JP5148629B2 - 情報記録媒体、及びその製造法、ならびに記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光照射等の光学的な手段を用い、高密度および高速度で情報の記録および再生が可能な情報記録媒体、及びその製造方法、ならびにその記録再生装置に関するものである。

高速度での情報の記録および再生が可能な大容量の記録媒体として、光情報記録媒体（例えば、光ディスク）が知られている。この媒体への情報の記録は、レーザ光を記録材料（記録層を構成する材料を指す）に照射した際に生じる熱によって、記録材料が光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを利用して行う。この記録媒体は、必要に応じて、それにランダムアクセスが可能であり、かつ可搬性にも優れるという大きな利点を有している。そのため、近年ますますその重要性が高まっている。

従来提案されている光情報記録媒体として、多数回の書換が可能な書換型媒体、および１回のみ書き込み可能な追記型媒体が挙げられる。追記型媒体は、一般に、書換型媒体と比較して、少ない層数で構成され得るため、製造が容易であり、低コストで提供され得る。また、追記型媒体に記録した情報は書換えされ得ないことから、追記型媒体は、破壊されたくないデータを書きこむ媒体として好都合に使用される。これらの理由により、保存寿命が長く、信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途の媒体として、大きな需要がある。例えば、追記型媒体は、コンピュータを利用して、個人データまたは映像情報等を記録および保存するために用いられ、医療分野および学術分野において広く用いられている。また、追記型媒体は、家庭用ビデオテープに代わるものとして利用されている。

現在、アプリケーションの高性能化および画像情報の高性能化、ならびに急速な市場の発展に伴い、追記型記録媒体の大容量をさらに大きくすること、および追記型記録媒体のコストをさらに低下させることが求められている。

光情報記録媒体の容量を増やす技術は、大きく２種類に分けられる。１つは、光源の短波長化、対物レンズの高ＮＡ化、および超解像記録などによって、面記録密度を高める方法である。もう一方は、記録層の数を媒体の厚さ方向で増やして、記録層の総面積を増やす方法である。現在、光情報記録媒体の容量は、この両者を組み合わせる方法によって、大きくされようとしている。

また、光情報記録媒体を製造するのに要するコストは、媒体を構成する材料の費用、製造装置の費用、製造に要する時間、および媒体製造における歩留まりなど、多くの製造パラメータによって決定される。特に、光情報記録媒体の製造コストは、情報層を構成する材料のコストに大きく依存する。地球上に存在する数ある元素の中でも、ＰｄおよびＡｕなどの貴金属は、埋蔵量が少ないことから、高価な材料として知られている。例えば、２００７年８月時点で、Ｐｄについては１２００円／ｇ程度、Ａｕについては１ｇ２５００円／ｇ程度で売買が行われている。これらの金属は、例えばＣｕが１円／ｇ程度であることを考慮すると、非常に高価であるといえる。そのため、低コストの追記型記録媒体を実現するためには、貴金属の使用量を可能な限り減らすことが好ましい。

ＤＶＤレコーダーの爆発的な普及に伴い、追記型媒体に対する需要は急増している。これは、ハードディスクに録画した映像を追記型媒体に保存する使い方が、一般的になりつつあるためである。当然、次世代ＤＶＤレコーダーを用いる場合においても消費者は同様の使用方法を用いると想定できることから、ハイビジョン放送の録画に適した低コストの大容量の追記型媒体に対する注目が集まっている。

レーザ光を利用して情報を高密度に記録し、記録した情報をレーザ光を利用して再生する技術は公知である。このような記録および再生に用いる記録媒体として、基板上にＴｅとＴｅＯ_２の混合物であるＴｅＯ_ｘ（０＜ｘ＜２）を主成分とする薄膜を設けた媒体が知られている（特許文献１参照）。このＴｅＯ_ｘに、記録速度および記録感度を向上させるためにＰｄを添加した材料であるＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料は、信号振幅を十分に大きくし、また、媒体の信頼性を非常に高くすることが知られている（特許文献２参照）。しかし、特許文献２に記載の材料において、Ｐｄの含有量は８〜３５原子％である。このように多量のＰｄを使用すると、低コストで追記型記録媒体を作製するのが困難である。また、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層と、屈折率が１．５以上である誘電体層とから成る構成も報告されている（特許文献３参照）。この構成は、青紫色レーザ光で情報を記録する追記型記録媒体において良好なＣ／Ｎ比を確保し、媒体の容量をさらに大きくすることを可能にする。

これらＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料を用いた記録媒体における記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後のＴｅ−Ｏ−Ｐｄ薄膜は、ＴｅＯ_２の中にＴｅ−Ｐｄ、ＴｅまたはＰｄが微粒子として一様に分散している複合材料である。記録のためにレーザ光を照射すると、Ｔｅ、Ｔｅ−ＰｄおよびＰｄが溶融し、より大きな結晶粒子が析出する。それにより、光学状態が変化し、レーザ光が照射された部分とされていない部分の光学状態の差を信号として検出できる。Ｐｄを添加することにより、結晶粒子をより高速に析出させることができ、また、記録媒体の信頼性を高くすることができる。

特開昭５０−４６３１７号 特開昭６１−６８２９６号 特開２００２−１３３７１２号

Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料は、前述したように高価なＰｄを多量に含む。そのため、この記録材料を用いると、低コストの追記型記録媒体を実現するのが困難であった。またＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を用いた追記型記録媒体については、経年劣化により反射率が低下するため、長期にわたって記録した情報を安定に再生することができないといった課題があることもわかった。

本発明はこれらの課題を解決するためになされたものであり、経年劣化による反射率の低下が抑制されて、優れた信号品質を与える記録媒体を、低コストで実現することを目的とする。即ち、本発明は、高密度記録が可能であり、長期にわたって記録データを安定に再生することができる低コストの情報記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明は、基板と、記録層を有する情報層とを備え、レーザ光の照射により情報の記録及び再生を行う情報記録媒体であって、
前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成るＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含み、
前記Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下である情報記録媒体を提供する。この情報記録媒体によれば、経年劣化による反射率の低下がない又は抑えられた、低コストの情報記録媒体を実現できる。

本発明の情報記録媒体において、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料におけるＭ_Ａ原子の含有割合Ｘ_ＡとＭ_Ｂ原子の含有割合Ｘ_Ｂの和に対するＭ_Ｂ原子の含有割合の比｛Ｘ_Ｂ／（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｂ）｝は、０．２５以上０．７５以下であることが好ましい。経年劣化による反射率の低下をより抑制することができるからである。

本発明の情報記録媒体において、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を構成するＭ_Ａ原子は、Ｐｄであることが好ましい。高速記録において良好な信号品質を確保できるからである。

本発明の情報記録媒体において、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を構成するＭ_Ｂ原子は、Ｃｕであることが好ましい。良好な信号品質を確保できるからである。

本発明の情報記録媒体において、記録層の厚さは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。良好な信号品質を確保できるからである。

本発明の情報記録媒体は、情報層を２以上含むものであってよい。その場合、少なくとも１つの情報層は、前記Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む記録層を有する。この構成により、当該少なくとも１つの情報層において、良好な信号品質を確保できる。

本発明の情報記録媒体は、波長が３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるレーザ光を用いて情報を記録および再生するものであることが好ましい。そのようなレーザ光を使用すれば、高密度で情報を記録できるからである。

また、本発明は、上記本発明の情報記録媒体の製造方法であって、記録層を形成する工程が、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成る材料を含むスパッタリングターゲットを使用して、希ガスを含む雰囲気中で、スパッタリングすることを含む、情報記録媒体の製造方法を提供する。この製造方法は、経年劣化による反射率の低下がない又は抑えられた、低コストの情報記録媒体を製造するのに適している。

さらに、本発明は、上記本発明の情報記録媒体の製造方法であって、記録層を形成する工程が、Ｔｅ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成る材料を含むスパッタリングターゲットを使用して、希ガスと酸素との混合ガスを含む雰囲気中で、反応性スパッタリングすることを含む、情報記録媒体の製造方法を提供する。この製造方法は、経年劣化による反射率の低下がない又は抑えられた、低コストの情報記録媒体を製造するのに適している。

本発明の情報記録媒体は、記録層として、上述したＴｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成るＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を主成分として含み、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において各原子が所定の割合で含まれていることを特徴とする。この特徴によって、高密度でデータを記録でき、かつ長期にわたって記録データを安定に再生することができる、情報記録媒体を、低コストで提供することができる。また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記の効果を有する情報記録媒体を作製することができる。

本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図 本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図 本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図 本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図 本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の構成の一部を模式的に示す図

以下本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施形態に限定されない。また、以下の実施形態では、同一の部分または要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。

図１、図２、図３及び図４は、本発明の情報記録媒体（以下の説明を含む本明細書において、単に「媒体」または「記録媒体」と呼ぶことがある）の一構成例をそれぞれ示す。
図１に示す情報記録媒体１は、基板２上に、反射層３、第１の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６から成る情報層が設けられた構成を有する。図示した形態においては、情報層の上に光透明層７（カバー層または保護層とも呼ばれる）が形成されている。記録特性等に影響がなければ、反射層３、第１の誘電体層４、および第２の誘電体層６のいずれか又は全部を、形成しなくてよい。層の数が少なければ、コストを低くできる。あるいは、必要に応じて、第１の誘電体層４と記録層５との間、および／または第２の誘電体層６と記録層５との間に、物質移動を防止するための界面層を形成してよい。この情報記録媒体について、記録再生は、光透明層７の側からレーザ光８を照射して行う。

図２に示す情報記録媒体９は、基板１０上に第１の情報層１５及び第２情報層２１がこの順に設けられた構成を有する。２つの情報層の間には中間層１６を介在させ、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。さらに第２の情報層２１の上に光透明層２２を形成する。この情報記録媒体について、記録再生は、光透明層２２の側からレーザ光２３を照射して行う。第１の情報層１５について、記録再生は、第２情報層２１を透過したレーザ光を用いて行われる。

第１の情報層１５は、高反射率と高信号品質の両方を確保するために、反射層１１、第１の誘電体層１２、記録層１３および第２の誘電体層１４を順次積層した構成を有する。第２の情報層２１は、第１の情報層と同様に、反射層１７、第１の誘電体層１８、記録層１９および第２の誘電体層２０から成る。ただし、高透過率と高信号品質の両方を確保するために、記録層と反射層の厚さを、第１の情報層のそれらの厚さよりも、薄くしてよい。記録特性等に影響がなければ、コストを低くするために、第１の情報層および第２の情報層における反射層、第１の誘電体層、および第２の誘電体層のいずれか又は全部は、形成しなくてよい。

図３に示す情報記録媒体２４は、基板２５上に第１の情報層３０、第２情報層３６及び第３の情報層４１がこの順に設けられた構成を有する。隣り合う情報層の間には、中間層３１、３７をそれぞれ介在させ、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。さらに第３の情報層４１の上に光透明層４２を形成する。この情報記録媒体について、記録再生は、光透明層４２の側からレーザ光４３を照射して行う。第１の情報層３０について、記録再生は、第２の情報層３６および第３の情報層４１を通過したレーザ光を用いて行われる。第２の情報層３６について、記録再生は、第３の情報層４１を通過したレーザ光を用いて行われる。

第１の情報層３０は、高反射率と高信号品質の両方を確保するために、反射層２６、第１の誘電体層２７、記録層２８、及び第２の誘電体層２９を順次積層した構成を有する。第２の情報層３６は、第１の情報層と同様に反射層３２、第１の誘電体層３３、記録層３４、及び第２の誘電体層３５から成る。ただし、高透過率と高信号品質の両方を確保するために、記録層と反射層の厚さを、第１の情報層のそれらの厚さよりも薄くしてよい。

第３の情報層４１は、高透過率と高信号品質の両方を確保するために、第１の誘電体層３８、記録層３９、および第２の誘電体層４０から成る。第３の情報層４１は、第１の情報層３０および第２の情報層３６と異なり、反射層を有しない。これは、第３の情報層４１の透過率を高くするためである。

記録特性等に影響がなければ、コストを低くするために、第１の情報層および第２の情報層における、反射層、第１の誘電体層、および第２の誘電体層のいずれか又は全部を形成しなくてよい。あるいは、信号品質を向上させるために、第３の情報層に反射層を適宜形成してよい。

図４に示す情報記録媒体４４は、基板４５上に第１の情報層５０、第２情報層５５、・・・、第ｎの情報層６０（ｎ≧４）がこの順に設けられた構成を有する。隣り合う情報層の間には中間層５１、５６・・・を介在させ、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この情報記録媒体４４について、記録再生は、光透明層６１の側からレーザ光６２を照射して行う。第ｋの情報層（ｋは１以上（ｎ−１）以下の整数である）について、記録再生は、第ｎの情報層６０から、第ｋ＋１の情報層までを通過したレーザ光を用いて行われる。

第１の情報層５０は、高反射率と高信号品質の両方を確保するために、反射層４６、第１の誘電体層４７、記録層４８および第２の誘電体層４９を順次積層した構成を有する。第２の情報層５５から第ｎの情報層６０までの情報層は、高透過率と高信号品質の両方を確保するために、第１の誘電体層５２、・・・、５７、記録層５３、・・・、５８、第２の誘電体層５４、・・・、５９から成る。第１の誘電体層と中間層の間には、信号品質を高めるために反射層を適宜挿入してもよい。記録特性等に影響がなければ、コストを低くするために、各情報層における、反射層、第１の誘電体層および第２の誘電体層のいずれか又は全部は、形成しなくてよい。

基板２、１０、２５、４５は、透明で円盤形状のものである。基板の材料として、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂等）、ガラス、またはこれらを組み合わせたものを用いることができる。基板２、１０、２５、４５の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってよい。

光透明層７、２２、４２、６１は、透明で円盤形状のものである。光透明層の材料として、使用するレーザ光８、２３、４３、６２の波長に対して、光吸収が小さく、短波長域において光学的に小さい複屈折率を有する材料が好ましく用いられる。具体的には、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂等）、ガラス、またはこれらを組み合わせたものを用いることができる。光透明層７、２２、４２、６１の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってよい。

記録および再生に使用する対物レンズの開口数が０．７５以上０．９５以下である場合、記録媒体の製造時の強度を保つために基板２、１０、２５、４５の厚さは、１．００ｍｍ以上１．２０ｍｍ以下の範囲内にあることが好ましい。また、光透明層７、２２、４２、６１の厚さは、チルトに対する許容幅を小さくするために、０．０３ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下の範囲内にあることが好ましい。

一方、対物レンズの開口数が０．５５以上０．７５以下の場合、基板２、１０、２５、４５の厚さは０．５０ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下の範囲内にあることが好ましい。また、光透明層７、２２、４２、６１の厚さは、０．５０ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下の範囲内にあることが好ましい。

中間層１６、３１、３７、５１、５６の材料として、光透明層と同様に、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂等）、ガラス、またはこれらを組み合わせたもの等を用いることができる。

中間層１６、３１、３７、５１、５６の厚さは、第１の情報層、第２の情報層、第３の情報層及び第ｎの情報層のいずれか一つを再生する際に、他の情報層からのクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数ＮＡとレーザ光の波長λにより決定される焦点深度以上であることが必要である。また、中間層１６、３１、３７、５１、５６の厚さは、全ての情報層が集光可能な範囲に収まるように、選択する必要がある。３以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚さが異なっていることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚さである場合、情報層の位置が等間隔となり、レーザ光から遠い層（第ｍ層）を記録再生する際に、２つ手前に位置する層（第ｍ＋２層）でレーザ光が焦点を結ぶ可能性があり、それによりクロストークが大きくなる可能性があるためである。

１つの情報記録媒体において、基板２、１０、２５、４５、光透明層７、２２、４２、６１、および中間層１６、３１、３７、５１、５６のいずれかに、レーザ光を導くための案内溝或いはピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。

記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８は光学特性が異なる２つ以上の状態をとりうる材料から構成する。追記型の記録媒体の記録層の材料は、ある状態から、光学特性の異なる状態に、非可逆的に変化しうるものであることが好ましい。本発明においては、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素）を記録材料として用いる。この材料を用いて記録層を形成すると、高密度記録が可能であり、長期にわたって記録データを安定に再生することができる、低コストの記録媒体が実現される。したがって、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料は、図１〜４に示す記録媒体のすべての記録層に適用することが好ましい。しかし、例えば、多層構造の記録媒体において各層の記録感度を互いに調整する必要がある場合には、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む層とこの材料を含まない層とが、混在していてよい。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｍ_Ａ原子として、ＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素を用い、Ｍ_Ｂ原子としてＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素を用いることによって、経年劣化による反射率の低下がない、低コストの記録媒体を実現できる。Ｍ_Ａ原子はＰｄであることがより好ましい。これは、高速記録において良好な信号品質を確保できるからである。Ｍ_Ｂ原子は、Ｃｕであることがより好ましい。これは、良好な信号品質を確保できるからである。以下に、ＴｅＯ_ｘに添加するＭ_ＡおよびＭ_Ｂとして、上記の元素を選択した理由を説明する。

ＴｅＯ_ｘ記録材料（添加原子を含まない）の特徴として、情報を記録した直後に信号を再生するため微弱なレーザを照射すると、記録マークが徐々に変化することが知られている。Ｔｅの結晶構造は六方晶系に属しており、基本的な格子はＴｅ−Ｔｅの共有結合によるコイル状の鎖状格子である。コイル同士は互いにファンデルワールス力で凝集し、六方格子となる。Ｔｅの鎖状構造は、融点より相当高い温度でも保存されて、基本的には２配位であり、ところどころにおいて、鎖間のファンデルワールス結合により、共有結合性を帯びる場所が生じて、３配位になって等方性が増す傾向になっている。記録の際に、ＴｅＯ_ｘを融点以上（Ｔｅ単体の融点は４５０℃）に加熱して、液体とした後、急冷すると、３配位の部分も凍結される。この３配位の部分は、固体状態において、非常に不安定である。この歪んだ状態を緩和するために、微弱なレーザ照射により記録マークが変化する（ここでは増感現象とよぶ）と考えられる。

この増感現象を防ぐために、ＴｅＯ_ｘに別の材料（元素）を添加することが検討されてきた。添加材料に求められる条件の一つは、Ｏと結合せずに（すなわち酸化物として母材になるのではなく）、Ｔｅと結合して安定な結晶を形成することである。さらに、この結晶は、単体のＴｅに比べて高い結晶構造の対称性を有することが好ましい。対称性が高い結晶は、上述した増感現象が生じにくいものであり、また、高い結晶化速度を有するからである。

表１に代表的な添加材料の酸化物生成エンタルピーとＴｅ化物の結晶構造とを示す。Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉは、その酸化物生成エンタルピーの絶対値が、Ｔｅのそれより小さいので、相対的に酸化物を作りにくい。そのため、これらの原子は、レーザ照射によって、熱エネルギーが加えられた際に、ＴｅＯ_２母材中に入らず、Ｔｅと相互作用すると考えられる。一方、Ｂｉは、その酸化物生成エンタルピーがＴｅのそれよりも大きく、酸化物を作りやすいので、ＴｅＯ_２母材中に入りやすいと考えられる。

これらの添加材料の中でも、ＰｄとＡｕは結晶化速度が大きい添加材料として知られている。例えば、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを記録材料として用いた記録媒体にＢＤ規格の８倍速で記録した信号は、良好な信号品質を有するという報告もなされている。しかし、ＰｄおよびＡｕは高価であるから、低コストで情報記録媒体を作製するために、その使用量を減らすことが好ましい。他方、従来の３元系のＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料において、Ｐｄ量を減らした場合、記録データを再生する程度のパワーのレーザ光の照射によって、信号品質が劣化し、記録の際に多大なレーザパワーが必要となるといった問題が生じていた。このことは、実用上好ましくなかった。またＰｄの添加量によらず、経年劣化によって反射率が低下する現象が発生し、長期にわたって記録データを安定に再生することができないといった問題も判明した。

そこで、（１）高速記録性、（２）低コスト、（３）記録感度、（４）再生耐久性、および（５）保存信頼性に関する要求を満たすために、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素）から成る、４成分系の材料を、本発明において使用している。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む記録層における、記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後のＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ薄膜は、ＴｅＯ_２の中に、Ｔｅ−Ｍ_Ａ、Ｔｅ−Ｍ_Ｂ、Ｔｅ、Ｍ_Ａ、およびＭ_Ｂが微粒子として、一様に分散している複合材料である。記録のためのレーザ光照射により、Ｔｅ−Ｍ_Ａ、Ｔｅ−Ｍ_Ｂ、Ｔｅ、Ｍ_Ａ、Ｍ_Ｂが溶融し、より大きな結晶粒子が析出する。それにより、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の光学状態が変化し、レーザ光が照射された部分とされていない部分の光学状態の差が信号として検出できる。ＰｄまたはＡｕを適量添加することにより、結晶粒子をより高速に析出することができ、また、高い信頼性を確保することができる。さらに、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉから選択される少なくとも１種の元素を適量添加することにより、記録感度を向上させることができる。

記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８が、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む場合、当該材料を構成する４種類の原子（Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ、Ｍ_Ｂ）が合わせて、記録層に含まれる全原子の８０％以上を占めることが好ましい。記録層において、４種類の原子の含有割合が合わせて８０原子％未満であると（即ち、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を構成しない原子の含有割合が２０原子％を越えると）、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を使用することによる効果を得られない。即ち、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料は、主成分として、記録層に含まれることを要する。

記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８に含まれるＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｔｅ原子の含有割合は１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合は４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合は３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合は３原子％以上１５原子％以下である。また、このＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｍ_Ａ原子の含有割合は３原子％以上１０原子％以下であることがより好ましく、Ｍ_Ｂ原子の含有割合は３原子％以上１０原子％以下であることがより好ましい。特にＭ_Ａ原子がＰｄである場合、Ｐｄの含有割合は３原子％以上５原子％以下であることがより好ましい。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、各原子の含有割合が上記の範囲にある理由を、以下に述べる。
Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｔｅ原子の含有割合が低すぎると、記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８に含まれるＴｅＯ_２の量が少なくなり、後述するように、十分な耐湿性および良好なコントラストを得られない。また、Ｏと結合しないＴｅの量が少ないと、良好なコントラストを得られない。Ｔｅ原子の含有割合が５０原子％を超えると、信号を記録後、再生用のレーザ光により、記録マークが劣化しやすくなる。よって、Ｔｅ原子の含有割合は、１０原子％以上５０原子％以下とする。

記録層中のＯ原子はその大半がＴｅと結合してＴｅＯ_２を形成して存在している。このＴｅＯ_２は記録材料の耐湿性を高くする役割を果たし、ＴｅＯ_２の量が多いほど、記録層はより優れた耐湿性を有する。また、ＴｅＯ_２の量が少なすぎると、熱伝導率が高くなるため、記録層の面内における熱拡散が大きくなり、良好なコントラストが得られにくい。そのため、Ｏ原子の含有割合は４０原子％以上であることが好ましい。しかし、ＴｅＯ_２の量が多い場合には、相対的にＴｅ、Ｍ_Ａ、Ｍ_Ｂの割合が低下する。その結果、レーザ光の吸収効率が低下して記録感度が低下し、また、記録前後における反射率の変化量が小さくなり良好な信号品質が得られなくなる。そのため、Ｏ原子の含有割合は７０原子％以下であることが好ましい。したがってＯ原子の含有割合は４０原子％以上７０原子％以下とする。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料におけるＴｅ原子の含有割合をＸ_Ｔｅとし、Ｏ原子の含有割合をＸ_Ｏとした場合に、Ｘ_Ｏ／Ｘ_Ｔｅの比は、１．１以上１．６以下であることが好ましい。Ｘ_Ｏ／Ｘ_Ｔｅが１．１未満であると、良好なコントラストを得られないことがあり、Ｘ_Ｏ／Ｘ_Ｔｅが１．６を超えると、記録感度が低下することがある。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％未満であると、記録層５、１３、１９、２８、３３、３８において、ＰｄＴｅの結晶核（Ｍ_Ａ＝Ｐｄの場合）またはＡｕ_２Ｔｅの結晶核（Ｍ_Ａ＝Ａｕの場合）が少なくなる。これらの結晶核が少ないと、記録層を高速に結晶化することが困難である。また、Ｍ_Ａ原子の含有割合が低いと、信号を記録した後に再生光を照射することによって記録マークが劣化するといった問題がある。一方、Ｍ_Ａ原子の含有割合が１５原子％を超える場合には、記録前後の反射率変化が低下するため、良好な信号品質を確保することが難しい。したがって、Ｍ_Ａ原子の含有割合は３原子％以上１５原子％以下とする。また、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１０原子％以下の範囲内にあると、非晶質の反射率と結晶の反射率との差が十分に大きくなり、良好な信号品質が得られやすくなる。さらに、Ｍ_Ａ原子がＰｄである場合に、Ｐｄの含有割合が３原子％以上５原子％以下であると、高密度で記録した場合にも良好な信号品質を得ることができる。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％未満であると、記録層５、１３、１９、２８、３３、３８のレーザ光の吸収効率が低下し、記録感度が悪化する。一方、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が１５原子％を超える場合には、記録前後の反射率変化が低下するため、良好な信号品質を確保することが難しい。したがって、Ｍ_Ｂ原子の含有割合は３原子％以上１５原子％以下とすることが好ましい。また、Ｍ_Ｂ原子の量が３原子％以上１０原子％以下の範囲内にあると、非晶質の反射率と結晶の反射率との差が十分に大きくなり、良好な信号品質が得られやすくなる。

前記Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料におけるＭ_Ａ原子の含有割合Ｘ_ＡとＭ_Ｂ原子の含有割合Ｘ_Ｂの和に対するＭ_Ｂ原子の含有割合の比｛Ｘ_Ｂ／（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｂ）｝は、０．２５以上０．７５以下であることが好ましい。Ｘ_Ｂ／（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｂ）が０．２５未満であると、経年劣化による反射率の低下が見られ、Ｘ_Ｂ／（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｂ）が０．７５を超えると、経年劣化による反射率の上昇が見られる。記録媒体を長期間にわたって安定的に使用するという観点から、経年劣化による反射率の変化（低下および上昇）は、抑制されることが好ましい。Ｘ_Ｂ／（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｂ）は、より好ましくは、０．３７５以上０．６２５以下である。

記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８の厚さは、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましい。厚さを２ｎｍ以上とすることにより、記録材料が途切れのない層を形成しやすく（即ち、島状構造となりにくく）、十分なＣ／Ｎ比を得ることできるからである。また、厚さが５０ｎｍより厚い場合には、記録層面内の熱拡散が大きいため、Ｃ／Ｎ比が低下する。図２に示すような２つの情報層を有する情報記録媒体のレーザ入射側に位置する情報層（第２の情報層）は、高い透過率を有することが求められるので、記録層１９の厚さを２ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、図３および図４に示すような３以上の情報層を有する情報記録媒体のレーザ入射側に位置する情報層（例えば、図３における第２の情報層３６、第３の情報層４１、図４における第２の情報層５５、第ｎの情報層６０）は、より高い透過率を有することが求められるので、記録層３４、３９、５３、５８の厚さは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることが好ましい。

また、記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８は、Ｔｅ−Ｏを主成分として含む膜と、Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂを主成分として含む膜とを交互に積層した構成とすることもできる。この場合、記録層を形成するための工程数が増えるものの、各層の厚さを微調整することにより、Ｔｅ−Ｏと、Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂとの混合比を容易に調整することができる。よって、そのような積層構成を、必要に応じて用いてよい。

記録層５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８には、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素）以外の元素が含まれていてもよい。例えば、熱伝導率もしくは光学定数の調整、または耐熱性もしくは環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも１種の元素を添加してもよい。これらの元素の含有割合は、記録層全体の２０原子％以下とすることが好ましい。

第１の誘電体層４、１２、１８、２７、３３、３８、４７、５２、５７と第２の誘電体層６、１４、２０、２９、３５、４０、４９、５４、５９は、情報層での効果的な光吸収を可能にするための光学特性の調節、および記録層の保護を主な目的として設けられる。第１の誘電体層および第２の誘電体層は、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、およびＳｂ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、およびＴａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、およびＴａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、およびＺｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ、およびＭｇ−Ｆ等の弗化物、又はこれらの適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２等）が主成分として（例えば、８０mol％以上の量で）含まれるように形成される。

第１の誘電体層の厚さ及び第２の誘電体層の厚さはいずれも、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比が得やすいためである。誘電体層の厚さが１ｎｍ未満であると、記録層を保護するのに不十分であり、誘電体層の厚さが１００ｎｍより厚い場合には、成膜の際に多くの時間を要し、生産性の面で好ましくない。

反射層３、１１、１７、２６、３２、４６は、放熱効果、および記録層での効果的な光吸収を可能にする光学的効果を得るために設ける。反射層の材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属、またはこれらから２以上選択された金属の合金などが用いられる。レーザ光８、２３、４３、６２の波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍである場合、十分な反射率を確保するためにＡｇ合金やＡｌ合金が好ましく用いられる。特に放熱性および耐湿性の観点から、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｌ−ＣｒまたはＡｌ−Ｎｉを用いることがより好ましい。反射層の厚さは１ｎｍ以上であることが好ましい。反射層３、１１、１７、２６、３２、４６の厚さが１ｎｍ未満であると、反射層は均一な層とならず、十分な熱的および光学的な効果が得られないためである。

なお、本発明は、図１、図２、図３および図４に示した情報記録媒体１、９、２４、４４に限定されるものではなく、種々の構成に適用することができる。例えば、図示した情報記録媒体において、低コスト化のために、反射層３、１１、１７、２６、３２、４６、第１の誘電体層４、１２、１８、２７、３３、３８、４７、５２、５７、または第２の誘電体層６、１４、２０、２９、３５、４０、４９、５４、５９を、必要に応じて設けなくてよい。

例えば、図２に示す情報記録媒体において、２つの情報層１５および２１はともに反射層を有する構成であるが、いずれか一方の情報層は、コストを低くすること、および／または透過率を高めることを目的として、反射層を有しない構成を有してよい。図４に示す情報記録媒体においては、第１の情報層５０のみが、反射層４６を有する構成であるが、第２の情報層５５〜第ｎの情報層６０が反射層を有していてもよいし、或いは第１の情報層５０が反射層４６を有しない構成であってもよい。

一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、その放熱効果および光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する、図２における第２の情報層２１、図３における第２の情報層３６および第３の情報層４１、図４における第２の情報層５５から第ｎの情報層６０については、反射層を設けるかどうかを適切に決定する必要がある。反射層を設けた場合、その反射層を非常に薄くして（例えば１０ｎｍ以下）、情報層の高い透過率を保つように、反射層を設計する必要がある。反射層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋのより好ましい範囲は、それぞれ２．０未満及び２．０以上である。

本発明はまた、基板上に、第２の誘電体層、記録層、第１の誘電体層および反射層がこの順に積層され、光透過層として、ダミー基板が貼り合わされた構成の記録媒体に適用してよい。そのような記録媒体について、記録再生は、基板の側からレーザ光を照射して行う。
図２〜図４に示すような多層記録媒体においては、レーザ入射側の層（例えば図２における第２の情報層２１）に本発明のＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を適用すると、従来のＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料に比べて良好なコントラストが得られ、より優れた信号品質が確保される。

上記の情報層を構成する各薄膜は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法等の気相薄膜堆積法によって形成することができる。

次に、本発明の情報記録媒体の製造方法を説明する。各層の作製順序は、図１に示す情報記録媒体は、基板２上に、反射層３、第１の誘電体層４、記録層５、および第２の誘電体層６をこの順に成膜し、その上に光透明層７を形成することによって作製できる。光透明層７は、第２の誘電体層６まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材（例えば、板、シート、またはフィルム）とを貼り合わせることによって形成してもよい。あるいは、光透明層７は、第２の誘電体層６まで作製した媒体とシート状の基材とを、紫外線硬化性樹脂によって貼り合わせることにより形成してもよい。あるいはまた、光透明層は、第２の誘電体層６まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布した後、樹脂を紫外線によって硬化させる方法により形成してもよい。

図２、図３、図４に示す情報媒体も同様に、成膜工程、ならびに中間層および光透明層の形成工程を実施して、作製することができる。中間層は、紫外線硬化性樹脂を用いて、スピンコート法により形成することができる。あるいは、中間層は、シート状の基材を貼り合わせる方法によって形成することができる。

Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む記録層は、好ましくはスパッタリングにより形成される。スパッタリングは、以下の２つの方法のいずれかにより実施することが好ましい。

第１の方法において、スパッタリングは、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成る材料を含むスパッタリングターゲットを使用して、希ガスを含む雰囲気中で、実施される。このスパッタリング方法は、記録層に含まれるべきＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成と同じ又は類似する組成のターゲットを用いる方法である。希ガスを含む雰囲気ガス（成膜ガスとも呼ばれる）は、好ましくは希ガスを８０体積％以上含む。希ガスは、Ａｒガス、Ｋｒガス、およびＸｅガスのいずれでもよい。第１の方法において、スパッタリングは、直流（ＤＣ）電源を用いて実施することが好ましい。

第２の方法において、スパッタリングは、Ｔｅ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成る材料を含むスパッタリングターゲットを使用して、希ガスと酸素との混合ガスを含む雰囲気中で、実施される。よって、第２の方法においては、反応性スパッタリングが実施される。このスパッタリング方法で形成される記録層において、Ｔｅ原子、Ｍ_Ａ原子およびＭ_Ｂ原子は、Ｔｅ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料から成るスパッタリングターゲットから与えられ、酸素は、雰囲気ガスから与えられる。雰囲気ガスは、好ましくは希ガスと酸素との混合ガスを８０体積％以上含む。酸素ガスの割合を調節することによって、記録層に含まれる酸素の含有割合を調節することができる。雰囲気ガスは、酸素ガスを、例えば、０．１体積％以上７０体積％以下含んでよい。

上記第１および第２の方法において、２以上の異なるスパッタリングターゲットを（例えば、第１の方法においては、Ｔｅ―Ｏから成るスパッタリングターゲットと、Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂから成るスパッタリングターゲットを、第２の方法においては、Ｔｅから成るスパッタリングターゲットと、Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂから成るスパッタリングターゲット）を同時にスパッタリングしてよい。

これらいずれかの方法で記録層を成膜することによって、高密度で情報を記録することが可能であり、長期にわたって記録データを安定に再生することができる、低コストの情報記録媒体を得ることができる。

次に、本発明の情報記録媒体の記録再生装置および記録および再生方法の一例を説明する。
図５に、光ディスクの記録および再生に用いる装置の一例の概略を示す。信号の記録および再生には、レーザ光を集光させる対物レンズ６６およびレーザ６７と搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光を照射する位置を所定の位置へ導くための駆動装置（図示省略）、トラック方向及び膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置及びフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）、媒体を回転させるためのスピンドルモータ６９とを備えた記録再生装置を用いる。

信号の記録は、媒体をスピンドルモータ６９により回転させながら、光学系（即ち、対物レンズ）によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体へレーザ光を照射することにより行う。レーザ光が照射された部分は、記録マークを形成する。信号の再生は、レーザ光を照射し、媒体からの信号を光検出器６８で読みとることによって行う。信号の再生に用いるレーザ光のパワーレベルＰ１は、信号の記録に用いるレーザ光のパワーレベルＰ２よりも低く、かつそのパワーレベルＰ１でのレーザ照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつそのパワーレベルＰ１でのレーザ照射によって、媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるように選択される。

記録再生に用いるレーザ光の波長は、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。例えば、波長４０５ｎｍのレーザ光とＮＡ０．８５のレンズとを用いることによって、直径１２ｃｍの情報記録媒体において、１つの情報層につき、２３ＧＢ〜３５ＧＢの高密度記録を実現できる。あるいは、波長４０５ｎｍのレーザ光とＮＡ０．６５のレンズを用いることによって、直径１２ｃｍの情報記録媒体において、１つの情報層につき、１５ＧＢ〜２０ＧＢ程度の高密度記録を実現できる。

次に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
（実施例１）
実施例１では、記録材料として、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料を用いた場合に、記録層の組成がＣ／Ｎ比、再生耐久性に及ぼす影響を調べた。記録層の組成がそれぞれ異なる複数の情報記録媒体をサンプルとして作製し、評価した。以下にその詳細を示す。

本実施例では、図１に示す構成を有する情報記録媒体１を作製した。基板２として、ポリカーボネート樹脂から成る基板を用いた。基板は、直径１２ｃｍ及び厚さ１．１ｍｍのものであり、一方の表面に案内溝を有していた。案内溝は、０．３２μｍのグルーブピッチ（隣り合うグルーブの中心間の距離）、および２０ｎｍのグルーブ深さを有していた。

基板２のグルーブが形成された側の表面上に、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて厚さ８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層をスパッタリングにより形成した。次に、反射層３の上に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、第１の誘電体層４として、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３層をスパッタリングにより形成した。第１の誘電体層４の厚さは、サンプルにより異なっている。第１の誘電体層４の厚さは、記録層の組成に応じて記録再生を安定に行うことができる反射率が確保され、また、コントラストが最大となるように、３〜４０ｎｍの範囲から選択した。第１の誘電体層４の上に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層５をスパッタリングにより形成した。記録層の組成は、サンプルにより異なり、表２に示すとおりである。次に、記録層５の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、第２の誘電体層６として、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層をスパッタリングにより形成した。また、第１の誘電体層は、屈折率が１．６〜２．８となるように形成した。第２の誘電体層６の厚さは、サンプルにより異なっており、記録層の組成に応じて誘電体層が適切な屈折率および消衰係数を有するように、３〜４０ｎｍの範囲から選択した。また、第２の誘電体層は、屈折率が１．６〜２．８となるように形成した。

各層の成膜工程においては、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用いた。各層の成膜工程で使用した電源および出力は、反射層についてＤＣ電源および２００Ｗ、誘電体層についてＲＦ電源および３００Ｗ、記録層についてＤＣ電源および１００Ｗであった。また、反射層および誘電体層の成膜は、Ａｒ２５ｓｃｃｍのガスの雰囲気中で、ガス圧を０．１３Ｐａに保って実施した。記録層の成膜は、Ａｒ２５ｓｃｃｍと酸素との混合ガスの雰囲気中で、ガス圧を約０．１３Ｐａに保って実施した。第２の誘電体層６を形成した後、その表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化樹脂（アクリル樹脂）を用いて、厚さ１００μｍの光透明層を、スピンコート法により形成した。以上で情報記録媒体１の作製が完了した。

記録媒体の信号特性の記録層材料組成依存性を調べるため、記録層の組成が互いに異なるサンプルを作成した。記録層中のＴｅ含有割合、Ｐｄ含有割合およびＣｕ含有割合は、スパッタリングターゲットの組成を調整して、調整した。記録層中のＯ含有割合は、スパッタリングを実施する雰囲気ガス中のＯ_２ガス量を調整して、調整した。

次に情報記録媒体の評価手法について説明する。情報記録媒体１に情報を記録するために、情報記録媒体１を回転させるスピンドルモータ６９と、レーザ光６５を発する半導体レーザと、レーザ光６５を情報記録媒体１の記録層上に集光させる対物レンズ６６とを備えた光学ヘッドを具備した一般的な構成の情報記録システムを用いた。記録した信号の評価の際、単一信号のＣ／Ｎ比の評価にはスペクトラムアナライザーを、ジッタ値の評価にはタイムインターバルアナライザーを用いた。情報記録媒体１の評価においては、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レンズとを使用して、情報を記録した。各サンプルについて、一面あたり２５ＧＢ容量相当、３０ＧＢ容量相当、３３．４ＧＢ容量相当の情報記録を実施した。情報記録媒体を回転させる線速度は、いずれの容量の情報を記録する場合にも、１９．６８ｍ／ｓ（１４４Ｍｂｐｓ、ＢＤ４倍速相当）とした。

Ｃ／Ｎ比は以下の手順で評価した。上記のシステムを用いて、レーザ光を高パワーレベルのピークパワーと低パワーレベルのバイアスパワーとの間でパワー変調しながら情報記録媒体１に向けて照射して、マーク長２Ｔの単一信号を記録層のグルーブ表面に１回記録した後、スペクトルアナライザーによってＣ／Ｎ比を測定した。ここで４３ｄＢより大きいＣ／Ｎ比が得られれば、きわめて良好な信号品質を得ることが可能であることから◎、４０ｄＢより大きく４３ｄＢ以下の場合には良好な信号品質が得られることから○、３８ｄＢより大きく４０ｄＢ以下の場合には信号品質にやや問題があることから△、３８ｄＢ以下の場合には信号品質が優れていないことから×と判定した。

記録感度は以下の手順で評価した。ここでは上記システムを用いて、マーク長２Ｔから８Ｔのランダム信号を記録層のグルーブ表面に１回記録した後、平均ジッタを測定した。次に、バイアスパワーとピークパワーの比を一定値に固定し、ピークパワーを種々変化させた各記録条件について、平均ジッタ値を測定し、平均ジッタ値が最小値になるピークパワー値を求め、これを記録感度とした。記録は４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）で行った。ここで８ｍＷ以下であれば◎、８ｍＷより大きく９ｍＷ以下であれば○、９ｍＷより大きく１０ｍＷ以下であれば△、１０ｍＷより大きい場合には×と判定した。総合評価は、２５ＧＢ相当の情報を記録したときのＣＮ比、記録感度、反射率変動およびコストのうち、最低の評価であったものに合わせて、◎、○、△、×で評価した。例えば、サンプル１は、コストが×であるので、総合評価も×とした。サンプル８は、反射率変動が△であるので、総合評価も△とした。

反射率変動は、以下の条件で測定した。情報記録媒体を温度８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下において５０時間保持することにより加速試験を実施した。加速試験の前後における反射率の変動率｛１００×（初期反射率−加速試験後の反射率）／初期反射率｝を測定することにより、反射率変動を評価した。ここでは、反射率の変動率が５％以下であれば◎、５％より大きく１５％以下であれば○、１５％より大きく２５％以下であれば△、２５％より大きければ×と判定した。

コストは歩留まりおよび成膜時間などによっても左右されるが、ここでは記録層を成膜するのに必要な費用を判断基準とした。すなわち、記録層中に含まれるＰｄの量が少ないほど、コスト的に有利であるといえる。ここでは、記録層中のＰｄ含有割合が１０原子％以下であれば◎、１０原子％より多く１５原子％以下であれば○、１５原子％より多いのであれば×と判定した。

次に記録層中の元素比率（各原子の含有割合）の測定方法について説明する。情報記録媒体における記録層中の元素の比率は、組成分析用のサンプルを作成し、Ｘ線マイクロアナライザにより測定した。組成分析用のサンプルは、情報記録媒体の各サンプルの記録層を形成するのに使用したスパッタリングターゲットおよび成膜条件を使用して、厚さ１ｍｍのＳｉ基板上に、厚さが５００ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の層を形成することによって、作成した。情報記録媒体の各サンプルの記録層の組成として、本方法により分析した結果を示す。以下の実施例においても同様である。

実施例１では、表２に示されるように、記録層がＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る情報記録媒体を作製し、上記評価を行った。比較例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ材料から成る情報記録媒体についても同様の評価を行った。評価結果を表２に示す。

表２に示されるように、記録層がＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−ＣｕもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄから成る情報記録媒体について、記録層の組成が異なると、Ｃ／Ｎ比、記録感度、反射率変動（およびコスト）の評価が異なっていた。

記録層がＴｅ−Ｏ−Ｐｄから成る場合（サンプル１４、１５、１６、１７）には、反射率変動が大きかった。一方、記録層がＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕから成る場合には、記録層中のＰｄ含有割合およびＣｕ含有割合が３原子％未満（サンプル６）であると、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動の評価が低くなった。また、Ｐｄ含有割合およびＣｕ含有割合が１５原子％より多いと（サンプル１）、Ｃ／Ｎ比とコストの評価が低くなった。

また、記録層中のＰｄ含有割合とＣｕ含有割合の和に対するＣｕ含有割合の比が０．２５以上０．７５以下の範囲であると、反射率変動の点では問題がなかった。この比が前記範囲を外れると（実施例１ではサンプル８と１０）、反射率変動が大きかった。

また、記録層中のＯ含有割合が７０原子％より大きい場合（サンプル１２）、Ｃ／Ｎ比と記録感度の評価が低かった。Ｏ含有割合が４０原子％以下の場合（サンプル１１）、Ｃ／Ｎ比の評価が低かった。

また、記録層中のＴｅ含有割合が５０原子％より大きい場合（サンプル１３）、Ｃ／Ｎ比の評価が低かった。

Ｍ_Ａ原子の含有割合Ｘ_ＡとＭ_Ｂ原子の含有割合Ｘ_Ｂの和に対するＭ_Ｂ原子の含有割合の比｛Ｘ_Ｂ／（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｂ）｝が、０．２５未満であるもの（サンプル１０）、または０．７５を超えるもの（サンプル８）は、反射率変動がやや大きくなった。

したがって、Ｃ／Ｎ比、記録感度、反射率変動、およびコストを考慮すると、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下である、組成のＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料が、記録層を構成するのに適していると考えられる。また、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１０原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１０原子％以下である組成のＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を用いると、Ｃ／Ｎ比、記録感度、反射率変動、およびコストのすべての点で良好な結果が得られた（サンプル３〜５：総合評価はすべて◎）。よって、そのような組成の材料は、記録層を形成するのに特に好ましいといえる。また、Ｐｄ原子の含有割合が３原子％以上５原子％以下である組成のＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料を用いると、記録密度を高くして情報を記録した場合（３０ＧＢ〜３３．４ＧＢ容量／面）でも、良好なＣＮ比、即ち、良好な信号品質を得ることできた。

本実施例の結果より、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成を、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であるように選択すると、良好な信号品質を示し、長期にわたって記録データを安定に再生することができる、低コストの情報記録媒体が実現されることを確認した。さらに、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成を、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１０原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１０原子％以下であるように選択すると、特に良好な特性を示す情報記録媒体が実現されることを確認した。また、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料の組成を、Ｐｄ原子の含有割合が３原子％以上５原子％以下であるように選択すると、特に良好な信号品質を示す、高密度記録（３０ＧＢ〜３３．４ＧＢ容量／面）可能な情報記録媒体が実現されることを確認した。

（実施例２）
実施例２では、記録材料として、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｎｉ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｎｉ材料、およびＴｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｃｕ材料を用いた場合に、記録材料がＣ／Ｎ比、記録感度、反射率変動、コストに及ぼす影響を調べた。情報記録媒体は実施例１と同様の方法で作製し、評価条件も実施例１で採用した条件と同様である。サンプルを評価した結果を表３に示す。

表３に示されるように、記録層材料として、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｎｉ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｎｉ材料、およびＴｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｃｕ材料を用いた場合に、Ｃ／Ｎ比、記録感度、反射率変動、コストの点で実施例１と同様に良好な結果が得られた。

本実施例の結果より、記録層が、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｎｉ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｎｉ材料、およびＴｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｃｕ材料から成る記録媒体は、記録層がＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録媒体と、同様の特性を有することを確認した。

（実施例３）
実施例３では、２つの情報層から成る情報記録媒体に、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕを使用）及びＴｅ−Ｏ−Ｐｄを適用し、実施例１と同様に、記録層の組成が、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動を評価した。

図２に示す構成を有する情報記録媒体を作製した。基板１０として、ポリカーボネート樹脂から成る基板を用いた。基板は、直径１２ｃｍおよび厚さ１．１ｍｍのものであり、一方の表面に案内溝を有していた。案内溝は、０．３２μｍのグルーブピッチ、２０ｎｍのグルーブ深さを有していた。

基板１０のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層１５を形成した。第１の情報層１５は、反射層１４、第１の誘電体層１２、記録層１３、および第２の誘電体層１４を有する構成とした。まず、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて、厚さ８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層１１をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３誘電体層１２（屈折率：１．９８）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−ＣｕまたはＴｅ−Ｐｄから成るターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料（サンプル２４）またはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ材料（サンプル２３）から成る記録層１３を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層１４（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。

第１の情報層１５の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）をスピンコート法により塗布した。次いで、基板に形成された案内溝と相補的な形状の凹凸が形成された板を、紫外線硬化性樹脂に密着させた。板を密着させたまま、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、その後、板を取り除いた。それにより、案内溝を有する、厚さ約２５μｍの中間層１６を形成した。

中間層１６の表面上に、第２の情報層２１を形成した。第２の情報層２１は、反射層１７、第１の誘電体層１８、記録層１９、および第２の誘電体層２０を有する構成とした。まず、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて、厚さ１２ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層１７をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、厚さ１４ｎｍのＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３誘電体層１８（屈折率：１．９８）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−ＣｕまたはＴｅ−Ｐｄから成るターゲットを用いて、厚さ１２ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ（サンプル２４）またはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ（サンプル２３）から成る記録層１９をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層２０（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第２の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）を用いて、厚さ約７５μｍの光透明層２２をスピンコート法により形成した。記録層の組成は、実施例１のサンプル４と同様であった。各層の成膜条件、記録層組成の分析方法、Ｃ／Ｎ比、記録感度、反射率変動の評価方法は、実施例１で採用したそれらと同じである。この実施例で作製した、情報記録媒体（サンプル２３、２４）の評価結果を表４に示す。

表４に示されるように、第１の情報層と第２の情報層の記録層を、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成比を有するＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料で構成すると、実施例１のサンプル４と同様にＣ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動について良好な評価結果が得られた。
また、サンプル２３とサンプル２４のＣＮ比を比較すると、第１の情報層において、組成の違いによるＣＮ比の差は見られなかったものの、第２の情報層において、組成の違いによるＣＮ比の差が生じた。具体的には、第２の情報層が、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成比を有するＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料で構成したサンプル２４において、より良好なＣＮ比が得られた。

ここでは、記録層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成を有するサンプルの評価結果を示している。第１の情報層と第２の情報層の記録層が、実施例１および２で使用した他の組成の材料から成る場合でも、同様の傾向を示すことを確認した。

本実施例の結果より、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成を、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であるように選択すると、良好な信号品質を示す２層の情報記録媒体を実現できることを確認した。また、多層構造の情報記録媒体において、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料から成る記録層は、レーザ入射側に配置された場合に、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ材料と比較して、より良好なＣ／Ｎ特性を与えることを確認した。

（実施例４）
実施例４では、３つの情報層から成る情報記録媒体に、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕを使用）を適用し、実施例１と同様に、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動を評価した。

図３に示す構成を有する情報記録媒体を作製した。基板２５として、ポリカーボネート樹脂から成る基板を用いた。基板は、直径１２ｃｍおよび厚さ１．１ｍｍのものであり、一方の表面に案内溝を有していた。案内溝は、０．３２μｍのグルーブピッチ、２０ｎｍのグルーブ深さを有していた。

基板２５のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層３０を形成した。第１の情報層は、反射層２６、第１の誘電体層２７、記録層２８、および第２の誘電体層２９を有する構成とした。まず、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて、厚さ８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層２６をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３誘電体層２７（屈折率：１．９８）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層２８をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層２９（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。

第１の情報層３０の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）をスピンコート法により塗布した。次いで、基板に形成された案内溝と相補的な形状の凹凸が形成された板を、紫外線硬化性樹脂に密着させた。板を密着させたまま、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、その後、板を取り除いた。それにより、案内溝を有する、厚さ約２５μｍの中間層３１を形成した。

中間層３１の表面上に、第２の情報層３６を形成した。第２の情報層３６は、反射層３２、第１の誘電体層３３、記録層３４、第２の誘電体層３５を有する構成とした。まず、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて、厚さ１２ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層３２をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、厚さ１４ｎｍのＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３誘電体層３３（屈折率：１．９８）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層３４を、スパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ１１ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層３５（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。

この第２の情報層３６の表面上に、厚さ約１８μｍの中間層３７を形成した。中間層３７は、中間層３１と同様の方法で形成した。

この中間層３７の表面上に、第３の情報層４１を形成した。第３の情報層４１は、第１の誘電体層３８、記録層３９、および第２の誘電体層４０を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層３８（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ１２ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層３９を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ４１ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層４０（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第３の情報層４１の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）を用いて厚さ約５７μｍの光透明層４２をスピンコート法により形成した。記録層の組成は、実施例１のサンプル４と同様にした。各層の成膜条件、および記録層組成の分析方法は、実施例１で採用したそれらと同じである。

本実施例では、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動の評価の際に、１層あたり３４ＧＢの容量の情報を記録した。具体的には、記録再生は、実施例１で用いた波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レンズを使用して行い、信号検出はＰＲ１２２２１ＭＬを使用して行った。この実施例で作製した、情報記録媒体（サンプル２５）の評価結果を表５に示す。

表５に示されるように、第１の情報層、第２の情報層および第３の情報層の記録層を、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成比を有するＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料で構成すると、実施例１のサンプル４と同様にＣ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動について良好な評価結果が得られた。

ここでは、記録層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成を有するサンプルの評価結果を示している。第１、第２、および第３の情報層の記録層が、実施例１および２で使用した他の組成の材料から成る場合でも、同様の傾向を示すことを確認した。

本実施例の結果より、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成を、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であるように選択すると、良好な信号品質を示す３層の情報記録媒体を実現できることを確認できた

（実施例５）
実施例５では、４つの情報層から成る情報記録媒体に、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕを使用）を適用し、実施例１と同様に、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動を評価した。

図４に示す構成構成を有する情報記録媒体（ｎ＝４）を作製した。基板４４としては、ポリカーボネート樹脂から成る基板を用いた。基板は、直径１２ｃｍおよび厚さ１．１ｍｍのものであり、一方の表面に案内溝を有していた。案内溝は、０．３２μｍのグルーブピッチ、２０ｎｍのグルーブ深さを有していた。

基板４４のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層５０を形成した。第１の情報層は、反射層４６、第１の誘電体層４７、記録層４８、および第２の誘電体層４９を有する構成とした。まず、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて、厚さ８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層４６をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３誘電体層４７（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ３０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層４８をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層４９（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。

この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）をスピンコート法により塗布した。次いで、基板に形成された案内溝と相補的な形状の凹凸が形成された板を、紫外線硬化性樹脂に密着させた。板を密着させたまま、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、その後、板を取り除いた。それにより、案内溝を有する、厚さ約１３．５μｍの中間層５１を形成した。

中間層５１の表面上に、第２の情報層５５を形成した。第２の情報層５５は、第１の誘電体層５２、記録層５３、および第２の誘電体層５４を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのＡｌＮ誘電体層５２（屈折率：２．０５）を形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ１７ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層５３をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層５４（屈折率：２．５２）をスパッタリングにより形成した。この第２の情報層５５の表面上に、案内溝を有する厚さ約１７．５μｍの中間層５６を形成した。中間層５６は、中間層５１と同様の方法で形成した。

この中間層の表面上に、第３の情報層を形成した。第３の情報層は、第１の誘電体層、記録層、および第２の誘電体層を有する構成した。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ１０．５ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕから成る記録層をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ３３ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第３の情報層の表面上に、案内溝を有する厚さ約９．５μｍの中間層を形成した。中間層は、中間層５１と同様の方法で形成した。

この中間層の表面上に、第４の情報層６０を形成した。第４の情報層６０は、第１の誘電体層５７、記録層５８、および第２の誘電体層５９を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層５７（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ７．５ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層５８をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ４６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層５９（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第４の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）を用いて、厚さ約５９．５μｍの光透明層６１をスピンコート法により形成した。

記録層の組成は、実施例１のサンプル４と同様にした。各層の成膜条件、記録層組成の分析方法、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動の評価方法は、実施例１で採用したそれらと同じである。この実施例で作製した、情報記録媒体（サンプル２６）の評価結果を表６に示す。

表６に示されるように、第１の情報層、第２の情報層、第３の情報層および第４の情報層の記録層を、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成比を有するＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料で構成すると、実施例１のサンプル４と同様にＣ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動について良好な評価結果が得られた。

ここでは、記録層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成を有するサンプルの評価結果を示している。第１、第２、第３および第４の情報層の記録層が、実施例１および２で使用した他の組成の材料から成る場合でも、同様の傾向を示すことを確認した。

本実施例の結果より、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成を、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であるように選択すると、良好な信号品質を示す４層の情報記録媒体を実現できることを確認した。

（実施例６）
実施例６では、６つの情報層から成る情報記録媒体に、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕを使用）を適用し、実施例１と同様に、記録層の組成が、Ｃ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動を評価した。

図４に示す構成を有する情報記録媒体（ｎ＝６）を作製した。基板４４としては、ポリカーボネート樹脂から成る基板を用いた。基板は、直径１２ｃｍおよび厚さ１．１ｍｍのものであり、一方の表面に案内溝を有していた。案内溝は、０．３２μｍのグルーブピッチ、２０ｎｍのグルーブ深さを有していた。

基板４４のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層５０を形成した。第１の情報層は、反射層４６、第１の誘電体層４７、記録層４８、および第２の誘電体層４９を有する構成とした。まず、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて、厚さ８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層４６をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＬａＦ_３誘電体層４７（屈折率：１．９８）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層４８を、スパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層４９（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。

第１の情報層５０の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）をスピンコート法により塗布した。次いで、基板に形成された案内溝と相補的な形状の凹凸が形成された板を、紫外線硬化性樹脂に密着させた。板を密着させたまま、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、その後、板を取り除いた。それにより、案内溝を有する、厚さ約２０．０μｍの中間層５１を形成した。

中間層５１の表面上に、第２の情報層５５を形成した。第２の情報層５５は、第１の誘電体層５２、記録層５３、および第２の誘電体層５４を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのＡｌＮ誘電体層５２をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ１５ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層５３をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのＺｎＳ誘電体層（屈折率：２．５２）をスパッタリングにより形成した。次に、ＴｉＯ_２ターゲットを用いて、厚さ１８ｎｍのＴｉＯ_２誘電体層（屈折率：２．６８）をスパッタリングにより形成した。即ち、第２の誘電体層５４は、ＺｎＳ誘電体層とＴｉＯ_２誘電体層の２層構成とした。この第２の情報層５５の表面上に、案内溝を有する厚さ約２３．０μｍの中間層５６を形成した。中間層５６は、中間層５１と同様の方法で形成した。

この中間層５６の表面上に、第３の情報層を形成した。第３の情報層は、第１の誘電体層、記録層、および第２の誘電体層を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて厚さ１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ３９ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第３の情報層の表面上に、案内溝を有する厚さ約１３．０μｍの中間層を形成した。中間層は、中間層５１と同様の方法で形成した。

この中間層の表面上に、第４の情報層を形成した。第４の情報層は、第１の誘電体層、記録層、および第２の誘電体層を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ５３ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第４の情報層の表面上に、案内溝を有する厚さ約１７．０μｍの中間層を形成した。中間層は、中間層５１と同様の方法で形成した。

この中間層の表面上に、第５の情報層を形成した。第５の情報層は、第１の誘電体層、記録層、および第２の誘電体層を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ５４ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第５の情報層の表面上に、案内溝を有する厚さ約１０．０μｍの中間層を形成した。中間層は、中間層５１と同様の方法で形成した。

この中間層の表面上に、第６の情報層６０を形成した。第６の情報層６０は、第１の誘電体層５７、記録層５８、および第２の誘電体層５９を有する構成とした。まず、ＡｌＮターゲットを用いて、厚さ１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層５７（屈折率：２．０５）をスパッタリングにより形成した。次に、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｃｕから成るターゲットを用いて、厚さ４ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る記録層５８をスパッタリングにより形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて、厚さ５７ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層５９（屈折率：２．３０）をスパッタリングにより形成した。この第６の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）を用いて、スピンコート法により、厚さ約３７．０μｍの光透明層６１を形成した。

各記録層の組成は、実施例１のサンプル４と同様にした。各層の成膜条件、記録層組成の分析方法、Ｃ／Ｎ比、記録感度、反射率変動の評価方法は、実施例１で採用したそれらと同じである。この実施例で作製した、情報記録媒体（サンプル２７）の評価結果を表７に示す。

表７に示されるように、第１の情報層、第２の情報層、第３の情報層、第４の情報層、第５の情報層および第６の情報層の記録層を、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成比を有するＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料で構成すると、実施例１のサンプル４と同様にＣ／Ｎ比、記録感度、および反射率変動について良好な評価結果が得られた。

ここでは、記録層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ：Ｃｕ＝３２：５８：５：５［原子％］の組成を有するサンプルの評価結果を示している。第１、第２、第３、第４、第５および第６の情報層の記録層が、実施例１および２で使用した他の組成の材料から成る場合でも、同様の傾向を示すことを確認した。

本実施例の結果より、記録層を構成するＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料の組成を、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であるように選択すると、良好な信号品質を示す４層の情報記録媒体を実現できることを確認した。

（実施例７）
実施例７では、記録材料としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料を用いた場合に、記録層の厚さがＣ／Ｎ比に及ぼす影響を調べた。情報記録媒体は実施例１で用いた方法と同様の方法で作製し、評価条件も実施例１で採用した条件と同様である。記録層の厚さが互いに異なるサンプル２８−３４を評価した結果を表８に示す。

表８に示されるように、記録層がＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料から成る情報記録媒体について、Ｃ／Ｎ比は記録層の厚さにより変化した。

表８によると、記録層の厚さが２ｎｍ未満であると（サンプル２８）、Ｃ／Ｎ比が低かった。これは、記録層が途切れのない層になっていなかったためであると考えられる。記録層の厚さが２ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあると（サンプル２９〜３３）では、記録材料が連続した層になりやすく、良好なＣ／Ｎ比を得ることができた。特に、記録層の厚さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内にあると（サンプル３１〜３２）、十分な光学変化が得られ、かつ面内の熱拡散も小さいことから、より良好なＣ／Ｎ比を得ることができた。記録層の厚さが５０ｎｍを超えると（サンプル３４）、記録層面内の熱拡散が大きくなるので、Ｃ／Ｎ比が低下した。したがって、Ｃ／Ｎ比を考慮すると、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む記録層の厚さは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下が適していると考えられる。

ここでは、記録材料としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｃｕ材料を用いた例を説明した。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｎｉ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ａｇ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｎｉ材料、Ｔｅ−Ｏ−Ａｕ−Ｃｕ材料を用いた場合でも、同様の特性が得られることを確認した。

図２に示される２つの情報層を有する情報記録媒体において、第１の情報層の記録層の適当な厚さは、同様に２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であった。一方、第２の情報層は高い透過率を有する必要があるので、第２の情報層の記録層の適当な厚さは、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがわかった。

図３に示される３つの情報層を有する情報記録媒体において、第１の情報層の記録層の適当な厚さは、同様に２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であった。一方、第２の情報層は高い透過率と高反射率を有する必要があるので、第２の情報層の記録層の適当な厚さは、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがわかった。また、第３の情報層は、高い透過率を有する必要があるので、第３の情報層の記録層の適当な厚さは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがわかった。

図４に示される構成を有し、ｎが４である情報記録媒体において、第１の情報層の記録層の適当な厚さは、同様に２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であった。一方、第２の情報層〜第４の情報層は、高透過率を有する必要があるので、これらの情報層の記録層の適当な厚さは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがわかった。

図４に示される構成を有し、ｎが６である情報記録媒体においては、第１の情報層の記録層の適当な厚さは、同様に２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であった。一方、第２の情報層〜第６の情報層は、高透過率を有する必要があるので、これらの情報層の記録層の適当な厚さは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがわかった。

本実施例の結果より、記録媒体が情報層を１つのみ有する場合には、記録層の厚さを２ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることにより、良好な信号品質を示す情報記録媒体を実現できることを確認した。また、記録媒体が情報層を２つ有する場合には、レーザ入射側からみて、奥側の情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上５０ｎｍ以下とし、レーザ入射側からみて手前側の情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることによって、良好な信号品質を示す情報記録媒体を実現できることを確認した。

さらに、記録媒体が情報層を３つ有する場合には、第１の情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上５０ｎｍ以下とし、第２の情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上３０ｎｍ以下とし、第３の情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることによって、良好な信号品質を示す情報記録媒体を実現できることを確認した。さらにまた、記録媒体がｎ個（ｎは４以上の整数である）の情報層を有する場合、第１の情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上５０ｎｍ以下とし、第２〜第ｎの情報層の記録層の厚さを２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることにより、良好な信号品質を示す情報記録媒体を実現できることを確認した。

本発明の情報記録媒体及びその製造方法は、追記型の情報記録媒体であるＤＶＤ−ＲディスクおよびＢＤ−Ｒディスクおよびその製造方法として有用である。

１、９、２４、４４、６４ 情報記録媒体
２、１０、２５、４５ 基板
４、１２、１８、２７、３３、３８、４７、５２、５７ 第１の誘電体層
５、１３、１９、２８、３４、３９、４８、５３、５８ 記録層
７、２２、４２、６１ 光透明層
８、２３、４３、４５、６２、６５ レーザ光
３、１１、１７、２６、３２、４６ 反射層
６、１４、２０、２９、３５、４０、４９、５４、５９ 第２の誘電体層
１５、３０、５０ 第１の情報層
１６、３１、３７、５１、５６ 中間層
２１、３６、５５、 第２の情報層
４１ 第３の情報層
６０ 第ｎの情報層
６３ 記録再生装置
６６ 対物レンズ
６７ レーザ
６８ 光検出器
６９ スピンドルモータ

Claims (9)

1. 基板と、記録層を有する情報層とを備え、レーザ光の照射により情報の記録及び再生を行う情報記録媒体であって、
   前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成るＴｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含み、
   前記Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１０原子％以上５０原子％以下であり、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上７０原子％以下であり、Ｍ_Ａ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、Ｍ_Ｂ原子の含有割合が３原子％以上１５原子％以下であり、
   前記Ｔｅ−Ｏ−Ｍ _Ａ −Ｍ _Ｂ 材料におけるＭ _Ａ 原子の含有割合Ｘ _Ａ とＭ _Ｂ 原子の含有割合Ｘ _Ｂ の和に対するＭ _Ｂ 原子の含有割合の比｛Ｘ _Ｂ ／（Ｘ _Ａ ＋Ｘ _Ｂ ）｝が、０．２５以上０．７５以下である、
   情報記録媒体。
2. Ｍ_Ａ原子がＰｄ原子である、請求項１に記載の情報記録媒体。
3. Ｐｄ原子の含有割合が、３原子％以上５原子％以下である、請求項２に記載の情報記録媒体。
4. Ｍ_Ｂ原子がＣｕ原子である、請求項１〜３のいずれかに記載の情報記録媒体。
5. 前記記録層の厚さが２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の情報記録媒体。
6. 前記情報層を２以上含み、前記２以上の情報層のうち少なくとも１つの情報層が、前記Ｔｅ−Ｏ−Ｍ_Ａ−Ｍ_Ｂ材料を含む記録層を有する、請求項１に記載の情報記録媒体。
7. 波長が３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるレーザ光を用いて情報を記録および再生する、請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録媒体。
8. 請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法であって、記録層を形成する工程が、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成る材料を含むスパッタリングターゲットを使用して、希ガスを含む雰囲気中で、スパッタリングすることを含む、情報記録媒体の製造方法。
9. 請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法であって、記録層を形成する工程が、Ｔｅ、Ｍ_Ａ（Ｍ_ＡはＡｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも１種の元素である）及びＭ_Ｂ（Ｍ_ＢはＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の元素である）から成る材料を含むスパッタリングターゲットを使用して、希ガスと酸素との混合ガスを含む雰囲気中で、反応性スパッタリングすることを含む、情報記録媒体の製造方法。

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