JP5088464B2 - 高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
(イ)酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(ロ)酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(ハ)酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(ニ)酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(ホ)酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(ヘ)酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(ト)酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(チ)酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
(リ)酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、などが開発されている。
さらに、この前記(イ)〜(リ)記載の成分組成を有する光記録媒体保護膜を形成するためのターゲットも開発されており、このターゲットは前記(イ)〜(リ)記載の光記録媒体保護膜と同一の成分組成を有するとされている(特許文献1参照)。
前記ターゲットは、前記(イ)〜(リ)記載の酸化物粉末を原料粉末として用意し、これら原料粉末を所定の割合に配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を成形したのち大気中または酸素雰囲気などの酸化性雰囲気中で焼成することにより作製する。
その結果、(a)酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、または
酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にAl6Si2O13の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない。
(b)酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、または、
酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない。
(c)酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない、
In2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成していないターゲットに比べて密度及び強度が格段に向上するという研究結果が得られたのである。
(1)モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットでおいて、ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
(2)モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
(3)モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
(4)モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
(5)モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
(6)モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
(7)素地にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
(8) 素地にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
(9) 素地にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
(10) 素地にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
(11) 素地にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素をからなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
(12) 素地にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
原料粉末として、平均粒径:0.2μmを有する純度:99.99%以上のZrO2粉末、平均粒径:0.2μmを有する純度:99.99%以上のHfO2粉末、平均粒径:0.2μmを有する純度:99.99%以上の非晶質SiO2粉末、平均粒径:1μmを有する純度:99.99%以上の結晶質SiO2粉末、平均粒径:0.5μmを有する純度:99.9%以上のIn2O3粉末、平均粒径:0.5μmを有する純度:99.9%以上のAl2O3粉末および平均粒径:0.5μmを有する純度:99.9%以上のLa2O3粉末を用意し、さらにY2O3:3モル%含有した安定化ZrO2粉末を用意した。
先に用意したZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびAl2O3粉末を表1に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表1に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったZrO2:30%、SiO2:20%を含有し、残部:Al2O3からなる組成を有する参考ターゲット1および従来ターゲット1を作製した。この参考ターゲット1および従来ターゲット1の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより観察し、素地中にAl6Si2O13の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表1に示した。さらに参考ターゲット1および従来ターゲット1の密度および抗折強度を測定し、その結果を表1に示した。
先に用意したHfO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびAl2O3粉末を表2に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表2に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったHfO2:30%、SiO2:20%を含有し、残部:Al2O3からなる組成を有する参考ターゲット2および従来ターゲット2を作製した。この参考ターゲット2および従来ターゲット2の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより素地中にAl6Si2O13の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表2に示し、さらに参考ターゲット2および従来ターゲット2の密度および抗折強度を測定し、その結果を表2に示した。
先に用意したY2O3:3モル%含有した安定化ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびAl2O3粉末を表3に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表3に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったZrO2:30%、Y2O3:0.9%、SiO2:20%を含有し、残部:Al2O3からなる組成を有する参考ターゲット3および従来ターゲット3を作製した。この参考ターゲット3および従来ターゲット3の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより素地中にAl6Si2O13の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表3に示した。さらに参考ターゲット3および従来ターゲット3の密度および抗折強度を測定し、その結果を表3に示した。
先に用意したZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびLa2O3粉末を表4に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表4に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったZrO2:30%、SiO2:20%を含有し、残部:La2O3からなる組成を有する本発明ターゲット1および従来ターゲット4を作製した。この本発明ターゲット1および従来ターゲット4の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより観察し、素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表4に示した。さらに本発明ターゲット1および従来ターゲット4の密度および抗折強度を測定し、その結果を表4に示した。
先に用意したHfO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびLa2O3粉末を表2に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表5に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったHfO2:30%、SiO2:20%を含有し、残部:La2O3からなる組成を有する本発明ターゲット2および従来ターゲット5を作製した。この本発明ターゲット2および従来ターゲット5の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表5に示し、さらに本発明ターゲット2および従来ターゲット5密度および抗折強度を測定し、その結果を表5に示した。
先に用意したY2O3:3モル%含有した安定化ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびLa2O3粉末を表6に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表6に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったZrO2:30%、Y2O3:0.9%、SiO2:20%を含有し、残部:La2O3からなる組成を有する本発明ターゲット3および従来ターゲット6を作製した。この本発明ターゲット3および従来ターゲット6の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表6に示した。さらに本発明ターゲット3および従来ターゲット6の密度および抗折強度を測定し、その結果を表6に示した。
先に用意したZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびIn2O3粉末を表7に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表7に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったZrO2:30%、SiO2:20%を含有し、残部:In2O3からなる組成を有する本発明ターゲット4および従来ターゲット7を作製した。この本発明ターゲット4および従来ターゲット7の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより観察し、素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表7に示した。さらに本発明ターゲット4および従来ターゲット7の密度および抗折強度を測定し、その結果を表7に示した。
先に用意したHfO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびIn2O3粉末を表8に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表8に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったHfO2:30%、SiO2:20%を含有し、残部:In2O3からなる組成を有する本発明ターゲット5および従来ターゲット8を作製した。この本発明ターゲット5および従来ターゲット8の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表8に示し、さらに本発明ターゲット5および従来ターゲット8の密度および抗折強度を測定し、その結果を表8に示した。
先に用意したY2O3:3モル%含有した安定化ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末およびIn2O3粉末を表9に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表9に示される条件で焼成することにより、いずれも直径:200mm×厚さ:6mmの寸法をもったZrO2:30%、Y2O3:0.9%、SiO2:20%を含有し、残部:In2O3からなる組成を有する本発明ターゲット6および従来ターゲット9を作製した。この本発明ターゲット6および従来ターゲット9の切断面を研磨したのちX線回折およびEPMAにより素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表9に示した。さらに本発明ターゲット6および従来ターゲット9の密度および抗折強度を測定し、その結果を表9に示した。
Claims (12)
- モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットでおいて、ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
- モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
- モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
- モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
- モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
- モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、非晶質の二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
- 素地にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 素地にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 素地にLa2SiO5の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 素地にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 素地にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ハフニウム:10〜70%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素をからなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 素地にIn2Si2O7の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル%で、酸化ジルコニウム:10〜70%、酸化イットリウム:0.1〜8.4%、二酸化ケイ素:50%以下(0%を含まず)を含有し、残部:酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、かつ、上記焼結工程で、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、1300℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
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