WO2017159560A1 - 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

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WO2017159560A1
WO2017159560A1 PCT/JP2017/009702 JP2017009702W WO2017159560A1 WO 2017159560 A1 WO2017159560 A1 WO 2017159560A1 JP 2017009702 W JP2017009702 W JP 2017009702W WO 2017159560 A1 WO2017159560 A1 WO 2017159560A1
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dielectric film
film
information
recording medium
recording
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PCT/JP2017/009702
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晶夫 槌野
理恵 児島
中村　敦史
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Definitions

  • the present disclosure relates to a high-density information recording medium for recording or reproducing information by optical means and a method for manufacturing the same.
  • CD Compact Disk
  • DVD Digital Versatile Disk
  • BD Blu-ray Disc (registered trademark)
  • the recording / reproducing laser wavelength has been shortened
  • NA numerical aperture
  • the track pitch has been increased to achieve higher density (higher capacity).
  • BDs with a capacity of 100 GB conforming to the BD-XL standard have been commercialized.
  • a high density of 100 GB can be realized by using three information layers and a recording density per information layer of 33.4 GB.
  • media (archival discs) having a higher linear density and a capacity of 300 GB or more by land / groove recording have been proposed.
  • a write-once information recording medium is suitable as a medium used for such data archiving.
  • Various recording film materials are applied to the write-once information recording medium.
  • Te—O—Pd using a crystal-amorphous phase change see Patent Document 1 or a mark (pit) is formed by bubbles. Examples thereof include WO (see Patent Document 2) and Ge-Bi-O (see Patent Document 3).
  • Japanese Patent No. 3752177 JP 2012-161941 A Japanese Patent No. 3802040
  • An object of the present disclosure is to provide an information recording medium capable of increasing a recording density so that a second generation archival disk or a recording medium having a larger capacity than that can be realized.
  • One method for increasing the recording capacity of an optical information recording medium is to increase the recording density in one information layer.
  • One means for increasing the recording capacity is to increase the recording density.
  • One means for increasing the recording density is to shorten the shortest mark length. The shorter the mark length, the higher the periodic signal of these short marks, the lower the S / N (S: signal, N: noise) of the disk under the influence of system noise, and the signal quality deteriorates. Occurs.
  • S signal, N: noise
  • the amount of reproduction light is determined by the product of the reflectance of the information layer and the reproduction power of the optical pickup.
  • the inventors of the present invention studied the configuration of an information layer that can increase the reflectance.
  • the reflectance is the reflectance of the guide groove (land portion, groove portion) of each information layer, and is measured in a state where the information layer is not laminated (that is, a single layer).
  • the reflectivity measured at each information layer in a state where the disc is actually assembled is called effective reflectivity.
  • the effective reflectance of the L0 layer which is the information layer farthest from the laser beam, is positioned closer to the laser beam irradiation side than L0 when the reproduction laser beam is incident on the disc.
  • the effective reflectivity of the L0 layer is measured by determining the ratio of the reproduction laser power that has returned to the reproduction laser power (100%) that has exited the pickup.
  • the effective reflectance of the L1 layer is measured by determining the amount of light that passes through the L2 layer and returns to the optical pickup after being reflected by the L2 layer.
  • the effective reflectivity of the L2 layer is measured by determining the amount of light that is reflected by the incident light without passing through the other information layers and returns to the optical pickup without passing through the other layers.
  • the archival disc uses the land and groove recording method.
  • this recording system when the recording density is increased, the influence of crosstalk increases. In order to reduce this, it is desirable to make the groove depth deeper, but when the groove is made deeper, the reflectance tends to decrease.
  • an information recording medium that solves the above reflectance problem is provided.
  • an information recording medium in the present disclosure is an information recording medium including three or more information layers, and at least one information layer includes zirconium oxide and indium oxide from the laser beam irradiation side.
  • a third dielectric film including the first dielectric film including zirconium oxide and indium oxide in this order, and the recording film is an information recording medium for recording or reproducing information by irradiation with laser light. If the metal elements contained in the film was expressed as W p Mn q M3 r (atomic%), it satisfies the q ⁇ 12, and the first dielectric film include indium oxide or less 60 mol% And features.
  • the information recording medium manufacturing method includes three or more information layer forming steps, and at least one information layer forming step includes tungsten (W), manganese (Mn), and M3 (where M3 is Zn). , At least one element selected from Cu and Ag) and a recording film containing oxygen (O), forming first and second dielectric films containing zirconium oxide and indium oxide, and niobium oxide.
  • a step of forming a recording film includes a sputtering step using a target including W, M3, and Mn, and a step of forming the first and second dielectric films includes ZrO 2 and In 2. It includes a sputtering process using a dielectric target containing O 3, forming a third dielectric film using a dielectric target containing Nb and O sputter Characterized in that it comprises a ring step.
  • the information recording medium of the present disclosure includes a second dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide on at least one information layer from the laser light irradiation side, tungsten (W), manganese (Mn), M3 (where M3 is A recording film containing at least one element selected from Zn, Cu and Ag) and oxygen (O), a third dielectric film containing niobium oxide, and a first dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide.
  • the recording film is an information recording medium in which the recording film records or reproduces information by irradiation with laser light
  • the metal element contained in the recording film is expressed as W p Mn q M3 r (atomic%)
  • q ⁇ 12 is satisfied
  • the first dielectric film contains 60 mol% or less of indium oxide, and a high reflectance can be obtained.
  • an information recording medium having the above effects can be manufactured.
  • the inventors of the present invention have invented a recording film and a dielectric film material that can increase the reflectivity of the information layer and the structure thereof in an information recording medium having a recording film containing W and O.
  • the recording film contains W, Mn, and M3 (where M3 is at least one element selected from Zn, Cu, and Ag), and Mn is 12 atomic% or more in terms of the ratio of metal elements contained in the recording film.
  • the amount of indium oxide in the first and second dielectric films is 60 mol% or less, the dielectric film containing niobium oxide in the third dielectric film, and the second dielectric material by laser light irradiation.
  • a film, a recording film, a third dielectric film, and a first dielectric film are included in this order.
  • the information recording medium of the present disclosure is an information recording medium including three or more information layers, and the second dielectric including zirconium oxide and indium oxide in at least one information layer from the laser beam irradiation side.
  • W tungsten
  • Mn manganese
  • M3 where M3 is at least one element selected from Zn, Cu and Ag
  • oxygen (O) oxygen
  • An information recording medium having a dielectric film in this order, and the recording film records or reproduces information by irradiation with laser light, and a metal element contained in the recording film is expressed as W p Mn q M3 r (atomic%) When written, it satisfies q ⁇ 12.
  • niobium oxide which is a high refractive index material
  • the information recording medium of the present disclosure is an information recording medium including three or more information layers, and a second dielectric film including zirconium oxide and indium oxide is formed on at least one information layer from the laser beam irradiation side. , Tungsten (W), manganese (Mn), M3 (where M3 is at least one element selected from Zn, Cu and Ag) and oxygen (O), and a third dielectric film containing niobium oxide , And a first dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide in this order, and the recording film is an information recording medium for recording or reproducing information by irradiation with a laser beam, the metal element contained in the recording film being When expressed as W p Mn q M3 r (atomic%), q ⁇ 12 is satisfied, and the first dielectric film contains indium oxide at 60 mol% or less.
  • niobium oxide which is a high refractive index material, in the third dielectric film, a high reflectance improvement effect can be obtained.
  • the method of manufacturing an information recording medium of the present disclosure includes three or more steps of forming an information layer, and the step of forming at least one information layer includes tungsten (W), manganese (Mn), M3 (however, M3 is a step of forming a recording film containing at least one element selected from Zn, Cu and Ag) and oxygen (O), and a step of forming first and second dielectric films containing zirconium oxide and indium oxide.
  • the step of forming a third layer containing niobium oxide, the step of forming the recording film includes a sputtering step using a target containing W, M3 and Mn, and the step of forming the first and second dielectric films is ZrO 2. and it includes a sputtering process using a dielectric target containing an In 2 O 3, forming a third dielectric film using a dielectric target containing Nb and O It includes a sputtering process.
  • FIG. 1 shows a cross section of the optical information recording medium.
  • information layers for recording / reproducing information are provided on both sides of the information layer through the substrate 1 (6 layers in total), and the laser beam 6 is emitted from the cover layer 4 side.
  • It is a multilayer optical information recording medium that can be irradiated and record / reproduce information to / from each information layer.
  • the laser beam 6 is a blue-violet laser beam having a wavelength of about 405 nm.
  • An information recording medium 300 is a double-sided information recording medium in which an information recording medium 101 called A-side and an information recording medium 102 called B-side are bonded together on the back side of the substrate 1 (the side opposite to the side having the information layer). .
  • information layers are sequentially stacked on the substrate 1 via intermediate separation layers 2, 3 and the like, and the first information layer 10, the second information layer 20, and the third information are stacked.
  • the cover layer 4 is provided in contact with the third information layer 30.
  • the second information layer 20 and the third information layer 30 are transmissive information layers.
  • the information recording medium 300 when the guide groove is formed on the substrate 1, in this specification, the surface on the side close to the laser beam 6 is called “groove” for convenience, and the surface on the side far from the laser beam 6 Is called “land” for convenience.
  • the information recording medium 300 can record / reproduce information in six information layers, so that information recording having a capacity of 500 GB is possible. A medium can be obtained.
  • the effective reflectance of the three information layers can be controlled by adjusting the reflectance of the first, second and third information layers and the transmittance of the second and third information layers, respectively.
  • the reflectance of each information layer measured in a state where three information layers are stacked is defined as an effective reflectance. Unless stated otherwise, unless stated as “effective”, it refers to the reflectance measured without lamination.
  • the substrate 1 is preferably a disc-shaped transparent substrate.
  • a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, or glass can be used.
  • An uneven guide groove for guiding the laser beam 6 may be formed on the surface of the substrate 1 on the recording film 12 side as necessary.
  • the thickness of the substrate 1 is preferably about 0.5 mm and the diameter is about 120 mm.
  • the guide groove is formed on the substrate 1, the groove on the side close to the laser beam 6 is called “groove” and the groove on the side far from the laser beam 6 is called “land” as described above.
  • the level difference between the groove surface and the land surface is preferably 10 nm or more and 50 nm or less. In the first embodiment, the distance between the groove and the land is about 0.225 ⁇ m.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 are made of an acrylic resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and efficiently reach the first information layer 10 and the second information layer 20. Thus, it is preferable that light absorption is small with respect to light of wavelength ⁇ to be recorded and reproduced.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 are used to distinguish the focus positions of the first information layer 10, the second information layer 20, and the third information layer 30, and the thickness is the numerical aperture (NA) of the objective lens and the laser beam. It is necessary to be greater than or equal to the depth of focus ⁇ Z determined by the wavelength ⁇ of 6.
  • ⁇ Z ⁇ / ⁇ 2 (NA) 2 ⁇ .
  • NA the value from which the film thickness of the intermediate separation layer 2 and the intermediate separation layer 3 differs.
  • an uneven guide groove may be formed on the incident side of the laser beam 6 in the intermediate separation layers 2 and 3 or the like. In the first embodiment, the distance between the groove and the land is about 0.225 ⁇ m.
  • the cover layer 4 is made of, for example, a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, and has a small light absorption with respect to the laser beam 6 to be used.
  • the cover layer 4 may be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or glass.
  • the cover layer 4 is made of the second dielectric film 33 in the third information layer 30 with a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin. It is formed by pasting together.
  • the bonding layer 5 is made of, for example, a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 are bonded to each other. .
  • the bonding layer 5 may be provided with a film that shields the laser beam 6.
  • the thickness of the bonding layer 5 is preferably about 5 ⁇ m to 80 ⁇ m, and more preferably about 20 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the total thickness of the intermediate separation layers 2 and 3 and the cover layer 4 is set to 100 ⁇ m.
  • the intermediate separation layer 2 can be set to about 25 ⁇ m
  • the intermediate separation layer 3 can be set to about 18 ⁇ m
  • the cover layer 4 can be set to about 57 ⁇ m.
  • the first information layer 10 is an information layer that is a feature of the present disclosure.
  • the first dielectric film 11, the third dielectric film 14, the recording film 12, and the second dielectric film 13 are arranged in this order. It is formed by being laminated.
  • a dielectric including zirconium oxide and indium oxide according to the present disclosure and containing 60 mol% or less of indium oxide is used. Moreover, in order to obtain high electroconductivity, it is preferable that indium oxide is contained more than 20 mol%.
  • the SiO 2, Al 2 O 3, ZnO may include Y 2 O 3, SnO 2 or the like.
  • the specific resistance value is preferably 1 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the first dielectric film 11 has a function of controlling the signal amplitude by adjusting the optical phase difference, and a function of controlling the signal amplitude by adjusting the bulge of the recording mark. Further, it has a function of suppressing the intrusion of moisture into the recording film 12 and suppressing the escape of oxygen in the recording film to the outside.
  • ZrO 2 —In 2 O 3 , ZrO 2 —In 2 O 3 —SiO 2 , ZrO 2 —In 2 O 3 —Al 2 O 3 , ZrO 2 — In 2 O 3 —ZnO, ZrO 2 —In 2 O 3 —Y 2 O 3 , ZrO 2 —In 2 O 3 —SnO 2 and the like can be given.
  • the film thickness of the first dielectric film 11 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the composition of the first dielectric film 11 can be analyzed by, for example, an X-ray microanalyzer (XMA), an electron beam microanalyzer (EPMA), or Rutherford backscattering analysis (RBS).
  • the first dielectric film 11 formed by sputtering includes a rare gas (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H), organic substance (C), air (N, O), sputter, which are present in the sputtering atmosphere.
  • Components (metals) of jigs arranged in the chamber and impurities (metals, metalloids, semiconductors, dielectrics) contained in the sputtering target are inevitably contained, and may be detected by these analysis methods.
  • unavoidable components may be included up to 10 atomic percent when the total atoms contained in the dielectric film 31 are 100 atomic percent, and satisfy the preferred composition ratio except for the unavoidable components. Just do it. This applies similarly to dielectric films 13, 14, 21, 23, 24, 31, 33, and 34, which will be described later.
  • the dielectric containing niobium oxide in the present disclosure is used. Since the refractive index of niobium oxide has a high refractive index value of about 2.5 at 405 nm, the reflectance of the first information layer 10 can be increased. For comparison, for example, the refractive index of (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 mol% is about 2.1.
  • the niobium oxide in the third dielectric film 14 may have a stoichiometric composition Nb 2 O 5 , and oxygen deficiency (when expressed as NbO x , x ⁇ 2.5), oxygen content (NbO When x is described, x> 2.5) may be used, but in the present specification, Nb 2 O 5 is described for any composition ratio for convenience.
  • the third dielectric film 14 may contain zirconium oxide or the like in addition to niobium oxide.
  • Nb 2 O 5 may be NbO x as described above, the same shall apply hereinafter
  • These materials preferably contain 50 mol% or more of Nb 2 O 5 from the viewpoint of the refractive index or the film formation rate.
  • the film thickness of the third dielectric film 14 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the recording film 12 of the present disclosure contains W, Mn, M3 (where M3 is at least one element selected from Zn, Cu, and Ag) and O, and O is separated and combined by irradiation with the laser beam 6 to generate bubbles. It consists of the material to be formed.
  • W p Mn q M3 r atomic%)
  • 40% by atom or more of O is contained in all the elements contained in the recording film 12.
  • the film thickness of the recording film 12 is preferably 15 nm to 50 nm.
  • the composition of the recording film 12 can be analyzed by, for example, an X-ray microanalyzer (XMA), an electron beam microanalyzer (EPMA), or Rutherford backscattering analysis (RBS).
  • XMA X-ray microanalyzer
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • RBS Rutherford backscattering analysis
  • the recording film 12 formed by sputtering is disposed in a rare gas (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H), organic matter (C), air (N, O), sputter chamber present in the sputtering atmosphere.
  • Ingredients (metals) and impurities (metals, metalloids, semiconductors, dielectrics) contained in the sputtering target are inevitably contained and detected by analysis such as ICP emission spectroscopy, XMA, EPMA, etc. is there.
  • unavoidable components may be contained up to 10 atomic percent when the total atoms contained in the recording film 12 are 100 atomic percent, and satisfy the above-mentioned preferred composition ratio except for the unavoidable components. It only has to be. This applies similarly to recording films 22 and 32 described later.
  • the second dielectric film 13 of the present disclosure uses the same material as the first dielectric film 11 described above, and the film thickness is preferably 3 nm to 30 nm.
  • the matrix method for example, Hiroshi Kubota "Wave Optics” Iwanami Shoten, 1971, It can be designed by calculation based on Chapter 3.
  • the film thickness of each film it is possible to optimize the reflectivity when the recording film 12 is in an unrecorded state and the characteristics between the groove and land due to the phase difference between the recorded state and the unrecorded state.
  • the configuration of the first information layer 10 is the present information layer 10.
  • Other configurations are not limited to the disclosed configuration.
  • the second information layer 20 is formed by laminating a first dielectric film 21, a third dielectric film 24, a recording film 22, and a second dielectric film 23 in this order on the surface of the intermediate separation layer 2. ing.
  • the first dielectric film 21 uses a dielectric containing zirconium oxide and indium oxide in the present disclosure and containing 60 mol% or less of indium oxide.
  • the acrylic intermediate separation layer 2 it is preferable that the amount of indium oxide is smaller than that of the first dielectric film 11 in order to suppress reproduction light deterioration due to the action with the first dielectric film 21.
  • indium oxide is contained in an amount of more than 20 mol%.
  • the SiO 2, Al 2 O 3, ZnO may include Y 2 O 3, SnO 2 or the like.
  • the specific resistance value is preferably 1 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the first dielectric film 21 has a function of controlling the signal amplitude by adjusting the optical phase difference, and a function of controlling the signal amplitude by adjusting the bulge of the recording mark. Further, it has a function of suppressing the intrusion of moisture into the recording film 22 and suppressing the escape of oxygen in the recording film to the outside.
  • the film thickness of the first dielectric film 21 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the third dielectric film 24 can be made of the same material as the third dielectric film 14, and has the same function and shape.
  • the film thickness of the third dielectric film 24 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the recording film 22 contains W, Mn, M3 (where M3 is at least one element selected from Zn, Cu, and Ag) and O, and a material that forms bubbles by O being separated and combined by irradiation with the laser beam 6 Consists of.
  • W p Mn q M3 r atomic%)
  • 40% by atom or more of O is contained in all the elements contained in the recording film 12.
  • the transmittance of the information layer 20 decreases as the amount of Mn increases, it is preferable to satisfy q ⁇ 45.
  • the film thickness of the recording film 22 is preferably 15 nm to 50 nm.
  • the second dielectric film 23 can be made of the same material as the first dielectric film 13, and has the same function and shape.
  • the thickness of the second dielectric film 23 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the configuration of the second information layer 20 is the present information layer.
  • Other configurations are not limited to the disclosed configuration.
  • the third information layer 30 is formed by laminating a first dielectric film 31, a third dielectric film 34, a recording film 32, and a second dielectric film 33 in this order on the surface of the intermediate separation layer 3. ing.
  • the configuration of the third information layer 30 is basically the same as that of the second information layer 20.
  • the first dielectric film 31 can be made of the same material as that of the first dielectric film 21, and has the same function and shape.
  • the film thickness of the first dielectric film 31 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the third dielectric film 34 can be made of the same material as the third dielectric film 24, and has the same function and shape.
  • the film thickness of the third dielectric film 34 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the recording film 32 can be made of the same material as the recording film 22, and has the same function and shape.
  • the film thickness of the recording film 32 is preferably 15 nm to 50 nm.
  • the second dielectric film 33 can be made of the same material as the second dielectric film 23, and has the same function and shape.
  • the thickness of the second dielectric film 33 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the configuration of the third information layer 30 is the present information layer.
  • Other configurations are not limited to the disclosed configuration.
  • the recording film of any information layer may be another recording film material such as Te—O—Pd or Ge—Bi—O.
  • a reflective film or a dielectric film may be provided as necessary.
  • it may be an information recording medium including four or more information layers on one side (A side and B side). The effect of this indication is acquired regardless of these forms.
  • an optical system in which the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85 or 0.91 is preferably used, but recording / reproducing may be performed using an optical system with NA> 1.
  • the optical system Solid Immersion Lens (SIL) or Solid Immersion Mirror (SIM) can be used.
  • the intermediate separation layer and the cover layer may be formed with a thickness of 5 ⁇ m or less.
  • an optical system using near-field light may be used.
  • the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the first dielectric film 11, the third dielectric film 14, the recording film 12, and the second dielectric film 13 constituting the first information layer 10 can be formed by a sputtering method which is one of vapor phase film forming methods.
  • a substrate 1 for example, a thickness of 0.5 mm
  • a film forming apparatus First, a substrate 1 (for example, a thickness of 0.5 mm) is placed in a film forming apparatus.
  • the first dielectric film 11 is first formed.
  • the first dielectric film 11 may be a rare gas (for example, Ar gas, Kr gas, Xe gas, etc.) as a sputtering target made of a dielectric or a mixed dielectric constituting the first dielectric film 11.
  • Ar gas is preferably used, and the same applies to the rare gases described below.
  • Sputtering is performed in an atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas (for example, oxygen gas or nitrogen gas). It is formed by.
  • the first dielectric film 11 can also be formed by multi-sputtering, in which films are simultaneously formed from a plurality of cathodes, using sputtering targets of respective dielectric materials constituting the first dielectric film 11.
  • the third dielectric film 14 is a rare gas such as Ar gas, Kr gas, or Xe gas using a sputtering target made of a dielectric material containing niobium oxide constituting the third dielectric film 14. It can be formed by sputtering. Of these, inexpensive Ar gas is preferably used. Alternatively, it can be formed by sputtering in a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas (for example, oxygen gas) as necessary. For the sputtering target having conductivity, it is preferable to use DC sputtering or pulsed DC sputtering, which can be expected to have a higher deposition rate than RF sputtering.
  • a rare gas such as Ar gas, Kr gas, or Xe gas
  • a sputtering target made of a dielectric material containing niobium oxide constituting the third dielectric film 14.
  • inexpensive Ar gas is preferably used.
  • it can be formed by sputtering in a mixed gas atmosphere
  • sputtering target containing NbOx (x ⁇ 2.5) deficient in oxygen has high conductivity, and can perform DC sputtering or pulse DC sputtering stably.
  • the third dielectric film 14 can also be formed by multi-sputtering, in which films are simultaneously formed from a plurality of cathodes, using sputtering targets of the respective dielectric materials constituting the third dielectric film 14.
  • the recording film 12 is formed on the third dielectric film 14.
  • the recording film 12 can be formed by sputtering in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas using a sputtering target made of a W alloy or a W—O alloy depending on the composition. Since the W alloy target has conductivity, it is preferable to use DC sputtering or pulsed DC sputtering, which can be expected to have a higher deposition rate than RF sputtering. At this time, since a large amount of oxygen is taken into the recording film, it is preferable to mix a large amount of oxygen gas.
  • the recording film 12 can also be formed by multi-sputtering, in which films are formed simultaneously from a plurality of cathodes, using sputtering targets for the constituent elements.
  • the second dielectric film 13 can be formed by sputtering in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas using a sputtering target made of a mixture constituting the second dielectric film 13.
  • the second dielectric film 13 can also be formed by multi-sputtering, in which films are simultaneously formed from a plurality of cathodes, using sputtering targets of respective dielectric materials constituting the second dielectric film 13.
  • the intermediate separation layer 2 is formed on the second dielectric film 13.
  • the intermediate separation layer 2 is formed by applying an acrylic resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first information layer 10 to form a spin coat, and then curing the resin. Can be formed.
  • an acrylic resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin
  • a transfer substrate (mold) having a groove of a predetermined shape formed on the surface is brought into close contact with the resin before curing, and then the substrate 1 and the transfer substrate are spun. Coat and then cure the resin.
  • the intermediate separation layer 2 in which predetermined guide grooves are formed can be formed by peeling the transfer substrate from the cured resin.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the first dielectric film 21 is formed.
  • the first dielectric film 21 can be formed by a method similar to that of the first dielectric film 11 described above, using a sputtering target containing zirconium oxide and indium oxide.
  • a third dielectric film 24 is formed on the first dielectric film 21.
  • the third dielectric film 24 can be formed by the same method as the first dielectric film 14 described above using a sputtering target containing niobium oxide.
  • the recording film 22 is formed on the third dielectric film 24.
  • the recording film 22 can be formed by the same method as the recording film 12 described above using a sputtering target made of W—Mn—M3 or W—Mn—M3—O alloy.
  • a second dielectric film 23 is formed on the recording film 22.
  • the second dielectric film 23 can be formed by the same method as the second dielectric film 13 described above.
  • the intermediate separation layer 3 is formed on the second dielectric film 23.
  • the intermediate separation layer 3 can be formed by the same method as the intermediate separation layer 2 described above.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the third information layer 30 can be formed basically by the same method as the second information layer 20 described above.
  • the first dielectric film 31 is formed on the intermediate separation layer 3.
  • the first dielectric film 31 can be formed by the same method as the first dielectric film 21 described above.
  • a third dielectric film 34 is formed on the first dielectric film 31.
  • the third dielectric film 34 can be formed by the same method as the third dielectric film 24 described above.
  • the recording film 32 is formed on the third dielectric film 34.
  • the recording film 32 can be formed by the same method as the recording film 22 described above.
  • a second dielectric film 33 is formed on the recording film 32.
  • the second dielectric film 33 can be formed by the same method as the second dielectric film 23 described above.
  • the difference in power supply was 100 W to 10 kW, and the pressure in the film formation chamber during sputtering was 0.01 Pa to 10 Pa.
  • the cover layer 4 is formed on the second dielectric film 33.
  • the cover layer 4 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the second dielectric film 33 to form a spin coat, and then curing the resin. it can.
  • the cover layer 4 may be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or a glass disk-shaped substrate.
  • a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin is applied to the second dielectric film 33, these substrates are brought into close contact, and uniformly spread by spin coating, It can be formed by curing the resin.
  • the film formation time of each information layer is preferably 10 seconds or less per film, and more preferably 5 seconds or less in order to increase the mass productivity of the information recording medium and reduce the manufacturing cost. .
  • a vacuum deposition method As a method for forming each layer, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method (CVD method: Chemical Vapor Deposition) and a molecular beam epitaxy method (MBE method: Molecular Beam Epitaxy) are used. It is also possible to use it.
  • CVD method Chemical Vapor Deposition
  • MBE method molecular beam epitaxy method
  • the A-side information recording medium 101 can be manufactured.
  • the B-side information recording medium 102 can be manufactured.
  • a photo-curing resin (particularly, an ultraviolet-curing resin) is uniformly applied to the surface opposite to the guide groove of the substrate 1, and the surface of the B-side information recording medium opposite to the guide groove of the substrate 1 And the bonding layer 5 is formed by curing the resin.
  • a light-curing resin is uniformly applied to the A-side information recording medium 101 and then irradiated with light, and then the B-side information recording medium is laminated to form a bonding layer 5. May be.
  • the information recording medium 300 having information layers on both sides of the first embodiment can be manufactured.
  • Example 1 In this embodiment, an example of the information recording medium 300 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 300 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm, diameter 120 mm) on which a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • Nb 2 O 5 was deposited to a thickness of 12 nm as the third dielectric film 14 by a sputtering method.
  • W 19 Mn 36 Cu 25 Zn 20 -O, W 27 Mn 26 Cu 18 Zn 29 -O, W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 -O and W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 -O was deposited by sputtering to a thickness of 30 nm to 35 nm. These discs are designated as disc no. 1-601 to 1-604. Further, as a comparative example, a disk in which the third dielectric film 14 was not provided and W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O was applied to the recording film 12 to a thickness of 35 nm was manufactured.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the third dielectric film 14 was formed using a DC power source using an NbO x (x ⁇ 2.5) target in an Ar + O 2 atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the structure of the present invention is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 17 nm as the first dielectric film 21 and the recording film 22 is used.
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 35 nm
  • the second dielectric film 23 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) 7 nm, sequentially formed by sputtering. did.
  • the third dielectric film 24 in the second information layer 20 is not provided.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.8%, R l ⁇ 8.3% when the recording film 22 is not recorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was about 69%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present invention is applied to the third information layer 30, and the first dielectric film 31 has (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) as 20 nm and the recording film 32.
  • W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 38 —O is 37 nm
  • the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), 10 nm, successively formed by sputtering. did.
  • the third dielectric film 34 in the third information layer 30 is not provided.
  • the reflectance of the third information layer 30 is such that R g ⁇ 6.3%, R l ⁇ 6.8%, and the transmittance is about 73% when the recording film 32 is in an unrecorded state.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30 and the cover layer 4 of the B-side information recording medium 102 are the same as the A-side information recording medium 101 described above. The same materials and the same method were used.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface opposite to the guide groove of the substrate 1 of the A-side information recording medium 101, and is aligned with the guide groove and opposite surface of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102. It hardened and the bonding layer 5 was formed.
  • the reflectance at 405 nm of the first information layer 10 of the information recording medium 300 was evaluated.
  • the reflectance was measured by using an evaluator (ODU-1000 manufactured by Pulstec) and measuring the reflectance of grooves and lands with a laser beam 6 having a wavelength of 405 nm.
  • Example 2 In this embodiment, an example of the information recording medium 300 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 300 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm, diameter 120 mm) on which a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is 5 nm as the first dielectric film 11
  • Nb 2 O 5 is 12 nm as the third dielectric film 14.
  • W 27 Cu 18 Zn 29 Mn 26 —O is 30 nm as the recording film 12, and (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is sequentially 9 nm as the second dielectric film 13.
  • a film was formed by sputtering.
  • the reflectance of the first information layer 10 in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 10.5% when the recording film 22 is not recorded,
  • the film thickness of each film was determined so that R 1 ⁇ 11.0%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the third dielectric film 14 was formed using a DC power source using an NbO x (x ⁇ 2.5) target in an Ar + O 2 atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the structure of the present invention is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 5 nm as the first dielectric film 21, and the third dielectric layer Nb 2 O 5 is 12 nm as the film 24, W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 35 nm as the recording film 22, and (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) as the second dielectric film 23. 25 (mol%) was deposited in a thickness of 7 nm by sputtering.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is as follows: R g ⁇ 9.0%, R l ⁇ 9.5% when the recording film 22 is unrecorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was about 69%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the third dielectric film 24 was formed using a DC power source using an NbO x (x ⁇ 2.5) target in an Ar + O 2 atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present invention is applied to the third information layer 30, and the first dielectric film 31 is composed of (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) of 8 nm, the third dielectric layer.
  • Nb 2 O 5 was formed in a thickness of 12 nm sequentially by a sputtering method.
  • the recording film 32 was formed W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 -O, W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 -O and W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 38 -O 37nm, by a sputtering method. These disc Nos. 2-601 to 2-603. Further, as a comparative example, a disk in which the third dielectric film 34 was not provided and W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 38 —O was applied to the recording film 32 at 37 nm was manufactured.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was formed in a thickness of 10 nm successively by a sputtering method.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the third dielectric film 34 was formed using a DC power source using an NbO x (x ⁇ 2.5) target in an Ar + O 2 atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30 and the cover layer 4 of the B-side information recording medium 102 are the same as the A-side information recording medium 101 described above. The same materials and the same method were used.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface opposite to the guide groove of the substrate 1 of the A-side information recording medium 101, and is aligned with the guide groove and opposite surface of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102. It hardened and the bonding layer 5 was formed.
  • the reflectance at 405 nm of the first information layer 10 of the information recording medium 300 was evaluated.
  • the reflectance was measured by using an evaluator (ODU-1000 manufactured by Pulstec) and measuring the reflectance of grooves and lands with a laser beam 6 having a wavelength of 405 nm.
  • a dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide from the laser beam irradiation side a recording film containing W, Mn, M3 (where M3 is at least one element selected from Zn, Cu and Ag) and O
  • An information recording medium having a dielectric film containing niobium oxide and an electric film containing zirconium oxide and indium oxide in this order, and including three or more information layers, wherein the information recording medium has an improved reflectivity of the information layer. Obtained.
  • one information layer has the second dielectric film, the recording film, the third dielectric film, and the first dielectric film in this order from the laser light irradiation side.
  • the contents described in the present disclosure are not limited to this.
  • one information layer may be composed of a second dielectric film, a recording film, and a third dielectric film. The evaluation results in this case are shown in Table 3 and Table 4.
  • the information recording medium and the manufacturing method thereof according to the present invention have good reliability for recording and reproduction after long-term storage of the information recording medium and have high reliability.
  • Useful for optical discs It is particularly useful for an optical disc (capacity 500 GB or the like) having three information layers on both sides of the next generation.

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Abstract

３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層は、レーザ光照射側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜とを有する。第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む。記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む。第３誘電体膜は、酸化ニオブを含む。記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、記録膜は、ｑ≧１２を満足する。

Description

情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
　本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
　これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ－ｒａｙ  Ｄｉｓｃ(登録商標））がある。これらの媒体においては、記録再生レーザ波長を短くしたり、レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くしたり、トラックピッチをつめることにより高密度化（大容量化）を実現してきた。
　ＢＤにおいては、ＢＤ－ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のものが製品化されている。このＢＤ－ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層を３層化、また１情報層あたりの記録密度を３３．４ＧＢにすることにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。今後はさらに線密度を高くし、またランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録による３００ＧＢ容量以上のメディア（アーカイバル・ディスク）が提案されている。
　光学的情報記録媒体の特長として優れた長期保存性が挙げられる。そのため前述した大容量のメディアは、公文書・医療画像・動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアには、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば結晶－アモルファスの相変化を利用したＴｅ－Ｏ－Ｐｄ（特許文献１参照）や、バブルによりマーク（ピット）を形成するＷ－Ｏ（特許文献２参照）やＧｅ－Ｂｉ－Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。
特許第３７５２１７７号公報 特開２０１２－１６１９４１号公報 特許第３８０２０４０号公報
　第２世代の５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、片面に設けられる３層ディスクが２５０ＧＢの容量を実現しなければならない。すなわち、１情報層あたりの記録容量を、第１世代の５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増やす必要がある。本開示は、第２世代のアーカイバル・ディスクまたはそれよりも大容量の記録媒体を実現できるように、記録密度を高くすることが可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
　光学的情報記録媒体の記録容量を増やす一つの手法として、一つの情報層における記録密度を高くする方法がある。記録容量を高くする手段の一つとして、記録密度を高くすることが挙げられる。記録密度を高くする手段の一つとしては、最短マーク長を短くする方法が挙げられる。マーク長が短くなるほどそれら短マークの周期信号はより高周波数になり、システムノイズの影響を受けてディスクのＳ／Ｎ（Ｓ：信号、Ｎ：雑音）が低下し、信号品質が悪化するという課題が生じる。良好な信号品質を得るためには、光ピックアップに入ってくる再生光量を大きくしてＳ／Ｎを向上させる必要がある。再生光量は情報層の反射率と光ピックアップの再生パワーの積で決まる。本発明者らは、反射率をより大きくすることが可能な情報層の構成を検討した。
　ここで反射率について詳細を説明する。反射率は各情報層の案内溝（ランド部、グルーブ部）の反射率であり、情報層が積層されていない状態（即ち、単独層）で測定されるものをいう。実際にディスクを組み立てた状態にて、各情報層で測定される反射率は、実効反射率と呼ばれる。片面３層のアーカイバル・ディスクの場合、例えば、レーザ光より最も奥の情報層であるＬ０層の実効反射率は、再生レーザ光をディスクに入射させて、Ｌ０よりレーザ光照射側に位置する情報層のＬ２層とＬ１層を通過させてＬ０層に至った光が反射し、さらにＬ１層とＬ２層を通過して、光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。すなわち、Ｌ０層の実効反射率は、ピックアップを出た再生レーザパワー（１００％）に対する戻ってきた再生レーザパワーの割合を求めることによって測定される。Ｌ１層の実効反射率は、Ｌ２層を通過した光が反射されて、Ｌ２層を通過して光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。Ｌ２層の実効反射率は、他の情報層を通過せずに入射する光が反射されて、他の層を通過することなく光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。
　アーカイバル・ディスクはランド・アンド・グルーブ記録方式を採用している。この記録方式においては、記録密度を高くすると、クロストークの影響が大きくなる。これを低減するためには、溝深さをより深くすることが望ましいが、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。
　本開示においては、以上の反射率課題を解決した情報記録媒体を提供する。
　上記目的を達成するために、本開示における情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜とをこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする。
　また、情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程と、酸化ニオブ含む第３を形成する工程を含み、記録膜を形成する工程がＷ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第３誘電体膜を形成する工程がＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする。
　本開示の情報記録媒体は、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜とをこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とし、高い反射率を得ることができる。
　また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
実施の形態１における情報記録媒体の断面図
　本発明者らは、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体において、情報層の反射率を高めることができる記録膜、誘電体膜の材料およびその構成を発明した。具体的には、記録膜にはＷ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)を含み、Ｍｎが記録膜に含まれる金属元素比で１２原子％以上であること、第１および第２誘電体膜の酸化インジウム量が６０ｍｏｌ％以下であること、第３誘電体膜に酸化ニオブを含む誘電体膜を含むこと、またレーザ光照射より第２誘電体膜、記録膜、第３誘電体膜、第１誘電体膜をこの順に含むことを特徴とする。
　具体的には、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜をこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満たす。高屈折率材料である酸化ニオブを第３誘電体膜に含むことで、高い反射率向上効果が得られる。
　また、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜をこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含んでいる。高屈折率材料である酸化ニオブを第３誘電体膜に含むことで、高い反射率向上効果が得られる。
　本開示の構成はレーザ光照射側より最も奥に位置するため反射率が高めにくい、Ｌ０層（第１情報層１０）に適用するのが効果的である。
　また、本開示の情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程と、酸化ニオブ含む第３を形成する工程を含み、記録膜を形成する工程がＷ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第３誘電体膜を形成する工程がＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含んでいる。
　（実施の形態１）
　本開示の実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３００は、情報を記録再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれの３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
　情報記録媒体３００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）で貼り合わせた両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
　情報記録媒体３００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に記録再生し、例えば１情報層あたりの容量を８３．４ＧＢにすることで、情報記録媒体３００においては６つの情報層に記録再生できるので、５００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
　３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより制御できる。
　本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。
　以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚みについて説明する。
　基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、図示した形態において、基板１の厚さが約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、案内溝を基板１に形成した場合、全前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
　中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の膜厚は異なる値が好ましい。また、中間分離層２および３などにおいてレーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
　カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成する。カバー層４の厚みは、ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである４０μｍ～８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ～６５μｍ程度がより好ましい。
　貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚みは５μｍ～８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ～５０μｍ程度がより好ましい。
　ＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとした場合は、中間分離層２と３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。たとえば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
　次にまず、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は、本開示の特徴となす情報層であり、基板１上に、第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
　本開示の第１誘電体膜１１には、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
　またＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等を含んでいてもよい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜１２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
　第１誘電体膜１１の具体的な組成系としては、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２等が挙げられる。
　また、第１誘電体膜１１の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　ここで、上記第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する誘電体膜１３、１４、２１、２３、２４、３１、３３、３４にも同様に適用される。
　本開示の第３誘電体膜１４には、本開示における酸化ニオブを含む誘電体を用いる。酸化ニオブの屈折率は４０５ｎｍにおいて約２．５と高い屈折率値を有するため、第１情報層１０の反射率を高めることができる。比較としては例えば、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５　ｍｏｌ％の屈折率は約２．１である。
　また、第３誘電体膜１４における酸化ニオブは化学量論組成Ｎｂ２Ｏ５であってもよいし、それに対し酸素欠損（ＮｂＯｘと記載した場合、ｘ＜２．５）、酸素多寡（ＮｂＯｘと記載した場合、ｘ＞２．５）であってもよいが、本明細書においては便宜上いずれの組成比であってもＮｂ２Ｏ５と記載する。
　また、第３誘電体膜１４には酸化ニオブの他に酸化ジルコニウム等を含んでもよい。具体的には、Ｎｂ２Ｏ５（前述のようにＮｂＯｘでもよい。以下、同様である。）、Ｎｂ２Ｏ５－ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５－ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５－Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５－ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５－Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５－ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５－ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２等が挙げられる。これらの材料においては、屈折率または成膜レートの観点からＮｂ２Ｏ５が５０ｍｏｌ％以上含んでいることが好ましい。
　また、第３誘電体膜１４の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　本開示の記録膜１２は、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜１２に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足する必要がある。また記録膜１２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
　具体的には、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏが挙げられる。
　また、記録膜１２の膜厚としては、１５ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。
　ここで、上記記録膜１２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜１２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜２２、３２にも同様に適用される。
　本開示の第２誘電体膜１３は、前述した第１誘電体膜１１と同様の材料を用い、膜厚としては、３ｎｍ～３０ｎｍであることが好ましい。
　第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、第２誘電体膜１３の具体的な膜厚に関してはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の膜厚により、記録膜１２が未記録状態での反射率や、記録状態および未記録状態での位相差によるグルーブおよびランド間の特性を好適化したりすることが可能である。
　また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第１情報層１０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜１４を含まない構成）を適用することができる。
　次に本開示の第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、第３誘電体膜２４、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第１誘電体膜２１は、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。アクリル系の中間分離層２を用いる場合は、第１誘電体膜２１との作用による再生光劣化を抑制するため、第１誘電体膜１１よりも酸化インジウムの量を少なくすることが好ましい。
　また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
　またＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等を含んでいてもよい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜２１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜２２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
　また、第１誘電体膜２１の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　第３誘電体膜２４は、第３誘電体膜１４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第３誘電体膜２４の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　記録膜２２は、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜２２に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足する必要がある。また記録膜１２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
　具体的には、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏが挙げられる。
　また、Ｍｎ量が多くなると情報層２０の透過率が低下するため、ｑ≦４５を満足することが好ましい。
　また、記録膜２２の膜厚としては、１５ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。
　第２誘電体膜２３は、第１誘電体膜１３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第２誘電体膜２３の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第２情報層２０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜２４を含まない構成）を適用することができる。
　次に、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、第３誘電体膜３４、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第３情報層３０の構成は基本的には第２情報層２０と同様である。
　第１誘電体膜３１は、第１誘電体膜２１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第１誘電体膜３１の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　第３誘電体膜３４は、第３誘電体膜２４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第３誘電体膜３４の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　記録膜３２は、記録膜２２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。記録膜３２の膜厚としては、１５ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。
　第２誘電体膜３３は、第２誘電体膜２３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第２誘電体膜３３の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第３情報層３０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜３４を含まない構成）を適用することができる。
　また、他の形態として、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜がＴｅ－Ｏ－ＰｄやＧｅ－Ｂｉ－Ｏ等の他の記録膜材料であってもよく、必要に応じ反射膜や誘電体膜を設けてもよい。
　あるいは、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本開示の効果は、これらの形態によらず得られる。
　また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５もしくは０．９１である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）やＳｏｌｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間分離層とカバー層は５μｍ以下で形成してよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
　次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３００の製造方法について説明する。
　まずＡ面情報記録媒体１０１について説明する。
　第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
　続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これは以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。また第１誘電体膜１１は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　続いて、第１誘電体膜１１上に第３誘電体膜１４を成膜する。第３誘電体膜１４は、第３誘電体膜１４を構成する酸化ニオブを含む誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれの雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することができる。このなかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。または必要に応じ、希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することもできる。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。
　また、酸素を欠損させたＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）を含むスパッタリングターゲットを用いて、ＡｒまたはＡｒと酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することも可能である。この酸素を欠損させたＮｂＯｘを含むスパッタリングターゲットは高い導電性を有し、安定してＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを行うことが可能である。
　また、金属Ｎｂからなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することも可能である。
　また、第３誘電体膜１４は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　続いて、第３誘電体膜１４上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ－Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。このとき記録膜中に多くの酸素を取り入れるため、多量の酸素ガスを混合することが好ましい。また記録膜１２は構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また第２誘電体膜１３は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお中間分離層２に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された中間分離層２が形成できる。
　続いて、第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の形成にはまず第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１誘電体膜２１上に第３誘電体膜２４を形成する。第３誘電体膜２４は、酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１４と同様の方法で形成できる。
　続いて、第３誘電体膜２４上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、Ｗ－Ｍｎ－Ｍ３またはＷ－Ｍｎ－Ｍ３－Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
　続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
　続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
　続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０の形成方法は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。
　まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜２１と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１誘電体膜３１上に第３誘電体膜３４を形成する。第３誘電体膜３４は、前述した第３誘電体膜２４と同様の方法で形成できる。
　続いて、第３誘電体膜３４上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜２２と同様の方法で形成できる。
　続けて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜２３と同様の方法で形成できる。
　供給電力はずれも１００Ｗ～１０ｋＷであり、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ～１０Ｐａとした。
　続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
　各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げ、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下で成膜することが好ましく、５秒以下であれば尚好ましい。
　なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
　このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。
　同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝と反対面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体の基板１の案内溝と反対面と合わせ、樹脂を硬化させることで貼り合わせ層５を形成する。尚、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を用いて、Ａ面情報記録媒体１０１に光硬化型樹脂を均一に塗布した後に光を当て、その後Ｂ面情報記録媒体を合わせ貼り合わせ層５を形成してもよい。
　このようにして、実施の形態１の両面に情報層を有する情報記録媒体３００を製造することができる。
　（実施例１）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体３００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　次に、第３誘電体膜１４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　次に記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ２０－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ２９－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－ＯおよびＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３０ｎｍ～３５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクを、ディスクＮｏ．１－６０１～１－６０４とする。また、比較例として、第３誘電体膜１４を設けず、記録膜１２にＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３５ｎｍ適用したディスクを作製した。
　次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を９ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　また、第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例では第２情報層２０における第３誘電体膜２４は設けていない。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例では第３情報層３０における第３誘電体膜３４は設けていない。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は全述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝と逆面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と逆面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体３００を作製した。
　情報記録媒体３００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける反射率の評価を行った。
　反射率の測定は評価機（パルステック製ＯＤＵ－１０００）を用い、波長は４０５ｎｍのレーザ光６により、グルーブおよびランドの反射率測定を行った。
　評価結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　ディスクＮｏ．１－６０１～１－６０４において良好な結果が得られた。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表１と同等の結果が得られた。
　（実施例２）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体３００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第３誘電体膜１４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ２７Ｃｕ１８Ｚｎ２９Ｍｎ２６－Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を９ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒１０．５％、Ｒｌ≒１１．０％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第３誘電体膜２４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．０％、Ｒｌ≒９．５％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜２４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、第３誘電体膜３４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　次に記録膜３２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－ＯおよびＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８－Ｏを３７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．２－６０１～２－６０３とする。また、比較例として、第３誘電体膜３４を設けず、記録膜３２にＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８－Ｏを３７ｎｍ適用したディスクを作製した。
　次に第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。第３誘電体膜３４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は全述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝と逆面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と逆面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体３００を作製した。
　情報記録媒体３００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける反射率の評価を行った。
　反射率の測定は評価機（パルステック製ＯＤＵ－１０００）を用い、波長は４０５ｎｍのレーザ光６により、グルーブおよびランドの反射率測定を行った。
　評価結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　ディスクＮｏ．２－６０１～２－６０３において良好な結果が得られた。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０においても表２と同等の結果が得られた。
　このようにレーザ光照射側より酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜と、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含む記録膜と、酸化ニオブを含む誘電体膜および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む電体膜をこの順に有し、３層以上の情報層を含む情報記録媒体において、情報層の反射率を高めた情報記録媒体が得られた。
　（その他の実施例）
　上記の実施例１、２においては一つの情報層にレーザ光照射側より、第２誘電体膜、記録膜、第３誘電体膜、および第１誘電体膜を順に有する構成について説明した。しかし、本開示で説明する内容はこれに限定するものではない。例えば、一つの情報層を第２誘電体膜、記録膜、および第３誘電体膜で構成するものであってもよい。この場合の評価結果を表３、および表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　この場合でも、ディスクＮｏ．３－６０１～３－６０４、およびＮｏ．４－６０１～４－６０３において良好な結果が得られた。
　本発明の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録・再生特性を示し高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録・保存する多層追記型光ディスクに有用である。特に次世代の両面に３層の情報層を有する光ディスク（容量５００ＧＢ等）に有用である。
　３００　情報記録媒体
　１０１　Ａ面情報記録媒体
　１０２　Ｂ面情報記録媒体
　１０，２０，３０　情報層
　１２，２２，３２　記録膜
　１１，２１，３１　第１誘電体膜
　１３，２３，３３　第２誘電体膜
　１４，２４，３４　第３誘電体膜
　１　基板
　２，３　中間分離層
　４　カバー層
　５　貼り合わせ層
　６　レーザ光

Claims (3)

  1. 　３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、
    　少なくとも一つの前記情報層は、レーザ光を照射する側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜とを有し、
    　前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
    　前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
    　前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
    　前記記録膜は、前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生され、
    　前記記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、前記記録膜は、ｑ≧１２を満足することを特徴とする情報記録媒体。
  2. 　３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの前記情報層にレーザ光を照射する側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜と、第１誘電体膜とを有し、
    　前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
    　前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
    　前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
    　前記第１誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
    　前記記録膜は、前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生され、
    　前記記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、前記記録膜は、ｑ≧１２を満足し、且つ、前記第１誘電体膜は、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする情報記録媒体。
  3. 　情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を３つ以上含み、
    　少なくとも１つの前記情報層を形成する工程は、記録膜を形成する工程と、第１誘電体膜および第２誘電体膜を形成する工程と、第３誘電体膜を形成する工程とを含み、
    　前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
    　前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
    　前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
    　前記記録膜を形成する前記工程は、Ｗ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、
    　前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する前記工程は、ＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、
    　前記第３誘電体膜を形成する前記工程は、ＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
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