JP2021178748A - 焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents

焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、割れの抑制された焼結体を容易に製造することが可能な焼結体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係る焼結体の製造方法は、金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程と、上記造粒物を焼成する工程とを備え、上記原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、上記焼成工程における焼結圧力が20MPa以上である。【選択図】図1

Description

本発明は、焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
例えばDVD、BD等の光ディスクが光情報記録媒体として広く用いられている。この光情報記録媒体は、記録再生方式により、再生専用型、追記型及び書き換え型の3種類に分類される。また、上記追記型の記録方式としては、例えば(i)記録層の構成材料を相変化させる相変化方式、(ii)複数の記録層を層間反応させる層間反応方式、(iii)記録層の構成材料を分解させる分解方式等が採用されている。
追記型の光情報記録媒体における記録層の構成材料としては、従来有機色素材料が広く用いられてきたが、近年では記録の高密度化の要請等から無機材料が用いられるようになってきている。
無機材料を用いた記録層の製造方法としては、記録層と同じ材料のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法が採用されている。記録層の製造に好適なスパッタリングターゲットとして、Mn−Zn−O系スパッタリングターゲットが発案されている(特開2017−88932号公報参照)。
スパッタリング法によって記録層を製造する場合、得られる記録層の特性の安定化や、記録層の製造効率の向上等の観点から、スパッタリングターゲットの割れを防止することが重要である。
例えば特開2016−176114号公報には、Mn酸化物相やZnMo相の相分率を制御することでMn−Zn−Mo−O系のスパッタリングターゲットの耐割れ性を高める技術が記載されており、特開2016−138312号公報には、Mn酸化物相やWMnO相の相分率を制御することでMn−Zn−W−O系のスパッタリングターゲットの耐割れ性を高める技術が記載されている。
特開2017−88932号公報 特開2016−176114号公報 特開2016−138312号公報
しかしながら、特許文献2及び特許文献3に開示されているように結晶相の相分率を制御することでスパッタリングターゲットの割れを防止しようとすると、焼結体を形成する工程及びその前後の工程での製造条件の制約が大きくなると共に、製造コストが高くなる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、割れの抑制された焼結体を容易に製造することが可能な焼結体の製造方法、及び割れの抑制されたスパッタリングターゲットを容易に製造することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る焼結体の製造方法は、金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程と、上記造粒物を焼成する工程とを備え、上記原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、上記焼成工程における焼結圧力が20MPa以上である。
当該焼結体の製造方法は、上記原料粉末が金属元素としてMn、Cu及びZnを含んでおり、かつ上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が上記下限以上であることによって、結晶相の相分率を厳格に制御しなくても、上記焼結圧力で焼成することで割れの抑制された焼結体を容易に製造することができる。
上記金属粉末としてCu粉末を含み、かつ上記金属酸化物粉末としてZn酸化物粉末を含むとよい。このように、上記金属粉末としてCu粉末を含み、かつ上記金属酸化物粉末としてZn酸化物粉末を含むことによって、上記金属粉末の体積比率を上記下限以上に容易に制御できると共に、上記焼結体の割れをより容易に抑制することができる。
上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率としては65.0体積%以下が好ましい。このように、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が上記上限以下であることで、上記焼結体の割れをより容易に抑制することができる。
上記原料粉末が上記金属元素としてAgをさらに含むとよい。このように、上記原料粉末が上記金属元素としてAgをさらに含むことによって、上記焼結体を用いて形成される記録層の成膜速度及び記録感度を高めることができる。
上記原料粉末が上記金属元素としてAgを含む場合、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率としては50体積%以上が好ましく、かつ上記焼成工程における焼結圧力としては70MPa以下が好ましい。このように、上記原料粉末が上記金属元素としてAgを含む場合に、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率を上記下限以上とすることで、上記焼成工程における焼結圧力を小さくしても、割れの抑制された焼結体を容易に製造することができる。
上記原料粉末が、W、Mo、Zr、Ta、Mg、Ni、Si及びAlからなる群より選択される1種又は2種以上をさらに含むとよい。このように、上記原料粉末が、W、Mo、Zr、Ta、Mg、Ni、Si及びAlからなる群より選択される1種又は2種以上をさらに含むことによって、割れの抑制された焼結体をより容易に製造することができる。
上記焼成工程によって得られる焼結体の相対密度としては80%超が好ましい。当該焼結体の製造方法によると、相対密度が上記下限超である焼結体を容易に製造することができる。これにより、上記焼結体の割れをより確実に抑制することができる。
上記焼成工程によって得られる焼結体の比抵抗としては1×10−2Ωcm以下が好ましい。当該焼結体の製造方法によると、比抵抗が上記上限以下である焼結体を容易に製造することができる。
本発明の他の一態様に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程と、上記造粒物を焼成する工程とを備え、上記原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、上記焼成工程における焼結圧力が20MPa以上である。
当該スパッタリングターゲットの製造方法は、上記原料粉末が金属元素としてMn、Cu及びZnを含んでおり、かつ上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が上記下限以上であることによって、結晶相の相分率を厳格に制御しなくても、上記焼結圧力で焼成することで割れの抑制されたスパッタリングターゲットを容易に製造することができる。
なお、本発明において、「焼結体の相対密度」とは、原料粉末の質量から算出される理論密度に対する焼結体の密度の比から求められる値を意味する。
以上説明したように、本発明の一態様に係る焼結体の製造方法は、割れの抑制された焼結体を容易に製造することができる。また、本発明の他の一態様に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、割れの抑制されたスパッタリングターゲットを容易に製造することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る焼結体の製造方法を示すフロー図である。 図2は、図1の焼結体の製造方法によって形成された焼結体を示す模式的断面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態を詳説する。
[焼結体の製造方法]
図1の焼結体の製造方法は、金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程(形成工程S1)と、上記造粒物を焼成する工程(焼成工程S2)とを備える。上記原料粉末は、金属元素を含んでいる。上記原料粉末は、上記金属元素として、Mn(マンガン)、Cu(銅)及びZn(亜鉛)を含んでいる。上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率は28.0体積%以上である。焼成工程S2における焼結圧力は20MPa以上である。なお、「金属粉末」とは、1種又は2種以上の金属元素からなる粉末を意味しており、換言すると酸素を含まない粉末を意味する。また、本発明において「酸素を含まない」とは、酸素の含有量が0.5質量%未満であることをいう。
当該焼結体の製造方法は、図2の焼結体1を製造可能である。焼結体1は、例えばDVD、BD等の光情報記録媒体の記録層の形成に用いられ、好ましくは追記型の記録層の形成に用いられる。
(形成工程)
形成工程S1では、上記原料粉末を造粒して造粒物を形成する。形成工程S1では、例えば上記金属粉末と上記金属酸化物粉末とを混合及び粉砕し、乾燥を施すことで造粒物を形成する。上記金属粉末及び上記金属酸化物粉末を混合及び粉砕する手段としては、水、エタノール、アセトン等の溶媒を用いた湿式混合法や、溶媒を用いない乾式混合法が挙げられる。上記金属粉末及び上記金属酸化物粉末を湿式混合法によって混合及び粉砕する装置としては、ボールミル、ポットミル、ビーズミル等が挙げられる。上記金属粉末及び上記金属酸化物粉末を乾式混合法によって混合及び粉砕する方法としては、乳鉢を用いた方法が挙げられる。
上述の混合及び粉砕後の原料粉末は篩を用いた分級や、スプレードライヤーを用いた噴霧乾燥処理を経て所定の粒子径に調整され、造粒物として焼成工程S2で焼成される。上記造粒物の平均粒子径としては300μm以下が好ましい。上記造粒物の平均粒子径が上記上限を超えると、焼結体1の相対密度を十分に高くし難くなるおそれがある。なお、形成工程S1では、上記原料粉末を300μm以下の篩を用いて分級することで上記造粒物の平均粒子径を300μm以下にすることができる。
〔原料粉末〕
上記原料粉末は、好ましくは上記金属粉末及び上記金属酸化物粉末からなる。上述のように、上記原料粉末は、金属元素として、Mn、Cu及びZnを含んでいる。上記原料粉末は、Mnに加え、Cu及びZnを含むことで、焼結体1の割れを抑制することができる。上記原料粉末において、Mn、Cu及びZnは、金属粉末として含まれていてもよく、金属酸化物粉末として含まれていてもよい。但し、上記原料粉末は、上記金属粉末としてCu粉末を含み、かつ上記金属酸化物粉末としてZn酸化物粉末を含むことが好ましい。より詳しくは、Cuは上記金属粉末としてのみ含まれ、Znは上記金属酸化物粉末としてのみ含まれることが好ましい。当該焼結体の製造方法は、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率を制御することで焼結体1の割れを抑制することができる。この点において、Cuが上記金属粉末として含まれることで、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率を大きくしやすい。一方、Znは融点が低く、かつ蒸気圧が高いため、Znが上記金属粉末として含まれていると、後述の焼成工程S2で焼結温度を十分に高くし難くなり、焼結体1の相対密度を十分に高くできないおそれがある。これに対し、Znが上記金属酸化物粉末として含まれることで、焼成工程S2における焼結温度を高くして焼結体1の相対密度を高くしやすい。その結果、焼結体1の割れを十分に抑制することができる。
金属元素に占めるMnの含有量としては、例えば5体積%以上50体積%以下とすることができる。金属元素に占めるCuの含有量としては、例えば5体積%以上25体積%以下とすることができる。金属元素に占めるZnの含有量としては、例えば5体積%以上55体積%以下とすることができる。
上記原料粉末は、上記金属元素として、Ag(銀)をさらに含むことが好ましい。上記原料粉末がAgを含むことで、焼結体1を用いて形成される記録層の成膜速度及び記録感度を高めることができる。上記原料粉末がAgを含む場合、Agは上記金属粉末として含まれることが好ましい。Agが上記金属粉末として含まれることで、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率を大きくしやすい。上記原料粉末がAgを含む場合、金属元素に占めるAgの含有量としては、例えば5体積%以上15体積%以下とすることができる。
また、上記原料粉末は、W(タングステン)、Mo(モリブデン)、Zr(ジルコニウム)、Ta(タンタル)、Mg(マグネシウム)、Ni(ニッケル)、Si(ケイ素)及びAl(アルミニウム)からなる群より選択される1種又は2種以上をさらに含んでいてもよい。W、Mo、Zr、Ta、Mg、Ni、Si及びAlは、上記原料粉末に含まれることで、焼成工程S2での上記造粒物の焼成を促進することができる。その結果、割れの抑制された焼結体1をより容易に製造することができる。
上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率の下限としては、上述のように28.0体積%である。上記体積比率の下限としては、34.0体積%がより好ましい。一方、上記体積比率の上限としては、65.0体積%が好ましい。上記体積比率が上記範囲外である場合、焼結体1の割れを十分に抑制し難くなるおそれがある。
また、上記金属粉末がAgを含む場合、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率としては、50体積%以上とすることも好ましく、60体積%以上としてもよい。上記金属元素がAgを含む場合、焼成工程S2における造粒物の溶融開始温度が低くなる。この場合、上記金属粉末の体積比率が上記下限未満であると、上記造粒物の焼結を促進するために焼成工程S2で焼結圧力を大きくすることが必要となる。これに対し、上記金属粉末の体積比率が上記下限以上であることで、上記焼結圧力を比較的小さくしても上記造粒物の焼結を十分に促進することができる。
上記原料粉末は、金属元素として、融点が2500℃超の高融点金属を含んでいてもよい。上記高融点金属としては、例えばW、Mo及びTaが挙げられる。この場合、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率[体積%]に対する金属元素に占める上記高融点金属の含有量[体積%]の比(以下、この比を「高融点金属分率」ともいう)の上限としては、80が好ましい。高融点金属分率が上記上限を超えると、焼成工程S2で上記高融点金属の反応が不十分となり、焼結体1の相対密度を十分に高めることができないおそれがある。一方、上記高融点金属分率の下限としては、例えば30とすることができる。
(焼成工程)
焼成工程S2では、形成工程S1で得られた上記造粒物を、金属元素の融点よりも低い温度で加熱する。焼成工程S2では、上記造粒物同士が互いの隙間を埋めるように表面拡散することで、密度の高い焼結体1が形成される。
焼成工程S2では、上記造粒物を所定の焼結温度で加熱した状態で、所定の焼結圧力を加えつつ一定時間保持する。焼成工程S2における焼結温度としては、例えば700℃以上1100℃以下とすることができる。焼成工程S2における保持時間としては、例えば0.1時間以上10時間以下とすることができる。
焼成工程S2における焼結圧力の下限としては、上述のように20MPaであり、30MPaが好ましい。一方、上記焼結圧力の上限としては、例えば150MPaが好ましく、130MPaがより好ましい。上記焼結圧力が上記下限に満たないと、焼結体1の密度が十分に高くならず、焼結体1に割れが生じるおそれがある。逆に、上記焼結圧力が上記上限を超えると、設備費用が嵩み、製造コストが不必要に高くなるおそれがある。
上述のように、上記金属粉末がAgを含む場合、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率を50体積%以上、より好ましくは60体積%以上とすることで、上記焼結圧力を比較的小さくしても上記造粒物の焼結を十分に促進することができる。具体的には、上記金属粉末の体積比率が上記下限以上である場合、上記焼結圧力の上限としては、70MPaとすることができる。また、上記焼結圧力の上限としては、50MPaであってもよく、40MPaであってもよい。上記焼結圧力を上記上限以下とすることで、焼結体1の製造コストを抑えつつ、割れの抑制された焼結体1を容易に製造することができる。
焼成工程S2によって得られる焼結体1の相対密度としては80%超が好ましく、90%以上がより好ましく、95%以上がさらに好ましい。上記相対密度が上記下限に満たないと、焼結体1に割れが生じるおそれがある。なお、上記相対密度の上限としては、特に限定されるものではなく、100%とすることができる。
焼成工程S2によって得られる焼結体1の比抵抗の上限としては、1×10−2Ωcmが好ましく、1×10−3Ωcmがより好ましく、5×10−4Ωcmがさらに好ましい。上記比抵抗が上記上限を超えると、焼結体1がスパッタリング中に異常放電するおそれがある。なお、上記比抵抗の下限としては、特に限定されるものではなく、例えば1×10−6Ωcmとすることができる。
<利点>
当該焼結体の製造方法は、上記原料粉末が金属元素としてMn、Cu及びZnを含んでおり、かつ上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であることによって、結晶相の相分率を厳格に制御しなくても、20MPa以上の焼結圧力で焼成することで焼結体1の相対密度を高くすることができる。その結果、当該焼結体の製造方法は、割れの抑制された焼結体1を容易に製造することができる。
[スパッタリングターゲットの製造方法]
図2の焼結体1は、スパッタリングターゲットとして、DVD、BD等の光情報記録媒体の記録層の形成に用いられる。そのため、図1の焼結体の製造方法は、スパッタリングターゲットの製造方法として実施することが可能である。すなわち、当該スパッタリングターゲットの製造方法は、金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程(形成工程)と、上記造粒物を焼成する工程(焼成工程)とを備える。上記原料粉末は金属元素として、Mn、Cu及びZnを含む。上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率は28.0体積%以上である。上記焼成工程における焼結圧力は20MPa以上である。
<利点>
当該スパッタリングターゲットの製造方法は、上記原料粉末が金属元素としてMn、Cu及びZnを含んでおり、かつ上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が上記下限以上であることによって、結晶相の相分率を厳格に制御しなくても、上記下限以上の焼結圧力で焼成することでスパッタリングターゲットの相対密度を高くすることができる。その結果、当該スパッタリングターゲットの製造方法は、割れの抑制されたスパッタリングターゲットを容易に製造することができる。
[その他の実施形態]
上記実施形態は、本発明の構成を限定するものではない。従って、上記実施形態は、本明細書の記載及び技術常識に基づいて上記実施形態各部の構成要素の省略、置換又は追加が可能であり、それらは全て本発明の範囲に属するものと解釈されるべきである。
以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。
[実施例]
[No.1]
表1の組み合わせからなる原料粉末について、溶媒として水を用い、ナイロンボールミルによって20時間湿式混合処理を施した。湿式混合処理後のスラリーをスプレードライヤーによって噴霧乾燥することで造粒物を形成した(形成工程)。次に、上記形成工程で得られた造粒物を650℃で加熱しながらHIP(Hot Isostatic Pressing)用カプセルに真空封入した。続いて、この造粒物を表1に示す条件で焼成した(焼成工程)。その後、得られた焼結体をカプセルから取り出し、機械加工によって直径200mm、高さ6mmの円柱状に仕上げた後、ホットプレート上でCu製のバッキングプレートに濡れ材を用いてボンディングしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.2、No.3、No.5]
表1の組み合わせからなる原料粉末を用い、造粒物の焼成条件を表1の通りとした以外はNo.1と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.4]
表1の組み合わせからなる原料粉末について、乳鉢を用いて乾式混合処理を施した。乾式混合処理後の原料粉末を300μmの篩を用いて分級することで、最大粒子径が300μm以下の造粒物を形成した(形成工程)。次に、上記形成工程で得られた造粒物を黒鉛型にセットし、表1に示す条件でホットプレスにて焼成した(焼成工程)。その後、得られた焼結体を機械加工によって直径200mm、高さ6mmの円柱状に仕上げた後、ホットプレート上でCu製のバッキングプレートに濡れ材を用いてボンディングしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.7]
表1の組み合わせからなる原料粉末を用い、造粒物の焼成条件を表1の通りとした以外はNo.4と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.6]
表1の組み合わせからなる原料粉末について、溶媒として水を用い、ナイロンボールミルによって20時間湿式混合処理を施した。湿式混合処理後のスラリーをバットに入れて乾燥させ、300μmの篩を用いて分級することで、最大粒子径が300μm以下の造粒物を形成した(形成工程)。次に、上記形成工程で得られた造粒物を650℃で加熱しながらHIP用カプセルに真空封入した。続いて、この造粒物を表1に示す条件で焼成した(焼成工程)。その後、得られた焼結体をカプセルから取り出し、機械加工によって直径200mm、高さ6mmの円柱状に仕上げた後、ホットプレート上でCu製のバッキングプレートに濡れ材を用いてボンディングしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.8、No.16、No.18]
表1の組み合わせからなる原料粉末を用い、造粒物の焼成条件を表1の通りとした以外はNo.6と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.9]
表1の組み合わせからなる原料粉末について、溶媒として水を用い、ナイロンボールミルによって20時間湿式混合処理を施した。湿式混合処理後のスラリーをバットに入れて乾燥させ、300μmの篩を用いて分級することで、最大粒子径が300μm以下の造粒物を形成した(形成工程)。次に、上記形成工程で得られた造粒物を黒鉛型にセットし、表1に示す条件でホットプレスにて焼成した(焼成工程)。その後、得られた焼結体を機械加工によって直径200mm、高さ6mmの円柱状に仕上げた後、ホットプレート上でCu製のバッキングプレートに濡れ材を用いてボンディングしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.10、No.14、No.15、No.17、No.20、No.21]
表1の組み合わせからなる原料粉末を用い、造粒物の焼成条件を表1の通りとした以外はNo.9と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.11]
表1の組み合わせからなる原料粉末について、溶媒として水を用い、ナイロンボールミルによって20時間湿式混合処理を施した。湿式混合処理後のスラリーをスプレードライヤーによって噴霧乾燥することで造粒物を形成した(形成工程)。次に、上記形成工程で得られた造粒物を黒鉛型にセットし、表1に示す条件でホットプレスにて焼成した(焼成工程)。その後、得られた焼結体を機械加工によって直径200mm、高さ6mmの円柱状に仕上げた後、ホットプレート上でCu製のバッキングプレートに濡れ材を用いてボンディングしてスパッタリングターゲットを作製した。
[No.12、No.13、No.19]
表1の組み合わせからなる原料粉末を用い、造粒物の焼成条件を表1の通りとした以外はNo.11と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
Figure 2021178748
<相対密度>
直径200mm、高さ6mmの円柱状に機械加工された後のNo.1〜No.21の焼結体について、原料粉末の質量から算出される理論密度を100とした場合の相対密度[%]を求めた。この算出結果を表2に示す。
<比抵抗>
直径200mm、高さ6mmの円柱状に機械加工された後のNo.1〜No.21の焼結体について、三菱化学アナリテック社製の「ロレスターGP」を用い、四探針法によって比抵抗[Ωcm]を求めた。各端子間の距離を1.5mmとし、No.1〜No.21の焼結体のそれぞれについて異なる4箇所で比抵抗を測定し、その平均値を各焼結体の比抵抗とした。この測定結果を表2に示す。
<割れ>
No.1〜No.21について、上記バッキングプレートにボンディングした後の焼結体に割れが生じているか否かを目視にて確認し、以下の基準にて評価した。この評価結果を表2に示す。
A:焼結体の表面に1mmを超えるクラックは確認されなかった。
B:焼結体の表面に1mmを超えるクラックが確認された。
Figure 2021178748
<評価結果>
表1及び表2に示すように、原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、原料粉末における金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、焼結圧力20MPa以上であるNo.1〜No.7、No.11〜No.19は、焼結体の割れが抑制できている。これに対し、原料粉末がMn、Cu及びZnのうちの少なくとも1種を含まないNo.20及びNo.21、原料粉末における金属粉末の体積比率が28.0体積%未満であるNo.8及びNo.9、並びに焼結圧力が20MPa未満であるNo.10は、焼結体に割れが生じている。また、No.1〜No.7、No.11〜No.19は、焼結体の相対密度も82%以上と高く、かつ焼結体の比抵抗も4.0×10−3Ωcm以下と低く抑えられている。
以上説明したように、本発明の一態様に係る焼結体の製造方法は、光情報記録媒体の記録層を形成するための焼結体の製造に適している。
1 焼結体

Claims (9)

  1. 金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程と、
    上記造粒物を焼成する工程と
    を備え、
    上記原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、
    上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、
    上記焼成工程における焼結圧力が20MPa以上である焼結体の製造方法。
  2. 上記金属粉末としてCu粉末を含み、かつ上記金属酸化物粉末としてZn酸化物粉末を含む請求項1に記載の焼結体の製造方法。
  3. 上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が65.0体積%以下である請求項1又は請求項2に記載の焼結体の製造方法。
  4. 上記原料粉末が上記金属元素として、Agをさらに含む請求項1、請求項2又は請求項3に記載の焼結体の製造方法。
  5. 上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が50体積%以上であり、かつ上記焼成工程における焼結圧力が70MPa以下である請求項4に記載の焼結体の製造方法。
  6. 上記原料粉末が、W、Mo、Zr、Ta、Mg、Ni、Si及びAlからなる群より選択される1種又は2種以上をさらに含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の焼結体の製造方法。
  7. 上記焼成工程によって得られる焼結体の相対密度が80%超である請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の焼結体の製造方法。
  8. 上記焼成工程によって得られる焼結体の比抵抗が1×10−2Ωcm以下である請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の焼結体の製造方法。
  9. 金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程と、
    上記造粒物を焼成する工程と
    を備え、
    上記原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、
    上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、
    上記焼成工程における焼結圧力が20MPa以上であるスパッタリングターゲットの製造方法。
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