JP3358548B2 - スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents

スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット

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JP3358548B2
JP3358548B2 JP20520398A JP20520398A JP3358548B2 JP 3358548 B2 JP3358548 B2 JP 3358548B2 JP 20520398 A JP20520398 A JP 20520398A JP 20520398 A JP20520398 A JP 20520398A JP 3358548 B2 JP3358548 B2 JP 3358548B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光記録媒体保護
膜を形成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素系焼結体か
らなるスパッタリングターゲットに関するものであり、
特にスパッタリング時に割れが発生することのない硫化
亜鉛−二酸化ケイ素系焼結体からなるスパッタリングタ
ーゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ビームを用いて情報の記録お
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体には、その
表面に保護膜が形成されている。この保護膜は、純度：
９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９９．
９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相対密度が９０
％以上有する焼結体で構成された光記録媒体保護膜形成
用スパッタリングターゲットをスパッタリングすること
により形成されることは知られている。この従来の光記
録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットは、純
度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛粉末に対し、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素粉末：１０
〜３０ｍｏｌ％を添加し、均一に混合し、得られた混合
粉末を加圧後焼結することにより製造することも知られ
ている（特開平６−６５７２５号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録媒体の製
造効率を向上させるために大電力スパッタリングによる
高速性膜が求められるようになり、光記録媒体保護膜の
形成にも同じ要求が成されている。しかし、従来の硫化
亜鉛−二酸化ケイ素系焼結体からなるターゲットを用い
て大電力スパッタリングを行うと、スパッタリング中に
ターゲットに割れが発生し（以下、このスパッタリング
中にターゲットに割れが発生する現象を「スパッタ割
れ」という）、スパッタ割れが発生した場合のターゲッ
トの交換および成膜装置内の清掃などを加味すると光記
録媒体の製造効率の実質的な向上には至っていない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
大電力スパッタリングを行ってもスパッタリング中にタ
ーゲット割れが発生することのない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なっ
た結果、従来の純度：９９．９９９重量％以上の二酸化
ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなる組成を有する
スパッタリングターゲットに、Ｌｉ、Ａｌ、Ｓｂおよび
Ｔｅの内の１種または２種以上を合計で０．００１〜１
ｍｏｌ％を含有せしめたスパッタリングターゲットは、
大電力スパッタリングを行ってもスパッタリング中にタ
ーゲット割れが発生することはない、という知見を得た
のである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、 （１）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｌｉ：０．
００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる
組成を有する焼結体からなるスパッタ割れのない光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、 （２）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ａｌ：０．
００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる
組成を有する焼結体からなるスパッタ割れのない光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、 （３）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｓｂ：０．
００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる
組成を有する焼結体からなるスパッタ割れのない光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、 （４）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｔｅ：０．
００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる
組成を有する焼結体からなるスパッタ割れのない光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、 （５）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さ
らにＬｉおよびＡｌを合計で０．００１〜１ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体か
らなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、 （６）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さ
らにＬｉおよびＳｂを合計で０．００１〜１ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体か
らなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、 （７）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さ
らにＬｉおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体か
らなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、 （８）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さ
らにＡｌおよびＳｂを合計で０．００１〜１ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体か
らなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、 （９）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さ
らにＡｌおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体か
らなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット、 （１０）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、
さらにＳｂおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍｏｌ％
を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体
からなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲット、 （１１）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、
さらにＬｉ、ＡｌおよびＳｂを合計で０．００１〜１ｍ
ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
焼結体からなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲット、 （１２）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、
さらにＬｉ、ＡｌおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍ
ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
焼結体からなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲット、 （１３）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、
さらにＬｉ、ＳｂおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍ
ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
焼結体からなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲット、 （１４）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、
さらにＡｌ、ＳｂおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍ
ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
焼結体からなるスパッタ割れのない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲット、 （１５）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、
さらにＬｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅを合計で０．００１
〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を
有する焼結体からなるスパッタ割れのない光記録媒体保
護膜形成用スパッタリングターゲット、 に特徴を有するものである。
【０００６】この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットは、まず、Ｌｉ固溶ＺｎＳ粉末、Ａ
ｌ固溶ＺｎＳ粉末、Ｓｂ固溶ＺｎＳ粉末、Ｔｅ固溶Ｚｎ
Ｓ粉末をそれぞれ製造し、これらＬｉ固溶ＺｎＳ粉末、
Ａｌ固溶ＺｎＳ粉末、Ｓｂ固溶ＺｎＳ粉末もしくはＴｅ
固溶ＺｎＳ粉末の各粉末またはこれら２種以上の混合粉
末に対して二酸化ケイ素粉末を、二酸化ケイ素：１０〜
３０ｍｏｌ％、Ｌｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅの内の１種
または２種以上を合計で０．００１〜１ｍｏｌ％を含有
し、残部がＺｎＳとなるように均一に混合し、得られた
混合粉末をホットプレスすることにより製造することが
できる。
【０００７】前記Ｌｉ固溶ＺｎＳ粉末は、ＺｎＯを硫酸
に溶かしたＺｎＳＯ4 水溶液を作製し、これに所定量の
Ｌｉ2 ＳＯ4 水溶液を添加してＺｎＳＯ4 とＬｉ2 ＳＯ
4 の混合水溶液を作製し、このＺｎＳＯ4 とＬｉ2 ＳＯ
4 の混合水溶液にＨ2 Ｓガスを吹き込むことによりＬｉ
固溶ＺｎＳスラリーを作製し、このＬｉ固溶ＺｎＳスラ
リーをテフロンパッドに展開し、乾燥し、温度：６００
℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱処理を行った後、解砕するこ
とにより製造することができる。
【０００８】前記Ａｌ固溶ＺｎＳ粉末は、ＺｎＯを硫酸
に溶かしたＺｎＳＯ4 水溶液を作製し、これに所定量の
Ａｌ2 （ＳＯ4 ）3 水溶液を添加してＺｎＳＯ4 とＡｌ
2（ＳＯ4 ）3 の混合水溶液を作製し、このＺｎＳＯ4
とＡｌ2 （ＳＯ4 ）3 の混合水溶液にＨ2 Ｓガスを吹き
込むことによりＡｌ固溶ＺｎＳスラリーを作製し、この
Ａｌ固溶ＺｎＳスラリーをテフロンパッドに展開し、乾
燥し、温度：６００℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱処理を行
った後、解砕することにより製造することができる。
【０００９】前記Ｓｂ固溶ＺｎＳ粉末は、ＺｎＯを硫酸
に溶かしたＺｎＳＯ4 水溶液を作製し、これに所定量の
Ｓｂ2 （ＳＯ4 ）3 水溶液を添加してＺｎＳＯ4 とＳｂ
2（ＳＯ4 ）3 の混合水溶液を作製し、このＺｎＳＯ4
とＳｂ2 （ＳＯ4 ）3 の混合水溶液にＨ2 Ｓガスを吹き
込むことによりＳｂ固溶ＺｎＳスラリーを作製し、この
Ｓｂ固溶ＺｎＳスラリーをテフロンパッドに展開し、乾
燥し、温度：６００℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱処理を行
った後、解砕することにより製造することができる。
【００１０】前記Ｔｅ固溶ＺｎＳ粉末は、ＺｎＯを硫酸
に溶かしたＺｎＳＯ4 水溶液を作製し、これに所定量の
Ｔｅ（ＯＨ）6 水溶液を添加してＺｎＳＯ4 とＴｅ（Ｏ
Ｈ）6 の混合水溶液を作製し、このＺｎＳＯ4 とＴｅ
（ＯＨ）6 の混合水溶液にＨ2Ｓガスを吹き込むことに
よりＴｅ固溶ＺｎＳスラリーを作製し、このＴｅ固溶Ｚ
ｎＳスラリーをテフロンパッドに展開し、乾燥し、温
度：６００℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱処理を行った後、
解砕することにより製造することができる。
【００１１】この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットに含まれる二酸化ケイ素の含有量は
１０〜３０ｍｏｌ％であるが、この二酸化ケイ素の含有
量は通常の含有量であるからその限定理由の説明は省略
する。この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリン
グターゲットに含まれるＬｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅの
内の１種または２種以上を合計で０．００１〜１ｍｏｌ
％に限定した理由は、これら成分の含有量が０．００１
ｍｏｌ％未満では大電力スパッタリング中のスパッタ割
れを阻止する十分な効果が得られず、一方、１ｍｏｌ％
を越えて含有すると、ターゲットの焼結体の結晶粒が著
しく成長し、大電力スパッタリング中のスパッタ割れを
阻止する十分な効果が得られないことによるものであ
る。この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリング
ターゲットに含まれるＬｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅの内
の１種または２種以上の合計量の一層好ましい範囲は
０．０１〜０．５ｍｏｌ％である。
【００１２】Ｌｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅの内の１種ま
たは２種以上を合計で０．００１〜１ｍｏｌ％添加する
と大電力スパッタリング中のスパッタ割れを阻止するこ
とができる理由は、一般に、ＺｎＳとＳｉＯ2 は化学的
反応性に乏しいが、Ｌｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅを添加
すると、ターゲットの焼結体組織中で硫化物を形成し、
これら硫化物はいずれも融点が低いところから、焼結助
剤となり得ると共に、Ｌｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅがＺ
ｎＳに固溶し、さらにＳｉＯ2 にも拡散し、それによっ
てＺｎＳとＳｉＯ2 の結合強度を高め、大電力放電に対
する割れ耐性を高める理由によるものと考えられる。
【００１３】
【発明の実施の形態】原料粉末として、平均粒径：１０
μｍを有し純度：９９．９９９重量％以上の高純度Ｓｉ
Ｏ2 粉末を用意した。
【００１４】さらに、ＺｎＯを硫酸に溶かしたＺｎＳＯ
4 水溶液に所定量のＬｉ2 ＳＯ4 水溶液を添加してＺｎ
ＳＯ4 とＬｉ2 ＳＯ4 の混合水溶液を作製し、このＺｎ
ＳＯ4 とＬｉ2 ＳＯ4 の混合水溶液にＨ2 Ｓガスを吹き
込むことによりＬｉ固溶ＺｎＳスラリーを作製し、この
Ｌｉ固溶ＺｎＳスラリーをテフロンパッドに展開し、乾
燥し、温度：６００℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱処理を行
った後、解砕することによりＬｉ含有量の異なった、 Ｌｉ：０．００３ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｌｉ：０．００７ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｌｉ：０．０２ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｌｉ：０．０９ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｌｉ：０．４ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ｌｉ：０．８ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ｌｉ：１．０ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｌｉ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 をそれぞれ製造した。
【００１５】さらに、ＺｎＯを硫酸に溶かしたＺｎＳＯ
4 水溶液に所定量のＡｌ2 （ＳＯ4）3 水溶液を添加し
てＺｎＳＯ4 とＡｌ2 （ＳＯ4 ）3 の混合水溶液を作製
し、このＺｎＳＯ4 とＡｌ2 （ＳＯ4 ）3 の混合水溶液
にＨ2 Ｓガスを吹き込むことによりＡｌ固溶ＺｎＳスラ
リーを作製し、このＡｌ固溶ＺｎＳスラリーをテフロン
パッドに展開し、乾燥し、温度：６００℃のＡｒ雰囲気
中で脱水熱処理を行った後、解砕することによりＡｌ含
有量の異なった、 Ａｌ：０．００３ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ａｌ：０．００７ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ａｌ：０．０２ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ａｌ：０．０９ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ａｌ：０．４ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ａｌ：０．８ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ａｌ：１．０ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ａｌ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 をそれぞれ製造した。
【００１６】さらに、ＺｎＯを硫酸に溶かしたＺｎＳＯ
4 水溶液を作製し、これに所定量のＳｂ2 （ＳＯ4 ）3
水溶液を添加してＺｎＳＯ4 とＳｂ2 （ＳＯ4 ）3 の混
合水溶液を作製し、このＺｎＳＯ4 とＳｂ2 （ＳＯ4 ）
3 の混合水溶液にＨ2 Ｓガスを吹き込むことによりＳｂ
固溶ＺｎＳスラリーを作製し、このＳｂ固溶ＺｎＳスラ
リーをテフロンパッドに展開し、乾燥し、温度：６００
℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱処理を行った後、解砕するこ
とによりＳｂ含有量の異なった、 Ｓｂ：０．００３ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｓｂ：０．００７ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｓｂ：０．０２ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｓｂ：０．０９ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｓｂ：０．４ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ｓｂ：０．８ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ｓｂ：１．０ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｓｂ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 をそれぞれ製造した。
【００１７】さらに、ＺｎＯを硫酸に溶かしたＺｎＳＯ
4 水溶液に所定量のＴｅ（ＯＨ）6水溶液を添加してＺ
ｎＳＯ4 とＴｅ（ＯＨ）6 の混合水溶液を作製し、この
ＺｎＳＯ4 とＴｅ（ＯＨ）6 の混合水溶液にＨ2 Ｓガス
を吹き込むことによりＴｅ固溶ＺｎＳスラリーを作製
し、このＴｅ固溶ＺｎＳスラリーをテフロンパッドに展
開し、乾燥し、温度：６００℃のＡｒ雰囲気中で脱水熱
処理を行った後、解砕することによりＴｅ含有量の異な
った、 Ｔｅ：０．００３ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｔｅ：０．００７ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ
固溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｔｅ：０．０２ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｔｅ：０．０９ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ固
溶ＺｎＳ粉末という）、 Ｔｅ：０．４ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ｔｅ：０．８ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 Ｔｅ：１．０ｍｏｌ％固溶ＺｎＳ粉末（以下、Ｔｅ固溶
ＺｎＳ粉末という）、 をそれぞれ製造した。
【００１８】前記用意した高純度ＳｉＯ2 粉末を、前記
Ｌｉ固溶ＺｎＳ粉末〜、Ａｌ固溶ＺｎＳ粉末〜
、Ｓｂ固溶ＺｎＳ粉末〜およびＴｅ固溶ＺｎＳ粉
末〜に表１〜表１０に示される割合で配合し、ボー
ルミルにて２０時間撹拌混合し、得られた混合粉末を内
径：１６０ｍｍの焼結型に充填し、２００ｋｇｆ／ｃｍ
2 の荷重を加え、温度：１１５０℃に３時間保持の条件
でホットプレスすることにより、表１１〜表２０に示さ
れるターゲットの原料となる粉末の配合組成を有する焼
結体を作製した。なお、得られた焼結体の理論密度比は
全て９８％以上であった。これら焼結体を表面研削する
ことにより直径：１５０ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有
する円盤状の本発明ターゲット１〜７０および従来ター
ゲットを製造した。
【００１９】これら本発明ターゲット１〜７０および従
来ターゲットをモリブデン製バッキングプレートに純
度：９９．９９重量％のインジウムろう材によりろう付
けし、これを高周波マグネトロンスパッタリング装置に
セットし、 スパッタガス：Ａｒ、 スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５００
Ｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2 ） の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、放電１
時間ごとにターゲットに割れが発生したか否かを目視に
て観察し、その結果を表１１〜表２０に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】
【表６】
【００２６】
【表７】
【００２７】
【表８】
【００２８】
【表９】
【００２９】
【表１０】
【００３０】
【表１１】
【００３１】
【表１２】
【００３２】
【表１３】
【００３３】
【表１４】
【００３４】
【表１５】
【００３５】
【表１６】
【００３６】
【表１７】
【００３７】
【表１８】
【００３８】
【表１９】
【００３９】
【表２０】
【００４０】表１〜表２０に示される結果から、従来タ
ーゲットは大電力スパッタリングを１時間行なうと割れ
が発生するが、本発明ターゲット１〜７０は、大電力ス
パッタリングを３０時間行っても、ターゲットに割れが
発生しないことが分かる。
【００４１】
【発明の効果】上述のように、この発明の光記録媒体保
護膜形成用スパッタリングターゲットは、大電力スパッ
タリングを行っても割れの発生がないところから、成膜
速度を早めることができ、光記録媒体のコストダウンを
促進し、光メディア産業の発展に大いに貢献し得るもの
である。
フロントページの続き (72)発明者 小田 淳一 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱 マテリアル株式会社 三田工場内 (56)参考文献 特開 平11−335823（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−143703（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 G11B 7/24 G11B 7/26 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｌ
    ｉ：０．００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛
    からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする
    スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
    ングターゲット。
  2. 【請求項２】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ａ
    ｌ：０．００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛
    からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする
    スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
    ングターゲット。
  3. 【請求項３】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｓ
    ｂ：０．００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛
    からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする
    スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
    ングターゲット。
  4. 【請求項４】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｔ
    ｅ：０．００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛
    からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする
    スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
    ングターゲット。
  5. 【請求項５】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
    有し、さらにＬｉおよびＡｌを合計で０．００１〜１ｍ
    ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
    焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れのない光
    記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  6. 【請求項６】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
    有し、さらにＬｉおよびＳｂを合計で０．００１〜１ｍ
    ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
    焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れのない光
    記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  7. 【請求項７】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
    有し、さらにＬｉおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍ
    ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
    焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れのない光
    記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  8. 【請求項８】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
    有し、さらにＡｌおよびＳｂを合計で０．００１〜１ｍ
    ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
    焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れのない光
    記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  9. 【請求項９】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
    有し、さらにＡｌおよびＴｅを合計で０．００１〜１ｍ
    ｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する
    焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れのない光
    記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  10. 【請求項１０】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
    含有し、さらにＳｂおよびＴｅを合計で０．００１〜１
    ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有す
    る焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れのない
    光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
  11. 【請求項１１】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
    含有し、さらにＬｉ、ＡｌおよびＳｂを合計で０．００
    １〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成
    を有する焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れ
    のない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲッ
    ト。
  12. 【請求項１２】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
    含有し、さらにＬｉ、ＡｌおよびＴｅを合計で０．００
    １〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成
    を有する焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れ
    のない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲッ
    ト。
  13. 【請求項１３】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
    含有し、さらにＬｉ、ＳｂおよびＴｅを合計で０．００
    １〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成
    を有する焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れ
    のない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲッ
    ト。
  14. 【請求項１４】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
    含有し、さらにＡｌ、ＳｂおよびＴｅを合計で０．００
    １〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成
    を有する焼結体からなることを特徴とするスパッタ割れ
    のない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲッ
    ト。
  15. 【請求項１５】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
    含有し、さらにＬｉ、Ａｌ、ＳｂおよびＴｅを合計で
    ０．００１〜１ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛から
    なる組成を有する焼結体からなることを特徴とするスパ
    ッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリング
    ターゲット。
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