JP4892562B2 - 情報記録媒体、その製造方法および情報記録媒体を形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
本発明は、光学的に情報を記録し、再生することが可能な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
大容量、高速度での情報の記録再生が可能な媒体として、光情報記録媒体が知られている。光情報記録の技術は、レーザ光を記録材料に照射した際に生じる熱によって、記録材料が光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを記録として利用している。この記録媒体は、必要に応じてランダムアクセスが可能であり、かつ可搬性にも優れるという大きな利点を有しているため、近年ますますその重要性が高まっている。従来から提案されている光情報記録媒体の種類としては、多数回の書換が可能な書換型媒体や、１回のみ書き込み可能な追記型媒体が挙げられる。
追記型媒体は一般に、書換型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり低コストの媒体が可能である。また、追記型媒体は、書換ができないことから、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむ際には好都合である。このことから保存寿命が長く信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途として大きな需要がある。例えばコンピュータを通じた個人データや映像情報等の記録、保存や、医療分野、学術分野、或いは家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での追記型媒体の需要が高まっている。現在、この記録媒体については、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高速化を達成することが求められている。
追記型媒体は一般に、書換型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり低コストの媒体が可能である。また、追記型媒体は、書換ができないことから、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむ際には好都合である。このことから保存寿命が長く信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途として大きな需要がある。例えばコンピュータを通じた個人データや映像情報等の記録、保存や、医療分野、学術分野、或いは家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での追記型媒体の需要が高まっている。現在、この記録媒体については、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高速化を達成することが求められている。
現在、光情報記録媒体を使用する消費者の利便性を高めるために、情報を高速で書き込むことに対する需要が特に高まりつつある。それにあわせて、情報の記録に使用するレーザのパワーもより高いものが必要となる。しかし、レーザをより安定に高寿命で使用するためには、投入できるパワーは限られてしまうのが現状である。
また、光情報記録媒体に高パワーで情報を記録すると、記録層に接している誘電体層などへの熱負荷が大きくなるため、記録媒体の信頼性が低下するといった問題もある。すなわち記録媒体の信頼性という観点においても、高感度化が望ましい。
記録密度の向上を目指して、複数の層に情報を記録する多層媒体が必要となってきている。２層以上の情報層を有する多層の光学的情報記録媒体においては、光入射面に近い側の情報層を透過して光入射面から遠い側の情報層にデータを記録する必要があり、より高い記録感度が求められる。逆に光入射面から近い側の情報層では高透過率を目指して記録層を薄膜化する必要があり、より高感度の記録層が求められる。このようなことから、大容量化を目指した多層記録媒体ではより高感度化のニーズが高くなっている。
また、光情報記録媒体に高パワーで情報を記録すると、記録層に接している誘電体層などへの熱負荷が大きくなるため、記録媒体の信頼性が低下するといった問題もある。すなわち記録媒体の信頼性という観点においても、高感度化が望ましい。
記録密度の向上を目指して、複数の層に情報を記録する多層媒体が必要となってきている。２層以上の情報層を有する多層の光学的情報記録媒体においては、光入射面に近い側の情報層を透過して光入射面から遠い側の情報層にデータを記録する必要があり、より高い記録感度が求められる。逆に光入射面から近い側の情報層では高透過率を目指して記録層を薄膜化する必要があり、より高感度の記録層が求められる。このようなことから、大容量化を目指した多層記録媒体ではより高感度化のニーズが高くなっている。
以上のような背景から、光情報記録媒体としてより高い感度を有する（すなわちより低いレーザパワーで記録できる）記録媒体が必要とされてきている。
従来より、追記型の記録材料として、いくつかの酸化物材料が提案されていた。例えば、Ｔｅの低酸化物であるＴｅＯｘを主成分とする記録材料が知られている。中でもＴｅＯｘ中にＰｄ（Ａｕ、Ｐｔでも適用可能）を分散させた材料を主成分とするＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料は、大きい信号振幅が得られ、信頼性も非常に高いことが知られている（特許文献１参照）。しかし、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料は今後の高速化や大容量化のニーズに答え得る程度の記録感度を得ることができない、という課題があった。
記録特性改善を目的として、ＴｅＯｘを主成分とする材料に他の材料を添加した例としては次のようなものがある。
従来より、追記型の記録材料として、いくつかの酸化物材料が提案されていた。例えば、Ｔｅの低酸化物であるＴｅＯｘを主成分とする記録材料が知られている。中でもＴｅＯｘ中にＰｄ（Ａｕ、Ｐｔでも適用可能）を分散させた材料を主成分とするＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料は、大きい信号振幅が得られ、信頼性も非常に高いことが知られている（特許文献１参照）。しかし、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料は今後の高速化や大容量化のニーズに答え得る程度の記録感度を得ることができない、という課題があった。
記録特性改善を目的として、ＴｅＯｘを主成分とする材料に他の材料を添加した例としては次のようなものがある。
特許文献２では、青紫色波長レーザと対物レンズ０．８０以上のＮＡを用いた場合、記録膜面内での熱拡散を防ぐことによってより高い信号品質を得るために、ＴｅＯｘにＬａ−Ｆ、Ｍｇ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、希土類元素の弗化物、Ｓｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ、Ｇｅ−Ｏ、Ｈｆ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｏ、Ｚｎ−ＯおよびＺｒ−Ｏから選択される少なくとも一つを添加することが提案されている。この場合に信号品質の改善効果は得られるが、記録感度の向上に関しては述べられていない。
また特許文献３では、融点が低い材料であるＴｌＯｘを添加することにより記録感度を向上することが述べられているが、これらの従来技術では、光情報記録媒体に情報を記録する際の高感度化に対する効果は不十分である。また同特許文献では、ＢｉＯｘやＩｎＯｘを添加することによって屈折率変化を大きくし光学変化を大きくする提案もなされているが、このときの記録感度への効果に関しては述べられていない。
国際公開第９８／０９８２３号パンフレット
特開２００５−２２４０９号公報
特開昭５５−３８６１６号公報
また特許文献３では、融点が低い材料であるＴｌＯｘを添加することにより記録感度を向上することが述べられているが、これらの従来技術では、光情報記録媒体に情報を記録する際の高感度化に対する効果は不十分である。また同特許文献では、ＢｉＯｘやＩｎＯｘを添加することによって屈折率変化を大きくし光学変化を大きくする提案もなされているが、このときの記録感度への効果に関しては述べられていない。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、高記録感度と長期保存に対する高信頼性が確保された情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
本発明の一見地にかかる情報記録媒体は、基板上に記録層を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体である。記録層がＴｅＯ２と材料Ａを主成分として含み、材料ＡはＴｅＯ２と共晶反応を示す材料である。これにより、情報を記録する際のレーザパワーを高感度化することができ、長期保存に対する信頼性が高い情報記録媒体を実現できる。
また、材料Ａが酸化物を含むことは、情報を記録する際のレーザパワーを高感度化しやすいという点で好ましい。
また、材料Ａが、Ａｇ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｏ、Ｃｕ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｖ−Ｏのうち少なくともいずれかを含むことは、記録感度が向上する効果が大きいという点で好ましい。
また、材料Ａが酸化物を含むことは、情報を記録する際のレーザパワーを高感度化しやすいという点で好ましい。
また、材料Ａが、Ａｇ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｏ、Ｃｕ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｖ−Ｏのうち少なくともいずれかを含むことは、記録感度が向上する効果が大きいという点で好ましい。
また、材料Ａが、Ａｌ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｖ−ＯはＴｅ−Ｏとの相性が良いため、このうち少なくともいずれかを含むことは、特に高感度化と信頼性の向上を両立しやすいという点で好ましい。
本発明の他の見地に係る情報記録媒体は、基板上に記録層を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体である。記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下である。この媒体では、ジッタ、記録感度などの記録特性と信頼性を確保しやすい。
本発明の他の見地に係る情報記録媒体は、基板上に記録層を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体である。記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下である。この媒体では、ジッタ、記録感度などの記録特性と信頼性を確保しやすい。
また、材料ＡがＡｇ２Ｏであって、Ａｇ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．１８以上１．００以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＡｌ２Ｏ３であって、Ａｌ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．５０以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＢ２Ｏ３であって、Ｂ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１８以上０．３３以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＢｉ２Ｏ３であって、Ｂｉ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０４以上０．３０以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＡｌ２Ｏ３であって、Ａｌ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．５０以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＢ２Ｏ３であって、Ｂ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１８以上０．３３以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＢｉ２Ｏ３であって、Ｂｉ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０４以上０．３０以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＣｅＯ２であって、ＣｅＯ２／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１４以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＣｕＯであって、ＣｕＯ／ＴｅＯ２比が０．１０以上１．００以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＣｕ２Ｏであって、Ｃｕ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．０５以上１．００以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＧａ２Ｏ３であって、Ｇａ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１８以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＣｕＯであって、ＣｕＯ／ＴｅＯ２比が０．１０以上１．００以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＣｕ２Ｏであって、Ｃｕ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．０５以上１．００以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＧａ２Ｏ３であって、Ｇａ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１８以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＩｎ２Ｏ３であって、Ｉｎ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０２以上０．０８以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＭｏＯ３であって、ＭｏＯ３／ＴｅＯ２比が０．２５以上１．５０以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＮｂ２Ｏ５であって、Ｎｂ２Ｏ５／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１２以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＶＯ２であって、ＶＯ２／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．３３以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＭｏＯ３であって、ＭｏＯ３／ＴｅＯ２比が０．２５以上１．５０以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＮｂ２Ｏ５であって、Ｎｂ２Ｏ５／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１２以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
また、材料ＡがＶＯ２であって、ＶＯ２／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．３３以下であることは、記録層の融点を低下させ記録感度が向上し、信頼性が向上するという点で好ましい。
本発明では、基板上にｎ層（ただし、ｎは２以上の整数）の情報層が分離層を介して積層された情報記録媒体であって、少なくともいずれかの情報層が、記録層を有することを特徴とすることが、記録感度が向上する効果が大きいという点で好ましい。
また、情報層が有する記録層の膜厚が、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることは、十分な光学変化が得られ、良好な記録特性を確保できるという点で好ましい。
本発明の他の見地に係る情報記録媒体の製造方法は、基板上に記録層を作成する工程を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法である。この製造法では、記録層をスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａ（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とする。
また、情報層が有する記録層の膜厚が、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることは、十分な光学変化が得られ、良好な記録特性を確保できるという点で好ましい。
本発明の他の見地に係る情報記録媒体の製造方法は、基板上に記録層を作成する工程を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法である。この製造法では、記録層をスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａ（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とする。
本発明のさらに他の見地に係る情報記録媒体の製造方法は、基板上に記録層を作成する工程を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法である。この製造方法では、記録層をスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ｂ（ただし材料Ｂの酸化物である材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とし、成膜ガスは希ガスと酸素との混合ガスを主成分とし、反応性スパッタリングを行う。
本発明のさらに他の見地に係る情報記録媒体の製造方法は、基板上に記録層を作成する工程を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法である。この製造法では、記録層をスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程において、Ｔｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）とＴｅ−Ｏと材料Ａの化合物（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）とを異なるターゲットから同時にスパッタリングする。
本発明のさらに他の見地に係る情報記録媒体の製造方法は、基板上に記録層を作成する工程を有し、記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法である。この製造法では、記録層をスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程において、Ｔｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）とＴｅ−Ｏと材料Ａの化合物（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）とを異なるターゲットから同時にスパッタリングする。
本発明のスパッタリングターゲットは、ＴｅＯ２と材料Ａを主成分として含み、材料ＡはＴｅＯ２と共晶反応を示す材料である。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｔｅと材料Ｂを主成分として含み、材料Ｂの酸化物はＴｅＯ２と共晶反応を示す材料である。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｔｅと材料Ｂを主成分として含み、材料Ｂの酸化物はＴｅＯ２と共晶反応を示す材料である。
本発明に係る情報記録媒体では、記録層は、少なくとも４０５ｎｍ付近の青色波長域にわたって適度な光吸収性を有する。また、この記録層はＴｅＯ２と共晶反応を示す材料を含んでいることからＴｅＯ２ベースの記録層に比べて低い温度で情報を記録することができ、記録層の両側にある誘電体層への熱ダメージを低減することができる。このため、この記録層材料を適用すると、良好な記録感度をもち、かつ長期保存に対して高い信頼性を確保した情報記録媒体を実現することができる。また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
図１、図２及び図３は、本発明の情報記録媒体の一構成例である。
（図１に示す情報記録媒体）
図１に示すように、本発明の情報記録媒体１は、基板２と、その上に設けられた情報層とを有している。情報層は、反射層３、第１の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６を含んでいる。さらに情報層の上に光透明層７が形成されている。記録特性等に影響がなければ、反射層３、第１の誘電体層４、第２の誘電体層６に関しては、コスト面を考慮して適宜除いてもよい。この情報記録媒体に対し、光透明層７の側からレーザ光８を照射して記録再生を行う。
図１、図２及び図３は、本発明の情報記録媒体の一構成例である。
（図１に示す情報記録媒体）
図１に示すように、本発明の情報記録媒体１は、基板２と、その上に設けられた情報層とを有している。情報層は、反射層３、第１の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６を含んでいる。さらに情報層の上に光透明層７が形成されている。記録特性等に影響がなければ、反射層３、第１の誘電体層４、第２の誘電体層６に関しては、コスト面を考慮して適宜除いてもよい。この情報記録媒体に対し、光透明層７の側からレーザ光８を照射して記録再生を行う。
（図２に示す情報記録媒体）
また、図２に示すように、本発明の情報記録媒体９は、基板１０と、その上に順番に設けられた第１の情報層１５及び第２情報層２１とを有している。２つの情報層の間には中間層１６を介在させることで、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。さらに第２の情報層２１の上に光透明層２２が形成されている。この情報記録媒体に対し、光透明層２２の側からレーザ光２３を照射して記録再生を行う。第１の情報層１５は、高反射率と高信号品質を両立するために、反射層１１、第１の誘電体層１２、記録層１３、第２の誘電体層１４を順次積層した構成からなる。第２の情報層２１は、第１の情報層と同様に、反射層１７、第１の誘電体層１８、記録層１９、第２の誘電体層２０からなる。ただし、第２の情報層２１は、高透過率と高信号品質を両立するために第１の情報層に比べて記録層と反射層の膜厚を薄くしてもよい。記録特性等に影響がなければ、コスト面を考慮して、第１の情報層および第２の情報層における反射層、第１の誘電体層、第２の誘電体層を適宜除いてもよい。
また、図２に示すように、本発明の情報記録媒体９は、基板１０と、その上に順番に設けられた第１の情報層１５及び第２情報層２１とを有している。２つの情報層の間には中間層１６を介在させることで、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。さらに第２の情報層２１の上に光透明層２２が形成されている。この情報記録媒体に対し、光透明層２２の側からレーザ光２３を照射して記録再生を行う。第１の情報層１５は、高反射率と高信号品質を両立するために、反射層１１、第１の誘電体層１２、記録層１３、第２の誘電体層１４を順次積層した構成からなる。第２の情報層２１は、第１の情報層と同様に、反射層１７、第１の誘電体層１８、記録層１９、第２の誘電体層２０からなる。ただし、第２の情報層２１は、高透過率と高信号品質を両立するために第１の情報層に比べて記録層と反射層の膜厚を薄くしてもよい。記録特性等に影響がなければ、コスト面を考慮して、第１の情報層および第２の情報層における反射層、第１の誘電体層、第２の誘電体層を適宜除いてもよい。
（図３に示す情報記録媒体）
また、図３に示すように、本発明の情報記録媒体２４は、基板２５上に第１の情報層３０、第２の情報層３５、・・・、第ｎの情報層４０（ｎ≧３）がこの順に設けられて構成されている。各情報層の間には中間層を介在させ、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この光学的情報記録媒体２４に対し、光透明層４１の側からレーザ光４２を照射して記録再生を行う。第１の情報層３０は、高反射率と高信号品質を両立するために、反射層２６、第１の誘電体層２７、記録層２８、第２の誘電体層２９を順次積層した構成からなる。第２の情報層３５から第ｎの情報層４０は、高透過率と高信号品質を両立するために、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層からなる。第１の誘電体層と中間層の間には、信号品質を高めるために反射層を適宜挿入してもよい。記録特性等に影響がなければ、コスト面を考慮して、各情報層における反射層、第１の誘電体層、第２の誘電体層を適宜除いてもよい。
また、図３に示すように、本発明の情報記録媒体２４は、基板２５上に第１の情報層３０、第２の情報層３５、・・・、第ｎの情報層４０（ｎ≧３）がこの順に設けられて構成されている。各情報層の間には中間層を介在させ、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この光学的情報記録媒体２４に対し、光透明層４１の側からレーザ光４２を照射して記録再生を行う。第１の情報層３０は、高反射率と高信号品質を両立するために、反射層２６、第１の誘電体層２７、記録層２８、第２の誘電体層２９を順次積層した構成からなる。第２の情報層３５から第ｎの情報層４０は、高透過率と高信号品質を両立するために、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層からなる。第１の誘電体層と中間層の間には、信号品質を高めるために反射層を適宜挿入してもよい。記録特性等に影響がなければ、コスト面を考慮して、各情報層における反射層、第１の誘電体層、第２の誘電体層を適宜除いてもよい。
（各情報記録媒体に共通する内容）
本発明の記録層からなる情報層は、主として記録感度の向上を目的としているため、図１から３のすべての記録層に適用することが好ましいが、多層媒体において各層の記録感度を互いに調整するといった場合などには、本発明を適用する層と適用しない層と混在することも可能である。
基板２、１０、２５の材料としては、透明な円盤状のポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。また、基板２、１０、２５の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度のものを用いることができる。
本発明の記録層からなる情報層は、主として記録感度の向上を目的としているため、図１から３のすべての記録層に適用することが好ましいが、多層媒体において各層の記録感度を互いに調整するといった場合などには、本発明を適用する層と適用しない層と混在することも可能である。
基板２、１０、２５の材料としては、透明な円盤状のポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。また、基板２、１０、２５の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度のものを用いることができる。
光透明層７、２２、４１の材料としては、使用するレーザ光８、２３、４２の波長に対して光吸収が小さく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいことが好ましく、透明な円盤状のポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。また、光透明層７、２２、４１の厚さは特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度のものを用いることができる。
対物レンズの開口数が０．７５〜０．９５の場合、ディスク製造時の強度を保つために基板２、１０、２５の厚さは１．００〜１．２０ｍｍの範囲で、チルトに対する許容幅を小さくするために光透明層７、２２、４１の厚さは０．０３ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲であることが好ましい。
対物レンズの開口数が０．７５〜０．９５の場合、ディスク製造時の強度を保つために基板２、１０、２５の厚さは１．００〜１．２０ｍｍの範囲で、チルトに対する許容幅を小さくするために光透明層７、２２、４１の厚さは０．０３ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲であることが好ましい。
一方、対物レンズの開口数が０．５５〜０．７５の場合、基板２、１０、２５の厚さは０．５０〜０．７０ｍｍの範囲で、光透明層７、２２、４１の厚さは０．５０ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲であることが好ましい。
中間層１６、３１、３６の材料としては、光透明層と同様に透明な円盤状のポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。中間層１６、３１、３６の厚さは、第１の情報層、第２の情報層および第ｎの情報層のいずれか一方を再生する際に他方からクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数ＮＡとレーザ光の波長λにより決定される焦点深度以上の厚さであることが必要であり、また、全ての情報層が集光可能な範囲に収まる厚さであることも必要である。３層以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚さが異なるようにすることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚さの場合には、情報層の位置が等間隔となり、ある奥の層を記録再生する際に、２つ手前に位置する層でレーザ光が焦点を結びうるため、クロストークが大きくなる可能性があるためである。
中間層１６、３１、３６の材料としては、光透明層と同様に透明な円盤状のポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。中間層１６、３１、３６の厚さは、第１の情報層、第２の情報層および第ｎの情報層のいずれか一方を再生する際に他方からクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数ＮＡとレーザ光の波長λにより決定される焦点深度以上の厚さであることが必要であり、また、全ての情報層が集光可能な範囲に収まる厚さであることも必要である。３層以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚さが異なるようにすることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚さの場合には、情報層の位置が等間隔となり、ある奥の層を記録再生する際に、２つ手前に位置する層でレーザ光が焦点を結びうるため、クロストークが大きくなる可能性があるためである。
基板２、１０、２５、光透明層７、２２、４１、中間層１６、３１、３６の少なくともいずれかには、レーザ光を導くための案内溝或いはピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。
記録層５、１３、１９、２８、３３、３８は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料から構成されている。記録層の材料は、この異なる状態間を非可逆的に変化しうるものが好ましく、具体的には、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａとの混合物からなる。
本形態における記録層５、１３、１９、２８、３３、３８によれば、従来に比べて記録層の材料を結晶化させるのに必要なエネルギーが少なくてもよいため、情報を記録する際のレーザパワーを高感度化することができ、長期保存に対する信頼性が高い情報記録媒体の実現が可能となる。
記録層５、１３、１９、２８、３３、３８は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料から構成されている。記録層の材料は、この異なる状態間を非可逆的に変化しうるものが好ましく、具体的には、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａとの混合物からなる。
本形態における記録層５、１３、１９、２８、３３、３８によれば、従来に比べて記録層の材料を結晶化させるのに必要なエネルギーが少なくてもよいため、情報を記録する際のレーザパワーを高感度化することができ、長期保存に対する信頼性が高い情報記録媒体の実現が可能となる。
Ｔｅ−Ｏ−Ｍは、成膜直後ではＴｅＯ２中にＴｅ、Ｔｅ−ＭおよびＭの微粒子が一様に分散された複合材料であり、レーザ光の照射によってＴｅおよびＴｅ−Ｍの結晶粒径が大きくなる。この際の光学状態の違いを信号として検出することができるので、これにより１回のみ書き込み可能な、いわゆるライトワンス型記録媒体が実現できる。
元素Ｍは、Ｔｅの結晶化を促進させるために添加するものであり、Ａｕ、Ｐｄ、ＰｔなどのＴｅと結合を作りうる元素であればこの効果を得ることができる。Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどの元素は貴金属であって酸素と結合しにくいため、Ｔｅと結合しやすいことから特に好ましい元素である。
元素Ｍは、Ｔｅ−Ｏ−Ｍにおいて、元素Ｍの含有量をｘａｔ％、Ｔｅの含有量をｙａｔ％とすると、ｘとｙとが０．０５ｙ≦ｘ≦ｙの関係を満たすように添加されることが好ましい。ｘ≦ｙとすることで、光学特性の十分な変化量を得ることができ、０．０５ｙ≦ｘとすることで、結晶化速度向上効果を効果的に得ることができるからである。
元素Ｍは、Ｔｅの結晶化を促進させるために添加するものであり、Ａｕ、Ｐｄ、ＰｔなどのＴｅと結合を作りうる元素であればこの効果を得ることができる。Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどの元素は貴金属であって酸素と結合しにくいため、Ｔｅと結合しやすいことから特に好ましい元素である。
元素Ｍは、Ｔｅ−Ｏ−Ｍにおいて、元素Ｍの含有量をｘａｔ％、Ｔｅの含有量をｙａｔ％とすると、ｘとｙとが０．０５ｙ≦ｘ≦ｙの関係を満たすように添加されることが好ましい。ｘ≦ｙとすることで、光学特性の十分な変化量を得ることができ、０．０５ｙ≦ｘとすることで、結晶化速度向上効果を効果的に得ることができるからである。
材料Ａは、記録層５、１３、１９、２８、３３、３８の融点を低下させることを主な目的として添加される材料であり、材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料である。中でも材料Ａは酸化物を含む材料が好適である。
共晶反応とは、ただ１つの液相が冷却中に分離して異なる２つの固相になる反応のことである。図５を例として、２成分Ａ，Ｂが液体で溶け合い、結晶では混ざり合わない場合の状態図を示す。融点の極小値Ｔｅに相当する組成の溶液を冷却すると、Ｔｅであたかも純粋液体のように溶液全体がすべて結晶化するまで温度が一定に保たれる。２種類の結晶Ａ，Ｂの機械的混合物でありながら、融けるときも一定温度を保って、純粋結晶に似た融解挙動を示す。
共晶反応とは、ただ１つの液相が冷却中に分離して異なる２つの固相になる反応のことである。図５を例として、２成分Ａ，Ｂが液体で溶け合い、結晶では混ざり合わない場合の状態図を示す。融点の極小値Ｔｅに相当する組成の溶液を冷却すると、Ｔｅであたかも純粋液体のように溶液全体がすべて結晶化するまで温度が一定に保たれる。２種類の結晶Ａ，Ｂの機械的混合物でありながら、融けるときも一定温度を保って、純粋結晶に似た融解挙動を示す。
ある材料の融点を低下させるために添加材料を加える場合、次の方法が考えられる。
（１）より融点の低い添加材料を加える。
（２）元の材料と共晶反応を示す添加材料を加える。
前者は添加量に比例して融点の低下効果が得られるため、融点の十分な低下効果を得るためには添加量が多くなり、元の材料の特性を大幅に変化させてしまう。しかし、後者は局所的に融点が低下する組成域があるため、添加量が少なくても十分に融点の低下効果が見られる。そのため、（２）は元の材料の特性を大幅に変化させることなく、融点のみ低下させることができる。
先に述べたように、ライトワンス型記録材料Ｔｅ−Ｏ−Ｍは、成膜直後ではＴｅＯ２中にＴｅ、Ｔｅ−ＭおよびＭの微粒子が一様に分散された複合材料であるが、本発明者らの実験により、これに材料Ａを添加することによって成膜直後での記録層５、１３、１９、２８、３３、３８の融点を低減できることがわかった。これは、ＴｅＯ２の融点が７３０℃近傍であるのに対して、ＴｅＯ２と共晶反応を示す材料を添加すると、融点が低下するからであると推測している。
（１）より融点の低い添加材料を加える。
（２）元の材料と共晶反応を示す添加材料を加える。
前者は添加量に比例して融点の低下効果が得られるため、融点の十分な低下効果を得るためには添加量が多くなり、元の材料の特性を大幅に変化させてしまう。しかし、後者は局所的に融点が低下する組成域があるため、添加量が少なくても十分に融点の低下効果が見られる。そのため、（２）は元の材料の特性を大幅に変化させることなく、融点のみ低下させることができる。
先に述べたように、ライトワンス型記録材料Ｔｅ−Ｏ−Ｍは、成膜直後ではＴｅＯ２中にＴｅ、Ｔｅ−ＭおよびＭの微粒子が一様に分散された複合材料であるが、本発明者らの実験により、これに材料Ａを添加することによって成膜直後での記録層５、１３、１９、２８、３３、３８の融点を低減できることがわかった。これは、ＴｅＯ２の融点が７３０℃近傍であるのに対して、ＴｅＯ２と共晶反応を示す材料を添加すると、融点が低下するからであると推測している。
材料Ａとしては、酸化物の２元系状態図を参照して決定した。酸化物の２元系状態図としては「Ｐｈａｓｅ Ｄｉａｇｒａｍｓ ｆｏｒ Ｃｅｒａｍｉｓｔｓ」（Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ）を権威ある出版物として挙げることができる。
表１にＴｅＯ２に添加したときに共晶反応を示す材料を示す。表１に示すように、材料によっては共晶組成を２種類もっているものがある。表１にはそれぞれの材料について、共晶組成における（ＴｅＯ２に対する）添加材料の割合、共晶組成での融点、上限添加量（ＴｅＯ２の融点７３２℃に対して、材料を添加することにより融点が低下する限界の量）をまとめている。また、図６にＴｅＯ２−Ｂｉ２Ｏ３の相図を示す。この図から、ＴｅＯ２−Ｂｉ２Ｏ３系ではＢｉ２Ｏ３が１３．０％に共晶点を有しており、共晶組成での融点が５７５℃であることがわかる。表１は他の材料に関してそれらの情報をまとめたものである。
材料Ａとしては、Ａｇ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｏ、Ｃｕ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｇｅ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｖ−Ｏなどが挙げられる。中でも、Ａｌ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−ＯＶ−Ｏは、特に高感度化と信頼性の向上を両立しやすいという点で好ましい。
材料Ａとしては、Ａｇ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｏ、Ｃｕ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｇｅ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−Ｏ、Ｖ−Ｏなどが挙げられる。中でも、Ａｌ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｍｏ−Ｏ、Ｎｂ−ＯＶ−Ｏは、特に高感度化と信頼性の向上を両立しやすいという点で好ましい。
記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａとの混合物からなっている場合、組成は以下であることが好ましい。
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下である。
特に、材料ＡがＡｇ２Ｏの場合にはＡｇ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．１８以上１．００以下であり、材料ＡがＡｌ２Ｏ３の場合にはＡｌ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．５０以下であり、材料ＡがＢ２Ｏ３の場合にはＢ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１８以上０．３３以下であり、Ｂｉ２Ｏ３の場合にはＢｉ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０４以上０．３０以下であり、材料ＡがＣｅＯ２の場合にはＣｅＯ２／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１４以下であり、材料ＡがＣｕＯの場合にはＣｕＯ／ＴｅＯ２比が０．１０以上１．００以下であり、材料ＡがＣｕ２Ｏの場合にはＣｕ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．０５以上１．００以下であり、材料ＡがＧａ２Ｏ３の場合にはＧａ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１８以下であり、材料ＡがＩｎ２Ｏ３の場合にはＩｎ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０２以上０．０８以下であり、材料ＡがＭｏＯ３の場合にはＭｏＯ３／ＴｅＯ２比が０．２５以上１．５０以下であり、材料ＡがＮｂ２Ｏ５の場合にはＮｂ２Ｏ５／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１２以下であり、材料ＡがＶＯ２の場合にはＶＯ２／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．３３以下であることが好ましい。
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下である。
特に、材料ＡがＡｇ２Ｏの場合にはＡｇ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．１８以上１．００以下であり、材料ＡがＡｌ２Ｏ３の場合にはＡｌ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．５０以下であり、材料ＡがＢ２Ｏ３の場合にはＢ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１８以上０．３３以下であり、Ｂｉ２Ｏ３の場合にはＢｉ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０４以上０．３０以下であり、材料ＡがＣｅＯ２の場合にはＣｅＯ２／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１４以下であり、材料ＡがＣｕＯの場合にはＣｕＯ／ＴｅＯ２比が０．１０以上１．００以下であり、材料ＡがＣｕ２Ｏの場合にはＣｕ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．０５以上１．００以下であり、材料ＡがＧａ２Ｏ３の場合にはＧａ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１８以下であり、材料ＡがＩｎ２Ｏ３の場合にはＩｎ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０２以上０．０８以下であり、材料ＡがＭｏＯ３の場合にはＭｏＯ３／ＴｅＯ２比が０．２５以上１．５０以下であり、材料ＡがＮｂ２Ｏ５の場合にはＮｂ２Ｏ５／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１２以下であり、材料ＡがＶＯ２の場合にはＶＯ２／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．３３以下であることが好ましい。
この範囲外の組成に関してはＴｅＯ２＋材料Ａの融点が上がるため、記録感度の改善効果は得られない。
記録層５、１３、１９、２８、３３、３８の膜厚は、２ｎｍ以上３０ｎｍ未満とすることが好ましい。膜厚を２ｎｍ以上とすることにより記録材料が層状になりやすく、良好な信号を得ることできるからである。また、膜厚が３０ｎｍより厚い場合には情報層の透過率が下がるため、多層媒体には適用するのが困難となるため好ましくない。さらに膜厚を３０ｎｍ未満とすることにより、十分な記録感度の改善効果を得ることができる。
また、記録層５、１３、１９、２８、３３、３８は、Ｔｅ−Ｏ−Ｍを主成分とする膜と、材料Ａを主成分とする膜とを交互に積層した構成とすることもできる。この場合、作製するための工程数が増えるものの、各膜厚を微調整することにより、Ｔｅ−Ｏ−Ｍと材料Ａとの混合比を容易に調整することができるため、場合によって適宜用いることが好ましい。
記録層５、１３、１９、２８、３３、３８の膜厚は、２ｎｍ以上３０ｎｍ未満とすることが好ましい。膜厚を２ｎｍ以上とすることにより記録材料が層状になりやすく、良好な信号を得ることできるからである。また、膜厚が３０ｎｍより厚い場合には情報層の透過率が下がるため、多層媒体には適用するのが困難となるため好ましくない。さらに膜厚を３０ｎｍ未満とすることにより、十分な記録感度の改善効果を得ることができる。
また、記録層５、１３、１９、２８、３３、３８は、Ｔｅ−Ｏ−Ｍを主成分とする膜と、材料Ａを主成分とする膜とを交互に積層した構成とすることもできる。この場合、作製するための工程数が増えるものの、各膜厚を微調整することにより、Ｔｅ−Ｏ−Ｍと材料Ａとの混合比を容易に調整することができるため、場合によって適宜用いることが好ましい。
記録層５、１３、１９、２８、３３、３８には、Ｔｅ、Ｏ、Ｍ、材料Ａ以外の元素が含まれていてもよい。例えば、熱伝導率や光学定数の調整、又は耐熱性・環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも１種の元素を添加してもよい。これらの添加元素は、記録層全体の２０原子％以内とすることが好ましい。
記録層は、図２や図３に示す多層からなる情報記録媒体のいずれかの層に適用することがより好ましい。多層の情報記録媒体ではレーザ入射側に位置する情報層を透過することによって情報を記録再生する必要があるため、より記録感度が高い記録層が必要であるためである。
第１の誘電体層４、１２、１８、２７、３２、３７と第２の誘電体層６、１４、２０、２９、３４、３９は、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にするといった光学特性の調節が主な目的として設けられる。材料としては、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ等の弗化物、および上記の材料の適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等）などが用いられる。
記録層は、図２や図３に示す多層からなる情報記録媒体のいずれかの層に適用することがより好ましい。多層の情報記録媒体ではレーザ入射側に位置する情報層を透過することによって情報を記録再生する必要があるため、より記録感度が高い記録層が必要であるためである。
第１の誘電体層４、１２、１８、２７、３２、３７と第２の誘電体層６、１４、２０、２９、３４、３９は、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にするといった光学特性の調節が主な目的として設けられる。材料としては、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ等の弗化物、および上記の材料の適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等）などが用いられる。
第１の誘電体層の膜厚及び第２の誘電体層の膜厚は、１ｎｍ以上６０ｎｍ以下が好ましい。記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比が得やすいためである。
反射層３、１１、１７、２６は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設ける。材料としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属、或いは適宜選択された金属の合金などが用いられ、Ａｇ合金やＡｌ合金が好ましい。特に放熱性、耐湿性の観点から、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金やＡｇ−Ｇａ−Ｃｕ合金を材料に用いることが好ましい。反射層３、１１、１７、２６の膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。反射層の膜厚が１ｎｍ以下の場合、膜が均一な層状となることが困難となり、熱的、光学的な効果が低下するためである。
図２では第１の情報層１５と第２の情報層２１はともに反射層を有する構成であるが、コスト面を考慮したり、透過率を高めることを目的として、反射層を有さない構成であってもよい。図３では第１の情報層３０のみ反射層２６を有する構成であるが、第２の情報層３５〜第ｎの情報層４０が反射層を有していてもよいし、或いは第１の情報層３０が反射層２６を有さない構成であってもよい。一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、上記で述べた放熱効果や光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する図２における第２の情報層２１、および図３における第２の情報層３５から第ｎの情報層４０については、反射層を設けるかどうか適宜設計を行うことが必要である。反射層を設けた場合は、その厚さを例えば１０ｎｍ以下といった非常に薄い膜厚とすることにより、情報層の高い透過率を保つ工夫をすることが必要である。ｎ及びｋのより好ましい範囲は、それぞれ２．０未満及び２．０以上である。
反射層３、１１、１７、２６は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設ける。材料としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属、或いは適宜選択された金属の合金などが用いられ、Ａｇ合金やＡｌ合金が好ましい。特に放熱性、耐湿性の観点から、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金やＡｇ−Ｇａ−Ｃｕ合金を材料に用いることが好ましい。反射層３、１１、１７、２６の膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。反射層の膜厚が１ｎｍ以下の場合、膜が均一な層状となることが困難となり、熱的、光学的な効果が低下するためである。
図２では第１の情報層１５と第２の情報層２１はともに反射層を有する構成であるが、コスト面を考慮したり、透過率を高めることを目的として、反射層を有さない構成であってもよい。図３では第１の情報層３０のみ反射層２６を有する構成であるが、第２の情報層３５〜第ｎの情報層４０が反射層を有していてもよいし、或いは第１の情報層３０が反射層２６を有さない構成であってもよい。一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、上記で述べた放熱効果や光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する図２における第２の情報層２１、および図３における第２の情報層３５から第ｎの情報層４０については、反射層を設けるかどうか適宜設計を行うことが必要である。反射層を設けた場合は、その厚さを例えば１０ｎｍ以下といった非常に薄い膜厚とすることにより、情報層の高い透過率を保つ工夫をすることが必要である。ｎ及びｋのより好ましい範囲は、それぞれ２．０未満及び２．０以上である。
上記の各薄膜は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の気相薄膜堆積法によって形成することができる。
各層の作製順序について説明する。図１に示す情報記録媒体の場合、基板２上に、反射層３、第１の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６を順次成膜し、その上に光透明層７を形成する。光透明層７の形成方法は以下の３通りのいずれでも良い。
・第２の誘電体層６まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材（光透明層７）とを貼り合わせる。
・第２の誘電体層６まで作製した媒体とシート状の基材（光透明層７）とをＵＶ樹脂によって貼り合わせる
・第２の誘電体層６まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂によって光透明層７を形成する。
各層の作製順序について説明する。図１に示す情報記録媒体の場合、基板２上に、反射層３、第１の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６を順次成膜し、その上に光透明層７を形成する。光透明層７の形成方法は以下の３通りのいずれでも良い。
・第２の誘電体層６まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材（光透明層７）とを貼り合わせる。
・第２の誘電体層６まで作製した媒体とシート状の基材（光透明層７）とをＵＶ樹脂によって貼り合わせる
・第２の誘電体層６まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂によって光透明層７を形成する。
図２、図３に示す情報記録媒体に関しても、同様に成膜工程と中間層および光透明層の形成工程を設けることによって作製することができる。
特に上記記録層の成膜に関しては以下のいずれかの方法を用いることができる。
記録層はスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａ（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分としていることが好ましい。また、ターゲット材料はＴｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ｂ（ただし材料Ｂの酸化物である材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とし、成膜ガスは希ガスと酸素との混合ガスを主成分とし、反応性スパッタリングを行ってもよい。また、Ｔｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）とＴｅ−Ｏと材料Ａの化合物（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）とを異なるターゲットから同時にスパッタリングしてもよい。これらいずれかの方法で成膜することによって、ＴｅＯ２と材料Ａが共晶反応を示すため、高感度で記録することができるため好ましい。
特に上記記録層の成膜に関しては以下のいずれかの方法を用いることができる。
記録層はスパッタリング法により作製し、記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａ（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分としていることが好ましい。また、ターゲット材料はＴｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ｂ（ただし材料Ｂの酸化物である材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とし、成膜ガスは希ガスと酸素との混合ガスを主成分とし、反応性スパッタリングを行ってもよい。また、Ｔｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）とＴｅ−Ｏと材料Ａの化合物（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）とを異なるターゲットから同時にスパッタリングしてもよい。これらいずれかの方法で成膜することによって、ＴｅＯ２と材料Ａが共晶反応を示すため、高感度で記録することができるため好ましい。
次に、本発明の情報記録媒体の記録再生方法の一例について述べる。
図４に、情報記録媒体が光ディスクである場合に、記録再生に用いる装置の一例の概略を示す。信号の記録再生には、レーザ４７と対物レンズ４６とを搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置（図示省略）、トラック方向及び膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置及びフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）、媒体を回転させるためのスピンドルモータ４９とを用いる。
信号の記録、再生は、まず媒体をスピンドルモータ４９により回転させ、光学系によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体へレーザ光を照射することにより行う。信号の再生の際には、信号の記録を行うパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザ照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつその照射によって媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるパワーのレーザビームを照射し、得られる媒体からの信号を光検出器４８で読みとることによって行うことができる。
図４に、情報記録媒体が光ディスクである場合に、記録再生に用いる装置の一例の概略を示す。信号の記録再生には、レーザ４７と対物レンズ４６とを搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置（図示省略）、トラック方向及び膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置及びフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）、媒体を回転させるためのスピンドルモータ４９とを用いる。
信号の記録、再生は、まず媒体をスピンドルモータ４９により回転させ、光学系によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体へレーザ光を照射することにより行う。信号の再生の際には、信号の記録を行うパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザ照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつその照射によって媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるパワーのレーザビームを照射し、得られる媒体からの信号を光検出器４８で読みとることによって行うことができる。
次に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
（実施例１）
実施例１では、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料にＴｅＯ２と共晶反応を示す材料を添加した際の記録感度および信頼性へ与える影響、およびその組成依存性を調べた。各材料を添加した情報記録媒体を作製、評価したので、以下にその詳細を示す。
まず図１に示した層構成を有する情報記録媒体１の作製方法について述べる。
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。基板のグルーブが形成された側の表面上に、各層をスパッタリング法により以下の順に積層した。ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層を成膜し、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層を成膜し、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ＋添加材料からなるターゲットを用いて膜厚２４ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ＋添加材料からなる記録層を成膜し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層を成膜した。
（実施例１）
実施例１では、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料にＴｅＯ２と共晶反応を示す材料を添加した際の記録感度および信頼性へ与える影響、およびその組成依存性を調べた。各材料を添加した情報記録媒体を作製、評価したので、以下にその詳細を示す。
まず図１に示した層構成を有する情報記録媒体１の作製方法について述べる。
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。基板のグルーブが形成された側の表面上に、各層をスパッタリング法により以下の順に積層した。ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層を成膜し、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層を成膜し、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ＋添加材料からなるターゲットを用いて膜厚２４ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ＋添加材料からなる記録層を成膜し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層を成膜した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源２００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）のガスを、記録層はＡｒ（２５ｓｃｃｍ）及び適量の酸素との混合ガスを、誘電体層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）を、いずれも、ガス圧約０．１３Ｐａに保った雰囲気で成膜した。この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。また、各添加材料を含む情報記録媒体については、添加材料毎に（組成毎に）異なるスパッタリングターゲットを用いて、記録層を成膜した。以上で情報記録媒体１の作製が完了した。
次に情報記録媒体の評価手法について説明する。情報記録媒体１の記録感度は、ランダム信号のジッタ値が最良値を示す記録パワーによって評価した。情報記録媒体１に情報を記録するために、情報記録媒体１を回転させるスピンドルモータ４９とレーザ光４５を発する半導体レーザを備えた光学ヘッドとレーザ光４５を情報記録媒体１の記録層上に集光させる対物レンズとを具備した一般的な構成の情報記録システムを用いた。情報記録媒体１の評価においては、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レンズを使用し、２５ＧＢ容量相当の記録を行った。情報記録媒体を回転させる線速度は４．９２ｍ／ｓ（３６Ｍｂｐｓ）、９．８４ｍ／ｓ（７２Ｍｂｐｓ）、１９．６８ｍ／ｓ（１４４Ｍｂｐｓ）とした。また、ジッタ値の測定にはタイムインターバルアナライザーを用いた。
次に情報記録媒体の評価手法について説明する。情報記録媒体１の記録感度は、ランダム信号のジッタ値が最良値を示す記録パワーによって評価した。情報記録媒体１に情報を記録するために、情報記録媒体１を回転させるスピンドルモータ４９とレーザ光４５を発する半導体レーザを備えた光学ヘッドとレーザ光４５を情報記録媒体１の記録層上に集光させる対物レンズとを具備した一般的な構成の情報記録システムを用いた。情報記録媒体１の評価においては、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数０．８５の対物レンズを使用し、２５ＧＢ容量相当の記録を行った。情報記録媒体を回転させる線速度は４．９２ｍ／ｓ（３６Ｍｂｐｓ）、９．８４ｍ／ｓ（７２Ｍｂｐｓ）、１９．６８ｍ／ｓ（１４４Ｍｂｐｓ）とした。また、ジッタ値の測定にはタイムインターバルアナライザーを用いた。
記録感度は以下の手順で評価した。上記のシステムを用いて、レーザ光を高パワーレベルのピークパワーと低パワーレベルのバイアスパワーとの間でパワー変調しながら情報記録媒体１に向けて照射して、マーク長２Ｔから８Ｔのランダム信号を記録層のグルーブ表面に１回記録した後、平均ジッタを測定した。まずバイアスパワーとピークパワーの比を一定値に固定し、ピークパワーを種々変化させた各記録条件について平均ジッタ値を測定し、平均ジッタ値が最小値になるピークパワーを求めた。次に、バイアスパワーとピークパワーの比を種々変化させ、同様の測定を行いジッタ値が最小になるピークパワー値を記録感度と決定した。得られた記録感度は、ＢＤ規格を考慮すれば、１倍速（３６Ｍｂｐｓ）においては６ｍＷ、２倍速（７２Ｍｂｐｓ）においては７ｍＷ、４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）においては１０ｍＷ以下を満足することが望ましい。
信頼性は以下の手順で評価した。上記システムを用いて、上記と同様に記録感度を決定する。未記録のトラックに決定した記録パワー（Ｐｐ１）で５トラック連続の記録をし、さらに記録パワーＰｐ１の１．１５倍（Ｐｐ２）でも記録した。タイムインターバルアナライザーにより両者の中心トラックのジッタを測定した。次に、データを記録したディスクを温度８５度、相対湿度８５％の環境下において２００時間にわたり、保持することによって加速試験を実施した。加速試験後、記録パワーＰｐ１とＰｐ２によって記録されたトラックを再生し、ジッタを測定した。ここでジッタの劣化が１％未満の場合は○、１％以上２％未満の場合は△、２％以上の場合は×と判定した。記録は４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）で行った。次に記録層中の元素比率の測定方法について説明する。情報記録媒体の記録層中の元素の比率は、組成分析用のサンプルを作成して測定した。具体的には、スパッタリング装置によって厚さ１ｍｍのＳｉ基板上に厚さが５００ｎｍとなるように各記録材料を形成した。
次にＸ線マイクロアナライザーにより各サンプルの組成分析を実施した。実施例中の材料組成には本方法により分析した結果を示す。
また表２から表１３に示した記録材料の組成を得るために、成膜に用いるターゲットの組成及び成膜時の酸素量を適宜調整している。例えば、表５における以下の組成（Ｔｅ：Ｐｄ：ＴｅＯ２：Ｂｉ２Ｏ３＝２３．０：２４．０：４７．１：５．９［ｍｏｌ％］）からなる記録材料を成膜する際には、以下の組成（Ｔｅ：Ｐｄ：Ｂｉ＝６６．２：２２．７：１１．１［ｍｏｌ％］）からなるターゲットを用いて成膜を実施した。
実施例１では、表２〜表１３に示されるようなＴｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層とＴｅ−Ｏ−Ｐｄに各添加材料（Ａｇ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＶＯ２）を添加した記録層からなる情報記録媒体を作製し上記の評価を行った。
また表２から表１３に示した記録材料の組成を得るために、成膜に用いるターゲットの組成及び成膜時の酸素量を適宜調整している。例えば、表５における以下の組成（Ｔｅ：Ｐｄ：ＴｅＯ２：Ｂｉ２Ｏ３＝２３．０：２４．０：４７．１：５．９［ｍｏｌ％］）からなる記録材料を成膜する際には、以下の組成（Ｔｅ：Ｐｄ：Ｂｉ＝６６．２：２２．７：１１．１［ｍｏｌ％］）からなるターゲットを用いて成膜を実施した。
実施例１では、表２〜表１３に示されるようなＴｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層とＴｅ−Ｏ−Ｐｄに各添加材料（Ａｇ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＶＯ２）を添加した記録層からなる情報記録媒体を作製し上記の評価を行った。
表２に示されるように、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層を有する情報記録媒体では、組成により記録感度と信頼性の結果が異なっている。Ｔｅ：Ｐｄ：ＴｅＯ２＝２３．０：２４．０：５３．０［ｍｏｌ％］の組成では、記録感度が１ｘ、２ｘ、４ｘとも目標値を達成しているが、信頼性に課題があることがわかった。＋１５％パワーで記録した記録マークが加速試験後にジッタが１％以上２％未満劣化していた。次に、Ｔｅ：Ｐｄ：ＴｅＯ２＝１１．０：２３．０：６６．０［ｍｏｌ％］の組成では、記録感度が目標値をなんとか達成しているが、信頼性はＰｐ１でジッタの＋１％以上２％未満、Ｐｐ２で２％以上の劣化が見られた。特に後者の組成においてＴｅＯ２量が多くなったために、感度が悪化し、信頼性にも課題がでてきたと考えられる。
これに対して、記録感度を改善するために各種の添加材料を添加した結果を表２から表１３に示す。
これに対して、記録感度を改善するために各種の添加材料を添加した結果を表２から表１３に示す。
各材料毎で添加した際の融点の変化が異なるために最適な添加量と記録感度、信頼性への影響は異なるが、次の添加材料とＴｅＯ２の組成比（Ａｇ２Ｏの場合にはＡｇ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．１８以上１．００以下であり、材料ＡがＡｌ２Ｏ３の場合にはＡｌ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．５０以下であり、材料ＡがＢ２Ｏ３の場合にはＢ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１８以上０．３３以下であり、Ｂｉ２Ｏ３の場合にはＢｉ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０４以上０．３０以下であり、材料ＡがＣｅＯ２の場合にはＣｅＯ２／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１４以下であり、材料ＡがＣｕＯの場合にはＣｕＯ／ＴｅＯ２比が０．１０以上１．００以下であり、材料ＡがＣｕ２Ｏの場合にはＣｕ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．０５以上１．００以下であり、材料ＡがＧａ２Ｏ３の場合にはＧａ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１８以下であり、材料ＡがＩｎ２Ｏ３の場合にはＩｎ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０２以上０．０８以下であり、材料ＡがＭｏＯ３の場合にはＭｏＯ３／ＴｅＯ２比が０．２５以上１．５０以下であり、材料ＡがＮｂ２Ｏ５の場合にはＮｂ２Ｏ５／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１２以下であり、材料ＡがＶＯ２の場合にはＶＯ２／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．３３以下）を満たすことによって、記録感度（１倍速、２倍速ともに）と信頼性を向上できることがわかった。また、添加物を添加しない場合に比べて、同等以上の良好なジッタ値が得られた。
（実施例２）
ここでは、２層からなる情報記録媒体に本発明の記録層材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｐｄ−ＴｅＯ２−Ｂｉ２Ｏ３）を適用し、記録感度、信頼性に与える影響を調べた。
図２に示した層構成を有する情報記録媒体を作製した。基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約２５μｍの中間層を形成した。
ここでは、２層からなる情報記録媒体に本発明の記録層材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｐｄ−ＴｅＯ２−Ｂｉ２Ｏ３）を適用し、記録感度、信頼性に与える影響を調べた。
図２に示した層構成を有する情報記録媒体を作製した。基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約２５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第２の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚１３ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３（分子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第２の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約２５μｍの中間層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源２００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）のガスを、記録層はＡｒ（２５ｓｃｃｍ）及び適量の酸素との混合ガスを、誘電体層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）のガスを、いずれも、ガス圧約０．１３Ｐａに保った雰囲気で成膜した。
記録層組成の分析方法、記録感度および信頼性の評価方法は、実施例１と同様に行った。なお、２層からなる情報記録媒体の場合、得られた記録感度は、ＢＤ規格を考慮すれば、１倍速（３６Ｍｂｐｓ）においては１２ｍＷ、２倍速（７２Ｍｂｐｓ）においては１４ｍＷ、４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）においては１８ｍＷ以下を満足することが望ましい。
実施例２では、表１４に示されるようなＴｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層を有する情報記録媒体と、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄにＢｉ２Ｏ３を添加した記録層を有する情報記録媒体とを作製し上記の評価を行った。
記録層組成の分析方法、記録感度および信頼性の評価方法は、実施例１と同様に行った。なお、２層からなる情報記録媒体の場合、得られた記録感度は、ＢＤ規格を考慮すれば、１倍速（３６Ｍｂｐｓ）においては１２ｍＷ、２倍速（７２Ｍｂｐｓ）においては１４ｍＷ、４倍速（１４４Ｍｂｐｓ）においては１８ｍＷ以下を満足することが望ましい。
実施例２では、表１４に示されるようなＴｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層を有する情報記録媒体と、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄにＢｉ２Ｏ３を添加した記録層を有する情報記録媒体とを作製し上記の評価を行った。
表１４に示されるように、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層を有する情報記録媒体では、以下のような結果が得られた。第１情報層において記録感度が１倍速、２倍速では目標値を達成しているが、４倍速では目標を下回っており、記録感度に課題があることがわかった。信頼性に関しては、＋１５％パワーで記録した記録マークが加速試験後にジッタが１％以上２％未満劣化していたことから、こちらも課題であることがわかった。第２の情報層に関しては記録感度が１倍速、２倍速、４倍速で目標値を達成している。しかし、信頼性に関しては、＋１５％パワーで記録した記録マークが加速試験後にジッタが１％以上２％未満劣化していたことから、こちらも課題であることがわかった。
これに対して、記録感度を向上するためにＢｉ２Ｏ３を添加した場合には、第１情報層、第２情報層ともに、記録感度は１倍速、２倍速、４倍速で目標値を上回っており、さらに信頼性に関してもＰｐ１、Ｐｐ２でともに良好であることがわかった。また、添加物を添加しない場合に比べて、全ての情報層で同等以上の良好なジッタ値が得られた。また、実施例１で挙げたＢｉ２Ｏ３以外の添加材料に関しても同様の効果が得られることを確認した。
これに対して、記録感度を向上するためにＢｉ２Ｏ３を添加した場合には、第１情報層、第２情報層ともに、記録感度は１倍速、２倍速、４倍速で目標値を上回っており、さらに信頼性に関してもＰｐ１、Ｐｐ２でともに良好であることがわかった。また、添加物を添加しない場合に比べて、全ての情報層で同等以上の良好なジッタ値が得られた。また、実施例１で挙げたＢｉ２Ｏ３以外の添加材料に関しても同様の効果が得られることを確認した。
以上のことから、２層からなる情報記録媒体の記録層にＢｉ ２ Ｏ ３ ＋材料Ａ（材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）を適用することによって、記録感度と信頼性を向上できることがわかった。
（実施例３）
ここでは、４層からなる情報記録媒体に本発明の記録層材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３）を適用し、記録感度、信頼性に与える影響を調べた。
図３に示した層構成を有する情報記録媒体（ｎが４の場合）を作製した。基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
（実施例３）
ここでは、４層からなる情報記録媒体に本発明の記録層材料（ここでは代表例としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３）を適用し、記録感度、信頼性に与える影響を調べた。
図３に示した層構成を有する情報記録媒体（ｎが４の場合）を作製した。基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚８０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ ２ Ｏ ３ 記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１２ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３８ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１２ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３８ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３からなるターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−ＰｄもしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄ−Ｂｉ２Ｏ３記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚４６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源２００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）のガスを、記録層はＡｒ（２５ｓｃｃｍ）及び適量の酸素との混合ガスを、誘電体層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）を、いずれも、ガス圧約０．１３Ｐａに保った雰囲気で成膜した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源２００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）のガスを、記録層はＡｒ（２５ｓｃｃｍ）及び適量の酸素との混合ガスを、誘電体層は、Ａｒ（２５ｓｃｃｍ）を、いずれも、ガス圧約０．１３Ｐａに保った雰囲気で成膜した。
記録層組成の分析方法、記録感度および信頼性の評価方法は実施例１と同様に行った。
なお、４層からなる情報記録媒体の場合、得られた記録感度は、１倍速（３６Ｍｂｐｓ）においては１３ｍＷ以下、２倍速（７２Ｍｂｐｓ）においては１７ｍＷ以下を満足することが望ましい。
実施例３では、表１５に示されるようなＴｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層とＴｅ−Ｏ−ＰｄにＢｉ２Ｏ３を添加した記録層からなる情報記録媒体を作製し上記の評価を行った。
なお、４層からなる情報記録媒体の場合、得られた記録感度は、１倍速（３６Ｍｂｐｓ）においては１３ｍＷ以下、２倍速（７２Ｍｂｐｓ）においては１７ｍＷ以下を満足することが望ましい。
実施例３では、表１５に示されるようなＴｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層とＴｅ−Ｏ−ＰｄにＢｉ２Ｏ３を添加した記録層からなる情報記録媒体を作製し上記の評価を行った。
表１５に示されるように、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄのみからなる記録層を有する情報記録媒体では以下のような結果が得られた。１倍速に関しては第１の情報層のみ目標値を下回り、２倍速に関しては第１の情報層と第３の情報層が目標値を達成できなかった。信頼性に関しては、全ての情報層で＋１５％パワーで記録した記録マークが加速試験後にジッタが１％以上２％未満劣化していたことから、こちらも課題であることがわかった。
これに対して、記録感度を向上するためにＢｉ２Ｏ３を添加した場合には、記録感度は１倍速、２倍速ともに、全ての情報層で目標値を上回った。さらに信頼性に関してもＰｐ１、Ｐｐ２でともに良好であることがわかった。また、添加物を添加しない場合に比べて、全ての情報層で同等以上の良好なジッタ値が得られた。また、実施例１で挙げたＢｉ２Ｏ３以外の添加材料に関しても同様の効果が得られることを確認した。
これに対して、記録感度を向上するためにＢｉ２Ｏ３を添加した場合には、記録感度は１倍速、２倍速ともに、全ての情報層で目標値を上回った。さらに信頼性に関してもＰｐ１、Ｐｐ２でともに良好であることがわかった。また、添加物を添加しない場合に比べて、全ての情報層で同等以上の良好なジッタ値が得られた。また、実施例１で挙げたＢｉ２Ｏ３以外の添加材料に関しても同様の効果が得られることを確認した。
以上のことから、４層からなる情報記録媒体の記録層にＴｅＯＰｄ＋材料Ａ（材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）を適用することによって、記録感度と信頼性を向上できることがわかった。
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、追記型の大容量光学的情報記録媒体であるＤＶＤ−Ｒディスク、ＢＤ−Ｒなどに有用である。
１，９，２４，４４ 情報記録媒体
２，１０，２５ 基板
４，１２，１８，２７，３２，３７ 第１の誘電体層
５，１３，１９，２８，３３，３８ 記録層
７，２２，４１ 光透明層
８，２３，４２，４５ レーザ光
３，１１，１７，２６ 反射層
６，１４，２０，２９，３４，３９ 第２の誘電体層
１５，３０ 第１の情報層
１６，３１，３６ 中間層
２１，３５ 第２の情報層
４０ 第ｎの情報層
４３ 記録再生装置
４６ 対物レンズ
４７ レーザ
４８ 光検出器
４９ スピンドルモータ
２，１０，２５ 基板
４，１２，１８，２７，３２，３７ 第１の誘電体層
５，１３，１９，２８，３３，３８ 記録層
７，２２，４１ 光透明層
８，２３，４２，４５ レーザ光
３，１１，１７，２６ 反射層
６，１４，２０，２９，３４，３９ 第２の誘電体層
１５，３０ 第１の情報層
１６，３１，３６ 中間層
２１，３５ 第２の情報層
４０ 第ｎの情報層
４３ 記録再生装置
４６ 対物レンズ
４７ レーザ
４８ 光検出器
４９ スピンドルモータ
Claims (19)
- 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＡｇ２Ｏであって、Ａｇ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．１８以上１．００以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＡｌ２Ｏ３であって、Ａｌ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．５０以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＢ２Ｏ３であって、Ｂ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．１８以上０．３３以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＢｉ２Ｏ３であって、Ｂｉ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０４以上０．３０以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＣｅＯ２であって、ＣｅＯ２／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１４以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＣｕＯであって、ＣｕＯ／ＴｅＯ２比が０．１０以上１．００以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＣｕ２Ｏであって、Ｃｕ２Ｏ／ＴｅＯ２比が０．０５以上１．００以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＧａ２Ｏ３であって、Ｇａ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１８以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＩｎ２Ｏ３であって、Ｉｎ２Ｏ３／ＴｅＯ２比が０．０２以上０．０８以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＭｏＯ３であって、ＭｏＯ３／ＴｅＯ２比が０．２５以上１．５０以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＮｂ２Ｏ５であって、Ｎｂ２Ｏ５／ＴｅＯ２比が０．０５以上０．１２以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に記録層を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体であって、
前記記録層がＴｅ、Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）、ＴｅＯ２、材料Ａを主成分として含み、
Ｔｅ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｍ原子の含有割合が０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＴｅＯ２＋材料Ａの含有割合が４０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であり、
材料ＡがＶＯ２であって、ＶＯ２／ＴｅＯ２比が０．１０以上０．３３以下であることを特徴とする情報記録媒体。 - 前記記録層の膜厚が、２ｎｍ以上３０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
- 前記基板上にｎ層（ただし、ｎは２以上の整数）の情報層が分離層を介して積層された情報記録媒体であって、少なくともいずれかの情報層が、前記記録層を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
- 請求項１か１４のいずれかに記載の情報記録媒体の製造方法であって、基板上に記録層を作成する工程を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法において、
前記記録層をスパッタリング法により作製し、
前記記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ａ（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とすることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 - 請求項１から１４のいずれかに記載の情報記録媒体の製造方法であって、基板上に記録層を作成する工程を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法において、
前記記録層をスパッタリング法により作製し、
前記記録層の作製工程で用いるターゲット材料はＴｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）と材料Ｂ（ただし材料Ｂの酸化物である材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）との混合物を主成分とし、
成膜ガスは希ガスと酸素との混合ガスを主成分とし、反応性スパッタリングを行うことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 - 請求項１から１４のいずれかに記載の情報記録媒体の製造方法であって、基板上に記録層を作成する工程を有し、前記記録層にレーザ光を照射または電気エネルギーを印加することによって情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法において、
前記記録層をスパッタリング法により作製し、
前記記録層の作製工程において、Ｔｅ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）とＴｅ−Ｏと材料Ａの化合物（ただし材料ＡはＴｅ−Ｏと共晶反応を示す材料）とを異なるターゲットから同時にスパッタリングすることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 - 請求項１から１４のいずれかに記載の情報記録媒体の記録層を成膜する際に用いるスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットがＴｅＯ２と材料Ａを主成分として含み、
前記材料ＡはＴｅＯ２と共晶反応を示す材料であることを特徴とする情報記録媒体用スパッタリングターゲット。 - 請求項１から１４のいずれかに記載の情報記録媒体の記録層を成膜する際に用いるスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットがＴｅＯ２と材料Ｂを主成分として含み、
前記材料Ｂの酸化物はＴｅＯ２と共晶反応を示す材料であることを特徴とする情報記録媒体用スパッタリングターゲット。
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