CN101322190A - 信息记录介质和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si－In－Zr/Hf－O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。

Description

信息记录介质和其制造方法
技术领域
本发明涉及利用光学或电将信息进行记录、消去、擦写、及/或再生的信息记录介质及其制造方法。
背景技术
已知利用记录层(相变化材料层)发生相变化的现象的相变化形信息记录介质。光学相变化形信息记录介质是利用激光束引起它的相变化即记录、消去、擦写、再生光学信息的介质。更具体来说，向光学相变化形信息记录介质的信息的记录通过利用由激光束的照射产生的热量，例如在结晶相和非晶质相之间的变化状态而实施。记录的信息通过检测结晶相和非晶质相之间的反射率差读取。
擦写型光学相变化形信息记录介质能够消去及擦写信息。在该介质中，通常记录层的初始状态为结晶相。在向该介质记录信息时，通过照射高功率(记录功率)的激光束，使记录层熔融后，将其急剧地冷却而将激光照射部形成为非晶质相。另一方面，在从该介质消去信息时，通过照射比记录时低的功率(消去功率)的激光束，使记录层升温后，将其慢冷却而将激光照射部形成为结晶相。从而，能够通过向擦写型光学相变化形信息记录介质的记录层照射在高功率电平和低功率电平之间调制了电平的激光束而除去记录的信息，同时，记录或擦写新的信息。
一次写入多次读出型光学相变化形信息记录介质只能记录一次信息，不能消去或擦写信息。在该介质中，通常，记录层的初始状态为非晶质相。在向该介质记录信息时，通过照射高功率(记录功率)的激光束，使记录层升温后，进行慢冷却而将激光照射部形成为结晶相。
还有代替照射上述激光束，利用电能(例如，电流)的施加，记录信息的电相变化形信息记录介质。向该电相变化形信息记录介质的信息的记录通过由电流的施加产生的焦耳热量，使记录层的相变化材料在结晶相(低电阻)和非晶质相(高电阻)之间变化状态而实施。记录的信息通过检测结晶相和非晶质相之间的电阻的差异来读取。
作为光学相变化形信息记录介质的例子，可以举出4.7GB/DVD-RAM。图12中示出4.7GB/DVD-RAM的结构，图12中示出的信息记录介质12(以下，还有时简称为“介质”)在基板1上从激光入射侧观察的情况下具有：入射侧电介质层2、入射侧界面层3、记录层4、反入射侧界而层5、反入射侧电介质层6、光吸收校正层7、及反射层8。在反射层8的表面利用粘接层9贴合有伪基板10。
入射侧电介质层2和反入射侧电介质层6具有：调节光学距离提高向记录层4的光吸收率，增大结晶相和非晶质相的反射率变化，增大信号强度的光学作用。另外，这些电介质层具有将对热量耐久性差的基板1及伪基板10等从在记录时成为高温的记录层4绝热的作用。以往，作为电介质层的材料使用的(ZnS)80(SiO2)20(mol％)透明，且具有高折射率、低热传导率、良好的绝热性、及良好的机械特性及耐湿性，因此为优越的电介质材料。
记录层4包含：含有在混合了化合物即GeTe和Sb2Te3的GeTe-Sb2Te3伪二元系相变化材料中将Ge的一部分用Sn置换的(Ge-Sn)Te-Sb2Te3的高速结晶化材料。该材料的记录层不仅实现初始记录擦写性能，而且还实现优越的记录保存性(是否能够在长期保存后将记录的信号再生的指标)、及擦写保存性(是否能够在长期保存后消去或擦写记录的信号的指标)。
反射层8具有增大吸收于记录层4的光量的所谓的光学性功能。另外，反射层8具有将在记录层4产生的热量迅速扩散，使记录层4容易非晶质化的热功能。进而，反射层8还具有从使用的环境保护多层膜的功能。
入射侧界面层3及反入射侧界面层5具有防止在入射侧电介质层2和记录层4、及反入射侧电介质层6和记录层4之间产生的物质移动的功能。该物质移动是指在入射侧电介质层2及反入射侧电介质层6使用(ZnS)80(SiO2)20(mol％)的情况下，将激光照射于记录层4，反复记录·擦写的期间，S(硫)向记录层扩散的现象。若S向记录层扩散，则导致反复擦写性能变差。为了防止该反复擦写性能变差，优选将含有Ge的氮化物使用于入射侧界面层3及反入射侧界面层5(例如，参照专利文献1)。
通过以上的技术，实现优越的擦写性能和高的可靠性，以至于就爱国内4.7GB/DVD-RAM商品化。
另外，作为用于将信息记录介质进一步大容量化的技术，探讨了各种技术。例如，探讨了在光学相变化形信息记录介质中，进一步减少激光束的点径，进行高密度的记录的技术。具体来说，探讨了波长比以往的红色激光短的蓝紫色激光的使用、及减小激光束入射的一侧的基板的厚度并使用开口数(NA)大的物镜的技术。若减少点径而进行记录，则照射激光束的区域被进一步减小限定，因此，增大记录层吸收的功率密度，增大体积变动。其结果，容易发生物质移动，在使ZnS-SiO2之类的含有S的材料与记录层相接而使用的情况下，反复擦写性能变差。
另外，开发了具备分别具有记录层的两个信息层的光学相变化形信息记录介质(以下，还有时称为两层光学相变化形信息记录介质)(例如，参照专利文献2及专利文献3)。两层光学相变化形信息记录介质例如可以具有图1所示的介质的两倍的记录容量。向信息层的信息的记录再生通过从介质的一面侧入射的激光束进行。从而，从激光束的入射侧较远的信息层(以下，称为第二信息层)的记录再生使用透过靠近激光束的入射侧的信息层(以下，称为第一信息层)的激光束进行。因此，在第一信息层中，将记录层的厚度极力减小来提高透过率。但是，若减小记录层，则自与记录层相接的层的物质移动的影响变大，因此，若将ZnS-SiO2之类的含有S的材料与记录层相接而使用，则反复擦写性能急剧变差。
以往，发明人等通过在上述高密度记录介质及两层光学相变化形信息记录介质中，与4.7GB/DVD-RAM相同地，将含有Ge的氮化物作为界面层配置于记录层的两侧来减小物质移动的影响，防止反复擦写性能变差。
专利文献1：日本特开平10-275360号公报(第2-6页、图2)
专利文献2：日本特开2000-36130号公报(第2-11页、图2)
专利文献3：日本特开2002-144736号公报(第2-14页、图3)
然而，在进一步减小激光束的点径而进行高密度的记录的光学相变化形信息记录介质中，有时向记录层照射比在记录信息时更大的能量(激光能量)，在记录层产生大量的热量。因此，若像以往一样由含有Ge的氮化物形成界面层，则有时在记录层产生的热量导致界面层的膜破坏发生。膜破坏的界面层不能抑制来自电介质层的S的扩散。从而，含有Ge的氮化物的界面层存在有导致反复擦写性能的急剧变差的问题。
另外，由于含有Ge的氮化物的热传导率高，因此，若为了抑制自电介质层的S的扩散而加厚界面层，则变得容易扩散热量。因此，含有Ge的氮化物的界面层还存在导致记录灵敏度的降低的问题。
发明内容
本发明是解决所述以往的问题而做成的。即，本发明的目的在于提供同时提高反复擦写性能及记录灵敏度，且信号强度良好的相变化形信息记录介质。进而，本发明的目的在于提供具有更良好的记录保存性的相变化形信息记录介质。
本发明是一种信息记录介质(以下，有时还简称为“介质”)，其可利用光的照射或电能的施加，将信息记录及/或再生，其中，具有含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)的Si-In-Zr/Hf-O系材料层，该Si-In-Zr/Hf-O系材料层含有1原子％以上的Si。在此，“Zr/Hr”是含有Zr及Hf的任一种或两者的意思。该材料层若将材料层例如作为相变化形信息记录介质的电介质层(包括与记录层相接而形成的层、及与界面层相接而形成的层)或记录层和电介质层之间的记录层使用，则能够提高介质的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。构成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的更具体的材料如下所述。
本发明的信息记录介质中，Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(1)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层也可，
Sia1Inb1M1c1O100-a1-b1-c1(原子％)       (1)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，a1、b1及c1满足1≤a1＜32、3＜b1＜38、1＜c1＜30、25＜a1+b1+c1＜40。
在此，“原子％”表示：式(1)为将Si原子、In原子、“M1”原子、及氧原子加起来的数量作为基准(100％)表示的组成式。在以下的式中，“原子％”的表示也以相同的意思使用。另外，式(1)中只对含于Si-In-Zr/Hf-O系材料中的Si原子、In原子、“M1”原子、及氧原子进行计数而示出。从而，含有由该组成式表示的材料的Si-In-Zr/Hf-O系材料有时包含这些原子以外的成分(例如，其他金属、氢、氩及氮等)。
在式(1)中，各原子以何种化合物存在不重要。在由这样的式确定材料的情况下，在调查形成为薄膜的层的组成时，难以求出化合物的组成，实际上，大部分情况下只求出元素组成(即，各原子的比例)。
在本发明的信息记录介质中，Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(2)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层也可，
(SiO2)x1(In2O3)y1(M1O2)100-x1-y1(mol％)    (2)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，x1及y1满足5≤x1≤90、5≤y1≤90、10≤x1+y1≤95。式(2)相当于在Si、In及M1作为氧化物含有时，表示各氧化物的优选的比例的式。
在此，“mol％”表示：式(2)是以各化合物的总数为基准(100％)表示的组成式。在以下的式中，“mol％”的表示也以相同的意思使用。Si-In-Zr/Hf-O系材料层除了该式表示的材料以外，还有时含有其他化合物。
本发明的信息记录介质中Si-In-Zr/Hf-O系材料层还含有：M2(M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素)也可。若将除了Si、In、及M1之外还含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层例如作为相变化形信息记录介质的电介质层或界面层使用，则能够提高介质的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。
在本发明的信息记录介质中，含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(3)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层也可，
Sid1Ine1M1f1M2g1O100-d1-e1-f1-g1(原子％)    (3)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，d1、e1、f1及g1满足1≤d1＜31、2＜e1＜38、1＜f1＜29、0＜g1＜36、25＜d1+e1+f1+g1＜40。
另外，在本发明的信息记录介质中，含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(4)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层也可，
(SiO2)z1(In2O3)w1(M1O2)v1(M22O3)100-z1-w1-v1(mol％)    (4)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，z1、w1及v1满足5≤z1＜90、5≤w1＜90、5≤v1＜90、15≤z1+w1+v1＜100。
另外，在本发明的信息记录介质中，含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层是作为M2含有Y，含有由下述式(5)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层也可，
(SiO2)u1(In2O3)t1[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]100-u1-t1(mol％)   (5)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，u1及t1满足5≤u1≤90、5≤t1≤90、10≤u1+t1≤95。
在本发明的信息记录介质中，含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层是作为M2含有Y，含有由下述式(6)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层也可，
(SiO2)s1(In2O3)r1[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]100-s1-r1(mol％)  (6)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，s1及r1满足5≤s1≤90、5≤r1≤90、10≤s1+r1≤95。
若将含有式(5)及式(6)的组成的材料(即，含有Y2O3的组成的材料)的层例如作为相变化形信息记录介质的电介质层或界面层使用，则能够提高介质的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。另外，用Y2O3置换ZrO2的部分的材料被稳定化，因此，含有其的擦了的Si-In-Zr/Hf-O系材料层能够稳定地形成。
在本发明的信息记录介质中，Si-In-Zr/Hf-O系材料层还含有选自如下成分中的至少一种成分：碳(C)，选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物，选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物，及Si-C。若将含有这些成分的Si-In-Zr/Hf-O系材料层例如作为相变化形信息记录介质的电介质层或界面层使用，则能够提高介质的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。
本发明的信息记录介质具有至少一个记录层也可。记录层可发生相变化也可。可发生相变化的记录层也可以含有选自Sb、Bi、In及Sn的至少一种元素，和Ge及Te。
可发生相变化的记录层也可以含有：由(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3的任一种表示的材料。这样的记录层能够提高相变化形信息记录介质的反复擦写性能。
在本发明的信息记录介质中，Si-In-Zr/Hf-O系材料层与所述记录层的至少一个面相接而配置也可。这样的配置例如可以提高相变化形信息记录介质的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。“记录层的面”是划定记录层的区域，与其他层相接的部分。与Si-In-Zr/Hf-O系材料层相接的记录层的面优选与厚度方向垂直的面。与Si-In-Zr/Hf-O系材料层相接的记录层的面也可以为与厚度方向平行的面(例如，侧面)。
本发明的信息记录介质中，与厚度方向垂直的记录层的两个面中一面与Si-In-Zr/Hf-O系材料层相接而配置，另一面与含有Cr、M1及O的层相接而配置也可。含有Cr、M1及O的层起促进记录层的结晶化的作用。优选含有Cr、M1及O的层设置于在从记录层观察的情况下的更靠近激光束的一侧(激光束入射侧)的面，Si-In-Zr/Hf-O系材料层设置于在从记录层观察的情况下的远离激光束的一侧(激光束反入射侧)的面。
本发明的信息记录介质还具有至少一个反射层也可。另外，反射层主要含有Ag也可。“主要”这一用语是指含有50原子％以上的Ag。反射层，尤其主要含有Ag的反射层例如能够提高相变化形信息记录介质的反复擦写性能及信号强度。
本发明另外为了解决所述问题，提供制造本发明的信息记录介质的方法。本发明的制造方法中，其特征在于，至少包括：利用溅射法形成含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)的Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序，在形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中，使用含有Si、In、M1、和O的溅射靶，该溅射靶含有0.5原子％以上的Si。利用该制造方法制造相变化形信息记录介质的情况下，能够得到提高反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度的介质。
另外，在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶也可以含有由下述式(11)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
Sia2Inb2M1c2O100-a2-b2-c2(原子％)     (11)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，a2、b2及c2满足0.5≤a2＜35、0＜b2＜43、0＜c2＜35、20＜a2+b2+c2＜45。
另外，在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶也可以含有由下述式(12)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)x2(In2O3)y2(M1O2)100-x2-y2(mol％)     (12)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，x2及y2满足2＜x2≤95、0＜y2≤95、5≤x2+y2＜100。
式(12)考虑含有Si、In、M1及氧的溅射靶由Si、In、及M1的氧化物的组成表示而被供给的情况，示出了其优选的比例。发明人确认了用X射线微量分析器分析组成如上所述地表示的溅射靶得到的元素组成与由表示的组成算出的元素组成大致相等(即，组成表示(公称组成)适当)。从而，优选将作为氧化物的混合物提供的溅射靶使用于本发明的制造方法。
另外，在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序可以作为形成还含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序实施，在那种情况下，使用含有Si、In、M1及M2的溅射靶，该溅射靶含有0.5原子％以上的Si。
在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶也可以含有由下述式(13)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
Sid2Ine2M1f2M2g2O100-d2-e2-f2-g2(原子％)    (13)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，d2、e2、f2及g2满足0.5≤d2＜34、0＜e2＜43、0＜f2＜34、0＜g2＜41、20＜d2+e2+f2+g2＜45。
在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶也可以含有由下述式(14)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)z2(In2O3)w2(M1O2)v2(M2O3)100-z2-w2-v2(mol％)     (14)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，z2、w2及v2满足2＜z2＜95、0＜w2＜95、10＜v2＜95、10≤z2+w2+v2＜100。式(13)与式(12)相同地表示作为氧化物的混合物提供的溅射靶中各氧化物的优选比例。
在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶也可以含有由下述式(15)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)u2(In2O3)t2[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]100-u2-t2(mol％)  (15)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，u2及t2满足2＜u2≤95、2＜t2≤95、5≤u2+t2＜100。含有该组成的材料的溅射靶可以稳定地制作，因此，能够更稳定地批量生产如上所述地具有优越的性能的介质。
在本发明的信息记录介质的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶也可以含有由下述式(16)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)s2(In2O3)r2[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]100-s2-r2(mol％)   (16)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，s2及r2满足2＜s2≤95、2＜r2≤95、5≤s2+r2＜100。含有该组成的材料的溅射靶可以稳定地制作，因此，能够更稳定地批量生产如上所述地具有优越的性能的介质。
在本发明的制造方法中，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中使用的溅射靶还含有选自如下成分中的至少一种成分：碳(C)，选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物，选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物，及Si-C。在相变化形信息记录介质的制造使用含有这些成分中的一种或多种的靶的情况下，也能够到提高了反复擦写性能、记录灵敏度及信号强度的介质。
在本发明的信息记录介质的制造方法中实施的Si-In-Zr/Hf-O系材料层的形成工序中，使用稀有气体、或稀有气体和O2气体的混合气体也可。在使用这些气体，形成相变化形信息记录介质的Si-In-Zr/Hf-O系材料层的情况下，能够更稳定地制造具有如上所述的优越的性能的介质。
本发明的信息记录介质的特征在于，具有含有Si、In、Zr及/或Hf、及O的Si-In-Zr/Hf-O系材料层。该Si-In-Zr/Hf-O系材料层在光学相变化形信息记录介质中可以作为电介质层或界面层使用，即使与记录层相接而设置也不发生物质移动。从而，含有该层的光学相变化形信息记录介质具有进一步提高的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。另外，该Si-In-Zr/Hf-O系材料层在电相变化形信息记录介质中作为用于绝热记录层的电介质层使用的情况下，也能够提高其反复擦写次数。另外，根据本发明的制造方法可知，能够容易地制造本发明的信息记录介质。
附图说明
图1是表示本发明的具备一层信息层的信息记录介质的层结构的一例的局部剖面图。
图2是表示本发明的具备N层信息层的信息记录介质的层结构的一例的局部剖面图。
图3是表示本发明的具备两层信息层的信息记录介质的层结构的一例的局部剖面图。
图4是表示本发明的具备一层信息层的信息记录介质的层结构的一例的局部剖面图。
图5是表示本发明的具备N层信息层的信息记录介质的层结构的一例的局部剖面图。
图6是表示本发明的具备两层信息层的信息记录介质的层结构的一例的局部剖面图。
图7是以示意性使用于本发明的信息记录介质的记录再生的记录再生装置的结构的一部分的图。
图8是以示意性表示本发明的信息记录介质、及电信息记录再生装置的结构的一部分的图。
图9是以示意性表示本发明的大容量的电信息记录介质的结构的一部分的图。
图10是以示意性表示本发明的电信息记录介质和其记录再生系统的结构的一部分的图。
图11是表示适用于本发明的电信息记录介质的记录·消去脉冲波形的一例的图。
图12是表示关于4.7GB/DVD-RAM的层结构的一例的具备剖面图。
图中：1、14、26、30、39-基板；2、102-入射侧电介质层；3、103-入射侧界面层；4、104-记录层；5、105-反入射侧界面层；6、106-反入射侧电介质层；7-光吸收校正层；8、108-反射层；9、27-粘接层；10、28-伪基板；11-激光束；12、15、22、24、29、31、32、37-信息记录介质；13-透明层；16、18、21-信息层；17、19、20-光学分离层；23-第一信息层；25-第二信息层；33-主轴马达；34-物镜；35-半导体激光器；36-光学头；38-记录再生装置；40-下部电极；41、204-第一记录层；42、304-第二记录层；43-上部电极；44、51-电信息记录介质；45-施加部；46、59-电阻测定器；47、49-开关；48、58-脉冲电源；50-电信息记录再生装置；52-字线；53-位线；54-存储器单元；55-地址指定回路；56-存储装置；57-外部回路；107-界面层；202-第一入射侧电介质层；203-第一入射侧界面层；206-第一反入射侧电介质层；208-第一反射层；209-透过率调节层；302-第二入射侧电介质层；303-第二入射侧界面层；306-第二反入射侧电介质层；308-第二反射层；401-第一电介质层；402-第二电介质层；501、502、503、504、505、508、509-记录波形；506、507-消去波形。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式。还有，以下的实施方式为一例，本发明不被以下的实施方式限定。另外，在以下的实施方式中，对相同的部分标注相同的符号，有时省略重复说明。
(实施方式1)
作为实施方式1，说明本发明的信息记录介质的一例。实施方式1的信息记录介质15的局部剖面图示出在图1汇总。信息记录介质15是能够利用激光束11的照射进行信息的记录再生的光学信息记录介质。
信息记录介质15包括：基板14、形成于基板14上的信息层16、及透明层13。透明层13优选对使用激光束11具有小的光吸收率，在短波长区域具有光学上小的双折射率。例如，透明层13由光固化性树脂(尤其，环氧树脂或丙烯酸树脂之类的紫外线固化性树脂)或迟效性树脂(遅効性树脂)等树脂、或电介质等构成。或者，透明层13也可以为由聚碳酸酯、无定形聚烯烃或PMMA等的树脂、或玻璃构成的透明的圆盘状片或板。在这种情况下，透明层13利用光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂或粘接性的片等贴合于入射侧电介质层102即可。
激光束11的波长λ在高密度记录的情况下，尤其优选450nm以下。这是为了通过波长λ确定将激光束11聚光时的点径。通常，波长λ越短，激光束能够以更小的点径聚光。另外，若λ小于350nm，则透明层13等引起的光吸收变大。从而，更优选λ在350nm～450nm的范围内。
基板14是透明的圆盘状基板。作为构成基板14的材料，例如，可以举出聚碳酸酯、无定形聚烯烃或PMMA等树脂、或玻璃。作为基板14的材料，从转印性及批量生产性优越，低成本来说，尤其优选聚碳酸酯。
基板14在形成信息层16的一侧的表面根据需要具有引导激光束的导向槽也可。基板14的形成信息层16的一侧的相反侧的表面优选平滑。为了确保充分的强度且使信息记录介质15的厚度成为1.2mm左右，基板14的厚度优选0.5mm～1.2mm的范围。还有，在透明层13的厚度为0.6mm左右(NA＝0.6，能够进行良好的记录再生的厚度)的情况下，基板14的厚度优选在0.55mm～0.65mm的范围内。另外，在透明层13的厚度为0.1mm左右(NA＝0.85，能够进行良好的记录再生的厚度)的情况下，基板14的厚度优选在1.05mm～1.15mm的范围内。
以下，对信息层16的结构详细说明。
信息层16具备从激光束11的入射侧开始依次配置的入射侧电介质层102、入射侧界面层103、记录层104、反入射侧界面层105、反入射侧电介质层106、及反射层108。入射侧界面层103及反入射侧界面层105根据需要设置，图1所示的介质15以不具有任一方或两方的界面层的方式提供。
在该信息层16中，Si-In-Zr/Hf-O系材料层形成选自入射侧电介质层102、入射侧界面层103、反入射侧界面层105、及反入射侧电介质层106的一层或多层。在图1所示的结构的介质15中，Si-In-Zr/Hf-O系材料层优选作为反入射侧电介质层106形成。以下，对Si-In-Zr/Hf-O系材料层进行说明。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层是至少含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和O，含有1原子％以上的Si的层。含有1原子％以上的Si的Si-In-Zr/Hf-O系材料层用作电介质层或界面层的情况下，能够提高介质15的记录灵敏度。另外，Si发挥抑制Si-In-Zr/Hf-O系材料层的结晶化的作用。另外，例如，该层用作反入射侧电介质层106的情况下，抑制信息记录介质15的噪声振幅的增加，提高信号强度。
In被认为与氧一同作为氧化物存在。In在将Si-In-Zr/Hf-O系材料层与记录层相接而形成的情况下，与提高记录层的密接性。另外，In在将Si-In-Zr/Hf-O系材料层作为电介质层或界面层设置的情况下，使介质的记录保存性良好。Zr及/或Hf被认为与氧一同作为氧化物存在。Zr及Hf的氧化物是透明且具有高的熔点(约2700℃)，且热传导率在氧化物中低的材料。从而，含有这些的至少一方的Si-In-Zr/Hf-O系材料层作为电介质层或界面层形成的介质的反复擦写性能优越。另外，由含有Zr及Hf的氧化物的至少一方的Si-In-Zr/Hf-O系材料层构成的界面层的消失系数小，热方面稳定。
在Si-In-Zr/Hf-O系材料层中，优选Si和O形成SiO2，In和O形成In2O3，M1和O形成M1O2。SiO2、In2O3及M12O3是不含有S的材料。因此，含有这些的氧化物的Si-In-Zr/Hf-O系材料层即使设为与记录层相接，也不发生物质移动。从而，该层尤其优选用作与记录层相接地形成的电介质层或记录层。另外，不含有S的Si-In-Zr/Hf-O系材料层如图示所示，在具备入射侧界面层103(或反入射侧界面层105)的结构中，作为第一电介质层102(或反入射侧电介质层106)形成即可。在那种情况下，从即使界面层发生膜破坏，也不易发生物质移动引起的反复擦写性能的降低的方面来说有利。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层优选与界面层的有无无关地作为反入射侧电介质层106形成。Si-In-Zr/Hf-O系材料层含有：与Cr的氧化物等相比，具有低的热传导率的In的氧化物。因此，若将其作为靠近反射层108的反入射侧电介质层106形成，则热量向反射层侧迅速扩散，降低记录所需的激光功率降低(即，记录灵敏度变高)。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层优选为含有由下述式(1)表示的材料的层，
Sia1Inb1M1c1O100-a1-b1-c1(原子％)    (1)
式(1)中，a1、b1及c1优选满足1≤a1＜32、3＜b1＜38、1＜c1＜30、25＜a1+b1+c1＜40，更优选满足1＜a1＜15、8＜b1＜35、1＜c1＜20、30＜a1+b1+c1＜40。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层在作为含有Si、In、及M1的氧化物的混合物的层表示时，优选为含有由下述式(2)表示的材料的层。
(SiO2)x1(In2O3)y1(M1O2)100-x1-y1(mol％)    (2)
式(2)中，x1及y1优选满足5≤x1≤90、5≤y1≤90、10≤x1+y1≤95，更优选满足10≤x1≤50、30≤y1≤80、40≤x1+y1≤90。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层除了Si、In、M1及O之外，还含有M2(M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素)也可。在那种情况下，也含有1原子％以上的Si。通过加入M2，例如，能够调节Si-In-Zr/Hf-O系材料层的稳定性、与记录层的密接性、及结晶化速度等。
含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层优选为含有由下述式(3)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
Sid1Inc1M1f1M2g1O100-d1-e1-f1-g1(原子％)      (3)
式(3)中，d1、e1、f1及g1优选满足1≤d1＜31、2＜e1＜38、1＜f1＜29、0＜g1＜36、25＜d1+e1+f1+g1＜40，更优选满足1≤d1＜15、8＜e1＜35、1＜f1＜20、0＜g1＜23、30＜d1+e1+f1+g1＜40。
另外，认为M2也以氧化物的形式含于Si-In-Zr/Hf-O系材料层中。从而，含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层在作为含有氧化物的混合物表示时，优选为含有由下述式(4)表示的材料的层，
(SiO2)z1(In2O3)w1(M1O2)v1(M22O3)100-z1-w1-v1(mol％)    (4)
式(4)中，z1、w1及v1优选满足5≤z1＜90、5≤w1＜90、5≤v1＜90、15≤z1+w1+v1＜100，更优选满足10≤z1＜50、30≤w1＜80、10≤v1＜60、50≤z1+w1+v1＜100。
在Si-In-Zr/Hf-O系材料层中，含有M1和Zr的情况下，ZrO2的一部分稳定化为Y2O3也可。在那种情况下，Si-In-Zr/Hf-O系材料层优选为含有由下述式(5)表示的材料的层，
(SiO2)u1(In2O3)t1[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]100-c1-t1(mol％)    (5)
式(5)中，u1及t1优选满足5≤u1≤90、5≤t1≤90、10≤u1+t1≤95，更优选满足10≤u1≤50、30≤t1≤80、40≤u1+t1≤90。
或者，Si-In-Zr/Hf-O系材料层优选为含有由下述式(6)表示的材料的层，
(SiO2)s1(In2O3)r1[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]100-s1-r1(mol％)    (6)
式(6)中，s1及r1优选满足5≤s1≤90、5≤r1≤90、10≤s1+r1≤95，更优选满足10≤s1≤50、30≤r1≤80、40≤s1+r1≤90。
如上所述，Y2O3是透明的材料，且具有稳定化ZrO2的作用。从而，在将含有其的Si-In-Zr/Hf-O系材料层作为电介质层或界面层使用的情况下，能够实现反复擦写性能优越，且可靠性高的信息记录介质15。另外，在如后所述地利用溅射法形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的情况下，由于Y2O3稳定化ZrO2，容易制造密度高的溅射靶，因此是恰当的。
另外，Si-In-Zr/Hf-O系材料层也可以含有选自如下成分中的至少一种成分：碳(C)，选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物，选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物，及Si-C。
这些成分为了调节Si-In-Zr/Hf-O系材料层的特性而使用也可。或者，这些成分有时不可避免地含于Si-In-Zr/Hf-O系材料层中。无论哪一种情况，均优选在由mol％表面时，不超过20mol％地存在。另外，由于Si-In-Zr/Hf-O系材料层含有这些成分(或其以外的成分)，在含有Si、In、M1及O、及根据需含有的M2以外的元素的情况下，以10原子％含有那样的元素即可。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层如上所述，作为入射侧电介质层102、反入射侧电介质层106、入射侧界面层103及反入射侧界面层105的任一个形成。以下，具体说明各层的功能及优选厚度等。
入射侧电介质层102及反入射侧电介质层106具有：防止记录层104的氧化、腐蚀及变形的作用、调节光学距离提高记录层104的光吸收效率的作用、及增大记录前后的反射光量的变化增大信号强度的作用。如上所述，反入射侧电介质层106优选形成为Si-In-Zr/Hf-O系材料层。或者，将两方的电介质层102及106形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层也可。或者，仅将入射侧电介质层102形成为Si-In-Zr/Hf-O系材料层也可。
在将入射侧电介质层102(或反入射侧界面层106)不形成为Si-In-Zr/Hf-O系材料层的情况下，作为形成该层的材料，例如可以使用选自TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、SnO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3、Ga2O3、In2O3、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Dy2O3、Yb2O3、CaO、MgO、CeO2、及TeO2等的一种或多种氧化物。另外，也可以使用选自C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、及Ge-Cr-N等的一种或多种氮化物。另外，也可以将ZnS等硫化物、SiC等碳化物、LaF3等氟化物、及C作为入射侧电介质层102的材料使用。另外，也可以使用选自上述材料的一种或多种材料的混合物，形成入射侧电介质层102。
例如，ZnS和SiO2的混合物即ZnS-SiO2作为入射侧电介质层102的材料尤其出色。ZnS-SiO2是非晶质材料，折射率高，成膜速度快，机械特性及耐湿性良好。ZnS-SiO2优选由(ZnS)80(SiO2)20(mol％)表示的材料。
入射侧电介质层102的厚度可以利用基于矩阵法的计算，按如下方式严格地确定，即：满足记录层104为结晶相的情况和其为非晶质相的情况下的反射光量的变化大的条件。
入射侧界面层103具有：防止由于反复记录而在入射侧电介质层102和记录层104之间发生的物质移动的功能。另外，入射侧界面层103还具有：促进或抑制记录层104的结晶化的作用即调节结晶化能的作用。入射侧界面层103优选由在光的吸收少地记录时不溶解的高熔点的材料即与记录层104的密接性良好的材料形成。在记录时不溶解的高熔点的材料是指在照射高功率的激光束11时用于确保避免入射侧界面层103溶解而混入记录层104而所需的特性。若入射侧界面层103的材料混入，则记录层104的组成变化，显著降低擦写性能。另外，与记录层104的密接性良好的材料是指用于确保可靠性所需的特性。
入射侧界面层103作为Si-In-Zr/Hf-O系材料层也可。或者，入射侧界面层103也可以为Si-In-Zr/Hf-O系材料层以外的层。在那种情况下，作为入射侧界面层103的材料，可以举出关联于入射侧电介质层102说明的材料。
尤其，入射侧界面层103优选由含有Cr和O的材料形成。含有Cr和O的入射侧界面层103进一步促进记录层104的结晶化。在该材料中，优选Cr和O形成Cr2O3。Cr2O3是与记录层104的密接性良好的材料。
另外，入射侧界面层103可以使用含有In和O的材料形成。在该材料中，优选In和O形成In2O3。In2O3是与记录层104的密接性良好的材料。另外，入射侧界面层103可以使用含有Ga和O的材料形成。在该材料中，优选Ga和O形成Ga2O3。Ga2O3是与记录层104的密接性良好的材料。
入射侧界面层103中除了Cr和O、Ga和O、或In和O之外，还含有选自Zr、Hf及Y的至少一种元素也可。如上所述，ZrO2及HfO2是透明且熔点高达约2700～2800℃，且热传导率在氧化物中低的材料，使信息记录介质的反复擦写性能良好。另外，Y2O3是透明的材料，且具有稳定化ZrO2及HfO2的作用。另外，即使以混合了该三种氧化物的任一种或多种、和Cr等的氧化物的材料形成的入射侧界面层103，与记录层104部分地或整体相接，反复擦写性能也优越，能够实现可靠性高的信息记录介质15。
为了确保与记录层104的密接性，优选在入射侧界面层103中的Cr2O3、Ga2O3、或In2O3的含量为10mol％以上。进而，入射侧界面层103中的Cr2O3的含量为了将基于入射侧界面层103的光吸收保持为小的量，优选为70mol％以下。若Cr2O3增加，则处于光吸收增加的倾向。更优选Cr2O3的含量为20mol％以上且60mol％以下。
入射侧界面层103除了Cr、Ga、In、Zr、Hf、Y及O之外，进而也可以使用含有Si的材料形成。通过含有SiO2，透明性变高，能够实现记录性能优越的第一信息层16。由含有In、Zr及/或Hf、及Si的材料构成的入射侧界面层103可以形成为Si-In-Zr/Hf-O系材料层。入射侧界面层103中的SiO2的含量优选5mol％以上，为了确保与记录层104的密接性，优选为50mol％以下，更优选10mol％以上且40mol％以下。
在由ZnS-SiO2形成入射侧电介质层102的情况下，优选入射侧界面层103尤其由含有Cr2O3、ZrO2及/或HfO2、及SiO2的材料形成。Cr2O3具有高的结晶化促进能力，因此，尤其在以高速(例如，2倍速或4倍速的蓝光光盘)记录的介质中适合形成于激光束的入射侧的界面层。进而，与Ga2O3及In2O3相比，具有大的光吸收率，但是在像入射侧界面层103一样极其薄地形成的层中，Cr2O3的光吸收对介质整体的影响小。
更具体来说，入射侧界面层103优选含有由下述式表示的材料，
(M1O2)h(Cr2O3)i(SiO2)100-h-i(mol％)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，h及i满足20≤h≤80，10≤i≤70，60≤h+i≤90。
进而，入射侧界面层103还含有Y也可。以Y2O3的方式含有Y也可。在那种情况下，以置换M1O2(尤其ZrO2)的一部分(例如，0.03mol％或0.08mol％)的形式含有Y2O3也可。
入射侧界面层103的厚度，为了不由于在入射侧界面层103的光吸收而信息层16的记录前后的反射光量的变化变小，优选在0.5nm～15nm的范围内，更优选1nm～10nm的范围内。
反入射侧电介质层106如上所述，优选为Si-In-Zr/Hf-O系材料层。或者，反入射侧电介质层106为由Si-In-Zr/Hf-O系材料以外的材料构成的层也可。
反入射侧电介质层106的厚度优选在2nm～75nm的范围内，更优选2nm～40nm的范围内。具有在该范围内的厚度的反入射侧电介质层106能够使在记录层104产生的热量有效地向反射层108侧扩散。
在记录层104和反入射侧电介质层106之间配置反入射侧界面层105也可。反入射侧界面层105与入射侧界面层103相同地，发挥防止由于反复记录而发生的反入射侧电介质层106和记录层104之间的物质移动的作用。反入射侧界面层105可以为Si-In-Zr/Hf-O系材料层，或者也可以为其他材料的层。其他材料的层如在先关联于入射侧电介质层102的说明所述。反入射侧界面层105特别优选由含有In和O的材料形成。更特别地优选含有In和O形成In2O3的氧化物。从而，反入射侧界面层105优选形成为Si-In-Zr/Hf-O系材料层。
若将反入射侧界面层105及反入射侧电介质层106均作为Si-In-Zr/Hf-O系材料层形成，则两个连续的层位于记录层的反入射侧。那样的结构可以进一步提高介质的反复擦写性能、记录保存性、记录灵敏度及信号强度。在那种情况下，反入射侧界面层105的Si-In-Zr/Hf-O系材料中In所占的比例优选比反入射侧电介质层106中Si-In-Zr/Hf-O系材料中In所占的比例多。若增加In，则密接性变得良好。基于同样的利用，反入射侧界面层105的Si-In-Zr/Hf-O系材料中Si所占的比例优选比反入射侧界面层106的Si-In-Zr/Hf-O系材料中Si所占的比例少。
更具体来说，反入射侧界面层105的Si-In-Zr/Hf-O系材料中的In的比例优选比反入射侧电介质层106中的比例多3mol％～10mol％左右，更优选多5mol％～8mol％左右。另外，反入射侧界面层105的Si-In-Zr/Hf-O系材料中的Si的比例优选比反入射侧界面层106中的比例少1mol％～15mol％，更优选少2mol％～10mol％。
或者，反入射侧界面层105如关联于入射侧界面层103的说明，由含有Cr和O的材料或含有Ga和O的材料形成也可。优选Cr和O形成Cr2O3，优选Ga和O形成Ga2O3。另外，反入射侧界面层105与入射侧界面层103相同地，除了In和O、Cr和O、或Ga和O之外，还含有选自Zr、Hf及Y的至少一种元素。进而，除了这些成分以外，使用还含有Si的材料，形成反入射侧界面层105也可。
反入射侧界面层105与入射侧界面层103相比，处于与记录层的密接性变差的倾向，因此，反入射侧界面层105中的In2O3、Cr2O3或Ga2O3的含量优选比入射侧界面层103的含量多20mol％以上。反入射侧界面层105的厚度与入射侧界面层103相同地，优选在0.5nm～15nm的范围内，更优选1nm～10nm的范围内。
在图示的介质15中，记录层104包含利用激光束的照射，能够在结晶相和非晶质相之间发生相变化的材料。记录层104例如可以由含有Ge、Te、M3(M3是选自Sb、Bi及In的至少一种元素)的能够发生可逆相变化的材料形成。具体来说，记录层104可以由式GeAM3BTe3+A表示的材料形成。在该式中，A优选满足0＜A≤60，更优选满足4≤A≤40。若A在该范围内，则非晶质相稳定，从而，低的转送率下的记录保存性良好，另外，熔点的上升和结晶化速度的降低少，从而，使高的转送率下的擦写保存性变得良好。另外，在该式中，B优选满足1.5≤B≤7，更优选满足2≤B≤4。若B在该范围内，则非晶质相稳定，结晶化速度的降低少。
或者，记录层104由式(Ge-M4)AM3BTe3+A(M4是选自Sn及Pb的至少一种元素)表示的能够发生可逆相变化的材料形成也可。在那种情况下，置换Ge的元素M4提高结晶化能，因此，即使在记录层104的厚度薄的情况下，也得到充分的消去率。元素M4更优选Sn。考虑对人体的影响，限制Pb的使用。在使用该材料的情况下，也优选式中A及B满足0＜A≤60(更优选4≤A≤40)，且1.5≤B≤7(更优选2≤B4)。
记录层104在含有由上述式GeAM3BTe3+A或(Ge-M4)AM3BTe3+A表示的材料的情况下，作为元素M3特别优选含有In。由含有In的材料构成的记录层104的非晶质相尤其稳定，使转送率下的记录保存性良好。另外，在与含有In的记录层相接而形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的情况下，Si-In-Zr/Hf-O系材料层和记录层的密接性变得良好。
或者，记录层104由组成式GeTe-SnTe表示的能够发生可逆相变化的材料形成也可。在那种情况下，SnTe提高结晶化能，因此，即使在记录层104的厚度薄的情况下，也得到充分的消去率。
或者，记录层104例如由含有Sb和M5(M5是选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi、Tb、Dy及Au的至少一种元素)的能够发生可逆相变化的材料形成也可。具体来说，记录层104可以由SbxM5100-x(原子％)表示的材料形成。在该式中，X优选满足50≤X≤95。若X在该范围内，则记录层104能够增大作为结晶相的介质15和作为非晶质相的介质15之间的反射率差，得到良好的记录再生特性。尤其，在X满足75≤X≤95的情况下，记录层104的结晶化速度变得尤其快，从而，在高转送率下，得到良好的反复擦写性能。另外，在X满足50≤X≤75的情况下，非晶质相尤其稳定，从而，在低转送率下得到良好的记录性能。
记录层104的厚度为了提高信息层16的记录灵敏度，优选在6nm～15nm的范围内。在该范围内，记录层104厚的情况下，热量的向面内方向的扩散引起的对与记录部邻接的区域的热方面影响变大。另外，在记录层104薄的情况下，信息层16的反射率变小。从而，记录层104的厚度优选在8nm～13nm的范围内。
或者，记录层104可以由引起可逆相变化的材料形成，例如，由Te-Pd-O表示的材料形成也可。在这种情况下，记录层104的厚度优选在10nm～40nm的范围内。
反射层108具有增大吸收于记录层104的光量的光学功能。另外，反射层108还具有：使在记录层104产生的热量迅速扩散，使得记录层104容易非晶质化的热方面功能。进而，反射层108还具有：从使用的环境保护多层膜的功能。
作为反射层108的材料，例如，可以适用Ag、Au、Cu及Al之类的热传导率高的单体金属。另外，还可以使用Al-Cr、Al-Ti、Al-Ni、Al-Cu、Au-Pd、Au-Cr、Ag-Pd、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、Ag-Ru-Au、Ag-Cu-Ni、Ag-Zn-Al、Ag-Nd-Au、Ag-Nd-Cu、Ag-Bi、Ag-Ga、Ag-Ga-In、Ag-Ga-Cu、Ag-In、Ag-In-Sn或Cu-Si之类的合金。尤其，含有50原子％以上的Ag的合金由于热传导率大，因此，优选作为反射层108的材料。
反射层108的厚度为了充分地发挥热扩散功能，优选30nm以上。尤其，在反射层108厚于200nm的情况下，热量过大扩散，导致信息层16的记录灵敏度降低。从而，反射层108的厚度更优选在30nm～200nm的范围内。
在反射层108和反入射侧电介质层106之间，配置界面层(以下，为了将该界面层与设置于电介质层和记录层之间的界面层区别，方便地称为“反射层侧界面层”)也可。在图1所示的信息记录介质15中设置有反射层侧界面层的情况下，界面层在由符号108表示的层、和由符号106表示的层之间形成为由符号107表示的层也可。在这种情况下，作为形成反射层侧界面层的材料，可以使用热传导率比反射层108的材料低的材料。作为反射层108的材料，使用Ag合金的情况下，反射层侧界面层类由Al、或Al合金形成也可。
或者，作为反射层侧界面层的材料，可以使用Cr、Ni、Si及C等元素、TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、SnO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3、Ga2O3、In2O3、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Dy2O3、Yb2O3、CaO、MgO、CeO2、及TeO2等氧化物。另外，还可以使用C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、及Ge-Cr-N等氮化物。另外，还可以使用ZnS等硫化物或SiC等碳化物、LaF3等氟化物、及C。另外，还可以使用选自上述材料的两种以上材料的混合物。反射层侧界面层的厚度优选3nm～100nm的范围内，更优选10nm～50nm的范围内。
在信息层16中，记录层104为结晶相的情况下的反射率Rc(％)、及记录层104为非晶质相的情况下的反射率Ra(％)优选满足Ra＜Rc。由此，没有记录信息的初始的状态下反射率高，能够稳定地进行记录再生的动作。另外，为了增大反射率差(Rc-Ra)，得到良好的记录再生特性，Rc、Ra优选满足0.2≤Ra≤10且12≤Rc≤40，更优选满足0.2≤Ra≤5且12≤Rc≤30。
通过以下说明的方法，能够制造信息记录介质15。
首先，在基板14(厚度例如为1.1mm)上层叠信息层16。信息层由单层膜或多层膜构成。构成信息层的各层可以通过用成膜装置依次溅射溅射靶而形成。
具体来说，首先，在基板14上过形成反射层108。反射层108可以通过将构成反射层108的金属或合金构成的溅射靶在稀有气体(例如，Ar气体)气氛中、或稀有气体和反应气体(选自O2气体及N2气体的至少一种气体)的混合气体气氛中溅射而形成。
接着，在反射层108上根据需要形成反射层侧界面层。反射层侧界面层可以通过将构成反射层侧界面层的元素或化合物构成的溅射靶在稀有气体气氛中、或稀有气体和反应气体的混合气体气氛中溅射而形成。
接着，在反射层108、或反射层侧界面层上形成反入射侧电介质层106。反入射侧电介质层106可以通过在构成反入射侧电介质层106的化合物构成的溅射靶(例如，(SiO2)x1(In2O3)y1(M1O2)100-x1-y1(mol％))在稀有气体气氛中、或稀有气体和反应气体(尤其O2气体)的混合气体气氛中溅射而形成。另外，反入射侧电介质层106还可以在构成反入射侧电介质层106的金属构成的溅射靶在稀有气体和反应气体的混合气体气氛中进行反应性溅射而形成。
在将反入射侧电介质层106作为Si-In-Zr/Hf-O系材料层形成的情况下，溅射靶(以下，有时简称为“靶”)优选含有由下述式(11)表示的材料，
Sia2Inb2M1c2O100-a2-b2-c2(原子％)        (11)
式(11)中，a2、b2及c2优选满足0.5≤a2＜35、0＜b2＜43、0＜c2＜35、20＜a2+b2+c2＜45，更优选满足0.5＜a2＜20、3＜b2＜40、0＜c2＜25、25＜a2+b2+c2＜45。
使用该溅射靶形成的层成为含有由所述式(1)所示的组成的材料的层。在式(11)中，Si、In、M1及O的比例的范围与式(1)中的比例略有不同。本发明人等确认到，在使用这样的靶时，形成含有由式(1)表示的材料的层。
另外，用于形成Si-In-M1-O系材料层的溅射靶也可以含有由下述式(12)表示的材料，
(SiO2)x2(In2O3)y2(M1O2)100-x2-y2(mol％)      (12)
式(12)中，x2及y2优选满足2＜x2≤95、0＜y2≤95、5≤x2+y2＜100，更优选满足5≤x2≤55、25≤y2≤85、35≤x2+y2≤95。
在如式(12)一样确定溅射靶的情况下，含有Si、In、M1及O的靶通常表示为Si、In、及M1的氧化物的组成而被售出。另外，发明人确认到由市售的溅射靶的X射线微量分析器分析得到的元素组成与由显示的组成算出的元素组成大致相等(即，组成表示(公称组成)适当)。从而，还优选使用由该式表示的溅射靶。同样，也适用由式(14)、(15)及(16)表示的靶。
使用含有由式(12)表示的材料的靶形成的层成为含有由所述式(1)表示的组成的材料的层。在式(12)中，各氧化物的比例的范围与式(2)中的比例略有不同。本发明人等确认到，在使用这样的靶时，形成含有由式(2)表示的材料的层。
在将反入射侧电介质层106作为还含有M2(M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素)的Si-In-Zr/Hf-O系材料层形成的情况下，靶也可以含优选含有含有由下述式(13)表示的材料，
Sid2Ine2M1f2M2g2O100-d2-e2-f2-g2(原子％)       (13)
式(13)中，d2、e2、f2及g2优选满足0.5≤d2＜34、0＜e2＜43、0＜f2＜34、0＜g2＜41、20＜d2+e2+f2+g2＜45，更优选满足0.5＜d2＜20、3＜e2＜40、0＜f2＜25、0＜g2＜28、25＜d2+e2+f2+g2＜45。
使用该靶形成的层成为含有由所述式(3)表示的组成的材料的层。在式(13)中，Si、In、M1、M2及O的比例的范围与式(3)中的比例略有不同。本发明人等确认到，在使用这样的靶时，形成含有由式(3)表示的材料的层。
用于形成含有M2的Si-In-Zr/Hf-O系材料层的溅射靶也可以含有由下述式(14)表示的材料，
(SiO2)z2(In2O3)w2(M1O2)v2(M22O3)100-z2-w2-v2(mol％)     (14)
式(14)中，z2、w2及v2优选满足2＜z2＜95、0＜w2＜95、0＜v2＜95、10≤z2+w2+v2＜100，更优选满足5≤z2≤55、25≤w2≤85、5≤v2＜65、45≤z2+w2+v2＜100。
使用含有由式(14)表示的材料的靶形成的层成为含有由所述式(4)表示的组成的材料的层。在式(14)中，各氧化物的比例的范围与式(4)中的比例略有不同。本发明人等确认到，在使用这样的靶时，形成含有由式(4)表示的材料的层。
用于形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的溅射靶也可以含有由下述式(15)表示的材料，
(SiO2)u2(In2O3)t2[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]100-u2-t2(mol％)    (15)
式(15)中，u2及t2优选满足2＜u2≤95、2＜t2≤95、5≤u2+t2＜100，更优选满足5≤u2≤55、25≤t2≤85、35≤u2+t2≤95。
使用含有由式(15)表示的材料的靶形成的层成为含有由所述式(5)表示的组成的材料的层。在式(15)中，各氧化物的比例的范围与式(5)中的比例略有不同。本发明人等确认到，在使用这样的靶时，形成含有由式(5)表示的材料的层。
或者，用于形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层的靶也可以由下述式(16)表示的材料，
(SiO2)s2(In2O3)r2[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]100-s2-r2(mol％)   (16)
式(16)中，s2及r2优选满足2＜s2≤95、2＜r2≤95、5≤s2+r2＜100，更优选满足5≤s2≤55、25≤r2≤85、35≤s2+r2≤95。
使用含有由式(16)表示的材料的靶形成的层成为含有由所述式(6)表示的组成的材料的层。在式(16)中，各氧化物的比例的范围与式(6)中的比例略有不同。本发明人等确认到，在使用这样的靶时，形成含有由式(6)表示的材料的层。
上述溅射靶均还可以含有选自如下成分中的至少一种成分：碳(C)；选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物；选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物；及Si-C。这些成分在靶中所占的比例被调节成，在形成的Si-In-Zr/Hf-O系材料层中，这些成分超过20mol％，或不超过10原子％。
Si-In-Zr/Hf-O系材料层例如还可以通过将分别由SiO2、In2O3、M1O2、及M22O3表示的单一化合物的溅射靶使用多个电源同时溅射而形成。或者，通过将SiO2、In2O3、M1O2、及根据需要的M23O3分为两组以上的组，并将由各组的氧化物构成的2元系或3元系溅射靶使用多个电源同时溅射的方法形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层也可。无论哪一种情况，溅射在稀有气体气氛中、或稀有气体和反应气体(尤其O2气体)的混合气体气氛中实施即可。
在将反入射侧电介质层106不作为Si-In-Zr/Hf-O系材料层形成的情况下，根据应构成反入射侧电介质层106的化合物等，配制溅射靶，利用溅射法形成反入射侧电介质层106。在这种情况下，溅射也在稀有气体气氛中、或稀有气体和反应气体(尤其O2气体)的混合气体气氛中实施即可。
接着，在反入射侧电介质层106上根据需要形成反入射侧界面层105。作为Si-In-Zr/Hf-O系材料层、或其以外的层，反入射侧界面层105可以通过与关联于反入射侧电介质层106说明的方法相同的方法来形成。
接着，在反入射侧电介质层106或反入射侧界面层105上形成记录层104。记录层104可以根据其组成，使用一个电源溅射由Ge-Te-M3合金构成的溅射靶、由Ge-M4-Te-M3合金构成的溅射靶、Ge-Sn-Te合金构成的溅射靶、Sb-M5合金构成的溅射靶、或Te-Pd合金构成的溅射靶来形成。作为溅射的气氛气体，可以使用稀有气体、或稀有气体和反应气体的混合气体。
另外，记录层104还可以通过将分别由Ge、Te、M3、M4、Sb、M5及Pd表示的单一成分的溅射靶使用多个电源同时溅射而形成。或者，通过将Ge、Te、M3、M4、Sb、M5及Pd分为两组以上的组，并将由各组的氧化物构成的2元系或3元系溅射靶使用多个电源同时溅射的方法形成记录层104也可。无论哪一种情况，溅射在稀有气体气氛中、或稀有气体和反应气体(尤其O2气体)的混合气体气氛中实施即可。
接着，在记录层104上根据需要形成入射侧界面层103。入射侧界面层103可以用与反入射侧电介质层106相同的方法形成。
接着，在记录层104或入射侧界面层103上形成入射侧电介质层102。入射侧电介质层102可以用与反入射侧电介质层106相同的反复形成。
追后，在入射侧电介质层102上形成透明层13。透明层13可以通过将光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂涂敷于入射侧电介质层102上进行旋涂后，使树脂固化而形成。另外，作为透明层13，使用透明的圆盘状基板也可。基板例如可以由聚碳酸酯、无定形聚烯烃或PMMA等树脂、或玻璃构成。在这种情况下，透明层13通过将光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂涂敷于入射侧电介质层102上，将基板密接于入射侧电介质层102上进行旋涂后，使树脂固化来形成。另外，也可以在基板上预先均一地涂敷粘接性的树脂，将其密接于入射侧电介质层102。
还有，在形成入射侧电介质层102后，或形成透明层13后，根据需要，进行使记录层104的整个面结晶化的初始化工序也可。记录层104的结晶化可以通过照射激光束而进行。
可以如上所述地制造信息记录介质15。还有，在本实施方式中，作为各层的形成方法使用溅射法。各层的形成方法不限于此，使用真空蒸镀法、离子镀敷法、化学气相沉积法(Chemical Vapor Depisition；CVD)、或分子射线外延附生法(Molecular Beam Epitaxy；MBE)等。
(实施方式2)
作为实施方式2，说明本发明的信息记录介质的其他例。实施方式2的信息记录介质22的局部剖面图示出在图2中。信息记录介质22是通过来自单面的激光束11的照射能够进行信息的记录再生的多层光学信息记录介质。
在信息记录介质22中，包括：含有在基板14上隔着光学分离层20、19、及17等依次层叠的信息层21、信息层18及第一信息层23的N组(N为满足≥2的自然数)的信息层，及透明层13。在此，从激光束11的入射侧算起第(N-1)为止的信息层即第一信息层23及信息层18(以下，记为从激光束11算起第k层(将1≤K≤N的信息层记为“第K信息层”))是光透过型的信息层。基板14及透明层13可以使用与实施方式1中说明的材料相同的材料来形成。另外，这些形状(优选包含厚度)及功能与实施方式1中说明的形状及功能相同。
光学分离层20、19、及17等由光固化性树脂(尤其，环氧树脂及丙烯酸树脂之类的紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂、或电介质等构成。光学分离层20、19、及17等优选对使用的激光束11具有小的光吸收率，在短波长区域具有小的光学双折射率。
光学分离层20、19、及17等是用于区别信息记录介质22的第一信息层23、信息层18、及21等各自的焦点(focus)位置的层。光学分离层20、19、及17等的厚度需要为根据物镜的开口数NA和激光束11的波长λ来确定的焦点深度ΔZ以上。在将聚光点的强度的基准假设为无像差的情况的80％的情况下，ΔZ可以通过ΔZ＝λ/{2(NA)2}来近似化。在λ＝405nm、NA＝0.85时，ΔZ＝0.280μm，±0.3μm以内是焦点深度内。因此，在这种情况下，光学分离层20、19、及17等的厚度需要为0.6μm以上。
邻接的两个信息层间的距离、及第一信息层23和与其最远离的第N信息层之间的距离优选可以使用物镜将激光束11聚光的范围。从而，光学分离层20、19、及17等的厚度的总计优选物镜能够容许的公差内(例如50μm以下)。
光学分离层20、19、及17等在激光束11的入射侧的表面根据需要具有用于引导激光束的导向槽也可。在这种情况下，仅通过来自单侧的激光束11的照射，能够利用通过了第1～第(K-1)信息层的激光束11，对第K信息层(K为1＜K≤N的自然数)进行记录再生。
还有，可以将第一信息层至第N信息层的任一层形成为再生专用类型的信息层(ROM(Read Only Memory)或仅能写入一次的一次写入多次读出型信息层(WO(Write Once))。
以下，详细说明第一信息层23。
第一信息层23具有：从激光束11的入射侧依次配置的第一入射侧电介质层202、第一入射侧界面层203、第一记录层204、第一反入射侧电介质层206、第一反射层208、及透过率调节层209。
第一入射侧电介质层202具有：与实施方式1的入射侧电介质层102相同地调节光学距离，提高第一记录层204的光吸收效率的作用、及增大记录前后的反射光量的变化，增大信号强度的作用。第一入射侧电介质层202可以使用与实施方式1的入射侧电介质层102相同的材料来形成。
第一入射侧电介质层202的厚度可以通过基于矩阵法的计算，按照满足下述条件的方式严格地确定。
第一记录层204为结晶相的情况和其为非晶质相的情况的反射光量的变化大；
第一记录层204引起的光吸收变大；
第一信息层23的透过率变大。
第一入射侧界面层203可以使用与实施方式1的入射侧界面层103相同的材料来形成。另外，其功能及形状(优选包含厚度)也与实施方式1的入射侧界面层103相同。入射侧界面层103根据需要设置，不设置也可。
第一反入射侧电介质层206具有与第一入射侧电介质层202相同的作用。第一反入射侧电介质层206可以使用与实施方式1的反入射侧电介质层106的材料相同的系的材料来形成。第一反入射侧电介质层206的厚度优选在0.5nm～75nm的范围内，更优选1nm～40nm的范围内。具有从该范围选择的厚度的第一反入射侧电介质层206可以将在第一记录层204产生的热量向第一反射层208侧有效地扩散。
在第一记录层204和第一反入射侧电介质层206之间配置第一反射层侧界面层也可。第一反射层侧界面层可以使用与实施方式1的反入射侧界面层105的材料相同的系的材料来形成。第一反射层侧界面层的优选的厚度与实施方式1的反入射侧界面层105的厚度相同。在图2所示的介质中，设置有第一反射层侧界面层的情况下，该层可以在由符号204表示的层和由符号206表示的层之间例如表示为由符号205表示的层。
第一记录层204由利用激光束11的照射而能够在结晶相和非晶质相之间发生相变化的材料构成。第一记录层204具体来说，如上所述，可以由GeAM3BTe3+A表示的材料、式(Ge-M4)AM3BTe3+A表示的材料、或式GeTe-SnTe表示的材料形成。这些式中的M3及M4表示的元素、及A及B的优选的范围如在先实施方式1中的关联说明，因此省略。
第一信息层23为了使记录再生时所需的激光量从激光束11的入射侧到达位于从第一信息层23远的一侧处的信息层，需要增加其透过率。因此，第一记录层204的厚度优选9nm以下，更优选2nm～8nm的范围。
另外，第一记录层204可以使用引起不可逆相变化的材料形成，例如，还可以使用由Te-Pd-O表示的材料来形成。在这种情况下，第一记录层204的厚度优选5nm～30nm的范围内。
第一反射层208具有增大吸收于第一记录层204的光量的光学功能。另外，第一反射层208还具有：将在第一记录层204产生的热量迅速扩散，使第一记录层204容易非晶质化的热功能。进而，第一反射层208还具有从使用的环境保护多层膜的功能。
第一反射层208的材料可以使用与实施方式1的反射层108的材料相同的材料来形成。尤其，Ag合金的热传导率大，因此，优选作为第一反射层208的材料。第一反射层208的厚度为了进行提高第一信息层23的透过率，优选为3nm～15nm的范围内，更优选6nm～12nm的范围内。具有该范围的厚度的第一反射层208，发挥充分的热扩散功能且确保第一信息层23的反射率，进而充分提高第一信息层23的透过率。
透过率调节层209由电介质构成，具有调节第一信息层23的透过率的功能。通过该透过率调节层209能够一同提高第一记录层204为结晶相的情况下的第一信息层23的透过率Tc(％)、和第一记录层204为非晶质相的情况下的第一信息层23的透过率TA(％)。具体来说，具备透过率调节层209的第一信息层23的透过率与没有透过率调节层209的情况相比，提高2％～10％左右。另外，透过率调节层209有效地扩散在第一记录层204中产生的热量。
透过率调节层209的折射率nt及消失系数kt为了使提高第一信息层23的透过率Tc及Ta的作用更大，优选满足2.0≤nt且kt≤0.1，更优选满足2.4≤nt≤3.0且kt≤0.05。
透过率调节层209的厚度L优选满足(1/32)λ/nt≤L≤(3/16)λ/nt或(17/32)λ/nt≤L≤(11/16)λ/nt，更优选满足(1/16)λ/nt≤L≤(5/32)λ/nt或(9/16)λ/nt≤L≤(21/32)λ/nt。若将激光束11的波长λ及透过率调节层209的折射率nt选择为例如满足350nm≤λ≤450nm，2.0≤nt≤3.0，则L的优选的范围为3nm≤λ≤40nm或60nm≤λ≤130nm，更优选的范围为7nm≤λ≤30nm或65nm≤λ≤120nm。通过在该范围内选择L，能够一同提高第一信息层23的透过率Tc及Ta。
作为透过率调节层209的材料，例如，可以使用选自TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、CeO2、Cr2O3、Ga2O3、及Sr-O等的一种或多种氧化物。另外，还可以使用选自Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、及Ge-Cr-N等的一种或多种氮化物。另外，可以使用ZnS等硫化物。另外，也可以使用从上述材料选择的多个材料的混合物，形成透过率调节层209。尤其，优选使用TiO2、或含有TiO2的材料。这些材料的折射率大(n＝2.6～2.8)，消失系数也小(k＝0.0～0.05)，使用这些形成的透过率调节层209的透过率比第一信息层23高。
第一信息层23的透过率Tc及Ta为了使记录再生时所需的激光量从激光束11的入射侧到达位于从第一信息层23远的一侧的信息层，优选满足40＜Tc且40＜Ta，更优选满足46＜Tc且46＜Ta。
第一信息层23的透过率Tc及Ta优选满足-5≤(Tc-Ta)≤5，更优选满足-3≤(Tc-Ta)≤3。若Tc及Ta在这些范围内，则记录再生位于从激光束11的入射侧距第一信息层23远的一侧的信息层时，第一信息层23的第一记录层204的状态引起的透过率的变化的影响小，得到良好的记录再生特性。
在第一信息层23中，第一记录层204为结晶相的情况下的反射率Rc1(％)、及第一记录层204为非晶质相的情况下的反射率Ra1(％)优选满足Ra1(％)＜Rc1。由此，没有记录信息的初始的状态下，反射率高，能够稳定地进行记录再生动作。另外，为了增大反射率差(Rc1-Ra1)，得到良好的记录再生特性，Rc1及Ra1优选满足0.1≤Ra1≤5且4≤Rc1≤15，更优选满足0.1≤Ra1≤3且4≤Rc1≤10。
通过以下所述的方法可以制造信息记录介质22。
首先，在基板14(厚度例如为1.1mm)上隔着光学分离层依次层叠(N-1)个信息层。信息层由单层膜或多层膜构成。构成信息层的各层可以通过在成膜装置内依次溅射成为材料的溅射靶而形成。另外，光学分离层可以通过在信息层上涂敷光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂，然后使基板14旋转，将树脂均一地扩散后(旋涂)，使树脂固化来形成。光学分离层具备激光束11的导向槽的情况下，可以通过将形成有槽的基板(型)密接于固化前的树脂后，将基板14与型一同旋转而进行旋涂，使树脂固化，然后，将基板(型)剥离，由此形成导向槽。
这样，在基板14上隔着光学分离层层叠(N-1)个信息层后，进而形成光学分离层17。
接着，在光学分离层17上形成第一信息层23。具体来说，首先，隔着光学分离层层叠(N-1)个信息层后，在第二信息层上形成光学分离层17。然后，在成膜装置内配置基板14，在光学分离层17上形成透过率调节层209。透过率调节层209可以通过与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。
接着，在透过率调节层209上形成反射层108。反射层108可以通过与实施方式1的反射层108相同的方法形成。接着，在第一反射层208上形成第一反入射侧电介质层206。第一反入射侧电介质层206可以通过与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法形成。
接着，在第一反入射侧电介质层206上根据需要形成第一反入射侧界面层第一反入射侧界面层可以通过与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。
接着，在第一反入射侧电介质层206或第一反入射侧界面层上形成第一记录层204。第一记录层204可以使用对应于其组成的溅射靶，利用与实施方式1的记录层104相同的方法形成。接着，在第一记录层204上形成第一入射侧界面层203。第一入射侧界面层203可以通过与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。
接着，在第一入射侧界面层203上形成第一入射侧电介质层202。第一入射侧电介质层202可以通过与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。最后，在第一入射侧电介质层202上形成透明层13。透明层13可以通过在实施方式1中说明的方法来形成。
在形成第一入射侧电介质层202之后，或形成透明层13之后，根据需要，进行使第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序也可。第一记录层204的结晶化可以通过照射激光束来进行。另外，根据需要，在该阶段将其他的信息层的记录层初始化也可。
可以如上所述地制造信息记录介质22。在本实施方式中，作为各层的形成方法使用了溅射法。各层的形成方法不限定于此，使用真空蒸镀法、离子镀敷法、CVD法、或MBE法等也可。
(实施方式3)
作为实施方式3，在实施方式2的本发明的多层工序信息记录介质中，说明由N＝2即两组信息层构成的信息记录介质的一例。实施方式3的信息记录介质24的局部剖面图示出在图3中。信息记录介质24是能够利用来自单面的激光束11的照射进行信息的记录再生的两层光学信息记录介质。
信息记录介质24包括；依次层叠于基板14上的第二信息层25、光学分离层17、第一信息层23、及透明层13。基板14、光学分离层17、第一信息层23、及透明层13可以由与实施方式1及2中说明的那些材料相同的材料来形成。另外，它们的形状(优选包括厚度)及功能也与在实施方式1及2中说明的那些形状及功能相同。
以下，详细说明第二信息层25的结构。
第二信息层25具备：从激光束11的入射侧依次配置的第二入射侧电介质层302、第二入射侧界面层303、第二记录层304、第二反入射侧电介质层306、及第二反射层308。第二信息层25中的信息的记录再生通过透过了透明层13、第一信息层23、及光学分离层17的激光束11来进行。
第二入射侧电介质层302可以由与实施方式1的入射侧电介质层102的材料相同的材料形成。另外，其功能也与实施方式1的入射侧电介质层102相同。
第二入射侧电介质层302的厚度可以利用基于矩阵法的计算，按照第二记录层304为结晶相的情况和其为非晶质相的情况的反射光量的变化变大的方式，严格地确定。
第二入射侧界面层303可以使用与实施方式1的入射侧界面层103的材料相同的材料形成。另外，其功能及形状(优选包含厚度)与实施方式1的入射侧界面层103相同。第二入射侧界面层303可以根据需要形成，也可以不形成。
第二反入射侧电介质层306可以使用与实施方式1的反入射侧电介质层106的材料相同的材料来形成。另外，其功能及形成(优选包括厚度)与实施方式1的反入射侧电介质层106相同。
在第二记录层304和第二反入射侧电介质层306之间根据需要配置第二反入射侧界面层也可。第二反入射侧界面层可以使用与实施方式1的反入射侧界面层105的材料相同的材料形成。另外，其功能及形状(优选包括厚度)与实施方式1的反入射侧界面层105相同。图3所示的介质中，设置有第二反入射侧界面层的情况下，该层在由符号304表示的层和由符号306表示的层之间例如作为由符号305表示的层表示也可。
第二记录层304可以由与实施方式1的记录层104材料相同的材料形成。在第二记录层304的材料为能够发生可逆相变化的材料的情况下(例如，GeAM3BTe3+A)，其厚度为了提高第二信息层25的记录灵敏度，优选在6nm～15nm的范围内。在该范围内，在第二记录层304厚的情况下，热量的面内方向上的扩散引起的对记录部的邻接区域的热影响也变大。另外，在第二记录层304薄的情况下，第二信息层25的反射率变小。从而，第二记录层304的厚度更优选8nm～13nm的范围内。另外，在由引起不可逆的相变化的材料(例如，Te-Pd-O)形成第二记录层304的情况下，第二记录层304的厚度优选与实施方式1相同地为10nm～40nm的范围内。
第二反射层308可以由与实施方式1的反射层108的材料相同的材料形成。另外，其功能及形状(优选包括厚度)与实施方式1的反射层108相同。
在第二反射层308和第二反入射侧电介质层306之间配置第二反射层侧界面层也可。第二反射层侧界面层可以使用与实施方式1说明的反射层侧界面层的材料相同的材料来形成。另外，第二反射层侧界面层的功能及形状(优选包括厚度)与实施方式1的界面层107相同。如图3所示的介质中，设置有反射层侧界面层的情况下，该层在由符号306表示的层和由符号308表示的层之间例如可以作为由符号307表示的层表示。
可以通过以下说明的方法制造信息记录介质24。
首先，形成第二信息层25。具体来说，首先，准备基板14(厚度例如为1.1mm)，将其配置于成膜装置内。
接着，在基板14上形成第二反射层308。在基板14上形成用于引导激光束11的导向槽的情况下，在形成有导向槽的一侧形成第二反射层308。第二反射层308可以由与实施方式1的反射层108相同的方法来形成。
接着，在第二反射层308上根据需要形成第二反射层侧界面层。该界面层可以由与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。
接着，在第二反射层308或第二反射层侧界面层上形成第二反入射侧电介质层306。第二反入射侧电介质层306可以由与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。接着，在第二反入射侧电介质层306上根据需要形成第二反入射侧界面层。第二反入射侧界面层可以由与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。
接着，在第二反入射侧电介质层306或第二反入射侧界面层上形成第二记录层304。第二记录层304可以使用对应于其组成的溅射靶，利用与实施方式1的记录层104相同的方法来形成。
接着，在第二记录层304上根据需要形成第二入射侧界面层303。第二入射侧界面层303可以由与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。接着，在第二记录层304或第二入射侧界面层303上形成第二入射侧电介质层302。第二入射侧电介质层302可以由与实施方式1的反入射侧电介质层106相同的方法来形成。这样，形成第二信息层25。
接着，在第二信息层25的第二入射侧电介质层302上形成光学分离层17。光学分离层17可以通过在在第二入射侧电介质层302上涂敷光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂进行旋涂后，使树脂固化来形成。光学分离层17具备激光束11的导向槽的情况下，将形成有槽的基板(型)与固化前的树脂密接后，将基板14与型一同旋转进行旋涂，使树脂固化，然后，剥离基板(型)来形成导向槽。
在形成第二入射侧电介质层302后，或形成光学分离层17后，根据需要，进行使第二记录层304的整个面结晶化的初始化工序也可。第二记录层304的结晶化可以通过照射激光束来进行。
接着，在光学分离层17上形成第一信息层23。具体来说，在光学分离层17上依次形成透过率调节层209、第一反射层208、第一反入射侧电介质层206、第一记录层204、第一入射侧界面层203、及第一入射侧电介质层202。根据需要，在第一反入射侧电介质层206和第一记录层204之间形成第一反入射侧界面层也可。这些各层可以由在实施方式2中说明的方法来形成。最后，在第一入射侧电介质层202上形成透明层13。透明层13可以由在实施方式1中说明的方法来形成。
在形成第一入射侧电介质层202后或形成透明层13后，根据需要，进行使第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序也可。第一记录层204的结晶化可以通过照射激光束来进行。
在形成第一入射侧电介质层202后或形成透明层13后，根据需要，进行使第二记录层304及第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序也可。在这种情况下，若先进行第一记录层204的结晶化，则用于结晶化第二记录层304所需的激光功率处于变大的倾向，因此，优选先结晶化第二记录层304。
可以如上所述地制造信息记录介质24。在本实施方式中，作为各层的形成方法使用了溅射法。各层的形成方法不限于此，可以使用真空蒸镀法、离子镀敷法、CVD法、或MBE法等。
(实施方式4)
作为实施方式4，说明本发明的信息记录介质的其他的例子。实施方式4的信息记录介质29的局部剖面图示出在图4中。信息记录介质29是与实施方式1的信息记录介质15相同地利用激光束11的照射能够仅信息的记录再生的光学信息记录介质。
信息记录介质29是在基板26上层叠的信息层16上经由粘接层27密接伪基板28的结构。基板26、及伪基板28是透明且圆盘状的基板。基板26及伪基板28可以与实施方式1的基板14相同地，例如，由聚碳酸酯、无定形聚烯烃或PMMA等树脂、或玻璃来形成。从转印性、批量生产性优越且低成本来说，作为基板26及伪基板28的材料，聚碳酸酯尤其有用。
基板26在入射侧电介质层102侧的表面根据需要具有引导激光束的导向槽也可。在基板26的入射侧电介质层102侧的相反侧的表面、及伪基板28的粘接层27侧的相反侧的表面优选平滑。还有，基板26及伪基板28的厚度优选在0.3mm～0.9mm的范围内，以确保充分强度，且使信息记录介质29的厚度成为1.2mm左右。
粘接层27由光固化性树脂(尤其环氧树脂及丙烯酸树脂之类的紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂构成，对使用的激光束11具有小的光吸收率，在短波长区域具有小的光学双折射率。根据关联于光学分离层19及17说明的理由相同的理由，粘接层27的厚度优选在0.6μm～50μm的范围内。
另外，对标注了与实施方式1相同的符号的部分省略其说明。
可以通过以下说明的方法来制造信息记录介质29。
首先，在基板26(厚度例如为0.6mm)上形成信息层16。在基板26上形成有用于引导激光束11的导向槽的情况下，在形成有导向槽的一侧形成信息层16。具体来说，在成膜装置内配置基板26，依次层叠入射侧电介质层102、入射侧界面层103、记录层104、反入射侧电介质层106、及反射层108。还有，根据需要，在记录层104和反入射侧电介质层106之间形成反入射侧界面层也可。另外，根据需要，在反入射侧电介质层106和反射层108之间形成反射层侧界面层也可。各层的成膜方法与实施方式1的各层的成膜方法相同。
然后，在层叠有信息层16的基板26上使用粘接层27贴合伪基板28(厚度例如为0.6mm)。具体来说，在伪基板28上涂敷光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂，将层叠有信息层16的基板26密接于伪基板28上进行旋涂后，使树脂固化即可。另外，也可以在伪基板28上均一地涂敷粘接性的树脂，将其与层叠有信息层16的基板26密接。
在使基板26及伪基板28密接后，根据需要，进行使记录层104的整个面结晶化的初始化工序也可。记录层104的结晶化可以通过照射激光来进行。
可以如上所述地制造信息记录介质29。在本实施方式中，作为各层的形成方法使用了溅射法。各层的形成方法不限于此，可以使用真空蒸镀法、离子镀敷法、CVD法、或MBE法。
(实施方式5)
作为实施方式5，说明本发明的信息记录介质的一例。实施方式5的信息记录介质31的局部剖面图示出在图5中。信息记录介质31是与实施方式2的信息记录介质22相同地利用来自单面的激光束11的照射能够进行信息的记录再生的多层光学信息记录介质。
信息记录介质31为如下结构：具有含有在基板26上隔着光学分离层17、19等依次层叠的第一信息层23及信息层18的(N-1)个信息层的层叠体上，密接有基板30上层叠的信息层21的结构。在层叠体和信息层21之间夹有粘接层27。该介质31具有N个信息层。
基板30是透明且圆盘状的基板。基板30的材料可以与基板14的材料相同，例如为聚碳酸酯、无定形聚烯烃或PMMA等树脂、或玻璃。从转印性、批量生产性优越且低成本方面说，作为基板30的材料，聚碳酸酯尤其有用。
基板30在信息层21侧的表面根据需要具有引导激光束的导向槽也可。基板30的信息层21侧的相反侧的表面优选平滑。基板30的厚度优选0.3mm～0.9mm的范围内，以确保充分的强度，且信息记录介质31的厚度成为1.2mm左右。
另外，对标注与实施方式2、及4相同的符号的部分省略其说明。
可以通过以下说明的方法来制造信息记录介质31。
首先，在基板26(厚度例如为0.6mm)上形成第一信息层23。在基板26上形成用于引导激光束11的导向槽的情况下，在形成有导向槽的一侧形成第一信息层23。具体来说，在成膜装置内配置基板26，依次层叠第一入射侧电介质层202、第一入射侧界面层203、第一记录层204、第一反入射侧电介质层206、第一反射层208、及透过率调节层209。根据需要，在第一记录层204和第一反入射侧电介质层206之间形成第一反入射侧界面层也可。各层的形成方法与实施方式2的各层的形成方法相同。然后，隔着光学分离层依次层叠(N-2)个信息层。
与上述不同地，在基板30(厚度例如为0.6mm)上形成信息层21。信息层由单层膜、或多层膜构成，这些各层可以与实施方式2相同地在成膜装置内依次溅射作为材料的溅射靶而形成。
最后，将层叠有信息层的基板26使用粘接层27贴合于形成有信息层21的基板30。具体来说，在信息层21上涂敷光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂，使形成有第一信息层23的基板26密接于信息层21上并进行旋涂，然后使树脂固化即可。另外，还可以在信息层21上预先均一地涂敷粘接性的树脂，然后将其与基板26密接。
在使基板26及基板30密接后，根据需要，进行将第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序也可。第一记录层204的结晶化可以通过照射激光束来进行。
如上所述地可以制造信息记录介质31。在本实施方式中，作为各层的形成方法使用了溅射法。各层的形成方法不限于此，还可以使用真空蒸镀法、离子镀敷法、CVD法、或MBE法等。
(实施方式6)
作为实施方式6，说明在实施方式5的本发明的多层光学信息记录介质中，利用N＝2即两个信息层构成的信息记录介质的一例。实施方式6的信息记录介质32的局部剖面图示出在图6中。信息记录介质32是与实施方式3的信息记录介质24相同地为利用来自单面的激光束11的照射能够进行信息的记录再生的两层光学信息记录介质。
信息记录介质32是在将第一信息层23层叠于基板26上而成的层叠体上，隔着粘接层27，密接在基板30上层叠而成的第二信息层25的结构。
在基板30的第二反射层308侧的表面根据需要形成有用于引导激光束的导向槽也可。基板30的第二反射层308侧的相反侧的表面优选平滑。
另外，对标注了与实施方式3、实施方式4、及实施方式5相同的符号的部分省略其说明。
可以通过以下说明的方法来制造信息记录介质32。
首先，在基板26(厚度例如为0.6mm)上利用与实施方式5相同的方法来形成第一信息层23。在形成透过率调节层209后，根据需要进行使第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序也可。第一记录层204的结晶化可以通过照射激光束来进行。
独立于上述，在基板30(厚度例如为0.6mm)上形成第二信息层25。在基板30上形成有用于引导激光束11的导向槽的情况下，在形成有导向槽的一侧形成第二信息层25。具体来说，将基板30配置于成膜装置内，依次层叠第二反射层308、第二反入射侧电介质层306、第二记录层304、第二入射侧界面层303、及第二入射侧电介质层302。还有，根据需要，在第二记录层304和第二反入射侧电介质层306之间形成第二反入射侧界面层也可。另外，根据需要，在第二反射层308和第二反入射侧电介质层306之间形成反射层侧界面层也可。各层的形成方法与实施方式3的各层的形成方法相同。
在形成第二入射侧电介质层302后，根据需要，进行使第二记录层304的整个面结晶化的初始化工序也可。第二记录层304的结晶化可以通过照射激光束来进行。
最后，使用粘接层27粘合层叠有第一信息层23的基板26和层叠有第二信息层25的基板30。具体来说，首先，将光固化性树脂(尤其紫外线固化性树脂)或迟效性树脂等树脂涂敷于第一信息层23或第二信息层25上。因此，将基板26上的第二入射侧电介质层302和基板30上的透过率调节层209密接而进行旋涂后，使树脂固化即可。另外，在第一信息层23或第二信息层25上预先均一地涂敷粘接性的树脂，使基板26和基板30密接也可。
然后，根据需要，进行使第二记录层304、及第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序也可。在这种情况下，根据与实施方式3中说明的理由相同的理由，优选使第二记录层304先结晶化。
可以如上所述地制造信息记录介质32。还有，在本实施方式中，作为各层的形成方法使用了溅射法。各层的形成方法不限定于此，使用真空蒸镀法、离子镀敷法、CVD法、或MBE法等也可。
(实施方式7)
在实施方式7中，说明实施方式1、2、3、4、5、及6中说明的本发明的信息记录介质的记录再生方法。
本发明的记录再生方法中使用的记录再生装置38的局部结构以示意性示出在图7中。图7所示的记录再生装置38具备：具备用于使信息记录介质37旋转的主轴马达33、半导体激光器35、及将从半导体激光器35射出的激光束11聚光的物镜34的光学头36。信息记录介质37是实施方式1、2、3、4、5、及6中说明的信息记录介质，具备单个(例如信息层16)或多个信息层(例如第一信息层23、第二信息层25)。物镜34将激光束11聚光在信息层上。
向信息记录介质的信息的记录、消去、及刻录通过将激光束11的功率调制在高功率的波峰功率((Pp(mW))和低功率的偏置功率(bias power)(Pb(mW))之间而进行。通过照射波峰功率的激光束11，记录层的局部的一部分成为非晶质相，该非晶质相成为记录标记。在记录标记中照射偏置功率的激光束11，形成结晶相(消去部分)。
波峰功率的激光束11通常以脉冲列的方式即多脉冲照射。多脉冲仅在波峰功率及偏置功率的功率电平之间两值调制也可。或者，多脉冲可以通过施加比偏置功率更低的功率的冷却功率(cooling power)(Pc(mW))及底功率(bottom power)(PB(mW))，使用0mW～波峰功率的范围的功率电平，进行三值调制或四值调制。
信息信号的再生通过如下过程实施：将通过照射再生功率的激光束11而得到的来自信息记录介质的信号，利用检测器读取而实施。再生功率(Pr(mW))设定为满足如下条件。
低于波峰功率及偏置功率的功率电平；
以再生功率电平照射激光束11时，记录标记的光学状态不受影响；
从信息记录介质得到用于记录标记再生的充分的反射光量。
物镜34的开口数NA为了将激光束的点径调节在0.4μm～0.7μm的范围内，优选0.5～1.1的范围内，更优选0.6～0.9的范围内。激光束11的波长优选450nm以下(更优选350nm～450nm的范围内)。本发明的信息记录介质为了以那样短的波长适合记录再生，设置有Si-In-Zr/Hf-O系材料层。记录信息时的信息记录介质的线速度优选再生光引起的结晶化不易引起，且得到充分的消去性能的1m/秒～20m/秒的范围内，更优选2m/秒～15m/秒的范围内。根据信息记录介质的种类，当然可以使用在此没有例示的波长、物镜的开口数、及线速度。例如，激光的波长可以为650nm～670nm。
在具备两个信息层的信息记录介质24、及信息记录介质32中，向第一信息层23的信息的记录通过将激光束11的焦点对位在第一记录层204上，利用通过透明层13的激光束11来进行。来自第一信息层23的信息的再生通过检测由第一记录层204反射且透过透明层13过来的激光束11来进行。向第二信息层25的信息的记录通过使用如下的激光束11进行，即使用将激光束11的焦点对位于第二记录层304且透过了透明层13、第一信息层23、及光学分离层17的激光束11。来自第二信息层25的信息的再生通过检测由第二记录层304反射且透过光学分离层17、第一信息层23、及透明层13过来的激光束11来进行。
在基板14、光学分离层20、19、及17上形成有用于引导激光束11的导向槽的情况下，记录可以在激光束11的靠近入射侧的一面(凹槽)进行，也可以在远离入射侧的一面(岸)进行。或者，在凹槽(groove)和岸(land)的两者上进行信息的记录也可。
可以使用该记录再生装置，如下所示地评价信息记录介质的性能。记录性能的评价的步骤如下所述。首先，对激光束11在0～(Pp(mW))之间进行功率调制，以(1-7)调制方式记录标记长度0.149μm(2T)到0.596μm(8T)的随机信号。通过用时间间隔分析仪测定记录的标记的前端间、及后端间的跳动(标记位置的误差)，能够评价记录性能。跳动值越小，记录性能越好。Pp和Pb按照前端间、及后端间的跳动的平均值(平均跳动)最小的方式确定。将此时的最佳Pp设为记录灵敏度。
另外，信号强度的评价的步骤如下所述。首先，将激光束11在0～Pp(mW)之间进行功率调制，将标记长度0.149μm(2T)和0.671μm(9T)的信号连续10次交替记录于相同凹槽中。从而，将2T信号记录5次，将9T信号记录5次。最后，将2T信号刻录。最后，通过用光谱分析仪测定2T信号的频率下的信号振幅(carrier level)和噪声振幅(noise level)之比(CNR(Carrier to Noise Ratio))，能够评价信号强度。CNR越大，信号强度越强。
反复擦写的次数按如下步骤评价。首先，将激光束11在0～Pp(mW)之间进行功率调制，将标记长度0.149μm(2T)到0.596μm(8T)的随机信号连续记录于相同凹槽中。通过时间间隔分析仪测定各记录擦写次数中的前端间、及后端间跳动，能够评价反复擦写次数。具体来说，将相对于第一次的前端间和后端间的平均跳动值，增加3％的擦写次数设为上限值。还有，Pp、Pb、Pc及PB按照平均跳动值最小的方式确定。
记录保存性按如下步骤评价。首先，以最佳条件记录信号。然后，在温度80℃、相对湿度85的环境下，将介质暴露100小时。用时间间隔分析仪测定暴露前后的跳动值，利用跳动值的变化量，能够评价记录保存性。
(实施方式8)
作为实施方式8，说明本发明的信息记录介质的其他例子。实施方式8的电信息记录介质44的一结构例示出在图8中。电信息记录介质44是通过电能(尤其电流)的施加，能够进行信息的记录再生的信息记录介质。
作为基板39，可以使用聚碳酸酯等树脂基板、玻璃基板、Al2O3等陶瓷基板、Si等半导体基板、及Cu等金属基板。在此，说明作为基板使用Si基板的例子。电信息记录介质44是在基板39上依次层叠下部电极40、第一电介质层401、第一记录层41、第二记录层42、第二电介质层402、及上部电极43的结构。下部电极40及上部电极43为向第一记录层41、及第二记录层42施加电流而形成。第一电介质层401是为了调节向第一记录层41施加的电能量而设置，第二电介质层402是向第二记录层42施加电能量而设置。
在本方式中，将第一电介质层401及第二电介质层402的至少一方设为Si-In-Zr/Hf-O系材料层。另一方的电介质层可以由与关联于实施方式1的入射侧电介质层102说明的其他材料形成。
第一记录层41及第二记录层42由通过电流的时间产生的焦耳热，能够在结晶相和非晶质相之间发生可逆相变化的材料构成。在该介质中，将在结晶相和非晶质相之间电阻率变化的现象利用于信息的记录。作为第一记录层41的材料及第二记录层42的材料，可以使用与实施方式1的记录层104的材料相同的材料。第一记录层41及第二记录层42为了具有相同的电阻率，选择互不相同的层的厚度及/或材料的组成而设计。第一记录层41及第二记录层42可以分别由与实施方式1的记录层104相同的方法来形成。
下部电极40、及上部电极43可以使用Al、Au、Ag、Cu、Pt等单体金属材料、或其中一种或多种元素为主成分，为了耐湿性的提高或热传导率的调节等而适当添加了一种或多种元素的合金材料。下部电极40、及上部电极43可以在Ar气体气氛中，溅射作为材料的金属母材或合金母材而形成。作为各层的形成方法还可以使用溅射法以外的方法、例如，真空蒸镀法、离子镀敷法、CVD法、或MBE法等也可。
经由施加部45将电信息记录再生装置50电连接于电信息记录介质44。在下部电极40和上部电极43之间，为向第一记录层41、及第二记录层42施加电流脉冲，经由开关47连接装置50的脉冲电源48。另外，为了检测第一记录层41及第二记录层42的相变化引起的电阻值的变化，在下部电极40和上部电极43之间经由开关49连接电阻测定器46。
为了使处于非晶质相(高电阻状态)的第一记录层41或第二记录层42变化为结晶相(低电阻状态)，关闭开关47(打开开关49)，向电极间施加电流脉冲。施加按照施加电流脉冲的部分的温度比材料的结晶化材料温度高，且以低于熔点的温度保持结晶化时间的期间的方式实施。若要从结晶相再次恢复为非晶质相，则以更短的时间施加比结晶化时更高的电流脉冲，并在高于熔点的温度下使记录层熔融后，急剧地冷却。还有，电信息记录再生装置50的脉冲电源48是能够发出图11所示的记录·消去脉冲波形的电源。
在此，第一记录层41为非晶质相的情况下的电阻值设为ra1，第一记录层41为结晶相的情况下的电阻值设为rc1，第二记录层42为非晶质相的情况下的电阻值设为ra2，第二记录层42为结晶相的情况下电阻值设为rc2。通过使这些电阻值满足rc1≤rc2＜ra1＜ra2或rc1≤rc2＜ra2＜ra1或rc2≤rc1＜ra1＜ra2或rc2≤rc1＜ra2＜ra1，能够将第一记录层41和第二记录层42的电阻值之和设定为ra1+ra2、ra1+rc2、ra2+rc1及rc1+rc2的四个不同值。从而，通过用电阻测定器46测定电极间的电阻值，能够一并检测四个不同的状态、即两值信息。
通过将多个该电信息记录介质44配置成矩阵，能够构成如图9所示的大容量的电信息记录介质51。各存储器单元54具有形成有与电信息记录介质44相同的结构的微小区域。向各自的存储器单元54的信息的记录再生通过分别指定一个字线52、及位线53来进行。
图10示出了使用电信息记录介质51的信息记录相同的一结构例。存储装置56包括电信息记录介质51、和地址指定回路55。利用地址指定回路55分别指定电信息记录介质51的字线52、及位线53，能够进行向各自的存储器单元54的信息的记录再生。另外，通过将存储装置56电连接于至少包括脉冲电源58和电阻测定器59的外部回路57，能够进行向电信息记录介质51的信息的记录再生。
实施例
使用实施例进而详细地说明本发明的更具体的实施方式。
(实施例1)
在实施例1中，制作图1的信息记录介质15，调查了反入射侧电介质层106的材料、和信息层16的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度的关系。具体来说，制作含有反入射侧电介质层106的材料不同的信息层16的信息记录介质15的样品1-1～1-29，测定了信息层16的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度。
样品如下所示地制造。首先，作为基板14，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度20、轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为反射层108的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、反入射侧电介质层106(厚度：25nm)、作为记录层104的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、作为入射侧界面层103的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为入射侧电介质层102的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度；60nm)。
将上述各层进行溅射的成膜装置具备：分别将反射层108成膜的合金溅射靶、将反入射侧电介质层106成膜的溅射靶、将记录层104成膜的合金溅射靶、将入射侧界面层103成膜的溅射靶、将入射侧电介质层102成膜的溅射靶。溅射靶的形状均为直径100mm、厚度6mm。
在本实施例中，为了将反射层108成膜，使用Ag-Pd-Cu合金溅射靶。同样的靶在以下的实施例中也用于形成反射层而使用。另外，为了将记录层104成膜，使用了含有Ge-In-Bi-Te系材料的靶。同样的靶在以下的实施例中也用于形成记录层而使用。
在本实施例中采用的条件下，只要作为电介质层或界面层，形成Si-In-Zr/Hf-O系材料层及其他氧化物系材料层的情况下，溅射靶的组成接近利用溅射形成的层的分析组成。从而，电介质层及界面层的组成视为与溅射靶的组成相同。在上述中所示的电介质层及界面层的组成为溅射靶的组成。这在以下的实施例中也适用。
反射层108的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4Pa，使用DC电源，接通功率200W下进行。反入射侧电介质层106的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。记录层104的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率100W下进行。入射侧界面层103的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。入射侧电介质层102的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在入射侧电介质层102上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)。然后，通过使基板14旋转，均一地形成树脂层。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，形成了由树脂层构成的厚度100μm的透明层13。然后，进行用激光束结晶化记录层104的初始化工序。如上所述地制造反入射侧电介质层106的材料不同的多个样品。
使用图7的记录再生装置38，对各样品测定信息层16的记录灵敏度、及反复擦写性能。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.85，测定时的样品的线速度为4.9m/s及9.8m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。信息记录于凹槽中。
关于信息记录介质15的信息层16的反入射侧电介质层106的材料、和信息层16的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度的评价结果，将线速度4.9m/s(1X)下的结果示出在(表1)中，将线速度9.8m/s(2X)下的结果示出在(表2)中。表中，关于1X下的记录灵敏度，将小于6mW设为○，将6mW以上且小于7mW设为△，将7mW以上设为×而表示。关于2X下的记录灵敏度，将小于7mW设为○，将7mW以上且小于8mW设为△，将8mW以上设为×而表示。关于反复擦写性能，将反复擦写次数设为1000次以上设为○，将500次以上且小于1000次设为△，将小于500次以下设为×而表示。关于信号强度，将小于40dB设为×，将40dB以上且小于45dB设为△，将45dB以上设为○。
[表1]
样品No. 反射层侧电介质层106的材料(mol％) 换算各元素原子％   记录灵敏度 反复擦写性能   信号强度
  1-1   (ZnS)80(SiO2)20   Zn36.4S36.4Si9.1O18.1   ○   ×   ○
  1-2   (In2O3)50(ZrO2)50   In25.0Zr12.5O62.5   △   ○   △
  1-3   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   Si1.3In250Zr11.2O62.5   ○   ○   ○
  1-4   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   Si3.8In25.0Zr8.7O62.5   ○   ○   ○
  1-5   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   Si6.3In25.0Zr6.2O62.5   ○   ○   ○
  1-6   (SiO2)5(In2O3)5(ZrO2)90   Si1.6In3.2Zr29.0O66.2   ○   ○   ○
  1-7   (SiO2)90(In2O3)5(ZrO2)5   S29.0In3.2Zr1.6O66.2   ○   ○   ○
  1-8   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   Si1.0In37.5Zr1.0O60.5   ○   ○   ○
  1-9   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]45   Si1.2In24.8Zr10.8Y0.7O62.5   ○   ○   ○
  1-10   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]35   Si3.7In24.9Zr8.4Y0.5O62.5   ○   ○   ○
  1-11   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In24.9Zr6.0Y0.4O62.5   ○   ○   ○
  1-12   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]90   Si1.6In3.2Zr27.7Y1.7O65.8   ○   ○   ○
  1-13   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si29.0In3.2Zr1.6Y0.1O66.1   ○   ○   ○
  1-14   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si10In375Zr1.0Y0.1O60.4   ○   ○   ○
  1-15   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]45   Si1.2In24.6Zr10.2Y1.8O62.2   ○   ○   ○
  1-16   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]35   Si3.7In24.7Zr7.9Y1.4O62.3   ○   ○   ○
  1-17   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In248Zr5.7Y1.0O62.3   ○   ○   ○
  1-18   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]90   Si1.5In3.1Zr25.5Y4.4O65.5   ○   ○   ○
  1-19   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si290In3.2Zr1.5Y0.3O66.0   ○   ○   ○
  1-20   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si1.0In37.4Zr1.0Y0.2O60.4   ○   ○   ○
  1-21   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Cr2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Cr5.0O62.4   ○   ○   ○
1-22   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Cr5.0O62.5 ○ ○ ○
1-23   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Cr5.0O62.3 ○ ○ ○
  1-24   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Ga2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Ga50O62.4   ○   ○   ○
1-25   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Ga5.0O62.5 ○ ○ ○
1-26   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Ga5.0O62.3 ○ ○ ○
  1-27   (SiO2)25(In2O3)50(HfO2)25   Si6.3In25.0Hf6.2O62.5   ○   ○   ○
  1-28   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)15(HfO2)10   Si6.3In25.0Zr38Hf2.5O62.4   ○   ○   ○
  1-29   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)10(HfO2)10(Y2O3)5   Si6.1In24.4Zr2.4Hf2.4Y2.4O62.3   ○   ○   ○
表2
  样品NO. 反射层侧电介质层106的材料(mol％) 换算各元素原子％   记录灵敏度   反复擦写性能   信号强度
  1-1   (ZnS)80(SiO2)20   Zn36.4S36.4Si9.1O18.1   ○   ×   ○
  1-2   (In2O3)50(ZrO2)50   In25.0Zr12.5O62.5   ○   ○   △
  1-3   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   Si1.3In25.0Zr11.2O62.5   ○   ○   ○
  1-4   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   Si3.8In25.0Zr8.7O62.5   ○   ○   ○
  1-5   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   Si6.3In25.0Zr6.2O62.5   ○   ○   ○
  1-6   (SiO2)5(In2O3)5(ZrO2)90   Si1.6In3.2Zr29.0O66.2   ○   ○   ○
  1-7   (SiO2)90(In2O3)5(ZrO2)5   Si29.0In3.2Zr1.6O66.2   ○   ○   ○
  1-8   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   Si1.0In37.5Zr1.0O60.5   ○   ○   ○
  1-9   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]45   Si1.2In24.8Zr10.8Y0.7O62.5   ○   ○   ○
  1-10   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]35   Si3.7In24.9Zr8.4Y0.5O62.5   ○   ○   ○
  1-11   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In24.9Zr6.0Y0.4O62.5   ○   ○   ○
  1-12   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]90   Si1.6In3.2Zr27.7Y1.7O65.8   ○   ○   ○
  1-13   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si29.0In3.2Zr1.6Y0.1O66.1   ○   ○   ○
  1-14   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si1.0In37.5Zr1.0Y0.1O60.4   ○   ○   ○
  1-15   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]45   Si1.2In24.6Zr10.2Y1.8O62.2   ○   ○   ○
  1-16   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]35   Si3.7In24.7Zr7.9Y1.4O62.3   ○   ○   ○
  1-17   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In24.8Zr5.7Y1.0O62.3   ○   ○   ○
  1-18   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]90   Si1.5In3.1Zr25.5Y4.4O65.5   ○   ○   ○
  1-19   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si29.0In3.2Zr1.5Y0.3O66.0   ○   ○   ○
  1-20   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si1.0In37.4Zr1.0Y0.2O60.4   ○   ○   ○
  1-21   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Cr2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Cr5.0O62.4   ○   ○   ○
1-22   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Cr5.0O62.5   ○   ○   ○
1-23   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Cr5.0O62.3   ○   ○   ○
  1-24   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Ga2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Ga5.0O62.4   ○   ○   ○
1-25   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Ga5.0O62.5   ○   ○   ○
1-26   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Ga5.0O62.3   ○   ○   ○
  1-27   (SiO2)25(In2O3)50(HfO2)25   Si6.3In25.0Hf6.2O62.5   ○   ○   ○
  1-28   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)15(HfO2)10   Si6.3In25.0Zr3.8Hf2.5O62.4   ○   ○   ○
  1-29   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)10(HfO2)10(Y2O3)5   Si6.1In24.4Zr2.4Hf2.4Y2.4O62.3   ○   ○   ○
其结果可知，反入射侧电介质层106由(ZnS)80(SiO2)20构成的样品1-1，由于含于ZnS的硫向记录层扩散，因此，1X、及2X下的反复擦写性能变差。另外可知，反入射侧电介质层106由(In2O3)50(ZrO2)50构成的样品1-2中，1X下的记录灵敏度和信号强度略差，2X下的信号强度略差。另外可知，反入射侧电介质层106至少包含Si、In、和O，且含有5mol％以上的SiO2，含有1原子％的Si的样品1-3～1-29中，记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度均良好。从以上可知，反入射侧电介质层106含有5mol％以上的SiO2，1原子％以上的Si的情况下，得到良好的性能的介质15。
(实施例2)
在实施例2中，制作图3的信息记录介质24，调查了第二反入射侧电介质层306的材料、和第二信息层25的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度的关系。具体来说，制作含有第二反入射侧电介质层306的材料不同的第二信息层25的信息记录介质24的样品2-1～2-29，测定了第二信息层25的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度。
样品如下所示地制造。首先，作为基板14，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度20、轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第二反射层208的Ag-Pd-Cu(厚度：80nm)、第二反入射侧电介质层306(厚度：25nm)、作为第二记录层304的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、作为第二入射侧界面层303的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层302的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度；60nm)。
第二反射层308的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4Pa，使用DC电源，接通功率200W下进行。第二反入射侧电介质层306的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二记录层304的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率100W下进行。第二入射侧界面层303的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二入射侧电介质层302的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在第二入射侧电介质层302上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，在其上覆盖形成有导向槽(深度20nm、轨道间距0.32μm)的基板而密接，并使其旋转，由此形成均一的树脂层。然后，使树脂固化，然后，剥离基板。通过该工序，形成了引导激光束11的导向槽形成于第一信息层23侧的厚度25μm的光学分离层17。
然后，在光学分离层17上利用溅射法依次层叠作为透过率调节层209的TiO2层(厚度：20nm)、作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为第一反入射侧电介质层206的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：15nm)、作为第一记录层204的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：6nm)、作为第一入射侧界面层203的(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25层(厚度：5nm)、作为第一入射侧电介质层202的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)。
透过率调节层209的成膜通过在Ar和O2的混合气体气氛(O2：3体积％)下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第一反射层208的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4a，使用DC电源，接通功率100W下进行。第一反入射侧电介质层206的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第一记录层204的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率50W下进行。第一入射侧界面层203的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第一入射侧电介质层202的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在第一入射侧电介质层202上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)。然后，通过使基板14旋转，均一地形成树脂层。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，形成了由树脂层构成的厚度75μm的透明层13。然后，进行用激光束结晶化第二记录层304、及第一记录层204的初始化工序。如上所述地制造第二反入射侧电介质层306的材料不同的多个样品。
使用图7的记录再生装置38，对各样品测定第二信息层25的记录灵敏度、及反复擦写性能。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.85，测定时的样品的线速度为4.9m/s及9.8m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。信息记录于凹槽中。
关于信息记录介质24的第二信息层25的第二反入射侧电介质层306的材料、和第二信息层25的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度的评价结果，将线速度4.9m/s(1X)下的结果示出在(表3)中，将线速度9.8m/s(2X)下的结果示出在(表4)中。表中，关于1X下的记录灵敏度，将小于12mW设为○，将12mW以上且小于14mW设为△，将14mW以上设为×而表示。关于2X下的记录灵敏度，将小于14mW设为○，将14mW以上且小于16mW设为△，将16mW以上设为×而表示。关于反复擦写性能，将反复擦写次数设为1000次以上设为○，将500次以上且小于1000次设为△，将小于500次以下设为×而表示。关于信号强度，将小于40dB设为×，将40dB以上且小于45dB设为△，将45dB以上设为○。
[表3]
样品NO. 第二反射层侧电介质层306的材料(mol％) 换算各元素原子％   记录灵敏度 反复擦写性能   信号强度
  2-1   (ZnS)80(SiO2)20   Zn36.4S36.4Si9.1O18.1   ○   ×   ○
  2-2   (In2O3)50(ZrO2)50   In25.0Zr12.5O62.5   △   ○   △
  2-3   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   Si1.3In25.0Zr11.2O62.5   ○   ○   ○
  2-4   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   Si3.8In25.0Zr8.7O62.5   ○   ○   ○
  2-5   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   Si6.3In25.0Zr6.2O62.5   ○   ○   ○
  2-6   (SiO2)5(In2O3)5(ZrO2)90   Si1.6In3.2Zr29.0O66.2   ○   ○   ○
  2-7   (SiO2)90(In2O3)5(ZrO2)5   Si29.0In3.2Zr1.6O66.2   ○   ○   ○
  2-8   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   Si1.0In37.5Zr1.0O60.5   ○   ○   ○
  2-9   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]45   Si1.2In24.8Zr10.8Y0.7O62.5   ○   ○   ○
  2-10   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]35   Si3.7In24.9Zr8.4Y0.5O62.5   ○   ○   ○
  2-11   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In24.9Zr6.0Y0.4O62.5   ○   ○   ○
  2-12   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]90   Si1.6In3.2Zr27.7Y1.7O65.8   ○   ○   ○
  2-13   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si29.0In3.2Zr1.6Y0.1O66.1   ○   ○   ○
  2-14   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si1.0In37.5Zr1.0Y0.1O60.4   ○   ○   ○
  2-15   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]45   Si1.2In24.6Zr10.2Y1.8O62.2   ○   ○   ○
  2-16   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]35   Si3.7In24.7Zr7.9Y1.4O62.3   ○   ○   ○
  2-17   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In24.8Zr5.7Y1.0O62.3   ○   ○   ○
  2-18   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]90   Si1.5In3.1Zr25.5Y4.4O65.5   ○   ○   ○
  2-19   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si29.0In3.2Zr1.5Y0.3O66.0   ○   ○   ○
  2-20   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si1.0In37.4Zr1.0Y0.2O60.4   ○   ○   ○
  2-21   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Cr2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Cr5.0O62.4   ○   ○   ○
2-22   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr6.0Y0.4Cr5.0O62.5   ○   ○   ○
2-23   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Cr5.0O62.3   ○   ○   ○
  2-24   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Ga2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Ga5.0O62.4   ○   ○   ○
2-25   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Ga5.0O62.5   ○   ○   ○
2-26   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)X(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Ga5.0O62.3   ○   ○   ○
  2-27   (SiO2)25(In2O3)50(HfO2)25   Si6.3In25.0Hf6.2O62.5   ○   ○   ○
  2-28   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)15(HfO2)10   Si6.3In25.0Zr3.8Hf2.5O62.4   ○   ○   ○
  2-29   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)10(HfO2)10(Y2O3)5   Si6.1In24.4Zr2.4Hf2.4Y2.4O62.3   ○   ○   ○
[表4]
样品NO. 第二反射层侧电介质层306的材料(mol％) 换算各元素原子％   记录灵敏度 反复擦写性能   信号强度
  2-1   (ZnS)80(SiO2)20   Zn36.4S36.4Si9.1O18.1   ○   ×   ○
  2-2   (In2O3)50(ZrO2)50   In25.0Zr12.5O62.5   ○   ○   △
  2-3   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   Si1.3In25.0Zr11.2O62.5   ○   ○   ○
  2-4   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   Si3.8In25.0Zr8.7O62.5   ○   ○   ○
  2-5   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   Si6.3In25.0Zr6.2O62.5   ○   ○   ○
  2-6   (SiO2)5(In2O3)5(ZrO2)90   Si1.6In3.2Zr29.0O66.2   ○   ○   ○
  2-7   (SiO2)90(In2O3)5(ZrO2)5   Si29.0In3.2Zr1.6O66.2   ○   ○   ○
  2-8   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   Si1.0In37.5Zr1.0O60.5   ○   ○   ○
  2-9   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]45   Si1.2In24.8Zr10.8Y0.7O62.5   ○   ○   ○
  2-10   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]35   Si37In24.9Zr8.4Y0.5O62.5   ○   ○   ○
  2-11   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In24.9Zr6.0Y0.4O62.5   ○   ○   ○
  2-12   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]90   Si1.6In3.2Zr27.7Y1.7O65.8   ○   ○   ○
  2-13   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si29.0In3.2Zr1.6Y0.1O66.1   ○   ○   ○
  2-14   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si1.0In37.5Zr1.0Y0.1O60.4   ○   ○   ○
  2-15   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]45   Si1.2In24.6Zr10.2Y1.8O62.2   ○   ○   ○
  2-16   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]35   Si3.7In24.7Zr7.9Y1.4O62.3   ○   ○   ○
  2-17   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In24.8Zr5.7Y1.0O62.3   ○   ○   ○
  2-18   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]90   Si1.5In3.1Zr25.5Y4.4O65.5   ○   ○   ○
  2-19   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si29.0In3.2Zr1.5Y0.3O66.0   ○   ○   ○
  2-20   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si1.0In37.4Zr1.0Y0.2O60.4   ○   ○   ○
  2-21   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Cr2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Cr5.0O62.4   ○   ○   ○
2-22   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Cr5.0O62.5   ○   ○   ○
2-23   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Cr5.0O62.3   ○   ○   ○
  2-24   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Ga2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Ga5.0O62.4   ○   ○   ○
2-25   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Ga5.0O62.5   ○   ○   ○
2-26   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Ga5.0O62.3   ○   ○   ○
  2-27   (SiO2)25(In2O3)50(HfO2)25   Si6.3In25.0H6.2O62.5   ○   ○   ○
  2-28   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)15(HfO2)10   Si6.3In25.0Zr3.8Hf2.5O62.4   ○   ○   ○
  2-29   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)10(HfO2)10(Y2O3)5   Si6.1In24.4Zr2.4Hf2.4Y2.4O62.3   ○   ○   ○
其结果可知，第二反入射侧电介质层306由(ZnS)80(SiO2)20构成的样品2-1，由于含于ZnS的硫向记录层扩散，因此，1X、及2X下的反复擦写性能变差。另外可知，第二反入射侧电介质层306由(In2O3)50(ZrO2)50构成的样品2-2中，1X下的记录灵敏度和信号强度略差，2X下的信号强度略差。另外可知，第二反入射侧电介质层306至少包含Si、In、和O，且含有5mol％以上的SiO2，含有1原子％的Si的样品2-3～2-29中，记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度均良好。从以上可知，第二反入射侧电介质层306含有5mol％以上的SiO2，1原子％以上的Si的情况下，得到良好的性能的介质24。
(实施例3)
在实施例3中，制作图3的信息记录介质24，调查了第一反入射侧电介质层206的材料、和第一信息层23的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度的关系。具体来说，制作含有第一反入射侧电介质层206的材料不同的第一信息层23的信息记录介质24的样品3-1～3-29，测定了第一信息层23的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度。
样品如下所示地制造。首先，作为基板14，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度20、轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第二反射层208的Ag-Pd-Cu(厚度：80nm)、作为第二反入射侧电介质层306的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25(厚度：15nm)、作为第二反入射侧界面层(未图示)的(SiO2)15(In2O3)35(ZrO2)50(厚度：10nm)、作为第二记录层304的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、作为第二入射侧界面层303的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层302的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度；60nm)。
第二反射层308的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4Pa，使用DC电源，接通功率200W下进行。第一反入射侧电介质层306的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二记录层304的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率100W下进行。第二入射侧界面层303的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二入射侧电介质层302的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在第二入射侧电介质层302上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，在其上覆盖形成有导向槽(深度20nm、轨道间距0.32μm)的基板而密接，并使其旋转，由此形成均一的树脂层。然后，使树脂固化，然后，剥离基板。通过该工序，形成了引导激光束11的导向槽形成于第一信息层23侧的厚度25μm的光学分离层17。
然后，在光学分离层17上利用溅射法依次层叠作为透过率调节层209的TiO2层(厚度：20nm)、作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、第一反入射侧电介质层206(厚度：15nm)、作为第一记录层204的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：6nm)、作为第一入射侧界面层203的(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25层(厚度：5nm)、作为第一入射侧电介质层202的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)。
透过率调节层209的成膜通过在Ar和O2的混合气体气氛(O2：3体积％)下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第一反射层208的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4a，使用DC电源，接通功率100W下进行。第一反入射侧电介质层206的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第一记录层204的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率50W下进行。第一入射侧界面层203的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第一入射侧电介质层202的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在第一入射侧电介质层202上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)。然后，通过使基板14旋转，均一地形成树脂层。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，形成了由树脂层构成的厚度75μm的透明层13。然后，进行用激光束结晶化第二记录层304、及第一记录层204的初始化工序。如上所述地制造第一反入射侧电介质层206的材料不同的多个样品。
使用图7的记录再生装置38，对各样品测定第一信息层23的记录灵敏度、及反复擦写性能。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.85，测定时的样品的线速度为4.9m/s及9.8m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。信息记录于凹槽中。
关于信息记录介质24的第一信息层23的第一反入射侧电介质层206的材料、和第一信息层23的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度的评价结果，将线速度4.9m/s(1X)下的结果示出在(表5)中，将线速度9.8m/s(2X)下的结果示出在(表6)中。表中，关于1X下的记录灵敏度，将小于12mW设为○，将12mW以上且小于14mW设为△，将14mW以上设为×而表示。关于2X下的记录灵敏度，将小于14mW设为○，将14mW以上且小于16mW设为△，将16mW以上设为×而表示。关于反复擦写性能，将反复擦写次数设为1000次以上设为○，将500次以上且小于1000次设为△，将小于500次以下设为×而表示。关于信号强度，将小于40dB设为×，将40dB以上且小于45dB设为△，将45dB以上设为○。
[表5]
样品NO. 第一反射层侧电介质层206的材料(mol％) 换算各元素原子％   记录灵敏度 反复擦写性能   信号强度
  3-1   (ZnS)80(SiO2)20   Zn36.4S36.4Si9.1O18.1   ○   ×   ○
  3-2   (In2O3)50(ZrO2)50   In25.0Zr12.5O62.5   △   ○   △
  3-3   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   Si1.3In25.0Zr11.2O62.5   ○   ○   ○
  3-4   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   Si3.8In25.0Zr8.7O62.5   ○   ○   ○
  3-5   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   Si6.3In25.0Zr6.2O62.5   ○   ○   ○
  3-6   (SiO2)5(In2O3)5(ZrO2)90   Si1.6In3.2Zr29.0O66.2   ○   ○   ○
  3-7   (SiO2)90(In2O3)5(ZrO2)5   Si29.0In3.2Zr1.6O66.2   ○   ○   ○
  3-8   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   Si1.0In37.5Zr1.0O60.5   ○   ○   ○
  3-9   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]45   Si1.2In24.8Zr10.8Y0.7O62.5   ○   ○   ○
  3-10   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]35   Si3.7In24.9Zr8.4Y0.5O62.5   ○   ○   ○
  3-11   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In24.9Zr6.0Y0.4O62.5   ○   ○   ○
  3-12   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]90   Si1.6In3.2Zr27.7Y1.7O65.8   ○   ○   ○
  3-13   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si29.0In3.2Zr1.6Y0.1O66.1   ○   ○   ○
  3-14   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si1.0In37.5Zr1.0Y0.1O60.4   ○   ○   ○
  3-15   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]45   Si1.2In24.6Zr10.2Y1.8O62.2   ○   ○   ○
  3-16   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]35   Si3.7In24.7Zr7.9Y1.4O62.3   ○   ○   ○
  3-17   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In24.8Zr5.7Y1.0O62.3   ○   ○   ○
  3-18   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]90   Si1.5In3.1Zr25.5Y4.4O65.5   ○   ○   ○
  3-19   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si29.0In3.2Zr1.5Y0.3O66.0   ○   ○   ○
  3-20   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si1.0In37.4Zr1.0Y0.2O60.4   ○   ○   ○
  3-21   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Cr2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Cr5.0O62.4   ○   ○   ○
3-22   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Cr5.0O62.5   ○   ○   ○
3-23   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Cr5.0O62.3   ○   ○   ○
  3-24   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Ga2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Ga5.0O62.4   ○   ○   ○
3-25   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Ga5.0O62.5   ○   ○   ○
3-26   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Ga5.0O62.3   ○   ○   ○
  3-27   (SiO2)25(In2O3)50(HfO2)25   Si6.3In25.0Hf6.2O62.5   ○   ○   ○
  3-28   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)15(HfO2)10   Si6.3In25.0Zr3.8Hf2.5O62.4   ○   ○   ○
  3-29   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)10(HfO2)10(Y2O3)5   Si6.1In24.4Zr2.4Hf2.4Y2.4O62.3   ○   ○   ○
表6
样品NO 第一反射层侧电介质层206的材料(mol％) 换算各元素原子％   记录灵敏度 反复擦写性能   信号强度
  3-1   (ZnS)80(SiO2)20   Zn36.4S36.4Si9.1O18.1   ○   ×   ○
  3-2   (In2O3)50(ZrO2)50   In25.0Zr12.5O62.5   ○   ○   △
  3-3   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   Si1.3In25.0Zr11.2O62.5   ○   ○   ○
  3-4   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   Si3.8In25.0Zr8.7O62.5   ○   ○   ○
  3-5   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   Si6.3In25.0Zr6.2O62.5   ○   ○   ○
  3-6   (SiO2)5(In2O3)5(ZrO2)90   Si1.6In3.2Zr29.0O66.2   ○   ○   ○
  3-7   (SiO2)90(In2O3)5(ZrO2)5   Si29.0In3.2Zr1.6O66.2   ○   ○   ○
  3-8   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   Si1.0In37.5Zr1.0O60.5   ○   ○   ○
  3-9   (SiO2)5(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]45   Si1.2In24.8Zr10.8Y0.7O62.5   ○   ○   ○
  3-10   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]35   Si3.7In24.9Zr8.4Y0.5O62.5   ○   ○   ○
  3-11   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In24.9Zr6.0Y0.4O62.5   ○   ○   ○
  3-12   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]90   Si1.6In3.2Zr27.7Y1.7O65.8   ○   ○   ○
  3-13   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si29.0In3.2Zr1.6Y0.1O66.1   ○   ○   ○
  3-14   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]5   Si1.0In37.5Zr1.0Y0.1O60.4   ○   ○   ○
  3-15   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]45   Si1.2In24.6Zr10.2Y1.8O62.2   ○   ○   ○
  3-16   (SiO2)15(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]35   Si3.7In24.7Zr7.9Y1.4O62.3   ○   ○   ○
  3-17   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In24.8Zr5.7Y1.0O62.3   ○   ○   ○
  3-18   (SiO2)5(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]90   Si1.5In3.1Zr25.5Y44O65.5   ○   ○   ○
  3-19   (SiO2)90(In2O3)5[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si29.0In3.2Zr1.5Y0.3O66.0   ○   ○   ○
  3-20   (SiO2)5(In2O3)90[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]5   Si1.0In37.4Zr1.0Y0.2O60.4   ○   ○   ○
  3-21   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Cr2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Cr5.0O62.4   ○   ○   ○
3-22   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Cr5.0O62.5   ○   ○   ○
3-23   (SiO2)25(In2O3)40(Cr2O3)10[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Cr5.0O62.3   ○   ○   ○
  3-24   (SiO2)25(In2O3)40(ZrO2)25(Ga2O3)10   Si6.3In20.0Zr6.3Ga5.0O62.4   ○   ○   ○
3-25   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.9Zr6.0Y0.4Ga5.0O62.5   ○   ○   ○
3-26   (SiO2)25(In2O3)40(Ga2O3)10[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   Si6.2In19.8Zr5.7Y1.0Ga5.0O62.3   ○   ○   ○
  3-27   (SiO2)25(In2O3)50(HfO2)25   Si6.3In25.0Hf6.2O62.5   ○   ○   ○
  3-28   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)15(HfO2)10   Si6.3In25.0Zr3.8Hf2.5O62.4   ○   ○   ○
  3-29   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)10(HfO2)10(Y2O3)5   Si6.1In24.4Zr2.4Hf2.4Y2.4O62.3   ○   ○   ○
其结果可知，第一反入射侧电介质层206由(ZnS)80(SiO2)20构成的样品3-1，由于含于ZnS的硫向记录层扩散，因此，1X、及2X下的反复擦写性能变差。另外可知，第一反入射侧电介质层206由(In2O3)50(ZrO2)50构成的样品3-2中，1X下的记录灵敏度和信号强度略差，2X下的信号强度略差。另外可知，第一反入射侧电介质层206至少包含Si、In、和O，且含有5mol％以上的SiO2，含有1原子％的Si的样品3-3～3-29中，记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度均良好。从以上可知，第一反入射侧电介质层206含有5mol％以上的SiO2，1原子％以上的Si的情况下，得到良好的性能的介质24。
(实施例4)
在实施例4中，制作图4的信息记录介质29，对其进行与实施例1相同的试验。
样品如下所示地制造。首先，作为基板26，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度40、轨道间距0.344μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.6mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为入射侧电介质层102的(ZnS)80(SiO2)20(厚度：60nm)、作为入射侧界面层103的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为记录层104的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、反入射侧电介质层106(厚度：25nm)、作为反射层108的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例1中使用的相同。
然后，在伪基板28上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，将基板26的反射层108密接于树脂上。然后，通过使基板26旋转，在基板26和伪基板28之间形成均一的树脂层(厚度20μm)。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，基板26隔着粘接层27粘接于伪基板28上。最后，进行用激光束使记录层104结晶化的初始化工序。
关于各样品，通过与实施例1相同的方法，测定信息记录介质29的信息层16的记录灵敏度、反复擦写性能及信号强度。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.65，测定时的样品的线速度为8.6m/s及17.2m/s，最短标记长度为0.294μm。信息记录于凹槽中。
测定的结果可知，与实施例1相同地，反入射侧电介质层106由(ZnS)80(SiO2)20构成的样品，由于含于ZnS的硫向记录层扩散，因此，1X、及2X下的反复擦写性能变差。另外可知，反入射侧电介质层106由(In2O3)50(ZrO2)50构成的样品中，1X下的记录灵敏度和信号强度略差，2X下的信号强度略差。另外可知，反入射侧电介质层106至少包含Si、In、和O，且含有5mol％以上的SiO2，含有1原子％的Si的样品中，记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度均良好。从以上可知，反入射侧电介质层106含有5mol％以上的SiO2，1原子％以上的Si的情况下，得到良好的性能的介质29。
(实施例5)
在实施例5中，制作图6的信息记录介质32，对其进行与实施例2相同的试验。
样品如下所示地制造。首先，作为基板26，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度40、轨道间距0.344μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.6mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第一入射侧电介质层202的(ZnS)80(SiO2)20(厚度：40nm)、作为第一入射侧界面层203的(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25层(厚度：5nm)、作为第一记录层204的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：6nm)、作为第一反入射侧电介质层206的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25(厚度：10nm)、作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为透过率调节层209的TiO2层(厚度：20nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例2的第一信息层23的形成中使用的相同。
作为基板30，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度40、轨道间距0.344μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.58mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、第二反入射侧电介质层306(厚度：25nm)、作为第二记录层304的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、作为第二入射侧界面层303的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层302的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例2的第二信息层25的形成中使用的相同。
然后，在伪基板30的第二入射侧电介质层302上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，将基板26的透过率调节层209密接于树脂上。然后，通过使基板30旋转，在第二入射侧电介质层302和透过率调节层209之间形成均一的树脂层(厚度20μm)。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，基板26隔着粘接层27粘接于伪基板30上。最后，进行用激光束使第二记录层304、及第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序。
关于各样品，通过与实施例2相同的方法，测定信息记录介质32的第二信息层25的记录灵敏度、及反复擦写性能、信号强度。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.65，测定时的样品的线速度为8.6m/s及17.2m/s，最短标记长度为0.294μm。信息记录于凹槽中。
测定的结果可知，与实施例2相同地，第二反入射侧电介质层306由(ZnS)80(SiO2)20构成的样品，由于含于ZnS的硫向记录层扩散，因此，1X、及2X下的反复擦写性能变差。另外可知，第二反入射侧电介质层306由(In2O3)50(ZrO2)50构成的样品中，1X下的记录灵敏度和信号强度略差，2X下的信号强度略差。另外可知，第二反入射侧电介质层306至少包含Si、In、和O，且含有5mol％以上的SiO2，含有1原子％的Si的样品中，记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度均良好。从以上可知，第二反入射侧电介质层306含有5mol％以上的SiO2，1原子％以上的Si的情况下，得到良好的性能的介质29。
(实施例6)
在实施例6中，制作图6的信息记录介质32，对其进行与实施例3相同的试验。
样品如下所示地制造。首先，作为基板26，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度40、轨道间距0.344μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.6mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第一入射侧电介质层202的(ZnS)80(SiO2)20(厚度：40nm)、作为第一入射侧界面层203的(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)X层(厚度：5nm)、作为第一记录层204的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：6nm)、第一反入射侧电介质层206(厚度：15nm)、作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为透过率调节层209的TiO2层(厚度：20nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例3的第一信息层23的形成中使用的相同。
作为基板30，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度40、轨道间距0.344μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.58mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第二反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、作为第二反入射侧电介质层306的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：15nm)、作为第二反入射侧界面层(未图示)的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)50层(厚度：10nm)、作为第二记录层304的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、作为第二入射侧界面层303的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层302的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例3的第二信息层25的形成中使用的相同。
然后，在伪基板30的第二入射侧电介质层302上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，将基板26的透过率调节层209密接于树脂上。然后，通过使基板26旋转，在第二入射侧电介质层302和透过率调节层209之间形成均一的树脂层(厚度20μm)。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，基板26隔着粘接层27粘接于伪基板30上。最后，进行用激光束使第二记录层304、及第一记录层204的整个面结晶化的初始化工序。
关于各样品，通过与实施例4相同的方法，测定信息记录介质32的第一信息层23的记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.65，测定时的样品的线速度为8.6m/s及17.2m/s，最短标记长度为0.294μm。信息记录于凹槽中。
测定的结果可知，与实施例4相同地，第一反入射侧电介质层206由(ZnS)80(SiO2)20构成的样品，由于含于ZnS的硫向记录层扩散，因此，1X、及2X下的反复擦写性能变差。另外可知，第一反入射侧电介质层206由(In2O3)50(ZrO2)50构成的样品中，1X下的记录灵敏度和信号强度略差，2X下的信号强度略差。另外可知，第一反入射侧电介质层206至少包含Si、In、和O，且含有5mol％以上的SiO2，含有1原子％的Si的样品中，记录灵敏度、反复擦写性能、及信号强度均良好。从以上可知，第一反入射侧电介质层206含有5mol％以上的SiO2，1原子％以上的Si的情况下，得到良好的性能的介质32。
(实施例7)
在实施例7中，制作图1的信息记录介质15，调查了入射侧界面层103、反入射侧界面层105的材料、和信息层16的记录保存性、及反复擦写性能的关系。具体来说，制作含有入射侧界面层103、反入射侧界面层105的材料的组合不同的信息层16的信息记录介质15的样品，测定了信息层16的记录保存性、及反复擦写性能。
样品如下所示地制造。首先，作为基板14，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度20、轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为反射层108的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、作为反入射侧电介质层106的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：20nm)、反入射侧界面层105(厚度：5nm)、作为记录层104的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、入射侧界面层103(厚度：5nm)、作为入射侧电介质层102的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度；60nm)。
反射层108的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4Pa，使用DC电源，接通功率200W下进行。反入射侧电介质层106的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。反入射侧界面层105的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。记录层104的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率100W下进行。入射侧界面层103的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。入射侧电介质层102的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在入射侧电介质层102上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)。然后，通过使基板14旋转，均一地形成树脂层。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，形成了由树脂层构成的厚度100μm的透明层13。然后，进行用激光束结晶化记录层104的初始化工序。如上所述地制造入射侧界面层103、及反入射侧界面层105的材料的组合不同的多个样品。
关于各样品，使用图7的记录再生装置38，对各样品测定信息层16的记录保存性、及反复擦写性能。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.85，测定时的样品的线速度为4.9m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。信息记录于凹槽中。
信息记录介质15的信息层16的入射侧界面层103、及反入射侧界面层105的材料、和信息层16的记录保存性、及反复擦写性能的评价结果示出在(表7)中。记录保存性通过在温度80℃、相对湿度85％下放置100小时前后的跳动的变化量进行评价。表中，关于跳动的变化量，将小于1％设为○，将1％以上且小于2％设为△，将2％以上设为×。另外，关于反复擦写性能，将反复擦写次数设为1000次以上设为○，将500次以上且小于1000次设为△，将小于500次以下设为×而表示。
[表7]
  样品NO.   入射侧界面层103的材料(mol％)   反入射侧界面层105的材料(mol％)   记录保存性   反复擦写性能
  4-1   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  4-2   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(La2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  4-3   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(CeO2)50(ZrO2)25   △   ○
  4-4   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Al2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  4-5   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Ga2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  4-6   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(MgO)50(ZrO2)25   △   ○
  4-7   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Y2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  4-8   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   ○
  4-9   (SiO2)5(Cr2O3)50(ZrO2)45   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   ○   ○
  4-10   (SiO2)15(Cr2O3)50(ZrO2)35   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   ○
  4-11   (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   ○   ○
  4-12   (SiO2)20(Cr2O3)60(ZrO2)20   (SiO2)20(In2O3)60(ZrO2)20   ○   ○
  4-13   (SiO2)15(Cr2O3)70(ZrO2)15   (SiO2)15(In2O3)70(ZrO2)15   ○   ○
  4-14   (SiO2)10(Cr2O3)80(ZrO2)10   (SiO2)10(In2O3)80(ZrO2)10   ○   ○
  4-15   (SiO2)5(Cr2O3)90(ZrO2)5   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   ○   ○
4-16   (SiO2)25(Cr2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   ○   ○
4-17   (SiO2)25(Cr2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   ○   ○
  4-18   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   (Cr2O3)50(ZrO2)50   ○   ○
  4-19   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   △
其结果可知，入射侧界面层103、及反入射侧界面层105均没有含有In的样品4-1～4-7中，信息层16的记录保存性略微变差。另外可知，入射侧界面层103、反入射侧界面层105均含有In的样品4-19中，信息层16的反复擦写性能略微变差。另外可知，入射侧界面层103、及反入射侧界面层105的任一方中含有In的4-8～4-18中，信息层16的记录保存性、及反复擦写性能均良好。从以上的结果可知，由含有In的材料形成入射侧界面层103、及反入射侧界面层105的任一个的情况下，信息层16的记录保存性变得良好。
进而确认到，若比较样品4-8和4-18，则样品4-8尤其在2X下的反复擦写性能方面优越。因此可知，若作为入射侧界面层使用含有Cr2O3及ZrO2的层，作为反射层侧界面层使用Si-In-Zr/Hf-O系材料层，则得到适合高速记录的介质。
进而，另外，样品4-8～4-11显示比样品4-11优越的反复擦写性能。这被认为如下理由，即：在样品4-8～4-11中，反入射侧界面层105中的Si的含量小于反入射侧电介质层106中的含量。另外，样品4-12～4-15显示比样品4-11还优越的反复擦写性能。这被认为如下理由，即：在这些样品中，除了Si的含量少于样品4-11中的含量之外，In的含量大于样品4-11中的含量。
(实施例8)
在实施例8中，制作图1的信息记录介质24，调查了第二入射侧界面层303、第二反入射侧界面层的材料的组合、和第二信息层25的记录保存性、及反复擦写性能的关系。具体来说，制作含有第二入射侧界面层303、第二反入射侧界面层的材料的组合不同的第二信息层25的信息记录介质24的样品5-1～5-19，测定了第二信息层25的记录保存性、及反复擦写性能。
样品如下所示地制造。首先，作为基板14，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度20、轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、作为第二反入射侧电介质层306的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：20nm)、第二反入射侧界面层(未图示)(厚度：5nm)、作为第二记录层304的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、第二入射侧界面层303(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层302的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度；60nm)。
第二反射层308的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.4Pa，使用DC电源，接通功率200W下进行。第二反入射侧电介质层306的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二反入射侧界面层的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二记录层304的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用DC电源，接通功率100W下进行。第二入射侧界面层303的成膜通过在Ar气体气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。第二入射侧电介质层302的成膜通过在Ar和O2的混合气体(O2：3体积％)的气氛下，将压力设为0.15Pa，使用RF电源，接通功率400W下进行。
然后，在第二入射侧电介质层302上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，在其上覆盖形成有导向槽(深度20nm、轨道间距0.32μm)的基板而密接，并使其旋转，由此形成均一的树脂层。然后，使树脂固化，然后，剥离基板。通过该工序，形成在第一信息层23侧形成有引导激光束11的导向槽的厚度25μm的光学分离层17。
然后，在光学分离层17上利用溅射法依次层叠作为透过率调节层209的TiO2层(厚度：20nm)、作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为第一反入射侧电介质层206的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：15nm)、作为第一记录层204的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：6nm)、作为第一入射侧界面层203的(SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25层(厚度：5nm)、作为第一入射侧电介质层202的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例3的第一信息层23的形成中使用的相同。
然后，在第二入射侧电介质层202上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)。然后，通过使基板14旋转，均一地形成树脂层。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，形成了由树脂层构成的厚度75μm的透明层13。然后，进行用激光束结晶化第二记录层304、及第一记录层204的初始化工序。如上所述地制造第二入射侧界面层303、及第二反入射侧界面层的材料的组合不同的多个样品。
关于各样品，使用图7的记录再生装置38，对各样品测定信息记录介质24的第二信息层25的记录保存性、及反复擦写性能。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.85，测定时的样品的线速度为4.9m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。信息记录于凹槽中。
信息记录介质24的第二信息层25的第二入射侧界面层303、及第二反入射侧界面层的材料、和第二信息层25的记录保存性、及反复擦写性能的评价结果示出在(表8)中。记录保存性通过在温度80℃、相对湿度85％下放置100小时前后的跳动的变化量进行评价。表中，关于跳动的变化量，将小于1％设为○，将1％以上且小于2％设为△，将2％以上设为×。另外，关于反复擦写性能，将反复擦写次数设为1000次以上设为○，将500次以上且小于1000次设为△，将小于500次以下设为×而表示。
[表8]
  样品NO.   第二入射侧界面层303的材料(mol％)   第二入射侧界面层的材料(mol％)   记录保存性   反复擦写性能
  5-1   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  5-2   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(La2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  5-3   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(CeO2)50(ZrO2)25   △   ○
  5-4   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Al2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  5-5   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Ga2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  5-6   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(MgO)50(ZrO2)25   △   ○
  5-7   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Y2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  5-8   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   ○
  5-9   (SiO2)5(Cr2O3)50(ZrO2)45   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   ○   ○
  5-10   (SiO2)15(Cr2O3)50(ZrO2)35   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   ○
  5-11   (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   ○   ○
  5-12   (SiO2)20(Cr2O3)60(ZrO2)20   (SiO2)20(In2O3)60(ZrO2)20   ○   ○
  5-13   (SiO2)15(Cr2O3)70(ZrO2)15   (SiO2)15(In2O3)70(ZrO2)15   ○   ○
  5-14   (SiO2)10(Cr2O3)80(ZrO2)10   (SiO2)10(In2O3)80(ZrO2)10   ○   ○
  5-15   (SiO2)5(Cr2O3)90(ZrO2)5   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   ○   ○
5-16   (SiO2)25(Cr2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   ○   ○
5-17   (SiO2)25(Cr2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   ○   ○
  5-18   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   (Cr2O3)50(ZrO2)50   ○   ○
  5-19   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   △
其结果可知，第二入射侧界面层303、及第二反入射侧界面层均没有含有In的样品5-1～5-7中，第二信息层25的记录保存性略微变差。另外可知，第二入射侧界面层303、第二反入射侧界面层均含有In的样品5-19中，第二信息层25的反复擦写性能略微变差。另外可知，第二入射侧界面层303、及第二反入射侧界面层的任一方中含有In的5-8～5-18中，第二信息层25的记录保存性、及反复擦写性能均良好。从以上的结果可知，由含有In的材料形成第二入射侧界面层303、及第二反入射侧界面层的任一个的情况下，第二信息层25的记录保存性变得良好。
进而确认到，若比较样品5-8和5-18，则样品5-8尤其在2X下的反复擦写性能方面优越。因此可知，若作为第二入射侧界面层使用含有Cr2O3及ZrO2的层，作为第二反入射侧界面层使用Si-In-Zr/Hf-O系材料层，则得到适合高速记录的介质。
进而，另外，样品5-8～5-10显示比样品5-11优越的反复擦写性能。这被认为如下理由，即：在样品5-8～5-10中，反入射侧界面层105中的Si的含量小于反入射侧电介质层106中的含量。另外，样品5-12～5-15显示比样品5-11更优越的反复擦写性能。这被认为如下理由，即：在这些样品中，除了Si的含量少于样品5-11中的含量之外，In的含量大于样品5-11中的含量。
(实施例9)
在实施例9中，制作图3的信息记录介质24，调查了第一入射侧界面层203、第一反入射侧界面层的材料的组合、和第一信息层23的记录保存性、及反复擦写性能的关系。具体来说，制作含有第一入射侧界面层203、第一反入射侧界面层的材料的组合不同的第一信息层23的信息记录介质24的样品6-1～6-19，测定了第一信息层23的记录保存性、及反复擦写性能。
样品如下所示地制造。首先，作为基板14，准备形成有用于引导激光束11的导向槽(深度20、轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上利用溅射法依次层叠作为第二反射层308的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、作为第二反入射侧电介质层306的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：15nm)、作为第二反入射侧界面层(未图示)的(SiO2)15(In2O3)35(ZrO2)50层(厚度：10nm)、作为第二记录层304的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：10nm)、作为第二入射侧界面层303的(Cr2O3)50(ZrO2)50层(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层302的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度；60nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例3的第二信息层25的形成中使用的相同。
然后，在第二入射侧电介质层302上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，在其上覆盖形成有导向槽(深度20nm、轨道间距0.32μm)的基板而密接，并使其旋转，由此形成均一的树脂层。然后，使树脂固化，然后，剥离基板。通过该工序，形成在第一信息层23侧形成有引导激光束11的导向槽的厚度25μm的光学分离层17。
然后，在光学分离层17上利用溅射法依次层叠作为透过率调节层209的TiO2层(厚度：20nm)、作为第一反射层208的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为第一反入射侧电介质层206的(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25层(厚度：10nm)、第二反入射侧界面层(未图示)(厚度：5nm)、作为第一记录层204的Ge45In1Bi3Te51层(厚度：6nm)、第二入射侧界面层203(厚度：5nm)、作为第二入射侧电介质层202的(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)。使用的成膜装置、溅射靶、及成膜条件(气体种类、压力、接通功率)等与实施例3的第一信息层23的形成中使用的相同。
然后，在第一入射侧电介质层202上涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)。然后，通过使基板14旋转，均一地形成树脂层。然后，照射紫外线，使树脂固化。其结果，形成了由树脂层构成的厚度75μm的透明层13。然后，进行用激光束结晶化第二记录层304、及第一记录层204的初始化工序。如上所述地制造第一入射侧界面层203、及第一反入射侧界面层的材料的组合不同的多个样品。
关于各样品，使用图7的记录再生装置38，对各样品测定信息记录介质24的第一信息层23的记录保存性、及反复擦写性能。此时，激光束11的波长为405nm，物镜34的开口数NA为0.85，测定时的样品的线速度为4.9m/s，最短标记长度(2T)为0.149μm。信息记录于凹槽中。
信息记录介质24的第一信息层23的第一入射侧界面层203、及第一反入射侧界面层的材料、和第一信息层23的记录保存性、及反复擦写性能的评价结果示出在(表9)中。记录保存性通过在温度80℃、相对湿度85％下放置100小时前后的跳动的变化量进行评价。表中，关于跳动的变化量，将小于1％设为○，将1％以上且小于2％设为△，将2％以上设为×。另外，关于反复擦写性能，将反复擦写次数设为1000次以上设为○，将500次以上且小于1000次设为△，将小于500次以下设为×而表示。
[表9]
  样品NO.   第一入射侧界面层203的材料(mol％)   第一反入射侧界面层的材料(mol％)   记录保存性   反复擦写性能
  6-1   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  6-2   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(La2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  6-3   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(CeO2)50(ZrO2)25   △   ○
  6-4   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Al2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  6-5   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Ga2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  6-6   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(MgO)50(ZrO2)25   △   ○
  6-7   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)25(Y2O3)50(ZrO2)25   △   ○
  6-8   (Cr2O3)50(ZrO2)50   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   ○
  6-9   (SiO2)5(Cr2O3)50(ZrO2)45   (SiO2)5(In2O3)50(ZrO2)45   ○   ○
  6-10   (SiO2)15(Cr2O3)50(ZrO2)35   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   ○
  6-11   (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25   (SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25   ○   ○
  6-12   (SiO2)20(Cr2O3)60(ZrO2)20   (SiO2)20(In2O3)60(ZrO2)20   ○   ○
  6-13   (SiO2)15(Cr2O3)70(ZrO2)15   (SiO2)15(In2O3)70(ZrO2)15   ○   ○
  6-14   (SiO2)10(Cr2O3)80(ZrO2)10   (SiO2)10(In2O3)80(ZrO2)10   ○   ○
  6-15   (SiO2)5(Cr2O3)90(ZrO2)5   (SiO2)5(In2O3)90(ZrO2)5   ○   ○
6-16   (SiO2)25(Cr2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]25   ○   ○
6-17   (SiO2)25(Cr2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   (SiO2)25(In2O3)50[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]25   ○   ○
  6-18   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   (Cr2O3)50(ZrO2)50   ○   ○
  6-19   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   (SiO2)15(In2O3)50(ZrO2)35   ○   △
其结果可知，第一入射侧界面层203、及第一反入射侧界面层均没有含有In的样品6-1～6-7中，第一信息层23的记录保存性略微变差。另外可知，第一入射侧界面层203、第一反入射侧界面层均含有In的样品6-19中，第一信息层23的反复擦写性能略微变差。另外可知，第一入射侧界面层203、及第一反入射侧界面层的任一方中含有In的6-8～6-18中，第一信息层23的记录保存性、及反复擦写性能均良好。从以上的结果可知，由含有In的材料形成第一入射侧界面层203、及第一反入射侧界面层的任一个的情况下，第一信息层23的记录保存性变得良好。
进而确认到，若比较样品6-8和6-18，则样品6-8尤其在2X下的反复擦写性能方面优越。因此可知，若作为第一入射侧界面层使用含有Cr2O3及ZrO2的层，作为第一反入射侧界面层使用Si-In-Zr/Hf-O系材料层，则得到适合高速记录的介质。
进而，另外，样品6-8～6-10显示比样品6-11优越的反复擦写性能。这被认为如下理由，即：在样品6-8～6-10中，反入射侧界面层105中的Si的含量小于反入射侧电介质层106中的含量。另外，样品6-12～6-15显示比样品6-11还优越的反复擦写性能。这被认为如下理由，即：在这些样品中，除了Si的含量少于样品6-11中的含量之外，In的含量大于样品6-11中的含量。
(实施例10)
在实施例1～实施例9中，由(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3的任一种表示的材料形成记录层104、第一记录层204、或第二记录层304的结果，得到相同的结果。在这种情况下，若用尤其由GeTe-(Bi-In)2Te3、或(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3表示的材料形成记录层，则含于记录层的In稳定化非晶质相，低转送率下的记录保存性变得良好。
(实施例11)
在实施例1～实施例10中，使用除了Si、In、及Zr(及/或Hf)之外，以20mol％为止的比例添加有选自如下成分中的一种或多种材料而形成了作为Si-In-Zr/Hf-O系材料层形成的电介质层或界面层，即：碳(C)，选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物，选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物，及Si-C。任一个介质均得到相同的结果。
(实施例12)
在实施例12中，制造图8的电信息记录介质44，确认到其电流的施加引起的相变化。
作为基板39，贮备氮化处理表面的Si基板，在其上作为下部电极40形成由Pt构成的面积6μm×6μm且厚度0.1μm的层。作为第一电介质层401，形成由(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25构成，且面积4.5μm×5μm且厚度0.01μm的层。在层401上作为第一记录层41形成由Ge45Bi4Te51构成，且面积5μm×5μm且厚度0.1μm的层。在层41上作为第二记录层42形成由Sb70Te25Ge5构成，且面积5μm×5μm且厚度0.1μm的层。在层42上作为第二电介质层402形成由(SiO2)25(In2O3)50(ZrO2)25构成，且面积4.5μm×5μm且厚度0.01μm的层。在层402上作为上部电极43形成由Pt构成，且面积5μm×5μm且厚度0.1μm的层。这些层均通过溅射法形成。
第一电介质层401、及第二电介质层402是绝缘体。从而，为了使电流通过第一记录层41、及第二记录层42，将第一电介质层401、及第二电介质层402成膜为比第一记录层41及第二记录层42小的面积，使下部电极40和第一记录层41相接，且第二记录层42和上部电极43相接。
然后，在下部电极40及上部电极43上接合Au导线，经由施加部45将电信息记录再生装置50连接于电信息记录介质44。在下部电极40和上部电极43之间经由开关47连接装置50的脉冲电源48。进入，通过在下部电极40和上部电极43之间经由开关49连接的电阻测定器46检测第一记录岑41及第二记录层42的相变化引起的电阻值的变化。
在此，第一记录层41的熔点Tm1为630℃，结晶化温度Tx1为170℃，结晶化时间为100ns。另外，第二记录层42的熔点Tm2为550℃，结晶化温度Tx2为200℃，结晶化时间tx2为50ns。进而，第一记录层41的非晶质相下的电阻值ra1为500Ω，结晶相下的电阻值rc1为10Ω，第二记录层42的非晶质相下的电阻值ra2为800Ω，结晶相下的电阻值rc2为20Ω。
在第一记录层41及第二记录层42均为非晶质相的状态1时，在下部电极40和上部电极43之间，在图11的记录波形501中，施加Ic1＝5mA、tc1＝150ns的电流脉冲。其结果，仅有第一记录层41从非晶质相向结晶相转移(以下，称为状态2)。在状态1时，在下部电极40和上部电极43之间，在图11的记录波形502中，施加Ic2＝10mA、tc2＝100ns的电流脉冲。其结果，仅有第二记录层42从非晶质相向结晶相转移(以下，称为状态3)。在状态1时，在下部电极40和上部电极43之间，在图11的记录波形503中，施加Ic2＝10mA、tc1＝150ns的电流脉冲。其结果，第一记录层41及第二记录层42均由非晶质相向结晶相转移(以下，称为状态4)。
然后，在第一记录层41及第二记录层42均为结晶相的低电阻状态的状态4时，在下部电极40和上部电极43之间，在图11的记录波形504中，施加Ia1＝20mA、Ic2＝10mA、tc2＝100ns的电流脉冲。其结果，仅有第一记录层41从结晶相向非晶质相转移(状态3)。在状态4时，在状态4时，在下部电极40和上部电极43之间，在图11的记录波形505中，施加Ia2＝15mA、ta2＝50ns的电流脉冲。其结果，仅有第二记录层42从结晶相向非晶质相转移(状态2)。在状态4时，在下部电极40和上部电极43之间，在图11的消去波形506中，施加Ia1＝20mA、ta1＝50ns的电流脉冲。其结果，第一记录层41及第二记录层42均从结晶相向非晶质相转移(状态1)。
进而，在状态2或状态3时，在图11的记录波形503中，施加Ic2＝10mA、tc1＝150ns的电流脉冲。其结果，第一记录层41及第二记录层42均由非晶质相向结晶相转移(状态4)。另外，在状态2或状态3时，在图11的消去波形507中，施加Ia1＝20mA、Ic2＝10mA、tc1＝150ns、ta1＝50ns的电流脉冲。其结果，第一记录层41及第二记录层42均从结晶相向非晶质相转移(状态1)。在状态2时，在图11的记录波形508中，施加Ia1＝20mA、Ic2＝10mA、tc2＝100ns、ta1＝50ns的电流脉冲。其结果，第一记录层41从结晶相向非晶质相转移，第二记录层42从非晶质相向结晶相转移(状态3)。在状态3时，在图11的记录波形509中，施加Ia2＝15mA、Ic1＝5mA、tc1＝150ns、ta2＝50ns的电流脉冲。其结果，第一记录层41从非晶质相向结晶相转移，第二记录层42从结晶相向非晶质相转移(状态2)。
从以上结果可知，在图8的电相变化形信息记录介质44中，能够将第一记录层41及第二记录层42分别在结晶相和非晶质相之间进行电可逆变化。另外可知，在该介质44中，能够实现四个状态(状态1：第一记录层41和第二记录层42均为非晶质相、状态2：第一记录层41为结晶相，第二记录层42为非晶质相，状态3：第一记录层41为非晶质相，第二记录层42为结晶相、状态4：第一记录层41和第二记录层42均为结晶相)。
进而，测定了电相变化形信息记录介质44的反复擦写次数。其结果可知，与没有第一电介质层401、及第二电介质层402的情况相比，反复擦写次数为10倍以上，可以得到提高。这是因为，第一电介质层401及第二电介质层402抑制了自下部电极40及上部电极43向第一记录层41及第二记录层42的物质移动。
产业上的可利用性
本发明的信息记录介质具有能够长时间保持记录的信息的性质(非易失性)，作为高密度的擦写型(例如，可重写型蓝光盘(BD-RE)、DVD-RAM、DVD-RW、+RW等)、一次写入多次读出型(例如，可记录型蓝光盘(BD-R)、DVD-R等)、及再生专用型(例如，只读蓝光盘(BD-ROM)、DVD-ROM等)的光盘等有用。另外，还可以应用于电非易失性存储器等。

Claims (34)

1.一种信息记录介质，其可利用光的照射或电能的施加，将信息记录及/或再生，其特征在于，
具有含有Si、In、M1、和氧(O)的Si-In-Zr/Hf-O系材料层，该Si-In-Zr/Hf-O系材料层含有1原子％以上的Si，其中，所述M1是选自Zr及Hf的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(1)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
Sia1Inb1M1c1O100-a1-b1-c1    (原子％)(1)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，a1、b1及c1满足1≤a1＜32、3＜b1＜38、1＜c1＜30、25＜a1+b1+c1＜40。
3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(2)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
(SiO2)x1(In2O3)y1(M1O2)100-x1-y1(mol％)(2)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，x1及y1满足5≤x1≤90、5≤y1≤90、10≤x1+y1≤95。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层还含有M2，该M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素。
5.根据权利要求4所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(3)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
Sid1Ine1M1f1M2g1O100-d1-e1-f1-g1    (原子％)(3)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，d1、e1、f1及g1满足1≤d1＜31、2＜eI＜38、1＜f1＜29、0＜g1＜36、25＜d1+e1+f1+g1＜40。
6.根据权利要求4所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层是含有由下述式(4)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
(SiO2)z1(In2O3)w1(M1O2)v1(M22O3)100-z1-w1-v1(mol％)(4)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，z1、w1及v1满足5≤z1＜90、5≤w1＜90、5≤v1＜90、15≤z1+w1+v1＜100。
7.根据权利要求4所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层是作为M2含有Y，并且含有由下述式(5)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
(SiO2)u1(In2O3)t1[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]100-u1-t1(mol％)(5)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，u1及t1满足5≤u1≤90、5≤t1≤90、10≤u1+t1≤95。
8.根据权利要求4所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层是作为M2含有Y，并且含有由下述式(6)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料的层，
(SiO2)s1(In2O3)r1[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]100-s1-r1(mol％)(6)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，s1及r1满足5≤s1≤90、5≤r1≤90、10≤s1+r1≤95。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层还含有选自如下成分中的至少一种成分：碳(C)，选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物，选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物，及Si-C。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的信息记录介质，其中，
具有至少一个记录层。
11.根据权利要求10所述的信息记录介质，其中，
所述记录层可发生相变化。
12.根据权利要求11所述的信息记录介质，其特征在于，
所述记录层含有：选自Sb、Bi、In及Sn的至少一种元素、和Ge及Te。
13.根据权利要求12所述的信息记录介质，其中，
所述记录层含有：由(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3的任一种表示的材料。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的信息记录介质，其中，
所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层与所述记录层的至少一个面相接。
15.根据权利要求10～13中任一项所述的信息记录介质，其中，
还包含：与所述记录层的至少一个面相接的含有Cr、M1及O的层。
16.根据权利要求15所述的信息记录介质，其中，
所述含有Cr、M1及O的层还含有Y。
17.根据权利要求15或16所述的信息记录介质，其中，
所述记录层的对置的两个面的一个面与所述含有Cr、M1及O的层相接，另一个面与所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层相接。
18.根据权利要求1～16中任一项所述的信息记录介质，其中，
具有至少一个反射层。
19.根据权利要求17所述的信息记录介质，其中，
具有至少一个反射层，且所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层位于更靠近反射层的位置。
20.根据权利要求10～13中任一项所述的信息记录介质，其中，
具有：至少一个界面层、至少一个电介质层及至少一个反射层，
在所述记录层的一面依次层叠有作为该界面层的所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层、作为该电介质层的其他所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层、及该反射层，
在该界面层的Si-In-Zr/Hf-O系材料中In所占的比例，比在该电介质层的Si-In-Zr/Hf-O系材料中In所占的比例大。
21.根据权利要求10～13中任一项所述的信息记录介质，其中，
具有：至少一个界面层、至少一个电介质层及至少一个反射层，
在所述记录层的一面依次层叠作为该界面层的所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层、作为该电介质层的其他的所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层、及该反射层，
在该界面层的Si-In-Zr/Hf-O系材料中Si所占的比例，比在该电介质层的Si-In-Zr/Hf-O系材料中Si所占的比例小。
22.根据权利要求20或21所述的信息记录介质，其中，
还具有：与所述记录层的所述一个面对置的面相接的、含有Cr、M1及O的层。
23.根据权利要求18～22中任一项所述的信息记录介质，其中，
所述反射层主要含有Ag。
24.根据权利要求1～23中任一项所述的信息记录介质，其中，
具有两个以上所述记录层。
25.一种信息记录介质的制造方法，该信息记录介质具有含有Si、In、M1、和氧(O)的Si-In-Zr/Hf-O系材料层，所述M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，其中，
至少包括利用溅射法形成该Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序，在该工序中使用含有Si、In、M1、和O的溅射靶，该溅射靶含有0.5原子％以上的Si。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，
所述溅射靶含有由下述式(11)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
Sia2Inb2M1c2O100-a2-b2-c2(原子％)(11)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，a2、b2及c2满足0.5≤a2＜35、0＜b2＜43、0＜c2＜35、20＜a2+b2+c2＜45。
27.根据权利要求25所述的方法，其中，
所述溅射靶含有由下述式(12)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)x2(In2O3)y2(M1O2)100-x2-y2(mol％)(12)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，x2及y2满足2＜x2≤95、0＜y2≤95、5≤x2+y2＜100。
28.根据权利要求25所述的制造方法，其中，
所述溅射靶还含有M2，该M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，
所述溅射靶含有由下述式(13)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
Sid2Ine2M1f2M2g2O100-d2-e2-f2-g2(原子％)(13)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，d2、e2、f2及g2满足0.5≤d2＜34、0＜e2＜43、0＜f2＜34、0＜g2＜41、20＜d2+e2+f2+g2＜45。
30.根据权利要求28所述的方法，其中，
所述溅射靶含有由下述式(14)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)z2(In2O3)w2(M1O2)v2(M22O3)100-z2-w2-v2(mol％)(14)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，z2、w2及v2满足2＜z2＜95、0＜w2＜95、10＜v2＜95、10≤z2+w2+v2＜100。
31.根据权利要求28所述的方法，其中，
所述溅射靶含有由下述式(15)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)u2(In2O3)t2[(ZrO2)0.97(Y2O3)0.03]100-u2-t2(mol％)(15)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，u2及t2满足2＜u2≤95、2＜t2≤95、5≤u2+t2＜100。
32.根据权利要求28所述的方法，其中，
所述溅射靶含有由下述式(16)表示的Si-In-Zr/Hf-O系材料，
(SiO2)s2(In2O3)r2[(ZrO2)0.92(Y2O3)0.08]100-s2-r2(mol％)(16)
式中，M1是选自Zr及Hf的至少一种元素，M2为选自Y、Cr及Ga的至少一种元素，s2及r2满足2＜s2≤95、2＜r2≤95、5≤s2+r2＜100。
33.根据权利要求25～32中任一项所述的信息记录介质的制造方法，其中，
所述溅射靶还含有选自如下成分中的至少一种成分：碳(C)，选自Sc、La、Gd、Dy、Yb、Al、Mg、Zn、Ta、Ti、Ca、Ce、Sn、Te、Nb及Bi的至少一种元素的氧化物，选自Si、Cr、Al及Ge的至少一种元素的氮化物，及Si-C。
34.根据权利要求25～32中任一项所述的信息记录介质的制造方法，其中，
在形成所述Si-In-Zr/Hf-O系材料层的工序中，使用稀有气体、或稀有气体和O2气体的混合气体。
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