TWI575096B - 鎳碲基濺鍍靶材及鎳碲基氧化物材料 - Google Patents
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Description
本創作關於一種鎳碲基濺鍍靶材及鎳碲氧化物材料，尤指一種可用於製作光記錄媒體之記錄層的鎳碲基濺鍍靶材及鎳碲基氧化物材料。
現有技術之單次寫入型光記錄媒體主要是以有機染料作為記錄層材料，但有機染料之吸收波長範圍較窄，且對於藍光或紫光的吸收率相當低；因此，於現有技術之光記錄媒體(例如：藍光光碟(Blu-ray Disc))中，轉而選用無機相變化材料作為記錄層，以設法避免前述問題發生。
以碲氧化物(TeO
x，x小於或等於2)之無機相變化材料為例，碲氧化物的結晶結構在雷射光照射後會發生轉變，此變化對光學性質非常敏感，故能藉由此種光學性質變化實現資料寫入之目的；此外，由於此種無機相變化材料的熱穩定性高，故能適用於作為光記錄媒體的記錄層材料。
碲氧化物雖具有前述相轉變機制及熱穩定性佳之優點，但其相轉變速率過慢，致使現有技術無法單純使用碲氧化物作為記錄層材料；而需於碲氧化物中摻入鈀金屬降低相轉變溫度(約402°C)、縮短其相轉變時間(約300 ns)，以設法提升光記錄媒體之應用價值。
然而，鈀原料成本相當高(每公斤市價約新台幣30萬元)，並不符合量產光記錄媒體之市場需求。有鑑於此，目前仍需發展另一種含碲材料，以降低現有技術之鈀碲氧化物材料作為記錄層衍生光記錄媒體之生產成本過高之問題。
本創作之目的在於發展一種可取代現有技術中鈀碲氧化物材料之記錄層材料，從而降低光記錄媒體之生產成本。
本創作另一目的在於發展一種低相轉變溫度之無機相變化材料，使該無機相變化材料可適合作為光記錄媒體之記錄層，進而降低光記錄媒體所需之寫入功率、提升光記錄媒體之寫入速率。
為達成前述目的，本創作提供一種鎳碲基濺鍍靶材，其包含鎳及碲；於該鎳碲基濺鍍靶材中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於或等於0.25。依據本創作，所述之鎳碲基濺鍍靶材能適用於濺鍍形成無機相變化材料，由於該無機相變化材料具有低相轉變溫度之特性，故能適用於作為光記錄媒體之記錄層，達到降低光記錄媒體所需之寫入功率、提升光記錄媒體之寫入速率等功效。除了前述功效外，利用鎳原料成本低廉之優點(約每公斤市價僅需新台幣800元)，利用本創作之鎳碲基濺鍍靶材所形成之無機相變化材料更能成功取代現有技術之鈀碲氧化物材料，進而降低光記錄媒體之生產成本。
依據本創作，所述鎳碲基濺鍍靶材可為鎳碲基合金濺鍍靶材或鎳碲基氧化物濺鍍靶材。
較佳的，該鎳碲基濺鍍靶材含有碲基底相及鎳碲介金屬化合物相。更具體而言，所述鎳碲介金屬化合物相為二碲化鎳相(NiTe
2)。
較佳的，於鎳碲基濺鍍靶材中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於0.2。據此，利用該鎳碲基濺鍍靶材所濺鍍而成之無機相變化材料可適用於作為光記錄媒體之記錄層，從而提高光記錄媒體之光學調變性質(modulation)。
較佳的，該鎳碲基濺鍍靶材更包含一添加成分，該添加成分係選自於下列所組成之群組：鈀、銀、金、鈦、釩、鍺、錫、銻、鉍、銅、硒、鉬、鉻、鋁、矽、銦、錳及其組合；以鎳碲基濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量大於或等於5原子百分比且小於或等於25原子百分比，碲的原子含量大於或等於45原子百分比且小於或等於95原子百分比，且添加成分的原子總含量大於0原子百分比且小於或等於30原子百分比。
較佳的，該鎳碲基濺鍍靶材中含有硫，硫的含量佔整體鎳碲基濺鍍靶材之含量不大於5 ppm。藉由控制鎳碲基濺鍍靶材中硫成分之氣體含量，當該鎳碲基濺鍍靶材用於濺鍍形成光記錄媒體之記錄層時，能進一步避免記錄層對其下方之反射層(其材料多半為銀)造成硫化之現象。
較佳的，該鎳碲基濺鍍靶材更包含氧，以鎳碲基濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，氧的原子含量大於0原子百分比且小於或等於70原子百分比。
為達成前述目的，本創作另提供一種鎳碲基氧化物材料，其包含鎳、碲及氧；於該鎳碲基氧化物材料中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於或等於0.25。更具體而言，以鎳碲基氧化物材料之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量大於或等於5原子百分比且小於或等於25原子百分比，碲的原子含量大於或等於15原子百分比且小於或等於60原子百分比。此外，於該鎳碲基氧化物材料中，氧的原子含量大於或等於25原子百分比且小於或等於60原子百分比。
本創作之鎳碲基氧化物材料經熱處理後會發生不可逆的相轉變機制，即由非晶質狀態轉變為結晶狀態，故所述鎳碲基氧化物材料能適用於作為光記錄媒體之記錄層，以實現光記錄媒體資料寫入之目的。
藉由控制鎳碲基氧化物材料之組成，本創作之鎳碲基氧化物材料的相轉變溫度可控制在大於或等於250°C且小於或等於400°C之區間。相較於現有技術之鈀碲氧化物之相轉變溫度超過400°C之特性，本創作之鎳碲基氧化物材料作為記錄層不僅能降低光記錄媒體之生產成本，更能降低光記錄媒體所需之寫入功率、提升光記錄媒體之寫入速率，使含有此種記錄層之光記錄媒體可採用較快的燒錄速度完成資料寫入之工作。
較佳的，該鎳碲基氧化物材料之相轉變溫度大於或等於250°C且小於或等於380°C；更佳的，該鎳碲基氧化物材料之相轉變溫度大於或等於250°C且小於或等於360°C。
依據本創作，所述鎳碲基氧化物材料可採用前述鎳碲合金濺鍍靶材，於適量之氧氣氣氛下進行反應性濺鍍所形成；較佳的，所述鎳碲基氧化物材料可在持續通入10 sccm以下之氧氣流量的腔體中所濺鍍而成。或者，所述鎳碲氧化物材料也可採用鎳碲基氧化物濺鍍靶材所濺鍍而成。
較佳的，於鎳碲基氧化物材料中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於0.2，該鎳碲基氧化物材料之調變率大於50%。據此，該鎳碲基氧化物層可適用於作為光記錄媒體之記錄層，從而提高光記錄媒體之光學調變性質。
較佳的，該鎳碲基氧化物材料中含有硫，硫的含量佔整體鎳碲基氧化物材料之含量係低不大於5 ppm。據此，當此種鎳碲基氧化物材料作為光記錄媒體之記錄層時，能進一步避免記錄層對其下方之反射層造成硫化之現象。
較佳的，該鎳碲基氧化物材料更包含一添加成分，該添加成分係選自於下列所組成之群組：鈀、銀、金、鈦、釩、鍺、錫、銻、鉍、銅、硒、鉬、鉻、鋁、矽、銦、錳及其組合；以鎳碲基氧化物材料之金屬原子總數為100原子百分比，添加成分之總含量大於0原子百分比且小於或等於20原子百分比。
以下，列舉數種實施例說明本創作之實施方式；熟悉此技藝者可經由本說明書之內容輕易了解本創作所能達成之優點與功效，並且於不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更，以施行或應用本創作之內容。
實施例
1
至
4
：鎳碲合金濺鍍靶材
將鎳粉、碲粉依下表1所示之比例置入聚丙烯球磨罐內，持續球磨滾動混粉至均勻；再將均勻混合之粉末置入石墨模具中，在415°C、326 bar環境下施予18噸之壓力，持續熱壓4小時以上，製得各實施例之鎳碲合金濺鍍靶材(純度大於4N以上)。
各實施例之整體組成以Ni
aTe
b示之，其中a代表鎳的原子含量，b代表碲的原子含量。以實施例1之鎳碲合金濺鍍靶材之組成為Ni
25Te
75作說明，以鎳碲合金濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量為25原子百分比(atomic percentage，at%)，碲的原子含量為75 at%；換言之，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.25，碲的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.75。根據下表1所示，於實施例2之鎳碲合金濺鍍靶材之組成中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.15，碲的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.85；於實施例3之鎳碲合金濺鍍靶材之組成中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.1，碲的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.9；於實施例4之鎳碲合金濺鍍靶材之組成中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.05，碲的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.95。
實施例
5
及
6
：鎳碲鈀合金濺鍍靶材
本實施例將鎳粉、碲粉及鈀粉依下表1所示之比例置入聚丙烯球磨罐內，持續球磨滾動混粉至均勻；再將均勻混合之粉末置入石墨模具中，在415°C、326 bar環境下施予18噸之壓力，持續熱壓4小時以上，製得實施例5及實施例6之鎳碲鈀合金濺鍍靶材。
該鎳碲合金濺鍍靶材之整體組成可以Ni
aTe
bPd
c示之，其中a代表鎳的原子含量，b代表碲的原子含量，c代表鈀的原子含量。以實施例5之鎳碲合金濺鍍靶材為例，以鎳碲合金濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量為15 at%，碲的原子含量為75 at%，鈀的原子含量為10 at%。也就是說，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值約為0.167。此外，根據下表1所示，於實施例6之鎳碲合金濺鍍靶材之組成中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.022，碲的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值為0.978。
實施例
7
：鎳碲氧化物濺鍍靶材
將表1所示之鎳及碲金屬含量換算為氧化鎳粉末及氧化碲粉末的比例，將0.38公斤、高純度(＞99.9%)之氧化鎳粉末以及4.62公斤之氧化碲粉末混合，加入分散劑與黏結劑進行8小時以上的球磨及造粒。其次，將造粒後的粉末倒入模具中進行預壓成型，再於800°C以上之溫度進行燒結，得到高密度之鎳碲氧化物濺鍍靶材。
於實施例7之鎳碲氧化物濺鍍靶材中，其金屬組成可以Ni
aTe
b示之，其中a代表鎳的原子含量，b代表碲的原子含量，c代表鈀的原子含量。以實施例7之鎳碲氧化物濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量為15 at%，碲的原子含量為85 at%；即，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值約為0.15。 表1：實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材、實施例5及6之鎳碲鈀合金濺鍍靶材及實施例7之鎳碲氧化物濺鍍靶材的金屬成分中鎳、碲及鈀的原子含量(單位：at%)及實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材、實施例5及6之鎳碲鈀合金濺鍍靶材及實施例7之鎳碲氧化物濺鍍靶材的相組成。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="_0002"><TBODY><tr><td></td><td> 實施例1 </td><td> 實施例2 </td><td> 實施例3 </td><td> 實施例4 </td><td> 實施例5 </td><td> 實施例6 </td><td> 實施例7 </td></tr><tr><td> 鎳含量 </td><td> 25 </td><td> 15 </td><td> 10 </td><td> 5 </td><td> 15 </td><td> 2 </td><td> 15 </td></tr><tr><td> 碲含量 </td><td> 75 </td><td> 85 </td><td> 90 </td><td> 95 </td><td> 75 </td><td> 90 </td><td> 85 </td></tr><tr><td> 鈀含量 </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 10 </td><td> 8 </td><td> 0 </td></tr><tr><td> 相組成 </td><td> NiTe<sub>2</sub>相 富碲相 </td><td> NiTe<sub>2</sub>相 PdTe<sub>2</sub>相 富碲相 </td><td> TeO<sub>2</sub>相 NiO相NiTeO<sub>3</sub>相 </td></tr></TBODY></TABLE>
試驗例
1
：鎳碲合金濺鍍靶材之組成及微觀組織分析
首先，以X光繞射分析技術鑑定實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材之相組成，其結果如圖1所示；此外，本實驗另以掃描式電子顯微鏡觀察實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材之微觀組織，其結果如圖2A至圖2D所示，再輔以能量散佈光譜儀(energy dispersive spectrometers，EDS)分析圖2A至2D中深灰色相與淺灰色相之組成，其結果列於上表1中。
實驗結果顯示，實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材皆同時存在有淺灰色之基底相(富碲相)及深灰色之鎳碲介金屬化合物相(NiTe
2相)。進一步比較圖2A至2D可知，隨著鎳含量之比例越高，鎳碲合金濺鍍靶材中鎳碲介金屬化合物相之面積比例也逐漸提高。也就是說，比較實施例2與實施例4之鎳碲合金濺鍍靶材的相組成可知，實施例2之鎳碲介金屬化合物相佔整體鎳碲合金濺鍍靶材的面積比例係高於實施例4之鎳碲介金屬化合物相佔整體鎳碲合金濺鍍靶材的面積比例。
試驗例
2
：鎳碲鈀濺鍍靶材之組成及微觀組織分析
本試驗例係以如同試驗例1所述之方法分析實施例5及實施例6之鎳碲鈀濺鍍靶材之相組成。由於實施例5及6之鎳碲鈀濺鍍靶材中更添加有鈀金屬元素，故其相組成除了存在有富碲相及NiTe
2相之外，更含有少量的鈀碲介金屬化合物相(PdTe
2相)。
試驗例
3
：鎳碲氧化物濺鍍靶材之組成及微觀組織分析
本試驗例係以如同試驗例1所述之方法分析實施例5及實施例6之鎳碲鈀濺鍍靶材之相組成。由於實施例7之鎳碲氧化物濺鍍靶材係由金屬氧化物製成，該鎳碲氧化物濺鍍靶材的相組成包含了氧化鎳相(NiO相)、氧化碲相(TeO
2相)以及微量的氧化鎳碲二次相(NiTeO
3相)。
試驗例
4
：鎳碲基濺鍍靶材之氣體含量分析
此外，本實驗另以氣體分析儀(廠牌：LECO，型號：TC300)分析實施例1至6之鎳碲合金濺鍍靶材中特定元素之氣體含量。實驗結果顯示，於實施例1至6之鎳碲合金濺鍍靶材中，碳元素之氣體含量低於150 ppm，硫元素之氣體含量低於2 ppm，氧元素之氣體含量低於3000 ppm，氮元素之氣體含量低於20 ppm。
實施例
8
至
13
：鎳碲基氧化物層
實施例8至13之鎳碲基氧化物層係分別選用由實施例1至4所製得之鎳碲合金濺鍍靶材以及實施例5及6所製得之鎳碲鈀合金濺鍍靶材，經由如下所述之濺鍍方法所製得：
採用直流濺鍍法，於腔體持續通入5 sccm之氧氣流量及30 sccm之氬氣流量，並以100W之濺鍍功率進行反應性濺鍍，藉此於各矽基板上分別濺鍍形成一厚度約20奈米之鎳碲基氧化物層。
於此，以EDS分析實施例8至13所製得之鎳碲基氧化物層，其鎳碲基氧化物層的金屬原子組成以Ni
aTe
b示之，其分析結果如表2所示。以實施例8之鎳碲氧化物層之金屬組成為Ni
25Te
75作說明，以鎳碲基濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量為25 at%，碲的原子含量為75 at%。再以實施例12之鎳碲鈀氧化物層之組成為Ni
15Te
75Pd
10作說明，以鎳碲基濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量為15 at%，碲的原子含量為75 at%，鈀的原子含量為10 at%。
比較例
1
：鈀碲氧化物層
本比較例選用純碲濺鍍靶材及純鈀濺鍍靶材，採用直流濺鍍法，於腔體中，持續通入5 sccm之氧氣流量及30 sccm之氬氣流量，並以100W之濺鍍功率進行反應性濺鍍，藉此於矽基板上濺鍍形成一厚度約20奈米之鈀碲氧化物層。
以EDS分析比較例1所製得之鈀碲氧化物層的組成，其分析結果如表2所示。
試驗例
5
：相轉變溫度及調變率
為評估上述實施例8至13之鎳碲基氧化物層、比較例1之鈀碲氧化物層是否適用於應用在光記錄媒體中，並且作為一記錄層使用；本試驗例將各個沉積於矽基板上之鎳碲氧化物層(實施例8至13)、沉積於矽基板上之鈀碲氧化物層(比較例1)作為待測樣品，以100°C/min之升溫速率，進行光學即時反射率(In-situ reflectivity)量測，藉此模擬光記錄媒體進行雷射寫入前、後記錄層之反射功率變化情形，其結果如圖3及圖4所示；再經數據分析各曲線圖，得到各待測樣品之調變率及相轉變溫度，結果如表2所示。其中，調變率(%)係經由如下列所示之數學式計算而得：
表2：實施例8至13之鎳碲基氧化物層、比較例1之鈀碲氧化物層之金屬成分中鎳、碲及鈀的原子含量(單位：at%)以及實施例8至13之鎳碲基氧化物層、比較例1之鈀碲氧化物層的相轉變溫度(單位：°C)及調變率(單位：百分比(%))。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> </td><td> 實施例8 </td><td> 實施例9 </td><td> 實施例10 </td><td> 實施例11 </td><td> 實施例12 </td><td> 實施例13 </td><td> 比較例1 </td></tr><tr><td> 鎳含量 </td><td> 25 </td><td> 15 </td><td> 10 </td><td> 5 </td><td> 15 </td><td> 15 </td><td> 0 </td></tr><tr><td> 碲含量 </td><td> 75 </td><td> 80 </td><td> 90 </td><td> 95 </td><td> 75 </td><td> 77 </td><td> 86 </td></tr><tr><td> 鈀含量 </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 10 </td><td> 8 </td><td> 14 </td></tr><tr><td> 相轉變溫度 </td><td> 284 </td><td> 296 </td><td> 352 </td><td> 341 </td><td> 365 </td><td> 357 </td><td> 402 </td></tr><tr><td> 調變率 </td><td> 18 </td><td> 67 </td><td> 83 </td><td> 99 </td><td> 38 </td><td> 40 </td><td> 36 </td></tr></TBODY></TABLE>
如上表2及圖3所示，相較於比較例1之鈀碲氧化物層，實施例8至13之鎳碲基氧化物層能具有較低的相轉變溫度；即，藉由控制鎳碲基氧化物層中鎳含量相對於鎳與碲之含量和的比值小於或等於0.25，實施例8至13之鎳碲基氧化物層的相轉變溫度皆可控制在250°C至400°C之間；更具體而言，可將實施例8至13之鎳碲基氧化物層的相轉變溫度皆可控制在250°C至380°C之間。
再如上表2及圖4所示，當實施例1之鎳碲合金濺鍍靶材及實施例6之鎳碲鈀合金濺鍍靶材在特定氧氣流量下進行反應性濺鍍後，實施例8及13之鎳碲氧化物層皆能於250°C至400°C之間的溫度範圍內發生相轉變。
此外，如上表2所示，藉由進一步控制鎳碲氧化物層中鎳含量相對於鎳與碲之含量和的比值小於0.2，更可令實施例9至11之鎳碲氧化物層的調變率提高至50%以上。由此可見，相較於比較例1之鈀碲氧化物層，藉由控制鎳碲氧化物層中鎳含量相對於鎳與碲之含量和的比值小於0.2，不但能具體降低實施例9至13之鎳碲氧化物層之相轉變溫度，使含有本創作之鎳碲氧化物層的光記錄媒體可配合使用較低的寫入功率完成寫入工作外，更能提高含有本創作之鎳碲氧化物層之光記錄媒體的調變率。
試驗例
6
：鎳碲氧化物層之相轉變機制
為驗證本創作鎳碲氧化物層於高溫下之相轉變機制，本試驗例選用實施例10之鎳碲氧化物層作例示，使用掠角X光繞射分析技術(glazing incidence X-ray diffraction，GIXRD)，鑑定該鎳碲氧化物層經雷射光照射前、後的結晶狀態。
請參閱圖5A所示，在未經雷射光照射前，實施例10之鎳碲氧化物層為非晶質態；請參閱圖5B所示，在雷射光照射後，實施例10之鎳碲氧化物層之結晶狀態則由非晶質態轉變為含有碲相及碲氧化物相(TeO
2)之混合相態。
由此可見，本創作之鎳碲氧化物層確實可適用於光記錄媒體(尤其是單次寫入型藍光光記錄媒體)中，並於雷射光照射後發生相轉變以及結晶反應，達到資料寫入之目的。
綜合上述實驗結果，本創作之鎳碲合金濺鍍靶材經反應性濺鍍後可製得適用於作為光記錄媒體之記錄層的鎳碲基氧化物層；如試驗例5及6所示之結果，本創作之鎳碲基氧化物層應用於光記錄媒體能同時兼具低相轉變溫度與高光學調變率之優點。據此，本創作之鎳碲基氧化物層可具體降低光記錄媒體所需之寫入功率、提升光記錄媒體之寫入速率，從而發展出適用於高倍速燒錄、低寫入功率的單次寫入型光記錄媒體。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
無。
圖1為實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材的X光繞射圖譜，圖中四條曲線由下至上依序為實施例1至4之鎳碲合金濺鍍靶材的X光繞射分析結果。 圖2A為實施例1之鎳碲合金濺鍍靶材的掃描式電子顯微鏡影像圖。 圖2B為實施例2之鎳碲合金濺鍍靶材的掃描式電子顯微鏡影像圖。 圖2C為實施例3之鎳碲合金濺鍍靶材的掃描式電子顯微鏡影像圖。 圖2D為實施例4之鎳碲合金濺鍍靶材的掃描式電子顯微鏡影像圖。 圖3為實施例8至11之鎳碲基氧化物層及比較例1之鈀碲氧化物層於不同熱處理溫度下的即時反射功率變化圖。 圖4為實施例8及13之鎳碲基氧化物層於不同熱處理溫度下的即時反射功率變化圖。 圖5A為實施例10之鎳碲基氧化物層未經雷射光照射前的X光繞射圖譜。 圖5B為實施例10之鎳碲基氧化物層經雷射光照射後的X光繞射圖譜。
無。
Claims (14)
- 一種鎳碲基濺鍍靶材，其包含鎳及碲；於該鎳碲基濺鍍靶材中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於或等於0.25。
- 如請求項1所述之鎳碲基濺鍍靶材，其中鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於0.2。
- 如請求項1所述之鎳碲基濺鍍靶材，其中該鎳碲基濺鍍靶材含有碲基底相及鎳碲介金屬化合物相。
- 如請求項1所述之鎳碲基濺鍍靶材，其中鎳碲基濺鍍靶材更包含氧，以鎳碲基濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，氧的原子含量大於0原子百分比且小於或等於70原子百分比。
- 如請求項1所述之鎳碲基濺鍍靶材，其中該鎳碲基濺鍍靶材中含有硫，硫的含量佔整體鎳碲基濺鍍靶材之含量不大於5 ppm。
- 如請求項1至5中任一項所述之鎳碲基濺鍍靶材，其中該鎳碲基濺鍍靶材更包含一添加成分，該添加成分係選自於下列所組成之群組：鈀、銀、金、鈦、釩、鍺、錫、銻、鉍、銅、硒、鉬、鉻、鋁、矽、銦、錳及其組合；以鎳碲基濺鍍靶材之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量大於或等於5原子百分比且小於或等於25原子百分比，碲的原子含量大於或等於45原子百分比且小於或等於95原子百分比，且添加成分的原子總含量大於0原子百分比且小於或等於30原子百分比。
- 一種鎳碲基氧化物材料，其包含鎳、碲及氧；於該鎳碲基氧化物材料中，鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於或等於0.25。
- 如請求項7所述之鎳碲基氧化物材料，其中以鎳碲基氧化物材料之金屬原子總數為100原子百分比，鎳的原子含量大於或等於5原子百分比且小於或等於25原子百分比，碲的原子含量大於或等於15原子百分比且小於或等於60原子百分比。
- 如請求項7所述之鎳碲基氧化物材料，其中鎳的原子含量相對於鎳與碲之原子總含量的比值小於0.2。
- 如請求項9所述之鎳碲基氧化物材料，其中該鎳碲基氧化物材料之調變率大於50%。
- 如請求項7所述之鎳碲基氧化物材料，其中該鎳碲基氧化物材料中含有硫，硫的含量佔整體鎳碲基氧化物材料之含量係低不大於5 ppm。
- 如請求項7至11中任一項所述之鎳碲基氧化物材料，其中該鎳碲基氧化物材料更包含一添加成分，該添加成分係選自於下列所組成之群組：鈀、銀、金、鈦、釩、鍺、錫、銻、鉍、銅、硒、鉬、鉻、鋁、矽、銦、錳及其組合；以鎳碲基氧化物材料之金屬原子總數為100原子百分比，添加成分之總含量大於0原子百分比且小於或等於20原子百分比。
- 如請求項7至11中任一項所述之鎳碲基氧化物材料，其中該鎳碲基氧化物材料之相轉變溫度大於或等於250°C且小於或等於400°C。
- 如請求項12所述之鎳碲基氧化物材料，其中該鎳碲基氧化物材料之相轉變溫度大於或等於250°C且小於或等於400°C。
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