２７の膜厚と合わせた厚さが１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるようにすること好ましく、２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下となるようにすることがより好ましい。
　記録層３２５は、記録層３３５と同様の機能を有する。また、第２の情報層３２０は４７％以上の透過率を要するため、記録層３２５の膜厚は３ｎｍ以上９ｎｍ以下が好ましい。９ｎｍを超えると第２の情報層３２０の光透過率が低下し、３ｎｍ未満であると記録層３２５の光学的変化が小さくなる。記録層は、膜厚が薄くなると結晶化速度が低下するため、記録層３２５は、記録層３１５で用いる組成よりも、より大きな結晶化速度を有する組成を用いることが好ましい。
　次に、第１の情報層３１０の構成について説明する。
　第１の情報層３１０は、基板３０１の一方の表面上に、反射層３１２、誘電体層３１３、界面層３１４、記録層３１５、界面層３１６および誘電体層３１７が、この順に配置されることによって形成されている。
　第１の情報層３１０には、第３の情報層３３０および第２の情報層３２０を通過して減衰したレーザ光１０によって情報が記録再生される。したがって、出力可能なレーザパワー範囲内で記録でき、且つ再生パワーで信号が検出されなくてはならない。そのため、半透明な第３の情報層３３０や第２の情報層３２０とは異なり、高反射率、高光吸収率に設計される。例えば、実効Ｒｃ－ｇを少なくとも１．５％得るためには、Ｒｃ－ｇは１９％以上、またＲｃは約２４％以上となる。
　反射層３１２は、反射層３３２と同様の機能を有する。ただ、第１の情報層３１０は半透明である必要がないため、反射層３１２の膜厚を厚くでき、好ましい材料の選択肢も増える。例えば、Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕより選ばれる金属またはこれらの合金を用いることができる。その耐湿性を向上させたり、熱伝導率または光学特性（例えば、光反射率、光吸収率または光透過率）を調整したりするために、上記金属または合金に、他の元素を添加した材料を使用してよい。その添加元素は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｔｅ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹおよびＬｕから選ばれる少なくとも何れか一つが好ましい。この際、添加濃度は３原子％以下が好ましい。
　記録層３１５に吸収される光量を増大させるよう、反射層３１２は使用するレーザ光１０の波長における光吸収が小さいことがより好ましい。Ａｇは波長４０５ｎｍ付近の光吸収が小さいため、第１の情報層３１０にはＡｇを９７原子％以上含む反射層３１２が好ましく用いられる。具体的には、Ａｇ－Ｐｄ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｂｉ、Ａｇ－Ｇａ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｉｎ－Ｓｎ、Ａｇ－Ｐｄ－ＣｕおよびＡｇ－Ｐｄ－Ｔｉ等の合金材料を用いることができる。これらの中で、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕが耐湿性に優れていて、より好ましく用いられる。
　また、反射層３１２を２以上の層で形成してもよい。その場合、基板３０１側を誘電体材料よりなる層としてもよい。反射層３１２の厚さは、使用する媒体の線速度や記録層３１５の組成に合わせて調整し、４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。４０ｎｍより薄いと急冷条件が不足し、記録層の熱が拡散しにくくなり、記録層が非晶質化しにくくなる。３００ｎｍより厚いと急冷条件が過剰になり、記録層３１５の熱が拡散しすぎて、記録感度が悪化する（すなわち、より大きなレーザパワーが必要になる）。
　誘電体層３１３および誘電体層３１７は、誘電体層３３３および誘電体層３３７とそれぞれ同様の機能を有する。好ましい材料も同様である。好ましい膜厚は、Ｒｃを高めて、Ｒｃ／Ｒａも大きく取れ、Ａｃ（結晶相の記録層３１５の光吸収率）も大きくなるように、例えばマトリクス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書、１９７１年、第３章を参照）に基づく計算によって、光路長を正確に決定することができる。
　本実施の形態では、一例として、第１の情報層３１０がＲｃが２８％、Ｒａが４％を満足するように、各層の膜厚を設定する。屈折率が１．５から３である誘電体材料を誘電体層３１３および誘電体層３１７に用いる場合、誘電体層３１３の厚さは３０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下がより好ましい。また、誘電体層３１７の厚さは３０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましい。
　なお、誘電体層３１３および誘電体層３１７は、誘電体層３３３および誘電体層３３７と同様、必要に応じて設けることができる。界面層３１４が誘電体層３１３の機能を兼ね備える場合には、誘電体層３１３は必ずしも設ける必要はなく、同様に、界面層３１６が上記の誘電体層３１７の機能を兼ね備える場合には、誘電体層３１７は必ずしも設ける必要はない。
　界面層３１４（誘電体層ａ）および界面層３１６（誘電体層ｂ）は、界面層３３４および３３６と同様の機能を有し、好ましい材料も同様である。
　界面層３１４の膜厚は、記録層３１５との密着性が確保でき、記録層３１５への他層からの原子拡散を抑制できるよう、１ｎｍ以上であることが好ましい。また、界面層３１４の膜厚は、誘電体層３１３と合わせた厚さが４０ｎｍ以下となるようにすることが好ましく、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下となるようにすることがより好ましい。界面層３１４には透明性の高い材料を用いるので、誘電体層３１３の機能を兼ねて４０ｎｍまで厚くしてよい。
　界面層３１６の膜厚は、記録層３１５との密着性が確保でき、記録層３１５への他層からの原子拡散を抑制できるよう、１ｎｍ以上であることが好ましい。また、光学的に影響しないよう、消衰係数が大きいほど薄くすることが好ましい。界面層３１６の膜厚は、誘電体層３１７と合わせた厚さが３０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下となるようにすることが好ましく、３０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下となるようにすることがより好ましい。
　記録層３１５は、記録層３３５と同様の機能を有し、好ましい材料も同様である。記録層３１５の膜厚は、７ｎｍ以上１６ｎｍ以下が好ましい。１６ｎｍを超えると熱容量が大きくなり記録に要するレーザパワーが大きくなる。また、記録層３１５で生じた熱が反射層３１２の方向へ拡散しにくくなり、高密度記録に必要な小さい記録マークの形成が困難となる。７ｎｍより薄くなると、反射率Ｒａが高くなり、Ｒｃ／Ｒａが低下して、良好な読み出し信号を得ることが困難になる。
　なお、本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂは、少なくとも一つの情報層に含まれていればよい。好ましくは、半透明な情報層に含まれるとよい。例えば、本実施の形態のように、含まれる情報層の全てに本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂが適用されてもよい。すなわち、界面層３３４、３２４および３１４が本発明における誘電体層ａに相当し、界面層３３６、３２６および３１６が本発明における誘電体層ｂに相当していてもよい。また、誘電体層ａおよび誘電体層ｂは、カルコゲン系の記録層と優れた密着性を示す誘電体材料であって、可逆的相変化を生じうる記録層（書換え形）または非可逆的相変化を生じうる記録層（追記形）と共に用いることも可能である。
　可逆的相変化を生じうる記録層（書換え形）として、記録層３３５で記載した以外に、ＧｅＴｅ－ＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ－ＳｎＴｅ－ＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ－ＳｎＴｅ－ＳｂＴｅ－ＢｉＴｅ、ＧｅＴｅ－ＳｎＴｅ、ＧｅＴｅ－ＳｎＴｅ－ＢｉＴｅおよびＧｅＴｅ－ＢｉＴｅ等の化合物組成を含む材料、あるいはＳｂを５０原子％以上含むＧａ－ＳｂおよびＩｎ－Ｓｂ、その他、Ｓｂを５０原子％以上含む相変化材料、等を含む材料を用いてよい。
　非可逆的相変化を生じうる記録層（追記形）として、Ｔｅ－Ｏ、Ｓｂ－Ｏ、Ｇｅ－Ｏ、Ｓｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｏ、Ｚｎ－Ｏ、Ｍｏ－ＯおよびＷ－Ｏ等のうち少なくともいずれか一つを含む酸化物、２以上の層を積層して記録時に合金化もしくは反応させる材料、もしくは有機色素系記録材料等を用いてよい。
　第３の情報層３３０および第２の情報層３２０が、本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂを含む場合、第１の情報層３１０は必ずしも誘電体層ａまたは誘電体層ｂを含む必要はなく、例えば再生専用形情報層であってもよい。あるいは、第３の情報層３３０が本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂを含む場合、第２の情報層３２０および第１の情報層３１０は必ずしも誘電体層ａまたは誘電体層ｂを含む必要はなく、例えば第２の情報層３２０が追記形情報層であって、第１の情報層３１０が再生専用形情報層であってもよい。ここで、再生専用形情報層には、あらかじめ形成された記録ピット上に、反射層として金属元素、金属合金、誘電体、誘電体化合物、半導体元素、半金属元素のうち少なくとも一つを含む材料等を形成してよい。たとえば、ＡｇまたはＡｇ合金を含む反射層を形成してよいし、本発明における誘電体層ａまたは誘電体層ｂを形成してもよい。あるいは、第１の情報層３１０に光磁気記録層が形成されていてもよい。あるいは、５個以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本発明の効果は、これらの形態によらず得られる。
　記録方式として、情報記録媒体３００は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ　Ｌｉｎｅａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）もしくは回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ　Ａｎｇｕｌａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、いずれでも使用できる。また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）やソリッドイマージョンミラー（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間層と透明層は５μｍ以下で形成してよい。
　続いて、本実施の形態の情報記録媒体３００を製造する方法を説明する。
　情報記録媒体３００は、支持体となる基板３０１上に、第１の情報層３１０、中間層３０３、第２の情報層３２０、中間層３０４、第３の情報層３３０および透明層３０２を、この順に形成することによって得られる。案内溝（グルーブ面とランド面）が形成された基板３０１をスパッタリング装置に配置し、基板３０１の案内溝が形成された表面に、反射層３１２、誘電体層３１３、界面層３１４、記録層３１５、界面層３１６および誘電体層３１７を、この順に成膜する。これで、第１の情報層３１０が基板３０１上に形成される。
　第１の情報層３１０を形成した基板３０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層３０３を形成する。
　中間層３０３は次の手順で形成される。まず、誘電体層３１７の表面に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコートにより塗布する。次に、中間層３０３に形成すべき案内溝と相補的である凹凸を有するポリカーボネート基板の凹凸形成面を、紫外線硬化性樹脂に密着させる。その状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、凹凸を有するポリカーボネート基板を剥離する。それにより、前記凹凸に相補的な形状の案内溝が紫外線硬化性樹脂に形成されて、形成すべき案内溝を有する中間層３０３が形成される。基板３０１に形成された案内溝と中間層３０３に形成された案内溝の形状は、同様であってもよいし、異なっていてもよい。別法において、中間層３０３は、誘電体層３１７を保護する層を紫外線硬化性樹脂で形成し、その上に案内溝を有する層を形成することにより、形成することもできる。その場合、得られる中間層３０３は２層構造である。あるいは、中間層３０３は、３以上の層が積層された構成を有していてもよい。また、スピンコート工法のほかに、印刷工法、インクジェット工法およびキャスティング工法により中間層３０３を形成してもよい。
　中間層３０３まで形成した基板３０１を、再びスパッタリング装置に配置して、中間層３０３の案内溝を有する面上に、誘電体層３２１、反射層３２２、誘電体層３２３、界面層３２４、記録層３２５、界面層３２６および誘電体層３２７を、この順に成膜する。これで、第２の情報層３２０が中間層３０３上に形成される。
　第２の情報層３２０を形成した基板３０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層３０４を中間層３０３と同様に形成する。
　中間層３０４まで形成した基板３０１を、再びスパッタリング装置に配置して、中間層３０４の案内溝を有する面上に、誘電体層３３１、反射層３３２、誘電体層３３３、界面層３３４、記録層３３５、界面層３３６および誘電体層３３７を、この順に成膜する。これで、第３の情報層３３０が中間層３０４上に形成される。
　第３の情報層３３０まで形成した基板３０１をスパッタリング装置から取り出す。それから、誘電体層３３７の表面に、透明層３０２を形成する。
　透明層３０２は次の手順で形成される。誘電体層３３７の表面に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコート法により塗布して、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、目標の厚みの透明層３０２を形成することができる。あるいは、誘電体層３３７の表面に、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布し、塗布した紫外線硬化性樹脂に、円盤状のシートを密着させて、紫外線をシート側から照射して樹脂を硬化させることによって、透明層３０２を形成することもできる。あるいは、接着層を有する円盤状のシートを密着させて、透明層３０２を形成することもできる。
　透明層３０２は物性の異なる複数層からなってもよく、誘電体層３３７の表面に他の透明層を設けた後に、透明層３０２を形成してもよい。あるいは、誘電体層３３７の表面に透明層３０２を形成した後、透明層３０２の表面にさらにもう一層の透明層を形成してもよい。これら複数の透明層は、各々粘度や硬度、屈折率、透明性が異なっていてもよい。このようにして、透明層３０２が形成される。
　透明層３０２の形成が終了した後は、必要に応じて、第１の情報層３１０、第２の情報層３２０および第３の情報層３３０の初期化を実施する。
　初期化は、非晶質状態である記録層３１５、３２５、３３５を、例えば半導体レーザを照射して、結晶化温度以上に昇温して結晶化させる工程である。半導体レーザのパワー、情報記録媒体の回転速度、半導体レーザの径方向への送り速度およびレーザの焦点位置等を最適化することにより、良好な初期化を実施できる。初期化は、透明層３０２形成後に実施してもよいし、形成前に実施してもよい。あるいは、第１の情報層３１０形成後に記録層３１５の初期化を実施して、中間層３０３および第２の情報層３２０を形成した後に記録層３２５の初期化を実施してもよい。本発明の効果は、初期化を実施するタイミングによらない。
　ここで、各層の成膜方法について述べる。本実施形態では、一例としてスパッタリング法を用いる例を説明する。
　反射層３１２、３２２および３３２は、反射層を構成する金属または合金を含むターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、直流電源または高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。
　誘電体層３１３、３１７、３２１、３２３、３２７、３３１、３３３および３３７は、誘電体層を構成する元素、混合物または化合物を含むスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。可能であれば直流電源やパルス発生式直流電源を用いてもよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。酸化物を含む誘電体層を形成する際には、スパッタリング中に酸素が欠損する場合があるので、酸素欠損を抑えたターゲットを用いるか、あるいは、１０％以下の少量の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中でスパッタリングしてよい。
　界面層３１４、３１６、３２４、３２６、３３４、３３６は、界面層を構成する元素、混合物または化合物を含むスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。可能であれば、直流電源やパルス発生式直流電源を用いてもよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。
　本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂの材料で界面層を形成できるように、スパッタリングターゲットの材料・組成を決める。スパッタリング装置によっては、スパッタリングターゲットの組成と形成される界面層の組成とが一致しない場合もあるので、その場合はスパッタリングターゲットの組成を調整して、目標の組成の界面層を得ることができる。また、酸化物はスパッタリング中に酸素が欠損する場合があるので、酸素欠損を抑えたターゲットを用いるか、あるいは、１０％以下の少量の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中でスパッタリングしてよい。例えば、（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）で表される界面層を形成する場合、（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）で表されるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中でスパッタリングしてよい。
　あるいは、界面層は、単独の化合物の各々のスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、界面層は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲット等を、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのスパッタリングターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。
　記録層３１５、３２５および３３５は、記録層を構成する材料を含むスパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって成膜される。スパッタリングは、直流電源、高周波電源またはパルス発生式直流電源を用いて、希ガス雰囲気中、または、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。スパッタリング装置によっては、スパッタリングターゲットの組成と形成される記録層の組成とが一致しない場合もあるので、その場合はスパッタリングターゲットの組成を調整して、目標の組成の記録層を得ることができる。複数のスパッタリングターゲットを備えて同時スパッタリングする場合には、個々の電源の出力を調整して組成を制御することにより、目標組成の記録層を得ることができる。反応性スパッタリングの場合には、スパッタリングターゲットの組成調整または電源の出力調整に加えて、酸素ガスおよび窒素ガスの流量および圧力、希ガスとの流量比および圧力比を調整することにより、目標の組成の記録層を得ることができる。
　なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等を用いることも可能である。
　このようにして、実施の形態１の情報記録媒体３００を製造することができる。
　なお、本発明の情報記録媒体は、記録層に接する層に本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂが適用されていれば、情報記録媒体の構造によらずにその効果が得られる。例えば、透明層３０２が透明な支持基板であって、その支持基板上に第３の情報層３３０、中間層３０４、第２の情報層３２０、中間層３０３、第１の情報層３１０をこの順に形成して、最後に基板３１２を紫外線硬化性樹脂等で接着する構造に対しても、本発明の構成を適用できる。また、基板を接着する位置がいずれかの中間層の位置でもよい。これは、以下の実施の形態２から４でも同様である。
　（実施の形態２）
　本発明の実施の形態２として、情報記録媒体の一例を説明する。図２に、その情報記録媒体４００の一部断面を示す。情報記録媒体４００は、基板４０１上に、第１の情報層４１０、中間層４０３、第２の情報層４２０、中間層４０４、第３の情報層４３０、中間層４０５、第４の情報層４４０および透明層４０２が、順に配置されることによって形成されている。すなわち、本実施の形態の情報記録媒体４００は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であり、Ｎ＝４の場合に相当する。本実施の形態では、第１の情報層４１０から第４の情報層４４０の全てに本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂが適用されているため、全ての情報層が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当するが、これに限定されず、第１の情報層４１０から第４の情報層４３０のうち少なくともいずれか一つの情報層が第Ｌ情報層に相当すればよい。
　第１の情報層４１０は、基板４０１の一方の表面上に、反射層４１２、誘電体層４１３、界面層４１４、記録層４１５、界面層４１６および誘電体層４１７が、この順に配置されることによって形成されている。第２の情報層４２０は、中間層４０３の一方の表面上に、誘電体層４２１、反射層４２２、誘電体層４２３、界面層４２４、記録層４２５、界面層４２６および誘電体層４２７が、この順に配置されることによって形成されている。第３の情報層４３０は、中間層４０４の一方の表面上に、誘電体層４３１、反射層４３２、誘電体層４３３、界面層４３４、記録層４３５、界面層４３６および誘電体層４３７が、この順に配置されることによって形成されている。第４の情報層４４０は、中間層４０５の一方の表面上に、誘電体層４４１、反射層４４２、誘電体層４４３、界面層４４４、記録層４４５、界面層４４６および誘電体層４４７が、この順に配置されることによって形成されている。
　第１の情報層４１０から第３の情報層４３０は、実施の形態１の第１の情報層３１０から第３の情報層３３０に相当し、各層の配置順は同じで、機能と材料も同様である。また、第４の情報層４４０も、実施の形態１の第３の情報層３３０に相当し、各層の配置順は同じで、機能と材料も同様である。所望の実効反射率を満たすように、各層の膜厚を最適化すればよい。記録再生の際、各情報間で干渉が起こらないよう、実施の形態１同様、中間層４０３、４０４、４０５の厚みは最適化される。
　本発明の誘電体層ａは、界面層４１４、４２４、４３４、４４４に相当し、誘電体層ｂは、界面層４１６、４２６、４３６、４４６に相当する。情報層の数が増えても、本発明の効果は実施の形態１の場合と同じである。
　この形態においても、レーザ光１０は、透明層４０２の側から入射される。第１の情報層４１０に対する情報の記録再生は、第４の情報層４４０、第３の情報層４３０および第２の情報層４２０を通過したレーザ光１０によって実施される。情報記録媒体４００においては、４つの記録層にそれぞれ情報を記録できる。例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光を記録再生に使用して、上記実施の形態１の１．３倍程度の１３３ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。情報記録媒体４００においても、ＣＬＶまたはＣＡＶ仕様で使用してよい。
　本実施の形態では、第１の情報層４１０から第４の情報層４４０の全てに本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂが適用されている構成について説明したが、これに限定されず、実施の形態１と同様に、本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂは、少なくとも一つの情報層に適用されていればよい。好ましくは、半透明な情報層に含まれるとよい。
　（実施の形態３）
　本発明の実施の形態３として、情報記録媒体の一例を説明する。図３に、その情報記録媒体２００の一部断面を示す。情報記録媒体２００は、基板２０１上に、第１の情報層２１０、中間層２０３、第２の情報層２２０および透明層２０２が、順に配置されることによって形成されている。すなわち、本実施の形態の情報記録媒体２００は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であり、Ｎ＝２の場合に相当する。本実施の形態では、第１の情報層２１０および第２の情報層２２０の両方に誘電体層ａおよび誘電体層ｂが適用されているため、全ての情報層が本発明の情報記録媒体の第Ｌ情報層に相当するが、これに限定されず、第１の情報層２１０および第２の情報層２２０の少なくともいずれか一つが第Ｌ情報層に相当すればよい。
　第１の情報層２１０は、基板２０１の一方の表面上に、反射層２１２、誘電体層２１３、界面層２１４、記録層２１５、界面層２１６および誘電体層２１７が、この順に配置されることによって形成されている。第２の情報層２２０は、中間層２０３の一方の表面上に、誘電体層２２１、反射層２２２、誘電体層２２３、界面層２２４、記録層２２５、界面層２２６および誘電体層２２７が、この順に配置されることによって形成されている。
　第１の情報層２１０および第２の情報層２２０は、実施の形態１の第１の情報層３１０および第２の情報層３２０に相当し、各層の配置順は同じで、機能と材料も同様である。所望の実効反射率を満たすように、各層の膜厚を最適化すればよい。記録再生の際、各情報間で干渉が起こらないよう、実施の形態１同様、中間層２０３の厚みは最適化される。
　本発明の誘電体層ａは、界面層２１４および２２４に相当し、誘電体層ｂは、界面層２１６および２２６に相当する。情報層の数が減っても、本発明の効果は実施の形態１の場合と同じである。
　この形態においても、レーザ光１０は、透明層２０２の側から入射される。第１の情報層２１０に対する情報の記録再生は、第２の情報層２２０を通過したレーザ光１０によって実施される。情報記録媒体２００においては、２つの記録層にそれぞれ情報を記録できる。例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光を記録再生に使用して、実施の形態１の０．６７倍程度の６７ＧＢの容量を有する、情報記録媒体を得ることができる。情報記録媒体２００においても、ＣＬＶまたはＣＡＶ仕様で使用してよい。
　本実施の形態では、第１の情報層２１０および第２の情報層２２０に本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂが含まれている構成について説明したが、これに限定されず、実施の形態１と同様に、本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂは、少なくとも一つの情報層に含まれていればよい。好ましくは、半透明な情報層である第２の情報層２２０に含まれるとよい。
　（実施の形態４）
　本発明の実施の形態４として、情報記録媒体の一例を説明する。図４に、その情報記録媒体１００の一部断面を示す。情報記録媒体１００は、基板１０１上に情報層１１０および透明層１０２が、この順に配置されることによって形成されている。さらに、情報層１１０は、基板１０１の一方の表面上に、反射層１１２、誘電体層１１３、界面層１１４、記録層１１５、界面層１１６および誘電体層１１７が、この順に配置されることによって形成されている。
　情報記録媒体１００は、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光１０によって情報を記録再生する、例えば２５ＧＢ以上の容量を有するＢｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃとして使用できる。この構成の情報記録媒体１００には、透明層１０２側からレーザ光１０が入射し、それにより情報の記録および再生が実施される。
　情報層１１０は実施の形態１の第１の情報層３１０に相当し、各層の配置順は同じで、機能と材料も同様である。所望の反射率を満たすように、各層の膜厚を最適化すればよい。本発明の誘電体層ａは、界面層１１４に相当し、誘電体層ｂは、界面層１１６に相当する。一つの情報層からなる情報記録媒体においても、得られる本発明の効果は実施の形態１の場合と同様である。
　次に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
　（実施例１）
　実施例１では、誘電体層ａおよび誘電体層ｂに用いられる材料について、波長４０５ｎｍの光における光学定数（複素屈折率）（誘電体層ａ：ｎａ－ｉｋａ（ｎａ：屈折率、ｋａ：消衰係数）、誘電体層ｂ：ｎｂ－ｉｋｂ（ｎｂ：屈折率、ｋｂ：消衰係数））を実験的に調べた。光学定数算出用の試料は、石英基板上に厚さ２０ｎｍほどの誘電体層をスパッタリングにより形成することによって、作製した。光学定数の算出に必要な膜厚は触針法により測定し、光学定数の算出にはエリプソメトリを用いた。試料番号１－１から１－１０は誘電体層ａの材料で、試料番号１－１１から１－２５は誘電体層ｂの材料である。比較例には、（ＺｒＯ2）20（Ｃｒ2Ｏ3）80組成の試料を準備した。
　各試料の製造方法について説明する。スパッタリングターゲットは、いずれも（表１－１）から（表１－３）に示す各誘電体層の組成表記と同じ組成表記のものを用いた。例えば試料１－１であれば、（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）と表記されたスパッタリングターゲットをスパッタすることにより、（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）と表される誘電体層ａを形成した。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径２００ｍｍで厚さ６ｍｍであり、スパッタリング装置のＲＦ（高周波）電源のカソードに取り付けた。石英基板（１２ｍｍ×１８ｍｍ×１．１ｍｍ厚）をセットした治具をスパッタリングターゲットと対向して真空室内に取り付け、０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、３ｋＷのパワーを投入して、スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより、石英基板上に各誘電体層を堆積した。
　光学定数の算出結果を（表１－１）、（表１－２）、（表１－３）に示す。
　（表１－１）は、誘電体層ａとして用いる材料の結果である。（Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）で表される組成を、ＭcＣｒdＯ100-c-d（原子％）に換算した組成も併せて記載する。例えば、（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を原子％に換算する場合、Ａｌ原子１６０個、Ｃｒ原子４０個、Ｏ原子３００個を合計して、計５００個の内に占める各元素の原子の割合を原子％として記載した。Ａｌ：１６０×１００／５００＝３２、Ｃｒ：４０×１００／５００＝８、Ｏ：３００×１００／５００＝６０となる。
　（表１－２）は、誘電体層ｂとして用いる材料の結果である。（ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）で表される組成を、ＡfＣｒgＯ100-f-g（原子％）に換算した組成も併せて記載する。
　（表１－３）は、誘電体層ｂとして用いる、酸化物Ｌを含む材料の結果である。（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）で表される組成を、ＡkＣｒmＸnＯ100-k-m-n（原子％）に換算した組成も記載する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　（表１－１）に示すように、試料番号１－１から１－８まで、ｋａ≦０．０３であった。比較例と比べると、ＺｒＯ2よりも記録層との密着性がよいＡｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13およびＡｌ2ＴｉＯ5を用いると、混合するＣｒ2Ｏ3の含有量を小さくすることができ、その結果、消衰係数を０．０３以下まで下げることができた。また、試料番号１－９および１－１０に示すように、Ｃｒ2Ｏ3の一部をＩｎ2Ｏ3もしくはＧａ2Ｏ3で置換するとｋａが小さくなり、０．０１まで下がった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　（表１－２）に示すように、試料番号１－１１から１－１５まで、ｋｂ≦０．０８であった。
　試料番号１－１２から１－１５までは、ｋｂ≦０．０７であり、より好ましい材料であった。試料番号１－１２および１－１３に示すように、ＨｆＯ2を含ませるとｋｂが僅かに小さくなった。また、試料番号１－１４および１－１５に示すように、Ｃｒ2Ｏ3の一部をＩｎ2Ｏ3もしくはＧａ2Ｏ3で置換すると、ｋｂがさらに小さくなり、０．０５以下まで下がった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　（表１－３）に示すように、試料番号１－１６～１－２５までｋｂ≦０．０７であった。
　中でも、Ａｌ2Ｏ3を含む試料番号１－１６、１－２４および１－２５、ＳｉＯ2を含む試料番号１－１９、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13を含む試料番号１－２２では、ｋｂは０．０６以下まで下がった。
　誘電体層ｂは、記録層との優れた密着性に加えて高耐熱性が必要であるので、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含む。この組成構成においては、Ｃｒの濃度が誘電体層ａよりも多くなるため、誘電体層ｂの消衰係数が誘電体層ａのそれよりも大きくなる。
　情報記録媒体のＲｃ／Ｒａを少しでも大きくするためには、（１）誘電体層ａおよび誘電体層ｂの消衰係数をより小さくすること、もしくは（２）誘電体層ａの屈折率ｎａよりも誘電体層ｂの屈折率ｎｂを大きくすること、が効果的である。（１）と（２）が両立すればなおよい。本実施例の結果より、誘電体層ａおよび誘電体層ｂの効果的な組み合わせを抽出することができる。例えば、試料番号１－１は屈折率ｎａが小さいので、試料番号１－１１から１－２５のいずれとの組み合わせでも、高いＲｃ／Ｒａ値が得られる。試料番号１－３および１－５は屈折率ｎａが大きいので、試料番号１－１８や１－２０と組み合わせることで、ｋａが小さいことによる効果が得られる。
　（実施例２）
　実施例２では、図１の情報記録媒体３００を製造し、第２の情報層３２０の界面層３２４（誘電体層ａ）の材料と記録層３２５との密着性の関係を調べた。誘電体層ｂに相当する界面層３２６には、記録層３２５との密着性に優れた（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を用い、界面層３２４には（Ａｌ2Ｏ3）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）を用いた。
　以下に実施内容を具体的に説明する。はじめに、情報記録媒体３００の製造方法について説明する。
　各層の材料と膜厚を説明する。基板３０１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、グルーブ－グルーブ間０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を準備し、スパッタリング装置内に取り付けた。基板３０１の案内溝形成側表面に、反射層３１２としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金を厚さ１００ｎｍ、誘電体層３１３として（ＺｒＯ2）40（ＳｉＯ2）40（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を厚さ２０ｎｍ、界面層３１４として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を厚さ５ｎｍ、記録層３１５としてＧｅ45Ｓｂ4Ｔｅ51（原子％）を厚さ１２ｎｍ、界面層３１６として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を厚さ５ｎｍ、誘電体層３１７として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）を厚さ６０ｎｍ、を順に積層した。これで第１の情報層３１０が形成された。
　次に、誘電体層３１７の表面に、案内溝を有する中間層３０３を２５μｍの厚さで形成した。中間層３０３の案内溝形成側表面に、誘電体層３２１としてＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12を厚さ２０ｎｍ、反射層３２２としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金を厚さ９ｎｍ、誘電体層３２３としてＡｌ2Ｏ3を厚さ１０ｎｍ、界面層３２４を厚さ５ｎｍ、記録層３２５としてＧｅ45Ｓｂ3Ｉｎ1Ｔｅ51を厚さ７ｎｍ、界面層３２６として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を厚さ５ｎｍ、誘電体層３２７として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）を厚さ４０ｎｍ、を順に積層した。これで、第２の情報層３２０が形成された。
　界面層３２４は、（表２）に示す媒体試料番号２－１から２－７の材料をそれぞれ用いて作製した。また、比較例２から４には、（表２）に示す材料を用いた。
　次に、誘電体層３２７の表面に、案内溝を有する中間層３０４を１８μｍの厚さで形成した。中間層３０４の案内溝形成側表面に、誘電体層３３１としてＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12を厚さ１５ｎｍ、反射層３３２としてＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金を厚さ８ｎｍ、誘電体層３３３としてＡｌ2Ｏ3を厚さ６ｎｍ、界面層３３４として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を厚さ５ｎｍ、記録層３３５としてＧｅ45Ｂｉ3Ｉｎ1Ｔｅ51を厚さ６ｎｍ、界面層３３６として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を厚さ５ｎｍ、誘電体層３３７として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）を厚さ３５ｎｍ、を順に積層した。これで、第３の情報層３３０が形成された。
　各層のスパッタリング条件を説明する。用いたスパッタリングターゲットの形状はすべて、丸形で直径２００ｍｍで厚さ６ｍｍであった。
　誘電体層３２１、３３１は、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12ターゲットを圧力０．１３ＰａのＡｒガスとＯ2ガスとの体積比が９７：３である混合ガス雰囲気中で、高周波電源を用いて２ｋＷの出力でスパッタリングして、形成した。
　反射層３１２は、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金ターゲットを、圧力０．２ＰａのＡｒガス雰囲気中で、直流電源を用いて２ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。反射層３２２と３３２は、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金ターゲットを、圧力０．２ＰａのＡｒガス雰囲気中で、直流電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。
　誘電体層３１３は、（ＺｒＯ2）40（ＳｉＯ2）40（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。
　誘電体層３１７、３２７、３３７は、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）ターゲットを圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて２．５ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。
　界面層３１４、３１６、３２６、３３４、３３６は、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。
　界面層３２４は、（表２）に示す界面層３２４の組成表記と同じ組成表記のスパッタリングターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。比較例２から４も同様であるが、Ａｌ2Ｏ3は２ｋＷ、Ｃｒ2Ｏ3および（ＺｒＯ2）20（Ｃｒ2Ｏ3）80（モル％）は３ｋＷの出力で、それぞれスパッタリングして形成した。
　記録層３１５は、Ｇｅ－Ｓｂ－Ｔｅ合金ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、パルス発生式直流電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。記録層３２５は、Ｇｅ－Ｓｂ－Ｉｎ－Ｔｅ合金ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、パルス発生式直流電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。記録層３３５は、Ｇｅ－Ｂｉ－Ｉｎ－Ｔｅ合金ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、パルス発生式直流電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。
　以上のようにして中間層３０４の上に第３の情報層３３０を成膜した基板３０１をスパッタリング装置から取り出した。そして、誘電体層３３７の表面に紫外線硬化性樹脂をスピンコート法で５７μｍの厚みで塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、透明層３０２を形成した。
　透明層３０２の形成後、初期化を実施した。波長８１０ｎｍの半導体レーザを使って、情報記録媒体３００の記録層３１５、３２５、３３５を、半径２２～６０ｍｍの範囲の環状領域内でほぼ全面に亘って結晶化させた。
　中間層３０３は、次の手順で形成した。まず、誘電体層３１７の表面に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートにより塗布した。次に、中間層３０３に形成すべき案内溝と相補的である凹凸（深さ２０ｎｍ、グルーブ－グルーブ間０．３２μｍ）を有するポリカーボネート基板の凹凸形成面を、紫外線硬化性樹脂に密着させた。その状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、凹凸を有するポリカーボネート基板を剥離した。それにより、基板３０１と同様の形状の案内溝が中間層３０３の表面に形成された。中間層３０４も同様の手順で、誘電体層３２７の表面に形成した。
　次に、情報記録媒体の評価手法について説明する。情報記録媒体３００の第２の情報層３２０における界面層３２４の密着性は、高温高湿条件下での剥離の有無に基づいて評価した。具体的には、初期化後の情報記録媒体３００を、温度８５℃で相対湿度８５％に保持した恒温恒湿槽に放置して、５０時間後、１００時間後、２００時間後、３００時間後に取り出して、光学顕微鏡を使って目視で調べた。透明層３０２側から第３の情報層３３０を通して反射光で観察すると、剥離は丸や楕円の干渉縞となって見える。当然のことではあるが、剥離の無い試料は良好な密着性を有すると評価され、剥離の有る試料は密着性に劣ると評価される。
　また、媒体試料番号２－１から２－７および比較例２から４で用いた界面層３２４の複素屈折率も、実施例１と同様の方法で算出した。
　密着性と複素屈折率の結果を（表２）に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表中、密着性検証試験の各時間の○および×は、○は剥離発生無し、×は剥離発生有り、を示す。また、評価の×、△、○および◎は、×が５０時間で剥離発生、△が５０時間で剥離発生無し（但し２００時間では剥離発生）、○が２００時間で剥離発生無し（但し３００時間では剥離発生）、◎が３００時間以上剥離発生無し、を示す。２００時間で剥離が発生しなければ、実用に十分耐え得る。５０時間未満で剥離が発生したものは実用に耐えない。２００時間で剥離が発生しても、５０時間で剥離が発生しなければ、室内環境であれば使用可能である。
　（表２）に示すように、比較例２のＡｌ2Ｏ3のみの場合は、５０時間で剥離が発生しているが、試料番号２－７の結果が示すように、Ａｌ2Ｏ3に５モル％のＣｒ2Ｏ3を添加すると５０時間で剥離が発生しなくなった。Ｃｒ2Ｏ3が３０モル％以上含まれる試料番号２－１から２－４は、３００時間で剥離が発生せず、優れた密着性が検証された。表２に示す結果から、Ｃｒ2Ｏ3を５モル％以上含ませることが好ましく、２０モル％以上含ませることがより好ましい。
　複素屈折率について、界面層３２４（誘電体層ａ）には高透明性が必要であるので、消衰係数ｋａは０．０７以下が好ましく、０．０４以下がより好ましい。０．１を超えると、Ｒｃ／Ｒａを大きくする効果が得られないので、好ましくない。従って、評価の×、△、○および◎は、×は０．１＜ｋａ、△は０．０７＜ｋａ≦０．１、○は０．０４＜ｋａ≦０．０７、◎はｋａ≦０．０４、を示す。
　表に示すように、比較例３のＣｒ2Ｏ3もしくは比較例４の（ＺｒＯ2）20（Ｃｒ2Ｏ3）80（モル％）であれば、ｋａが０．１を超えているが、試料番号２－２から２－７に示すように、５０モル％以上のＡｌ2Ｏ3を含むと、ｋａは０．０７以下となった。また、試料番号２－４から２－７の結果が示すように、７０モル％以上のＡｌ2Ｏ3を含むと、ｋａは０．０３以下となった。
　密着性と複素屈折率の結果から、総合評価を行った。総合評価の×、△および○は、×は密着性または複素屈折率のいずれかが×評価、△は密着性または複素屈折率のいずれかが△評価、○は密着性および複素屈折率のいずれも○または◎評価、を示す。総合評価の△または○は実用可能であり、○評価が得られた界面層３２４の組成がより好ましい。また、×は実用に耐えない。よって、（Ａｌ2Ｏ3）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）において（複素屈折率評価を重視して）、５０≦ｈ＜１００が好ましい。より好ましくは５０≦ｈ≦８０である。
　（実施例３）
　実施例３では、図１の情報記録媒体３００を製造し、第２の情報層３２０の界面層３２６（誘電体層ｂ）の材料と記録層３２５との密着性の関係を調べた。界面層３２４および界面層３２６以外は、実施例２で製造した情報記録媒体３００と同様とした。界面層３２６と記録層３２５との密着性を正確に調べるために、誘電体層ａに相当する界面層３２４には、敢えて記録層３２５との密着性に優れた（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を用いた。界面層３２６には（ＺｒＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）を用いた。いずれも膜厚は５ｎｍとした。
　界面層３２４は、（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。
　界面層３２６は、（表３）に示す媒体試料番号３－１から３－７の材料をそれぞれ用いて作製した。また、比較例５および６には、（表３）に示す材料を用いた。いずれも界面層３２６の組成表記と同じ組成表記のスパッタリングターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。比較例も同様のスパッタリング条件で形成した。
　本実施例においても、実施例１の密着性評価手法に従って密着性を評価した。また、複素屈折率も実施例１と同様の方法で算出した。
　密着性と複素屈折率の結果を（表３）に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表中、密着性検証試験の各時間の×および○と、評価の×、△、○および◎の定義は、それぞれ実施例２と同様である。実施例１でも述べたように、界面層３２６（誘電体層ｂ）は界面層３２４（誘電体層ａ）よりも消衰係数が大きめになる。よって、複素屈折率の評価の定義は実施例２と異なり、×は０．１５＜ｋｂ、△は０．１０＜ｋｂ≦０．１５、○は０．０５＜ｋｂ≦０．１０、◎はｋｂ≦０．０５、とする。総合評価の×、△および○の定義は、実施例２と同様である。
　表に示すように、比較例５のＺｒＯ2のみであれば、５０時間で剥離が発生しているが、試料番号３－７の結果が示すように、ＺｒＯ2を７０モル％にして、３０モル％のＣｒ2Ｏ3を添加すると、１００時間でも剥離が発生しなくなった。Ｃｒ2Ｏ3が５０モル％以上含まれる試料番号３－１から３－５は、３００時間で剥離が発生せず、優れた密着性が検証された。ＺｒＯ2を７０モル％以下含ませることが好ましく、６０モル％以下含ませることがより好ましいことが確認された。
　複素屈折率は、ＺｒＯ2が３０モル％以下になると、消衰係数ｋが０．１を超えて△評価になった。
　密着性と複素屈折率の結果から総合評価を行う。ＺｒＯ2が１０モル％以上７０モル％以下で、総合評価は△または○となった。よって、（ＺｒＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）において、１０≦ｊ≦７０が好ましい。
　（実施例４）
　実施例４では、図１の情報記録媒体３００を製造し、第２の情報層３２０の界面層３２６（誘電体層ｂ）の材料と記録層３２５との密着性との関係を調べた。界面層３２６以外は、実施例３で製造した情報記録媒体３００と同様とした。界面層３２６には（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）を用い、膜厚は５ｎｍとした。
　界面層３２６は、（表４）に示す媒体試料番号４－１から４－１９の材料をそれぞれ用いて作製した。いずれも界面層３２６の組成表記と同じ組成表記のスパッタリングターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。本実施例においても、実施例１の密着性評価手法に従って密着性を評価した。また、複素屈折率も実施例１と同様の方法で算出した。密着性と複素屈折率との結果を（表４）に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表中、密着性検証試験の各時間の×および○と、評価の×、△、○および◎の定義と、複素屈折率の評価の×、△、○および◎の定義と、総合評価の×、△および○の定義とは、実施例３と同様である。
　媒体試料番号４－１から４－１１は、界面層３２６に、（ＺｒＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（ＴｉＯ2）100-p-t（モル％）の組成を有する材料を用いた。媒体試料番号４－１から４－３では、ｐ＝２０、４０≦ｔ≦７５、６０≦（ｐ＋ｔ）≦９５に相当する組成が用いられた。媒体試料番号４－４および４－５には、ｐ＝３０、３０≦ｔ≦６０、６０≦（ｐ＋ｔ）≦９０に相当する組成が用いられた。媒体試料番号４－６および４－７には、ｐ＝４０、２０≦ｔ≦５０、６０≦（ｐ＋ｔ）≦９０に相当する組成が用いられた。媒体試料番号４－８および４－９には、ｐ＝５０、２０≦ｔ≦４０、７０≦（ｐ＋ｔ）≦９０に相当する組成が用いられた。媒体試料番号４－１０および４－１１には、ｐ＝６０、２０≦ｔ≦３０、８０≦（ｐ＋ｔ）≦９０に相当する組成が用いられた。
　媒体試料番号４－１２から４－１９は、（ＺｒＯ2）30（Ｃｒ2Ｏ3）50（Ｌ）20（モル％）の組成を有し、ＬにＡｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13、Ａｌ2ＴｉＯ5を用いた。
　媒体試料番号４－７、４－９および４－１１の密着性検証試験の結果から、Ｃｒ2Ｏ3が２０モル％含まれていれば１００時間で剥離が発生せず、媒体試料番号４－５および４－１０の結果から、Ｃｒ2Ｏ3が３０モル％含まれていれば２００時間で剥離が発生せず、媒体試料番号４－３および４－８の結果から、Ｃｒ2Ｏ3が４０モル％含まれていれば３００時間でも剥離が発生しないことがわかった。酸化物Ｌを添加してＺｒＯ2を減らすと、密着性が向上するので、Ｃｒ2Ｏ3を減らすことができる。その結果、高密着性と低消衰係数とを両立しやすくなる。例えば、実施例３の媒体試料番号３－７と本実施例の媒体試料番号４－５および４－１０とを比較すると、これらはＣｒ2Ｏ3量が３０モル％で消衰係数０．０４と同じであるが、媒体試料番号３－７は２００時間で剥離が発生したのに対し、媒体試料番号４－５および４－１０は２００時間まで剥離が発生しないという効果が得られた。
　また、媒体試料番号４－１２から４－１９の結果から、（ＺｒＯ2）30（Ｃｒ2Ｏ3）50（Ｌ）20（モル％）の組成を有する材料の場合、酸化物ＬにＡｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13、Ａｌ2ＴｉＯ5のいずれを用いても、総合評価は○であった。
　本実施例の総合評価の結果から、（ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）において、ｐおよびｔが、２０≦ｐ≦６０、２０≦ｔ＜８０、且つ６０≦（ｐ＋ｔ）＜１００であることが好ましいことが確認された。
　（実施例５）
　実施例５では、図１の情報記録媒体３００を製造し、第２の情報層３２０の界面層３２４（誘電体層ａ）の材料と界面層３２６（誘電体層ｂ）の材料とを組み合わせて、ｎａ＜ｎｂ（ｎａ：誘電体層ａの屈折率、ｎｂ：誘電体層ｂの屈折率）を満たす構成で、光学特性と記録再生特性とを調べた。界面層３２４および界面層３２６以外は、実施例２で製造した情報記録媒体３００と同様とした。
　界面層３２４および界面層３２６は、（表５－１）から（表５－５）に示す、媒体試料番号５－１－１から５－１－１５、媒体試料番号５－２－１から５－２－３、媒体試料番号５－３－１、媒体試料番号５－４－１および媒体試料番号５－５－１から５－５－５の材料をそれぞれ用いて作製した。比較例７から１０における界面層３２４および界面層３２６には、表５－６に示す材料をそれぞれ用いた。いずれも界面層３２４および界面層３２６の組成表記と同じ組成表記のスパッタリングターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて３ｋＷの出力でスパッタリングして形成した。比較例７から１０も同様のスパッタリング条件で形成した。各媒体試料における界面層３２４および界面層３２６の材料について、以下に説明する。
　（表５－１）に示す媒体試料番号５－１－１から５－１－９では、界面層３２６には同じ（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を用い、界面層３２４の材料を種々変更した。また、媒体試料番号５－１－１および５－１－１０から５－１－１５では、界面層３２４には同じ（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用いたが、界面層３２６の材料を種々変更した。
　具体的には、媒体試料番号５－１－１から５－１－７では、界面層３２６に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を用い、界面層３２４にＡｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｄを８０モル％とＣｒ2Ｏ3を２０モル％含む材料を用いた。媒体試料番号５－１－８および５－１－９では、界面層３２６に（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を用い、界面層３２４には（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）におけるＣｒ2Ｏ3の一部がＩｎ2Ｏ3またはＧａ2Ｏ3で置換された材料を用いた。
　媒体試料番号５－１－１０から５－１－１５では、界面層３２４に（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用い、界面層３２６にＡｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくとも一つの酸化物Ｌを２５モル％と、ＺｒＯ2を２５モル％と、Ｃｒ2Ｏ3を５０モル％とを含む材料を用いた。
　（表５－２）に示す媒体試料番号５－２－１から５－２－３では、界面層３２６に（ＺｒＯ2）25（ＨｆＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（モル％）を用い、界面層３２４には（Ａｌ2Ｏ3）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）におけるＣｒ2Ｏ3の一部がＧａ2Ｏ3で置換された材料を用いた。
　（表５－３）に示す媒体試料番号５－３－１では、界面層３２４に（Ａｌ6Ｓｉ2Ｏ13）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用い、界面層３２６に（ＺｒＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（Ａｌ2ＴｉＯ5）25（モル％）を用いた。
　（表５－４）に示す媒体試料番号５－４－１には、界面層３２４に（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）10（Ｉｎ2Ｏ3）10（モル％）を用い、界面層３２６に（ＺｒＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（Ａｌ2Ｏ3）25（モル％）を用いた。
　（表５－５）に示す媒体試料番号５－５－１から５－５－５では、界面層３２４に（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）を用い、界面層３２６の材料を種々変更した。具体的には、媒体試料番号５－５－１には、界面層３２４に（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）を用い、界面層３２６に（ＺｒＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＴｉＯ2）25（モル％）を用いた。媒体試料番号５－５－２から５－５－５には、界面層３２４に（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）を用い、界面層３２６には、（ＺｒＯ2）40（Ｃｒ2Ｏ3）60（モル％）においてＣｒ2Ｏ3の一部がＩｎ2Ｏ3またはＧａ2Ｏ3で置換された材料、あるいは、（ＺｒＯ2）30（Ｃｒ2Ｏ3）50（Ｌ）20（モル％）においてＣｒ2Ｏ3の一部がＩｎ2Ｏ3またはＧａ2Ｏ3で置換された材料を用いた。
　媒体試料番号５－１－１から５－１－１５、媒体試料番号５－２－１から５－２－３、媒体試料番号５－３－１、媒体試料番号５－４－１および媒体試料番号５－５－１から５－５－５には、いずれも、ｎａ＜ｎｂを満たす、本発明の情報記録媒体における誘電体層ａおよび誘電体層ｂの組み合わせが適用されていた。
　次に、情報記録媒体３００の記録再生評価方法について説明する。記録再生評価には、情報記録媒体３００を回転させるスピンドルモータと、レーザ光１０を発する半導体レーザを備えた光学ヘッドと、レーザ光１０を情報記録媒体３００の記録層上に集光させる対物レンズと、を具備した一般的な構成の記録再生装置を用いた。本実施例では、情報記録媒体３００の第２の情報層３２０の記録層３２５に情報を記録した。
　情報記録媒体３００の評価においては、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レンズとを使用し、３３．４ＧＢ容量相当の記録を行った。記録は、線速度７．４ｍ／秒の条件で、半径４０ｍｍの位置で実施した。記録した信号の再生評価は、線速度７．４ｍ／秒の条件で、１．０ｍＷのレーザ光を照射して実施した。
　記録再生評価は、信号振幅対ノイズ比（ＣＮＲ）の測定で実施した。はじめに、ＣＮＲの測定方法について説明する。レーザ光１０を、高パワーレベルの記録パワー（ｍＷ）と低パワーレベルの消去パワー（ｍＷ）との間でパワー変調しながら情報記録媒体３００に向けて照射して、３Ｔ（マーク長０．１６８μｍ）の単一信号と８Ｔ（マーク長０．４４６μｍ）の単一信号とを交互に計１１回、グルーブ面に記録した。記録するパルスの波形は、マルチパルスであった。１１回目の３Ｔ信号が記録された状態で、スペクトラムアナライザーで振幅（Ｃ）（ｄＢｍ）とノイズ（Ｎ）（ｄＢｍ）とを測定し、その差からＣＮＲ（ｄＢ）を測定した。
　繰り返し書換性能は、３Ｔと８Ｔとを交互に書き換えて、１１回目に記録した信号のＣＮＲと比べて、ＣＮＲが３（ｄＢ）低下した時の書換え回数を、繰り返し書換性能とした。
　密着性は実施例１の密着性評価手法に従って評価した。表中の評価基準について、５０時間で剥離が発生した場合を×、５０時間で剥離発生無し（但し２００時間では剥離発生）の場合を△、２００時間で剥離発生無しの場合を○、とした。
　第２の情報層３２０の反射率比と透過率とは、基板３０１（溝部だけでなく、鏡面部も有する）に第２の情報層３２０と透明層３０２を形成した測定用媒体を別途作製して、測定した。初期化は半面だけ行った。透過率は、分光光度計で波長４０５ｎｍにおいて測定した。透過率は、Ｔｃ（記録層が結晶相であるときの情報層の透過率）の方が、Ｔａ（記録層が非晶質相であるときの情報層の透過率）よりも低いので、（表５－１）から（表５－６）にはＴｃの測定値のみを記載した。反射率比Ｒｃ／Ｒａは、記録再生装置を用いて初期化部の鏡面部でＲｃを測定し、初期化部と未初期化部との境界の鏡面部でＲａを測定した（Ｒｃ：記録層が結晶相である場合の鏡面反射率、Ｒａ：記録層が非晶質相である場合の鏡面反射率）。
　各媒体試料についてのＲｃ／Ｒａ、Ｔｃ、密着性、ＣＮＲおよび繰り返し書換性能の評価結果は、（表５－１）から（表５－６）に併せて示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　反射率比Ｒｃ／Ｒａは、３ＴＣＮＲが５０（ｄＢ）以上得られる値の目安として、７以上あることが好ましい（なお、本実施例ではＲｃの設計値を７％としたが、６％、５％と設計値を下げていくと、Ｒｃ／Ｒａはより大きくできる。その場合も本発明の効果は同様に得られる。）。透過率Ｔｃは、目安として４６％以上あることが好ましい。Ｔｃが４６％以上であれば、Ｔａは４８％以上得られるので、４７％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２を満足することができる。
　（表５－１）から（表５－５）に示す全ての試料において、Ｒｃ／Ｒａとしては７以上の値が得られたので、３ＴＣＮＲも５０ｄＢ以上の値が得られた。Ｔｃには４６％以上の値が得られ、密着性については２００時間で剥離が発生しなかった。また、繰り返し書換回数については、界面層３２６がＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素とＣｒとＯとを含むことにより、１００００回以上の優れた結果が得られた。
　総合評価の基準は、Ｒｃ／Ｒａ≧７、Ｔｃ≧４６％、２００時間で剥離無し、繰り返し書換回数≧１００００、を全て満たせば○、
　５．６≦Ｒｃ／Ｒａ＜７、５０時間で剥離無しで２００時間では剥離発生、１０００≦繰り返し書換回数＜１００００、のいずれか一つでも該当すれば△、
　Ｒｃ／Ｒａ＜５．６、Ｔｃ＜４６％、５０時間で剥離発生、繰り返し書換回数＜１０００のいずれか一つでも該当すれば×、
とした。よって、（表５－１）から（表５－５）に示す全ての試料において、総合評価は○となった。
　また、（表５－１）から（表５－５）に示す全ての試料において、（第３の情報層３３０を通した）記録パワーはいずれの媒体も２３ｍＷ位で、消去パワーはいずれも７ｍＷ位であった。
　媒体試料番号５－１－１の界面層３２４と、媒体試料番号５－１－８および５－１－９の界面層３２４とを比較すると、Ｃｒ2Ｏ3の一部がＩｎ2Ｏ3またはＧａ2Ｏ3で置換されると、消衰係数が小さくなり、他の性能を落とすことなく界面層自体をより透明にすることができることがわかる。
　比較例７では、ｎａ＝ｎｂで界面層３２４の消衰係数が０．０７と大きいため、Ｒｃ／Ｒａが５．２と小さかった。比較例７では、３ＴＣＮＲも４７．３（ｄＢ）と低い値であった。
　比較例８では、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくとも一つの元素の代わりにＴｉを含む材料によって界面層３２６が形成されていたため、耐熱性が不足して、わずか５００回の繰り返し書換回数にとどまった。比較例８の媒体は、ｎａ＜ｎｂを満たしており、Ｒｃ／ＲａやＣＮＲにも優れていたが、残念ながら耐熱性が不足して繰り返し性能が劣った。
　一方、比較例９は、ｎｂ＜ｎａであって、Ｒｃ／Ｒａが４と小さかった。また、界面層３２６に（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用いたため、耐熱性が不足して、繰り返し書換回数が１０００回にとどまった。比較例１０も同様に、界面層３２６に（ＺｒＯ2）50（Ｇａ2Ｏ3）50を用いたため、耐熱性が不足して、書換回数が８００回にとどまった。
　以上の結果から、記録層に接する界面層の材料を、本発明の情報記録媒体において限定する誘電体層ａおよび誘電体層ｂの材料の組み合わせとすることにより、特に３層以上の情報記録媒体の半透明情報層について、従来の情報記録媒体よりも優れた性能を得ることができた。
　（実施例６）
　実施例６では、実施例５同様、図１の情報記録媒体３００を製造し、第２の情報層３２０の界面層３２４（誘電体層ａ）の材料と界面層３２６（誘電体層ｂ）の材料とを組み合わせて、ｎａ＜ｎｂ（ｎａ：誘電体層ａの屈折率、ｎｂ：誘電体層ｂの屈折率）を満たす構成で、光学特性と記録再生特性とを調べた。界面層３２４および界面層３２６以外は、実施例５で製造した情報記録媒体３００と同様とした。
　界面層３２４および界面層３２６は、（表６）に示す、媒体試料番号６－１から６－７の材料をそれぞれ用いて作製した。界面層３２４には（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用い、界面層３２６には（ＺｒＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　表６に示した密着性の基準は、実施例５と同じであった。また、総合評価の基準は、実施例５の基準と同じであった。
その結果、界面層３２６の材料（ＺｒＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）について、ｊが２０≦ｊ≦６０を満たす場合に総合評価が○となり、より優れた性能が得られた。
　比較例１１および１２の結果を、媒体試料番号６－１から６－７の結果と比較すると、界面層３２４および界面層３２６にＣｒ2Ｏ3が含まれていなければ、高い密着性が得られないことがわかった。
　（実施例７）
　実施例７では、図１の情報記録媒体３００を製造し、第１の情報層３１０、第２の情報層３２０および第３の情報層３３０に含まれる界面層の全てに、本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂの材料を適用した。
　本実施例では第１の情報層３１０のＲｃが約２８％、第２の情報層３２０のＲｃが約６％、（Ｔｃ＋Ｔａ）／２が約４８％、第３の情報層３３０のＲｃが約３％、（Ｔｃ＋Ｔａ）／２が約５９％、となるように設計した。
　第１の情報層３１０について、界面層３１４には（Ａｌ2Ｏ3）70（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル％）を用い、界面層３１６には（ＺｒＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＳｉＯ2）25（モル％）を用いた。界面層３１４および３１６の厚さは、共に５ｎｍとした。これら以外の各層の材料と膜厚は、実施例５と同様とした。
　第２の情報層３２０について、界面層３２４には（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用い、界面層３２６には（ＺｒＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＳｉＯ2）25（モル％）を用いた。界面層３２４および３２６の厚さは、共に５ｎｍとした。また、誘電体層３２７には（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）を用い、厚さを３８ｎｍとした。これら以外の各層の材料と膜厚は、実施例５と同様とした。
　第３の情報層３３０について、誘電体層３３１にはＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12を用い、厚さを１８ｎｍとした。また、界面層３３４には（Ａｌ2Ｏ3）80（Ｃｒ2Ｏ3）20（モル％）を用い、界面層３３６には（ＺｒＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＳｉＯ2）25（モル％）を用いて、これらの界面層の膜厚を共に５ｎｍとした。誘電体層３３７には（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル％）を用い、厚さを３７ｎｍとした。これら以外の各層の材料と膜厚は、実施例５と同様とした。
　以上のようにして、実施例７の情報記録媒体を作製した。
　本実施例の情報記録媒体について、各情報層の反射率（Ｒｃ、Ｒａ）、反射率比（Ｒｃ／Ｒａ）、透過率（Ｔｃ、Ｔａ）および透過率の平均値（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）をそれぞれ測定した。測定は、実施例５と同様に、基板３０１上に測定対象となる情報層と透明層３０２とを形成した測定用媒体を別途作製して、実施例５と同様の方法で行った。さらに、各情報層の界面層の複素屈折率も、実施例１と同様の方法で測定した。これらの結果は、表７－１に示されている。
　さらに、本実施例の情報記録媒体について、各情報層の実効Ｒｃおよび実効Ｒａを測定し、実効Ｒｃ／実効Ｒａを求めた。実効Ｒｃおよび実効Ｒａの測定には、実施例５同様、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レンズとを搭載した記録再生装置を用いた。情報記録媒体３００の、測定する情報層の記録層にレーザ光の焦点を合わせ、初期化部の鏡面部で実効Ｒｃを測定し、初期化部と未初期化部との境界の鏡面部で実効Ｒａを測定した。第１の情報層３１０の実効Ｒｃおよび実効Ｒａは、透明層３０２、第３の情報層３３０、中間層３０４、第２の情報層３２０および中間層３０３を通過したレーザ光１０を第１の情報層３１０に照射し、第１の情報層３１０で反射されて中間層３０３、第２の情報層３２０、中間層３０４、第３の情報層３３０および透明層３０２を通過した反射レーザ光を検出することによって、求められる。同様に、第２の情報層３２０の実効Ｒｃおよび実効Ｒａは、透明層３０２、第３の情報層３３０および中間層３０４を通過したレーザ光を第２の情報層３２０に照射し、第２の情報層３２０で反射して中間層３０４、第３の情報層３３０および透明層３０２を通過した反射レーザ光を検出することによって、求められる。第３の情報層３３０の実効Ｒｃおよび実効Ｒａは、透明層３０２を通過したレーザ光を第３の情報層３３０に照射し、第３の情報層３３０で反射して透明層３０２を通過した反射レーザ光を検出することによって、求められる。
　実施例５と同様の方法で、各情報層における記録層に対する界面層の密着性と、各情報層のＣＮＲおよび繰り返し書換回数とを測定した。総合評価の基準は、実施例５の基準と同じであった。これらの結果は、表７－２に示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
　第２の情報層３２０と第３の情報層３３０の実効Ｒａは０．２％未満となり、評価機のサーボが不安定で正確に測定できなかった。
　第２の情報層３２０の反射率Ｒｃを６％位まで下げるとＲｃ／Ｒａは１０を超えた。第１の情報層３１０から第３の情報層３３０の界面層に本発明における誘電体層ａおよび誘電体層ｂを適用することにより、高い反射率比Ｒｃ／Ｒａ、高い透過率、優れた密着性、高いＣＮＲ、１００００回を超える優れた繰り返し回数を実現できた。特に、半透明情報層である第２の情報層３２０と第３の情報層３３０は、Ｒｃ／Ｒａが１１を上回った。
　以上、種々の実施例を通じて本発明の情報記録媒体について説明してきたように、高透明性と記録層との優れた密着性とを兼ね備えた誘電体層ａ、および、高耐熱性と記録層との優れた密着性とを兼ね備えた誘電体層ｂにより、高反射率比、高透過率、さらには高繰り返し書換性能を兼ね備えた半透明情報層を実現できた。この半透明情報層の実現により、１００ＧＢ以上の大容量の情報記録媒体が実現可能となる。
　本発明の情報記録媒体は、優れた誘電体層を設けることによって実現された大容量の光学的情報記録媒体として、書換形多層Ｂｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃ、追記形多層Ｂｌｕ－ｒａｙ　Ｄｉｓｃ等に有用である。また本発明の情報記録媒体は、大容量の光学的情報記録媒体として、ＮＡ＞１の光学系、たとえばＳＩＬ（ソリッドイマージョンレンズ）やＳＩＭ（ソリッドイマージョンミラー）を使った光学系で記録再生できる、次世代の書換形情報記録媒体、あるいは次世代の書換形多層情報記録媒体にも有用である。

Claims (24)

  1. 　光の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、
    　光の入射側から、誘電体層ｂ、記録層および誘電体層ａをこの順に備え、
    　前記誘電体層ａが、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｍと、Ｃｒと、Ｏとを含み、
    　前記誘電体層ｂが、ＺｒおよびＨｆより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ａと、Ｃｒと、Ｏとを含み、
    　前記誘電体層ａおよび前記誘電体層ｂは、前記記録層に接して配置されている、
    情報記録媒体。
  2. 　前記誘電体層ａが、式（１）：
    ＭcＣｒdＯ100-c-d（原子％）　（１）
    で表される材料を含み、
    　前記式（１）において、添え字ｃ、ｄおよび１００－ｃ－ｄは、原子％で表されるＭ、ＣｒおよびＯの組成比を示し、
    　ｃおよびｄが、１２＜ｃ＜４０、０＜ｄ≦２５、且つ２０＜（ｃ＋ｄ）＜５０を満たす、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 　前記元素Ｍが、Ａｌ、ＳｉおよびＴｉより選ばれる少なくともいずれか一つの元素である、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  4. 　前記誘電体層ａに含まれるＣｒの一部が、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されている、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  5. 　前記誘電体層ａが、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｄと、Ｃｒ2Ｏ3とを含む、式（２）：
    （Ｄ）h（Ｃｒ2Ｏ3）100-h（モル％）　（２）
    で表される材料を含み、
    　前記式（２）において、添え字ｈおよび１００－ｈは、モル％で表されるＤおよびＣｒ2Ｏ3の組成比を示し、
    　ｈが、５０≦ｈ＜１００を満たす、
    請求項２に記載の情報記録媒体。
  6. 　前記酸化物Ｄが、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物である、
    請求項５に記載の情報記録媒体。
  7. 　前記誘電体層ａに含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されている、
    請求項５に記載の情報記録媒体。
  8. 　前記誘電体層ａにおけるＧａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3の含有量の合計が、３０モル％以下である、
    請求項７に記載の情報記録媒体。
  9. 　前記誘電体層ｂが、式（３）：
    ＡfＣｒgＯ100-f-g（原子％）　（３）
    で表される材料を含み、
    　前記式（３）において、添え字ｆ、ｇおよび１００－ｆ－ｇは、原子％で表されるＡ、ＣｒおよびＯの組成比を示し、
    　ｆおよびｇが、４＜ｆ＜１６、２１＜ｇ＜３５、且つ３０＜（ｆ＋ｇ）＜５０を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
  10. 　前記誘電体層ｂが、ＺｒＯ2およびＨｆＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物ＡＯ2と、Ｃｒ2Ｏ3とを含む、式（４）：
    （ＡＯ2）j（Ｃｒ2Ｏ3）100-j（モル％）　（４）
    で表される材料を含み、
    　前記式（４）において、添え字ｊおよび１００－ｊは、モル％で表されるＡＯ2およびＣｒ2Ｏ3の組成比を示し、
    　ｊが、２０≦ｊ≦６０を満たす、
    請求項９に記載の情報記録媒体。
  11. 　前記誘電体層ｂが、Ａｌ、Ｄｙ、Ｎｂ、Ｓｉ、ＴｉおよびＹより選ばれる少なくともいずれか一つの元素Ｘをさらに含む、式（５）：
    ＡkＣｒmＸnＯ100-k-m-n（原子％）　（５）
    で表される材料を含み、
    　前記式（５）において、添え字ｋ、ｍ、ｎおよび１００－ｋ－ｍ－ｎは、原子％で表されるＡ、Ｃｒ、ＸおよびＯの組成比を示し、
    　ｋ、ｍおよびｎが、１＜ｋ＜１８、３＜ｍ＜３５、０＜ｎ＜３１、且つ２５＜（ｋ＋ｍ＋ｎ）＜５０を満たす、
    請求項９に記載の情報記録媒体。
  12. 　前記元素Ｘが、Ａｌ、Ｄｙ、ＳｉおよびＴｉより選ばれる少なくともいずれか一つの元素である、
    請求項１１に記載の情報記録媒体。
  13. 　前記誘電体層ｂに含まれるＣｒの一部が、ＧａおよびＩｎより選ばれる少なくともいずれか一つの元素で置換されている、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  14. 　前記誘電体層ｂが、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＹ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物Ｌをさらに含む、式（６）：
    （ＡＯ2）p（Ｃｒ2Ｏ3）t（Ｌ）100-p-t（モル％）　（６）
    で表される材料を含み、
    　前記式（６）において、添え字ｐ、ｔおよび１００－ｐ－ｔは、モル％で表されるＡＯ2、Ｃｒ2Ｏ3およびＬの組成比を示し、
    　ｐおよびｔが、２０≦ｐ≦６０、２０≦ｔ＜８０、且つ６０≦（ｐ＋ｔ）＜１００を満たす、
    請求項１０に記載の情報記録媒体。
  15. 　前記元素ＡがＺｒである、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  16. 　前記酸化物Ｌが、Ａｌ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物である、
    請求項１４に記載の情報記録媒体。
  17. 　前記誘電体層ｂに含まれるＣｒ2Ｏ3の一部が、Ｇａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3より選ばれる少なくともいずれか一つの酸化物で置換されている、
    請求項１０に記載の情報記録媒体。
  18. 　前記誘電体層ｂにおけるＧａ2Ｏ3およびＩｎ2Ｏ3の含有量の合計が、２０モル％以下である、
    請求項１７に記載の情報記録媒体。
  19. 　前記誘電体層ａの屈折率をｎａ、前記誘電体層ｂの屈折率をｎｂとしたとき、ｎａ＜ｎｂを満たす、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  20. 　Ｎ個の情報層を含み、前記Ｎは２以上の整数であって、前記Ｎ個の情報層を、光入射側と反対側から順に第１情報層から第Ｎ情報層としたとき、前記Ｎ個の情報層に含まれる第Ｌ情報層（Ｌは、１≦Ｌ≦Ｎを満たす少なくともいずれか一つの整数）が、前記光の入射側から、前記誘電体層ｂ、前記記録層、前記誘電体層ａをこの順に含む、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  21. 　前記Ｎが３である、
    請求項２０に記載の情報記録媒体。
  22. 　前記記録層が、前記光の照射によって相変化を起こす材料によって形成されている、
    請求項１に記載の情報記録媒体。
  23. 　前記記録層がＧｅ－Ｔｅを含み、且つＧｅを４０原子％以上含む、
    請求項２２に記載の情報記録媒体。
  24. 　前記記録層がＳｂ－ＧｅおよびＳｂ－Ｔｅより選ばれる少なくともいずれか一つの材料を含み、且つＳｂを７０原子％以上含む、
    請求項２２に記載の情報記録媒体。
     
     
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