JP2000297363A - 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法Info
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- JP2000297363A JP2000297363A JP10585199A JP10585199A JP2000297363A JP 2000297363 A JP2000297363 A JP 2000297363A JP 10585199 A JP10585199 A JP 10585199A JP 10585199 A JP10585199 A JP 10585199A JP 2000297363 A JP2000297363 A JP 2000297363A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強度に優れ、しかもスパツタリングにおい
て、ダスト又はパーティクルの発生が少なく、その結果
として長期使用に耐えることが可能な光記録保護膜形成
用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタリ
ングした後の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満であること
を特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリングターゲ
ット。
て、ダスト又はパーティクルの発生が少なく、その結果
として長期使用に耐えることが可能な光記録保護膜形成
用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタリ
ングした後の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満であること
を特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリングターゲ
ット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録保護膜形成
用スパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、
詳しくは微細なＳｉＯ2 原料粉末を用い、かつ高温で焼
成することによって、強度に優れ、しかもスパツタリン
グにおいて、ダスト又はパーティクルの発生が少なく、
その結果として長期使用に耐えることが可能な光記録保
護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
に関する。
用スパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、
詳しくは微細なＳｉＯ2 原料粉末を用い、かつ高温で焼
成することによって、強度に優れ、しかもスパツタリン
グにおいて、ダスト又はパーティクルの発生が少なく、
その結果として長期使用に耐えることが可能な光記録保
護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】Ｇｅ−
Ｓｂ−ＴｅやＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどの薄膜を光ビ
ームを用いて可逆的な相変態を行わせて情報の記録、消
去等を行わせる光ディスク等の光記録媒体は、その両面
に保護膜を有し、一方の面に反射膜、他方の面が基板で
ある基本構造を採る。
Ｓｂ−ＴｅやＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどの薄膜を光ビ
ームを用いて可逆的な相変態を行わせて情報の記録、消
去等を行わせる光ディスク等の光記録媒体は、その両面
に保護膜を有し、一方の面に反射膜、他方の面が基板で
ある基本構造を採る。
【０００３】ここに用いられる保護膜としては、特開昭
６３−２７６７２号公報や特公平４−３６１６４号公報
に記載されているように、ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる誘
電体薄膜をスパッタリングで成膜することが知られてい
る。このＺｎＳとＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜は、屈折
率が所望範囲にあり、熱伝導率が低く、レーザーに対し
て光吸収しない等の保護膜に要求される諸特性をほぼ具
備していることから、保護膜として汎用されている。
６３−２７６７２号公報や特公平４−３６１６４号公報
に記載されているように、ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる誘
電体薄膜をスパッタリングで成膜することが知られてい
る。このＺｎＳとＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜は、屈折
率が所望範囲にあり、熱伝導率が低く、レーザーに対し
て光吸収しない等の保護膜に要求される諸特性をほぼ具
備していることから、保護膜として汎用されている。
【０００４】このＺｎＳ−ＳｉＯ2 系保護膜の形成に
は、薄膜技術が用いられ、スパッタリング法が主流とな
っており、このスパッタリングを行うスパッタリングタ
ーゲットとしては、高純度硫化亜鉛粉末に対して、高純
度の二酸化ケイ素粉末２０モル％を添加して均一に混合
し、得られた混合粉末を加圧後、焼成することが提案さ
れている（特開平６−６５７２５号公報等）。
は、薄膜技術が用いられ、スパッタリング法が主流とな
っており、このスパッタリングを行うスパッタリングタ
ーゲットとしては、高純度硫化亜鉛粉末に対して、高純
度の二酸化ケイ素粉末２０モル％を添加して均一に混合
し、得られた混合粉末を加圧後、焼成することが提案さ
れている（特開平６−６５７２５号公報等）。
【０００５】このスパッタリングターゲットに要求され
る主な特性として、スパッタ時のパワーが大きくても割
れないこと、ダスト（パーティクル）が発生しないこと
等が挙げられる。スパッタリングターゲットが割れた
り、スパッタリングターゲットからダストが発生した場
合には、スパッタリングターゲットの交換等のメンテナ
ンスがしばしば必要となり、光デイスク等の光記録媒体
の生産性を損なうことになり、またスパッタリングター
ゲットの交換頻度が増加するために、経済的に不利であ
る。
る主な特性として、スパッタ時のパワーが大きくても割
れないこと、ダスト（パーティクル）が発生しないこと
等が挙げられる。スパッタリングターゲットが割れた
り、スパッタリングターゲットからダストが発生した場
合には、スパッタリングターゲットの交換等のメンテナ
ンスがしばしば必要となり、光デイスク等の光記録媒体
の生産性を損なうことになり、またスパッタリングター
ゲットの交換頻度が増加するために、経済的に不利であ
る。
【０００６】特開平１０−８１９５４号公報及び特開平
１０−８１９６０号公報には、スパッタリングターゲッ
トのダスト（パーティクル）の発生を防止する方法が提
案されている。これらの方法においては、硫化亜鉛の結
晶構造に注目したものであるが、スパッタリングターゲ
ットからのダストの発生を充分に防止することはでき
ず、また割れを有効に防止することはできなかった。
１０−８１９６０号公報には、スパッタリングターゲッ
トのダスト（パーティクル）の発生を防止する方法が提
案されている。これらの方法においては、硫化亜鉛の結
晶構造に注目したものであるが、スパッタリングターゲ
ットからのダストの発生を充分に防止することはでき
ず、また割れを有効に防止することはできなかった。
【０００７】従って、本発明の目的は、強度に優れ、し
かもスパツタリングにおいて、ダスト又はパーティクル
の発生が少なく、その結果として長期使用に耐えること
が可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
及びその製造方法を提供することにある。
かもスパツタリングにおいて、ダスト又はパーティクル
の発生が少なく、その結果として長期使用に耐えること
が可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、検討の
結果、ダスト発生を防止する為には、スパッタリング後
の表面が平滑なターゲットである事が重要で、ＳｉＯ2
原料粉末として微細なものを用い、かつ高密度化の為に
高温で焼成することによって、一定条件でスパッタリン
グ後も表面が平滑で、かつ高強度のスパッタリングター
ゲットが得られ、上記目的が達成し得ることを知見し
た。
結果、ダスト発生を防止する為には、スパッタリング後
の表面が平滑なターゲットである事が重要で、ＳｉＯ2
原料粉末として微細なものを用い、かつ高密度化の為に
高温で焼成することによって、一定条件でスパッタリン
グ後も表面が平滑で、かつ高強度のスパッタリングター
ゲットが得られ、上記目的が達成し得ることを知見し
た。
【０００９】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
で、ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットであって、スパッタリングした後
の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満であることを特徴とす
る光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供
するものである。
で、ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットであって、スパッタリングした後
の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満であることを特徴とす
る光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供
するものである。
【００１０】また、本発明は、本発明の上記スパッタリ
ングターゲットの好ましい製造方法として、ＺｎＳ原料
粉末とＳｉＯ2 原料粉末とを混合して得られる混合粉末
を加圧、焼成するＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法におい
て、焼成後のＳｉＯ2 平均粒径が２μｍ以下であり、か
つ上記焼成が不活性ガス雰囲気下、１２００℃以上で行
われることを特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットの製造方法を提供するものである。
ングターゲットの好ましい製造方法として、ＺｎＳ原料
粉末とＳｉＯ2 原料粉末とを混合して得られる混合粉末
を加圧、焼成するＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法におい
て、焼成後のＳｉＯ2 平均粒径が２μｍ以下であり、か
つ上記焼成が不活性ガス雰囲気下、１２００℃以上で行
われることを特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットの製造方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
（以下、単にスパッタリングターゲットという）は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ2 からなるものであり、ＺｎＳに対し、Ｓ
ｉＯ2 を１０〜３０モル％含有するものである。
本発明の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
（以下、単にスパッタリングターゲットという）は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ2 からなるものであり、ＺｎＳに対し、Ｓ
ｉＯ2 を１０〜３０モル％含有するものである。
【００１２】本発明のスパッタリングターゲットは、ス
パッタリングした後の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満で
ある。表面粗さ（Ｒａ）が２．４を超えると、ダストの
原因となりえる大きさにノジュールが形成され、このノ
ジュールに起因してスパッタリング時に表面からダスト
が飛散し易くなる。
パッタリングした後の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満で
ある。表面粗さ（Ｒａ）が２．４を超えると、ダストの
原因となりえる大きさにノジュールが形成され、このノ
ジュールに起因してスパッタリング時に表面からダスト
が飛散し易くなる。
【００１３】また、本発明のスパッタリングターゲット
は、抗折強度が８．５ｋｇｆ／ｍｍ 2 以上であることが
望ましく、抗折強度が８．５ｋｇｆ／ｍｍ2 未満では、
スパッタ時のパワーが大きい場合等にスパッタリングタ
ーゲットに割れが生じる恐れがある。
は、抗折強度が８．５ｋｇｆ／ｍｍ 2 以上であることが
望ましく、抗折強度が８．５ｋｇｆ／ｍｍ2 未満では、
スパッタ時のパワーが大きい場合等にスパッタリングタ
ーゲットに割れが生じる恐れがある。
【００１４】次に、本発明の製造方法について説明す
る。本発明では、ＳｉＯ2 原料粉末として、上記焼成後
の平均粒径が２μｍ以下にできるものを用いる。上記焼
成後の平均粒径を２μｍ以下にできるＳｉＯ2 原料粉末
としては、石英等のＳｉＯ2 原料を平均粒径２μｍ以下
に粉砕したもの、あるいは凝集粉で混合粉砕で平均粒径
２μｍ以下にできるものが挙げられる。凝集している粉
としてはアエロジル（商品名、日本アエロジル社製）等
が例示される。また、ＺｎＳ原料粉末としては、平均粒
径２〜６μｍ程度のものが一般に用いられる。
る。本発明では、ＳｉＯ2 原料粉末として、上記焼成後
の平均粒径が２μｍ以下にできるものを用いる。上記焼
成後の平均粒径を２μｍ以下にできるＳｉＯ2 原料粉末
としては、石英等のＳｉＯ2 原料を平均粒径２μｍ以下
に粉砕したもの、あるいは凝集粉で混合粉砕で平均粒径
２μｍ以下にできるものが挙げられる。凝集している粉
としてはアエロジル（商品名、日本アエロジル社製）等
が例示される。また、ＺｎＳ原料粉末としては、平均粒
径２〜６μｍ程度のものが一般に用いられる。
【００１５】本発明では、ＺｎＳ原料粉末、ＳｉＯ2 原
料粉末をそれぞれ水と混合し、ビーズミル等で粉砕を行
って所望の粒径とし、両者を混合した後、吸引濾過し、
次いで大気中、酸化しない温度の４００℃で乾燥し、水
分、硫化水素、イオウ酸化物を除去する。
料粉末をそれぞれ水と混合し、ビーズミル等で粉砕を行
って所望の粒径とし、両者を混合した後、吸引濾過し、
次いで大気中、酸化しない温度の４００℃で乾燥し、水
分、硫化水素、イオウ酸化物を除去する。
【００１６】次に、このＺｎＳ原料粉末とＳｉＯ2 原料
粉末との混合物を不活性ガス雰囲気下、好ましくはアル
ゴンガス雰囲気下で加圧、焼成（ホットプレス）する。
本発明では、焼成温度を１２００℃以上、好ましくは１
２００〜１３００℃で行う。焼成温度が１２００℃未満
では微細なＳｉＯ2 を焼結することが困難となり、高強
度のスパッタリングターゲットを得ることができない。
粉末との混合物を不活性ガス雰囲気下、好ましくはアル
ゴンガス雰囲気下で加圧、焼成（ホットプレス）する。
本発明では、焼成温度を１２００℃以上、好ましくは１
２００〜１３００℃で行う。焼成温度が１２００℃未満
では微細なＳｉＯ2 を焼結することが困難となり、高強
度のスパッタリングターゲットを得ることができない。
【００１７】本発明の好ましい焼成条件としては、真空
中で、例えば１１００℃迄昇温し、イオウ酸化物を除去
し、最後にアルゴンガスを導入して１２００℃以上で加
圧、焼成を行う。
中で、例えば１１００℃迄昇温し、イオウ酸化物を除去
し、最後にアルゴンガスを導入して１２００℃以上で加
圧、焼成を行う。
【００１８】このようにして、本発明のスパッタリング
ターゲットが得られる。このスパッタリングターゲット
は、上述のように、一定条件でスパッタリング後も表面
が平滑で、かつ高強度である。
ターゲットが得られる。このスパッタリングターゲット
は、上述のように、一定条件でスパッタリング後も表面
が平滑で、かつ高強度である。
【００１９】
【実施例】以下、実施例等に基づいて本発明を具体的に
説明する。
説明する。
【００２０】〔実施例１〕平均粒径６．３μｍのＺｎＳ
原料粉末４．３３ｋｇを体積比で水９０％と混合した。
すなわち、ＺｎＳ密度を４ｇ／ｃｃとしたので、ＺｎＳ
１０８３ｃｃ、水９７４７ｃｃとなった。これをビーズ
ミルを用い、３パスで滞留時間４分となるように粉砕し
た。粉砕後のＺｎＳの平均粒径は２．５μｍであった。
原料粉末４．３３ｋｇを体積比で水９０％と混合した。
すなわち、ＺｎＳ密度を４ｇ／ｃｃとしたので、ＺｎＳ
１０８３ｃｃ、水９７４７ｃｃとなった。これをビーズ
ミルを用い、３パスで滞留時間４分となるように粉砕し
た。粉砕後のＺｎＳの平均粒径は２．５μｍであった。
【００２１】別に、平均粒径２．０μｍのＳｉＯ2 原料
粉末（アエロジル−ＯＸ５０）０．６７ｋｇを用意し、
水１０００ｃｃを投入し、よく撹拌した
粉末（アエロジル−ＯＸ５０）０．６７ｋｇを用意し、
水１０００ｃｃを投入し、よく撹拌した
【００２２】次に、ＺｎＳ水溶液とＳｉＯ2 水溶液とを
混合した混合液をビーズミルで混合、撹拌した後、静
置、上澄み液除去、吸引濾過し、大気中で４００℃で乾
燥した。その後、得られた混合粉を５０ｋｇｆ／ｃｍ2
で予備加圧後、真空引きし、１２５０℃まで８０分で昇
温した。なお、１１００℃でアルゴンガス１気圧を導入
した。１２５０℃到達後、５分かけて３００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 で加圧し、６０分保持し、３分除圧し、炉冷して、
スパッタリングターゲットを得た。
混合した混合液をビーズミルで混合、撹拌した後、静
置、上澄み液除去、吸引濾過し、大気中で４００℃で乾
燥した。その後、得られた混合粉を５０ｋｇｆ／ｃｍ2
で予備加圧後、真空引きし、１２５０℃まで８０分で昇
温した。なお、１１００℃でアルゴンガス１気圧を導入
した。１２５０℃到達後、５分かけて３００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 で加圧し、６０分保持し、３分除圧し、炉冷して、
スパッタリングターゲットを得た。
【００２３】得られたスパッタリングターゲットのター
ゲット中のＳｉＯ2 平均粒径は２．０μｍ以下であり、
密度は３．６７ｇ／ｃｃであった。また、ターゲット評
価をスパッタリングした後の表面粗さ（Ｒａ）、抗折強
度、良品枚数について行い、この結果を表１に示す。ま
た、スパッタリング後のスパッタリングターゲット表面
の走査型電子顕微鏡写真（５００倍及び５０００倍）を
図１及び図２にそれぞれ示す。
ゲット中のＳｉＯ2 平均粒径は２．０μｍ以下であり、
密度は３．６７ｇ／ｃｃであった。また、ターゲット評
価をスパッタリングした後の表面粗さ（Ｒａ）、抗折強
度、良品枚数について行い、この結果を表１に示す。ま
た、スパッタリング後のスパッタリングターゲット表面
の走査型電子顕微鏡写真（５００倍及び５０００倍）を
図１及び図２にそれぞれ示す。
【００２４】〔比較例１〕平均粒径６．２μｍのＳｉＯ
2 原料粉末（石英粉砕品）を用いた以外は、実施例１と
同様にしてスパッタリングターゲットを得た。
2 原料粉末（石英粉砕品）を用いた以外は、実施例１と
同様にしてスパッタリングターゲットを得た。
【００２５】実施例１と同様にターゲット密度を測定
し、またターゲット評価を行い、その結果を表１に示
す。また、スパッタ後のスパッタリングターゲット表面
の走査型電子顕微鏡写真（５００倍）を図３に示す。
し、またターゲット評価を行い、その結果を表１に示
す。また、スパッタ後のスパッタリングターゲット表面
の走査型電子顕微鏡写真（５００倍）を図３に示す。
【００２６】〔比較例２〕平均粒径６．３μｍのＺｎＳ
原料粉末４．３３ｋｇと平均粒径５８．７μｍのＳｉＯ
2 原料粉末と０．６７ｋｇとをボールミルで混合した。
得られた混合粉を５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で予備加圧した
後、真空引きし、９００℃まで５５分で昇温し、８０分
保持した。加圧は９００℃に昇温した後、１５分後から
２０分で３００ｋｇｆ／ｃｍ2 とした。炉冷した。９０
０℃、８０分保持後、２分で除圧し、炉冷して、スパッ
タリングターゲットを得た。
原料粉末４．３３ｋｇと平均粒径５８．７μｍのＳｉＯ
2 原料粉末と０．６７ｋｇとをボールミルで混合した。
得られた混合粉を５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で予備加圧した
後、真空引きし、９００℃まで５５分で昇温し、８０分
保持した。加圧は９００℃に昇温した後、１５分後から
２０分で３００ｋｇｆ／ｃｍ2 とした。炉冷した。９０
０℃、８０分保持後、２分で除圧し、炉冷して、スパッ
タリングターゲットを得た。
【００２７】実施例１と同様にターゲット密度を測定
し、またターゲット評価を行い、それらの結果を表１に
示す。また、スパッタリング後のスパッタリングターゲ
ット表面の走査型電子顕微鏡写真（５００倍）を図４に
示す。
し、またターゲット評価を行い、それらの結果を表１に
示す。また、スパッタリング後のスパッタリングターゲ
ット表面の走査型電子顕微鏡写真（５００倍）を図４に
示す。
【００２８】〔比較例３〕平均粒径６．３μｍのＺｎＳ
原料粉末４．３３ｋｇと平均粒径２５．１μｍのＳｉＯ
2 原料粉末０．６７ｋｇとをボールミルで混合した。得
られた混合粉を５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で予備加圧した後、
真空引きし、１０００℃まで９０分で昇温し、１２０分
保持した。加圧は１０００℃に昇温した後、２０分後か
ら２０分で３００ｋｇｆ／ｃｍ2 とした。１０００℃、
１２０分保持後、２分で除圧し、炉冷して、スパッタリ
ングターゲットを得た。
原料粉末４．３３ｋｇと平均粒径２５．１μｍのＳｉＯ
2 原料粉末０．６７ｋｇとをボールミルで混合した。得
られた混合粉を５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で予備加圧した後、
真空引きし、１０００℃まで９０分で昇温し、１２０分
保持した。加圧は１０００℃に昇温した後、２０分後か
ら２０分で３００ｋｇｆ／ｃｍ2 とした。１０００℃、
１２０分保持後、２分で除圧し、炉冷して、スパッタリ
ングターゲットを得た。
【００２９】実施例１と同様にターゲット密度を測定
し、またターゲット評価を行い、それらの結果を表１に
示す。また、スパッタリング後のスパッタリングターゲ
ット表面の走査型電子顕微鏡写真（５００倍）を図５に
示す。
し、またターゲット評価を行い、それらの結果を表１に
示す。また、スパッタリング後のスパッタリングターゲ
ット表面の走査型電子顕微鏡写真（５００倍）を図５に
示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から明らかなように、実施例１は、比
較例１〜３に比較して、スパッタリング後のスパッタリ
ングターゲット表面が平滑であり、また抗折強度も高
い。この結果、良品枚数が飛躍的に増加した。
較例１〜３に比較して、スパッタリング後のスパッタリ
ングターゲット表面が平滑であり、また抗折強度も高
い。この結果、良品枚数が飛躍的に増加した。
【００３２】〔実験例〕ＳｉＯ2 原料粉末の平均粒径を
変えた以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングタ
ーゲットを得た。このＳｉＯ2 原料粉末の平均粒径とス
パッタリングした後の表面粗さ（Ｒａ）及び良品枚数の
関係を図６に示す。また、スパッタリングした後の表面
粗さ（Ｒａ）と良品枚数の関係を図７に示す。
変えた以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングタ
ーゲットを得た。このＳｉＯ2 原料粉末の平均粒径とス
パッタリングした後の表面粗さ（Ｒａ）及び良品枚数の
関係を図６に示す。また、スパッタリングした後の表面
粗さ（Ｒａ）と良品枚数の関係を図７に示す。
【００３３】図６及び図７からＳｉＯ2 原料粉末の平均
粒径が小さくなるにつれて、表面粗さも小さくなり、良
品枚数は増加することが判る。
粒径が小さくなるにつれて、表面粗さも小さくなり、良
品枚数は増加することが判る。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録保
護膜形成用スパッタリングターゲットは、強度に優れて
いるため割れが生じにくく、しかもスパツタリングにお
いて、ダスト又はパーティクルの発生が少なく、その結
果として長期使用に耐えることができる。また、本発明
の製造方法によって、上記スパッタリングターゲットが
生産性をもって得られる。
護膜形成用スパッタリングターゲットは、強度に優れて
いるため割れが生じにくく、しかもスパツタリングにお
いて、ダスト又はパーティクルの発生が少なく、その結
果として長期使用に耐えることができる。また、本発明
の製造方法によって、上記スパッタリングターゲットが
生産性をもって得られる。
【図１】図１は、実施例１におけるスパッタリング後の
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
【図２】図２は、実施例１におけるスパッタリング後の
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５０００倍）である。
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５０００倍）である。
【図３】図３は、比較例１におけるスパッタリング後の
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
【図４】図４は、比較例２におけるスパッタリング後の
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
【図５】図５は、比較例３におけるスパッタリング後の
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
スパッタリングターゲット表面の走査型電子顕微鏡写真
（５００倍）である。
【図６】図６は、ＳｉＯ2 原料粉末の平均粒径とスパッ
タリングした後の表面粗さ（Ｒａ）及び良品枚数の関係
を示すグラフである。
タリングした後の表面粗さ（Ｒａ）及び良品枚数の関係
を示すグラフである。
【図７】図７は、スパッタリングした後の表面粗さ（Ｒ
ａ）と良品枚数の関係を示すグラフである。
ａ）と良品枚数の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 弘 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 BA46 BA51 BD12 CA05 DC05 DC09 5D121 AA04 EE03 EE11 EE14
Claims (2)
- 【請求項１】 ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットであって、スパッタリ
ングした後の表面粗さ（Ｒａ）が２．４未満であること
を特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項２】 ＺｎＳ原料粉末とＳｉＯ2 原料粉末とを
混合して得られる混合粉末を加圧、焼成するＺｎＳとＳ
ｉＯ2 からなる光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲットの製造方法において、 ＳｉＯ2 平均粒径が２μｍ以下であり、かつ上記焼成が
不活性ガス雰囲気下、１２００℃以上で行われることを
特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリングターゲッ
トの製造方法。
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| JP10585199A JP2000297363A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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