JP5061802B2 - 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents

耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット Download PDF

Info

Publication number
JP5061802B2
JP5061802B2 JP2007231670A JP2007231670A JP5061802B2 JP 5061802 B2 JP5061802 B2 JP 5061802B2 JP 2007231670 A JP2007231670 A JP 2007231670A JP 2007231670 A JP2007231670 A JP 2007231670A JP 5061802 B2 JP5061802 B2 JP 5061802B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
target
sputtering
protective film
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007231670A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009062585A (ja
Inventor
守斌 張
昭史 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2007231670A priority Critical patent/JP5061802B2/ja
Priority to TW097134345A priority patent/TWI437112B/zh
Priority to CN2008801055165A priority patent/CN101796214B/zh
Priority to PCT/JP2008/066126 priority patent/WO2009031670A1/ja
Priority to US12/733,429 priority patent/US8466077B2/en
Publication of JP2009062585A publication Critical patent/JP2009062585A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5061802B2 publication Critical patent/JP5061802B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/12—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on chromium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • C04B35/486—Fine ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

この発明は、レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、並びに消去を行うことのできるＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜を形成するための耐割れ性に優れたスパッタリングターゲット（以下、ターゲットと云う）に関するものである。
一般に、光ディスクなどの光記録媒体を構成する保護膜（下部保護膜および上部保護膜を含む。以下、同じ）は代表的なものとして二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）：２０％を含有し、残部が酸化亜鉛（ＺｎＳ）からなる成分組成を有するＺｎＳ−ＳｉＯ2系保護膜が知られており、この成分組成を有するＺｎＳ−ＳｉＯ2系保護膜は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）：２０％を含有し、残部が酸化亜鉛（ＺｎＳ）からなるホットプレス焼結体で構成したＺｎＳ−ＳｉＯ2系ターゲットを用い、スパッタリングことにより得られることが知られている。
しかし、このＺｎＳ−ＳｉＯ2系ターゲットを用いてスパッタリングことにより得られたＺｎＳ−ＳｉＯ2系保護膜は、レーザー光を記録膜に照射して繰り返し書き換えを行うと、ＺｎＳのＳが記録膜中に拡散し、繰り返し書き換えの性能を低下させると言う欠点があった。そのためにＳを含まない保護膜の開発が進められており、Ｓを含まない保護膜の一例として、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを主成分とし、さらにＡをＳｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｓｎの内の１種または２種以上とすると、Ａの酸化物（ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２など）を含むＺｒａＩｎｂＡｃＯ１００−ａ−ｂ−ｃ（ただし、５原子％＜ａ＜２３原子％、１２原子％＜ｂ＜３５原子％、０＜ｃ＜３０原子％）からなる成分組成を有するＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜が提案されている。このＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜はこの保護膜成分とほぼ同じ成分組成を有するＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系ターゲットを用い、スパッタリングすることにより成膜することができることも知られている（特許文献１参照）。
前記従来のＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットは、酸化ジルコニウム粉末、酸化インジウム粉末およびＡの酸化物粉末を原料粉末として用意し、これら原料粉末を所定の割合に配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を成形したのち大気または酸素などの酸化性雰囲気中で焼成することにより作製する。このようにして作製した従来のＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用ターゲットに含まれるＺｒは大部分が酸化ジルコニウム相となっており、その他酸化インジウム相およびＡの酸化物相からなる組織を有している。
特開２００５−５６５４５号公報
しかし、前記Ｚｒの大部分が酸化ジルコニウム相となっており、その他酸化インジウム相およびＡの酸化物相からなる組織を有するＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用ターゲットは、これを用いて高出力スパッタすると、スパッタ中に割れが発生し、光記録媒体用保護膜を効率良く成膜することができない。この発明は、高出力でスパッタしても割れが発生することのない耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用ターゲットを提供することを目的とするものである。
本発明者らは高出力スパッタしてもスパッタ中に割れることがない耐割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用ターゲットを作製すべく研究を行った。その結果、（ａ）ＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用ターゲットに含まれるＺｒの９０％以上（一層好ましくは１００％）がＺｒとＩｎの複合酸化物相となって素地中に分散している組織を有するＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用ターゲットは、高速スパッタを行っても割れが発生することはない、
（ｂ）前記ＺｒとＩｎの複合酸化物は、ＺｒｘＩｎｙＯ１００−ｘ−ｙ（ただし、２０原子％＜ｘ＜３０原子％、１０原子％＜ｙ＜１６原子％）からなる成分組成を有するＺｒとＩｎの複合酸化物である、という研究結果が得られたのである。
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）ＡをＳｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｓｎの内の１種または２種以上とすると、ＺｒａＩｎｂＡｃＯ１００−ａ−ｂ−ｃ（ただし、５原子％＜ａ＜２３原子％、１２原子％＜ｂ＜３５原子％、０＜ｃ＜３０原子％）からなる成分組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、前記光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＺｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相となってターゲット素地中に分散している耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）前記ＺｒとＩｎの複合酸化物相は、ＺｒｘＩｎｙＯ１００−ｘ−ｙ（ただし、２０原子％＜ｘ＜３０原子％、１０原子％＜ｙ＜１６原子％）からなる成分組成を有するＺｒとＩｎの複合酸化物相である前記（１）記載の耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
この発明の耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末として、酸化ジルコニウム粉末、酸化インジウム粉末を用意し、さらにＡの酸化物粉末（二酸化ケイ素粉末、酸化アルミニウム粉末、酸化チタン粉末、酸化スズ粉末、酸化セリウム粉末および酸化クロム粉末など）を用意し、まず、酸化ジルコニウム粉末および酸化インジウム粉末を混合し成形した後焼成して焼成体を作製し、この焼成体を粉砕することによりＺｒとＩｎの複合酸化物粉末を作製し、このＺｒとＩｎの複合酸化物粉末に先に用意したＡの酸化物粉末および酸化インジウム粉末を混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をプレス成形して得られた成形体を、酸素雰囲気中または大気中で焼結することにより作製することができる。
このようにして作製したこの発明の耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＺｒは、その９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相となって素地中に分散している。
ＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＺｒがＺｒとＩｎの複合酸化物相となって素地中に分散している割合が多いほど高速スパッタを行っても割れが発生することがなくなる。したがって、ＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＺｒがＺｒとＩｎの複合酸化物相となって素地中に分散している割合が多いほど好ましく、Ｚｒの１００％がＺｒとＩｎの複合酸化物相となって素地中に分散していることが最も好ましい。そして、前記ＺｒとＩｎの複合酸化物相はＺｒｘＩｎｙＯ１００−ｘ−ｙ（ただし、２０原子％＜ｘ＜３０原子％、１０原子％＜ｙ＜１６原子％）からなる成分組成を有するものであることがわかっている。
この発明の耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用のターゲットは、高出力スパッタを行ってもターゲットに割れが生じないので一層効率良くＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜を形成することができる。
つぎに、この発明の耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用ターゲットを実施例により具体的に説明する。
原料粉末として、平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９９％以上のＺｒＯ２粉末、平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＩｎ2Ｏ3粉末、平均粒径：０．２μｍを有する純度：９９．９９％以上のＳｉＯ2粉末、平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＡｌ2Ｏ3粉末、平均粒径：０．２μｍを有する純度：９９．９９％以上のＴｉＯ２粉末、平均粒径：１μｍを有する純度：９９．９９％以上のＣｅＯ2粉末、平均粒径：１μｍを有する純度：９９．９９％以上のＳｎＯ2粉末および平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＣｒ2Ｏ3粉末を用意した。
まず、先に用意したＺｒＯ２粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表１に示される割合となるように配合し、得られた配合粉末を直径：１ｍｍのジルコニアボールを用いて湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し、平均粒径：０．３μｍの混合粉末を作製した。分散液として純水を使用し、粉砕後の分散液を１５０℃に加熱したホットプレートにて前記混合粉末を乾燥した。このようにして乾燥した混合粉末を表１に示される条件で焼成したのち粉砕して表１に示されるｘおよびｙを有する成分組成：ＺｒｘＩｎｙＯ１００−ｘ−ｙのＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆを作製した。
Figure 0005061802
実施例１
先に用意した表１のＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆに先に用意したＳｉＯ2粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表２に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表２に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表２に示される成分組成を有する本発明ターゲット１〜９を作製した。
これら本発明ターゲット１〜９に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合をＥＰＭＡ（ＪＸＡ−８５００Ｆ、日本電子製）により下記のごとくして測定した。
まず、ＥＰＭＡの反射電子像撮影で５０００μｍ２以上のターゲットの研磨断面組織を倍率：３０００倍以上で撮影した。さらにＷＤＳ（波長分散型分光器）技術を用い、Ｚｒを含有する相およびＺｒとＩｎを同時に含有する相を割り出し、撮影した画像でＺｒのみを含有する相の面積とＺｒとＩｎが複合酸化物となっている相の面積を計算し、ターゲットに含まれるＺｒがＺｒとＩｎの複合酸化物となっている割合を求め、その結果を表２に示した。
従来例１
先に原料粉末として用意したＺｒＯ２粉末、Ｉｎ2Ｏ3粉末およびＳｉＯ2粉末を表２に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表２に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表２に示される成分組成を有する従来ターゲット１を作製した。
この従来ターゲット１に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合をＥＰＭＡ（ＪＸＡ−８５００Ｆ、日本電子製）により下記のごとくして測定した。
まず、ＥＰＭＡの反射電子像撮影で５０００μｍ２以上のターゲットの研磨断面組織を倍率：３０００倍以上で撮影した。さらにＷＤＳ（波長分散型分光器）技術を用いるＺｒを含有する相およびＺｒとＩｎを同時に含有する相を割り出し、撮影した画像でＺｒのみを含有する相の面積とＺｒとＩｎが複合酸化物となっている相の面積を計算し、ターゲットに含まれるＺｒがＺｒとＩｎの複合酸化物の割合を求め、その結果を表２に示した。
得られた本発明ターゲット１〜９および従来ターゲット１を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、パッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１０ＴｏｒｒのＡｒガス分圧とした。かかる状態で本発明ターゲット１〜９および従来ターゲット１を用い、ＲＦ電源にて通常より高いスパッタ電力：２ｋＷを印加することにより３分間スパッタリングを行ない、その後１分間スパッタリングを休止し、この３分間スパッタリングを行なった後１分間スパッタリングを休止する操作を１０回繰り返し行い、その後パッタリング装置からターゲットを取り出してターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表２に示した。
Figure 0005061802
表２に示される結果から、Ｚｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している本発明ターゲット１〜９は、Ｚｒの９０％未満が素地中にＺｒとＩｎの複合酸化物相として分散し、ＺｒＯ２相が多く存在している組織を有する従来ターゲット１に比べて高出力スパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
実施例２
先に用意した表１のＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆに、先に用意したＡｌ2Ｏ3粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表３に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表３に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表３に示される成分組成を有する本発明ターゲット１０〜１８を作製した。
これら本発明ターゲット１０〜１８に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を実施例１と同様にして求め、その結果を表３に示した。
従来例２
先に原料粉末として用意したＺｒＯ２粉末、Ｉｎ2Ｏ3粉末およびＡｌ２Ｏ３粉末を表３に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表３に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表３に示される成分組成を有する従来ターゲット２を作製した。
この従来ターゲット２に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を従来例１と同様にして求め、その結果を表３に示した。
さらに、得られた本発明ターゲット１０〜１８および従来ターゲット２を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、スパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１０ＴｏｒｒのＡｒガス分圧とした。かかる状態で本発明ターゲット１０〜１８および従来ターゲット２を用い、ＲＦ電源にて通常より高いスパッタ電力：２ｋＷを印加することにより３分間スパッタリングを行ない、その後１分間スパッタリングを休止し、この３分間スパッタリングを行なった後１分間スパッタリングを休止する操作を１０回繰り返し行い、その後パッタリング装置からターゲットを取り出してターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表３に示した。
Figure 0005061802
表３に示される結果から、Ｚｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している本発明ターゲット１０〜１８は、Ｚｒの９０％未満が素地中にＺｒとＩｎの複合酸化物相として分散し、ＺｒＯ２相が多く存在している組織を有する従来ターゲット２に比べて高出力スパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
実施例３
先に用意した表１のＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆに、先に用意したＴｉＯ2粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表４に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表４に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表４に示される成分組成を有する本発明ターゲット１９〜２７を作製した。
これら本発明ターゲット１９〜２７に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を実施例１と同様にして求め、その結果を表４に示した。
従来例３
先に原料粉末として用意したＺｒＯ２粉末、Ｉｎ2Ｏ3粉末およびＴｉＯ２粉末を表４に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表４に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表４に示される成分組成を有する従来ターゲット３を作製した。
この従来ターゲット３に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を従来例１と同様にして求め、その結果を表４に示した。
さらに、得られた本発明ターゲット１０〜１８および従来ターゲット３を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態でスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１０ＴｏｒｒのＡｒガス分圧とした。かかる状態で本発明ターゲット１０〜１８および従来ターゲット３を用い、ＲＦ電源にて通常より高いスパッタ電力：２ｋＷを印加することにより３分間スパッタリングを行ない、その後１分間スパッタリングを休止し、この３分間スパッタリングを行なった後１分間スパッタリングを休止する操作を１０回繰り返し行い、その後パッタリング装置からターゲットを取り出してターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表４に示した。
Figure 0005061802
表４に示される結果から、Ｚｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している本発明ターゲット１９〜２７は、Ｚｒの９０％未満が素地中にＺｒとＩｎの複合酸化物相として分散し、ＺｒＯ２相が多く存在している組織を有する従来ターゲット３に比べて高出力スパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
実施例４
先に用意した表１のＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆに、先に用意したＣｅＯ２粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表５に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表３に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表５に示される成分組成を有する本発明ターゲット２８〜３６を作製した。
これら本発明ターゲット２８〜３６に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を実施例１と同様にして求め、その結果を表５に示した。
従来例４
先に原料粉末として用意したＺｒＯ２粉末、Ｉｎ2Ｏ3粉末およびＣｅＯ２粉末を表５に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表２に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表５に示される成分組成を有する従来ターゲット４を作製した。
この従来ターゲット４に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を従来例１と同様にして求め、その結果を表５に示した。
さらに、得られた本発明ターゲット２８〜３６および従来ターゲット４を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、スパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１０ＴｏｒｒのＡｒガス分圧とした。かかる状態で本発明ターゲット２８〜３６および従来ターゲット４を用い、ＲＦ電源にて通常より高いスパッタ電力：２ｋＷを印加することにより３分間スパッタリングを行ない、その後１分間スパッタリングを休止し、この３分間スパッタリングを行なった後１分間スパッタリングを休止する操作を１０回繰り返し行い、その後パッタリング装置からターゲットを取り出してターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表５に示した。
Figure 0005061802
表５に示される結果から、Ｚｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している本発明ターゲット２８〜３６は、Ｚｒの９０％未満が素地中にＺｒとＩｎの複合酸化物相として分散し、ＺｒＯ２相が多く存在している組織を有する従来ターゲット４に比べて高出力スパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
実施例５
先に用意した表１のＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆに、先に用意したＳｎＯ2粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表６に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表６に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表６に示される成分組成を有する本発明ターゲット３７〜４５を作製した。
これら本発明ターゲット３７〜４５に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を実施例１と同様にして求め、その結果を表６に示した。
従来例５
先に原料粉末として用意したＺｒＯ２粉末、Ｉｎ2Ｏ3粉末およびＣｅＯ2粉末を表６に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表２に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表６に示される成分組成を有する従来ターゲット５を作製した。
この従来ターゲット５に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を従来例１と同様にして求め、その結果を表６に示した。
さらに、得られた本発明ターゲット３７〜４５および従来ターゲット５を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態でスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１０ＴｏｒｒのＡｒガス分圧とした。かかる状態で本発明ターゲット３７〜４５および従来ターゲット５を用い、ＲＦ電源にて通常より高いスパッタ電力：２ｋＷを印加することにより３分間スパッタリングを行ない、その後１分間スパッタリングを休止し、この３分間スパッタリングを行なった後１分間スパッタリングを休止する操作を１０回繰り返し行い、その後パッタリング装置からターゲットを取り出してターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表６に示した。
Figure 0005061802
表６に示される結果から、Ｚｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している本発明ターゲット３７〜４５は、Ｚｒの９０％未満が素地中にＺｒとＩｎの複合酸化物相として分散し、ＺｒＯ２相が多く存在している組織を有する従来ターゲット５に比べて高出力スパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
実施例６
先に用意した表１のＺｒとＩｎの複合酸化物粉末Ａ〜Ｆに、先に用意したＣｒ２Ｏ３粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表７に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表７に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表７に示される成分組成を有する本発明ターゲット４６〜５４を作製した。
これら本発明ターゲット４６〜５４に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を実施例１と同様にして求め、その結果を表７に示した。
従来例６
先に原料粉末として用意したＺｒＯ２粉末、Ｉｎ2Ｏ3粉末およびＣｒ２Ｏ３粉末を表７に示される割合となるように添加し、さらに直径：１ｍｍのジルコニアボールを分散液としての純水と共に添加し、湿式粉砕装置ビーズミルにて１０分間混合し混合粉末を作製した。得られた混合粉末を１５０℃に加熱したホットプレートにて乾燥し水分を除去した。この乾燥して水分を除去した混合粉末を冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ法）にて直径：２００ｍｍ、厚さ：１０ｍｍの寸法を有する成形体を作製し、この成形体を表２に示される条件で焼成して焼成体を作製し、さらにこれら焼成体の表面を機械加工して直径：１２５ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表７に示される成分組成を有する従来ターゲット６を作製した。
この従来ターゲット６に含まれるＺｒがＺｒおよびＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している割合を従来例１と同様にして求め、その結果を表７に示した。
さらに、得られた本発明ターゲット４６〜５４および従来ターゲット６を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態でスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１０ＴｏｒｒのＡｒガス分圧とした。かかる状態で本発明ターゲット４６〜５４および従来ターゲット６を用い、ＲＦ電源にて通常より高いスパッタ電力：２ｋＷを印加することにより３分間スパッタリングを行ない、その後１分間スパッタリングを休止し、この３分間スパッタリングを行なった後１分間スパッタリングを休止する操作を１０回繰り返し行い、その後パッタリング装置からターゲットを取り出してターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表７に示した。
Figure 0005061802
表７に示される結果から、Ｚｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相として素地中に分散している本発明ターゲット４６〜５４は、Ｚｒの９０％未満が素地中にＺｒとＩｎの複合酸化物相として分散し、ＺｒＯ２相が多く存在している組織を有する従来ターゲット６に比べて高出力スパッタ中に割れが発生しないことが分かる。

Claims (2)

  1. ＡをＳｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｓｎの内の１種または２種以上とすると、
    ＺｒａＩｎｂＡｃＯ１００−ａ−ｂ−ｃ（ただし、５原子％＜ａ＜２３原子％、１２原子％＜ｂ＜３５原子％、０＜ｃ＜３０原子％）からなる成分組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、前記光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＺｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相となってターゲット素地中に分散していることを特徴とする耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  2. 前記ＺｒとＩｎの複合酸化物相は、ＺｒｘＩｎｙＯ１００−ｘ−ｙ（ただし、２０原子％＜ｘ＜３０原子％、１０原子％＜ｙ＜１６原子％）からなる成分組成を有するＺｒとＩｎの複合酸化物相であることを特徴とする請求項１記載の耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ2Ｏ3系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
JP2007231670A 2007-09-06 2007-09-06 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット Active JP5061802B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007231670A JP5061802B2 (ja) 2007-09-06 2007-09-06 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
TW097134345A TWI437112B (zh) 2007-09-06 2008-09-05 ＺｒＯ2－Ｉｎ2Ｏ3系光記錄媒體保護膜形成用濺鍍靶
CN2008801055165A CN101796214B (zh) 2007-09-06 2008-09-05 ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶
PCT/JP2008/066126 WO2009031670A1 (ja) 2007-09-06 2008-09-05 ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
US12/733,429 US8466077B2 (en) 2007-09-06 2008-09-05 Sputtering target for forming ZrO2-In2O3 based protective film for optical storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007231670A JP5061802B2 (ja) 2007-09-06 2007-09-06 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009062585A JP2009062585A (ja) 2009-03-26
JP5061802B2 true JP5061802B2 (ja) 2012-10-31

Family

ID=40428982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007231670A Active JP5061802B2 (ja) 2007-09-06 2007-09-06 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8466077B2 (ja)
JP (1) JP5061802B2 (ja)
CN (1) CN101796214B (ja)
TW (1) TWI437112B (ja)
WO (1) WO2009031670A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018040032A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
WO2019155577A1 (ja) * 2018-02-08 2019-08-15 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4831258B2 (ja) * 2010-03-18 2011-12-07 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
DE102013016529A1 (de) * 2013-10-07 2015-04-09 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Metalloxid-Target und Verfahren zu seiner Herstellung
JP5800209B2 (ja) * 2014-04-25 2015-10-28 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN104952914A (zh) 2015-04-30 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置
CN105655389B (zh) * 2016-01-15 2018-05-11 京东方科技集团股份有限公司 有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法
TWI657159B (zh) * 2018-02-08 2019-04-21 日商三菱綜合材料股份有限公司 氧化物濺鍍靶及氧化物濺鍍靶之製造方法
JP7141276B2 (ja) 2018-08-09 2022-09-22 デクセリアルズ株式会社 スパッタリングターゲット
WO2020044798A1 (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
JP2020033639A (ja) 2018-08-27 2020-03-05 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
JP7227473B2 (ja) * 2018-09-25 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 光学薄膜の製造方法、薄膜形成材料、光学薄膜、及び光学部材
PL3918614T3 (pl) * 2019-01-31 2024-01-03 Seaborg Aps Materiał konstrukcyjny dla reaktorów ze stopioną solą
JP2021088730A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001013371A1 (fr) * 1999-01-12 2001-02-22 Nikko Materials Company, Limited Film photoemetteur et cible de pulverisation pour former ce film photoemetteur
JP2000195101A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Japan Energy Corp 光ディスク保護膜及び同保護膜形成用スパッタリングタ―ゲット
JP4210620B2 (ja) * 2003-07-24 2009-01-21 パナソニック株式会社 情報記録媒体とその製造方法
TW201506921A (zh) * 2003-07-24 2015-02-16 Panasonic Corp 資訊記錄媒體及其製造方法
JP4136980B2 (ja) * 2004-03-19 2008-08-20 株式会社リコー 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
JP4642494B2 (ja) * 2005-02-03 2011-03-02 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及び光情報記録媒体
EP1959445B1 (en) * 2005-12-02 2010-01-27 Panasonic Corporation Information recording medium and method for manufacturing same
JP5349587B2 (ja) * 2009-10-06 2013-11-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018040032A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
WO2019155577A1 (ja) * 2018-02-08 2019-08-15 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101796214A (zh) 2010-08-04
CN101796214B (zh) 2012-02-01
JP2009062585A (ja) 2009-03-26
WO2009031670A1 (ja) 2009-03-12
TW200930823A (en) 2009-07-16
US8466077B2 (en) 2013-06-18
TWI437112B (zh) 2014-05-11
US20100206725A1 (en) 2010-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5061802B2 (ja) 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP5088464B2 (ja) 高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JPWO2010110412A1 (ja) Ｔｉ−Ｎｂ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット、Ｔｉ−Ｎｂ系酸化物薄膜及び同薄膜の製造方法
JP6501008B2 (ja) 酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN1926258B (zh) 溅射靶和光信息记录介质及其制造方法
JP2008057045A (ja) 酸化物焼結体スパッタリングターゲット
WO2021111970A1 (ja) 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
JP2001098361A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット材
JP5024660B2 (ja) パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
WO2021112006A1 (ja) 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
JP5534191B2 (ja) Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２相を含むＢｉＴｉ系酸化物ターゲットおよびその製造方法
JP2021091963A (ja) 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
JP5024659B2 (ja) パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2009270148A (ja) 光記録媒体の酸化物膜成膜用Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｏ系スパッタリングターゲット
WO2020031635A1 (ja) スパッタリングターゲット
JP2002294439A (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
TW200540286A (en) Sputtering target, optical information recording medium and method for producing same
JP2009287043A (ja) 耐割れ性に優れた酸化アンチモンスパッタリングターゲット
JP2002161359A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材
JP2002180244A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材
JP2002180245A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材
JP2009227513A (ja) 高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法
JP2002180246A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材
JP2001254173A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材
JP2001098362A (ja) 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100330

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120710

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120723

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5061802

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817

Year of fee payment: 3