JP4527126B2 - 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化(アモルファス⇔結晶)を起こさせて情報の記録・再生を行うものであり、より具体的にはその相間の光学定数の変化に起因する反射率の変化を検出して情報の再生を行なうものである。
また、上記結晶学的な相変化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上で、溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでなく周辺の誘電体保護層やアルミニウム合金の反射膜にも繰返し付与されることになる。
このなかで反射層6と保護層3、5はアモルファス部と結晶部との吸収を増大させ反射率の差が大きい光学的機能が要求されるほか、記録薄膜4の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件の制御という機能が要求される(雑誌「光学」26巻1号頁9〜15参照)。
このように、高融点誘電体の保護層3、5は昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である。この意味において誘電体保護層は重要な役割を有する。
なお、図1において符号1はレーザー入射方向、符号2はポリカーボネート等の基板、符号7はオーバーコート、符号8は接着層をそれぞれ示す。
このようなパーティクルは薄膜の特性を著しく悪化させるので、これが基板または薄膜上に多く析出してきた段階で、一旦スパッタリングを中止し、スパッタチャンバを解放して、該チャンバ内の壁や種々の機器からパーティクルの原因となる膜の堆積物を清掃する必要があった。
これは著しく生産性を低下させるものである。ZnS−SiO2ターゲットの製造工程、すなわちSiO2粉末とZnS粉末の混合焼結の段階においても、因果関係があることが予想されたが、従来それ以上の解決策を見いだすに至っていなかった。
これにより、パーティクルの発生を著しく減少させるとともに、皮膜の均一性を向上させ、さらに低反射率の誘電体保護膜(層)を安定した製造条件で、再現性よく得ることができるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、
1.平均粒径が1〜10μm(但し、10μmを除く)であるSiO2球状粉末とZnS粉末との混合粉を焼結したZnS−SiO2スパッタリングターゲットであって、焼結体組織において、SiO2粒子がZnS中に均一に分散していることを特徴とするZnS−SiO2スパッタリングターゲット
2.SiO 2 球状粉末の平均粒径が1〜6μmであることを特徴とする請求項1記載のZnS−SiO2スパッタリングターゲット、を提供する。
従来、上記のように20〜30μmのSiO2粉末が使用され、これを焼結してZnS−SiO2ターゲットとしていた。この段階ではSiO2粉末の性状とZnSとの混合状態が、パーティクルの発生の原因となるとの予想は全く予想できなかった。
しかし、平均粒径が1〜10μmであるSiO2球状粉末を使用し、これをZnSと混合し焼結体をすることにより、予想外にパーティクルの発生を著しく減少させることができた。これは、ターゲット中におけるSiO2粉末の性状と混合状態(SiO2粉末がより均一にZnS中に分散している)が、ターゲットから打ち出された原子状又は分子状あるいはそれらのわずかな集合体の粒子が乱れた予定外の軌跡をもって(余分な)飛翔することを防止し、均一かつ安定したスパッタリングがなされた結果とみることができる。
また、SiO2粉末の球状化によって、比表面積の増加を防ぎ、ターゲットの密度の向上も、このようなパーティクルの発生の減少効果をもたらしたものと考えられる。
そして、SiO2粉末が同一平均粒径である場合であっても、球状粉の方がより比表面積が小さくなるで、ターゲットの密度がさらに向上し、焼結体中での焼結が生じないために起こるZnSとSiO2の間のポアが少なくなるので一層その効果がある。
さらにまた、このような平均粒径が1〜10μmであるSiO2粉末を使用したZnS−SiO2ターゲットにより、誘電体保護膜を形成すると、その膜の反射率が低く押さえることが分かった。この理由は必ずしも明確でないが、やはり均一な膜が安定して得られることが原因と考えられる。
パーティクルの発生を極力減少せしめることにより、スパッタリングの中断または中止の回数が減り、煩雑なスパッタチャンバ内の清掃の頻度が減少するので、生産効率を従来に比べて飛躍的に上げることができるという効果を有する。
平均粒径6μmのSiO2球状粉末と平均粒径5μmのZnS粉末とをモル比で20:80の割合で秤量して、雰囲気Arの条件下で、温度1000°C、圧力150Kgf/cm2でホットプレスを行なった。得られたターゲットの密度は3.4g/cm3であった。このようにして得たZnS−SiO2ターゲット焼結体の顕微鏡組織観察を行なったところ、図2〜図6に示すように均一な結晶粒の組織が観察された。
図2は全体の顕微鏡組織写真(SEM像)である。図3〜図6はそれぞれZn、S、Si、Oの部位を示す顕微鏡組織写真(SEM像)ある。
また、このZnS−SiO2ターゲットを使用してスパッタリングし、パーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や機器をクリーニングしなければならない時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ、3500枚程度であった。これは以下に述べる比較例と比べ40%以上の生産向上となった。
次に、平均粒径20〜30μmのSiO2多角形(破砕状)粉末と平均粒径5μmのZnS粉末とをモル比で20:80の割合で秤量して、雰囲気Arの条件下で、温度1000°C、圧力150Kgf/cm2でホットプレスを行なった。得られたターゲットの密度は3.4g/cm3であった。
このようにして得たZnS−SiO2ターゲット焼結体の顕微鏡組織観察を行なったところ、図7〜図11に示すように形状がいびつで粗大化した粒が不規則に存在する組織が観察された。
図7は全体の顕微鏡組織写真(SEM像)である。図8〜図11はそれぞれZn、S、Si、Oの部位を示す顕微鏡組織写真(SEM像)ある。
また、このZnS−SiO2ターゲットを使用してスパッタリングし、パーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や機器をクリーニングしなければならない時に至るまでの基板への被覆すなわち生産枚数を調べたところ、2500枚程度であった。これは実施例に比べると40%以上の生産率の減少となった。
平均粒径0.5μmのSiO2球状粉末と平均粒径5μmのZnS粉末とをモル比で20:80の割合で秤量して、雰囲気Arの条件下で、温度1000°C、圧力150Kgf/cm2でホットプレスを行なった。得られたターゲットの密度は3.2g/cm3であった。
このZnS−SiO2ターゲットを使用してスパッタリングし、パーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や機器をクリーニングしなければならない時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ2500枚であり、これは実施例に比べると約40%の生産率の減少となった。
平均粒径5μmのSiO2多角形(破砕状)粉末と平均粒径5μmのZnS粉末とをモル比で20:80の割合で秤量して、雰囲気Arの条件下で、温度1000°C、圧力150Kgf/cm2でホットプレスを行なった。得られたターゲットの密度は3.3g/cm3であった。
このZnS−SiO2ターゲットを使用してスパッタリングし、パーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や機器をクリーニングしなければならない時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ、2500枚程度であり、これは実施例に比べると約40%の生産率の減少となった。
この表1から明らかなように、本発明の実施例は密度が高く、また生産効率が高い。これに対し、本発明の範囲を外れる比較例は、本実施例に比べて密度が低く、生産効率が大幅に低下していることが分かる。また、使用中のクラック発生の割合も多かった。
2 ポリカーボネート等の基板
3 ZnS・SiO2等の誘電体保護層
4 Se・Sb・Te等の相変化記録層
5 ZnS・SiO2等の誘電体保護層
6 Al合金反射層
7 オーバーコート
8 接着層
Claims (2)
- 平均粒径が1〜10μm(但し、10μmを除く)であるSiO2球状粉末とZnS粉末との混合粉を焼結したZnS−SiO2スパッタリングターゲットであって、焼結体組織において、SiO2粒子がZnS中に均一に分散していることを特徴とするZnS−SiO2スパッタリングターゲット。
- SiO 2 球状粉末の平均粒径が1〜6μmであることを特徴とする請求項1記載のZnS−SiO2スパッタリングターゲット。
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