TWI454586B

TWI454586B - 形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶

Info

Publication number: TWI454586B
Application number: TW100145970A
Authority: TW
Inventors: Shoubin Zhang; Hayato Sasaki; Syozou Komiyama; Akifumi Mishima
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2006-06-08
Filing date: 2007-06-08
Publication date: 2014-10-01
Also published as: TW200808984A; JP5088464B2; CN101460653A; TW201211285A; CN101460653B; US8268141B2; TWI494451B; KR101074222B1; WO2007142333A1; TW201346047A; TWI406961B; US20100170785A1; KR20090007787A; JP2007327103A

Description

形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶

本發明係關於一種用以形成光記錄媒體之保護膜且具有高強度之濺鍍靶(以下，簡稱靶)，又該光記錄媒體則可藉雷射光而進行資訊之記錄、再生、記錄及再生及消去者。

本申請案係基於2006年6月8日在日本申請之特願2006-159303號而主張優先權，該內容在本案中均加以援用。

一般而言，構成光碟等光記錄媒體之保護膜(包含下部保護膜及上部保護膜，以下同)，其代表性者已知為含有二氧化矽(SiO₂)：20%，且殘餘部為硫化鋅(ZnS)所成之組織；已知具有該組成之保護膜，可藉由使用：含有二氧化矽(SiO₂)：20%，且殘餘部為硫化鋅(ZnS)所成之ZnS-SiO₂系熱壓燒結體所構成之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，即可製得。

然而，由該ZnS-SiO₂系熱壓燒結體所成之靶，在以雷射光照射記錄膜進行重複書寫時，ZnS-SiO₂系熱壓燒結體所成之靶中所構成之ZnS，其S卻有擴散至記錄膜中並使重複書寫之功能降低之缺點。因此，目前已經在開發不含S之保護膜，而不含S之保護膜之一個例子，以莫耳計，已知有以下者。

(i)將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(ii)將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(iii)將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(iv)將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(v)將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(vi)將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(vii)將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(viii)將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

(ix)將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之光記錄媒體保護膜。

進而，用以形成前述(i)~(ix)所記載之成分組成之光記錄媒體保護膜之濺鍍靶亦正在開發中，該靶係具有與前述(i)~(ix)所記載之光記錄媒體保護膜為同一之成分組成者(專利文獻1參照)。

前述靶，係準備了前述(i)~(ix)所記載之氧化物粉末作為原料粉末，再將該等原料粉末依所定之比例配合後加以混合製作成混合粉末，並於形成該混合粉末後在大氣中或氧氣環境等之氧化性環境中加以燒結而製得。

專利文獻1：特開2005-56545號公報

發明之揭示

然而，準備了前述(i)~(ix)所記載之氧化物粉末作為原料粉末，再將該等原料粉末依所定之比例配合後加以混合製作成混合粉末，並於形成該混合粉末後在氧化性環境中依通常條件加以燒結而製得之靶，其在高輸出功率濺鍍中會發生破裂，且無法以良好之效率形成光記錄媒體保護膜。本發明之目的，即在提供一種即使在高輸出功率濺鍍中亦不會發生破裂之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。

本發明者們致力於一種即使在高輸出功率濺鍍中亦不會發生破裂之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之相關研究。其結果，得到以下之研究結果。

(a)一種將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；一種將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；或一種將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。據此，在該等靶材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶中，其密度及強度會更加地提升，且在高輸出功率濺鍍中不會發生破裂之情形。

(b)一種將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；一種將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；或一種將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。據此，在該等靶材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶中，其密度及強度會更加地提升，且在高輸出功率濺鍍中不會發生破裂之情形。

(c)一種將含有氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；一種將含有氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；或一種將含有氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。據此，在該等靶材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶中，其密度及強度會更加地提升，且在高輸出功率濺鍍中不會發生破裂之情形。在該等靶材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶，相較於無具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成組織之該等靶而言，其密度及強度會顯著地提升。

本發明，係基於此種研究結果所完成者。

(1)本發明之第1態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(2)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(3)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鋁及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(4)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(5)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(6)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化鑭及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(7)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(8)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鉿：10~70%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

(9)本發明之其他態樣之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其特徵為其係將含有(以莫耳計)氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之具有配合組成之混合粉末加以燒結之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；又，該靶材質中具有由具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之組織。更佳者，其氧化鋯之含量係20~50莫耳%，二氧化矽之含量則係10~30莫耳%。

為製造本發明之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其原料粉末係使用氧化鋯粉末、釔安定化氧化鋯粉末、氧化鉿粉末、非晶質二氧化矽粉末、氧化鋁粉末、氧化鑭粉末及氧化銦粉末，將此等原料粉末依前述(1)~(9)記載之成分組成加以配合，並混合而製作成混合粉末，將該混合粉末加壓成形所得之成形體，於氧氣環境中，以較通常之燒結溫度為高之溫度：1300℃以上進行活性燒結即可製得。

在製造本發明之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶中，其原料粉末使用非晶質之二氧化矽粉末、環境為氧氣環境、以及以溫度：1300℃以上進行燒結者，均極係重要，否則如使用結晶質之二氧化矽粉末時，所得到之靶會產生彎曲，且強度會降低等而極不理想。再者，作為原料粉末使用之氧化鋯粉末，其亦可為安定化或部分安定化之氧化鋯粉末。此種安定化或部分安定化之氧化鋯粉末，舉例而言，已知有含Y₂O₃：1~12莫耳%之氧化鋯粉末。

本發明之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其強度更加地提升後可作成大型化，而即使進行高輸出功率之濺鍍亦不會產生破裂，從而可效率更佳地形成光記錄媒體保護膜。

實施發明之最佳形態

以下，茲舉出實施例更具體地說明本發明之形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶。

原料粉末，係準備具有平均粒徑：0.2μm且純度：99.99%以上之ZrO₂粉末、具有平均粒徑：0.2μm且純度：99.99%以上之HfO₂粉末、具有平均粒徑：0.2μm且純度：99.99%以上之非晶質SiO₂粉末、具有平均粒徑：1μm且純度：99.99%以上之結晶質SiO₂粉末、具有平均粒徑：0.5μm且純度：99.99%以上之In₂O₃粉末、具有平均粒徑：0.5μm且純度：99.99%以上之Al₂O₃粉末、以及具有平均粒徑：0.5μm且純度：99.99%以上之La₂O₃粉末，進而，並準備含有Y₂O₃：3莫耳%之安定化ZrO₂粉末。

實施例1

將事先準備好之ZrO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及Al₂O₃粉末，秤量使成為表1所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表1所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO₂：30%、SiO₂：20%，而殘餘部分：Al₂O₃所成組成之本發明靶1及傳統靶1。將本發明靶1及傳統靶1之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表1。進而，就本發明靶1及傳統靶1之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表1。

進而，所得到之本發明靶1及傳統靶1以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔：70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶1及傳統靶1，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表1。

如表1所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶1，相較於未在材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶1，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例2

將事先準備好之HfO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及Al₂O₃粉末，秤量使成為表2所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表2所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含HfO₂：30%、SiO₂：20%，而殘餘部分：Al₂O₃所成組成之本發明靶2及傳統靶2。將本發明靶2及傳統靶2之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表2。進而，就本發明靶2及傳統靶2之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表2。

進而，所得到之本發明靶2及傳統靶2以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶2及傳統靶2，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：7kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表2。

如表2所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶2，相較於未在材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶2，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例3

將事先準備好之含有Y₂O₃：3莫耳之安定化ZrO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及Al₂O₃粉末，秤量使成為表3所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表3所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO₂：30%、Y₂O₃：0.9%、SiO₂：20%，而殘餘部分：Al₂O₃所成組成之本發明靶3及傳統靶3。將本發明靶3及傳統靶3之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表3。進而，就本發明靶3及傳統靶3之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表3。

進而，所得到之本發明靶3及傳統靶3以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶3及傳統靶3，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表3。

如表3所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶3，相較於未在材質中具有Al₆Si₂O₁₃之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶3，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例4

將事先準備好之ZrO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及La₂O₃粉末，秤量使成為表4所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表4所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO₂：30%、SiO₂：20%，而殘餘部分：La₂O₃所成組成之本發明靶4及傳統靶4。將本發明靶4及傳統靶4之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表4。進而，就本發明靶4及傳統靶4之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表4。

進而，所得到之本發明靶4及傳統靶4以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶4及傳統靶4，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表4。

如表4所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶4，相較於未在材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶4，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例5

將事先準備好之HfO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及La₂O₃粉末，秤量使成為表5所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表5所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含HfO₂：30%、SiO₂：20%，而殘餘部分：La₂O₃所成組成之本發明靶5及傳統靶5。將本發明靶5及傳統靶5之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表5。進而，就本發明靶5及傳統靶5之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表5。

進而，所得到之本發明靶5及傳統靶5以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶5及傳統靶5，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：7kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表5。

如表5所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶5，相較於未在材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶5，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例6

將事先準備好之含有Y₂O₃：3莫耳之安定化ZrO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及La₂O₃粉末，秤量使成為表6所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表6所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO₂：30%、Y₂O₃：0.9%、SiO₂：20%，而殘餘部分：La₂O₃所成組成之本發明靶6及傳統靶6。將本發明靶6及傳統靶6之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表6。進而，就本發明靶6及傳統靶6之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表6。

進而，所得到之本發明靶6及傳統靶6以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶6及傳統靶6，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表6。

如表6所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶6，相較於未在材質中具有La₂SiO₅之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶6，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例7

將事先準備好之ZrO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及In₂O₃粉末，秤量使成為表7所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表7所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO₂：30%、SiO₂：20%，而殘餘部分：In₂O₃所成組成之本發明靶7及傳統靶7。將本發明靶7及傳統靶7之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表7。進而，就本發明靶7及傳統靶7之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表7。

進而，所得到之本發明靶7及傳統靶7以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶7及傳統靶7，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表7。

如表7所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶7，相較於未在材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶7，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例8

將事先準備好之HfO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及In₂O₃粉末，秤量使成為表8所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表8所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含HfO₂：30%、SiO₂：20%，而殘餘部分：In₂O₃所成組成之本發明靶8及傳統靶8。將本發明靶8及傳統靶8之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表8。進而，就本發明靶8及傳統靶8之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表8。

進而，所得到之本發明靶8及傳統靶8以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶8及傳統靶8，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：7kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表8。

如表8所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶8，相較於未在材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶8，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

實施例9

將事先準備好之含有Y₂O₃：3莫耳之安定化ZrO₂粉末、非晶質SiO₂粉末、結晶質SiO₂粉末、及In₂O₃粉末，秤量使成為表9所示之配合組成，再以亨謝爾混合器使之均一混合。其後，使該混合粉末加壓成形，所得到之成形體再以表9所示之條件加以燒成，從而製得其不論何者，均為直徑：200mm×厚度：6mm之尺寸，且具有包含ZrO₂：30%、Y₂O₃：0.9%、SiO₂：20%，而殘餘部分：In₂O₃所成組成之本發明靶9及傳統靶9。將本發明靶9及傳統靶9之切斷面進行研磨後，藉由X射線繞射及EPMA加以觀察，並觀察其材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相是否生成，其結果示於表9。進而，就本發明靶9及傳統靶9之密度及抗折強度加以測定，其結果示於表9。

進而，所得到之本發明靶9及傳統靶9以焊錫焊接在無氧氣銅製之水冷背板之狀態下，裝置於直流磁控濺鍍裝置內之後，先將裝置內以真空排氣裝置排氣至1×10^-6Torr以下。其後，導入氬氣使裝置內環境為1.5×10^-3Torr之濺鍍氣壓。然後，將厚度：0.6mm之聚碳酸酯基板以靶間隔： 70mm加以配置。接著，在此狀態下使用本發明靶9及傳統靶9，以直流電源施加較通常為高之濺鍍電力：9kW，而在前述聚碳酸酯基板表面上形成具有厚度：50nm之光記錄媒體保護膜。觀察此時在靶上是否有發生破裂，其結果示於表9。

如表9所示之結果，可知成分組成即使相同，在材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之本發明靶9，相較於未在材質中具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之傳統靶9，其密度及強度較高，進而在濺鍍中亦不會發生破裂情形。

又，熟悉本發明技術之人士，可容易由莫耳百分比容易推知金屬元素之百分比例，例如可由後述表10~13所揭示之計算內容而容易推知申請專利範圍第1項之鋯的高低值5.3~69元素%，其中之最低值5.3為由表10計算而得(5.26原子%)，最高值則可由表13計算而得(69.3原子%)；矽的高低值0~35元素%中之最低值0為由表10計算而得(0.052原子%)，最高值則可由表11計算而得(35.7原子%)。其他例如可由下表10~13之ZrO₂、SiO₂、La₂O₃之mol%分別求出ZrO₂、SiO₂、La₂O₃之金屬元素%。

上述數值之補充，並未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍。

產業上可利用性

本發明之形成光記錄媒體保護膜用靶，其強度更加地提升後可作成大型化，而即使進行高輸出功率之濺鍍亦不會產生破裂，從而可效率更佳地形成光記錄媒體保護膜。因此，本發明在產業上係極為有用者。

Claims

一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，相對於作為全金屬元素之金屬元素比例的金屬元素%為含有，鋯：5.3~69元素%、矽：0~35元素%，以及殘餘部：銦及不可避之不純物，該靶材質中具有由具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之組織，前述光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之密度為99%以上，前述光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之抗折強度為255MPa以上。
一種形成高強度光記錄媒體保護膜用濺鍍靶，其係將具有含有以莫耳計為，氧化鋯：10~70%、氧化釔：0.1~8.4%、非晶質之二氧化矽：50%以下(不含0%)，以及殘餘部：氧化銦及不可避免之雜質所成之配合組成之混合粉末燒結所得之形成光記錄媒體保護膜用濺鍍靶；其特徵為，相對於作為全金屬元素之金屬元素比例的金屬元素%為含有，鋯：5.3~63元素%、矽：0~35元素%，釔：0.1~15元素%，以及殘餘部：銦及不可避之不純物，該靶材質中具有由具有In₂Si₂O₇之組成之複合氧化物相所生成之組織，前述光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之密度為99%以上，前述光記錄媒體保護膜用濺鍍靶之抗折強度為255MPa以上。