JPH11213465A - 光記録保護膜の製造方法 - Google Patents
光記録保護膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH11213465A JPH11213465A JP10014057A JP1405798A JPH11213465A JP H11213465 A JPH11213465 A JP H11213465A JP 10014057 A JP10014057 A JP 10014057A JP 1405798 A JP1405798 A JP 1405798A JP H11213465 A JPH11213465 A JP H11213465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purity
- zinc sulfide
- protective film
- sputtering
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる、均一な膜
厚分布の保護膜を形成する。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し（更に、酸
化アルミニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有しても良
い）、残りが純度：９９．９９９重量％以上の高純度硫
化亜鉛からなり、相対密度が９０％以上有する焼結体
で、α型結晶の硫化亜鉛とβ型結晶の硫化亜鉛との比率
が、０．３ ≦ α／β ≦ ０．９５の範囲にあるス
パッタリングターゲットを用いてスパッタリングするこ
とを特徴とする。
う光ディスクなどの光メディアに用いられる、均一な膜
厚分布の保護膜を形成する。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し（更に、酸
化アルミニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有しても良
い）、残りが純度：９９．９９９重量％以上の高純度硫
化亜鉛からなり、相対密度が９０％以上有する焼結体
で、α型結晶の硫化亜鉛とβ型結晶の硫化亜鉛との比率
が、０．３ ≦ α／β ≦ ０．９５の範囲にあるス
パッタリングターゲットを用いてスパッタリングするこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットに
関するものである。
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケイ素と純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットは知られている（特開平６−６５７
２５号公報参照）。この従来の光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以
上の高純度硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％
以上の高純度二酸化ケイ素粉末を添加し混合して、得ら
れた混合粉末を加圧後焼結することにより製造すること
も知られている。
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケイ素と純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体からなるスパッ
タリングターゲットは知られている（特開平６−６５７
２５号公報参照）。この従来の光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以
上の高純度硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重量％
以上の高純度二酸化ケイ素粉末を添加し混合して、得ら
れた混合粉末を加圧後焼結することにより製造すること
も知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年光記録保
護膜に対する性能要求、特に膜厚分布の均一性の要求が
一層厳しくなり、成膜速度を多少犠牲にしても膜厚分布
の均一性が第１の要求課題となってきた。
護膜に対する性能要求、特に膜厚分布の均一性の要求が
一層厳しくなり、成膜速度を多少犠牲にしても膜厚分布
の均一性が第１の要求課題となってきた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
膜厚分布の均一性に影響を及ぼすターゲットの物性に着
目して、膜厚分布の均一な成膜が可能な光記録保護膜形
成用スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なっ
た結果、ターゲットの結晶性、特に高温安定相であるα
型結晶の硫化亜鉛（六方晶、以下αという）の存在が膜
厚分布の均一性に著しい効果を有するという知見を得た
のである。
膜厚分布の均一性に影響を及ぼすターゲットの物性に着
目して、膜厚分布の均一な成膜が可能な光記録保護膜形
成用スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なっ
た結果、ターゲットの結晶性、特に高温安定相であるα
型結晶の硫化亜鉛（六方晶、以下αという）の存在が膜
厚分布の均一性に著しい効果を有するという知見を得た
のである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、以下の発明からなる。 （１）純度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純度：９
９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からなり、相対
密度が９０％以上を有する焼結体であり、α型結晶の硫
化亜鉛とβ型結晶の硫化亜鉛の比率が、０．３ ≦ α
／β ≦ ０．９５の範囲にあることを特徴とするスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリングすること
を特徴とする光記録保護膜の製造方法。 （２）純度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％と、さらに、酸化アルミニウ
ムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、残りが純度：９９．
９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からなり、相対密度
が９０％以上有する焼結体であり、α型結晶の硫化亜鉛
とβ型結晶の硫化亜鉛の比率が、０．３≦ α／β ≦
０．９５の範囲にあることを特徴とする光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グすることを特徴とする光記録保護膜の製造方法。 （３）高周波マグネトロンスパッタリング法で、基板温
度２０〜３００℃、Ａｒ雰囲気圧力０．００１〜０．１
ｔｏｒｒ、投入電力１００〜１０００Ｗの条件でスパッ
タリングすることを特徴とする（１）または（２）に記
載の光記録保護膜の製造方法。
たものであって、以下の発明からなる。 （１）純度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純度：９
９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からなり、相対
密度が９０％以上を有する焼結体であり、α型結晶の硫
化亜鉛とβ型結晶の硫化亜鉛の比率が、０．３ ≦ α
／β ≦ ０．９５の範囲にあることを特徴とするスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリングすること
を特徴とする光記録保護膜の製造方法。 （２）純度：９９．９９９重量％以上の高純度二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％と、さらに、酸化アルミニウ
ムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、残りが純度：９９．
９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からなり、相対密度
が９０％以上有する焼結体であり、α型結晶の硫化亜鉛
とβ型結晶の硫化亜鉛の比率が、０．３≦ α／β ≦
０．９５の範囲にあることを特徴とする光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グすることを特徴とする光記録保護膜の製造方法。 （３）高周波マグネトロンスパッタリング法で、基板温
度２０〜３００℃、Ａｒ雰囲気圧力０．００１〜０．１
ｔｏｒｒ、投入電力１００〜１０００Ｗの条件でスパッ
タリングすることを特徴とする（１）または（２）に記
載の光記録保護膜の製造方法。
【０００６】なお、本発明において、α型結晶の硫化亜
鉛とβ型結晶の硫化亜鉛の比率は、Ｘ線回折法により求
めた各々の第１ピーク値（（１００）αと（１１１）
β）の比率を測定して求めたものである。
鉛とβ型結晶の硫化亜鉛の比率は、Ｘ線回折法により求
めた各々の第１ピーク値（（１００）αと（１１１）
β）の比率を測定して求めたものである。
【０００７】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、α型結晶の硫化亜鉛とβ型結晶の硫
化亜鉛の比率が、０．３ ≦ α／β ≦ ０．９５の
範囲にあることを特徴としており、好ましくは０．５
≦ α／β ≦ ０．９５より好ましくは０．７ ≦
α／β ≦ ０．９５であることを要するが、従来、硫
化亜鉛の焼結体からなるスパッタリングターゲット中の
α・β相の制御に着目した研究例は乏しく、わずかの製
造条件の違いによってα／βの比率が大きく変動するた
め、工業的に再現性のよいα／βの制御は、本発明によ
って初めて達成された。この発明の光記録保護膜形成用
スパッタリングターゲットに含まれるα／βの比率を
０．３以上に限定した理由は、０．３未満では膜厚分布
の均一性が得られず、０．９５以下に限定した理由は、
成膜速度が実用程度以下に低下することによるものであ
る。この発明の光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲットに含まれるα／βの比率の一層好ましい範囲は、
０．５ ≦ α／β ≦ ０．９５であり、さらに好ま
しくは、０．７ ≦ α／β ≦ ０．９５である。ま
た、本発明のスパッタリング法は、高周波マグネトロン
スパッタリング法が好ましく、スパッタリング時の基板
温度は２０〜３００℃が好ましく、１００〜２８０℃で
あるとより好ましい。スパッタリング時のＡｒ雰囲気圧
力は０．００１〜０．１ｔｏｒｒが好ましく、０．００
３〜０．０５ｔｏｒｒであるとより好ましい。スパッタ
リング時の投入電力は、１００〜１０００Ｗが好まし
く、１５０〜６００Ｗであるとより好ましい。
ングターゲットは、α型結晶の硫化亜鉛とβ型結晶の硫
化亜鉛の比率が、０．３ ≦ α／β ≦ ０．９５の
範囲にあることを特徴としており、好ましくは０．５
≦ α／β ≦ ０．９５より好ましくは０．７ ≦
α／β ≦ ０．９５であることを要するが、従来、硫
化亜鉛の焼結体からなるスパッタリングターゲット中の
α・β相の制御に着目した研究例は乏しく、わずかの製
造条件の違いによってα／βの比率が大きく変動するた
め、工業的に再現性のよいα／βの制御は、本発明によ
って初めて達成された。この発明の光記録保護膜形成用
スパッタリングターゲットに含まれるα／βの比率を
０．３以上に限定した理由は、０．３未満では膜厚分布
の均一性が得られず、０．９５以下に限定した理由は、
成膜速度が実用程度以下に低下することによるものであ
る。この発明の光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲットに含まれるα／βの比率の一層好ましい範囲は、
０．５ ≦ α／β ≦ ０．９５であり、さらに好ま
しくは、０．７ ≦ α／β ≦ ０．９５である。ま
た、本発明のスパッタリング法は、高周波マグネトロン
スパッタリング法が好ましく、スパッタリング時の基板
温度は２０〜３００℃が好ましく、１００〜２８０℃で
あるとより好ましい。スパッタリング時のＡｒ雰囲気圧
力は０．００１〜０．１ｔｏｒｒが好ましく、０．００
３〜０．０５ｔｏｒｒであるとより好ましい。スパッタ
リング時の投入電力は、１００〜１０００Ｗが好まし
く、１５０〜６００Ｗであるとより好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明ターゲットのα／β
の比率を制御した製造方法について述べる。原料粉末と
して、平均粒径：４±１μｍに制御され、１０５０℃で
１〜５時間熱処理を経た、純度：９９．９９９重量％以
上の高純度ＺｎＳ粉末、平均粒径：１０μｍを有し純
度：９９．９９９重量％以上の高純度ＳｉＯ２ 粉末を
用意し、これら原料粉末を配合し、ポットミルにて攪拌
混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充
填し、アルゴン雰囲気中、圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ２、
温度：１０００〜１１５０℃の条件で３〜５時間のホッ
トプレスを行い、最高保持温度からの冷却速度を制御し
つつ、ターゲットを製造した。表１に示される成分組成
を有し、直径：７５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する
円盤状の本発明ターゲット１〜４、比較ターゲット５〜
６を製造した。
の比率を制御した製造方法について述べる。原料粉末と
して、平均粒径：４±１μｍに制御され、１０５０℃で
１〜５時間熱処理を経た、純度：９９．９９９重量％以
上の高純度ＺｎＳ粉末、平均粒径：１０μｍを有し純
度：９９．９９９重量％以上の高純度ＳｉＯ２ 粉末を
用意し、これら原料粉末を配合し、ポットミルにて攪拌
混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充
填し、アルゴン雰囲気中、圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ２、
温度：１０００〜１１５０℃の条件で３〜５時間のホッ
トプレスを行い、最高保持温度からの冷却速度を制御し
つつ、ターゲットを製造した。表１に示される成分組成
を有し、直径：７５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する
円盤状の本発明ターゲット１〜４、比較ターゲット５〜
６を製造した。
【０００９】これら本発明ターゲット１〜４、比較ター
ゲット５〜６を高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし基板温度：２５０℃、Ａｒ雰囲気圧力：５×
１０ -3ｔｏｒｒの条件に保持し、電力：２００Ｗ、スパ
ッタ時間：１分間でスパッタを行い、スパッタ終了後に
得られたスパッタ膜の膜厚分布を、段差計（ランクテー
ラーホブソン社製タリステップ）により測定し、その結
果を表２に示した。測定用の基板にはガラスを用いター
ゲット中心直上に対し、半径：１０ｍｍおび半径：１５
ｍｍの位置に４枚ずつ９０°ピッチで配置し膜厚測定試
料とした。
ゲット５〜６を高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし基板温度：２５０℃、Ａｒ雰囲気圧力：５×
１０ -3ｔｏｒｒの条件に保持し、電力：２００Ｗ、スパ
ッタ時間：１分間でスパッタを行い、スパッタ終了後に
得られたスパッタ膜の膜厚分布を、段差計（ランクテー
ラーホブソン社製タリステップ）により測定し、その結
果を表２に示した。測定用の基板にはガラスを用いター
ゲット中心直上に対し、半径：１０ｍｍおび半径：１５
ｍｍの位置に４枚ずつ９０°ピッチで配置し膜厚測定試
料とした。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【発明の効果】表２に示される結果から、α／βの比率
を変化させることにより、膜厚分布が十分制御されてお
り、平均成膜速度も３００ｎｍ／分以上が得られた。
を変化させることにより、膜厚分布が十分制御されてお
り、平均成膜速度も３００ｎｍ／分以上が得られた。
【００１３】上述のように、この発明は、α／βの比率
を変化させることにより、膜厚分布の制御可能な光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供すること
ができるので、光メディア産業の発展に大いに貢献し得
るものである。
を変化させることにより、膜厚分布の制御可能な光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供すること
ができるので、光メディア産業の発展に大いに貢献し得
るものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上を有する焼結体であり、α型
結晶の硫化亜鉛とβ型結晶の硫化亜鉛の比率が、０．３
≦ α／β ≦ ０．９５の範囲にあることを特徴と
するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング
することを特徴とする光記録保護膜の製造方法。 - 【請求項２】 純度：９９．９９９重量％以上の高純度
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％と、さらに、酸化ア
ルミニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、残りが純
度：９９．９９９重量％以上の高純度硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体であり、α型結
晶の硫化亜鉛とβ型結晶の硫化亜鉛の比率が、０．３
≦ α／β ≦ ０．９５の範囲にあることを特徴とす
る光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを用い
てスパッタリングすることを特徴とする光記録保護膜の
製造方法。 - 【請求項３】 高周波マグネトロンスパッタリング法
で、基板温度２０〜３００℃、Ａｒ雰囲気圧力０．００
１〜０．１ｔｏｒｒ、投入電力１００〜１０００Ｗの条
件でスパッタリングすることを特徴とする請求項１また
は２に記載の光記録保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10014057A JPH11213465A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 光記録保護膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10014057A JPH11213465A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 光記録保護膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213465A true JPH11213465A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11850469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10014057A Pending JPH11213465A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 光記録保護膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213465A (ja) |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP10014057A patent/JPH11213465A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020521 |