JPH0632617A - 複合酸化物焼結体 - Google Patents
複合酸化物焼結体Info
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- JPH0632617A JPH0632617A JP4206954A JP20695492A JPH0632617A JP H0632617 A JPH0632617 A JP H0632617A JP 4206954 A JP4206954 A JP 4206954A JP 20695492 A JP20695492 A JP 20695492A JP H0632617 A JPH0632617 A JP H0632617A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＨｆＯ２、Ｙ
２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、
ＳｉＯ２及びＢｅＯから選ばれる少なくとも１種の成分
を１〜３０重量％、残部がＴａ２０５よりなり、かつ、
焼結密度が８０％以上である複合酸化物焼結体及びこれ
からなる絶縁膜形成用スパッタリングターゲット。 【効果】 従来の酸化タンタル膜に比べて、絶縁特
性のよい絶縁膜を得ることが可能である。
２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、
ＳｉＯ２及びＢｅＯから選ばれる少なくとも１種の成分
を１〜３０重量％、残部がＴａ２０５よりなり、かつ、
焼結密度が８０％以上である複合酸化物焼結体及びこれ
からなる絶縁膜形成用スパッタリングターゲット。 【効果】 従来の酸化タンタル膜に比べて、絶縁特
性のよい絶縁膜を得ることが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化タンタルを主成分
とする複合酸化物焼結体に関するものである。本発明の
焼結体を用いてスパッタリングすることにより、従来の
酸化タンタル膜に比べて比誘電率が高い、或いは絶縁耐
圧が高い等、絶縁特性に優れた絶縁膜の形成が可能であ
り、ＬＳＩや表示デバイス等のキャパシター用絶縁膜を
始めとして、エレクトロニクス分野で広範に利用され
る。
とする複合酸化物焼結体に関するものである。本発明の
焼結体を用いてスパッタリングすることにより、従来の
酸化タンタル膜に比べて比誘電率が高い、或いは絶縁耐
圧が高い等、絶縁特性に優れた絶縁膜の形成が可能であ
り、ＬＳＩや表示デバイス等のキャパシター用絶縁膜を
始めとして、エレクトロニクス分野で広範に利用され
る。
【０００２】
【従来の技術】絶縁膜は、半導体デバイス、表示デバイ
スを初めとしてエレクトロニクス分野で広範に使用さ
れ、今日、これらデバイスの高性能化においてはキーマ
テリアルとなりつつある。
スを初めとしてエレクトロニクス分野で広範に使用さ
れ、今日、これらデバイスの高性能化においてはキーマ
テリアルとなりつつある。
【０００３】従来、半導体デバイスのキャパシター膜と
して用いられていたシリカ膜、窒化ケイ素膜等は、デバ
イスの高集積化に伴い、キャパシター膜の薄膜化、或い
はトレンチ型、スタック型による電極面積の増加等によ
り容量を補ってきたが、ここにきて、これらの技術は限
界に達しつつあり、比誘電率の高い新たな絶縁膜の開発
が熱望されている。
して用いられていたシリカ膜、窒化ケイ素膜等は、デバ
イスの高集積化に伴い、キャパシター膜の薄膜化、或い
はトレンチ型、スタック型による電極面積の増加等によ
り容量を補ってきたが、ここにきて、これらの技術は限
界に達しつつあり、比誘電率の高い新たな絶縁膜の開発
が熱望されている。
【０００４】また、表示デバイスにおいては、液晶デバ
イスにおける画素の細密化技術、エレクトロルミネッセ
ンス素子における発光開始電圧の低減、発光輝度の向上
等のため、比誘電率が大きく、絶縁耐圧の高い絶縁膜が
要望されている。
イスにおける画素の細密化技術、エレクトロルミネッセ
ンス素子における発光開始電圧の低減、発光輝度の向上
等のため、比誘電率が大きく、絶縁耐圧の高い絶縁膜が
要望されている。
【０００５】このような状況の下、絶縁特性に優れた酸
化タンタル膜は、ＬＳＩやディスプレイデバイス等のキ
ャパシタ−用絶縁膜への応用が期待されいる。
化タンタル膜は、ＬＳＩやディスプレイデバイス等のキ
ャパシタ−用絶縁膜への応用が期待されいる。
【０００６】酸化タンタル膜の成膜方法としては、一旦
タンタル膜を成膜後、電気化学的に酸化する陽極酸化
法、加熱して酸化する熱酸化法、あるいは、直接酸化タ
ンタル膜を成膜する方法としてはＣＶＤ法、金属タンタ
ルターゲット、酸化タンタル焼結体ターゲットを用いた
スパッタリング法等例示されるが、一般に、酸化タンタ
ル膜の絶縁特性は、膜中の酸素含有量（組成）に強く依
存し、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を再現性良く製
造することは困難であった。しかし、高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法は、優
れた絶縁特性を示す酸化タンタル膜の成膜が長時間に渡
って可能であり、また、成膜方法が簡便であるという点
で優れた成膜方法であり、我々は先に高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットに関し特許出願している（特願平
２ー３１４４０１、特願平２ー３１７７３３）。
タンタル膜を成膜後、電気化学的に酸化する陽極酸化
法、加熱して酸化する熱酸化法、あるいは、直接酸化タ
ンタル膜を成膜する方法としてはＣＶＤ法、金属タンタ
ルターゲット、酸化タンタル焼結体ターゲットを用いた
スパッタリング法等例示されるが、一般に、酸化タンタ
ル膜の絶縁特性は、膜中の酸素含有量（組成）に強く依
存し、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を再現性良く製
造することは困難であった。しかし、高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法は、優
れた絶縁特性を示す酸化タンタル膜の成膜が長時間に渡
って可能であり、また、成膜方法が簡便であるという点
で優れた成膜方法であり、我々は先に高密度な酸化タン
タル焼結体ターゲットに関し特許出願している（特願平
２ー３１４４０１、特願平２ー３１７７３３）。
【０００７】高密度な酸化タンタル焼結体ターゲットを
用いたスパッタリング法により酸化タンタル膜の絶縁特
性を十分に引き出すことが可能になったとはいえ、その
絶縁特性は、比誘電率が２２、１０ー６Ａ／ｃｍ２のリ
ーク電流が発生する絶縁耐圧が４ＭＶ／ｃｍまでが物理
的性能上限界である。そのため、今後更にＬＳＩの高集
積化、或いはディスプレイデバイスの高性能化が進むに
つれて、更に絶縁特性に優れた材料が要望されているこ
とは必至であり、必ずしも酸化タンタル膜で満足される
わけではない。
用いたスパッタリング法により酸化タンタル膜の絶縁特
性を十分に引き出すことが可能になったとはいえ、その
絶縁特性は、比誘電率が２２、１０ー６Ａ／ｃｍ２のリ
ーク電流が発生する絶縁耐圧が４ＭＶ／ｃｍまでが物理
的性能上限界である。そのため、今後更にＬＳＩの高集
積化、或いはディスプレイデバイスの高性能化が進むに
つれて、更に絶縁特性に優れた材料が要望されているこ
とは必至であり、必ずしも酸化タンタル膜で満足される
わけではない。
【０００８】酸化タンタル膜の絶縁特性の向上の試みと
して、酸化タンタルに他成分を複合化する方法が考案さ
れている。
して、酸化タンタルに他成分を複合化する方法が考案さ
れている。
【０００９】酸化タンタル膜の絶縁耐圧を向上させる方
法としては、例えば、ジヤーナルオブ エレクトロケミ
カル ソサイエティ（Ｊｏｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｔｙ），Ｖｏｌ．１３
４，９２２（１９８７）に記載されているように、金属
タンタルと金属アルミニウムの複合分割ターゲットを用
いて反応性スパッタリングすることにより、酸化タンタ
ル膜に比べて絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が可能であ
る。
法としては、例えば、ジヤーナルオブ エレクトロケミ
カル ソサイエティ（Ｊｏｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｔｙ），Ｖｏｌ．１３
４，９２２（１９８７）に記載されているように、金属
タンタルと金属アルミニウムの複合分割ターゲットを用
いて反応性スパッタリングすることにより、酸化タンタ
ル膜に比べて絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が可能であ
る。
【００１０】また、絶縁耐圧の向上について具体的なデ
ータは記載されていないが、金属タンタルと金属チタン
と複合化したターゲットを用いてスパッタ成膜すること
により絶縁耐圧の向上が期待されると記した特許出願も
ある（例えば、特開平１ー２９０７６６号公報）。
ータは記載されていないが、金属タンタルと金属チタン
と複合化したターゲットを用いてスパッタ成膜すること
により絶縁耐圧の向上が期待されると記した特許出願も
ある（例えば、特開平１ー２９０７６６号公報）。
【００１１】また、酸化タンタル膜の比誘電率を向上さ
せる方法としては、シン ソリッドフィルムズ（Ｔｈｉ
ｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ），Ｖｏｌ．５２，６９
（１９７８）に記載されているように、金属タンタルと
金属チタンの複合分割ターゲットを用いて反応性スパッ
タリングして成膜することにより可能である。
せる方法としては、シン ソリッドフィルムズ（Ｔｈｉ
ｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ），Ｖｏｌ．５２，６９
（１９７８）に記載されているように、金属タンタルと
金属チタンの複合分割ターゲットを用いて反応性スパッ
タリングして成膜することにより可能である。
【００１２】しかしながら、これらの方法は、ターゲッ
トの構造が複雑となるばかりでなく、ターゲットが金属
で構成されているため、スパッタ成膜中、チャンバー内
に導入される酸素によって金属ターゲット表面が酸化さ
れるため、長期間に渡って安定的に成膜することが極め
て困難であり、工業的な適用は必ずしも容易ではなかっ
た。
トの構造が複雑となるばかりでなく、ターゲットが金属
で構成されているため、スパッタ成膜中、チャンバー内
に導入される酸素によって金属ターゲット表面が酸化さ
れるため、長期間に渡って安定的に成膜することが極め
て困難であり、工業的な適用は必ずしも容易ではなかっ
た。
【００１３】更に、酸化タンタルに他成分を複合化した
酸化物組成物に関して幾つかの特許出願がある。
酸化物組成物に関して幾つかの特許出願がある。
【００１４】例えば、高屈折率膜形成用の蒸着材として
酸化タンタルとＺｒＯ２の組成物（特開昭５９ー１５４
４０２号公報）、イオンビームスパッタによる紫外線反
射膜形成用のターゲットとして酸化タンタルにＺｒ
Ｏ２、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｓｃ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ
２Ｏ３のうち少なくとも１種以上の成分を複合化した組
成物（特開平２ー２７５９０４号公報）等が挙げられ
る。しかしながら、これらの特許には、例えば密度、粒
径等の組成物物性について何等言及されていない。この
ような状況の下、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を長
時間に渡って安定的に形成する技術として、複合酸化物
ターゲットを用いたスパッタリング法が注目を浴びてい
る。
酸化タンタルとＺｒＯ２の組成物（特開昭５９ー１５４
４０２号公報）、イオンビームスパッタによる紫外線反
射膜形成用のターゲットとして酸化タンタルにＺｒ
Ｏ２、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｓｃ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ
２Ｏ３のうち少なくとも１種以上の成分を複合化した組
成物（特開平２ー２７５９０４号公報）等が挙げられ
る。しかしながら、これらの特許には、例えば密度、粒
径等の組成物物性について何等言及されていない。この
ような状況の下、絶縁特性に優れた酸化タンタル膜を長
時間に渡って安定的に形成する技術として、複合酸化物
ターゲットを用いたスパッタリング法が注目を浴びてい
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の酸化タンタル膜に比べて比誘電率、絶縁耐圧等の電気
特性に優れた絶縁膜を長時間に渡って安定的に成膜する
ことが可能な複合酸化物焼結体を提供することにある。
の酸化タンタル膜に比べて比誘電率、絶縁耐圧等の電気
特性に優れた絶縁膜を長時間に渡って安定的に成膜する
ことが可能な複合酸化物焼結体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、主としてＴａ２０
５で構成され、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＨｆＯ２、Ｙ
２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、
ＳｉＯ２、ＢｅＯのうち少なくとも１種以上の成分を１
重量％以上含有し、かつ焼結密度が８０％以上１００％
以下である焼結体をターゲットとして用いてスパッタリ
ングすることにより、絶縁特性の優れた絶縁膜を安易な
条件下で、長時間に渡って安定的にかつ均一に得ること
ができることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討した結果、主としてＴａ２０
５で構成され、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＨｆＯ２、Ｙ
２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、
ＳｉＯ２、ＢｅＯのうち少なくとも１種以上の成分を１
重量％以上含有し、かつ焼結密度が８０％以上１００％
以下である焼結体をターゲットとして用いてスパッタリ
ングすることにより、絶縁特性の優れた絶縁膜を安易な
条件下で、長時間に渡って安定的にかつ均一に得ること
ができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】以下、詳細に本発明を説明する。
【００１８】本発明の焼結体の密度は８０％以上１００
％以下で、特に好ましくは８５％以上１００％以下の範
囲である。焼結密度が８０％未満のものは、スパッタ成
膜中、ターゲット表面が還元されるため、得られる膜中
の酸素量が径時変化し、長時間に渡って安定的に成膜す
ることが著しく困難となるために好ましくない。本発明
でいう密度とは、焼結体の重量を見掛けの体積で除した
密度を以下の方法で算出した真密度で除した百分率のこ
とである。
％以下で、特に好ましくは８５％以上１００％以下の範
囲である。焼結密度が８０％未満のものは、スパッタ成
膜中、ターゲット表面が還元されるため、得られる膜中
の酸素量が径時変化し、長時間に渡って安定的に成膜す
ることが著しく困難となるために好ましくない。本発明
でいう密度とは、焼結体の重量を見掛けの体積で除した
密度を以下の方法で算出した真密度で除した百分率のこ
とである。
【００１９】真密度（ｇ／ｃｍ３）＝ａ×ｂ＋ｃ×ｄ ａ：酸化タンタルの真密度（８．７ｇ／ｃｍ３） ｂ：酸化タンタルの重量分率 ｃ：複合成分の真密度（ｇ／ｃｍ３） ｄ：複合成分の重量分率 本発明の焼結体は、主としてＴａ２Ｏ５で構成され、Ｔ
ｉＯ２，ＢａＯ，ＨｆＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｎｂ
２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＳｉＯ２，ＢｅＯのうち
少なくとも１種以上の成分を含有する。複合成分の含有
量は１重量以上で、好ましくは５重量％〜３０重量％の
範囲である。複合成分の含有量が１重量％未満の場合、
本発明の目的である絶縁性向上の効果が顕著に表れない
ために好ましくない。
ｉＯ２，ＢａＯ，ＨｆＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｎｂ
２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＳｉＯ２，ＢｅＯのうち
少なくとも１種以上の成分を含有する。複合成分の含有
量は１重量以上で、好ましくは５重量％〜３０重量％の
範囲である。複合成分の含有量が１重量％未満の場合、
本発明の目的である絶縁性向上の効果が顕著に表れない
ために好ましくない。
【００２０】本発明の焼結体を製造する好ましい実施態
様の１つについて説明する。
様の１つについて説明する。
【００２１】本発明の焼結体を製造する際に使用される
原料粉末としては、酸化タンタル粉末と複合成分酸化
物、あるいはタンタルと複合成分の均一溶液から水酸化
物を共沈させ、これを仮焼して得た酸化物を用いること
が好ましい。水酸化物、炭酸塩等の原料は、焼結時に分
解したり、クラックが発生する場合がある。
原料粉末としては、酸化タンタル粉末と複合成分酸化
物、あるいはタンタルと複合成分の均一溶液から水酸化
物を共沈させ、これを仮焼して得た酸化物を用いること
が好ましい。水酸化物、炭酸塩等の原料は、焼結時に分
解したり、クラックが発生する場合がある。
【００２２】本発明に用いる酸化タンタル粉末のＢＥＴ
比表面積は、２〜１５ｍ２／ｇであることが好ましく、
特に好ましくは５〜１０ｍ２／ｇの範囲である。ＢＥＴ
比表面積が２ｍ２／ｇより小さい粉末は、焼結性が悪
く、高密度の焼結体が得られないことがある。また、Ｂ
ＥＴ比表面積が１５ｍ２／ｇを越える粉末は、粉末同志
で凝集し、同様に高密度な焼結体が得られないことがあ
る。
比表面積は、２〜１５ｍ２／ｇであることが好ましく、
特に好ましくは５〜１０ｍ２／ｇの範囲である。ＢＥＴ
比表面積が２ｍ２／ｇより小さい粉末は、焼結性が悪
く、高密度の焼結体が得られないことがある。また、Ｂ
ＥＴ比表面積が１５ｍ２／ｇを越える粉末は、粉末同志
で凝集し、同様に高密度な焼結体が得られないことがあ
る。
【００２３】本発明に用いる複合成分酸化物のＢＥＴ比
表面積は５ｍ２／ｇ以上のものが好ましい。複合成分酸
化物のＢＥＴ比表面積が５ｍ２／ｇ未満の場合、高密度
な焼結体が得られないことがある。
表面積は５ｍ２／ｇ以上のものが好ましい。複合成分酸
化物のＢＥＴ比表面積が５ｍ２／ｇ未満の場合、高密度
な焼結体が得られないことがある。
【００２４】酸化タンタル粉末と複合成分酸化物とを混
合する方法としては、ジルコニア、ウレタン樹脂等のボ
ールを用いたボールミル、Ｖ型ブレンダー、らいかい
機、振動ミル、ジットミル等の乾式あるいは湿式の方法
等が例示されるが、特に限定されることなく使用でき
る。
合する方法としては、ジルコニア、ウレタン樹脂等のボ
ールを用いたボールミル、Ｖ型ブレンダー、らいかい
機、振動ミル、ジットミル等の乾式あるいは湿式の方法
等が例示されるが、特に限定されることなく使用でき
る。
【００２５】次に、酸化タンタル粉末と複合成分酸化物
の混合物を成型する。成型方法は、目的とする形状に合
った成型方法を用いればよく、金型プレス法、鋳込み成
型法等が挙げられる。
の混合物を成型する。成型方法は、目的とする形状に合
った成型方法を用いればよく、金型プレス法、鋳込み成
型法等が挙げられる。
【００２６】また、得られる焼結体を高密度化するとい
う目的で、成型後、冷間静水圧プレスによって更に加圧
してもよい。冷間静水圧プレスの圧力は、３〜５ｔ／ｃ
ｍ２程度でよく、必要に応じて冷間静水圧プレスを数回
繰り返してもよい。
う目的で、成型後、冷間静水圧プレスによって更に加圧
してもよい。冷間静水圧プレスの圧力は、３〜５ｔ／ｃ
ｍ２程度でよく、必要に応じて冷間静水圧プレスを数回
繰り返してもよい。
【００２７】続いて、上記成型体を焼結する。焼結温度
は１２００℃〜１６００℃が好ましく、特に好ましくは
１２５０℃〜１５００℃の範囲である。焼結温度が１２
００℃未満の場合、焼結が不十分で、高密度のものが得
られないことがある。
は１２００℃〜１６００℃が好ましく、特に好ましくは
１２５０℃〜１５００℃の範囲である。焼結温度が１２
００℃未満の場合、焼結が不十分で、高密度のものが得
られないことがある。
【００２８】焼結雰囲気としては、酸素中、空気中、窒
素中等の不活性雰囲気等挙げられるが特に限定されず、
空気中等で行えばよい。
素中等の不活性雰囲気等挙げられるが特に限定されず、
空気中等で行えばよい。
【００２９】以上の方法で本発明の焼結体が得られる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の焼結体は、密度が８０％以上で
あり、酸化タンタルにＴｉＯ２，ＢａＯ，ＨｆＯ２，Ｙ
２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，
ＳｉＯ２，ＢｅＯのうち少なくとも１種以上の成分を複
合化した焼結体であるため、これをターゲットとして用
いスパッタ成膜すると、従来の酸化タンタル膜に比べて
絶縁特性のよい絶縁膜が長時間に渡って安定的に得るこ
とが可能である。
あり、酸化タンタルにＴｉＯ２，ＢａＯ，ＨｆＯ２，Ｙ
２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，
ＳｉＯ２，ＢｅＯのうち少なくとも１種以上の成分を複
合化した焼結体であるため、これをターゲットとして用
いスパッタ成膜すると、従来の酸化タンタル膜に比べて
絶縁特性のよい絶縁膜が長時間に渡って安定的に得るこ
とが可能である。
【００３１】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３２】実施例１ Ｎｂ２Ｏ５が３０重量％含有されるように酸化タンタル
粉末とＮｂ２Ｏ５粉末をジルコニアボールを用いて１５
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を１３００℃で５時間焼結し、焼結密
度が９３％の焼結体を製造した。
粉末とＮｂ２Ｏ５粉末をジルコニアボールを用いて１５
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を１３００℃で５時間焼結し、焼結密
度が９３％の焼結体を製造した。
【００３３】得られた焼結体を表１に示す条件でスパッ
タリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸化タン
タル複合膜の比誘電率は１９、絶縁耐圧は３ＭＶ／ｃｍ
であった。
タリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸化タン
タル複合膜の比誘電率は１９、絶縁耐圧は３ＭＶ／ｃｍ
であった。
【００３４】
【００３５】実施例２ Ｙ２Ｏ３が１５重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＹ２Ｏ３粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
２％の焼結体を製造した。
末とＹ２Ｏ３粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
２％の焼結体を製造した。
【００３６】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２１、絶縁耐圧は３ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２１、絶縁耐圧は３ＭＶ
／ｃｍであった。
【００３７】実施例３ ＺｒＯ２が２０重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＺｒＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１４００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
６％の焼結体を製造した。
末とＺｒＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１４００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
６％の焼結体を製造した。
【００３８】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２１、絶縁耐圧は３ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２１、絶縁耐圧は３ＭＶ
／ｃｍであった。
【００３９】実施例４ Ａｌ２Ｏ３が３０重量％含有されるように酸化タンタル
粉末とＡｌ２Ｏ３粉末をジルコニアボールを用いて１５
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密
度が８２％の焼結体を製造した。
粉末とＡｌ２Ｏ３粉末をジルコニアボールを用いて１５
時間ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型
し、３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧し
た。次に、成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密
度が８２％の焼結体を製造した。
【００４０】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は１９、絶縁耐圧は４ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は１９、絶縁耐圧は４ＭＶ
／ｃｍであった。
【００４１】実施例５ ＳｉＯ２が２０重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＳｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
０％の焼結体を製造した。
末とＳｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
０％の焼結体を製造した。
【００４２】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は１８、絶縁耐圧は４ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は１８、絶縁耐圧は４ＭＶ
／ｃｍであった。
【００４３】実施例６ ＴｉＯ２が２０重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＴｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１４００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
３％の焼結体を製造した。
末とＴｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１４００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
３％の焼結体を製造した。
【００４４】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は６８、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は６８、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであった。
【００４５】実施例７ ＢａＯが３０重量％含有されるように酸化タンタル粉末
とＢａＯ粉末をジルコニアボールを用いて１５時間ボー
ルミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、３ｔ
／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次に、
成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密度が９３％
の焼結体を製造した。
とＢａＯ粉末をジルコニアボールを用いて１５時間ボー
ルミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、３ｔ
／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次に、
成型体を１５００℃で５時間焼結し、焼結密度が９３％
の焼結体を製造した。
【００４６】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２５、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２５、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであった。
【００４７】実施例８ ＨｆＯ２が２０重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＨｆＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１４００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
６％の焼結体を製造した。
末とＨｆＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型し、
３ｔ／ｃｍ２の圧力で冷間静水圧プレスで加圧した。次
に、成型体を１４００℃で５時間焼結し、焼結密度が８
６％の焼結体を製造した。
【００４８】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２６、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであった。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は２６、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであった。
【００４９】比較例１ ＳｉＯ２が２０重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＳｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
１３００℃で５時間焼結し、焼結密度が５７％の焼結体
を製造した。
末とＳｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
１３００℃で５時間焼結し、焼結密度が５７％の焼結体
を製造した。
【００５０】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。
【００５１】酸化タンタル複合膜の比誘電率は１６、絶
縁耐圧は３ＭＶ／ｃｍであり、長時間成膜すると膜の電
気特性は徐々に低下した。また、膜は黒色化した。
縁耐圧は３ＭＶ／ｃｍであり、長時間成膜すると膜の電
気特性は徐々に低下した。また、膜は黒色化した。
【００５２】比較例２ ＴｉＯ２が２０重量％含有されるように酸化タンタル粉
末とＴｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
１３００℃で５時間焼結し、焼結密度が７０％の焼結体
を製造した。
末とＴｉＯ２粉末をジルコニアボールを用いて１５時間
ボールミル混合した。得られた混合粉末を金型成型後、
１３００℃で５時間焼結し、焼結密度が７０％の焼結体
を製造した。
【００５３】得られた焼結体を実施例１と同様の条件で
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は３２、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであり、長時間成膜すると膜の電気特性は徐々に
低下した。また、膜は黒色化した。
スパッタリングし、酸化タンタル複合膜を成膜した。酸
化タンタル複合膜の比誘電率は３２、絶縁耐圧は２ＭＶ
／ｃｍであり、長時間成膜すると膜の電気特性は徐々に
低下した。また、膜は黒色化した。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＨｆＯ２、Ｙ
２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、
ＳｉＯ２及びＢｅＯから構成される群より選ばれる少な
くとも１種の成分を１〜３０重量％、残部がＴａ２０５
よりなり、かつ、焼結密度が８０％以上１００％以下で
ある複合酸化物焼結体。 - 【請求項２】請求項１の複合酸化物焼結体からなる絶縁
膜形成用スパッタリングタ−ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206954A JPH0632617A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 複合酸化物焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206954A JPH0632617A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 複合酸化物焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0632617A true JPH0632617A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16531771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206954A Pending JPH0632617A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 複合酸化物焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632617A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789860A (en) * | 1995-08-11 | 1998-08-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Dielectric thin film composition and thin-film EL device using same |
| KR100415219B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2004-01-16 | 한국과학기술연구원 | 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물 |
| WO2005121393A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
| CN100439562C (zh) * | 2002-01-08 | 2008-12-03 | 应用材料有限公司 | 具有覆盖钇铝层的部件的处理腔 |
| CN101847661A (zh) * | 2009-03-26 | 2010-09-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| WO2012129757A1 (zh) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 多元素掺杂氧化锌薄膜及其制备方法和应用 |
| JP2018010926A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光反射膜及び発光素子 |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP4206954A patent/JPH0632617A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789860A (en) * | 1995-08-11 | 1998-08-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Dielectric thin film composition and thin-film EL device using same |
| US6036823A (en) * | 1995-08-11 | 2000-03-14 | Denso Corporation | Dielectric thin film and thin-film EL device using same |
| KR100415219B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2004-01-16 | 한국과학기술연구원 | 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물 |
| CN100439562C (zh) * | 2002-01-08 | 2008-12-03 | 应用材料有限公司 | 具有覆盖钇铝层的部件的处理腔 |
| WO2005121393A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
| CN101847661A (zh) * | 2009-03-26 | 2010-09-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| US20100244020A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8450144B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2012129757A1 (zh) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 多元素掺杂氧化锌薄膜及其制备方法和应用 |
| JP2018010926A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光反射膜及び発光素子 |
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