JP4889652B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成された薄膜に、レーザビーム等の高エネルギー光ビームを照射することにより、情報信号を記録・再生することのできる光学的情報記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量、高速度での情報の記録再生が可能な媒体として、相変化型記録媒体が知られている。これは、記録材料にレーザ光を局所的に照射した際に生じる熱によって、記録材料が、光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを利用して記録を行うものである。この相変化型記録媒体は、必要に応じてランダムアクセスが可能であり、かつ可搬性にも優れるという大きな利点を有しているため、近年ますますその重要性が高まっている。例えば、コンピュータを通じた個人データおよび映像情報等の記録または保存、医療分野、学術分野または家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での需要が高まっている。
現在、相変化形記録媒体について、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高密度化、高速化を達成することが求められている。
【０００３】
従来から提案されている媒体の種類としては、多数回の書き換えが可能な書き換え型媒体、１回のみ書き込み可能な追記型媒体が挙げられる。追記型媒体は、一般に、書き換え型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり、媒体の低コスト化が可能である。また、書き換えができないことから、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむ際に好都合である。このことから、保存寿命が長く、信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途として大きな需要がある。
そこで、追記型の記録材料として、いくつかの酸化物材料が提案されている。例えば、ＧｅＯ2、ＴｅＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の酸化物母材中にＴｅ粒子を分散させた記録材料は、高感度で大きな信号振幅が得られることが開示されている（特許文献１参照）。例えば、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする記録材料は大きい信号振幅が得られ、信頼性も非常に高いことが知られている（特許文献２参照）。これらＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料の記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後でのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ膜は、ＴｅＯ2の中にＴｅ−Ｐｄ、Ｔｅ、或いはＰｄが微粒子として一様に分散している複合材料である。レーザ光の照射後は、溶融されてＴｅやＴｅ−ＰｄやＰｄがより大きな結晶粒子となって析出するため、光学状態が変化し、その差が信号として検出できる。
【特許文献１】
特開昭５８−５４３３８号公報
【特許文献２】
国際公開特許ＷＯ９８／０９８２３号公報
【特許文献３】
特開２００２−１３３７１２号公報
【特許文献４】
国際公開特許ＷＯ２００４／０２７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、近年、情報の大容量化に伴って、光学的情報記録媒体のさらなる記録密度向上が要求されている。よって、より短波長・高ＮＡの光学系、特に青紫色レーザ光を用いた高密度記録に対応できる記録媒体を開発することが必要とされている。
そこで、上述したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を、青紫色波長域で用いるために、記録層に誘電体層を併設して、反射率差を大きくすることが提案されている（特許文献３参照）。また、一般的には、記録層を保護し反射率差を大きくする目的から記録層の両側には誘電体を、記録層で生じた熱を膜厚方向に効果的に拡散し、反射率を向上させる目的からレーザ入射側と反対方向の基板と誘電体層との間に反射層を設けている。
また、より記録密度を向上させるために、複数の層に情報を記録する多層媒体がある。このような媒体に対しては、光入射面から遠い側の情報層にデータを記録する際、レーザ光が、光入射面に近い側の情報層を透過する必要がある。よって、光入射面に近い側の情報層は、レーザ光に対する透過率が高いまま、良好な信号品質を確保しなければならない。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする材料は、ほぼ透明なＴｅＯ２を母材としているため、膜の透過率を高めることが容易であり、片側から多層の情報層に記録可能な多層光学情報媒体に好適に適用することができる。
【０００５】
Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を使用して４層の情報層を作製した例も提案されている（特許文献４参照）がある。このとき、レーザ入射側に位置する３つの層には反射層を用いずに記録層を誘電体層で挟んだ構成が適用されており、誘電体層の材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ２が適用されている。しかし、この場合、記録した信号のジッタが低いといった課題があった。これは、記録層で生じた熱が厚さ方向に拡散することができず、膜面方向に拡散し、その結果記録マークのエッジがぼやけてしまったためと考えられている。
このように相変化型の記録媒体は、記録の際に記録層で多量の熱が発生する。そのため、記録層面内で熱拡散がおこり、記録マークエッジが不鮮明になるという課題があった。
通常、その熱を拡散させるために放熱層が設けられる。放熱層としては、レーザ光に対する光吸収が大きい金属が用いられる。一方、多層の情報層を有する媒体では、全ての層から適度な反射率を確保するために光入射面に近い側の透過率を高める必要がある。よって、放熱性を確保しながら、光吸収を低減できる材料の選定が困難であった。
【０００６】
また、信号品質および信頼性を高めるためには、放熱層、誘電体層、記録層、および誘電体層の多層からなる情報層を形成することが一般的であり、光学的情報記録媒体の材料および製造コストが高くなるという課題があった。
さらに、通常、放熱層としてはＡｇ合金、誘電体層としてはＺｎＳ−ＳｉＯ2が用いられており、ＡｇとＳとの反応に起因した腐食が発生するため、Ａｇ合金を用いる際には信頼性に課題があった。
このように大容量記録媒体を実現するために、長期間の保存信頼性が高く、製造コストが安い、高信号品質および高透過率を両立できる光学的情報記録媒体が強く望まれていた。
本発明は、高透過率および高信号品質を両立することができ、さらに長期保存に対する信頼性を高めることができるとともに、製造コストを低減することが可能な光学的情報記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の光学的情報記録媒体は、基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備える光学的情報記録媒体である。第１から第４の情報層は、Ｔｅ、ＯおよびＭ（ただし、Ｍは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）を主成分として含む記録層を少なくとも有している。第１の情報層は、Ａｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層をさらに有している。第３の情報層および第４の情報層は、ＡｌＮ、ＢＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ ２ 、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料を含む誘電体層をさらに有している。第１の中間層、第２の中間層、および第３の中間層の厚みは、互いに異なっている。各中間層の厚みは、第３中間層の厚み＜第１中間層の厚み＜第２中間層の厚み、を満たし、第３中間層の厚みが、６μｍ以上１５μｍ以下である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高透過率および高信号品質を両立することができ、かつ長期保存に対する信頼性に優れた大容量の光学的情報記録媒体を、低コスト化を図りつつ、提供することができる。また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を奏する情報記録媒体を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の光学的情報記録媒体およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施形態に限定されない。また、以下の実施形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
本発明の光学的情報記録媒体は、基板および情報層を有し、さらにその情報層は、少なくとも記録層と誘電体層とで構成されていればよい。
具体的には、本発明の光学的情報記録媒体１には、図１に示すように、基板２上に第１の誘電体層３と記録層４とからなる情報層が設けられている。さらに情報層の上に光透明層５を形成してもよい。記録層４と光透明層５との間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために誘電体層を適宜挿入してもよい。この光学的情報記録媒体に対し、光透明層５の側からレーザ光６を照射して記録再生を行う。
【００１０】
また、図２に示すように、本発明の光学的情報記録媒体７は、基板８上に第１の情報層１３および第２情報層１７がこの順に設けられて構成されているものであってもよい。２つの情報層の間には分離層として、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除するために、中間層１４が介在している。さらに第２の情報層１７の上に光透明層１８が形成されていてもよい。この光学的情報記録媒体７に対し、光透明層１８の側からレーザ光１９を照射して記録再生を行う。
第１の情報層１３は、高反射率および高信号品質を両立するために、反射層９、第２の誘電体層１０、記録層１１、および第２の誘電体層１２を順次積層した構成とすることができる。第２の情報層１７は、高透過率および高信号品質を両立するために、第１の誘電体層１５と記録層１６とからなる。
【００１１】
記録層１６と光透明層１８との間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために誘電体層を適宜挿入してもよい。記録層および誘電体層以外にも合金材料等からなる反射層を設けることもできる。
また、図３に示すように、本発明の光学的情報記録媒体２０は、基板２１上に第１の情報層２６、第２情報層３０、・・・、第ｎの情報層３３がこの順に設けられて構成されているものであってもよい。各情報層の間には中間層２７が介在している。この光学的情報記録媒体２０に対し、光透明層３４の側からレーザ光３５を照射して記録再生を行う。
第１の情報層２６は、高反射率および高信号品質を両立するために、反射層２２、第２の誘電体層２３、記録層２４、および第２の誘電体層２５を順次積層した構成である。第２の情報層３０から第ｎの情報層３３は、高透過率および高信号品質を両立するために、少なくとも第１の誘電体層と記録層とからなる。記録層と光透明層および記録層と中間層との間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために、誘電体層を適宜挿入してもよい。記録層および誘電体層以外にも合金材料等からなる反射層を設けることもできる。
【００１２】
本発明においては、複数の情報層を備える場合には、そのうちの少なくとも１つが、第１の誘電体層と記録層とからなる情報層であればよいが、図２における第２の情報層、および図３における第２の情報層から第ｎの情報層に対しても同様である。一方、本発明の光学的情報記録媒体では、上述した記録層を構成する材料を含まない情報層をさらに設けてもよい。例えば、追記型ではなく、書き換え型または再生専用型の情報層を、任意の位置に追加することができる。
また、情報層は、基板の一面上に形成されていてもよいし、例えば、基板上に１または複数の情報層を形成した光学的情報記録媒体２枚を、それぞれの基板側を対向させて貼り合わせ、両面構造とする等、基板の表裏二面上に形成されていてもよい。これにより、媒体１枚あたりに蓄積できる情報量をさらに倍増することができる。
【００１３】
基板２、８、２１の材料としては、透明なポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。その厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度が適している。その形状も特に限定されないが、円盤状が適している。
光透明層５、１８、３４の材料としては、使用するレーザ光１９の波長に対して光吸収が小さく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいことが好ましい。例えば、基板と同様の材料を用いることができる。その厚さは特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度が適している。
また、光透明層５、１８、３４は、レーザ光入射面の埃や傷等により、各情報記録層への信号の記録や再生を行う際に、情報エラーの発生を極力少なくするような厚みに設定することが重要となる。厚みが厚いほど、埃や傷からの耐性は大きくなる。例えば、一般的に、光ディスクが扱われる環境下において、のゴミは３０μｍ以下の大きさのものが９０％以上占めており（ＩＳＯＭ／ＯＤＳ２００２）、この３０μｍ以下の大きさのゴミを無視できる程度の光透明層の厚みの設定が必要となる。本実施例では、上記を考慮して光透明層５、１８、３４の厚みを６０μｍ程度としている。
【００１４】
特に、対物レンズの開口数が０．７５〜０．９５（ここで、「〜」は、両端の値も含んでおり、以下同様である）の場合、ディスク製造時の強度を保つために基板２、８、２１の厚さは、１．００〜１．２０ｍｍの範囲で、チルトに対する許容幅を小さくするために光透明層５、１８、３４の厚さは、０．０３ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲であることが好ましい。
一方、対物レンズの開口数が０．５５〜０．７５の場合、基板２、８、２１の厚さは０．５０〜０．７０ｍｍの範囲で、光透明層５、１８、３４の厚さは０．５０ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲であることが好ましい。
中間層１４、２７の材料としては、基板と同様の材料を用いることができる。その厚さは、第１の情報層、第２の情報層および第ｎの情報層のいずれか一つを再生する際に他方からクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数ＮＡおよびレーザ光の波長λにより決定される焦点深度以上の厚さであることが必要である。また、全ての情報層が、集光可能な範囲に収まる厚さであることも必要である。３層以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚さを異なる厚さとすることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚さの場合、情報層の位置が等間隔となり、ある奥の層を記録再生する際に、２つ手前に位置する層でレーザ光が焦点を結び得ることがあり、クロストークが大きくなる可能性があるためである。また、多層媒体におけるクロストーク量は、中間層の厚みに比例するため、可能な限り厚い中間層を適用するほうが好ましい。
【００１５】
基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備える光学的情報記録媒体においては、各中間層の厚みが互いに異なっており、第３中間層の厚み＜第１中間層の厚み＜第２中間層の厚みの関係を満たしていることが好ましい。これは以下の考えに基づく。
４層からなる光学的情報記録媒体では、両側に情報層が存在する第２の情報層および第１の情報層が最もクロストークの影響を受けやすいため、ジッタが悪化しやすい。そこでクロストーク量を最小限にするために最も厚くする必要がある。次に、第１の情報層および第２の情報層では、第１の情報層の方がレーザ入射側に２つの情報層を有するために、信号品質が劣化しやすい。したがって、次に第１中間層を厚くすることによってクロストーク量をさらに減らす方が好ましい。そして、最も薄いのが第３の中間層となる。
【００１６】
さらに、上記４層からなる光学的情報記録媒体では、最も薄い第３中間層の厚みが６μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。レーザ光の波長が４００〜４１０ｎｍ、対物レンズの開口数が０．８５であるヘッドによって記録もしくは再生される場合に層間クロストークよる影響を最低限に抑えることができ、且つ光透明層の厚みを薄く形成することができるからである。
基板２、８、２１、光透明層５、１８、３４、および中間層１４、２７の屈折率は、１．４〜１．７の範囲にあることが好ましい。この範囲のものを選ぶことによって、記録時および未記録時の光学変化を十分に確保することができる。また、基板２、８、２１、光透明層５、１８、３４、および中間層１４、２７の少なくともいずれかには、レーザ光を導くための案内溝またはピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。
【００１７】
記録層４、１１、１６、２４、２９、３２は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料より構成する。記録層の材料は、この異なる状態間を非可逆的に変化しうるものが好ましく、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）を主成分とする材料が好適である。ここで主成分とは、これらの化合物を、記録層において５０モル％以上含むことを意味する。また、この材料は、記録マークの大きさを確保するとともに記録層の熱伝導率を適切な範囲に保つ観点から、酸素原子（Ｏ原子）を４０原子％以上７５原子％以下含むものが好ましい。さらに、レーザ光照射時に十分な光学特性の変化を確保し、適切なＣ／Ｎ比を得て適切な結晶化速度を得る観点から、Ｔｅを２０〜５０原子％、Ｐｄを３〜２０原子％含む組成であることが好ましい。
記録層には、ＯおよびＭ以外の元素が含まれていてもよい。例えば、熱伝導率や光学定数の調整、耐熱性・環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも１種の元素を添加してもよい。これらの添加元素は、記録層全体の２０原子％以内とすることが好ましい。
【００１８】
記録層の膜厚は、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比が得やすいこと、または記録層の薄膜面内の熱拡散を適当な値に調整して、高密度記録においてＣ／Ｎ比が低くなることを防止するからである。特に、十分な反射率および反射率変化を得、Ｃ／Ｎ比を高めるために、５ｎｍ以上がより好ましい。
光学的情報記録媒体が４層からなる場合には、記録層の膜厚を各層で変化させることが好ましい。これは各層で求められる反射率および透過率が異なるからである。４層からなる光学的情報記録媒体では、例えばレーザ入射側からみて最も奥の層から手前の層に向けてＬ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３と呼ぶとすると、Ｌ０の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ、Ｌ１の膜厚は４ｎｍ〜１４ｎｍ、Ｌ２の膜厚は４ｎｍ〜１２ｎｍ、Ｌ３の膜厚は４ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。つまり、十分な光学変化が得られることを考慮すると、Ｌ０の膜厚は１０ｎｍより大きいことが好ましい。また、十分な反射率が得られることを考慮して、Ｌ０の膜厚は４０ｎｍより小さいことが好ましい。Ｌ１、Ｌ２、およびＬ３の膜厚が４ｎｍより大きい場合は、十分な光学変化が得られることから好ましい。Ｌ１が１４ｎｍ、Ｌ２が１２ｎｍ、Ｌ３が１０ｎｍより薄い場合は、十分な透過率が得られることから好ましい。Ｌ０の記録層の膜厚は２０ｎｍが特に好ましいことから、４層からなる光学的情報記録層の各層の記録層の比が、Ｌ０：Ｌ１：Ｌ２：Ｌ３＝１：０．２〜０．７：０．２〜０．６：０．２〜０．５になることが全層でのバランスがとりやすいという観点から好ましい。
【００１９】
記録層の熱伝導率は、０．１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以下の低熱伝導性であることが好ましい。熱伝導率が高い場合には、記録の際に熱が面内方向に拡散するためジッタが低下する。そのために記録層の熱伝導率を低くすることによって、良好なジッタを得やすくなる。
第１の誘電体層３、１５、２８、３１は、第１の誘電体層が反射層を用いない場合に、記録層で生じた熱を膜厚方向に拡散する役目を担うために高い熱伝導率をもつ材料からなる必要がある。また、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にする等の光学特性の調節が主な目的として設けられる。さらに多層からなる光学的情報記録媒体のレーザ入射側の層へ適用することから、情報層の透過率を高めるために、誘電体層の消衰係数は小さい方が好ましい。このような目的から、第１の誘電体層の熱伝導率、膜厚、および消衰係数に以下のような好ましい範囲がある。
【００２０】
第１の誘電体層の熱伝導率は０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性であることが好ましい。熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の場合には、記録層で生じた熱が膜厚方向に拡散しやすいために信号のエッジが鮮明になりジッタが向上するという観点から好ましい。
また、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の比較的透明な材料が好ましい。０以上１．０以下の場合、誘電体層において光を吸収する割合が小さいため、情報層の透過率を高めることができる。１．０より大きい場合には誘電体層における光の吸収が増加するため、多層の光学的情報記録媒体への適用が困難となる。第１の誘電体層に用いる材料としては、上記の熱伝導率、消衰係数をみたすものとして、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料が挙げられる。なかでも、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ、ＭｇＯは、熱伝導率が大きく、消衰係数が０．１以下と小さいことから、より好ましい。ここで主成分とは、これらの化合物を、誘電体層において５０モル％以上含むことを意味し、８０モル％以上、さらに９０モル％以上含むことが好ましい。
【００２１】
第１の誘電体の膜厚は、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍ以上であれば記録層を保護する機能が十分であり、４０ｎｍ以下であれば成膜に必要な時間が十分短いことから生産性の観点で好ましい。
第２の誘電体層１０、１２、２３、２５は、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にする等の光学特性の調節が主な目的として設けられる。
第２の誘電体層の材料としては、屈折率ｎが１．５以上、より好ましくは２．０以上、さらに好ましくは２．５以上の材料を用いることができる。具体的には、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ等の弗化物またはこれらの適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等）等が挙げられる。
【００２２】
反射層９、２２は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設けられることが好ましい。反射層９、２２は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属または適宜選択された金属の合金より形成することができる。その膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。膜を均一層とし、熱的、光学的な効果を確保するためである。なお、図２では第１の情報層１３のみ反射層９を有する構成であるが、第２の情報層１７が反射層を有していてもよいし、第１の情報層１３が反射層９を有さない構成であってもよい。図３では第１の情報層２６のみ反射層２２を有する構成であるが、第２の情報層３０から第ｎの情報層３３が反射層を有していてもよいし、第１の情報層２６が反射層２２を有さない構成であってもよい。一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、上記で述べた放熱効果や光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する図２における第２の情報層１７および図３における第２の情報層３０から第ｎの情報層３３については、反射層を設けるかどうか適宜設計を行うことが必要であり、反射層を設けた場合はその厚さを例えば１０ｎｍ以下の薄膜にすることにより、情報層を高い透過率に保つことができる。
【００２３】
図３に示した層構成（ただし、ｎは３以上の整数）のように積層された厚み方向に記録再生光の焦点を移動させて情報の記録再生を行う光情報記録媒体であって、光入射側からもっとも遠い層をＬ０とし、入射側に向かって順にＬ１、Ｌ２、・・・、Ｌｎ−１とした場合、Ｌ１からＬｎ−１が、上述した特定の記録層と誘電体層とからなる記録層であることが好ましい。この場合、Ｌ１からＬｎ−１の少なくとも１つが特定の記録層であってもよいし、２以上が特定の記録層であってもよいが、Ｌ１からＬｎ−１の全てが特定の記録層であることが好ましい。良好な信号品質を得ることができるからである。
また、図３に示した層構成（ただし、ｎは３以上の整数、例えば、ｎ＝４）のように積層された厚み方向に記録再生光の焦点を移動させて情報の記録再生を行う光情報記録媒体であって、少なくとも光入射側に近い３つ（またはｎ個）の情報層が前記情報層であって、光入射側に最も近い情報層をＬ３（またはＬｎ−１）、光入射側から３番目に近い情報層をＬ１とした場合に、前記光情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ３（またはＬｎ−１）＜Ｌ１を満足することが好ましい。これによりＬ１のＣ／Ｎ比をＬ３と同等以上に高くすることができ、Ｌ１とＬ３とでバランスのよい信号品質を得ることができる。
【００２４】
また、光入射側から２番目に近い情報層をＬ２とした場合に、前記光情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ２＜Ｌ１を満足することが好ましい。これによりＬ１のＣ／Ｎ比をＬ２と同等以上に高くすることができ、Ｌ１とＬ２とでバランスのよい信号品質を得ることができる。
前記光情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１を満足することが好ましい。これによりＬ１のＣ／Ｎ比およびＬ２のＣ／Ｎ比をＬ３と同等以上に高くすることができ、Ｌ１からＬ３において高変調度が得られるため、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３でバランスのよい、良好な信号品質を得ることができる。
以下のように情報層を構成している層の膜厚を調整するか、情報層の材料と膜厚との組み合わせを調整すること等によって、上述した反射光強度の調整を行うことができる。
【００２５】
例えば、第２の情報層では、第１の情報層を設けた上に形成された中間層の上に、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成する場合に、ＡｌＮの膜厚を薄くする、ＺｎＳの膜厚を厚くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を薄くすることによって反射光強度をあげることができる。また、ＡｌＮの膜厚を厚くする、ＺｎＳの膜厚を薄くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を厚くすることによって反射光強度をさげることができる。
第３の情報層では、第２の情報層を設けた上に形成された中間層の上に、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成する場合に、ＡｌＮの膜厚を薄くする、ＺｎＳの膜厚を薄くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を薄くすることによって反射光強度をあげることができる。また、ＡｌＮの膜厚を厚くする、ＺｎＳの膜厚を厚くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を厚くすることによって反射光強度をさげることができる。
【００２６】
第４の情報層では、第３の情報層を設けた上に形成された中間層の上に、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成する場合に、ＡｌＮの膜厚を薄くする、ＺｎＳの膜厚を薄くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を薄くすることによって反射光強度をあげることができる。また、ＡｌＮの膜厚を厚くする、ＺｎＳの膜厚を厚くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を厚くすることによって反射光強度をさげることができる。
基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備えてなる光学的情報記録媒体においては、第１から第４の情報層が少なくとも記録層を含んでおり、記録層の主成分がＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）であり、第１の情報層および第２の情報層はＡｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層を備えており、第３の情報層および第４の情報層は誘電体層を備えており、誘電体層がＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料であることが好ましい。これは４つの情報層を有する光学的情報記録媒体の全ての層の反射率、ジッタの目標値を満たすために必要である。第１の情報層および第２の情報層はレーザ入射側に２つの情報層を有することから、高反射率である必要があり、Ａｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層を備えることによって実現している。また、第３の情報層および第４の情報層はレーザ入射側と反対側にさらに情報層を設けているために高透過率である必要があり、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ等の高熱伝導で消衰係数の小さい誘電体層を設けている。このように層によって放熱の働きをする材料を変化させることにより、４つの層全ての層で反射率、ジッタの目標値を達成している。
【００２７】
また、第２の情報層に関しても第３、第４の情報層と同様にＡｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層を用いないで、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ等の高熱伝導で消衰係数の小さい誘電体層を設けることによって、上記と同様の効果を得ることができる。
上記の各薄膜は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の気相薄膜堆積法によって形成することができる。特にスパッタリング法により成膜することがより好ましい。これまで光ディスクの作製方法としてスパッタリング法が最も一般的に使用されていることから生産性の観点で好ましく、また良好な膜質を得やすいといった品質の観点からも好ましい。
【００２８】
各層の作製順序は、図１の場合、基板２上に、第１の誘電体層３、記録層４を順次成膜し、その上に光透明層５を形成する。光透明層５の形成方法は、記録層４まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材とを貼り合わせることによって形成してもよく、記録層４まで作製した媒体とシート状の基材とをＵＶ樹脂によって貼り合わせることにより形成してもよく、さらに記録層４まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂によって形成してもよい。図２、図３に関しても、同様に成膜工程と中間層および光透明層の形成工程とを設けることによって作製することができる。
次に、本発明の光学情報記録媒体の記録再生方法の一例について述べる。
図４に、光学情報記録媒体が光ディスクである場合に、記録再生に用いる記録再生装置３６の一例の概略を示す。信号の記録再生には、レーザ４０と対物レンズ３９とを搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置（図示省略）と、トラック方向および膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置およびフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）、媒体を回転させるためのスピンドルモータ４２とを用いる。
【００２９】
信号の記録、再生は、まず媒体をスピンドルモータ４２を用いて回転させ、光学系によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体へレーザ光を照射することにより行う。信号の再生の際には、信号の記録を行うパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザ照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつその照射によって媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるパワーのレーザビームを照射し、得られる媒体からの信号を光検出器４１で読みとることによって行うことができる。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の実施例は本発明を限定するものではない。
（実施例１）
図１に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは記録層と光透明層との間に、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために誘電体層を挿入する。
【００３０】
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．６ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＡを作製した。
【００３１】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＢＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＢＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＢを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＳｉ３Ｎ４誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＣを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＨｆＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＨｆＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＤを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＴａＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴａＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＥを作製した。
【００３２】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＴｉＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｉＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＦを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＺｒＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＺｒＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＧを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＳｉＣターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＳｉＣ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＨを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＢｅＯターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＢｅＯ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＩを作製した。
【００３３】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌ２Ｏ３誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＪを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＭｇＯターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＭｇＯ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＫを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＺｎＯターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＺｎＯ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＬを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＴｉＯ２ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｉＯ２誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＭを作製した。
【００３４】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、Ｃターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＣ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＮを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＮｂＣターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＮｂＣ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＯを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＰを作製した。
ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法により順に積層することによって、ディスクＱを作製した。
【００３５】
上記ディスクに対し、信頼性試験として、波長４０５ｎｍ、開口数ＮＡ０．８５の光学系を用い線速度４．５ｍ／ｓで回転させながら、１２．２ＭＨｚの単一信号を記録した。未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザで測定した。ここで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比がえられれば○、４０ｄＢ未満の場合には×と判定した。
また、データを記録したディスクＡ〜Ｄを温度９０℃、相対湿度８０％の環境下において５０時間にわたり、保持することによって加速試験を実行した。加速試験後のディスクＡ〜Ｄに記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。ここでＣ／Ｎ比の低下が３ｄＢ未満であれば○、３ｄＢ以上の場合には×と判定した。なお、Ｃ／Ｎの低下は３ｄＢ未満であるが、成膜室内等のゴミに起因する腐食が発生した場合には△と判定した。
【００３６】
情報層の層数は生産コストの観点から少ない方が好ましく、３層以下の場合に○、４層以上の場合に×と判定した。評価結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】
表１によると、ディスクＡ〜Ｏでは層数、Ｃ／Ｎ比、信頼性の全ての点において良好であった。しかし、誘電体層にＺｎＳを用いたディスクＰでは信頼性に問題が見られた。
また、ディスクＱでは層数が多くなることから生産コストの点で好ましくなく、また微量であるがＡｇおよびＳの腐食も発生した。
このように、本発明のとおり、第１の誘電体層として熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣを適用することによって、高信号品質で信頼性に優れた安価な１層の追記型記録媒体を提供できることを確認できた。また、図２、図３の場合にも同様の効果があることを確認した。
【００３９】
（実施例２）
図２に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは２層媒体のレーザ入射側の情報層の誘電体層に、熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上であるＡｌＮを用いた場合、０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以下であるＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いた場合、さらにＡｇ合金反射層と通常の誘電体層とを用いた場合の３種類の比較を示す。
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約２５μｍの中間層を形成した。
【００４０】
この中間層の表面上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、レーザ光に対して紫外線硬化樹脂により、厚さ７５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗ、反射層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．２ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、ＡｇＰｄＣｕ反射層はＡｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＲを作製した。
【００４１】
また、ディスクＲの第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＳを作製した。第１の情報層の上に形成された中間層の上にＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法により順に積層した。
また、ディスクＲの第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＴを作製した。第１の情報層の上に形成された中間層の上にＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。
【００４２】
上記ディスクの第２の情報層に対し、実施例１と同様にして、Ｃ／Ｎ比、信頼性、さらに信号品質に関して評価を行った。信号品質を評価するためにジッタの評価もあわせて行った。ここではジッタが８．５％以下であれば○、８．５％を超えていれば×と判定した。この値はＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃフォーマットにおいて安定してエラーなく信号の記録再生が行える基準値である。評価結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】
表２によると、ディスクＲでは層数、Ｃ／Ｎ比、信号品質、および信頼性の全ての点において良好であった。しかし、ディスクＳでは層数が多くなることから生産コストの点で好ましくなく、また微量であるがＡｇおよびＳの腐食も発生したため信頼性にも課題があった。ディスクＴでは、信号品質の点で目標値を達成できていない。
このように、本発明のとおり、２層からなる情報記録媒体において、第１の誘電体層として熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮを適用することによって、高信号品質で信頼性に優れた安価な２層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
また、ここではＡｌＮを用いたが、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣを用いても同様の効果があることも確認した。
【００４５】
（実施例３）
図３（ｎ＝４）に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
【００４６】
この中間層の表面上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
【００４７】
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗ、反射層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．２ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、ＡｇＰｄＣｕ反射層はＡｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＵを作製した。
【００４８】
また、ディスクＵの第２の情報層から第４の情報層までを以下のように置換することによってディスクＶを作製した。
第１の情報層の上に形成された中間層の上に、第２の情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
【００４９】
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。このようにして、ディスクＶを作製した。
また、ディスクＵの第２の情報層から第４の情報層までを以下のように置換することによってディスクＷを作製した。
第１の情報層の上に形成された厚さ１３．５μｍの中間層の上に、第２の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
【００５０】
この中間層の上に、第３の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚４ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の上に、第４の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚４ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
【００５１】
このようにして、ディスクＷを作製した。
上記ディスクの第２の情報層から第４の情報層に対し、実施例１、２と同様にして、Ｃ／Ｎ比および信号品質に関して評価を行った。さらに４層各層の反射率に関しても評価を行った。ここでは未記録部（溝部）の反射率が４．０％以上であれば○、４．０％未満であれば×と判定した。全ての層において良好な結果が得られたときのみ○、どれかの層で良好な結果がえられなければ×と判定した。
【００５２】
【表３】
表３によると、ディスクＵではＣ／Ｎ比、信号品質、反射率の全ての点において良好であった。しかし、ディスクＶでは信号品質の点で良好な結果が得られなかった。また、ディスクＷではレーザ入射側からみて奥の層ほど反射率が低下したため、全層において４％を確保することができなかった。
このように、本発明のとおり、第１の誘電体層として熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮを適用することによって、高透過率および高信号品質を両立し、信頼性に優れた４層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
（実施例４）
図３（ｎ＝４）に示した層構成を有する光学的情報記録媒体において、各情報層の反射率設計を行うことによって全層で信号品質のバランスをとった例について述べる。ここで第１の情報層をＬ０、第２の情報層をＬ１、第３の情報層をＬ２、第４の情報層をＬ３と定義する。ディスクの作製方法は実施例３のディスクＴと同様にして作製した。ここではＺｎＳ誘電体層の膜厚を調整することにより、各情報層の反射率を調整した。４層からなる光学的情報記録媒体において各々の情報層における反射率が表４に示す値になるようにディスクを３種類（Ｘ、Ｙ、Ｚ）作製した。
【００５４】
【表４】
【００５５】
表４によると、ディスクＸでは各々の情報層の反射率が、Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１を満足するため、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３でバランスのよい信号品質を得ることができる。
しかし、ディスクＹでは、Ｌ３＜Ｌ１は満たしているが、Ｌ２＜Ｌ１を満たしていないために各層の信号品質におけるバランスが好ましくない。また、ディスクＺでは、Ｌ３＞Ｌ２＞Ｌ１となっていることから各層の信号品質におけるバランスがより好ましくない。
このように、本発明のとおり、４層からなる光学的情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各々の情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１を満足することによってＬ１、Ｌ２、Ｌ３でバランスのよい信号品質を得ることができることを確認できた。
（実施例５）
図３（ｎ＝４）に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは各情報層にＡｇを主成分とする反射層を適用するか、もしくはＡｇを主成分とする反射層を用いないで熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ誘電体層を適用した場合の組み合わせの比較を示す。
【００５６】
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
【００５７】
この中間層の表面上に、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
【００５８】
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗ、反射層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．２ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、ＡｇＰｄＣｕ反射層はＡｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＡＡを作製した。
【００５９】
また、ディスクＡＡの第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＡＢを作製した。
第１の情報層の上に形成された中間層の上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成し、ディスクＡＡと同様に第３の情報層、光透明層を形成した。このようにして、ディスクＡＢを作製した。
また、ディスクＡＡの第１の情報層および第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＡＣを作製した。
【００６０】
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。第１の情報層の上に形成された中間層の上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成し、ディスクＡＡと同様に第３の情報層、光透明層を形成した。このようにして、ディスクＡＣを作製した。
【００６１】
また、ディスクＡＤの第３の情報層を以下のように置換することによってディスクＡＢを作製した。
第２の情報層の上に形成された中間層の上に、第３の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成し、ディスクＡＡと同様に第４の情報層、光透明層を形成した。このようにして、ディスクＡＤを作製した。
【００６２】
上記ディスクの全ての情報層に対し、実施例４と同様にして、反射率に関して評価を行った。ここでは未記録部（溝部）の反射率が４．０％以上であれば○、４．０％未満であれば×と判定した。全ての層において良好な結果が得られたときのみ○、どれかの層で良好な結果がえられなければ×と判定した。
【００６３】
【表５】
【００６４】
しかし、ディスクＡＣでは、第１の情報層の反射率に関して４％を確保することができなかった。また、ディスクＡＤにおいても第１の情報層の反射率に関して、４％を確保することができなかった。
このように、本発明のとおり、４層からなる光学的情報記録媒体において、第１の情報層および第２の情報層にＡｇを主成分とする反射層を適用し、第３の情報層および第４の情報層にＡｇを主成分とする反射層を用いないで熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ誘電体層を適用した。この場合、全ての情報層で、目標の反射率を達成した４層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
また、第１の情報層にＡｇを主成分とする反射層を適用し、第２の情報層、第３の情報層、および第４の情報層に、Ａｇを主成分とする反射層を用いないで熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ誘電体層を適用した。この場合、全ての情報層で、目標の反射率を達成した４層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、情報層の高透過率と高信号品質を両立し、さらに長期保存に対する信頼性を高めるとともに、製造コストの低減を可能にするため、光学的情報記録媒体およびその製造方法に対して有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図。
【図２】本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図。
【図３】本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図。
【図４】本発明の光学的情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置について構成の一部を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００６７】
１、７、２０、３７ 光学的情報記録媒体
２、８、２１ 基板
３、１５、２８、３１ 第１の誘電体層
４、１１、１６、２４、２９、３２ 記録層
５、１８、３４ 光透明層
６、１９、３５、３８ レーザ光
９、２２ 反射層
１０、１２、２３、２５ 第２の誘電体層
１３、２６ 第１の情報層
１４、２７ 中間層
１７、３０ 第２の情報層
３３ 第ｎの情報層
３６ 記録再生装置
３９ 対物レンズ
４０ レーザ
４１ 光検出器
４２ スピンドルモータ
【０００１】
本発明は、基板上に形成された薄膜に、レーザビーム等の高エネルギー光ビームを照射することにより、情報信号を記録・再生することのできる光学的情報記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量、高速度での情報の記録再生が可能な媒体として、相変化型記録媒体が知られている。これは、記録材料にレーザ光を局所的に照射した際に生じる熱によって、記録材料が、光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを利用して記録を行うものである。この相変化型記録媒体は、必要に応じてランダムアクセスが可能であり、かつ可搬性にも優れるという大きな利点を有しているため、近年ますますその重要性が高まっている。例えば、コンピュータを通じた個人データおよび映像情報等の記録または保存、医療分野、学術分野または家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での需要が高まっている。
現在、相変化形記録媒体について、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高密度化、高速化を達成することが求められている。
【０００３】
従来から提案されている媒体の種類としては、多数回の書き換えが可能な書き換え型媒体、１回のみ書き込み可能な追記型媒体が挙げられる。追記型媒体は、一般に、書き換え型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり、媒体の低コスト化が可能である。また、書き換えができないことから、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむ際に好都合である。このことから、保存寿命が長く、信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途として大きな需要がある。
そこで、追記型の記録材料として、いくつかの酸化物材料が提案されている。例えば、ＧｅＯ2、ＴｅＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の酸化物母材中にＴｅ粒子を分散させた記録材料は、高感度で大きな信号振幅が得られることが開示されている（特許文献１参照）。例えば、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする記録材料は大きい信号振幅が得られ、信頼性も非常に高いことが知られている（特許文献２参照）。これらＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料の記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後でのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ膜は、ＴｅＯ2の中にＴｅ−Ｐｄ、Ｔｅ、或いはＰｄが微粒子として一様に分散している複合材料である。レーザ光の照射後は、溶融されてＴｅやＴｅ−ＰｄやＰｄがより大きな結晶粒子となって析出するため、光学状態が変化し、その差が信号として検出できる。
【特許文献１】
特開昭５８−５４３３８号公報
【特許文献２】
国際公開特許ＷＯ９８／０９８２３号公報
【特許文献３】
特開２００２−１３３７１２号公報
【特許文献４】
国際公開特許ＷＯ２００４／０２７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、近年、情報の大容量化に伴って、光学的情報記録媒体のさらなる記録密度向上が要求されている。よって、より短波長・高ＮＡの光学系、特に青紫色レーザ光を用いた高密度記録に対応できる記録媒体を開発することが必要とされている。
そこで、上述したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を、青紫色波長域で用いるために、記録層に誘電体層を併設して、反射率差を大きくすることが提案されている（特許文献３参照）。また、一般的には、記録層を保護し反射率差を大きくする目的から記録層の両側には誘電体を、記録層で生じた熱を膜厚方向に効果的に拡散し、反射率を向上させる目的からレーザ入射側と反対方向の基板と誘電体層との間に反射層を設けている。
また、より記録密度を向上させるために、複数の層に情報を記録する多層媒体がある。このような媒体に対しては、光入射面から遠い側の情報層にデータを記録する際、レーザ光が、光入射面に近い側の情報層を透過する必要がある。よって、光入射面に近い側の情報層は、レーザ光に対する透過率が高いまま、良好な信号品質を確保しなければならない。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする材料は、ほぼ透明なＴｅＯ２を母材としているため、膜の透過率を高めることが容易であり、片側から多層の情報層に記録可能な多層光学情報媒体に好適に適用することができる。
【０００５】
Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を使用して４層の情報層を作製した例も提案されている（特許文献４参照）がある。このとき、レーザ入射側に位置する３つの層には反射層を用いずに記録層を誘電体層で挟んだ構成が適用されており、誘電体層の材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ２が適用されている。しかし、この場合、記録した信号のジッタが低いといった課題があった。これは、記録層で生じた熱が厚さ方向に拡散することができず、膜面方向に拡散し、その結果記録マークのエッジがぼやけてしまったためと考えられている。
このように相変化型の記録媒体は、記録の際に記録層で多量の熱が発生する。そのため、記録層面内で熱拡散がおこり、記録マークエッジが不鮮明になるという課題があった。
通常、その熱を拡散させるために放熱層が設けられる。放熱層としては、レーザ光に対する光吸収が大きい金属が用いられる。一方、多層の情報層を有する媒体では、全ての層から適度な反射率を確保するために光入射面に近い側の透過率を高める必要がある。よって、放熱性を確保しながら、光吸収を低減できる材料の選定が困難であった。
【０００６】
また、信号品質および信頼性を高めるためには、放熱層、誘電体層、記録層、および誘電体層の多層からなる情報層を形成することが一般的であり、光学的情報記録媒体の材料および製造コストが高くなるという課題があった。
さらに、通常、放熱層としてはＡｇ合金、誘電体層としてはＺｎＳ−ＳｉＯ2が用いられており、ＡｇとＳとの反応に起因した腐食が発生するため、Ａｇ合金を用いる際には信頼性に課題があった。
このように大容量記録媒体を実現するために、長期間の保存信頼性が高く、製造コストが安い、高信号品質および高透過率を両立できる光学的情報記録媒体が強く望まれていた。
本発明は、高透過率および高信号品質を両立することができ、さらに長期保存に対する信頼性を高めることができるとともに、製造コストを低減することが可能な光学的情報記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の光学的情報記録媒体は、基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備える光学的情報記録媒体である。第１から第４の情報層は、Ｔｅ、ＯおよびＭ（ただし、Ｍは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）を主成分として含む記録層を少なくとも有している。第１の情報層は、Ａｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層をさらに有している。第３の情報層および第４の情報層は、ＡｌＮ、ＢＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ ２ 、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料を含む誘電体層をさらに有している。第１の中間層、第２の中間層、および第３の中間層の厚みは、互いに異なっている。各中間層の厚みは、第３中間層の厚み＜第１中間層の厚み＜第２中間層の厚み、を満たし、第３中間層の厚みが、６μｍ以上１５μｍ以下である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高透過率および高信号品質を両立することができ、かつ長期保存に対する信頼性に優れた大容量の光学的情報記録媒体を、低コスト化を図りつつ、提供することができる。また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を奏する情報記録媒体を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の光学的情報記録媒体およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施形態に限定されない。また、以下の実施形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
本発明の光学的情報記録媒体は、基板および情報層を有し、さらにその情報層は、少なくとも記録層と誘電体層とで構成されていればよい。
具体的には、本発明の光学的情報記録媒体１には、図１に示すように、基板２上に第１の誘電体層３と記録層４とからなる情報層が設けられている。さらに情報層の上に光透明層５を形成してもよい。記録層４と光透明層５との間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために誘電体層を適宜挿入してもよい。この光学的情報記録媒体に対し、光透明層５の側からレーザ光６を照射して記録再生を行う。
【００１０】
また、図２に示すように、本発明の光学的情報記録媒体７は、基板８上に第１の情報層１３および第２情報層１７がこの順に設けられて構成されているものであってもよい。２つの情報層の間には分離層として、各情報層を光学的に分離して不要な光学干渉を排除するために、中間層１４が介在している。さらに第２の情報層１７の上に光透明層１８が形成されていてもよい。この光学的情報記録媒体７に対し、光透明層１８の側からレーザ光１９を照射して記録再生を行う。
第１の情報層１３は、高反射率および高信号品質を両立するために、反射層９、第２の誘電体層１０、記録層１１、および第２の誘電体層１２を順次積層した構成とすることができる。第２の情報層１７は、高透過率および高信号品質を両立するために、第１の誘電体層１５と記録層１６とからなる。
【００１１】
記録層１６と光透明層１８との間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために誘電体層を適宜挿入してもよい。記録層および誘電体層以外にも合金材料等からなる反射層を設けることもできる。
また、図３に示すように、本発明の光学的情報記録媒体２０は、基板２１上に第１の情報層２６、第２情報層３０、・・・、第ｎの情報層３３がこの順に設けられて構成されているものであってもよい。各情報層の間には中間層２７が介在している。この光学的情報記録媒体２０に対し、光透明層３４の側からレーザ光３５を照射して記録再生を行う。
第１の情報層２６は、高反射率および高信号品質を両立するために、反射層２２、第２の誘電体層２３、記録層２４、および第２の誘電体層２５を順次積層した構成である。第２の情報層３０から第ｎの情報層３３は、高透過率および高信号品質を両立するために、少なくとも第１の誘電体層と記録層とからなる。記録層と光透明層および記録層と中間層との間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために、誘電体層を適宜挿入してもよい。記録層および誘電体層以外にも合金材料等からなる反射層を設けることもできる。
【００１２】
本発明においては、複数の情報層を備える場合には、そのうちの少なくとも１つが、第１の誘電体層と記録層とからなる情報層であればよいが、図２における第２の情報層、および図３における第２の情報層から第ｎの情報層に対しても同様である。一方、本発明の光学的情報記録媒体では、上述した記録層を構成する材料を含まない情報層をさらに設けてもよい。例えば、追記型ではなく、書き換え型または再生専用型の情報層を、任意の位置に追加することができる。
また、情報層は、基板の一面上に形成されていてもよいし、例えば、基板上に１または複数の情報層を形成した光学的情報記録媒体２枚を、それぞれの基板側を対向させて貼り合わせ、両面構造とする等、基板の表裏二面上に形成されていてもよい。これにより、媒体１枚あたりに蓄積できる情報量をさらに倍増することができる。
【００１３】
基板２、８、２１の材料としては、透明なポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。その厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度が適している。その形状も特に限定されないが、円盤状が適している。
光透明層５、１８、３４の材料としては、使用するレーザ光１９の波長に対して光吸収が小さく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいことが好ましい。例えば、基板と同様の材料を用いることができる。その厚さは特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度が適している。
また、光透明層５、１８、３４は、レーザ光入射面の埃や傷等により、各情報記録層への信号の記録や再生を行う際に、情報エラーの発生を極力少なくするような厚みに設定することが重要となる。厚みが厚いほど、埃や傷からの耐性は大きくなる。例えば、一般的に、光ディスクが扱われる環境下において、のゴミは３０μｍ以下の大きさのものが９０％以上占めており（ＩＳＯＭ／ＯＤＳ２００２）、この３０μｍ以下の大きさのゴミを無視できる程度の光透明層の厚みの設定が必要となる。本実施例では、上記を考慮して光透明層５、１８、３４の厚みを６０μｍ程度としている。
【００１４】
特に、対物レンズの開口数が０．７５〜０．９５（ここで、「〜」は、両端の値も含んでおり、以下同様である）の場合、ディスク製造時の強度を保つために基板２、８、２１の厚さは、１．００〜１．２０ｍｍの範囲で、チルトに対する許容幅を小さくするために光透明層５、１８、３４の厚さは、０．０３ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲であることが好ましい。
一方、対物レンズの開口数が０．５５〜０．７５の場合、基板２、８、２１の厚さは０．５０〜０．７０ｍｍの範囲で、光透明層５、１８、３４の厚さは０．５０ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲であることが好ましい。
中間層１４、２７の材料としては、基板と同様の材料を用いることができる。その厚さは、第１の情報層、第２の情報層および第ｎの情報層のいずれか一つを再生する際に他方からクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数ＮＡおよびレーザ光の波長λにより決定される焦点深度以上の厚さであることが必要である。また、全ての情報層が、集光可能な範囲に収まる厚さであることも必要である。３層以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚さを異なる厚さとすることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚さの場合、情報層の位置が等間隔となり、ある奥の層を記録再生する際に、２つ手前に位置する層でレーザ光が焦点を結び得ることがあり、クロストークが大きくなる可能性があるためである。また、多層媒体におけるクロストーク量は、中間層の厚みに比例するため、可能な限り厚い中間層を適用するほうが好ましい。
【００１５】
基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備える光学的情報記録媒体においては、各中間層の厚みが互いに異なっており、第３中間層の厚み＜第１中間層の厚み＜第２中間層の厚みの関係を満たしていることが好ましい。これは以下の考えに基づく。
４層からなる光学的情報記録媒体では、両側に情報層が存在する第２の情報層および第１の情報層が最もクロストークの影響を受けやすいため、ジッタが悪化しやすい。そこでクロストーク量を最小限にするために最も厚くする必要がある。次に、第１の情報層および第２の情報層では、第１の情報層の方がレーザ入射側に２つの情報層を有するために、信号品質が劣化しやすい。したがって、次に第１中間層を厚くすることによってクロストーク量をさらに減らす方が好ましい。そして、最も薄いのが第３の中間層となる。
【００１６】
さらに、上記４層からなる光学的情報記録媒体では、最も薄い第３中間層の厚みが６μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。レーザ光の波長が４００〜４１０ｎｍ、対物レンズの開口数が０．８５であるヘッドによって記録もしくは再生される場合に層間クロストークよる影響を最低限に抑えることができ、且つ光透明層の厚みを薄く形成することができるからである。
基板２、８、２１、光透明層５、１８、３４、および中間層１４、２７の屈折率は、１．４〜１．７の範囲にあることが好ましい。この範囲のものを選ぶことによって、記録時および未記録時の光学変化を十分に確保することができる。また、基板２、８、２１、光透明層５、１８、３４、および中間層１４、２７の少なくともいずれかには、レーザ光を導くための案内溝またはピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。
【００１７】
記録層４、１１、１６、２４、２９、３２は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料より構成する。記録層の材料は、この異なる状態間を非可逆的に変化しうるものが好ましく、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）を主成分とする材料が好適である。ここで主成分とは、これらの化合物を、記録層において５０モル％以上含むことを意味する。また、この材料は、記録マークの大きさを確保するとともに記録層の熱伝導率を適切な範囲に保つ観点から、酸素原子（Ｏ原子）を４０原子％以上７５原子％以下含むものが好ましい。さらに、レーザ光照射時に十分な光学特性の変化を確保し、適切なＣ／Ｎ比を得て適切な結晶化速度を得る観点から、Ｔｅを２０〜５０原子％、Ｐｄを３〜２０原子％含む組成であることが好ましい。
記録層には、ＯおよびＭ以外の元素が含まれていてもよい。例えば、熱伝導率や光学定数の調整、耐熱性・環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも１種の元素を添加してもよい。これらの添加元素は、記録層全体の２０原子％以内とすることが好ましい。
【００１８】
記録層の膜厚は、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比が得やすいこと、または記録層の薄膜面内の熱拡散を適当な値に調整して、高密度記録においてＣ／Ｎ比が低くなることを防止するからである。特に、十分な反射率および反射率変化を得、Ｃ／Ｎ比を高めるために、５ｎｍ以上がより好ましい。
光学的情報記録媒体が４層からなる場合には、記録層の膜厚を各層で変化させることが好ましい。これは各層で求められる反射率および透過率が異なるからである。４層からなる光学的情報記録媒体では、例えばレーザ入射側からみて最も奥の層から手前の層に向けてＬ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３と呼ぶとすると、Ｌ０の膜厚は１０ｎｍ〜４０ｎｍ、Ｌ１の膜厚は４ｎｍ〜１４ｎｍ、Ｌ２の膜厚は４ｎｍ〜１２ｎｍ、Ｌ３の膜厚は４ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。つまり、十分な光学変化が得られることを考慮すると、Ｌ０の膜厚は１０ｎｍより大きいことが好ましい。また、十分な反射率が得られることを考慮して、Ｌ０の膜厚は４０ｎｍより小さいことが好ましい。Ｌ１、Ｌ２、およびＬ３の膜厚が４ｎｍより大きい場合は、十分な光学変化が得られることから好ましい。Ｌ１が１４ｎｍ、Ｌ２が１２ｎｍ、Ｌ３が１０ｎｍより薄い場合は、十分な透過率が得られることから好ましい。Ｌ０の記録層の膜厚は２０ｎｍが特に好ましいことから、４層からなる光学的情報記録層の各層の記録層の比が、Ｌ０：Ｌ１：Ｌ２：Ｌ３＝１：０．２〜０．７：０．２〜０．６：０．２〜０．５になることが全層でのバランスがとりやすいという観点から好ましい。
【００１９】
記録層の熱伝導率は、０．１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以下の低熱伝導性であることが好ましい。熱伝導率が高い場合には、記録の際に熱が面内方向に拡散するためジッタが低下する。そのために記録層の熱伝導率を低くすることによって、良好なジッタを得やすくなる。
第１の誘電体層３、１５、２８、３１は、第１の誘電体層が反射層を用いない場合に、記録層で生じた熱を膜厚方向に拡散する役目を担うために高い熱伝導率をもつ材料からなる必要がある。また、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にする等の光学特性の調節が主な目的として設けられる。さらに多層からなる光学的情報記録媒体のレーザ入射側の層へ適用することから、情報層の透過率を高めるために、誘電体層の消衰係数は小さい方が好ましい。このような目的から、第１の誘電体層の熱伝導率、膜厚、および消衰係数に以下のような好ましい範囲がある。
【００２０】
第１の誘電体層の熱伝導率は０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性であることが好ましい。熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の場合には、記録層で生じた熱が膜厚方向に拡散しやすいために信号のエッジが鮮明になりジッタが向上するという観点から好ましい。
また、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の比較的透明な材料が好ましい。０以上１．０以下の場合、誘電体層において光を吸収する割合が小さいため、情報層の透過率を高めることができる。１．０より大きい場合には誘電体層における光の吸収が増加するため、多層の光学的情報記録媒体への適用が困難となる。第１の誘電体層に用いる材料としては、上記の熱伝導率、消衰係数をみたすものとして、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料が挙げられる。なかでも、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ、ＭｇＯは、熱伝導率が大きく、消衰係数が０．１以下と小さいことから、より好ましい。ここで主成分とは、これらの化合物を、誘電体層において５０モル％以上含むことを意味し、８０モル％以上、さらに９０モル％以上含むことが好ましい。
【００２１】
第１の誘電体の膜厚は、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍ以上であれば記録層を保護する機能が十分であり、４０ｎｍ以下であれば成膜に必要な時間が十分短いことから生産性の観点で好ましい。
第２の誘電体層１０、１２、２３、２５は、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にする等の光学特性の調節が主な目的として設けられる。
第２の誘電体層の材料としては、屈折率ｎが１．５以上、より好ましくは２．０以上、さらに好ましくは２．５以上の材料を用いることができる。具体的には、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ等の弗化物またはこれらの適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等）等が挙げられる。
【００２２】
反射層９、２２は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設けられることが好ましい。反射層９、２２は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属または適宜選択された金属の合金より形成することができる。その膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。膜を均一層とし、熱的、光学的な効果を確保するためである。なお、図２では第１の情報層１３のみ反射層９を有する構成であるが、第２の情報層１７が反射層を有していてもよいし、第１の情報層１３が反射層９を有さない構成であってもよい。図３では第１の情報層２６のみ反射層２２を有する構成であるが、第２の情報層３０から第ｎの情報層３３が反射層を有していてもよいし、第１の情報層２６が反射層２２を有さない構成であってもよい。一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、上記で述べた放熱効果や光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する図２における第２の情報層１７および図３における第２の情報層３０から第ｎの情報層３３については、反射層を設けるかどうか適宜設計を行うことが必要であり、反射層を設けた場合はその厚さを例えば１０ｎｍ以下の薄膜にすることにより、情報層を高い透過率に保つことができる。
【００２３】
図３に示した層構成（ただし、ｎは３以上の整数）のように積層された厚み方向に記録再生光の焦点を移動させて情報の記録再生を行う光情報記録媒体であって、光入射側からもっとも遠い層をＬ０とし、入射側に向かって順にＬ１、Ｌ２、・・・、Ｌｎ−１とした場合、Ｌ１からＬｎ−１が、上述した特定の記録層と誘電体層とからなる記録層であることが好ましい。この場合、Ｌ１からＬｎ−１の少なくとも１つが特定の記録層であってもよいし、２以上が特定の記録層であってもよいが、Ｌ１からＬｎ−１の全てが特定の記録層であることが好ましい。良好な信号品質を得ることができるからである。
また、図３に示した層構成（ただし、ｎは３以上の整数、例えば、ｎ＝４）のように積層された厚み方向に記録再生光の焦点を移動させて情報の記録再生を行う光情報記録媒体であって、少なくとも光入射側に近い３つ（またはｎ個）の情報層が前記情報層であって、光入射側に最も近い情報層をＬ３（またはＬｎ−１）、光入射側から３番目に近い情報層をＬ１とした場合に、前記光情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ３（またはＬｎ−１）＜Ｌ１を満足することが好ましい。これによりＬ１のＣ／Ｎ比をＬ３と同等以上に高くすることができ、Ｌ１とＬ３とでバランスのよい信号品質を得ることができる。
【００２４】
また、光入射側から２番目に近い情報層をＬ２とした場合に、前記光情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ２＜Ｌ１を満足することが好ましい。これによりＬ１のＣ／Ｎ比をＬ２と同等以上に高くすることができ、Ｌ１とＬ２とでバランスのよい信号品質を得ることができる。
前記光情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１を満足することが好ましい。これによりＬ１のＣ／Ｎ比およびＬ２のＣ／Ｎ比をＬ３と同等以上に高くすることができ、Ｌ１からＬ３において高変調度が得られるため、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３でバランスのよい、良好な信号品質を得ることができる。
以下のように情報層を構成している層の膜厚を調整するか、情報層の材料と膜厚との組み合わせを調整すること等によって、上述した反射光強度の調整を行うことができる。
【００２５】
例えば、第２の情報層では、第１の情報層を設けた上に形成された中間層の上に、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成する場合に、ＡｌＮの膜厚を薄くする、ＺｎＳの膜厚を厚くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を薄くすることによって反射光強度をあげることができる。また、ＡｌＮの膜厚を厚くする、ＺｎＳの膜厚を薄くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を厚くすることによって反射光強度をさげることができる。
第３の情報層では、第２の情報層を設けた上に形成された中間層の上に、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成する場合に、ＡｌＮの膜厚を薄くする、ＺｎＳの膜厚を薄くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を薄くすることによって反射光強度をあげることができる。また、ＡｌＮの膜厚を厚くする、ＺｎＳの膜厚を厚くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を厚くすることによって反射光強度をさげることができる。
【００２６】
第４の情報層では、第３の情報層を設けた上に形成された中間層の上に、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成する場合に、ＡｌＮの膜厚を薄くする、ＺｎＳの膜厚を薄くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を薄くすることによって反射光強度をあげることができる。また、ＡｌＮの膜厚を厚くする、ＺｎＳの膜厚を厚くする、もしくはＴｅ−Ｏ−Ｐｄの膜厚を厚くすることによって反射光強度をさげることができる。
基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備えてなる光学的情報記録媒体においては、第１から第４の情報層が少なくとも記録層を含んでおり、記録層の主成分がＴｅ−Ｏ−Ｍ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）であり、第１の情報層および第２の情報層はＡｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層を備えており、第３の情報層および第４の情報層は誘電体層を備えており、誘電体層がＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料であることが好ましい。これは４つの情報層を有する光学的情報記録媒体の全ての層の反射率、ジッタの目標値を満たすために必要である。第１の情報層および第２の情報層はレーザ入射側に２つの情報層を有することから、高反射率である必要があり、Ａｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層を備えることによって実現している。また、第３の情報層および第４の情報層はレーザ入射側と反対側にさらに情報層を設けているために高透過率である必要があり、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ等の高熱伝導で消衰係数の小さい誘電体層を設けている。このように層によって放熱の働きをする材料を変化させることにより、４つの層全ての層で反射率、ジッタの目標値を達成している。
【００２７】
また、第２の情報層に関しても第３、第４の情報層と同様にＡｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層を用いないで、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ等の高熱伝導で消衰係数の小さい誘電体層を設けることによって、上記と同様の効果を得ることができる。
上記の各薄膜は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の気相薄膜堆積法によって形成することができる。特にスパッタリング法により成膜することがより好ましい。これまで光ディスクの作製方法としてスパッタリング法が最も一般的に使用されていることから生産性の観点で好ましく、また良好な膜質を得やすいといった品質の観点からも好ましい。
【００２８】
各層の作製順序は、図１の場合、基板２上に、第１の誘電体層３、記録層４を順次成膜し、その上に光透明層５を形成する。光透明層５の形成方法は、記録層４まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材とを貼り合わせることによって形成してもよく、記録層４まで作製した媒体とシート状の基材とをＵＶ樹脂によって貼り合わせることにより形成してもよく、さらに記録層４まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂によって形成してもよい。図２、図３に関しても、同様に成膜工程と中間層および光透明層の形成工程とを設けることによって作製することができる。
次に、本発明の光学情報記録媒体の記録再生方法の一例について述べる。
図４に、光学情報記録媒体が光ディスクである場合に、記録再生に用いる記録再生装置３６の一例の概略を示す。信号の記録再生には、レーザ４０と対物レンズ３９とを搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置（図示省略）と、トラック方向および膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置およびフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）、媒体を回転させるためのスピンドルモータ４２とを用いる。
【００２９】
信号の記録、再生は、まず媒体をスピンドルモータ４２を用いて回転させ、光学系によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体へレーザ光を照射することにより行う。信号の再生の際には、信号の記録を行うパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザ照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつその照射によって媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるパワーのレーザビームを照射し、得られる媒体からの信号を光検出器４１で読みとることによって行うことができる。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の実施例は本発明を限定するものではない。
（実施例１）
図１に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは記録層と光透明層との間に、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために誘電体層を挿入する。
【００３０】
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．６ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＡを作製した。
【００３１】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＢＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＢＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＢを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＳｉ３Ｎ４誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＣを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＨｆＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＨｆＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＤを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＴａＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴａＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＥを作製した。
【００３２】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＴｉＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｉＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＦを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＺｒＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＺｒＮ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＧを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＳｉＣターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＳｉＣ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＨを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＢｅＯターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＢｅＯ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＩを作製した。
【００３３】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌ２Ｏ３誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＪを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＭｇＯターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＭｇＯ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＫを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＺｎＯターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＺｎＯ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＬを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＴｉＯ２ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｉＯ２誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＭを作製した。
【００３４】
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、Ｃターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＣ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＮを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＮｂＣターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＮｂＣ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＯを作製した。
ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層を形成するかわりに、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＺｎＳ誘電体層を形成した点を除き、ディスクＡと同様にして、ディスクＰを作製した。
ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法により順に積層することによって、ディスクＱを作製した。
【００３５】
上記ディスクに対し、信頼性試験として、波長４０５ｎｍ、開口数ＮＡ０．８５の光学系を用い線速度４．５ｍ／ｓで回転させながら、１２．２ＭＨｚの単一信号を記録した。未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザで測定した。ここで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比がえられれば○、４０ｄＢ未満の場合には×と判定した。
また、データを記録したディスクＡ〜Ｄを温度９０℃、相対湿度８０％の環境下において５０時間にわたり、保持することによって加速試験を実行した。加速試験後のディスクＡ〜Ｄに記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。ここでＣ／Ｎ比の低下が３ｄＢ未満であれば○、３ｄＢ以上の場合には×と判定した。なお、Ｃ／Ｎの低下は３ｄＢ未満であるが、成膜室内等のゴミに起因する腐食が発生した場合には△と判定した。
【００３６】
情報層の層数は生産コストの観点から少ない方が好ましく、３層以下の場合に○、４層以上の場合に×と判定した。評価結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
表１によると、ディスクＡ〜Ｏでは層数、Ｃ／Ｎ比、信頼性の全ての点において良好であった。しかし、誘電体層にＺｎＳを用いたディスクＰでは信頼性に問題が見られた。
また、ディスクＱでは層数が多くなることから生産コストの点で好ましくなく、また微量であるがＡｇおよびＳの腐食も発生した。
このように、本発明のとおり、第１の誘電体層として熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣを適用することによって、高信号品質で信頼性に優れた安価な１層の追記型記録媒体を提供できることを確認できた。また、図２、図３の場合にも同様の効果があることを確認した。
【００３９】
（実施例２）
図２に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは２層媒体のレーザ入射側の情報層の誘電体層に、熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上であるＡｌＮを用いた場合、０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以下であるＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いた場合、さらにＡｇ合金反射層と通常の誘電体層とを用いた場合の３種類の比較を示す。
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約２５μｍの中間層を形成した。
【００４０】
この中間層の表面上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、レーザ光に対して紫外線硬化樹脂により、厚さ７５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗ、反射層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．２ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、ＡｇＰｄＣｕ反射層はＡｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＲを作製した。
【００４１】
また、ディスクＲの第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＳを作製した。第１の情報層の上に形成された中間層の上にＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法により順に積層した。
また、ディスクＲの第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＴを作製した。第１の情報層の上に形成された中間層の上にＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。
【００４２】
上記ディスクの第２の情報層に対し、実施例１と同様にして、Ｃ／Ｎ比、信頼性、さらに信号品質に関して評価を行った。信号品質を評価するためにジッタの評価もあわせて行った。ここではジッタが８．５％以下であれば○、８．５％を超えていれば×と判定した。この値はＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃフォーマットにおいて安定してエラーなく信号の記録再生が行える基準値である。評価結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
表２によると、ディスクＲでは層数、Ｃ／Ｎ比、信号品質、および信頼性の全ての点において良好であった。しかし、ディスクＳでは層数が多くなることから生産コストの点で好ましくなく、また微量であるがＡｇおよびＳの腐食も発生したため信頼性にも課題があった。ディスクＴでは、信号品質の点で目標値を達成できていない。
このように、本発明のとおり、２層からなる情報記録媒体において、第１の誘電体層として熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮを適用することによって、高信号品質で信頼性に優れた安価な２層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
また、ここではＡｌＮを用いたが、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣを用いても同様の効果があることも確認した。
【００４５】
（実施例３）
図３（ｎ＝４）に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
【００４６】
この中間層の表面上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
【００４７】
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗ、反射層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．２ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、ＡｇＰｄＣｕ反射層はＡｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＵを作製した。
【００４８】
また、ディスクＵの第２の情報層から第４の情報層までを以下のように置換することによってディスクＶを作製した。
第１の情報層の上に形成された中間層の上に、第２の情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
【００４９】
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。このようにして、ディスクＶを作製した。
また、ディスクＵの第２の情報層から第４の情報層までを以下のように置換することによってディスクＷを作製した。
第１の情報層の上に形成された厚さ１３．５μｍの中間層の上に、第２の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
【００５０】
この中間層の上に、第３の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚４ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の上に、第４の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚４ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
【００５１】
このようにして、ディスクＷを作製した。
上記ディスクの第２の情報層から第４の情報層に対し、実施例１、２と同様にして、Ｃ／Ｎ比および信号品質に関して評価を行った。さらに４層各層の反射率に関しても評価を行った。ここでは未記録部（溝部）の反射率が４．０％以上であれば○、４．０％未満であれば×と判定した。全ての層において良好な結果が得られたときのみ○、どれかの層で良好な結果がえられなければ×と判定した。
【００５２】
【表３】
このように、本発明のとおり、第１の誘電体層として熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮを適用することによって、高透過率および高信号品質を両立し、信頼性に優れた４層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
（実施例４）
図３（ｎ＝４）に示した層構成を有する光学的情報記録媒体において、各情報層の反射率設計を行うことによって全層で信号品質のバランスをとった例について述べる。ここで第１の情報層をＬ０、第２の情報層をＬ１、第３の情報層をＬ２、第４の情報層をＬ３と定義する。ディスクの作製方法は実施例３のディスクＴと同様にして作製した。ここではＺｎＳ誘電体層の膜厚を調整することにより、各情報層の反射率を調整した。４層からなる光学的情報記録媒体において各々の情報層における反射率が表４に示す値になるようにディスクを３種類（Ｘ、Ｙ、Ｚ）作製した。
【００５４】
【表４】
表４によると、ディスクＸでは各々の情報層の反射率が、Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１を満足するため、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３でバランスのよい信号品質を得ることができる。
しかし、ディスクＹでは、Ｌ３＜Ｌ１は満たしているが、Ｌ２＜Ｌ１を満たしていないために各層の信号品質におけるバランスが好ましくない。また、ディスクＺでは、Ｌ３＞Ｌ２＞Ｌ１となっていることから各層の信号品質におけるバランスがより好ましくない。
このように、本発明のとおり、４層からなる光学的情報記録媒体に記録再生光を入射したときに各々の情報層から戻ってくる反射光強度が、Ｌ３＜Ｌ２＜Ｌ１を満足することによってＬ１、Ｌ２、Ｌ３でバランスのよい信号品質を得ることができることを確認できた。
（実施例５）
図３（ｎ＝４）に示した層構成を有する光学的情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは各情報層にＡｇを主成分とする反射層を適用するか、もしくはＡｇを主成分とする反射層を用いないで熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ誘電体層を適用した場合の組み合わせの比較を示す。
【００５６】
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径は１２ｃｍ、厚さは１．１ｍｍ、グルーブピッチは０．３２μｍ、グルーブ深さは２０ｎｍとした。
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚４０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（分子数比８０：２０）ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
【００５７】
この中間層の表面上に、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成した。
この中間層の表面上に、第３の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成した。
【００５８】
この中間層の表面上に、第４の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ５９．５μｍの光透明層を形成した。
各層の成膜は、いずれも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗ、反射層はＤＣ電源１００Ｗで成膜した。また、ＡｌＮ誘電体層は、Ａｒ２５ｓｃｃｍおよび窒素０．９ｓｃｃｍの混合ガスを、記録層はＡｒ２５ｓｃｃｍおよび酸素１．２ｓｃｃｍの混合ガスを、ＺｎＳ誘電体層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、ＡｇＰｄＣｕ反射層はＡｒ２５ｓｃｃｍを、いずれも、ガス圧約０．２Ｐａに保った雰囲気で成膜した。このようにして、ディスクＡＡを作製した。
【００５９】
また、ディスクＡＡの第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＡＢを作製した。
第１の情報層の上に形成された中間層の上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成し、ディスクＡＡと同様に第３の情報層、光透明層を形成した。このようにして、ディスクＡＢを作製した。
また、ディスクＡＡの第１の情報層および第２の情報層を以下のように置換することによってディスクＡＣを作製した。
【００６０】
基板のグルーブが形成された側の表面上に、第１の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この第１の情報層の表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。第１の情報層の上に形成された中間層の上に、第２の情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚８ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２７ｎｍのＺｎＳ誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ１７．５μｍの中間層を形成し、ディスクＡＡと同様に第３の情報層、光透明層を形成した。このようにして、ディスクＡＣを作製した。
【００６１】
また、ディスクＡＤの第３の情報層を以下のように置換することによってディスクＡＢを作製した。
第２の情報層の上に形成された中間層の上に、第３の情報層として、ＡｇＰｄＣｕ（重量比９８．１：０．９：１．０）ターゲットを用いて膜厚３ｎｍのＡｇＰｄＣｕ反射層、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３（分子数比２３：２３：３１：２３）ターゲットを用いて膜厚３５ｎｍのＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３誘電体層、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ（原子数比３７：５３：１０）ターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層、ＺｎＳターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ誘電体層の各層をスパッタリング法によりこの順に積層した。この表面上に、紫外線硬化性樹脂を用いて基板と同じ溝パターンを転写し、厚さ９．５μｍの中間層を形成し、ディスクＡＡと同様に第４の情報層、光透明層を形成した。このようにして、ディスクＡＤを作製した。
【００６２】
上記ディスクの全ての情報層に対し、実施例４と同様にして、反射率に関して評価を行った。ここでは未記録部（溝部）の反射率が４．０％以上であれば○、４．０％未満であれば×と判定した。全ての層において良好な結果が得られたときのみ○、どれかの層で良好な結果がえられなければ×と判定した。
【００６３】
【表５】
しかし、ディスクＡＣでは、第１の情報層の反射率に関して４％を確保することができなかった。また、ディスクＡＤにおいても第１の情報層の反射率に関して、４％を確保することができなかった。
このように、本発明のとおり、４層からなる光学的情報記録媒体において、第１の情報層および第２の情報層にＡｇを主成分とする反射層を適用し、第３の情報層および第４の情報層にＡｇを主成分とする反射層を用いないで熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ誘電体層を適用した。この場合、全ての情報層で、目標の反射率を達成した４層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
また、第１の情報層にＡｇを主成分とする反射層を適用し、第２の情報層、第３の情報層、および第４の情報層に、Ａｇを主成分とする反射層を用いないで熱伝導率が０．０１Ｗ／Ｋ・ｃｍ以上の高熱伝導性で、４０５ｎｍ近傍の波長域において消衰係数が０以上１．０以下の材料であるＡｌＮ誘電体層を適用した。この場合、全ての情報層で、目標の反射率を達成した４層の光学的情報記録媒体を提供できることを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、情報層の高透過率と高信号品質を両立し、さらに長期保存に対する信頼性を高めるとともに、製造コストの低減を可能にするため、光学的情報記録媒体およびその製造方法に対して有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図。
【図２】本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図。
【図３】本発明の光学的情報記録媒体の一構成例の断面図。
【図４】本発明の光学的情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置について構成の一部を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００６７】
１、７、２０、３７ 光学的情報記録媒体
２、８、２１ 基板
３、１５、２８、３１ 第１の誘電体層
４、１１、１６、２４、２９、３２ 記録層
５、１８、３４ 光透明層
６、１９、３５、３８ レーザ光
９、２２ 反射層
１０、１２、２３、２５ 第２の誘電体層
１３、２６ 第１の情報層
１４、２７ 中間層
１７、３０ 第２の情報層
３３ 第ｎの情報層
３６ 記録再生装置
３９ 対物レンズ
４０ レーザ
４１ 光検出器
４２ スピンドルモータ
Claims (5)
- 基板上に、第１の情報層、第１の中間層、第２の情報層、第２の中間層、第３の情報層、第３の中間層、第４の情報層、光透明層をこの順に備える光学的情報記録媒体であって、
前記第１から第４の情報層は、Ｔｅ、ＯおよびＭ（ただし、Ｍは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１つまたは複数の元素）を主成分として含む記録層を少なくとも有しており、
前記第１の情報層は、Ａｇ合金もしくはＡｌ合金を主成分とする反射層をさらに有しており、
前記第３の情報層および前記第４の情報層は、ＡｌＮ、ＢＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｃ、ＮｂＣから選ばれる少なくとも一つを主成分とする材料を含む誘電体層をさらに有しており、
前記第１の中間層、前記第２の中間層、および前記第３の中間層の厚みが、互いに異なっており、
各中間層の厚みは、前記第３中間層の厚み＜前記第１中間層の厚み＜前記第２中間層の厚み、を満たし、
前記第３中間層の厚みが、６μｍ以上１５μｍ以下である、
光学的情報記録媒体。 - 前記第２の情報層は、前記反射層をさらに有している、
請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 前記第２の情報層は、前記誘電体層をさらに有している、
請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 前記第１の中間層、前記第２の中間層、前記第３の中間層、および前記光透明層は、ポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、および紫外線硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１つを含む、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。 - 前記基板、前記第１の中間層、前記第２の中間層、前記第３の中間層、および前記光透明層の屈折率が、１．４〜１．７の範囲である、
請求項１から４のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
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