TWI406961B - 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 - Google Patents
形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI406961B TWI406961B TW096120788A TW96120788A TWI406961B TW I406961 B TWI406961 B TW I406961B TW 096120788 A TW096120788 A TW 096120788A TW 96120788 A TW96120788 A TW 96120788A TW I406961 B TWI406961 B TW I406961B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- target
- recording medium
- optical recording
- forming
- protective film
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 83
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 82
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 88
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 88
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 80
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 53
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 9
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 18
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
- C04B35/117—Composites
- C04B35/119—Composites with zirconium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
- C04B35/488—Composites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
- C04B35/488—Composites
- C04B35/4885—Composites with aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3246—Stabilised zirconias, e.g. YSZ or cerium stabilised zirconia
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
- C04B2235/3463—Alumino-silicates other than clay, e.g. mullite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6585—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage above that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本發明係關於一種用以形成光記錄媒體之保護膜且具有高強度之濺鍍靶(以下，簡稱靶)，又該光記錄媒體則可藉雷射光而進行資訊之記錄、再生、記錄及再生及消去者。
本申請案係基於2006年6月8日在日本申請之特願2006-159303號而主張優先權，該內容在本案中均加以援用。
一般而言，構成光碟等光記錄媒體之保護膜(包含下部保護膜及上部保護膜，以下同)，其代表性者已知為含有二氧化矽(SiO2)：20%，且殘餘部為硫化鋅(ZnS)所成之組織；已知具有該組成之保護膜，可藉由使用：含有二氧化矽(SiO2)：20%，且殘餘部為硫化鋅(ZnS)所成之ZnS-SiO2系熱壓燒結體所構成之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，即可製得。
然而，由該ZnS-SiO2系熱壓燒結體所成之靶，在以雷射光照射記錄膜進行重複書寫時，ZnS-SiO2系熱壓燒結體所成之靶中所構成之ZnS，其S卻有擴散至記錄膜中並使重複書寫之功能降低之缺點。因此，目前已經在開發不含S之保護膜，而不含S之保護膜之一個例子，以莫耳計，已知有以下者。
(i)將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(ii)將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(iii)將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(iv)將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(v)將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(vi)將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(vii)將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(viii)將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以
下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
(ix)將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。
進而，用以形成前述(i)~(ix)所記載之成分組成之光記錄媒體保護膜之濺鍍靶亦正在開發中，該靶係具有與前述(i)~(ix)所記載之光記錄媒體保護膜為同一之成分組成者(專利文獻1參照)。
前述靶，係準備了前述(i)~(ix)所記載之氧化物粉末作為原料粉末，再將該等原料粉末依所定之比例配合後加以混合製作成混合粉末，並於形成該混合粉末後在大氣中或氧氣環境等之氧化性環境中加以燒結而製得。
專利文獻1：特開2005-56545號公報
然而，準備了前述(i)~(ix)所記載之氧化物粉末作為原料粉末，再將該等原料粉末依所定之比例配合後加以混合製作成混合粉末，並於形成該混合粉末後在氧化性環境中依通常條件加以燒結而製得之靶，其在高輸出功率濺鍍中會發生破裂，且無法以良好之效率形成光記錄媒體
保護膜。本發明之目的，即在提供一種即使在高輸出功率濺鍍中亦不會發生破裂之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。
本發明者們致力於一種即使在高輸出功率濺鍍中亦不會發生破裂之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之相關研究。其結果，得到以下之研究結果。
(a)一種將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；一種將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；或一種將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。據此，在該等靶材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶中，其密度及強度會更加地提升，且在高輸出功率濺鍍中不會發生破裂之情形。
(b)一種將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保
護膜用濺鍍靶；一種將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；或一種將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。據此，在該等靶材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶中，其密度及強度會更加地提升，且在高輸出功率濺鍍中不會發生破裂之情形。
(c)一種將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；一種將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；或一種將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。據此，在該等靶材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶中，其密度及強度會更加地提升，且在高輸出功率濺鍍中不會發生破裂之情形。在該等靶材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶，相
較於無具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶而言，其密度及強度會顯著地提升。
本發明，係基於此種研究結果所完成者。
(1)本發明之第1態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(2)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(3)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保
護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(4)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(5)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(6)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保
護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(7)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(8)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
(9)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保
護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。
為製造本發明之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其原料粉末係使用氧化鋯粉末、釔安定化氧化鋯粉末、氧化鉿粉末、非晶質二氧化矽粉末、氧化鋁粉末、氧化鑭粉末及氧化銦粉末，將此等原料粉末依前述(1)~(9)記載之成分組成加以配合，並混合而製作成混合粉末，將該混合粉末加壓成形所得之成形體，於氧氣環境中，以較通常之燒結溫度為高之溫度：1300℃以上進行活性燒結即可製得。
在製造本發明之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶中，其原料粉末使用非晶質之二氧化矽粉末、環境為氧氣環境、以及以溫度：1300℃以上進行燒結者，均極係重要，否則如使用結晶質之二氧化矽粉末時，所得到之靶會產生彎曲，且強度會降低等而極不理想。再者，作為原料粉末使用之氧化鋯粉末，其亦可為安定化或部分安定化之氧化鋯粉末。此種安定化或部分安定化之氧化鋯粉末，舉例而言，已知有含Y2O3：1~12莫耳%之氧化鋯粉末。
本發明之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其強度更加地提升後可作成大型化，而即使進行高輸出功率之濺鍍亦不會產生破裂，從而可效率更佳地形成光記錄媒體保護
膜。
以下，茲舉出實施例更具體地說明本發明之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。
原料粉末，係準備具有平均粒徑：0.2μm且純度：99.99%以上之ZrO2粉末、具有平均粒徑：0.2μm且純度；99.99%以上之HfO2粉末、具有平均粒徑：0.2μm且純度：99.99%以上之非晶質SiO2粉末、具有平均粒徑：1μm且純度：99.99%以上之結晶質SiO2粉末、具有平均粒徑：0.5μm且純度：99.99%以上之In2O3粉末、具有平均粒徑：0.5μm且純度：99.99%以上之Al2O3粉末、以及具有平均粒徑：0.5μm且純度：99.99%以上之La2O3粉末，進而，並準備含有Y2O3：3莫耳%之安定化ZrO2粉末。
將事先準備好之ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及Al2O3粉末，秤量使成為表1所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表1所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO2：30%、SiO2：20%，而殘餘
部分：Al2O3所成組成之本發明靶1及傳統靶1。將本發明靶1及傳統靶1之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表1。進而，就本發明靶1及傳統靶1之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表1。
進而，所得到之本發明靶1及傳統靶1以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶1及傳統靶1，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表1。
如表1所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶1，相較於未在材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶1，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之HfO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及Al2O3粉末，秤量使成為表2所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表2所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含HfO2：30%、SiO2：20%，而殘餘部分：Al2O3所成組成之本發明靶2及傳統靶2。將本發明靶2及傳統靶2之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表2。進而，就本發明靶2及傳統靶2之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表2。
進而，所得到之本發明靶2及傳統靶2以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間
隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶2及傳統靶2，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：7kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表2。
如表2所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶2，相較於未在材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶2，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之含有Y2O3：3莫耳之安定化ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及Al2O3粉末，秤量使成為表3所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表3所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO2：30%、Y2O3：0.9%、SiO2：20%，而殘餘部分：Al2O3所成組成之本發明靶3及傳統靶3。將本發明靶3及傳統靶3之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表3。進而，就本發明靶3及傳統靶3之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表3。
進而，所得到之本發明靶3及傳統靶3以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺
鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶3及傳統靶3，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表3。
如表3所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶3，相較於未在材質中具有Al6Si2O13之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶3，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及La2O3粉末，秤量使成為表4所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表4所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO2：30%、SiO2：20%，而殘餘部分：La2O3所成組成之本發明靶4及傳統靶4。將本發明靶4及傳統靶4之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表4。進而，就本發明靶4及傳統靶4之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表4。
進而，所得到之本發明靶4及傳統靶4以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間
隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶4及傳統靶4，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表4。
如表4所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶4，相較於未在材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶4，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之HfO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及La2O3粉末，秤量使成為表5所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表5所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含HfO2：30%、SiO2：20%，而殘餘部分：La2O3所成組成之本發明靶5及傳統靶5。將本發明靶5及傳統靶5之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表5。進而，就本發明靶5及傳統靶5之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表5。
進而，所得到之本發明靶5及傳統靶5以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間
隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶5及傳統靶5，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：7kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表5。
如表5所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶5，相較於未在材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶5，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之含有Y2O3：3莫耳之安定化ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及La2O3粉末，秤量使成為表6所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表6所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO2：30%、Y2O3：0.9%、SiO2：20%，而殘餘部分：La2O3所成組成之本發明靶6及傳統靶6。將本發明靶6及傳統靶6之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表6。進而，就本發明靶6及傳統靶6之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表6。
進而，所得到之本發明靶6及傳統靶6以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺
鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶6及傳統靶6，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表6。
如表6所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶6，相較於未在材質中具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶6，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及In2O3粉末，秤量使成為表7所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表7所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO2：30%、SiO2：20%，而殘餘部分：In2O3所成組成之本發明靶7及傳統靶7。將本發明靶7及傳統靶7之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表7。進而，就本發明靶7及傳統靶7之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表7。
進而，所得到之本發明靶7及傳統靶7以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間
隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶7及傳統靶7，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表7。
如表7所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶7，相較於未在材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶7，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之HfO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及In2O3粉末，秤量使成為表8所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表8所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含HfO2：30%、SiO2：20%，而殘餘部分：In2O3所成組成之本發明靶8及傳統靶8。將本發明靶8及傳統靶8之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表8。進而，就本發明靶8及傳統靶8之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表8。
進而，所得到之本發明靶8及傳統靶8以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間
隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶8及傳統靶8，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：7kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表8。
如表8所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶8，相較於未在材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶8，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
將事先準備好之含有Y2O3：3莫耳之安定化ZrO2粉末、非晶質SiO2粉末、結晶質SiO2粉末、及In2O3粉末，秤量使成為表9所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表9所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO2：30%、Y2O3：0.9%、SiO2：20%，而殘餘部分：In2O3所成組成之本發明靶9及傳統靶9。將本發明靶9及傳統靶9之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表9。進而，就本發明靶9及傳統靶9之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表9。
進而，所得到之本發明靶9及傳統靶9以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10-3Torr之濺
鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶9及傳統靶9，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表9。
如表9所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶9，相較於未在材質中具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶9，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。
本發明之形成光記錄媒體保護膜用靶，其強度更加地提升後可作成大型化，而即使進行高輸出功率之濺鍍亦不會產生破裂，從而可效率更佳地形成光記錄媒體保護膜。因此，本發明在產業上係極為有用者。
Claims (12)
- 一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，該靶材質中具有由具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之組織。
- 一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鉿：10~70%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，該靶材質中具有由具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之組織。
- 一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，該靶材質中具有由具有La2SiO5之組成之複合氧化物相所生成之組織。
- 一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光 記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，該靶材質中具有由具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之組織。
- 一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鉿：10~70%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，該靶材質中具有由具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之組織。
- 一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，該靶材質中具有由具有In2Si2O7之組成之複合氧化物相所生成之組織。
- 一種形成光記錄媒體保護膜用之濺鍍靶的製造方法，其為材質中具有具La2SiO5之組成之複合氧化物相的形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之製造方法，其特徵為具有，將含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末成形及燒結之燒結步驟；上述混合粉末中之二氧化矽粉末為非晶質之二氧化矽， 上述燒結步驟，係將上述混合粉末於氧氣體環境中，以1300℃以上之溫度燒結。
- 一種形成光記錄媒體保護膜用之濺鍍靶的製造方法，其為材質中具有具La2SiO5之組成之複合氧化物相的形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之製造方法，其特徵為具有，將含有以莫耳計為，氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末成形及燒結之燒結步驟；上述混合粉末中之二氧化矽粉末為非晶質之二氧化矽，上述燒結步驟，係將上述混合粉末於氧氣體環境中，以1300℃以上之溫度燒結。
- 一種形成光記錄媒體保護膜用之濺鍍靶的製造方法，其為材質中具有具La2SiO5之組成之複合氧化物相的形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之製造方法，其特徵為具有，將含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)殘餘部：氧化鑭及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末成形及燒結之燒結步驟；上述混合粉末中之二氧化矽粉末為非晶質之二氧化矽，上述燒結步驟，係將上述混合粉末於氧氣體環境中， 以1300℃以上之溫度燒結。
- 一種形成光記錄媒體保護膜用之濺鍍靶的製造方法，其為材質中具有具In2Si2O7之組成之複合氧化物相的形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之製造方法，其特徵為具有，將含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末成形及燒結之燒結步驟；上述混合粉末中之二氧化矽粉末為非晶質之二氧化矽，上述燒結步驟，係將上述混合粉末於氧氣體環境中，以1300℃以上之溫度燒結。
- 一種形成光記錄媒體保護膜用之濺鍍靶的製造方法，其為材質中具有具In2Si2O7之組成之複合氧化物相的形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之製造方法，其特徵為具有，將含有以莫耳計為，氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末成形及燒結之燒結步驟；上述混合粉末中之二氧化矽粉末為非晶質之二氧化矽，上述燒結步驟，係將上述混合粉末於氧氣體環境中，以1300℃以上之溫度燒結。
- 一種形成光記錄媒體保護膜用之濺鍍靶的製造方 法，其為材質中具有具In2Si2O7之組成之複合氧化物相的形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之製造方法，其特徵為具有，將含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，殘餘部：氧化銦及不可避不純物所成之配合組成之混合粉末成形及燒結之燒結步驟；上述混合粉末中之二氧化矽粉末為非晶質之二氧化矽，上述燒結步驟，係將上述混合粉末於氧氣體環境中，以1300℃以上之溫度燒結。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006159303A JP5088464B2 (ja) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | 高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200808984A TW200808984A (en) | 2008-02-16 |
| TWI406961B true TWI406961B (zh) | 2013-09-01 |
Family
ID=38801577
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100145970A TWI454586B (zh) | 2006-06-08 | 2007-06-08 | 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 |
| TW102120342A TWI494451B (zh) | 2006-06-08 | 2007-06-08 | 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 |
| TW096120788A TWI406961B (zh) | 2006-06-08 | 2007-06-08 | 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100145970A TWI454586B (zh) | 2006-06-08 | 2007-06-08 | 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 |
| TW102120342A TWI494451B (zh) | 2006-06-08 | 2007-06-08 | 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8268141B2 (zh) |
| JP (1) | JP5088464B2 (zh) |
| KR (1) | KR101074222B1 (zh) |
| CN (1) | CN101460653B (zh) |
| TW (3) | TWI454586B (zh) |
| WO (1) | WO2007142333A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010004862A1 (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 日鉱金属株式会社 | 酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、同焼結体の製造方法及び同焼結体スパッタリングターゲットゲートの製造方法 |
| JP5301541B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-09-25 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化ランタン基焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、酸化ランタン基焼結体の製造方法及び同製造方法によるスパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN101580927B (zh) * | 2009-06-26 | 2012-07-04 | 西北有色金属研究院 | 一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法 |
| JP4831258B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-12-07 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| SG174652A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-28 | Heraeus Gmbh W C | Composition of sputtering target, sputtering target, and method of producing the same |
| JP6149804B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2017-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
| WO2019155577A1 (ja) | 2018-02-08 | 2019-08-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2020033639A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
| WO2020044798A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP7227473B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2023-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 光学薄膜の製造方法、薄膜形成材料、光学薄膜、及び光学部材 |
| JP2021088730A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN114853447B (zh) * | 2021-02-04 | 2023-09-26 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜 |
| CN114133226B (zh) * | 2021-12-30 | 2022-11-08 | 苏州晶生新材料有限公司 | 一种光学镀层基材及使用方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004175625A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | 光コネクタ用部材及びその製造方法 |
| JP2005056545A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体とその製造方法 |
| WO2005083150A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0486475B1 (en) * | 1988-03-03 | 1997-12-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
| US6265334B1 (en) * | 1997-10-24 | 2001-07-24 | Kyocera Corporation | Ceramic sintered product and process for producing the same |
| JP2004149883A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 |
| JP4408345B2 (ja) | 2003-05-12 | 2010-02-03 | 株式会社ハマダ | 骨材用砂の分級装置 |
| TW201506921A (zh) | 2003-07-24 | 2015-02-16 | Panasonic Corp | 資訊記錄媒體及其製造方法 |
| JP2005171315A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Mitsubishi Materials Corp | 光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲット及びその製造方法 |
| JP4279707B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2009-06-17 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用保護膜 |
| JP4733930B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2011-07-27 | 株式会社アルバック | 複合酸化物焼結体の製造方法及びその焼結体からなるスパッタリングターゲット |
| EP1757712B1 (en) | 2004-06-09 | 2010-08-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target, optical information recording medium and method for producing same |
-
2006
- 2006-06-08 JP JP2006159303A patent/JP5088464B2/ja active Active
-
2007
- 2007-06-08 KR KR1020087029624A patent/KR101074222B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-06-08 TW TW100145970A patent/TWI454586B/zh active
- 2007-06-08 US US12/303,590 patent/US8268141B2/en active Active
- 2007-06-08 TW TW102120342A patent/TWI494451B/zh active
- 2007-06-08 WO PCT/JP2007/061643 patent/WO2007142333A1/ja active Application Filing
- 2007-06-08 TW TW096120788A patent/TWI406961B/zh active
- 2007-06-08 CN CN2007800210934A patent/CN101460653B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004175625A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | 光コネクタ用部材及びその製造方法 |
| JP2005056545A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体とその製造方法 |
| WO2005083150A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101074222B1 (ko) | 2011-10-14 |
| TWI454586B (zh) | 2014-10-01 |
| KR20090007787A (ko) | 2009-01-20 |
| WO2007142333A1 (ja) | 2007-12-13 |
| JP2007327103A (ja) | 2007-12-20 |
| TWI494451B (zh) | 2015-08-01 |
| TW201211285A (en) | 2012-03-16 |
| US8268141B2 (en) | 2012-09-18 |
| JP5088464B2 (ja) | 2012-12-05 |
| CN101460653A (zh) | 2009-06-17 |
| TW200808984A (en) | 2008-02-16 |
| TW201346047A (zh) | 2013-11-16 |
| US20100170785A1 (en) | 2010-07-08 |
| CN101460653B (zh) | 2011-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI406961B (zh) | 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶 | |
| JP5061802B2 (ja) | 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2007327103A5 (zh) | ||
| JP7532363B2 (ja) | 酸化物焼結体 | |
| JP2006299307A (ja) | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| EP1895020A1 (en) | Sputtering target and thin film for optical information recording medium | |
| JP5750142B2 (ja) | 改質窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2008105936A (ja) | 炭化物粉末 | |
| KR20190023485A (ko) | 질화알루미늄 소결체 및 이의 제조방법 | |
| JP2001098361A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット材 | |
| Abe et al. | Processing thin, dense, transparent Ce: Y3Al5O12 films from flame made nanopowders for white light applications | |
| JP2007270253A (ja) | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP5398430B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| JP2024136186A (ja) | レーザー焼結用ジルコニア粉末、及び、レーザー焼結によるジルコニア焼結体の製造方法 | |
| WO2007026788A1 (ja) | 窒化アルミニウム製光学部材 | |
| JP2001316804A (ja) | 直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2002161359A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 | |
| JP2002206165A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 | |
| JP2001181833A (ja) | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2024136187A (ja) | レーザー焼結用ジルコニア粉末、及び、レーザー焼結によるジルコニア焼結体の製造方法 | |
| TW200540286A (en) | Sputtering target, optical information recording medium and method for producing same | |
| JP2009287043A (ja) | 耐割れ性に優れた酸化アンチモンスパッタリングターゲット | |
| FR2479268A1 (fr) | Corps fritte et procede de production | |
| JP2001254173A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 | |
| JP2002180246A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 |