JP2003346382A - 光学的情報記録媒体とその製造方法 - Google Patents
光学的情報記録媒体とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性が高く、且つ記録した情報の長期保存
が可能な光学的情報記録媒体とその製造方法とを提供す
る。 【解決手段】 光学的情報記録媒体１には、Ｚｒおよび
Ｈｆから選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃ
ｒ、およびＯを含む入射側誘電体膜（15）と、レーザ光
の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録膜（1
6）と、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方
の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含む反入射側誘電体
膜（17）と、をレーザ光入射側からこの順に含む情報層
（12）が設けられており、入射側誘電体膜（15）のＣｒ
原子濃度が６ａｔ％以上、反入射側誘電体膜（17）のＣ
ｒ原子濃度が９ａｔ％以上であって、且つ、反入射側誘
電体膜（17）のＣｒ原子濃度が入射側誘電体膜（15）の
Ｃｒ原子濃度よりも大きい。
が可能な光学的情報記録媒体とその製造方法とを提供す
る。 【解決手段】 光学的情報記録媒体１には、Ｚｒおよび
Ｈｆから選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃ
ｒ、およびＯを含む入射側誘電体膜（15）と、レーザ光
の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録膜（1
6）と、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方
の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含む反入射側誘電体
膜（17）と、をレーザ光入射側からこの順に含む情報層
（12）が設けられており、入射側誘電体膜（15）のＣｒ
原子濃度が６ａｔ％以上、反入射側誘電体膜（17）のＣ
ｒ原子濃度が９ａｔ％以上であって、且つ、反入射側誘
電体膜（17）のＣｒ原子濃度が入射側誘電体膜（15）の
Ｃｒ原子濃度よりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射等
により情報の記録、消去、書き換え、再生が可能な光学
的情報記録媒体およびその製造方法に関するものであ
る。
により情報の記録、消去、書き換え、再生が可能な光学
的情報記録媒体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いて情報を記録、消去、書
き換え、再生する光学的情報記録媒体として、相変化型
光学的情報記録媒体がある。相変化型光学的情報記録媒
体への情報の記録、消去、書き換えには、記録材料が結
晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化を生じる現象を
利用する。一般に、情報を記録する場合は、高パワー
（記録パワー）のレーザ光を照射し、記録材料を溶融さ
せて急冷することにより、記録材料のレーザ光が照射さ
れた部分（レーザ光照射部）を非晶質相にして情報を記
録する。一方、情報を消去する場合は、記録時より低パ
ワー（消去パワー）のレーザ光を照射し、記録材料を昇
温させて徐冷することにより、レーザ光照射部を結晶相
にして記録されていた情報を消去する。従って、相変化
型光学的情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワー
レベルとの間でパワーを変調させたレーザ光を記録材料
に照射することで、記録されている情報を消去しながら
新しい情報を記録すること、すなわち情報を書き換える
ことができる（例えば、角田義人他「光ディスクストレ
ージの基礎と応用」電子情報通信学会編、１９９５年、
第２章を参照。）。
き換え、再生する光学的情報記録媒体として、相変化型
光学的情報記録媒体がある。相変化型光学的情報記録媒
体への情報の記録、消去、書き換えには、記録材料が結
晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化を生じる現象を
利用する。一般に、情報を記録する場合は、高パワー
（記録パワー）のレーザ光を照射し、記録材料を溶融さ
せて急冷することにより、記録材料のレーザ光が照射さ
れた部分（レーザ光照射部）を非晶質相にして情報を記
録する。一方、情報を消去する場合は、記録時より低パ
ワー（消去パワー）のレーザ光を照射し、記録材料を昇
温させて徐冷することにより、レーザ光照射部を結晶相
にして記録されていた情報を消去する。従って、相変化
型光学的情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワー
レベルとの間でパワーを変調させたレーザ光を記録材料
に照射することで、記録されている情報を消去しながら
新しい情報を記録すること、すなわち情報を書き換える
ことができる（例えば、角田義人他「光ディスクストレ
ージの基礎と応用」電子情報通信学会編、１９９５年、
第２章を参照。）。
【０００３】相変化型光学的情報記録媒体の一例として
は、発明者らが商品化した４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭ
（DVD-Random Access Memory）が挙げられる。図６に、
この４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭと同様の構成である光
学的情報記録媒体１０１を示す。この光学的情報記録媒
体１０１には、レーザ光入射側から順に、基板１０２、
情報層１０３、接着層１０４、およびダミー基板１０５
が配置されている。情報層１０３は、レーザ光入射側か
ら順に配置された入射側保護膜１０６、入射側誘電体膜
１０７、記録膜１０８、反入射側誘電体膜１０９、反入
射側保護膜１１０、光吸収補正膜１１１、および反射膜
１１２にて構成されている。
は、発明者らが商品化した４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭ
（DVD-Random Access Memory）が挙げられる。図６に、
この４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭと同様の構成である光
学的情報記録媒体１０１を示す。この光学的情報記録媒
体１０１には、レーザ光入射側から順に、基板１０２、
情報層１０３、接着層１０４、およびダミー基板１０５
が配置されている。情報層１０３は、レーザ光入射側か
ら順に配置された入射側保護膜１０６、入射側誘電体膜
１０７、記録膜１０８、反入射側誘電体膜１０９、反入
射側保護膜１１０、光吸収補正膜１１１、および反射膜
１１２にて構成されている。
【０００４】入射側保護膜１０６と反入射側保護膜１１
０は、光学距離を調節して記録膜１０８への光吸収効率
を高めて記録膜１０８における結晶相と非晶質相との反
射率変化を大きくすることで信号振幅を大きくする光学
的な働きと、記録時に高温となる記録膜１０８と熱に弱
い基板１０２およびダミー基板１０５との間を断熱する
熱的な働きとがある。入射側保護膜１０６や反入射側保
護膜１１０に一般的に用いられている８０ｍｏｌ％Ｚｎ
Ｓ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2の混合物は、光透過率および
屈折率が高く、低熱伝導率で断熱性も良く、さらに機械
特性および耐湿性も良好である、優れた誘電体材料であ
る。
０は、光学距離を調節して記録膜１０８への光吸収効率
を高めて記録膜１０８における結晶相と非晶質相との反
射率変化を大きくすることで信号振幅を大きくする光学
的な働きと、記録時に高温となる記録膜１０８と熱に弱
い基板１０２およびダミー基板１０５との間を断熱する
熱的な働きとがある。入射側保護膜１０６や反入射側保
護膜１１０に一般的に用いられている８０ｍｏｌ％Ｚｎ
Ｓ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2の混合物は、光透過率および
屈折率が高く、低熱伝導率で断熱性も良く、さらに機械
特性および耐湿性も良好である、優れた誘電体材料であ
る。
【０００５】記録膜１０８には、例えば、Ｇｅ−Ｓｎ−
Ｓｂ−Ｔｅを含む高速結晶化材料を用いることができ
る。このような材料により、初期記録書き換え性能のみ
ならず、優れた記録保存性、書き換え保存性をも実現で
きる。
Ｓｂ−Ｔｅを含む高速結晶化材料を用いることができ
る。このような材料により、初期記録書き換え性能のみ
ならず、優れた記録保存性、書き換え保存性をも実現で
きる。
【０００６】入射側誘電体膜１０７および反入射側誘電
体膜１０９は、入射側保護膜１０６と記録膜１０８、お
よび反入射側保護膜１１０と記録膜１０８との間で生じ
る物質移動を防止する機能を有する。この物質移動と
は、入射側保護膜１０６および反入射側保護膜１１０の
材料に８０ｍｏｌ％ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2を使
用した場合に、レーザ光を記録膜１０８に照射して記録
書き換えを繰り返すとＳが記録膜１０８に拡散する現象
のことである。Ｓが記録膜１０８に拡散すると、繰り返
し書き換え性能が悪化する(例えば、非特許文献１参
照。)。この繰り返し書き換え性能の悪化を防ぐには、
Ｇｅを含む窒化物を入射側誘電体膜１０７および反入射
側誘電体膜１０９に使用すると良い（例えば、特許文献
１および特許文献２参照。）。
体膜１０９は、入射側保護膜１０６と記録膜１０８、お
よび反入射側保護膜１１０と記録膜１０８との間で生じ
る物質移動を防止する機能を有する。この物質移動と
は、入射側保護膜１０６および反入射側保護膜１１０の
材料に８０ｍｏｌ％ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2を使
用した場合に、レーザ光を記録膜１０８に照射して記録
書き換えを繰り返すとＳが記録膜１０８に拡散する現象
のことである。Ｓが記録膜１０８に拡散すると、繰り返
し書き換え性能が悪化する(例えば、非特許文献１参
照。)。この繰り返し書き換え性能の悪化を防ぐには、
Ｇｅを含む窒化物を入射側誘電体膜１０７および反入射
側誘電体膜１０９に使用すると良い（例えば、特許文献
１および特許文献２参照。）。
【０００７】以上のような技術により、優れた書き換え
性能と高い信頼性を達成し、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍを商品化するに至った。
性能と高い信頼性を達成し、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍを商品化するに至った。
【０００８】また、近年、光学的情報記録媒体のさらな
る大容量化が要求されており、大容量化のための様々な
技術が検討されている。具体的には、従来の赤色レーザ
より短波長の青紫色レーザを用いたり、レーザ光入射側
に配置される基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大
きい対物レンズを使用したりすることによって、レーザ
光のスポット径をより小さくし、高密度の記録を行う技
術等が検討されている。このようにスポット径を小さく
して記録を行うためには、小さな記録マークでも良好な
形状に形成できる光学的情報記録媒体が必要となる。ス
ポット径を小さくして記録を行うと、記録膜にレーザ光
が照射される時間が相対的に短くなるため、記録膜の結
晶化能が低下するからである。
る大容量化が要求されており、大容量化のための様々な
技術が検討されている。具体的には、従来の赤色レーザ
より短波長の青紫色レーザを用いたり、レーザ光入射側
に配置される基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大
きい対物レンズを使用したりすることによって、レーザ
光のスポット径をより小さくし、高密度の記録を行う技
術等が検討されている。このようにスポット径を小さく
して記録を行うためには、小さな記録マークでも良好な
形状に形成できる光学的情報記録媒体が必要となる。ス
ポット径を小さくして記録を行うと、記録膜にレーザ光
が照射される時間が相対的に短くなるため、記録膜の結
晶化能が低下するからである。
【０００９】また、大容量化のための技術として、２つ
の情報層を備える光学的情報記録媒体を用いて記録容量
を２倍に高め、これら２つの情報層に対し、光学的情報
記録媒体の片面側から入射するレーザ光によって記録再
生を行う技術も検討されている（例えば、特許文献３参
照。）。片面側から入射するレーザ光にて２つの情報層
を記録再生する光学的情報記録媒体では、レーザ光の入
射側に配置された第１の情報層を透過したレーザ光を用
いて、レーザ光入射側から遠くに配置された第２の情報
層の記録再生を行うため、第１の情報層の記録膜を極め
て薄くして光透過率を高める必要がある。しかし、記録
膜を薄くすると、記録材料が結晶化する際に形成される
結晶核が減少し、また、原子の移動できる距離が短くな
る。このため、記録膜の膜厚が薄いほど結晶相が形成さ
れにくくなり、結晶化速度が低下する。
の情報層を備える光学的情報記録媒体を用いて記録容量
を２倍に高め、これら２つの情報層に対し、光学的情報
記録媒体の片面側から入射するレーザ光によって記録再
生を行う技術も検討されている（例えば、特許文献３参
照。）。片面側から入射するレーザ光にて２つの情報層
を記録再生する光学的情報記録媒体では、レーザ光の入
射側に配置された第１の情報層を透過したレーザ光を用
いて、レーザ光入射側から遠くに配置された第２の情報
層の記録再生を行うため、第１の情報層の記録膜を極め
て薄くして光透過率を高める必要がある。しかし、記録
膜を薄くすると、記録材料が結晶化する際に形成される
結晶核が減少し、また、原子の移動できる距離が短くな
る。このため、記録膜の膜厚が薄いほど結晶相が形成さ
れにくくなり、結晶化速度が低下する。
【００１０】以上のように、光学的情報記録媒体の大容
量化を実現するためには、記録膜の結晶化能の向上が重
要な課題となる。発明者らの実験では、記録材料とし
て、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3ライン上の擬二元系およびそ
の近傍の組成においてＧｅの一部をＳｎで置換した組成
の材料を用いることで、記録膜の結晶化速度が向上する
ことが分かっている。しかしながら、置換するＳｎの量
を増やしていくと結晶相と非晶質相との間の光学特性変
化が小さくなるため、信号振幅が低下してしまうという
問題が生じる。
量化を実現するためには、記録膜の結晶化能の向上が重
要な課題となる。発明者らの実験では、記録材料とし
て、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3ライン上の擬二元系およびそ
の近傍の組成においてＧｅの一部をＳｎで置換した組成
の材料を用いることで、記録膜の結晶化速度が向上する
ことが分かっている。しかしながら、置換するＳｎの量
を増やしていくと結晶相と非晶質相との間の光学特性変
化が小さくなるため、信号振幅が低下してしまうという
問題が生じる。
【００１１】そこで、信号振幅を低下させること無く記
録膜の結晶化能を高める手段として、記録膜の結晶化を
促進する効果のある膜を記録膜に接するように設けるこ
とが有効である。発明者らの実験によると、少なくとも
Ｃｒ、Ｚｒ、およびＯを含む誘電体膜を記録膜に接する
ように設けることで、結晶化促進効果を高くできること
が分かった。
録膜の結晶化能を高める手段として、記録膜の結晶化を
促進する効果のある膜を記録膜に接するように設けるこ
とが有効である。発明者らの実験によると、少なくとも
Ｃｒ、Ｚｒ、およびＯを含む誘電体膜を記録膜に接する
ように設けることで、結晶化促進効果を高くできること
が分かった。
【００１２】
【非特許文献１】山田、他６名、「ジャパニーズ・ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Japanese Jou
rnal of Applied Physics）」、１９９８年、第３７
巻、ｐ．２１０４−２１１０
ーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Japanese Jou
rnal of Applied Physics）」、１９９８年、第３７
巻、ｐ．２１０４−２１１０
【００１３】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ９７／３４２９８号パン
フレット
フレット
【００１４】
【特許文献２】特開平１０−２７５３６０号公報
【００１５】
【特許文献３】特開平１２−３６１３０号公報
【００１６】
【特許文献４】特開平５−１０９１１５号公報
【００１７】
【特許文献５】特開平８−７７６０４号公報
【００１８】
【特許文献６】特開２００１−６７７２２号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな誘電体膜を記録膜に接して設ける構成の場合、記録
膜と誘電体膜との密着性があまり良好ではなく、特に記
録膜に対しレーザ光入射側と反対側の面に設けられた誘
電体膜は、記録膜に対してレーザ光入射側の面に設けら
れた誘電体膜よりも、記録膜との密着性が悪いことが確
認された。また、情報層が複数設けられている光学的情
報記録媒体の場合、最もレーザ光入射側に設けられる情
報層は光透過率を高くするために薄く形成されるので、
外部から水が浸入しやすく、誘電体膜と記録膜との密着
性がより低下することも確認された。従って、記録膜の
結晶化を促進する効果のある誘電体膜を記録膜に接する
ように設ける構成の場合、誘電体膜と記録膜との接着不
良に起因する信頼性の低下が問題であった。
うな誘電体膜を記録膜に接して設ける構成の場合、記録
膜と誘電体膜との密着性があまり良好ではなく、特に記
録膜に対しレーザ光入射側と反対側の面に設けられた誘
電体膜は、記録膜に対してレーザ光入射側の面に設けら
れた誘電体膜よりも、記録膜との密着性が悪いことが確
認された。また、情報層が複数設けられている光学的情
報記録媒体の場合、最もレーザ光入射側に設けられる情
報層は光透過率を高くするために薄く形成されるので、
外部から水が浸入しやすく、誘電体膜と記録膜との密着
性がより低下することも確認された。従って、記録膜の
結晶化を促進する効果のある誘電体膜を記録膜に接する
ように設ける構成の場合、誘電体膜と記録膜との接着不
良に起因する信頼性の低下が問題であった。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の光学的情
報記録媒体は、基板と情報層とを含む光学的情報記録媒
体であって、前記情報層が、ＺｒおよびＨｆから選択さ
れる少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを
含む第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に設けら
れ、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化す
る記録膜と、前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆ
から選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、
およびＯを含む第２の誘電体膜と、をレーザ光入射側か
らこの順に含んでおり、前記第１の誘電体膜のＣｒ原子
濃度が少なくとも６ａｔ％以上、前記第２の誘電体膜の
Ｃｒ原子濃度が少なくとも９ａｔ％以上であって、且
つ、前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度が前記第１の誘
電体膜のＣｒ原子濃度よりも大きいことを特徴としてい
る。
報記録媒体は、基板と情報層とを含む光学的情報記録媒
体であって、前記情報層が、ＺｒおよびＨｆから選択さ
れる少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを
含む第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に設けら
れ、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化す
る記録膜と、前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆ
から選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、
およびＯを含む第２の誘電体膜と、をレーザ光入射側か
らこの順に含んでおり、前記第１の誘電体膜のＣｒ原子
濃度が少なくとも６ａｔ％以上、前記第２の誘電体膜の
Ｃｒ原子濃度が少なくとも９ａｔ％以上であって、且
つ、前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度が前記第１の誘
電体膜のＣｒ原子濃度よりも大きいことを特徴としてい
る。
【００２１】また、本発明の第２の光学的情報記録媒体
は、基板と情報層とを含む光学的情報記録媒体であっ
て、前記情報層が、ＺｒおよびＨｆから選択される少な
くとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＯを含
む第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に設けら
れ、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化す
る記録膜と、前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆ
から選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、
Ｓｉ、およびＯを含む第２の誘電体膜と、をレーザ光入
射側からこの順に含んでおり、前記第１の誘電体膜のＣ
ｒ原子濃度は少なくとも６ａｔ％以上、前記第２の誘電
体膜のＣｒ原子濃度は少なくとも９ａｔ％以上であり、
且つ、前記第２の誘電体膜のＳｉ原子濃度が前記第１の
誘電体膜のＳｉ原子濃度よりも小さいことを特徴として
いる。
は、基板と情報層とを含む光学的情報記録媒体であっ
て、前記情報層が、ＺｒおよびＨｆから選択される少な
くとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＯを含
む第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に設けら
れ、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化す
る記録膜と、前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆ
から選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、
Ｓｉ、およびＯを含む第２の誘電体膜と、をレーザ光入
射側からこの順に含んでおり、前記第１の誘電体膜のＣ
ｒ原子濃度は少なくとも６ａｔ％以上、前記第２の誘電
体膜のＣｒ原子濃度は少なくとも９ａｔ％以上であり、
且つ、前記第２の誘電体膜のＳｉ原子濃度が前記第１の
誘電体膜のＳｉ原子濃度よりも小さいことを特徴として
いる。
【００２２】本発明の第１の光学的情報記録媒体の製造
方法は、本発明の第１の光学的情報記録媒体を製造する
ための方法であって、少なくとも、ＺｒおよびＨｆから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およ
びＯを含む第１のスパッタリングターゲットを用いて、
スパッタリングにより第１の誘電体膜を成膜する工程
と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化す
る記録膜を成膜する工程と、少なくとも、ＺｒおよびＨ
ｆから選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃ
ｒ、およびＯを含む第２のスパッタリングターゲットを
用いて、スパッタリングにより第２の誘電体膜を成膜す
る工程と、を含み、前記第２のスパッタリングターゲッ
トのＣｒ原子濃度が、前記第１のスパッタリングターゲ
ットのＣｒ原子濃度より大きいことを特徴としている。
方法は、本発明の第１の光学的情報記録媒体を製造する
ための方法であって、少なくとも、ＺｒおよびＨｆから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およ
びＯを含む第１のスパッタリングターゲットを用いて、
スパッタリングにより第１の誘電体膜を成膜する工程
と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化す
る記録膜を成膜する工程と、少なくとも、ＺｒおよびＨ
ｆから選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃ
ｒ、およびＯを含む第２のスパッタリングターゲットを
用いて、スパッタリングにより第２の誘電体膜を成膜す
る工程と、を含み、前記第２のスパッタリングターゲッ
トのＣｒ原子濃度が、前記第１のスパッタリングターゲ
ットのＣｒ原子濃度より大きいことを特徴としている。
【００２３】本発明の第２の光学的情報記録媒体の製造
方法は、本発明の第２の光学的情報記録媒体を製造する
ための方法であって、少なくとも、ＺｒおよびＨｆから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｓｉ、Ｃ
ｒ、およびＯを含む第１のスパッタリングターゲットを
用いて、スパッタリングにより第１の誘電体膜を成膜す
る工程と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に
変化する記録膜を成膜する工程と、少なくとも、Ｚｒお
よびＨｆから選択される少なくとも一方の元素（Ｍ
１）、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを含む第２のスパッタリン
グターゲットを用いて、スパッタリングにより第２の誘
電体膜を成膜する工程と、を含み、前記第２のスパッタ
リングターゲットのＳｉ原子濃度が、前記第１のスパッ
タリングターゲットのＳｉ原子濃度より小さいことを特
徴としている。
方法は、本発明の第２の光学的情報記録媒体を製造する
ための方法であって、少なくとも、ＺｒおよびＨｆから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｓｉ、Ｃ
ｒ、およびＯを含む第１のスパッタリングターゲットを
用いて、スパッタリングにより第１の誘電体膜を成膜す
る工程と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に
変化する記録膜を成膜する工程と、少なくとも、Ｚｒお
よびＨｆから選択される少なくとも一方の元素（Ｍ
１）、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを含む第２のスパッタリン
グターゲットを用いて、スパッタリングにより第２の誘
電体膜を成膜する工程と、を含み、前記第２のスパッタ
リングターゲットのＳｉ原子濃度が、前記第１のスパッ
タリングターゲットのＳｉ原子濃度より小さいことを特
徴としている。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の光学的情報記録媒
体によれば、第１の誘電体膜と記録膜との間の密着性お
よび第２の誘電体膜と記録膜との間の密着性を、共に向
上させることができる。一般的に第２の誘電体膜は第１
の誘電体膜よりも記録膜から剥がれやすいが、本発明に
おいては第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度を第１の誘電体
膜のＣｒ原子濃度よりも大きくすることにより、第２の
誘電体膜と記録膜との間においても十分な密着性が得ら
れる。このような第１の誘電体膜および第２の誘電体膜
と記録膜との間の密着性の向上により、外部からの水の
浸入等による膜剥がれが生じにくくなり、信頼性および
耐湿性に優れた光学的情報記録媒体が得られる。また、
本発明の第１の光学的情報記録媒体によれば、例えば初
期のジッター値と長期保存後のジッター値との差が約２
％以下と記録保存性が良好で、さらに、例えば初期のジ
ッター値と長期保存後に情報を上書きした後のジッター
値との差が約２％以下と書き換え保存性が良好な、光学
的情報記録媒体を提供できる。
体によれば、第１の誘電体膜と記録膜との間の密着性お
よび第２の誘電体膜と記録膜との間の密着性を、共に向
上させることができる。一般的に第２の誘電体膜は第１
の誘電体膜よりも記録膜から剥がれやすいが、本発明に
おいては第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度を第１の誘電体
膜のＣｒ原子濃度よりも大きくすることにより、第２の
誘電体膜と記録膜との間においても十分な密着性が得ら
れる。このような第１の誘電体膜および第２の誘電体膜
と記録膜との間の密着性の向上により、外部からの水の
浸入等による膜剥がれが生じにくくなり、信頼性および
耐湿性に優れた光学的情報記録媒体が得られる。また、
本発明の第１の光学的情報記録媒体によれば、例えば初
期のジッター値と長期保存後のジッター値との差が約２
％以下と記録保存性が良好で、さらに、例えば初期のジ
ッター値と長期保存後に情報を上書きした後のジッター
値との差が約２％以下と書き換え保存性が良好な、光学
的情報記録媒体を提供できる。
【００２５】本発明の第１の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、およ
びＯを、組成式ＣｒA1（Ｍ１）B1Ｏ(100-A1-B1)と表記
した場合に、前記Ａ１およびＢ１が、 ６＜Ａ１＜２９ ９＜Ｂ１＜２９ であり、前記第２の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、お
よびＯを、組成式ＣｒA2（Ｍ１）B2Ｏ(100-A2-B2)と表
記した場合に、前記Ａ２およびＢ２が、 １１＜Ａ２＜３２ ６＜Ｂ２＜２４ であることが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘
電体膜をこのように形成することにより、第１の誘電体
膜および第２の誘電体膜と記録膜との密着性がより良好
で、さらに記録書き換え性能も良好な光学的情報記録媒
体が得られる。
ては、前記第１の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、およ
びＯを、組成式ＣｒA1（Ｍ１）B1Ｏ(100-A1-B1)と表記
した場合に、前記Ａ１およびＢ１が、 ６＜Ａ１＜２９ ９＜Ｂ１＜２９ であり、前記第２の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、お
よびＯを、組成式ＣｒA2（Ｍ１）B2Ｏ(100-A2-B2)と表
記した場合に、前記Ａ２およびＢ２が、 １１＜Ａ２＜３２ ６＜Ｂ２＜２４ であることが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘
電体膜をこのように形成することにより、第１の誘電体
膜および第２の誘電体膜と記録膜との密着性がより良好
で、さらに記録書き換え性能も良好な光学的情報記録媒
体が得られる。
【００２６】本発明の第１の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜がＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2と
からなる第１の混合物を含み、前記第１の混合物におい
てＣｒ2Ｏ3が１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であ
り、前記第２の誘電体膜がＣｒ 2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とか
らなる第２の混合物を含み、前記第２の混合物において
Ｃｒ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であり、
且つ、前記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）
が、前記第１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）より
も大きいことが好ましい。第１の誘電体膜および第２の
誘電体膜をこのように形成することにより、第１の誘電
体膜および第２の誘電体膜と記録膜との密着性がより良
好で、さらに記録書き換え性能も良好な光学的情報記録
媒体が得られる。
ては、前記第１の誘電体膜がＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2と
からなる第１の混合物を含み、前記第１の混合物におい
てＣｒ2Ｏ3が１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であ
り、前記第２の誘電体膜がＣｒ 2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とか
らなる第２の混合物を含み、前記第２の混合物において
Ｃｒ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であり、
且つ、前記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）
が、前記第１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）より
も大きいことが好ましい。第１の誘電体膜および第２の
誘電体膜をこのように形成することにより、第１の誘電
体膜および第２の誘電体膜と記録膜との密着性がより良
好で、さらに記録書き換え性能も良好な光学的情報記録
媒体が得られる。
【００２７】本発明の第１の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度と前記第２の
誘電体膜のＣｒ原子濃度との差が、３ａｔ％以上１５ａ
ｔ％以下であることが好ましい。これにより、膜剥がれ
が生じにくい、信頼性に優れた光学的情報記録媒体が得
られる。
ては、前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度と前記第２の
誘電体膜のＣｒ原子濃度との差が、３ａｔ％以上１５ａ
ｔ％以下であることが好ましい。これにより、膜剥がれ
が生じにくい、信頼性に優れた光学的情報記録媒体が得
られる。
【００２８】本発明の第１の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜がさらにＳｉを含んでいても
よい。
ては、前記第１の誘電体膜がさらにＳｉを含んでいても
よい。
【００２９】本発明の第１の光学的情報記録媒体におい
ては、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜に（Ｍ
１）、Ｃｒ、およびＯ以外の他の元素が含まれる場合、
他の元素の含有量は１ａｔ％以下であることが好まし
い。
ては、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜に（Ｍ
１）、Ｃｒ、およびＯ以外の他の元素が含まれる場合、
他の元素の含有量は１ａｔ％以下であることが好まし
い。
【００３０】本発明の第２の光学的情報記録媒体によれ
ば、第１の誘電体膜と記録膜との間の密着性および第２
の誘電体膜と記録膜との間の密着性を、共に向上させる
ことができる。一般的に第２の誘電体膜は第１の誘電体
膜よりも記録膜から剥がれやすいが、本発明においては
第２の誘電体膜のＳｉ原子濃度を第１の誘電体膜のＳｉ
原子濃度よりも小さくすることにより、第２の誘電体膜
と記録膜との間においても十分な密着性が得られる。こ
のような第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と記録膜
との間の密着性の向上により、外部からの水の浸入等に
よる膜剥がれが生じにくくなり、信頼性および耐湿性に
優れた光学的情報記録媒体が得られる。また、本発明の
第２の光学的情報記録媒体によれば、例えば初期のジッ
ター値と長期保存後のジッター値との差が約２％以下と
記録保存性が良好で、さらに、例えば初期のジッター値
と長期保存後に情報を上書きした後のジッター値との差
が約２％以下と書き換え保存性が良好な、光学的情報記
録媒体を提供できる。
ば、第１の誘電体膜と記録膜との間の密着性および第２
の誘電体膜と記録膜との間の密着性を、共に向上させる
ことができる。一般的に第２の誘電体膜は第１の誘電体
膜よりも記録膜から剥がれやすいが、本発明においては
第２の誘電体膜のＳｉ原子濃度を第１の誘電体膜のＳｉ
原子濃度よりも小さくすることにより、第２の誘電体膜
と記録膜との間においても十分な密着性が得られる。こ
のような第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と記録膜
との間の密着性の向上により、外部からの水の浸入等に
よる膜剥がれが生じにくくなり、信頼性および耐湿性に
優れた光学的情報記録媒体が得られる。また、本発明の
第２の光学的情報記録媒体によれば、例えば初期のジッ
ター値と長期保存後のジッター値との差が約２％以下と
記録保存性が良好で、さらに、例えば初期のジッター値
と長期保存後に情報を上書きした後のジッター値との差
が約２％以下と書き換え保存性が良好な、光学的情報記
録媒体を提供できる。
【００３１】本発明の第２の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度を前記第１の
誘電体膜のＣｒ原子濃度よりも大きくすることが好まし
い。記録膜から剥がれやすい第２の誘電体膜の密着性を
より向上させるためである。
ては、前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度を前記第１の
誘電体膜のＣｒ原子濃度よりも大きくすることが好まし
い。記録膜から剥がれやすい第２の誘電体膜の密着性を
より向上させるためである。
【００３２】本発明の第２の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、Ｓ
ｉ、およびＯを、組成式ＳｉC3ＣｒA3（Ｍ１）B3Ｏ
(100-A3-B3 -C3)と表記した場合に、前記Ａ３、Ｂ３、お
よびＣ３が、 ６＜Ａ３＜３２ １＜Ｂ３ １＜Ｃ３＜１３ であり、前記第２の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、Ｓ
ｉ、およびＯを、組成式ＳｉC4ＣｒA4（Ｍ１）B4Ｏ
(100-A4-B4-C4)と表記した場合に、前記Ａ４、Ｂ４、お
よびＣ４が、 １１＜Ａ４＜３５ １＜Ｂ４ ０＜Ｃ４＜１１ であることが好ましい。さらに、Ａ３＜Ａ４であること
が好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜をこ
のように形成することにより、第１の誘電体膜および第
２の誘電体膜と記録膜との密着性がより良好で、さらに
記録書き換え性能も良好な光学的情報記録媒体が得られ
る。
ては、前記第１の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、Ｓ
ｉ、およびＯを、組成式ＳｉC3ＣｒA3（Ｍ１）B3Ｏ
(100-A3-B3 -C3)と表記した場合に、前記Ａ３、Ｂ３、お
よびＣ３が、 ６＜Ａ３＜３２ １＜Ｂ３ １＜Ｃ３＜１３ であり、前記第２の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、Ｓ
ｉ、およびＯを、組成式ＳｉC4ＣｒA4（Ｍ１）B4Ｏ
(100-A4-B4-C4)と表記した場合に、前記Ａ４、Ｂ４、お
よびＣ４が、 １１＜Ａ４＜３５ １＜Ｂ４ ０＜Ｃ４＜１１ であることが好ましい。さらに、Ａ３＜Ａ４であること
が好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜をこ
のように形成することにより、第１の誘電体膜および第
２の誘電体膜と記録膜との密着性がより良好で、さらに
記録書き換え性能も良好な光学的情報記録媒体が得られ
る。
【００３３】本発明の第２の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜がＳｉＯ 2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ
１）Ｏ2とからなる第１の混合物を含み、前記第１の混
合物において、ＳｉＯ2が５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％
以下、Ｃｒ2Ｏ3が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下、
ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3が１５ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以
下であり、前記第２の誘電体膜がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と
（Ｍ１）Ｏ2とからなる第２の混合物を含み、前記第２
の混合物において、ＳｉＯ2が３５ｍｏｌ％以下、Ｃｒ2
Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ2＋Ｃ
ｒ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ％以下であ
り、且つ、前記第２の誘電体膜のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ
％）が、前記第１の誘電体膜のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ
％）よりもが小さいことが好ましい。さらに、前記第２
の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）が、前記第１の混
合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）よりも大きいことが好
ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜をこのよ
うに形成することにより、第１の誘電体膜および第２の
誘電体膜と記録膜との密着性がより良好で、さらに記録
書き換え性能も良好な光学的情報記録媒体が得られる。
ては、前記第１の誘電体膜がＳｉＯ 2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ
１）Ｏ2とからなる第１の混合物を含み、前記第１の混
合物において、ＳｉＯ2が５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％
以下、Ｃｒ2Ｏ3が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下、
ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3が１５ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以
下であり、前記第２の誘電体膜がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と
（Ｍ１）Ｏ2とからなる第２の混合物を含み、前記第２
の混合物において、ＳｉＯ2が３５ｍｏｌ％以下、Ｃｒ2
Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ2＋Ｃ
ｒ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ％以下であ
り、且つ、前記第２の誘電体膜のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ
％）が、前記第１の誘電体膜のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ
％）よりもが小さいことが好ましい。さらに、前記第２
の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）が、前記第１の混
合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）よりも大きいことが好
ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜をこのよ
うに形成することにより、第１の誘電体膜および第２の
誘電体膜と記録膜との密着性がより良好で、さらに記録
書き換え性能も良好な光学的情報記録媒体が得られる。
【００３４】本発明の第２の光学的情報記録媒体におい
ては、前記第１の誘電体膜のＳｉ原子濃度と前記第２の
誘電体膜のＳｉ原子濃度との差が、１ａｔ％以上１０ａ
ｔ％以下であることが好ましい。これにより、膜剥がれ
が生じにくい、信頼性に優れた光学的情報記録媒体が得
られる。
ては、前記第１の誘電体膜のＳｉ原子濃度と前記第２の
誘電体膜のＳｉ原子濃度との差が、１ａｔ％以上１０ａ
ｔ％以下であることが好ましい。これにより、膜剥がれ
が生じにくい、信頼性に優れた光学的情報記録媒体が得
られる。
【００３５】本発明の第２の光学的情報記録媒体におい
ては、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜に（Ｍ
１）、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＯ以外の他の元素が含まれる
場合、他の元素の含有量は１ａｔ％以下であることが好
ましい。
ては、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜に（Ｍ
１）、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＯ以外の他の元素が含まれる
場合、他の元素の含有量は１ａｔ％以下であることが好
ましい。
【００３６】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記情報層を複数設けることもでき
る。これにより、信頼性および記録書き換え性能に優れ
た、大容量の光学的情報記録媒体が得られる。
媒体においては、前記情報層を複数設けることもでき
る。これにより、信頼性および記録書き換え性能に優れ
た、大容量の光学的情報記録媒体が得られる。
【００３７】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記記録膜が、ＳｂおよびＢｉから選
択される少なくとも一方の元素（Ｍ２）と、Ｇｅと、Ｔ
ｅとを含み、前記Ｍ２、Ｇｅ、およびＴｅを組成式Ｇｅ
a（Ｍ２）bＴｅ3+aと表記した場合に、 ０＜ａ≦６０ １．５≦ｂ≦７ であることが好ましい。記録膜の厚みが約１２ｎｍ以下
と薄い場合であっても、良好な記録再生性能が得られる
からである。
媒体においては、前記記録膜が、ＳｂおよびＢｉから選
択される少なくとも一方の元素（Ｍ２）と、Ｇｅと、Ｔ
ｅとを含み、前記Ｍ２、Ｇｅ、およびＴｅを組成式Ｇｅ
a（Ｍ２）bＴｅ3+aと表記した場合に、 ０＜ａ≦６０ １．５≦ｂ≦７ であることが好ましい。記録膜の厚みが約１２ｎｍ以下
と薄い場合であっても、良好な記録再生性能が得られる
からである。
【００３８】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aにおい
て、前記Ｇｅの少なくとも一部が、ＳｎおよびＰｂから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ３）にて置換され
ていることが好ましい。Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅ３元系組成の
Ｇｅを置換した元素Ｍ３が結晶化能を向上させ、記録膜
の厚みが約７ｎｍ以下と極めて薄い場合であっても、十
分な書き換え性能が得られるからである。
媒体においては、前記Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aにおい
て、前記Ｇｅの少なくとも一部が、ＳｎおよびＰｂから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ３）にて置換され
ていることが好ましい。Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅ３元系組成の
Ｇｅを置換した元素Ｍ３が結晶化能を向上させ、記録膜
の厚みが約７ｎｍ以下と極めて薄い場合であっても、十
分な書き換え性能が得られるからである。
【００３９】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記記録膜が、ＳｂおよびＢｉから選
択される少なくとも一方の元素（Ｍ２）と、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｅ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙお
よびＡｕから選択される少なくとも一つの元素（Ｍ４）
と、Ｇｅと、Ｔｅとを含み、前記Ｍ２、Ｍ４、Ｇｅ、お
よびＴｅを組成式（Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+a）100 -c（Ｍ
４）cと表記した場合に、 ０＜ａ≦６０ １．５≦ｂ≦７ ０＜ｃ≦２０ であることが好ましい。Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅ３元系組成に
添加された元素Ｍ４が記録膜の融点および結晶化温度を
上昇させるので、記録膜の熱的安定性が向上するからで
ある。
媒体においては、前記記録膜が、ＳｂおよびＢｉから選
択される少なくとも一方の元素（Ｍ２）と、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｅ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙお
よびＡｕから選択される少なくとも一つの元素（Ｍ４）
と、Ｇｅと、Ｔｅとを含み、前記Ｍ２、Ｍ４、Ｇｅ、お
よびＴｅを組成式（Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+a）100 -c（Ｍ
４）cと表記した場合に、 ０＜ａ≦６０ １．５≦ｂ≦７ ０＜ｃ≦２０ であることが好ましい。Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅ３元系組成に
添加された元素Ｍ４が記録膜の融点および結晶化温度を
上昇させるので、記録膜の熱的安定性が向上するからで
ある。
【００４０】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記記録膜が、Ｓｂと、Ｔｅと、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｂｉ、ＡｕおよびＭｎか
ら選択される少なくとも一つの元素（Ｍ５）とを含み、
前記Ｓｂ、Ｔｅ、およびＭ５を組成式（ＳｂdＴ
ｅ100-d）100-e（Ｍ５）eで表記した場合に、 ５０≦ｄ≦９５ ０＜ｅ≦２０ であることが好ましい。このような記録膜は融点が比較
的低いので、比較的小さいレーザパワーであっても良好
な記録特性が得られるからである。
媒体においては、前記記録膜が、Ｓｂと、Ｔｅと、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｂｉ、ＡｕおよびＭｎか
ら選択される少なくとも一つの元素（Ｍ５）とを含み、
前記Ｓｂ、Ｔｅ、およびＭ５を組成式（ＳｂdＴ
ｅ100-d）100-e（Ｍ５）eで表記した場合に、 ５０≦ｄ≦９５ ０＜ｅ≦２０ であることが好ましい。このような記録膜は融点が比較
的低いので、比較的小さいレーザパワーであっても良好
な記録特性が得られるからである。
【００４１】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記情報層が、前記第１の誘電体膜の
レーザ光入射側に、前記第１の誘電体膜に接して設けら
れた保護膜をさらに含み、前記保護膜が、ＴｉＯ2、Ｚ
ｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−
Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−
Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ、Ｚｎ
Ｓ、およびＳｉＣから選択される少なくとも一つを含む
ことが好ましい。記録膜の酸化、腐食、および変形等を
防止するためである。
媒体においては、前記情報層が、前記第１の誘電体膜の
レーザ光入射側に、前記第１の誘電体膜に接して設けら
れた保護膜をさらに含み、前記保護膜が、ＴｉＯ2、Ｚ
ｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−
Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−
Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ、Ｚｎ
Ｓ、およびＳｉＣから選択される少なくとも一つを含む
ことが好ましい。記録膜の酸化、腐食、および変形等を
防止するためである。
【００４２】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記情報層が、前記第２の誘電体膜の
レーザ光入射側と反対側に設けられた反射膜をさらに含
み、前記反射膜が、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＡｌから選
択される少なくとも一つの元素を含むことが好ましい。
記録膜に吸収される光量を増加させ、且つ記録膜で生じ
た熱を拡散させるためである。
媒体においては、前記情報層が、前記第２の誘電体膜の
レーザ光入射側と反対側に設けられた反射膜をさらに含
み、前記反射膜が、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＡｌから選
択される少なくとも一つの元素を含むことが好ましい。
記録膜に吸収される光量を増加させ、且つ記録膜で生じ
た熱を拡散させるためである。
【００４３】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記情報層が、前記反射膜のレーザ光
入射側と反対側に、前記反射膜に接して設けられた透過
率調整膜をさらに含み、前記透過率調整膜が、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ
−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ
−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎおよ
びＺｎＳから選択される少なくとも一つを含むことが好
ましい。情報層が複数設けられている場合は、レーザ光
入射側の面から遠くに配置された情報層にもレーザ光を
到達させる必要がある。従って、このような場合に、情
報層の透過率を高めることができる本構成は特に有効で
ある。
媒体においては、前記情報層が、前記反射膜のレーザ光
入射側と反対側に、前記反射膜に接して設けられた透過
率調整膜をさらに含み、前記透過率調整膜が、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ
−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ
−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎおよ
びＺｎＳから選択される少なくとも一つを含むことが好
ましい。情報層が複数設けられている場合は、レーザ光
入射側の面から遠くに配置された情報層にもレーザ光を
到達させる必要がある。従って、このような場合に、情
報層の透過率を高めることができる本構成は特に有効で
ある。
【００４４】本発明の第１および第２の光学的情報記録
媒体においては、前記情報層と異なる膜構成の他の情報
層が含まれていてもよいが、この場合はレーザ光入射側
の面に最も近くに配置された情報層（第１の情報層）が
本発明の膜構成であることが好ましい。これは、多層構
造の光学的情報記録媒体において、第１の情報層に含ま
れる記録膜は高透過率を得るために薄く形成されるの
で、第１の情報層としては、薄い記録膜でも結晶化能が
高く、且つ信頼性の高い情報層が求められるからであ
る。
媒体においては、前記情報層と異なる膜構成の他の情報
層が含まれていてもよいが、この場合はレーザ光入射側
の面に最も近くに配置された情報層（第１の情報層）が
本発明の膜構成であることが好ましい。これは、多層構
造の光学的情報記録媒体において、第１の情報層に含ま
れる記録膜は高透過率を得るために薄く形成されるの
で、第１の情報層としては、薄い記録膜でも結晶化能が
高く、且つ信頼性の高い情報層が求められるからであ
る。
【００４５】本発明の第１の光学的情報記録媒体の製造
方法によれば、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と
記録膜との密着性が良好な、信頼性の高い光学的情報記
録媒体を作製することができる。
方法によれば、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と
記録膜との密着性が良好な、信頼性の高い光学的情報記
録媒体を作製することができる。
【００４６】本発明の第１の光学的情報記録媒体の製造
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
に含まれるＭ１、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＣｒD1（Ｍ
１） E1Ｏ100-D1-E1と表記した場合に、前記Ｄ１および
Ｅ１が、 ３＜Ｄ１＜２９ ９＜Ｅ１＜３１ であり、前記第２のスパッタリングターゲットに含まれ
るＭ１、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＣｒD2（Ｍ１）E2Ｏ
100-D2-E2と表記した場合に、前記Ｄ２およびＥ２が、 ９＜Ｄ２＜３２ ６＜Ｅ２＜２６ であることが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘
電体膜と記録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き
換え性能も良好な光学的情報記録媒体を作製できるから
である。
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
に含まれるＭ１、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＣｒD1（Ｍ
１） E1Ｏ100-D1-E1と表記した場合に、前記Ｄ１および
Ｅ１が、 ３＜Ｄ１＜２９ ９＜Ｅ１＜３１ であり、前記第２のスパッタリングターゲットに含まれ
るＭ１、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＣｒD2（Ｍ１）E2Ｏ
100-D2-E2と表記した場合に、前記Ｄ２およびＥ２が、 ９＜Ｄ２＜３２ ６＜Ｅ２＜２６ であることが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘
電体膜と記録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き
換え性能も良好な光学的情報記録媒体を作製できるから
である。
【００４７】本発明の第１の光学的情報記録媒体の製造
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
が、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混合物を
含み、前記第１の混合物においてＣｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％
以上６０ｍｏｌ％以下であり、前記第２のスパッタリン
グターゲットが、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第
２の混合物を含み、前記第２の混合物においてＣｒ2Ｏ3
が１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であり、且つ、前
記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）が、前記第
１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）よりも大きいこ
とが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と
記録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き換え性能
も良好な光学的情報記録媒体を作製できるからである。
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
が、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混合物を
含み、前記第１の混合物においてＣｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％
以上６０ｍｏｌ％以下であり、前記第２のスパッタリン
グターゲットが、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第
２の混合物を含み、前記第２の混合物においてＣｒ2Ｏ3
が１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であり、且つ、前
記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）が、前記第
１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）よりも大きいこ
とが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と
記録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き換え性能
も良好な光学的情報記録媒体を作製できるからである。
【００４８】また、本発明の第２の光学的情報記録媒体
の製造方法によれば、第１の誘電体膜および第２の誘電
体膜と記録膜との密着性が良好な、信頼性の高い光学的
情報記録媒体を作製することができる。
の製造方法によれば、第１の誘電体膜および第２の誘電
体膜と記録膜との密着性が良好な、信頼性の高い光学的
情報記録媒体を作製することができる。
【００４９】本発明の第２の光学的情報記録媒体の製造
方法においては、前記第２のスパッタリングターゲット
のＣｒ原子濃度が、前記第１のスパッタリングターゲッ
トのＣｒ原子濃度より大きいことが好ましい。第２の誘
電体膜と記録膜との密着性がより良好な光学的情報記録
媒体を作製できるからである。
方法においては、前記第２のスパッタリングターゲット
のＣｒ原子濃度が、前記第１のスパッタリングターゲッ
トのＣｒ原子濃度より大きいことが好ましい。第２の誘
電体膜と記録膜との密着性がより良好な光学的情報記録
媒体を作製できるからである。
【００５０】本発明の第２の光学的情報記録媒体の製造
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
に含まれるＭ１、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを、組成式Ｓｉ
F3ＣｒD3（Ｍ１）E3Ｏ100-D3-E3―F3で表記した場合
に、前記Ｄ３、Ｅ３、およびＦ３が、 ３＜Ｄ３＜３２ １＜Ｅ３ １＜Ｆ３＜１３ であり、前記第２のスパッタリングターゲットに含まれ
るＭ１、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＳｉF4ＣｒD4
（Ｍ１）E4Ｏ100-D4-E4-F4と表記した場合に、前記Ｄ
４、Ｅ４、およびＦ４が、 ９＜Ｄ４＜３５ １＜Ｅ４ ０＜Ｆ４＜１１ であることが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘
電体膜と記録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き
換え性能も良好な光学的情報記録媒体を作製できるから
である。
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
に含まれるＭ１、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを、組成式Ｓｉ
F3ＣｒD3（Ｍ１）E3Ｏ100-D3-E3―F3で表記した場合
に、前記Ｄ３、Ｅ３、およびＦ３が、 ３＜Ｄ３＜３２ １＜Ｅ３ １＜Ｆ３＜１３ であり、前記第２のスパッタリングターゲットに含まれ
るＭ１、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＳｉF4ＣｒD4
（Ｍ１）E4Ｏ100-D4-E4-F4と表記した場合に、前記Ｄ
４、Ｅ４、およびＦ４が、 ９＜Ｄ４＜３５ １＜Ｅ４ ０＜Ｆ４＜１１ であることが好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘
電体膜と記録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き
換え性能も良好な光学的情報記録媒体を作製できるから
である。
【００５１】本発明の第２の光学的情報記録媒体の製造
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混
合物を含み、前記第１の混合物において、ＳｉＯ2が５
ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｃｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％
以上７０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3が１０ｍｏ
ｌ％以上９５ｍｏｌ％以下であり、前記第２のスパッタ
リングターゲットがＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2と
からなる第２の混合物を含み、前記第２の混合物におい
て、ＳｉＯ2が３５ｍｏｌ％以下、Ｃｒ2Ｏ3が１５ｍｏ
ｌ％以上８０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3が１０
ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ％以下であり、且つ、前記
第２の混合物のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）が、前記第１
の混合物のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）よりも小さいこと
が好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と記
録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き換え性能も
良好な光学的情報記録媒体を作製できるからである。
方法においては、前記第１のスパッタリングターゲット
がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混
合物を含み、前記第１の混合物において、ＳｉＯ2が５
ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｃｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％
以上７０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3が１０ｍｏ
ｌ％以上９５ｍｏｌ％以下であり、前記第２のスパッタ
リングターゲットがＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2と
からなる第２の混合物を含み、前記第２の混合物におい
て、ＳｉＯ2が３５ｍｏｌ％以下、Ｃｒ2Ｏ3が１５ｍｏ
ｌ％以上８０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3が１０
ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ％以下であり、且つ、前記
第２の混合物のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）が、前記第１
の混合物のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）よりも小さいこと
が好ましい。第１の誘電体膜および第２の誘電体膜と記
録膜との密着性がより良好で、且つ記録書き換え性能も
良好な光学的情報記録媒体を作製できるからである。
【００５２】また、複数の情報層を含む多層構造の光学
的情報記録媒体を製造する場合に、その複数の情報層の
うち少なくとも一つの情報層を、本発明の第１または第
２の光学的情報記録媒体の製造方法を用いて作製するこ
とも可能である。
的情報記録媒体を製造する場合に、その複数の情報層の
うち少なくとも一つの情報層を、本発明の第１または第
２の光学的情報記録媒体の製造方法を用いて作製するこ
とも可能である。
【００５３】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００５４】（実施の形態１）本発明の光学的情報記録
媒体の実施の形態を説明する。図１に、本実施の形態の
光学的情報記録媒体１の断面構成を示す。光学的情報記
録媒体１は、レーザ光の照射によって情報の記録再生が
可能な光学的情報記録媒体である。
媒体の実施の形態を説明する。図１に、本実施の形態の
光学的情報記録媒体１の断面構成を示す。光学的情報記
録媒体１は、レーザ光の照射によって情報の記録再生が
可能な光学的情報記録媒体である。
【００５５】光学的情報記録媒体１においては、基板１
１上に情報層１２が設けられ、さらに透明層１３が設け
られている。この光学的情報記録媒体１には、レーザ光
が透明層１３側から照射される。情報層１２は、レーザ
光照射側から、入射側保護膜１４、入射側誘電体膜（第
１の誘電体膜）１５、記録膜１６、反入射側誘電体膜
（第２の誘電体膜）１７、反入射側保護膜１８、金属膜
１９、および反射膜２０がこの順に積層されることによ
り形成されている。なお、誘電体膜および保護膜の名称
において、入射側とは、記録膜１６に対してレーザ光入
射側に配置されていることを意味し、反入射側とは、記
録膜１６に対してレーザ光入射側と反対側に配置されて
いることを意味する。
１上に情報層１２が設けられ、さらに透明層１３が設け
られている。この光学的情報記録媒体１には、レーザ光
が透明層１３側から照射される。情報層１２は、レーザ
光照射側から、入射側保護膜１４、入射側誘電体膜（第
１の誘電体膜）１５、記録膜１６、反入射側誘電体膜
（第２の誘電体膜）１７、反入射側保護膜１８、金属膜
１９、および反射膜２０がこの順に積層されることによ
り形成されている。なお、誘電体膜および保護膜の名称
において、入射側とは、記録膜１６に対してレーザ光入
射側に配置されていることを意味し、反入射側とは、記
録膜１６に対してレーザ光入射側と反対側に配置されて
いることを意味する。
【００５６】透明層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線
硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘
電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収率が
小さいことが好ましく、また、短波長域において複屈折
率が小さいことが好ましい。また、透明層１３に、透明
な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフ
ィン、またはＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等
の樹脂、或いはガラスを用いてもよい。これらの材料を
使用する場合は、透明層１３を、例えば、光硬化型樹脂
（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹
脂によって情報層１２に貼り合わせることにより形成す
る。
硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘
電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収率が
小さいことが好ましく、また、短波長域において複屈折
率が小さいことが好ましい。また、透明層１３に、透明
な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフ
ィン、またはＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等
の樹脂、或いはガラスを用いてもよい。これらの材料を
使用する場合は、透明層１３を、例えば、光硬化型樹脂
（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹
脂によって情報層１２に貼り合わせることにより形成す
る。
【００５７】基板１１は、透明で円盤状である。基板１
１には、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリ
オレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを
用いることができるが、転写性および量産性に優れ、且
つ低コストであることから、ポリカーボネートが特に好
ましい。基板１１の情報層１２と接する面には、必要に
応じてレーザ光を導くための案内溝が形成されていても
よい。基板１１の情報層１２と接する面と反対側の面
は、平滑であることが好ましい。
１には、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリ
オレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを
用いることができるが、転写性および量産性に優れ、且
つ低コストであることから、ポリカーボネートが特に好
ましい。基板１１の情報層１２と接する面には、必要に
応じてレーザ光を導くための案内溝が形成されていても
よい。基板１１の情報層１２と接する面と反対側の面
は、平滑であることが好ましい。
【００５８】なお、基板１１の厚さは、十分な強度があ
り、且つ光学的情報記録媒体１の全体の厚さが１２００
μｍ程度となるように、５００μｍ〜１２００μｍの範
囲内であることが好ましい。なお、透明層１３の厚さが
６００μｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能
な厚みである。）の場合、基板１１の厚さは５５０μｍ
〜６５０μｍの範囲内であることが好ましい。また、透
明層１３の厚さが１００μｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良
好な記録再生が可能な厚みである。）の場合、基板１１
の厚みは１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲内であるこ
とが好ましい。
り、且つ光学的情報記録媒体１の全体の厚さが１２００
μｍ程度となるように、５００μｍ〜１２００μｍの範
囲内であることが好ましい。なお、透明層１３の厚さが
６００μｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能
な厚みである。）の場合、基板１１の厚さは５５０μｍ
〜６５０μｍの範囲内であることが好ましい。また、透
明層１３の厚さが１００μｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良
好な記録再生が可能な厚みである。）の場合、基板１１
の厚みは１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲内であるこ
とが好ましい。
【００５９】レーザ光を集光した際のスポット径はレー
ザ光の波長λによって決定され、波長λが短いほどより
小さなスポット径に集光可能である。このため、高密度
記録の場合、レーザ光の波長λは４５０ｎｍ以下である
ことが好ましい。また、波長λが３５０ｎｍ未満の場
合、透明層１３等による光吸収が大きくなってしまう。
このため、レーザ光の波長λは３５０ｎｍ以上が好まし
い。
ザ光の波長λによって決定され、波長λが短いほどより
小さなスポット径に集光可能である。このため、高密度
記録の場合、レーザ光の波長λは４５０ｎｍ以下である
ことが好ましい。また、波長λが３５０ｎｍ未満の場
合、透明層１３等による光吸収が大きくなってしまう。
このため、レーザ光の波長λは３５０ｎｍ以上が好まし
い。
【００６０】次に、情報層１２を構成する各膜について
説明する。
説明する。
【００６１】入射側保護膜１４は、誘電体からなる。こ
の入射側保護膜１４は、記録膜１６の酸化、腐食、変形
等を防止する働きと、光学距離を調整して記録膜１６の
光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化
を大きくして信号振幅を大きくする働きと、を有する。
入射側保護膜１４には、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆ
Ｏ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3等の酸化物を用いることができる。ま
た、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−
Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−
Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物を用いることも
できる。また、ＺｎＳなどの硫化物やＳｉＣなどの炭化
物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用
いることもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合
物（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）は、入射側保護膜１４の材料と
して特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、非晶質材料
で、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性および耐
湿性が良好である。
の入射側保護膜１４は、記録膜１６の酸化、腐食、変形
等を防止する働きと、光学距離を調整して記録膜１６の
光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化
を大きくして信号振幅を大きくする働きと、を有する。
入射側保護膜１４には、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆ
Ｏ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3等の酸化物を用いることができる。ま
た、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−
Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−
Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物を用いることも
できる。また、ＺｎＳなどの硫化物やＳｉＣなどの炭化
物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用
いることもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合
物（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）は、入射側保護膜１４の材料と
して特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、非晶質材料
で、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性および耐
湿性が良好である。
【００６２】入射側保護膜１４の膜厚は、マトリクス法
（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１
年、第３章を参照。）に基づく計算により、記録膜１６
が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の反射
光量の変化が大きくなり、且つ、記録膜１６での光吸収
が大きくなるという条件を満足するように決定すること
ができる。
（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１
年、第３章を参照。）に基づく計算により、記録膜１６
が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の反射
光量の変化が大きくなり、且つ、記録膜１６での光吸収
が大きくなるという条件を満足するように決定すること
ができる。
【００６３】入射側誘電体膜１５は、繰り返し記録によ
って入射側保護膜１４と記録膜１６との間で生じる物質
移動を防止する働きと、記録膜１６の結晶化を促進させ
る働きと、を有する。入射側誘電体膜１５は、記録膜１
６に接して設けられるため、記録の際に溶けない程度の
高融点を有する材料であって、且つ記録膜１６との密着
性が良い材料であることが好ましい。記録の際に溶けな
い程度の高融点を有する材料であることは、高パワーの
レーザ光を照射した際に入射側誘電体膜１５の材料が溶
融して記録膜１６に混入しないようにするために必要な
特性である。入射側誘電体膜１５を構成する物質が記録
膜１６に混入すると、記録膜１６の組成が変わり、書き
換え性能が著しく低下するからである。また、カルコゲ
ナイド材料からなる記録膜１６と密着性が良い材料であ
ることは、信頼性確保に必要な特性である。
って入射側保護膜１４と記録膜１６との間で生じる物質
移動を防止する働きと、記録膜１６の結晶化を促進させ
る働きと、を有する。入射側誘電体膜１５は、記録膜１
６に接して設けられるため、記録の際に溶けない程度の
高融点を有する材料であって、且つ記録膜１６との密着
性が良い材料であることが好ましい。記録の際に溶けな
い程度の高融点を有する材料であることは、高パワーの
レーザ光を照射した際に入射側誘電体膜１５の材料が溶
融して記録膜１６に混入しないようにするために必要な
特性である。入射側誘電体膜１５を構成する物質が記録
膜１６に混入すると、記録膜１６の組成が変わり、書き
換え性能が著しく低下するからである。また、カルコゲ
ナイド材料からなる記録膜１６と密着性が良い材料であ
ることは、信頼性確保に必要な特性である。
【００６４】入射側誘電体膜１５には、ＺｒおよびＨｆ
の少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含
む材料を用いる。このような材料の中でも、ＣｒとＯと
がＣｒ2Ｏ3の化合物を形成し、Ｍ１とＯとが（Ｍ１）Ｏ
2の化合物を形成して、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2の混合物
（第１の混合物）となっているものが好ましい。Ｃｒ 2
Ｏ3は記録膜１６との密着性が良い材料である。また、
ＺｒＯ2およびＨｆＯ2は、透明で融点が約２７００〜２
８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材
料であるので、繰り返し書き換え性能の向上に繋がる。
従って、これら２種類の酸化物からなる混合物を入射側
誘電体膜１５が含むことによって、繰り返し書き換え性
能に優れ、且つ信頼性の高い光学的情報記録媒体を実現
できる。なお、記録膜１６との密着性を確保するため、
混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中のＣｒ2Ｏ3は１０ｍｏ
ｌ％以上であることが好ましい。また、Ｃｒ2Ｏ3の含有
量が多くなると光吸収が増加する傾向にあるため、入射
側誘電体膜１５での光吸収を小さく保つために、Ｃｒ2
Ｏ3は６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。より好
ましいＣｒ2Ｏ3の含有量は、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏ
ｌ％以下である。
の少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含
む材料を用いる。このような材料の中でも、ＣｒとＯと
がＣｒ2Ｏ3の化合物を形成し、Ｍ１とＯとが（Ｍ１）Ｏ
2の化合物を形成して、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2の混合物
（第１の混合物）となっているものが好ましい。Ｃｒ 2
Ｏ3は記録膜１６との密着性が良い材料である。また、
ＺｒＯ2およびＨｆＯ2は、透明で融点が約２７００〜２
８００℃と高く、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材
料であるので、繰り返し書き換え性能の向上に繋がる。
従って、これら２種類の酸化物からなる混合物を入射側
誘電体膜１５が含むことによって、繰り返し書き換え性
能に優れ、且つ信頼性の高い光学的情報記録媒体を実現
できる。なお、記録膜１６との密着性を確保するため、
混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中のＣｒ2Ｏ3は１０ｍｏ
ｌ％以上であることが好ましい。また、Ｃｒ2Ｏ3の含有
量が多くなると光吸収が増加する傾向にあるため、入射
側誘電体膜１５での光吸収を小さく保つために、Ｃｒ2
Ｏ3は６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。より好
ましいＣｒ2Ｏ3の含有量は、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏ
ｌ％以下である。
【００６５】入射側誘電体膜１５には、Ｍ１、Ｃｒ、お
よびＯの元素の他に、さらにＳｉを含む材料を用いるこ
ともできる。このような材料の中でも、ＣｒとＯとが化
合物Ｃｒ2Ｏ3を形成し、Ｍ１とＯとが化合物（Ｍ１）Ｏ
2を形成し、ＳｉとＯとが化合物ＳｉＯ2を形成して、Ｓ
ｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2との混合物（第１の混合
物）となっているものが好ましい。ＳｉＯ2を含むこと
により、記録膜１６の結晶化を促進する効果が高くな
り、書き換え性能に優れた光学的情報記録媒体を実現で
きる。混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中のＳｉ
Ｏ2は５ｍｏｌ％以上であることが好ましく、記録膜１
６との密着性を確保するため４０ｍｏｌ％以下であるこ
とが好ましい。より好ましくは、１０ｍｏｌ％以上３５
ｍｏｌ％以下である。また、混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3
−（Ｍ１）Ｏ2中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、１０ｍｏｌ％
以上７０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。また、良
好な記録書き換え性能を確保するため、ＳｉＯ2とＣｒ2
Ｏ3の含有量の和は９５ｍｏｌ％以下であることが好ま
しい。
よびＯの元素の他に、さらにＳｉを含む材料を用いるこ
ともできる。このような材料の中でも、ＣｒとＯとが化
合物Ｃｒ2Ｏ3を形成し、Ｍ１とＯとが化合物（Ｍ１）Ｏ
2を形成し、ＳｉとＯとが化合物ＳｉＯ2を形成して、Ｓ
ｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2との混合物（第１の混合
物）となっているものが好ましい。ＳｉＯ2を含むこと
により、記録膜１６の結晶化を促進する効果が高くな
り、書き換え性能に優れた光学的情報記録媒体を実現で
きる。混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中のＳｉ
Ｏ2は５ｍｏｌ％以上であることが好ましく、記録膜１
６との密着性を確保するため４０ｍｏｌ％以下であるこ
とが好ましい。より好ましくは、１０ｍｏｌ％以上３５
ｍｏｌ％以下である。また、混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3
−（Ｍ１）Ｏ2中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、１０ｍｏｌ％
以上７０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。また、良
好な記録書き換え性能を確保するため、ＳｉＯ2とＣｒ2
Ｏ3の含有量の和は９５ｍｏｌ％以下であることが好ま
しい。
【００６６】入射側誘電体膜１５の膜厚は、入射側誘電
体膜１５での光吸収によって光学的情報記録媒体１の記
録前後の反射光量の変化が小さくならないよう、１ｎｍ
〜１０ｎｍの範囲内であることが望ましく、２ｎｍ〜５
ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
体膜１５での光吸収によって光学的情報記録媒体１の記
録前後の反射光量の変化が小さくならないよう、１ｎｍ
〜１０ｎｍの範囲内であることが望ましく、２ｎｍ〜５
ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００６７】反入射側誘電体膜１７は、入射側誘電体膜
１５と同様に、繰り返し記録によって反入射側保護膜１
８と記録膜１６との間で生じる物質移動を防止する働き
と、記録膜１６の結晶化を促進させる働きとを有するほ
か、光学距離を調整して記録膜１６の光吸収効率を高め
る働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号
振幅を大きくする働きをも有する。反入射側誘電体膜１
７には、入射側誘電体膜１５と同様、Ｍ１、Ｃｒ、およ
びＯの元素を含む材料を用いることが好ましい。このよ
うな材料の中でも、ＣｒとＯとが化合物Ｃｒ2Ｏ3を形成
し、Ｍ１とＯとが化合物（Ｍ１）Ｏ2を形成して、Ｃｒ2
Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2の混合物（第２の混合物）になってい
ることが好ましい。反入射側誘電体膜１７は、入射側誘
電体膜１５よりも記録膜１６から剥がれやすいので、Ｃ
ｒ原子濃度を入射側誘電体膜１５よりも大きくして記録
膜１６との密着性を向上させる必要がある。従って、例
えば、反入射側誘電体膜１７が混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ
１）Ｏ2を含む場合は、混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中
のＣｒ2Ｏ3の含有量は、入射側誘電体膜１５のそれより
多い２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることが好
ましく、３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であること
がより好ましい。これは、入射側誘電体膜１５よりも水
が浸入しやすい反入射側誘電体膜１７は入射側誘電体膜
１５よりも記録膜１６から剥がれやすいので、記録膜１
６と密着性の良好なＣｒ2Ｏ3の含有量を増加させて密着
性を向上させるためである。
１５と同様に、繰り返し記録によって反入射側保護膜１
８と記録膜１６との間で生じる物質移動を防止する働き
と、記録膜１６の結晶化を促進させる働きとを有するほ
か、光学距離を調整して記録膜１６の光吸収効率を高め
る働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号
振幅を大きくする働きをも有する。反入射側誘電体膜１
７には、入射側誘電体膜１５と同様、Ｍ１、Ｃｒ、およ
びＯの元素を含む材料を用いることが好ましい。このよ
うな材料の中でも、ＣｒとＯとが化合物Ｃｒ2Ｏ3を形成
し、Ｍ１とＯとが化合物（Ｍ１）Ｏ2を形成して、Ｃｒ2
Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2の混合物（第２の混合物）になってい
ることが好ましい。反入射側誘電体膜１７は、入射側誘
電体膜１５よりも記録膜１６から剥がれやすいので、Ｃ
ｒ原子濃度を入射側誘電体膜１５よりも大きくして記録
膜１６との密着性を向上させる必要がある。従って、例
えば、反入射側誘電体膜１７が混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ
１）Ｏ2を含む場合は、混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中
のＣｒ2Ｏ3の含有量は、入射側誘電体膜１５のそれより
多い２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることが好
ましく、３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であること
がより好ましい。これは、入射側誘電体膜１５よりも水
が浸入しやすい反入射側誘電体膜１７は入射側誘電体膜
１５よりも記録膜１６から剥がれやすいので、記録膜１
６と密着性の良好なＣｒ2Ｏ3の含有量を増加させて密着
性を向上させるためである。
【００６８】反入射側誘電体膜１７には、入射側誘電体
膜１５と同様、Ｍ１、Ｃｒ、およびＯの元素の他にさら
にＳｉを含む材料を用いてもよい。このような材料の中
でも、ＣｒとＯとが化合物Ｃｒ2Ｏ3を形成し、Ｍ１とＯ
とが化合物（Ｍ１）Ｏ2を形成し、ＳｉとＯとが化合物
ＳｉＯ2を形成して、ＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ 2
との混合物（第２の混合物）になっていることが好まし
い。混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2におけるＳ
ｉＯ2の含有量は、記録膜１６との密着性を向上させる
ために入射側誘電体膜１５のそれより少ない３５ｍｏｌ
％以下であることが好ましく、５ｍｏｌ％以上３０ｍｏ
ｌ％以下であることがより好ましい。また、混合物Ｓｉ
Ｏ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、
２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることが好まし
い。また、良好な記録書き換え性能を確保するため、Ｓ
ｉＯ2とＣｒ2Ｏ3の含有量の和は９５ｍｏｌ％以下であ
ることが好ましい。
膜１５と同様、Ｍ１、Ｃｒ、およびＯの元素の他にさら
にＳｉを含む材料を用いてもよい。このような材料の中
でも、ＣｒとＯとが化合物Ｃｒ2Ｏ3を形成し、Ｍ１とＯ
とが化合物（Ｍ１）Ｏ2を形成し、ＳｉとＯとが化合物
ＳｉＯ2を形成して、ＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ 2
との混合物（第２の混合物）になっていることが好まし
い。混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2におけるＳ
ｉＯ2の含有量は、記録膜１６との密着性を向上させる
ために入射側誘電体膜１５のそれより少ない３５ｍｏｌ
％以下であることが好ましく、５ｍｏｌ％以上３０ｍｏ
ｌ％以下であることがより好ましい。また、混合物Ｓｉ
Ｏ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2中のＣｒ2Ｏ3の含有量は、
２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることが好まし
い。また、良好な記録書き換え性能を確保するため、Ｓ
ｉＯ2とＣｒ2Ｏ3の含有量の和は９５ｍｏｌ％以下であ
ることが好ましい。
【００６９】反入射側誘電体膜１７の膜厚は、２ｎｍ〜
７５ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍであ
ることがより好ましい。反入射側誘電体膜１７の膜厚を
この範囲内に形成することによって、記録膜１６で発生
した熱を効果的に反射膜２０側に拡散させることができ
る。
７５ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍであ
ることがより好ましい。反入射側誘電体膜１７の膜厚を
この範囲内に形成することによって、記録膜１６で発生
した熱を効果的に反射膜２０側に拡散させることができ
る。
【００７０】反入射側保護膜１８には、入射側保護膜１
４と同様の系の材料を用いることができる。混合物Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2は、反入射側保護膜１８としても優れた材
料である。
４と同様の系の材料を用いることができる。混合物Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2は、反入射側保護膜１８としても優れた材
料である。
【００７１】反入射側保護膜１８の膜厚は、２ｎｍ〜７
５ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍである
ことがより好ましい。反入射側保護膜１８の膜厚をこの
範囲内に形成することによって、記録膜１６で発生した
熱を効果的に反射膜２０側に拡散させることができる。
なお、反入射側保護膜１８を設けない構成とすることも
可能である。
５ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍである
ことがより好ましい。反入射側保護膜１８の膜厚をこの
範囲内に形成することによって、記録膜１６で発生した
熱を効果的に反射膜２０側に拡散させることができる。
なお、反入射側保護膜１８を設けない構成とすることも
可能である。
【００７２】記録膜１６は、レーザ光の照射によって結
晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料か
らなり、例えば、Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅを含む材料で形成で
きる。ただし、Ｍ２はＳｂおよびＢｉから選択される少
なくと一方の元素である。具体的には、記録膜１６は、
例えば、組成式Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aで表される材料
で形成できる。このような材料によれば、非晶質相が安
定で信号振幅が大きく、融点の上昇と結晶化速度の低下
が少ない記録膜を形成することができる。なお、Ｇｅa
（Ｍ２）bＴｅ3+aにおいて、ａは、０＜ａ≦６０を満た
すことが望ましく、４≦ａ≦２３を満たすことがより好
ましい。また、ｂは、非晶質相が安定で信号振幅が大き
く、結晶化速度の低下が少なくなるように、１．５≦ｂ
≦７を満たすことが好ましく、１．５≦ｂ≦３を満たす
ことがより好ましい。
晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料か
らなり、例えば、Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅを含む材料で形成で
きる。ただし、Ｍ２はＳｂおよびＢｉから選択される少
なくと一方の元素である。具体的には、記録膜１６は、
例えば、組成式Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aで表される材料
で形成できる。このような材料によれば、非晶質相が安
定で信号振幅が大きく、融点の上昇と結晶化速度の低下
が少ない記録膜を形成することができる。なお、Ｇｅa
（Ｍ２）bＴｅ3+aにおいて、ａは、０＜ａ≦６０を満た
すことが望ましく、４≦ａ≦２３を満たすことがより好
ましい。また、ｂは、非晶質相が安定で信号振幅が大き
く、結晶化速度の低下が少なくなるように、１．５≦ｂ
≦７を満たすことが好ましく、１．５≦ｂ≦３を満たす
ことがより好ましい。
【００７３】また、記録膜１６は、Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ
3+aにおいて、Ｇｅの一部をＳｎおよびＰｂから選択さ
れる少なくとも一方の元素（Ｍ３）で置換した材料で形
成してもよい。この材料を用いた場合、Ｇｅを置換した
Ｍ３が結晶化能を向上させるため、記録膜１６の膜厚が
薄い場合でも十分な消去率が得られる。Ｍ３としては、
毒性がない点でＳｎがより好ましい。なお、この場合も
０＜ａ≦６０（より好ましくは４≦ａ≦２３）、且つ
１．５≦ｂ≦７（より好ましくは１．５≦ｂ≦３）であ
ることが好ましい。なお、記録膜１６にこの組成の材料
を用いる場合、高線速（６ｍ／ｓ〜１０ｍ／ｓ）での記
録再生に対して特に有効である。
3+aにおいて、Ｇｅの一部をＳｎおよびＰｂから選択さ
れる少なくとも一方の元素（Ｍ３）で置換した材料で形
成してもよい。この材料を用いた場合、Ｇｅを置換した
Ｍ３が結晶化能を向上させるため、記録膜１６の膜厚が
薄い場合でも十分な消去率が得られる。Ｍ３としては、
毒性がない点でＳｎがより好ましい。なお、この場合も
０＜ａ≦６０（より好ましくは４≦ａ≦２３）、且つ
１．５≦ｂ≦７（より好ましくは１．５≦ｂ≦３）であ
ることが好ましい。なお、記録膜１６にこの組成の材料
を用いる場合、高線速（６ｍ／ｓ〜１０ｍ／ｓ）での記
録再生に対して特に有効である。
【００７４】また、記録膜１６は、組成式（ＧｅaＭ２b
Ｔｅ3+a）100-cＭ４c（但し、Ｍ４はＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｅ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇｄ、Ｔｄ、ＤｙおよびＡ
ｕから選ばれる少なくとも一つの元素）で表される材料
で形成しても良い。この場合、添加された元素Ｍ４が記
録膜の融点及び結晶化温度を上昇させるため、記録膜１
６の熱的安定性が向上する。このような材料では、０＜
ｃ≦２０であることが好ましく、２≦ｃ≦１０であるこ
とがより好ましい。また、０＜ａ≦６０（より好ましく
は４≦ａ≦２３）、且つ１．５≦ｂ≦７（より好ましく
は１．５≦ｂ≦３）であることが好ましい。なお、記録
膜１６にこの組成の材料を用いる場合、低線速（３ｍ／
ｓ〜４ｍ／ｓ）での記録再生に対して特に有効である。
Ｔｅ3+a）100-cＭ４c（但し、Ｍ４はＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｅ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇｄ、Ｔｄ、ＤｙおよびＡ
ｕから選ばれる少なくとも一つの元素）で表される材料
で形成しても良い。この場合、添加された元素Ｍ４が記
録膜の融点及び結晶化温度を上昇させるため、記録膜１
６の熱的安定性が向上する。このような材料では、０＜
ｃ≦２０であることが好ましく、２≦ｃ≦１０であるこ
とがより好ましい。また、０＜ａ≦６０（より好ましく
は４≦ａ≦２３）、且つ１．５≦ｂ≦７（より好ましく
は１．５≦ｂ≦３）であることが好ましい。なお、記録
膜１６にこの組成の材料を用いる場合、低線速（３ｍ／
ｓ〜４ｍ／ｓ）での記録再生に対して特に有効である。
【００７５】また、記録膜１６は、組成式（ＳｂdＴｅ
100-d）100-e（Ｍ５）e（但し、Ｍ５はＡｇ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｂｉ、ＡｕおよびＭｎから選択される
少なくとも一つの元素）で表される材料で形成してもよ
い。ｄおよびｅが、５０≦ｄ≦９５および０＜ｅ≦２０
を満たす場合には、記録膜１６が結晶相の場合と非晶質
相の場合との間の光学的情報記録媒体１の反射率差を大
きくできるので、良好な記録再生特性が得られる。６５
≦ｄの場合には、結晶化速度が特に速く、特に良好な消
去率が得られる。また、８０≦ｄの場合には、非晶質化
が困難となる。従って、６５≦ｄ≦８５であることがよ
り好ましい。また、良好な記録再生性能を得るために
は、結晶化速度を調整するためのＭ５を添加することが
好ましい。ｅは、１≦ｅ≦１０であることがより好まし
い。ｅ≦１０の場合には、複数の相が現れることを抑制
できるため、繰り返し記録による特性劣化を抑制でき
る。
100-d）100-e（Ｍ５）e（但し、Ｍ５はＡｇ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｂｉ、ＡｕおよびＭｎから選択される
少なくとも一つの元素）で表される材料で形成してもよ
い。ｄおよびｅが、５０≦ｄ≦９５および０＜ｅ≦２０
を満たす場合には、記録膜１６が結晶相の場合と非晶質
相の場合との間の光学的情報記録媒体１の反射率差を大
きくできるので、良好な記録再生特性が得られる。６５
≦ｄの場合には、結晶化速度が特に速く、特に良好な消
去率が得られる。また、８０≦ｄの場合には、非晶質化
が困難となる。従って、６５≦ｄ≦８５であることがよ
り好ましい。また、良好な記録再生性能を得るために
は、結晶化速度を調整するためのＭ５を添加することが
好ましい。ｅは、１≦ｅ≦１０であることがより好まし
い。ｅ≦１０の場合には、複数の相が現れることを抑制
できるため、繰り返し記録による特性劣化を抑制でき
る。
【００７６】記録膜１６の膜厚は、記録感度を高くする
ため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好まし
い。この範囲内においても、記録膜１６が厚すぎる場合
には、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影
響が大きくなる。また、記録膜１６が薄すぎる場合に
は、光学的情報記録媒体１の反射率が小さくなる。従っ
て、記録膜１６の膜厚は、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内で
あることがより好ましい。
ため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好まし
い。この範囲内においても、記録膜１６が厚すぎる場合
には、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影
響が大きくなる。また、記録膜１６が薄すぎる場合に
は、光学的情報記録媒体１の反射率が小さくなる。従っ
て、記録膜１６の膜厚は、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内で
あることがより好ましい。
【００７７】反射膜２０は、記録膜１６に吸収される光
量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反
射膜２０は、記録膜１６で生じた熱を速やかに拡散さ
せ、記録膜１６を非晶質化し易くするという熱的な機能
も有する。さらに、反射膜２０は、使用する環境から多
層膜を保護するという機能も有する。
量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反
射膜２０は、記録膜１６で生じた熱を速やかに拡散さ
せ、記録膜１６を非晶質化し易くするという熱的な機能
も有する。さらに、反射膜２０は、使用する環境から多
層膜を保護するという機能も有する。
【００７８】反射膜２０の材料には、例えば、Ａｇ、Ａ
ｕ、ＣｕおよびＡｌといった熱伝導率が高い単体金属
や、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃ
ｒ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔ
ｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ
−ＣｕまたはＣｕ−Ｓｉといった合金を用いることがで
きる。特にＡｇ合金は、熱伝導率が大きいため、反射膜
２０の材料として好ましい。反射膜２０の膜厚は、熱拡
散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好まし
い。この膜厚範囲においても、反射膜２０が２００ｎｍ
より厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて
光学的情報記録媒体１の記録感度が低下する。従って、
反射膜２０の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であ
ることがより好ましい。
ｕ、ＣｕおよびＡｌといった熱伝導率が高い単体金属
や、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃ
ｒ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔ
ｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ
−ＣｕまたはＣｕ−Ｓｉといった合金を用いることがで
きる。特にＡｇ合金は、熱伝導率が大きいため、反射膜
２０の材料として好ましい。反射膜２０の膜厚は、熱拡
散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好まし
い。この膜厚範囲においても、反射膜２０が２００ｎｍ
より厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて
光学的情報記録媒体１の記録感度が低下する。従って、
反射膜２０の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であ
ることがより好ましい。
【００７９】反射膜２０のレーザ入射側の界面に金属膜
１９を配置しても良い。この場合、金属膜１９には、反
射膜２０について説明した材料より熱伝導率の低い材料
を用いることができる。反射膜２０にＡｇ合金を用いた
場合、金属膜１９にＡｌまたはＡｌ合金を用いることが
好ましい。また、金属膜１９の膜厚は３ｎｍ〜１００ｎ
ｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍであるこ
とがより好ましい。
１９を配置しても良い。この場合、金属膜１９には、反
射膜２０について説明した材料より熱伝導率の低い材料
を用いることができる。反射膜２０にＡｇ合金を用いた
場合、金属膜１９にＡｌまたはＡｌ合金を用いることが
好ましい。また、金属膜１９の膜厚は３ｎｍ〜１００ｎ
ｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍであるこ
とがより好ましい。
【００８０】以上のような構成の光学的情報記録媒体１
は、記録膜１６と入射側および反入射側の誘電体膜１
５，１７との密着性が良好で信頼性が高く、書き換え性
能が良好で、且つ記録膜１６の結晶化能の向上による大
容量化が実現できる。
は、記録膜１６と入射側および反入射側の誘電体膜１
５，１７との密着性が良好で信頼性が高く、書き換え性
能が良好で、且つ記録膜１６の結晶化能の向上による大
容量化が実現できる。
【００８１】（実施の形態２）本発明の光学的情報記録
媒体の別の実施の形態を説明する。図２に、本実施の形
態の光学的情報記録媒体２の断面構成を示す。光学的情
報記録媒体２は、複数の情報層を含んでおり、片面から
のレーザ光の照射によって各情報層に対する情報の記録
再生が可能な、多層構造の光学的情報記録媒体である。
媒体の別の実施の形態を説明する。図２に、本実施の形
態の光学的情報記録媒体２の断面構成を示す。光学的情
報記録媒体２は、複数の情報層を含んでおり、片面から
のレーザ光の照射によって各情報層に対する情報の記録
再生が可能な、多層構造の光学的情報記録媒体である。
【００８２】光学的情報記録媒体２においては、基板２
１上に第１〜第ｎまでのｎ個（ｎはｎ≧２を満たす自然
数）の情報層２２1〜２２nが積層され、さらに、透明層
２３が設けられている。なお、本明細書においては、レ
ーザ光の入射側から数えて１番目の情報層を第１の情報
層２２1、ｎ番目の情報層を第ｎの情報層２２nと記載す
る。互いに隣接する情報層は、光学分離層２４を介して
積層されている。光学的情報記録媒体２においては、第
１の情報層２２1〜第（ｎ−１）の情報層２２n -1は、光
透過性を有している。第ｎの情報層２２nにまでレーザ
光を到達させる必要があるからである。
１上に第１〜第ｎまでのｎ個（ｎはｎ≧２を満たす自然
数）の情報層２２1〜２２nが積層され、さらに、透明層
２３が設けられている。なお、本明細書においては、レ
ーザ光の入射側から数えて１番目の情報層を第１の情報
層２２1、ｎ番目の情報層を第ｎの情報層２２nと記載す
る。互いに隣接する情報層は、光学分離層２４を介して
積層されている。光学的情報記録媒体２においては、第
１の情報層２２1〜第（ｎ−１）の情報層２２n -1は、光
透過性を有している。第ｎの情報層２２nにまでレーザ
光を到達させる必要があるからである。
【００８３】基板２１および透明層２３の材料には、そ
れぞれ、実施の形態１で説明した基板１１および透明層
１３と同様の材料を用いることができる。また、それら
の形状および機能についても、実施の形態１の場合と同
様である。
れぞれ、実施の形態１で説明した基板１１および透明層
１３と同様の材料を用いることができる。また、それら
の形状および機能についても、実施の形態１の場合と同
様である。
【００８４】光学分離層２４は、光硬化型樹脂（特に紫
外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、或い
は誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収
率が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に
複屈折率が小さいことが好ましい。
外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、或い
は誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収
率が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に
複屈折率が小さいことが好ましい。
【００８５】各情報層間に設けられる光学分離層２４
は、第１の情報層２２1、第２の情報層２２2、…、第ｎ
の情報層２２nそれぞれのフォーカス位置を区別するた
めに用いられる。光学分離層２４の厚さは、対物レンズ
の開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定され
る焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光
強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、焦
点深度ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似でき
る。λ＝４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６の時、ΔＺ＝０．５
５６μｍとなり、±０．６μｍ以内は焦点深度内とな
る。そのため、この場合には、光学分離層２４の厚さは
１．２μｍ以上であることが必要である。また、対物レ
ンズを用いてレーザ光を集光可能な範囲となるように、
各情報層間の距離を設定することが望ましい。従って、
光学分離層２４の厚さは、対物レンズが許容できる公差
内（例えば５０μｍ以下）にすることが好ましい。
は、第１の情報層２２1、第２の情報層２２2、…、第ｎ
の情報層２２nそれぞれのフォーカス位置を区別するた
めに用いられる。光学分離層２４の厚さは、対物レンズ
の開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定され
る焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光
強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、焦
点深度ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似でき
る。λ＝４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６の時、ΔＺ＝０．５
５６μｍとなり、±０．６μｍ以内は焦点深度内とな
る。そのため、この場合には、光学分離層２４の厚さは
１．２μｍ以上であることが必要である。また、対物レ
ンズを用いてレーザ光を集光可能な範囲となるように、
各情報層間の距離を設定することが望ましい。従って、
光学分離層２４の厚さは、対物レンズが許容できる公差
内（例えば５０μｍ以下）にすることが好ましい。
【００８６】光学分離層２４において、レーザ光の入射
側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内
溝が形成されていてもよい。この場合、片側からのレー
ザ光の照射のみにより、第ｋの情報層（ｋは１＜ｋ≦ｎ
の自然数）２２kを第１の情報層２２1〜第（ｋ−１）の
情報層２２k-1を透過したレーザ光によって記録再生す
ることが可能である。
側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内
溝が形成されていてもよい。この場合、片側からのレー
ザ光の照射のみにより、第ｋの情報層（ｋは１＜ｋ≦ｎ
の自然数）２２kを第１の情報層２２1〜第（ｋ−１）の
情報層２２k-1を透過したレーザ光によって記録再生す
ることが可能である。
【００８７】以下、第１の情報層２２1の構成について
詳細に説明する。第１の情報層２２1には、レーザ光の
入射側から順に配置された入射側保護膜２５、入射側誘
電体膜（第１の誘電体膜）２６、記録膜２７、反入射側
誘電体膜（第２の誘電体膜）２８、反射膜２９、および
透過率調整膜３０が設けられている。
詳細に説明する。第１の情報層２２1には、レーザ光の
入射側から順に配置された入射側保護膜２５、入射側誘
電体膜（第１の誘電体膜）２６、記録膜２７、反入射側
誘電体膜（第２の誘電体膜）２８、反射膜２９、および
透過率調整膜３０が設けられている。
【００８８】入射側保護膜２５には、実施の形態１で説
明した入射側保護膜１４と同様の材料を用いることがで
き、また、機能も入射側保護膜１４と同様である。入射
側保護膜２５の膜厚は、マトリクス法に基づく計算によ
り、記録膜２７が結晶相である場合と非晶質相である場
合との間の反射光量の変化が大きくなり、且つ、記録膜
２７での光吸収が大きくなるという条件を満足するよう
に決定することができる。
明した入射側保護膜１４と同様の材料を用いることがで
き、また、機能も入射側保護膜１４と同様である。入射
側保護膜２５の膜厚は、マトリクス法に基づく計算によ
り、記録膜２７が結晶相である場合と非晶質相である場
合との間の反射光量の変化が大きくなり、且つ、記録膜
２７での光吸収が大きくなるという条件を満足するよう
に決定することができる。
【００８９】入射側誘電体膜２６には、実施の形態１で
説明した入射側誘電体膜１５と同様の材料を用いること
ができ、また、機能および形状も入射側誘電体膜１５と
同様である。
説明した入射側誘電体膜１５と同様の材料を用いること
ができ、また、機能および形状も入射側誘電体膜１５と
同様である。
【００９０】反入射側誘電体膜２８には、実施の形態１
で説明した反入射側誘電体膜１７と同様の材料を用いる
ことができ、また、機能および形状も反入射側誘電体膜
１７と同様である。
で説明した反入射側誘電体膜１７と同様の材料を用いる
ことができ、また、機能および形状も反入射側誘電体膜
１７と同様である。
【００９１】記録膜２７には、実施の形態１で説明した
記録膜１６と同様の材料を用いることができる。記録膜
２７の膜厚はなるべく薄くすることが好ましい。これ
は、第１の情報層２２1を透過したレーザ光にて情報の
記録再生を行う情報層（第１の情報層２２1よりもレー
ザ光入射側から遠くに配置された情報層）に記録再生の
際に必要なレーザ光量を到達させるために、第１の情報
層２２1の透過率を高くする必要があるからである。例
えば、組成式Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aで表される材料、
Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aにおいてＧｅの一部を（Ｍ３）
にて置換した材料、および組成式（Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ
3+a）100-c（Ｍ４）cで表される材料の場合には、３ｎ
ｍ〜９ｎｍの範囲内であることが好ましく、４ｎｍ〜８
ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、記録膜
２７が組成式（ＳｂdＴｅ100-d）10 0-e（Ｍ５）eで表さ
れる材料にて形成されている場合は、厚みは１ｎｍ〜７
ｎｍの範囲内であることが好ましく、２ｎｍ〜６ｎｍの
範囲内であることがより好ましい。
記録膜１６と同様の材料を用いることができる。記録膜
２７の膜厚はなるべく薄くすることが好ましい。これ
は、第１の情報層２２1を透過したレーザ光にて情報の
記録再生を行う情報層（第１の情報層２２1よりもレー
ザ光入射側から遠くに配置された情報層）に記録再生の
際に必要なレーザ光量を到達させるために、第１の情報
層２２1の透過率を高くする必要があるからである。例
えば、組成式Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aで表される材料、
Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aにおいてＧｅの一部を（Ｍ３）
にて置換した材料、および組成式（Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ
3+a）100-c（Ｍ４）cで表される材料の場合には、３ｎ
ｍ〜９ｎｍの範囲内であることが好ましく、４ｎｍ〜８
ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、記録膜
２７が組成式（ＳｂdＴｅ100-d）10 0-e（Ｍ５）eで表さ
れる材料にて形成されている場合は、厚みは１ｎｍ〜７
ｎｍの範囲内であることが好ましく、２ｎｍ〜６ｎｍの
範囲内であることがより好ましい。
【００９２】反射膜２９には、実施の形態１で説明した
反射膜２０と同様の材料を用いることができ、また、機
能も反射膜２０と同様である。反射膜２９の膜厚は、第
１の情報層２２1の透過率をできるだけ高くするため、
３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎ
ｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。反射
膜２９の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡
散機能が十分で、且つ第１の情報層２２1における十分
な反射率が確保でき、さらに第１の情報層２２1の透過
率も十分となる。
反射膜２０と同様の材料を用いることができ、また、機
能も反射膜２０と同様である。反射膜２９の膜厚は、第
１の情報層２２1の透過率をできるだけ高くするため、
３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎ
ｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。反射
膜２９の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡
散機能が十分で、且つ第１の情報層２２1における十分
な反射率が確保でき、さらに第１の情報層２２1の透過
率も十分となる。
【００９３】透過率調整膜３０は誘電体からなり、第１
の情報層２２1の透過率を調整する機能を有する。この
透過率調整膜３０によって、記録膜２７が結晶相である
場合の第１の情報層２２1における透過率Ｔc（％）と、
記録膜２７が非晶質相である場合の第１の情報層２２1
における透過率Ｔa（％）とを、共に高くすることがで
きる。具体的には、透過率調整膜３０を備える第１の情
報層２２1では、透過率調整膜３０が無い場合に比べ
て、透過率ＴcおよびＴaが２％〜１０％程度上昇する。
また、透過率調整膜３０は、記録膜２７で発生した熱を
効果的に拡散させる機能も有する。
の情報層２２1の透過率を調整する機能を有する。この
透過率調整膜３０によって、記録膜２７が結晶相である
場合の第１の情報層２２1における透過率Ｔc（％）と、
記録膜２７が非晶質相である場合の第１の情報層２２1
における透過率Ｔa（％）とを、共に高くすることがで
きる。具体的には、透過率調整膜３０を備える第１の情
報層２２1では、透過率調整膜３０が無い場合に比べ
て、透過率ＴcおよびＴaが２％〜１０％程度上昇する。
また、透過率調整膜３０は、記録膜２７で発生した熱を
効果的に拡散させる機能も有する。
【００９４】透過率調整膜３０の屈折率ｎ1および消衰
係数ｋ1は、第１の情報層２２1の透過率ＴcおよびＴaを
高める作用をより大きくするために、２．０≦ｎ1、且
つ、ｋ1≦０．１を満たすことが好ましく、２．０≦ｎ1
≦３．０、且つ、ｋ1≦０．０５を満たすことがより好
ましい。
係数ｋ1は、第１の情報層２２1の透過率ＴcおよびＴaを
高める作用をより大きくするために、２．０≦ｎ1、且
つ、ｋ1≦０．１を満たすことが好ましく、２．０≦ｎ1
≦３．０、且つ、ｋ1≦０．０５を満たすことがより好
ましい。
【００９５】透過率調整膜３０の膜厚ｄ1は、（１／３
２）λ／ｎ1≦ｄ1≦（３／１６）λ／ｎ1または（１７
／３２）λ／ｎ1≦ｄ1≦（１１／１６）λ／ｎ1の範囲
内であることが好ましく、（１／１６）λ／ｎ1≦ｄ1≦
（５／３２）λ／ｎ1または（９／１６）λ／ｎ1≦ｄ1
≦（２１／３２）λ／ｎ1の範囲内であることがより好
ましい。なお、例えばレーザ光の波長λと透過率調整膜
３０の屈折率ｎ1とを３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、
２．０≦ｎ1≦３．０とすると、膜厚ｄ1は３ｎｍ≦ｄ1
≦４０ｎｍまたは６０ｎｍ≦ｄ1≦１３０ｎｍの範囲内
であることが好ましく、７ｎｍ≦ｄ1≦３０ｎｍまたは
６５ｎｍ≦ｄ1≦１２０ｎｍの範囲内であることがより
好ましいことになる。膜厚ｄ1をこの範囲内で選ぶこと
によって、第１の情報層２２1の透過率ＴcおよびＴaを
共に高くすることができる。
２）λ／ｎ1≦ｄ1≦（３／１６）λ／ｎ1または（１７
／３２）λ／ｎ1≦ｄ1≦（１１／１６）λ／ｎ1の範囲
内であることが好ましく、（１／１６）λ／ｎ1≦ｄ1≦
（５／３２）λ／ｎ1または（９／１６）λ／ｎ1≦ｄ1
≦（２１／３２）λ／ｎ1の範囲内であることがより好
ましい。なお、例えばレーザ光の波長λと透過率調整膜
３０の屈折率ｎ1とを３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、
２．０≦ｎ1≦３．０とすると、膜厚ｄ1は３ｎｍ≦ｄ1
≦４０ｎｍまたは６０ｎｍ≦ｄ1≦１３０ｎｍの範囲内
であることが好ましく、７ｎｍ≦ｄ1≦３０ｎｍまたは
６５ｎｍ≦ｄ1≦１２０ｎｍの範囲内であることがより
好ましいことになる。膜厚ｄ1をこの範囲内で選ぶこと
によって、第１の情報層２２1の透過率ＴcおよびＴaを
共に高くすることができる。
【００９６】透過率調整膜３０には、例えば、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3等の酸化物を用い
ることができる。また、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−
Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−
Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用い
ることもできる。また、ＺｎＳなどの硫化物を用いるこ
ともできる。また、上記材料の混合物を用いることもで
きる。これらの中でも、特に、ＴｉＯ2、またはＴｉＯ2
を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈
折率が大きく（ｎ1＝２．５〜２．８）、消衰係数も小
さい（ｋ1＝０．０〜０．０５）ため、第１の情報層２
２1の透過率を高める作用が大きくなる。
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3等の酸化物を用い
ることができる。また、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−
Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−
Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用い
ることもできる。また、ＺｎＳなどの硫化物を用いるこ
ともできる。また、上記材料の混合物を用いることもで
きる。これらの中でも、特に、ＴｉＯ2、またはＴｉＯ2
を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈
折率が大きく（ｎ1＝２．５〜２．８）、消衰係数も小
さい（ｋ1＝０．０〜０．０５）ため、第１の情報層２
２1の透過率を高める作用が大きくなる。
【００９７】第１の情報層２２1の透過率ＴcおよびＴa
は、記録再生の際に必要なレーザ光量を第２の情報層２
２2〜第ｎの情報層２２nに到達させるため、４０＜
Ｔc、且つ、４０＜Ｔaを満たすことが好ましく、４６＜
Ｔc、且つ、４６＜Ｔaを満たすことがより好ましい。
は、記録再生の際に必要なレーザ光量を第２の情報層２
２2〜第ｎの情報層２２nに到達させるため、４０＜
Ｔc、且つ、４０＜Ｔaを満たすことが好ましく、４６＜
Ｔc、且つ、４６＜Ｔaを満たすことがより好ましい。
【００９８】第１の情報層２２1の透過率ＴcおよびＴa
は、−５≦（Ｔc−Ｔa）≦５を満たすことが好ましく、
−３≦（Ｔc−Ｔa）≦３を満たすことがより好ましい。
透過率ＴcおよびＴaがこの条件を満たすことにより、第
２〜第ｎの情報層２２2〜２２nに情報の記録再生を行う
際、第１の情報層２２1における記録膜２７の状態によ
る透過率の変化の影響が小さくなるので、良好な記録再
生特性が得られる。
は、−５≦（Ｔc−Ｔa）≦５を満たすことが好ましく、
−３≦（Ｔc−Ｔa）≦３を満たすことがより好ましい。
透過率ＴcおよびＴaがこの条件を満たすことにより、第
２〜第ｎの情報層２２2〜２２nに情報の記録再生を行う
際、第１の情報層２２1における記録膜２７の状態によ
る透過率の変化の影響が小さくなるので、良好な記録再
生特性が得られる。
【００９９】記録膜２７が結晶相の時の第１の情報層２
２1の反射率Ｒc1および記録膜２７が非晶質相の時の第
１の情報層２２1の反射率Ｒa1は、Ｒa1＜Ｒc1を満たす
ことが好ましい。このことにより、情報が記録された状
態よりも情報が記録されていない初期の状態で反射率が
高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、
反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして良好な記録再生特
性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦
５、且つ、４≦Ｒc1≦１５を満たすことが好ましく、
０．１≦Ｒa1≦３、且つ、４≦Ｒc1≦１０を満たすこと
がより好ましい。
２1の反射率Ｒc1および記録膜２７が非晶質相の時の第
１の情報層２２1の反射率Ｒa1は、Ｒa1＜Ｒc1を満たす
ことが好ましい。このことにより、情報が記録された状
態よりも情報が記録されていない初期の状態で反射率が
高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、
反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして良好な記録再生特
性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦
５、且つ、４≦Ｒc1≦１５を満たすことが好ましく、
０．１≦Ｒa1≦３、且つ、４≦Ｒc1≦１０を満たすこと
がより好ましい。
【０１００】なお、本実施の形態の光学的情報記録媒体
２に含まれる第１の情報層２２1以外の他の情報層の膜
構造は、第１の情報層２２1と同様であってもよく、ま
た、別の構造であってもよい。また、複数の情報層のう
ちの少なくとも一つを本実施の形態で説明した第１の情
報層２２1と同様の膜構造とし、他の情報層は異なる構
造であっても構わないが、レーザ光入射側の面に最も近
い位置に配置される第１の情報層２２1を本実施の形態
で説明した膜構造にすることが好ましい。また、第１の
情報層２２1以外の他の情報層の何れか一つを、再生専
用タイプの情報層（ＲＯＭ（Read Only Memory））また
は１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（ＷＯ（Writ
e Once））としても良い。
２に含まれる第１の情報層２２1以外の他の情報層の膜
構造は、第１の情報層２２1と同様であってもよく、ま
た、別の構造であってもよい。また、複数の情報層のう
ちの少なくとも一つを本実施の形態で説明した第１の情
報層２２1と同様の膜構造とし、他の情報層は異なる構
造であっても構わないが、レーザ光入射側の面に最も近
い位置に配置される第１の情報層２２1を本実施の形態
で説明した膜構造にすることが好ましい。また、第１の
情報層２２1以外の他の情報層の何れか一つを、再生専
用タイプの情報層（ＲＯＭ（Read Only Memory））また
は１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（ＷＯ（Writ
e Once））としても良い。
【０１０１】以上のような構成の光学的情報記録媒体２
は、記録膜２７と入射側および反入射側の誘電体膜２
６，２８との密着性が良好で信頼性が高く、書き換え性
能が良好で、且つ記録膜２７の結晶化能の向上により大
容量化が実現できる。
は、記録膜２７と入射側および反入射側の誘電体膜２
６，２８との密着性が良好で信頼性が高く、書き換え性
能が良好で、且つ記録膜２７の結晶化能の向上により大
容量化が実現できる。
【０１０２】（実施の形態３）本発明の光学的情報記録
媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図３に、本実
施の形態の光学的情報記録媒体３の断面構成を示す。光
学的情報記録媒体３は、２つの情報層を含んでおり、片
面からのレーザ光の照射によって各情報層に対する情報
の記録再生が可能な多層構造の光学的情報記録媒体であ
る。
媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図３に、本実
施の形態の光学的情報記録媒体３の断面構成を示す。光
学的情報記録媒体３は、２つの情報層を含んでおり、片
面からのレーザ光の照射によって各情報層に対する情報
の記録再生が可能な多層構造の光学的情報記録媒体であ
る。
【０１０３】光学的情報記録媒体３は、基板３１上に順
次積層した、第２の情報層３２2、光学分離層３４、第
１の情報層３２1、および透明層３３により構成されて
いる。レーザ光は透明層３３側から入射される。基板３
１、光学分離層３４、第１の情報層３２1、および透明
層３３には、実施の形態１または２で説明した基板１
１，２１、光学分離層２４、第１の情報層２２1、透明
層１３，２３と同様の材料を用いることができ、また、
形状および機能も同様である。
次積層した、第２の情報層３２2、光学分離層３４、第
１の情報層３２1、および透明層３３により構成されて
いる。レーザ光は透明層３３側から入射される。基板３
１、光学分離層３４、第１の情報層３２1、および透明
層３３には、実施の形態１または２で説明した基板１
１，２１、光学分離層２４、第１の情報層２２1、透明
層１３，２３と同様の材料を用いることができ、また、
形状および機能も同様である。
【０１０４】以下、第２の情報層３２2の構成について
詳細に説明する。第２の情報層３２2には、レーザ光入
射側から順に配置された入射側保護膜３５、入射側誘電
体膜（第１の誘電体膜）３６、記録膜３７、反入射側誘
電体膜（第２の誘電体膜）３８、反入射側保護膜３９、
金属膜４０、および反射膜４１が設けられている。第２
の情報層３２2は、透明層３３および第１の情報層３
２1、および光学分離層３４を透過したレーザ光によっ
て情報の記録再生が行われる。
詳細に説明する。第２の情報層３２2には、レーザ光入
射側から順に配置された入射側保護膜３５、入射側誘電
体膜（第１の誘電体膜）３６、記録膜３７、反入射側誘
電体膜（第２の誘電体膜）３８、反入射側保護膜３９、
金属膜４０、および反射膜４１が設けられている。第２
の情報層３２2は、透明層３３および第１の情報層３
２1、および光学分離層３４を透過したレーザ光によっ
て情報の記録再生が行われる。
【０１０５】入射側保護膜３５には、実施の形態１で説
明した入射側保護膜１４と同様の材料を用いることがで
き、また、機能についても同様である。入射側保護膜３
５の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録膜
３７が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の
反射光量の変化が大きくなり、且つ記録膜３７での光吸
収が大きくなるという条件を満足するように決定するこ
とができる。
明した入射側保護膜１４と同様の材料を用いることがで
き、また、機能についても同様である。入射側保護膜３
５の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、記録膜
３７が結晶相である場合と非晶質相である場合との間の
反射光量の変化が大きくなり、且つ記録膜３７での光吸
収が大きくなるという条件を満足するように決定するこ
とができる。
【０１０６】入射側誘電体膜３６には、実施の形態１で
説明した入射側誘電体膜１５と同様の材料を用いること
ができ、また、機能および形状も同様である。
説明した入射側誘電体膜１５と同様の材料を用いること
ができ、また、機能および形状も同様である。
【０１０７】反入射側誘電体膜３８には、実施の形態１
で説明した反入射側誘電体膜１７と同様の材料を用いる
ことができ、また、機能および形状も同様である。
で説明した反入射側誘電体膜１７と同様の材料を用いる
ことができ、また、機能および形状も同様である。
【０１０８】記録膜３７には、実施の形態１で説明した
記録膜１６と同様の材料を用いることができ、また、膜
厚も同様である。
記録膜１６と同様の材料を用いることができ、また、膜
厚も同様である。
【０１０９】反入射側保護膜３９には、実施の形態１で
説明した反入射側保護膜１８と同様の材料を用いること
ができ、また、機能および形状も同様である。なお、反
入射側保護膜３９を設けない構成とすることも可能であ
る。
説明した反入射側保護膜１８と同様の材料を用いること
ができ、また、機能および形状も同様である。なお、反
入射側保護膜３９を設けない構成とすることも可能であ
る。
【０１１０】金属膜４０には、実施の形態１で説明した
金属膜１９と同様の材料を用いることができ、また、機
能および形状も同様である。なお、金属膜４０を設けな
い構成とすることも可能である。
金属膜１９と同様の材料を用いることができ、また、機
能および形状も同様である。なお、金属膜４０を設けな
い構成とすることも可能である。
【０１１１】反射膜４１には、実施の形態１で説明した
反射膜２０と同様の材料を用いることができ、また、そ
れらの機能および形状も同様である。
反射膜２０と同様の材料を用いることができ、また、そ
れらの機能および形状も同様である。
【０１１２】以上のような構成の光学的情報記録媒体３
は、第１の情報層３２1および第２の情報層３２2共に、
入射側誘電体膜２６，３６および反入射側誘電体膜２
８，３８と記録膜２７，３７との密着性が良好で信頼性
が高く、書き換え性能が良好で、且つ記録膜２７，３７
の結晶化能の向上による大容量化も実現できる。
は、第１の情報層３２1および第２の情報層３２2共に、
入射側誘電体膜２６，３６および反入射側誘電体膜２
８，３８と記録膜２７，３７との密着性が良好で信頼性
が高く、書き換え性能が良好で、且つ記録膜２７，３７
の結晶化能の向上による大容量化も実現できる。
【０１１３】（実施の形態４）本発明の光学的情報記録
媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図４に、本実
施の形態の光学的情報記録媒体５の断面構成を示す。光
学的情報記録媒体５は、複数の情報層を含んでおり、片
面からのレーザ光の照射によって各情報層に対する記録
再生が可能な多層構造の光学的情報記録媒体である。
媒体のさらに別の実施の形態を説明する。図４に、本実
施の形態の光学的情報記録媒体５の断面構成を示す。光
学的情報記録媒体５は、複数の情報層を含んでおり、片
面からのレーザ光の照射によって各情報層に対する記録
再生が可能な多層構造の光学的情報記録媒体である。
【０１１４】光学的情報記録媒体５では、実施の形態１
〜３で説明した光学的情報記録媒体１〜３と異なり、基
板５１がレーザ光入射側に配置されている。この基板５
１上にｎ個の第１〜第ｎの情報層５２1〜５２nが積層さ
れ、さらに、接着層５３を介してダミー基板５４が配置
されている。ｎ個の情報層５２1〜５２nは、光学分離層
５５を介して互いに積層されている。
〜３で説明した光学的情報記録媒体１〜３と異なり、基
板５１がレーザ光入射側に配置されている。この基板５
１上にｎ個の第１〜第ｎの情報層５２1〜５２nが積層さ
れ、さらに、接着層５３を介してダミー基板５４が配置
されている。ｎ個の情報層５２1〜５２nは、光学分離層
５５を介して互いに積層されている。
【０１１５】基板５１およびダミー基板５４は、実施の
形態１で説明した基板１１と同様に、透明で円盤状の基
板である。基板５１およびダミー基板５４には、例え
ば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、
またはＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを用いることが
できる。
形態１で説明した基板１１と同様に、透明で円盤状の基
板である。基板５１およびダミー基板５４には、例え
ば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、
またはＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスを用いることが
できる。
【０１１６】基板５１の第１の情報層５２1側の表面に
は、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝が形成さ
れていても良い。基板５１の第１の情報層５２1側と反
対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板５１お
よびダミー基板５４の材料としては、転写性および量産
性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネート
が特に好ましい。なお、基板５１の厚さは、十分な強度
があり、且つ光学的情報記録媒体５の厚さが全体で１２
００μｍ程度となるよう、５００μｍ〜１２００μｍの
範囲内であることが好ましい。
は、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝が形成さ
れていても良い。基板５１の第１の情報層５２1側と反
対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板５１お
よびダミー基板５４の材料としては、転写性および量産
性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネート
が特に好ましい。なお、基板５１の厚さは、十分な強度
があり、且つ光学的情報記録媒体５の厚さが全体で１２
００μｍ程度となるよう、５００μｍ〜１２００μｍの
範囲内であることが好ましい。
【０１１７】接着層５３は、光硬化型樹脂（特に紫外線
硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、
使用するレーザ光に対して光吸収率が小さいことが好ま
しく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいこと
が好ましい。
硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、
使用するレーザ光に対して光吸収率が小さいことが好ま
しく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいこと
が好ましい。
【０１１８】なお、第１の情報層５２1の膜構成は実施
の形態２で説明した第１の情報層２２1の膜構成と同様
であり、各膜の材料、形状、および機能等についても同
様である。また、光学分離層５４は、実施の形態２で説
明した光学分離層２４と同様の材料を用いることがで
き、形状および機能も同様である。
の形態２で説明した第１の情報層２２1の膜構成と同様
であり、各膜の材料、形状、および機能等についても同
様である。また、光学分離層５４は、実施の形態２で説
明した光学分離層２４と同様の材料を用いることがで
き、形状および機能も同様である。
【０１１９】以上のようにレーザ光入射側に基板５１が
配置された光学的情報記録媒体５においても、実施例１
〜３で説明した光学的情報記録媒体１〜３と同様の効果
を相する。
配置された光学的情報記録媒体５においても、実施例１
〜３で説明した光学的情報記録媒体１〜３と同様の効果
を相する。
【０１２０】（実施の形態５）本発明の光学的情報記録
媒体の製造方法の実施の形態について説明する。本実施
の形態においては、実施の形態１で説明した光学的情報
記録媒体１の製造方法について説明する。
媒体の製造方法の実施の形態について説明する。本実施
の形態においては、実施の形態１で説明した光学的情報
記録媒体１の製造方法について説明する。
【０１２１】まず、基板１１（例えば厚み１１００μ
ｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。続いて、基板１
１上に情報層１２を作製する。具体的には、基板１１上
にまず反射膜２０を成膜する。この時、基板１１にレー
ザ光を導くための案内溝が形成されている場合には、こ
の案内溝が形成された面に反射膜２０を成膜する。反射
膜２０は、反射膜２０を構成する金属または合金からな
るスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、ま
たはＡｒガスと反応ガス（酸素ガスおよび窒素ガスから
選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって形成できる。
ｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。続いて、基板１
１上に情報層１２を作製する。具体的には、基板１１上
にまず反射膜２０を成膜する。この時、基板１１にレー
ザ光を導くための案内溝が形成されている場合には、こ
の案内溝が形成された面に反射膜２０を成膜する。反射
膜２０は、反射膜２０を構成する金属または合金からな
るスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、ま
たはＡｒガスと反応ガス（酸素ガスおよび窒素ガスから
選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって形成できる。
【０１２２】続いて、反射膜２０上に、必要に応じて金
属膜１９を成膜する。金属膜１９は、金属膜１９を構成
する金属または合金からなるスパッタリングターゲット
を用い、反射膜２０の場合と同様の方法で形成できる。
属膜１９を成膜する。金属膜１９は、金属膜１９を構成
する金属または合金からなるスパッタリングターゲット
を用い、反射膜２０の場合と同様の方法で形成できる。
【０１２３】続いて、金属膜１９上（金属膜１９を設け
ない構成の場合は反射膜２０上）に、必要に応じて反入
射側保護膜１８を成膜する。反入射側保護膜１８は、反
入射側保護膜１８を構成する化合物からなるスパッタリ
ングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガス
と反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングする
ことによって形成できる。また、反入射側保護膜１８
は、反入射側保護膜１８を構成する元素を含む金属から
なるスパッタリングターゲットを、Ａｒガスと反応ガス
との混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすること
によっても形成できる。
ない構成の場合は反射膜２０上）に、必要に応じて反入
射側保護膜１８を成膜する。反入射側保護膜１８は、反
入射側保護膜１８を構成する化合物からなるスパッタリ
ングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガス
と反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングする
ことによって形成できる。また、反入射側保護膜１８
は、反入射側保護膜１８を構成する元素を含む金属から
なるスパッタリングターゲットを、Ａｒガスと反応ガス
との混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすること
によっても形成できる。
【０１２４】続いて、反入射側保護膜１８上（反入射側
保護膜１８を設けない構成の場合は金属膜１９上または
反射膜２０上）に、反入射側誘電体膜１７を成膜する。
反入射側誘電体膜１７は、混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ
2または混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ 2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2を含む
スパッタリングターゲット（第２のスパッタリングター
ゲット）を用いて、スパッタリングにより形成できる。
このスパッタリングターゲットに含まれる混合物がＣｒ
2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2の場合、この混合物においてＣｒ2Ｏ
3が１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることが好
ましい。また、このスパッタリングターゲットに含まれ
る混合物がＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2の場合、こ
の混合物において、 ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１５ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ
％以下 であることが好ましい。
保護膜１８を設けない構成の場合は金属膜１９上または
反射膜２０上）に、反入射側誘電体膜１７を成膜する。
反入射側誘電体膜１７は、混合物Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ
2または混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ 2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2を含む
スパッタリングターゲット（第２のスパッタリングター
ゲット）を用いて、スパッタリングにより形成できる。
このスパッタリングターゲットに含まれる混合物がＣｒ
2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2の場合、この混合物においてＣｒ2Ｏ
3が１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であることが好
ましい。また、このスパッタリングターゲットに含まれ
る混合物がＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2の場合、こ
の混合物において、 ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１５ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ
％以下 であることが好ましい。
【０１２５】これらのようなスパッタリングターゲット
を、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガスとの
混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって、
反入射側誘電体膜１７が形成できる。ここで、Ｃｒ2Ｏ3
は（Ｍ１）Ｏ2やＳｉＯ2に対してスパッタリングで形成
し易いため、スパッタリングターゲットのＣｒ2Ｏ3の含
有量は、所定の膜組成に対して若干少なくすることが好
ましい。
を、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガスとの
混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって、
反入射側誘電体膜１７が形成できる。ここで、Ｃｒ2Ｏ3
は（Ｍ１）Ｏ2やＳｉＯ2に対してスパッタリングで形成
し易いため、スパッタリングターゲットのＣｒ2Ｏ3の含
有量は、所定の膜組成に対して若干少なくすることが好
ましい。
【０１２６】続いて、反入射側誘電体膜１７上に、記録
膜１６を成膜する。記録膜１６は、その組成に応じて、
Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅ合金からなるスパッタリングターゲッ
ト、またはＧｅ−Ｍ２−Ｔｅ−Ｍ３合金からなるスパッ
タリングターゲット、またはＧｅ−Ｍ２−Ｔｅ−Ｍ４合
金からなるスパッタリングターゲット、またはＳｂ−Ｔ
ｅ−Ｍ５合金からなるスパッタリングターゲットを、一
つの電源を用いて、スパッタリングすることによって形
成できる。
膜１６を成膜する。記録膜１６は、その組成に応じて、
Ｇｅ−Ｍ２−Ｔｅ合金からなるスパッタリングターゲッ
ト、またはＧｅ−Ｍ２−Ｔｅ−Ｍ３合金からなるスパッ
タリングターゲット、またはＧｅ−Ｍ２−Ｔｅ−Ｍ４合
金からなるスパッタリングターゲット、またはＳｂ−Ｔ
ｅ−Ｍ５合金からなるスパッタリングターゲットを、一
つの電源を用いて、スパッタリングすることによって形
成できる。
【０１２７】記録膜１６を成膜する場合のスパッタリン
グの雰囲気ガスには、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ａｒガスと
反応ガスとの混合ガス、またはＫｒガスと反応ガスとの
混合ガスを用いることができる。また、記録膜１６は、
Ｇｅ、Ｔｅ、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、およびＭ５のうち必要
な金属を含むスパッタリングターゲットを複数の電源を
用いて同時にスパッタリングすることによって形成する
こともできる。また、記録膜１６は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｍ
２、Ｍ３、Ｍ４、およびＭ５から必要な元素を組み合わ
せた２元系スパッタリングターゲットや３元系スパッタ
リングターゲットなどを、複数の電源を用いて同時にス
パッタリングすることによって形成することもできる。
これらの場合でも、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気
中、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中、または
Ｋｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって形成できる。
グの雰囲気ガスには、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ａｒガスと
反応ガスとの混合ガス、またはＫｒガスと反応ガスとの
混合ガスを用いることができる。また、記録膜１６は、
Ｇｅ、Ｔｅ、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、およびＭ５のうち必要
な金属を含むスパッタリングターゲットを複数の電源を
用いて同時にスパッタリングすることによって形成する
こともできる。また、記録膜１６は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｍ
２、Ｍ３、Ｍ４、およびＭ５から必要な元素を組み合わ
せた２元系スパッタリングターゲットや３元系スパッタ
リングターゲットなどを、複数の電源を用いて同時にス
パッタリングすることによって形成することもできる。
これらの場合でも、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気
中、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中、または
Ｋｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって形成できる。
【０１２８】続いて、記録膜１６上に、入射側誘電体膜
１５を成膜する。入射側誘電体膜１６は、混合物Ｃｒ2
Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2または混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−
（Ｍ１）Ｏ2を含むスパッタリングターゲット（第１の
スパッタリングターゲット）を用いて、スパッタリング
にて形成できる。このスパッタリングターゲットに含ま
れる混合物がＣｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2である場合、この
混合物においてＣｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％
以下であることが好ましい。また、このスパッタリング
ターゲットに含まれる混合物がＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−
（Ｍ１）Ｏ2である場合は、この混合物において、 ＳｉＯ2：５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以
下 であることが好ましい。これらのようなスパッタリング
ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反
応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって、入射側誘電体膜１５が形成できる。ここで
も、Ｃｒ2Ｏ3は（Ｍ１）Ｏ2やＳｉＯ2に対してスパッタ
リングで形成し易いため、スパッタリングターゲットの
Ｃｒ2Ｏ2の含有量は、所定の膜組成に対して若干少なく
することが好ましい。
１５を成膜する。入射側誘電体膜１６は、混合物Ｃｒ2
Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2または混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−
（Ｍ１）Ｏ2を含むスパッタリングターゲット（第１の
スパッタリングターゲット）を用いて、スパッタリング
にて形成できる。このスパッタリングターゲットに含ま
れる混合物がＣｒ2Ｏ3−（Ｍ１）Ｏ2である場合、この
混合物においてＣｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％
以下であることが好ましい。また、このスパッタリング
ターゲットに含まれる混合物がＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−
（Ｍ１）Ｏ2である場合は、この混合物において、 ＳｉＯ2：５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以
下 であることが好ましい。これらのようなスパッタリング
ターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反
応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって、入射側誘電体膜１５が形成できる。ここで
も、Ｃｒ2Ｏ3は（Ｍ１）Ｏ2やＳｉＯ2に対してスパッタ
リングで形成し易いため、スパッタリングターゲットの
Ｃｒ2Ｏ2の含有量は、所定の膜組成に対して若干少なく
することが好ましい。
【０１２９】続いて、入射側誘電体膜１５上に、入射側
保護膜１４を成膜する。入射側保護膜１４は、入射側保
護膜１４を構成する化合物からなるスパッタリングター
ゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガ
スとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って形成できる。また、入射側保護膜１４は、入射側保
護膜１４を構成する元素を含む金属からなるスパッタリ
ングターゲットを、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰
囲気中で反応性スパッタリングすることによっても形成
できる。
保護膜１４を成膜する。入射側保護膜１４は、入射側保
護膜１４を構成する化合物からなるスパッタリングター
ゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガ
スとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って形成できる。また、入射側保護膜１４は、入射側保
護膜１４を構成する元素を含む金属からなるスパッタリ
ングターゲットを、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰
囲気中で反応性スパッタリングすることによっても形成
できる。
【０１３０】最後に、入射側保護膜１４上に透明層１３
を形成する。透明層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線
硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を入射側保護膜
１４上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させ
ることによって形成できる。また、透明層１３として、
透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオ
レフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスなど
の基板を用いても良い。この場合、透明層１３は、光硬
化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹
脂等の樹脂を入射側保護膜１４上に塗布して、次に基板
を入射側保護膜１４上に密着させ、全体を回転させて樹
脂を均一に延ばした（スピンコートした）後、樹脂を硬
化させることによって形成できる。また、予め粘着性の
樹脂を均一に塗布した基板を入射側保護膜１４に密着さ
せることもできる。
を形成する。透明層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線
硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を入射側保護膜
１４上に塗布してスピンコートした後、樹脂を硬化させ
ることによって形成できる。また、透明層１３として、
透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオ
レフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、或いはガラスなど
の基板を用いても良い。この場合、透明層１３は、光硬
化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹
脂等の樹脂を入射側保護膜１４上に塗布して、次に基板
を入射側保護膜１４上に密着させ、全体を回転させて樹
脂を均一に延ばした（スピンコートした）後、樹脂を硬
化させることによって形成できる。また、予め粘着性の
樹脂を均一に塗布した基板を入射側保護膜１４に密着さ
せることもできる。
【０１３１】なお、本実施の形態においては、各膜の成
膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定
されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular
Beam Epitaxy）等を用いることも可能である。
膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定
されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular
Beam Epitaxy）等を用いることも可能である。
【０１３２】なお、入射側保護膜１４を成膜した後、ま
たは透明層１３を形成した後、必要に応じて、記録膜１
６の全面を結晶化させる初期化工程を行っても良い。記
録膜１６の結晶化は、レーザ光を照射することによって
行うことができる。
たは透明層１３を形成した後、必要に応じて、記録膜１
６の全面を結晶化させる初期化工程を行っても良い。記
録膜１６の結晶化は、レーザ光を照射することによって
行うことができる。
【０１３３】以上のようにして、光学的情報記録媒体１
を製造できる。
を製造できる。
【０１３４】（実施の形態６）本発明の光学的情報記録
媒体の製造方法の別の実施の形態について説明する。本
実施の形態においては、実施の形態２で説明した光学的
情報記録媒体２の製造方法について説明する。
媒体の製造方法の別の実施の形態について説明する。本
実施の形態においては、実施の形態２で説明した光学的
情報記録媒体２の製造方法について説明する。
【０１３５】まず、基板２１（例えば厚さ１１００μ
ｍ）上に、第ｎの情報層２２n〜第２の情報層２２2の
（ｎ−１）層の情報層を、光学分離層２４を介して順次
積層する。各情報層は、単層膜または多層膜からなり、
それらの各膜は、成膜装置内で材料となるスパッタリン
グターゲットを順次スパッタリングすることによって形
成できる。また、光学分離層２４は、光硬化型樹脂（特
に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を情報
層上に塗布し、スピンコートにより樹脂を均一に延ば
し、その後で樹脂を硬化させることによって形成でき
る。なお、光学分離層２４にレーザ光の案内溝を形成す
る場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基
板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板２１と転
写用基板とを回転させてスピンコートし、その後に樹脂
を硬化させ、さらにその後に転写用基板を硬化させた樹
脂から剥がすことによって、表面に所定の案内溝が形成
された光学分離層２４を形成できる。
ｍ）上に、第ｎの情報層２２n〜第２の情報層２２2の
（ｎ−１）層の情報層を、光学分離層２４を介して順次
積層する。各情報層は、単層膜または多層膜からなり、
それらの各膜は、成膜装置内で材料となるスパッタリン
グターゲットを順次スパッタリングすることによって形
成できる。また、光学分離層２４は、光硬化型樹脂（特
に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂を情報
層上に塗布し、スピンコートにより樹脂を均一に延ば
し、その後で樹脂を硬化させることによって形成でき
る。なお、光学分離層２４にレーザ光の案内溝を形成す
る場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基
板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板２１と転
写用基板とを回転させてスピンコートし、その後に樹脂
を硬化させ、さらにその後に転写用基板を硬化させた樹
脂から剥がすことによって、表面に所定の案内溝が形成
された光学分離層２４を形成できる。
【０１３６】このようにして、基板２１上に、（ｎ−
１）層の情報層を光学分離層２４を介して順次積層した
後、さらに光学分離層２４を形成したものを用意する。
続いて、（ｎ−１）層の情報層上に形成された光学分離
層２４上に、第１の情報層２２ 1を形成する。具体的に
は、まず、（ｎ−１）層の情報層および光学分離層２４
が形成された基板２１を成膜装置内に配置し、光学分離
層２４上に透過率調整膜３０を成膜する。透過率調整膜
３０は、透過率調整膜３０を構成する化合物からなるス
パッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、または
Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって形成できる。また、透過率調整膜
３０は、透過率調整膜３０を構成する元素からなる金属
をスパッタリングターゲットとして用い、Ａｒガスと反
応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングす
ることによっても形成できる。
１）層の情報層を光学分離層２４を介して順次積層した
後、さらに光学分離層２４を形成したものを用意する。
続いて、（ｎ−１）層の情報層上に形成された光学分離
層２４上に、第１の情報層２２ 1を形成する。具体的に
は、まず、（ｎ−１）層の情報層および光学分離層２４
が形成された基板２１を成膜装置内に配置し、光学分離
層２４上に透過率調整膜３０を成膜する。透過率調整膜
３０は、透過率調整膜３０を構成する化合物からなるス
パッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、または
Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって形成できる。また、透過率調整膜
３０は、透過率調整膜３０を構成する元素からなる金属
をスパッタリングターゲットとして用い、Ａｒガスと反
応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングす
ることによっても形成できる。
【０１３７】続いて、透過率調整膜３０上に、反射膜２
９を成膜する。反射膜２９は、実施の形態５で説明した
反射膜２０と同様の方法で形成できる。
９を成膜する。反射膜２９は、実施の形態５で説明した
反射膜２０と同様の方法で形成できる。
【０１３８】続いて、反射膜２９上に、反入射側誘電体
膜２８を成膜する。反入射側誘電体膜２８は、実施の形
態５で説明した反入射側誘電体膜１７と同様の方法で形
成できる。
膜２８を成膜する。反入射側誘電体膜２８は、実施の形
態５で説明した反入射側誘電体膜１７と同様の方法で形
成できる。
【０１３９】続いて、反入射側誘電体膜２８上に、記録
膜２７を成膜する。記録膜２７は、実施の形態５で説明
した記録膜１６と同様の方法で形成できる。
膜２７を成膜する。記録膜２７は、実施の形態５で説明
した記録膜１６と同様の方法で形成できる。
【０１４０】続いて、記録膜２７上に、入射側誘電体膜
２６を成膜する。入射側誘電体膜２６は、実施の形態５
で説明した入射側誘電体膜１５と同様の方法で形成でき
る。
２６を成膜する。入射側誘電体膜２６は、実施の形態５
で説明した入射側誘電体膜１５と同様の方法で形成でき
る。
【０１４１】続いて、入射側誘電体膜２６上に、入射側
保護膜２５を成膜する。入射側保護膜２５は、実施の形
態５で説明した入射側保護膜１４と同様の方法で形成で
きる。
保護膜２５を成膜する。入射側保護膜２５は、実施の形
態５で説明した入射側保護膜１４と同様の方法で形成で
きる。
【０１４２】最後に、入射側保護膜２５上に透明層２３
を形成する。透明層２３は、実施の形態５で説明した透
明層１３と同様の方法で形成できる。
を形成する。透明層２３は、実施の形態５で説明した透
明層１３と同様の方法で形成できる。
【０１４３】なお、入射側保護膜２５を成膜した後、ま
たは透明層２３を形成した後、必要に応じて、記録膜２
７の全面を結晶化させる初期化工程を行っても良い。記
録膜２７の結晶化は、レーザ光を照射することによって
行うことができる。
たは透明層２３を形成した後、必要に応じて、記録膜２
７の全面を結晶化させる初期化工程を行っても良い。記
録膜２７の結晶化は、レーザ光を照射することによって
行うことができる。
【０１４４】以上のようにして、光学的情報記録媒体２
を製造できる。
を製造できる。
【０１４５】（実施の形態７）本発明の光学的情報記録
媒体の製造方法の別の実施の形態について説明する。本
実施の形態においては、実施の形態３で説明した光学的
情報記録媒体３の製造方法について説明する。
媒体の製造方法の別の実施の形態について説明する。本
実施の形態においては、実施の形態３で説明した光学的
情報記録媒体３の製造方法について説明する。
【０１４６】まず、基板３１上に第２の情報層３２2を
形成する。具体的には、まず、基板３１（例えば厚さ１
１００μｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
形成する。具体的には、まず、基板３１（例えば厚さ１
１００μｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
【０１４７】続いて、基板３１上に反射膜４１を成膜す
る。この時、基板３１にレーザ光を導くための案内溝が
形成されている場合には、案内溝が形成された面上に反
射膜４１を成膜する。反射膜４１は、実施の形態５で説
明した反射膜２０と同様の方法で形成できる。
る。この時、基板３１にレーザ光を導くための案内溝が
形成されている場合には、案内溝が形成された面上に反
射膜４１を成膜する。反射膜４１は、実施の形態５で説
明した反射膜２０と同様の方法で形成できる。
【０１４８】続いて、反射膜４１上に、必要に応じて金
属膜４０を成膜する。金属層４０は、実施の形態５で説
明した金属膜１９と同様の方法で形成できる。
属膜４０を成膜する。金属層４０は、実施の形態５で説
明した金属膜１９と同様の方法で形成できる。
【０１４９】続いて、金属膜４０上（金属膜４０を設け
ない場合は反射膜４１上）に、必要に応じて反入射側保
護膜３９を成膜する。反入射側保護膜３９は、実施の形
態５で説明した反入射側保護膜１８と同様の方法で形成
できる。
ない場合は反射膜４１上）に、必要に応じて反入射側保
護膜３９を成膜する。反入射側保護膜３９は、実施の形
態５で説明した反入射側保護膜１８と同様の方法で形成
できる。
【０１５０】続いて、反入射側保護膜３９上（反入射側
保護膜３９を設けない場合は、金属膜４０上または反射
膜４１上）に、反入射側誘電体膜３８を成膜する。反入
射側誘電体膜３８は、実施の形態５で説明した反入射側
誘電体膜１７と同様の方法で形成できる。
保護膜３９を設けない場合は、金属膜４０上または反射
膜４１上）に、反入射側誘電体膜３８を成膜する。反入
射側誘電体膜３８は、実施の形態５で説明した反入射側
誘電体膜１７と同様の方法で形成できる。
【０１５１】続いて、反入射側誘電体膜３８上に、記録
膜３７を成膜する。記録膜３７は、実施の形態５で説明
した記録膜１６と同様の方法で形成できる。
膜３７を成膜する。記録膜３７は、実施の形態５で説明
した記録膜１６と同様の方法で形成できる。
【０１５２】続いて、記録膜３７上に、入射側誘電体膜
３６を成膜する。入射側誘電体膜３６は、実施の形態５
で説明した入射側誘電体膜１５と同様の方法で形成でき
る。
３６を成膜する。入射側誘電体膜３６は、実施の形態５
で説明した入射側誘電体膜１５と同様の方法で形成でき
る。
【０１５３】続いて、入射側誘電体膜３６上に、入射側
保護膜３５を成膜する。入射側保護膜３５は、実施の形
態５で説明した入射側保護膜１４と同様の方法で形成で
きる。
保護膜３５を成膜する。入射側保護膜３５は、実施の形
態５で説明した入射側保護膜１４と同様の方法で形成で
きる。
【０１５４】以上のようにして、第２の情報層３２2を
形成する。
形成する。
【０１５５】続いて、第２の情報層３２2の入射側保護
膜３５上に光学分離層３４を形成する。光学分離層３４
は、実施の形態６で説明した光学分離層２４と同様の方
法で形成できる。
膜３５上に光学分離層３４を形成する。光学分離層３４
は、実施の形態６で説明した光学分離層２４と同様の方
法で形成できる。
【０１５６】なお、入射側保護膜３５を成膜した後、ま
たは光学分離層３４を形成した後に、必要に応じて、記
録膜３７の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよ
い。記録膜３７の結晶化は、レーザ光を照射することに
よって行うことができる。
たは光学分離層３４を形成した後に、必要に応じて、記
録膜３７の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよ
い。記録膜３７の結晶化は、レーザ光を照射することに
よって行うことができる。
【０１５７】続いて、光学分離層３４上に第１の情報層
３２1を形成する。具体的には、光学分離層３４上に、
透過率調整膜３０、反射膜２９、反入射側誘電体膜２
８、記録膜２７、入射側誘電体膜２６、および入射側保
護膜２５をこの順序で成膜する。これらの各膜は、実施
の形態５で説明した方法で形成できる。
３２1を形成する。具体的には、光学分離層３４上に、
透過率調整膜３０、反射膜２９、反入射側誘電体膜２
８、記録膜２７、入射側誘電体膜２６、および入射側保
護膜２５をこの順序で成膜する。これらの各膜は、実施
の形態５で説明した方法で形成できる。
【０１５８】最後に、入射側保護膜２５上に透明層３３
を形成する。透明層３３は、実施の形態５で説明した透
明層１３と同様の方法で形成できる。
を形成する。透明層３３は、実施の形態５で説明した透
明層１３と同様の方法で形成できる。
【０１５９】なお、入射側保護膜２５を成膜した後、ま
たは透明層３３を形成した後に、必要に応じて、記録膜
２７の全面を結晶化させる初期化工程を行っても良い。
記録膜２７の結晶化は、レーザ光を照射することによっ
て行うことができる。
たは透明層３３を形成した後に、必要に応じて、記録膜
２７の全面を結晶化させる初期化工程を行っても良い。
記録膜２７の結晶化は、レーザ光を照射することによっ
て行うことができる。
【０１６０】また、第１の情報層３２1の入射側保護膜
２５を成膜した後、または透明層３３を形成した後に、
必要に応じて、第２の情報層３２2の記録膜３７および
第１の情報層３２1の記録膜２７の全面を結晶化させる
初期化工程を行ってもよい。この場合、第２の情報層３
２2の記録膜３７を先に結晶化させることが好ましい。
２５を成膜した後、または透明層３３を形成した後に、
必要に応じて、第２の情報層３２2の記録膜３７および
第１の情報層３２1の記録膜２７の全面を結晶化させる
初期化工程を行ってもよい。この場合、第２の情報層３
２2の記録膜３７を先に結晶化させることが好ましい。
【０１６１】以上のようにして、光学的情報記録媒体３
を製造できる。
を製造できる。
【０１６２】（実施の形態８）本発明の光学的情報記録
媒体の製造方法のさらに別の実施の形態について説明す
る。本実施の形態においては、実施の形態４で説明した
光学的情報記録媒体５の製造方法について説明する。
媒体の製造方法のさらに別の実施の形態について説明す
る。本実施の形態においては、実施の形態４で説明した
光学的情報記録媒体５の製造方法について説明する。
【０１６３】まず、基板５１（例えば厚さ６００μｍ）
上に、第１の情報層５２1を形成する。この時、基板５
１にレーザ光を導くための案内溝が形成されている場合
には、案内溝が形成された面上に第１の情報層５２1を
形成する。具体的には、基板５１を成膜装置内に配置
し、実施の形態６で説明した第１の情報層２２1と逆の
順番で、入射側保護膜２５、入射側誘電体膜２６、記録
膜２７、反入射側誘電体膜２８、反射膜２９、および透
過率調整膜３０を順次積層する。各膜の成膜方法は、実
施の形態６で説明したとおりである。
上に、第１の情報層５２1を形成する。この時、基板５
１にレーザ光を導くための案内溝が形成されている場合
には、案内溝が形成された面上に第１の情報層５２1を
形成する。具体的には、基板５１を成膜装置内に配置
し、実施の形態６で説明した第１の情報層２２1と逆の
順番で、入射側保護膜２５、入射側誘電体膜２６、記録
膜２７、反入射側誘電体膜２８、反射膜２９、および透
過率調整膜３０を順次積層する。各膜の成膜方法は、実
施の形態６で説明したとおりである。
【０１６４】その後、第２の情報層５２2〜第ｎの情報
層５２nの（ｎ−１）層の情報層を、光学分離層５５を
介して順次積層する。各情報層は、単層膜または多層膜
からなり、それらの各膜は、実施の形態６で説明した方
法と同様、成膜装置内で材料となるスパッタリングター
ゲットを順次スパッタリングすることによって形成でき
る。
層５２nの（ｎ−１）層の情報層を、光学分離層５５を
介して順次積層する。各情報層は、単層膜または多層膜
からなり、それらの各膜は、実施の形態６で説明した方
法と同様、成膜装置内で材料となるスパッタリングター
ゲットを順次スパッタリングすることによって形成でき
る。
【０１６５】最後に、第ｎの情報層５２nとダミー基板
５４とを、接着層５３を用いて貼り合わせる。具体的に
は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱
硬化型樹脂等の樹脂を第ｎの情報層５２n上に塗布し、
この樹脂を介してダミー基板５４を第ｎの情報層５２n
上に密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させる
と良い。また、ダミー基板５４に予め粘着性の樹脂を均
一に塗布しておき、それを第ｎの情報層５２nに密着さ
せることもできる。
５４とを、接着層５３を用いて貼り合わせる。具体的に
は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱
硬化型樹脂等の樹脂を第ｎの情報層５２n上に塗布し、
この樹脂を介してダミー基板５４を第ｎの情報層５２n
上に密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させる
と良い。また、ダミー基板５４に予め粘着性の樹脂を均
一に塗布しておき、それを第ｎの情報層５２nに密着さ
せることもできる。
【０１６６】なお、ダミー基板５４を密着させた後、必
要に応じて、第１の情報層５２1の記録膜２７の全面を
結晶化させる初期化工程を行っても良い。記録膜２７の
結晶化は、レーザ光を照射することによって行うことが
できる。
要に応じて、第１の情報層５２1の記録膜２７の全面を
結晶化させる初期化工程を行っても良い。記録膜２７の
結晶化は、レーザ光を照射することによって行うことが
できる。
【０１６７】以上のようにして、光学的情報記録媒体５
を製造できる。
を製造できる。
【０１６８】（実施の形態９）実施の形態１〜４で説明
した光学的情報記録媒体１、２、３、または５に対して
情報の記録再生を行う方法について説明する。図５に
は、本実施の形態の記録再生方法に用いられる記録再生
装置６の一部の構成が、模式的に示されている。記録再
生装置６は、光学的情報記録媒体７を回転させるための
スピンドルモータ６１と、半導体レーザ６２を備える光
学ヘッド６３と、半導体レーザ６２から出射されるレー
ザ光を集光する対物レンズ６４とを含んでいる。光学的
情報記録媒体７は、光学的情報記録媒体１、２、３、ま
たは５であり、一つの情報層または複数の情報層（例え
ば、光学的情報記録媒体３における第１の情報層３２1
および第２の情報層３２2）を含んでいる。対物レンズ
６４は、レーザ光を光学的情報記録媒体７の情報層上に
集光する。
した光学的情報記録媒体１、２、３、または５に対して
情報の記録再生を行う方法について説明する。図５に
は、本実施の形態の記録再生方法に用いられる記録再生
装置６の一部の構成が、模式的に示されている。記録再
生装置６は、光学的情報記録媒体７を回転させるための
スピンドルモータ６１と、半導体レーザ６２を備える光
学ヘッド６３と、半導体レーザ６２から出射されるレー
ザ光を集光する対物レンズ６４とを含んでいる。光学的
情報記録媒体７は、光学的情報記録媒体１、２、３、ま
たは５であり、一つの情報層または複数の情報層（例え
ば、光学的情報記録媒体３における第１の情報層３２1
および第２の情報層３２2）を含んでいる。対物レンズ
６４は、レーザ光を光学的情報記録媒体７の情報層上に
集光する。
【０１６９】光学的情報記録媒体７への情報の記録、消
去、および上書き記録は、レーザ光のパワーを、高パワ
ーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイア
スパワー（Ｐb（ｍＷ））とに変調させることによって
行う。ピークパワーのレーザ光を照射することによっ
て、情報層に含まれる記録膜の局所的な一部分に非晶質
相が形成され、その非晶質相が記録マークとなる。記録
マーク間では、バイアスパワーのレーザ光が照射され、
結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワー
のレーザ光を照射する場合には、パルスの列で形成す
る、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。な
お、マルチパルスは、ピークパワーおよびバイアスパワ
ーのパワーレベルだけで変調されても良いし、０ｍＷ〜
ピークパワーの範囲のパワーレベルによって変調されて
も良い。
去、および上書き記録は、レーザ光のパワーを、高パワ
ーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイア
スパワー（Ｐb（ｍＷ））とに変調させることによって
行う。ピークパワーのレーザ光を照射することによっ
て、情報層に含まれる記録膜の局所的な一部分に非晶質
相が形成され、その非晶質相が記録マークとなる。記録
マーク間では、バイアスパワーのレーザ光が照射され、
結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワー
のレーザ光を照射する場合には、パルスの列で形成す
る、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。な
お、マルチパルスは、ピークパワーおよびバイアスパワ
ーのパワーレベルだけで変調されても良いし、０ｍＷ〜
ピークパワーの範囲のパワーレベルによって変調されて
も良い。
【０１７０】また、ピークパワーおよびバイアスパワー
の何れのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルで
のレーザ光の照射によって記録マークの光学的な状態が
影響を受けず、且つ光学的情報記録媒体７から記録マー
ク再生のための十分な反射光量が得られるパワーを再生
パワー（Ｐr（ｍＷ））とし、再生パワーのレーザ光を
照射することによって得られる光学的情報記録媒体７か
らの信号を検出器で読みとることにより、情報信号の再
生が行われる。
の何れのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルで
のレーザ光の照射によって記録マークの光学的な状態が
影響を受けず、且つ光学的情報記録媒体７から記録マー
ク再生のための十分な反射光量が得られるパワーを再生
パワー（Ｐr（ｍＷ））とし、再生パワーのレーザ光を
照射することによって得られる光学的情報記録媒体７か
らの信号を検出器で読みとることにより、情報信号の再
生が行われる。
【０１７１】対物レンズ６４の開口数（ＮＡ）は、レー
ザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に
調整するため、０．５〜１．１の範囲内（より好ましく
は、０．６〜１．０の範囲内）であることが好ましい。
レーザ光の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、
３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好まし
い。情報を記録する際の光学的情報記録媒体７の線速度
は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消
去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内（より好
ましくは、４ｍ／秒〜１５ｍ／秒の範囲内）であること
が好ましい。
ザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に
調整するため、０．５〜１．１の範囲内（より好ましく
は、０．６〜１．０の範囲内）であることが好ましい。
レーザ光の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、
３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好まし
い。情報を記録する際の光学的情報記録媒体７の線速度
は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消
去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内（より好
ましくは、４ｍ／秒〜１５ｍ／秒の範囲内）であること
が好ましい。
【０１７２】例えば、光学的情報記録媒体７が二つの情
報層を備えた光学的情報記録媒体３である場合におい
て、第１の情報層３２1に対して記録を行う際には、レ
ーザ光の焦点を記録膜２７に合わせ、透明層３３を透過
したレーザ光によって記録膜２７に情報を記録する。情
報の再生は、記録膜２７によって反射され、透明層３３
を透過してきたレーザ光を用いて行う。一方、第２の情
報層３２2に対して記録を行う際には、レーザ光の焦点
を記録膜３７に合わせ、透明層３３、第１の情報層３２
1、および光学分離層３４を透過したレーザ光によって
情報を記録する。情報の再生は、記録膜３７によって反
射され、光学分離層３４、第１の情報層３２1、および
透明層３３を透過してきたレーザ光を用いて行う。
報層を備えた光学的情報記録媒体３である場合におい
て、第１の情報層３２1に対して記録を行う際には、レ
ーザ光の焦点を記録膜２７に合わせ、透明層３３を透過
したレーザ光によって記録膜２７に情報を記録する。情
報の再生は、記録膜２７によって反射され、透明層３３
を透過してきたレーザ光を用いて行う。一方、第２の情
報層３２2に対して記録を行う際には、レーザ光の焦点
を記録膜３７に合わせ、透明層３３、第１の情報層３２
1、および光学分離層３４を透過したレーザ光によって
情報を記録する。情報の再生は、記録膜３７によって反
射され、光学分離層３４、第１の情報層３２1、および
透明層３３を透過してきたレーザ光を用いて行う。
【０１７３】なお、光学的情報記録媒体３の基板３１お
よび光学分離層３４の表面にレーザ光を導くための案内
溝が形成されている場合、情報は、レーザ光の入射側か
ら近い方の溝面（グルーブ）に行われても良いし、遠い
方の溝面（ランド）に行われても良い。また、グルーブ
とランドの両方に情報を記録しても良い。
よび光学分離層３４の表面にレーザ光を導くための案内
溝が形成されている場合、情報は、レーザ光の入射側か
ら近い方の溝面（グルーブ）に行われても良いし、遠い
方の溝面（ランド）に行われても良い。また、グルーブ
とランドの両方に情報を記録しても良い。
【０１７４】
【実施例】以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【０１７５】（実施例１〜６および比較例１〜４）実施
例１〜６および比較例１〜４の光学的情報記録媒体とし
て、一層の情報層が設けられ、この情報層が図２に示し
た光学的情報記録媒体２の第１の情報層２２1である光
学的情報記録媒体を作製した。つまり、光学的情報記録
媒体２において、基板２１と透明層２３との間に第１の
情報層２２1のみが設けられたものを作製した。実施例
１〜６および比較例１〜４の光学的情報記録媒体は、情
報層に含まれる入射側誘電体膜２６および反入射側誘電
体膜２８が共にＣｒ、Ｚｒ、およびＯの元素からなる
（混合物Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2にて形成されている）。た
だし、Ｃｒ原子濃度（Ｃｒ2Ｏ3の含有量）は、各実施例
および比較例ごとに異なる。
例１〜６および比較例１〜４の光学的情報記録媒体とし
て、一層の情報層が設けられ、この情報層が図２に示し
た光学的情報記録媒体２の第１の情報層２２1である光
学的情報記録媒体を作製した。つまり、光学的情報記録
媒体２において、基板２１と透明層２３との間に第１の
情報層２２1のみが設けられたものを作製した。実施例
１〜６および比較例１〜４の光学的情報記録媒体は、情
報層に含まれる入射側誘電体膜２６および反入射側誘電
体膜２８が共にＣｒ、Ｚｒ、およびＯの元素からなる
（混合物Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2にて形成されている）。た
だし、Ｃｒ原子濃度（Ｃｒ2Ｏ3の含有量）は、各実施例
および比較例ごとに異なる。
【０１７６】具体的には、まず、基板２１として、レー
ザ光を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッ
チ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板
（直径１２０ｍｍ、厚さ１１００μｍ）を用意した。そ
して、そのポリカーボネート基板上に、透過率調整膜３
０としてＴｉＯ2膜（厚さ：２０ｎｍ）、反射膜２９と
してＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜、反入射側誘電体膜２８として
Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：約１０ｎｍ）、記録膜２
７としてＧ22Ｓｂ2Ｔｅ25膜（厚さ：６ｎｍ）、入射側
誘電体膜２６としてＣｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５ｎ
ｍ）、入射側保護膜２５としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚
さ：約４０ｎｍ、ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２
０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法によって積層し
た。最後に、紫外線硬化型樹脂（日本化薬（株）製 Ｄ
ＶＤ−００３）を入射側保護膜２５上に塗布し、ポリカ
ーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を入
射側保護膜２５に密着させてスピンコートした後、紫外
線を照射して樹脂を硬化させることによって、透明層２
３を形成した。その後、記録膜２７を結晶化させる初期
化工程を行った。
ザ光を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッ
チ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板
（直径１２０ｍｍ、厚さ１１００μｍ）を用意した。そ
して、そのポリカーボネート基板上に、透過率調整膜３
０としてＴｉＯ2膜（厚さ：２０ｎｍ）、反射膜２９と
してＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜、反入射側誘電体膜２８として
Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：約１０ｎｍ）、記録膜２
７としてＧ22Ｓｂ2Ｔｅ25膜（厚さ：６ｎｍ）、入射側
誘電体膜２６としてＣｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５ｎ
ｍ）、入射側保護膜２５としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚
さ：約４０ｎｍ、ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２
０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法によって積層し
た。最後に、紫外線硬化型樹脂（日本化薬（株）製 Ｄ
ＶＤ−００３）を入射側保護膜２５上に塗布し、ポリカ
ーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を入
射側保護膜２５に密着させてスピンコートした後、紫外
線を照射して樹脂を硬化させることによって、透明層２
３を形成した。その後、記録膜２７を結晶化させる初期
化工程を行った。
【０１７７】以上のようにして、入射側誘電体膜２６お
よび反入射側誘電体層２８のＣｒ原子濃度がそれぞれ異
なる実施例１〜６および比較例１〜４の光学的情報記録
媒体を製造した。実施例１〜６および比較例１〜４の光
学的情報記録媒体それぞれにおける入射側誘電体膜２６
および反入射側誘電体層２８の材料は、表１に示された
とおりである。
よび反入射側誘電体層２８のＣｒ原子濃度がそれぞれ異
なる実施例１〜６および比較例１〜４の光学的情報記録
媒体を製造した。実施例１〜６および比較例１〜４の光
学的情報記録媒体それぞれにおける入射側誘電体膜２６
および反入射側誘電体層２８の材料は、表１に示された
とおりである。
【０１７８】なお、実施例１〜６および比較例１〜４そ
れぞれにおける入射側誘電体膜２６および反入射側誘電
体膜２８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、
厳密に決定されたものである。具体的には、これらの厚
さは、波長４０５ｎｍにおいて、記録膜２７が結晶相の
時の情報層における反射率Ｒc1（基板の鏡面部における
反射）ができるだけ４≦Ｒc1≦１０の範囲内に収まるよ
うに、また、記録膜２７が非晶質相の時の情報層におけ
る反射率Ｒa1（基板の鏡面部における反射）ができるだ
け０．５≦Ｒa1≦３の範囲内に収まるように決定した。
れぞれにおける入射側誘電体膜２６および反入射側誘電
体膜２８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、
厳密に決定されたものである。具体的には、これらの厚
さは、波長４０５ｎｍにおいて、記録膜２７が結晶相の
時の情報層における反射率Ｒc1（基板の鏡面部における
反射）ができるだけ４≦Ｒc1≦１０の範囲内に収まるよ
うに、また、記録膜２７が非晶質相の時の情報層におけ
る反射率Ｒa1（基板の鏡面部における反射）ができるだ
け０．５≦Ｒa1≦３の範囲内に収まるように決定した。
【０１７９】以上のように形成された実施例および比較
例の光学的情報記録媒体それぞれについて、入射側誘電
体膜２６および反入射側誘電体膜２８と記録膜２７との
密着性と、繰り返し書き換え性能とを評価した。
例の光学的情報記録媒体それぞれについて、入射側誘電
体膜２６および反入射側誘電体膜２８と記録膜２７との
密着性と、繰り返し書き換え性能とを評価した。
【０１８０】まず、図５に示した記録再生装置６を用い
て、各光学的情報記録媒体の記録書き換え回数を測定し
た。この時、レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ
６４の開口数（ＮＡ）は０．８５、測定時のサンプルの
線速度は５．０ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１４９μ
ｍ、基板の案内溝のトラックピッチは０．３２μｍとし
た。また、情報はグルーブに記録した。
て、各光学的情報記録媒体の記録書き換え回数を測定し
た。この時、レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ
６４の開口数（ＮＡ）は０．８５、測定時のサンプルの
線速度は５．０ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１４９μ
ｍ、基板の案内溝のトラックピッチは０．３２μｍとし
た。また、情報はグルーブに記録した。
【０１８１】記録書き換え性能は、レーザ光をＰpとＰb
の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長
０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）ま
でのランダム信号を同じグルーブに連続記録し、各記録
書き換え回数における前端ジッター（記録マーク前端部
におけるジッター）、後端ジッター（記録マーク後端部
におけるジッター）、および前端ジッターと後端ジッタ
ーとの平均ジッターをタイムインターバルアナライザー
で測定することによって評価した。１回目のジッター値
に対し３％増加する書き換え回数を、繰り返し書き換え
性能の上限値とした。なお、ＰpとＰbは、平均ジッター
値が最も小さくなるように決定した。
の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長
０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）ま
でのランダム信号を同じグルーブに連続記録し、各記録
書き換え回数における前端ジッター（記録マーク前端部
におけるジッター）、後端ジッター（記録マーク後端部
におけるジッター）、および前端ジッターと後端ジッタ
ーとの平均ジッターをタイムインターバルアナライザー
で測定することによって評価した。１回目のジッター値
に対し３％増加する書き換え回数を、繰り返し書き換え
性能の上限値とした。なお、ＰpとＰbは、平均ジッター
値が最も小さくなるように決定した。
【０１８２】その後、入射側誘電体膜２６および反入射
側誘電体膜２８の材料と、記録膜２７との密着性を評価
した。なお、密着性の評価は、記録書き換え性能を評価
した部分を除いた領域で行った。具体的には、温度９０
℃、相対湿度８０％の条件で恒湿槽に光学的情報記録媒
体を１００時間放置した後、光学顕微鏡で目視観察し、
入射側誘電体膜２６および反入射側誘電体膜２８と記録
膜２７との間で剥離が発生していないか調べた。
側誘電体膜２８の材料と、記録膜２７との密着性を評価
した。なお、密着性の評価は、記録書き換え性能を評価
した部分を除いた領域で行った。具体的には、温度９０
℃、相対湿度８０％の条件で恒湿槽に光学的情報記録媒
体を１００時間放置した後、光学顕微鏡で目視観察し、
入射側誘電体膜２６および反入射側誘電体膜２８と記録
膜２７との間で剥離が発生していないか調べた。
【０１８３】以上の評価結果を、表１に示す。なお、表
１においては、ｘｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ）ｍ
ｏｌ％ＺｒＯ2の混合物を、（Ｃｒ2Ｏ3）x（ＺｒＯ2）
100-xと表記した。
１においては、ｘｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ）ｍ
ｏｌ％ＺｒＯ2の混合物を、（Ｃｒ2Ｏ3）x（ＺｒＯ2）
100-xと表記した。
【０１８４】
【表１】
【０１８５】表１に示すように、実施例１〜６の光学的
情報記録媒体においては、反入射側誘電体膜２８のＣｒ
原子濃度は入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度よりも大
きく、且つ、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度は６ａ
ｔ％以上で反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度は９ａ
ｔ％以上である。また、入射側誘電体膜２６の材料をｘ
1ｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ1）ｍｏｌ％ＺｒＯ2
と表記し、反入射側誘電体膜２８の材料をｘ2ｍｏｌ％
Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ2）ｍｏｌ％ＺｒＯ2と表記した
場合、実施例１〜６の光学的情報記録媒体においては、
１０≦ｘ1、２０≦ｘ2、およびｘ1＜ｘ2の関係を満たし
ている。このような実施例１〜６の光学的情報記録媒体
は、入射側誘電体膜２６および反入射側誘電体膜２８と
記録膜２７との間で剥離が無く、密着性が十分であっ
た。また、実施例１〜４の光学的情報記録媒体は繰り返
し書き換え回数が１０００回以上と良好であるのに対
し、実施例５および６の光学的情報記録媒体の場合は５
００回とあまり良好ではなく、入射側誘電体膜２６およ
び反入射側誘電体膜２８のＣｒ2Ｏ3の含有量が多くなる
と、繰り返し書き換え回数は徐々に少なくなることが確
認された。このことから、密着性が確保できれば、Ｃｒ
2Ｏ3の含有量はできるだけ少ない方が良く、ｘ１≦６
０、ｘ２≦８０が好ましいことがＸも分かった。
情報記録媒体においては、反入射側誘電体膜２８のＣｒ
原子濃度は入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度よりも大
きく、且つ、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度は６ａ
ｔ％以上で反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度は９ａ
ｔ％以上である。また、入射側誘電体膜２６の材料をｘ
1ｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ1）ｍｏｌ％ＺｒＯ2
と表記し、反入射側誘電体膜２８の材料をｘ2ｍｏｌ％
Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ2）ｍｏｌ％ＺｒＯ2と表記した
場合、実施例１〜６の光学的情報記録媒体においては、
１０≦ｘ1、２０≦ｘ2、およびｘ1＜ｘ2の関係を満たし
ている。このような実施例１〜６の光学的情報記録媒体
は、入射側誘電体膜２６および反入射側誘電体膜２８と
記録膜２７との間で剥離が無く、密着性が十分であっ
た。また、実施例１〜４の光学的情報記録媒体は繰り返
し書き換え回数が１０００回以上と良好であるのに対
し、実施例５および６の光学的情報記録媒体の場合は５
００回とあまり良好ではなく、入射側誘電体膜２６およ
び反入射側誘電体膜２８のＣｒ2Ｏ3の含有量が多くなる
と、繰り返し書き換え回数は徐々に少なくなることが確
認された。このことから、密着性が確保できれば、Ｃｒ
2Ｏ3の含有量はできるだけ少ない方が良く、ｘ１≦６
０、ｘ２≦８０が好ましいことがＸも分かった。
【０１８６】また、比較例１および２の光学的情報記録
媒体は、反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度が入射側
誘電体膜２６のＣｒ原子濃度よりも大きい（混合物Ｃｒ
2Ｏ3−ＺｒＯ2においては、反入射側誘電体膜２８のＣ
ｒ2Ｏ3含有量が入射側誘電体膜２６のＣｒ2Ｏ3含有量よ
りも大きい）。しかし、比較例１の場合は、入射側誘電
体膜２６および反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度
（Ｃｒ2Ｏ3含有量）が共に少なすぎて、両誘電体膜２
６，２８と記録膜２７との間で剥離が発生した。比較例
２の場合は、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度（Ｃｒ
2Ｏ3含有量）が少なすぎて、入射側誘電体膜２６と記録
膜２７との間で剥離が発生した。さらに、比較例３およ
び４の光学的情報記録媒体は、反入射側誘電体膜２８の
Ｃｒ原子濃度が入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度以下
であり、反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度（Ｃｒ2
Ｏ3含有量）が少なすぎたため、反入射側誘電体膜２８
と記録膜２７との間で剥離が生じた。
媒体は、反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度が入射側
誘電体膜２６のＣｒ原子濃度よりも大きい（混合物Ｃｒ
2Ｏ3−ＺｒＯ2においては、反入射側誘電体膜２８のＣ
ｒ2Ｏ3含有量が入射側誘電体膜２６のＣｒ2Ｏ3含有量よ
りも大きい）。しかし、比較例１の場合は、入射側誘電
体膜２６および反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度
（Ｃｒ2Ｏ3含有量）が共に少なすぎて、両誘電体膜２
６，２８と記録膜２７との間で剥離が発生した。比較例
２の場合は、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度（Ｃｒ
2Ｏ3含有量）が少なすぎて、入射側誘電体膜２６と記録
膜２７との間で剥離が発生した。さらに、比較例３およ
び４の光学的情報記録媒体は、反入射側誘電体膜２８の
Ｃｒ原子濃度が入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度以下
であり、反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度（Ｃｒ2
Ｏ3含有量）が少なすぎたため、反入射側誘電体膜２８
と記録膜２７との間で剥離が生じた。
【０１８７】（実施例７〜１３および比較例５〜８）実
施例７〜１３および比較例５〜８の光学的情報記録媒体
として、一層の情報層が設けられ、この情報層が図２に
示した光学的情報記録媒体２の第１の情報層２２1であ
る光学的情報記録媒体を作製した。つまり、光学的情報
記録媒体２において、基板２１と透明層２３との間に第
１の情報層２２1のみが設けられたものを作製した。実
施例７〜１３および比較例５〜８の光学的情報記録媒体
は、情報層に含まれる入射側誘電体膜２６および反入射
側誘電体膜２８が、共にＳｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、およびＯの
元素からなる（混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2にて
形成されている）。ただし、Ｓｉ原子濃度およびＣｒ原
子濃度（ＳｉＯ2の含有量およびＣｒ2Ｏ3の含有量）は
各実施例および比較例ごとに異なる。
施例７〜１３および比較例５〜８の光学的情報記録媒体
として、一層の情報層が設けられ、この情報層が図２に
示した光学的情報記録媒体２の第１の情報層２２1であ
る光学的情報記録媒体を作製した。つまり、光学的情報
記録媒体２において、基板２１と透明層２３との間に第
１の情報層２２1のみが設けられたものを作製した。実
施例７〜１３および比較例５〜８の光学的情報記録媒体
は、情報層に含まれる入射側誘電体膜２６および反入射
側誘電体膜２８が、共にＳｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、およびＯの
元素からなる（混合物ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2にて
形成されている）。ただし、Ｓｉ原子濃度およびＣｒ原
子濃度（ＳｉＯ2の含有量およびＣｒ2Ｏ3の含有量）は
各実施例および比較例ごとに異なる。
【０１８８】実施例７〜１３および比較例５〜８の光学
的情報記録媒体は、入射側誘電体膜２６および反入射側
誘電体膜２８に用いた材料が異なる以外は、実施例１〜
６および比較例１〜４の光学的情報記録媒体と同様に作
製した。実施例７〜１３および比較例５〜８の光学的情
報記録媒体それぞれにおける入射側誘電体膜２６および
反入射側誘電体層２８の材料は、表２に示されたとおり
である。なお、表２においては、ｙｍｏｌ％ＳｉＯ2−
ｘｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ−ｙ）ｍｏｌ％Ｚｒ
Ｏ2の混合物を、（ＳｉＯ2）y（Ｃｒ2Ｏ3）x（Ｚｒ
Ｏ2）100-x-yと表記した。
的情報記録媒体は、入射側誘電体膜２６および反入射側
誘電体膜２８に用いた材料が異なる以外は、実施例１〜
６および比較例１〜４の光学的情報記録媒体と同様に作
製した。実施例７〜１３および比較例５〜８の光学的情
報記録媒体それぞれにおける入射側誘電体膜２６および
反入射側誘電体層２８の材料は、表２に示されたとおり
である。なお、表２においては、ｙｍｏｌ％ＳｉＯ2−
ｘｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００−ｘ−ｙ）ｍｏｌ％Ｚｒ
Ｏ2の混合物を、（ＳｉＯ2）y（Ｃｒ2Ｏ3）x（Ｚｒ
Ｏ2）100-x-yと表記した。
【０１８９】以上のように形成された光学的情報記録媒
体それぞれについて、入射側誘電体膜２６および反入射
側誘電体膜２８と記録膜２７との密着性と、繰り返し書
き換え性能とを、実施例１〜６および比較例１〜４の場
合と同様の方法で調べた。その結果も表２に示す。
体それぞれについて、入射側誘電体膜２６および反入射
側誘電体膜２８と記録膜２７との密着性と、繰り返し書
き換え性能とを、実施例１〜６および比較例１〜４の場
合と同様の方法で調べた。その結果も表２に示す。
【０１９０】
【表２】
【０１９１】表２に示すように、実施例７〜１３の光学
的情報記録媒体においては、反入射側誘電体膜２８のＳ
ｉ原子濃度は入射側誘電体膜２６のＳｉ原子濃度よりも
小さく、且つ、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度は６
ａｔ％以上で反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度は９
ａｔ％以上である。また、入射側誘電体膜２６の材料を
ｙ1ｍｏｌ％ＳｉＯ2−ｘ1ｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００
−ｘ1−ｙ1）ｍｏｌ％ＺｒＯ2と表記し、反入射側誘電
体膜２８の材料をｙ2ｍｏｌ％ＳｉＯ2−ｘ2ｍｏｌ％Ｃ
ｒ2Ｏ3−（１００−ｘ2−ｙ2）ｍｏｌ％ＺｒＯ2と表記
した場合、実施例７〜１３の光学的情報記録媒体におい
ては、１０≦ｘ1、５≦ｙ1≦４０、１５≦ｘ1＋ｙ1≦９
５、２０≦ｘ2、０＜ｙ2≦３５、２０＜ｘ2＋ｙ2≦９５
の関係を満たし、さらにｙ1＞ｙ2の関係を満たしてい
る。このような実施例７〜１３の光学的情報記録媒体
は、入射側誘電体膜２６および反入射側誘電体膜２８と
記録膜２７との間で剥離が無く、密着性が良好であっ
た。また、実施例７〜１２の光学的情報記録媒体は繰り
返し書き換え回数が１０００回以上と良好であるのに対
し、実施例１３の光学的情報記録媒体は繰り返し書き換
え回数が５００回とあまり良好ではなく、入射側誘電体
膜２６および反入射側誘電体膜２８のＳｉＯ2の含有量
が少なくなる、またはＣｒ2Ｏ3の含有量が多くなると、
繰り返し書き換え回数が徐々に少なくなることが確認で
きた。従って、このことから、密着性が確保できれば、
Ｃｒ2Ｏ3量はできるだけ少なく（好ましくはｘ1≦６
０、且つｘ2≦７０）、ＳｉＯ2量はできるだけ多くした
方が良いこともわかった。
的情報記録媒体においては、反入射側誘電体膜２８のＳ
ｉ原子濃度は入射側誘電体膜２６のＳｉ原子濃度よりも
小さく、且つ、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度は６
ａｔ％以上で反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度は９
ａｔ％以上である。また、入射側誘電体膜２６の材料を
ｙ1ｍｏｌ％ＳｉＯ2−ｘ1ｍｏｌ％Ｃｒ2Ｏ3−（１００
−ｘ1−ｙ1）ｍｏｌ％ＺｒＯ2と表記し、反入射側誘電
体膜２８の材料をｙ2ｍｏｌ％ＳｉＯ2−ｘ2ｍｏｌ％Ｃ
ｒ2Ｏ3−（１００−ｘ2−ｙ2）ｍｏｌ％ＺｒＯ2と表記
した場合、実施例７〜１３の光学的情報記録媒体におい
ては、１０≦ｘ1、５≦ｙ1≦４０、１５≦ｘ1＋ｙ1≦９
５、２０≦ｘ2、０＜ｙ2≦３５、２０＜ｘ2＋ｙ2≦９５
の関係を満たし、さらにｙ1＞ｙ2の関係を満たしてい
る。このような実施例７〜１３の光学的情報記録媒体
は、入射側誘電体膜２６および反入射側誘電体膜２８と
記録膜２７との間で剥離が無く、密着性が良好であっ
た。また、実施例７〜１２の光学的情報記録媒体は繰り
返し書き換え回数が１０００回以上と良好であるのに対
し、実施例１３の光学的情報記録媒体は繰り返し書き換
え回数が５００回とあまり良好ではなく、入射側誘電体
膜２６および反入射側誘電体膜２８のＳｉＯ2の含有量
が少なくなる、またはＣｒ2Ｏ3の含有量が多くなると、
繰り返し書き換え回数が徐々に少なくなることが確認で
きた。従って、このことから、密着性が確保できれば、
Ｃｒ2Ｏ3量はできるだけ少なく（好ましくはｘ1≦６
０、且つｘ2≦７０）、ＳｉＯ2量はできるだけ多くした
方が良いこともわかった。
【０１９２】比較例５および６の光学的情報記録媒体
は、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度が少なすぎるた
め、入射側誘電体膜２６のＳｉ原子濃度と反入射側誘電
体膜２８のＳｉ原子濃度との関係にかかわらず、入射側
誘電体膜２６と記録膜２７との間で剥離が発生し、密着
性が不十分となったと考えられる。また、比較例５の場
合は、反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度も少なすぎ
るため、反入射側誘電体膜２８と記録膜２７との間でも
剥離が生じた。また、比較例７の光学的情報記録媒体
は、反入射側誘電体膜２８のＳｉ原子濃度と入射側誘電
体膜２６のＳｉ原子濃度とが同じであり、反入射側誘電
体膜２８のＣｒ原子濃度が少なすぎるため、反入射側誘
電体膜２８と記録膜２７との間で剥離が生じた。また、
比較例８の光学的情報記録媒体は、反入射側誘電体膜２
８のＳｉ原子濃度が入射側誘電体膜２６のＳｉ原子濃度
よりも大きいため、反入射側誘電体膜２８と記録膜２７
との間で剥離が生じた。
は、入射側誘電体膜２６のＣｒ原子濃度が少なすぎるた
め、入射側誘電体膜２６のＳｉ原子濃度と反入射側誘電
体膜２８のＳｉ原子濃度との関係にかかわらず、入射側
誘電体膜２６と記録膜２７との間で剥離が発生し、密着
性が不十分となったと考えられる。また、比較例５の場
合は、反入射側誘電体膜２８のＣｒ原子濃度も少なすぎ
るため、反入射側誘電体膜２８と記録膜２７との間でも
剥離が生じた。また、比較例７の光学的情報記録媒体
は、反入射側誘電体膜２８のＳｉ原子濃度と入射側誘電
体膜２６のＳｉ原子濃度とが同じであり、反入射側誘電
体膜２８のＣｒ原子濃度が少なすぎるため、反入射側誘
電体膜２８と記録膜２７との間で剥離が生じた。また、
比較例８の光学的情報記録媒体は、反入射側誘電体膜２
８のＳｉ原子濃度が入射側誘電体膜２６のＳｉ原子濃度
よりも大きいため、反入射側誘電体膜２８と記録膜２７
との間で剥離が生じた。
【０１９３】なお、図３に示された光学的情報記録媒体
３および図４に示された光学的情報記録媒体５について
も、第１の情報層に対して同様の方法で密着性および繰
り返し書き換え性能を評価したところ、同様の結果が得
られた。
３および図４に示された光学的情報記録媒体５について
も、第１の情報層に対して同様の方法で密着性および繰
り返し書き換え性能を評価したところ、同様の結果が得
られた。
【０１９４】（実施例１４）実施例１４の光学的情報記
録媒体として、図１に示した光学的情報記録媒体１を製
造し、情報層１２の特性を評価した。
録媒体として、図１に示した光学的情報記録媒体１を製
造し、情報層１２の特性を評価した。
【０１９５】具体的には、まず、基板１１として、レー
ザ光を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッ
チ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板
（直径１２０ｍｍ、厚さ１１００μｍ）を用意した。そ
して、そのポリカーボネート基板上に、反射膜２０とし
てＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：８０ｎｍ）、金属膜１９
としてＡｌ膜（厚さ：５ｎｍ）、反入射側保護層１８と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚さ：２２ｎｍ、ＺｎＳ：８
０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）、反入射側誘電
体膜１７としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：
５ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏ
ｌ％、ＺｒＯ2：５０ｍｏｌ％）、記録膜１６としてＧ
ｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25膜（厚さ：１０ｎｍ）、入射側誘電体
膜１５としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５
ｎｍ、ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ
％、ＺｒＯ2：３５ｍｏｌ％）、入射側保護膜１４とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚さ：６０ｎｍ、ＺｎＳ：８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を、順次所定の組
成のターゲットを用いてスパッタリングにより積層し
た。
ザ光を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッ
チ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板
（直径１２０ｍｍ、厚さ１１００μｍ）を用意した。そ
して、そのポリカーボネート基板上に、反射膜２０とし
てＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：８０ｎｍ）、金属膜１９
としてＡｌ膜（厚さ：５ｎｍ）、反入射側保護層１８と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚さ：２２ｎｍ、ＺｎＳ：８
０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）、反入射側誘電
体膜１７としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：
５ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏ
ｌ％、ＺｒＯ2：５０ｍｏｌ％）、記録膜１６としてＧ
ｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25膜（厚さ：１０ｎｍ）、入射側誘電体
膜１５としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５
ｎｍ、ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ
％、ＺｒＯ2：３５ｍｏｌ％）、入射側保護膜１４とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚さ：６０ｎｍ、ＺｎＳ：８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を、順次所定の組
成のターゲットを用いてスパッタリングにより積層し
た。
【０１９６】なお、入射側保護膜１４および反入射側保
護膜１８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、
波長４０５ｎｍにおいて、記録膜１６が結晶相の時の反
射光量が非晶質相の時の反射光量よりも大きく、且つ記
録膜１６が結晶相の時と非晶質相の時とで反射光量の変
化がより大きく、且つ記録膜１６の光吸収が大きくなる
ように、厳密に決定したものである。
護膜１８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、
波長４０５ｎｍにおいて、記録膜１６が結晶相の時の反
射光量が非晶質相の時の反射光量よりも大きく、且つ記
録膜１６が結晶相の時と非晶質相の時とで反射光量の変
化がより大きく、且つ記録膜１６の光吸収が大きくなる
ように、厳密に決定したものである。
【０１９７】その後、紫外線硬化型樹脂を入射側保護膜
１４上に塗布し、次にポリカーボネート基板（直径１２
０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を入射側保護膜１４に密着させ
てスピンコートした後、紫外線を照射して樹脂を硬化さ
せることによって透明層１３を形成した。最後に、記録
膜１６の全面を結晶化させる初期化工程を行った。
１４上に塗布し、次にポリカーボネート基板（直径１２
０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を入射側保護膜１４に密着させ
てスピンコートした後、紫外線を照射して樹脂を硬化さ
せることによって透明層１３を形成した。最後に、記録
膜１６の全面を結晶化させる初期化工程を行った。
【０１９８】以上のようにして、実施例１４の光学的情
報記録媒体を製造した。
報記録媒体を製造した。
【０１９９】本実施例の光学的情報記録媒体について、
実施例１〜１３の光学的情報記録媒体の場合と同様の方
法によって、密着性および繰り返し書き換え性能を評価
した。その結果、両誘電体膜１５，１７と記録膜１６と
の間で剥離は生じず、また、１００００回以上の繰り返
し書き換え回数が得られた。また、１回目のジッター値
も９％と良好な値が得られた。
実施例１〜１３の光学的情報記録媒体の場合と同様の方
法によって、密着性および繰り返し書き換え性能を評価
した。その結果、両誘電体膜１５，１７と記録膜１６と
の間で剥離は生じず、また、１００００回以上の繰り返
し書き換え回数が得られた。また、１回目のジッター値
も９％と良好な値が得られた。
【０２００】（実施例１５）実施例１５の光学的情報記
録媒体として、図３に示された光学的情報記録媒体３を
作製し、第１の情報層３２1および第２の情報層３２2そ
れぞれの特性を評価した。
録媒体として、図３に示された光学的情報記録媒体３を
作製し、第１の情報層３２1および第２の情報層３２2そ
れぞれの特性を評価した。
【０２０１】まず、基板３１上に第２の情報層３２2を
形成した。具体的には、まず、基板３１として、レーザ
光を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ
０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直
径１２０ｍｍ、厚さ１１００μｍ）を用意した。そし
て、そのポリカーボネート基板上に、反射膜４１として
Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：８０ｎｍ）、金属膜４０と
してＡｌ膜（厚さ：５ｎｍ）、反入射側保護膜３９とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2層（厚さ：２２ｎｍ、ＺｎＳ：８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）、反入射側誘電体
膜３８としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５
ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ
％、ＺｒＯ2：５０ｍｏｌ％）、記録膜３７としてＧｅ
22Ｓｂ2Ｔｅ 25膜（厚さ：１０ｎｍ）、入射側誘電体膜
２６としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５ｎ
ｍ、ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ
％、ＺｒＯ2：３５ｍｏｌ％）、入射側保護膜２５とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚さ：６０ｎｍ、ＺｎＳ：８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を、スパッタリン
グによって順次積層した。
形成した。具体的には、まず、基板３１として、レーザ
光を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ
０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直
径１２０ｍｍ、厚さ１１００μｍ）を用意した。そし
て、そのポリカーボネート基板上に、反射膜４１として
Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：８０ｎｍ）、金属膜４０と
してＡｌ膜（厚さ：５ｎｍ）、反入射側保護膜３９とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2層（厚さ：２２ｎｍ、ＺｎＳ：８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）、反入射側誘電体
膜３８としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５
ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ
％、ＺｒＯ2：５０ｍｏｌ％）、記録膜３７としてＧｅ
22Ｓｂ2Ｔｅ 25膜（厚さ：１０ｎｍ）、入射側誘電体膜
２６としてＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５ｎ
ｍ、ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ
％、ＺｒＯ2：３５ｍｏｌ％）、入射側保護膜２５とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚さ：６０ｎｍ、ＺｎＳ：８０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を、スパッタリン
グによって順次積層した。
【０２０２】なお、入射側保護膜３５および反入射側保
護膜３９の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、
波長４０５ｎｍにおいて、記録膜３７が結晶相の時の反
射光量が非晶質相の時の反射光量よりも大きく、且つ記
録膜３７が結晶相の時と非晶質相の時とで反射光量の変
化がより大きく、且つ記録膜３７の光吸収が大きくなる
ように、厳密に決定したものである。
護膜３９の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、
波長４０５ｎｍにおいて、記録膜３７が結晶相の時の反
射光量が非晶質相の時の反射光量よりも大きく、且つ記
録膜３７が結晶相の時と非晶質相の時とで反射光量の変
化がより大きく、且つ記録膜３７の光吸収が大きくなる
ように、厳密に決定したものである。
【０２０３】次に、入射側保護膜３５上に紫外線硬化型
樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラッ
クピッチ０．３２μｍ）が形成された転写用基板を配置
してスピンコートし、樹脂を硬化させた後に転写用基板
を剥がした。この工程によって、レーザ光を導く案内溝
が表面（後の工程にて形成される第１の情報層３２1側
の面）に形成された光学分離層３４が形成された。続い
て、記録膜３７の全面を結晶化させる初期化工程を行っ
た。
樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラッ
クピッチ０．３２μｍ）が形成された転写用基板を配置
してスピンコートし、樹脂を硬化させた後に転写用基板
を剥がした。この工程によって、レーザ光を導く案内溝
が表面（後の工程にて形成される第１の情報層３２1側
の面）に形成された光学分離層３４が形成された。続い
て、記録膜３７の全面を結晶化させる初期化工程を行っ
た。
【０２０４】次に、光学分離層３４の上に第１の情報層
３２1を形成した。具体的には、光学分離層３４上に、
透過率調整膜３７としてＴｉＯ2膜（厚さ：２０ｎ
ｍ）、反射膜２９としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：１
０ｎｍ）、反入射側誘電体膜２８としてＳｉＯ2−Ｃｒ2
Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：１０ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏ
ｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ％、ＺｒＯ2：５０ｍｏｌ
％）、記録膜２７としてＧｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25膜（厚さ：
６ｎｍ）、入射側誘電体膜２６としてＳｉＯ2−Ｃｒ 2Ｏ
3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５ｎｍ、ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ
％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ％、ＺｒＯ2：３５ｍｏｌ
％）、入射側保護層２５としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚
さ：４５ｎｍ、ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０
ｍｏｌ％）を、スパッタリングによって順次積層した。
３２1を形成した。具体的には、光学分離層３４上に、
透過率調整膜３７としてＴｉＯ2膜（厚さ：２０ｎ
ｍ）、反射膜２９としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：１
０ｎｍ）、反入射側誘電体膜２８としてＳｉＯ2−Ｃｒ2
Ｏ3−ＺｒＯ2膜（厚さ：１０ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏ
ｌ％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ％、ＺｒＯ2：５０ｍｏｌ
％）、記録膜２７としてＧｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25膜（厚さ：
６ｎｍ）、入射側誘電体膜２６としてＳｉＯ2−Ｃｒ 2Ｏ
3−ＺｒＯ2膜（厚さ：５ｎｍ、ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ
％、Ｃｒ2Ｏ3：３０ｍｏｌ％、ＺｒＯ2：３５ｍｏｌ
％）、入射側保護層２５としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（厚
さ：４５ｎｍ、ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０
ｍｏｌ％）を、スパッタリングによって順次積層した。
【０２０５】その後、紫外線硬化型樹脂を入射側保護膜
２５上に塗布し、次にポリカーボネート基板（直径１２
０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を入射側保護膜２５に密着させ
てスピンコートした後、紫外線を照射して樹脂を硬化さ
せることによって、透明層３３を形成した。最後に、記
録膜２７の全面を結晶化させる初期化工程を行った。
２５上に塗布し、次にポリカーボネート基板（直径１２
０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を入射側保護膜２５に密着させ
てスピンコートした後、紫外線を照射して樹脂を硬化さ
せることによって、透明層３３を形成した。最後に、記
録膜２７の全面を結晶化させる初期化工程を行った。
【０２０６】以上のようにして、実施例１５の光学的情
報記録媒体を製造した。
報記録媒体を製造した。
【０２０７】本実施例の光学的情報記録媒体について、
実施例１〜１３の光学的情報記録媒体の場合と同様の方
法によって、密着性および繰り返し書き換え性能を評価
した。その結果、第１の情報層３２1および第２の情報
層３２2共に、入射側誘電体膜および反入射側誘電体膜
と記録膜との間で剥離が生じず、１００００回以上の繰
り返し書き換え回数が得られた。また、１回目のジッタ
ー値も第１の情報層３２ 1および第２の情報層３２2共に
１０％以下の良好な値が得られた。
実施例１〜１３の光学的情報記録媒体の場合と同様の方
法によって、密着性および繰り返し書き換え性能を評価
した。その結果、第１の情報層３２1および第２の情報
層３２2共に、入射側誘電体膜および反入射側誘電体膜
と記録膜との間で剥離が生じず、１００００回以上の繰
り返し書き換え回数が得られた。また、１回目のジッタ
ー値も第１の情報層３２ 1および第２の情報層３２2共に
１０％以下の良好な値が得られた。
【０２０８】なお、実施例１〜１５においては、入射側
誘電体膜および反入射側誘電体膜に含まれる化合物（Ｍ
１）Ｏ2としてＺｒＯ2を用いたが、ＨｆＯ2を用いた場
合、およびＺｒＯ2とＨｆＯ2とを半分ずつ含む混合物を
用いた場合においても、同様の結果が得られた。
誘電体膜および反入射側誘電体膜に含まれる化合物（Ｍ
１）Ｏ2としてＺｒＯ2を用いたが、ＨｆＯ2を用いた場
合、およびＺｒＯ2とＨｆＯ2とを半分ずつ含む混合物を
用いた場合においても、同様の結果が得られた。
【０２０９】なお、以上に説明した実施の形態および実
施例においては、入射側誘電体膜および反入射側誘電体
膜がそれぞれ記録膜に接して設けられた光学的情報記録
媒体についてのみ述べたが、入射側誘電体膜と記録膜と
の間、反入射側誘電体膜と記録膜との間に、他の薄膜が
設けられることもある。
施例においては、入射側誘電体膜および反入射側誘電体
膜がそれぞれ記録膜に接して設けられた光学的情報記録
媒体についてのみ述べたが、入射側誘電体膜と記録膜と
の間、反入射側誘電体膜と記録膜との間に、他の薄膜が
設けられることもある。
【０２１０】
【発明の効果】以上のように、本発明の光学的情報記録
媒体とその製造方法によれば、記録膜と記録膜の両側に
配置された誘電体膜との密着性が向上するので、信頼性
が高く記録した情報の長期保存が可能な光学的情報記録
媒体を実現することができる。
媒体とその製造方法によれば、記録膜と記録膜の両側に
配置された誘電体膜との密着性が向上するので、信頼性
が高く記録した情報の長期保存が可能な光学的情報記録
媒体を実現することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１の光学的情報記録媒体
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２の光学的情報記録媒体
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態３の光学的情報記録媒体
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態４の光学的情報記録媒体
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図５】 本発明の光学的情報記録媒体に対して情報の
記録再生を行う記録再生装置の一部構成を概略的に示す
説明図である。
記録再生を行う記録再生装置の一部構成を概略的に示す
説明図である。
【図６】 従来の光学的情報記録媒体の構成を示す断面
図である。
図である。
１，２，３，５ 光学的情報記録媒体
６ 記録再生装置
１１ 基板
１２ 情報層
１３ 透明層
１４ 入射側保護膜
１５ 入射側誘電体膜
１６ 記録膜
１７ 反入射側誘電体膜
１８ 反入射側保護膜
１９ 金属膜
２０ 反射膜
２１ 基板
２２1 第１の情報層
２２2 第２の情報層
２２n 第ｎの情報層
２３ 透明層
２４ 光学分離層
２５ 入射側保護膜
２６ 入射側誘電体膜
２７ 記録膜
２８ 反入射側誘電体膜
２９ 反射膜
３０ 透過率調整膜
３１ 基板
３２1 第１の情報層
３２2 第２の情報層
３３ 透明層
３４ 光学分離層
３５ 入射側保護膜
３６ 入射側誘電体膜
３７ 記録膜
３８ 反入射側誘電体膜
３９ 反入射側保護膜
４０ 金属膜
４１ 反射膜
５１ 基板
５２1 第１の情報層
５２2 第２の情報層
５２n 第ｎの情報層
５３ 接着層
５４ ダミー基板
６１ スピンドルモータ
６２ 半導体レーザ
６３ 光学ヘッド
６４ 対物レンズ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｍ
５３４Ｎ
５３５ ５３５Ｇ
５３５Ｈ
５３８ ５３８Ｅ
Ｂ４１Ｍ 5/26 7/26 ５３１
Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
(72)発明者 山田 昇
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA40 FA01 FA02
FA11 FA12 FA14 FA21 FA23
FA25 FB04 FB05 FB06 FB07
FB09 FB10 FB12 FB16 FB17
FB21 FB23 FB30
5D029 JA01 JB13 JB18 LA13 LA14
LA16 LA17 LB11 MA13 NA13
5D121 AA01 AA04 AA05 EE03 EE14
EE27
Claims (30)
- 【請求項１】 基板と情報層とを含む光学的情報記録媒
体であって、 前記情報層が、 ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方の元素
（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含む第１の誘電体膜と、 前記第１の誘電体膜上に設けられ、レーザ光の照射によ
って光学特性が可逆的に変化する記録膜と、 前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆから選択され
る少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含
む第２の誘電体膜と、をレーザ光入射側からこの順に含
んでおり、 前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度が少なくとも６ａｔ
％以上、前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度が少なくと
も９ａｔ％以上であって、且つ、前記第２の誘電体膜の
Ｃｒ原子濃度が前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度より
も大きいことを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃ
ｒ、およびＯを、組成式ＣｒA1（Ｍ１）B1Ｏ
(100-A1-B1)と表記した場合に、前記Ａ１およびＢ１
が、 ６＜Ａ１＜２９ ９＜Ｂ１＜２９ であり、 前記第２の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、およびＯ
を、組成式ＣｒA2（Ｍ１）B2Ｏ(100-A2-B2)と表記した
場合に、前記Ａ２およびＢ２が、 １１＜Ａ２＜３２ ６＜Ｂ２＜２４ である請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１の誘電体膜が、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ
１）Ｏ2とからなる第１の混合物を含み、前記第１の混
合物においてＣｒ2Ｏ3が１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％
以下であり、 前記第２の誘電体膜が、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とから
なる第２の混合物を含み、前記第２の混合物においてＣ
ｒ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下であり、且
つ、 前記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）が、前記
第１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）よりも大きい
請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度と前
記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度との差が、３ａｔ％以
上１５ａｔ％以下である請求項１に記載の光学的情報記
録媒体。 - 【請求項５】 基板と情報層とを含む光学的情報記録媒
体であって、 前記情報層が、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくと
も一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＯを含む第
１の誘電体膜と、 前記第１の誘電体膜上に設けられ、レーザ光の照射によ
って光学特性が可逆的に変化する記録膜と、 前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆから選択され
る少なくとも一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、Ｓｉ、および
Ｏを含む第２の誘電体膜と、をレーザ光入射側からこの
順に含んでおり、 前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度は少なくとも６ａｔ
％以上、前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度は少なくと
も９ａｔ％以上であり、且つ、前記第２の誘電体膜のＳ
ｉ原子濃度が前記第１の誘電体膜のＳｉ原子濃度よりも
小さいことを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記第２の誘電体膜のＣｒ原子濃度が、
前記第１の誘電体膜のＣｒ原子濃度よりも大きい請求項
５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記第１の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、およびＯを、組成式ＳｉC3ＣｒA3（Ｍ１）B3
Ｏ(100-A3-B3-C3)と表記した場合に、前記Ａ３、Ｂ３、
およびＣ３が、 ６＜Ａ３＜３２ １＜Ｂ３ １＜Ｃ３＜１３ であり、 前記第２の誘電体膜に含まれるＭ１、Ｃｒ、Ｓｉ、およ
びＯを、組成式ＳｉC4ＣｒA4（Ｍ１）B4Ｏ
(100-A4-B4-C4)と表記した場合に、前記Ａ４、Ｂ４、お
よびＣ４が、 １１＜Ａ４＜３５ １＜Ｂ４ ０＜Ｃ４＜１１ である請求項５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項８】 前記Ａ３およびＡ４がＡ３＜Ａ４である
請求項７に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記第１の誘電体膜がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ
3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混合物を含み、前記第
１の混合物において、 ＳｉＯ2：５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１５ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以
下 であり、 前記第２の誘電体膜がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2
とからなる第２の混合物を含み、前記第２の混合物にお
いて、 ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：２０ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ
％以下 であり、且つ、 前記第２の誘電体膜のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）が、前
記第１の誘電体膜のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）よりも小
さい請求項５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１０】 前記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍ
ｏｌ％）が、前記第１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ
％）よりも大きい請求項９に記載の光学的情報記録媒
体。 - 【請求項１１】 前記第１の誘電体膜のＳｉ原子濃度と
前記第２の誘電体膜のＳｉ原子濃度との差が、１ａｔ％
以上１０ａｔ％以下である請求項５に記載の光学的情報
記録媒体。 - 【請求項１２】 前記情報層が複数設けられた請求項１
または５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１３】 前記記録膜が、ＳｂおよびＢｉから選
択される少なくとも一方の元素（Ｍ２）と、Ｇｅと、Ｔ
ｅとを含み、前記Ｍ２、Ｇｅ、およびＴｅを組成式Ｇｅ
a（Ｍ２）bＴｅ3+aと表記した場合に、 ０＜ａ≦６０ １．５≦ｂ≦７ である請求項１または５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１４】 前記Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+aにおい
て、前記Ｇｅの少なくとも一部が、ＳｎおよびＰｂから
選択される少なくとも一方の元素（Ｍ３）にて置換され
ている請求項１３に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１５】 前記記録膜が、ＳｂおよびＢｉから選
択される少なくとも一方の元素（Ｍ２）と、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｅ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙお
よびＡｕから選択される少なくとも一つの元素（Ｍ４）
と、Ｇｅと、Ｔｅとを含み、前記Ｍ２、Ｍ３、Ｇｅ、お
よびＴｅを組成式（Ｇｅa（Ｍ２）bＴｅ3+a）100-c（Ｍ
４）cと表記した場合に、 ０＜ａ≦６０ １．５≦ｂ≦７ ０＜ｃ≦２０ である請求項１または５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１６】 前記記録膜が、Ｓｂと、Ｔｅと、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｂｉ、ＡｕおよびＭｎか
ら選択される少なくとも一つの元素（Ｍ５）とを含み、
前記Ｓｂ、Ｔｅ、およびＭ５を組成式（ＳｂdＴ
ｅ100-d）100-e（Ｍ５）eで表記した場合に、 ５０≦ｄ≦９５ ０＜ｅ≦２０ である請求項１または５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１７】 前記情報層が、前記第１の誘電体膜の
レーザ光入射側に、前記第１の誘電体膜に接して設けら
れた保護膜をさらに含み、 前記保護膜が、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、
Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、
Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓ
ｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−
Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ、ＺｎＳ、およびＳｉＣから選択さ
れる少なくとも一つを含む請求項１または５に記載の光
学的情報記録媒体。 - 【請求項１８】 前記情報層が、前記第２の誘電体膜の
レーザ光入射側と反対側に設けられた反射膜をさらに含
み、 前記反射膜が、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＡｌから選択さ
れる少なくとも一つの元素を含む請求項１または５に記
載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１９】 前記情報層が、前記反射膜のレーザ光
入射側と反対側に、前記反射膜に接して設けられた透過
率調整膜をさらに含み、 前記透過率調整膜が、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｚ
ｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2
Ｏ3、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ
−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−
Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−ＮおよびＺｎＳから選択される少なく
とも一つを含む請求項１８に記載の光学的情報記録媒
体。 - 【請求項２０】 第１の情報層〜第ｎの情報層（ｎは２
以上の自然数）がレーザ光入射側からこの順に積層され
た多層構造の光学的情報記録媒体であって、前記第１の
情報層〜第ｎの情報層の少なくとも一つが前記情報層で
ある請求項１または５に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項２１】 前記第１の情報層が前記情報層である
請求項２０に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項２２】 前記第１の誘電体膜がさらにＳｉを含
む請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項２３】 請求項１に記載の光学的情報記録媒体
を製造する方法であって、 少なくとも、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも
一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含む第１のスパ
ッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより
第１の誘電体膜を成膜する工程と、 レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記
録膜を成膜する工程と、 少なくとも、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも
一方の元素（Ｍ１）、Ｃｒ、およびＯを含む第２のスパ
ッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより
第２の誘電体膜を成膜する工程と、を含み、 前記第２のスパッタリングターゲットのＣｒ原子濃度
が、前記第１のスパッタリングターゲットのＣｒ原子濃
度より大きいことを特徴とする光学的情報記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２４】 前記第１のスパッタリングターゲット
に含まれるＭ１、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＣｒD1（Ｍ
１）E1Ｏ100-D1-E1と表記した場合に、前記Ｄ１および
Ｅ１が、 ３＜Ｄ１＜２９ ９＜Ｅ１＜３１ であり、 前記第２のスパッタリングターゲットに含まれるＭ１、
Ｃｒ、およびＯを、組成式ＣｒD2（Ｍ１）E2Ｏ
100-D2-E2と表記した場合に、前記Ｄ２およびＥ２が、 ９＜Ｄ２＜３２ ６＜Ｅ２＜２６ である請求項２３に記載の光学的情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２５】 前記第１のスパッタリングターゲット
が、Ｃｒ2Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混合物を
含み、前記第１の混合物においてＣｒ2Ｏ3が５ｍｏｌ％
以上６０ｍｏｌ％以下であり、 前記第２のスパッタリングターゲットが、Ｃｒ2Ｏ3と
（Ｍ１）Ｏ2とからなる第２の混合物を含み、前記第２
の混合物においてＣｒ2Ｏ3が１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏ
ｌ％以下であり、且つ、 前記第２の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）が、前記
第１の混合物のＣｒ2Ｏ3濃度（ｍｏｌ％）よりも大きい
請求項２３に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項２６】 請求項５に記載の光学的情報記録媒体
を製造する方法であって、 少なくとも、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも
一方の元素（Ｍ１）、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを含む第１
のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング
により第１の誘電体膜を成膜する工程と、 レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記
録膜を成膜する工程と、 少なくとも、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも
一方の元素（Ｍ１）、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを含む第２
のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング
により第２の誘電体膜を成膜する工程と、を含み、 前記第２のスパッタリングターゲットのＳｉ原子濃度
が、前記第１のスパッタリングターゲットのＳｉ原子濃
度より小さいことを特徴とする光学的情報記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２７】 前記第２のスパッタリングターゲット
のＣｒ原子濃度が、前記第１のスパッタリングターゲッ
トのＣｒ原子濃度より大きい請求項２６に記載の光学的
情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項２８】 前記第１のスパッタリングターゲット
に含まれるＭ１、Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを、組成式Ｓｉ
F3ＣｒD3（Ｍ１）E3Ｏ100-D3-E3―F3で表記した場合
に、前記Ｄ３、Ｅ３、およびＦ３が、 ３＜Ｄ３＜３２ １＜Ｅ３ １＜Ｆ３＜１３ であり、 前記第２のスパッタリングターゲットに含まれるＭ１、
Ｓｉ、Ｃｒ、およびＯを、組成式ＳｉF4ＣｒD4（Ｍ１）
E4Ｏ100-D4-E4-F4と表記した場合に、前記Ｄ４、Ｅ４、
およびＦ４が、 ９＜Ｄ４＜３５ １＜Ｅ４ ０＜Ｆ４＜１１ である請求項２６に記載の光学的情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２９】 前記第１のスパッタリングターゲット
がＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ 3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第１の混
合物を含み、前記第１の混合物において、 ＳｉＯ2：５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以
下 であり、 前記第２のスパッタリングターゲットがＳｉＯ2とＣｒ2
Ｏ3と（Ｍ１）Ｏ2とからなる第２の混合物を含み、前記
第２の混合物において、 ＳｉＯ2：３５ｍｏｌ％以下 Ｃｒ2Ｏ3：１５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下 ＳｉＯ2＋Ｃｒ2Ｏ3：１０ｍｏｌ％を超え、９５ｍｏｌ
％以下 であり、且つ、 前記第２の混合物のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）が、前記
第１の混合物のＳｉＯ2濃度（ｍｏｌ％）よりも小さい
請求項２６に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項３０】 複数の情報層を含む多層構造の光学的
情報記録媒体の製造方法であって、前記複数の情報層の
少なくとも一つが、請求項２３または２６に記載の方法
にて形成される光学的情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003076302A JP4086689B2 (ja) | 2002-03-20 | 2003-03-19 | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002-78359 | 2002-03-20 | ||
| JP2002078359 | 2002-03-20 | ||
| JP2003076302A JP4086689B2 (ja) | 2002-03-20 | 2003-03-19 | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003346382A true JP2003346382A (ja) | 2003-12-05 |
| JP4086689B2 JP4086689B2 (ja) | 2008-05-14 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP4086689B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010095466A1 (ja) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体 |
| JP2012164374A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Corp | 光情報記録媒体 |
-
2003
- 2003-03-19 JP JP2003076302A patent/JP4086689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010095466A1 (ja) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体 |
| JP2012164374A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Corp | 光情報記録媒体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4086689B2 (ja) | 2008-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050909 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070730 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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