DE102013016529A1 - Metalloxid-Target und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget zur Herstellung von Schichten, insbesondere von optischen Schichten. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Schicht, insbesondere optische Schicht, und eine Vorrichtung zur Herstellung eines Sputtertargets. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets. Erfindungsgemäß ist beispielsweise vorgehenden, dass das Sputtertarget des Weiteren zumindest ein Metalloxid oder des Weiteren aufweisend zumindest eine Kombination aus zumindest zwei Metalloxiden oder des Weiteren aufweisend eine Kombination von zumindest einem Metalloxid in Form einer Legierung oder in Form einer Mischung aufweist, so dass durch die Elemente Si und Al oder deren Legierung und durch das zumindest eine Metalloxid oder deren Kombination ein Sputtertarget mit Metalloxidanteil entsteht. Das Metalloxid in dem Sputtertarget ist bevorzugt ein Metalloxid aus der Gruppe ZrO2, Ta2O5, Y2O3, HfO, CaO, MgO, Ce2O3, Al2O3, TiO2 oder Nb2O5.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget zur Herstellung von Schichten, insbesondere von optischen Schichten. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Schicht, insbesondere optische Schicht, und eine Vorrichtung zur Herstellung eines Sputtertargets. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets.
  • Aus der US 2011/0212312 A1 ist ein Zr-Target bekannt, das zur Herstellung kratzfester Deckschichten eingesetzt wird. Die US-Schrift beschreibt ein Schichtsystem mit einer schützenden ZrO2-Deckschicht.
  • Aus der US 2007/0036986 A1 ist ein zirkonhaltiges Target zur Herstellung besonders stabiler Schichten bekannt. Die US 2007/0036986 A1 beschreibt ein Infrarot reflektierendes Einfach-Ag-Schichtsystem mit einer ZrSiOxNy-Schicht (ZrSiOxNy = ZrSi-Sauerstoff-Stickstoff-Verbindung), das heißt einer ZrSi-Oxynitrid-Schicht. Das Schichtsystem wird durch Sputtern eines ZrSi-Targets in sauerstoff- und stickstoffhaltiger Atmosphäre hergestellt. Das mit dieser Schicht versehene Schichtsystem zeichnet sich durch verbesserte Haltbarkeit und Beständigkeit aus.
  • Aus der WO 2011/110584 A1 ist ein Schichtsystem mit einer TiO2:ZrO2 Schicht bekannt, das eine mechanische und chemische Beständigkeit von pyrolitischen Schichten aufweist.
  • Aus der US 2006/0159933 A1 ist ein Target bekannt. Die mittels des Targets erzeugte Schicht ist ein UV-blockierendes Schichtsystem mit einer ZrSiOxNy-Schicht als Deckschicht und einer NbZrOx-Schicht als Zwischenschicht. Die Schichten können durch Verwendung von SiZr und NbZr Target sputtertechnisch hergestellt werden.
  • Ein NbZr-Target ist aus der US 2004/0258926 A1 bekannt, wobei die NbZr-Schichten ein Infrarot reflektierendes Doppel-Ag-Schichtsystem beinhalten. Die NbZr-Schichten werden unter Verwendung eines NbZr-Targets hergestellt, wobei das Schichtsystem sich durch verbesserte Haltbarkeit und Beständigkeit auszeichnet.
  • Ferner ist aus der JP 05154950 B2 ein Target bekannt, das aus den Elementen Al, Si, ZrSi besteht. Das Zr wird dabei in Form einer ZrSi-Verbindung verwendet
  • Nachteilig bei dem oben näher bezeichneten Stand der Technik und den zugehörigen Sputtertargets ist, dass aufgrund des bei der Herstellung von SiZr basierten Systemen verwendeten Pulvers, beispielsweise des Zr- oder ZrSi-Pulvers, eine potentielle Entzündungs- und Brandgefahr aufgrund des exothermen metallischen Charakters der Pulver entsteht. Außerdem ist die Herstellung des entsprechenden Pulvers aufwändig und teuer.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, unter anderem ein Sputtertarget zu entwickeln, das leicht, sicher und einfach handhabbar ist.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird bei einem Sputtertarget aufweisend die Elemente Si und Al oder eine Si-Al-Legierung dadurch gelöst, dass das Sputtertarget des Weiteren zumindest ein Metalloxid oder des Weiteren aufweisend zumindest eine Kombination aus zumindest zwei Metalloxiden oder des Weiteren aufweisend eine Kombination von zumindest einem Metalloxid in Form einer Legierung oder in Form einer Mischung aufweist, so dass durch die Elemente Si und Al oder deren Legierung und durch das zumindest eine Metalloxid oder deren Kombination ein Sputtertarget mit Metalloxidanteil entsteht.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird ferner bei einem Sputtertarget aufweisend das Element Si oder eine Si-Legierung dadurch gelöst, dass das Sputtertarget des Weiteren zumindest ein Metalloxid oder des Weiteren aufweisend zumindest eine Kombination aus zumindest zwei Metalloxiden oder des Weiteren aufweisend eine Kombination von zumindest einem Metalloxid in Form einer Legierung oder in Form einer Mischung aufweist, so dass durch das Element Si oder deren Legierung und durch das zumindest eine Metalloxid oder deren Kombination ein Sputtertarget mit Metalloxidanteil entsteht.
  • Vorteilhaft bei der Verwendung der vorhergehend bezeichneten Metalloxide ist, dass der Einsatz der Metalloxide, insbesondere des ZrO2 als Zr-Trägerkomponente, kostengünstiger gegenüber der Verwendung von einer Si-Zr-Verbindung oder reinem, nicht oxidiertem Zr-Pulver ist, da das Metalloxid, insbesondere das ZrO2, gut verfügbar und leicht handhabbar ist. Auch ist die potentielle Entzündungs- und Brandgefahr des oxidischen Pulvers in Form von einem Metalloxid, beispielsweise ZrO2, reduziert oder in der Regel gar verhindert. Schließlich ergibt sich durch die Verwendung von zumindest einem Metalloxid-Anteil in einem Target eine verbesserte mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit gegenüber dem aus dem Stand der Technik bekannten gesputterten Schichten. Mittels des oxiderten Zr bzw. der oxiderten Zr-Verbindung als jeweiliges Legierungselement lassen sich ferner mechanisch und chemisch stabile optische Schichten herstellen.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si- und Al-Anteil ist das Metalloxid in dem Sputtertarget ein Metalloxid aus der Gruppe ZrO2, Ta2O5, Y2O3, HfO, CaO, MgO, Ce2O3, Al2O3, TiO2 oder Nb2O5. Es ist somit auch eine Kombination von mehreren Metalloxiden in einem erfindungsgemäßen Sputtertarget möglich, beispielsweise ein ZrO2 Metalloxid mit TiO2 Anteil.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si- und Al-Anteil ist das Metalloxid eine Kombination aus der Gruppe von ZrO2 und Y2O3.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si- und Al-Anteil weist das Aluminium einen Gehalt von 1 bis 35 at%, bevorzugt von 5 bis 30 at%, insbesondere bevorzugt von 10 bis 20 at% oder von 5 bis 10 at%, auf.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si- und Al-Anteil weist das Metalloxid einen Gehalt von 10 bis 50 mol%, bevorzugt 10 bis 20 mol% oder 20 bis 40 mol%, auf.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si- und Al-Anteil weist die die Oxidlegierung ZrO2:Y2O3 einen Y2O3-Anteil von 4 bis 8 mol% in der Oxidlegierung auf.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit Si-Anteil ist das Metalloxid in dem Sputtertarget ein Metalloxid aus der Gruppe ZrO2, Ta2O5, Y2O3, HfO, CaO, MgO, Ce2O3, Al2O3, TiO2 oder Nb2O5. Es ist somit auch eine Kombination von mehreren Metalloxiden in einem erfindungsgemäßen Sputtertarget möglich, beispielsweise ein ZrO2 Metalloxid mit TiO2 Anteil.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si-Anteil ist das Metalloxid eine Kombination aus der Gruppe von ZrO2 und Y2O3.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Sputteretargets mit einem Si-Anteil weist das Metalloxid einen Gehalt von 10 bis 50 mol%, bevorzugt von 10 bis 20 mol% oder von 20 bis 40 mol%, auf.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Sputtertargets mit einem Si-Anteil weist die Oxidlegierung ZrO2:Y2O3 einen Y2O3 Anteil von 4 bis 8 mol% in der Oxidlegierung auf.
  • Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Schicht, insbesondere optische Schicht, hergestellt mit Hilfe eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11.
  • Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung geeignete Mittel zur Herstellung des Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
  • Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit Hilfe einer Vorrichtung nach Anspruch 13.
  • Der weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren nach Anspruch 14 oder ein Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass als Herstellungsverfahren ein Plasmaspritzverfahren verwendet wird, wobei die Pulvermischung
    die Elemente Si und Al oder eine Legierung aus Si und Al
    und zumindest ein Metalloxid
    oder
    das Element Si oder eine Legierung aus Si
    und zumindest ein Metalloxid
    aufweist.
  • Bevorzugt wird zur Herstellung des Sputtertargets ein zwischen 0,1 m und 10 m langes, vorzugsweise ein etwa 3 bis 4 m langes, Sputtertarget, vorzugsweise Rohrtarget, mit Schichtstärken von 2 bis 20 mm, vorzugsweise 5 bis 15 mm, über Plasmaspritztechnik hergestellt, wobei als Pulver für die Plasmaspritztechnik ein Si-, Al- und ein Metalloxid-Pulver oder ein Si- und ein Metalloxid-Pulver, vorzugsweise jeweils als Metalloxidpulver mit ZrO2-Anteil, verwendet wird, wobei das Spritzpulver folgende Eigenschaften aufweist:
    Si-Pulver mit einer mittleren Korngröße von 60 bis 90 μm, vorzugweise 75 μm,
    Al-Pulver mit einer mittleren Korngröße von 45 bis 75 μm, vorzugsweise 60 μm, und
    Metalloxid-Pulver, vorzugsweise Metalloxid-Pulver mit ZrO2-Anteil, mit einer mittleren Korngröße von 15 bis 45 μm, vorzugsweise 30 μm,
    zur Herstellung eines Si-Al-Metalloxid-Sputtertargets,
    oder
    Si-Pulver mit einer mittleren Korngröße von 60 bis 90 μm, vorzugweise 75 μm, und
    Metalloxid-Pulver, vorzugsweise Metalloxid-Pulver mit ZrO2-Anteil, mit einer mittleren Korngröße von 15 bis 45 μm, vorzugsweise 30 μm,
    zur Herstellung eines Si-Metalloxid-Sputtertargets,
    und
    des Weiteren während des Plasmaspritzprozesses ein Gas-Gemisch, vorzugsweise ein Gemisch aus Argon und Wasserstoff, verwendet wird.
  • Zur Beurteilung des Sputterverhaltens werden die erfindungsgemäßen Sputtertargets im ungepulsten oder gepulsten DC(Direct Current)-Betrieb gesputtert und das Sputterverhalten mit einem Standardtarget, wie beispielsweise einem SiAl 10 Gew.-%-Target, verglichen. Dabei ist der wesentliche Vergleichspunkt ein Auftreten des Arcingverhalten des Targets.
  • Alternativ gegenüber dem DC-Betrieb ist es möglich, das erfindungsgemäße Target mittels MF(Mittel-Frequenz)-Betrieb oder RF(Radio-Frequenz)-Betrieb zu sputtern und gegebenfalls zu vergleichen.
  • Besondere bevorzugt wird gemäß der Erfindung ein SiAlZrO2 Target verwendet, das aus drei pulverförmigen Komponenten, nämlich Si, Al und ZrO2 oder alternativ Y2O3 stabilisierten ZrO2, hergestellt wird.
  • Im Rahmen der Herstellung des besonders bevorzugten Targets über Plasmaspritzen entsteht ein Targetmaterial aufweisend zumindest die Phasen Si, Al und ZrO2. Das so hergestellte Targetmaterial zeigt trotz Einsatz des elektrisch isolierenden und nicht leitfähigen Zirkon ZrO2 gute Sputterfähigkeit im DC-Prozess. Das Arcing-Verhalten des Targets ist vergleichbar mit dem von einem Vergleichtarget, das Vergleichsanteile in Form von SiAl- oder Si-Anteilen aufweist.
  • Vorhergehende Ausführungen zur Herstellung eines Sputtertargets oder zum DC-Sputter-Verhalten oder zum Arcing-Verhalten sind auch auf Si-Targets oder Si-Al-Targets mit einem Metalloxidanteil anwendbar und übertragbar, die nicht einen ZrO2-Anteil aufweisen. Alternativ können vorhergehende Ausführungen auf das Sputtern mit MF-Betrieb oder RF-Betrieb übertragen werden, wenn ein Si-Target oder Si-Al-Target mit einem Metalloxidanteil verwendet wird, die jeweils nicht einen ZrO2-Anteil aufweisen.
  • Die vorhergehenden Angaben in at% (Atom-%), mol% (Mol-%) und wt% (Gew.-% oder Gewichts-%) sind alternativ mit üblichen Variationen aufgrund des Herstellungsverfahren zu interpretieren.
  • Die Sputtertargets mit einem Si-Anteil gemäß der Erfindung oder einem Si- und Al-Anteil können als Rohrtarget oder Planartarget ausgeführt sein.
  • Bei der besonders bevorzugten Ausführungsform eines Sputtertargets mit einem Si- und Al-Anteil mit einem ZrO2 Metalloxidanteil werden besonders bevorzugt höhere Anteile an ZrO2 verwendet.
  • Das verwendete ZrO2 in den erfindungsgemäßen Sputtertargets ist alternativ Yttrium stabilisiertes ZrO2. Bevorzugt wird gemäß der Erfindung ein nicht stabilisiertes ZrO2 bei dem erfindungsgemäßen Target verwendet.
  • Nachfolgend werden einige Ausführungsbeispiele beschrieben, die sich als besonders geeignet erwiesen haben.
  • Zunächst werden die bevorzugten Legierungen von erfindungsgemäßen Sputtertargets tabellarisch aufgeführt, wobei das Sputterverhalten in der nachfolgenden Tabelle mit dokumentiert wird.
    Versuchsnummer Sputtertarget Sputterverhalten Bemerkung
    1 SiAl 10 wt% gut
    2 SiZrO2 35 wt% mittel
    3 SiZrO2 50 wt% mittel
    4 SiZrO2 70 wt% mittel
    5 SiZrO2 80 wt% möglich
    6 SiAl5ZrO2 35 wt% gut
    7 SiAl5ZrO2 45 wt% gut
    8 SiAl5ZrO2 50 wt% gut
    9 SiAl5ZrO2 60 wt% gut
    10 SiAl5ZrO2 70 wt% mittel
    11 SiAl5ZrO2 80 wt% möglich
    12 SiAl10ZrO2 50 wt% gut
    13 SiAl10ZrO2 70 wt% mittel
    14 SiAl10ZrO2 80 wt% möglich
    15 SiAl5TiO210ZrO2 50 wt% mittel
    Y:ZrO2 = Y2O3
    16 SiAl5Y:ZrO2 35 wt% gut 8 mol%:ZrO2
  • Nachfolgend wird beispielhaft die Herstellung von drei Sputtertargets beschrieben, wobei es sich bei der Abmessung von 0,5 m um ein Versuchstarget handelt.
  • Ein 0,5 m langes SiAl5ZrO2 35 Gew.-%-Target (Versuch 6) wird als Rohrtarget mit Hilfe der Plasmaspritztechnik unter Verwendung von Si-, Al- und ZrO2-Pulver-Anteilen hergestellt. Im Rahmen des Plasmaspritzens wird ein Spritzpulver mit folgenden Eigenschaften verwendet, nämlich dass die mittlere Korngröße des Si-Pulvers 35 μm, die mittlere Korngröße des Al-Pulvers 60 μm und die mittlere Korngröße des ZrO2-Pulvers 30 μm ist.
  • Der Plasmaspritzprozess zur Herstellung eines SiAl5ZrO2 35 Gew.-% Targets wird dabei mit einem Gemisch aus Argon und Wasserstoff als Plasmagas in beispielsweise einer erfindungsgemäßen Vorrichtung durchgeführt.
  • Alternativ ist es möglich, ein SiAl5ZrO2 50 Gew.-% Rohrtarget (Versuch 8) gemäß der vorhergehenden Beschreibung mit Hilfe der Plasmaspritztechnik unter Verwendung von Pulver aufweisend vorhergehende Korngrößen, jedoch mit anderen Anteilen herzustellen.
  • Es ist möglich, vorhergehend beschriebene beide Targets in einem DC Prozess zu sputtern.
  • Die beiden vorhergehend beschriebenen Targets weisen gleiches Verhalten im Vergleich zu einem Standardtarget, wie beispielsweise einem SiAl 10 Gew.-% -Target, auf. Auch weisen beide Targets jeweils im Sputterprozess eine ähnlich niedrige Arcing-Rate gegenüber einem Vergleichstarget, wie beispielsweise einem Standardtarget mit SiAl 10 Gew.-%, auf.
  • Alternativ ist es mittels des Verfahrens zur Herstellung eines Sputtertargets und der erfindungsgemäßen Vorrichtung es möglich, ein 0,5 m langes SiAl5ZrO 35 Gew.-% Target (Versuch 16) mit Hilfe der Plasmaspritztechnik unter Verwendung von Si-, Al- und Y2O3:ZrO2-Pulver-Anteilen herzustellen. Das ZrO2-Pulver ist dabei Yttrium stabilisiert.
  • Auch bei diesem erfindungsgemäß hergestellten Sputtertarget mit einem 35 Gew.-%igen, Yttrium stabilisierten ZrO2-Anteil ergeben sich gegenüber einem Vergleichstarget, wie einem SiAl 10 Gew.-% Target, gleiches DC-Sputterverhalten und Arcing-Ratenverhalten.
  • Alternativ ist es erfindungsgemäß möglich, mittels MF-Betrieb oder mittels RF-Betrieb obige Ausführungsbeispiele gemäß der Tabelle zu sputtern und gegebenenfalls zu vergleichen.
  • Alternativ ist es möglich die 0,5 m langen Versuchstargets als etwa 3 m bis etwa 4 m lange Targets, vorzugsweise Rohrtargets, herzustellen und zu sputtern. So ist es möglich, dass die Sputtertargets aus der Tabelle beispielsweise eine Länge von etwa 4 m aufweisen.
  • Mittels eines erfindungsgemäßen Sputtertargets ist es möglich, eine optische Schicht im DC-Verfahren zu sputtern.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Claims (16)

  1. Sputtertarget zur Herstellung von Schichten, insbesondere von optischen Schichten, aufweisend die Elemente Si und Al oder eine Si-Al-Legierung, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtertarget des Weiteren zumindest ein Metalloxid oder des Weiteren aufweisend zumindest eine Kombination aus zumindest zwei Metalloxiden oder des Weiteren aufweisend eine Kombination von zumindest einem Metalloxid in Form einer Legierung oder in Form einer Mischung aufweist, so dass durch die Elemente Si und Al oder deren Legierung und durch das zumindest eine Metalloxid oder deren Kombination ein Sputtertarget mit Metalloxidanteil entsteht.
  2. Sputtertarget nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid in dem Sputtertarget ein Metalloxid aus der Gruppe ZrO2, Ta2O5, Y2O3, HfO, CaO, MgO, Ce2O3, Al2O3, TiO2 oder Nb2O5 ist.
  3. Sputtertarget nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid eine Kombination aus der Gruppe von ZrO2 und Y2O3 ist.
  4. Sputtertarget nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Aluminium einen Gehalt von 1 bis 35 at%, bevorzugt von 5 bis 30 at%, insbesondere bevorzugt von 10 bis 20 at% oder von 5 bis 10 at%, aufweist.
  5. Sputtertarget nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid einen Gehalt von 10 bis 50 mol%, bevorzugt 10 bis 20 mol% oder 20 bis 40 mol%, aufweist.
  6. Sputtertarget nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidlegierung ZrO2:Y2O3 einen Y2O3-Anteil von 4 bis 8 mol% in der Oxidlegierung aufweist.
  7. Sputtertarget zur Herstellung von Schichten, insbesondere von optischen Schichten, aufweisend das Element Si oder eine Si-Legierung, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtertarget des Weiteren zumindest ein Metalloxid oder des Weiteren aufweisend zumindest eine Kombination aus zumindest zwei Metalloxiden oder des Weiteren aufweisend eine Kombination von zumindest einem Metalloxid in Form einer Legierung oder in Form einer Mischung aufweist, so dass durch das Element Si oder deren Legierung und durch das zumindest eine Metalloxid oder deren Kombination ein Sputtertarget mit Metalloxidanteil entsteht.
  8. Sputtertarget nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid in dem Sputtertarget ein Metalloxid aus der Gruppe ZrO2, Ta2O5, Y2O3, HfO, CaO, MgO, Ce2O3, Al2O3, TiO2 oder Nb2O5 ist.
  9. Sputtertarget nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid eine Kombination aus der Gruppe von ZrO2 und Y2O3 ist.
  10. Sputtertarget nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid einen Gehalt von 10 bis 50 mol%, bevorzugt von 10 bis 20 mol% oder von 20 bis 40 mol%, aufweist.
  11. Sputtertarget nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidlegierung ZrO2:Y2O3 einen Y2O3 Anteil von 4 bis 8 mol% in der Oxidlegierung aufweist.
  12. Schicht, insbesondere optische Schicht, hergestellt mit Hilfe eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11.
  13. Vorrichtung zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung geeignete Mittel zur Herstellung des Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
  14. Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit Hilfe einer Vorrichtung nach Anspruch 13.
  15. Verfahren nach Anspruch 14 oder zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass als Herstellungsverfahren ein Plasmaspritzverfahren verwendet wird, wobei die Pulvermischung die Elemente Si und Al oder eine Legierung aus Si und Al und zumindest ein Metalloxid oder das Element Si oder eine Legierung aus Si und zumindest ein Metalloxid aufweist.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der Sputtertargets ein zwischen 0,1 m und 10 m langes, vorzugsweise ein etwa 3 m bis etwa 4 m langes, Target, vorzugsweise Rohrtarget, mit Schichtstärken von 2 bis 20 mm, vorzugsweise 5 bis 15 mm, über Plasmaspritztechnik hergestellt wird, wobei als Pulver für die Plasmaspritztechnik ein Si-, Al- und ein Metalloxid-Pulver oder ein Si- und ein Metalloxid-Pulver, vorzugsweise jeweils als Metalloxidpulver mit ZrO2-Anteil, verwendet wird, wobei das Spritzpulver folgende Eigenschaften aufweist: Si-Pulver mit einer mittleren Korngröße von 60 bis 90 μm, vorzugweise 75 μm, Al-Pulver mit einer mittleren Korngröße von 45 bis 75 μm, vorzugsweise 60 μm, und Metalloxid-Pulver, vorzugsweise Metalloxid-Pulver mit ZrO2-Anteil, mit einer mittleren Korngröße von 15 bis 45 μm, vorzugsweise 30 μm, zur Herstellung eines Si-A-Metalloxid-Sputtertargets, oder Si-Pulver mit einer mittleren Korngröße von 60 bis 90 μm, vorzugweise 75 μm, und Metalloxid-Pulver, vorzugsweise Metalloxid-Pulver mit ZrO2-Anteil, mit einer mittleren Korngröße von 15 bis 45 μm, vorzugsweise 30 μm, zur Herstellung eines Si-Metalloxid-Sputtertargets, und des Weiteren während des Plasmaspritzprozesses ein Gas-Gemisch, vorzugsweise ein Gemisch aus Argon und Wasserstoff, als Plasmagas verwendet wird.
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