JPH11229128A - 光記録保護膜の製造方法 - Google Patents
光記録保護膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH11229128A JPH11229128A JP3574898A JP3574898A JPH11229128A JP H11229128 A JPH11229128 A JP H11229128A JP 3574898 A JP3574898 A JP 3574898A JP 3574898 A JP3574898 A JP 3574898A JP H11229128 A JPH11229128 A JP H11229128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- zinc sulfide
- protective film
- optical recording
- purity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜の製
造方法において、パーティクル発生の少ない光記録保護
膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さらに必要に応
じて酸化アルミニウム：１０〜１０００ｐｐｍを含有
し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛か
らなる組成、並びに相対密度：９０％以上有する焼結体
であり、前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率
（α／β）が０．９５＜α／β＜１００の範囲内のスパ
ッタリングターゲットを用いることを特徴とする。
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜の製
造方法において、パーティクル発生の少ない光記録保護
膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さらに必要に応
じて酸化アルミニウム：１０〜１０００ｐｐｍを含有
し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛か
らなる組成、並びに相対密度：９０％以上有する焼結体
であり、前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率
（α／β）が０．９５＜α／β＜１００の範囲内のスパ
ッタリングターゲットを用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットを
用いた光記録保護膜の製造方法に関するものであり、特
にスパッタリング時にパーティクルが発生することの少
ない光記録保護膜の製造方法に関するものである。
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリングターゲットを
用いた光記録保護膜の製造方法に関するものであり、特
にスパッタリング時にパーティクルが発生することの少
ない光記録保護膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対密度が
９０％以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲ
ットは知られている（特開平６−６５７２５号公報参
照）。この従来の光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛
粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケ
イ素粉末：２０ｍｏｌ％添加し均一に混合して、得られ
た混合粉末を加圧後焼結することにより製造することも
知られている。
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対密度が
９０％以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲ
ットは知られている（特開平６−６５７２５号公報参
照）。この従来の光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛
粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケ
イ素粉末：２０ｍｏｌ％添加し均一に混合して、得られ
た混合粉末を加圧後焼結することにより製造することも
知られている。
【０００３】さらに、一般に、硫化亜鉛はα型結晶およ
びβ型結晶の２つの結晶型があり、α型結晶は六方晶系
ウルツ鉱型構造を有し高温で安定であり、一方、β型結
晶は閃亜鉛鉱型構造を有し室温で安定であること、さら
にα型結晶およびβ型結晶の転移温度は１０２０℃であ
ることなども知られている。
びβ型結晶の２つの結晶型があり、α型結晶は六方晶系
ウルツ鉱型構造を有し高温で安定であり、一方、β型結
晶は閃亜鉛鉱型構造を有し室温で安定であること、さら
にα型結晶およびβ型結晶の転移温度は１０２０℃であ
ることなども知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録保護膜の
性能に対する要求は益々厳しく、特にスパッタリング中
に発生するパーティクル抑制に対する要求が厳しくな
り、成膜速度あるいは膜厚の均一性を多少犠牲にしても
スパッタリング時にパーティクル発生の少ないターゲッ
トが求められているが、未だスパッタリング時にパーテ
ィクル発生の少ないターゲットは得られていない。
性能に対する要求は益々厳しく、特にスパッタリング中
に発生するパーティクル抑制に対する要求が厳しくな
り、成膜速度あるいは膜厚の均一性を多少犠牲にしても
スパッタリング時にパーティクル発生の少ないターゲッ
トが求められているが、未だスパッタリング時にパーテ
ィクル発生の少ないターゲットは得られていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
スパッタリング中のパーティクル発生が少ないターゲッ
トを得るべく研究を行なった結果、（ａ）純度：９９．
９９９重量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％
を含有し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化
亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリン
グターゲットにおいて、前記硫化亜鉛の結晶型がスパッ
タリング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、
硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が
０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあると、スパッタ
リング時のパーティクル発生が抑制され、α／βの値は
１．０≦α／β≦５０の範囲内にあることが一層好まし
い、（ｂ）前記スパッタリングターゲットに含まれる硫
化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶の結晶粒径がスパッタ
リング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、α
型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒
径は微細であるほど好ましく、その最大結晶粒径は１５
μｍ以下でかつ平均結晶粒径は１０μｍ以下であること
が好ましい、（ｃ）純度：９９．９９９重量％以上の硫
化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二
酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、さらに酸
化アルミニウム粉末を１０〜１０００ｐｐｍを添加し、
これらを混合して得られた混合粉末をホットプレスする
ことにより得られたスパッタリングターゲットは、焼結
性が向上するために機械的強度が向上し、スパッタリン
グ時に割れが発生しない、（ｄ）スパッタリング条件
は、枚葉式高周波マグネトロンスパッタリング装置を用
い、Ａｒをスパッタガスとし、スパッタガス圧力０．０
０１〜０．１Ｔｏｒｒ、電力１００〜１０００Ｗである
ことが好ましい、などの知見を得たのである。
スパッタリング中のパーティクル発生が少ないターゲッ
トを得るべく研究を行なった結果、（ａ）純度：９９．
９９９重量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％
を含有し、残りが純度：９９．９９９重量％以上の硫化
亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリン
グターゲットにおいて、前記硫化亜鉛の結晶型がスパッ
タリング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、
硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が
０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあると、スパッタ
リング時のパーティクル発生が抑制され、α／βの値は
１．０≦α／β≦５０の範囲内にあることが一層好まし
い、（ｂ）前記スパッタリングターゲットに含まれる硫
化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶の結晶粒径がスパッタ
リング時のパーティクル発生に大きな影響を及ぼし、α
型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒
径は微細であるほど好ましく、その最大結晶粒径は１５
μｍ以下でかつ平均結晶粒径は１０μｍ以下であること
が好ましい、（ｃ）純度：９９．９９９重量％以上の硫
化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上の二
酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し、さらに酸
化アルミニウム粉末を１０〜１０００ｐｐｍを添加し、
これらを混合して得られた混合粉末をホットプレスする
ことにより得られたスパッタリングターゲットは、焼結
性が向上するために機械的強度が向上し、スパッタリン
グ時に割れが発生しない、（ｄ）スパッタリング条件
は、枚葉式高周波マグネトロンスパッタリング装置を用
い、Ａｒをスパッタガスとし、スパッタガス圧力０．０
０１〜０．１Ｔｏｒｒ、電力１００〜１０００Ｗである
ことが好ましい、などの知見を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）純度：９９．９９９重量％以上
の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが
純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組
成、並びに相対密度：９０％以上を有する焼結体であ
り、前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α
／β）が０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあること
を特徴とするスパッタリングターゲットを用いて、スパ
ッタリングすることを特徴とする光記録保護膜の製造方
法、（２）純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ
素：１０〜３０ｍｏｌ％、酸化アルミニウム：１０〜１
０００ｐｐｍを含有し、残りが純度：９９．９９９重量
％以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに相対密度：９０
％以上有する焼結体であり、前記硫化亜鉛はα型結晶と
β型結晶の混在比率（α／β）が０．９５＜α／β＜１
００の範囲内にあることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲットを用いて、スパッタリングすることを特徴とす
る光記録保護膜の製造方法、（３）前記硫化亜鉛のα型
結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径は１５μｍ以下でか
つ平均結晶粒径は１０μｍ以下であることを特徴とする
（１）または（２）の光記録保護膜の製造方法、（４）
前記スパッタリングは、枚葉式高周波マグネトロンスパ
ッタリング装置を用い、Ａｒをスパッタガスとし、スパ
ッタガス圧力０．００１〜０．１Ｔｏｒｒ、電力１００
〜１０００Ｗの条件でスパッタリングすることを特徴と
する（１）〜（３）のいずれかの光記録保護膜の製造方
法、に特徴を有するものである。
たものであって、（１）純度：９９．９９９重量％以上
の二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが
純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組
成、並びに相対密度：９０％以上を有する焼結体であ
り、前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α
／β）が０．９５＜α／β＜１００の範囲内にあること
を特徴とするスパッタリングターゲットを用いて、スパ
ッタリングすることを特徴とする光記録保護膜の製造方
法、（２）純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ
素：１０〜３０ｍｏｌ％、酸化アルミニウム：１０〜１
０００ｐｐｍを含有し、残りが純度：９９．９９９重量
％以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに相対密度：９０
％以上有する焼結体であり、前記硫化亜鉛はα型結晶と
β型結晶の混在比率（α／β）が０．９５＜α／β＜１
００の範囲内にあることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲットを用いて、スパッタリングすることを特徴とす
る光記録保護膜の製造方法、（３）前記硫化亜鉛のα型
結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径は１５μｍ以下でか
つ平均結晶粒径は１０μｍ以下であることを特徴とする
（１）または（２）の光記録保護膜の製造方法、（４）
前記スパッタリングは、枚葉式高周波マグネトロンスパ
ッタリング装置を用い、Ａｒをスパッタガスとし、スパ
ッタガス圧力０．００１〜０．１Ｔｏｒｒ、電力１００
〜１０００Ｗの条件でスパッタリングすることを特徴と
する（１）〜（３）のいずれかの光記録保護膜の製造方
法、に特徴を有するものである。
【０００７】この発明で用いる光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットは、熱処理した純度：９９．９９
９重量％以上の硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重
量％以上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加
し、これらを均一に混合して得られた混合粉末をホット
プレスすることにより製造する。さらに焼結性を向上さ
せ機械的強度を向上させるために、酸化アルミニウム粉
末を１０〜１０００ｐｐｍを添加する。
ッタリングターゲットは、熱処理した純度：９９．９９
９重量％以上の硫化亜鉛に対し、純度：９９．９９９重
量％以上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加
し、これらを均一に混合して得られた混合粉末をホット
プレスすることにより製造する。さらに焼結性を向上さ
せ機械的強度を向上させるために、酸化アルミニウム粉
末を１０〜１０００ｐｐｍを添加する。
【０００８】この発明で用いる光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットに含まれる酸化アルミニウム量を
１０〜１０００ｐｐｍに限定した理由は、酸化アルミニ
ウムの添加量が１０ｐｐｍ未満では焼結性向上が十分で
ないために十分な機械的強度が得られず、一方、１００
０ｐｐｍを越えて含有すると、得られた光記録保護膜の
膜質が低下するので好ましくないことによるものであ
る。この発明で用いる光記録保護膜形成用スパッタリン
グターゲットに含まれる酸化アルミニウム量の一層好ま
しい範囲は１５０〜４００ｐｐｍである。
ッタリングターゲットに含まれる酸化アルミニウム量を
１０〜１０００ｐｐｍに限定した理由は、酸化アルミニ
ウムの添加量が１０ｐｐｍ未満では焼結性向上が十分で
ないために十分な機械的強度が得られず、一方、１００
０ｐｐｍを越えて含有すると、得られた光記録保護膜の
膜質が低下するので好ましくないことによるものであ
る。この発明で用いる光記録保護膜形成用スパッタリン
グターゲットに含まれる酸化アルミニウム量の一層好ま
しい範囲は１５０〜４００ｐｐｍである。
【０００９】硫化亜鉛のα型結晶とβ型結晶の混在比率
（α／β）を０．９５＜α／β＜１００の範囲内にある
ように制御するには、硫化亜鉛粉末を９１０〜１１００
℃（好ましくは、１０５０〜１１００℃）の温度で６〜
１０時間保持した後、保持温度から２００℃までの冷却
速度を２〜５℃／min で冷却の熱処理を施し、さらに焼
結条件をＡｒガス雰囲気中、圧力：１５０〜２００ｋｇ
ｆ／ｃｍ２ 、温度：１１００〜１１５０℃（好ましく
は、１１２０〜１１５０℃）、６〜１２時間保持した
後、この保持温度から２００℃までを２〜５℃／ｍｉｎ
の範囲内の冷却速度で１００℃以下に冷却し、取り出す
ことにより得られる。このようにして得られたこの発明
で用いる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
は、いかなるスパッタリング装置にも適用できるが、特
に枚葉式スパッタリング装置のターゲットとして使用す
ると、スパッタリング時に発生するパーティクルの数は
特に少なくなり効果的である。また、高周波マグネトロ
ンスパッタリング装置が好ましい。成膜条件は、Ａｒを
スパッタガスとし、スパッタガス圧力０．００１〜０．
１Ｔｏｒｒ、更には０．００３〜０．０３Ｔｏｒｒ、電
力１００〜１０００Ｗ、更には１００〜６００Ｗの条件
でスパッタリングすることが好ましい。また、スパッタ
リング前の到達圧力は、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下である
ことが好ましい。
（α／β）を０．９５＜α／β＜１００の範囲内にある
ように制御するには、硫化亜鉛粉末を９１０〜１１００
℃（好ましくは、１０５０〜１１００℃）の温度で６〜
１０時間保持した後、保持温度から２００℃までの冷却
速度を２〜５℃／min で冷却の熱処理を施し、さらに焼
結条件をＡｒガス雰囲気中、圧力：１５０〜２００ｋｇ
ｆ／ｃｍ２ 、温度：１１００〜１１５０℃（好ましく
は、１１２０〜１１５０℃）、６〜１２時間保持した
後、この保持温度から２００℃までを２〜５℃／ｍｉｎ
の範囲内の冷却速度で１００℃以下に冷却し、取り出す
ことにより得られる。このようにして得られたこの発明
で用いる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
は、いかなるスパッタリング装置にも適用できるが、特
に枚葉式スパッタリング装置のターゲットとして使用す
ると、スパッタリング時に発生するパーティクルの数は
特に少なくなり効果的である。また、高周波マグネトロ
ンスパッタリング装置が好ましい。成膜条件は、Ａｒを
スパッタガスとし、スパッタガス圧力０．００１〜０．
１Ｔｏｒｒ、更には０．００３〜０．０３Ｔｏｒｒ、電
力１００〜１０００Ｗ、更には１００〜６００Ｗの条件
でスパッタリングすることが好ましい。また、スパッタ
リング前の到達圧力は、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下である
ことが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】原料粉末として、粒径：４±１μ
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、
平均粒径：１０μｍを有し純度：９９．９９９重量％以
上のＳｉＯ2素粉末および平均粒径：１μｍを有し純
度：９９．９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3粉末を用意し、
ＺｎＳ粉末をＡｒガス雰囲気中において表１に示される
条件の熱処理を施し、ＺｎＳ粉末Ａ〜Ｈを作製した。た
だし、ＺｎＳ粉末Ｈは熱処理をしない粉末である。
ｍを有し純度：９９．９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、
平均粒径：１０μｍを有し純度：９９．９９９重量％以
上のＳｉＯ2素粉末および平均粒径：１μｍを有し純
度：９９．９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3粉末を用意し、
ＺｎＳ粉末をＡｒガス雰囲気中において表１に示される
条件の熱処理を施し、ＺｎＳ粉末Ａ〜Ｈを作製した。た
だし、ＺｎＳ粉末Ｈは熱処理をしない粉末である。
【００１１】
【表１】
【００１２】実施例１ この熱処理したＺｎＳ粉末Ａ〜Ｇおよび熱処理しないＺ
ｎＳ粉末Ｈに対して、前記用意したＳｉＯ2粉末を表２
に示される割合で配合し、ボールミルにて２０時間攪拌
混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充
填し、アルゴン雰囲気中、表２に示される圧力、温度お
よび時間保持の条件でホットプレスすることにより、表
３に示される成分組成、相対密度、α／βおよび硫化亜
鉛のα型結晶とβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶
粒径を有し、さらに直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの
寸法を有する円盤状の本発明ターゲット１〜１２、比較
ターゲット１および従来ターゲットを製造した。
ｎＳ粉末Ｈに対して、前記用意したＳｉＯ2粉末を表２
に示される割合で配合し、ボールミルにて２０時間攪拌
混合し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充
填し、アルゴン雰囲気中、表２に示される圧力、温度お
よび時間保持の条件でホットプレスすることにより、表
３に示される成分組成、相対密度、α／βおよび硫化亜
鉛のα型結晶とβ型結晶の最大結晶粒径および平均結晶
粒径を有し、さらに直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの
寸法を有する円盤状の本発明ターゲット１〜１２、比較
ターゲット１および従来ターゲットを製造した。
【００１３】なお、本発明ターゲット１〜１２、比較タ
ーゲット１および従来ターゲットの硫化亜鉛のα／βは
それぞれＸ線回折により求めた第１ピーク値（１００）
αと（１１１）βを測定してその比率を求め、一方、本
発明ターゲット１〜１２、比較ターゲット１および従来
ターゲットの結晶粒径は、焼結体の断面をダイヤモンド
ペーストを用いて研磨した後、走査型電子顕微鏡にて測
定し求めた。
ーゲット１および従来ターゲットの硫化亜鉛のα／βは
それぞれＸ線回折により求めた第１ピーク値（１００）
αと（１１１）βを測定してその比率を求め、一方、本
発明ターゲット１〜１２、比較ターゲット１および従来
ターゲットの結晶粒径は、焼結体の断面をダイヤモンド
ペーストを用いて研磨した後、走査型電子顕微鏡にて測
定し求めた。
【００１４】これら本発明ターゲット１〜１２、比較タ
ーゲット１および従来ターゲットを銅製の冷却用バッキ
ングプレートにハンダ付けし、これを図１に示されるよ
うに、枚葉式の高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし、１×１０-7Ｔｏｒｒまで真空に引いた後、
スパッタガス：Ａｒ、スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔ
ｏｒｒ、スパッタ時間：１分間および５分間、電力：６
００Ｗの条件でスパッタを行い、１分間スパッタ終了後
および５分間スパッタ終了後のパーティクル数をパーテ
ィクルカウンターにて測定し、その結果を表３に示し
た。
ーゲット１および従来ターゲットを銅製の冷却用バッキ
ングプレートにハンダ付けし、これを図１に示されるよ
うに、枚葉式の高周波マグネトロンスパッタリング装置
にセットし、１×１０-7Ｔｏｒｒまで真空に引いた後、
スパッタガス：Ａｒ、スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔ
ｏｒｒ、スパッタ時間：１分間および５分間、電力：６
００Ｗの条件でスパッタを行い、１分間スパッタ終了後
および５分間スパッタ終了後のパーティクル数をパーテ
ィクルカウンターにて測定し、その結果を表３に示し
た。
【００１５】なお、図１において、１はターゲット、２
はバッキングプレート、３は基板電極、４は基板、５は
ゲートバルブ、６はスパッタチャンバ、７は搬送チャン
バ、８は収納チャンバ、９はスパッタ粒子を示す。枚葉
式スパッタリング装置においては、搬送前基板４−１を
搬送チャンバ７に保管しておき、この搬送前基板４−１
をゲートバルブ５を通して１枚づつ基板電極３に送り、
スパッタ粒子９を堆積させてスパッタ膜を形成した後、
収納チャンバ８に収納される。
はバッキングプレート、３は基板電極、４は基板、５は
ゲートバルブ、６はスパッタチャンバ、７は搬送チャン
バ、８は収納チャンバ、９はスパッタ粒子を示す。枚葉
式スパッタリング装置においては、搬送前基板４−１を
搬送チャンバ７に保管しておき、この搬送前基板４−１
をゲートバルブ５を通して１枚づつ基板電極３に送り、
スパッタ粒子９を堆積させてスパッタ膜を形成した後、
収納チャンバ８に収納される。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】表２〜表３に示される結果から、６００Ｗ
の高出力をかけて成膜速度を早めてスパッタリングを行
った場合、本発明ターゲット１〜１２は、比較ターゲッ
ト１および従来ターゲットに比べて、パーティクルの発
生量が少ないことが分かる。
の高出力をかけて成膜速度を早めてスパッタリングを行
った場合、本発明ターゲット１〜１２は、比較ターゲッ
ト１および従来ターゲットに比べて、パーティクルの発
生量が少ないことが分かる。
【００１９】実施例２ 表１に示される熱処理したＺｎＳ粉末Ａ〜Ｇおよび熱処
理しないＺｎＳ粉末Ｈに対して、ＳｉＯ2粉末およびＡ
ｌ2Ｏ3粉末を表４に示される割合で配合し、アルゴン雰
囲気中、表４に示される圧力、温度および時間保持の条
件でホットプレスすることにより、表５に示される成分
組成、相対密度、α／βおよび硫化亜鉛のα型結晶とβ
型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒径を有し、直
径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の
本発明ターゲット１３〜２２を製造した。
理しないＺｎＳ粉末Ｈに対して、ＳｉＯ2粉末およびＡ
ｌ2Ｏ3粉末を表４に示される割合で配合し、アルゴン雰
囲気中、表４に示される圧力、温度および時間保持の条
件でホットプレスすることにより、表５に示される成分
組成、相対密度、α／βおよび硫化亜鉛のα型結晶とβ
型結晶の最大結晶粒径および平均結晶粒径を有し、直
径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の
本発明ターゲット１３〜２２を製造した。
【００２０】これら本発明ターゲット１３〜２２を銅製
の冷却用バッキングプレートにハンダ付けし、これを実
施例１と全く同様にして枚葉式の高周波マグネトロンス
パッタリング装置にセットし、１×１０-7Ｔｏｒｒまで
真空に引いた後、スパッタガス：Ａｒ、スパッタガス圧
力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ時間：１分間および
５分間、電力：６００Ｗの条件でスパッタを行い、１分
間スパッタ終了後および５分間スパッタ終了後にパーテ
ィクルカウンターにてパーティクル数を測定し、さらに
スパッタリング完了後のターゲットの割れの有無を調
べ、その結果を表５に示した。
の冷却用バッキングプレートにハンダ付けし、これを実
施例１と全く同様にして枚葉式の高周波マグネトロンス
パッタリング装置にセットし、１×１０-7Ｔｏｒｒまで
真空に引いた後、スパッタガス：Ａｒ、スパッタガス圧
力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ時間：１分間および
５分間、電力：６００Ｗの条件でスパッタを行い、１分
間スパッタ終了後および５分間スパッタ終了後にパーテ
ィクルカウンターにてパーティクル数を測定し、さらに
スパッタリング完了後のターゲットの割れの有無を調
べ、その結果を表５に示した。
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】表４〜表５に示される結果から、Ａｌ2Ｏ3
を１０〜１０００ｐｐｍ含む本発明ターゲット１３〜２
２は、６００Ｗの高出力をかけて成膜速度を早めてスパ
ッタリングを行った場合、実施例１で作製した表２〜表
３に示される比較ターゲット１および従来ターゲットに
比べて、パーティクルの発生量が少なくかつスパッタリ
ングを完了しても割れが発生せず、したがって、成膜速
度を早めることができることも分かる。
を１０〜１０００ｐｐｍ含む本発明ターゲット１３〜２
２は、６００Ｗの高出力をかけて成膜速度を早めてスパ
ッタリングを行った場合、実施例１で作製した表２〜表
３に示される比較ターゲット１および従来ターゲットに
比べて、パーティクルの発生量が少なくかつスパッタリ
ングを完了しても割れが発生せず、したがって、成膜速
度を早めることができることも分かる。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、この発明で用いる光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットは、高出力スパ
ッタリングを行ってもパーティクルの発生が少なく、か
つ割れが発生することのない光記録保護膜の製造方法を
提供することができるので、光メディア産業の発展に大
いに貢献し得るものである。
保護膜形成用スパッタリングターゲットは、高出力スパ
ッタリングを行ってもパーティクルの発生が少なく、か
つ割れが発生することのない光記録保護膜の製造方法を
提供することができるので、光メディア産業の発展に大
いに貢献し得るものである。
【図１】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲットを使用するに適した枚葉式スパッタリング装
置の概略説明図である。
ターゲットを使用するに適した枚葉式スパッタリング装
置の概略説明図である。
１ ターゲット ２ バッキングプレート ３ 基板電極 ４ 基板 ５ ゲートバルブ ６ スパッタチャンバ ７ 搬送チャンバ ８ 収納チャンバ ９ スパッタ粒子
Claims (4)
- 【請求項１】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに
相対密度：９０％以上を有する焼結体であり、前記硫化
亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が０．
９５＜α／β＜１００の範囲内にあることを特徴とする
スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングす
ることを特徴とする光記録保護膜の製造方法。 - 【請求項２】 純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、酸化アルミニウム：１０
〜１０００ｐｐｍを含有し、残りが純度：９９．９９９
重量％以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに相対密度：
９０％以上有する焼結体であり、前記硫化亜鉛はα型結
晶とβ型結晶の混在比率（α／β）が０．９５＜α／β
＜１００の範囲内にあることを特徴とするスパッタリン
グターゲットを用いて、スパッタリングすることを特徴
とする光記録保護膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記硫化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶
の最大結晶粒径は１５μｍ以下でかつ平均結晶粒径は１
０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記
載の光記録保護膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記スパッタリングは、枚葉式高周波マ
グネトロンスパッタリング装置を用い、Ａｒをスパッタ
ガスとし、スパッタガス圧力０．００１〜０．１Ｔｏｒ
ｒ、電力１００〜１０００Ｗの条件でスパッタリングす
ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に
記載の光記録保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3574898A JPH11229128A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 光記録保護膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3574898A JPH11229128A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 光記録保護膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11229128A true JPH11229128A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12450451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3574898A Pending JPH11229128A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 光記録保護膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11229128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG81315A1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-06-19 | Tosoh Corp | Sputtering target and process for the preparation thereof |
| WO2003028023A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique et procede de production associe, ainsi que support d'enregistrement optique forme avec un film de protection de disque optique de type a changement de phase |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP3574898A patent/JPH11229128A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG81315A1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-06-19 | Tosoh Corp | Sputtering target and process for the preparation thereof |
| WO2003028023A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique et procede de production associe, ainsi que support d'enregistrement optique forme avec un film de protection de disque optique de type a changement de phase |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1756857B (zh) | 溅射靶、光信息记录介质用薄膜及其制造方法 | |
| JP4634567B2 (ja) | タングステンスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP3368764B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH11229128A (ja) | 光記録保護膜の製造方法 | |
| JP3468136B2 (ja) | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3368765B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| EP1112988A1 (en) | ZnS-series sintered material and method for producing the same, target using the ZnS-series sintered material, thin film, and optical recording medium using the thin film | |
| TW593718B (en) | Sputtering target for forming optical recording protective film and manufacturing method for the same | |
| JP2001098361A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット材 | |
| JPH11229127A (ja) | 光記録保護膜の製造方法 | |
| JP2011202282A (ja) | スパッタリングターゲット焼結用粉末及びスパッタリングターゲット | |
| JPS5830752B2 (ja) | 酸化亜鉛の圧電結晶膜 | |
| JPH11335823A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2000219962A (ja) | 光記録保護膜形成用高強度スパッタリングターゲット | |
| JPH09143703A (ja) | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH11350121A (ja) | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3915113B2 (ja) | 光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 | |
| JP3368757B2 (ja) | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2001316804A (ja) | 直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3417457B2 (ja) | ＭｇＯを主成分とするターゲット及びその製造方法 | |
| JP2001192819A (ja) | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2002074760A (ja) | 高強度を有しかつスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2002206165A (ja) | 高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 | |
| JP2005171315A (ja) | 光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲット及びその製造方法 | |
| JP2005231924A (ja) | 光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットを製造するためのＺｎＳ粉末及びその粉末を含む混合粉末 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031028 |