JP2001181833A - スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JP2001181833A JP2001181833A JP2000000593A JP2000000593A JP2001181833A JP 2001181833 A JP2001181833 A JP 2001181833A JP 2000000593 A JP2000000593 A JP 2000000593A JP 2000000593 A JP2000000593 A JP 2000000593A JP 2001181833 A JP2001181833 A JP 2001181833A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大電力スパッタリングを行っても割れ発生が
ない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
を提供する。 【解決手段】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｃ
ｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン
化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリ
ングターゲット。
ない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
を提供する。 【解決手段】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｃ
ｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン
化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリ
ングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スパッタリング
時に割れが発生することがなくかつ機械的強度に優れた
カルコゲン化亜鉛（ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ）−二
酸化ケイ素系焼結体からなる光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットに関するものである。
時に割れが発生することがなくかつ機械的強度に優れた
カルコゲン化亜鉛（ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ）−二
酸化ケイ素系焼結体からなる光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ビームを用いて情報の記録お
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体には、その
表面に保護膜が形成されており、この光記録媒体保護膜
は純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純
度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対
密度が９０％以上有する焼結体で構成されたターゲット
をスパッタすることにより形成されることは知られてい
る。
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体には、その
表面に保護膜が形成されており、この光記録媒体保護膜
は純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純
度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対
密度が９０％以上有する焼結体で構成されたターゲット
をスパッタすることにより形成されることは知られてい
る。
【０００３】この従来の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以上
の硫化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上
の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％を添加し、均
一に混合し、得られた混合粉末を加圧後焼結することに
より製造することも知られている（特開平６−６５７２
５号公報参照）。
タリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以上
の硫化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上
の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％を添加し、均
一に混合し、得られた混合粉末を加圧後焼結することに
より製造することも知られている（特開平６−６５７２
５号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録媒体の製
造効率を向上させるために大型の光記録媒体保護膜形成
用スパッタリングターゲットを用いて高出力スパッタリ
ングすることにより高速かつ効率良く光記録媒体保護膜
を形成し、それによって光ディスクなど光記録媒体の生
産効率の向上およびコスト削減を行おうとしている。し
かし、従来の硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる大
型化した光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ットを用いて高出力スパッタリングを行うとターゲット
に割れ発生し（以下、スパッタリング中にターゲットに
割れ発生する現象を「スパッタ割れ」という）、そのた
めに大型の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングター
ゲットを用いて高出力スパッタリングを行うことはでき
なかった。また、従来の硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体
からなる光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ットは、機械的強度、特に曲げ応力に対する強度（曲げ
強さ）が不足しているところから、ターゲットを大型化
すると運搬中に破損することがあり、ターゲットの大型
化には限界があった。
造効率を向上させるために大型の光記録媒体保護膜形成
用スパッタリングターゲットを用いて高出力スパッタリ
ングすることにより高速かつ効率良く光記録媒体保護膜
を形成し、それによって光ディスクなど光記録媒体の生
産効率の向上およびコスト削減を行おうとしている。し
かし、従来の硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる大
型化した光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ットを用いて高出力スパッタリングを行うとターゲット
に割れ発生し（以下、スパッタリング中にターゲットに
割れ発生する現象を「スパッタ割れ」という）、そのた
めに大型の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングター
ゲットを用いて高出力スパッタリングを行うことはでき
なかった。また、従来の硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体
からなる光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ットは、機械的強度、特に曲げ応力に対する強度（曲げ
強さ）が不足しているところから、ターゲットを大型化
すると運搬中に破損することがあり、ターゲットの大型
化には限界があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
高出力スパッタリングを行ってもスパッタ割れがなくか
つ高い曲げ強さを有する大型の光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結
果、（ａ）従来の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有するスパッタ
リングターゲットに、さらにＣｕを０．５〜１０ｍｏｌ
％を含有せしめたスパッタリングターゲットは、高出力
スパッタリングを行ってもスパッタリング中にターゲッ
トに割れが発生することはなく、またこのＣｕを０．５
〜１０ｍｏｌ％を含有せしめたスパッタリングターゲッ
トは、従来の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットよりも高い曲げ強さを有するところから一層大
型化することができる、（ｂ）光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットの成分として硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）が最も好ましいが、硫化亜鉛（ＺｎＳ）に代えてセ
レン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）を
用いても同じく優れた効果を奏するところから、二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲ
ン化亜鉛からなる組成を有するスパッタリングターゲッ
トに、さらにＣｕを０．５〜１０ｍｏｌ％を含有せしめ
たスパッタリングターゲットであっても良い、という研
究結果が得られたのである。
高出力スパッタリングを行ってもスパッタ割れがなくか
つ高い曲げ強さを有する大型の光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結
果、（ａ）従来の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有するスパッタ
リングターゲットに、さらにＣｕを０．５〜１０ｍｏｌ
％を含有せしめたスパッタリングターゲットは、高出力
スパッタリングを行ってもスパッタリング中にターゲッ
トに割れが発生することはなく、またこのＣｕを０．５
〜１０ｍｏｌ％を含有せしめたスパッタリングターゲッ
トは、従来の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットよりも高い曲げ強さを有するところから一層大
型化することができる、（ｂ）光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットの成分として硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）が最も好ましいが、硫化亜鉛（ＺｎＳ）に代えてセ
レン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）を
用いても同じく優れた効果を奏するところから、二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲ
ン化亜鉛からなる組成を有するスパッタリングターゲッ
トに、さらにＣｕを０．５〜１０ｍｏｌ％を含有せしめ
たスパッタリングターゲットであっても良い、という研
究結果が得られたのである。
【０００６】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）二酸化ケイ素：１０〜３０
ｍｏｌ％、Ｃｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残り
がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有する焼結体からな
るスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタ
リングターゲット、（２）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍ
ｏｌ％、Ｃｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残りが
硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタ
割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングター
ゲット、に特徴を有するものである。
されたものであって、（１）二酸化ケイ素：１０〜３０
ｍｏｌ％、Ｃｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残り
がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有する焼結体からな
るスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタ
リングターゲット、（２）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍ
ｏｌ％、Ｃｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残りが
硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタ
割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングター
ゲット、に特徴を有するものである。
【０００７】この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットにおいて、Ｃｕの含有量を０．５〜
１０ｍｏｌ％に限定した理由は、Ｃｕの含有量が０．５
ｍｏｌ％未満ではスパッタリング中にターゲットが割れ
るスパッタ割れを十分に防ぐことはできず、またターゲ
ットの十分な曲げ強さ向上効果も得られないので好まし
くない。一方、Ｃｕが１０ｍｏｌ％を越えて含有する
と、スパッタリングして得られた膜の透明度が減少し、
光記録媒体保護膜としての機能が低下するので好ましく
ない。したがってこの発明の光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットに含まれるＣｕは０．５〜１０
ｍｏｌ％に定めた。Ｃｕの含有量の一層好ましい範囲は
２〜８ｍｏｌ％であり、さらに一層好ましい範囲は３〜
７ｍｏｌ％である。
タリングターゲットにおいて、Ｃｕの含有量を０．５〜
１０ｍｏｌ％に限定した理由は、Ｃｕの含有量が０．５
ｍｏｌ％未満ではスパッタリング中にターゲットが割れ
るスパッタ割れを十分に防ぐことはできず、またターゲ
ットの十分な曲げ強さ向上効果も得られないので好まし
くない。一方、Ｃｕが１０ｍｏｌ％を越えて含有する
と、スパッタリングして得られた膜の透明度が減少し、
光記録媒体保護膜としての機能が低下するので好ましく
ない。したがってこの発明の光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットに含まれるＣｕは０．５〜１０
ｍｏｌ％に定めた。Ｃｕの含有量の一層好ましい範囲は
２〜８ｍｏｌ％であり、さらに一層好ましい範囲は３〜
７ｍｏｌ％である。
【０００８】なお、この発明の光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットに含まれる二酸化ケイ素の含
有量は１０〜３０ｍｏｌ％であるが、この二酸化ケイ素
の含有量は通常の含有量であるからその限定理由の説明
は省略する。
スパッタリングターゲットに含まれる二酸化ケイ素の含
有量は１０〜３０ｍｏｌ％であるが、この二酸化ケイ素
の含有量は通常の含有量であるからその限定理由の説明
は省略する。
【０００９】この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットは、Ａｒ雰囲気中で加熱して脱ガス
した純度：９９．９９９重量％以上を有するカルコゲン
化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二
酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％およびＣｕ：０．
５〜１０ｍｏｌ％を添加し、これをポリポットに入れ、
４〜６時間乾式混合を行うことにより均一に混合し、得
られた混合粉末をホットプレスすることにより製造す
る。
タリングターゲットは、Ａｒ雰囲気中で加熱して脱ガス
した純度：９９．９９９重量％以上を有するカルコゲン
化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二
酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％およびＣｕ：０．
５〜１０ｍｏｌ％を添加し、これをポリポットに入れ、
４〜６時間乾式混合を行うことにより均一に混合し、得
られた混合粉末をホットプレスすることにより製造す
る。
【００１０】前記ホットプレスは、Ａｒガス雰囲気中、
圧力：２９．４〜３９．２ＭＰａ（３００〜４００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 ）、温度：８５０〜１０００℃（好ましく
は、９５０〜９７０℃）、５〜７時間保持し、この保持
温度から冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却す
ることにより行われる。
圧力：２９．４〜３９．２ＭＰａ（３００〜４００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 ）、温度：８５０〜１０００℃（好ましく
は、９５０〜９７０℃）、５〜７時間保持し、この保持
温度から冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却す
ることにより行われる。
【００１１】この様にして製造したホットプレス焼結体
からなるこの発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、高い曲げ強さを有するところから直
径を大きくして大型のターゲットを製造しても破損する
ことがなく、さらに高出力スパッタリングを行ってもタ
ーゲットに割れが発生しにくいところから成膜効率は一
層向上する。また、この発明のＣｕを０．５〜１０ｍｏ
ｌ％含有したターゲットを用いて作製した光記録媒体保
護膜を積層した光記録媒体は、オーバーライトの繰り返
しに伴うジッターの増大を抑える作用もある。
からなるこの発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、高い曲げ強さを有するところから直
径を大きくして大型のターゲットを製造しても破損する
ことがなく、さらに高出力スパッタリングを行ってもタ
ーゲットに割れが発生しにくいところから成膜効率は一
層向上する。また、この発明のＣｕを０．５〜１０ｍｏ
ｌ％含有したターゲットを用いて作製した光記録媒体保
護膜を積層した光記録媒体は、オーバーライトの繰り返
しに伴うジッターの増大を抑える作用もある。
【００１２】
【発明の実施の形態】原料粉末として、純度：９９．９
９９重量％以上を有する市販のＳｉＯ2粉末、純度：９
９．９９９重量％以上を有する市販のＺｎＳ粉末、Ｚｎ
Ｓｅ粉末、ＺｎＴｅ粉末およびＣｕ粉末を用意した。前
記ＺｎＳ粉末、ＺｎＳｅ粉末およびＺｎＴｅ粉末につい
てはガスを除去する目的でＡｒ雰囲気中、昇温速度：
２．２℃／ｍｉｎで加熱したのち６５０℃で１時間保持
の熱処理を施した。
９９重量％以上を有する市販のＳｉＯ2粉末、純度：９
９．９９９重量％以上を有する市販のＺｎＳ粉末、Ｚｎ
Ｓｅ粉末、ＺｎＴｅ粉末およびＣｕ粉末を用意した。前
記ＺｎＳ粉末、ＺｎＳｅ粉末およびＺｎＴｅ粉末につい
てはガスを除去する目的でＡｒ雰囲気中、昇温速度：
２．２℃／ｍｉｎで加熱したのち６５０℃で１時間保持
の熱処理を施した。
【００１３】実施例１ ＳｉＯ2粉末、熱処理したＺｎＳ粉末およびＣｕ粉末を
表１に示される割合になるように配合し、この配合粉末
をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合し、得られた
混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰
囲気中、圧力：３４．３ＭＰａ（３５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2）、温度：１０００℃、６時間保持の条件でホット
プレスし、次いで２℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却するこ
とによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体
を機械加工することにより直径：５００ｍｍ、厚さ：５
ｍｍの寸法を有し、前記配合組成と同じ成分組成を有す
る円盤状の本発明光記録媒体保護膜形成用スパッタリン
グターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜１
４、比較光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ット（以下、比較ターゲットという）１〜２および従来
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、従来ターゲットという）１を作製した。
表１に示される割合になるように配合し、この配合粉末
をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合し、得られた
混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰
囲気中、圧力：３４．３ＭＰａ（３５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2）、温度：１０００℃、６時間保持の条件でホット
プレスし、次いで２℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却するこ
とによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体
を機械加工することにより直径：５００ｍｍ、厚さ：５
ｍｍの寸法を有し、前記配合組成と同じ成分組成を有す
る円盤状の本発明光記録媒体保護膜形成用スパッタリン
グターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜１
４、比較光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ット（以下、比較ターゲットという）１〜２および従来
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、従来ターゲットという）１を作製した。
【００１４】これら本発明ターゲット１〜１４、比較タ
ーゲット１〜２および従来ターゲット１について相対密
度を測定し、さらにＪＩＳＲ１６０１による３点曲げ強
さを測定してその結果を表１に示したのち、これらター
ゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純
度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ
付けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2）、 の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲ
ットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結
果を表１に示した。
ーゲット１〜２および従来ターゲット１について相対密
度を測定し、さらにＪＩＳＲ１６０１による３点曲げ強
さを測定してその結果を表１に示したのち、これらター
ゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純
度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ
付けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2）、 の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲ
ットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結
果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例２ ＳｉＯ2 粉末、熱処理したＺｎＳｅ粉末およびＣｕ粉末
を表２に示される割合になるように配合し、この配合粉
末をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合し、得られ
た混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス
雰囲気中、圧力：３４．３ＭＰａ（３５０ｋｇｆ／ｃｍ
2）、温度：１０００℃、６時間保持の条件でホットプ
レスし、次いで２℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却すること
によりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を
機械加工することにより直径：５００ｍｍ、厚さ：５ｍ
ｍの寸法を有し、前記配合組成と同じ成分組成を有する
円盤状の本発明ターゲット１５〜２８、比較ターゲット
３〜４および従来ターゲット２を作製した。
を表２に示される割合になるように配合し、この配合粉
末をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合し、得られ
た混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス
雰囲気中、圧力：３４．３ＭＰａ（３５０ｋｇｆ／ｃｍ
2）、温度：１０００℃、６時間保持の条件でホットプ
レスし、次いで２℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却すること
によりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を
機械加工することにより直径：５００ｍｍ、厚さ：５ｍ
ｍの寸法を有し、前記配合組成と同じ成分組成を有する
円盤状の本発明ターゲット１５〜２８、比較ターゲット
３〜４および従来ターゲット２を作製した。
【００１７】これら本発明ターゲット１５〜２８、比較
ターゲット３〜４および従来ターゲット２について相対
密度を測定し、さらにＪＩＳＲ１６０１による３点曲げ
強さを測定してその結果を表２に示したのち、これらタ
ーゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに
純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハン
ダ付けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装
置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2）、 の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲ
ットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結
果を表２に示した。
ターゲット３〜４および従来ターゲット２について相対
密度を測定し、さらにＪＩＳＲ１６０１による３点曲げ
強さを測定してその結果を表２に示したのち、これらタ
ーゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに
純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハン
ダ付けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装
置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2）、 の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲ
ットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結
果を表２に示した。
【００１８】
【表２】
【００１９】実施例３ ＳｉＯ2 粉末、熱処理したＺｎＴｅ粉末およびＣｕ粉末
を表３に示される割合になるように配合し、この配合粉
末をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合し、得られ
た混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス
雰囲気中、圧力：３４．３ＭＰａ（３５０ｋｇｆ／ｃｍ
2）、温度：１０００℃、６時間保持の条件でホットプ
レスし、次いで２℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却すること
によりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を
機械加工することにより直径：５００ｍｍ、厚さ：５ｍ
ｍの寸法を有し、前記配合組成と同じ成分組成を有する
円盤状の本発明ターゲット２９〜４２、比較ターゲット
５〜６および従来ターゲット３を作製した。
を表３に示される割合になるように配合し、この配合粉
末をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合し、得られ
た混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス
雰囲気中、圧力：３４．３ＭＰａ（３５０ｋｇｆ／ｃｍ
2）、温度：１０００℃、６時間保持の条件でホットプ
レスし、次いで２℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却すること
によりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を
機械加工することにより直径：５００ｍｍ、厚さ：５ｍ
ｍの寸法を有し、前記配合組成と同じ成分組成を有する
円盤状の本発明ターゲット２９〜４２、比較ターゲット
５〜６および従来ターゲット３を作製した。
【００２０】これら本発明ターゲット２９〜４２、比較
ターゲット５〜６および従来ターゲット３について相対
密度を測定し、さらにＪＩＳＲ１６０１による３点曲げ
強さを測定してその結果を表３に示したのち、これらタ
ーゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに
純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハン
ダ付けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装
置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2）、 の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲ
ットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結
果を表３に示した。
ターゲット５〜６および従来ターゲット３について相対
密度を測定し、さらにＪＩＳＲ１６０１による３点曲げ
強さを測定してその結果を表３に示したのち、これらタ
ーゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに
純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハン
ダ付けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装
置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2）、 の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲ
ットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結
果を表３に示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】表１〜表３に示される結果から、Ｃｕを
０．５〜１０モル％含む本発明ターゲット１〜４２は、
Ｃｕを含まない従来ターゲット１〜３およびＣｕの含有
量が０．５モル％未満である比較ターゲット１、３、５
に比べて曲げ強さが高く、またＣｕを０．５〜１０モル
％含む本発明ターゲット１〜４２は、大電力スパッタリ
ングを３０時間行ってもスパッタ割れが発生しないが、
Ｃｕを含まない従来ターゲット１〜３およびＣｕの含有
量が０．５モル％未満である比較ターゲット１、３、５
は大電力スパッタリングを行なうと割れが発生すること
が分かる。また、Ｃｕを１０モル％越えて含む比較ター
ゲット２、４、６は、このターゲットを使用して得られ
た膜の透明度が低下するので好ましくないことが分か
る。
０．５〜１０モル％含む本発明ターゲット１〜４２は、
Ｃｕを含まない従来ターゲット１〜３およびＣｕの含有
量が０．５モル％未満である比較ターゲット１、３、５
に比べて曲げ強さが高く、またＣｕを０．５〜１０モル
％含む本発明ターゲット１〜４２は、大電力スパッタリ
ングを３０時間行ってもスパッタ割れが発生しないが、
Ｃｕを含まない従来ターゲット１〜３およびＣｕの含有
量が０．５モル％未満である比較ターゲット１、３、５
は大電力スパッタリングを行なうと割れが発生すること
が分かる。また、Ｃｕを１０モル％越えて含む比較ター
ゲット２、４、６は、このターゲットを使用して得られ
た膜の透明度が低下するので好ましくないことが分か
る。
【００２３】
【発明の効果】上述のように、この発明のＣｕを含む光
記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットは、曲
げ強さが高いので大型のターゲットを作製することがで
き、さらに大電力スパッタリングを行ってもスパッタ割
れが発生しないので従来よりも効率良く相変化型光ディ
スクなどの保護膜を形成することができ、したがって光
ディスクの生産効率の向上およびコスト削減を行うこと
ができ、光メディア産業の発展に大いに貢献し得るもの
である。
記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットは、曲
げ強さが高いので大型のターゲットを作製することがで
き、さらに大電力スパッタリングを行ってもスパッタ割
れが発生しないので従来よりも効率良く相変化型光ディ
スクなどの保護膜を形成することができ、したがって光
ディスクの生産効率の向上およびコスト削減を行うこと
ができ、光メディア産業の発展に大いに貢献し得るもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA37 AA56 AA61 BA01 GA29 GA33 4K029 BD12 CA05 DC05 DC09 5D029 LA13 LA14 LA15 5D121 AA04 EE03 EE09 EE13
Claims (2)
- 【請求項１】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｃ
ｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン
化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴
とするスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項２】 前記カルコゲン化亜鉛は硫化亜鉛である
ことを特徴とする請求項１記載のスパッタ割れのない光
記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000000593A JP2001181833A (ja) | 1999-10-13 | 2000-01-06 | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29062799 | 1999-10-13 | ||
| JP11-290627 | 1999-10-13 | ||
| JP2000000593A JP2001181833A (ja) | 1999-10-13 | 2000-01-06 | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001181833A true JP2001181833A (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=26558158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000000593A Withdrawn JP2001181833A (ja) | 1999-10-13 | 2000-01-06 | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001181833A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
| JP2006138021A (ja) * | 2006-01-11 | 2006-06-01 | Nikko Materials Co Ltd | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| KR100760152B1 (ko) | 2006-06-07 | 2007-09-18 | 현대하이스코 주식회사 | 핫스탬핑을 이용하여 아연도금강판으로 고강도 자동차용부품을 제조하는 방법 |
| EP2266722A1 (en) | 2004-09-15 | 2010-12-29 | Nippon Steel Corporation | High strength part and method of production of the same |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000000593A patent/JP2001181833A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
| EP2266722A1 (en) | 2004-09-15 | 2010-12-29 | Nippon Steel Corporation | High strength part and method of production of the same |
| JP2006138021A (ja) * | 2006-01-11 | 2006-06-01 | Nikko Materials Co Ltd | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP4515389B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2010-07-28 | 日鉱金属株式会社 | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| KR100760152B1 (ko) | 2006-06-07 | 2007-09-18 | 현대하이스코 주식회사 | 핫스탬핑을 이용하여 아연도금강판으로 고강도 자동차용부품을 제조하는 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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