WO2005083150A1 - スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the sputtered film since the sputtered film has a stable amorphous property, excellent adhesion to a recording layer, excellent mechanical properties, and high transmittance, it is made of a non-sulfide type material.
  • the present invention relates to an adjacent reflective layer, a thin film for an optical information recording medium in which deterioration of a recording layer hardly occurs (particularly, use as a protective film), a manufacturing method thereof, and a patterning target applicable thereto.
  • ZnS—SiO 2 generally used mainly for the protective layer of a phase change type optical information recording medium has excellent properties in terms of optical properties, thermal properties, adhesion to the recording layer, etc. , Widely used.
  • the rewriteable DVD represented by Blue-Ray today is strongly required to further increase the number of rewrites, increase the capacity, and increase the recording speed.
  • a protective layer ZnS—SiO is one of the causes of deterioration of the number of times of rewriting of the optical information recording medium, etc.
  • the pure Ag or Ag alloy reflective layer material is also corroded and degraded to cause the characteristic deterioration such as the reflectance of the optical information recording medium and It had become.
  • the protective layer is made of oxide only, which does not contain sulfide. It was urgently needed to find a material system that has the same or better optical properties as ZnS-SiO2 and amorphous stability.
  • Patent Document 13 has a problem including a region having poor optical properties and amorphousness.
  • Patent Document 1 JP-A 01-317167
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-90745
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-166052
  • adjacent reflections can be obtained by using a non-sulfide system in which the amorphous property of the film is stable, the adhesion to the recording layer is excellent, the mechanical properties are excellent, and the transmittance is high.
  • the present invention relates to a thin film (particularly as a protective film) for an optical information recording medium in which deterioration of the layer and the recording layer hardly occurs, a method for producing the same, and a patterning target applicable to these. Aims to significantly improve the improvement of
  • the present inventors have made it possible to convert the conventional protective layer material ZnS—SiO into a sulfide-free oxide-only material shown below. We have found that it is possible to improve the characteristics of the optical information recording medium by replacing it and ensuring the same optical properties and amorphous stability as ZnS-SiO.
  • the present invention is characterized by comprising a complex oxide of D HfO and Y 0.
  • the sputtering target according to 1) is characterized by 2 3 2, 3)
  • the sputtering target according to 1 or 2 is further characterized by containing 10 to 90 mol% of Zr ⁇ .
  • the present invention is 4) the sputtering target according to any one of 1 to 3 characterized in that the relative density is 90% or more, 5) the sputtering target according to any one of 1 to 4 above.
  • An optical information recording medium characterized in that the optical information recording medium is disposed adjacent to a recording layer or a reflective layer, and a method of manufacturing the same.
  • Thin film for optical information recording media which has optical properties and amorphous stability equal to or higher than ZnS-SiO, excellent adhesion to recording layer, excellent mechanical properties, and high transmittance. (In particular, use as a protective film), a method for producing the same, and a patterning target applicable to these can be provided.
  • this material system has an excellent effect that the characteristics of the optical information recording medium can be improved.
  • the sputtering target of the present invention is composed of a complex oxide of HfO and Y0.
  • HfO and Y0 complex oxide of HfO and Y0.
  • the content of Y is 10 to 95 mol%, and the balance is Hf. Content of Y 0 less than 10 mol%
  • ZrO has the characteristic of high thermal conductivity. In order to make this property vital and to add ZrO additionally, it is desirable to add 10-90 mol%. If less than 10 mol% of ZrO, the effect of addition is ineffective, and if more than 90 mol% of ZrO, the problem of lack of amorphous stability occurs, so when adding, the above range is preferable.
  • This material has stable optical properties and amorphousness of the film, and is suitable for a protective layer material of a phase change optical recording medium.
  • High frequency sputtering is used for film formation.
  • This material is suitable for a phase change recording medium having a high rewriting speed and a protective layer material for a blue laser type phase change recording medium because the amorphous property is stabilized as described above and the transmittance can be improved.
  • the sputtering target of the present invention can have a relative density of 90% or more. The increase in density has the effect of improving the uniformity of the sputtered film and suppressing the generation of particles during sputtering.
  • the sputtering target described above can be used to provide an optical information recording medium which at least as a thin film forms part of the optical information recording medium structure. Further, the sputtering target is used to form at least a part of the structure of the optical information recording medium as a thin film, and to prepare an optical information recording medium disposed adjacent to the recording layer or the reflection layer. That ability S can.
  • a thin film formed using the sputtering target of the present invention forms a part of the structure of the optical information recording medium, and is disposed adjacent to the recording layer or the reflective layer. Since no ZnS is used, diffusion of the sulfur component to the recording layer material disposed so as to be sandwiched by the protective layer where contamination by S is eliminated is eliminated, and deterioration of the recording layer due to this is eliminated. It has a remarkable effect.
  • the sputtering target of the present invention can be produced by pressureless sintering or high-temperature pressure sintering of oxide powder of each constituent element having an average particle diameter of 5 ⁇ m or less. Thereby, a sputtering target having a relative density of 90% or more is obtained.
  • productivity can be improved, a material of excellent quality can be obtained, and an optical recording medium having an optical disc protective film can be stably manufactured at low cost. There is a remarkable effect of being able to
  • the density of the sputtering target of the present invention can be increased by reducing the number of pores and refining the crystal grains and making the sputtering surface of the target uniform and smooth, the sputtering can be performed at the time of sputtering. If particle size and nodules can be reduced and the target life can be extended, it has significant effects, with less variation in quality, and mass productivity can be improved.
  • HfO powder is prepared, formulated to have the composition shown in Table 1, wet mixed and dried.
  • this calcined powder was wet-pulverized to an average particle diameter of 1 ⁇ m, then a binder was added and granulated with a spray dryer.
  • the granulated powder was cold-pressed and pressure-sintered in an oxygen atmosphere at 1300 to 1600 ° C., and the sintered material was machined to a target shape.
  • the component composition of this target is shown in Table 1.
  • Embodiment 1 Hf0 s -20mol3 ⁇ 4YjO 3 98 2.1 1.1 embodiment 2 HfO i -40mol3 ⁇ 4Y! 0 3 96 2.1 1.0 embodiment 3 HfO ⁇ eOmolHA 97 2.0 1.1 embodiment 4 Hf0 2 -80mol3 ⁇ 4 Y 2 0 3 97 1.9 1.0 embodiment 5 ZrO 2 -10mol3 ⁇ 4Hf0 2 -20nol% Y 2 0 3 97 2.1 1.1 embodiment 6 Zr0 2 -30mol3 ⁇ 4Hf0 2 -40mol3 ⁇ 4 Y 2 0 3 97 2.0 1.0 Comparative 1 stroke 2 95 2.1 1.9 Comparative 2 Zr0 2 97 2.1 2.3 Comparative 3 93 1.9 2.5 Comparative 4 ZrO r 5fflol3 ⁇ 4Y 2 0 3 97 2.0 2.1 Comparison 5 HfO r 5 mol 3 ⁇ 4 Y 2 0 3 95 2.1 1.8 Comparison 6 ZnS-Sio 2 (20 mol
  • Sputtering was carried out using the above-described 6 inch ⁇ sized target.
  • the sputtering conditions are: RF sputtering, sputtering power 1000 W, Ar gas pressure 0.5 Pa, A film was formed at a target film thickness of 1500A.
  • the transmittance of the sputtered film reaches 96 98% (405 zm), the refractive index is 1.9-2.1, and no specific crystal peak is observed, and the stable amorphous (1 It had 0-1. 1).
  • the target of this embodiment does not use ZnS, the characteristic degradation of the optical information recording medium due to the diffusion of sulfur and contamination does not occur. Moreover, compared with the comparative example mentioned later, as for the transmittance
  • the component 'composition of the comparative example deviating from the composition ratio of the present invention for example, the comparative example 1 has a bad result that the amorphous property is as bad as 1.9 since no Y oxide is contained.
  • Comparative Example 2 resulted in a poor amorphous property of 2.3 due to the absence of the amount of Y oxide.
  • Comparative Example 3 the amorphous property was similarly bad with 2.5 because Y oxide alone was used.
  • Comparative Example 5 is a combination of Hf oxide and Y oxide content, the amorphousness was poor, with the Y oxide content being less than the reference amount, such as 1.8.
  • Comparative Example 6 contains a large amount of ZnS, and the transmittance is as low as 80%. The material is at risk of contamination by
  • the thin film formed using the sputtering target of the present invention forms a part of the structure of the optical information recording medium, and since ZnS is not used, diffusion of the sulfur component to the recording layer material is eliminated, There is a significant effect that the deterioration of the recording layer is eliminated.
  • diffusion of the sulfur component to the reflective layer is also eliminated, and the reflective layer is corroded and degraded. It has the excellent effect of clearing the cause of the problem.
  • the amorphous property is stabilized and conductivity is imparted to the target, and the relative density is increased to 90% or more, which enables stable RF sputter deposition. And, the controllability of the sputter can be facilitated and the sputtering efficiency can be improved. Furthermore, particles (dust generation) and nodules generated at the time of sputtering can be reduced during film formation, the variation in quality is small, mass productivity can be improved, and an optical recording medium having an optical disc protective film can be reduced. There is a remarkable effect that it can be manufactured stably at cost.

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Abstract

 HfO2及びY2O3の複合酸化物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。Y2O3の含有量が10~95mol%、残部HfO2である同スパッタリングターゲット。さらに、ZrO2を10~90mol%含有することを特徴とする同スパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜(特に保護膜としての使用)及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。

Description

明 細 書
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、記録層との密着性、機械特性に優 れ、かつ透過率が高ぐまた非硫化物系で構成されているため、隣接する反射層、記 録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用)及びその 製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関する。
背景技術
[0002] 従来、主として相変化型の光情報記録媒体の保護層に一般的に使用される ZnS— SiOは、光学特性、熱特性、記録層との密着性等において、優れた特性を有し、広く 使用されている。
しかし、今日 Blue-Rayに代表される書き換え型 DVDは、さらに書き換え回数の増加 、大容量化、高速記録化が強く求められている。
[0003] 光情報記録媒体の書き換え回数等が劣化する原因の一つとして、保護層 ZnS— SiO
に挟まれるように配置された記録層材への、 ZnS-SiOからの硫黄成分の拡散が挙 げられる。
また、大容量化、高速記録ィ匕のため高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまたは Ag合金が反射層材に使用されるようになったが、このような反射層も保護層材である ZnS— SiOと接するように配置されている。
したがって、この場合も同様に、 ZnS-SiOからの硫黄成分の拡散により、純 Agまた は Ag合金反射層材も腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き 起こす要因となっていた。
[0004] これら硫黄成分の拡散防止対策として、反射層と保護層、記録層と保護層の間に、 窒化物や炭化物を主成分とした中間層を設けた構成にすることも行なわれている。し かし、これは積層数の増加となり、スループット低下、コスト増加になるという問題を発 生している。
上記のような問題を解決するため、保護層材に硫化物を含まない酸化物のみの材 料へと置き換え、 ZnS-SiOと同等以上の光学特性、非晶質安定性を有する材料系を 見出すことが急務となっていた。
[0005] 以上のようなことから、酸化物系保護層材、透明導電材あるいは光学薄膜が提案さ れている(特許文献 1一 3参照)。
しかし、特許文献 1一 3は、光学特性及び非晶質性が劣る領域を含む問題があった 特許文献 1 :特開平 01 - 317167号公報
特許文献 2:特開 2000 - 90745号公報
特許文献 3:特開 2003 - 166052号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、膜の非晶質性が安定であり、記録層との密着性、機械特性に優れ、且 つ透過率が高ぐ非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化 が生じ難い光情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用)及びその製造方法並 びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、 これによつて、光 情報記録媒体の特性の向上を大幅に改善することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、従来の保護 層材 ZnS— SiOを、下記に提示する硫化物を含まない酸化物のみの材料へと置き換 え、かつ ZnS - SiOと同等の光学特性及び非晶質安定性を確保し、光情報記録媒体 の特性改善が可能であるとの知見を得た。
[0008] 本発明はこの知見に基づき、 D HfO及び Y 0の複合酸化物からなることを特徴と
2 2 3
するスパッタリングターゲット、 2) Y 0の含有量が 10— 95mol%、残部 Hf〇であること
2 3 2 を特徴とする 1記載のスパッタリングターゲット、 3)さらに、 Zr〇を 10— 90mol%含有す ることを特徴とする 1又は 2記載のスパッタリングターゲットを提供する。
[0009] また、本発明は、 4)相対密度が 90%以上であることを特徴とする 1一 3のいずれかに 記載のスパッタリングターゲット、 5)上記 1一 4のいずれかに記載のスパッタリングター ゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを 特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法、 6)上記 1一 5のいずれかに記載のス パッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一 部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする光情 報記録媒体及びその製造方法を提供する。
発明の効果
[0010] 上記によって、従来の保護層材 ZnS— Si〇を、硫化物を含まない酸化物のみの材料 へと置き換えることによって、隣接する反射層、記録層等への硫黄による劣化を抑制 すると共に、 ZnS-SiOと同等又はそれ以上の光学特性及び非晶質安定性を備え、 記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高いという優れた特性を持つ光 情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用)及びその製造方法並びにこれらに 適用できるパッタリングターゲットを提供できる。
また、本材料系を使用することにより、光情報記録媒体の特性改善が可能となるとい う優れた効果を有する。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明のスパッタリングターゲットは、 HfO及び Y 0の複合酸化物からなる。特に、
2 2 3
Y〇の含有量は 10— 95mol%とし、残部 Hf〇とする。 Y 0の含有量 10mol%未満及
2 3 2 2 3
ひ Ύ 0の含有量 95mol%を超えると、非晶質性安定性に欠けるという問題があるから
2 3
である。
さらに、 ZrOを 10— 90mol%添加することができる。 ZrOは熱伝導率が高いという特 性を持つ。この特性を活力 て、 ZrOを付加的に添加する場合には、 10— 90mol% 添加するのが望ましい。 ZrO 10mol%未満では添加の効果がなぐまた ZrO 90mol% を超えると非晶質性安定に欠けるという問題が生ずるので、添加する場合には、上記 の範囲とするのが好ましい。
[0012] この材料は、光学特性及び膜の非晶質性が安定しており、相変化型光記録媒体の 保護層材に適している。成膜には、高周波スパッタリングを使用する。
本材料は、上記の通り非晶質性が安定し、透過率を向上させることが出来るため、 書換え速度の速い相変化記録媒体や青色レーザー系の相変化記録媒体用保護層 材に適する。 [0013] また、本発明のスパッタリングターゲットは、相対密度が 90%以上とすることが可能で ある。密度の向上は、スパッタ膜の均一性を高め、またスパッタリング時のパーテイク ルの発生を抑制できる効果を有する。
上記に述べるスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録 媒体構造の一部を形成する光情報記録媒体を提供することができる。さらに、上記ス パッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一 部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されている光情報記録媒体を作 製すること力 Sできる。
[0014] さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録 媒体の構造の一部を形成し、記録層又は反射層と隣接して配置されるが、上記の通 り、 ZnSを使用していないので、 Sによる汚染がなぐ保護層に挟まれるように配置さ れた記録層材への硫黄成分の拡散がなくなり、これによる記録層の劣化がなくなると レ、う著しい効果がある。
また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまた は Ag合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成 分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等 の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
[0015] 本発明のスパッタリングターゲットは、平均粒径が 5 μ m以下である各構成元素の酸 化物粉末を、常圧焼結又は高温加圧焼結することによって製造することができる。こ れによって、相対密度が 90%以上を有するスパッタリングターゲットが得られる。この 場合、焼結前に酸化ハフニウム及び酸化イットリウムを主成分とした酸化物粉末を、 8 00— 1400° Cで仮焼することが望ましい。この仮焼後、 3 x m以下に粉砕して焼結 用の原料とする。
[0016] さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、生産性が向上し、品 質の優れた材料を得ることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで 安定して製造できるという著しい効果がある。
本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し 、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時の パーティクルゃノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができると レ、う著しい効果を有し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。 実施例
[0017] 以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例 であり、この例によって何ら制限されるものではなレ、。すなわち、本発明は特許請求 の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の 変形を包含するものである。
[0018] (実施例 1一 6)
4N相当で 5 /i m以下の Y O粉及び 3N相当で平均粒径 5 μ m以下の Zr〇粉及び
2 3 2
HfO粉を準備し、表 1に示す組成となるように調合して、湿式混合し、乾燥後、 110
2
0° Cで仮焼した。
さらに、この仮焼粉を平均粒径 1 β m相当まで湿式微粉碎した後、バインダーを添 カロしてスプレードライヤーで造粒した。この造粒粉を冷間で加圧成形し、酸素雰囲気 、 1300— 1600° Cで常圧焼結し、この焼結材を機械加工でターゲット形状に仕上 げた。このターゲットの成分組成を表 1に示す。
[0019] [表 1]
例 組成 透過率 屈折率 非晶質性
405ηηι (¾) 405nm
実施 1 Hf0s-20mol¾YjO3 98 2.1 1.1 実施 2 HfOi-40mol¾Y!03 96 2.1 1.0 実施 3 HfO^eOmolHA 97 2.0 1.1 実施 4 Hf02-80mol¾ Y203 97 1.9 1.0 実施 5 ZrO2-10mol¾Hf02-20nol% Y203 97 2.1 1.1 実施 6 Zr02-30mol¾Hf02-40mol¾ Y203 97 2.0 1.0 比較 1 画 2 95 2.1 1.9 比較 2 Zr02 97 2.1 2.3 比較 3 93 1.9 2.5 比較 4 ZrOr5fflol¾Y203 97 2.0 2.1 比較 5 HfOr5mol¾Y203 95 2.1 1.8 比較 6 ZnS-Si02 (20mol¾) 80 2.3 1.1 非晶質件はァニール (600 、 Ar雰囲気, 30min) を施した成膜サンプルの XRD測定におけ る 20=20- 60° の範囲の未成膜ガラス基板に対する最大ビーク強度比で表した。 上記の仕上げ加工した 6インチ φサイズのターゲットを使用して、スパッタリングを行 つた。スパッタ条件は、 RFスパッタ、スパッタパワー 1000W、 Arガス圧 0.5Paとし、 目標膜厚 1500Aで成膜した。
成膜サンプノレの透過率 (波長 633nm) %、屈折率 (波長 633nm)、非晶質性 (成膜 サンプルのァニール処理(600。 C X 30min、 Ar雰囲気)を施した、 XRD (Cu-K a 、 40kV、 30mA)による測定における 2 Θ = 20— 60° の範囲の未成膜ガラス基板に 対する最大ピーク強度で表した)の測定した結果等を、まとめて表 1に示す。
[0021] 以上の結果、実施例 1一 6のスパッタリングターゲットは、相対密度は 90以上に達し 、安定した RFスパッタができた。
また、スパッタ膜の透過率は、 96 98% (405 z m)に達し、屈折率は 1. 9- 2. 1 であり、また特定の結晶ピークは見られず、安定した非晶質性(1. 0- 1. 1 )を有して いた。
さらに、本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染に よる光情報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜 サンプノレの透過率、屈折率、非晶質の安定性が、いずれも良好な値を示した。
[0022] (比較例 1一 6)
表 1に示すように、本願発明の条件とは異なる原料粉の成分及び組成比の材料、 特に比較例 6においては ZnS原料粉を準備し、これを実施例と同様の条件で、ター ゲットを作製し、かっこのターゲットを用いてスパッタ膜を形成した。
この結果を、同様に表 1に示す。
[0023] 本発明の組成比から逸脱する比較例の成分'組成、例えば比較例 1については、 Y 酸化物が全く含有されていないため、また非晶質性が 1. 9と悪い結果となった。 比較例 2は、同様に Y酸化物量ないために、非晶質性が 2. 3と悪い結果となった。 比較例 3については、 Y酸化物単独であるために、同様に非晶質性が 2. 5と悪い結 果となった。
比較例 4については、 Zr酸化物と Y酸化物量との組合せで、 Y酸化物量の基準量 よりも少なぐ同様に非晶質性が 2. 1と悪い結果となった。
比較例 5については、 Hf酸化物と Y酸化物量との組合せであるが、 Y酸化物量が 基準量よりも少なぐ同様に非晶質性が 1. 8と悪い結果となった。
また、特に比較例 6は、 ZnSが多く含有されており、透過率が 80%と低ぐまた硫黄 による汚染の危険のある材料であった。
産業上の利用可能性
本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録媒体の 構造の一部を形成し、 ZnSを使用していないので、記録層材への硫黄成分の拡散が なくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著しい効果がある。また、 P 接する 高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまたは Ag合金を反射層に用いた場合には 、該反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、反射層が腐食劣化して特性劣化を引き 起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
さらに、非晶質性が安定化するとともにターゲットに導電性が付与され、相対密度を 90%以上の高密度化によって、安定した RFスパッタ成膜を可能とする。そして、スパ ッタの制御性を容易にし、スパッタリング効率を向上させることができるという著しい効 果がある。さらにまた、成膜の際にスパッタ時に発生するパーティクル (発塵)やノジュ ールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、光ディスク保 護膜をもつ光記録媒体を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。

Claims

請求の範囲
[1] HfO及び Y Οの複合酸化物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2 2 3
[2] Υ 0の含有量が 10— 95mol%、残部 HfOであることを特徴とする請求項 1記載のス
2 3 2
ノヽ0ッタリングターゲット。
[3] さらに、 ZrOを 10 90mol%含有することを特徴とする請求項 1又は 2記載のスパッ
2
タリングターゲット。
[4] 相対密度が 90%以上であることを特徴とする請求項 1一 3のいずれかに記載のスパ ッタリングターゲット。
[5] 請求項 1一 4のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄 膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及 びその製造方法。
[6] 請求項 1一 5のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄 膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して 配置されていることを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。
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