JP2001192819A - 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2001192819A JP2001192819A JP2000000802A JP2000000802A JP2001192819A JP 2001192819 A JP2001192819 A JP 2001192819A JP 2000000802 A JP2000000802 A JP 2000000802A JP 2000000802 A JP2000000802 A JP 2000000802A JP 2001192819 A JP2001192819 A JP 2001192819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- powder
- optical recording
- protective film
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】直流スパッタリング可能なカルコゲン化亜鉛−
二酸化ケイ素−酸化ホウ素系焼結体からなる光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化ホ
ウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン
化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。
二酸化ケイ素−酸化ホウ素系焼結体からなる光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化ホ
ウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン
化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザーを用い
て情報の記録および消去を行うことのできる相変化型光
ディスクなどの光記録保護膜を形成するための直流スパ
ッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットに関するものである。
て情報の記録および消去を行うことのできる相変化型光
ディスクなどの光記録保護膜を形成するための直流スパ
ッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光記録保護膜は、二酸化ケイ素
粉末とカルコゲン化亜鉛［硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）の総
称］粉末の混合粉末を焼結して得られた焼結体からなる
円盤状ターゲットを用いてスパッタにより形成されるこ
とは知られており、通常は、二酸化ケイ素粉末と硫化亜
鉛粉末からなる混合粉末を焼結して得られた相対密度が
９０％以上の焼結体からなる円盤状ターゲットを用いて
スパッタすることにより形成する。この二酸化ケイ素と
硫化亜鉛からなる円盤状ターゲットは、純度：９９．９
９９重量％以上の硫化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９
９９重量％以上の二酸化ケイ素粉末を１０〜３０ｍｏｌ
％添加し均一に混合し、得られた混合粉末を円盤状に加
圧成形したのち焼結することにより製造することも知ら
れている（特開平６−６５７２５号公報参照）。
粉末とカルコゲン化亜鉛［硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）の総
称］粉末の混合粉末を焼結して得られた焼結体からなる
円盤状ターゲットを用いてスパッタにより形成されるこ
とは知られており、通常は、二酸化ケイ素粉末と硫化亜
鉛粉末からなる混合粉末を焼結して得られた相対密度が
９０％以上の焼結体からなる円盤状ターゲットを用いて
スパッタすることにより形成する。この二酸化ケイ素と
硫化亜鉛からなる円盤状ターゲットは、純度：９９．９
９９重量％以上の硫化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９
９９重量％以上の二酸化ケイ素粉末を１０〜３０ｍｏｌ
％添加し均一に混合し、得られた混合粉末を円盤状に加
圧成形したのち焼結することにより製造することも知ら
れている（特開平６−６５７２５号公報参照）。
【０００３】前記カルコゲン化亜鉛および二酸化ケイ素
はいずれも絶縁体であるため、従来のカルコゲン化亜鉛
および二酸化ケイ素からなる光記録保護膜形成用スパッ
タリングターゲットの比抵抗は１０7Ωｃｍ以上有して
おり、このように高抵抗値を有するターゲットを用いて
直流スパッタリングを行うことは事実上不可能である。
そのために、従来の光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲットは高周波スパッタリング装置を用いて光記録
保護膜を形成せざるをえなかった。
はいずれも絶縁体であるため、従来のカルコゲン化亜鉛
および二酸化ケイ素からなる光記録保護膜形成用スパッ
タリングターゲットの比抵抗は１０7Ωｃｍ以上有して
おり、このように高抵抗値を有するターゲットを用いて
直流スパッタリングを行うことは事実上不可能である。
そのために、従来の光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲットは高周波スパッタリング装置を用いて光記録
保護膜を形成せざるをえなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録媒体の値
下げ要求は一層厳しくなり、一層低コストで光記録保護
膜を成膜することが求められている。しかし、従来の光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを用い高周
波スパッタリングにより光記録保護膜を形成する方法で
はコスト削減に限界がある。その理由として高周波スパ
ッタリング装置は高周波電力を制御するための装置の値
段が高いところから、高周波スパッタリング装置自体が
高価なものとなり、また、高周波電力損失による電力消
費も無視できないほど大きくなって電力効率も低いから
である。そのため、高周波スパッタリング装置に比べて
成膜速度が速く、スパッタリング効率が良く、しかも制
御が容易でさらに価格の安い直流スパッタリング装置を
使用して光記録保護膜を成膜する研究がなされている。
しかし、直流スパッタリング装置を使用して工業的に光
記録保護膜を形成することのできる光記録保護膜形成用
スパッタリングターゲットは未だ得られていない。
下げ要求は一層厳しくなり、一層低コストで光記録保護
膜を成膜することが求められている。しかし、従来の光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを用い高周
波スパッタリングにより光記録保護膜を形成する方法で
はコスト削減に限界がある。その理由として高周波スパ
ッタリング装置は高周波電力を制御するための装置の値
段が高いところから、高周波スパッタリング装置自体が
高価なものとなり、また、高周波電力損失による電力消
費も無視できないほど大きくなって電力効率も低いから
である。そのため、高周波スパッタリング装置に比べて
成膜速度が速く、スパッタリング効率が良く、しかも制
御が容易でさらに価格の安い直流スパッタリング装置を
使用して光記録保護膜を成膜する研究がなされている。
しかし、直流スパッタリング装置を使用して工業的に光
記録保護膜を形成することのできる光記録保護膜形成用
スパッタリングターゲットは未だ得られていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
価格の安い直流スパッタリング装置を用いて光記録保護
膜を成形することのできる光記録保護膜形成用スパッタ
リングターゲットを開発すべく研究を行なっていたとこ
ろ、（イ）従来のカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素系光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットに酸化ホウ
素を０．５〜３０モル％を添加して成る組成のターゲッ
トは、比抵抗値が格段に低下し、直流スパッタリングを
行うことができる、（ロ）前記ホットプレスして得られ
た（イ）の組成を有するターゲットは、粒界に酸化ホウ
素が介在する状態で全体に均一分散している、などの研
究結果が得られたのである。
価格の安い直流スパッタリング装置を用いて光記録保護
膜を成形することのできる光記録保護膜形成用スパッタ
リングターゲットを開発すべく研究を行なっていたとこ
ろ、（イ）従来のカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素系光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットに酸化ホウ
素を０．５〜３０モル％を添加して成る組成のターゲッ
トは、比抵抗値が格段に低下し、直流スパッタリングを
行うことができる、（ロ）前記ホットプレスして得られ
た（イ）の組成を有するターゲットは、粒界に酸化ホウ
素が介在する状態で全体に均一分散している、などの研
究結果が得られたのである。
【０００６】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）二酸化ケイ素：１０〜３０
モル％、酸化ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残
部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有する直流スパッ
タリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲット、（２）二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化
ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲ
ン化亜鉛からなる組成を有し、前記酸化ホウ素は粒界に
介在している組織を有する直流スパッタリング可能な光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を
有するものである。
されたものであって、（１）二酸化ケイ素：１０〜３０
モル％、酸化ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残
部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有する直流スパッ
タリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲット、（２）二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化
ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲ
ン化亜鉛からなる組成を有し、前記酸化ホウ素は粒界に
介在している組織を有する直流スパッタリング可能な光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を
有するものである。
【０００７】前記カルコゲン化亜鉛は硫化亜鉛であるこ
とが最も好ましい。したがって、この発明は、（３）二
酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化ホウ素：０．５〜
３０モル％を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有
する直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（４）二酸化ケイ素：１０〜３
０モル％、酸化ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、
残部が硫化亜鉛からなる組成を有し、前記酸化ホウ素は
粒界に介在している組織を有する直流スパッタリング可
能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、に
特徴を有するものである。
とが最も好ましい。したがって、この発明は、（３）二
酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化ホウ素：０．５〜
３０モル％を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有
する直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（４）二酸化ケイ素：１０〜３
０モル％、酸化ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、
残部が硫化亜鉛からなる組成を有し、前記酸化ホウ素は
粒界に介在している組織を有する直流スパッタリング可
能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、に
特徴を有するものである。
【０００８】前記混合粉末に含まれる酸化ホウ素粉末は
各種の酸化物が知られているがＢ2Ｏ3粉末が最も好まし
い。Ｂ2Ｏ3はホットプレス中に温度が４５０℃以上に上
昇すると溶解して液相となり、液相となったＢ2Ｏ3は二
酸化ケイ素粒子およびカルコゲン化亜鉛粒子の周りを濡
らすように粒界に浸透し、ホットプレス終了後のＢ 2Ｏ3
は粒界に介在した状態でターゲット全体に均一分散して
いる組織となり、Ｂ 2Ｏ3が粒界に介在することにより粒
界に導電チャンネルを形成したのと同じ役割を果たし、
ホットプレス体であるターゲットの比抵抗値を大幅に下
げるものと考えられる。
各種の酸化物が知られているがＢ2Ｏ3粉末が最も好まし
い。Ｂ2Ｏ3はホットプレス中に温度が４５０℃以上に上
昇すると溶解して液相となり、液相となったＢ2Ｏ3は二
酸化ケイ素粒子およびカルコゲン化亜鉛粒子の周りを濡
らすように粒界に浸透し、ホットプレス終了後のＢ 2Ｏ3
は粒界に介在した状態でターゲット全体に均一分散して
いる組織となり、Ｂ 2Ｏ3が粒界に介在することにより粒
界に導電チャンネルを形成したのと同じ役割を果たし、
ホットプレス体であるターゲットの比抵抗値を大幅に下
げるものと考えられる。
【０００９】この発明の直流スパッタリング可能な光記
録保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる酸
化ホウ素を０．５〜３０モル％に限定した理由は、酸化
ホウ素の量が５モル％未満ではターゲットの抵抗値が所
望の値まで下がらず、したがって直流スパッタリングを
行うことができなくなるので好ましくなく、一方、酸化
ホウ素の量が３０モル％を越えて添加すると、燒結中に
酸化ホウ素液相の占める割合が多くなってターゲットの
燒結性に悪影響を及ぼして密度が低くなり、さらにパー
ティクルが増えるので好ましくない。したがって、この
発明の直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用ス
パッタリングターゲットに含まれる酸化ホウ素は０．５
〜３０モル％に定めた。酸化ホウ素の一層好ましい含有
量は５〜２５モル％である。
録保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる酸
化ホウ素を０．５〜３０モル％に限定した理由は、酸化
ホウ素の量が５モル％未満ではターゲットの抵抗値が所
望の値まで下がらず、したがって直流スパッタリングを
行うことができなくなるので好ましくなく、一方、酸化
ホウ素の量が３０モル％を越えて添加すると、燒結中に
酸化ホウ素液相の占める割合が多くなってターゲットの
燒結性に悪影響を及ぼして密度が低くなり、さらにパー
ティクルが増えるので好ましくない。したがって、この
発明の直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用ス
パッタリングターゲットに含まれる酸化ホウ素は０．５
〜３０モル％に定めた。酸化ホウ素の一層好ましい含有
量は５〜２５モル％である。
【００１０】この発明の直流スパッタリング可能な光記
録保護膜形成用スパッタリングターゲットは下記のごと
くして製造する。まず、市販のカルコゲン化亜鉛粉末を
用意し、この市販のカルコゲン化亜鉛粉末に含まれるガ
スを除去する目的で市販のカルコゲン化亜鉛粉末をＡｒ
雰囲気中、温度：６５０℃（昇温速度：２．２℃／ｍｉ
ｎ）１時間保持の条件の脱ガス熱処理を施し、この脱ガ
ス熱処理を施したカルコゲン化亜鉛粉末に対し、二酸化
ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％および酸化ホウ素粉
末：０．５〜３０ｍｏｌ％添加し、これらを均一に混合
し、得られた混合粉末を円盤状にホットプレスすること
により円盤状ホットプレス体を製造する。この時のホッ
トプレス条件は、Ａｒガス雰囲気中、圧力：３００〜４
００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度：８５０〜１１００℃、５〜
７時間保持の条件で行われ、その後、この保持温度から
冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却する。この
ようにして得られた円盤状ホットプレス体を所定の寸法
に研削してこの発明の直流スパッタリング可能な光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造する。
録保護膜形成用スパッタリングターゲットは下記のごと
くして製造する。まず、市販のカルコゲン化亜鉛粉末を
用意し、この市販のカルコゲン化亜鉛粉末に含まれるガ
スを除去する目的で市販のカルコゲン化亜鉛粉末をＡｒ
雰囲気中、温度：６５０℃（昇温速度：２．２℃／ｍｉ
ｎ）１時間保持の条件の脱ガス熱処理を施し、この脱ガ
ス熱処理を施したカルコゲン化亜鉛粉末に対し、二酸化
ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％および酸化ホウ素粉
末：０．５〜３０ｍｏｌ％添加し、これらを均一に混合
し、得られた混合粉末を円盤状にホットプレスすること
により円盤状ホットプレス体を製造する。この時のホッ
トプレス条件は、Ａｒガス雰囲気中、圧力：３００〜４
００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度：８５０〜１１００℃、５〜
７時間保持の条件で行われ、その後、この保持温度から
冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却する。この
ようにして得られた円盤状ホットプレス体を所定の寸法
に研削してこの発明の直流スパッタリング可能な光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造する。
【００１１】
【発明の実施の形態】脱ガスする目的で市販のＺｎＳ粉
末、ＺｎＳｅ粉末およびＺｎＴｅ粉末をそれぞれＡｒ雰
囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、６５０
℃で１時間保持の熱処理を施したのち粉砕することによ
り、いずれも平均粒径：３μｍのＺｎＳ粉末、ＺｎＳｅ
粉末およびＺｎＴｅ粉末を作製した。さらに、市販の平
均粒径：７μｍのＳｉＯ2 粉末および平均粒径：１．５
μｍのＢ2Ｏ3粉末を用意した。
末、ＺｎＳｅ粉末およびＺｎＴｅ粉末をそれぞれＡｒ雰
囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、６５０
℃で１時間保持の熱処理を施したのち粉砕することによ
り、いずれも平均粒径：３μｍのＺｎＳ粉末、ＺｎＳｅ
粉末およびＺｎＴｅ粉末を作製した。さらに、市販の平
均粒径：７μｍのＳｉＯ2 粉末および平均粒径：１．５
μｍのＢ2Ｏ3粉末を用意した。
【００１２】実施例１ 前記用意したＺｎＳ粉末、ＳｉＯ2 粉末、Ｂ2Ｏ3粉末を
表１〜２に示される割合で配合し、この配合粉末をエタ
ノールと共にポリポットの中に入れ、１時間湿式混合し
て混合粉末のスラリーとし、得られた混合粉末のスラリ
ーを乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その
後、軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中において圧力：３４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、温度：１０００℃、５時間保持の条件のホットプ
レスを行った後、冷却速度：３℃／分で冷却することに
より表１〜２に示される組成の円盤状ホットプレス体を
作製し、これら円盤状ホットプレス体を機械加工して直
径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明光
記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜１９を作製した。こ
れら本発明ターゲット１〜１９は、いずれもＢ2Ｏ3がＺ
ｎＳ粉末およびＳｉＯ2 粉末により形成された粒界に介
在する組織を有していた。
表１〜２に示される割合で配合し、この配合粉末をエタ
ノールと共にポリポットの中に入れ、１時間湿式混合し
て混合粉末のスラリーとし、得られた混合粉末のスラリ
ーを乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その
後、軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中において圧力：３４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、温度：１０００℃、５時間保持の条件のホットプ
レスを行った後、冷却速度：３℃／分で冷却することに
より表１〜２に示される組成の円盤状ホットプレス体を
作製し、これら円盤状ホットプレス体を機械加工して直
径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明光
記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜１９を作製した。こ
れら本発明ターゲット１〜１９は、いずれもＢ2Ｏ3がＺ
ｎＳ粉末およびＳｉＯ2 粉末により形成された粒界に介
在する組織を有していた。
【００１３】従来例１ さらに、比較のためにＺｎＳ粉末およびＳｉＯ2 粉末を
配合し、この配合粉末を用い、実施例１と同様にしてＳ
ｉＯ2：２０モル％、残部：ＺｎＳからなる組成の従来
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、従来ターゲットという）１を作製した。
配合し、この配合粉末を用い、実施例１と同様にしてＳ
ｉＯ2：２０モル％、残部：ＺｎＳからなる組成の従来
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、従来ターゲットという）１を作製した。
【００１４】このようにして得られた本発明ターゲット
１〜１９および従来ターゲット１の比抵抗値を四端針法
により測定し、その結果を表１〜２に示した。これら本
発明ターゲット１〜１９および従来ターゲット１をそれ
ぞれモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：
９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付け
し、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセッ
トし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１５００Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃ
ｍ2 ）、 の条件で直流スパッタを行い、陰極と強い放電発光をも
つ負グロー層の間に陰極暗部（クルックス暗部）が形成
されているか否かを観察し、クルックス暗部が観察でき
た場合を直流スパッタが可能であるとして○で示し、ク
ルックス暗部が形成されない場合を直流スパッタが不可
能であると判断して×で示した。
１〜１９および従来ターゲット１の比抵抗値を四端針法
により測定し、その結果を表１〜２に示した。これら本
発明ターゲット１〜１９および従来ターゲット１をそれ
ぞれモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：
９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付け
し、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセッ
トし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１５００Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃ
ｍ2 ）、 の条件で直流スパッタを行い、陰極と強い放電発光をも
つ負グロー層の間に陰極暗部（クルックス暗部）が形成
されているか否かを観察し、クルックス暗部が観察でき
た場合を直流スパッタが可能であるとして○で示し、ク
ルックス暗部が形成されない場合を直流スパッタが不可
能であると判断して×で示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】表１〜２に示される結果から、本発明ター
ゲット１〜１９は従来ターゲット１と比べて比抵抗値が
格段に小さく、また本発明ターゲット１〜１９は直流ス
パッタに際していずれもクルックス暗部が形成されてい
るところから直流スパッタが可能であることが分かる。
ゲット１〜１９は従来ターゲット１と比べて比抵抗値が
格段に小さく、また本発明ターゲット１〜１９は直流ス
パッタに際していずれもクルックス暗部が形成されてい
るところから直流スパッタが可能であることが分かる。
【００１８】実施例２ 前記用意したＺｎＳｅ粉末、ＳｉＯ2 粉末およびＢ2Ｏ3
粉末を表３〜４に示される割合で配合し、この配合粉末
を実施例１と同様にしてエタノールと共にポリポットの
中に入れ、１時間湿式混合して混合粉末のスラリーと
し、得られた混合粉末のスラリーを乾燥することにより
エタノールを蒸発させ、その後、軽く解砕を行った後、
ホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中にお
いて圧力：３４０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度：１０００℃、
５時間保持の条件のホットプレスを行った後、冷却速
度：３℃／分で冷却することにより表３〜４に示される
組成の円盤状ホットプレス体を作製し、これら円盤状ホ
ットプレス体を機械加工して直径：２００ｍｍ、厚さ：
５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット２０〜３８を作
製した。これら本発明ターゲット２０〜３８は、いずれ
もＢ2Ｏ3がＺｎＳｅ粉末およびＳｉＯ2 粉末により形成
された粒界に介在する組織を有していた。
粉末を表３〜４に示される割合で配合し、この配合粉末
を実施例１と同様にしてエタノールと共にポリポットの
中に入れ、１時間湿式混合して混合粉末のスラリーと
し、得られた混合粉末のスラリーを乾燥することにより
エタノールを蒸発させ、その後、軽く解砕を行った後、
ホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中にお
いて圧力：３４０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度：１０００℃、
５時間保持の条件のホットプレスを行った後、冷却速
度：３℃／分で冷却することにより表３〜４に示される
組成の円盤状ホットプレス体を作製し、これら円盤状ホ
ットプレス体を機械加工して直径：２００ｍｍ、厚さ：
５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット２０〜３８を作
製した。これら本発明ターゲット２０〜３８は、いずれ
もＢ2Ｏ3がＺｎＳｅ粉末およびＳｉＯ2 粉末により形成
された粒界に介在する組織を有していた。
【００１９】従来例２ さらに、比較のためにＺｎＳｅ粉末およびＳｉＯ2 粉末
を配合し、この配合粉末を用い、実施例２と同様にして
ＳｉＯ2：２０モル％、残部：ＺｎＳｅからなる組成の
従来ターゲット２を作製した。
を配合し、この配合粉末を用い、実施例２と同様にして
ＳｉＯ2：２０モル％、残部：ＺｎＳｅからなる組成の
従来ターゲット２を作製した。
【００２０】このようにして得られた本発明ターゲット
２０〜３８および従来ターゲット２の比抵抗値を四端針
法により測定し、その結果を表５〜６に示した。これら
本発明ターゲット２０〜３８および従来ターゲット２を
それぞれモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純
度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ
付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に
セットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１５００Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃ
ｍ2 ）、 の条件で直流スパッタを行い、陰極と強い放電発光をも
つ負グロー層の間に陰極暗部（クルックス暗部）が形成
されているか否かを観察し、クルックス暗部が観察でき
た場合を直流スパッタが可能であるとして○で示し、ク
ルックス暗部が形成されない場合を直流スパッタが不可
能であると判断して×で示した。
２０〜３８および従来ターゲット２の比抵抗値を四端針
法により測定し、その結果を表５〜６に示した。これら
本発明ターゲット２０〜３８および従来ターゲット２を
それぞれモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純
度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ
付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に
セットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１５００Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃ
ｍ2 ）、 の条件で直流スパッタを行い、陰極と強い放電発光をも
つ負グロー層の間に陰極暗部（クルックス暗部）が形成
されているか否かを観察し、クルックス暗部が観察でき
た場合を直流スパッタが可能であるとして○で示し、ク
ルックス暗部が形成されない場合を直流スパッタが不可
能であると判断して×で示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】
【表４】
【００２３】表３〜４に示される結果から、本発明ター
ゲット２０〜３８は従来ターゲット２と比べて比抵抗値
が格段に小さく、また本発明ターゲット２０〜３８は直
流スパッタに際していずれもクルックス暗部が形成され
ているところから直流スパッタが可能であることが分か
る。
ゲット２０〜３８は従来ターゲット２と比べて比抵抗値
が格段に小さく、また本発明ターゲット２０〜３８は直
流スパッタに際していずれもクルックス暗部が形成され
ているところから直流スパッタが可能であることが分か
る。
【００２４】実施例３ ＺｎＳｅ粉末の代わりにＺｎＴｅ粉末を用いる以外は実
施例２と全く同様にして表５〜６に示される組成を有す
る円盤状ホットプレス体を作製し、これら円盤状ホット
プレス体を機械加工して直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍ
ｍの寸法を有する本発明ターゲット３９〜４８を作製し
た。これら本発明ターゲット３９〜４８は、いずれもＢ
2Ｏ3がＺｎＴｅ粉末およびＳｉＯ2 粉末により形成され
た粒界に介在している組織を有していた。
施例２と全く同様にして表５〜６に示される組成を有す
る円盤状ホットプレス体を作製し、これら円盤状ホット
プレス体を機械加工して直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍ
ｍの寸法を有する本発明ターゲット３９〜４８を作製し
た。これら本発明ターゲット３９〜４８は、いずれもＢ
2Ｏ3がＺｎＴｅ粉末およびＳｉＯ2 粉末により形成され
た粒界に介在している組織を有していた。
【００２５】従来例３ さらに、比較のためにＺｎＳｅ粉末の代わりにＺｎＴｅ
粉末を用いる以外は従来例２と同様にしてＳｉＯ2：２
０モル％、残部：ＺｎＴｅからなる組成を有する従来タ
ーゲット３を作製した。
粉末を用いる以外は従来例２と同様にしてＳｉＯ2：２
０モル％、残部：ＺｎＴｅからなる組成を有する従来タ
ーゲット３を作製した。
【００２６】このようにして得られた本発明ターゲット
３９〜４８および従来ターゲット３の比抵抗値を四端針
法により測定し、その結果を表５〜６に示した。これら
本発明ターゲット３９〜４８および従来ターゲット３を
それぞれモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純
度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ
付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に
セットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１５００Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃ
ｍ2 ）、 の条件で直流スパッタを行い、陰極と強い放電発光をも
つ負グロー層の間に陰極暗部（クルックス暗部）が形成
されているか否かを観察し、クルックス暗部が観察でき
た場合を直流スパッタが可能であるとして○で示し、ク
ルックス暗部が形成されない場合を直流スパッタが不可
能であると判断して×で示した。
３９〜４８および従来ターゲット３の比抵抗値を四端針
法により測定し、その結果を表５〜６に示した。これら
本発明ターゲット３９〜４８および従来ターゲット３を
それぞれモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純
度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ
付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に
セットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１５００Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃ
ｍ2 ）、 の条件で直流スパッタを行い、陰極と強い放電発光をも
つ負グロー層の間に陰極暗部（クルックス暗部）が形成
されているか否かを観察し、クルックス暗部が観察でき
た場合を直流スパッタが可能であるとして○で示し、ク
ルックス暗部が形成されない場合を直流スパッタが不可
能であると判断して×で示した。
【００２７】
【表５】
【００２８】
【表６】
【００２９】表５〜６に示される結果から、本発明ター
ゲット３９〜４８は従来ターゲット３と比べて比抵抗値
が格段に小さく、また本発明ターゲット３９〜４８は直
流スパッタに際していずれもクルックス暗部が形成され
ているところから直流スパッタが可能であることが分か
る。
ゲット３９〜４８は従来ターゲット３と比べて比抵抗値
が格段に小さく、また本発明ターゲット３９〜４８は直
流スパッタに際していずれもクルックス暗部が形成され
ているところから直流スパッタが可能であることが分か
る。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、酸化ホウ素を０．５〜３
０モル％含有するこの発明の光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットは直流スパッタが可能であり、
従来よりも一層効率良く安価に光記録保護膜形成するこ
とができ、光記録媒体の製造コストを一段と削減できて
光メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
０モル％含有するこの発明の光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットは直流スパッタが可能であり、
従来よりも一層効率良く安価に光記録保護膜形成するこ
とができ、光記録媒体の製造コストを一段と削減できて
光メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (4)
- 【請求項１】二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化ホ
ウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン
化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパ
ッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項２】前記酸化ホウ素は粒界に介在していること
を特徴とする請求項１記載の直流スパッタリング可能な
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】前記カルコゲン化亜鉛は硫化亜鉛であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の直流スパッタリ
ング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項４】二酸化ケイ素粉末：１０〜３０モル％、酸
化ホウ素粉末：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカ
ルコゲン化亜鉛粉末からなる組成となるように配合し混
合して混合粉末を作製し、この混合粉末を加圧成形した
のち燒結することを特徴とする直流スパッタリング可能
な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000000802A JP2001192819A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000000802A JP2001192819A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001192819A true JP2001192819A (ja) | 2001-07-17 |
Family
ID=18530098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000000802A Withdrawn JP2001192819A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001192819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072910A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Zns-sio2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio2 phase-change type optical disc protective film formed through use of that target |
| WO2002083973A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique a base de zns-sio2 et support d'enregistrement optique comportant une couche protectrice a base de zns-sio pour disque optique a transitions de phase formee au moyen de ladite cible |
| JP7468355B2 (ja) | 2018-11-13 | 2024-04-16 | Ａｇｃ株式会社 | 撥水撥油層付き基材、蒸着材料および撥水撥油層付き基材の製造方法 |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000000802A patent/JP2001192819A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072910A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Zns-sio2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio2 phase-change type optical disc protective film formed through use of that target |
| WO2002083973A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique a base de zns-sio2 et support d'enregistrement optique comportant une couche protectrice a base de zns-sio pour disque optique a transitions de phase formee au moyen de ladite cible |
| JP7468355B2 (ja) | 2018-11-13 | 2024-04-16 | Ａｇｃ株式会社 | 撥水撥油層付き基材、蒸着材料および撥水撥油層付き基材の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101157150B1 (ko) | 전기 저항이 높은 상변화 기록막 및 이 상변화 기록막을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟 | |
| US20210237153A1 (en) | Sintered compact target and method of producing sintered compact | |
| JPH11322332A (ja) | ＺｎＯ系焼結体およびその製造方法 | |
| JP2003242684A (ja) | 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP5369444B2 (ja) | Ｇｚｏ焼結体の製造方法 | |
| CN100567558C (zh) | 溅射靶、光信息记录介质以及光信息记录介质用薄膜的制造方法 | |
| JP2001192819A (ja) | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3882186B2 (ja) | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| TW554062B (en) | ZnS-SiO2 sputtering target material and optical recording medium using the same to form ZnS-SiO2 phase transition type optical disk protective film | |
| JP2001316805A (ja) | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP3468136B2 (ja) | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| TW593718B (en) | Sputtering target for forming optical recording protective film and manufacturing method for the same | |
| JP2001316804A (ja) | 直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP4250686B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2001073121A (ja) | 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP4300328B2 (ja) | 相変化記録膜用スパッタリングターゲット | |
| JP3368764B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP4606720B2 (ja) | 電気抵抗が高い相変化記録膜 | |
| JP2001181833A (ja) | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2000040272A (ja) | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2000219962A (ja) | 光記録保護膜形成用高強度スパッタリングターゲット | |
| CN100439557C (zh) | 溅射靶及光记录介质 | |
| JP3468137B2 (ja) | スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH11350121A (ja) | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2002266070A (ja) | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用してＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |