JP7061543B2 - Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents

Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7061543B2
JP7061543B2 JP2018174713A JP2018174713A JP7061543B2 JP 7061543 B2 JP7061543 B2 JP 7061543B2 JP 2018174713 A JP2018174713 A JP 2018174713A JP 2018174713 A JP2018174713 A JP 2018174713A JP 7061543 B2 JP7061543 B2 JP 7061543B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
sputtering target
atomic
target
sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018174713A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020045522A (ja
Inventor
雄一 加守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to JP2018174713A priority Critical patent/JP7061543B2/ja
Priority to US17/277,042 priority patent/US20210358728A1/en
Priority to CN201980058203.7A priority patent/CN112601834A/zh
Priority to PCT/JP2019/035390 priority patent/WO2020059561A1/ja
Priority to TW108133807A priority patent/TWI807097B/zh
Publication of JP2020045522A publication Critical patent/JP2020045522A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7061543B2 publication Critical patent/JP7061543B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62625—Wet mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/12—Metallic powder containing non-metallic particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3255—Niobates or tantalates, e.g. silver niobate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

本発明は、特に、光情報記録媒体の記録層の形成に有用な、Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
近年、光情報記録媒体（光ディスク）の分野において、取り扱うデータの増大等に伴い、光ディスクの大容量化が求められている。光ディスクは、読み込み専用と記録型とに大別され、記録型はさらに追記型と書き換え型との２種類に細分される。追記型の記録層材料として、従来は有機色素材料が広く検討されてきたが、近年の大容量化に伴い、無機材料も広く検討されるようになっている。
無機材料を用いた有用な記録方式として、分解温度の低い無機酸化物を含む記録層にレーザー光を照射することにより、記録層の物性が変化し、それに伴い光学定数が変化することを利用した記録方式がある。無機酸化物材料としては、パラジウム酸化物が実用化されている。しかし、Ｐｄは貴金属であり材料コストが高いため、パラジウム酸化物に代わり安価な材料コストで実現できる記録層の開発が望まれている。
安価な材料コストで十分良好な記録特性が得られるものとして、マンガン酸化物系材料からなる記録層が開発されている。例えば、特許文献１では、マンガン酸化物とＷ等の複数種の無機元素とを含む記録層、及びその記録層を形成するために用いるスパッタリングターゲットが開示されている。
国際公開第２０１３／１８３２７７号
ここで、前述のマンガン酸化物とＷ等の複数の無機元素とからなる記録層を形成するためのスパッタリング法として、それぞれの元素からなる複数のスパッタリングターゲットを用いる多元スパッタ法と、複数の元素を含有する１枚の複合スパッタリングターゲットを用いる方法とがある。特許文献１では、多元スパッタ法が開示されているが、装置が大型化しコストアップ要因になる上、組成ずれが生じやすい欠点がある。そのため、１枚の複合スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングが好ましい。また、生産性の観点から、高周波スパッタリングよりも、直流（ＤＣ）スパッタリングを用いることが望ましい。
しかし、マンガン酸化物とＷ等の複数の無機元素とからなる複合スパッタリングターゲット中には、ＷＭｎＯ４等の絶縁粒が含まれやすい。ＤＣスパッタリングでは、複合スパッタリングターゲットに直流電圧をかけるため、複合スパッタリングターゲット中の絶縁粒の影響により十分な導電性が得られない場合、異常放電（アーキング）が発生するおそれがある。この成膜中の異常放電により、記録層にダメージが与えられ、歩留まり低下の原因となる。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜を可能にするＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため本発明は、Ｍｎと、Ｎｂと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含むＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であり、かつ、ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の結晶相を含有するスパッタリングターゲットを提供する。
前記成分組成は、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＮｂとＷとを合わせた割合が６０原子％未満であってもよい。
前記スパッタリングターゲットは、前記成分組成にさらにＺｎを含んでもよい。
前記スパッタリングターゲットは、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を、前記成分組成にさらに含んでもよい。
前記Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の合計の含有率は、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、８原子％～７０原子％であってもよい。
また本発明は、前記Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲットの製造方法であって、マンガン含有粉末と、金属ニオブ粉末と、タングステン含有粉末と、銅含有粉末と、を含む混合粉末を、１０時間以上湿式混合する混合工程と、前記混合工程の後、前記混合粉末を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力を加えて７００℃～９００℃の温度で焼結する焼結工程と、を含む製造方法を提供する。
前記マンガン含有粉末がマンガン酸化物粉末であり、前記タングステン含有粉末が金属タングステン粉末であり、前記銅含有粉末が金属銅粉末であってもよい。
前記混合粉末は、亜鉛酸化物粉末をさらに含んでもよい。
前記混合粉末は、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の単体又は化合物からなる粉末をさらに含んでもよい。
本発明によれば、ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜を可能にするＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供できる。
実施例１及び比較例１に係るスパッタリングターゲットのＸ線回折スペクトルを示す図である。
以下、本実施形態について詳しく説明する。
[Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット]
本実施形態に係るＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」という。）は、Ｍｎと、Ｎｂと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含み、相対密度が９０％以上であり、かつ、ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の結晶相を含有する。
本実施形態に係るターゲットによれば、ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜が可能になる。
本実施形態に係るターゲットの成分比としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、Ｍｎと、Ｎｂと、Ｗと、Ｃｕと、の合計１００原子％に対して、Ｍｎが５原子％～４０原子％であり、Ｎｂが１０原子％～３５原子％であり、Ｗが５原子％～３０原子％であり、Ｃｕが５原子％～３０原子％であってもよい。
本実施形態に係るターゲットは、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＮｂとＷとを合わせた割合が６０原子％未満であることが好ましく、５５原子％未満であってもよく、５０原子％未満であってもよい。Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＮｂとＷとを合わせた割合が６０原子％以上であるよりも６０原子％未満であるほうが、容易に相対密度を９０％以上に調整することができる傾向にある。下限については特に制限はないが、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＮｂとＷとを合わせた割合が、２０原子％以上であることが好ましい。
本実施形態に係るターゲットは、成分組成にＺｎを含んでもよい。成分比については、特に制限なく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、Ｚｎが１原子％～３５原子％であってもよい。
本実施形態に係るターゲットは、必要に応じて、その他の成分組成を含んでいてもよい。他の元素を適宜含有させることで、例えば、情報記録媒体の記録層形成のためにターゲットを用いる場合、記録層の透過率、反射率、及び記録感度を調整することができる。他の元素としては、例えば、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素が挙げられる。
上記Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含有する場合、その合計の含有率は、例えば、ターゲットの構成元素のうち、Ｏ（酸素）を除いた構成元素の合計１００％に対して、８原子％～７０原子％とすることができる。
また、本実施形態に係るターゲットは、ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の結晶相を含んでいる。
ターゲットに含まれる結晶相は、Ｘ線回折法により確認することができる。ターゲットのＸ線回折スペクトルの取得は、常法に従い行うことができる。例えば、株式会社リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いて、ターゲット表面をθ－２θスキャンして、スペクトルを取得すればよい。Ｘ線回折の測定条件はターゲットに応じて適宜定まり、例えば以下の条件の範囲内から選択することができる。
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線
出力設定：２０ｋＶ～１００ｋＶ、１０ｍＡ～１００ｍＡ
測角範囲：２θ＝５°～８０°
スキャン速度：１°～４°（２θ／ｍｉｎ）、連続スキャン
発散スリット：０．５°～２°
散乱スリット：０．５°～２°
受光スリット：０．１ｍｍ～０．５ｍｍ
ターゲットの主な結晶相の回折ピークは、以下の範囲で検出される。
ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の回折ピーク：４１．７°±０．３°
ＭｎＮｂ２Ｏ６の回折ピーク：２９．８°±０．３°
Ｗの回折ピーク：４０．２６°±０．３°
ＭｎＯの回折ピーク：３５．１６°±０．３°、４０．９９°±０．３°、５９．１８°±０．３°
ＭｎＷＯ４の回折ピーク：２９．８°±０．３°、３０．２３°±０．３°
ＺｎＯの回折ピーク：３６．３°±０．３°
Ｃｕの回折ピーク：４３．４７°±０．３°、５０．６７°±０．３°
本実施形態に係るターゲットが高密度であることを示す指標として、本明細書では相対密度を用いることとする。ターゲットの相対密度は、９０％以上であり、高いほど好ましい。
なお、相対密度とは、ターゲットの原料粉が１００％充填されたと仮定して計算した場合の仮想密度に対する、原料分を焼結した後の実測密度の割合である。相対密度を計算するために、まず、ターゲットの寸法測定及び重量測定を行い、実測密度を算出する。次に、以下の計算式を用いて相対密度を算出する。
相対密度（％）＝（焼結体の実測密度／仮想密度）×１００
なお、本実施形態に係るターゲットの形状は何ら限定されることはなく、円盤状、円筒状、四角形板状、長方形板状、正方形板状等の任意の形状とすることができ、ターゲットの用途に応じて適宜選択することができる。また、ターゲットの幅及び奥行きの大きさ（円形の場合には直径）についても、ｍｍオーダー～ｍオーダー程度の範囲で、ターゲットの用途に応じて適宜選択することができる。例えば、ターゲットが円形の場合、一般的には直径５０ｍｍ～３００ｍｍ程度である。厚みについても同様であるが、一般的には１ｍｍ～２０ｍｍ程度である。
また、ターゲットは、特に、光情報記録媒体の記録層の形成に有用であるが、用途は何ら限定されるものではない。
［ターゲットの製造方法］
次に、本実施形態に係るターゲットの製造方法について説明する。本実施形態に係る製造方法は、混合工程と、焼結工程と、を含む。
まず、混合工程にて、マンガン含有粉末と、金属ニオブ粉末と、タングステン含有粉末と、銅含有粉末とを含む混合粉末を、１０時間以上湿式混合する。
マンガン含有粉末としては、目的に応じて適宜選択することができ、Ｍｎの単体又は化合物からなる粉末等が挙げられる。中でも、マンガン酸化物が好ましい。マンガン酸化物としては、例えば、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、ＭｎＯ３、Ｍｎ２Ｏ７等を用いることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。上記マンガン酸化物の中でも、焼結温度と融点との関係よりＭｎ３Ｏ４が好ましい。
マンガン含有粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、３μｍ～１５μｍ程度とすることができる。
金属ニオブ粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、５μｍ～１０６μｍ程度とすることができる。
タングステン含有粉末としては、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｗの単体からなる金属タングステン粉末等が挙げられる。
タングステン含有粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、１μｍ～１０μｍ程度とすることができる。
銅含有粉末としては、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｃｕの単体からなる金属銅粉末等が挙げられる。
銅含有粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、１μｍ～５０μｍ程度とすることができる。
上記混合粉末に、亜鉛酸化物粉末を含ませてもよい。亜鉛酸化物粉末としては、例えば、ＺｎＯを用いることができる。
亜鉛酸化物粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、０．１μｍ～３μｍ程度とすることができる。
また、製造するターゲットの所望の目的に応じて、上記マンガン含有粉末、金属ニオブ粉末、タングステン含有粉末、銅含有粉末、及び亜鉛酸化物粉末以外のその他の粉末を、混合粉末に含ませてもよい。その他の粉末としては、例えば、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の単体又は化合物からなる粉末が挙げられる。
湿式混合の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、従来公知のボールミル装置を用いた湿式混合方法等が挙げられる。
湿式混合時間は、１０時間以上とする。混合時間を１０時間以上とすることにより、十分に混合粉末を混合することができる。特に、マンガン含有粉末としてマンガン酸化物を用いる場合、焼結中のマンガン酸化物の固相反応を促進して、焼結後の酸化マンガンの結晶相の残留を抑制することに繋がる。混合時間は、１２時間以上とすることが好ましく、１６時間以上とすることがより好ましく、２０時間以上とすることがさらに好ましい。２４時間混合すると、混合の効果は飽和する。
次に焼結工程にて、混合粉末を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力、７００℃～９００℃の温度で焼結する。なお、１ｋｇｆ／ｃｍ２は、９８．１ｋＰａに相当する。
焼結法としては、特に制限なく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性ガス雰囲気中でのホットプレス、熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ法；Ｈｏｔ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）等が挙げられる。
焼結時に加える圧力については、５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上であればよく。６００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることが好ましく、７００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることがより好ましく、８００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることがさらに好ましい。ターゲットの成分組成等の他の焼結条件にもよるが、焼結時の圧力を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２未満とするとターゲットの相対密度を９０％以上とすることが困難になる。
焼結温度については、７００℃～９００℃であればよく、７５０℃～８５０℃であってもよい。
焼結時間は特に限定されず、適宜選択することが可能であり、一般的に行われる１時間～６時間程度の焼結時間とすればよい。
以上の工程を経て相対密度が９０％以上、かつ、ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の結晶相を含有するＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲットを製造することができる。
なお、本実施形態に係る製造方法は、上記混合工程及び焼結工程以外にも、他の工程を含んでもよい。他の工程としては、例えば、スパッタリングターゲットの形状を形成するために行われる、混合粉末の成形工程が挙げられる。
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
［スパッタリングターゲットの製造方法］
＜実施例１＞
実施例１では、原料粉末として、以下の粉末を用意した。
Ｍｎ３Ｏ４粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：１０μｍ）
Ｗ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：５μｍ）
Ｎｂ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：１０μｍ）
Ｃｕ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：３０μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ＝３５：２０：２０：２５（原子％）となるように、上記原料粉末を秤量した。秤量した各原料粉末並びに各原料粉末の合計重量の０．５倍のジルコニアボール（直径５ｍｍ）及び０．５倍のエタノールを、容器に入れ、ボールミル装置にて、湿式混合を２０時間行った。混合した上記原料粉末を含んだスラリー溶液から、目開き２ｍｍの篩を使用し、ジルコニアボールを分離した。スラリー溶液を加熱乾燥させ、目開き２５０μｍの篩を用い解砕し、混合粉末を得た。次いで、上記混合粉末に対し、焼結温度８００℃にて２時間、８００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を加えて、アルゴン雰囲気中でホットプレスを行い、スパッタリングターゲットを作製した。スパッタリングターゲットの形状は円盤状であり、サイズは直径５０ｍｍである。
＜実施例２＞
実施例２では、実施例１で用いた原料粉末に加え、以下の原料粉末を用いた。
ＺｎＯ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：２μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２０：２５：２５：２０：１０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜実施例３＞
実施例３では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ＝３０：２５：２５：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜実施例４＞
実施例４では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ＝２５：２５：３０：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜実施例５＞
実施例５では、実施例２と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２０：２５：３０：１５：１０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜実施例６＞
実施例６では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が実施例１と同様になるように、原料粉末を秤量し、焼結温度を７５０℃とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜実施例７＞
実施例７では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が実施例１と同様になるように、原料粉末を秤量し、焼結時の圧力を６００ｋｇｆ／ｃｍ２とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜比較例１＞
比較例１では、実施例１で用いたＮｂ粉末の代わりに、以下の原料粉末を用いた。
Ｎｂ２Ｏ５粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：２μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ＝３５：２０：２０：２５（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、焼結温度を１０００℃とし、焼結時の圧力を５００ｋｇｆ／ｃｍ２とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜比較例２＞
比較例２では、比較例１で用いた原料粉末に加え、以下の原料粉末を用いた。
ＺｎＯ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：２μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２０：２５：２５：２０：１０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、比較例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜比較例３＞
比較例３では、比較例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ＝２０：３０：３０：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、比較例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
＜比較例４＞
比較例４では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｎｂ：Ｃｕ＝２０：３０：３０：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
[評価]
上記の実施例１から７及び比較例１から４で作製したスパッタリングターゲットについて、結晶相に含まれるＮｂ系複合酸化物の同定、相対密度測定、及び異常放電回数の測定を行った。各評価は、以下のように行った。得られた評価結果を表１に示した。
＜結晶相に含まれるＮｂ系複合酸化物の同定＞
Ｘ線回折法により、スパッタリングターゲットの結晶相に含まれるＮｂ系複合酸化物の同定を行った。Ｘ線回折にあっては、株式会社リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いて、θ－２θスキャンし、Ｘ線回折スペクトルを得た。代表例として、実施例１及び比較例１に係るスパッタリングターゲットのＸ線回折スペクトルを図１に示す。試験条件は以下の通りである。
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線
出力設定：３０ｋＶ、１５ｍＡ
測角範囲：２θ＝１５°～７０°
スキャン速度：２°（２θ／ｍｉｎ）、連続スキャン
発散スリット：１°
散乱スリット：１°
受光スリット：０．３ｍｍ
＜相対密度＞
上記の実施例１から７及び比較例１から４で作製したスパッタリングターゲットの相対密度を計算するため、スパッタリングターゲットの寸法測定及び重量測定を行い、実測密度を算出した。次に、以下の計算式を用いて相対密度を算出した。
相対密度（％）＝（焼結体の実測密度／焼結体の仮想密度）×１００
＜異常放電回数の測定＞
上記の実施例１から７及び比較例１から４で作製したスパッタリングターゲットを、無酸素銅製のバッキングプレートにＩｎはんだで接着した。これらスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、１×１０－４Ｐａ以下まで真空排気を行った後、ＡｒガスとＯ２ガスとを導入し、装置内圧力を０．３Ｐａとした。酸素の割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）は７０％とした。ＤＣ電源にて電力５Ｗ／ｃｍ２を印加して、３０分間スパッタリングを行い、アーキングカウンターによりスパッタリング中の異常放電の回数を測定した。
Figure 0007061543000001
以上の結果から、ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の結晶相を含有し、かつ、相対密度が９０％以上であるＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲットは、異常放電回数が抑制されることが確認された。
また、同じ原料粉末を用いて同じ焼結条件で作製された実施例１、３、４、及び比較例４を比較すると、Ｎｂ及びＷの含有比が高いほど、相対密度が下がる傾向にあることが確認された。
さらに、焼結時の圧力以外は全て同じ条件により作製された実施例１及び７を比較すると、焼結時の圧力が高い方が、相対密度が高い傾向にあることが確認された。

Claims (9)

  1. Ｍｎと、Ｎｂと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含むＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲットであって、
    相対密度が９０％以上であり、かつ、ＭｎＮｂ２Ｏ３．６７の結晶相を含有するスパッタリングターゲット。
  2. Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＮｂとＷとを合わせた割合が６０原子％未満である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
  3. 前記成分組成にさらにＺｎを含む請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
  4. Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を、前記成分組成にさらに含む請求項１から３いずれかに記載のスパッタリングターゲット。
  5. 前記Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の合計の含有率が、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、８原子％～７０原子％である請求項４に記載のスパッタリングターゲット。
  6. 請求項１から５いずれかに記載のＭｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲットの製造方法であって、
    マンガン含有粉末と、金属ニオブ粉末と、タングステン含有粉末と、銅含有粉末と、を含む混合粉末を、１０時間以上湿式混合する混合工程と、
    前記混合工程の後、前記混合粉末を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力を加えて７００℃～９００℃の温度で焼結する焼結工程と、を含む製造方法。
  7. 前記マンガン含有粉末がマンガン酸化物粉末であり、前記タングステン含有粉末が金属タングステン粉末であり、前記銅含有粉末が金属銅粉末である請求項６に記載の製造方法。
  8. 前記混合粉末が亜鉛酸化物粉末をさらに含む請求項６又は７に記載の製造方法。
  9. 前記混合粉末が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の単体又は化合物からなる粉末をさらに含む請求項６から８いずれかにに記載の製造方法。
JP2018174713A 2018-09-19 2018-09-19 Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 Active JP7061543B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018174713A JP7061543B2 (ja) 2018-09-19 2018-09-19 Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
US17/277,042 US20210358728A1 (en) 2018-09-19 2019-09-09 Mn-Nb-W-Cu-O-BASED SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
CN201980058203.7A CN112601834A (zh) 2018-09-19 2019-09-09 Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法
PCT/JP2019/035390 WO2020059561A1 (ja) 2018-09-19 2019-09-09 Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
TW108133807A TWI807097B (zh) 2018-09-19 2019-09-19 Mn-Nb-W-Cu-O系濺鍍靶材及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018174713A JP7061543B2 (ja) 2018-09-19 2018-09-19 Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020045522A JP2020045522A (ja) 2020-03-26
JP7061543B2 true JP7061543B2 (ja) 2022-04-28

Family

ID=69887433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018174713A Active JP7061543B2 (ja) 2018-09-19 2018-09-19 Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210358728A1 (ja)
JP (1) JP7061543B2 (ja)
CN (1) CN112601834A (ja)
TW (1) TWI807097B (ja)
WO (1) WO2020059561A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7130447B2 (ja) * 2018-06-07 2022-09-05 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
JP2021178748A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社コベルコ科研 焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017159561A1 (ja) 2016-03-14 2017-09-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
JP6377230B1 (ja) 2017-10-20 2018-08-22 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2018155070A1 (ja) 2017-02-24 2018-08-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG88758A1 (en) * 1996-11-20 2002-05-21 Toshiba Kk Sputtering target and anti-ferromagnetic material film formed using thereof and magneto-resistance effect element formed by using the same
JP5169888B2 (ja) * 2009-02-04 2013-03-27 住友金属鉱山株式会社 複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法
CN115094390A (zh) * 2014-09-30 2022-09-23 捷客斯金属株式会社 溅射靶用母合金和溅射靶的制造方法
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017159561A1 (ja) 2016-03-14 2017-09-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
WO2018155070A1 (ja) 2017-02-24 2018-08-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット
JP6377230B1 (ja) 2017-10-20 2018-08-22 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020059561A1 (ja) 2020-03-26
US20210358728A1 (en) 2021-11-18
TW202020200A (zh) 2020-06-01
JP2020045522A (ja) 2020-03-26
CN112601834A (zh) 2021-04-02
TWI807097B (zh) 2023-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI745315B (zh) Mn-Zn-O系濺鍍靶材及其製造方法
JP6560497B2 (ja) Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI788351B (zh) Mn-W-Cu-O系濺鍍靶及其製造方法
JP7061543B2 (ja) Ｍｎ－Ｎｂ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP7096113B2 (ja) Ｍｎ－Ｔａ－Ｗ－Ｃｕ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI757507B (zh) Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法
CN117587366A (zh) Mn-Zn-O系溅射靶及其制备方法
JP6027699B1 (ja) Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6450229B2 (ja) Ｍｎ−Ｚｎ−Ｍｏ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2014237889A (ja) 薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP7141276B2 (ja) スパッタリングターゲット
JP5534191B2 (ja) Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２相を含むＢｉＴｉ系酸化物ターゲットおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210701

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7061543

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150