TWI808220B - 資訊記錄媒體及其製造方法 - Google Patents
資訊記錄媒體及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI808220B TWI808220B TW108125843A TW108125843A TWI808220B TW I808220 B TWI808220 B TW I808220B TW 108125843 A TW108125843 A TW 108125843A TW 108125843 A TW108125843 A TW 108125843A TW I808220 B TWI808220 B TW I808220B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric film
- film
- recording medium
- zro
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 141
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 94
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 136
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 4
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 937
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 241
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 155
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 153
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 152
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 146
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 130
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 130
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 122
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 83
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 63
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 45
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 45
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 45
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 45
- 230000006870 function Effects 0.000 description 41
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 39
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 34
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 30
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 30
- 229910018725 Sn—Al Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 23
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 20
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 17
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 15
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 15
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910007570 Zn-Al Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 11
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 9
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003176 Mn-O Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017871 Cu—Mn Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- -1 etc. can be used Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007476 Maximum Likelihood Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017299 Mo—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020997 Sn-Y Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008813 Sn—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008859 Sn—Y Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 229910008936 W—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910009257 Y—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24035—Recording layers
- G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24053—Protective topcoat layers lying opposite to the light entrance side, e.g. layers for preventing electrostatic charging
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24067—Combinations of two or more layers with specific interrelation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic System, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B2007/0003—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier
- G11B2007/0009—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier for carriers having data stored in three dimensions, e.g. volume storage
- G11B2007/0013—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier for carriers having data stored in three dimensions, e.g. volume storage for carriers having multiple discrete layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
本發明提供一種再生耐久性優異的資訊記錄媒體及其製造方法。一種資訊記錄媒體及其製造方法，該資訊記錄媒體包含2層以上資訊層且可藉由照射雷射光來記錄或再生資訊；令前述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且前述第1資訊層自照射前述雷射光之面由遠朝近依序包含第1介電質膜及記錄膜；前述第1介電質膜至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1，並且，令Zr、氧與前述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之前述元素D1；前述記錄膜至少含有W、Cu、Mn與氧，且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M。
Description
本揭示涉及一種以光學手段記錄或再生資訊之大容量資訊記錄媒體及其製造方法。
發明背景
隨著網際網路的普及與播放數位化等，數位資料之利用量逐年增長。屬光學資訊記錄媒體的光碟作為適合長期保存資料且高可靠性的資訊記錄媒體，一直以來不斷隨著資訊量增大持續進展大容量化。
BDXL規格(BD：Blu-ray(註冊商標) Disc)制定於2010年6月。遵照該規格的3層光碟(具備3層資訊層之光碟)之每1資訊層的記錄容量為33.4十億位元組(GB)，單面可保存100GB之大容量資料。關於構成3層光碟的3層資訊層，距離雷射光光源最遠者稱為「L0層」，次遠者稱為「L1層」，距離雷射光光源最近者稱為「L2層」。
譬如，已有文獻以資訊中心為對象，提出一種使用單寫多讀型BD-R XL光碟之可實現最大約638兆位元組(TB)的大容量光碟櫃(如參照非專利文獻1)。
BDXL規格的次階規格則有2014年3月制定之業務用光碟規格「歸檔光碟(Archival Disc)」(如參照非專利文獻2)。歸檔光碟具有比BD更高的可靠性，其藉由採用溝台及溝槽(land and groove)記錄方式而具有較高的記錄密度。此外，歸檔光碟於基板兩面具備光碟片結構，因此可供作更大容量的記錄媒體。歸檔光碟規格的發展藍圖(road map)係制定成依序增加每片光碟的記錄容量。根據該發展藍圖，具體計畫為第1代開發300GB系統，第2代開發500GB系統，第3代則開發1TB系統。
第1代300GB的歸檔光碟係於基板兩面設置可保存150GB之資訊的3層光碟，從而每片可記錄再生300GB的資訊。即，該歸檔光碟每1資訊層的記錄容量為50GB。各資訊層為以氧化物介電質膜包夾氧化物記錄膜的簡單結構(譬如參照專利文獻1及2)。對記錄膜照射雷射光後，記錄膜便會產生形狀變化而記錄訊號。已有文獻提出一種使用該光碟而可實現最大1.9千兆位元組(PB)的大容量之光碟櫃(譬如參照非專利文獻3)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：國際公開第2017/159561號
專利文獻2：日本專利第4210620號公報
非專利文獻
非專利文獻1：Panasonic Co., 資料歸檔程式LB-DH8系列目錄，2016年9月
非專利文獻2：Archival Disc White Paper: Archival Disc Technology 1st Edition July 2015(歸檔光碟白皮書：歸檔光碟技術，初版，2015年7月)
非專利文獻3：Panasonic Co., 資料歸檔程式LB-DH7系列目錄，2016年9月
發明概要
發明欲解決之課題
在第2代500GB容量的歸檔光碟中，設於單面的3層光碟必須實踐250GB的容量。即，每1資訊層的記錄容量必須從第1代的50GB增加至83.4GB。增加記錄容量的手法之一，有一種縮小最短記錄記號之尺寸並提高一層資訊層之記錄密度的方法。這時的課題之一可舉再生耐久性。
另，資訊層所包含的介電質膜以往係使用含有ZrO2
、SiO2
及In2
O3
之材料(ZrO2
-SiO2
-In2
O3
)。ZrO2
-SiO2
-In2
O3
可採用DC濺鍍或脈衝DC濺鍍任一者來進行濺鍍，具有高成膜速度。而且是一種兼具高透明性與高耐濕性的優異的介電質材料。可進行DC濺鍍是因為ZrO2
-SiO2
-In2
O3
含有透明導電材料之In2
O3
。若減去或去除In2
O3
，將難以進行ZrO2
-SiO2
-In2
O3
的DC濺鍍或脈衝DC濺鍍。
然而，本發明人等著眼在In2
O3
之含量上努力研討的結果發現，In2
O3
會使再生耐久性惡化。而且，吾等導出一結論：必須以可實際作為介電質膜使用之新的介電質材料替代既有的ZrO2
-SiO2
-In2
O3
。
本揭示目的在於提供一種500GB以上大容量的多層資訊記錄媒體，其可進行DC濺鍍或脈衝DC濺鍍且具有優異的再生耐久性，並且具有高生產性及高可靠性。
用以解決課題之手段
此外，本發明人等討論了第1介電質膜及記錄膜的各種組合。結果，吾等藉由使用令第1介電質膜之組成及記錄膜之組成為特定組成的資訊層，而達至完成本發明。
本發明係藉由下述手段達成。
[1]一種資訊記錄媒體，係包含2層以上資訊層且藉由照射雷射光來記錄或再生資訊者；
令上述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且上述第1資訊層自照射上述雷射光之面由遠朝近依序包含第1介電質膜及記錄膜；
上述第1介電質膜至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1，並且，令Zr、氧與上述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之前述元素D1；
上述記錄膜至少含有W、Cu、Mn與氧，且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M。
[2]如[1]記載之資訊記錄媒體，其中上述第1介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
[3]如[1]或[2]記載之資訊記錄媒體，其中上述第1介電質膜更含有選自Ga及Al中之至少一種元素D3，且令Zr、氧、上述元素D1與上述元素D2及上述元素D3之原子數合計為100原子%時，含有7原子%以下之上述元素D3。
[4]如[1]記載之資訊記錄媒體，其中上述第1資訊層自照射上述雷射光之面由遠朝近依序包含上述第1介電質膜、上述記錄膜及第2介電質膜；
上述第2介電質膜至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1，並且，令Zr、氧與上述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之上述元素D1。
[5]如[4]記載之資訊記錄媒體，其中上述第2介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
[6]如[4]或[5]記載之資訊記錄媒體，其中上述第2介電質膜更含有選自Ga及Al中之至少一種元素D3，且令Zr、氧、上述元素D1與上述元素D2及上述元素D3之原子數合計為100原子%時，含有7原子%以下之上述元素D3。
[7]如[1]記載之資訊記錄媒體，其中上述第1資訊層自照射雷射光之面由遠朝近依序包含上述第1介電質膜、上述記錄膜及第2介電質膜，且
上述第2介電質膜至少含有Zr、氧與In。
[8]如[7]記載之資訊記錄媒體，其中上述第2介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
[9]如[1]記載之資訊記錄媒體，其中上述記錄膜中之W、Cu、Mn及上述元素M滿足下述式(1)：
Wx
Cuy
Mnz
M100-x-y-z
(原子%)…(1)
(上述式(1)中，
15≦x＜60，0＜y≦30，10≦z≦40，且10≦100-x-y-z≦50)。
[10]如[1]或[9]記載之資訊記錄媒體，其中上述記錄膜之上述元素M係選自Ta與Zn中之至少一者。
[11]如[1]至[10]中任一項記載之資訊記錄媒體，其中上述第1資訊層係配置在下述位置：比配置在自上述雷射光照射面觀看時最遠之位置的資訊層更靠近上述雷射光照射面的位置。
[12]如[1]至[11]中任一項記載之資訊記錄媒體，其中上述第1資訊層係配置在最靠近上述雷射光照射面之位置。
[13]一種資訊記錄媒體之製造方法，係製造包含2層以上資訊層之資訊記錄媒體的方法，
該方法包含個別形成上述2層以上資訊層的步驟；
令上述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且形成上述第1資訊層之步驟至少包含形成第1介電質膜之步驟與形成記錄膜之步驟；
上述形成第1介電質膜之步驟係形成至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1的第1介電質膜；
上述形成記錄膜之步驟係形成至少含有W、Cu與Mn且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M的記錄膜；
上述形成第1介電質膜之步驟與上述形成記錄膜之步驟係藉由使用DC電源之濺鍍來實施。
[14]如[13]記載之資訊記錄媒體之製造方法，其中以上述形成第1介電質膜之步驟形成的上述第1介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
發明效果
本發明之實施形態之資訊記錄媒體可實現具有展現優異再生耐久性的資訊層並為大容量且高可靠性的多層資訊記錄媒體。而且可實現亦兼具高生產性的多層資訊記錄媒體。
用以實施發明之形態
以下將邊參照圖式來說明本揭示之實施形態。以下之實施形態僅為例示，本揭示不受以下實施形態限定。
(實施形態1)
本發明實施形態之資訊記錄媒體係包含2層以上資訊層且藉由照射雷射光來記錄或再生資訊者；
令前述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且前述第1資訊層自照射前述雷射光之面由遠朝近依序包含第1介電質膜及記錄膜；
前述第1介電質膜至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1，並且，令Zr、氧與前述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之前述元素D1；
前述記錄膜至少含有W、Cu、Mn與氧，且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M。
藉由使用如上述令第1介電質膜之組成及記錄膜之組成為特定物組成的資訊層，可獲得本發明效果。
實施形態1係說明以雷射光6來記錄及再生資訊之資訊記錄媒體之一例。
圖1顯示本發明實施形態之資訊記錄媒體100的截面。
本發明實施形態之資訊記錄媒體100可具有基板1。
本實施形態之資訊記錄媒體100為一多層光學性資訊記錄媒體，其係隔著基板1於兩側各設置有3層記錄及再生資訊之資訊層(合計6層)，並自覆蓋層4側照射雷射光6而可記錄及再生各資訊層中之資訊者。雷射光6為波長405nm附近之藍紫色區的雷射光。
資訊記錄媒體100係將A面資訊記錄媒體101與B面資訊記錄媒體102貼合而成的雙面資訊記錄媒體。A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102係在該等基板1背面(與具有資訊層之面為相反側)透過貼合層5而貼合。A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102各自於基板1上隔著中間分離層2及3等具有作為資訊層依序積層之L0層10、L1層20及L2層30，且更具有設置成與L2層30相接之覆蓋層4。L1層20及L2層30為透射型資訊層。
L0層10自照射雷射光6之面由遠朝近依序包含第1介電質膜11、記錄膜12及第2介電質膜13。同樣地，L1層20依序包含第1介電質膜21、記錄膜22及第2介電質膜23，L2層30依序包含第1介電質膜31、記錄膜32及第2介電質膜33。
亦即，A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102分別是自照射雷射光6之面由遠朝近依序形成有基板1、L0層10、中間分離層2、L1層20、中間分離層3、L2層30及覆蓋層4的結構。進一步來說，自照射雷射光6之面由遠朝近，L0層10係於基板1上形成有第1介電質膜11、記錄膜12及第2介電質膜13的結構，L1層20係於中間分離層2上形成有第1介電質膜21、記錄膜22及第2介電質膜23的結構，L2層30係於中間分離層3上形成有第1介電質膜31、記錄膜32及第2介電質膜33的結構。第1介電質膜21、第1介電質膜31、記錄膜22、記錄膜32、第2介電質膜23及第2介電質膜33可使用濺鍍(sputter)法形成。
L1層20與L2層30可分別於中間分離層2與中間分離層3上形成第1介電質膜21與第1介電質膜31。濺鍍時間愈長，濺鍍中之基板溫度便會因濺鍍靶材(靶材)之熱輻射而變高。為了提高成膜速度，宜採用DC(DC：Direct Current)濺鍍或脈衝DC濺鍍，基板溫度也會比高頻濺鍍法的情況更上升。中間分離層譬如由丙烯酸系等紫外線硬化型樹脂所構成。形成L1層20之第1介電質膜21時，中間分離層2之表面會曝露在高溫下。而且在形成L2層30之第1介電質膜31時，中間分離層3之表面也會曝露在高溫下。由紫外線硬化型樹脂所構成之中間分離層2及中間分離層3會經過利用紫外線的硬化步驟，但若在濺鍍中被曝露在高溫下，光聚合引發劑之部分未硬化成分或低分子成分可能會揮發。濺鍍時間愈長，中間分離層2及中間分離層3的表面溫度便愈高，而該等成分之揮發量就會增加。以下，將光聚合引發劑之部分未硬化成分或低分子成分記為「有機物」。
L1層20及L2層30之第1介電質膜21及第1介電質膜31以往是使用含有ZrO2
、SiO2
及In2
O3
的材料(ZrO2
-SiO2
-In2
O3
)。以二次離子質量分析法將以往的資訊記錄媒體中，L2層30之ZrO2
-SiO2
-In2
O3
之第1介電質膜31進行定性分析的結果，檢測出靶材成分中未含有的碳。從該結果可以推斷，濺鍍中所揮發之有機物混入了第1介電質膜31中。並且推斷L1層20之第1介電質膜21中亦同樣有有機物混入。
根據發明人等的實驗發現，在L2層30以較長的時間濺鍍第1介電質膜31時，再生耐久性會變差。L1層20也得到同樣的傾向。由此結果，吾等認為濺鍍時間愈長，會使更多的有機物因該熱輻射而從中間分離層揮發，混入L2層30之第1介電質膜31中，致使再生耐久性變差。
在本發明實施形態中，係以選自L0層10、L1層20及L2層30中之至少一層資訊層作為第1資訊層。
第1資訊層宜配置在比配置於距離照射雷射光6之面起最遠之位置的資訊層更靠近照雷射光6之面的位置，以L1層20或L2層30為第1資訊層較佳，至少L2層30為第1資訊層更佳，L1層20及L2層30為第1資訊層尤佳。
第1資訊層宜配置在最靠近照射雷射光6之面的位置，且至少L2層30為第1資訊層為宜。舉例來說，以L0層10及L2層30為第1資訊層為宜，L1層20及L2層30為第1資訊層較佳，L0層10、L1層20及L2層30為第1資訊層更佳。
在資訊記錄媒體100中於基板1形成有導引溝時，在本說明書中，權宜上將位在靠近照射雷射光6之面一側的面稱作「溝槽」，位在距離照射雷射光6之面較遠一側之面權宜上則稱為「溝台」。若在與該溝槽及溝台兩者對應之位置，於記錄膜上提高記錄密度(即縮短記號長)而形成坑(溝台-溝槽記錄)，即可使每1資訊層之容量成為譬如83.4GB。在資訊記錄媒體100中可以6層資訊層進行資訊之記錄及再生，因此資訊記錄媒體100可供作具有500GB之容量的資訊記錄媒體。導引溝如後述亦可形成於中間分離層2及3。尤其在L1層20及L2層30中實施溝台-溝槽記錄時，宜於中間分離層2及3形成導引溝。
3層資訊層的有效反射率可藉由分別調整L0層10、L1層20及L2層30之反射率及L1層20及L2層30之透射率來控制。本說明書中如上述係以積層了3層資訊層之狀態下測得的各資訊層之反射率定義為有效反射率。只要未特別提及，無記述為「有效」即表示在未積層之狀態下測得之反射率。另，反射率Rg
表示溝槽部在未記錄狀態下之溝部反射率，反射率Rl
表示溝台部在未記錄狀態下之溝部反射率。
在本實施形態中，舉一例說明設計成如下的構成：L0層10之有效反射率Rg
為3.5%且有效反射率Rl
為3.8%，L1層20之有效反射率Rg
為4.0%且有效反射率Rl
為4.3%，L2層30之有效反射率Rg
為5.8%且有效反射率Rl
為6.1%。
L2層30之透射率為80%且L1層20之透射率為77%時，若設計成L0層10之反射率Rg
為8.0%且反射率Rl
為8.5%、L1層20之反射率Rg
為6.0%且反射率Rl
為6.3%、L2層30之反射率Rg
為5.8%且反射率Rl
為6.1%，即可獲得前述有效反射率。此處的透射率表示記錄膜32、22、12在未記錄狀態時於溝槽部及溝台部的平均值。
在此說明再生光量。再生光量可藉由求出各層於記錄時的有效反射率及再生功率之積，將之除以100(記錄時之有效反射率R(%)×再生功率Pr(mW)/100)而求得。
第2代歸檔光碟需要較高的再生光量，所以製作溝台及溝槽記錄之500GB歸檔光碟時，於4倍速下之再生光量如下。
L0層10之再生光量：0.070(2.8%×2.5mW/100)
L1層20之再生光量：0.070(3.2%×2.2mW/100)
L2層30之再生光量：0.070(4.6%×1.6mW/100)
以下針對基板1、中間分離層2、中間分離層3、覆蓋層4及貼合層5之功能、材料及厚度加以說明。
基板1之材料可使用譬如聚碳酸酯、非晶聚烯烴或PMMA等樹脂或是玻璃。基板1宜為透明，亦可為半透明，未特別限定透明性。又，基板1之形狀無特別限定，亦可為圓盤狀。基板1係譬如厚度約0.5mm且直徑約120mm之圓盤狀物。
於基板1之L0層10側的表面可視需求形成有用以引導雷射光6之凹凸導引溝。於基板1形成有導引溝時，如同前述，靠近照射雷射光6之面一側的溝(面)稱作「溝槽」，距離照射雷射光6之面較遠之側的溝(面)稱作「溝台」。溝深(溝槽面與溝台面之高低差)譬如可為10nm以上且50nm以下。採用溝台-溝槽記錄方式且以高記錄密度作記錄時，為了降低串音之影響，亦可將溝深做加深設計。但，加深溝深反有反射率降低之傾向。為了能降低串音且同時可維持反射率，溝深宜為20nm以上且40nm以下。在實施形態1，溝台-溝槽間距離(溝槽寬度方向之中心和與該溝槽鄰接之溝台寬度方向之中心之間的距離)約0.225μm，但不在此限。
中間分離層2及3係由光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等之樹脂等構成，譬如由丙烯酸系樹脂所構成。中間分離層2及3對用來記錄及再生之波長λ之雷射光6的光吸收若小，便可使雷射光6有效率地抵達L0層10及L1層20。中間分離層2及3係為了區別L0層10、L1層20及L2層30之聚焦位置所設置。因此，中間分離層2及3的厚度可設為譬如焦點深度ΔZ以上，該焦點深度ΔZ係由接物鏡之開口數(NA)及雷射光6之波長λ決定。在將焦點之光強度基準假設為無像差時之80%的情況下，ΔZ可近似於ΔZ=λ/{2(NA)2
}。又，為了防止L1層20之背面焦點的影響，中間分離層2與中間分離層3之厚度可設為不同值。
中間分離層2及3亦可於雷射光6之入射側形成有凹凸導引溝。設於中間分離層2及3之導引溝的高低差及溝台-溝槽間距離則如同設在基板1之導引溝時所說明。在實施形態1中係設定溝深(溝槽面與溝台面之高低差)為30nm，溝台-溝槽間距離約0.225μm，但不受該等限定。
覆蓋層4係由譬如光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂或是介電質等所構成。覆蓋層4對使用之雷射光6的光吸收小。或者，覆蓋層4可使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂或是玻璃來形成。使用該等材料時，覆蓋層4可為片狀或薄板狀。片狀或薄板狀之覆蓋層4譬如可以光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等之樹脂作為接著劑，與L2層30之第2介電質膜33貼合來形成。覆蓋層4之厚度譬如可為在上述NA=0.91下能良好記錄及再生之厚度40μm~80μm左右，尤宜為50μm~65μm左右。
貼合層5係由譬如光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂所構成，用來使A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102接著。貼合層5之透明性無特別限定，可為透明亦可為半透明。亦可於貼合層5設置遮蔽雷射光6之膜。貼合層5之厚度可為5μm~80μm左右，尤宜為20μm~50μm左右。
將資訊記錄媒體100之厚度設成與BD規格之媒體同等厚度時，中間分離層2及3以及覆蓋層4的厚度總和可設定為100μm。譬如可將中間分離層2設定為約25μm厚度，中間分離層3設定為約18μm厚度，覆蓋層4則設定為約57μm厚度。
從更適用本發明之L2層30為第1資訊層時的L2層30之構成依序作說明。
L2層30係於中間分離層3之表面上至少依序積層第1介電質膜31及記錄膜32而形成。更可於記錄膜32之表面上積層第2介電質膜33。
L2層30為第1資訊層時，本實施形態之第1介電質膜31是即使在濺鍍中有從中間分離層3揮發之有機物(光聚合引發劑之部分未硬化成分或低分子成分)混入第1介電質膜31，也不會使L2層之再生耐久性劣化的優異的介電質材料。關於該理由，本發明人等推測藉由第1介電質膜31具有特定組成，即使有有機物(C等)混入第1介電質膜31，在連續照射再生功率之雷射光6的期間，有機物也不會與第1介電質膜31中之成分結合，因此不會使再生耐久性降低。
資訊記錄媒體100之資訊層的再生耐久性可藉由對已事先以最佳功率之雷射光6作記錄的記錄記號連續照射再生功率之雷射光6來進行評估。具體上，係定義為可再生100萬次(100萬道次)的最大再生功率。可否再生100萬道次，可以記錄訊號於100萬道次後之d-MLSE值的劣化量來判斷。d-MLSE值的劣化於1道次後若在1.5%以下，即可判斷可以該再生功率再生100萬道次。而可判斷，最大再生功率愈高，再生耐久性愈佳。在此，d-MLSE為500GB容量之歸檔光碟的記錄訊號品質之評估指標，乃Distribution Derived-Maximum Likelihood Sequence Error Estimation之簡稱。
前文已闡述再生耐久性為課題之一，若縮小記錄記號的尺寸，則用以再生的雷射光6對記錄記號照射多道次時，d-MLSE值的劣化量會比大尺寸的記錄記號更大。此乃因為記錄記號愈小，劣化面積佔記錄記號的比率愈大的緣故。
L2層30為第1資訊層時，本實施形態之第1介電質膜31至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn之至少一種元素D1，並且，令Zr、氧與元素D1之原子數合記為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之元素D1。
第1介電質膜31可使用Zr-O-Zn、Zr-O-Sn、Zr-O-Zn-Sn等，且宜使用Zr-O-Zn-Sn。O為氧。在此，符號「-」表示「混合」。因此，Zr-O-Zn表示混合有Zr、氧與Zn。Zr礦物中含有少量Hf，因此第1介電質膜31亦可含有Hf。
本實施形態之第1介電質膜31宜藉由含有Zr、氧與元素D1，以Zr與氧形成Zr之氧化物，並以元素D1與氧形成元素D1之氧化物。屆時，宜含有10莫耳%以上且70莫耳%以下之Zr之氧化物，且含有30莫耳%以上且90莫耳%以下之元素D1之氧化物。
藉由含有10莫耳%以上之Zr之氧化物，L2層30可實現優異的再生耐久性。若含有多於70莫耳%的Zr之氧化物，比電阻值會變大而無法進行脈衝DC濺鍍。而且成膜速度也會顯著變慢，故而生產性會降低。Zr之氧化物若少於10莫耳%，則再生耐久性會變差。
藉由使Zr之氧化物進一步含有30莫耳%以上之元素D1之氧化物，可降低靶材之比電阻值而使其具有導電性。藉此，可進行脈衝DC濺鍍。成膜速度會變得比高頻濺鍍法更快。並且，藉由含有40莫耳%以上之元素D1之氧化物，可進一步降低靶材之比電阻值，從而可進行DC濺鍍。成膜速度變得比脈衝DC濺鍍法更快，便能提高生產性。
元素D1之氧化物可為Zn之氧化物及Sn之氧化物中之至少一者。Zn之氧化物具有促使具備導電性的功能。Sn之氧化物具有提高成膜速度的功能。
作為Zr之氧化物，亦可含有ZrO2
。此外，作為元素D1之氧化物，亦可含有選自ZnO、SnO及SnO2
中之至少一者。Sn之氧化物以含有熔點高且透明的SnO2
較佳。
第1介電質膜31可由選自該等氧化物之2種以上氧化物之混合物構成，或可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。譬如，可為ZrO2
-ZnO。
Zr礦物中含有少量Hf，因此第1介電質膜31亦可含有Hf之氧化物。
作為第1介電質膜31，可使用ZrO2
-ZnO、ZrO2
-SnO2
、ZrO2
-ZnO-SnO2
等，且以ZrO2
-ZnO-SnO2
為佳。
使其含有70莫耳%(含40莫耳%ZnO與30莫耳%SnO2
)之元素D1之氧化物時，會形成表記為(ZrO2
)30
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%之組成比。
本發明實施形態之第1介電質膜31更可含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2，且以含有Mg為佳。因為藉由含有Mg作為元素D2，如後述可提升生產效率。
作為第1介電質膜31，
可使用Zr-Y-O-Zn、Zr-Ca-O-Zn、Zr-Mg-O-Zn、
Zr-Y-O-Sn、Zr-Ca-O-Sn、Zr-Mg-O-Sn、
Zr-Y-O-Zn-Sn、Zr-Ca-O-Zn-Sn、Zr-Mg-O-Zn-Sn、
Zr-Si-O-Zn、Zr-Si-O-Sn、Zr-Si-O-Zn-Sn，且以Zr-Mg-O-Zn、Zr-Mg-O-Sn、或Zr-Mg-O-Zn-Sn為佳，Zr-Mg-O-Zn-Sn較佳。
本發明實施形態之第1介電質膜31宜進一步含有元素D2，藉以元素D2與氧形成有元素D2之氧化物。元素D2之氧化物可為Si之氧化物、Y之氧化物、Ca之氧化物及Mg之氧化物中之至少一者。
ZrO2
可在1000℃附近從低溫型(單斜晶系)結晶結構可逆地相變成高溫型(立方晶系)結晶結構。這時會伴隨體積變化。於ZrO2
添加數%稀土族氧化物、CaO、MgO等，就會成為立方晶系結晶結構而不產生相變。這稱為穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。
本發明實施形態之第1介電質膜31，亦同樣宜為Zr之氧化物與元素D2之氧化物形成有穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。藉此，即使投入高功率(高電流、高電壓)進行量產，靶材也不易破損。屬稀土族元素之氧化物的元素D2中，又以Y之氧化物較佳，亦可使用Ce之氧化物等其他稀土族元素之氧化物。可含有Y2
O3
作為Y之氧化物，可含有CaO作為Ca之氧化物，可含有MgO作為Mg之氧化物。
藉由靶材含有Zr之氧化物作為穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯，可抑制在濺鍍中變高溫之靶材表面伴隨相變而起的可逆性體積變化。即使為了提高生產性而投入高功率反覆進行DC濺鍍或脈衝DC濺鍍，也不易從靶材表面產生裂痕，所以可將靶材用完到最後。元素D2之氧化物中添加了Y2
O3
的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯具優異的離子導電性，因此於實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍的情況而言較為適宜。
又，經由本發明人等的研討發現，形成第1介電質膜31時，在投入高濺鍍功率而實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍的情況下，比起含有Y之氧化物的靶材及含有Ca之氧化物的靶材，含有Mg之氧化物的靶材即使在較高的濺鍍功率下也不易於靶材表面產生裂痕。
所以，作為對應第1介電質膜31的靶材材料，藉由含有添加了Mg之氧化物的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯，可提升生產效率，故較佳。
在分別對應後述之第2介電質膜33、L1層20之第1介電質膜21、第2介電質膜23、L0層10之第1介電質膜11及第2介電質膜13的靶材材料，亦同樣宜含有添加了Mg之氧化物的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。
亦可相對於ZrO2
以1莫耳%至10莫耳%之比率添加元素D2之氧化物。
若超過10%，相變就會重現。
舉例來說，第1介電質膜31相對於ZrO2
含有10莫耳%之Y2
O3
時，
會形成表記為(ZrO2
)27.3
(Y2
O3
)2.7
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%之組成比。
舉例來說，第1介電質膜31相對於ZrO2
含有8.7莫耳%之MgO時，
會形成表記為(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)50
(SnO2
)25
莫耳%之組成比。
或是，亦可含有SiO2
作為Si之氧化物，且可與ZrO2
形成複合氧化物ZrSiO4
。採用穩定的正方晶系結晶結構，到1700℃左右都不會產生相變。而且該複合氧化物中亦可含有些許的Hf。
SiO2
與ZrO2
以莫耳比計宜以1：1之比例含有，且以莫耳比計在3%以上且35%以下為佳。舉例而言，第1介電質膜31於(ZrO2
)30
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%含有SiO2
時，以表記為(ZrO2
)15
(SiO2
)15
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%之組成比為佳。
SiO2
與ZrO2
以莫耳比計不在1：1之比例中亦可，屆時可存在選自SiO2
與ZrO2
中之至少一者與ZrSiO4
。
第1介電質膜31可使用：
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO、
ZrO2
-CaO-ZnO、
ZrO2
-MgO-ZnO、
ZrO2
-Y2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-CaO-SnO2
、
ZrO2
-MgO-SnO2
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-CaO-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO、
ZrO2
-SiO2
-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO、
ZrSiO4
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO-SnO2
等。
從生產效率的觀點來看，第1介電質膜31宜含有MgO，含有ZrO2
-MgO-ZnO、ZrO2
-MgO-SnO2
或ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
較佳，含有ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
更佳。
Hf與Zr的化學性質相似，因此可將第1介電質膜31之部分或全部ZrO2
取代成HfO2
。HfO2
的相結構變化在1700℃附近，高溫相比ZrO2
更為穩定。因此，將部分或全部ZrO2
取代成HfO2
，可期待靶材變得較不易破損。惟，Hf之地殼存在度少，所以比起ZrO2
，HfO2
價格高很多。
本發明實施形態之第1介電質膜31更可含有選自Ga及Al中之至少一種元素D3，且令Zr、氧、元素D1與元素D2及元素D3之原子數合計為100原子%時，含有7原子%以下之元素D3。元素D3宜為Ga。
作為第1介電質膜31含有之元素可使用：
Zr-O-Zn-Ga、Zr-O-Zn-Al、
Zr-O-Sn-Ga、Zr-O-Sn-Al、
Zr-O-Zn-Sn-Ga、Zr-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Y-O-Zn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Al、
Zr-Ca-O-Zn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Al、
Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、
Zr-Y-O-Sn-Ga、Zr-Y-O-Sn-Al
Zr-Ca-O-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Sn-Al、
Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、
Zr-Y-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Ca-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Si-O-Zn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Al、
Zr-Si-O-Sn-Ga、Zr-Si-O-Sn-Al、
Zr-Si-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Sn-Al等。
從生產效率的觀點來看，第1介電質膜31宜含有Mg，含有Mg及Ga較佳。第1介電質膜31宜含有Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga或Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al，含有Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga較佳。
本發明實施形態之第1介電質膜31宜進一步含有元素D3，藉以元素D3與氧形成有元素D3之氧化物。元素D3之氧化物可為Ga之氧化物及Al之氧化物中之至少一者。Ga之氧化物可為Ga2
O3
，Al之氧化物可為Al2
O3
。
本實施形態之第1介電質膜31含有7原子%以下之元素D3時，若令Zr之氧化物、元素D1之氧化物與元素D2之氧化物及元素D3之氧化物的莫耳數合計為100莫耳%時，含有8莫耳%以下之元素D3之氧化物。
於Zn之氧化物添加元素D3時，Zn之氧化物的比電阻值會降低。即，元素D3的功用在於提升Zn之氧化物的導電性。並且系統整體的導電性會提高，因此靶材變得容易進行DC濺鍍。成膜速度變快，生產性便會提高。元素D3之氧化物亦可以取代部分Zn之氧化物的形式作添加。
就元素D3之氧化物的添加量而言，少量即可獲得效果，宜為8莫耳%以下。若多於8莫耳%，比電阻值則也不會降低。
第1介電質膜31亦可使用：
ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
等。
或者，第1介電質膜31可與元素D2之氧化物混合而使用：
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-CaO-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-CaO-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-MgO-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-MgO-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrSiO4
-ZnO-Al2
O3
、
ZrSiO4
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrSiO4
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrSiO4
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-SiO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
等。
從生產效率的觀點來看，第1介電質膜31宜含有MgO，更宜含有MgO及Ga2
O3
。第1介電質膜31宜含有ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
、ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
、ZrO2
-MgO-SnO2
-Ga2
O3
、ZrO2
-MgO-SnO2
-Al2
O3
、ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
或ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
-SnO2
，含有ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
較佳。
舉例來說，第1介電質膜31含有2莫耳%之Ga2
O3
時，會形成表記為(ZrO2
)30
(ZnO)38
(Ga2
O3
)2
(SnO2
)30
莫耳%、或者
(ZrO2
)27.3
(Y2
O3
)2.7
(ZnO)38
(Ga2
O3
)2
(SnO2
)30
莫耳%之組成比。
舉例而言，第1介電質膜31含有1.1莫耳%之Ga2
O3
時，可使用表記為(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(Ga2
O3
)1.1
(SnO2
)25
莫耳%之組成比。
第1介電質膜31之厚度譬如可為5nm以上且40nm以下。較宜為8nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能降低而無法抑制水分侵入記錄膜32之情形。超過40nm，則有L2層30之反射率降低之情形。另，第1介電質膜31之厚度若大於40nm，有拉長第1介電質膜31成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第1介電質膜31之組成譬如可以X射線顯微分析器(XMA)、電子射線顯微分析器(EPMA)、EDS(能量分散型X射線分析)或拉塞福回向散射分析法(RBS)進行分析。後述之第1介電質膜21、11、記錄膜32、22、12及第2介電質膜33、23、13亦同樣可以該等手法分析所含之元素及其組成。
譬如在XMA的情況下，分析本發明實施形態之第1介電質膜31時，可分析每一元素的組成。舉例來說，若以XMA分析下述(a)組成(莫耳%)之第1介電質膜31，大致可取得(b)組成(原子%)。
(ZrO2
)30
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%…-(a)、
Zr11.5
Zn15.4
Sn11.5
O61.6
原子%…-(b)。
或者，分析(c)組成(莫耳%)，大致可取得(d)組成(原子%)。
(ZrO2
)27.3
(Y2
O3
)2.7
(ZnO)38
(Ga2
O3
)2
(SnO2
)30
莫耳%…-(c)、
Zr10.1
Y2.0
Zn14.0
Ga1.5
Sn11.1
O61.3
原子%…-(d)。
或者，分析(r)組成(莫耳%)，大致可取得(s)組成(原子%)。
(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(Ga2
O3
)1.1
(SnO2
)25
莫耳%…-(r)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Ga0.9
Sn10.0
O59.6
原子%…-(s)。
含有Zr時，有時亦會檢測出Hf。
在非晶膜的情況下，很難特定所形成之氧化物，因此是每一元素的組成。也可能是在第1介電質膜31之膜中形成有複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物，而有(b)、(d)及(s)之計算值與實際分析值不符的情況。
如上述，若於中間分離層3之表面上以濺鍍形成第1介電質膜31，有時有機物會因濺鍍之輻射熱而從中間分離層3揮發。這時，有機物會混入第1介電質膜31之與中間分離層3的邊界附近。該情況可藉由二次離子質量分析法於膜厚方向上進行元素分析，並在檢測出碳的情況下獲得驗證。
本發明實施形態之第1介電質膜31具有下列作用：調節光學的相位差以控制溝槽與溝台之訊號振幅的作用；調節剛性以控制記錄記號之凸起的作用；及，控制L2層30之反射率或透射率的作用。且，第1介電質膜31還具有抑制水分侵入記錄膜32的作用及抑制記錄膜32中之氧漏逸至外部的作用。
靶材之導電性不是用以往的In2
O3
，而是使用元素D1之氧化物及視需求使用元素D3之氧化物來確保。靶材之比電阻值宜為1Ω・cm以下。對此，後述之第1介電質膜21、11亦同。
第1介電質膜31係譬如利用濺鍍形成的奈米等級薄膜。所以，第1介電質膜31中所含氧化物會有因為濺鍍中的氧及/或金屬之缺損以及無法避免之不純物混入，而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之情形。基於該理由，在本實施形態及其他實施形態中第1介電質膜31所含氧化物無須非得為化學計量組成。又，在本說明書中以化學計量組成表示之材料亦包含因氧及/或金屬之缺損以及不純物混入等而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之物。對此，後述之第1介電質膜21、11亦同。
第1介電質膜31可實質上由Zr、氧與元素D1構成。
在此，「實質上」一詞係考慮到譬如當第1介電質膜31利用濺鍍形成時，無法避免地含有存在於濺鍍氣體環境中之稀有氣體(Ar、Kr、Xe)、水分、有機物(C)、空氣及源自配置在濺鍍室之夾具及靶材中所含不純物之其他元素的情況而使用。令第1介電質膜31中所含全部原子為100原子%時，可以10原子%為上限含有該等無法避免之成分。這部分亦適用含有元素D2、元素D3之情況。且，亦同樣可適用在針對後述之第1介電質膜21、11使用「實質上」一詞之情況。
L2層30為第1資訊層時，本發明實施形態之記錄膜32至少含有W、Cu、Mn與氧，更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M。
記錄膜32至少含有W、Cu、Mn與氧，所以譬如藉由照射雷射光6使氧(O)分離或使O彼此鍵結而形成成為記錄記號之膨脹部。該膨脹部之形成為非可逆變化，因此具備該記錄膜32之L2層為單寫多讀型。
在記錄膜32中，W、Cu及Mn分別可以W-O、Cu-O、Mn-O之氧化物形態存在。
記錄膜32中之W-O為透明氧化物，具有於對記錄膜32照射雷射光6時產生氧使記錄膜32膨脹的功能。又，使用含W之靶材以DC濺鍍形成記錄膜32時，靶材中之W具有穩定持續DC濺鍍的功能。記錄膜32中若不含W，記錄膜32便不會膨脹而難以形成記錄記號。使用含W之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜32時，W會在記錄膜32中形成W-O或與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
記錄膜32中之Cu-O係具有光吸收性之氧化物，負責使記錄膜32吸收雷射光6的功能。又，靶材中之Cu可賦予靶材導電性，以DC濺鍍形成記錄膜32時，具有穩定持續DC濺鍍的功能。若於記錄膜32使用不含Cu之靶材，DC濺鍍會變得非常困難。於記錄膜32使用含Cu之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜32時，Cu會在記錄膜32中形成Cu-O或與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
記錄膜32中之Mn-O為具有光吸收性之氧化物，具有對記錄膜32照射雷射光6時產生氧使記錄膜32膨脹的功能。記錄膜32中之Mn-O含量愈多，調變度就愈大，而訊號品質能獲提升。記錄膜32中若不含Mn-O，便無法形成品質良好的記錄記號。於記錄膜32使用含Mn-O之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜32時，Mn-O會即以此型態存在於記錄膜32中或是與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
記錄膜32藉由進一步含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M，可獲得大的調變度。
在記錄膜32中，Zn亦可以Zn-O之氧化物形態存在。
記錄膜32中之Zn-O為具有導電性之氧化物，使用含其之靶材利用DC濺鍍形成記錄膜32時，DC濺鍍之持續性較為穩定。又，藉由調整Zn-O量，可調整記錄膜32之透射率及光吸收率。惟，即使靶材中不含Zn-O，也能執行DC濺鍍。使用含Zn-O之靶材，一邊導入氧並一邊利用濺鍍形成記錄膜32時，Zn-O會即以此型態存在於記錄膜32中或是與其他元素結合而至少一部分成為複合氧化物。
在記錄膜32中，Nb、Mo、Ta及Ti亦可以Nb-O、Mo-O、Ta-O及Ti-O之氧化物形態存在。Nb、Mo、Ta及Ti分別可形成多種氧化數不同的氧化物。一般氧較多的氧化物為透明。譬如，NbO(鈮2價)與NbO2
(鈮4價)為黑色，Nb2
O5
(鈮5價)則為無色。亦存在馬格涅利相之氧化物Nb3n+1
O8n-2
。MoO2
(鉬4價)為黑色，MoO3
(鉬6價)為無色。亦存在MoO3
還原所得之藍色馬格涅利相之氧化物。TaO2
(鉭4價)為黑色，Ta2
O5
(鉭5價)為無色。TiO(鈦2價)為黑色，Ti2
O3
(鈦3價)為深紫色，TiO2
(鈦4價)為無色。
並且，本發明實施形態之記錄膜32宜W、Cu、Mn及元素M滿足下述式(1)：
Wx
Cuy
Mnz
M100-x-y-z
(原子%)…(1)
(前述式(1)中，
15≦x＜60、0＜y≦30、10≦z≦40、且、10≦100-x-y-z≦50)。
W、Cu、Mn及元素M滿足上述式之記錄膜32可優化L2層30之記錄再生特性。
式(1)中，x(W量)宜為15以上且60以下。x若在該範圍內，便可利用穩定的DC濺鍍形成記錄膜32，製得具有良好記錄再生特性的L2層。若15≦x，即可良好實施DC濺鍍。而且容易形成記錄記號，獲得良好的記錄再生特性。
x若低於15，實施DC濺鍍時，濺鍍可能變不穩定而容易發生異常放電。而且記錄膜32變得不易膨脹而難以形成記錄記號。x若超過60，於L2層30之記錄可能需要很大的雷射功率。
y(Cu量)滿足0＜y≦30。在記錄膜32的情況下，5≦y≦25較佳。藉由使y在25以下，可調整記錄膜32之光吸收率，使L2層之記錄感度最佳化，而可以符合規格的再生功率獲得良好的再生耐久性。使y大於0，便可輕易實施記錄膜32之脈衝DC濺鍍。此外，若為5以上，便可輕易實施記錄膜32之DC濺鍍。y若大於30，記錄膜32之光吸收會增加，記錄感度變佳，而記錄功率降低。同時最大再生功率也會降低，因此再生耐久性會變差。
z(Mn量)滿足10≦z≦40。L2層30位在最靠近照射雷射光6之面的位置，因此光學上會優先確保高透射率。所以，L2層30之記錄膜32可以z值小於L0層10之記錄膜12及L1層20之記錄膜22的組成比形成。在記錄膜32之情況下，10≦z≦25較佳。只要在該範圍內，即可抑制L2層30之光吸收率，確保高透射率而提高再生功率。
100-x-y-z(元素M量)滿足10≦100-x-y-z≦50。10≦100-x-y-z≦50時，L2層30之記錄再生特性良好。又，10≦100-x-y-z≦50時，記錄膜32之折射率與消光係數可獲最佳化而提高L2層30之透射率，同時可縮小吸收率而提高再生功率。元素M也具有使更多氧分離或鍵結，以促進記錄膜32之雷射光6之照射部膨脹的功能。100-x-y-z若大於50，元素M就會變得太多，而可能使得記錄膜32之記錄記號過度膨脹，致使記錄記號縮小鄰接軌道之記錄記號的振幅。其結果會使L2層30之記錄再生特性變差。而100-x-y-z只要在10以上，元素M之比率便相當充足，記錄膜32之記錄記號變得容易膨脹，從而提升記錄再生特性。
又，元素M可為選自Ta與Zn中之至少一者。
Ta以Ta-O的形式存在時，在元素M中是使記錄記號膨脹之功能最為優異的較佳材料。
關於Zn，則是藉由含有Zn，可在以DC濺鍍形成記錄膜32時進一步提升濺鍍之穩定性。所以，即使提高濺鍍功率或減少Ar氣，也不易發生異常放電，而可提升生產性。或者，亦具有提高L2層30之透射率的功能。
元素M為Ta及Zn時，Ta及Zn之原子數合計可為10≦100-x-y-z≦50。
記錄膜32之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜32便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以d-MLSE會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜32之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜32成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜32之組成譬如可為：
W-Cu-Mn-Zn-O(O：氧)、
W-Cu-Mn-Nb-O、
W-Cu-Mn-Nb-Zn-O、
W-Cu-Mn-Nb-Ta-O、
W-Cu-Mn-Nb-Ta-Zn-O、
W-Cu-Mn-Mo-O、
W-Cu-Mn-Mo-Zn-O、
W-Cu-Mn-Mo-Ta-O、
W-Cu-Mn-Mo-Ta-Zn-O、
W-Cu-Mn-Ta-O、
W-Cu-Mn-Ta-Zn-O、
W-Cu-Mn-Ti-O、
W-Cu-Mn-Ti-Zn-O、
W-Cu-Mn-Ti-Ta-O、
W-Cu-Mn-Ti-Ta-Zn-O等。
記錄膜32中之W可以透明性高的WO3
之形態存在。於記錄膜32中亦可含有金屬W、WO2
、WO2
與WO3
之中間氧化物(W18
O49
、W20
O58
、W50
O148
、W40
O119
等)或馬格涅利相(Wn
O3n-1
)。
記錄膜32中之Cu亦可以CuO或Cu2
O之形態存在。記錄膜32中亦可含有金屬Cu。
記錄膜32膜中之Mn亦可以選自MnO、Mn3
O4
、Mn2
O3
及MnO2
中之至少一氧化物的形態存在。記錄膜32中亦可含有金屬Mn。
記錄膜32中之Nb可以無色的Nb2
O5
或NbOx
之形態存在。Nb2
O5
與NbOx
可以混合存在。於記錄膜32中亦可含有NbO、NbO2
或馬格涅利相(Nb3n+1
O8n-2
)。記錄膜32中亦可含有金屬Nb。
記錄膜32中之Mo可以無色的MoO3
之形態存在。於記錄膜32中亦可含有MoO2
、MoO2
與MoO3
之中間氧化物(Mo3
O8
、Mo4
O11
、Mo5
O14
、Mo8
O23
、Mo9
O26
、Mo17
O47
等)或馬格涅利相(Mon
O3n-2
)。記錄膜32中亦可含有金屬Mo。
記錄膜32中之Ta可以無色的Ta2
O5
之形態存在。於記錄膜32中亦可含有TaO2
。記錄膜32中亦可含有金屬Ta。
記錄膜32中之Ti可以無色的TiO2
或TiOx
之形態存在。TiO2
與TiOx
亦可混合存在。於記錄膜32中亦可含有TiO、Ti2
O3
、Ti2
O5
或馬格涅利相(Tin
O2n-1
)。記錄膜32中亦可含有金屬Ti。
記錄膜32中亦可存在含有選自W、Cu、Mn及元素M中之2種以上金屬的複合氧化物。
當記錄膜32之組成譬如為W-Cu-Mn-Zn-O時，記錄膜32之系統可為WO3
-CuO-MnO2
-ZnO、WO3
-CuO-Mn2
O3
-ZnO、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-ZnO、WO3
-CuO-MnO-ZnO、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-ZnO、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-ZnO、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-ZnO及WO3
-Cu2
O-MnO-ZnO等。或者，亦可含有氧化鎢之馬格涅利相。該等系統中，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。
當記錄膜32之組成譬如為W-Cu-Mn-Nb-O時，記錄膜32之系統可為WO3
-CuO-MnO2
-Nb2
O5
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-Nb2
O5
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-Nb2
O5
、WO3
-CuO-MnO-Nb2
O5
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-Nb2
O5
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-Nb2
O5
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-Nb2
O5
、WO3
-Cu2
O-MnO-Nb2
O5
、
WO3
-CuO-MnO2
-NbO、WO3
-CuO-Mn2
O3
-NbO、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-NbO、WO3
-CuO-MnO-NbO、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-NbO、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-NbO、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-NbO、WO3
-Cu2
O-MnO-NbO、
WO3
-CuO-MnO2
-NbO2
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-NbO2
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-NbO2
、WO3
-CuO-MnO-NbO2
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-NbO2
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-NbO2
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-NbO2
、WO3
-Cu2
O-MnO-NbO2
等。在此所示系統中，亦可取代Nb2
O5
而存在NbOx
，或可Nb2
O5
及NbOx
混合存在。或者，亦可含有氧化鎢、氧化鈮之馬格涅利相。該等系統中，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。此外，在此所示系統中亦可含有ZnO。
當記錄膜32之組成譬如為W-Cu-Mn-Mo-O時，記錄膜32之系統可為WO3
-CuO-MnO2
-MoO3
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-MoO3
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-MoO3
、WO3
-CuO-MnO-MoO3
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-MoO3
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-MoO3
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-MoO3
、WO3
-Cu2
O-MnO-MoO3
、
WO3
-CuO-MnO2
-MoO2
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-MoO2
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-MoO2
、WO3
-CuO-MnO-MoO2
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-MoO2
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-MoO2
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-MoO2
、WO3
-Cu2
O-MnO-MoO2
等。或者，亦可含有氧化鎢、氧化鉬之馬格涅利相。該等系統中，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。此外，在此所示系統中亦可含有ZnO。
當記錄膜32之組成譬如為W-Cu-Mn-Ta-O時，記錄膜32之系統可為WO3
-CuO-MnO2
-Ta2
O5
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-Ta2
O5
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-Ta2
O5
、WO3
-CuO-MnO-Ta2
O5
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-Ta2
O5
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-Ta2
O5
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-Ta2
O5
、WO3
-Cu2
O-MnO-Ta2
O5
、
WO3
-CuO-MnO2
-TaO2
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-TaO2
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-TaO2
、WO3
-CuO-MnO-TaO2
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-TaO2
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-TaO2
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-TaO2
及WO3
-Cu2
O-MnO-TaO2
等。或者，亦可含有氧化鎢之馬格涅利相。該等系統中，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。
記錄膜32之組成譬如為W-Cu-Mn-Ti-O時，記錄膜32之系統可為WO3
-CuO-MnO2
-TiO2
、WO3
-CuO-Mn2
O3
-TiO2
、
WO3
-CuO-Mn3
O4
-TiO2
、WO3
-CuO-MnO-TiO2
、
WO3
-Cu2
O-MnO2
-TiO2
、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-TiO2
、
WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-TiO2
、WO3
-Cu2
O-MnO-TiO2
等。亦可取代TiO2
而存在TiOx
，或可TiO2
及TiOx
混合存在。或者，亦可含有氧化鎢、氧化鈦之馬格涅利相。該等系統中，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。此外，在此所示系統中亦可含有ZnO。
記錄膜32之組成譬如為W-Cu-Mn-Ta-Zn-O時，記錄膜32之系統可為WO3
-CuO-MnO2
-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-CuO-Mn2
O3
-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-CuO-Mn3
O4
-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-CuO-MnO-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-Cu2
O-MnO2
-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-Ta2
O5
-ZnO、WO3
-Cu2
O-MnO-Ta2
O5
-ZnO、
WO3
-CuO-MnO2
-TaO2
-ZnO、WO3
-CuO-Mn2
O3
-TaO2
-ZnO、WO3
-CuO-Mn3
O4
-TaO2
-ZnO、WO3
-CuO-MnO-TaO2
-ZnO、WO3
-Cu2
O-MnO2
-TaO2
-ZnO、WO3
-Cu2
O-Mn2
O3
-TaO2
-ZnO、WO3
-Cu2
O-Mn3
O4
-TaO2
-ZnO、WO3
-Cu2
O-MnO-TaO2
-ZnO等。或者，亦可含有氧化鎢之馬格涅利相。該等系統中，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。
如此一來，記錄膜32若含有多種氧化物且氧以外之元素W、Cu、Mn及M之組成滿足下述式(1)：
Wx
Cuy
Mnz
M100-x-y-z
(原子%)…(1)
(式中，x、y及z為15≦x≦60、0＜y≦30、10≦z≦40且10≦100-x-y-z≦50)，即可獲得可確保記錄再生大容量(譬如每1光碟500GB)資訊所需之S/N的再生光量。
記錄膜32中所含氧之比率在令金屬元素與氧之原子數合計為100原子%時，可為60原子%以上且80原子%以下。氧之比率若低於60原子%，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。氧之比率若超過80原子%，記錄感度變太差而需要很大的功率來進行記錄，高速記錄也會變得困難。
記錄膜32可實質上由W、Cu、Mn、氧及元素M構成。在此，「實質上」一詞係考慮到譬如當記錄膜32利用濺鍍形成時，無法避免地含有存在於濺鍍氣體環境中之稀有氣體(Ar、Kr、Xe)、水分、有機物(C)、空氣及源自配置在濺鍍室之夾具及靶材中所含不純物之其他元素的情況而使用。令記錄膜32中所含全部原子為100原子%時，可以10原子%為上限含有該等無法避免之成分。該定義同樣可適用在針對後述之記錄膜22、12使用「實質上」一詞之情況。
記錄膜32係譬如利用濺鍍形成的奈米等級薄膜。所以，記錄膜32中所含氧化物會有因為濺鍍中的氧及/或金屬之缺損以及無法避免之不純物混入，而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之情形。基於該理由，在本實施形態及其他實施形態中記錄膜32所含氧化物無須非得為化學計量組成。又，在本說明書中以化學計量組成表示之材料亦包含因氧及/或金屬之缺損以及不純物混入等而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之物。此外，亦可形成複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。對此，後述之記錄膜22、12亦同。
本實施形態之第2介電質膜33可配置在記錄膜32之照射雷射光6之面側。
L2層30為第1資訊層時，第1資訊層宜自照射雷射光6之面由遠朝近依序包含第1介電質膜31、記錄膜32及第2介電質膜33；第2介電質膜33至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1；並且，令Zr、氧與前述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之前述元素D1。
本實施形態之第2介電質膜33可與第1介電質膜31同樣使用Zr-O-Zn、Zr-O-Sn、Zr-O-Zn-Sn等，且宜使用Zr-O-Zn-Sn。O為氧。在此，符號「-」表示「混合」。因此，Zr-O-Zn表示混合有Zr、氧與Zn。Zr礦物中含有少量Hf，因此第2介電質膜33亦可含有Hf。
第2介電質膜33宜藉由含有Zr、氧與元素D1，以Zr與氧形成Zr之氧化物，並以元素D1與氧形成元素D1之氧化物。屆時，宜含有10莫耳%以上且70莫耳%以下之Zr之氧化物，且含有30莫耳%以上且90莫耳%以下之元素D1之氧化物。
藉由含有10莫耳%以上之Zr之氧化物，L2層30可實現優異的再生耐久性。若含有多於70莫耳%的Zr之氧化物，比電阻值會變大而無法進行脈衝DC濺鍍。而且成膜速度也會顯著變慢，故而生產性會降低。Zr之氧化物若少於10莫耳%，則再生耐久性變差。
藉由使Zr之氧化物進一步含有30莫耳%以上之元素D1之氧化物，可降低靶材之比電阻值而使其具有導電性。藉此，可進行脈衝DC濺鍍。成膜速度會變得比高頻濺鍍法更快。並且，藉由含有40莫耳%以上之元素D1之氧化物，可進一步降低靶材之比電阻值，從而可進行DC濺鍍。成膜速度變得比脈衝DC濺鍍法更快，而提高生產性。
元素D1之氧化物可為Zn之氧化物及Sn之氧化物中之至少一者。Zn之氧化物具有促使具備導電性的功能。Sn之氧化物具有提高成膜速度的功能。
作為Zr之氧化物，亦可含有ZrO2
。此外，作為元素D1之氧化物，亦可含有選自ZnO、SnO及SnO2
中之至少一者。Sn之氧化物以含有熔點高且透明的SnO2
較佳。
第2介電質膜33可由選自該等氧化物之2種以上氧化物之混合物構成，或可由以2種以上氧化物形成之複合氧化物構成。譬如，可為ZrO2
-ZnO。
Zr礦物中含有少量Hf，因此第2介電質膜33亦可含有Hf之氧化物。
第2介電質膜33與第1介電質膜31同樣可使用ZrO2
-ZnO、ZrO2
-SnO2
、ZrO2
-ZnO-SnO2
等。
使其含有70莫耳%(含40莫耳%ZnO與30莫耳%SnO2
)之元素D1之氧化物時，會形成表記為(ZrO2
)30
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%之組成比。
第2介電質膜33更可含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
第2介電質膜33可使用：
Zr-Y-O-Zn、Zr-Ca-O-Zn、Zr-Mg-O-Zn、
Zr-Y-O-Sn、Zr-Ca-O-Sn、Zr-Mg-O-Sn、
Zr-Y-O-Zn-Sn、Zr-Ca-O-Zn-Sn、Zr-Mg-O-Zn-Sn、
Zr-Si-O-Zn、Zr-Si-O-Sn、Zr-Si-O-Zn-Sn等。
從生產效率的觀點來看，第2介電質膜33宜含有Mg。第2介電質膜33宜含有Zr-Mg-O-Zn、Zr-Mg-O-Sn或Zr-Mg-O-Zn-Sn，含有Zr-Mg-O-Zn-Sn較佳。
第2介電質膜33宜進一步含有元素D2，藉此讓元素D2與氧形成了元素D2之氧化物。元素D2之氧化物可為Si之氧化物、Y之氧化物、Ca之氧化物及Mg之氧化物中之至少一者。
第2介電質膜33，亦同樣宜為Zr之氧化物與元素D2之氧化物形成了穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。藉此，即使投入高功率進行量產，靶材也不易破損。稀土族元素之氧化物中，又以Y之氧化物較佳，但亦可使用Ce之氧化物等其他稀土族元素之氧化物。可含有Y2
O3
作為Y之氧化物，可含有CaO作為Ca之氧化物，可含有MgO作為Mg之氧化物。
藉由靶材含有Zr之氧化物作為穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯，可抑制在濺鍍中變高溫之靶材表面伴隨相變而起的可逆性體積變化。即使為了提高生產性而投入高功率反覆進行DC濺鍍或脈衝DC濺鍍，也不易從靶材表面產生裂痕，所以可將靶材用完到最後。元素D2之氧化物中添加了Y2
O3
的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯具優異的離子導電性，因此於實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍的情況而言較為適宜。
另，從生產效率的觀點來看，宜含有添加有Mg之氧化物的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。
於第2介電質膜33中，亦可相對於ZrO2
以1莫耳%至10莫耳%之比率添加元素D2之氧化物。譬如，當第2介電質膜33相對於ZrO2
含有10莫耳%之Y2
O3
時，會形成表記為(ZrO2
)27.3
(Y2
O3
)2.7
(ZnO)40
(SnO2
)30
莫耳%之組成比。
譬如，當第2介電質膜33相對於ZrO2
含有8.7莫耳%之MgO時，會形成表記為(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)50
(SnO2
)25
莫耳%之組成比。
第2介電質膜33可使用：
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO、
ZrO2
-CaO-ZnO、
ZrO2
-MgO-ZnO、
ZrO2
-Y2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-CaO-SnO2
、
ZrO2
-MgO-SnO2
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-CaO-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO、
ZrO2
-SiO2
-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO、
ZrSiO4
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO-SnO2
等。
從生產效率的觀點來看，第2介電質膜33宜含有MgO，第2介電質膜33含有ZrO2
-MgO-ZnO、ZrO2
-MgO-SnO2
、或ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
較佳，含有ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
較佳。
Hf與Zr的化學性質相似，因此可將第2介電質膜33之部分或全部ZrO2
取代成HfO2
。有關HfO2
已於第1介電質膜31中說明，故予以省略。
第2介電質膜33更可含有選自Ga及Al中之至少一種元素D3，且令Zr、氧、元素D1與元素D2及元素D3之原子數合計為100原子%時，含有7原子%以下之元素D3。
作為第2介電質膜33可含之元素可使用：
Zr-O-Zn-Ga、Zr-O-Zn-Al、
Zr-O-Sn-Ga、Zr-O-Sn-Al、
Zr-O-Zn-Sn-Ga、Zr-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Y-O-Zn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Al、
Zr-Ca-O-Zn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Al、
Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、
Zr-Y-O-Sn-Ga、Zr-Y-O-Sn-Al
Zr-Ca-O-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Sn-Al、
Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、
Zr-Y-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Ca-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Si-O-Zn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Al、
Zr-Si-O-Sn-Ga、Zr-Si-O-Sn-Al、
Zr-Si-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Sn-Al等。
從生產效率的觀點來看，第2介電質膜33宜含有Mg，含有Mg與Ga較佳。第2介電質膜33宜含有Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga或Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al，含有Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga較佳。
本發明實施形態之第2介電質膜33宜進一步含有元素D3，藉以元素D3與氧形成有元素D3之氧化物。元素D3之氧化物可為Ga之氧化物及Al之氧化物中之至少一者。Ga之氧化物可為Ga2
O3
，Al之氧化物可為Al2
O3
。
第2介電質膜33含有7原子%以下之元素D3時，若令Zr之氧化物、元素D1之氧化物與元素D2之氧化物及元素D3之氧化物的莫耳數合計為100莫耳%時，含有8莫耳%以下之元素D3之氧化物。
於Zn之氧化物添加元素D3時，Zn之氧化物的比電阻值會降低。即，元素D3的功用在於提升Zn之氧化物的導電性。並且系統整體的導電性會提高，因此靶材變得容易進行DC濺鍍。成膜速度變快，生產性便會提高。可以取代部分Zn之氧化物的形式作添加。
就元素D3之氧化物的添加量而言，少量即可獲得效果，宜為8莫耳%以下。若多於8莫耳%，比電阻值則也不會降低。
第2介電質膜33亦可使用：
ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
等。
或者，第2介電質膜33可與元素D2之氧化物混合而使用：
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-CaO-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-CaO-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-MgO-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-MgO-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-CaO-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Al2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-SiO2
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO-Ga2
O3
、
ZrSiO4
-ZnO-Al2
O3
、
ZrSiO4
-SnO2
-Ga2
O3
、
ZrSiO4
-SnO2
-Al2
O3
、
ZrSiO4
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZnO-Al2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-SiO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrSiO4
-ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
等。
第2介電質膜33宜含有MgO，且含有MgO與Ga2
O3
較佳。第2介電質膜33較宜含有ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
、ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
、ZrO2
-MgO-SnO2
-Ga2
O3
、ZrO2
-MgO-SnO2
-Al2
O3
、ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
或ZrO2
-MgO-ZnO-Al2
O3
-SnO2
，含有ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
更佳。
舉例來說，第2介電質膜33含有2莫耳%之Ga2
O3
時，會形成表記為(ZrO2
)30
(ZnO)38
(Ga2
O3
)2
(SnO2
)30
莫耳%、或
(ZrO2
)27.3
(Y2
O3
)2.7
(ZnO)38
(Ga2
O3
)2
(SnO2
)30
莫耳%之組成比。
舉例而言，第2介電質膜33含有1.1莫耳%之Ga2
O3
時，可使用表記為(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(Ga2
O3
)1.1
(SnO2
)25
莫耳%之組成比。
第2介電質膜33與第1介電質膜31同樣具有調節光學相位差以控制訊號振幅的作用、控制記錄坑之凸起以控制訊號振幅的作用、以及控制L2層30之反射率或透射率的作用。
且，第2介電質膜33也具有抑制水分從覆蓋層4側侵入記錄膜32的作用、及抑制記錄膜32中之氧漏逸至外部的作用。第2介電質膜33還兼具抑制有機物從覆蓋層4混入記錄膜32、或確保L2層30與覆蓋層4之密著性的功能。
第2介電質膜33是以濺鍍而形成於記錄膜32之表面，因此從中間分離層3揮發之有機物之量比第1介電質膜31要少。因為在依序濺鍍第1介電質膜31、記錄膜32期間，透過真空排氣，揮發之有機物也會被排出。實際上在第2介電質膜33濺鍍中，以四極質量分析計計測真空室之氣體成分的結果，得到碳(C)量比第1介電質膜31濺鍍中更少。因此，第2介電質膜33受有機物之影響很少，所以其材料可與第1介電質膜31之材料為相同材料，亦可為不同的材料。
第2介電質膜33之厚度譬如可為5nm以上且40nm以下。較宜為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能降低而無法抑制水分侵入記錄膜32之情形。超過40nm，則有L2層30之反射率降低之情形。
譬如在XMA的情況下，分析本發明實施形態之第2介電質膜33時，可分析每一元素的組成。舉例來說，若以XMA分析下述(e)組成(莫耳%)之第2介電質膜33，大致可取得(f)組成(原子%)。
(ZrO2
)25
(ZnO)50
(SnO2
)25
莫耳%…-(e)、
Zr10
Zn20
Sn10
O60
原子%…-(f)。
或者，分析(g)組成(莫耳%)，大致可取得(h)組成(原子%)。
{(ZrO2
)0.95
(Y2
O3
)0.05
}25
(ZnO)46
(Al2
O3
)4
(SnO2
)25
莫耳%…-(g)、
Zr9.0
Y0.9
Zn17.4
Al3.0
Sn9.5
O60.2
原子%…-(h)。
或者，分析(t)組成(莫耳%)，大致可取得(u)組成(原子%)。
(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)47.5
(Ga2
O3
)2.5
(SnO2
)25
莫耳%…-(t)、
Zr9.0
Mg0.8
Zn18.6
Ga2.0
Sn9.8
O59.8
原子%…-(u)。
含有Zr時，有時亦會檢測出Hf。
在非晶膜的情況下，很難特定所形成之氧化物，因此是每一元素的組成。也可能是在第2介電質膜33之膜中形成有複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物，而有(f)、(h)及(u)之計算值與實際分析值不符的情況。
靶材之導電性不是用以往的In2
O3
，而是使用元素D1及視需求用元素D3來確保。靶材之比電阻值宜為1Ω・cm以下。對此，後述之第2介電質膜23、13亦同。
第2介電質膜33可實質上由Zr之氧化物與元素D1構成。在此，「實質上」一詞係考慮到譬如當第2介電質膜33利用濺鍍形成時，無法避免地含有存在於濺鍍氣體環境中之稀有氣體(Ar、Kr、Xe)、水分、有機物(C)、空氣及源自配置在濺鍍室之夾具及靶材中所含不純物之其他元素的情況而使用。令第2介電質膜33中所含全部原子為100原子%時，可以10原子%為上限含有該等無法避免之成分。這部分亦適用含有元素D2、元素D3之情況。且，亦同樣可適用在針對後述之第2介電質膜23、13使用「實質上」一詞之情況。
第2介電質膜33可使用與第1介電質膜31不同的材料，屆時，可至少含有Zr、氧與In。如上述，第2介電質膜33之從中間分離層3揮發之有機物的影響比第1介電質膜31更小，因此可使其含有In。Zr礦物中含有少量Hf，因此第2介電質膜33亦可含有Hf。
作為第2介電質膜33，可使用Zr-O-In。
第2介電質膜33宜Zr與氧形成Zr之氧化物，且In與氧形成In之氧化物。In之氧化物有助於提升靶材之導電性。
Zr之氧化物可為ZrO2
，In之氧化物可為In2
O3
。Zr之氧化物及In之氧化物為透明的氧化物，且可提高第2介電質膜33與覆蓋層4之密著性。Zr礦物中含有少量Hf，因此第2介電質膜33中亦可含有HfO2
。
作為第2介電質膜33，可使用ZrO2
-In2
O3
。
第2介電質膜33更可含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
第2介電質膜33可使用：
Zr-O-In-Si、
Zr-O-In-Y、
Zr-O-In-Ca、
Zr-O-In-Mg等。
第2介電質膜33宜形成有元素D2之氧化物。元素D2之氧化物可為Si之氧化物、Y之氧化物與Ca之氧化物及Mg之氧化物中之至少一者。
Si之氧化物可為SiO2
，Y之氧化物可為Y2
O3
，Ca之氧化物可為CaO，Mg之氧化物可為MgO。
元素D2之氧化物為選自Si之氧化物、Y之氧化物、Ca之氧化物及Mg之氧化物中之至少一者之氧化物時，宜以添加於Zr之氧化物中之形態形成有穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。亦可使用Y以外之稀土族金屬之氧化物。譬如，亦可使用CeO2
。
第2介電質膜33可使用：
ZrO2
-In2
O3
-SiO2
、
(ZrO2
-Y2
O3
)-In2
O3
、
(ZrO2
-CaO)-In2
O3
、
(ZrO2
-MgO)-In2
O3
、
(ZrO2
-Y2
O3
)-In2
O3
-SiO2
、
(ZrO2
-CaO)-In2
O3
-SiO2
、
(ZrO2
-MgO)-In2
O3
-SiO2
等。
譬如在XMA的情況下，分析本發明實施形態之第2介電質膜33時，可分析每一元素的組成。舉例來說，若以XMA分析下述(i)組成(莫耳%)之第2介電質膜33，大致可取得(j)組成(原子%)。
(ZrO2
)25
(In2
O3
)50
(SiO2
)25
莫耳%…-(i)、
Zr6.3
In25
Si6.3
O62.4
原子%…-(j)。
或者，分析(k)組成(莫耳%)，大致可取得(m)組成(原子%)。
(ZrO2
)22.7
(Y2
O3
)2.3
(In2
O3
)50
(SiO2
)25
莫耳%…-(k)、
Zr5.6
Y1.1
In24.7
Si6.2
O62.4
原子%…-(m)。
在非晶膜的情況下，很難特定所形成之氧化物，因此是每一元素的組成。也可能是在第2介電質膜33之膜中形成有複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物，而有(j)及(m)之計算值與實際分析值不符的情況。
使第2介電質膜33含有In2
O3
，可降低靶材之比電阻值，提高導電性。或者，亦可減少第2介電質膜33中所含In2
O3
，使其含有元素D1。
譬如可使用：
ZrO2
-In2
O3
-ZnO、
ZrO2
-In2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-In2
O3
-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-In2
O3
-ZnO-SiO2
、
ZrO2
-In2
O3
-SnO2
-SiO2
、
ZrO2
-In2
O3
-ZnO-SnO2
-SiO2
等。
或者，第2介電質膜33可含有In之氧化物與Sn之氧化物，
譬如可使用In2
O3
-SnO2
、(In2
O3
)90
(SnO2
)10
重量%(ITO)等。
第2介電質膜33至少可含有Zr、氧與In，且可實質上由Zr之氧化物與In之氧化物構成。這部分亦適用含有元素D2之情況。另，亦同樣可適用於後述之第2介電質膜23、13。
第2介電質膜33係譬如利用濺鍍形成的奈米等級薄膜。所以，第2介電質膜33中所含氧化物會有因為濺鍍中的氧及/或金屬之缺損以及無法避免之不純物混入，而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之情形。基於該理由，在本實施形態及其他實施形態中第2介電質膜33所含氧化物無須非得為化學計量組成。又如前述，在本說明書中以化學計量組成表示之材料亦包含因氧及/或金屬之缺損以及不純物混入等而在嚴謹定義下不構成化學計量組成之物。這部分亦同樣適用與第1介電質膜31之材料相同的材料上，不同材料也適用。對此，後述之第2介電質膜23、13亦同。
第1介電質膜31、記錄膜32及第2介電質膜33的具體厚度可採用根據矩陣法(譬如參考久保田廣著「波動光學」岩波書店，1971年，第3章)之計算來設計。藉由調整各膜厚度，可調整記錄膜32之在未記錄與記錄時的各反射率及反射光在記錄部-未記錄部間的相位差，使再生訊號之訊號品質最佳化。
接下來說明L1層20之構成。L1層20係於中間分離層2之表面上至少依序積層第1介電質膜21及記錄膜22而形成。更可於記錄膜22之表面上積層第2介電質膜23。
本發明實施形態之第1介電質膜21的功能與前述L2層30之第1介電質膜31的功能相同。且，第1介電質膜21還具有使中間分離層2與L1層20密著之作用。第1介電質膜21之材料使用與第1介電質膜31相同之材料較佳。此乃因為L1層20也是於中間分離層2之表面上以濺鍍形成第1介電質膜21，所以第1介電質膜21會受從中間分離層2揮發之有機物所影響。
因此，第1介電質膜21亦可至少含有Zr與氧且更含有元素D1，並且，令Zr、氧與元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之元素D1。更可含有元素D2，且更可含有元素D3，並且，令Zr、元素D1與元素D2及元素D3之原子數合計為100原子%時，可含有7原子%以下之元素D3。
藉由該形態，L1層20亦與L2層30同樣地，於第1介電質膜21之濺鍍中即使有機物從中間分離層2揮發，依舊可獲得良好的再生耐久性。
第1介電質膜21之厚度可為5nm以上且40nm以下。若低於5nm，會有與中間分離層2之密著性降低而減弱抑制水分侵入記錄膜22的保護功能之情形。超過40nm，則有L1層20之反射率降低之情形。另，第1介電質膜21之厚度若大於40nm，有拉長第1介電質膜21成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
記錄膜22之功能同於前述L2層30之記錄膜32之功能。而且，記錄膜22宜至少含有W、Cu、Mn與氧且更含有元素M。
記錄膜22至少含有W、Cu、Mn與氧，所以譬如亦可藉由照射雷射光6使氧(O)分離或使O彼此鍵結而形成成為記錄記號之膨脹部。該膨脹部之形成為非可逆變化，因此具備該記錄膜22之L1層20為單寫多讀型。
記錄膜22之材料宜與記錄膜32相同。L1層20被中間分離層2及3包夾，所以兩者為硬質時，記錄膜22之記錄記號會變得不易膨脹。屆時，記錄膜22較宜含有使記錄記號膨脹之功能最為優異的Ta作為元素M。
記錄膜22中所含氧之比率在令金屬元素與氧之原子數合計為100原子%時，譬如可為60原子%以上且80原子%以下。
記錄膜22之膜厚宜為15nm以上且50nm以下，更宜為25nm以上且45nm以下。膜厚若薄於15nm，記錄膜22便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以d-MLSE會變差。膜厚若超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜22之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜22成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜23之功能同於前述L2層30之第2介電質膜33之功能。第2介電質膜23之材料可使用與第2介電質膜33相同之材料。且，可與第1介電質膜21為相同材料，亦可為不同材料。
第2介電質膜23之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能降低而無法抑制水分侵入記錄膜22之情形；超過30nm，則有L1層20之反射率降低之情形。
接下來說明L0層10之構成。L0層10係於基板1之表面上至少依序積層第1介電質膜11及記錄膜12而形成。
更可於記錄膜12之表面上積層第2介電質膜13。
第1介電質膜11具有調節光學相位差以控制訊號振幅的作用以及調整記錄記號之凸起以控制訊號振幅的作用。且，第1介電質膜11還具有抑制水分侵入記錄膜12的作用及抑制記錄膜12中之氧漏逸至外部的作用。並且，第1介電質膜11還具有使基板1與L0層10密著的作用。
第1介電質膜11亦可以濺鍍形成在基板1之表面上。基板1為成形基板，宜使用譬如聚碳酸酯。聚碳酸酯為熱塑性樹脂，不含光聚合引發劑。而且低分子成分也少，因此於第1介電質膜11之濺鍍中可揮發之成分很少，從而第1介電質膜11有別於第1介電質膜21及31，不易受有機物影響。因此，第1介電質膜11可使用與第1介電質膜31相同之材料，亦可使用與第2介電質膜33相同之材料。
第1介電質膜11譬如含有Zr、氧與元素D1。
此外，經由本發明人等之研討發現，L0層10若於第1介電質膜11使用含有Zr、氧與元素D1之材料，則與使用含有Zr、氧與In之材料的情況相較下，再生耐久性較佳。
舉例而言，第1介電質膜11可使用Zr-O-Zn-Sn等。
材料形成有氧化物時，第1介電質膜11宜使用ZrO2
-ZnO-SnO2
。
或者可含有元素D2，第1介電質膜11可使用Zr-O-Zn-Sn-Y等。
因與第1介電質膜21及31同樣地可抑制靶材產生裂痕，故第1介電質膜11較宜使用含有Mg之Zr-O-Zn-Sn-Mg。
材料形成有氧化物時，第1介電質膜11較宜使用ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
。
或者，第1介電質膜11可含有元素D3，可使用Zr-O-Zn-Sn-Y-Ga等。
與第1介電質膜21及31同樣地，第1介電質膜11更宜進一步添加可提升導電性之Ga，使用Zr-O-Zn-Sn-Mg-Ga。
材料形成有氧化物時，第1介電質膜11更宜使用ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
。
或者，可含有Zr、氧與In，可使用Zr-O-In等。
或者，可含有元素D2，
可使用Zr-O-In-Si、
Zr-O-In-Y、
Zr-O-In-Y-Si等。
或者，可含有Zr、氧、In與元素D1，
可使用Zr-O-In-Zn、
Zr-O-In-Sn、
Zr-O-In-Zn-Sn等。
或者，可含有SiO2
，
可使用Zr-O-In-Zn-Si、
Zr-O-In-Sn-Si、
Zr-O-In-Zn-Sn-Si等。
第1介電質膜11也與第1介電質膜21及31同樣，亦可於上述系統含有Hf。
第1介電質膜11之厚度譬如可為5nm以上且40nm以下。若低於5nm，有保護功能降低而無法抑制水分侵入記錄膜12之情形。超過40nm，則有L0層10之反射率降低之情形。
位在距離雷射光6入射之面(覆蓋層4之表面)最遠位置的L0層10有其再生光量變最小的傾向。
記錄膜12具有與記錄膜32同樣的功能，使用之材料亦同。
記錄膜12中之W、Cu、Mn及前述元素M宜滿足下述式(1)：
Wx
Cuy
Mnz
M100-x-y-z
(原子%)…(1)
(前述式(1)中，
15≦x＜60，0＜y≦30，10≦z≦40，且10≦100-x-y-z≦50)。
L0層10位在離雷射光6入射之面(覆蓋層4之表面)最遠的位置，因此相較於L2層30及L1層20，光學上會更優先確保較高的反射率與較大的吸收率。所以，L0層10之記錄膜12可以式(1)中之x值比L2層30之記錄膜32及L1層20之記錄膜22更小的組成比形成。
式(1)中，x(W量)為15≦x≦40較佳。x若在該範圍內，即可調整記錄膜12之光吸收，使L0層10之記錄功率最佳化。若15≦x，即可良好實施DC濺鍍。而且容易形成記錄記號，獲得良好的記錄再生特性。
x若低於15，實施DC濺鍍時，濺鍍可能變不穩定而容易發生異常放電。而且記錄膜12會變得不易膨脹而難以形成記錄記號。x若超過40，記錄膜12之光吸收會減少而有致使L0層10之記錄需要大的雷射功率之情形。
在記錄膜12的情況下，亦可以y值比記錄膜32及記錄膜22更大的組成比形成。y(Cu量)為10≦y≦30較佳。藉由使y在30以下，可調整記錄膜12之光吸收率，使L0層10之記錄感度最佳化，而可以符合規格的再生功率獲得良好的再生耐久性。藉由使y在10以上，可增加記錄膜12之光吸收而使記錄功率最佳化。y若超過30，記錄感度會變佳而使再生功率降低，致使L0層10之再生光量減少。y若小於10，記錄感度會變差而有致使L0層10之記錄需要大的雷射功率之情形。
在記錄膜12的情況下，亦可以z值比記錄膜32及記錄膜22更大的組成比形成。z(Mn量)為15≦z≦40較佳。在該範圍內，可調整L0層10之光吸收率，使記錄功率最佳化，而確保高反射率，提升再生光量。
100-x-y-z(元素M量)滿足10≦100-x-y-z≦50。10≦100-x-y-z≦50時，L0層10之記錄再生特性良好。而且10≦100-x-y-z≦50時，記錄膜12之折射率及消光係數可獲最佳化而提高L0層10之反射率，同時可使光吸收率最佳化，提高再生光量。元素M也具有使更多氧分離或鍵結，促進記錄膜12之雷射光6之照射部膨脹的功能。另，Nb及Ti的折射率大，因此具有提高反射率之效果。100-x-y-z若大於50，元素M就會變得太多，而可能使得記錄膜12之記錄記號過度膨脹，致使記錄記號縮小鄰接軌道之記錄記號的振幅。其結果會使L0層10之記錄再生特性變差。此外，100-x-y-z若小於10，元素M之比率會變少，致使記錄膜12之記錄記號不易膨脹，而使記錄再生特性變差。
記錄膜12中所含氧之比率在令金屬元素與氧之原子數合計為100原子%時，譬如可為60原子%以上且80原子%以下。
記錄膜12之膜厚可設為15nm以上且50nm以下，尤其可設為25nm以上且45nm以下。若薄於15nm，記錄膜12便無法充分膨脹而無法形成良好的記錄記號，所以d-MLSE會變差。超過50nm，記錄感度會變佳而記錄功率變小，但相應地有再生功率降低，使再生光量變小之情形。另，記錄膜12之厚度若大於50nm，有拉長記錄膜12成膜的所需時間(濺鍍時間)而降低生產性之情形。
第2介電質膜13之功能同於前述L2層30之第2介電質膜33之功能。第2介電質膜13之材料可使用與第2介電質膜33相同之材料。此外，可與第1介電質膜11為相同材料，亦可為不同材料。
第2介電質膜13之厚度可為5nm以上且30nm以下。若低於5nm，有保護功能降低而無法抑制水分侵入記錄膜12之情形；超過30nm，則有L0層10之反射率降低之情形。
本發明實施形態之第1介電質膜31、21、11、記錄膜32、22、12及第2介電質膜33、23、13不限於500GB的歸檔光碟，亦可視需求應用於容量小於500GB的300GB、100GB容量之歸檔光碟。可於記錄膜32、22、12中之至少一者將元素M以Zn之形式而使用W-Cu-Mn-Zn-O。
本發明實施形態之第1介電質膜11、21、31、本發明實施形態之記錄膜12、22、32及本發明實施形態之第2介電質膜13、23、33的組合中，離雷射光6之光源最遠之L0層10除外，L1層20與L2層30中之至少任一層為第1資訊層即可。含4層以上資訊層之情況亦同樣地，L0層10除外，離雷射光6之光源較近的資訊層中之至少任一層為第1資訊層即可。
本發明實施形態之第1介電質膜11、21、31、記錄膜12、22、32及第2介電質膜13、23、33的組合在克服自中間分離層2、3揮發之有機物的影響而提升再生耐久性方面很有效果。因此，如L1層20及L2層30般，藉由將形成於中間分離層2及3上之資訊層作為第1資訊層，可展現較佳的效果。
當然，於L0層10之第1介電質膜11之濺鍍中含碳之成分自基板1揮發時，於L0層10應用本發明實施形態之第1介電質膜11，即可獲得優異的再生耐久性。
第1介電質膜31、21、11於波長405nm下之折射率宜為1.90以上且2.30以下，消光係數宜為0.20以下。同樣地，記錄膜32、22之折射率宜為2.00以上且2.40以下，消光係數宜為0.30以下。同樣地，記錄膜12之折射率宜為2.10以上且2.50以下，消光係數宜為0.40以下。第2介電質膜33、23、13之折射率宜為1.90以上且2.30以下，消光係數宜為0.20以下。
第1介電質膜11、21、31、記錄膜12、22、32及第2介電質膜13、23、33可使用將構成該等之氧化物混合而成的靶材，藉由RF濺鍍或DC濺鍍來形成。或者，該等膜可使用不含氧之合金靶材，利用在導入氧下之RF濺鍍或在導入氧下之DC濺鍍來形成。更或者，可以將各氧化物之靶材分別安裝在個別的電源並同時供於RF濺鍍或DC濺鍍之方法來形成該等膜(多靶濺鍍法)。亦可同時實施RF濺鍍與DC濺鍍。此外，其他的膜形成方法還可舉如：將由金屬單體或合金構成之靶材或是氧化物靶材分別安裝於個別的電源，視需求邊導入氧並同時進行RF濺鍍之方法或同時進行DC濺鍍之方法。或者，可藉由使用金屬與氧化物混合而成之靶材，邊導入氧並進行RF濺鍍或DC濺鍍之方法來形成該等膜。
就實施形態1之變形例而言，在本實施形態所示資訊記錄媒體100中，第1資訊層以外之任一資訊層的記錄膜可為Te-O-Pd或Ge-Bi-O等其他記錄膜，亦即可為本發明實施形態之W-O系記錄膜以外的記錄膜。或者，就其他變形例而言，亦可視需求設置反射膜及由上述未例示之材料構成的介電質膜。本揭示之技術效果亦可在該等變形例中達成。
資訊記錄媒體100之記錄方式可為線速恆定之Constant Linear Velocity(CLV，恆定線性速度)、轉速恆定之Constant Angular Velocity(CAV，恆定角速度)、Zoned CLV(分區恆定線性速度)及Zoned CAV(分區恆定角速度)中之任一者。可使用之資料位元長為47.7nm。且亦可用在多值記錄方式。
對本實施形態之資訊記錄媒體100進行資訊記錄及再生可以物鏡開口數NA為0.91之光學系統實施或可以NA＞1之光學系統實施。光學系統亦可使用Solid Immersion Lens(SIL，固態浸沒透鏡)或Solid Immersion Mirror(SIM，固態浸沒鏡)。此時，中間分離層2及3以及覆蓋層4可為5μm以下之厚度。或者亦可採用利用近場光的光學系統。
(實施形態2)
接下來，以實施形態2說明實施形態1中所說明之資訊記錄媒體100之製造方法。
本發明實施形態之資訊記錄媒體之製造方法係製造包含2層以上資訊層之資訊記錄媒體的方法；
該方法包含個別形成上述2層以上資訊層的步驟；
令上述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且形成上述第1資訊層之步驟至少包含形成第1介電質膜之步驟與形成記錄膜之步驟；
上述形成第1介電質膜之步驟係形成至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及Sn中之至少一種元素D1的第1介電質膜；
上述形成記錄膜之步驟係形成至少含有W、Cu與Mn且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M的記錄膜；
上述形成第1介電質膜之步驟與上述形成記錄膜之步驟可藉由使用DC電源之濺鍍來實施。
構成L0層10之第1介電質膜11、記錄膜12及第2介電質膜13可利用氣相成膜法之一的濺鍍法(sputter)形成。
本發明實施形態之資訊記錄媒體100可具有基板1。
首先，將基板1(譬如厚0.5mm，直徑120mm)配置到成膜裝置內。
接著，先成膜第1介電質膜11。此時，於基板1形成有螺旋狀的導引溝時，係於該導引溝側形成第1介電質膜11。
第1介電質膜11可視欲取得之組成使用濺鍍靶材，在稀有氣體環境或稀有氣體與反應氣體(譬如氧氣)之混合氣體環境中進行濺鍍而形成。稀有氣體譬如有Ar氣、Kr氣或Xe氣，成本面上以Ar氣較為有利。這在以稀有氣體或其混合氣體作為濺鍍環境氣體的任何濺鍍皆適用。
靶材可以氧化物之形態含有，或可以單體金屬或合金之形態含有。使用由金屬(含合金)構成之靶材時，可藉由在含氧氣之環境中實施的反應性濺鍍形成氧化物。
靶材之比電阻值宜為1Ω・cm以下。藉此，可輕易實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍。
含有元素D1之組成的靶材導電性高，可輕易地利用DC濺鍍穩定形成第1介電質膜11。因此，在形成第1介電質膜11時可期待高成膜率。
為了獲得所期望的第1介電質膜11之組成，可調整靶材之組成。
接著，於第1介電質膜11上形成記錄膜12。
記錄膜12可因應其組成使用由金屬合金或金屬-氧化物之混合物所構成的靶材，在稀有氣體環境中或稀有氣體與反應氣體之混合氣體環境中實施濺鍍來形成。記錄膜12之厚度比第1介電質膜11等介電質膜更厚，因此考慮到生產性，記錄膜12宜利用可期待比RF濺鍍更高之成膜率的DC濺鍍或脈衝DC濺鍍來進行成膜。為使記錄膜12中含有許多氧，宜於環境氣體中混合多量的氧氣。記錄膜12可實施多靶濺鍍來形成。
具體上，於記錄膜12之成膜時使用合金靶材或混合物靶材時，靶材之組成可為：
W-Cu-Mn-Nb、
W-Cu-Mn-Zn、
W-Cu-Mn-Mo、
W-Cu-Mn-Ta、
W-Cu-Mn-Ti、
W-Cu-Mn3
O4
-Nb、
W-Cu-Mn3
O4
-ZnO、
W-Cu-Mn3
O4
-Mo、
W-Cu-Mn3
O4
-Ta、
W-Cu-Mn3
O4
-Ti、
W-Cu-Mn3
O4
-Ta、
W-Cu-Mn3
O4
-Ta-ZnO等。
接著，於記錄膜12上形成第2介電質膜13。第2介電質膜13可使用因應第2介電質膜13之組成的靶材，在稀有氣體氣體或稀有氣體與反應氣體之混合氣體環境中實施濺鍍來形成。而且，第2介電質膜13可實施多靶濺鍍來形成。
用於形成第2介電質膜13之靶材亦可用前述形成第1介電質膜11之靶材。
接下來，於第2介電質膜13上形成中間分離層2。中間分離層2可將光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂(譬如丙烯酸系樹脂)塗佈旋塗於L0層10上後，使樹脂硬化而形成。於中間分離層2設置導引溝時，可在使表面形成有預定形狀之溝的轉印用基板(模)密著於硬化前之樹脂的狀態下進行旋塗後使樹脂硬化，其後再將轉印用基板從已硬化之樹脂剝去的方法來形成中間分離層2。又，中間分離層2亦可以二階段形成，具體上可先以旋塗法形成佔厚度大部分的部分後，接著以旋塗法與利用轉印用基板進行轉印的組合來形成具有導引溝的部分。
接著，形成L1層20。具體上，首先將第1介電質膜21形成在中間分離層2之上。第1介電質膜21可以與前述第1介電質膜11同樣的方法，使用與欲得組成對應之靶材來形成。接著於第1介電質膜21上形成記錄膜22。記錄膜22可以與前述記錄膜12同樣的方法，使用與欲得組成對應之靶材來形成。接著，於記錄膜22上形成第2介電質膜23。第2介電質膜23可以與前述第2介電質膜13同樣的方法，使用與欲得組成對應之靶材來形成。接下來，於第2介電質膜23上形成中間分離層3。中間分離層3可以與前述中間分離層2同樣的方法來形成。
再來，形成L2層30。L2層30基本上可以與前述L1層20同樣的方法形成。首先，於中間分離層3上形成第1介電質膜31。第1介電質膜31可以與前述第1介電質膜11同樣的方法，使用與欲得組成對應之靶材來形成。
舉例來說，用以形成第1介電質膜31之靶材的組成宜使用：
Zr-O-Zn-Sn、
Zr-O-Zn-Sn-Y、
Zr-O-Zn-Sn-Mg、
Zr-O-Zn-Sn-Ga、
Zr-O-Zn-Sn-Y-Ga、
Zr-O-Zn-Sn-Mg-Ga等。
又，形成第1介電質膜31時，在投入高濺鍍功率而實施DC濺鍍或脈衝DC濺鍍的情況下，比起含有Y之氧化物的靶材及含有Ca之氧化物的靶材，含有Mg之氧化物的靶材即使在較高的濺鍍功率下也不易於靶材表面產生裂痕。即使將靶材用完到最後，也不易產生裂痕。要抑制裂痕，較宜使用Mg之氧化物。
在本實施形態中，作為與第1介電質膜31對應之靶材材料，較宜使用含有添加了Mg之氧化物的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯的靶材。
在分別對應第2介電質膜33、L1層20之第1介電質膜21、第2介電質膜23、L0層10之第1介電質膜11及第2介電質膜13的靶材材料中，亦同樣宜含有添加了Mg之氧化物的穩定化氧化鋯或部分穩定化氧化鋯。
因此，用以形成第1介電質膜31之靶材的組成較宜使用Zr-O-Zn-Sn-Mg，用Zr-O-Zn-Sn-Mg-Ga更佳。
或者，該等在靶材中之組織中形成有氧化物為佳；
用以形成第1介電質膜31之靶材的組成宜使用譬如：
ZrO2
-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
、
ZrO2
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-Y2
O3
-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
、
ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
等。
用以形成第1介電質膜31之靶材的組成較宜使用含有MgO之ZrO2
-MgO-ZnO-SnO2
，使用含有MgO與Ga2
O3
之ZrO2
-MgO-ZnO-Ga2
O3
-SnO2
更佳。
靶材只要粉末或燒結體為結晶相，就譬如可以X射線繞射來調查靶材中所含的氧化物。此外，靶材之組織中亦可含有複合氧化物、混合氧化物、次氧化物及高氧化數氧化物。這部分亦同樣適用於用來形成第1介電質膜11、21、記錄膜12、22、32及第2介電質膜13、23、33的靶材。
接著於第1介電質膜31上形成記錄膜32。記錄膜32可以與前述記錄膜12同樣的方法，使用與欲得組成對應之靶材來形成。接著，於記錄膜32上形成第2介電質膜33。第2介電質膜33可以與前述第2介電質膜13同樣的方法，使用與欲得組成對應之靶材來形成。
所有介電質膜及記錄膜12、22、32皆可將濺鍍時之供給電力設為10W~10kW且將成膜室之壓力設為0.01Pa~10Pa來形成。
接下來於第2介電質膜33上形成覆蓋層4。覆蓋層4可將光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂塗佈於第2介電質膜33上並旋塗後，使樹脂硬化而形成。或者，覆蓋層4可藉由貼合聚碳酸酯、非晶聚烯烴或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂或是由玻璃構成之圓盤狀基板1的方法來形成。具體上，可以在第2介電質膜33上塗佈光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化樹脂等樹脂，使基板1與塗好之樹脂密著的狀態下實施旋塗讓樹脂均勻延展，其後使樹脂硬化的方法來形成覆蓋層4。
又，各層之成膜方法除了濺鍍法以外，亦可使用真空蒸鍍法、離子鍍法、化學氣相沉積法(CVD法：Chemical Vapor Deposition)及分子束磊晶法(MBE法：Molecular Beam Epitaxy)。
依上述方法可製造A面資訊記錄媒體101。此外，亦可視需求使基板1及L0層10含有光碟識別碼(譬如BCA(Burst Cutting Area))。舉例來說，於聚碳酸酯製之基板1賦予識別碼時，可於基板1成形後使用CO2
雷射等將聚碳酸酯予以溶解、氣化來賦予識別碼。又，於L0層10賦予識別碼時，可使用半導體雷射等對記錄膜12進行記錄或將記錄膜12分解來賦予識別碼。於L0層10賦予識別碼之步驟可在第2介電質膜13形成後、中間分離層2形成後、覆蓋層4形成後或後述之貼合層5形成後實施。
同樣地也可製作B面資訊記錄媒體102。於B面資訊記錄媒體102之基板1設置導引溝時，螺旋的旋轉方向可與前述A面資訊記錄媒體101之基板1的導引溝之螺旋的旋轉方向為逆向或可同方向。
最後，將光硬化型樹脂(尤其是紫外線硬化型樹脂)均勻塗佈在A面資訊記錄媒體101中基板1之設有導引溝之面的相反面上後，再將B面資訊記錄媒體102之基板1之設有導引溝之面的相反面貼附至塗好的樹脂上。其後對樹脂照射光使其硬化而形成貼合層5。或者，亦可將遲效硬化型之光硬化型樹脂均勻塗佈於A面資訊記錄媒體101後照光，然後貼合B面資訊記錄媒體102來形成貼合層5。如此一來，可製造出實施形態1之雙面具有資訊層的資訊記錄媒體100。
以上說明了實施形態作為本揭示之技術範例。並提供附件圖式及詳細說明。
所以，附件圖式及詳細說明所述構成要素中，不僅包含用以解決課題所必要且必須的構成要素，也包含為了例示上述技術而非用以解決課題必須的構成要素。因此，不應以該等非必須之構成要素載述於附件圖式或詳細說明中，就直接將該等非必須構成要素認定為必須要素。
又，上述實施形態為用以例示本揭示之技術，所以可在申請專利範圍或與之相當的範圍內進行各種變化、置換、附加或省略等。
接下來，以實施例詳細說明本揭示技術。
實施例
以實施例進一步詳細說明本發明之更具體的實施形態。
(實施例1)
於本實施例說明圖1所示資訊記錄媒體100之一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。就基板1準備了形成有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm，厚0.5mm)。於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)；作為記錄膜12係使用實質上由W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O構成之靶材，成膜34nm之W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O；作為第2介電質膜13係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在此，關於記錄膜12之表記，元素比係僅以記述金屬元素比(原子%)之形態表記，以下亦以同樣方式表記。譬如，W19
Cu25
Zn20
Mn36
(原子%)之氧化物係表記為W19
Cu25
Zn20
Mn36
-O。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(3kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2首先是旋塗用以形成母體厚度之紫外線硬化樹脂後，藉由紫外線使樹脂硬化。接著，旋塗用以轉印導引溝之紫外線硬化樹脂，於其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的壓模基板，並藉由紫外線使樹脂硬化後，剝離壓模基板，藉以形成中間分離層2。中間分離層2之厚度約25μm。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21係使用對應表1中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22係使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3首先是旋塗用以形成母體厚度之紫外線硬化樹脂後，藉由紫外線使樹脂硬化。接著，旋塗用以轉印導引溝之紫外線硬化樹脂，於其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的壓模基板，並藉由紫外線使樹脂硬化後，剝離壓模基板，而形成了中間分離層3。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31係使用對應表1中記載之各組成的靶材，成膜15nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32係使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。就基板1準備了形成有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體101之基板1相反的方向。於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)；作為記錄膜12係使用實質上由W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O構成之靶材，成膜34nm之W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O；作為第2介電質膜13係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(3kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之形成方法與前述A面資訊記錄媒體101之中間分離層2相同，惟導引溝之螺旋旋轉方向與前述A面資訊記錄媒體101之中間分離層2為相反方向。藉此，兩面可同時再生。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21係使用對應表2中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22係使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3首先是旋塗用以形成母體厚度之紫外線硬化樹脂後，藉由紫外線使樹脂硬化。接著，旋塗用以轉印導引溝之紫外線硬化樹脂，於其上貼合形成有導引溝之由聚碳酸酯構成的壓模基板，並藉由紫外線使樹脂硬化後，剝離壓模基板，而形成有中間分離層3。中間分離層3之厚度約18μm。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31係使用對應表2中記載之各組成的靶材，成膜15nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32係使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體而言，在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100之一例，係製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102的第1介電質膜21及第1介電質膜31應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)及
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(原子%)。將該等光碟No.分別設為1-101~1-106。又，作為比較例係製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102的第1介電質膜21及第1介電質膜31應用了Zr3.4
Si3.4
In31.8
O61.4
(原子%)的光碟No.比較例1-1。
對該等1-101~1-106及比較例1-1進行8倍速的再生耐久性評估。再生耐久性評估是用PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製評估機(ODU-1000)進行。
評估機的雷射光6之波長為405nm，接物鏡開口數NA為0.91，在溝槽及溝台記錄資訊。在記錄線速18.06m/s(500GB-8倍速)及再生線速18.06m/s(500GB-8倍速)下實施。將資料位元長設為47.7nm，且每一資訊層進行了83.4GB密度之記錄。又，再生光係採用經以2：1進行高頻重疊(調變)的雷射光6。以隨機訊號(2T~12T)進行記錄，訊號品質則以d-MLSE(Distribution Derived-Maximum Likelihood Sequence Error Estimation)進行評估。
L2層30之再生耐久性的評估係於鄰接之溝槽及溝台記錄隨機訊號，並以再生功率2.3mW且線速18.06m/s再生位在進行了記錄之軌道中央的溝槽之隨機訊號，藉由重複再生次數第1次與第100萬次之d-MLSE的變化量來判斷好壞。至於L1層20之再生耐久性的評估方法則是將再生功率設為3.1mW來實施。
具體上，若將變化量定義為Δd-MLSE，則0.5%以下為A(非常良好)，大於0.5%且在1.0%以下為B(良好)，大於1.0%且在1.5%以下為C(實用等級)，大於1.5%者為D(無法實用)。
另，以溝槽而非溝台進行再生之評估是因為在本實施例中，溝槽的光吸收率較高，再生耐久性較差的緣故。並且，在以下實施例中亦同樣是以溝槽之再生耐久性進行評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表1。
[表1]
相較於比較例1-1，光碟No.1-101~1-106之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表2。
[表2]
相較於比較例1-1，光碟No.1-101~1-106之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例2)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21是使用實質上由(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)構成之靶材，成膜17nm之(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)；作為記錄膜22是使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表3、5中記載之各組成的靶材，成膜11~17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜9~15nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體而言，在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21係使用本發明實施形態之實質上由(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)構成之靶材，成膜17nm之(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)；作為記錄膜22是使用本發明之實質上由W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之形成方法與前述A面資訊記錄媒體101之中間分離層3相同，惟導引溝之螺旋旋轉方向與前述A面資訊記錄媒體101之中間分離層3為相反方向。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表4、6中記載之各組成的靶材，成膜11~17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜9~15nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係與實施例1同樣根據矩陣法之計算來決定。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100之一例，係製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr20
Zn20
O60
(原子%)、
Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%)、
Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(含ZrO2
與SiO2
)(原子%)及
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(含ZrSiO4
)(原子%)。將該等光碟No.分別設為2-101~2-112。
對該等2-101~2-112及比較例1-1進行實施例1中所說明之再生耐久性的評估。
L2層30之再生耐久性的評估係於鄰接之溝槽及溝台記錄隨機訊號，並以再生功率2.3mW且線速18.06m/s再生位在進行了記錄之軌道中央的溝槽之隨機訊號，藉由重複再生次數第1次與第100萬次之d-MLSE的變化量來判斷好壞。
具體上，若將變化量定義為Δd-MLSE，則0.5%以下為A(非常良好)，大於0.5%且在1.0%以下為B(良好)，大於1.0%且在1.5%以下為C(實用等級)，大於1.5%者為D(無法實用)。
另，以溝槽而非溝台進行再生之評估是因為在本實施例中，溝槽的光吸收率較高，再生耐久性較差的緣故。並且，在以下實施例中亦同樣是以溝槽之再生耐久性進行評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表3。
[表3]
相較於比較例1-1，光碟No.2-101~2-112之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表4。
[表4]
相較於比較例1-1，光碟No.2-101~2-112之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
另，針對2-105、2-106及2-107之第1介電質膜31成膜時使用的靶材，是投入較高的濺鍍功率來評估於靶材產生裂痕的功率。其結果，2-107之靶材可投入最高功率。亦即，含MgO之靶材可投入最高功率，因此可獲得較高的成膜速度，從而可提高資訊記錄媒體的生產性。
再來，作為本實施例之資訊記錄媒體100一例，係製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr7.4
Zn23.5
Sn10.3
O58.8
(原子%)、
Zr3.3
Sn30.0
O66.7
(原子%)、
Zr2.3
Sn31.0
O66.7
(原子%)、
Zr17.8
Zn6.7
Sn11.1
O64.4
(原子%)、
Zr25.9
Zn11.1
O63.0
(原子%)、
Zr26.5
Zn10.3
O63.2
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr6.7
Y1.2
Zn23.2
Sn10.2
O58.7
(原子%)、
Zr12.7
Y1.1
Zn15.2
Sn9.5
O61.5
(原子%)、
Zr17.5
Y1.1
Zn9.0
Sn9.0
O63.4
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、
Zr7.2
Zn21.8
Sn10.0
Ga2.0
O59.0
(原子%)、
Zr13.1
Zn14.0
Sn9.4
Ga1.9
O61.6
(原子%)、
Zr17.7
Zn8.0
Sn8.9
Ga1.8
O63.7
(原子%)、
Zr9.4
Zn17.0
Sn9.4
Ga3.8
O60.4
(原子%)、
Zr9.1
Zn15.3
Sn9.1
Ga5.8
O60.7
(原子%)及
Zr8.9
Zn14.0
Sn8.9
Ga7.5
O60.7
(原子%)。將該等光碟No.分別設為2-201~2-218。光碟No.2-204及2-207則為比較例。
對該等2-201~2-218進行8倍速的再生耐久性評估。評估方法與前述方法相同。
並且，2-201~2-218還進行了500GB密度8倍速記錄之d-MLSE評估。在d-MLSE評估中，14.0%以下為A(非常良好)，大於14.0%且在14.5%以下為B(良好)，大於14.5%且在15.0%以下為C(實用等級)，大於15%者為D(無法實用)。
進一步評估應用於2-201~2-218之第1介電質膜31的介電質材料之成膜速度。成膜速度是於玻璃基板上形成第1介電質膜31，利用段差計測定膜厚而算出。在製造資訊記錄媒體100之前提下，可在所定之製造一片光碟的時間內獲得可形成第1介電質膜31之成膜速度者為A，成膜速度不足者為D(無法實用)。
綜合來看，在再生耐久性、d-MLSE及成膜速度之評估中，包含D者判定為D(無法實用)，無D且包含C者判定為C(實用等級)，無C及D且B得2個以上者判定為B(良好)，無C及D且A得2個以上者判定為A(非常良好)。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表5。
[表5]
在光碟No.2-204中，Zr量少於3原子%時，可見d-MLSE變差而無法實用，因此Zr量必須在3原子%以上。另外在2-207中，Zr量多於26原子%時，可見成膜速度下降而無法實用，因此Zr量必須在26原子%以下。
此外，在2-218中，Ga量多於7原子%時，可見d-MLSE變差，因此Ga量宜在7原子%以下。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表6。
[表6]
在B面資訊記錄媒體102亦獲得與A面資訊記錄媒體101同樣的結果。
此外，作為第1介電質膜31是應用Zr16.8
Y4.6
Zn19.1
O59.5
(原子%)(=(ZrO2
)44
(Y2
O3
)6
(ZnO)50
(mol%))時，在第1介電質膜31之成膜步驟中於靶材產生了裂痕，而難以穩定製造。由此得知，Y2
O3
量相對於ZrO2
量宜為10%以下之莫耳濃度。
(實施例3)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用實質上由(ZrO2
)25
(ZnO)50
(SnO2
)25
(mol%)構成之靶材，成膜15nm之(ZrO2
)25
(ZnO)50
(SnO2
)25
(mol%)；作為記錄膜32是使用對應表7中記載之各組成的靶材，成膜34nm；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用實質上由(ZrO2
)25
(ZnO)50
(SnO2
)25
(mol%)構成之靶材，成膜15nm之(ZrO2
)25
(ZnO)50
(SnO2
)25
(mol%)；作為記錄膜32是使用對應表8中記載之各組成的靶材成膜34nm；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例係製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之記錄膜32應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
W32
Cu17
Zn33
Mn18
(原子%)、
W32
Cu17
Nb33
Mn18
(原子%)、
W32
Cu17
Mo33
Mn18
(原子%)、
W32
Cu17
Ta33
Mn18
(原子%)、
W32
Cu17
Ti33
Mn18
(原子%)、
W32
Cu17
Nb22
Zn11
Mn18
(原子%)、
W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
(原子%)、
W15
Cu22
Ta40
Mn23
(原子%)、
W14
Cu23
Ta40
Mn23
(原子%)、
W59
Cu20
Ta10
Mn21
(原子%)、
W60
Cu20
Ta10
Mn20
(原子%)、
W32
Ta33
Mn35
(原子%)、
W32
Cu30
Ta28
Mn10
(原子%)、
W32
Cu31
Ta27
Mn10
(原子%)、
W32
Cu30
Ta29
Mn9
(原子%)、
W29
Cu1
Ta30
Mn40
(原子%)、
W29
Cu1
Ta29
Mn41
(原子%)、
W55
Cu17
Ta10
Mn18
(原子%)、
W56
Cu17
Ta9
Mn18
(原子%)、
W15
Cu17
Zn25
Ta25
Mn18
(原子%)及
W15
Cu17
Zn25
Ta26
Mn17
(原子%)。將該等光碟No.分別設為2-301~2-321。光碟No.2-312則為比較例。
對該等2-301~2-321進行實施例1中所說明之再生耐久性、d-MLSE、成膜速度的評估。
並進一步評估透射率。透射率之評估係針對在厚度1.1mm之聚碳酸酯基板上形成應用各記錄膜材料之L2層30而形成有覆蓋層4的試樣，用分光光度計進行測定。透射率在67%以上者判定為A，在60%以上且小於67%者判定為B，在50%以上且小於60%者判定為C，小於50%者判定為D(無法實用)。
綜合來看，包含D者判定為D(無法實用)，無D且包含C者判定為C(實用等級)，無C及D且B得2個以上者判定為B(良好)，其以外判定為A(非常良好)。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表7。
[表7]
光碟No.2-309之W較少，故可見再生耐久性及透射率變差之傾向；2-311之W較多，故可見d-MLSE變差之傾向。由此來看，W量宜在15原子%以上且小於60原子%。
另，2-312不含Cu而無法穩定成膜，成膜速度變差而且再生耐久性變差，由此來看，記錄膜32中必須含有Cu。此外，2-314之Cu較多，故可見再生耐久性變差之傾向。由此來看，Cu量宜在30原子%以下。
此外，2-315之Mn較少，故可見再生耐久性及d-MLSE變差之傾向；另在2-317，Mn較多，故可見再生耐久性及成膜速度變差之傾向。由此來看，Mn量宜在10原子%以上且在40原子%以下。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表8。
[表8]
在B面資訊記錄媒體102亦獲得與A面資訊記錄媒體101同樣的結果。
(實施例4)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表9及表10中記載之各組成的靶材，成膜13~17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用對應表9及表10中記載之各組成的靶材，成膜11~15nm之本發明實施形態之介電質。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。另，第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表11及表12中記載之各組成的靶材，成膜13~17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用對應表11及表12中記載之各組成的靶材，成膜11~15nm之本發明實施形態之介電質。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。另，第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例實施形態之資訊記錄媒體100一例是製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31及第2介電質膜33依(第1介電質膜31、第2介電質膜33)之順序應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%))、
(Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%))、
(Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%))、
(Zr20
Zn20
O60
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr20
Zn20
O60
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%))及
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%))。將該等光碟No.分別設為2-401~2-422。
對該等2-401~2-422及實施例1中所示之比較例1-1進行實施例1中所說明之再生耐久性評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表9及10。
[表9]
[表10]
相較於比較例1-1，光碟No.2-401~2-422之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表11及12。
[表11]
[表12]
相較於比較例1-1，光碟No.2-401~2-422之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例5)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜21是使用對應表13、15中記載之各組成的靶材，成膜13~19nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用實質上由W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜9~15nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用實質上由(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)構成之靶材，成膜14nm(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)(；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜12nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜21是使用對應表12、14中記載之各組成的靶材，成膜13~19nm；作為記錄膜22是使用實質上由W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta21
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜9~15nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用實質上由(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)構成之靶材，成膜14nm之(ZrO2
)30
(SiO2
)30
(In2
O3
)40
(mol%)；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜12nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
本實施例資訊記錄媒體100之一例是製作一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之L1層20的第1介電質膜21應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr20
Zn20
O60
(原子%)、
Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%)、
Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(含ZrO2
與SiO2
)(原子%)及
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(含ZrSiO4
)(原子%)。將該等光碟No.分別設為3-101~3-112。又，作為比較例，是製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜21應用Zr3.4
Si3.4
In31.8
O61.4
(原子%)的光碟No.比較例2-1。
對該等3-101~3-112及比較例2-1進行8倍速的再生耐久性評估。再生耐久性評估是用PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製評估機(ODU-1000)進行。有關評估方法，除了將L1層20之再生功率設為3.1mW以外，以與實施例1同樣方法進行。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表13。
[表13]
相較於比較例2-1，光碟No.3-101~3-112之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表14。
[表14]
相較於比較例2-1，光碟No.3-101~3-112之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
再來，作為本實施例之資訊記錄媒體100一例，係製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜21應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn1
O60
(原子%)、
Zr7.4
Zn23.5
Sn10.3
O58.8
(原子%)、
Zr3.3
Sn30.0
O66.7
(原子%)、
Zr2.3
Sn31.0
O66.7
(原子%)、
Zr17.8
Zn6.7
Sn11.1
O64.4
(原子%)、
Zr25.9
Zn11.1
O63.0
(原子%)、
Zr26.5
Zn10.3
O63.2
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr6.7
Y1.2
Zn23.2
Sn10.2
O58.7
(原子%)、
Zr12.7
Y1.1
Zn15.2
Sn9.5
O61.5
(原子%)、
Zr17.5
Y1.1
Zn9.0
Sn9.0
O63.4
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、
Zr7.2
Zn21.8
Sn10.0
Ga2.0
O59.0
(原子%)、
Zr13.1
Zn14.0
Sn9.4
Ga1.9
O61.6
(原子%)、
Zr17.7
Zn8.0
Sn8.9
Ga1.8
O63.7
(原子%)、
Zr9.4
Zn17.0
Sn9.4
Ga3.8
O60.4
(原子%)、
Zr9.1
Zn15.3
Sn9.1
Ga5.8
O60.7
(原子%)及
Zr8.9
Zn14.0
Sn8.9
Ga7.5
O60.7
(原子%)。將該等光碟No.分別設為3-201~3-218。光碟No.3-204及3-207則為比較例。
對該等3-201~3-218進行8倍速的再生耐久性評估。評估方法與前述方法相同。
並且，3-201~3-218還進行500GB密度8倍速記錄之d-MLSE評估。在d-MLSE評估中，14.0%以下為A(非常良好)，大於14.0%且在14.5%以下為B(良好)，大於14.5%且在15.0%以下為C(實用等級)，大於15%者為D(無法實用)。
進一步評估應用於3-201~3-218之第1介電質膜21的介電質材料之成膜速度。成膜速度是於玻璃基板上形成第1介電質膜21，利用段差計測定膜厚而算出。在製造資訊記錄媒體100之前提下，可在所定之製造一片光碟的時間內獲得可形成第1介電質膜21之成膜速度者為A，成膜速度不足者為D(無法實用)。
綜合來看，在再生耐久性、d-MLSE及成膜速度之評估中，包含D者判定為D(無法實用)，無D且包含C者判定為C(實用等級)，無C及D且B得2個以上者判定為B(良好)，無C及D且A得2個以上者判定為A(非常良好)。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表15。
[表15]
在光碟No.3-204中，Zr量少於3原子%時，可見d-MLSE變差而無法實用，因此Zr量必須在3原子%以上。另外在3-207中，Zr量多於26原子%時，可見成膜速度下降而無法實用，因此Zr量必須在26原子%以下。
此外，在3-218中，Ga量多於7原子%時，可見d-MLSE變差，因此Ga量宜在7原子%以下。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表16。
[表16]
在B面資訊記錄媒體102亦獲得與A面資訊記錄媒體101同樣的結果。
(實施例6)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜21是使用對應表17及表18中記載之各組成的靶材，成膜13~19nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用實質上由W31
Cu17
Ta22
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu17
Ta22
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用對應表17及表18中記載之各組成的靶材，成膜11~15nm之本發明實施形態之介電質。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。另，第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例4相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜21是使用對應表19及表20中記載之各組成的靶材，成膜13~19nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用實質上由W31
Cu17
Ta22
Zn11
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu17
Ta22
Zn11
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用對應表19及表20中記載之各組成的靶材，成膜11~15nm之本發明實施形態之介電質。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。另，第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例5相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102的第1介電質膜21及第2介電質膜23依(第1介電質膜21、第2介電質膜23)之順序應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%))、
(Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%))、
(Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%))、
(Zr20
Zn20
O60
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr20
Zn20
O60
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%))、
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%))及
(Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%))。將該等光碟No.分別設為3-301~3-322。
對該等3-301~3-322及實施例5中所示之比較例2-1進行實施例5中所說明之再生耐久性評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表17及18。
[表17]
[表18]
相較於比較例2-1，光碟No.3-301~3-322之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表19及20。
[表19]
[表20]
相較於比較例2-1，光碟No.3-301~3-322之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例7)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。
接著於基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用對應表21中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜12是使用實質上由W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O構成之靶材，成膜35nm之W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O；作為第2介電質膜13是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例5相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。
接著於基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用對應表22中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜12是使用實質上由W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O構成之靶材，成膜35nm之W25
Cu21
Ta21
Zn5
Mn28
-O；作為第2介電質膜13是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例5相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製作一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之L0層10的第1介電質膜11應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr20
Zn20
O60
(原子%)、
Zr16.7
Zn16.7
O66.6
(原子%)、
Zr18.4
Y2.3
Zn19.5
O59.8
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr9.5
Ca0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Al1.9
O60.2
(原子%)、
Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)、
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(含ZrO2
與SiO2
)(原子%)及
Zr5
Si5
Zn20
Sn10
O60
(含ZrSiO4
)(原子%)。將該等光碟No.分別設為4-101~4-112。又，作為比較例，是製作出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜11應用Zr3.4
Si3.4
In31.8
O61.4
(原子%)的光碟No.比較例3-1。
對該等4-101~4-112及比較例3-1進行8倍速的再生耐久性評估。再生耐久性評估是用PULSTEC INDUSTRIAL CO.,LTD.製評估機(ODU-1000)進行。有關評估方法，除了將L0層10之再生功率設為3.5mW以外，以與實施例2同樣方法進行。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表21。
[表21]
相較於比較例3-1，光碟No.4-101~4-112之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表22。
[表22]
相較於比較例3-1，光碟No.4-101~4-112之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例8)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表23中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O。在本實施例中，未設第2介電質膜33。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於記錄膜32上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例2相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表24中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O。在本實施例中，未設第2介電質膜33。
第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於記錄膜32上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例係製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)及
Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)。將該等光碟No.分別設為5-101~5-104。
對該等5-101~5-104進行實施例1中所說明之再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表23。
[表23]
光碟No.5-101~5-104之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表24。
[表24]
光碟No.5-101~5-104之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例9)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。本實施例之資訊記錄媒體100是一於單面具有L0層10與L1層20之2層資訊層的資訊記錄媒體。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。基板1係使用與實施例1相同的基板。
接著於基板1上形成L0層10。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜21是使用對應表25中記載之各組成的靶材，成膜16nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜14nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源進行。而且第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜23上後，以紫外線使樹脂硬化形成約75μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。基板1係使用與實施例1相同的基板。
接著於基板1上形成L0層10。L0層10之構成及製造方法與實施例1相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜21是使用對應表26中記載之各組成的靶材，成膜16nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜14nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。另，記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。而且第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境中用DC電源進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜23上後，以紫外線使樹脂硬化形成約75μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例係製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜21應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr10
Zn20
Sn10
O60
(原子%)、
Zr9.3
Y1.2
Zn19.8
Sn9.9
O59.8
(原子%)、
Zr9.7
Zn18.5
Sn9.7
Ga1.9
O60.2
(原子%)及
Zr9.0
Y1.2
Zn18.2
Sn9.6
Ga1.9
O60.1
(原子%)。將該等光碟No.分別設為6-101~6-104。
對該等6-101~6-104進行實施例1中所說明之再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表25。
[表25]
光碟No.6-101~6-104之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表26。
[表26]
光碟No.6-101~6-104之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之介電質提升再生耐久性的效果。
(實施例10)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。就基板1準備了形成有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(直徑120mm，厚0.5mm)。於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用實質上由(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)；作為記錄膜12是使用實質上由W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O構成之靶材，成膜34nm之W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O；作為第2介電質膜13是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21是使用實質上由(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)構成之靶材，成膜17nm之(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)；作為記錄膜22是使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)下用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境下用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)下用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表27中記載之各組成的靶材，成膜15nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。就基板1準備了形成有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之聚碳酸酯基板(厚0.5mm)。導引溝之螺旋旋轉方向係設成與前述A面資訊記錄媒體101之基板1相反的方向。於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用實質上由(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)；作為記錄膜12是使用實質上由W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O構成之靶材，成膜34nm之W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O；作為第2介電質膜13是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21是使用實質上由(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)構成之靶材，成膜17nm之(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)；作為記錄膜22是使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表28中記載之各組成的靶材，成膜15nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體而言，在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.0
Mg0.6
Zn14.4
Sn14.4
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.6
Zn18.6
Sn9.8
Ga2.0
O59.8
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.6
Zn13.0
Sn14.0
Ga2.0
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.8
Zn14.0
Sn14.3
Ga0.8
O61.3
(原子%)、
Zr13.2
Mg1.2
Zn14.0
Sn9.6
Ga0.6
O61.4
(原子%)、
Zr7.3
Mg0.6
Zn19.4
Sn11.9
Ga0.9
O59.9
(原子%)、
Zr11.0
Mg1.0
Zn19.5
Sn8.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr9.2
Ca0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)及
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Al0.9
O59.6
(原子%)。將該等光碟No.分別設為10-101~10-111。
對該等10-101~10-111及比較例1-1進行實施例2中所說明之8倍速再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表27。
[表27]
相對於比較例1-1，光碟No.10-101~10-111之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明之介電質提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表28。
[表28]
相較於比較例1-1，光碟No.10-101~10-111之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例11)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表29及表30中記載之各組成的靶材，成膜15nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用對應表29及表30中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體而言，在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用對應表31及表32中記載之各組成的靶材，成膜15nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta22
Zn11
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用對應表31及表32中記載之各組成的靶材，成膜11nm之本發明實施形態之介電質。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體而言，在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜31及第2介電質膜33應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.0
Mg0.6
Zn14.4
Sn14.4
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.6
Zn18.6
Sn9.8
Ga2.0
O59.8
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.6
Zn13.0
Sn14.0
Ga2.0
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.8
Zn14.0
Sn14.3
Ga0.8
O61.3
(原子%)、
Zr13.2
Mg1.2
Zn14.0
Sn9.6
Ga0.6
O61.4
(原子%)、
Zr7.3
Mg0.6
Zn19.4
Sn11.9
Ga0.9
O59.9
(原子%)、
Zr11.0
Mg1.0
Zn19.5
Sn8.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr9.2
Ca0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)及
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Al0.9
O59.6
(原子%)。將該等光碟No.分別設為10-201~10-211。
對該等10-201~10-211及比較例1-1進行實施例2中所說明之8倍速再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表29及30。
[表29]
[表30]
相較於比較例1-1，光碟No.10-201~10-211之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表31及32。
[表31]
[表32]
相較於比較例1-1，光碟No.10-201~10-211之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例12)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21係使用對應表33中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22係使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O；作為第2介電質膜23係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用實質上由(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)構成之靶材，成膜15nm之(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21係使用對應表34中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22係使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O；作為第2介電質膜23係使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜31是使用實質上由(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)構成之靶材，成膜15nm之(ZrO2
)23
(MgO)2
(ZnO)48.9
(SnO2
)25
(Ga2
O3
)1.1
(mol%)；作為記錄膜32是使用實質上由W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O構成之靶材，成膜34nm之W32
Cu17
Ta16
Zn17
Mn18
-O；作為第2介電質膜33是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜13nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
第1介電質膜31及第2介電質膜33之膜厚係根據矩陣法之計算來決定。具體而言，在波長405nm之雷射光6下，L2層30之反射率是設定成在記錄膜32為未記錄狀態下，Rg
≒5.8%，Rl
≒6.1%，透射率約80%。
另，第1介電質膜31之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜32之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+36sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜33之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜21應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.0
Mg0.6
Zn14.4
Sn14.4
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.6
Zn18.6
Sn9.8
Ga2.0
O59.8
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.6
Zn13.0
Sn14.0
Ga2.0
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.8
Zn14.0
Sn14.3
Ga0.8
O61.3
(原子%)、
Zr13.2
Mg1.2
Zn14.0
Sn9.6
Ga0.6
O61.4
(原子%)、
Zr7.3
Mg0.6
Zn19.4
Sn11.9
Ga0.9
O59.9
(原子%)、
Zr11.0
Mg1.0
Zn19.5
Sn8.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr9.2
Ca0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)及
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Al0.9
O59.6
(原子%)。將該等光碟No.分別設為11-101~11-111。
對該等11-101~11-111及比較例2-1進行實施例5中所說明之8倍速再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表33。
[表33]
相較於比較例2-1，光碟No.11-101~11-111之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表34。
[表34]
相較於比較例2-1，光碟No.11-101~11-111之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例13)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21是使用對應表35及表36中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用對應表35及表36中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例12相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。L0層10之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為L1層20之第1介電質膜21是使用對應表37及表38中記載之各組成的靶材，成膜17nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜22是使用本發明實施形態之實質上由W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O構成之靶材，成膜35nm之W31
Cu18
Ta16
Zn16
Mn19
-O；作為第2介電質膜23是使用對應表37及表38中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質。
在波長405nm之雷射光6下，無L2層30時的L1層20之反射率在記錄膜22為未記錄狀態下，Rg
≒6.0%，Rl
≒6.3%，透射率約77%。
另，第1介電質膜21之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜22之成膜係在Ar+O2
之混合氣體(流量：12+36sccm)環境中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜23之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例12相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜21及第2介電質膜23應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.0
Mg0.6
Zn14.4
Sn14.4
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.6
Zn18.6
Sn9.8
Ga2.0
O59.8
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.6
Zn13.0
Sn14.0
Ga2.0
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.8
Zn14.0
Sn14.3
Ga0.8
O61.3
(原子%)、
Zr13.2
Mg1.2
Zn14.0
Sn9.6
Ga0.6
O61.4
(原子%)、
Zr7.3
Mg0.6
Zn19.4
Sn11.9
Ga0.9
O59.9
(原子%)、
Zr11.0
Mg1.0
Zn19.5
Sn8.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr9.2
Ca0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)及
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Al0.9
O59.6
(原子%)。將該等光碟No.分別設為11-201~11-211。
對該等11-201~11-211及比較例2-1進行實施例5中所說明之8倍速再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表35及36。
[表35]
[表36]
相較於比較例2-1，光碟No.11-201~11-211之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表37及38。
[表37]
[表38]
相較於比較例2-1，光碟No.11-201~11-211之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例14)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
基板1係使用與實施例1相同的基板。
於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用對應表39中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜12是使用實質上由W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O構成之靶材，成膜34nm之W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O；作為第2介電質膜13是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例12相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。
於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用對應表40中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜12是使用實質上由W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O構成之靶材，成膜34nm之W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O；作為第2介電質膜13是使用實質上由(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)構成之靶材，成膜10nm之(ZrO2
)25
(SiO2
)25
(In2
O3
)50
(mol%)。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用DC電源(2kW)進行。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例12相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜11應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.0
Mg0.6
Zn14.4
Sn14.4
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.6
Zn18.6
Sn9.8
Ga2.0
O59.8
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.6
Zn13.0
Sn14.0
Ga2.0
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.8
Zn14.0
Sn14.3
Ga0.8
O61.3
(原子%)、
Zr13.2
Mg1.2
Zn14.0
Sn9.6
Ga0.6
O61.4
(原子%)、
Zr7.3
Mg0.6
Zn19.4
Sn11.9
Ga0.9
O59.9
(原子%)、
Zr11.0
Mg1.0
Zn19.5
Sn8.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr9.2
Ca0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)及
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Al0.9
O59.6
(原子%)。將該等光碟No.分別設為12-101~12-111。
對該等12-101~12-111及比較例3-1進行實施例7中所說明之8倍速再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表39。
[表39]
相較於比較例3-1，光碟No.12-101~12-111之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表40。
[表40]
相較於比較例3-1，光碟No.12-101~12-111之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
(實施例15)
於本實施例中說明圖1所示資訊記錄媒體100之另一例。以下為本實施例之資訊記錄媒體100的製造方法。
首先，說明A面資訊記錄媒體101之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。
於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用對應表41及表42中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜12是使用實質上由W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O構成之靶材，成膜34nm之W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O；作為第2介電質膜13是使用對應表41及表42中記載之各組成的靶材，成膜10nm之本發明實施形態之介電質。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例12相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出A面資訊記錄媒體101。
接下來說明B面資訊記錄媒體102之構成。
基板1係使用與實施例1相同的基板。
於該基板1上形成L0層10。並且，利用濺鍍法依序成膜：作為第1介電質膜11是使用對應表43中記載之各組成的靶材，成膜13nm之本發明實施形態之介電質；作為記錄膜12是使用實質上由W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O構成之靶材，成膜34nm之W31
Cu19
Ta22
Zn5
Mn23
-O；作為第2介電質膜13是使用對應表44中記載之各組成的靶材，成膜10nm之本發明實施形態之介電質。
在波長405nm之雷射光6下，無L1層20及L2層30時的L0層10之反射率在未記錄狀態下，Rg
≒8.0%，Rl
≒8.5%。
第1介電質膜11之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(4kW)進行。記錄膜12之成膜係在Ar+O2
之混合氣體環境(流量：12+30sccm)中用脈衝DC電源(5kW)進行。第2介電質膜13之成膜係在Ar氣體環境(流量：12sccm)中用脈衝DC電源(3kW)進行。
接著，於L0層10上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層2。中間分離層2之構成及製造方法與實施例1相同。
接下來，於中間分離層2上形成L1層20。L1層20之構成及製造方法與實施例10相同。
接著，於L1層20上形成設有螺旋狀導引溝(深27nm，軌距(溝台-溝槽間距離)0.225μm)之中間分離層3。中間分離層3之構成及製造方法與實施例1相同。
於中間分離層3上形成L2層30。L2層30之構成及製造方法與實施例12相同。
然後，將紫外線硬化樹脂塗佈旋塗於第2介電質膜33上後，以紫外線使樹脂硬化形成約57μm之覆蓋層4而製作出B面資訊記錄媒體102。
最後，在A面資訊記錄媒體101之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面均勻塗佈紫外線硬化樹脂，並與B面資訊記錄媒體102之與基板1之設有導引溝之面為相反側的面貼合後，利用紫外線使樹脂硬化而形成貼合層5(厚度約35μm)。
以上述方式製作出本實施例之資訊記錄媒體100。
本實施例之資訊記錄媒體100一例是製出一於A面資訊記錄媒體101及B面資訊記錄媒體102之第1介電質膜11及第2介電質膜13應用了以下組成的資訊記錄媒體100：
Zr9.5
Mg0.6
Zn20.1
Sn10.1
O59.7
(原子%)、
Zr9.0
Mg0.6
Zn14.4
Sn14.4
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.6
Zn18.6
Sn9.8
Ga2.0
O59.8
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.6
Zn13.0
Sn14.0
Ga2.0
O61.6
(原子%)、
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr8.8
Mg0.8
Zn14.0
Sn14.3
Ga0.8
O61.3
(原子%)、
Zr13.2
Mg1.2
Zn14.0
Sn9.6
Ga0.6
O61.4
(原子%)、
Zr7.3
Mg0.6
Zn19.4
Sn11.9
Ga0.9
O59.9
(原子%)、
Zr11.0
Mg1.0
Zn19.5
Sn8.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)、
Zr9.2
Ca0.8
Zn19.5
Sn10.0
Ga0.9
O59.6
(原子%)及
Zr9.2
Mg0.8
Zn19.5
Sn10.0
Al0.9
O59.6
(原子%)。將該等光碟No.分別設為12-201~12-211。
對該等12-201~12-211及比較例3-1進行實施例7中所說明之8倍速再生耐久性的評估。
將A面資訊記錄媒體101中之結果列於表41及42。
[表41]
[表42]
相較於比較例3-1，光碟No.12-201~12-211之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
將B面資訊記錄媒體102中之結果列於表43及44。
[表43]
[表44]
相較於比較例3-1，光碟No.12-201~12-211之再生耐久性皆獲得非常良好的結果，可確認本發明實施形態之資訊記錄媒體提升再生耐久性的效果。
以上實施例中，記錄再生的評估是利用資料位元長47.7nm之訊號進行，不過若是10%左右，用資料位元長不同的訊號，也能在所有實施例中獲得同樣的評估結果。
產業上之可利用性
本揭示之資訊記錄媒體及其製造方法係以具有可賦予更高再生光量之資訊層的方式構成，因此適合用於以高記錄密度記錄資訊，而有用於記錄大容量內容的光碟。具體上係有用於根據歸檔光碟規格於兩面具備3層至4層資訊層的次世代光碟(譬如記錄容量500GB)。
吾等已詳細且參照特定實施態樣加以說明本發明，但顯然熟知此項技藝之人士可在不脫離本發明精神及範圍之前提下施予各種變更或修正。
本申請案係立基於2018年8月9日提申之日本專利申請案(日本特願2018-150255)，並在此將其內容納入作參考。
1:基板
2、3:中間分離層
4:覆蓋層
5:貼合層
6:雷射光
10:L0層
11、21、31:第1介電質膜
12、22、32:記錄膜
13、23、33:第2介電質膜
20:L1層
30:L2層
100:資訊記錄媒體
101:A面資訊記錄媒體
102:B面資訊記錄媒體
圖1係本揭示之實施形態1之資訊記錄媒體100的截面圖。
1:基板
2、3:中間分離層
4:覆蓋層
5:貼合層
6:雷射光
10:L0層
11、21、31:第1介電質膜
12、22、32:記錄膜
13、23、33:第2介電質膜
20:L1層
30:L2層
100:資訊記錄媒體
101:A面資訊記錄媒體
102:B面資訊記錄媒體
Claims (14)
- 一種資訊記錄媒體，係包含2層以上資訊層且藉由照射雷射光來記錄或再生資訊者；令前述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且前述第1資訊層自照射前述雷射光之面由遠朝近依序包含第1介電質膜及記錄膜；前述第1介電質膜至少含有Zr與氧且更含有Zn及Sn之元素D1，並且，令Zr、氧與前述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之前述元素D1；前述記錄膜至少含有W、Cu、Mn與氧，且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M。
- 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第1介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
- 如請求項1或2之資訊記錄媒體，其中前述第1介電質膜更含有選自Ga及Al中之至少一種元素D3，且令Zr、氧、前述元素D1與前述元素D2及前述元素D3之原子數合計為100原子%時，含有7原子%以下之前述元素D3。
- 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層自照射前述雷射光之面由遠朝近依序包含前述第1介電質膜、前述記錄膜及第2介電質膜；前述第2介電質膜至少含有Zr與氧且更含有選自Zn及 Sn中之至少一種元素D1，並且，令Zr、氧與前述元素D1之原子數合計為100原子%時，含有3原子%以上且26原子%以下之Zr，且含有10原子%以上且43原子%以下之前述元素D1。
- 如請求項4之資訊記錄媒體，其中前述第2介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
- 如請求項4或5之資訊記錄媒體，其中前述第2介電質膜更含有選自Ga及Al中之至少一種元素D3，且令Zr、氧、前述元素D1與前述元素D2及前述元素D3之原子數合計為100原子%時，含有7原子%以下之前述元素D3。
- 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層自照射前述雷射光之面由遠朝近依序包含前述第1介電質膜、前述記錄膜及第2介電質膜，且前述第2介電質膜至少含有Zr、氧與In。
- 如請求項7之資訊記錄媒體，其中前述第2介電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
- 如請求項1之資訊記錄媒體，其中前述記錄膜中之W、Cu、Mn及前述元素M滿足下述式(1)：WxCuyMnzM100-x-y-z(原子%)…(1)(前述式(1)中，15≦x<60，0<y≦30，10≦z≦40，且10≦100-x- y-z≦50)。
- 如請求項1或9之資訊記錄媒體，其中前述記錄膜之前述元素M係選自Ta與Zn中之至少一者。
- 如請求項1或2之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層係配置在下述位置：比配置在自前述雷射光照射面觀看時最遠之位置的資訊層更靠近前述雷射光照射面的位置。
- 如請求項1或2之資訊記錄媒體，其中前述第1資訊層係配置在最靠近前述雷射光照射面之位置。
- 一種資訊記錄媒體之製造方法，係製造包含2層以上資訊層之資訊記錄媒體的方法；該方法包含個別形成前述2層以上資訊層的步驟；令前述2層以上資訊層中之至少一層資訊層為第1資訊層，且形成前述第1資訊層之步驟至少包含形成第1介電質膜之步驟與形成記錄膜之步驟；前述形成第1介電質膜之步驟係形成至少含有Zr與氧且更含有Zn及Sn之元素D1的第1介電質膜；前述形成記錄膜之步驟係形成至少含有W、Cu與Mn且更含有選自Zn、Nb、Mo、Ta及Ti中之至少一種元素M的記錄膜；前述形成第1介電質膜之步驟與前述形成記錄膜之步驟係藉由使用DC電源之濺鍍來實施。
- 如請求項13之資訊記錄媒體之製造方法，其中以前述形成第1介電質膜之步驟形成的前述第1介 電質膜更含有選自Si、Y、Ca及Mg中之至少一種元素D2。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-150255 | 2018-08-09 | ||
| JP2018150255 | 2018-08-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202027067A TW202027067A (zh) | 2020-07-16 |
| TWI808220B true TWI808220B (zh) | 2023-07-11 |
Family
ID=69414609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108125843A TWI808220B (zh) | 2018-08-09 | 2019-07-22 | 資訊記錄媒體及其製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11545179B2 (zh) |
| JP (1) | JP7209228B2 (zh) |
| CN (1) | CN112543973B (zh) |
| TW (1) | TWI808220B (zh) |
| WO (1) | WO2020031498A1 (zh) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003151175A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| US6633514B1 (en) * | 1998-01-30 | 2003-10-14 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical reproducing method using a plural of different reproducing beams |
| TW200717509A (en) * | 2005-08-30 | 2007-05-01 | Nec Corp | Optical recording medium having a plurality of recording layers |
| JP4210620B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-01-21 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
| JP4352343B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2009-10-28 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| US20100330303A1 (en) * | 2008-05-12 | 2010-12-30 | Sony Corporation | Method of producing optical disc recording medium |
| TW201225077A (en) * | 2010-07-29 | 2012-06-16 | Sony Corp | Optical recording medium |
| US20130065008A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Ritek Corporation | Optical recording medium and recording material for the same |
| TW201407609A (zh) * | 2012-06-04 | 2014-02-16 | Sony Corp | 記錄層、資訊記錄媒體及靶材 |
| WO2017159561A1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 |
| US20170323660A1 (en) * | 2015-02-10 | 2017-11-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing information recording medium |
| TW201807255A (zh) * | 2016-04-08 | 2018-03-01 | 新力股份有限公司 | 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000298875A (ja) * | 1999-02-13 | 2000-10-24 | Sony Corp | 光記録媒体 |
| US6632583B2 (en) * | 1999-12-07 | 2003-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and production method of the same |
| US7008681B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method and recording/reproducing method for the same |
| KR100906056B1 (ko) | 2002-03-19 | 2009-07-03 | 파나소닉 주식회사 | 정보 기록매체와 그 제조 방법 |
| JP4242674B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
| DE60317958T8 (de) | 2002-03-20 | 2009-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma-shi | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP4633346B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2011-02-16 | ソニー株式会社 | 記録媒体、記録装置、記録方法 |
| JP2005022409A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体とその製造方法 |
| TW200506926A (en) * | 2003-06-13 | 2005-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| TWI469143B (zh) | 2003-07-24 | 2015-01-11 | Panasonic Corp | 資訊記錄媒體及其製造方法 |
| JP4577891B2 (ja) | 2004-07-16 | 2010-11-10 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
| CN100540325C (zh) * | 2004-07-16 | 2009-09-16 | 株式会社理光 | 光学记录介质 |
| CN1922673A (zh) * | 2004-11-10 | 2007-02-28 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法 |
| WO2006109534A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
| EP1959445B1 (en) | 2005-12-02 | 2010-01-27 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing same |
| US20070231529A1 (en) | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Nec Corporation | Optical information recording medium suppressing sulfuration of silver |
| JP4750844B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
| WO2008016126A1 (en) * | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Recordable optical recording medium and recording method thereof |
| EP2055495A4 (en) * | 2006-08-08 | 2010-11-03 | Panasonic Corp | INFORMATION RECORDING MEDIUM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND CATHODIC SPUTTERING TARGET |
| US20080170485A1 (en) * | 2007-01-15 | 2008-07-17 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| WO2008126573A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-23 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
| JP2009217862A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | 情報記録媒体、並びにターゲットおよびそれを用いた情報記録媒体の製造方法 |
| JPWO2011024381A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
| JP5346915B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2013-11-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用記録層、及び光情報記録媒体 |
| JPWO2018155070A1 (ja) * | 2017-02-24 | 2019-12-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット |
-
2019
- 2019-06-12 WO PCT/JP2019/023386 patent/WO2020031498A1/ja active Application Filing
- 2019-06-12 JP JP2020536353A patent/JP7209228B2/ja active Active
- 2019-06-12 CN CN201980052193.6A patent/CN112543973B/zh active Active
- 2019-07-22 TW TW108125843A patent/TWI808220B/zh active
-
2021
- 2021-02-09 US US17/171,217 patent/US11545179B2/en active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633514B1 (en) * | 1998-01-30 | 2003-10-14 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical reproducing method using a plural of different reproducing beams |
| JP2003151175A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP4210620B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-01-21 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
| TW200717509A (en) * | 2005-08-30 | 2007-05-01 | Nec Corp | Optical recording medium having a plurality of recording layers |
| JP4352343B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2009-10-28 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| US20100330303A1 (en) * | 2008-05-12 | 2010-12-30 | Sony Corporation | Method of producing optical disc recording medium |
| TW201225077A (en) * | 2010-07-29 | 2012-06-16 | Sony Corp | Optical recording medium |
| US20130065008A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Ritek Corporation | Optical recording medium and recording material for the same |
| TW201407609A (zh) * | 2012-06-04 | 2014-02-16 | Sony Corp | 記錄層、資訊記錄媒體及靶材 |
| JP2018106794A (ja) * | 2012-06-04 | 2018-07-05 | ソニー株式会社 | 情報記録媒体 |
| US20170323660A1 (en) * | 2015-02-10 | 2017-11-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing information recording medium |
| WO2017159561A1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 |
| TW201807255A (zh) * | 2016-04-08 | 2018-03-01 | 新力股份有限公司 | 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020031498A1 (ja) | 2020-02-13 |
| US20210166728A1 (en) | 2021-06-03 |
| TW202027067A (zh) | 2020-07-16 |
| US11545179B2 (en) | 2023-01-03 |
| JP7209228B2 (ja) | 2023-01-20 |
| JPWO2020031498A1 (ja) | 2021-08-10 |
| CN112543973A (zh) | 2021-03-23 |
| CN112543973B (zh) | 2023-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2017159560A1 (ja) | 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 | |
| JP4996607B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法、及びスパッタリングターゲット | |
| TW201832227A (zh) | 資訊記錄媒體與其製造方法、及濺鍍靶材 | |
| WO2016129237A1 (ja) | 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 | |
| WO2011024381A1 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP2019128969A (ja) | 情報記録媒体とその製造方法、およびターゲット | |
| TWI442387B (zh) | 光學記錄媒體 | |
| JP2004362748A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| TWI808220B (zh) | 資訊記錄媒體及其製造方法 | |
| JP4141993B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP5226537B2 (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法、スパッタリングターゲットならびに成膜装置 | |
| WO2020230357A1 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP5838306B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法 | |
| JPWO2011048751A1 (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPWO2010032348A1 (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2023101049A (ja) | 情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP4216178B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| TW202347321A (zh) | 資訊記錄媒體 | |
| JP5486740B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP5450458B2 (ja) | 光学的情報記録媒体、記録方法、再生方法および記録再生装置 | |
| JP2008276850A (ja) | 情報記録媒体 |