JP2009157990A - 情報記録媒体、その製造方法、その記録方法、およびターゲット - Google Patents

情報記録媒体、その製造方法、その記録方法、およびターゲット Download PDF

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利之 松永
Noboru Yamada
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Abstract

【課題】高転送レートおよび１００ＧＢ以上の大容量な記録条件でも、記録特性、消去特性、記録マーク保存性、密着性を同時に満足する情報記録媒体を提供する。
【解決手段】光の照射または電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体１００が、相変化を生じ得る記録層１１５を少なくとも備え、記録層１１５が、アンチモン（Ｓｂ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含み、好ましくは、Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示し、ｘ≦５０を満たす）材料を含み、記録層１１５と接する界面層１１４および１１６の少なくとも一つが、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである。
【選択図】図１

Description

発明は、光学的にまたは電気的に情報を記録、消去、書き換え、及び／または再生する情報記録媒体とその製造方法、および製造に用いるスパッタリングターゲットに関するものである。
ハイビジョン画像の録画媒体として、青紫色レーザを用いて記録再生する、高密度で大容量なＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（ブルーレイディスク、以下「ＢＤ」と略すことがある）規格が２００２年に策定された。現在市販されているＢＤには、２５ＧＢ容量の単層のＢＤ（片面に情報層を１つ有する）と、５０ＧＢ容量の２層のＢＤ（片面に情報層を２つ有する）がある。特に、２層ＢＤにおいては、レーザ入射側に位置する半透明な情報層をＬａｙｅｒ１（以下、Ｌ１と略すことがある）、レーザから遠い方の情報層をＬａｙｅｒ０(以下、Ｌ０と略すことがある)と呼ぶ。
発明者は、書換え型のＢＤ（以下、ＢＤ−ＲＥ）を開発し、これは、２００４年には１倍速対応の２５ＧＢおよび５０ＧＢ容量の記録媒体として実用化された。１倍速は、データ転送レート３６Ｍｂｐｓに相当する。さらに、２００６年には、２倍速対応の２５ＧＢおよび５０ＧＢ容量のＢＤ−ＲＥを実用化した。これらの記録媒体へのデータおよび画像の情報の記録または記録した情報の書き換えは、記録層の相変化を利用して行う。具体的には、記録は、記録層をアモルファス状態にすることにより行われる。情報の消去は、記録層を結晶状態にすることにより行われる。書き換えは、記録層をアモルファス状態から結晶状態にした後、さらにアモルファス状態にすることにより行われる。記録層の材料およびその組成は、結晶化速度が倍速に対して最適となるように決められる。
１倍速対応のＢＤにはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料（例えば、特許文献１参照）が用いられ、２倍速対応ＢＤには結晶化速度がより大きいＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系記録材料（例えば、特許文献２および３参照）が用いられている。詳しくは、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料として、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３が化合した化合物系であり、約４４％のＧｅと約６％のＳｂを含む組成を有している材料を採用した。また、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系記録材料として、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３が化合した化合物系で、約４５％のＧｅと約４％のＢｉを含む組成を有している材料を採用した。
今後、情報記録媒体（特にＢＤ）がさらに高倍速化および大容量化に対応できれば、パソコン用途、レコーダ用途およびゲーム機用途としての使用価値が高まる。たとえば、高速大容量なＢＤは、データおよび画像ファイルの処理速度の向上、高画質化、高音質化、およびレコーダの機能追加等を可能にする。また、高速大容量なＢＤは、長時間録画を可能にし、ハードディスクの代替も可能である。このように、今後ますます、高速大容量なＢＤの必要性が高まると予想されることから、発明者は、次なる開発目標を４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）以上で記録が可能であり、かつ１００ＧＢ以上の容量を有するＢＤ−ＲＥと設定した。
４倍速に対応するためには、２倍速対応の記録材料よりも結晶化速度の大きな材料が必要となる。たとえば、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系記録材料では、Ｂｉ２Ｔｅ３の濃度を増やすと結晶化速度が大きくなる。特に、５０ＧＢ容量の２層ＢＤにおいては、Ｌ０の記録層の厚みが約１０ｎｍであるのに対し、Ｌ１の記録層の厚みは６ｎｍと薄いため、Ｌ０とＬ１の記録層を同じ組成の記録材料で形成すると、Ｌ１の記録層の結晶化能は低下してしまう。よって、Ｌ１用の記録材料において、Ｂｉ２Ｔｅ３の濃度は、より高くする必要がある。
一方、１００ＧＢの大容量化を実現する手法として、例えば、記録密度を２倍に増やす手法、または情報層の数を４層に増やす手法がある。密度を増やすためには、記録マークを小さくしなければならないので、レーザ照射時間も短くなる。よって、短い時間で記録層を結晶化させるためには、記録材料の結晶化速度を大きくしなければならない。また、情報層の数を増やす場合、２層媒体のＬ１よりも高い透過率を持つ情報層を追加しなければならないので、記録層の膜厚は、例えば３ｎｍといった極めて薄い膜厚に設計されることとなる。このように、大容量化という観点からも、結晶化速度を大きくしなければならないので、例えばＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系記録材料においては、Ｂｉ２Ｔｅ３の濃度を２層ＢＤのＬ１用よりも増やして組成を調整しなければならない。
特許第２５８４７４１号公報 特許第２５７４３２５号公報 国際公開番号ＷＯ２００６／０１１２８５公報
発明者らは、まず４倍速に対応した２層ＢＤを実現するために、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系記録材料のＢｉ２Ｔｅ３の濃度の最適値を調べたが、Ｌ０およびＬ１の両方について、最適値を見出せなかった。具体的には、初期特性（記録特性、消去特性）と信頼性（記録マーク保存性）を評価した。その結果、Ｌ０において、良好な消去特性を示した組成は、劣悪な記録マーク保存性を示し、実用レベルに達しなかった。Ｌ１において、良好な消去特性を示した組成は、小さい信号振幅を与え、不十分な記録特性を示した。その上、その組成は、Ｌ０同様、劣悪な記録マーク保存性を示した。したがって、最適な組成が見出せなかった。
これらの結果は、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系記録材料において、Ｂｉ２Ｔｅ３の濃度を増やすと、結晶化速度は大きくなるものの、同時に光学変化が小さくなると共に、結晶化温度が低下してしまうことによる。結晶化速度は消去特性として評価され、結晶化速度が大きいと消去率は高くなる。光学変化は相変化による屈折率変化であり、信号振幅として評価され、光学変化が大きいほど信号振幅は大きくなる。結晶化温度は、記録マークの保存性、すなわちアモルファスの安定性に影響を与える。結晶化温度の低下は、記録マークの保存性を損ねることにつながる。
発明者らは、大容量化に対応した４層ＢＤ（１００ＧＢ）についても同様に記録材料の組成の最適値を求めようと試みた。しかし、４つの情報層のいずれについても、十分な結晶化速度、光学変化、および結晶化温度を有する組成が存在しなかった。Ｌ０において、良好な消去特性を示す組成の記録材料で記録層を形成しても、記録マーク保存性が劣悪となり、Ｌ０は実用レベルに達しなかった。また、半透明な情報層Ｌ３、Ｌ２およびＬ１において、良好な消去特性を示す組成の記録材料で記録層を形成しても、記録マーク保存性が劣悪となり、さらに信号振幅も不足した。なお、情報層Ｌ３、Ｌ２、Ｌ１およびＬ０はこの順に並び、Ｌ３がレーザ入射側に位置する。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、大きな結晶化速度と大きな光学変化と高い結晶化温度を有する相変化記録層を含む情報記録媒体を提供する。また、その記録層と良好に密着する界面層を有する情報記録媒体を提供することを目的とする。併せて、４倍速以上の高データ転送レートの記録条件でも、記録特性、消去特性、記録マーク保存性を同時に満足し、さらに耐湿性にも優れた情報記録媒体を提供することを目的とする。併せて、１００ＧＢ以上の多層媒体で、記録層を４ｎｍ以下と薄くしても、良好な記録特性、消去特性、記録マーク保存性を有し、さらに耐湿性にも優れた多層情報記録媒体を提供することを目的とする。また、その情報記録媒体を製造する製造方法と、その製造で用いるスパッタリングターゲット、その情報記録媒体に記録するための記録方法を提供することも目的とする。
前記従来の課題を解決するために、本発明は、光の照射によって情報を記録し得る情報記録媒体であって、光の照射によって相変化を生じ得る記録層と、厚さ方向において、前記記録層と隣接する二つの界面層とを含み、前記記録層が、ＳｂとＳｉとを含み、前記界面層のうち少なくとも一つが、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａであることを特徴とする情報記録媒体を提供する。界面層において、前記の組み合わせは、化合物として存在してよく、あるいは化合物を形成することなく存在していてよく、その意味で、「−」の記号を用いている。
界面層Ａは、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含んでよい。ここで、「ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ」とは、界面層Ａが、ＺｎＳとＳｉＯ２の両方を含むことを指す。
本発明の情報記録媒体において、界面層Ａと記録層は、レーザ光入射側から、界面層Ａ／記録層の順に配置されていてもよいし、記録層Ａ／界面層の順に配置されていてもよい。あるいは、本発明の情報記録媒体は界面層Ａを２つ含んでいてよい。その場合、２つの界面層Ａと記録層は、界面層Ａ／記録層／界面層Ａの順に配置される。
また、本発明の情報記録媒体は、界面層Ａと隣接する誘電体層をさらに含んでよい。その場合、その誘電体層は、酸化物、硫化物、窒化物、炭化物及び弗化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含んでよい。
界面層Ａは、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４およびＭｇＯより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含んでよい。また、界面層Ａは、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含んでよい。界面層Ａは、さらにＴａ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｄｙ−ＯおよびＬａ−Ｆより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含んでよい。
記録層は、式（１）：
Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ （１）
（ｘは、原子％で表される組成比を示し、ｘ≦５０を満たす。）
で表される材料を含んでいることが好ましい。
記録層は、さらにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含んでもよい。その場合、記録層は、式（２）：
Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ （２）
（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）で表される材料を含むことが好ましい。式（２）において、ｘ及びｙは、ｙ≦ｘを満たしてよい。
記録層の膜厚は、１５ｎｍ以下であってよく、６ｎｍ以下であってもよい。
また、本発明は、Ｎ個の情報層を含み、Ｎは２以上の整数であって、情報層のうち少なくとも一つの情報層が上記記録層と上記界面層とを含むことを特徴とする情報記録媒体を提供する。この情報記録媒体において、Ｎは、３または４であってよい。また、Ｎ個の情報層を含む媒体においては、レーザ光入射側に位置する情報層を第Ｎ情報層とし、レーザ光入射側から最も遠い情報層を第１情報層としたとき、第１情報層を除く情報層のうち少なくとも一つの情報層、すなわちレーザ光入射側に近い１または複数の情報層が、上記記録層と上記界面層とを含んでよい。
本発明はまた、上記本発明の情報記録媒体を製造する方法であって、ＳｂとＳｉとを含む記録層を気相法で成膜する工程と、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａを気相法により成膜することを特徴とする製造方法を提供する。この製造方法において、記録層は、さらにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含むように成膜されてよい。
本発明の製造方法において、記録層は、希ガス、またはＮ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガスと希ガスとの混合ガスを含む雰囲気中で成膜してよい。界面層Ａは、希ガス、またはＮ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガスと希ガスとの混合ガスを含む雰囲気中で成膜してよい。
本発明はまた、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌと、ＳｂおよびＳｉとを含む記録層を成膜するためのスパッタリングターゲットであって、少なくともＳｂとＳｉとを含むことを特徴とするスパッタリングターゲット（以下、ターゲットと略すことがある）を提供する。
ターゲットはＬを含んでもよい。Ｌを含むターゲットは、このターゲットを用いて成膜される記録層が、式（２）：Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）で表される材料を含むようなものであってよい。あるいは、Ｌを含むスパッタリングは、式（２）で表される材料を含むものであってよい。
本発明はまた、光の照射によって情報を記録し得る情報記録媒体に情報を記録する方法であって、１以上の情報層を含み、前記情報層のうち少なくとも一つの情報層が、相変化を生じ得る記録層と、厚さ方向において、前記記録層と隣接する二つの界面層とを含み、前記記録層がＳｂとＳｉとを含み、前記界面層のうち少なくとも一つがＩｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである情報記録媒体に、波長が３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲内にあるレーザ光を発生させる半導体レーザと、開口数が０．８〜０．９の範囲内にある対物レンズとを使用して、１４４メガビット毎秒以上のデータ転送レートで情報を記録することを特徴とする情報記録媒体の記録方法を提供する。あるいは、３以上の情報層を含む場合、７２メガビット毎秒以上のデータ転送レートで、情報を記録してよい。
また、本発明は、電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体であって、相変化を生じ得る記録部と、前記記録部の側面の少なくとも一部と接する界面部とを含み、前記記録部がＳｂとＳｉとを含み、前記界面部がＩｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含むことを特徴とする情報記録媒体を提供する。
本発明の情報記録媒体は、例えば、ＢＤ−ＲＥとして実現される場合、優れた記録特性、消去特性、再生特性、記録マーク保存性並びに耐湿性を有する。したがって、本発明によれば、４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）以上の高転送レートで情報を記録できるＢＤ−ＲＥ、並びに３つ以上の情報層を有する１００ＧＢ以上の大容量ＢＤ−ＲＥを実現することができる。
本発明の情報記録媒体の製造方法に従って、例えば、ＢＤ−ＲＥを製造する場合、優れた記録特性、消去特性、再生特性、記録マーク保存性並びに耐湿性を有する、４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）以上の高転送レートで情報を記録できるＢＤ−ＲＥ、並びに３つ以上の情報層を有する１００ＧＢ以上の大容量ＢＤ−ＲＥを製造することができる。
本発明のターゲットを用いて、例えば、ＢＤ−ＲＥの記録層をスパッタリングにより形成する場合、優れた記録特性、消去特性、再生特性、記録マーク保存性並びに耐湿性を有する、４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）以上の高転送レートで情報を記録できるＢＤ−ＲＥ、並びに３つ以上の情報層を有する１００ＧＢ以上の大容量ＢＤ−ＲＥを実現する、相変化記録層を成膜することができる。
また、本発明の記録方法は、本発明の情報記録媒体を用いて実施されるものである。よって、本発明の記録方法を、例えば、ＢＤ−ＲＥに適用する場合、ハイビジョン画像を速やかに良好に情報記録媒体に録画することを可能にする。これは、本発明の情報記録媒体が２５ＧＢ以上の容量を有し、かつ４倍速以上の高転送レートでの情報の記録を可能にするからである。あるいは、本発明の記録方法は、記録媒体を１００ＧＢ以上の大容量を有するように構成する場合には、２倍速以上の転送レートで情報の記録が可能であるから、ハイビジョン画像を長時間良好に情報記録媒体に録画することを可能にする。
本発明の情報記録媒体によれば、優れた記録特性、消去特性、再生特性、記録マーク保存性並びに耐湿性を有する、高速で情報を記録できる、大容量な電気的情報記録媒体、例えば電気メモリを実現することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、情報記録媒体（以下の説明を含む明細書において、「記録媒体」または「媒体」とも呼ぶ）の一例を説明する。図１に、その情報記録媒体１００の一部断面を示す。情報記録媒体１００において、基板１０１上に成膜された情報層１１０および透明層１０２が、順に配置されている。さらに、情報層１１０において、基板１０１の一方の表面に成膜された反射層１１２、誘電体層１１３、界面層１１４、記録層１１５、界面層１１６および誘電体層１１７が、この順に配置されてなる。
情報記録媒体１００は、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光１０で情報を記録再生する、２５ＧＢ以上の容量を有するＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃとして使用できる。この構成の情報記録媒体１００には、透明層１０２側からレーザ光１０が入射し、それにより情報の記録及び再生が実施される。以下、基板１０１から順に説明する。
基板１０１は、主に支持体としての機能を有し、円盤状で、透明且つ表面の平滑なものであることが好ましい。基板１０１の材料としては、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のような樹脂、又はガラスを挙げることができる。成形性、価格、及び機械強度を考慮すると、ポリカーボネートが好ましく使用される。図示した形態において、厚さ約１．１ｍｍ、直径約１２０ｍｍの基板１０１が好ましく用いられる。
基板１０１の情報層１１０を形成する側の表面には、レーザ光１０を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板１０１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光１０に近い側にある面を便宜的に「グルーブ面」と呼び、レーザ光１０から遠い側にある面を便宜的に「ランド面」と呼ぶ。たとえば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃとして使用する場合、グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。また、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃにおいては、グルーブ面のみに記録を行う。Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃにおいて、グルーブ−グルーブ間の距離（グルーブ面中心からグルーブ面中心まで）は、約０．３２μｍである。
次に、透明層１０２について説明する。情報記録媒体の記録密度を大きくする方法として、短波長のレーザ光を使用して、レーザビームをより小さい面積に絞り込めるように、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする方法がある。ＮＡが大きくなると、焦点位置が浅くなるので、ＢＤは、薄い透明層１０２にレーザ光１０が入射するように用いられる。透明層１０２は、基板１０１と比べて、より薄く設計される。この構成によれば、より高密度の記録が可能な大容量情報記録媒体１００を得ることができる。
透明層１０２は、基板１０１同様、円盤状で、透明且つ表面の平滑なものであることが好ましい。透明層１０２の表面から情報層１１０の記録層１１５までの距離、すなわち透明層１０２の厚さは、８０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましく、９０μｍ以上１１０μｍ以下であることがより好ましい。透明層１０２は、例えば、円盤状のシートと接着層から成ってもよいし、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂、またはエポキシ系樹脂）から成ってもよい。透明層１０２には、必要に応じて、レーザ光１０を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。また、誘電体層１１７の表面に保護層を設け、保護層の上に透明層１０２を設けてもよい。
いずれの構成の透明層１０２も、総厚み（例えば、シート厚さ＋接着層厚さ＋保護層厚さ、または紫外線硬化性樹脂のみの厚さ）が８０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。シートは、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、又はＰＭＭＡのような樹脂で形成することが好ましく、特にポリカーボネートで形成することが好ましい。また、透明層１０２の材料は、レーザ光１０入射側に位置するため、光学的には短波長域における複屈折が小さいものであることが好ましい。
反射層１１２は、光学的には記録層１１５に吸収される光量を増大させる機能、および記録層１１５が非晶質である場合と結晶である場合の情報記録媒体１００の反射率差を大きくする機能を有する。また、熱的には記録層１１５で生じた熱を速やかに拡散させて、記録層１１５を急冷し、非晶質化し易くする機能を有する。さらに、反射層１１２は、誘電体層１１３から誘電体層１１７までを含む多層膜を使用環境から保護する機能をも有する。反射層１１２の材料は、記録層１１５で生じた熱を速やかに拡散させるよう、大きい熱伝導率を有することが好ましい。また、反射層１１２の材料は、記録層１１５に吸収される光量を増大させるよう、使用するレーザ光の波長における光吸収が小さいものであることが好ましい。
反射層１１２の材料として、例えば、Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕより選ばれる金属またはこれらの合金を用いることができる。その耐湿性を向上させる、ならびに／あるいは熱伝導率または光学特性（例えば、光反射率、光吸収率または光透過率）を調整することを目的として、上記金属または合金に、他の元素を添加した材料を使用してよい。具体的には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｔｅ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる１つまたは複数の元素を添加してよい。この際、添加濃度は３原子％以下であることが好ましい。特に、Ａｇは波長４０５ｎｍ付近の光吸収が小さいので、その波長のレーザ光を用いて情報を記録する記録媒体においては、Ａｇを９７原子％以上含む反射層１１２が好ましく用いられる。
また、反射層１１２は、２以上の層で形成されてよい。その場合、基板１０１側を誘電体材料よりなる層としてもよい。反射層１１２の厚さは、使用する媒体の線速度および記録層１１５の組成に合わせて調整し、４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。反射層１１２の厚さが４０ｎｍより薄いと急冷が不十分となるので、記録層の熱が拡散しにくくなり、記録層が非晶質化しにくくなる。反射層１１２の厚さが３００ｎｍより厚いと急冷が過剰になるので、記録層の熱が拡散しすぎて、記録感度が悪化する（すなわち、より大きなレーザパワーが必要になる）。
誘電体層１１３及び誘電体層１１７は、光学距離を調節して、記録層１１５の光吸収効率を高め、結晶相の反射率と非晶質相の反射率との差を大きくして、信号振幅を大きくする機能を有する。また、誘電体層１１３および１１７は、記録層１１５を水分等から保護する機能をも有する。誘電体層は、使用するレーザ波長に対して透明性が高いこと、優れた耐湿性および耐熱性を有する材料で形成されることが好ましい。
誘電体層１１３及び１１７の材料としては、酸化物、硫化物、窒化物、炭化物及び弗化物、及びこれらの混合物を用いることができる。
酸化物としては、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣａＯ、ＣｅＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｈｏ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｅＯ２、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、およびＺｒＳｉＯ４等を挙げることができる。
硫化物としては例えばＺｎＳ等を用いてもよい。
窒化物としては、例えばＡｌＮ、ＢＮ、ＣｒＮ、Ｇｅ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＮｂＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、およびＺｒＮ等を挙げることができる。炭化物としては、例えばＡｌ４Ｃ３、Ｂ４Ｃ、ＣａＣ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＨｆＣ、Ｍｏ２Ｃ、ＮｂＣ、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、ＶＣ、Ｗ２Ｃ、ＷＣ、およびＺｒＣ等を挙げることができる。弗化物としては、例えばＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＤｙＦ３、ＥｒＦ３、ＧｄＦ３、ＨｏＦ３、ＬａＦ３、ＭｇＦ２、ＮｄＦ３、ＹＦ３、およびＹｂＦ３等を挙げることができる。
混合物としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−ＬａＦ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｇａ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＣ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｉＣ、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２、ＨｆＯ２−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＨｆＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＨｆＯ２−Ｇａ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＨｆＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＣ、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−ＳｉＣ、ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２−ＳｉＣ、ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４、ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３−ＳｉＣ、ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３−Ｓｉ３Ｎ４、ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２等を挙げることができる。
ＺｒＯ２を含む複合材料もしくは混合材料は、４０５ｎｍ付近の波長に対して透明性が高く、耐熱性にも優れているので、好ましく用いられる。ＺｒＯ２を含む材料は、ＺｒＯ２の代わりに、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３のいずれかを添加した、部分安定化ジルコニアまたは安定化ジルコニアであってよい。
ＺｎＳ−ＳｉＯ２は非晶質で、熱伝導性が低く、高透明性及び高屈折率を有し、また、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性及び耐湿性にも優れた材料である。誘電体層１１７は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）の組成を有する材料で形成してよい。
あるいは、誘電体層１１３もしくは誘電体層１１７を、上記酸化物等または混合物を積層して２以上の層で形成してもよい。
誘電体層１１３及び誘電体層１１７は、各々の光路長（即ち、誘電体層の屈折率ｎと誘電体層の膜厚ｄとの積ｎｄ）を変えることにより、結晶相の記録層１１５の光吸収率Ａｃ（％）と非晶質相の記録層１１５の光吸収率Ａａ（％）、記録層１１５が結晶相であるときの情報記録媒体１００の光反射率Ｒｃ（％）と記録層１１５が非晶質相であるときの情報記録媒体１００の光反射率Ｒａ（％）、記録層１１５が結晶相である部分と非晶質相である部分の情報記録媒体１００の光の位相差Δφを調整する機能を有する。
記録マークの再生信号振幅を大きくして、信号品質を上げるためには、反射率差｜Ｒｃ−Ｒａ｜又は反射率比Ｒｃ／Ｒａが大きいことが望ましい。また、記録層１１５がレーザ光を吸収するように、Ａｃ及びＡａも大きいことが望ましい。これらの条件を同時に満足するように誘電体層１１３及び誘電体層１１７の光路長を決定する。それらの条件を満足する光路長は、例えばマトリクス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書、１９７１年、第３章を参照）に基づく計算によって正確に決定することができる。
レーザ光１０の波長をλ（ｎｍ）とした場合、光路長ｎｄは、ｎｄ＝ａλで表される。ここで、ａは正の数とする。情報記録媒体１００の記録マークの再生信号振幅を大きくして信号品質を向上させるには、例えば、情報記録媒体１００をＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃとして使用する場合、１８％≦Ｒｃ且つＲａ≦６％を満足するように、誘電体層１１３及び１１７の光路長ｎｄをマトリクス法に基づく計算により、厳密に決定することができる。例えば、屈折率が２〜３である誘電体材料で、誘電体層１１３及び誘電体層１１７を形成する場合、誘電体層１１３の厚さは５０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましい。また、誘電体層１１７の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましい。
誘電体層１１３および誘電体層１１７は、必要に応じて設けることができる。界面層１１４が上記の誘電体層１１３としても機能する場合には、誘電体層１１３は必ずしも設ける必要はない。同様に、界面層１１６が上記の誘電体層１１７として機能する場合には、誘電体層１１７は必ずしも設ける必要はない。例えば、情報層１１０は、基板１０１上に、反射層１１２、界面層１１４、記録層１１５、界面層１１６および誘電体層１１７が、この順に配置されてなる構成であってもよいし、反射層１１２、界面層１１４、記録層１１５および界面層１１６が、この順に配置されてなる構成であってもよい。あるいは、情報層１１０は、基板１０１上に、反射層１１２、誘電体層１１３、界面層１１４、記録層１１５および界面層１１６がこの順に配置されてなる構成であってもよい。
次に、界面層１１４および界面層１１６について説明する。界面層１１４および界面層１１６は、記録層１１５と接して設けられる。界面層１１４および界面層１１６は、記録層１１５への密着性が優れている材料で形成される。同時に、界面層１１４および界面層１１６は、誘電体層１１３と記録層１１５、及び誘電体層１１７と記録層１１５の密着性が悪い場合に、接着層としても機能する。あるいは、誘電体層１１３を設けない構成においては、反射層１１２と密着性のよい材料で、界面層１１４を形成してよい。前述のように、誘電体層を設けない場合には、界面層は誘電体層としても機能する。本明細書においては、厚さ方向において記録層と接する層を、界面層と称し、後述するように、特定の元素の組み合わせを含む界面層を、特に界面層Ａと称する。
界面層１１４および界面層１１６の材料は、後述する、ＳｂとＳｉを含む記録層１１５との密着性に加えて、記録層１１５にレーザ光１０を照射した際に、溶けたり分解したりしない、耐熱性の強い材料であることが好ましい。界面層１１４に含まれる元素は、界面層１１６に含まれる元素と同じであってよく、あるいは異なる元素であってよい。また、界面層１１４および１１６が、同じ元素を含む場合、異なる組成比を有していてもよい。発明者らの実験によると、界面層１１４は、記録層１１５により強く密着する材料で形成することが望ましいことがわかった。
界面層１１４および１１６は、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含むことが好ましい。各組み合わせにおいて、各元素はいずれの形態で存在していてもよく、例えば、化合物の形態で存在してよく、あるいは他の元素と結合していない状態で存在していてよい。前述のとおり、これらの組み合わせを一つ以上含む界面層は、界面層Ａと称される。図示した形態において、界面層１１４および１１６のうち、少なくとも一方が界面層Ａであることを要し、両方が界面層Ａであってよい。
界面層Ａは、前記組み合わせとして、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせ（ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせを指す）を含んでよい。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせは、一般に混合物として提供される。界面層Ａは、これらの化合物および組み合わせを構成する化合物以外の化合物を含んでよい。これらの化合物および組み合わせを構成しない化合物の含有量は、５０mol％以下であることが好ましい。
界面層Ａは、好ましくは、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含む。これらの化合物および組み合わせは、記録層１１５との密着性により優れていることによる。これらの化合物および組み合わせは、界面層１１４および界面層１１６のいずれにも用いることができる。あるいは、界面層１１４は、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含んでよく、界面層１１６は、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物を含んでよい。
界面層Ａを構成する材料は、前記化合物から選択される一つの化合物を含む材料、またはＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせを含む材料であってよい。あるいは、界面層Ａを構成する材料は、前記化合物から選択される二つ以上の化合物を含む材料、または前記化合物から選択される一つ以上の化合物とＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせとを含む材料であってよい。その場合、二つ以上の化合物を含む材料は、混合材料であってよく、あるいは複合材料であってよい。
より具体的には、界面層Ａを構成する材料は、例えば、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＣ、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｉ３Ｎ４、Ｉｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＢＮ、Ｉｎ２Ｏ３−ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＡｌＮ、ＺｎＯ−ＳｎＯ２、ＺｎＯ−ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＣ、ＺｎＯ−ＺｎＳ、ＺｎＯ−Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＯ−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ−ＴｉＯ２、ＺｎＯ−ＣｅＦ３、ＺｎＯ−ＢＮ、ＺｎＯ−ＭｇＯ、ＺｎＯ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＡｌＮ、ＳｎＯ２−ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２−ＳｉＣ、ＳｎＯ２−ＺｎＳ、ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４、ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２−ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−ＣｅＦ３、ＳｎＯ２−ＢＮ、ＳｎＯ２−ＭｇＯ、ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２−ＡｌＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＳｉＣ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＢＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＡｌＮ、Ｇａ２Ｏ３−ＳｉＣ、Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＳ、Ｇａ２Ｏ３−Ｓｉ３Ｎ４、Ｇａ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３−ＴｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｇａ２Ｏ３−ＢＮ、Ｇａ２Ｏ３−ＭｇＯ、Ｇａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−ＡｌＮ、ＳｉＣ−ＺｎＳ、ＳｉＣ−Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ−Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＣ−ＴｉＯ２、ＳｉＣ−ＣｅＦ３、ＳｉＣ−ＢＮ、ＳｉＣ−ＭｇＯ、ＳｉＣ−Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＣ−ＡｌＮ、ＺｎＳ−Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−ＣｅＦ３、ＺｎＳ−ＢＮ、ＺｎＳ−ＭｇＯ、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４−Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４−ＴｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４−ＣｅＦ３、Ｓｉ３Ｎ４−ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４−ＭｇＯ、Ｓｉ３Ｎ４−Ｃｒ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４−ＡｌＮ、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＦ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＢＮ、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５−Ｃｒ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＡｌＮ、ＴｉＯ２−ＣｅＦ３、ＴｉＯ２−ＢＮ、ＴｉＯ２−ＭｇＯ、ＴｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＡｌＮ、ＣｅＦ３−ＢＮ、ＣｅＦ３−ＭｇＯ、ＣｅＦ３−Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３−ＡｌＮ、ＢＮ−ＭｇＯ、ＢＮ−Ｃｒ２Ｏ３、ＢＮ−ＡｌＮ、ＭｇＯ−Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ−ＡｌＮ、およびＣｒ２Ｏ３−ＡｌＮから選択される組み合わせを含んでよい。
Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる化合物または組み合わせは、任意の量で界面層Ａに含まれていてよい。界面層Ａは、例えば、（Ｉｎ２Ｏ３）１０（ＺｎＯ）９０、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｎＯ）５０、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＺｎＯ）１０、（Ｉｎ２Ｏ３）１０（ＺｎＯ）４５（ＳｎＯ２）４５、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｎＯ）２５（ＳｎＯ２）２５、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＺｎＯ）５（ＳｎＯ２）５、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］１０（ＳｎＯ２）９０、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］５０（ＳｎＯ２）５０、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］９０（ＳｎＯ２）１０、（Ｉｎ２Ｏ３）１０（Ｇａ２Ｏ３）９０、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｇａ２Ｏ３）５０、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（Ｇａ２Ｏ３）１０、（ＳｎＯ２）１０（ＳｉＣ）９０、（ＳｎＯ２）５０（ＳｉＣ）５０、または（ＳｎＯ２）９０（ＳｉＣ）１０（括弧の後の添え字はｍｏｌ％で示される組成比を表す）を含んでいてよい。あるいは、界面層Ａの組成が、上記のいずれかの組成であってよい。
また、界面層Ａは、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの化合物と、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物とを含んでよい。その場合、二つ以上の化合物の組み合わせにおいて、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣの割合は、５０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。界面層Ａは、例えば、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｎｂ２Ｏ５）５０、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（Ｎｂ２Ｏ５）１０、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］５０（ＭｇＯ）５０、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］９０（ＭｇＯ）１０、または（Ｇａ２Ｏ３）５０（Ｃｒ２Ｏ３）５０、（Ｇａ２Ｏ３）９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（括弧の後の添え字はｍｏｌ％で示される組成比を表す）を含んでよい。あるいは、界面層Ａの組成が、上記のいずれかの組成であってよい。これらの組成物も、記録層１１５への密着性に優れており、界面層１１４および界面層１１６のいずれをも形成するために用いることができる。
あるいは、界面層Ａは、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる化合物を、任意の量で含んでよい。界面層Ａは、例えば、（ＺｎＳ）１０（Ｓｉ３Ｎ４）９０、（ＺｎＳ）５０（Ｓｉ３Ｎ４）５０、（ＺｎＳ）９０（Ｓｉ３Ｎ４）１０、（ＴｉＯ２）１０（ＣｅＦ３）９０、（ＴｉＯ２）５０（ＣｅＦ３）５０、（ＴｉＯ２）９０（ＣｅＦ３）１０、（ＢＮ）１０（ＡｌＮ）９０、（ＢＮ）５０（ＡｌＮ）５０、または（ＢＮ）９０（ＡｌＮ）１０（括弧の後の添え字はｍｏｌ％で示される組成比を表す）を含んでよい。あるいは、界面層Ａの組成が、上記いずれかの組成であってよい。これらの組成物は、特に、界面層１１６を構成するのに適している。
あるいは、界面層１１６は、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを５０ｍｏｌ％未満含む組成物を有してよい。界面層１１６は、例えば、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＺｎＳ）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（Ｓｉ３Ｎ４）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＭｇＯ）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（Ｎｂ２Ｏ５）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＴｉＯ２）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＣｅＦ３）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＢＮ）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（Ｃｒ２Ｏ３）８０、（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＡｌＮ）８０、（ＺｎＯ）２０（ＭｇＯ）８０、（ＳｎＯ２）２０（ＭｇＯ）８０、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］２０（ＭｇＯ）８０、（Ｇａ２Ｏ３）２０（ＭｇＯ）８０、（ＳｉＣ）２０（ＭｇＯ）８０（括弧の後の添え字はｍｏｌ％で示される組成比を表す）を含んでよい。あるいは、界面層１１６の組成が、上記いずれかの組成であってよい。
界面層Ａは、さらにＴａ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｄｙ−ＯおよびＬａ−Ｆより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含んでもよい。また、それらの組み合わせは、それぞれ、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｄｙ２Ｏ３およびＬａＦ３で表される化合物であってよい。これらの組み合わせおよび化合物は高い透明性を有し、耐熱性にも優れている。よって、これらの化合物は、界面層１１４または１１６が界面層Ａである場合に、その透明性を高める目的で、および／または耐熱性を高める目的で、用いることができる。これらの化合物の含有量は、５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
これらの化合物は、例えば、Ｉｎ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−Ｄｙ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＺｎＯ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−ＺｒＯ２、ＺｎＯ−ＨｆＯ２、ＺｎＯ−Ｄｙ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＬａＦ３、ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−ＺｒＯ２、ＳｎＯ２−ＨｆＯ２、ＳｎＯ２−Ｄｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２−ＬａＦ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＺｒＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＨｆＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｄｙ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｇａ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３−ＺｒＯ２、Ｇａ２Ｏ３−ＨｆＯ２、Ｇａ２Ｏ３−Ｄｙ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＳｉＣ−Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＣ−Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ−ＳｉＯ２、ＳｉＣ−ＺｒＯ２、ＳｉＣ−ＨｆＯ２、ＳｉＣ−Ｄｙ２Ｏ３、またはＳｉＣ−ＬａＦ３のような組み合わせ（特に混合材料）として、使用することができる。
界面層１１４および界面層１１６がともに界面層Ａであり、かつ誘電体層１１３および誘電体層１１７が設けられている場合、界面層１１４および１１６の厚さは０．３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以上７ｎｍ以下であることがより好ましい。界面層１１４および１１６が厚いと、基板１０１の表面に形成された反射層１１２から誘電体層１１７までの積層体の光反射率及び光吸収率が変化して、記録消去性能に影響を与える。また、界面層１１４および１１６の厚さが、０．３ｎｍ未満であると、記録層１１５との密着性が低下する。また、界面層１１４および１１６の屈折率ｎは１．５〜３．０であることが好ましく、消衰係数ｋは、０．３以下であることが好ましく、０．２以下であることがより好ましい。
界面層１１４が界面層Ａであり、かつ誘電体層１１３が設けられていない場合、界面層１１４の膜厚は６０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることがより好ましい。界面層１１６が界面層Ａであり、かつ誘電体層１１７が設けられていない場合、界面層１１６の膜厚は２０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以上９０ｎｍ以下であることがより好ましい。界面層１１４および１１６がこれらの範囲内にある厚さを有する場合、膜厚が厚いので、消衰係数ｋは、０．１以下であることがより好ましい。
あるいは、誘電体層１１３が設けられない場合、界面層１１４は、先に誘電体層１１３および１１７の材料として例示した材料で形成してよい。その場合、界面層１１４は、界面層Ａでないこともある。同様のことは、誘電体層１１７が設けられない場合の界面層１１６についてもあてはまる。
記録層１１５は、光の照射により相変化を生じ得る。記録層１１５は、アンチモン（Ｓｂ）と、シリコン（Ｓｉ）とを含む。ＳｂとＳｉを含む材料は、大きな結晶化速度と大きな光学変化と高い結晶化温度を有する、相変化記録材料である。Ｓｂは非常に結晶化しやすい材料であり、結晶化温度が約９０℃である。スパッタリングにより形成したＳｂ膜は非晶質状態であるが、室温で放置しておくと徐々に結晶化が進む。したがって、Ｓｂのみで記録層１１５を形成すると、非晶質状態の安定性に欠ける、すなわち、優れた記録マークの保存性を確保することが困難となる。Ｓｉは、このようなＳｂの課題を解決するために用いられる。ＳｂにＳｉを添加することにより、大きな結晶化速度を維持して、結晶化温度を２００℃以上に上昇させることができる。
また、Ｓｉは、記録層１１５の非晶質状態と結晶状態の間の光学的な変化を大きくする機能をも有する。先に述べたように、ＳｂとＳｉとを含む記録層１１５に接する２つの界面層１１４および１１６の少なくとも一方は、特定の組み合わせから選択される少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである。このように特定の記録層と特定の界面層とを組み合わせることにより、記録層と界面層との密着性が向上した媒体が得られる。
また、記録層１１５は、Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示し、ｘ≦５０を満たす。）で表される材料を含むことが好ましい。ｘが５０を超えると、記録層１１５の結晶化速度が低下する。低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保するために、ｘは３０以上であることが好ましい。Ｓｉの割合は、転送レートに対して最適となるように選ぶことができる。また、ｘ≧３を満たす材料は、２００℃を超える高い結晶化温度を有する。
記録層１１５は、さらにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含んでよい。元素Ｌを添加することにより、結晶化速度を調整することができる。Ｌは、より好ましくは、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、ＡｌおよびＳから選ばれる少なくとも一つの軽元素である。これらの軽元素を含む材料は、製造面、コスト面、および環境面で優れた材料である。
光学的変化を、記録層が非晶質状態であるときの記録層の複素屈折率（ｎａ−ｉｋａ，ｎａは屈折率，ｋａは消衰係数）と記録層が結晶状態であるときの記録層の複素屈折率（ｎｃ−ｉｋｃ，ｎｃは屈折率，ｋｃは消衰係数）との差Ｄｎ＋ｋ（｜ｎｃ−ｎａ｜＋｜ｋｃ−ｋａ｜）であると定義すると、Ｄｎ＋ｋが大きいほど光学変化が大きい。例えば、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｂ５のＤｎ＋ｋは１．８であり、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｎ５のＤｎ＋ｋも１．８である。これに対し、Ｓｂ８５Ｇｅ１５のＤｎ＋ｋは１．６であった。特に、ＳｂにＳｉと軽元素のＬを添加することでｋａが小さくなり、｜ｋｃ−ｋａ｜を大きくすることができるようになる。
また、本発明の記録層１１５は、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）で表される材料を含むことが好ましい。この材料において、ＳｉとＬを合わせた組成比は、５０原子％以下であることが好ましい。５０原子％を超えると、記録層１１５の結晶化速度が低下し、例えば４倍速に相当する転送レートでの結晶化が不十分となり、記録消去特性が悪化する。また、低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保するために、本実施の形態では、ＳｉとＬを合わせた組成比は３０原子％以上であることが好ましい。ＳｉとＬを合わせた組成比は、転送レートに対して最適となるように選んでよい。大きな光学的変化と大きな結晶化速度を維持するためには、ｘおよびｙは、ｘ≧ｙを満たすことが好ましい。
ＳｂおよびＳｉ、ならびに場合によりＬを含む記録層の組成は、例えばＸ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）で分析することができる。これは、電子線を試料に照射した際に発生する特性Ｘ線の波長や強度を測定することによって、試料に含まれる元素の種類と組成を調べることができる分析方法である。
スパッタリングによって形成された記録層１１５には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避的に含まれ、ＸＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録層に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて、Ｓｂ，ＳｉおよびＬが、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙの関係にあり、且つｘ＋ｙ≦５０を満たせばよい。これは、以降の実施の形態で説明する記録層２１５，２２５，３１５，３２５，３３５，４１５，４２５，４３５，４４５および６０３にも同様に適用される。
記録層１１５を形成する材料として、具体的には、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｏ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｍｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ａｌ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｏ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｍｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ａｌ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｃ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｍｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ａｌ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｎ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｍｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ａｌ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｏ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｇｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｇ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｇ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｇ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｇ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｇ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｉｎ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｉｎ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｉｎ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｔｅ−Ａｕ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｉ−Ａｕ、およびＳｂ−Ｓｉ−Ａｕ−Ｂｉ等が挙げられる。
記録層１１５の膜厚は、１５ｎｍ以下であることが好ましい。記録層１１５の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、情報記録媒体１００は、２５ＧＢ以上の容量を有することができ、且つ４倍速以上の転送レートで、良好な記録消去特性を示す。記録層１１５の膜厚が１５ｎｍを超えると、熱容量が大きくなり、記録に要するレーザパワーが大きくなる。また、記録層１１５で生じた熱が反射層１１２の方向へ拡散しにくくなり、高密度記録に必要な小さい記録マークの形成が困難となる。記録層１１５の膜厚は、８ｎｍ以上１４ｎｍ以下であることがより好ましい。膜厚がこの範囲内にあると、４倍速以上の高転送レートに加えて２倍速以下の低転送レートでも、良好な記録消去特性が得られるので、媒体１００を回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）仕様の媒体として使用することもできる。
続いて、実施の形態１の情報記録媒体１００を製造する方法を説明する。情報記録媒体１００は、案内溝（グルーブ面とランド面）が形成された基板１０１をスパッタリング装置に配置し、基板１０１の案内溝が形成された表面に、反射層１１２を成膜する工程、誘電体層１１３を成膜する工程、界面層１１４を成膜する工程、記録層１１５を成膜する工程、界面層１１６を成膜する工程、および誘電体層１１７を成膜する工程を順次実施し、さらに、誘電体層１１７の表面に透明層１０２を形成する工程を実施することにより、製造される。
ここで、情報記録媒体の製造を行うスパッタリング（成膜）装置の一例を説明する。図９に、二極グロー放電型スパッタリング装置２０の一例を示す。スパッタ室２１内は、排気口２２に真空ポンプ２３が接続され、高真空に保たれる。スパッタガス導入口２４からは、一定流量のスパッタガス（例えばＡｒガス等）が導入される。基板２５は基板ホルダー（陽極）２６に取り付けられ、ターゲット（陰極）２７はターゲット電極２８に固定されており、電源２９に接続されている。両極間に高電圧を加えることにより、グロー放電が発生し、例えばＡｒ正イオンを加速してターゲット２７に衝突させ、ターゲットから粒子を放出される。放出された粒子は基板２５上に堆積し薄膜が形成される。スパッタ中、ターゲット２７を冷却するため、電極２８には例えば水を循環させる（３０）。
陰極へ印加する電源の種類によって、スパッタリング装置は、直流型と高周波型に分けられる。スパッタリング装置２０は、スパッタ室２１を複数個つないで構成してよい。あるいは、スパッタ室２１に複数個のターゲット２７を配置してもよく、そのような構造とすることにより、複数の成膜工程を実施して多層膜を積層することができる。以下の実施の形態の媒体の製造で実施するスパッタリングにおいても、同様の装置を用いることができ、基板２５として、基板１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１を用いることができる。
以下の説明を含む本明細書において、各層に関して、「表面」というときは、特に断りのない限り、各層が形成されたときの露出している表面（厚さ方向に垂直な表面）を指すものとする。
最初に、基板１０１の案内溝が形成された面に、反射層１１２を成膜する工程を実施する。反射層１１２は、反射層１１２を構成する金属または合金を含むターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、直流電源または高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。
反射層１１２の成膜は、Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕのうち少なくとも１つを含む材料から成るターゲット、または、それらの合金から成るターゲットを用いて実施してよい。スパッタリング装置によっては、ターゲットの組成と形成される反射層の組成が一致しない場合もある。その場合、ターゲットの組成を調整して、目標の組成の反射層１１２を得ることができる。ターゲットの製造方法は特に限定されない。ターゲットは、例えば、粉末を溶かして合金化して固めたものであってよく、あるいは粉末を高温高圧下で固めたものであってよい。例えば、反射層１１２としてＡｇ−Ｃｕ系合金から成る層を形成する際には、Ａｇ−Ｃｕ系合金ターゲットを用いてよい。
次に、反射層１１２の表面に、誘電体層１１３を成膜する工程を実施する。誘電体層１１３もまた、誘電体層１１３を構成する元素、混合物または化合物を含むターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。可能であれば直流電源やパルス発生式直流電源を用いてもよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。
誘電体層１１３を成膜するターゲットとしては、酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、もしくは弗化物、またはこれらの混合物から成るターゲットを用いることができ、誘電体層１１３の材料を形成できるようにターゲットの材料および組成を決める。スパッタリング装置によっては、ターゲットの組成と形成される誘電体層の組成が一致しない場合もある。その場合、ターゲットの組成を調整して、目標の組成の誘電体層１１３を得ることができる。また、酸化物を含む誘電体層を形成する際には、スパッタリング中に酸素が欠損する場合があるので、酸素欠損を抑えたターゲットを用いてよく、あるいは、１０体積％以下の少量の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中でスパッタリングしてよい。また、金属、半金属及び半導体材料のターゲットを用いて、１０体積％以上の酸素ガスおよび／または窒素ガスを希ガスに混合した雰囲気中で、反応性スパッタリングにより誘電体層１１３を形成してもよい。
あるいは、誘電体層１１３は、１つの化合物から成る複数のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、誘電体層１１３は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲットなどを複数用意し、これらを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。
次に、誘電体層１１３の表面に、界面層１１４を成膜する工程を実施する。界面層１１４もまた、界面層１１４を構成する元素、混合物または化合物を含むターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。可能であれば直流電源やパルス発生式直流電源を用いてもよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。
界面層１１４を成膜するターゲットとしては、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含むターゲットを用いることができる。あるいは、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含むターゲットを用いることができる。界面層１１４を成膜するターゲットは、さらにＴａ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｄｙ−ＯおよびＬａ−Ｆより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含んでよい。あるいは、界面層１１４を成膜するターゲットは、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｄｙ２Ｏ３およびＬａＦ３より選ばれる少なくとも一つの化合物をさらに含んでよい。
ターゲットの材料および組成は、所望の組成の界面層１１４を形成できるように、決める。スパッタリング装置によっては、ターゲットの組成と形成される界面層の組成が一致しない場合もある。その場合はターゲットの組成を調整して、目標の組成の界面層１１４を得ることができる。また、酸化物を含む界面層を形成する際には、スパッタリング中に酸素が欠損する場合があるので、酸素欠損を抑えたターゲットを用いてよく、あるいは、１０体積％以下の少量の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中でスパッタリングしてよい。
あるいは、金属、半金属及び半導体材料のターゲットを用いて、１０体積％以上の多めの酸素ガスおよび／または窒素ガスを希ガスに混合した雰囲気中で、反応性スパッタリングにより界面層１１４を形成してもよい。
あるいは、界面層１１４は、各化合物から成るターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、界面層１１４は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲットなどを複数用意し、これらを、複数の電源を用いて、同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。
次に、界面層１１４の表面に、本発明の記録層１１５を成膜する工程を実施する。ＳｂとＳｉとを含む記録層１１５を成膜する場合、ＳｂとＳｉとを含むターゲットを、直流電源を用いて、希ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより、記録層１１５は成膜される。高周波電源やパルス発生式直流電源を用いてもよい。あるいは、ＳｂターゲットおよびＳｉターゲットをそれぞれ電源に接続して、希ガス雰囲気中で同時にスパッタリングすることによって、記録層１１５を形成することができる。スパッタリングは直流電源を用いて実施してもよいし、高周波電源またはパルス発生式直流電源を用いて実施してもよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、およびＸｅガスのいずれでもよい。
記録層１１５は、式（２）：
Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ （２）
（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）
で表される材料を含む層として、形成することができる。
そのような記録層１１５は、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌを含むターゲットを用いて形成してよい。Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌを含むターゲットを用いる場合、スパッタリング装置によってはターゲットの組成と形成される記録層の組成が一致しない場合もある。その場合、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌを含むターゲットの組成を調整して、式（２）の組成の記録層１１５を得ることができる。あるいは、複数のターゲットを、同時スパッタリングする場合には、個々の電源の出力を調整して、組成を制御することにより、式（２）の組成の記録層１１５を得ることができる。
あるいは、式（２）で表される材料を含む記録層１１５は、反応性スパッタリングにより形成されてよい。その場合には、ターゲットの組成調整もしくは電源の出力調整に加えて、酸素ガスおよび／または窒素ガスの流量、圧力、ならびに希ガスとの流量比および圧力比を調整することにより、式（２）の組成の記録層１１５を得ることができる。
ＳｂとＳｉを含み、さらに、元素Ｌとして、融点２００℃以上のＢ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選択される少なくとも一つの元素を含む記録層１１５は、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌ（ＳｂとＳｉとＬを含む）ターゲットをスパッタ室に取り付けて、スパッタリングすることによって、成膜され得る。あるいは、組成比の異なるＳｂ−Ｓｉ−Ｌターゲットを２以上スパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。あるいは、Ｓｂターゲット、ＳｉターゲットおよびＬターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。
あるいは、Ｓｂ−Ｓｉターゲット、ＳｂターゲットおよびＬターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。あるいは、Ｓｂ−ＳｉターゲットとＬターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。あるいは、Ｓｂ−ＬターゲットとＳｉターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。あるいは、ＳｂターゲットとＳｉ−Ｌターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。
上記のターゲットを用いる場合、スパッタリングは、希ガス雰囲気中で実施してよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、およびＸｅガスのいずれでもよい。さらに、記録層１１５がＮおよび／またＯを含むべき場合、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタリングにより記録層１１５を成膜してもよい。
ＳｂとＳｉ含み、さらに、元素Ｌとして、融点２００℃未満のＳ、ＧａおよＩｎのうち少なくとも一つの元素を含む記録層１１５を成膜する場合、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌを含むターゲットをスパッタ室に取り付けて、スパッタリングすることによって、記録層１１５を成膜することができる。あるいは、組成比の異なる２以上のＳｂ−Ｓｉ−Ｌターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。あるいは、Ｓｂ−ＬターゲットとＳｉターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。あるいは、ＳｂターゲットとＳｉ−Ｌターゲットをスパッタ室に取り付けて、それらを同時にスパッタリングすることによっても、記録層１１５を形成することができる。
上記のターゲットを用いる場合、スパッタリングは、希ガス雰囲気中で実施してよい。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、およびＸｅガスのいずれでもよい。さらに、記録層１１５がＮおよび／またＯを含むべき場合、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタリングにより記録層１１５を成膜してもよい。
ＳｂとＳｉ含み、さらに、元素Ｌとして、Ｎおよび／またＯを含む記録層１１５を成膜する場合、Ｓｂ−Ｓｉを含むターゲットをスパッタ室に取り付けて、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタリングすることにより記録層１１５を成膜することができる。あるいは、ＳｂターゲットとＳｉターゲットをスパッタ室に取り付けて、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で、同時に反応性スパッタリングすることにより、記録層１１５を形成することもできる。あるいは、Ｎおよび／またはＯ、ならびにＳｂおよびＳｉを含むターゲットを、希ガス雰囲気中、または少量の酸素ガスおよび／または少量の窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングしてよい。
いずれの方法で記録層１１５を形成する場合においても、上記式（２）で表される材料を含む記録層１１５を形成することができる。例えば、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌを含むターゲットを用いる場合、スパッタリング装置によってはターゲットの組成と形成される記録層の組成が一致しない場合もあるので、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌを含むターゲットの組成を調整して、式（２）の組成の材料を含む記録層１１５を得ることができる。あるいは、複数のターゲットを用いて、同時にスパッタリングする場合には、個々の電源の出力を調整して組成を制御することにより、式（２）の組成の材料を含む記録層１１５を得ることができる。あるいは、反応性スパッタリングの場合には、ターゲットの組成調整および／または電源の出力調整に加えて、酸素ガスおよび／または窒素ガスの流量および圧力、希ガスとの流量比および圧力比を調整することにより、式（２）の組成の材料を含む記録層１１５を得ることができる。
記録層１１５を成膜するためのターゲットについて説明する。ターゲットは、少なくともアンチモン（Ｓｂ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含む。ターゲットは、さらにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含んでもよい。そのようなターゲットをスパッタリングすることによって、ＳｂとＳｉとＬとを含む記録層を形成することができる。
融点の高いＳｉのスパッタ率は、Ｓｂのスパッタ率に比べて低いので、ターゲットに含まれるＳｉの組成比は、記録層１１５に含まれるべきＳｉの組成比よりも、５％〜２０％多くすることが好ましい。（ターゲットにおけるＳｉの組成比）−（記録層１１５に含まれるべきＳｉの組成比）は、使用するスパッタリング装置やスパッタリング条件に応じて決定する。例えば、Ｓｂ５０Ｓｉ５０記録層を成膜するためのターゲットの組成比は、Ｓｂ４７.５Ｓｉ５２．５〜Ｓｂ４０Ｓｉ６０の範囲内にあってよい。記録層の組成比をＸ線マイクロアナライザーで分析して、記録層の組成比が目標の組成比となるように、Ｓｂ−ＳｉもしくはＳｂ-Ｓｉ-Ｌターゲットの好ましい組成比を決めることができる。
Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉのうち少なくとも一つと、ＳｂとＳｉとを含む記録層１１５を成膜する場合、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｌターゲットをスパッタリングしてよい。さらに、記録層１１５がＮおよび／またＯを含むべき場合、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタリングにより記録層１１５を成膜してよい。
Ｎおよび／またＯと、ＳｂとＳｉとを含む記録層１１５を成膜する場合、Ｓｂ−Ｓｉターゲットを、酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタリングにより記録層１１５を成膜してよい。あるいは、Ｎおよび／またＯと、ＳｂおよびＳｉを含むターゲットを、希ガス雰囲気中、または少量の酸素ガスおよび／または少量の窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングしてよい。
次に、本発明のターゲットの製造方法の一例を説明する。より具体的には、アンチモン（Ｓｂ）と、ケイ素（Ｓｉ）と、アルミニウム（Ａｌ）とを含むターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末、Ｓｉの粉末およびＡｌの粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、ターゲットの面内および厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度および時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なターゲットを製造することが可能になる。
このようにして、ＳｂとＳｉとＡｌとを所定の組成比で含むターゲットが完成する。焼結後、ターゲットは、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着させてもよい。これにより、スパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。ターゲットは、高い密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する)を有することが好ましい。ターゲットの密度は、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。
ここで、ターゲットを作製するための粉末は、Ｓｂの粉末、Ｓｉの粉末およびＡｌの粉末のような単体の粉末に限られず、合金または化合物の粉末であってよい。例えば、所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末と、Ｓｉの粉末と、Ｓｂ−Ａｌの粉末とを混合してターゲットを作製してもよいし、Ｓｂの粉末、Ａｌ−Ｓｉの粉末とを混合して、ターゲットを作製してよい。あるいは、Ｓｂ−Ｓｉの粉末とＡｌの粉末とを混合して、ターゲットを作製してよい。いずれの粉末の組み合わせも、上記の方法でターゲットを製造するために用いることができる。
次に、記録層１１５の表面に、界面層１１６を成膜する工程を実施する。界面層１１６は界面層１１４と同様の製造方法で実施してよい。
次に、界面層１１６の表面に、誘電体層１１７を成膜する工程を実施する。誘電体層１１７は誘電体層１１３と同様の製造方法で実施してよい。
次に、透明層１０２を形成する工程を説明する。誘電体層１１７を成膜した後、反射層１１２から誘電体層１１７まで順次積層した基板１０１をスパッタリング装置から取り出す。それから、誘電体層１１７の表面に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコート法により塗布して、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、目標の厚みの透明層１０２を形成してよい。あるいは、誘電体層１１７の表面に、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布し、塗布した紫外線硬化性樹脂に、円盤状のシートを密着させて、紫外線をシート側から照射して樹脂を硬化させることによって、透明層１０２を形成することもできる。あるいは、接着層を有する円盤状のシートを誘電体層１１７に密着させて、透明層１０２を形成することもできる。
透明層１０２は物性の異なる複数の層からなってもよい。あるいは、誘電体層１１７の表面に他の透明層を設けた後に、透明層１０２を形成してもよい。あるいは、誘電体層１１７の表面に透明層１０２を形成した後、透明層１０２の表面にさらにもう一層の透明層を形成してもよい。これら複数の透明層の粘度、硬度、屈折率、および透明性は、互いに異なっていてもよい。このようにして、透明層形成工程を終了させる。
透明層形成工程が終了した後は、必要に応じて初期化工程を実施する。初期化工程は、非晶質状態である記録層１１５に、例えば半導体レーザを照射して、結晶化温度以上に昇温して結晶化させる工程である。半導体レーザのパワー、情報記録媒体の回転速度、半導体レーザの径方向への送り速度およびレーザの焦点位置などを最適化することにより、初期化工程を良好に実施できる。初期化工程は、透明層１０２形成工程の前に実施してもよい。このように、反射層１１２を成膜する工程から透明層を形成する工程まで順次実施することにより、実施の形態１の情報記録媒体１００を製造することができる。
なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。各層の成膜方法は、これに限定されず、他の気相法であってよい。他の気相法は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、および分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等である。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２として、情報記録媒体の一例を説明する。図２に、情報記録媒体２００の一部断面を示す。情報記録媒体２００において、基板２０１上に成膜された第１の情報層２１０、中間層２０３、第２の情報層２２０および透明層２０２が、順に配置されている。第１の情報層２１０において、基板２０１の一方の表面に成膜された反射層２１２、誘電体層２１３、界面層２１４、記録層２１５、界面層２１６および誘電体層２１７がこの順に配置されている。第２の情報層２２０において、中間層２０３の一方の表面に成膜された誘電体層２２１、反射層２２２、誘電体層２２３、界面層２２４、記録層２２５、界面層２２６および誘電体層２２７が、この順に配置されている。
この形態においても、レーザ光１０は、透明層２０２の側から入射される。第１の情報層２１０の情報の記録または再生は、第２の情報層２２０を通過したレーザ光１０を用いて行う。情報記録媒体２００において、情報は、２つの記録層のそれぞれに記録できる。例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光を記録再生に使用する場合、上記実施の形態１の２倍程度の５０ＧＢの容量を有する、情報記録媒体を得ることができる。情報記録媒体２００も、ＣＡＶ仕様の媒体として使用してよい。
光学的には、２つの情報層の実効反射率はおおよそ同等であることが好ましく、それは第１の情報層２１０の反射率と第２の情報層２２０の透過率を各々調整することにより達成される。本実施の形態では、一例として、記録層が結晶相であるときの実効反射率Ｒｃが約５％、記録層が非晶質相であるときの実効反射率Ｒａが約１％となるように設計した構成を説明する。実効反射率は、２つの情報層を積層した状態で測定される、各情報層の反射率であると定義する。第２の情報層２２０の透過率が約５０％となるように設計する場合、第１の情報層２１０はそれのみで、約２０％のＲｃ、約４％のＲａを有するように設計され、第２の情報層２２０はそれのみで、約５％のＲｃ、約１％のＲａを有するように、設計される。
まず、第１の情報層２１０の構成を説明する。基板２０１および第１の情報層２１０の反射層２１２から誘電体層２１７までの層は、実施の形態１の基板１０１および情報層１１０の反射層１１２から誘電体層１１７までの層と同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
中間層２０３は、レーザ光１０の第２の情報層２２０における焦点位置と、レーザ光の第１の情報層２１０における焦点位置とを分離する機能を有する。必要に応じて、第２の情報層２２０のための案内溝が、中間層２０３に形成されてよい。中間層２０３は、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂、またはエポキシ系樹脂）で形成することができる。中間層２０３は、レーザ光１０が効率よく第１の情報層２１０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して透明であることが望ましい。
中間層２０３の厚さは、１）対物レンズの開口数とレーザ光波長により決定される焦点深度以上であり、２）記録層２１５及び記録層２２５間の距離が、対物レンズの集光可能な範囲内であり、３）透明層２０２の厚さと合わせて、使用する対物レンズが許容できる基板厚公差内にあるように、選択することが好ましい。したがって、中間層２０３の厚さは１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。中間層２０３は、必要に応じて、樹脂層を複数積層して構成してよい。たとえば、中間層２０３は、誘電体層２１７を保護する層と案内溝を有する層とを含む２以上の層で構成してよい。
次に、第２の情報層２２０の構成について説明する。第２の情報層２２０は、レーザ光１０が第１の情報層２１０に到達し得るように、高透過率となるように設計される。具体的には、記録層２２５が結晶相であるときの第２の情報層２２０の光透過率をＴｃ（％）、記録層２２５が非晶質相であるときの第２の情報層２２０の光透過率をＴａ（％）としたとき、４０％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、となることが好ましい。
誘電体層２２１は、第２の情報層２２０の光透過率を高める機能を有する。材料は、透明で、波長４０５ｎｍのレーザ光１０に対して、２．４以上の屈折率を有することが好ましい。誘電体層２２１の屈折率が小さいほど、第２の情報層２２０の反射率比Ｒｃ／Ｒａは大きくなり、光透過率は小さくなる。４以上の反射率比と５０％以上の光透過率が得られる屈折率は、２．４以上である。よって、屈折率が２．４未満であると、第２の情報層２２０の光透過率が低下して、第１の情報層２１０に十分なレーザ光１０が到達し得ない。
誘電体層２２１は、例えば、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、およびＷＯ３から選択される少なくとも一つの酸化物を含む材料を用いて形成してよい。特に、ＴｉＯ２は、屈折率が２．７と高く、耐湿性にも優れていることから好ましく用いられる。あるいは、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、およびＷＯ３から選択される少なくとも一つの酸化物を５０ｍｏｌ％以上含む材料を使用してもよい。例えば、（ＺｒＯ２）８０（Ｃｒ２Ｏ３）２０、（Ｂｉ２Ｏ３）６０（ＳｉＯ２）４０、（Ｂｉ２Ｏ３）６０（ＴｅＯ２）４０、（ＣｅＯ２）５０（ＳｎＯ２）５０、（ＴｉＯ２）５０（ＨｆＯ２）５０、（ＷＯ３）７５（Ｙ２Ｏ３）２５、（Ｎｂ２Ｏ５）５０（ＭｎＯ）５０、（Ａｌ２Ｏ３）５０（ＴｉＯ２）５０等（括弧の後の添え字はｍｏｌ％で示される組成比を表す）を用いてよい。
あるいは、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２およびＷＯ３から選択される少なくとも２つの酸化物を混合した材料を使用して、誘電体層２２１を形成してよい。例えば、Ｂｉ２Ｔｉ４Ｏ１１（（ＴｉＯ２）８０（Ｂｉ２Ｏ３）２０）、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２（（ＴｉＯ２）６０（Ｂｉ２Ｏ３）４０）、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０、（ＷＯ３）５０（Ｂｉ２Ｏ３）５０、（ＴｉＯ２）５０（Ｎｂ２Ｏ５）５０、（ＣｅＯ２）５０（ＴｉＯ２）５０、（ＺｒＯ２）５０（ＴｉＯ２）５０、（ＷＯ３）６７（ＺｒＯ２）３３等（括弧の後の添え字はｍｏｌ％で示される組成比を表す）を用いてよい。
光学的計算によれば、誘電体層２２１の膜厚が、λ／８ｎ（ｎｍ）（λはレーザ光の波長、ｎは誘電体層２２１の屈折率）またはそれに近い値であると、第２の情報層２２０の透過率が最大となる。反射率コントラスト（Ｒｃ−Ｒａ）／（Ｒｃ＋Ｒａ）は、誘電体層２２１の膜厚が（λ／１６ｎ）以上（λ／４ｎ）以下の範囲内にあると、最大となる。よって、これらの条件を満たすように、誘電体層２２１の膜厚は選ばれることが好ましい。誘電体層２２１の膜厚は、具体的には、９ｎｍ以上４２ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましい。誘電体層２２１は２以上の層からなってもよい。
反射層２２２は、記録層２２５の熱を速やかに拡散させる機能を有する。また、上記のように、第２の情報層２２０は高い光透過率を要するため、反射層２２２での光吸収は小さいことが望ましい。よって、反射層２１２と比較して、反射層２２２の材料及び厚さはより限定される。反射層２２２は、より小さい厚さを有することが好ましい。また、反射層２２２は、光学的には小さい消衰係数を有し、熱的には大きい熱伝導率を有する材料で形成されることが好ましい。
具体的には、反射層２２２は、好ましくは、ＡｇまたはＡｇ合金で形成される。Ａｇ合金は、例えば、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕ、およびＡｇ−Ｉｎ−Ｃｕ等である。あるいは、ＡｇもしくはＡｇ−Ｃｕに希土類金属を添加した材料を用いて、反射層２２２を形成してもよい。特に、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、またはＡｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｃｕは、光吸収が小さく、熱伝導率が大きく、耐湿性にも優れていることから好ましく用いられる。
反射層２２２の膜厚は、記録層の膜厚を考慮して調整され、好ましくは７ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。反射層２２２が７ｎｍよりも薄いと、熱を拡散させる機能が低下して、記録層２２５にマークが形成されにくくなる。また、記録層２２２が２０ｎｍよりも厚いと、第２の情報層２２０の光透過率が４０％に満たなくなる。
誘電体層２２３および２２７は、光路長ｎｄを調節して、第２の情報層２２０のＲｃ、Ｒａ、ＴｃおよびＴａを調節する機能を有する。例えば、４０％≦（Ｔａ＋Ｔｃ）／２、５％≦Ｒｃ、Ｒａ≦１％を満足するように、誘電体層２２３及び誘電体層２２７の光路長ｎｄをマトリクス法に基づく計算により厳密に決定することができる。屈折率が２〜３である誘電体材料で誘電体層２２３及び２２７を形成する場合、誘電体層２２７の厚さは好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。また、誘電体層２２３の厚さは、好ましくは３ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
誘電体層２２３および２２７のための材料は、実施の形態１の誘電体層１１３および１１７のための材料と同様である。この実施の形態において、反射層２２２がＡｇまたはＡｇ合金で形成される場合、誘電体層２２３は、硫化物またはＺｎを含まないことが好ましい。一方、誘電体層２２７は、透明性の高いＺｎＳ−ＳｉＯ２で形成されることが好ましい。
本発明の、界面層２２４および界面層２２６は、実施の形態１における界面層１１４および１１６と同様の機能を有し、好ましい膜厚も界面層１１４および１１６の好ましい膜厚と同様である。実施の形態１と同様、ＳｂとＳｉとを含む記録層２２５に隣接する界面層２２４と界面層２２６は、特定の組み合わせを含む界面層Ａであることが好ましい。また、界面層２２４を構成するのに適した材料は、界面層１１４を構成するのに適した材料と同様であり、界面層２２６を構成するのに適した材料は、界面層１１６を構成するのに適した材料と同様である。界面層２２４が上記の誘電体層２２３としても機能する場合には、誘電体層２２３は必ずしも設ける必要はない。同様に、界面層２２６が上記の誘電体層２２７としても機能する場合には、誘電体層２２７は必ずしも設ける必要はない。
例えば、情報層２２０は、中間層２０３上に、誘電体層２２１、反射層２２２、界面層２２４、記録層２２５、界面層２２６および誘電体層２２７が、この順に配置されてなる構成であってもよいし、誘電体層２２１、反射層２２２、界面層２２４、記録層２２５および界面層２２６が、この順に配置されてなる構成であってもよい。あるいは、情報層２２０は、誘電体層２２１、反射層２２２、誘電体層２２３、界面層２２４、記録層２２５および界面層２２６が、この順に配置されてなる構成であってもよい。誘電体層２２３および誘電体層２２７は、必要に応じて設けることができる。
記録層２２５は、光の照射により相変化を生じ得る。記録層２２５もまた、ＳｂとＳｉとを含む。各元素の機能は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。また、既に述べたように、第２の情報層２２０は高い光透過率を要するため、記録層２２５の膜厚は記録層２１５の膜厚よりも一般には薄くなり、具体的には、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。記録層２２５の膜厚が１０ｎｍを超えると、第２の情報層２２０の光透過率が低下し、４ｎｍ未満であると、記録層２２５の光学的変化が小さくなる。記録層は、膜厚が薄くなると結晶化速度が低下するため、記録層２２５を構成する材料の組成比は、より大きな結晶化速度を有するように選択することが好ましい。
具体的には、記録層２２５に含まれる材料を式Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示す）で示したときに、ｘは４０以下であることが好ましい。記録層２２５に含まれる材料において、Ｓｉの割合が４０原子％以下であれば、例えば４倍速に相当する転送レートに対応できる結晶化速度が確保でき、良好な記録消去特性が得られる。また、低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保するために、ｘは２０以上であることが好ましい。Ｓｉの組成比ｘは、転送レートに対して最適となるように選ぶことができる。また、ｘが３以上であると、２００℃を超える高い結晶化温度を得ることができる。
あるいは、本発明の記録層２２５は、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）で表される材料を含んでよい。元素Ｌおよびより好ましい元素Ｌは、実施の形態１に関連して説明したとおりである。ＳｉとＬを合わせた組成比は、４０原子％以下であることが好ましい（即ち、ｘ＋ｙ≦４０）。ＳｉとＬを合わせた組成比が４０原子％を超えると、記録層２２５の結晶化速度が低下し、例えば４倍速に相当する転送レートでの結晶化が不十分となり、記録消去特性が悪化する。また、低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保するために、本実施の形態では、ＳｉとＬを合わせた組成比は、２０原子％以上であることが好ましい。ＳｉとＬの組成は、転送レートに対して最適となるように選んでよい。大きな光学的変化と大きな結晶化速度を維持するために、ｘおよびｙは、ｘ≧ｙを満たすことが好ましい。記録層２２５の具体的な組成は、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ等、記録層１１５に関連して説明したとおりである。
Ｓｂ、Ｓｉ、および場合により元素Ｌを含む記録層は、少なくとも一つの情報層に含まれていればよい。例えば、本実施の形態のように、記録層２１５と２２５の両方が、前記特定の元素を含む記録層であってよいし、記録層２２５が前記特定の元素を含む記録層であって、記録層２１５が従来の記録材料を用いて形成された記録層であってよい。
前記特定の元素を含む記録層は、大きな光学的変化と大きな結晶化速度を有しているので、記録層の膜厚が薄くても十分な光学的変化と結晶化速度を確保できる。よって、レーザ入射側に設けられた記録層２２５が前記特定の元素を含む記録層であると、より優れた性能を有する第２の情報層２２０が得られる。
従来の記録材料としては、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３−Ｉｎ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３−Ｉｎ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−ＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ−ＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ−ＳｂＴｅ−ＢｉＴｅ、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ、ＧｅＴｅ−ＳｎＴｅ−ＢｉＴｅ、ＧｅＴｅ−ＢｉＴｅなどの化合物組成を含む材料、あるいはＳｂを５０％以上含むＧｅ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅなどを含む材料が挙げられる。
あるいは、記録層２１５が前記特定の元素を含む記録層である場合には、第２の情報層は、再生専用型情報層もしくは追記型情報層であってよい。記録層２２５が前記特定の元素を含む記録層である場合には、第１の情報層は、再生専用型情報層もしくは追記型情報層であってよい。追記型情報層において、記録層は、Ｔｅ−Ｏ、Ｓｂ−Ｏ、Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｍｏ−ＯおよびＷ−Ｏ等のうち少なくとも一つを含む酸化物、２以上の層を積層して記録時に合金化もしくは反応させる材料、または有機色素系記録材料などを用いて形成してよい。再生専用型情報層は、あらかじめ形成された記録ピット上に、反射層を形成して構成され、反射層は、金属元素、金属合金、誘電体、誘電体化合物、半導体元素、および半金属元素から選択される少なくとも一つを含む材料で形成してよい。たとえば、ＡｇまたはＡｇ合金を含む反射層を形成してよい。
透明層２０２は、実施の形態１の基板１０１同様、円盤状で、透明且つ表面の平滑なものであることが好ましい。透明層２０２は、実施の形態１の透明層１０２と同様の機能を有し、同様の材料を用いて形成することができる。透明層２０２の表面から第１の情報層２１０の記録層２１５までの距離は、８０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましく、９０μｍ以上１１０μｍ以下であることがより好ましい。例えば、中間層２０３の厚さは２５μｍであってよく、その場合、透明層２０２の厚さが７５μｍであってよい。あるいは、中間層２０３の厚さは２０μｍであってよく、その場合、透明層２０２の厚さは７０μｍであってよい。あるいは、中間層２０３の厚さは３０μｍであってよく、その場合、透明層２０２の厚さは８０μｍであってよい。透明層２０２の膜厚は４０μｍ以上１１０μｍ以下であるこがが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。
続いて、実施の形態２の情報記録媒体２００を製造する方法を説明する。情報記録媒体２００は、支持体となる基板２０１上に第１情報層２１０、中間層２０３、第２情報層２２０、および透明層２０２を順に形成して、製造する。
まず、案内溝（グルーブ面とランド面）が形成された基板２０１をスパッタリング装置に配置し、基板２０１の案内溝が形成された表面に、反射層２１２を成膜する工程から誘電体層２１７を成膜する工程までを、実施の形態１の反射層１１２を成膜する工程から誘電体層１１７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第１情報層２１０が基板２０１上に形成される。
第１の情報層２１０を形成した基板２０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層２０３を形成する。中間層２０３は次の手順で形成される。まず、誘電体層２１７の表面に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコートにより塗布する。次に、中間層に形成すべき案内溝と相補的である凹凸を有するポリカーボネート基板の凹凸形成面を、紫外線硬化性樹脂に密着させる。その状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、凹凸を有するポリカーボネート基板を剥離する。それにより、前記凹凸に相補的な形状の案内溝が紫外線硬化性樹脂に形成されて、形成すべき案内溝を有する中間層２０３が形成される。基板２０１に形成された案内溝と中間層２０３に形成された案内溝の形状は、同様であってもよいし、異なっていてもよい。
別法において、中間層２０３は、誘電体層２１７を保護する層を紫外線硬化性樹脂で形成し、その上に案内溝を有する層を形成することにより、形成してよい。その場合、得られる中間層は２層構造である。あるいは、中間層は３以上の層を積層して構成してよい。また、中間層２０３は、スピンコート工法以外の工法、例えば、印刷工法、インクジェット工法またはキャスティング工法により形成してもよい。
中間層２０３まで形成した基板２０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層２０３の案内溝を有する面に、誘電体層２２１を成膜する。誘電体層２２１もまた、誘電体層２２１を構成する元素、混合物または化合物を含むターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。スパッタリングは、高周波電源を用いて、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。可能であれば直流電源やパルス発生式直流電源を用いてもよい。希ガスは、Ａｒガス、ＫｒガスおよびＸｅガスのいずれでもよい。
誘電体層２２１を成膜するターゲットとしては、Ｚｒ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、およびＷ−Ｏから選択される少なくとも一つの組み合わせを含む材料から成るターゲットを用いることができる。そのようなターゲットは、Ｚｒ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、およびＷ−Ｏから選択される少なくとも一つの組み合わせを化合物として５０ｍｏｌ％以上含む材料から成るものであってよい。誘電体層２２１の材料を形成できるようにターゲットの材料および組成を決める。スパッタリング装置によっては、ターゲットの組成と形成される誘電体層の組成が一致しない場合もある。その場合、ターゲットの組成を調整して、目標の組成の誘電体層２２１を得ることができる。また、酸化物を含む誘電体層を形成する場合には、スパッタリング中に酸素が欠損する場合があるので、酸素欠損を抑えたターゲットを用いてよく、あるいは１０体積％以下の少量の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中でスパッタリングしてよい。また、金属、半金属及び半導体材料のターゲットを用いて、１０体積％以上の酸素ガスを希ガスに混合した雰囲気中、または酸素ガスと窒素ガスを希ガスに混合した雰囲気中で、反応性スパッタリングにより誘電体層２２１を形成してもよい。
あるいは、誘電体層２２１は、１つの化合物から成る複数のターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、誘電体層２２１は、２以上の化合物を組み合わせた２元系ターゲットや３元系ターゲットなどを複数用意し、これらを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または酸素ガスおよび／または窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気中で実施してよい。
続いて、誘電体層２２１の表面に、反射層２２２を成膜する工程から誘電体層２２７を成膜する工程までを、実施の形態１の反射層１１２を成膜する工程から誘電体層１１７を成膜する工程までと同様にして実施する。
留意すべき点は、既に述べたように、反射層２２２の好ましい膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下と薄いため、反射層２２２を成膜する工程では、電源の出力は反射層１１２を成膜する場合よりも小さくしてもよい点である。また、記録層２２５の好ましい膜厚が４ｎｍ以上１０ｎｍ以下と小さいため、記録層２２５を成膜する工程では、電源の出力は記録層１１５を成膜する場合よりも小さくしてもよい。このようにして、第２の情報層２２０が中間層２０３上に形成される。
第２の情報層２２０まで形成した基板２０１をスパッタリング装置から取り出す。それから、誘電体層２２７の表面に、実施の形態１の透明層１０２を形成する工程と同様にして、透明層２０２を形成し、透明層２０２形成工程を終了させる。
透明層２０２形成工程が終了した後は、必要に応じて、第１の情報層２１０及び第２の情報層２２０の初期化工程を実施する。初期化工程は、中間層２０３を形成する前もしくは後に、第１の情報層２１０について実施し、透明層２０２を形成する前もしくは後に、第２の情報層２２０について実施してよい。あるいは、透明層２０２を形成する前もしくは後に、第１の情報層２１０および第２の情報層２２０について初期化工程を実施してもよい。このようにして、実施の形態２の情報記録媒体２００を製造することができる。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３として、情報記録媒体の一例を説明する。図３に、その情報記録媒体３００の一部断面を示す。情報記録媒体３００において、基板３０１上に成膜された第１の情報層３１０、中間層３０３、第２の情報層３２０、中間層３０４、第３の情報層３３０および透明層３０２が、順に配置されている。第１の情報層３１０において、基板３０１の一方の表面に成膜された反射層３１２、誘電体層３１３、界面層３１４、記録層３１５、界面層３１６および誘電体層３１７がこの順に配置されている。第２の情報層３２０において、中間層３０３の一方の表面に成膜された誘電体層３２１、反射層３２２、誘電体層３２３、界面層３２４、記録層３２５、界面層３２６および誘電体層３２７がこの順に配置されている。第３の情報層３３０において、中間層３０４の一方の表面に成膜された誘電体層３３１、反射層３３２、誘電体層３３３、界面層３３４、記録層３３５、界面層３３６および誘電体層３３７がこの順に配置されている。
この形態においても、レーザ光１０は、透明層３０２の側から入射される。第１の情報層３１０の情報の記録再生は、第３の情報層３３０および第２の情報層３２０を通過したレーザ光１０を用いて行う。情報記録媒体３００において、情報は、３つの記録層のそれぞれに記録できる。例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光を記録再生に使用する場合、上記実施の形態１の３倍程度の７５ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。情報記録媒体３００も、ＣＡＶ仕様の媒体として使用してよい。
光学的には、３つの情報層の実効反射率はおおよそ同等であることが好ましく、それは第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより達成される。本実施の形態では、一例として、記録層が結晶相であるときの実効反射率Ｒｃが約２．５％、記録層が非晶質相であるときの実効反射率Ｒａが約０．５％となるように設計した構成を説明する。第３の情報層３３０の透過率（（Ｔｃ＋Ｔａ）／２）が約６５％、第２の情報層３２０の透過率が約５５％となるように、３つの情報層を設計する場合、第１の情報層３１０はそれのみで約２０％のＲｃ、約４％のＲａを有するように設計され、第２の情報層３２０はそれのみで約６％のＲｃ、約１．２％のＲａを有するように設計され、第３の情報層３３０はそれのみで約２．５％のＲｃ、約０．５％のＲａを有するように、設計される。
次に、基板３０１、中間層３０３、中間層３０４および透明層３０２の機能、材料および厚みについて説明する。基板３０１は、実施の形態１の基板１０１と同様の機能を有する。基板３０１の形状および材料は、基板１０１のそれらと同様である。
中間層３０３は、レーザ光１０の第２の情報層３２０における焦点位置と、レーザ光１０の第１の情報層３１０における焦点位置とを分離する機能を有する。必要に応じて、第２の情報層３２０のための案内溝が、中間層３０３に形成されてよい。同様に、中間層３０４は、レーザ光１０の第３の情報層３３０における焦点位置と、レーザ光１０の第２の情報層３２０における焦点位置とを分離する機能を有する。必要に応じて、第３の情報層３２０のための案内溝が、中間層３０４に形成されてよい。中間層３０３および３０４は、いずれも紫外線硬化性樹脂で形成することができる。透明層３０２は、実施の形態１の透明層１０２と同様の機能を有し、同様の材料を用いて形成することができる。
透明層３０２の表面から第１の情報層３１０の記録層３１５までの距離は、実施の形態２同様、８０μｍ以上１２０μｍ以下となることが好ましい。さらに、第１の情報層、第２の情報層および第３の情報層からの信号の再生、これら情報層への信号の記録、これらの情報層の信号の消去および書換えが、互いに他の情報層の影響を受けずに良好に行えるよう、中間層３０３と３０４の膜厚は異なることが好ましい。各中間層の膜厚は、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲から選ばれることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲から選ばれることがより好ましい。
例えば、透明層３０２の表面から記録層３１５までの距離が１００μｍとなるように、中間層３０３、中間層３０４、および透明層３０２の膜厚を選択してよい。一例として、中間層３０３の膜厚を２３μｍとし、中間層３０４の膜厚を１４μｍとし、透明層３０２の膜厚を６３μｍとしてよい。あるいは、順に、中間層３０３の膜厚を１６μｍとし、中間層３０４の膜厚を２４μｍとし、透明層３０２の膜厚を６０μｍとしてよい。透明層３０２の膜厚は２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましい。本実施の形態においても、中間層は。情報層を保護する層と案内溝を有する層とを含む、２以上の層で構成してよい。
まず、第１の情報層３１０の構成を説明する。第１の情報層３１０の反射層３１２から誘電体層３１７は、実施の形態１の情報層１１０の反射層１１２から誘電体層１１７と同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
続いて、第２の情報層３２０の構成について説明する。第２の情報層３２０は、レーザ光１０が第１の情報層３１０に到達し得るように、高透過率となるように設計される。誘電体層３２１は、実施の形態２における誘電体層２２１と同様の機能を有し、誘電体層２２１の材料として例示した材料で形成してよい。第２の情報層３２０において、４以上の反射率比と５５％以上の光透過率が得られるよう、誘電体層３２１の膜厚は２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。
反射層３２２は、実施の形態２における反射層２２２と同様の機能を有する。反射層３２２は、反射層２２２の材料として例示した材料で形成してよい。膜厚は５ｎｍ以上１８ｎｍ以下であることが好ましい。反射層３２２の膜厚が５ｎｍよりも薄いと、熱を拡散させる機能が低下して記録層３２５にマークが形成されにくくなる。また、反射層３２２の膜厚が１８ｎｍよりも厚いと、第２の情報層３２０の光透過率が５０％に満たなくなる。
誘電体層３２３および３２７は、実施の形態２における誘電体層２２３および２２７と同様の機能を有する。誘電体層３２３および３２は、誘電体層２２３および２２７の材料（即ち、誘電体層１１３および１１７の材料として例示した材料）で形成してよい。屈折率が２〜３である誘電体材料で誘電体層３２３及び３２７を形成する場合、誘電体層３２７の厚さは好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。また、誘電体層３２３の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、より好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
界面層３２４および界面層３２６は、実施の形態１における界面層１１４および１１６と同様の機能を有し、好ましい膜厚も界面層１１４および１１６の好ましい膜厚と同様である。実施の形態１と同様、ＳｂとＳｉとを含む記録層３２５に隣接する界面層３２４と界面層３２６は、特定の組み合わせを含む界面層Ａであることが好ましい。また、界面層３２４を構成するのに適した材料は、界面層１１４を構成するのに適した材料と同様であり、界面層３２６を構成するのに適した材料は、界面層１１６を構成するのに適した材料と同様である。界面層３２４が上記の誘電体層３２３としても機能する場合には、誘電体層３２３は必ずしも設ける必要はない。同様に、界面層３２６が上記の誘電体層３２７としても機能する場合には、誘電体層３２７は必ずしも設ける必要はない。
記録層３２５は、光の照射により相変化を生じ得る。記録層３２５もまた、ＳｂとＳｉとを含む。各元素の機能は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。また、第２の情報層３２０は５５％以上の光透過率を要するため、記録層３２５の膜厚は３ｎｍ以上９ｎｍ以下であることが好ましい。記録層３２５の膜厚が、９ｎｍを超えると、第２の情報層３２０の光透過率が低下し、３ｎｍ未満であると、記録層３２５の光学的変化が小さくなる。記録層は、膜厚が薄くなると結晶化速度が低下するため、記録層３２５を構成する材料の組成比は、より大きな結晶化速度を有するように選択することが好ましい。
記録層３２５に含まれる材料を式Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示す）で示したときに、ｘは１５以上３５以下であることが好ましい。記録層３２５に含まれる材料において、ｘがこの範囲内にあれば、例えば４倍速に相当する転送レートで良好な記録消去特性が得られ、低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保できる。Ｓｉの組成比は、転送レートに対して最適となるように選ぶことができる。
また、記録層３２５は、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす）材料を含んでよい。元素Ｌおよびより好ましい元素Ｌは、実施の形態１に関連して説明したとおりである。ＳｉとＬを合わせた組成比は、１５原子％以上３５原子％以下であることが好ましい。また、ｘおよびｙは、ｘ≧ｙを満たすことが好ましい。記録層３２５の具体的な組成は、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ等、記録層１１５と同様である。
続いて、第３の情報層３３０の構成について説明する。第３の情報層３３０は、レーザ光１０が第１の情報層３１０および第２の情報層３２０に到達し得るように、第２の情報層３２０よりも高透過率となるように設計される。誘電体層３３１は、誘電体層３２１と同様の機能を有し、誘電体層３２１と同様の材料で形成してよい。第３の情報層３３０において、４以上の反射率比と６５％以上の光透過率が得られるよう、誘電体層３２１の膜厚は２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。
反射層３３２は、反射層３２２と同様の機能を有し、反射層３２２と同様の材料で形成してよい。反射層３２２の膜厚は５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。反射層３２２の膜厚が５ｎｍよりも薄いと、熱を拡散させる機能が低下して記録層３３５にマークが形成されにくくなる。また、反射層３２２の膜厚が２０ｎｍよりも厚いと、第３の情報層３３０の光透過率が６０％に満たなくなる。
誘電体層３３３および３３７は、誘電体層３２３および３２７と同様の機能を有し、誘電体層３２３および３２７と同様の材料で形成してよい。誘電体層３３３および３３７の好ましい膜厚は、誘電体層３２３および３２７のそれと同様である。
界面層３３４および界面層３３６は、実施の形態１における界面層１１４および１１６と同様の機能を有し、好ましい膜厚も界面層１１４および１１６の好ましい膜厚と同様である。実施の形態１同様、ＳｂとＳｉとを含む記録層３３５に隣接する界面層３３４と３３６は、特定の組み合わせを含む界面層Ａであることが好ましい。また、界面層３３４を構成するのに適した材料は、界面層１１４を構成するのに適した材料と同様であり、界面層３３６を構成するのに適した材料は、界面層１１６を構成するのに適した材料と同様である。界面層３３４が上記の誘電体層３３３としても機能する場合には、誘電体層３３３は必ずしも設ける必要はない。同様に、界面層３３６が上記の誘電体層３３７として機能する場合には、誘電体層３３７は必ずしも設ける必要はない。
記録層３３５は、光の照射により相変化を生じ得る。記録層３３５もまた、ＳｂとＳｉとを含む。各元素の機能は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。また、第３の情報層３３０は６５％以上の光透過率を要するため、記録層３３５の膜厚は２ｎｍ以上７ｎｍ以下であることが好ましい。記録層３３５の膜厚が、７ｎｍを超えると第３の情報層３３０の光透過率が低下し、２ｎｍ未満であると記録層３３５の光学的変化が小さくなる。記録層は、膜厚が薄くなると結晶化速度が低下するため、記録層３３５を構成する材料の組成比は、より大きな結晶化速度を有するように選択することが好ましい。
記録層３３５に含まれる材料を式Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示す）で示したときに、ｘは１０％以上３５％以下であることが好ましい。記録層３３５に含まれる材料において、ｘがこの範囲であれば、例えば４倍速に相当する転送レートで良好な記録消去特性が得られ、低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保できる。Ｓｉの組成比は、転送レートに対して最適となるように選ぶことができる。
また、記録層３３５は、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）で表される材料を含んでよい。元素Ｌおよびより好ましい元素Ｌは、実施の形態１に関連して説明したとおりである。ＳｉとＬを合わせた組成比は、１０原子％以上３５原子％以下が好ましい。また、ｘおよびｙは、ｘ≧ｙを満たすことが好ましい。記録層３２５の具体的な組成は、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ等、記録層１１５と同様である。
なお、実施の形態２同様、Ｓｂ、Ｓｉ、および場合により元素Ｌを含む記録層は、少なくとも一つの情報層に含まれていればよい。例えば、記録層３２５と３３５が、前記特定の元素を含む記録層である場合には、記録層３１５は従来の書換え型記録層であってよい。従来の書換え型記録層を構成する材料は、実施の形態２に関連して説明したとおりである。あるいは、記録層３３５と３２５が、前記特定の元素を含む記録層である場合には、情報層３１０は再生専用型情報層もしくは追記型情報層であってよい。追記型情報層と再生専用型情報層の記録層の材料は、実施の形態２に関連して説明したとおりである。前記特定の元素を含む記録層は、大きな光学的変化と大きな結晶化速度を有しているので、記録層の膜厚が薄くても十分な光学的変化と結晶化速度を確保できる。よって、レーザ入射側に設けられた記録層３２５および３３５が前記特定の元素を含む記録層であると、より優れた性能を有する第２の情報層３２０および第３の情報層３３０が得られる。
続いて、実施の形態３の情報記録媒体３００を製造する方法を説明する。情報記録媒体３００は、支持体となる基板３０１上に第１情報層３１０、中間層３０３、第２情報層３２０、中間層３０４、第３情報層３３０、透明層３０２を順に形成して、製造する。
まず、案内溝（グルーブ面とランド面）が形成された基板３０１をスパッタリング装置に配置し、基板３０１の案内溝が形成された表面に、反射層３１２を成膜する工程から誘電体層３１７を成膜する工程までを、実施の形態１の反射層１１２を成膜する工程から誘電体層１１７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第１情報層３１０が基板３０１上に形成される。
第１の情報層３１０を形成した基板３０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層３０３を形成する。中間層３０３を形成する工程は、実施の形態２の中間層２０３を形成する工程と同様にして実施される。中間層３０３まで形成した基板３０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層３０３の案内溝を有する面に、誘電体層３２１を成膜する工程から誘電体層３２７を成膜する工程までを、実施の形態２の誘電体層２２１を成膜する工程から誘電体層２２７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第２情報層３２０が中間層３０３上に形成される。第２の情報層３２０まで形成した基板３０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層３０３と同様にして、中間層３０４を形成する。
中間層３０４まで形成した基板３０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層３０４の案内溝を有する面に、誘電体層３３１を成膜する工程から誘電体層３３７を成膜する工程までを、上述の誘電体層３２１を成膜する工程から誘電体層３２７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第３情報層３３０が中間層３０４上に形成される。
第３の情報層３３０まで形成した基板３０１をスパッタリング装置から取り出す。それから、誘電体層３３７の表面に、実施の形態１の透明層１０２を形成する工程と同様にして、透明層３０２を形成し、透明層３０２形成工程を終了させる。
透明層３０２形成工程が終了した後は、必要に応じて、第１の情報層３１０、第２の情報層３２０及び第３の情報層３３０の初期化工程を実施する。初期化工程は、中間層３０３を形成する前もしくは後に、第１の情報層３１０について実施し、中間層３０４を形成する前もしくは後に、第２の情報層３２０について実施し、透明層３０２を形成する前もしくは後に、第３の情報層３３０について実施してよい。あるいは、透明層３０２を形成する前もしくは後に、第１の情報層３１０、第２の情報層３２０および第３の情報層３３０について初期化工程を実施してもよい。本発明の効果は、初期化工程の実施順にかかわらず得られる。このようにして、実施の形態３の情報記録媒体３００を製造することができる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４として、情報記録媒体の一例を説明する。図４に、その情報記録媒体４００の一部断面を示す。情報記録媒体４００において、基板４０１上に成膜された第１の情報層４１０、中間層４０３、第２の情報層４２０、中間層４０４、第３の情報層４３０、中間層４０５、第４の情報層４４０および透明層４０２が、この順に配置されている。
第１の情報層４１０において、基板４０１の一方の表面に成膜された反射層４１２、誘電体層４１３、界面層４１４、記録層４１５、界面層４１６および誘電体層４１７が、この順に配置されている。第２の情報層４２０において、中間層４０３の一方の表面に成膜された誘電体層４２１、反射層４２２、誘電体層４２３、界面層４２４、記録層４２５、界面層４２６および誘電体層４２７が、この順に配置されてなる。第３の情報層４３０において、中間層４０４の一方の表面に成膜された誘電体層４３１、反射層４３２、誘電体層４３３、界面層４３４、記録層４３５、界面層４３６および誘電体層４３７が、この順に配置されている。第４の情報層４４０において、中間層４０５の一方の表面に成膜された誘電体層４４１、反射層４４２、誘電体層４４３、界面層４４４、記録層４４５、界面層４４６および誘電体層４４７がこの順に配置されている。
この形態においても、レーザ光１０は、透明層４０２の側から入射される。第１の情報層４１０の情報の記録再生は、第４の情報層４４０、第３の情報層４３０および第２の情報層４２０を通過したレーザ光１０を用いて行う。情報は、４つの記録層にそれぞれに記録できる。例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光を記録再生に使用する場合、上記実施の形態１の４倍程度の１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、１３３ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。情報記録媒体４００も、ＣＡＶ仕様の媒体として使用してよい。
光学的には、４つの情報層の実効反射率はおおよそ同等であることが好ましく、それは第１、第２、第３および第４の情報層の反射率と、第２、第３および第４の情報層の透過率を各々調整することにより達成される。本実施の形態では、一例として、結晶状態の実効反射率がＲｃが約１．３％、非晶質状態の実効反射率Ｒａが約０．３％となるように設計した構成を説明する。第４の情報層４４０の透過率が約６８％、第３の情報層４３０の透過率が約６５％、および第２の情報層４２０の透過率が約５５％となるように設計する場合、第１の情報層４１０はそれのみで約２２％のＲｃ、約４％のＲａを有するように設計され、第２の情報層４２０はそれのみで約６％のＲｃ、約１．３％のＲａを有するように設計され、第３の情報層４３０はそれのみで約３％のＲｃ、約０．６％のＲａを有するように設計され、第４の情報層４４０はそれのみで約１．３％のＲｃ、約０．３％のＲａを有するように、設計される。
次に、基板４０１、中間層４０３、中間層４０４、中間層４０５および透明層４０２の
機能、材料および厚みについて説明する。基板４０１は、実施の形態１の基板１０１と同様の機能を有する。基板４０１の形状および材料は、基板１０１のそれらと同じである。
中間層４０３は、レーザ光１０の第２の情報層４２０における焦点位置と、レーザ光１０の第１の情報層４１０における焦点位置とを分離する機能を有する。必要に応じて、第２の情報層４２０ための案内溝が、中間層４０３に形成されてよい。同様に、中間層４０４は、レーザ光１０の第３の情報層４３０における焦点位置と、レーザ光１０の第２の情報層４２０における焦点位置とを分離する機能を有する。必要に応じて、第３の情報層４３０ための案内溝が、中間層４０４に形成されてよい。中間層４０５は、レーザ光１０の第４の情報層４４０における焦点位置と、レーザ光１０の第３の情報層４３０における焦点位置とを分離する機能を有する。必要に応じて、第４の情報層４４０ための案内溝が、中間層４０５に形成されてよい。中間層４０３、４０４および４０５は、いずれも紫外線硬化性樹脂で形成することができる。透明層４０２は、実施の形態１の透明層１０２と同様の機能を有し、同様の材料を用いて形成することができる。
透明層４０２の表面から第１の情報層４１０の記録層４１５までの距離は、実施の形態２同様、８０μｍ以上１２０μｍ以下となることが好ましい。さらに、第１の情報層、第２の情報層、第３の情報層および第４の情報層からの信号の再生、これら情報層への信号の記録、これらの情報層の信号の消去および書換えが、互いに他の情報層からの影響を受けずに良好に行えるよう、中間層４０３、４０４および４０５の膜厚は異なっていることが好ましい。各中間層の膜厚は、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲から選ばれることが好ましく、６μｍ以上２８μｍ以下の範囲から選ばれることがより好ましい。
例えば、透明層４０２の表面から記録層４１５までの距離が１００μｍとなるように、中間層４０３、中間層４０４、中間層４０５、透明層４０２の膜厚を設定してよい。一例として、中間層４０３の膜厚を２２μｍとし、中間層４０４の膜厚を１８μｍとし、中間層４０５の膜厚を１０μｍとし、透明層４０２の膜厚を５０μｍとしてよい。あるいは、中間層４０３の膜厚を１８μｍとし、中間層４０４の膜厚を２５μｍとし、中間層４０５の膜厚を１４μｍとし、透明層４０２の膜厚を４３μｍとしてよい。透明層４０２の膜厚は１０μｍ以上９０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましい。本実施の形態においても、中間層は情報層を保護する層と案内溝を有する層とを含む、２以上の層で構成してよい。
まず、第１の情報層４１０の構成を順に説明する。第１の情報層４１０の反射層４１２から誘電体層４１７は、実施の形態１の情報層１１０の反射層１１２から誘電体層１１７と同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
続いて、第２の情報層４２０の構成について説明する。第２の情報層４２０は、レーザ光１０が第１の情報層４１０に到達し得るように、高透過率となるように設計される。誘電体層４２１から誘電体層４２７は、実施の形態３における第２情報層３２０の誘電体層３２１から誘電体層３２７と同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
続いて、第３の情報層４３０の構成について説明する。第３の情報層４３０は、レーザ光１０が第１の情報層４１０並びに第２の情報層４２０に到達し得るように、第２の情報層４２０よりも高透過率となるように設計される。誘電体層４３１から誘電体層４３７は、実施の形態３における第３の情報層３３０の誘電体層３３１から誘電体層３３７と同様である。誘電体層４３３および４３７は、屈折率が２〜３である誘電体材料で形成してよい。誘電体層４３７の厚さは好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。また、誘電体層４３３の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、より好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。他の構成は、実施の形態３における第３情報層３３０と同様であるので、省略する。
続いて、第４の情報層４４０の構成について説明する。第４の情報層４４０は、レーザ光１０が第１の情報層４１０、第２の情報層４２０並びに第３の情報層４３０に到達し得るように、第３の情報層４３０よりも高透過率となるように設計される。
誘電体層４４１は、誘電体層４３１と同様の機能を有し、同様の材料で形成してよい。第４の情報層４４０において、４以上の反射率比と６８％以上の光透過率が得られるよう、誘電体層４４１の膜厚は２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。
反射層４４２は、反射層４３２と同様の機能を有し、同様の材料で形成してよい。反射層４４２の膜厚は、記録層４４５が薄いので、やや厚くしてよい。反射層４４２の膜厚は、反射率比と透過率が良好となるように決める。具体的には、反射層４４２の膜厚は、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下が好ましい。５ｎｍよりも薄いと、熱を拡散させる機能が低下して記録層４４５にマークが形成されにくくなる。また、２５ｎｍよりも厚いと、記録層が薄くても第４の情報層４４０の光透過率が６５％に満たなくなる。
誘電体層４４３および４４７は、誘電体層４３３および４３７と同様の機能を有し、同様の材料で形成してよい。
界面層４４４および界面層４４６は、実施の形態１における界面層１１４および１１６と同様の機能を有し、好ましい膜厚も界面層１１４および１１６の好ましい膜厚と同様である。実施の形態１と同様、ＳｂとＳｉとを含む記録層４４５に隣接する界面層４４４と界面層４４６は、特定の組み合わせを含む界面層Ａであることが好ましい。また、界面層４４４を構成するのに適した材料は、界面層界面層１１４を構成するのに適した材料と同様であり、界面層４４６を構成するのに適した材料は、界面層１１６を構成するのに適した材料と同様である。界面層４４４が上記の誘電体層４４３としても機能する場合には、誘電体層４４３は必ずしも設ける必要はない。同様に、界面層４４６が上記の誘電体層４４７としても機能する場合には、誘電体層４４７は必ずしも設ける必要はない。
記録層４４５は、光の照射により相変化を生じ得る。記録層４４５もまた、ＳｂとＳｉとを含む。各元素の機能は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。また、第４の情報層４４０は６８％以上の光透過率を要するため、記録層４４５の膜厚は１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることが好ましい。記録層４４５の膜厚が７ｎｍを超えると、第４の情報層４４０の光透過率が低下し、１ｎｍ未満であると、記録層４４５の光学的変化が小さくなる。記録層は、膜厚が薄くなると結晶化速度が低下するため、記録層４４５を構成する材料は、より大きな結晶化速度を有する組成比を有することが好ましい。
記録層４４５に含まれる材料を式Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示す）で示したときに、ｘは２以上２５以下であることが好ましい。記録層４４５に含まれる材料において、ｘがこの範囲内にあれば、例えば４倍速に相当する転送レートで良好な記録消去特性が得られ、低転送レートでの非晶質状態の安定性を確保できる。Ｓｉの組成比は、転送レートに対して最適となるように選ぶことができる。
また、記録層４４５は、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）で表される材料を含んでよい。元素Ｌおよびより好ましい元素Ｌは、実施の形態１に関連して説明したとおりである。ＳｉとＬを合わせた組成比は、２原子％以上２５原子％以下であることが好ましい。また、ｘおよびｙは、ｘ≧ｙを満たすことが好ましい。記録層４４５の具体的な組成は、Ｓｂ−Ｓｉ−Ｂ等、記録層１１５と同様である。
実施の形態３同様、Ｓｂ、Ｓｉ、および場合により元素Ｌを含む記録層は、少なくとも一つの情報層に含まれていればよい。例えば、記録層４２５、４３５および４４５が、前記特定の元素を含む記録層である場合には、記録層４１５は従来の書換え型記録層であってよい。あるいは、記録層４４５が前記特定の元素を含む記録層である場合には、記録層４１５、４２５および４３５は、従来の書換え型記録層であってよい。従来の書換え型記録層を構成する材料は、実施の形態２に関連して説明したとおりである。あるいは、記録層４４５が前記特定の元素を含む記録層である場合には、情報層４１０、４２０および４３０は、再生専用型情報層もしくは追記型情報層であってよい。記録層４３５と４２５が本発明の記録層である場合には、情報層４１０および４４０は再生専用型情報層もしくは追記型情報層であってよい。追記型情報層と再生専用型情報層の記録層の材料は、実施の形態２に関連して説明したとおりである。
続いて、実施の形態４の情報記録媒体４００を製造する方法を説明する。情報記録媒体４００は、支持体となる基板４０１上に第１情報層４１０、中間層４０３、第２情報層４２０、中間層４０４、第３情報層４３０、中間層４０５、第４情報層４４０、透明層４０２を順に形成して、製造する。
案内溝（グルーブ面とランド面）が形成された基板４０１をスパッタリング装置に配置し、基板４０１の案内溝が形成された表面に、反射層４１２を成膜する工程から誘電体層４１７を成膜する工程までを、実施の形態１の反射層１１２を成膜する工程から誘電体層１１７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第１情報層４１０が基板４０１上に形成される。第１の情報層４１０を形成した基板４０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層４０３を形成する。中間層４０３を形成する工程は、実施の形態２の中間層２０３を形成する工程と同様にして実施される。
中間層４０３まで形成した基板４０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層４０３の案内溝を有する面に、誘電体層４２１を成膜する工程から誘電体層４２７を成膜する工程までを、実施の形態２の誘電体層２２１を成膜する工程から誘電体層２２７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第２情報層４２０が中間層４０３上に形成される。第２の情報層４２０まで形成した基板４０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層４０３と同様にして、中間層４０４を形成する。
中間層４０４まで形成した基板４０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層４０４の案内溝を有する面に、誘電体層４３１を成膜する工程から誘電体層４３７を成膜する工程までを、上述の誘電体層４２１を成膜する工程から誘電体層４２７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第３情報層４３０が中間層４０４上に形成される。第３の情報層４３０まで形成した基板４０１を、スパッタリング装置から取り出し、中間層４０４と同様にして、中間層４０５を形成する。
中間層４０５まで形成した基板４０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層４０５の案内溝を有する面に、誘電体層４４１を成膜する工程から誘電体層４４７を成膜する工程までを、上述の誘電体層４３１を成膜する工程から誘電体層４３７を成膜する工程までと同様にして実施する。このようにして、第４情報層４４０が中間層４０５上に形成される。
第４の情報層４４０まで形成した基板４０１をスパッタリング装置から取り出す。それから、誘電体層４４７の表面に、実施の形態１の透明層１０２を形成する工程と同様にして、透明層４０２を形成し、透明層４０２形成工程を終了させる。
透明層４０２形成工程が終了した後は、必要に応じて、第１の情報層４１０、第２の情報層４２０、第３の情報層４３０及び第４の情報層４４０の初期化工程を実施する。初期化工程は、中間層４０３を形成する前もしくは後に、第１の情報層４１０について実施し、中間層４０４を形成する前もしくは後に、第２の情報層４２０について実施し、中間層４０５を形成する前もしくは後に、第３の情報層４３０について実施し、透明層４０２を形成する前もしくは後に、第４の情報層４４０について実施してよい。
あるいは、透明層４０２を形成する前もしくは後に、第１の情報層４１０、第２の情報層４２０、第３の情報層４３０および第４の情報層４４０について初期化工程を実施してもよい。本発明の効果は、初期化工程の実施順にかかわらず得られる。このようにして、実施の形態４の情報記録媒体４００を製造することができる。
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５として、情報記録媒体の一例を説明する。図５に、その情報記録媒体５００の一部断面を示す。情報記録媒体５００において、基板５０１上に第１の情報層５１０、第２の情報層５２０、第３の情報層５３０、・・・および第Ｎの情報層５Ｎ０が位置し、各情報層の間に中間層が位置し、第Ｎの情報層５Ｎ０の上に透明層５０２が位置する。各情報層は、例えば、実施の形態２〜４の各情報層と同じ構成を有する。この媒体５００においても、少なくとも一つの情報層の記録層が、Ｓｂ、Ｓｉ、および場合により元素Ｌを含み、その記録層に隣接する二つの界面層のうち、少なくとも一つの界面層が界面層Ａである。
この形態においても、レーザ光１０は、透明層５０２の側から入射される。第１の情報層５１０には、第Ｎの情報層５Ｎ０、・・・第３の情報層５３０および第２の情報層５２０を通過したレーザ光１０で記録再生する。情報記録媒体５００においては、Ｎ個の記録層にそれぞれ情報を記録できる。例えば、Ｎ＝５であれば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光を記録再生に使用する場合、上記実施の形態１の５倍程度の１２５ＧＢ以上の容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、１６５ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。情報記録媒体５００も、ＣＡＶ仕様の媒体として使用してもよい。
実施の形態４同様、Ｓｂ、Ｓｉ、および場合により元素Ｌを含む記録層は、少なくとも一つの情報層に含まれていればよい。例えば、第Ｎの情報層５Ｎ０が、前記特定の元素を含む記録層である場合には、第１から第（Ｎ−１）の情報層に含まれる記録層は各々、従来の書換え型記録層、再生専用型記録層、または追記型記録層であってよい。あるいは、第１の情報層５１０が、前記特定の元素を含む記録層を含む場合には、第２から第Ｎの情報層に含まれる記録層は各々、従来の書換え型記録層、再生専用形記録層、または追記形記録層であってよい。前記特定の元素を含む記録層は、大きな光学的変化と大きな結晶化速度を有しているので、記録層の膜厚が薄くても十分な光学的変化と結晶化速度を確保できる。よって、第２から第Ｎ情報層の記録層の少なくとも一つまたは全部が、前記特定の元素を含む記録層であることが好ましい。
各情報層の構成は、既に述べた実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。また、情報記録媒体５００は、上記実施の形態と同様、基板５０１の溝が形成された面に、情報層と中間層を交互に積層することにより製造できる。成膜工程、中間層形成工程、透明層形成工程、および初期化工程は、実施の形態１〜４で述べたとおりであるので、その説明を省略する。
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。電気的情報記録媒体の一構成例を図６に模式的に示す。電気的情報記録媒体６００は、電気的エネルギー（特に電流）の印加によって、情報の記録再生が可能な情報記録媒体である。
情報記録媒体６００は、基板６０１の表面に形成された、下部電極６０２、記録部６０３、記録部６０３を取り囲む界面部６１２、および上部電極６０４により、構成されている。下部電極６０２、及び上部電極６０４は、記録部６０３に電流を印加するために形成する。基板６０１として、具体的には、Ｓｉ基板などの半導体基板、ポリカーボネート基板、ならびにＳｉＯ２基板およびＡｌ２Ｏ３基板などの絶縁性基板を使用できる。下部電極６０２および上部電極６０４は、導電材料、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、ＷおよびＣｒ、ならびにこれらの混合物から選択される金属または合金で形成してよい。
記録部６０３は、電気的エネルギーを印加することにより生じるジュール熱によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的相変化を生じ得る。記録部６０３は、ＳｂとＳｉとを含む。各元素の機能は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。Ｓｉの組成比は、５０原子％以下であることが好ましい。記録部は、さらに、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含んでよい。その場合、ＳｉとＬを合わせた組成比が、５０原子％以下であることが好ましい。
界面部６１２は、記録部６０３の側面の少なくとも一部と接しており、記録部６０３と密着性のよい材料で形成される。界面部６０２は、記録部６０３を電気的および熱的に絶縁する機能を有する。したがって、界面部２０６は、断熱部と称することもできる。界面部６０２は、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む。界面部６０２を構成するのに適した材料は、実施の形態１に関連して説明した界面層Ａの材料と同様である。即ち、界面部は、前記少なくとも一つの組み合わせとして、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮから選択される、少なくとも一つの化合物または組み合わせを含んでよい。
さらに、界面部は、Ｔａ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｄｙ−ＯおよびＬａ−Ｆより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含んでよい。これらの組み合わせは、酸化物または弗化物として含まれてよい。
下部電極６０２および上部電極６０４は、スパッタリング法により形成することができる。具体的には、下部電極６０２および上部電極６０４は、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガス（Ｏ2ガスまたはＮ2ガスから選ばれる少なくとも１種のガス）との混合ガス雰囲気中で、金属ターゲットまたは合金ターゲットをスパッタリングすることによって形成できる。なお、電極の成膜方法は、スパッタリングに限定されず、他の気相法、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等であってよい。
記録部６０３を成膜する工程は、実施の形態１の記録層１１５を成膜する工程と同様にして実施される。また、界面部６１２を成膜する工程は実施の形態１の界面層１１４を成膜する工程と同様にして実施される。記録部６０３と界面部６１２は互いに積層しないように、例えば成膜すべき面以外の領域をマスク治具で覆って、スパッタリングにより形成してよい。
電気的情報記録媒体６００に、印加部６０９を介して、電気的情報記録再生装置６１０を電気的に接続する。この電気的情報記録再生装置６１０により、下部電極６０２と上部電極６０４の間には、パルス電源６０５が、スイッチ６０８を介して接続される。パルス電源６０５は、記録部６０３に電流パルスを印加するために用いられる。また、記録部６０３の相変化による抵抗値の変化を検出するために、下部電極６０２と上部電極６０４の間に、スイッチ６０７を介して抵抗測定器６０６が接続される。
非晶質相（高抵抗状態）にある記録部６０３を、結晶相（低抵抗状態）に変化させるためには、スイッチ６０８を閉じて（スイッチ６０７は開く）、電極間に電流パルスを印加して、電流パルスが印加される部分の温度が、記録部６０３の材料の結晶化温度より高く、且つ融点より低い温度に、結晶化時間の間、保持されるようにする。結晶相から再度非晶質相に戻す場合には、結晶化の時よりも相対的に高い電流パルスを、より短い時間で印加して、電流パルスが印加される部分の温度が、記録部６０３の材料の融点より高い温度となるようにし、材料を溶融させる。その後、急激に冷却することによって、非晶質相が得られる。電気的情報記録再生装置６１０のパルス電源６０５は、記録パルスおよび消去パルスを出力できる電源である。
この電気的情報記録媒体６００をマトリクス的に多数配置することによって、図７に示すような大容量の電気的情報記録媒体７００を構成することができる。各メモリセル７０３には、電気的情報記録媒体６００と同様の構成が形成された微小領域を有する。各々のメモリセル７０３への情報の記録再生は、アドレス指定回路７１５（図８に示す）により、ワード線７０１及びビット線７０２をそれぞれ一つ指定することによって行う。
図８は電気的情報記録媒体７００を用いた、情報記録システムの一構成例を示したものである。記憶装置７１２は、電気的情報記録媒体７００と、アドレス指定回路７１５によって構成される。また、記憶装置７１２を、少なくともパルス電源７１３と抵抗測定器７１４から構成される外部回路７１１に電気的に接続することにより、電気的情報記録媒体７００への情報の記録再生を行うことができる。
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７として、情報記録媒体の一例を説明する。図１１に、その情報記録媒体８００の一部断面を示す。情報記録媒体８００は、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光１０で情報を記録再生する、１５ＧＢ以上の容量を有するＨＤ ＤＶＤ（High Definition DVD）として使用できる。この構成の情報記録媒体８００には、基板８０２側からレーザ光１０が入射し、それにより記録層８１５への情報の記録及び記録層８１５からの情報の再生が実施される。本発明の適用により、ＨＤ ＤＶＤにおいても、７２メガビット毎秒以上、さらには１４４メガビット毎秒以上の高データ転送レートを実現でき、優れた耐湿性を実現することができる。
以下、基板８０２から順に説明する。情報記録媒体８００においては、基板８０２上に情報層８１０が配置され、接着層８０６を介して基板８０１が貼り合わされている。さらに、情報層８１０において、基板８０２の一方の表面に成膜された誘電体層８１７、界面層８１６、記録層８１５、界面層８１４、誘電体層８１３、および反射層８１２が、この順に配置されてなる。
基板８０２は、実施の形態１の基板１０１と同様の材料を用いて、形成することができる。ＨＤ ＤＶＤの記録再生においては、開口数０．６５の対物レンズを使用するため、レーザ入射側の基板８０２は、図示した形態において、約０．６ｍｍの厚さを有し、約１２０ｍｍの直径を有することが好ましい。基板８０２の情報層８１０を形成する側の表面には、レーザ光１０を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。媒体をＨＤ ＤＶＤとして使用する場合、グルーブ面とランド面の段差は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。また、ＨＤ ＤＶＤにおいては、グルーブ面およびランド面に記録を行う。ＨＤ ＤＶＤにおいて、グルーブ−ランド間の距離（グルーブ面中心からランド面中心まで）は、約０．３３μｍ〜約０．３７μｍである。
基板８０１は機械的強度を保って、反りを抑制する機能を持ち、その材料および形状は、基板８０２のそれらと同様である。基板８０１において、案内溝はなくてもよいし、形成されていてもよい。
情報層８１０を構成している、誘電体層８１７、界面層８１６、記録層８１５、界面層８１４、誘電体層８１３、および反射層８１２の材料および膜厚はそれぞれ、実施の形態１の誘電体層１１７、界面層１１６、記録層１１５、界面層１１４、誘電体層１１３、および反射層１１２の材料および膜厚と同じであってよい。
次に、情報記録媒体８００の製造方法の一例を説明する。基板８０２をスパッタ装置に取り付けて、誘電体層８１７、界面層８１６、記録層８１５、界面層８１４、誘電体層８１３、および反射層８１２を順にスパッタリングにより成膜する。実施の形態１と成膜順が逆になるものの、これらの層の成膜条件はそれぞれ、実施の形態１の誘電体層１１７、界面層１１６、記録層１１５、界面層１１４、誘電体層１１３、および反射層１１２の成膜条件と同じにすることができる。
反射層８１２まで積層した基板８０２をスパッタ装置から取り出し、貼り合わせ装置に配置して、反射層８１２の露出面に紫外線硬化性樹脂（たとえばアクリル系樹脂）をスピンコートして、接着層８０６を形成する。その後、紫外線硬化性樹脂の上に基板８０１を密着させて、基板８０１側から紫外線を照射して、接着層８０６の紫外線硬化性樹脂を硬化させる。このようにして、基板８０１の貼り合わせが完了する。
貼り合わせ後、必要に応じて、半導体レーザを用いる初期化工程を実施する。初期化工程は、基板８０１を貼り合わせる前に実施してもよい。このように、誘電体層８１７を成膜する工程から基板８０１を貼り合わせる工程まで順次実施することにより、実施の形態７の情報記録媒体８００を製造することができる。
あるいは、案内溝付き基板８０１上に、情報層８１０を形成して、接着層を介して基板８０２を貼り合わせる方法で、情報記録媒体８００を製造してよい。この場合、接着層と基板８０２は、合わせて約０．６ｍｍの厚みを有することが好ましい。いずれの方法で製造しても、製造した情報記録媒体において、本発明の効果を得ることができる。
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８として、情報記録媒体の一例を説明する。図１２に、その情報記録媒体９００の一部断面を示す。情報記録媒体９００は、２つの情報層を有するＨＤ ＤＶＤであって、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光１０で情報を記録再生する、３０ＧＢ以上の容量を有するＨＤ ＤＶＤとして使用できる。この構成の情報記録媒体９００には、基板９０２側からレーザ光１０が入射し、それにより情報の記録及び再生が実施される。本発明の適用により、ＨＤ ＤＶＤにおいても、３６メガビット毎秒以上、さらには７２メガビット毎秒以上の高データ転送レートを実現できるとともに、優れた耐湿性を実現することができる。
以下、基板９０２から順に説明する。情報記録媒体９００においては、基板９０１上の第１の情報層９１０が、接着層９０６を介して、基板９０２上の第２の情報層９２０と貼り合わされている。さらに、第１の情報層９１０において、基板９０１の一方の表面に成膜された反射層９１２、誘電体層９１３、界面層９１４、記録層９１５、界面層９１６、および誘電体層９１７が、この順に配置されてなる。また、基板９０２の一方の表面に成膜された誘電体層９２７、界面層９２６、記録層９２５、界面層９２４、誘電体層９２３、反射層９２２、および誘電体層９２１が、この順に配置されてなる。
基板９０１および９０２は、実施の形態１の基板１０１と同様の材料を用いて形成することができる。実施の形態７の基板８０２と同様に、基板９０１および９０２は、約０．６ｍｍの厚さ、および約１２０ｍｍの直径を有することが好ましい。基板９０１の第１情報層９１０を形成する側の表面、および基板９０２の第２情報層９２０を形成する側の表面には、レーザ光１０を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。その場合、案内溝の形状および寸法は、実施の形態７で説明したそれらと同じであってよい。
第１の情報層９１０を構成している、反射層９１２、誘電体層９１３、界面層９１４、記録層９１５、界面層９１６、および誘電体層９１７の材料および膜厚はそれぞれ、実施の形態２の反射層２１２、誘電体層２１３、界面層２１４、記録層２１５、界面層２１６および誘電体層２１７の材料および膜厚と同じであってよい。また、第２の情報層９２０を構成している、誘電体層９２７、界面層９２６、記録層９２５、界面層９２４、誘電体層９２３、反射層９２２、および誘電体層９２１の材料および膜厚はそれぞれ、実施の形態２の誘電体層２２７、界面層２２６、記録層２２５、界面層２２４、誘電体層２２３、反射層２２２、および誘電体層２２１の材料および膜厚と同じであってよい。
次に、情報記録媒体９００の製造方法の一例を説明する。基板９０１をスパッタ装置に取り付けて、反射層９１２、誘電体層９１３、界面層９１４、記録層９１５、界面層９１６、および誘電体層９１７を順にスパッタリングにより成膜する。これらの層はそれぞれ、実施の形態２の第１の情報層２１０の形成で用いた成膜順序と同じ順序で、反射層２１２、誘電体層２１３、界面層２１４、記録層２１５、界面層２１６、および誘電体層２１７の成膜条件と同じ条件で形成できる。誘電体層９１７まで積層した基板９０１をスパッタ装置から取り出して保管しておく。次に、基板９０２をスパッタ装置に取り付けて、誘電体層９２７、界面層９２６、記録層９２５、界面層９２４、誘電体層９２３、反射層９２２、および誘電体層９２１を順にスパッタリングにより成膜する。これらの層は、実施の形態２の第２の情報層２２０の形成で用いた成膜順とは逆の順序で形成される。これらの層はそれぞれ、実施の形態２の誘電体層２２７、界面層２２６、記録層２２５、界面層２２４、誘電体層２２３、反射層２２２、および誘電体層２２１の成膜条件と同じ条件で形成できる。誘電体層９２１まで積層した基板９０２をスパッタ装置から取り出す。
保管しておいた第１情報層９１０を成膜した基板９０１を貼り合わせ装置に配置し、誘電体層９１７の露出面に紫外線硬化性樹脂（たとえばアクリル系樹脂）をスピンコートして、接着層９０６を形成する。紫外線硬化性樹脂の上に、第２情報層９２０を成膜した基板９０２の誘電体層９２１の露出面を密着させて、基板９０２側から紫外線を照射して、接着層９０６の紫外線硬化性樹脂を硬化させる。このようにして、基板９０１と９０２との貼り合わせが完了する。
貼り合わせ後、必要に応じて、半導体レーザを用いる初期化工程を実施する。初期化工程は、貼り合わせ工程の前に実施してもよい。このように、第１情報層９１０を成膜する工程、第２の情報層９２０を成膜する工程、および基板９０１と基板９０２を貼り合わせる工程を順次実施することにより、実施の形態８の情報記録媒体９００を製造することができる。
あるいは、基板９０２上に、第２の情報層９２０、案内溝を有する中間層、および第１の情報層９１０を形成した後、接着層を介して基板９０１を貼り合わせる方法で、情報記録媒体９００を製造することも可能である。あるいは、基板９０１上に、第１の情報層９１０、案内溝を有する中間層、および第２の情報層９２０を形成した後、接着層を介して基板９０２を貼り合わせる方法で、情報記録媒体９００を製造することも可能である。この場合、接着層と基板９０２は、合わせて約０．６ｍｍの厚みを有することが好ましい。いずれの方法で製造しても、製造した情報記録媒体において、本発明の効果を得ることができる。また、ＨＤ ＤＶＤにおいて、情報層の数が３以上であっても、本発明を適用することができ、本発明の適用により、本発明の効果を得ることができる。
次に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
（実施例１）
実施例１では、図１の情報記録媒体１００を製造し、界面層１１４および１１６の材料と、記録層１１５との密着性の関係を調べた。界面層１１４および１１６を、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣで形成した６種類の媒体（媒体番号を１００−１〜６）を作製した。比較のために、界面層１１４および１１６を、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、およびＬａＦ３で形成した媒体（媒体番号１−１〜５）を作製し、界面層と記録層との密着性を調べた。記録層１１５は、Ｓｂ５０Ｓｉ５０（原子％）で形成した。「原子％」の表示は、元素の後の添え字が原子％で表される組成比を示すことを意味する、以下においても同様である。「ｍｏｌ％」の表示は、括弧の後の添え字がｍｏｌ％で表される組成比であることを意味する。以下においても同じである。
以下に、この実施例をより具体的に説明する。はじめに、情報記録媒体１００の製造方法について説明する。製造には図９に示すスパッタリング（成膜）装置を用いた。媒体番号１００−１〜６および１−１〜５の媒体において、各層は、界面層１１４および１１６を除いて、同じスパッタリング条件で、同じ材料で、同じ膜厚となるように形成した。
各層の材料と膜厚を説明する。基板１０１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、グルーブ−グルーブ間０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を準備し、スパッタリング装置内に取り付けた。基板１０１の案内溝形成側表面に、反射層１１２として、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層１１３として、厚さ１０ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を形成した後、厚さ５ｎｍの界面層１１４を形成し、さらに、記録層１１５として厚さ１０ｎｍのＳｂ５０Ｓｉ５０（原子％）層を形成し、記録層１１５の上に厚さ５ｎｍの界面層１１６を形成し、誘電体層１１７として、厚さ４５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、情報層１１０が形成された。
各層のスパッタリング条件を説明する。用いたターゲットはすべて、円盤形状を有し、その直径は１００ｍｍ、厚さは６ｍｍであった。反射層１１２は、Ａｇ−Ｃｕ系合金ターゲットを、圧力０．４ＰａのＡｒガス雰囲気中で、直流電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。誘電体層１１３は、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。
界面層１１４と１１６のスパッタリング条件について、媒体番号毎に説明する。高周波電源を用いて、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、ターゲットを２００Ｗの出力でスパッタリングする条件は、すべての媒体において共通させた。
媒体番号１００−１の界面層１１４および１１６は、Ｉｎ２Ｏ３ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１００−２の界面層１１４および１１６は、ＺｎＯターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１００−３の界面層１１４および１１６は、ＳｎＯ２ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１００−４の界面層１１４および１１６は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１００−５の界面層１１４および１１６は、Ｇａ２Ｏ３ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１００−６の界面層１１４および１１６は、ＳｉＣターゲットをスパッタリングして形成した。いずれの媒体においても、界面層１１４および１１６の組成は、ターゲットの組成と同じであった。
媒体番号１−１の界面層１１４および１１６は、Ｔａ２Ｏ５ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１−２の界面層１１４および１１６は、Ａｌ２Ｏ３ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体願号１−３の界面層１１４および１１６は、ＳｉＯ２ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１−４の界面層１１４および１１６は、ＺｒＯ２ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号１−５の界面層１１４および１１６は、ＬａＦ３ターゲットをスパッタリングして形成した。いずれの媒体においても、界面層１１４および１１６の組成は、ターゲットの組成と同じであった。
記録層１１５は、Ｓｂ４５Ｓｉ５５ターゲットを、直流電源を用いて、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、１００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。その結果、Ｓｂ５０Ｓｉ５０（原子％）の組成を有する層が形成された。誘電体層１１７は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガスとＯ２ガスの体積比が９７：３である混合ガス雰囲気中で、高周波電源を用いて４００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。
以上のようにして基板１０１の上に反射層１１２、誘電体層１１３、界面層１１４、記録層１１５、界面層１１６および誘電体層１１７を順次成膜した基板１０１をスパッタリング装置から取り出した。それから、誘電体層１１７の表面に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法で１００μｍの厚さとなるように塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、透明層１０２を形成した。
透明層形成工程終了後、初期化工程を実施した。初期化工程においては、波長８１０ｎｍの半導体レーザを使って、情報記録媒体１００の記録層１１５を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領域内でほぼ全面に亘って結晶化させた。これにより初期化工程が終了し、１００−１〜６の情報記録媒体１００及び１−１〜４の作製が完了した。これらの情報記録媒体は、鏡面部において、約２１％のＲｃ、および約４％のＲａを有していた。
次に情報記録媒体の評価手法について説明する。情報記録媒体１００における界面層の密着性は、高温高湿条件下での剥離の有無に基づいて評価した。具体的には、初期化工程後の情報記録媒体１００を、温度８５℃で相対湿度８５％の高温高湿槽に１００時間放置した後、記録層とこれに接する界面層の間、より詳細には記録層１１５と界面層１１４の界面及び記録層１１５と界面層１１６の界面の少なくとも一方で剥離が発生していないかどうかを、光学顕微鏡を使って目視で調べた。透明層１０２側からの反射光を観察すると、剥離は丸や楕円の干渉縞となって見える。当然のことではあるが、剥離の無い試料は良好な密着性を有すると評価され、剥離の有る試料は密着性に劣ると評価される。その評価結果を（表１）に示す。
Figure 2009157990
（表１）に示す様に、実施例の媒体１００−１〜６において、剥離が発生せず、界面層１１４および１１６は良好な密着性を示した。これに対し比較例の媒体１−１〜５のすべてにおいて、剥離が発生した。この実施例より、界面層１１４および１１６が、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの材料を含む界面層Ａである場合には、ＳｂとＳｉを含む記録層１１５と良好な密着性を示すことがわかった。
（実施例２）
実施例２では、図２の情報記録媒体２００を製造し、界面層２２６の材料と記録層２２５との密着性の関係を調べた。この実施例では、界面層２２４がＩｎ２Ｏ３から成る層であり、界面層２２６がそれぞれ、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮから成る層である、１５種類の媒体（媒体番号２００−１〜１５）を作製した。比較のために、界面層２２６がそれぞれ、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、およびＬａＦ３である媒体（媒体番号２−１〜５）を作製した。記録層２２５はＳｂ６０Ｓｉ４０（原子％）から成る層とした。
以下に、この実施例をより具体的に説明する。はじめに、情報記録媒体２００の製造方法について説明する。製造には図９に示すスパッタリング装置を用いた。媒体番号２００−１〜１５および比較例２−１〜５の媒体において、各層は、界面層２２６を除いて、同じスパッタリング条件で、同じ材料で、同じ膜厚となるように形成した。
各層の材料と膜厚を説明する。基板２０１として、実施例１の基板１０１と同様の基板を準備し、スパッタリング装置内に取り付けた。基板２０１の案内溝形成側表面に、反射層２１２として、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層２１３として、厚さ１０ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を、界面層２１４として、厚さ５ｎｍのＺｎＯを、記録層２１５として、厚さ１０ｎｍのＳｂ５０Ｓｉ５０（原子％）層を、界面層２１６として、厚さ５ｎｍのＳｎＯ２層を、誘電体層２１７として、厚さ４５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、情報層２１０が形成された。
次に、誘電体層２１７の表面に、案内溝を有する中間層２０３を２５μｍの厚さで形成した。中間層２０３の案内溝形成側表面に、誘電体層２２１として、厚さ１８ｎｍのＴｉＯ２層を、反射層２２２として、厚さ１３ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層２２３として厚さ７ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を７ｎｍ、界面層２２４として、厚さ５ｎｍのＩｎ２Ｏ３層を、記録層２２５として、厚さ６ｎｍのＳｂ６０Ｓｉ４０（原子％）層を形成した後、厚さ５ｎｍの界面層２２６を形成し、さらに、誘電体層２２７として、厚さ３５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、第２の情報層２２０が形成された。
各層のスパッタリング条件を説明する。用いたターゲットはすべて、円盤形状を有し、その直径は１００ｍｍ、厚さは６ｍｍであった。反射層２１２から誘電体層２１７を、実施例１の反射層１１２から誘電体層１１７と同様の条件で形成した。以上のようにして第１の情報層２１０を成膜した基板２０１を、スパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして記録層２１５の初期化工程を実施した。
次に、中間層２０３を、次の手順で形成した。まず、誘電体層２１７の表面に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコートにより塗布した。次に、中間層に形成すべき案内溝と相補的である凹凸（深さ２０ｎｍ、グルーブ−グルーブ間０．３２μｍ）を有するポリカーボネート基板の凹凸形成面を、紫外線硬化性樹脂に密着させた。その状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、凹凸を有するポリカーボネート基板を剥離した。それにより、基板２０１と同様の形状の案内溝が中間層２０３の表面に形成された。
中間層２０３まで形成した基板２０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層２０３の表面に第２の情報層２２０を形成した。まず、中間層２０３上に、誘電体層２２１を形成する。誘電体層２２１は、ＴｉＯ２ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガスとＯ２ガスの体積比が９７：３である混合ガス雰囲気中で、高周波電源を用いて４００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。続いて、反射層２２２は、Ａｇ−Ｃｕ系合金ターゲットを、圧力０．４ＰａのＡｒガス雰囲気中で、直流電源を用いて１００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。誘電体層２２３は、実施例１の誘電体層１１３と同様にして形成した。界面層２２４は、Ｉｎ２Ｏ３ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、高周波電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。記録層２２５は、直流電源を用いて、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｂ５５Ｓｉ４５ターゲットを５０Ｗの出力でスパッタリングして形成した。
界面層２２６のスパッタリング条件を、媒体番号毎に説明する。高周波電源を用いて、ターゲットを２００Ｗの出力でスパッタリングする条件は、すべての媒体において共通させた。また、特に記載が無い場合、スパッタリング雰囲気は、圧力０．１３ＰａのＡｒガスである。
媒体番号２００−１〜２００−６の界面層２２６は、それぞれ実施例１の媒体番号１００１〜１００−６の界面層と同様にして形成した。
媒体番号２００−７の界面層２２６は、ＺｎＳターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号２００−８の界面層２２６は、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを、圧力０．４ＰａのＡｒガスとＮ２ガスの体積比が９５：５である混合ガス雰囲気中で、スパッタリングして形成した。媒体番号２００−９の界面層２２６は、Ｎｂ２Ｏ５ターゲットをスパッタリングして形成した。いずれの媒体においても、界面層２２６の組成は、ターゲットの組成と同じであった。
媒体番号２００−１０の界面層２２６は、ＴｉＯ２ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガスとＯ２ガスの体積比が９７：３である混合ガス雰囲気中で、スパッタリングして形成した。媒体番号２００−１１の界面層２２６は、ＣｅＦ３ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号２００−１２の界面層２２６は、ＢＮターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号２００−１３の界面層２２６は、ＭｇＯターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号２００−１４の界面層２２６は、Ｃｒ２Ｏ３ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体番号２００−１５の界面層２２６は、ＡｌＮターゲットを、圧力０．４ＰａのＡｒガスとＮ２ガスの体積比が９５：５である混合ガス雰囲気中で、スパッタリングして形成した。いずれの媒体においても、界面層２２６の組成は、ターゲットの組成と同じであった。
比較例の２−１〜２−５の界面層２２６は、実施例１の媒体番号１−１〜１−５の界面層と同様にして形成した。
誘電体層２２７は、実施例１の誘電体層１１７と同様にして形成した。以上のようにして中間層２０３の上に第２の情報層２２０を成膜した基板２０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして、記録層２２５の初期化工程を実施した。それから、誘電体層２２７の表面に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により７５μｍの厚さとなるように塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、透明層２０２を形成した。これにより透明層形成工程が終了し、媒体番号２００−１〜１５、２−１〜５の情報記録媒体２００の作製が完了した。
作製した媒体番号２００−１〜１５、２−１〜５は、第１の情報層２１０および第２の情報層２２０ともに、鏡面部にて、実効反射率Ｒｃ約５％、Ｒａ約１％であった。第１の情報層２１０の反射率は、第２の情報層２２０を通ったレーザ光１０で測定した。また、第２の情報層２２０の光透過率はＴｃ約５５％、Ｔａ約５０％であった。透過率の測定には基板２０１に第２の情報層２２０と透明層２０２を形成した測定用媒体を用い、半面初期化して分光光度計で測定した。
完成した計２０枚の情報記録媒体２００を実施例１と同様に、温度８５℃で相対湿度８５％の高温高湿槽に１００時間放置した後、記録層２２５と界面層２２６の界面で剥離が発生していないかどうかを、光学顕微鏡を使って目視で調べた。その評価結果を（表２）に示す。
Figure 2009157990
（表２）に示す様に、実施例の媒体２００−１〜１５において、剥離が発生せず、界面層２２６は良好な密着性を示した。これに対し比較例の媒体２−１〜５のすべてにおいて、剥離が発生した。この実施例より、界面層２２６が、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの材料を含む界面層Ａである場合には、ＳｂとＳｉを含む記録層２２５と良好な密着性を示すことがわかった。
（実施例３）
実施例３では、図２の情報記録媒体２００を製造し、界面層２２４の材料と記録層２２５との密着性の関係を調べた。この実施例では、界面層２２６がＳｉＣから成る層であり、界面層２２４がそれぞれ、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４およびＭｇＯから成る層である、９種類の媒体（媒体番号を２００−２１〜２９）を作製した。比較のために、界面層２２４がそれぞれ、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、およびＬａＦ３である媒体（媒体番号２−１１〜１５）を作製して、界面層２２４と記録層２２５の密着性を調べた。記録層２２５は、Ｓｂ６０Ｓｉ４０（原子％）から成る層とした。
媒体はそれぞれ、界面層２２４と２２６の材料を除いて、実施例２と同様にして作製した。完成した計１４枚の情報記録媒体２００を実施例１と同様に、温度８５℃で相対湿度８５％の高温高湿槽に１００時間放置した後、記録層２２５と界面層２２４の界面で剥離が発生していないかどうかを、光学顕微鏡を使って目視で調べた。その評価結果を（表３）に示す。
Figure 2009157990
（表３）に示す様に、実施例の媒体２００−２１〜２９において、剥離が発生せず、界面層２２４は良好な密着性を示した。これに対し比較例の媒体２−１１〜１５のすべてにおいて、剥離が発生した。このように、界面層２２４が、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４およびＭｇＯより選ばれる少なくとも一つの材料を含む界面層Ａである場合には、ＳｂとＳｉを含む記録層２２５と良好な密着性を示すことがわかった。
（実施例４）
実施例４では、図３の情報記録媒体３００を製造し、界面層３３６の材料と記録層３３５との密着性の関係を調べた。この実施例では、界面層３３４がＺｎＯから成る層であり、界面層３３６が、Ｉｎ２Ｏ３に、さらにＴａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｄｙ２Ｏ３およびＬａＦ３より選ばれる少なくとも一つを添加した材料から成る媒体を作製した。前記７種類の化合物の添加量を、Ｉｎ２Ｏ３の割合が９０、７０および５０ｍｏｌ％となるように調整して、２１種類の材料を準備し、これらを用いて界面層３３６を形成した。それにより、２１種類の媒体（媒体番号３００−１〜２１）が得られた。記録層３３５は、Ｓｂ７０Ｓｉ３０（原子％）から成る層とした。
以下に、この実施例をより具体的に説明する。はじめに、情報記録媒体３００の製造方法について説明する。製造には図９に示すスパッタリング装置を用いた。媒体番号３００−１〜２１の媒体において、各層は、界面層３３６を除いて、同じスパッタリング条件で、同じ材料で、同じ膜厚となるように形成した。
各層の材料と膜厚を説明する。基板３０１として、実施例１の基板１０１と同様の基板を準備し、スパッタリング装置内に取り付けた。基板３０１の案内溝形成側表面に、反射層３１２として、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層３１３として、厚さ１０ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を、界面層３１４として、厚さ５ｎｍのＧａ２Ｏ３層を５ｎｍ、記録層３１５として、厚さ１０ｎｍのＳｂ５０Ｓｉ５０（原子％）層を、界面層３１６として、厚さ５ｎｍのＧａ２Ｏ３層を、誘電体層３１７として、厚さ４５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を、形成した。それにより、第１の情報層３１０が形成された。
次に、誘電体層３１７の表面に、案内溝を有する中間層３０３を２３μｍの厚さで形成した。中間層３０３の案内溝形成側表面に、誘電体層３２１として、厚さ１１ｎｍのＴｉＯ２層を、反射層３２２として、厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を１０ｎｍ、誘電体層３２３として、厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を５ｎｍ、界面層３２４として、厚さ５ｎｍのＩｎ２Ｏ３層を５ｎｍ、記録層３２５として、厚さ５．５ｎｍのＳｂ６０Ｓｉ４０（原子％）層を、界面層３２６として、厚さ５ｎｍのＩｎ２Ｏ３層を、誘電体層３２７として、厚さ４４ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、第２の情報層３２０が形成された。
次に、誘電体層３２７の表面に、案内溝を有する中間層３０４を１４μｍの厚さで形成した。中間層３０４の案内溝形成側表面に、誘電体層３３１として、厚さ１９ｎｍのＴｉＯ２層を、反射層３３２として、厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層３３３として、厚さ６ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を６ｎｍ、界面層３３４として、厚さ５ｎｍのＺｎＯ層を、記録層３３５として、厚さ４．５ｎｍのＳｂ７０Ｓｉ３０（原子％）層を形成した後、厚さ５ｎｍの界面層３３６を形成し、誘電体層３３７として、厚さ３２ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、第３の情報層３３０が形成された。
各層のスパッタリング条件を説明する。用いたターゲットはすべて、円盤形状を有し、その直径は１００ｍｍ、厚さは６ｍｍであった。反射層３１２から誘電体層３１７を、実施例１の反射層１１２から誘電体層１１７と同様の条件で形成した。それから、第１の情報層３１０を成膜した基板３０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして記録層３１５の初期化工程を実施した。次に、中間層３０３を実施例２の中間層２０３と同様の条件で形成した。
中間層３０３まで形成した基板３０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層３０３の表面に第２の情報層３２０を形成した。誘電体層３２１から誘電体層３２７を、実施例２の誘電体層２２１から誘電体層２２７と同様の条件で形成した。以上のようにして第２の情報層３２０まで成膜した基板３０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして記録層３２５の初期化工程を実施した。次に、中間層３０４を実施例２の中間層２０３と同様の条件で形成した。
中間層３０４まで形成した基板３０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層３０４の表面に第３の情報層３３０を形成した。まず、中間層３０４上に、誘電体層３３１から誘電体層３３３を、実施例２の誘電体層２２１から誘電体層２２３と同様の条件で形成した。次に、界面層３３４を実施例１の界面層１１４と同様の条件で形成した。記録層３３５は、直流電源を用いて、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｂ６６Ｓｉ３４ターゲットを、５０Ｗの出力でスパッタリングして形成した。
界面層３３６のスパッタリング条件を、媒体番号ごとに説明する。高周波電源を用いて、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、ターゲットを２００Ｗの出力でスパッタリングする条件は、すべての媒体において共通させた。
媒体３００−１の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。３００−２の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（Ｔａ２Ｏ５）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。３００−３の界面層３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（Ａｌ２Ｏ３）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（Ａｌ２Ｏ３）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−６の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ａｌ２Ｏ３）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−７の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｉＯ２）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−８の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ＳｉＯ２）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−９の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−１０の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＺｒＯ２）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−１１の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ＺｒＯ２）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−１２の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｒＯ２）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−１３の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＨｆＯ２）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−１４の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ＨｆＯ２）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−１５の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＨｆＯ２）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−１６の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（Ｄｙ２Ｏ３）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−１７の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（Ｄｙ２Ｏ３）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−１８の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｄｙ２Ｏ３）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−１９の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＬａＦ３）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−２０の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ＬａＦ３）３０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−２１の界面層３３６は、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＬａＦ３）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。いずれの媒体においても、界面層３３６の組成は、ターゲットの組成と同じであった。
誘電体層３３７は、実施例１の誘電体層１１７と同様にして形成した。以上のようにして中間層３０４の上に第３の情報層３３０を成膜した基板３０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして、記録層３３５の初期化工程を実施した。それから、誘電体層３３７の表面に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により６３μｍの厚みとなるように塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、透明層３０２を形成した。これにより透明層形成工程が終了し、媒体番号３００−１〜２１の情報記録媒体３００の作製が完了した。
作製した媒体番号３００−１〜２１は、第１の情報層３１０、第２の情報層３２０および第３の情報層３３０ともに、鏡面部にて、実効反射率Ｒｃ約２．５％、Ｒａ約０．５％であった。第１の情報層３１０の反射率は、第２の情報層３２０と第３の情報層３３０を通ったレーザ光１０で測定した。同様に、第２の情報層３２０の反射率は、第３の情報層３３０を通ったレーザ光１０で測定した。第２の情報層３２０の光透過率は、Ｔｃ約５８％、Ｔａ約５４％であった。第３の情報層３３０の光透過率はＴｃ約６７％、Ｔａ約６３％であった。透過率の測定は実施例２と同様にして行った。
完成した計２１枚の情報記録媒体３００を実施例１と同様に、温度８５℃で相対湿度８５％の高温高湿槽に１００時間放置した後、記録層３３５と界面層３３６の界面で剥離が発生していないかどうかを、光学顕微鏡を使って目視で調べた。その評価結果を（表４）に示す。
Figure 2009157990
（表４）に示す様に、媒体３００−１〜２１において、剥離が発生せず、良好な密着性を示した。このように、界面層３３６は、Ｉｎ２Ｏ３を含む界面層Ａであって、さらにＴａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｄｙ２Ｏ３およびＬａＦ３より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む場合にも、ＳｂとＳｉを含む記録層３３５と良好な密着性を示すことがわかった。また、Ｉｎ２Ｏ３を５０ｍｏｌ％以上含むと、良好な密着性を得ることができた。
（実施例５）
実施例５においても、図３の情報記録媒体３００を製造し、界面層３３６の材料と記録層３３５との密着性の関係を調べた。この実施例では、界面層３３４がＺｎＯから成る層であり、界面層３３６が、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせに、さらにＴａ２Ｏ５を添加した材料から成る媒体を作製した。この実施例では、前記１５種類の化合物の割合を、Ｔａ２Ｏ５の割合が、５０、１０ｍｏｌ％となるように調整して、３０種類の材料を準備し、これらを用いて界面層３３６を形成した。それにより、３０種類の媒体（媒体番号３００−１，３，３１〜５８）が得られた。記録層３３５には、Ｓｂ７０Ｓｉ３０（原子％）から成る層とした。
本実施例において、媒体は、界面層３３６の材料が異なること以外は、実施例４と同様にして作製した。界面層３３６のスパッタリング条件を以下に説明する。高周波電源を用いて、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、ターゲットを２００Ｗの出力でスパッタリングする条件は、すべての媒体において共通させた。媒体３００−１と３の界面層３３６のスパッタリング条件は、実施例４で説明したとおりである。
媒体３００−３１の界面層３３６は、（ＺｎＯ）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−３２の界面層３３６は、（ＺｎＯ）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−３３の界面層３３６は、（ＳｎＯ２）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−３４の界面層３３６は、（ＳｎＯ２）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして、（ＳｎＯ２）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０形成した。
媒体３００−３５の界面層３３６は、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−３６の界面層３３６は、［（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０］５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−３７の界面層３３６は、（Ｇａ２Ｏ３）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−３８の界面層３３６は、（Ｇａ２Ｏ３）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−３９の界面層３３６は、（ＳｉＣ）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４０の界面層３３６は、（ＳｉＣ）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４１の界面層３３６は、（ＺｎＳ）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４２の界面層３３６は、（ＺｎＳ）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−４３の界面層３３６は、（Ｓｉ３Ｎ４）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４４の界面層３３６は、（Ｓｉ３Ｎ４）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４５の界面層３３６は、（Ｎｂ２Ｏ５）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４６の界面層３３６は、（Ｎｂ２Ｏ５）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４７の界面層３３６は、（ＴｉＯ２）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−４８の界面層３３６は、（ＴｉＯ２）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−４９の界面層３３６は、（ＣｅＦ３）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５０の界面層３３６は、（ＣｅＦ３）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５１の界面層３３６は、（ＢＮ）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５２の界面層３３６は、（ＢＮ）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−５３の界面層３３６は、（ＭｇＯ）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５４の界面層３３６は、（ＭｇＯ）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５５の界面層３３６は、（Ｃｒ２Ｏ３）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５６の界面層３３６は、（Ｃｒ２Ｏ３）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。
媒体３００−５７の界面層３３６は、（ＡｌＮ）９０（Ｔａ２Ｏ５）１０ターゲットをスパッタリングして形成した。媒体３００−５８の界面層３３６は、（ＡｌＮ）５０（Ｔａ２Ｏ５）５０ターゲットをスパッタリングして形成した。いずれの媒体においても、界面層３３６の組成は、ターゲットの組成と同じであった。
他の層の材料、膜厚およびスパッタリング条件、ならびに初期化工程、中間層形成工程および透明層形成工程は、実施例４と同様である。完成した計３０枚の情報記録媒体３００を実施例１と同様に、温度８５℃で相対湿度８５％の高温高湿槽に１００時間放置した後、記録層３３５と界面層３３６の界面で剥離が発生していないかどうかを、光学顕微鏡を使って目視で調べた。その評価結果を（表５）に示す。
Figure 2009157990
（表５）に示す様に、媒体３００−１，３，３１〜５８において、剥離が発生せず、界面層３３６は良好な密着性を示した。このように、界面層３３６が、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含む界面層Ａであって、さらにＴａ２Ｏ５を含む場合にも、ＳｂとＳｉを含む記録層３３５と良好な密着性を示すことがわかった。また、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを５０ｍｏｌ％以上含むと、良好な密着性を得ることができた。
（実施例６）
実施例６においても、図３の情報記録媒体３００を製造し、界面層３３６の材料と記録層３３５との密着性の関係を調べた。この実施例では、界面層３３６の材料以外は、実施例４と同様にして、媒体を作製した。この実施例では、界面層３３６を、Ｉｎ２Ｏ３の代わりに、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮを用い、それぞれにＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｄｙ２Ｏ３およびＬａＦ３より選ばれる少なくとも一つの化合物を添加した材料で形成した。界面層３３６と記録層３３５の密着性を評価した。その結果、実施例４と同様に、これらの材料で形成した界面層３３６は、ＳｂとＳｉを含む記録層３３５と良好な密着性を示した。
（実施例７）
実施例７では、図１の情報記録媒体１００を製造し、誘電体層１１３の材料を変えて、本発明の効果を調べた。界面層１１４および１１６が、Ｉｎ２Ｏ３から成り、誘電体層１１３がそれぞれ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｒＣ、およびＤｙＦ３から成る３種類の媒体（媒体番号１００−１１〜１３）を作製した。記録層１１５は、Ｓｂ５０Ｓｉ５０（原子％）から成る層とした。
誘電体層１１３の材料を除いて、媒体の構成および製造方法は実施例１の媒体１１０−１と同様にした。誘電体層１１３のスパッタリング条件は次のとおりであった。高周波電源を用いてターゲットを２００Ｗの出力でスパッタリングする条件は、すべての媒体において共通させた。媒体１００−１１の誘電体層１１３は、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを、圧力０．４ＰａのＡｒガスとＮ２ガスの体積比が９５：５である混合ガス雰囲気中でスパッタリングして形成した。媒体１００−１２の誘電体層１１３は、ＺｒＣターゲットを圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成した。媒体１００−１３の誘電体層１１３は、ＤｙＦ３ターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成した。
完成した計３枚の情報記録媒体１００を実施例１と同様に、温度８５℃で相対湿度８５％の高温高湿槽に１００時間放置した後、記録層１１５と界面層１１４の界面及び記録層１１５と界面層１１６の界面の少なくとも一方で剥離が発生していないかどうかを、光学顕微鏡を使って目視で調べた。その評価結果を（表６）に示す。
Figure 2009157990
（表６）に示す様に、媒体１００−１１〜１３において、剥離が発生せず、界面層１１４および１１６は、良好な密着性を示した。このように、界面層１１４および１１６が界面層Ａである場合には、誘電体層１１３と１１７が、酸化物、硫化物、窒化物、炭化物及び弗化物から選ばれる少なくとも一つを含む材料を含んでいると、良好な密着性を示すことがわかった。
（実施例８）
実施例８では、図４の情報記録媒体４００を製造し、記録層４４５の材料と、記録再生特性および信頼性との関係を調べた。記録層４４５が、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｌ５（原子％）（式中、Ｌは、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素である。）から成り、Ｌがそれぞれ異なる記録層４４５を有する情報記録媒体４００を１５種類（媒体番号４００−１〜１５）作製した。また、Ｌを有しない、Ｓｂ８０Ｓｉ２０記録層を有する媒体（媒体番号４００−１６）を作製した。比較のために、記録層４４５がそれぞれ、Ｓｂ８０Ｄｙ２０、Ｓｂ８０Ｍｎ２０、Ｓｂ８０Ｆｅ２０、Ｓｂ８０Ｐｄ２０、およびＳｂ８０Ｃｏ２０から成る媒体（媒体番号８−１〜５）を作製した。
以下に、この実施例をより具体的に説明する。はじめに、情報記録媒体４００の製造方法について説明する。製造には図９に示すスパッタリング装置を用いた。実施例の媒体４００−１〜１５の媒体において、各層は、記録層４４５を除いて、同じスパッタリング条件で、同じ材料で、同じ膜厚となるように形成した。
各層の材料と膜厚を説明する。基板４０１として、実施例１の基板１０１と同様の基板を準備し、スパッタリング装置内に取り付けた。基板４０１の案内溝形成側表面に、反射層４１２として、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層４１３として、厚さ１０ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を、界面層４１４として、厚さ５ｎｍのＺｎＯ層を、記録層４１５として、厚さ１０ｎｍのＳｂ５０Ｓｉ５０（原子％）層を、界面層４１６として、厚さ５ｎｍのＺｎＯ層を、誘電体層４１７として、厚さ４８ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、第１の情報層４１０が形成された。
次に、誘電体層４１７の表面に、案内溝を有する中間層４０３を１８μｍの厚さで形成した。中間層４０３の案内溝形成側表面に、誘電体層４２１として、厚さ１１ｎｍのＴｉＯ２層を１１ｎｍ、反射層４２２として、厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層４２３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を、界面層４２４として、厚さ５ｎｍのＳｎＯ２層を、記録層４２５として、厚さ５．５ｎｍのＳｂ６０Ｓｉ４０（原子％）層を、界面層４２６として、厚さ５ｎｍのＳｎＯ２層を、誘電体層４２７として、厚さ４４ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、第２の情報層４２０が形成された。
次に、誘電体層４２７の表面に、案内溝を有する中間層４０４を２５μｍの厚さで形成した。中間層４０４の案内溝形成側表面に、誘電体層４３１として、厚さ１８ｎｍのＴｉＯ２層を、反射層４３２として、厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層４３３として、厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を、界面層４３４として、厚さ５ｎｍのＧａ２Ｏ３層を、記録層４３５として、厚さ４．５ｎｍのＳｂ７０Ｓｉ３０（原子％）層を、界面層４３６として、厚さ５ｎｍのＧａ２Ｏ３層を、誘電体層４３７として、厚さ３５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を順に形成した。それにより、第３の情報層４３０が形成された。
次に、誘電体層４３７の表面に、案内溝を有する中間層４０５を１４μｍの厚さで形成した。中間層４０５の案内溝形成側表面に、誘電体層４４１として、厚さ１４ｎｍのＴｉＯ２層を、反射層４４２として、厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｃｕ系合金層を、誘電体層４４３として、厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）層を、界面層４４４として、厚さ５ｎｍのＩｎ２Ｏ３層を形成した後、厚さ４ｎｍの記録層４４５を形成し、さらに界面層４４６として、厚さ５ｎｍのＩｎ２Ｏ３層を、誘電体層４４７として、厚さ３３ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成した。それにより、第４の情報層４４０が形成された。
各層のスパッタリング条件を説明する。用いたターゲットはすべて、円盤形状を有し、その直径は１００ｍｍ、厚さは６ｍｍであった。反射層４１２から誘電体層４１７を、実施例１の反射層１１２から誘電体層１１７と同様の条件で形成した。第１の情報層４１０を成膜した基板４０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして記録層４１５の初期化工程を実施した。次に、中間層４０３を実施例２の中間層２０３と同様の条件で形成した。
中間層４０３まで形成した基板４０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層４０３の表面に第２の情報層４２０を形成した。まず、中間層４０３上に、誘電体層４２１から誘電体層４２３を、実施例２の誘電体層２２１から誘電体層２２３と同様の条件で形成した。次に界面層４２４を実施例１の界面層１１４と同様の条件で形成した。次に記録層４２５を、実施例２の記録層２２５と同様の条件で形成した。次に界面層４２６と誘電体層４２７を、実施例１の界面層１１６と誘電体層１１７と同様の条件で形成した。第２の情報層４２０まで成膜した基板４０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして記録層４２５の初期化工程を実施した。次に、中間層４０４を実施例３の中間層２０３と同様の条件で形成した。
中間層４０４まで形成した基板４０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層４０４の表面に第３の情報層４３０を形成した。まず、中間層４０４上に、誘電体層４３１から誘電体層４３３を、実施例２の誘電体層２２１から誘電体層２２３と同様の条件で形成した。次に界面層４３４を、実施例１の界面層１１４と同様の条件で形成した。次に記録層４３５を、実施例４の記録層３３５と同様の条件で形成した。次に界面層４３６と誘電体層４３７を、実施例１の界面層１１６と誘電体層１１７と同様の条件で形成した。第３の情報層４３０まで成膜した基板４０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして記録層４３５の初期化工程を実施した。次に、中間層４０５を実施例３の中間層２０３と同様の条件で形成した。
中間層４０５まで形成した基板４０１を再びスパッタリング装置に配置して、中間層４０５の表面に第４の情報層４４０を形成した。まず、中間層４０５上に、誘電体層４４１から誘電体層４４３を実施例２の誘電体層２２１から誘電体層２２３と同様の条件で形成した。次に界面層４４４を実施例１の界面層１１４と同様の条件で形成した。
次に、記録層４４５のスパッタリング条件を媒体番号ごとに説明する。直流電源を用いて５０Ｗの出力で、圧力０．１３Ｐａの雰囲気中でスパッタリングする条件は、すべての媒体において共通させた。
媒体４００−１の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｂ５ターゲットをＡｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｂ５の組成を有していた。媒体４００−２の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｃ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｃ５の組成を有していた。媒体４００−３の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ２３ターゲットを、ＡｒガスとＮ２ガスの体積比が９５：５である混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｎ５の組成を有していた。媒体４００−４の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ２３ターゲットを、ＡｒガスとＯ２ガスの体積比が９５：５である混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｏ５の組成を有していた。媒体４００−５の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｍｇ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｍｇ５の組成を有していた。
媒体４００−６の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ａｌ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ａｌ５の組成を有していた。媒体４００−７の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｓ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｓ５の組成を有していた。媒体４００−８の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｇａ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｇａ５の組成を有していた。媒体４００−９の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｇｅ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｇｅ５の組成を有していた。媒体４００−１０の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ａｇ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ａｇ５の組成を有していた。
媒体４００−１１の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｉｎ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｉｎ５の組成を有していた。媒体４００−１２の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｓｎ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｓｎ５の組成を有していた。媒体４００−１３の記録層は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｔｅ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｔｅ５の組成を有していた。媒体４００−１４の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ａｕ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ａｕ５の組成を有していた。媒体４００−１５の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ１８Ｂｉ５ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１５Ｂｉ５の組成を有していた。媒体４００−１６の記録層４４５は、Ｓｂ７７Ｓｉ２３ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ２０の組成を有していた。
媒体８−１の記録層４４５は、Ｓｂ−Ｄｙターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｄｙ２０の組成を有していた。媒体８−２の記録層４４５は、Ｓｂ−Ｍｎターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｍｎ２０の組成を有していた。媒体８−３の記録層４４５は、Ｓｂ−Ｆｅターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｆｅ２０の組成を有していた。媒体８−４の記録層４４５は、Ｓｂ−Ｐｄターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｐｄ２０の組成を有していた。媒体８−５の記録層４４５は、Ｓｂ−Ｃｏターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｃｏ２０の組成を有していた。
次に、界面層４４６と誘電体層４４７を、実施例１の界面層１１６と誘電体層１１７と同様の条件で形成した。第４の情報層４４０まで成膜した基板４０１をスパッタリング装置から取り出した。その後、実施例１と同様にして、記録層４４５の初期化工程を実施した。それから、誘電体層４４７の表面に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法で４３μｍの厚さとなるように塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、透明層４０２を形成した。これにより透明層形成工程が終了し、媒体番号４００−１〜１５の情報記録媒体４００の作製が完了した。
作製した媒体番号４００−１〜１５において、第１の情報層４１０、第２の情報層４２０、第３の情報層４３０および第４の情報層４４０はすべて、鏡面部にて、実効反射率Ｒｃ約１．３％、Ｒａ約０．３％であった。第１の情報層４１０の反射率は、第２の情報層４２０、第３の情報層４３０および第４の情報層４４０を通ったレーザ光１０で測定した。同様に、第２の情報層４２０の反射率は、第３の情報層４３０および第４の情報層４４０を通ったレーザ光１０で測定した。同様に、第３の情報層４３０の反射率は、第４の情報層４４０を通ったレーザ光１０で測定した。第２の情報層４２０の光透過率は、Ｔｃ約５７％、Ｔａ約５３％であった。第３の情報層４３０の光透過率は、Ｔｃ約６７％、Ｔａ約６３％であった。第４の情報層４４０の光透過率は、Ｔｃ約７１％、Ｔａ約６６％であった。透過率の測定は実施例２と同様にして行った。
次に、情報記録媒体４００の記録再生評価方法について説明する。図１０に示すように情報記録媒体５０を回転させるスピンドルモータ５１と、レーザ光１０を発する半導体レーザ５３を備えた光学ヘッド５４と、レーザ光１０を情報記録媒体５０の記録層上に集光させる対物レンズ５５とを具備した一般的な構成の記録再生装置を用いた。本実施例では、情報記録媒体５０として情報記録媒体４００を用い、第４の情報層４４０の記録層４４５に情報を記録した。
情報記録媒体４００の評価においては、波長４０５ｎｍの半導体レーザ５３と開口数０．８５の対物レンズ５５を使用し、２５ＧＢ容量相当の記録を行った。用いた記録再生装置のレーザ光１０のレーザパワー上限は、媒体の盤面で３０ｍＷである。
記録は、２倍速（９．８４ｍ／秒、７２メガビット毎秒（Ｍｂｐｓ））と４倍速（１９．６８ｍ／秒、１４４Ｍｂｐｓ）で、半径５０ｍｍの位置で実施した。記録した信号の再生評価は、１倍速で１．２ｍＷのレーザ光を照射して実施した。なお、再生評価条件は、１倍速より大きな線速度で実施してもよく、再生パワーも１．２ｍＷ以外のパワーであってよい。
記録再生評価は、信号振幅対ノイズ比（ＣＮＲ）と消去率の測定に基づいて実施した。ＣＮＲの測定方法は次の通りである。レーザ光１０を、高パワーレベルの記録パワー（ｍＷ）と低パワーレベルの消去パワー（ｍＷ）との間でパワー変調しながら、情報記録媒体１００に向けて照射して、２Ｔ（マーク長０．１４９μｍ）の単一信号と９Ｔ（マーク長０．６７１μｍ）の単一信号を、交互に計１１回、グルーブ面に記録した。記録に用いるパルスの波形は、マルチパルスであった。１１回目の２Ｔ信号が記録された状態で、スペクトラムアナライザーで振幅（Ｃ）（ｄＢｍ）とノイズ（Ｎ）（ｄＢｍ）を測定し、その差からＣＮＲ（ｄＢ）を測定した。
消去率の測定方法は次のとおりである。上記の１１回目の２Ｔ信号の振幅を測定し、１２回目に９Ｔ信号を記録して、２Ｔ信号がどれだけ減衰したかスペクトラムアナライザーで測定した。この減衰量を消去率（ｄＢ）と定義した。
ＣＮＲ測定の際の記録パワーを決めるために、記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を以下の手順で設定した。消去パワーを一定の適切な値に固定し、２Ｔ振幅の記録パワー依存性を測定した。これにより、所定のＰｗ１を設定した。記録パワーをＰｗ１に固定し、ＣＮＲと消去率の消去パワー依存性を測定した。これにより、所定の低パワー側Ｐｅ０と高パワー側Ｐｅ１の平均値をＰｅとした。消去パワーをＰｅに固定し、再び２Ｔ振幅の記録パワー依存性を測定した。これにより、所定のＰｗを設定した。この手順で、２倍速および４倍速のＰｗとＰｅをそれぞれ決めた。
情報記録媒体４００−１〜１５について、上記手順で求めたＰｗとＰｅを用いて、ＣＮＲと消去率を、２倍速と４倍速の条件で測定した（（１）２ＴＣＮＲ、（２）２Ｔ消去率）。
次に信頼性評価方法について説明する。信頼性評価は、記録した信号が高温高湿条件下に置かれても保存されるかどうかを調べるために実施する。評価には、上記の記録再生装置を用いた。まず、情報記録媒体４００−１〜１５に、上記のＰｗおよびＰｅのパワーで２Ｔ信号と９Ｔ信号を交互に計１１回、同一トラックのグルーブ面に記録した。これを、２倍速と４倍速の条件で、複数トラックで実施し、２ＴＣＮＲを測定した。
続いて、温度８５℃、相対湿度８５％の高温高湿槽にこれらの媒体を１００時間放置した後、取り出した。取り出した後、記録しておいた２Ｔ信号を１倍速で再生してＣＮＲを測定した（記録保存性）。恒温槽に放置する前のＣＮＲ（Ｂ）と放置した後のＣＮＲ（Ａ）との差（即ち、ＣＮＲ（Ａ）−ＣＮＲ（Ｂ））から記録保存性を評価した（（３）ＣＮＲ変化）。放置後のＣＮＲが低下していると信頼性は芳しくない。記録保存性は低倍速で劣化しやすい。
２倍速および４倍速における（１）２ＴＣＮＲ、（２）２Ｔ消去率、（３）ＣＮＲ変化の評価結果を（表７）に示す。表中、（１）２ＴＣＮＲは、４５ｄＢ以上を◎、４０ｄＢ以上４５ｄＢ未満を○、３５ｄＢ以上４０ｄＢ未満を△、３５ｄＢ未満は×、（２）２Ｔ消去率は、２５ｄＢ以上であれば◎、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満であれば○、１５ｄＢ以上２０ｄＢ未満であれば△、１５ｄＢ未満であれば×、（３）ＣＮＲ変化は、１ｄＢ未満を◎、１ｄＢ以上３ｄＢ未満を○、３ｄＢ以上５ｄＢ未満を△、５ｄＢ以上を×とした。◎と○と△評価は使用可能であることを示す。◎評価がもっとも好ましく、○評価は△評価よりも好ましい。×評価は、その記録条件での使用が困難であることを示す。
また、総合評価は、全ての評価項目で◎が得られれば、◎と評価し、全ての評価項目で◎または○が得られれば、○と評価し、１つ以上の評価項目で△があれば△と評価し、１つ以上の評価項目で×があれば、×と評価した。◎評価が最も好ましく、○評価がより好ましく、△評価が好ましい。×評価は使用困難であることを示す。
Figure 2009157990
（表７）に示す様に、媒体４００−１〜１６は、すべての項目で◎、○または△評価が得られ、７２Ｍｂｐｓ以上の速度で使用可能であった。特に、Ｌとして、Ｂ，Ｃ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，またはＡｕを添加した材料を用いた媒体は、優れた特性を示した。また、ＳｎまたはＢｉを添加した材料を用いた媒体は、結晶化速度が大きいので、１８０Ｍｂｐｓでも使える可能性を有している。また、Ｎ，Ｏ，Ｓ，またはＴｅを添加した材料を用いた媒体は、○または△評価が含むものの、透明性が高いので、図５に示すような、より多層な情報記録媒体のレーザ入射側の記録層に用いることも可能である。これに対し比較のために作製した媒体８−１〜５は、２Ｔ消去率およびＣＮＲ変化において劣っており、使用が困難であった。媒体４００−１〜１６について、２倍速のＰｗとＰｅはそれぞれ、１０ｍＷと約４ｍＷであり、４倍速のＰｗとＰｅはそれぞれ、約１２ｍＷと約４ｍＷであった。
このように、４つの情報層を有する情報記録媒体４００の、レーザ入射側に設けられた第４の情報層４４０の記録層４４５が、Ｓｂ１００−ｘＳｉｘで表され、ｘ≦５０を満たす材料で形成されると、記録層４４５の膜厚が非常に薄くても（４ｎｍ）、７２Ｍｂｐｓ以上、さらには１４４Ｍｂｐｓでの記録消去が可能になった。さらに、記録層４４５が、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含んでいても、７２Ｍｂｐｓ以上での記録消去が可能であった。
また、ＳｂとＳｉとを含む記録層４４５と、Ｉｎ２Ｏ３から成る界面層４４４と４４６とを組み合わせて用いると、温度８５℃、相対湿度８５％で１００時間放置しても、記録層−界面層の間で剥離が生じず、ＣＮＲ変化も小さく、良好な信頼性が得られた。
（実施例９）
実施例９では、実施例８と同様に、図４の情報記録媒体４００を製造し、記録層４１５、４２５、４３５、４４５の材料と、記録再生特性および信頼性との関係を調べた。本実施例では、第１の情報層４１０の記録層４１５、第２の情報層４２０の記録層４２５、第３の情報層４３０の記録層４３５および第４の情報層４４０の記録層４４５に、情報を記録した。記録層４１５として、厚さ１５ｎｍのＳｂ５０Ｓｉ３０Ｍｇ２０（原子％）層を、記録層４２５として、厚さ５．５ｎｍのＳｂ６０Ｓｉ２４Ａｌ１６（原子％）層を、記録層４３５として、厚さ４．５ｎｍのＳｂ７０Ｓｉ１８Ｇａ１２（原子％）層を、記録層４４５として厚さ４ｎｍのＳｂ８０Ｓｉ１２Ａｕ８（原子％）層を、いずれも実施例８と同様の条件で形成した。
記録層４１５の成膜に使用したターゲットの組成は、Ｓｂ４６Ｓｉ３５Ｍｇ１９であった。記録層４２５の成膜に使用したターゲットの組成は、Ｓｂ５６Ｓｉ２８Ａｌ１６であった。記録層４３５の成膜に使用したターゲットの組成は、Ｓｂ６７Ｓｉ２１Ｇａ１２であった。記録層４４５の成膜に組成したターゲットの組成は、Ｓｂ７７Ｓｉ１５Ａｕ８であった。
他の層の膜厚、材料およびスパッタリング条件、ならびに記録層の初期化工程、中間層形成工程、および透明層形成工程は、実施例８のそれらと同様である。この情報記録媒体４００の媒体番号は、４００−２１とした。媒体４００−２１について、実施例８と同様の方法で、記録再生評価および信頼性評価を実施した。その結果を（表８）に示す。◎、○、△、×の定義は実施例８で説明したとおりである。
Figure 2009157990
（表８）に示すように、媒体４００−２１の第１情報層４１０，第２情報層４２０、第３情報層４３０および第４情報層４４０について、すべての項目で、◎評価が得られた。したがって、この媒体は、７２Ｍｂｐｓ以上の速度で使用可能であった。第１情報層４１０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、２５ｍＷおよび１０ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、２９ｍＷおよび１２ｍＷであった。第２情報層４２０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、２５ｍＷおよび８ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、２９ｍＷおよび９ｍＷであった。第３情報層４３０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１７ｍＷおよび５ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、２０ｍＷおよび６ｍＷであった。第４情報層４４０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１０ｍＷおよび３ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１２ｍＷおよび４ｍＷであった。
このように、４つの情報層を有する情報記録媒体４００の、記録層４１５，４２５，４３５および４４５が、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（ＬはＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）で表され、ｘおよびｙがｘ＋ｙ≦５０を満たす材料を含むと、４つの情報層で、７２Ｍｂｐｓ以上、さらには１４４Ｍｂｐｓでの記録消去が可能になった。また、これらの記録層４１５，４２５，４３５および４４５に隣接する界面層４１４と４１６、４２４と４２６、４３４と４３６、４４４と４４６を界面層Ａであると、温度８５℃、相対湿度８５％で１００時間放置しても、記録層−界面層で剥離が生じず、ＣＮＲ変化も小さく、良好な信頼性が得られた。
（実施例１０）
実施例１０では、実施例４の媒体３００−６の、記録再生特性並びに信頼性を調べた。本実施例では、第１の情報層３１０の記録層３１５、第２の情報層３２０の記録層３２５および第３の情報層３３０の記録層３３５に、情報を記録した。実施例８と同様に、２倍速（７２Ｍｂｐｓ）と４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）で情報を記録消去し、記録した信号の再生評価は、１倍速で０．９ｍＷのレーザ光を照射して実施した。その結果を（表９）に示す。◎、○、△、×の定義は実施例８で説明したとおりである。
Figure 2009157990
（表９）に示すように、媒体３００−６は、第１情報層３１０，第２情報層３２０および第３情報層３３０について、すべての項目で◎評価が得られた。したがって、この媒体は、７２Ｍｂｐｓ以上、さらには１４４Ｍｂｐｓの速度で使用可能であった。第１情報層３１０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１６ｍＷおよび６ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１９ｍＷおよび８ｍＷであった。第２情報層３２０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１７ｍＷおよび５ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、２０ｍＷおよび６ｍＷであった。第３情報層３３０の２倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１１ｍＷおよび４ｍＷであり、４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１３ｍＷおよび４ｍＷであった。
このように、３つの情報層を有する情報記録媒体３００の、記録層３１５，３２５，３３５が、Ｓｂ１００−ｘＳｉｘで表され、ｘ≦５０を満たす材料を含むと、３つの情報層で、７２Ｍｂｐｓ以上、さらには１４４Ｍｂｐｓでの記録消去が可能になった。また、これらの記録層３１５，３２５，３３５に隣接する界面層３１４と３１６、３２４と３２６、３３４と３３６が界面層Ａであると、温度８５℃、相対湿度８５％で１００時間放置しても、記録層−界面層で剥離が生じず、ＣＮＲ変化も小さく、良好な信頼性が得られた。
（実施例１１）
実施例１１では、実施例２と同様に、図２の情報記録媒体２００を製造し、記録再生特性並びに信頼性を調べた。本実施例では、第１の情報層２１０の記録層２１５および第２の情報層２２０の記録層２２５に、情報を記録した。記録層２１５は、Ｓｂ８０Ｓｉ１０Ｓｎ１０（原子％）層とし、記録層２２５は、Ｓｂ９０Ｓｉ５Ｂｉ５（原子％）層とし、界面層２２６はＳｉＣ層とした。この媒体の媒体番号は、２００−３１とした。
記録層２１５は、直流電源を用いて１００Ｗの出力で、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｂ７７Ｓｉ１２Ｓｎ１１ターゲットをスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１０Ｓｎ１０の組成を有していた。記録層２２５は、直流電源を用いて５０Ｗの出力で、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｂ８９Ｓｉ６Ｂｉ５ターゲットをスパッタリングして形成し、Ｓｂ９０Ｓｉ５Ｂｉ５の組成を有していた。他の層の材料、膜厚およびスパッタリング条件、ならびに記録層の初期化工程、中間層形成工程、および透明層形成工程は、実施例２のそれらと同様である。
本実施例では、２５ＧＢ容量相当の記録を行った。記録は、４倍速（１９．６８ｍ／秒、１４４Ｍｂｐｓ）と６倍速（２９．５２ｍ／秒、２１６Ｍｂｐｓ）で、半径５０ｍｍの位置で実施した。記録した信号の再生評価は、１倍速で０．６ｍＷのレーザ光を照射して実施した。なお、再生評価条件は、１倍速より大きな線速度で実施してもよく、再生パワーも０．６ｍＷ以外のパワーであってよい。その結果を（表１０）に示す。◎、○、△、×の定義は、実施例８で説明したとおりである。
Figure 2009157990
（表１０）に示すように、媒体２００−３１の第１情報層２１０および第２情報層２２０について、すべての項目で◎評価が得られた。したがって、この媒体は、１４４Ｍｂｐｓ以上、さらには２１６Ｍｂｐｓの速度で使用可能であった。第１情報層２１０の４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１３ｍＷおよび５ｍＷであり、６倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１５ｍＷおよび６ｍＷであった。第２情報層３２０の４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１１ｍＷおよび４ｍＷであり、６倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、１３ｍＷおよび４ｍＷであった。
このように、２つの情報層を有する情報記録媒体２００の、記録層２１５および２２５が、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（ＬはＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）で表され、ｘ＋ｙ≦５０且つｙ≦ｘを満たす材料を含むと、２つの情報層で、１４４Ｍｂｐｓ以上、さらには２１６Ｍｂｐｓでの記録消去が可能になった。また、これらの記録層２１５および２２５に隣接する界面層２１４と２１６、２２４と２２６が界面層Ａであると、温度８５℃、相対湿度８５％で１００時間放置しても、記録層−界面層で剥離が生じず、ＣＮＲ変化も小さく、良好な信頼性が得られた。
（実施例１２）
実施例１２では、実施例１と同様に、図１の情報記録媒体１００を製造し、記録再生特性および信頼性を調べた。本実施例では、第１の情報層１１０の記録層１１５に、情報を記録した。界面層１１４として、厚さ５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を、記録層１１５として、厚さ１５ｎｍのＳｂ８０Ｓｉ１０Ｇｅ１０（原子％）層を、界面層１１６として、厚さ５０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）層を形成し、誘電体層１１７は設けなかった。他の層の組成および膜厚は、実施例１の媒体のそれらと同じであった。これにより、情報層１１０が形成された。この媒体の媒体番号は、１００−２１とした。
記録層１１５は、直流電源を用いて１００Ｗの出力で、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｂ７７Ｓｉ１２Ｇｅ１１ターゲットをスパッタリングして形成し、Ｓｂ８０Ｓｉ１０Ｇｅ１０の組成を有していた。その他の層の材料、膜厚およびスパッタリング条件、ならびに初期化工程および透明層形成工程は、実施例１のそれらと同様である。
本実施例では、実施例１１同様、２５ＧＢ容量相当の記録を行った。記録は、４倍速と６倍速の条件で、半径５０ｍｍの位置で実施した。記録した信号の再生評価は、１倍速で０．３ｍＷのレーザ光を照射して実施した。なお、再生評価条件は、１倍速より大きな線速度で実施してもよく、再生パワーも０．３ｍＷ以外のパワーであってよい。その結果を（表１１）に示す。◎、○、△、×の定義は実施例８で説明したとおりである。
Figure 2009157990
（表１１）に示すように、媒体１００−２１は、すべての項目で◎評価が得られ、１４４Ｍｂｐｓ以上、さらには２１６Ｍｂｐｓで使用可能であった。第１情報層１１０の４倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、７ｍＷおよび３ｍＷであり、６倍速のＰｗおよびＰｅはそれぞれ、８ｍＷおよび３ｍＷであった。
このように、１つの情報層を有する情報記録媒体１００の、記録層１１５が、Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ（ＬはＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）で表され、ｘおよびｙがｘ＋ｙ≦５０且つｙ≦ｘを満たす材料を含むと、１つの情報層で、１４４Ｍｂｐｓ以上、さらには２１６Ｍｂｐｓでの記録消去が可能になった。また、記録層１１５に隣接する界面層１１４と１１６が界面層Ａであると、温度８５℃、相対湿度８５％で１００時間放置しても、記録層−界面層で剥離が生じず、ＣＮＲ変化も小さく、良好な信頼性が得られた。
（実施例１３）
実施例１３では、電気的エネルギーを印加することによって、情報を記録するメモリを作製し、評価した。図６に、電気的手段によって情報を記録する情報記録媒体と、それに情報を記録するシステムを示す。本実施例では、図６に示す情報記録媒体６００の記録部６０３をＳｂおよびＳｉを含む層とした。
本実施例の情報記録媒体６００は次のようにして作製した。まず、表面を窒化処理したＳｉ基板６０１を準備した。この基板６０１の上に、Ａｕの下部電極６０２を、６μｍ×６μｍの正方形の領域に、厚さ１００ｎｍとなるように形成した。下部電極６０２の上に、Ｓｂ７０Ｓｉ３０記録部６０３を、３μｍ×３μｍの正方形の領域に、厚さ５０ｎｍとなるように形成した。記録部６０３の外側に、１μｍ幅のＩｎ２Ｏ３界面部６１２を、厚さ５０ｎｍとなるように形成した。Ａｕの上部電極６０４を、５μｍ×５μｍの領域に、厚さ１００ｎｍとなるように形成した。
下部電極６０２、記録部６０３、界面部６１２及び上部電極６０４は、いずれも直径１００ｍｍで厚さ６ｍｍの円盤形状のターゲットを、圧力０．１３ＰａのＡｒガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成した。下部電極６０２は、基板６０１を成膜装置に取り付け、直流電源を用いて、Ａｕターゲットを出力２００Ｗでスパッタリングして形成した。続いて、下部電極６０２の外周部をマスクで覆い、記録部６０３を、下部電極６０２上の３μｍ×３μｍの正方形の領域に形成した。記録部６０３は、Ｓｂ６６Ｓｉ３４ターゲットを、直流電源を用いて出力１００Ｗでスパッタリングして形成した。
続いて、記録部６０３の表面および下部電極６０２の表面の一部をマスクで覆い、記録部６０３の周りに、１μｍ幅の界面部６１２を形成した。界面部６１２は、Ｉｎ２Ｏ３ターゲットを、高周波電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングすることにより形成した。続いて、記録部６０３および界面部６１２の上に、上部電極６０４を、Ａｕターゲットを、直流電源を用いて２００Ｗの出力でスパッタリングして形成した。上部電極６０４は上から見たときに、５μｍ×５μｍの正方形の形状を有していた。
続いて、下部電極６０２及び上部電極６０４に、Ａｕリード線をボンディングし、Ａｕリード線を印加部６０９に接続して、電気的情報記録再生装置６１０を、情報記録媒体６００に接続した。この電気的情報記録再生装置６１０において、下部電極６０２と上部電極６０４の各々に接続されている印加部６０９の間には、パルス電源６０５が、スイッチ６０８を介して接続されていた。さらに、記録部６０３の相変化による抵抗値の変化は、下部電極６０２と上部電極６０４の間に、スイッチ６０７を介して接続された抵抗測定器６０６によって検出した。
記録部６０３が非晶質相のとき、下部電極６０２と上部電極６０４の間に、４ｍＡ、５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、記録部６０３が非晶質相から結晶相に転移した。また、記録部６０３が結晶相のとき、下部電極６０２と上部電極６０４の間に、９ｍＡ、１０ｎｓの電流パルスを印加したところ、記録部６０３が結晶相から非晶質相に転移した。すなわち、可逆的相変化が確認された。これにより、界面部６１２が断熱部として良好に機能して、記録部６０３に流れた電流が周辺部に逃げることを防止して、記録部６０３の温度を効率的に上昇させることが確認された。
この結果から、記録部６０３がＳｂ７０Ｓｉ３０から成り、界面部６１２がＩｎ２Ｏ３から成るメモリに、電気的エネルギーを付与することによって、相変化を生じさせ得ることがわかった。記録部６０３が、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｂ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｃ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｎ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｏ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｍｇ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ａｌ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｓ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｇａ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｇｅ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ａｇ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｉｎ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｓｎ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ｔｅ１０、Ｓｂ７０Ｓｉ２０Ａｕ１０およびＳｂ７０Ｓｉ２０Ｂｉ１０のいずれかから成り、界面部６１２が、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含む材料から成る場合にも、電流パルスの印加により非晶質相から結晶相、および結晶相から非晶質相の高速転移が生じた。また、記録部６０３と界面部６１２との間で、良好な密着性が得られた。よって、情報記録媒体６００は、情報を高速記録消去するために用いられ得ることが、確認できた。
以上のようにして製造した情報記録媒体６００に、電気的エネルギーを印加することによって記録部６０３にて可逆的相変化が起こることを、図６に示すシステムにより確認した。この情報記録媒体６００を複数個つないで使用することにより、メモリ容量を増やすこと、アクセス機能及びスイッチング機能を向上させることが可能となる。
以上、種々の実施例により説明したように、光学的手段で記録する情報記録媒体及び電気的手段で記録する情報記録媒体のいずれにも、ＳｂおよびＳｉを含む記録層と、特定の元素の組み合わせを含む界面層との組み合わせを用いることができる。実施例において、情報記録媒体としてＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃを製造した。本発明は、ＨＤ ＤＶＤにも適用することが可能である。本発明の情報記録媒体によれば、これまで実現されなかった４倍速以上の高データ転送レートおよび１００ＧＢ以上の大容量な記録条件でも、良好な記録特性、消去特性、および記録マーク保存性を満足する情報記録媒体が得られる。
本発明の情報記録媒体は、書換形Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ、書換え型多層Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ、書換え型ＨＤ ＤＶＤ、および書換え型多層ＨＤ ＤＶＤ等の大容量の光学的情報記録媒体として有用である。さらに、本発明の情報記録媒体は、電気的な高速スイッチング素子のような電気的情報記録媒体としても有用である。
本発明の情報記録媒体の一例を示す部分断面図 本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図 本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図 本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図 本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図 本発明の情報記録媒体、及び電気的情報記録再生装置の構成の一部を模式的に示す図 本発明の電気的情報記録媒体の構成の一部を模式的に示す図 本発明の電気的情報記録媒体とその記録再生システムの構成の一部を模式的に示す図 本発明の情報記録媒体の製造方法で使用するスパッタリング装置の一例を示す模式図 本発明の記録方法で使用する記録再生装置の一例を示す模式図 本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図 本発明の情報記録媒体のさらに別の例を示す部分断面図
符号の説明
１０ レーザ光
５０，１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９００ 情報記録媒体
２５，１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，８０１，８０２，９０１，９０２ 基板
１１０，２１０，２２０，３１０，３２０，３３０，４１０，４２０，４３０，４４０，５１０，５２０，５３０，５Ｎ０，８１０，９１０，９２０ 情報層
１１２，２１２，２２２，３１２，３２２，３３２，４１２，４２２，４３２，４４２，８１２，９１２，９２２ 反射層
１１３，１１７，２１３，２１７，２２１，２２３，２２７，３１３，３１７，３２１，３２３，３２７，３３１，３３３，３３７，４１３，４１７，４２１，４２３，４２７，４３１，４３３，４３７，４４１，４４３，４４７，８１３，８１７，９１３，９１７，９２１，９２３，９２７ 誘電体層
１１４，１１６，２１４，２１６，２２４，２２６，３１４，３１６，３２４，３２６，３３４，３３６，４１４，４１６，４２４，４２６，４３４，４３６，４４４，４４６，８１４，８１６，９１４，９１６，９２４，９２６ 界面層
１１５，２１５，２２５，３１５，３２５，３３５，４１５，４２５，４３５，４４５，８１５，９１５，９２５ 記録層
２０３，３０３，３０４，４０３，４０４，４０５，５０３，５０４，５０５ 中間層
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２ 透明層
８０６，９０６ 接着層
６０２ 下部電極
６０４ 上部電極
６０３ 記録部
６１２ 界面部
６０５，７１３ パルス電源
６０６，７１４ 抵抗測定器
６０７，６０８ スイッチ
６０９ 印加部
６１０ 電気的情報記録再生装置
７０１ ワード線
７０２ ビット線
７０３ メモリセル
７１１ 外部回路
７１２ 記憶装置
７１５ アドレス指定回路
２０ スパッタリング（成膜）装置
２１ スパッタ室
２２ 排気口
２３ 真空ポンプ
２４ スパッタガス導入口
２６ 基板ホルダー（陽極）
２７ ターゲット（陰極）
２８ ターゲット電極
２９ 電源
３０ 循環水
５１ スピンドルモータ
５３ 半導体レーザ
５４ 光学ヘッド
５５ 対物レンズ

Claims (26)

  1. 光の照射によって情報を記録し得る情報記録媒体であって、光の照射によって相変化を生じ得る記録層と、厚さ方向において、前記記録層と隣接する二つの界面層とを含み、前記記録層が、ＳｂとＳｉとを含み、前記界面層のうち少なくとも一つが、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａであることを特徴とする情報記録媒体。
  2. 前記界面層Ａが、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｅＦ３、ＢＮ、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３およびＡｌＮより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 前記記録層および前記界面層Ａが、レーザ光入射側から、前記界面層Ａ／前記記録層の順に配置されている請求項１または２に記載の情報記録媒体。
  4. 前記記録層および前記界面層Ａが、レーザ光入射側から、前記記録層／前記界面層Ａの順に配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  5. 前記界面層Ａが、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４およびＭｇＯより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  6. 前記界面層Ａが、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組み合わせ、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＣより選ばれる少なくとも一つの化合物または組み合わせを含む、請求項２または４に記載の情報記録媒体。
  7. 前記界面層Ａが、さらにＴａ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｄｙ−ＯおよびＬａ−Ｆより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  8. 厚さ方向において、前記界面層Ａと隣接する誘電体層をさらに含み、前記誘電体層が酸化物、硫化物、窒化物、炭化物及び弗化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  9. 前記記録層が、式（１）：
    Ｓｂ１００−ｘＳｉｘ （１）
    （式中、ｘは、原子％で表される組成比を示し、ｘ≦５０を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  10. 前記記録層が、さらにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  11. 前記記録層が、式（２）：
    Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ （２）
    （式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項１０に記載の情報記録媒体。
  12. 前記ｘ及び前記ｙが、ｙ≦ｘを満たす請求項１１に記載の情報記録媒体。
  13. 前記記録層の膜厚が１５ｎｍ以下である請求項１に記載の情報記録媒体。
  14. 前記記録層の膜厚が６ｎｍ以下である請求項１に記載の情報記録媒体。
  15. Ｎ個の情報層を含み、Ｎは２以上の整数であって、前記情報層のうち少なくとも一つの情報層が前記記録層と前記界面層Ａとを含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  16. 前記Ｎが、３または４である請求項１５に記載の情報記録媒体。
  17. レーザ光入射側に位置する情報層を第Ｎ情報層とし、レーザ光入射側から最も遠い情報層を第１情報層としたとき、第１情報層を除く情報層のうち少なくとも一つの情報層が、前記記録層と前記界面層Ａとを含む請求項１５または１６に記載の情報記録媒体。
  18. ＳｂとＳｉとを含む記録層を気相法により成膜することと、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａを気相法により成膜することとを少なくとも含む、情報記録媒体の製造方法。
  19. 前記記録層が、さらにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌを含む請求項１８に記載の情報記録媒体の製造方法。
  20. 前記記録層を、希ガス、またはＮ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガスと希ガスとの混合ガスを含む雰囲気中で成膜し、前記界面層Ａを、希ガス、またはＮ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガスと希ガスとの混合ガスを含む雰囲気中で成膜する、請求項１８に記載の情報記録媒体の製造方法。
  21. Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ａｕ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素Ｌと、ＳｂおよびＳｉとを含む記録層を成膜するためのスパッタリングターゲットであって、少なくともＳｂとＳｉとを含むスパッタリングターゲット。
  22. 前記元素Ｌを含む請求項２１に記載のスパッタリングターゲット。
  23. 前記記録層が、式（２）：
    Ｓｂ１００−ｘ−ｙＳｉｘＬｙ （２）
    （式中、ｘおよびｙは、原子％で表される組成比を示し、ｘ＋ｙ≦５０を満たす。）
    で表される、請求項２２に記載のターゲット。
  24. 光の照射によって情報を記録し得る情報記録媒体に情報を記録する方法であって、１以上の情報層を含み、前記情報層のうち少なくとも一つの情報層が、相変化を生じ得る記録層と、厚さ方向において、前記記録層と隣接する二つの界面層とを含み、前記記録層がＳｂとＳｉとを含み、前記界面層のうち少なくとも一つがＩｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである情報記録媒体に、波長が３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲内にあるレーザ光を発生させる半導体レーザと、開口数が０．８〜０．９の範囲内にある対物レンズとを使用して、１４４メガビット毎秒以上のデータ転送レートで情報を記録することを特徴とする情報記録媒体の記録方法。
  25. 光の照射によって情報を記録し得る情報記録媒体に情報を記録する方法であって、３以上の情報層を含み、前記情報層のうち少なくとも一つの情報層が、相変化を生じ得る記録層と、厚さ方向において、前記記録層と隣接する二つの界面層とを含み、前記記録層がＳｂとＳｉとを含み、前記界面層のうち少なくとも一つがＩｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである情報記録媒体に、波長が３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲内にあるレーザ光を発生させる半導体レーザと、開口数が０．８〜０．９の範囲内にある対物レンズとを使用して、７２メガビット毎秒以上のデータ転送レートで情報を記録することを特徴とする情報記録媒体の記録方法。
  26. 電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体であって、相変化を生じ得る記録部と、前記記録部の側面の少なくとも一部と接する界面部とを含み、前記記録部がＳｂとＳｉとを含み、前記界面部がＩｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含むことを特徴とする情報記録媒体。
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