JPH1081960A - パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH1081960A JPH1081960A JP23285496A JP23285496A JPH1081960A JP H1081960 A JPH1081960 A JP H1081960A JP 23285496 A JP23285496 A JP 23285496A JP 23285496 A JP23285496 A JP 23285496A JP H1081960 A JPH1081960 A JP H1081960A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなるパ
ーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットを提供する。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さらに必要に応
じて酸化アルミニウム：１０〜１０００ｐｐｍを含有
し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛か
らなる組成、並びに相対密度：９０％以上有する焼結体
からなるスパッタリングターゲットであって、前記硫化
亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が０．
９５＜α／β＜１００の範囲内にあり、前記硫化亜鉛の
α型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径は１５μｍ以下
でかつ平均結晶粒径は１０μｍ以下である。
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなるパ
ーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットを提供する。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さらに必要に応
じて酸化アルミニウム：１０〜１０００ｐｐｍを含有
し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛か
らなる組成、並びに相対密度：９０％以上有する焼結体
からなるスパッタリングターゲットであって、前記硫化
亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が０．
９５＜α／β＜１００の範囲内にあり、前記硫化亜鉛の
α型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径は１５μｍ以下
でかつ平均結晶粒径は１０μｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットに
関するものであり、特にスパッタリング時にパーティク
ルが発生することの少ないスパッタリングターゲットに
関するものである。
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットに
関するものであり、特にスパッタリング時にパーティク
ルが発生することの少ないスパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対密度が
９０％以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲ
ットは知られている（特開平６−６５７２５号公報参
照）。この従来の光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛
粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケ
イ素粉末：２０ｍｏｌ％添加し均一に混合して、得られ
た混合粉末を加圧後焼結することにより製造することも
知られている。
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対密度が
９０％以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲ
ットは知られている（特開平６−６５７２５号公報参
照）。この従来の光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛
粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケ
イ素粉末：２０ｍｏｌ％添加し均一に混合して、得られ
た混合粉末を加圧後焼結することにより製造することも
知られている。
【０００３】さらに、一般に、硫化亜鉛はα型結晶およ
びβ型結晶の２つの結晶型があり、α型結晶は六方晶系
ウルツ鉱型構造を有し高温で安定であり、一方、β型結
晶は閃亜鉛鉱型構造を有し室温で安定であること、さら
にα型結晶およびβ型結晶の転移温度は１０２０℃であ
ることなども知られている。
びβ型結晶の２つの結晶型があり、α型結晶は六方晶系
ウルツ鉱型構造を有し高温で安定であり、一方、β型結
晶は閃亜鉛鉱型構造を有し室温で安定であること、さら
にα型結晶およびβ型結晶の転移温度は１０２０℃であ
ることなども知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録保護膜の
性能に対する要求は益々厳しく、特にスパッタリング中
に発生するパーティクル抑制に対する要求が厳しくな
り、成膜速度あるいは膜厚の均一性を多少犠牲にしても
スパッタリング時にパーティクル発生の少ないターゲッ
トが求められているが、未だスパッタリング時にパーテ
ィクル発生の少ないターゲットは得られていない。
性能に対する要求は益々厳しく、特にスパッタリング中
に発生するパーティクル抑制に対する要求が厳しくな
り、成膜速度あるいは膜厚の均一性を多少犠牲にしても
スパッタリング時にパーティクル発生の少ないターゲッ
トが求められているが、未だスパッタリング時にパーテ
ィクル発生の少ないターゲットは得られていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
スパッタリング中のパーティクル発生が少ないターゲッ
トを得るべく研究を行なった結果、（ａ）純度：９９．
９９９重量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％
を含有し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化
亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリン
グターゲットにおいて、前記硫化亜鉛の結晶型がスパッ
タリング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、
硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が
０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあると、スパッタ
リング時のパーティクル発生が抑制され、α／βの値は
１．０≦α／β≦５０の範囲内にあることが一層好まし
い、（ｂ）前記スパッタリングターゲットに含まれる硫
化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶の結晶粒径がスパッタ
リング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、α
型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒
径は微細であるほど好ましく、その最大結晶粒径は１５
μｍ以下でかつ平均結晶粒径は１０μｍ以下であること
が好ましい、（ｃ）純度：９９．９９９重量％以上の硫
化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二
酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、さらに酸
化アルミニウム粉末を１０〜１０００ｐｐｍを添加し、
これらを混合して得られた混合粉末をホットプレスする
ことにより得られたスパッタリングターゲットは、焼結
性が向上するために機械的強度が向上し、スパッタリン
グ時に割れが発生しない、などの知見を得たのである。
スパッタリング中のパーティクル発生が少ないターゲッ
トを得るべく研究を行なった結果、（ａ）純度：９９．
９９９重量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％
を含有し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化
亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリン
グターゲットにおいて、前記硫化亜鉛の結晶型がスパッ
タリング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、
硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が
０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあると、スパッタ
リング時のパーティクル発生が抑制され、α／βの値は
１．０≦α／β≦５０の範囲内にあることが一層好まし
い、（ｂ）前記スパッタリングターゲットに含まれる硫
化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶の結晶粒径がスパッタ
リング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、α
型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒
径は微細であるほど好ましく、その最大結晶粒径は１５
μｍ以下でかつ平均結晶粒径は１０μｍ以下であること
が好ましい、（ｃ）純度：９９．９９９重量％以上の硫
化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二
酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、さらに酸
化アルミニウム粉末を１０〜１０００ｐｐｍを添加し、
これらを混合して得られた混合粉末をホットプレスする
ことにより得られたスパッタリングターゲットは、焼結
性が向上するために機械的強度が向上し、スパッタリン
グ時に割れが発生しない、などの知見を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）純度：９９．９９９重量％以上
の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが
純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組
成、並びに相対密度：９０％以上を有する焼結体からな
るスパッタリングターゲットにおいて、前記硫化亜鉛は
α型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が０．９５＜
α／β＜１００（好ましくは、１．０≦α／β≦５０）
の範囲内にあるパーティクル発生の少ない光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲット、（２）純度：９９．
９９９重量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ
％、酸化アルミニウム：１０〜１０００ｐｐｍを含有
し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛か
らなる組成、並びに相対密度：９０％以上を有する焼結
体からなるスパッタリングターゲットであって、前記硫
化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が
０．９５＜α／β＜１００（好ましくは、１．０≦α／
β≦５０）の範囲内にあるパーティクル発生の少ない光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、（３）前
記（１）および（２）の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットに含まれる硫化亜鉛のα型結晶およびβ
型結晶の最大結晶粒径は１５μｍ以下でかつ平均結晶粒
径は１０μｍ以下であるパーティクル発生の少ない光記
録保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有
するものである。
たものであって、（１）純度：９９．９９９重量％以上
の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが
純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組
成、並びに相対密度：９０％以上を有する焼結体からな
るスパッタリングターゲットにおいて、前記硫化亜鉛は
α型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が０．９５＜
α／β＜１００（好ましくは、１．０≦α／β≦５０）
の範囲内にあるパーティクル発生の少ない光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲット、（２）純度：９９．
９９９重量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ
％、酸化アルミニウム：１０〜１０００ｐｐｍを含有
し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛か
らなる組成、並びに相対密度：９０％以上を有する焼結
体からなるスパッタリングターゲットであって、前記硫
化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が
０．９５＜α／β＜１００（好ましくは、１．０≦α／
β≦５０）の範囲内にあるパーティクル発生の少ない光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、（３）前
記（１）および（２）の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットに含まれる硫化亜鉛のα型結晶およびβ
型結晶の最大結晶粒径は１５μｍ以下でかつ平均結晶粒
径は１０μｍ以下であるパーティクル発生の少ない光記
録保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有
するものである。
【０００７】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、熱処理した純度：９９．９９９重量
％以上の硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％以
上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、こ
れらを均一に混合して得られた混合粉末をホットプレス
することにより製造する。さらに焼結性を向上させ機械
的強度を向上させるために、酸化アルミニウム粉末を１
０〜１０００ｐｐｍを添加する。
ングターゲットは、熱処理した純度：９９．９９９重量
％以上の硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％以
上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、こ
れらを均一に混合して得られた混合粉末をホットプレス
することにより製造する。さらに焼結性を向上させ機械
的強度を向上させるために、酸化アルミニウム粉末を１
０〜１０００ｐｐｍを添加する。
【０００８】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットに含まれる酸化アルミニウム量を１０〜
１０００ｐｐｍに限定した理由は、酸化アルミニウムの
添加量が１０ｐｐｍ未満では焼結性向上が十分でないた
めに十分な機械的強度が得られず、一方、１０００ｐｐ
ｍを越えて含有すると、得られた光記録保護膜の膜質が
低下するので好ましくないことによるものである。この
発明の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットに
含まれる酸化アルミニウム量の一層好ましい範囲は１５
０〜４００ｐｐｍである。
ングターゲットに含まれる酸化アルミニウム量を１０〜
１０００ｐｐｍに限定した理由は、酸化アルミニウムの
添加量が１０ｐｐｍ未満では焼結性向上が十分でないた
めに十分な機械的強度が得られず、一方、１０００ｐｐ
ｍを越えて含有すると、得られた光記録保護膜の膜質が
低下するので好ましくないことによるものである。この
発明の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットに
含まれる酸化アルミニウム量の一層好ましい範囲は１５
０〜４００ｐｐｍである。
【０００９】硫化亜鉛のα型結晶とβ型結晶の混在比率
（α／β）を０．９５＜α／β＜１００の範囲内にある
ように制御するには、硫化亜鉛粉末を９１０〜１１００
℃（好ましくは、１０５０〜１１００℃）の温度で６〜
１０時間保持した後、保持温度から２００℃までの冷却
速度を２〜５℃／min で冷却の熱処理を施し、さらに焼
結条件をＡｒガス雰囲気中、圧力：１５０〜２００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 、温度：１１００〜１１５０℃（好ましく
は、１１２０〜１１５０℃）、６〜１２時間保持した
後、この保持温度から２００℃までを２〜５℃／ｍｉｎ
の範囲内の冷却速度で１００℃以下に冷却し、取り出す
ことにより得られる。このようにして得られたこの発明
の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットは、い
かなるスパッタリング装置にも適用できるが、特に枚葉
式スパッタリング装置のターゲットとして使用すると、
スパッタリング時に発生するパーティクルの数は特に少
なくなり効果的である。
（α／β）を０．９５＜α／β＜１００の範囲内にある
ように制御するには、硫化亜鉛粉末を９１０〜１１００
℃（好ましくは、１０５０〜１１００℃）の温度で６〜
１０時間保持した後、保持温度から２００℃までの冷却
速度を２〜５℃／min で冷却の熱処理を施し、さらに焼
結条件をＡｒガス雰囲気中、圧力：１５０〜２００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 、温度：１１００〜１１５０℃（好ましく
は、１１２０〜１１５０℃）、６〜１２時間保持した
後、この保持温度から２００℃までを２〜５℃／ｍｉｎ
の範囲内の冷却速度で１００℃以下に冷却し、取り出す
ことにより得られる。このようにして得られたこの発明
の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットは、い
かなるスパッタリング装置にも適用できるが、特に枚葉
式スパッタリング装置のターゲットとして使用すると、
スパッタリング時に発生するパーティクルの数は特に少
なくなり効果的である。
【００１０】
【発明の実施の形態】原料粉末として、粒径：４±１μ
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、
平均粒径：１０μｍを有し純度：９９．９９９重量％以
上のＳｉＯ2素粉末および平均粒径：１μｍを有し純
度：９９．９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3粉末を用意し、
ＺｎＳ粉末をＡｒガス雰囲気中において表１に示される
条件の熱処理を施し、ＺｎＳ粉末Ａ〜Ｈを作製した。た
だし、ＺｎＳ粉末Ｈは熱処理をしない粉末である。
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、
平均粒径：１０μｍを有し純度：９９．９９９重量％以
上のＳｉＯ2素粉末および平均粒径：１μｍを有し純
度：９９．９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3粉末を用意し、
ＺｎＳ粉末をＡｒガス雰囲気中において表１に示される
条件の熱処理を施し、ＺｎＳ粉末Ａ〜Ｈを作製した。た
だし、ＺｎＳ粉末Ｈは熱処理をしない粉末である。
【００１１】
【表１】
【００１２】実施例１ この熱処理したＺｎＳ粉末Ａ〜Ｇおよび熱処理しないＺ
ｎＳ粉末Ｈに対して、前記用意したＳｉＯ2 粉末を表２
に示される割合で配合し、ボールミルにて２０時間撹拌
混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充
填し、アルゴン雰囲気中、表２に示される圧力、温度お
よび時間保持の条件でホットプレスすることにより、表
３に示される成分組成、相対密度、α／βおよび硫化亜
鉛のα型結晶とβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶
粒径を有し、さらに直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの
寸法を有する円盤状の本発明ターゲット１〜１２、比較
ターゲット１および従来ターゲットを製造した。
ｎＳ粉末Ｈに対して、前記用意したＳｉＯ2 粉末を表２
に示される割合で配合し、ボールミルにて２０時間撹拌
混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充
填し、アルゴン雰囲気中、表２に示される圧力、温度お
よび時間保持の条件でホットプレスすることにより、表
３に示される成分組成、相対密度、α／βおよび硫化亜
鉛のα型結晶とβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶
粒径を有し、さらに直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの
寸法を有する円盤状の本発明ターゲット１〜１２、比較
ターゲット１および従来ターゲットを製造した。
【００１３】なお、本発明ターゲット１〜１２、比較タ
ーゲット１および従来ターゲットの硫化亜鉛のα／βは
それぞれＸ線回折により求めた第１ピーク値（１００）
αと（１１１）βを測定してその比率を求め、一方、本
発明ターゲット１〜１２、比較ターゲット１および従来
ターゲットの結晶粒径は、焼結体の断面をダイヤモンド
ペーストを用いて研磨した後、走査型電子顕微鏡にて測
定し求めた。
ーゲット１および従来ターゲットの硫化亜鉛のα／βは
それぞれＸ線回折により求めた第１ピーク値（１００）
αと（１１１）βを測定してその比率を求め、一方、本
発明ターゲット１〜１２、比較ターゲット１および従来
ターゲットの結晶粒径は、焼結体の断面をダイヤモンド
ペーストを用いて研磨した後、走査型電子顕微鏡にて測
定し求めた。
【００１４】これら本発明ターゲット１〜１２、比較タ
ーゲット１および従来ターゲットを銅製の冷却用バッキ
ングプレートにハンダ付けし、これを図１に示されるよ
うに、枚葉式の高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし、スパッタガス：Ａｒ、スパッタガス圧力：
５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ時間：１分間および５分
間、電力：６００Ｗの条件でスパッタを行い、１分間ス
パッタ終了後および５分間スパッタ終了後のパーティク
ル数をパーティクルカウンターにて測定し、その結果を
表３に示した。
ーゲット１および従来ターゲットを銅製の冷却用バッキ
ングプレートにハンダ付けし、これを図１に示されるよ
うに、枚葉式の高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし、スパッタガス：Ａｒ、スパッタガス圧力：
５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ時間：１分間および５分
間、電力：６００Ｗの条件でスパッタを行い、１分間ス
パッタ終了後および５分間スパッタ終了後のパーティク
ル数をパーティクルカウンターにて測定し、その結果を
表３に示した。
【００１５】なお、図１において、１はターゲット、２
はバッキングプレート、３は基板電極、４は基板、５は
ゲートバルブ、６はスパッタチャンバ、７は搬送チャン
バ、８は収納チャンバ、９はスパッタ粒子を示す。枚葉
式スパッタリング装置においては、搬送前基板４−１を
搬送チャンバ７に保管しておき、この搬送前基板４−１
をゲートバルブ５を通して１枚づつ基板電極３に送り、
スパッタ粒子９を堆積させてスパッタ膜を形成した後、
収納チャンバ８に収納される。
はバッキングプレート、３は基板電極、４は基板、５は
ゲートバルブ、６はスパッタチャンバ、７は搬送チャン
バ、８は収納チャンバ、９はスパッタ粒子を示す。枚葉
式スパッタリング装置においては、搬送前基板４−１を
搬送チャンバ７に保管しておき、この搬送前基板４−１
をゲートバルブ５を通して１枚づつ基板電極３に送り、
スパッタ粒子９を堆積させてスパッタ膜を形成した後、
収納チャンバ８に収納される。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】表２〜表３に示される結果から、６００Ｗ
の高出力をかけて成膜速度を早めてスパッタリングを行
った場合、本発明ターゲット１〜１２は、比較ターゲッ
ト１および従来ターゲットに比べて、パーティクルの発
生量が少ないことが分かる。
の高出力をかけて成膜速度を早めてスパッタリングを行
った場合、本発明ターゲット１〜１２は、比較ターゲッ
ト１および従来ターゲットに比べて、パーティクルの発
生量が少ないことが分かる。
【００１９】実施例２ 表１に示される熱処理したＺｎＳ粉末Ａ〜Ｇおよび熱処
理しないＺｎＳ粉末Ｈに対して、ＳｉＯ2 粉末およびＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末を表４に示される割合で配合し、アルゴン
雰囲気中、表４に示される圧力、温度および時間保持の
条件でホットプレスすることにより、表５に示される成
分組成、相対密度、α／βおよび硫化亜鉛のα型結晶と
β型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒径を有し、直
径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の
本発明ターゲット１３〜２２を製造した。
理しないＺｎＳ粉末Ｈに対して、ＳｉＯ2 粉末およびＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末を表４に示される割合で配合し、アルゴン
雰囲気中、表４に示される圧力、温度および時間保持の
条件でホットプレスすることにより、表５に示される成
分組成、相対密度、α／βおよび硫化亜鉛のα型結晶と
β型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒径を有し、直
径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の
本発明ターゲット１３〜２２を製造した。
【００２０】これら本発明ターゲット１３〜２２を銅製
の冷却用バッキングプレートにハンダ付けし、これを実
施例１と全く同様にして枚葉式の高周波マグネトロンス
パッタリング装置にセットし、スパッタガス：Ａｒ、ス
パッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ時間：
１分間および５分間、電力：６００Ｗの条件でスパッタ
を行い、１分間スパッタ終了後および５分間スパッタ終
了後にパーティクルカウンターにてパーティクル数を測
定し、さらにスパッタリング完了後のターゲットの割れ
の有無を調べ、その結果を表５に示した。
の冷却用バッキングプレートにハンダ付けし、これを実
施例１と全く同様にして枚葉式の高周波マグネトロンス
パッタリング装置にセットし、スパッタガス：Ａｒ、ス
パッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ時間：
１分間および５分間、電力：６００Ｗの条件でスパッタ
を行い、１分間スパッタ終了後および５分間スパッタ終
了後にパーティクルカウンターにてパーティクル数を測
定し、さらにスパッタリング完了後のターゲットの割れ
の有無を調べ、その結果を表５に示した。
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】表４〜表５に示される結果から、Ａｌ2 Ｏ
3 を１０〜１０００ｐｐｍ含む本発明ターゲット１３〜
２２は、６００Ｗの高出力をかけて成膜速度を早めてス
パッタリングを行った場合、実施例１で作製した表２〜
表３に示される比較ターゲット１および従来ターゲット
に比べて、パーティクルの発生量が少なくかつスパッタ
リングを完了しても割れが発生せず、したがって、成膜
速度を早めることができることも分かる。
3 を１０〜１０００ｐｐｍ含む本発明ターゲット１３〜
２２は、６００Ｗの高出力をかけて成膜速度を早めてス
パッタリングを行った場合、実施例１で作製した表２〜
表３に示される比較ターゲット１および従来ターゲット
に比べて、パーティクルの発生量が少なくかつスパッタ
リングを完了しても割れが発生せず、したがって、成膜
速度を早めることができることも分かる。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、この発明の光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットは、高出力スパッタリ
ングを行ってもパーティクルの発生が少なく、かつ割れ
が発生することのない光記録保護膜形成用スパッタリン
グターゲットを提供することができるので、光メディア
産業の発展に大いに貢献し得るものである。
形成用スパッタリングターゲットは、高出力スパッタリ
ングを行ってもパーティクルの発生が少なく、かつ割れ
が発生することのない光記録保護膜形成用スパッタリン
グターゲットを提供することができるので、光メディア
産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【図１】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲットを使用するに適した枚葉式スパッタリング装
置の概略説明図である。
ターゲットを使用するに適した枚葉式スパッタリング装
置の概略説明図である。
１ ターゲット ２ バッキングプレート ３ 基板電極 ４ 基板 ５ ゲートバルブ ６ スパッタチャンバ ７ 搬送チャンバ ８ 収納チャンバ ９ スパッタ粒子
Claims (3)
- 【請求項１】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに
相対密度：９０％以上を有する焼結体からなるスパッタ
リングターゲットにおいて、 前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／
β）が０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあることを
特徴とするパーティクル発生の少ない光記録保護膜形成
用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、酸化アルミニウム：１０
〜１０００ｐｐｍを含有し、残りが純度：９９．９９９
重量％以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに相対密度：
９０％以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲ
ットであって、 前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／
β）が０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあることを
特徴とするパーティクル発生の少ない光記録保護膜形成
用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 前記硫化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶
の最大結晶粒径は１５μｍ以下でかつ平均結晶粒径は１
０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記
載のパーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23285496A JP3368764B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23285496A JP3368764B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1081960A true JPH1081960A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3368764B2 JP3368764B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=16945863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23285496A Expired - Fee Related JP3368764B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3368764B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261984B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-07-17 | Tosoh Corporation | Sputtering target and process for the preparation thereof |
| JP2007211345A (ja) * | 1998-12-07 | 2007-08-23 | Nikko Kinzoku Kk | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP23285496A patent/JP3368764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261984B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-07-17 | Tosoh Corporation | Sputtering target and process for the preparation thereof |
| JP2007211345A (ja) * | 1998-12-07 | 2007-08-23 | Nikko Kinzoku Kk | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP4527126B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2010-08-18 | 日鉱金属株式会社 | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3368764B2 (ja) | 2003-01-20 |
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