CN116417018A - 信息记录介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供再现耐久性优异的信息记录介质及其制造方法。本发明涉及一种信息记录介质，其为通过激光的照射来记录或再现信息的信息记录介质，上述信息记录介质包含3层以上的信息层，将上述3层以上的信息层中的至少一个信息层作为第1信息层，上述第1信息层从上述激光照射面观察时由远到近依次包含第1电介质膜和记录膜，上述第1电介质膜至少包含ZnS，上述记录膜至少包含W、Mn和氧，并且还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素。

Description

信息记录介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及通过光学手段记录或再现信息的大容量信息记录介质及其制造方法。
背景技术
由于互联网的普及、广播的数字化等，数字数据的利用量逐年增加。作为光学信息记录介质的光盘作为适于数据长期保存的可靠性高的信息记录介质，与增大的信息量一起地持续进行大容量化这一进化。
BDXL标准(BD：Blu-ray(注册商标)Disc)制定于2010年6月。根据该标准的3层盘(具备3个信息层的光盘)中，每1信息层的记录容量为33.4千兆字节(GB)，能够在单面保存100GB这样的大容量的数据。关于构成3层盘的3个信息层，距离激光的光源最远的信息层被称为“L0层”，第二远的信息层被称为“L1层”，距离激光的光源最近的信息层被称为“L2层”。
例如，已经提出了一种面向数据中心的光盘库，其使用了一次写入型(日文：追記型)的BD-R XL盘，能够实现最大约638太字节(TB)的大容量(例如，参见非专利文献1)。
作为与BDXL标准不同的标准，商用光盘标准“档案盘(Archival Disc)”制定于2014年3月(例如，参见非专利文献2)。档案盘具有比BD高的可靠性，通过采用槽脊(land)和凹槽(groove)记录方式，由此具有更高的记录密度。此外，档案盘由于在基板的两面具有盘结构，因而作为更大容量的记录介质而提供。档案盘标准的产品路线图制定为依次增加每1张盘的记录容量。根据该产品路线图，具体而言，其规划是作为第1代开发300GB的系统，作为第2代开发500GB的系统，作为第3代开发1TB的系统。
在第2代的500GB的档案盘中，在基板的两面设置有能够保存250GB的信息的3层盘，每1张能够记录再现500GB信息(例如，参见非专利文献3)。即，在该档案盘中，每1个信息层的记录容量为83.4GB。各信息层是用氧化物电介质膜夹着氧化物记录膜而成的简易结构。若对记录膜照射激光，则记录膜产生形状变化而记录信号。已经提出了使用该盘而能够实现拍字节级的大容量的光盘库。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/159561号
专利文献2：日本特许第4210620号公毂
非专利文献
非专利文献1：松下株式会社，数据存档LB-DH8系列目录，2016年9月
非专利文献2：Archival Disc White Paper：Archival Disc Technology 1stEdition July 2015
非专利文献3：Archival Disc White Paper：Archival Disc Technology 2stEdition July 2018
发明内容
发明要解决的课题
对于第3代的1TB容量的档案盘而言，需要从第2代的500GB容量将每1个信息层的记录容量从83.4GB增加为2倍的166.7GB。作为增加记录容量的方法，有以下方法：增加信息层的数量、减小最短的记录标记的尺寸而提高一个信息层中的记录密度、并且将记录再现方式从2值记录设为多值记录。在1TB档案盘中采用上述技术进行大容量化，但作为特别是将信息层从3层增加到4层所产生的课题，可举出再现耐久性。
再现耐久性通过对预先用最优功率的激光所记录的记录标记连续照射再现功率的激光来评价。具体而言，关于被定义为能够再现100万次(100万次合格(日文：100万パス))的最大再现功率、并且是否能够进行100万次合格的再现，其例如通过100万次合格后的记录信号的误码率、d-MLSE值的恶化量来判断。在此，d-MLSE是档案盘的、记录信号品质的评价指标，并且是Distribution Derived-Maximum Likelihood Sequence ErrorEstimation的简称。
虽然先前叙述了再现耐久性成为课题，但在多层信息记录介质中，激光通过位于跟前的信息层而到达位于里面的信息层，通过来自那里的反射而得到再现信号，因此，若用相同的激光功率进行再现，则由于信息层增加，使得由更里面的层返回的反射光量降低。反射光量的降低引起再现信号的S/N降低，因此误码率值恶化。因此，为了抑制S/N恶化，需要提高降低了的光量分的再现功率。
通过提高再现功率，由此特别是对于相比于激光照射面位于最里面处的信息层(LO层)，热负荷变大。由于该热负荷变大，因而上述再现耐久性恶化，该恶化的机制可举出数个现象。一个是由于热负荷而使所形成的信号失真，信号品质降低；一个是由于热负荷而产生记录膜、电介质膜的变质，其成为噪音成分，信号品质降低；一个是由于热负荷而在基板与和其相接的膜的界面产生剥离，其成为噪音成分，信号品质降低。
特别是，为了廉价且高生产率地制造信息记录介质，基板材料某种程度地受到限定，因此，为了抑制上述第3个恶化机制即“基板与和其相接的膜的界面的剥离”，需要利用膜材料、膜构成来解决。作为能够抑制该剥离的方法，考虑以下方法：
(1)为了抑制对基板界面的热负荷，使设置在基板和记录膜的电介质膜低热传导化，以便抑制来自最产生热的记录膜的热扩散；
(2)制成提高基板与和其相接的电介质膜的密合性的电介质膜材料。
作为满足该(1)和(2)的电介质膜材料，本发明人等发现了包含ZnS的低热传导且高密合性的材料。本发明提供抑制上述恶化机制中的基板与和其相接的膜的界面的剥离、即使高再现功率也具有优异的再现耐久性的信息层。由此，能够层叠多个信息层，能够提供太字节级的大容量的多层信息记录介质。
用于解决课题的方案
本发明的信息记录介质是通过激光的照射来记录或再现信息的信息记录介质，其包含3层以上的信息层，将上述3层以上的信息层中的至少一个信息层作为第1信息层，上述第1信息层从上述激光照射面观察时由远到近依次包含第1电介质膜和记录膜，上述第1电介质膜至少包含ZnS，上述记录膜至少包含W、Mn和氧，并且还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素。
另外是这样的信息记录介质，其中，上述第1信息层具有包含聚碳酸酯的基板，上述第1电介质膜与上述聚碳酸酯基板相接。
另外是这样的信息记录介质，其中，上述第1电介质膜还包含30mol％以下的SiO2或TiO2。
本发明的信息记录介质的制造方法是这样的信息记录介质的制造方法，其包括分别形成信息记录介质所具有的3个以上的信息层的工序，形成上述3个以上的信息层中的至少一个信息层的工序至少包括形成第1电介质膜的工序、及形成记录膜的工序，上述形成第1电介质膜的工序形成至少包含ZnS的第1电介质膜，上述形成记录膜的工序形成至少包含W和Mn、并且还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素的记录膜，上述形成第1电介质膜的工序通过使用RF电源的溅射来实施，上述形成记录膜的工序通过使用DC电源的溅射来实施。
另外是这样的信息记录介质的制造方法，其中，在上述形成第1电介质膜的工序中形成的上述第1电介质膜还包含30mol％以下的SiO2或TiO2。
发明效果
本发明的信息、记录介质具有再现耐久性优异的信息层、特别是包含聚碳酸酯基板的L0层，能够实现大容量且高可靠性的多层信息记录介质。
附图说明
图1为实施方式1的信息记录介质100的截面图。
附图标记说明
100信息记录介质
101A面信息记录介质
102B面信息记录介质
10LO层
20L1层
30L2层
40L3层
11、21、31、41第1电介质膜
12、23、33、43第2电介质膜
13、22、32、42记录膜
14第3电介质膜
1基板
2、3、4中间分离层
5覆盖层
6贴合层
7激光
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。以下的实施方式是示例性的，并且本发明不限于以下的实施方式。
(实施方式1)
作为实施方式1，对使用激光7进行信息的记录和再现的信息记录介质的一例进行说明。图1表示该光学信息记录介质的截面。本实施方式的信息记录介质100是经由基板1在两侧分别各设置4层(合计8层)记录和再现信息的信息层、并从覆盖层5侧照射激光7而能够记录和再现各信息层中的信息的多层光学信息记录介质。激光7是波长405nm附近的蓝紫色域的激光。
信息记录介质100是将A面信息记录介质101和B面信息记录介质102贴合而成的两面的信息记录介质。A面信息记录介质101和B面信息记录介质102在它们的基板1的背面(与具有信息层的面相反侧)通过贴合层6而贴合。A面信息记录介质101和B面信息记录介质102分别在基板1上隔着中间分离层2、3和4等而具有依次层叠的L0层10、L1层20、L2层30和L3层40作为信息层，并且还具有被设置成与L3层40相接的覆盖层5。L1层20、L2层30和L3层40为透射型的信息层。
L0层10从激光7观察时由远到近依次包含第1电介质膜11、第2电介质膜12、记录膜13和第3电介质膜14。同样地，L1层20依次包含第1电介质膜21、记录膜22和第2电介质膜23，L2层30依次包含第1电介质膜31、记录膜32和第2电介质膜33，L3层40依次包含第1电介质膜41、记录膜42和第2电介质膜43。
当在信息记录介质100中在基材1上形成引导槽时，在本说明书中，为了方便，将位于接近激光7的侧的面称为“凹槽”，为了方便，将位于远离激光7的侧的面称为“槽脊”。如果在与该凹槽和槽脊这两者对应的位置处在记录膜上提高记录密度而形成凹坑(槽脊-凹槽记录)，则能够将每1个信息层的容量设为例如166.7GB。由于在信息记录介质100中能够在8个信息层中记录和再现信息，因而信息记录介质100能够作为具有1TB的容量的信息记录介质而提供。如后所述，引导槽也可以形成在中间分离层2、3和4上。特别是，当在L1层20、L2层30和L3层40中实施槽脊-凹槽记录时，优选在中间分离层2、3和4上形成引导槽。
3个信息层的有效反射率可以通过分别调整LO层10、L1层20、L2层30和L3层40的反射率、以及L1层20、L2层30和L3层40的透射率来控制。在本说明书中，如上所述，将在层叠了4个信息层的状态下测得的各信息层的反射率定义为有效反射率。除非另有说明，否则只要没有记载为“有效”，则是指以不层叠的方式测得的反射率。另外，反射率Rg表示凹槽部的未记录状态下的槽部反射率，反射率R1表示槽脊部的未记录状态下的槽部反射率。
在本实施方式中，作为一例，对以L0层10的有效反射率Rg为2.3％、有效反射率R1为2.4％、L1层20的有效反射率Rg为2.5％、有效反射率R1为2.6％、L2层30的有效反射率Rg为2.5％、有效反射率R1为2.6％、L3层40的有效反射率Rg为2.6％、有效反射率R1为2.7％的方式设计而成的构成进行说明。
在L3层30的透射率为85％、L2层30的透射率为83％、并且L1层20的透射率为80％的情况下，如果以LO层10的反射率Rg为7.5％、反射率R1为7.7％、L1层20的反射率Rg为5.1％、反射率R1为5.3％、L2层30的反射率Rg为3.5％、反射率R1为3.6％、并且L3层40的反射率Rg为2.6％、反射率R1为2.7％的方式进行设计，则能够得到上述的有效反射率。在此的透射率表示记录膜为未记录状态时的凹槽部和槽脊部的平均值。
在此，对再现光量进行说明。再现光量可以通过求出各层记录时的有效反射率与再现功率之积、并将其除以100(记录时的有效反射率R(％)×再现功率Pr(mW)/100)来求得。
在第2代的500GB档案盘(单侧3个信息层的信息记录介质)中，例如L0层的有效反射率的Rg为3.0％，R1为3.1％。因此，在4层信息层101中，为了由L0层10得到至少与3层信息层同等的再现光量，在凹槽中必须将再现功率提高到3.0/2.3≈1.3倍。从LO层观察时的跟前的层的透射率的合计(以4层信息层而言为L1×L2×L3，以3层信息层而言为L1×L2)大致为L3层的约85％，也就是说，到达L0层的光的能量相应程度地衰减，但对LO层的照射能量仍提高15％左右。
另外，在实现1TB容量时，不仅轨道间距，线方向的记录密度也提高，不降低再现信号的S/N，因此需要相应程度地更加提高再现功率。
以下，对基板1、中间分离层2、中间分离层3、中间分离层4、覆盖层5和贴合层6的功能、材料和厚度进行说明。
作为基板1的材料，例如可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烃或PMMA等树脂、或者玻璃，这些之中，特别是廉价且具有高生产率的聚碳酸酯是适合的。基板1优选为透明，但也可以为半透明，透明性没有特别限定。另外，基板1的形状没有特别限定，可以为圆盘状。基板1例如是厚度约为0.5mm、并且直径约为120mm的圆盘状的基板。
在基板1的L0层10侧的表面，可以根据需要形成用于引导激光7的凹凸的引导槽。当在基板1上形成引导槽时，如上所述，将接近激光7的侧的槽(面)称为“凹槽”，将远离激光7的侧的槽(面)称为“槽脊”。槽深度(凹槽面与槽脊面的高低差)例如可以为10nm以上且50nm以下。在采用槽脊-凹槽记录方式、且以高的记录密度进行记录的情况下，为了减少串扰的影响，槽深度可以设计得更深。但是，当使槽变深时，反射率存在下降的倾向。为了减少串扰并且能够维持反射率，槽深度优选为20nm以上且40nm以下。在实施方式1中，槽脊-凹槽间距离(凹槽的宽度方向的中心与和该凹槽相邻的槽脊的宽度方向的中心之间的距离)约为0.18μm，但不限于此。
中间分离层2、3和4包含光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)、或迟效性热固化型树脂等树脂等，例如包含丙烯酸系树脂。中间分离层2、3和4若相对于用于记录和再现的波长λ的激光为光吸收小，则能够使激光7有效地到达L0层10和L1层20。中间分离层2、3和4是为了区分LO层10、L1层20、L2层30和L3层40的聚焦位置而设置的。因此，中间分离层2、3和4的厚度例如可以设为由物镜的数值孔径(NA)和激光的波长λ决定的焦点深度ΔZ以上。当将焦点的光强度的基准假定为无像差的情况下的80％时，ΔZ可以近似为ΔZ＝λ/{2(NA)2}。另外，为了防止L1层20、L2层30中的背焦点的影响，中间分离层2、中间分离层3、中间分离层4的厚度可以设为不同的值。
在中间分离层2、3和4中，可以在激光7的入射侧形成凹凸的引导槽。设置于中间分离层2、3和4的引导槽的高低差、以及槽脊-凹槽间距离如关于设置于基板1的引导槽所说明的那样。在实施方式1中，槽深度(凹槽面与槽脊面的高低差)设为30nm，槽脊-凹槽间距离设为约0.18μm，但不限于此。
覆盖层5例如包含光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)、或迟效性热固化型树脂等的树脂、或者电介质等。覆盖层5可以相对于使用的激光为光吸收小。或者，覆盖层5可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烃、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等树脂、或者玻璃而形成。在使用这些材料的情况下，覆盖层5可以为片状、薄板状。片状、薄板状的覆盖层5例如可以通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等树脂作为粘接剂而贴合于L2层30中的第2电介质膜33来形成。覆盖层5的厚度例如可以设为NA＝0.91且能够进行良好的记录和再现的厚度即40μm～80μm左右，特别是可以设为45μm～63μm左右。
贴合层6例如包含光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等树脂，并使A面信息记录介质101与B面信息记录介质102粘接。贴合层6的透明性没有特别限定，可以为透明，也可以为半透明。可以在贴合层6上设置对激光7进行遮光的膜。贴合层6的厚度可以为5μm～80μm左右，特别是可以为20μm～50μm左右。
在将信息记录介质100的厚度设为与BD标准的介质同等的厚度的情况下，中间分离层2、3和4以及覆盖层5的厚度的总和可以设定为100μm。例如，可以将中间分离层2设定为约15.5μm厚、将中间分离层3设定为约19.5μm厚、将中间分离层4设定为约11.5μm厚、将覆盖层5设定为约53.5μm厚。
接着，对各层的膜构成进行说明。
首先，对L0层10的构成进行说明。L0层10通过在基板1的表面上依次层叠至少第1电介质膜11、第2电介质膜12、记录膜13和第3电介质膜14来形成。
第1电介质膜11是作为本发明的特长的膜，本发明的第1电介质膜11具有与基板1的高的密合性，另外，由于热传导低，因此能够抑制因激光的吸收而在记录膜13产生的热向基板1扩散，能够对L0层赋予优异的再现耐久性。
另外，本发明的第1电介质膜11具有调节光学的相位差而控制信号振幅的作用。另外，第1电介质膜11具有抑制水分向记录膜13侵入的作用、以及抑制记录膜13中的氧向外部逃逸的作用。
第1电介质膜11通过溅射在基板1的表面上形成。基板1为成形基板，优选使用聚碳酸酯。聚碳酸酯为热塑性树脂，不含光聚合引发剂。另外，由于低分子成分也少，因而在第1电介质膜11的溅射中，存在挥发的可能性的成分少。
具体而言，第1电介质膜11是ZnS、或包含ZnS的材料。此外，通过以30mol％以下的方式包含SiO2或TiO2，从而能够减少噪音，能够得到更高的S/N。
第1电介质膜11的厚度例如为3nm以上且30nm以下，优选为5nm以上且20nm以下，其能够更加兼顾与基板1的密合性和热扩散。另外，若第1电介质膜11的厚度超过30nm，则有时第1电介质膜11的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第1电介质膜11的组成例如可以通过X射线显微分析仪(XMA)、电子射线显微分析仪(EPMA)、EDS(能量色散型X射线分析)、或者卢瑟福背散射分析法(RBS)来进行分析。后述的第1电介质膜21、31、41、第2电介质膜12、23、33、43、记录膜13、22、32、42、以及第3电介质膜14也可以同样地通过这些方法来分析所含的元素及其组成。
第1电介质膜11例如是通过溅射而形成的纳米级的薄膜。因此，第1电介质膜11中所含的电介质由于溅射中的金属的缺损、以及不可避免的杂质的混入，严格地说，有时无法成为化学计量组成。基于该理由，在本实施方式和其他实施方式中，第1电介质膜11中所含的氧化物也可以不一定是化学计量组成的氧化物。另外，在本说明书中，由于氧和/或金属的缺损、以及杂质的混入等，以化学计量组成表示的材料严格地说也包含不是化学计量组成的材料。这对于后述的第1电介质膜21、31、41、第2电介质膜12、23、33、43、以及第3电介质膜14而言也是同样的。
第1电介质膜11实质上由Zn和S构成，也可以进一步包含Si和O或TiO。
在此，“实质上”这一术语是考虑到以下情况而使用的：第1电介质膜11在例如通过溅射而形成的情况下，有时不可避免地包含其它元素，该其它元素源自溅射气氛中存在的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分、有机物(C)、空气、配置于溅射室的夹具和靶中所含的杂质。在将第1电介质膜11中所含的全部原子设为100原子％的情况下，这些不可避免的成分可以以将上限设为10原子％的方式包含。另外，对于后述的第1电介质膜21、31、41、第2电介质膜12、23、33、43、以及第3电介质膜14而言也同样适用。
第2电介质膜12的功能具有调节光学的相位差而控制信号振幅的作用、调整记录标记的鼓起而控制信号振幅的作用。另外，第2电介质膜12具有抑制水分向记录膜13侵入的作用、以及抑制记录膜13中的氧向外部逃逸的作用。
第2电介质膜12例如可以使用Zr-Zn-Sn-O、Zr-Zn-Sn-Y-O、Zr-Zn-Sn-Mg-O、Zr-Zn-Sn-Ca-O、Zr-Zn-Sn-Ga-O、Zr-Zn-Sn-A1-O、Zr-Zn-Sn-Y-Ga-O、Zr-Zn-Sn-Mg-Ga-O、Zr-Zn-Sn-Ca-Ga-O、Zr-Zn-Sn-Y-Al-O、Zr-Zn-Sn-Mg-Al-O、Zr-Zn-Sn-Ca-Al-O、Zr-In-O、Zr-In-Si-O、Zr-In-Y-O、Zr-In-Mg-O、Zr-In-Ca-O、Zr-In-Y-Si-O、Zr-In-Mg-Si-O、Zr-In-Ca-Si-O、Ti-O、Nb-OTi-Nb-O等。另外，对于第2电介质膜12，上述体系中也可以包含Hf。
第2电介质膜12的厚度例如为3nm以上且30nm以下，更优选为5nm以上且20nm以下。若小于3nm，则与第1电介质膜11的密合性降低，有时抑制水分向记录膜13侵入的保护功能降低。若超过30nm，则有时LO层10的反射率降低。
本发明的记录膜13至少包含W、Mn和氧，还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素。
记录膜13至少包含W、Mn和氧，因此，例如通过激光7的照射，氧(O)分离，另外O彼此结合，形成成为记录标记的膨胀部。由于该膨胀部的形成是不可逆的变化，因此具备该记录膜13的L0层10是一次写入型的。
在记录膜13中，W和Mn可以分别以W-O、Mn-O的氧化物的形态存在。
记录膜中的W-O是透明的氧化物，并具有在激光被照射到记录膜时产生氧而使记录膜膨胀的功能。另外，在使用包含W的靶并通过DC溅射来形成记录膜时，靶中的W具有稳定地使DC溅射持续的功能。如果没有W，则记录膜不膨胀，记录标记的形成变得困难。若使用包含W的靶、并且一边导入氧一边通过溅射来形成记录膜，则W在记录膜中成为W-O，或者与其他元素结合而至少一部分成为复合氧化物。
记录膜中的Mn-O是具有光吸收性的氧化物，具有在激光被照射到记录膜时产生氧而使记录膜膨胀的功能。Mn-O越多，调制度越大，信号品质提高。如果没有Mn-O，则无法形成品质良好的记录标记。若使用包含Mn-O的靶、并且一边导入氧一边通过溅射形成记录膜，则Mn-O在记录膜中以原本的状态存在，或者与其它元素结合而至少一部分成为复合氧化物。
此外，通过包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素M，从而可得到高的导电率、大的调制度、或者高的反射率。
在记录膜13中，Cu可以以Cu-O的氧化物的形态存在。记录膜中的Cu-O是具有光吸收性的氧化物，并承担使记录膜吸收激光的作用。另外，靶中的Cu对靶赋予导电性，在通过DC溅射来形成记录膜时，具有稳定地使DC溅射持续的功能。若使用没有Cu的靶，则DC溅射变得非常困难。若使用包含Cu的靶、并且一边导入氧一边通过溅射来形成记录膜，则Cu在记录膜中成为Cu-O，或者与其他元素结合而至少一部分成为复合氧化物。
在记录膜13中，Zn可以以Zn-O的氧化物的形态存在。记录膜中的Zn-O是具有导电性的氧化物，若使用包含其的靶并通过DC溅射来形成记录膜，则DC溅射的持续性更加稳定。另外，通过调整Zn-O的量，从而能够调整记录膜的透射率、光吸收率。但是，即使在靶中不含Zn-O，也能够进行DC溅射。若使用包含Zn-O的靶、并且一边导入氧一边通过溅射形成记录膜，则Zn-O在记录膜中以原本的状态存在，或者与其它元素结合而至少一部分成为复合氧化物。
在记录膜13中，Nb、Ta和Ti可以以Nb-O、Ta-O和Ti-O的氧化物的形态存在。Nb、Ta和Ti可分别形成氧化数不同的多个氧化物。通常，氧多的氧化物是透明的。例如，NbO(铌2价)和NbO2(铌4价)为黑色，但Nb2O5(铌5价)为无色。还存在马格涅利相的氧化物Nb3n+1O8n-2。TaO2(钽4价)为黑色，但Ta2O5(钽5价)为无色。TiO(钛2价)为黑色，Ti2O3(钛3价)为黑紫色，但TiO2(钛4价)为无色。因此，能够提高记录膜13的透射率。当Ta以Ta-O的形式存在时，是使记录标记膨胀的功能优异的材料。另外，关于Nb、Ti，Nb-O、Ti-O具有高折射率，能够提高反射率。
记录膜13的膜厚可以设为15nm以上且55nm以下，特别是，可以设为25nm以上且50nm以下。若比15nm更薄，则记录膜13无法充分地膨胀，无法形成良好的记录标记。若超过55nm，则有时反射率降低，再现光量变小。另外，若记录膜13的厚度超过55nm，则有时记录膜13的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
记录膜13的组成例如可以为W-Mn-O、W-Cu-Mn-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-O、W-Cu-Mn-Nb-Zn-O、W-Cu-Mn-Nb-Ta-O、W-Cu-Mn-Nb-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn-Ta-O、W-Cu-Mn-Ta-Zn-O、W-Cu-Mn-Ti-O、W-Cu-Mn-Ti-Zn-O、W-Cu-Mn-Ti-Ta-O、W-Cu-Mn-Ti-Ta-Zn-O、W-Mn-Nb-O、W-Mn-Nb-Zn-O、W-Mn-Nb-Ta-O、W-Mn-Nb-Ta-Zn-O、W-Mn-Ta-O、W-Mn-Ta-Zn-O、W-Mn-Ti-O、W-Mn-Ti-Zn-O、W-Mn-Ti-Ta-O、W-Mn-Ti-Ta-Zn-O等。
记录膜13中的W可以以透明性高的WO3的形态存在。在记录膜13中，也可以包含金属W、WO2、WO2与WO3的中间氧化物(W18O49、W20O58、W50O148、W40O119等)、或者马格涅利相(WnO3n-1)。
记录膜13的膜中的Mn可以以选自MnO、Mn3O4、Mn2O3和MnO2中的至少一种氧化物的形态存在。在记录膜13中，也可以包含金属Mn。
记录膜13中的Cu可以以CuO或Cu2O的形态存在。在记录膜13中，也可以包含金属Cu。
记录膜13中的Nb可以以无色的Nb2O5或NbOx的形态存在。Nb2O5和NbOx可以混合存在。在记录膜13中，也可以包含NbO、NbO2、或马格涅利相(Nb3n+1O8n-2)。在记录膜13中，也可以包含金属Nb。
记录膜13中的Ta可以以无色的Ta2O5的形态存在。在记录膜13中，也可以包含TaO2。在记录膜13中，也可以包含金属Ta。
记录膜13中的Ti可以以无色的TiO2或TiOx的形态存在。TiO2和TiOx可以混合存在。在记录膜13中，也可以包含TiO、Ti2O3、Ti2O5、或马格涅利相(TinO2n-1)。在记录膜13中，也可以包含金属Ti。
在记录膜13中，可以存在包含W、Cu、Mn、以及选自元素M中的2种以上的金属的复合氧化物。
当记录膜13的组成例如为W-Cu-Mn-Zn-O时，记录膜13的体系可以为WO3-CuO-MnO2-ZnO、WO3-CuO-Mn2O3-ZnO、WO3-CuO-Mn3O4-ZnO、WO3-CuO-MnO-ZnO、WO3-Cu2O-MnO2-ZnO、WO3-Cu2O-Mn2O3-ZnO、WO3-Cu2O-Mn3O4-ZnO和WO3-Cu2O-MnO-ZnO等。或者，也可以包含氧化钨的马格涅利相。在这些体系中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、亚氧化物和高氧化数氧化物。
当记录膜13的组成例如为W-Cu-Mn-Nb-O时，记录膜13的体系可以为WO3-CuO-MnO2-Nb2O5、WO3-CuO-Mn2O3-Nb2O5、WO3-CuO-Mn3O4-Nb2O5、WO3-CuO-MnO-Nb2O5、WO3-Cu2O-MnO2-Nb2O5、WO3-Cu2O-Mn2O3-Nb2O5、WO3-Cu2O-Mn3O4-Nb2O5、WO3-Cu2O-MnO-Nb2O5、WO3-CuO-MnO2-NbO、WO3-CuO-Mn2O3-NbO、WO3-CuO-Mn3O4-NbO、WO3-CuO-MnO-NbO、WO3-Cu2O-MnO2-NbO、WO3-Cu2O-Mn2O3-NbO、WO3-Cu2O-Mn3O4-NbO、WO3-Cu2O-MnO-NbO、WO3-CuO-MnO2-NbO2、WO3-CuO-Mn2O3-NbO2、WO3-CuO-Mn3O4-NbO2、WO3-CuO-MnO-NbO2、WO3-Cu2O-MnO2-NbO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-NbO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-NbO2、WO3-Cu2O-MnO-NbO2等。在这里所示的体系中，可以存在NbOx以代替Nb2O5，Nb2O5和NbOx可以混合存在。或者，也可以包含氧化钨、氧化铌的马格涅利相。在这些体系中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、亚氧化物和高氧化数氧化物。此外，在这里所示的体系中，也可以包含ZnO。
当记录膜13的组成例如为W-Cu-Mn-Ta-O时，记录膜13的体系可以为WO3-CuO-MnO2-Ta2O5、WO3-CuO-Mn2O3-Ta2O5、WO3-CuO-Mn3O4-Ta2O5、WO3-CuO-MnO-Ta2O5、WO3-Cu2O-MnO2-Ta2O5、WO3-Cu2O-Mn2O3-Ta2O5、WO3-Cu2O-Mn3O4-Ta2O5、WO3-Cu2O-MnO-Ta2O5、WO3-CuO-MnO2-TaO2、WO3-CuO-Mn2O3-TaO2 、WO3-CuO-Mn3O4-TaO2、WO3-CuO-MnO-TaO2、WO3-Cu2O-MnO2-TaO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-TaO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-TaO2和WO3-Cu2O-MnO-TaO2等。或者，也可以包含氧化钨的马格涅利相。在这些体系中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、亚氧化物和高氧化数氧化物。
当记录膜13的组成例如为W-Cu-Mn-Ti-O时，记录膜13的体系可以为WO3-CuO-MnO2-TiO2、WO3-CuO-Mn2O3-TiO2、WO3-CuO-Mn3O4-TiO2、WO3-CuO-MnO-TiO2、WO3-Cu2O-MnO2-TiO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-TiO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-TiO2、WO3-Cu2O-MnO-TiO2等。可以存在TiOx以代替TiO2，TiO2和TiOx可以混合存在。或者，也可以包含氧化钨、氧化钛的马格涅利相。在这些体系中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、亚氧化物和高氧化数氧化物。此外，在这里所示的体系中，也可以包含ZnO。
当记录膜13的组成例如为W-Cu-Mn-Ta-Zn-O时，记录膜13的体系可以为WO3-CuO-MnO2-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-Mn2O3-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-Mn3O4-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-MnO-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-MnO2-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-Mn2O3-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O1Mn3O4-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-MnO-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-MnO2-TaO2-ZnO、WO3-CuO-Mn2O3-TaO2-ZnO、WO3-CuO-Mn3O4-TaO2-ZnO、WO3-CuO-MnO-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-MnO2-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-Mn2O3-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-Mn3O4-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-MnO-TaO2-ZnO等。或者，也可以包含氧化钨的马格涅利相。在这些体系中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、亚氧化物和高氧化数氧化物。
关于记录膜13中所含的氧的比例，在将金属元素和氧的原子数的合计设为100原子％时，可以为60原子％以上且80原子％以下。若氧的比例小于60原子％，则吸收率变高，有时会产生再现耐久性的恶化、再现光量的降低。若氧的比例超过80原子％，则记录灵敏度变得太差，记录需要大的功率，高速记录也变得困难。
记录膜13可以实质上由W、Cu、Mn、氧和元素M构成。在此，“实质上”这一术语是考虑到以下情况而使用的：记录膜13在例如通过溅射而形成的情况下，有时不可避免地包含其它元素，该其它元素源自溅射气氛中存在的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分、有机物(C)、空气、配置于溅射室的夹具和靶中所含的杂质。在将记录膜13中所含的全部原子设为100原子％的情况下，这些不可避免的成分可以以将上限设为10原子％的方式包含。这同样适用于关于后述的记录膜22、32、42而使用“实质上”这一术语的情况。
记录膜13例如是通过溅射而形成的纳米级的薄膜。因此，记录膜13中所含的氧化物由于溅射中的氧和/或金属的缺损、以及不可避免的杂质的混入，严格地说，有时无法成为化学计量组成。基于该理由，在本实施方式和其他实施方式中，记录膜13中所含的氧化物也可以不一定是化学计量组成的氧化物。另外，在本说明书中，由于氧和/或金属的缺损、以及杂质的混入等，以化学计量组成表示的材料严格地说也包含不是化学计量组成的材料。另外，可以形成复合氧化物、混合氧化物、亚氧化物和高氧化数氧化物。这对于后述的记录膜22、32、42而言也是同样的。
第3电介质膜14的功能与上述第2电介质膜12的功能相同。第3电介质膜14的材料可以使用与第2电介质膜12相同的材料。
第3电介质膜14的厚度可以为5nm以上30nm以下。若小于5nm，则有时保护功能降低，而无法抑制水分向记录膜13的侵入，若超过3Onm，则有时L0层10的反射率降低。
第1电介质膜11、第2电介质膜12、记录膜13和第3电介质膜14的具体厚度可以通过基于矩阵法(例如，参见久保田广著《波动光学》岩波书店，1971年，第3章)的计算来设计。通过调整各膜的厚度，从而能够调整记录膜13未记录的情况和记录的情况下的各反射率、以及记录部-未记录部间的反射光的相位差，而对再现信号的信号品质进行最优化。
接着，对L1层20的构成进行说明。关于L1层20，可以在中间分离层2的表面上至少层叠第1电介质膜21、记录膜22和第2电介质膜23。
第1电介质膜21的功能具有调节光学的相位差而控制信号振幅的作用、调整记录标记的鼓起而控制信号振幅的作用。另外，第1电介质膜21具有抑制水分向记录膜22侵入的作用、以及抑制记录膜22中的氧向外部逃逸的作用。第1电介质膜21的材料可以使用与上述L0层10的第2电介质膜12相同的材料。
第1电介质膜21的厚度例如优选为5nm以上且40nm以下。若小于5nm，则有时与中间分离层2的密合性降低，抑制水分向记录膜22侵入的保护功能降低。若超过40nm，则有时L1层20的反射率降低。另外，若第1电介质膜21的厚度超过40nm，则有时第1电介质膜21的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
记录膜22的功能具有与上述L0层10的记录膜13相同的作用。记录膜22的材料可以使用与上述LO层10的记录膜13相同的材料，并至少包含W、Mn和氧，因此，例如通过激光7的照射，氧(O)分离，另外，O彼此结合，形成成为记录标记的膨胀部。由于该膨胀部的形成是不可逆的变化，因此具备该记录膜22的L1层20是一次写入型的。
记录膜22的膜厚可以设为15nm以上55nm以下，特别是可以设为25nm以上且50nm以下。若比15nm更薄，则记录膜22无法充分膨胀，无法形成良好的记录标记。若超过55nm，则有时反射率降低，再现光量变小。另外，若记录膜22的厚度超过50nm，则有时记录膜22的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第2电介质膜23的功能与上述LO层10的第3电介质膜14的功能相同。第2电介质膜23的材料可以使用与上述L0层10的第3电介质膜14相同的材料。
第2电介质膜23的厚度可以为5nm以上且30nm以下。若小于5nm，则有时保护功能降低，无法抑制水分向记录膜22的侵入，若超过30nm，则有时L1层20的反射率降低。
第1电介质膜21、记录膜22和第2电介质膜23的具体厚度可以通过基于矩阵法(例如，参见久保田广著《波动光学》岩波书店，1971年，第3章)的计算来设计。通过调整各膜的厚度，从而能够调整记录膜13未记录的情况和记录的情况下的各反射率、以及记录部-未记录部间的反射光的相位差，而对再现信号的信号品质进行最优化。
接着，对L2层30的构成进行说明。关于L2层30，可以在中间分离层3的表面上至少层叠第1电介质膜31、记录膜32和第2电介质膜33。
第1电介质膜31的功能具有调节光学的相位差而控制信号振幅的作用、调整记录标记的鼓起而控制信号振幅的作用。另外，第1电介质膜31具有抑制水分向记录膜32侵入的作用、以及抑制记录膜32中的氧向外部逃逸的作用。第1电介质膜31的材料可以使用与上述LO层10的第2电介质膜12相同的材料。
第1电介质膜31的厚度例如优选为5nm以上且40nm以下。若小于5nm，则有时与中间分离层3的密合性降低，抑制水分向记录膜32侵入的保护功能降低。若超过40nm，则有时L2层30的反射率降低。另外，若第1电介质膜31的厚度超过40nm，则有时第1电介质膜31的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
记录膜32的功能具有与上述L0层10的记录膜13相同的作用。记录膜32的材料可以使用与上述LO层10的记录膜13相同的材料，并至少包含W、Mn和氧，因此，例如通过激光7的照射，氧(O)分离，另外，O彼此结合，形成成为记录标记的膨胀部。由于该膨胀部的形成是不可逆的变化，因此具备该记录膜32的L2层30是一次写入型的。
记录膜32的膜厚可以设为15nm以上且55nm以下，特别是可以设为25nm以上且50nm以下。若比15nm更薄，则记录膜32无法充分膨胀，无法形成良好的记录标记。若超过55nm，则有时反射率降低，再现光量变小。另外，若记录膜32的厚度超过50nm，则有时记录膜32的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第2电介质膜33的功能与上述L0层10的第3电介质膜14的功能相同。第2电介质膜33的材料可以使用与上述LO层10的第3电介质膜14相同的材料。
第2电介质膜33的厚度可以为5nm以上且30nm以下。若小于5nm，则有时保护功能降低，无法抑制水分向记录膜32的侵入，若超过30nm，则有时L2层30的反射率降低。
第1电介质膜31、记录膜32和第2电介质膜33的具体厚度可以通过基于矩阵法(例如，参见久保田广著《波动光学》岩波书店，1971年，第3章)的计算来设计。通过调整各膜的厚度，从而能够调整记录膜13未记录的情况和记录的情况下的各反射率、以及记录部-未记录部间的反射光的相位差，而对再现信号的信号品质进行最优化。
接着，对L3层40的构成进行说明。关于L3层40，可以在中间分离层4的表面上至少层叠第1电介质膜41、记录膜42和第2电介质膜43。
第1电介质膜41的功能具有调节光学的相位差而控制信号振幅的作用、调整记录标记的鼓起而控制信号振幅的作用。另外，第1电介质膜41具有抑制水分向记录膜42侵入的作用、以及抑制记录膜42中的氧向外部逃逸的作用。第1电介质膜41的材料可以使用与上述LO层10的第2电介质膜12相同的材料。
第1电介质膜41的厚度例如优选为5nm以上且40nm以下。若小于5nm，则有时与中间分离层4的密合性降低，抑制水分向记录膜42侵入的保护功能降低。若超过40nm，则有时L3层40的反射率降低。另外，若第1电介质膜41的厚度超过40nm，则有时第1电介质膜41的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
记录膜42的功能具有与上述LO层10的记录膜13相同的作用。记录膜42的材料可以使用与上述L0层10的记录膜13相同的材料，并至少包含W、Mn和氧，因此，例如通过激光7的照射，氧(O)分离，另外，O彼此结合，形成成为记录标记的膨胀部。由于该膨胀部的形成是不可逆的变化，因此具备该记录膜42的L3层40是一次写入型的。
记录膜42的膜厚可以设为15nm以上且55nm以下，特别是可以设为25nm以上且50nm以下。若比15nm更薄，则记录膜42无法充分膨胀，无法形成良好的记录标记。若超过55nm，则有时反射率降低，再现光量变小。另外，若记录膜42的厚度超过50nm，则有时记录膜42的成膜所需的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第2电介质膜43的功能与上述L0层10的第3电介质膜14的功能相同。第2电介质膜43的材料可以使用与上述LO层10的第3电介质膜14相同的材料。
第2电介质膜43的厚度可以为5nm以上且30nm以下。若小于5nm，则有时保护功能降低，无法抑制水分向记录膜42的侵入，若超过30nm，则有时L3层40的反射率降低。
第1电介质膜41、记录膜42和第2电介质膜43的具体厚度可以通过基于矩阵法(例如，参见久保田广著《波动光学》岩波书店，1971年，第3章)的计算来设计。通过调整各膜的厚度，从而能够调整记录膜13未记录的情况和记录的情况下的各反射率、以及记录部-未记录部间的反射光的相位差，而对再现信号的信号品质进行最优化。
第1电介质膜11、21、31、41、第2电介质膜12、23、33、43、第3电介质膜14、以及记录膜13、22、32、42可以使用将构成它们的氧化物混合而成的靶、并通过RF溅射或DC溅射来形成。或者，这些膜可以使用不含氧的合金靶、并通过氧导入下的RF溅射、或氧导入下的DC溅射来形成。或者，另外，也可以通过将各氧化物的靶分别安装于单独的电源、并同时进行RF溅射或DC溅射的方法来形成这些膜(多靶溅射法)。RF溅射和DC溅射可以同时实施。此外，作为其他膜形成方法，可举出将包含金属的单体或合金的靶、或者氧化物的靶分别安装于单独的电源、并根据需要一边导入氧一边同时进行RF溅射的方法、或同时进行DC溅射的方法。或者，也可以通过使用将金属和氧化物混合而成的靶、并一边导入氧一边进行RF溅射或DC溅射的方法来形成这些膜。
在实施方式1的变形例中，在本实施方式所示的信息记录介质100中，任意信息层的记录膜可以是Te-O-Pd或Ge-Bi-O等其他记录膜、即本发明的W-O系记录膜以外的记录膜。或者，在其他变形例中，根据需要，也可以设置反射膜和由上述未例示的材料构成的电介质膜。本发明的技术效果也可在这些变形例中达成。
信息记录介质100的记录方式可以是线速度恒定的Constant Linear Velocity(恒定线速度，CLV)、转速恒定的Constant Angular Velocity(恒定角速度，CAV)、ZonedCLV(区域恒定线速度)和Zoned CAV(区域恒定角速度)中的任一种，可以使用2值记录或多值记录方式。
对于本实施方式的信息记录介质100记录和再现信息可以用物镜的数值孔径NA为0.91的光学系统来实施，或者利用NA＞1的光学系统来实施。作为光学系统，可以使用SolidImmersion Lens(固体浸没透镜，SIL)或Solid Immersion Mirror(固体浸没镜，SIM)。在该情况下，中间分离层2、3和4、以及覆盖层5可以设为5μm以下的厚度。或者，也可以使用利用了近场光的光学系统。
(实施方式2)
接着，将实施方式1中说明的信息记录介质100的制造方法作为实施方式2进行说明。
构成L0层10的第1电介质膜11、第2电介质膜12、记录膜13和第3电介质膜14可以通过作为气相成膜法之一的溅射法(溅射)来形成。
首先，将基板1(例如，厚度0.5mm、直径120mm)配置在成膜装置内。接下来，首先，将第1电介质膜11成膜。此时，当在基板1上形成螺旋状的引导槽时，在该引导槽侧将第1电介质膜11成膜。
第1电介质膜11通过使用与想要获得的组成对应的溅射靶、并在稀有气体气氛、或稀有气体与反应气体(例如，氧气)的混合气体气氛中进行溅射来形成。稀有气体例如为Ar气体、Kr气体或Xe气体，但在成本方面Ar气体是有利的。这也适用于将溅射的气氛气体设为稀有气体或其混合气体的任意溅射。另外，第1电介质膜11可以实施多靶溅射而形成。
接下来，在第1电介质膜11上将第2电介质膜12成膜。第2电介质膜12可以通过使用与第2电介质膜12的组成对应的靶、并在稀有气体气氛、或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中实施溅射来形成。另外，第2电介质膜12可以实施多靶溅射而形成。形成第2电介质膜12的靶的电阻率值优选为1Ω·cm以下。由此，能够进行DC溅射、或脉冲DC溅射。
接下来，将记录膜13成膜。记录膜13可以通过根据其组成而使用包含金属合金或金属-氧化物的混合物的靶、并实施稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中的溅射来形成。由于记录膜13的厚度比第1电介质膜11等电介质膜更厚，因而考虑到生产率，记录膜13优选使用能够期待比RF溅射更高的成膜速率的DC溅射、或脉冲DC溅射来成膜。为了使记录膜13中含有较多的氧，优选在气氛气体中混合大量的氧气。记录膜13可以实施多靶溅射而形成。
具体而言，当在记录膜13的成膜时使用合金靶或混合物靶时，靶的组成可以是W-Cu-Mn-Nb、W-Cu-Mn-Zn、W-Cu-Mn-Mo、W-Cu-Mn-Ta、W-Cu-Mn-Ti、W-Cu-Mn3O4-Nb、W-Cu-Mn3O4-ZnO、W-Cu-Mn3O4-Mo、W-Cu-Mn3O4-Ta、W-Cu-Mn3O4-Ti、W-Cu-Mn3O4-Ta、W-Cu-Mn3O4-Ta-ZnO等。
接下来，在记录膜13上将第3电介质膜14成膜。第3电介质膜14可以通过使用与第3电介质膜14的组成对应的靶、并在稀有气体气氛、或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中实施溅射来形成。另外，第3电介质膜14可以实施多靶溅射而形成。形成第3电介质膜14的靶的电阻率值优选为1Ω·cm以下。由此，能够进行DC溅射或脉冲DC溅射。
接下来，在第3电介质膜14上形成中间分离层2。中间分离层2可以通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)、迟效性热固化型树脂等树脂(例如丙烯酸系树脂)涂布在LO层10上并进行旋涂之后使树脂固化来形成。当在中间分离层2设置引导槽时，可以通过以下方法来形成中间分离层2：在使表面上形成了规定形状的槽的转印用基板(模具)与固化前的树脂密合的状态下进行旋涂之后使树脂固化，然后，将转印用基板从经固化的树脂上剥离。另外，中间分离层2可以分为两个阶段形成，具体而言，可以先用旋涂法形成占大部分厚度的部分，接着通过旋涂法与基于转印用基板的转印的组合来形成具有引导槽的部分。
接下来，形成L1层20。具体而言，首先，在中间分离层2之上形成第1电介质膜21。第1电介质膜21可以通过与上述第2电介质膜12同样的方法并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。接下来，在第1电介质膜21上形成记录膜22。记录膜22可以通过与上述记录膜13同样的方法并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。接下来，在记录膜22上形成第2电介质膜23。第2电介质膜23可以通过与上述第3电介质膜14同样的方法并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。
接下来，在第2电介质膜23上形成中间分离层3。中间分离层3可以通过与上述中间分离层2同样的方法来形成。
接下来，形成L2层30。L2层30可以通过基本上与上述L1层20同样的方法来形成。首先，在中间分离层3上形成第1电介质膜31。第1电介质膜31可以通过与上述第2电介质膜12同样的方法并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。
接下来，在第1电介质膜31上形成记录膜32。记录膜32可以通过与上述记录膜13相同的方法并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。接下来，在记录膜32上形成第2电介质膜33。第2电介质膜33可以通过与上述第3电介质膜14相同的方法并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。
接下来，形成L3层40。L3层40可以通过基本上与上述L1层20相同的方法来形成。首先，在中间分离层4上形成第1电介质膜41。第1电介质膜41可以通过与上述第2电介质膜12相同的方法、并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。
接下来，在第1电介质膜41上形成记录膜42。记录膜42可以通过与上述记录膜13相同的方法、并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。接下来，在记录膜42上形成第2电介质膜43。第2电介质膜43可以通过与上述第3电介质膜14相同的方法、并使用与想要得到的组成对应的靶来形成。
任意电介质膜和记录膜均可以将溅射时的供给电力设定为10W～10kW、并将成膜室的压力设定为0.01Pa～10Pa来形成。
接下来，在第2电介质膜43上形成覆盖层5。覆盖层5可以通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等树脂涂布在第2电介质膜43上并进行旋涂之后使树脂固化来形成。或者，覆盖层5也可以通过贴合包含聚碳酸酯、非晶聚烯烃或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等树脂、或者玻璃的圆盘状的基板的方法来形成。具体而言，可以通过以下方法来形成覆盖层5：在第2电介质膜33上涂布光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等树脂，并在将基板密合于所涂布的树脂的状态下实施旋涂而使树脂均匀地延展，然后，使树脂固化。
需要说明的是，作为各层的成膜方法，除了溅射法以外，还可以使用真空蒸镀法、离子镀法、化学气相沉积法(CVD法：Chemical Vapor Deposition)和分子束外延法(MBE法：Molecular Beam Epitaxy)。
如此地，能够制造A面信息记录介质101。另外，根据需要，也可以使基板1和LO层10包含盘的识别码(例如，BCA(Burst Cutting Area，冲切区))。例如，当对聚碳酸酯制的基板1附加识别码时，可以在将基板1成形后，使用CO2激光等，对聚碳酸酯进行溶解、气化，由此附加识别码。另外，当对L0层10附加识别码时，可以使用半导体激光等，在记录膜13进行记录，或者对记录膜13进行分解，由此附加识别码。对L0层10附加识别码的工序可以在第3电介质膜14的形成后、中间分离层2、3和4的形成后、覆盖层5的形成后、或者后述的贴合层6的形成后进行实施。
同样地，也能够制造B面信息记录介质102。当在B面信息记录介质102的基板1设置引导槽时，螺旋的旋转方向可以与上述A面信息记录介质101的基板1的引导槽的旋转方向相反，或者也可以是相同方向。
最后，在A面信息记录介质101中的基板1的与设置有引导槽的面相反的面上均匀地涂布光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)，并将其贴附在将B面信息记录介质102的基板1的与设置有引导槽的面相反的面进行了涂布的树脂上。其后，通过对树脂照射光而使其固化，从而形成贴合层6。或者，也可以在将迟行性固化型的光固化型树脂均匀地涂布于A面信息记录介质101之后，照射光，然后，贴附B面信息记录介质102，形成贴合层6。如此地，能够制造根据实施方式1的、在两面具有信息层的信息记录介质100。
如上所述，作为根据本发明的技术的例示，对实施方式进行了说明。
另外，上述的实施方式用于对本发明中的技术进行例示，所以能够在权利要求书或其等同的范围内进行各种变更、置换、附加、省略等。
接着，使用实施例详细地说明本发明的技术。
实施例
对于本发明的更具体的实施方式，使用实施例进一步详细地进行说明。
(实施例1)
在本实施例中，对图1所示的信息记录介质100的一例进行说明。以下为本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先，对A面信息记录介质101的构成进行说明。作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.5mm)。在该基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用由ZnS构成的靶来成膜6nm的ZnS作为第1电介质膜11；使用由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜6nm的((ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜12；使用实质上由W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O构成的靶来成膜40nm的W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O作为记录膜13；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜10nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第3电介质膜14。
在此，关于记录膜的表述，作为元素比，以仅记载了金属元素比(原子％)的形式进行表述，之后也同样地进行表述。例如，如果为W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20(原子％)的氧化物，则表述为W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O。
在波长405nm的激光7中，没有L1层20、L2层30和L3层40时的LO层10的反射率在未记录状态下为Rg≈7.5％，R1≈7.7％。
第1电介质膜11的成膜在Ar气氛中使用RF电源来进行。第2电介质膜12和第3电介质膜14的成膜在Ar气氛中使用DC电源来进行。记录膜13的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在LO层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层2。关于中间分离层2，首先，将形成母体厚度的紫外线固化树脂进行旋涂之后，利用紫外线使树脂固化。接着，将转印引导槽的紫外线固化树脂进行旋涂，在其上贴合形成有引导槽的由聚碳酸酯构成的压模基板，利用紫外线使树脂固化后，将压模基板剥离，由此形成中间分离层2。中间分离层2的厚度约为15.5μm。
接着，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用实质上由(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)237(MgO)21(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶来成膜16nm的(ZnO)48.4(SnO2)247(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)作为L1层20的第1电介质膜21；使用本发明中的实质上由W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O构成的靶来成膜40nm的W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O作为记录膜22；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜14nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜23。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30和L3层40时的L1层20的反射率在记录膜22为未记录状态下为Rg≈5.1％、R1≈5.3％，透射率约为80％。
另外，第1电介质膜21和第2电介质膜23的成膜在Ar气氛中使用DC电源或脉冲DC电源来进行。记录膜22的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在L1层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层3。关于中间分离层3，首先，将形成母体厚度的紫外线固化树脂进行旋涂之后，利用紫外线使树脂固化。接着，将转印引导槽的紫外线固化树脂进行旋涂，在其上贴合形成有引导槽的由聚碳酸酯构成的压模基板，利用紫外线使树脂固化后，将压模基板剥离，由此形成中间分离层3。中间分离层3的厚度约为19.5μm。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用实质上由(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶来成膜15nm的(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)作为第1电介质膜31；使用本发明中的实质上由W35Cu14Ta25Zn11Mn15-O构成的靶来成膜40nm的W35Cu14Ta25Zn11Mn15-O作为记录膜32；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜17nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜33。
第1电介质膜31和第2电介质膜33的膜厚通过基于矩阵法的计算来决定。具体而言，设定为：在波长405nm的激光6中，没有L3层40时的L2层30的反射率在记录膜32为未记录状态下为Rg≈3.5％、R1≈3.6％，透射率约为83％。
另外，第1电介质膜31和第2电介质膜33的成膜在Ar气氛中使用DC电源或脉冲DC电源来进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在L2层30上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层4。关于中间分离层4，首先，将形成母体厚度的紫外线固化树脂进行旋涂之后，利用紫外线使树脂固化。接着，将转印引导槽的紫外线固化树脂进行旋涂，在其上贴合形成有引导槽的由聚碳酸酯构成的压模基板，利用紫外线使树脂固化后，将压模基板剥离，由此形成中间分离层4。中间分离层4的厚度约为11.5μm。
在中间分离层4上形成L3层40。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用实质上由(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶来成膜15nm的(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)作为第1电介质膜41；使用本发明中的实质上由W37Cu12Ta27Zn11Mn13-O构成的靶来成膜40nm的W37Cu12Ta27Zn11Mn13-O作为记录膜42；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜23nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜43。
第1电介质膜41和第2电介质膜43的膜厚通过基于矩阵法的计算来决定。具体而言，设定为：在波长405nm的激光6中，L3层40的反射率在记录膜32为未记录状态下为Rg≈2.6％、R1≈2.7％，透射率约为85％。
另外，第1电介质膜41和第2电介质膜43的成膜在Ar气氛中使用DC电源或脉冲DC电源来进行。记录膜42的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第2电介质膜43上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约53.5μm的覆盖层5，制作A面信息记录介质101。
接着，对B面信息记录介质102的构成进行说明。作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.5mm)。在该基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用由ZnS构成的靶来成膜6nm的ZnS作为第1电介质膜11；使用由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(m0l％)构成的靶来成膜6nm的((ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜12；使用实质上由W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O构成的靶来成膜40nm的W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O作为记录膜13；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜10nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第3电介质膜14。
在此，关于记录膜的表述，作为元素比，以仅记载了金属元素比(原子％)的形式进行表述，之后也同样地进行表述。例如，如果为W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20(原子％)的氧化物，则表述为W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O。
在波长405nm的激光7中，没有L1层20、L2层30和L3层40时的LO层10的反射率在未记录状态下为Rg≈7.5％，R1≈7.7％。
第1电介质膜11的成膜在Ar气氛中使用RF电源来进行。第2电介质膜12和第3电介质膜14的成膜在Ar气氛中使用DC电源来进行。记录膜13的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在LO层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层2。关于中间分离层2，首先，将形成母体厚度的紫外线固化树脂进行旋涂之后，利用紫外线使树脂固化。接着，将转印引导槽的紫外线固化树脂进行旋涂，在其上贴合形成有引导槽的由聚碳酸酯构成的压模基板，利用紫外线使树脂固化后，将压模基板剥离，由此形成中间分离层2。中间分离层2的厚度约为15.5μm。
接着，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用实质上由(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)237(MgO)21(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶来成膜16nm的(ZnO)48.4(SnO2)247(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)作为L1层20的第1电介质膜21；使用本发明中的实质上由W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O构成的靶来成膜40nm的W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O作为记录膜22；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜14nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜23。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30和L3层40时的L1层20的反射率在记录膜22为未记录状态下为Rg≈5.1％、R1≈5.3％，透射率约为80％。
另外，第1电介质膜21和第2电介质膜23的成膜在Ar气氛中使用DC电源或脉冲DC电源来进行。记录膜22的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在L1层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层3。关于中间分离层3，首先，将形成母体厚度的紫外线固化树脂进行旋涂之后，利用紫外线使树脂固化。接着，将转印引导槽的紫外线固化树脂进行旋涂，在其上贴合形成有引导槽的由聚碳酸酯构成的压模基板，利用紫外线使树脂固化后，将压模基板剥离，由此形成中间分离层3。中间分离层3的厚度约为19.5μm。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用实质上由(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶来成膜15nm的(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)作为第1电介质膜31；使用本发明中的实质上由W35Cu14Ta25Zn11Mn15-O构成的靶来成膜40nm的W35Cu14Ta25Zn11Mn15-O作为记录膜32；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜17nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜33。
第1电介质膜31和第2电介质膜33的膜厚通过基于矩阵法的计算来决定。具体而言，设定为：在波长405nm的激光6中，没有L3层40时的L2层30的反射率在记录膜32为未记录状态下为Rg≈3.5％、R1≈3.6％，透射率约为83％。
另外，第1电介质膜31和第2电介质膜33的成膜在Ar气氛中使用DC电源或脉冲DC电源来进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在L2层30上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层4。关于中间分离层4，首先，将形成母体厚度的紫外线固化树脂进行旋涂之后，利用紫外线使树脂固化。接着，将转印引导槽的紫外线固化树脂进行旋涂，在其上贴合形成有引导槽的由聚碳酸酯构成的压模基板，利用紫外线使树脂固化后，将压模基板剥离，由此形成中间分离层4。中间分离层4的厚度约为11.5μm。
在中间分离层4上形成L3层40。依次通过溅射法来进行以下成膜：使用实质上由(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶来成膜15nm的(ZnO)48.4(SnO2)24.7(ZrO2)23.7(MgO)2.1(Ga2O3)1.1(mol％)作为第1电介质膜41；使用本发明中的实质上由W37Cu12Ta27Zn11Mn13-O构成的靶来成膜40nm的W37Cu12Ta27Zn11Mn13-O作为记录膜42；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜23nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜43。
第1电介质膜41和第2电介质膜43的膜厚通过基于矩阵法的计算来决定。具体而言，设定为：在波长405nm的激光6中，L3层40的反射率在记录膜32为未记录状态下为Rg≈2.6％、R1≈2.7％，透射率约为85％。
另外，第1电介质膜41和第2电介质膜43的成膜在Ar气氛中使用DC电源或脉冲DC电源来进行。记录膜42的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第2电介质膜43上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约53.5μm的覆盖层5，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设置有引导槽的面相反侧的面上均匀涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的与设置有引导槽的面相反侧合在一起，利用紫外线使树脂固化，形成贴合层6。
如此地，制作本实施例的信息记录介质100。
将该盘No.设为1-01。另外，作为比较例，制作在A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第1电介质膜11应用了(ZrO2)15(SiO2)15(In2O3)70(mol％)的盘No.比较例1-1。
在这些1-01和比较例1-1中，进行再现耐久性的评价。再现耐久性的评价使用本公司制作的评价装置来进行。
评价机的激光7的波长为405nm，物镜的数值孔径NA为0.91，在凹槽和槽脊进行信息的记录。关于记录和再现的线速度，以15.78m/进行。进行5值的多值记录，将单元长度设为96.4nm，每1信息层进行166.7GB密度的记录。所谓的5值记录，是将记录能量(功率和脉冲宽度)以5阶段的方式改变，以5个级别制作记录的深度的记录方式。另外，再现光使用以2∶1高频叠加(调制)后的激光7。进行基于5值随机信号的记录，信号品质以SER(Simbol ErrorRate，符号错误率)的形式进行评价。
L0层10的再现耐久性的评价中，在相邻的凹槽和槽脊上记录随机信号，以再现功率5.3mW、线速度15.78m/s的方式再现位于进行了记录的轨道的中央处的凹槽和其两个相邻的槽脊的随机信号，通过凹槽和槽脊的重复的再现次数为第1次和第100万次时的凹槽的S/N的变化量(＝将SER的变化量进行分贝换算而得的值)来判定是否良好。另外，未对L1层20、L2层30和L3层40进行记录。
另外，信号再现通过3轨道串扰消除方式(再现作为对象的凹槽和两个相邻的槽脊的信号，通过串扰消除处理算出凹槽的SER)来算出SER，将再现次数为第1次和第100万次的SER变化量定义为ΔS/N并进行评价。具体而言，将ΔS/N小于1.0dB的情况设为◎(非常良好)，将ΔS/N为1.0dB以上且1.5dB以下的情况设为○(良好)，将ΔS/N大于1.5dB的情况设为×(无法实用)。需要说明的是，进行基于凹槽而非槽脊的再现的评价，这是因为，在本实施例中，凹槽的光吸收率较高，再现耐久性变差。另外，在以下的实施例中，同样地进行凹槽的再现耐久性的评价。
将A面信息记录介质的结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0004040572010000331
在盘No.1-01中，相对于比较例1-1，可得到再现耐久性为良好的结果，能够确认基于本发明的电介质膜构成的再现耐久性提高的效果。
将B面信息记录介质的结果示于表2。
[表2]
Figure BDA0004040572010000341
在盘No.1-01中，相对于比较例1-1，可得到再现耐久性为良好的结果，能够确认基于本发明的电介质膜构成的再现耐久性提高的效果。
(实施例2)用L2层的记录膜研究材料、组成
在本实施例中，对图1所示的信息记录介质100的另一例进行说明。以下为本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先，对A面信息记录介质101的构成进行说明。
作为基板1，使用与实施例1同样的基板。
依次通过溅射法来进行以下成膜：使用由(ZnS)80(SiO2)20(mol％)和(ZnS)80(TiO2)20(mol％)构成的靶来成膜6nm的(ZnS)80(SiO2)20(mol％)和(ZnS)80(TiO2)20(mol％)作为第1电介质膜11；使用由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜6nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜12；使用实质上由W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O构成的靶来成膜40nm的W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O作为记录膜13；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜10nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第3电介质膜14。
在波长405nm的激光7中，当没有L1层20、L2层30和L3层40时，L0层10的反射率在第1电介质膜11为(ZnS)80(SiO2)20(mol％)中在未记录状态下为Rg≈7.3％、R1≈7.5％。另外，在第1电介质膜11为(ZnS)80(TiO2)20(mol％)中在未记录状态下为Rg≈7.7％、R1≈7.9％。
第1电介质膜11的成膜在Ar气氛中使用RF电源来进行。第2电介质膜12和第3电介质膜14的成膜在Ar气氛中使用DC电源来进行。记录膜13的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在L0层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在L1层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在L2层30上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层4。中间分离层4的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在中间分离层4上形成L3层40。L3层40的构成和制造方法与实施例1相同。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第2电介质膜43上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约53.5μm的覆盖层5，制作A面信息记录介质101。
接着，对B面信息记录介质102的构成进行说明。
作为基板1，使用与实施例1同样的基板。
依次通过溅射法来进行以下成膜：使用由(ZnS)80(SiO2)20(mol％)和(ZnS)80(TiO2)20(mol％)构成的靶来成膜6nm的(ZnS)80(SiO2)20(mol％)和(ZnS)80(TiO2)20(mol％)作为第1电介质膜11；使用由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜6nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第2电介质膜12；使用实质上由W21Cu17Ta18Zn4Mn20Ti20-O构成的靶来成膜40nm的W21Cu17Ta18Zn4Mn20 Ti20-O作为记录膜13；使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶来成膜10nm的(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)作为第3电介质膜14。
在波长405nm的激光7中，当没有L1层20、L2层30和L3层40时，L0层10的反射率在第1电介质膜11为(ZnS)80(SiO2)20(mol％)中在未记录状态下为R空≈7.3％、R1≈7.5％。另外，在第1电介质膜11为(ZnS)80(TiO2)20(mol％)中在未记录状态下为Rg≈7.7％、R1≈7.9％。
第1电介质膜11的成膜在Ar气氛中使用RF电源来进行。第2电介质膜12和第3电介质膜14的成膜在Ar气氛中使用DC电源来进行。记录膜13的成膜在Ar+O2的混合气体气氛中使用脉冲DC电源来进行。
接下来，在L0层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在L1层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在L2层30上形成设置有螺旋状的引导槽(深度30nm、轨道间距(槽脊-凹槽间距离)0.18μm)的中间分离层4。中间分离层4的构成和制造方法与实施例1相同。
接下来，在中间分离层4上形成L3层40。L3层40的构成和制造方法与实施例1相同。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第2电介质膜43上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约53.5μm的覆盖层5，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设置有引导槽的面相反侧均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的与设置有引导槽的面相反侧合在一起，利用紫外线使树脂固化，形成贴合层6。
将在第1电介质膜11应用了(ZnS)80(SiO2)20(mol％)的盘设为盘No.2-01，将在第1电介质膜11应用了(ZnS)80(TiO2)20(mol％)的盘设为盘No.2-02。
另外，作为比较例，将在第1电介质膜11应用了(ZnS)65(SiO2)35(mol％)的盘设为盘比较例2-1，将在第1电介质膜11应用了(ZnS)65(TiO2)65(mol％)的盘设为盘比较例2-2。
在这些1-301～1-321中，进行实施例1中所说明的SER、再现耐久性的评价。
将A面信息记录介质的结果示于表3。
[表3]
Figure BDA0004040572010000371
在盘No.2-01和No.2-02中，可得到第1次的SER为良好的结果。另外，在ZnS变少的比较例2-1、比较例2-2中，再现耐久性恶化。这被认为是：由于ZnS的量减少，因此与基板1的密合性降低，或者由热传导率的增加导致的来自记录膜13的热扩散扩大，因此再现耐久性恶化。
将B面信息记录介质的结果示于表4。
[表4]
Figure BDA0004040572010000372
在B面信息记录介质中，也得到与A面信息记录介质同样的结果。
产业上的可利用性
本发明的信息记录介质及其制造方法中，信息记录介质以具有表现出提供更高的再现光量的信息层的方式构成，因而适用于以高记录密度记录信息的情形，对于记录大容量内容的光盘而言是有用的。具体而言，对于依照档案盘标准而在两面具备4层信息层的下一代光盘(例如，记录容量1TB)而言是有用的。

Claims (7)

1.一种信息记录介质，其为通过激光的照射来记录或再现信息的信息记录介质，
所述信息记录介质包含3层以上的信息层，将所述3层以上的信息层中的至少一个信息层作为第1信息层，所述第1信息层从所述激光照射面观察时由远到近依次包含第1电介质膜和记录膜，所述第1电介质膜至少包含ZnS，所述记录膜至少包含W、Mn和氧，并且还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述第1信息层是位于最远离激光照射面的位置的信息层。
3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述第1信息层具有包含聚碳酸酯的基板，所述第1电介质膜与所述聚碳酸酯基板相接。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述第1电介质膜还包含30mol％以下的SiO2或TiO2。
5.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述第1信息层具有与所述第1电介质膜和所述记录膜相接的第2电介质膜，所述第2电介质膜包含选自Zr、Zn、Sn、Si、In、Mg、Ga和氧中的至少一种元素。
6.一种信息记录介质的制造方法，其包括分别形成信息记录介质所具有的3个以上的信息层的工序，形成所述3个以上的信息层中的至少一个信息层的工序至少包括形成第1电介质膜的工序、及形成记录膜的工序，所述形成第1电介质膜的工序形成至少包含ZnS的第1电介质膜，所述形成记录膜的工序形成至少包含W和Mn、并且还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素的记录膜，所述形成第1电介质膜的工序通过使用RF电源的溅射来实施，所述形成记录膜的工序通过使用DC电源的溅射来实施。
7.根据权利要求6所述的信息记录介质的制造方法，其中，由所述形成第1电介质膜的工序形成的所述第1电介质膜还包含30mol％以下的SiO2或TiO2。
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