WO2005121393A1 - スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

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WO2005121393A1
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information recording
sputtering target
thin film
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PCT/JP2005/003578
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Hideo Takami
Masataka Yahagi
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Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target, an optical information recording medium, and a method for manufacturing the same.
  • the present invention is composed of a non-sulfur-based material that has a stable amorphous property of a sputtered film, excellent adhesion to a recording layer, excellent mechanical properties, high transmittance, and high transmittance. Therefore, the present invention relates to a thin film for an optical information recording medium (especially used as a protective film) in which adjacent reflection layers and recording layers are unlikely to deteriorate, a method for producing the same, and a sputtering target applicable to these.
  • No. 2 has excellent properties in optical properties, thermal properties, adhesion to a recording layer, and the like, and is widely used.
  • One of the causes of deterioration of the number of rewrites and the like of an optical information recording medium is a protective layer ZnS-SiO
  • the reflective layer material In addition, pure Ag or Ag alloy with high reflectivity and high thermal conductivity for high capacity and high speed recording has been used for the reflective layer material, but such a reflective layer is also a protective layer material. It is arranged so as to be in contact with ZnS-SiO.
  • the Ag alloy reflective layer material was also corroded and degraded, causing a deterioration in characteristics such as the reflectance of the optical information recording medium.
  • an intermediate layer mainly composed of nitride or carbide is provided between the reflective layer and the protective layer, and between the recording layer and the protective layer.
  • the material of the protective layer material only containing the sultanate Material system with optical characteristics and amorphous stability equal to or better than ZnS-SiO
  • Patent Documents 13 to 13 have a problem including a region having poor optical characteristics and amorphousness.
  • Patent Document 1 JP-A-01-317167
  • Patent Document 2 JP-A-2000-90745
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-166052
  • the present invention provides a non-sulfide film having a stable amorphous property, excellent adhesion to a recording layer, excellent mechanical properties, and a high transmittance.
  • Layer and recording layer hardly degrade !, thin films for optical information recording media (especially used as protective films), manufacturing methods thereof, and sputtering targets applicable to them.
  • An object of the present invention is to significantly improve the characteristics of an optical information recording medium such as a rewriting characteristic. Means for solving the problem
  • the present inventors have conducted intensive studies.
  • the conventional protective layer material ZnS-SiO was prepared by using only the oxidized material not containing the sulfided material shown below. Replace with the material
  • the present invention provides a 1) spa
  • the present invention is characterized in that 4) using the sputtering target according to any of 1) to 3) above, at least a part of the structure of the optical information recording medium is formed as a thin film.
  • the present invention provides an optical information recording medium and a method for manufacturing the same, wherein the medium is formed and arranged adjacent to a recording layer or a reflective layer.
  • the conventional protective layer material ZnS-SiO is replaced with a material containing only sulfide-free oxide.
  • a thin film for optical information recording media (especially used as a protective film) having excellent properties such as excellent adhesion to the recording layer, excellent mechanical properties, and high transmittance, a method of manufacturing the same, and a nottering target applicable to these Can be provided.
  • the use of this material system has an excellent effect that characteristics of an optical information recording medium such as repetitive rewriting characteristics can be improved.
  • the present invention can be applied to a protective layer material for a phase change recording medium of a blue laser type.
  • the sputtering target of the present invention is composed of a material containing Y0, A10, and SiO as main components.
  • SiO which is a glass-forming oxide, stabilizes amorphous.
  • the SiO content is 30 mol% or more.
  • the upper limit is preferably set to 80 mol% in order to obtain good characteristics.
  • A10 has the effect of lowering the sintering temperature.
  • 0 is desirably 10 mol% or more.
  • a large amount of soy sauce is poor in amorphousness.
  • the relative density of the sputtering target can be 95% or more, and a stable, high-density sputtering target can be manufactured.
  • At least a part of the structure of the optical information recording medium can be formed as a thin film using the above-mentioned sputtering target.
  • the sputtering method of the present invention Using one get, it is possible to form at least a part of the structure of the optical information recording medium as a thin film and obtain an optical information recording medium disposed adjacent to a recording layer or a reflective layer and a method of manufacturing the same. it can.
  • This material has stable optical characteristics and amorphous properties of the film, and is suitable for a protective layer material of a phase-change optical recording medium.
  • High frequency sputtering is used for film formation.
  • this material has a stable amorphous property and can improve the transmittance, so that it is suitable for a phase change recording medium having a fast rewriting speed or a protective layer material for a blue laser type phase change recording medium.
  • the sputtering target of the present invention can have a relative density of 95% or more.
  • the improvement in density has the effects of increasing the uniformity of the sputtered film and suppressing the generation of particles during sputtering.
  • an optical information recording medium that forms at least a part of the optical information recording medium structure as a thin film can be provided.
  • the structure of the optical information recording medium is formed as a thin film using the sputtering target, and an optical information recording medium disposed adjacent to the recording layer or the reflective layer is manufactured. it can.
  • the thin film formed by using the sputtering target of the present invention forms a part of the structure of the optical information recording medium, and is disposed adjacent to the recording layer or the reflective layer. Since sulfur is not used, there is a remarkable effect that the sulfur component does not diffuse into the recording layer material arranged so as to be sandwiched by the protective layer which is easily contaminated by sulfur, and the recording layer does not deteriorate due to this.
  • pure Ag or Ag alloy which has high reflectivity and high thermal conductivity, has been used for the reflective layer material in order to increase the capacity and increase the recording speed. Therefore, there is an excellent effect that the cause of the deterioration of the reflective layer material due to corrosion and deterioration of the characteristics such as the reflectance of the optical information recording medium is eliminated.
  • the sputtering target of the present invention can be manufactured by sintering an oxide powder of each constituent element having an average particle diameter of 5 ⁇ m or less under normal pressure or high-temperature pressure. As a result, a sputtering target having a relative density of 95% or more is obtained. In this case, it is preferable to calcine the oxide powder containing yttrium oxide as a main component at 1000 to 1400 ° C. before sintering. After this calcination, it is pulverized to 3 m or less and used as a raw material for sintering.
  • the sintering temperature can be reduced to 1600 ° C or lower, and a remarkable effect of being able to satisfy high density, optical characteristics, amorphousness, etc. has been obtained.
  • productivity can be improved, a high-quality material can be obtained, and an optical recording medium having an optical disk protective film can be stably manufactured at low cost. If you can, it will be effective.
  • the improvement in the density of the sputtering target of the present invention can reduce pores, refine crystal grains, and make the sputter surface of the target uniform and smooth. It has a remarkable effect that the life can be prolonged, and there is little variation in quality, and mass productivity can be improved.
  • this calcined powder was wet-milled to an average particle size of about 1 ⁇ m, and then granulated by a spray dryer with addition of a noinder.
  • This granulated powder is cold-pressed and formed in an oxygen atmosphere (flow) at 1200- Sintering was performed at 1600 ° C. under normal pressure, and this sintered material was machined into a target shape.
  • the sintering temperatures of Examples 1-4 were 1400 ° C., 1550 ° C., 1250 ° C., and 1400 ° C., respectively. If the sintering temperature was in the above temperature range, sintering could be performed almost equally.
  • Sputtering was performed using a 6-inch ⁇ size target that had been finished as described above.
  • the sputtering conditions were RF sputtering, a sputtering power of 1000 W, an Ar gas pressure of 0.5 Pa, and a target film thickness of 1500 A.
  • Example 14 the relative density of the sputtering target of Example 14 reached 95 or more, and stable RF sputtering was performed.
  • the transmittance of the sputtered film reached 95-96% (405 nm), the refractive index was 1.7-1.9, and no specific crystal peak was observed. 0-1.5). Further, since the target of the present embodiment does not use ZnS, deterioration of the characteristics of the optical information recording medium due to sulfur diffusion and contamination does not occur. In addition, as compared with a comparative example described later, The transmittance of the sample, the refractive index, and the stability of the amorphous material all showed good values.
  • Comparative Example 2 was well balanced because the amount of Y O and Al O was small while the amount of SiO was large.
  • the refractive index was lower than the standard.
  • Comparative Example 3 was not well balanced because of too much Y O and less SiO.
  • Comparative Example 4 was a material having a high refractive index and a high density, but containing a large amount of ZnS and having a risk of contamination by sulfur. The transmittance was also bad.
  • the thin film formed by using the sputtering target of the present invention forms a part of the structure of the optical information recording medium. Since ZnS is not used, the diffusion of the sulfur component into the recording layer material is eliminated. This has a remarkable effect that the deterioration of the recording layer due to this is eliminated. Further, when pure Ag or an Ag alloy having high reflectivity and high thermal conductivity is used for the reflective layer, the diffusion of the sulfur component into the reflective layer is also eliminated, and the reflective layer is corroded and deteriorated to deteriorate the characteristic. It has the excellent effect that the cause of the cause is eliminated.
  • the optical recording medium having the optical disk protective film can be manufactured at a low cost by reducing the number of the optical recording mediums, reducing the variation in quality, and improving the mass productivity.

Abstract

 Y2O3、Al2O3及びSiO2を主成分とする材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。膜の非晶質性が安定であり、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。

Description

明 細 書
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、記録層との密着性、機械特性に優 れ、かつ透過率が高ぐまた非硫ィ匕物系で構成されているため、隣接する反射層、記 録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用)及びその 製造方法並びにこれらに適用できるスパッタリングターゲットに関する。
背景技術
[0002] 従来、主として相変化型の光情報記録媒体の保護層に一般的に使用される ZnS - SiO
2は、光学特性、熱特性、記録層との密着性等において、優れた特性を有し、広く 使用されている。
しかし、今日 Blue-Rayに代表される書き換え型 DVDは、さらに書き換え回数の増加、 大容量化、高速記録化が強く求められている。
[0003] 光情報記録媒体の書き換え回数等が劣化する原因の一つとして、保護層 ZnS— SiO
2 に挟まれるように配置された記録層材への、 ZnS— SiO力 の硫黄成分の拡散が挙げ
2
られる。
また、大容量化、高速記録化のため高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまたは Ag合金が反射層材に使用されるようになったが、このような反射層も保護層材である ZnS-SiOと接するように配置されている。
2
したがって、この場合も同様に、 ZnS— SiOからの硫黄成分の拡散により、純 Agまたは
2
Ag合金反射層材も腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起 こす要因となっていた。
[0004] これら硫黄成分の拡散防止対策として、反射層と保護層、記録層と保護層の間に、 窒化物や炭化物を主成分とした中間層を設けた構成にすることも行なわれている。し かし、これは積層数の増加となり、スループット低下、コスト増加になるという問題を発 生している。
上記のような問題を解決するため、保護層材に硫ィ匕物を含まない酸ィ匕物のみの材 料へと置き換え、 ZnS-SiOと同等以上の光学特性、非晶質安定性を有する材料系を
2
見出すことが急務となっていた。
[0005] 以上のようなことから、酸化物系保護層材、透明導電材あるいは光学薄膜が提案さ れている (特許文献 1一 3参照)。
しかし、特許文献 1一 3は、光学特性及び非晶質性が劣る領域を含む問題があった。 特許文献 1 :特開平 01— 317167号公報
特許文献 2：特開 2000— 90745号公報
特許文献 3：特開 2003— 166052号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、膜の非晶質性が安定であり、記録層との密着性、機械特性に優れ、且 つ透過率が高ぐ非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化 が生じ難!、光情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用)及びその製造方法並 びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、 これによつて、繰 返し書き換え特性等の光情報記録媒体の特性を大幅に改善することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0007] 上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、従来の保護 層材 ZnS— SiOを、下記に提示する硫ィ匕物を含まない酸ィ匕物のみの材料へと置き換
2
え、かつ ZnS - SiOと同等の光学特性及び非晶質安定性を確保し、繰返し書き換え特
2
性等の光情報記録媒体の特性改善が可能であるとの知見を得た。
[0008] 本発明はこの知見に基づき、 1)Y 0 するスパ
3、 A1 0及び SiOから成ることを特徴と
2 2 3 2
ッタリングターゲット、 2)Y O： 10- 60mol%
2 3 、 A1 0： 10- 40mol%及び SiO : 30- 80mol%から
2 3 2
成ることを特徴とするスパッタリングターゲット、 3)相対密度が 95%以上であることを特 徴とする前記 1)又は 2)記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
[0009] また、本発明は、 4)前記 1)一 3)のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使 用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とす る光情報記録媒体及びその製造方法、 5)前記 1)一 3)の 、ずれかに記載のスパッタ リングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形 成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする光情報記 録媒体及びその製造方法、を提供する。
発明の効果
[0010] 上記によって、従来の保護層材 ZnS— SiOを、硫化物を含まない酸化物のみの材料
2
へと置き換えることによって、隣接する反射層、記録層等への硫黄による劣化を抑制 すると共に、 ZnS— SiOと同等又はそれ以上の光学特性及び非晶質安定性を備え、
2
記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高いという優れた特性を持つ光 情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用)及びその製造方法並びにこれらに 適用できるノ ッタリングターゲットを提供できる。
また、本材料系を使用することにより、繰返し書き換え特性等、光情報記録媒体の特 性改善が可能となるという優れた効果を有する。特に、短波長側の透過率を向上さ せることができるため、青色レーザー系の相変化記録媒体用保護層材に適用できる 発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明のスパッタリングターゲットは、 Y 0、 A1 0、 SiOを主成分とする材料から成る
2 3 2 3 2
。ガラス形成酸ィ匕物である SiOは、非晶質を安定ィ匕させる。この効果を得るためには
2
、 SiOが 30mol%以上であることが望ましい。し力し、 SiOが 80mol%を超えると、光学特
2 2
性 (屈折率）が悪くなるので、良好な特性を得るためには、上限を 80mol%とすることが 望ましい。
A1 0の添カ卩は、焼結温度を低下させる効果を有する。焼結温度を下げることによつ
2 3
て、密度を上げることができ、安定した製造が可能である。その効果を達成するため に 0は 10mol%以上とすることが望ましい。しかし、多量の添カ卩は、非晶質性を悪く
2 3
し、熱伝導率が大きくなり過ぎるので、 A1 0を 40mol%以下とすることが望ましい。残部
2 3
は Y 0であり、すなわち Y 0を 10- 60mol%とする。
2 3 2 3
これによつて、スパッタリングターゲットの相対密度を 95%以上とすることが可能となり 、安定した高密度のスパッタリングターゲットを製造することができる。
[0012] また、本発明は、上記のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光 情報記録媒体構造の一部を形成することができる。さらに本発明のスパッタリングタ 一ゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、 且つ記録層又は反射層と隣接して配置されている光情報記録媒体及びその製造方 法を得ることができる。
この材料は、光学特性及び膜の非晶質性が安定しており、相変化型光記録媒体の 保護層材に適している。成膜には、高周波スパッタリングを使用する。
本材料は、上記の通り非晶質性が安定し、透過率を向上させることが出来るため、 書換え速度の速い相変化記録媒体や青色レーザー系の相変化記録媒体用保護層 材に適する。
[0013] また、本発明のスパッタリングターゲットは、相対密度を 95%以上とすることが可能で ある。密度の向上は、スパッタ膜の均一性を高め、またスパッタリング時のパーテイク ルの発生を抑制できる効果を有する。
上記に述べるスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録 媒体構造の一部を形成する光情報記録媒体を提供することができる。
また、上記スパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒 体の構造の一部を形成すると共に、記録層又は反射層と隣接して配置されている光 情報記録媒体を作製することができる。
[0014] 本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録媒体の 構造の一部を形成し、記録層又は反射層と隣接して配置されるが、上記の通り、 ZnS を使用していないので、 Sによる汚染がなぐ保護層に挟まれるように配置された記録 層材への硫黄成分の拡散がなくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著し い効果がある。
また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまた は Ag合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成 分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等 の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
[0015] 本発明のスパッタリングターゲットは、平均粒径が 5 μ m以下である各構成元素の酸 化物粉末を、常圧焼結又は高温加圧焼結することによって製造することができる。こ れによって、相対密度が 95%以上を有するスパッタリングターゲットが得られる。 この場合、焼結前に酸化イットリウムを主成分とした酸化物粉末を、 1000— 1400° Cで仮焼することが望ましい。この仮焼後、 3 m以下に粉砕して焼結用の原料とす る。
本発明において、特に A1 0を添加することに大きな特徴を有する。上述したように、
2 3
A1 0を添加することによって焼結温度を低下させることができるという優れた効果を
2 3
有する。
Y 0 -SiOの 2成分系では光学特性及び非晶質性等は良好である力 場合によって
2 3 2
は 1700° C以上の高温に上げないと密度を十分に上げることができず、安定した製 造が難しいという問題があった。本発明では焼結温度を 1600° C以下に下げること が可能となり、高密度でかつ光学特性及び非晶質性等を満足することができるという 著しい効果が得られた
[0016] さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、生産性が向上し、品 質の優れた材料を得ることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで 安定して製造できると 、う著し 、効果がある。
本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し 、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時の パーティクルゃノジュールを低減させ、さら〖こターゲットライフも長くすることができると いう著しい効果を有し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。 実施例
[0017] 以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例 であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求 の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の 変形を包含するものである。
[0018] (実施例 1 4)
4N相当で 5 m以下の SiO粉、 Y O粉及び Al O粉を準備し、表 1に示す組成と
2 2 3 2 3
なるように調合して、湿式混合し、乾燥後、 1100° Cで仮焼した。さらに、この仮焼粉 を平均粒径 1 μ m程度まで湿式微粉砕した後、ノインダーを添加してスプレードライ ヤーで造粒した。この造粒粉を冷間で加圧成形し、酸素雰囲気 (フロー）中、 1200— 1600° Cで常圧焼結し、この焼結材を機械加工でターゲット形状に仕上げた。 実施例 1—4の焼結温度は、それぞれ 1400° C、 1550° C、 1250° C、 1400° C とした。なお、焼結温度は上記の温度範囲にあれば、ほぼ同等に焼結することが可 能であった。
[表 1]
Figure imgf000007_0001
非晶質性はァニール（600で、 Ar雰囲気、 30min) を施した成膜サンプルの XRD 測定における 20 =20-60° の範囲の未成膜ガラス基板に対する最大ピーク強度 比で表した。 また、 〇： 1.0-1.5、 Δ： 1,5-2,0、 X 2.0以上である。
[0020] 上記の仕上げカ卩ェした 6インチ φサイズのターゲットを使用して、スパッタリングを行 つた。スパッタ条件は、 RFスパッタ、スパッタパワー 1000W、 Arガス圧 0. 5Paとし、 目標膜厚 1500 Aで成膜した。
成膜サンプルの透過率 (波長 405nm) %、屈折率 (波長 405nm)、非晶質性 (成膜 サンプルのァニール処理（600° C X 30min、 Ar雰囲気）を施した、 XRD (Cu— K a 、 40kV、 30mA)による測定における 2 Θ = 20—60° の範囲の未成膜ガラス基板に 対する最大ピーク強度で表した)の測定した結果等を、まとめて表 1に示す。
[0021] 以上の結果、実施例 1 4のスパッタリングターゲットは、相対密度が 95以上に達し、 安定した RFスパッタができた。
スパッタ膜の透過率は、 95— 96% (405nm)〖こ達し、屈折率は 1. 7- 1. 9であり、 また特定の結晶ピークは見られず、安定した非晶質性（1. 0- 1. 5)を有していた。 また、本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染によ る光情報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サ ンプルの透過率、屈折率、非晶質の安定性力 いずれも良好な値を示した。
[0022] (比較例 1 4)
表 1に示すように、本願発明の条件とは異なる原料粉の成分及び組成比の材料、 特に比較例 4においては ZnS原料粉を準備し、焼結温度条件を 1500— 1800° じと し、他は実施例と同様の条件でターゲットを作製し、かっこのターゲットを用いてスパ ッタ膜を形成した。比較例 1-4の焼結温度は、それぞれ 1650° C、 1550° C、 175 0° C、 1000° C (ホットプレスによる）とした。
この結果を、同様に表 1に示す。
[0023] 本発明の組成比から逸脱する比較例の成分'組成、例えば比較例 1につ!/ヽては、 Al Oが 60mol%と多すぎて、非晶質性が悪い結果となった。
2 3
比較例 2は、 Y Oと Al Oが少なぐ一方では SiOが多いために、バランスがとれて
2 3 2 3 2
おらず、屈折率が基準よりも低下した。
比較例 3は、 Y Oが多すぎる一方で、 SiOが少ないために、バランスがとれておら
2 3 2
ず、密度が十分に上がらず、スパッタ特性が劣る結果となった。
比較例 4は、屈折率が高ぐ密度も高いが、 ZnSが多く含有されており、硫黄による汚 染の危険のある材料であった。また、透過率も悪力つた。
産業上の利用可能性
[0024] 本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録媒体の 構造の一部を形成し、 ZnSを使用していないので、記録層材への硫黄成分の拡散が なくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著しい効果がある。また、隣接する 高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまたは Ag合金を反射層に用いた場合には 、該反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、反射層が腐食劣化して特性劣化を引き 起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
さらに、非晶質性が安定ィ匕するとともにターゲットに導電性が付与され、比較的低温 での焼結が可能となり安定した製造が可能となった。また、これにより相対密度を 95 %以上の高密度化が達成でき、安定した RFスパッタ成膜を可能となった。そして、ス ノッタの制御性を容易にし、スパッタリング効率を向上させることができると!/、う著 ヽ 効果が得られ、成膜の際にスパッタ時に発生するパーティクル (発塵)ゃノジュールを 低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、光ディスク保護膜を もつ光記録媒体を低コストで製造できる。

Claims

請求の範囲
[1] Y O、 Al O及び SiO力 成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2 3 2 3 2
[2] Y 0： 10-60mol%、 Al O： 10-40mol%及び SiO : 30-80mol%から成ることを特徴とするス
2 3 2 3 2
パッタリングターゲット。
[3] 相対密度が 95%以上であることを特徴とする請求項 1又は 2記載のスパッタリングター グット。
[4] 請求項 1一 3のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄 膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及 びその製造方法。
[5] 請求項 1一 3のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜 として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配 置されていることを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007142333A1 (ja) * 2006-06-08 2007-12-13 Mitsubishi Materials Corporation 高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0632617A (ja) * 1992-07-13 1994-02-08 Tosoh Corp 複合酸化物焼結体
JP2003166052A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Tdk Corp スパッタターゲット
JP2004263273A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458941A (en) * 1994-06-09 1995-10-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical recording medium exhibiting eutectic phase equilbria
US6231945B1 (en) * 1997-09-09 2001-05-15 Hitachi, Ltd. Information recording medium
JP2001216686A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Sony Corp 光学記録媒体
US7351516B2 (en) * 2002-11-06 2008-04-01 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording medium
JP2004206851A (ja) * 2002-11-06 2004-07-22 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体およびその記録方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0632617A (ja) * 1992-07-13 1994-02-08 Tosoh Corp 複合酸化物焼結体
JP2003166052A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Tdk Corp スパッタターゲット
JP2004263273A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007142333A1 (ja) * 2006-06-08 2007-12-13 Mitsubishi Materials Corporation 高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2007327103A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Mitsubishi Materials Corp 高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
KR101074222B1 (ko) * 2006-06-08 2011-10-14 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 고강도 광기록 매체 보호막 형성용 스퍼터링 타깃
US8268141B2 (en) 2006-06-08 2012-09-18 Mitsubishi Materials Corporation High-strength sputtering target for forming protective film for optical recording medium

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