JP2003067974A

JP2003067974A - 相変化光記録媒体

Info

Publication number: JP2003067974A
Application number: JP2002008682A
Authority: JP
Inventors: Toshio Inao; 俊雄稲生; Hitoshi Iigusa; 仁志飯草
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2001-01-17
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2003-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】高線速における消去率が高く、さらに、ＯＷ
サイクル特性および耐環境性に優れた相変化光記録媒体
を提供する。【解決手段】基板上に形成された、少なくとも保護
層、記録層を含む多層膜を有し、記録層の結晶相とアモ
ルファス相との間の可逆的な相変化を利用して、情報の
記録・消去を行なう相変化光記録媒体において、前記保
護層を酸化物を主成分とする膜で構成する。特に、前記
記録層の少なくとも１方の側に接する保護層を、Ｔａの
酸化物又はＡｌの酸化物と、１種以上の炭化物とを含む
膜で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
情報記録媒体のなかで、レーザービーム等によって記録
層に相変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を
行なう相変化光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型光記録ディスクは書き換え可能
な光記録ディスクの一種であり、記録層の可逆的な相変
化（多くは結晶−アモルファス間）によって情報を記録
するものである。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調
オーバーライトが可能であり、また、相変化に伴う反射
率の変化により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の
既存の光記録ディスクとの互換性が高い等の特徴を有す
ることから、書き換え可能な光記録ディスクとして近年
盛んに研究開発がなされており、書き換え可能なＤＶＤ
に応用されている。

【０００３】相変化型光記録ディスク等の相変化光記録
媒体は、一般に、記録層の結晶相（消去状態）上にレー
ザービームによってアモルファス相の記録マークを形成
することによって記録を行ない、結晶相とアモルファス
相との反射率の差を検出することによって再生信号を得
る。また、信号記録の際のレーザービームの強度をアモ
ルファス化の強度（ピークパワー）と結晶化の強度（バ
イアスパワー）との間で強度変調させることにより（図
１参照）、単一ビーム、単層記録膜の組み合わせで光変
調オーバーライト（ダイレクトオーバーライト：ＤＯ
Ｗ）が可能であり、大容量かつ高速転送レートの記録デ
ィスクを得ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】相変化光記録媒体では
上述のようにダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）が可
能である。しかし、高速転送を実現するために線速度を
速くするとオーバーライト（ＯＷ）後に初期信号が完全
に消えず、いわゆる消し残りが生じ、消去率が悪くな
る。

【０００５】本発明は、高線速において消し残りを少な
くし、消去率を向上させ、高記録感度で、さらにＯＷサ
イクル耐久性、および、耐候性も良い相変化光記録媒体
を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述のよ
うな現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、基板上に保護
層、記録層を含む多層膜を形成し、この記録層の結晶相
とアモルファス相との間の可逆的な相変化を利用して、
情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体において、
保護層を特定の成分からなる膜とすることにより高線速
における消去率、耐久性が向上することを見出し、さら
に、保護層の成分比を特定の範囲とすることによりさら
に上記効果が向上することを見出し、本発明を完成する
に至った。

【０００７】すなわち、基板上に保護層、記録層を含む
多層膜を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相
との間の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去
を行なう相変化光記録媒体において、前記保護層が、元
素の周期表４〜６族及び１２〜１６族の元素の酸化物か
ら選ばれるいずれか１種以上の酸化物及び下記Ａ群から
選ばれる少なくとも１種以上の物質を含むことを特徴と
する相変化光記録媒体に関する。Ａ群：炭化物、窒化物上記Ａ群から選ばれる材料としては、５００℃における
標準生成自由エネルギーが負である炭化物、特に、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、Ｎｂの炭化物から選ばれる１
種以上の炭化物であることが好ましい。

【０００８】また、上記Ａ群から選ばれる材料として
は、他に、５００℃における標準生成自由エネルギーが
負である窒化物、特に、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｓ
ｃ、Ｂｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓ
ｉの窒化物から選ばれる１種以上の窒化物であることが
好ましい。

【０００９】さらに、上記保護層中の上記Ａ群から選ば
れた材料の全含有量は１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満
の範囲であることが好ましい。

【００１０】また、本発明は基板上に保護層、記録層を
含む多層膜を形成し、この記録層の結晶相とアモルファ
ス相との間の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・
消去を行なう相変化光記録媒体において、前記保護層
が、元素の周期表４〜６族及び１２〜１６族の元素の酸
化物から選ばれる１種以上の酸化物を主成分とする膜で
あることを特徴とする相変化光記録媒体に関する。

【００１１】上記保護層がＴａの酸化物、および下記Ｂ
群から選ばれる１種以上の物質、および下記Ｃ群から選
ばれる１種以上の物質から構成される膜からなことが望
ましい。Ｂ群：炭化物、窒化物Ｃ群：Ｔａ以外の元素の酸化物上記保護層中のＴａの酸化物の含有量は５０ｍｏｌ％以
上である事が望ましい。

【００１２】上記保護層に加えるＣ群のＴａ以外の元素
の酸化物の熱伝導率は１０Ｗ／ｍＫ以下であることが望
ましく、より望ましくは７Ｗ／ｍＫ以下、さらに望まし
くは５Ｗ／ｍＫ以下である。また、Ｃ群のＴａ以外の元
素の酸化物の体積弾性率は２．５×１０⁶ｋｇ／ｃｍ²以
下であることが望ましく、より望ましくは２．０×１０
⁶ｋｇ／ｃｍ²以下、さらに望ましくは１．５×１０⁶ｋ
ｇ／ｃｍ²以下である。また、Ｃ群のＴａ以外の元素の
酸化物が下記Ｃ１群から選ばれる１種以上の物質から選
ばれることが望ましい。Ｃ１群：ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｈＯ₂、Ｌｉ₂
Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、ＢａＯ₂、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃、Ｓｒ
Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、ＨｆＯ₂ さらに、上記保護層に加える炭化物、及び窒化物の含有
量の合計は１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の範囲であ
ることが好ましい。

【００１３】また、本発明は基板上に保護層、記録層を
含む多層膜を形成し、この記録層の結晶相とアモルファ
ス相との間の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・
消去を行なう相変化光記録媒体において、前記保護層
が、標準生成自由エネルギーが−３００ｋＪ／ｍｏｌ以
下及び／又は熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以下の酸化物、窒
化物、又は炭化物のいずれかからなる、あるいは、いず
れかを５０ｍｏｌ％以上含むことを特徴とする相変化光
記録媒体に関する。

【００１４】上記保護層に５０ｍｏｌ％以上含有される
主成分に加える物質としては、主成分以外の炭化物、窒
化物、及び酸化物からなる群から選ばれる１種以上の物
質が好ましい。

【００１５】また、本発明は基板上に保護層、記録層を
含む多層膜を形成し、この記録層の結晶相とアモルファ
ス相との間の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・
消去を行なう相変化光記録媒体において、保護層が１種
以上の酸化物と下記Ｄ群から選ばれる１種以上の物質、
及び１種以上の金属若しくは合金の混合膜からなること
を特徴とする相変化光記録媒体に関する。Ｄ群：炭化物、窒化物上記保護層に含まれる金属若しくは合金の融点は６００
℃以上が好ましく、より好ましくは６６０℃以上であ
り、更に好ましくは８５０℃以上である。また、保護層
に含まれる酸化物の５００℃における生成自由エネルギ
ーは−３００ＫＪ／ｍｏｌ以下であることが好ましく、
より好ましくは−４００ＫＪ／ｍｏｌ以下、さらに好ま
しくは−５００ＫＪ／ｍｏｌ以下である。

【００１６】また、上記相変化記録媒体の記録層はＧ
ｅ、Ｓｂ及びＴｅの合金、あるいはこの合金を主成分と
する材料により構成されていることが好ましい。

【００１７】本発明の相変化光記録媒体は高線速領域で
の消去率特性が優れており、レーザービーム径をｄ（＝
λ／ＮＡ）、線速度をｖとしたときに、ｄ／ｖの値が
１．５×１０^-7秒未満（ｄ／ｖ＜１．５×１０^-7ｓ）の
高転送速度領域で使用される相変化光記録媒体として好
適に使用することができる。

【００１８】なお、本発明の相変化光記録媒体の保護層
としては、（１）Ｔａ₂Ｏ₅とＳｉＣからなる保護層、
（２）Ｔａ₂Ｏ₅とＴｉＣからなる保護層、（３）Ｔａ₂
Ｏ₅とＮｂ₂Ｃからなる保護層、（４）Ａｌ₂Ｏ₃とＳｉＣ
からなる保護層、（５）Ｔａ₂Ｏ ₅とＳｉＣとＳｉＯ₂か
らなる保護層等が特に好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳細に説明
する。

【００２０】図２は本発明の相変化光記録媒体の一例の
構造を示す部分断面図である。図２の相変化光記録媒体
は、基板２１上に、第一保護層２２、記録層２３、第二
保護層２４、反射層２５が積層されている。

【００２１】基板２１としては使用するレーザーの波長
領域において十分透明であり、機械特性などの媒体基板
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン
等を用いることができる。

【００２２】第一保護層２２、および、第二保護層２４
は、元素の周期表４〜６族及び１２〜１６族の元素の酸
化物から選ばれるいずれか１種以上の酸化物及び下記Ａ
群から選ばれる少なくとも１種以上の物質を含む膜から
なる。Ａ群：炭化物、窒化物上記Ａ群の炭化物としては、５００℃における標準生成
自由エネルギーが負である炭化物が好ましく、特に、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、Ｎｂの炭化物から選ばれる１
種以上の炭化物が好ましい。上記Ａ群の窒化物として
は、５００℃における標準生成自由エネルギーが負であ
る窒化物が好ましく、特に、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｓ
ｃ、Ｂｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓ
ｉの窒化物から選ばれる１種以上の窒化物であることが
好ましい。

【００２３】上記に挙げた内、酸化物としてはＴａ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂの酸化物が特に好ましく、
この中でも、Ｔａ、Ａｌの酸化物は特に好ましい。ま
た、炭化物としては上記に挙げた内、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｎｂの炭化物が特に好ましい。

【００２４】さらに、保護層に含まれる炭化物、あるい
は窒化物の含有量は１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満が
好ましく、より好ましくは１ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％
以下、さらに好ましくは１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以
下の範囲である。含有量が５０ｍｏｌ％を超えると膜の
消衰係数（ｋ）が大きくなる場合が有り、透明度が悪く
なって相変化光記録媒体として現実的ではなくなる。

【００２５】また、元素の周期表４〜６族及び１２〜１
６族の元素の酸化物から選ばれる１種以上の酸化物を主
成分とする膜を第一保護層２２、および、第二保護層２
４としても良い。この場合、Ｔａの酸化物、および下記
Ｂ群から選ばれる１種以上の物質、および下記Ｃ群から
選ばれる１種以上の物質から構成される膜であることが
望ましい。Ｂ群：炭化物、窒化物Ｃ群：Ｔａ以外の元素の酸化物上記保護層中のＴａの酸化物含有量は５０ｍｏｌ％以上
である事が望ましい。

【００２６】上記保護層中のＴａ以外の元素の酸化物の
熱伝導率は１０Ｗ／ｍＫ以下であることが望ましく、よ
り望ましくは７Ｗ／ｍＫ以下、さらに望ましくは５Ｗ／
ｍＫ以下である。また、上記保護層中のＴａ以外の元素
の酸化物の体積弾性率は２．５×１０⁶ｋｇ／ｃｍ²以下
であることが望ましく、より望ましくは２．０×１０ ⁶
ｋｇ／ｃｍ²以下、さらに望ましくは１．５×１０⁶ｋｇ
／ｃｍ²以下である。熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以下であ
る酸化物の具体例としてはＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、ＴｈＯ₂等が挙げられ、体積弾性率が２．５×１０
⁶ｋｇ／ｃｍ²以下である酸化物の具体例としてはＳｉＯ
₂、ＺｒＯ₂、ＴｈＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等が
挙げられる。また、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、ＢａＯ₂
は含有させることにより熱伝導率を低下させる効果があ
り、また、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｒＯ、Ｉｎ₂Ｏ₃は含有させること
により体積弾性率を低下させる効果がある。

【００２７】さらに、保護層に含まれる炭化物、あるい
は窒化物の含有量は１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満が
好ましく、より好ましくは３ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％
以下、さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以
下の範囲である。含有量が５０ｍｏｌ％を超えると膜の
消衰係数（ｋ）が大きくなる場合が有り、透明度が悪く
なって相変化光記録媒体として現実的ではなくなる。保
護層に含まれる炭化物としてはＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚ
ｒ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、
Ｍｏ、Ｎｂから選ばれる１種以上の炭化物であることが
好ましく、また、窒化物としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｔ
ｉ、Ｓｃ、Ｂｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇａ、Ｍ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる１種以上の窒化物であるこ
とが好ましい。

【００２８】上記に挙げた内、Ｔａ酸化物に加える酸化
物としてはＳｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｉｎの酸化物が特
に好ましい。また、炭化物としては上記に挙げた内、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの炭化物が特に好ましい。

【００２９】また、Ｔａ含有保護層の熱伝導率は７Ｗ／
ｍＫ以下であることが望ましく、より望ましくは５Ｗ／
ｍＫ以下、さらに望ましくは３Ｗ／ｍＫ以下である。

【００３０】また、標準生成自由エネルギーが−３００
ｋＪ／ｍｏｌ以下及び／または熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ
以下の酸化物、窒化物、又は炭化物のいずれかからな
る、あるいは、いずれかを５０ｍｏｌ％以上含む膜を第
一保護層２２、および、第二保護層２４としても良い。
この場合、標準生成自由エネルギーは−３５０ｋＪ／ｍ
ｏｌ以下がより好ましく、さらに好ましくは−４００ｋ
Ｊ／ｍｏｌである。熱伝導率は１５Ｗ／ｍＫ以下がより
好ましく、さらに好ましくは７Ｗ／ｍＫ以下である。標
準生成自由エネルギーが−３００ｋＪ／ｍｏｌ以下で、
かつ、熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以下の物質はより好まし
く、標準生成自由エネルギーが−３００ｋＪ／ｍｏｌ以
下で、かつ、熱伝導率が１５Ｗ／ｍＫ以下の物質はさら
に好ましく、標準生成自由エネルギーが−３００ｋＪ／
ｍｏｌ以下で、かつ、熱伝導率が７Ｗ／ｍＫ以下の物質
はさらにより好ましい。ここで、例えば、酸化物を主成
分した物質とは、酸化物を５０ｍｏｌ％以上含有した物
質であることを意味する。窒化物、炭化物の場合も同様
である。上記保護層の主成分に加える物質としては、主
成分以外の炭化物、窒化物、及び酸化物からなる群から
選ばれる１種以上の物質が好ましい。酸化物としては、
元素の周期表４〜６族及び１２〜１６族の各々の元素の
酸化物から成る群から選ばれる１種以上の酸化物が好ま
しい。炭化物としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍ
ｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、
Ｎｂの炭化物から選ばれる１種以上の炭化物が好まし
い。窒化物としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｂ
ｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓｉの窒
化物から選ばれる１種以上の窒化物が好ましい。

【００３１】保護層が、酸化物と窒化物、あるいは、酸
化物と炭化物などからなるというような多成分系からな
る場合には、多成分系保護層の熱伝導率は７Ｗ／ｍＫ以
下であることが望ましく、より望ましくは５Ｗ／ｍＫ以
下、さらに望ましくは３Ｗ／ｍＫ以下である。

【００３２】また、１種以上の酸化物と下記Ｄ群から選
ばれる１種以上の物質と１種以上の金属若しくは合金の
混合膜からなる膜を第一保護層２２、および、第二保護
層２４としても良い。Ｄ群：炭化物、窒化物この保護層に含まれる酸化物の５００℃における生成自
由エネルギーは−３００ＫＪ／ｍｏｌ以下であることが
好ましく、より好ましくは−４００ＫＪ／ｍｏｌ以下、
更に好ましくは−５００ＫＪ／ｍｏｌ以下である。具体
的には、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、
Ａｌ、Ｈｆ、Ｍｇのいずれか１種以上の酸化物が好まし
い。５００℃における生成自由エネルギーを−３００Ｋ
Ｊ／ｍｏｌ以下とすることで、記録層と保護層の間の濡
れ性が変化し、消去率が向上するものと考えられる。Ｄ
群の炭化物としては、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、
Ｍｎ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、Ｎｂ
のいずれか一種以上の炭化物が好ましい。また、Ｄ群の
窒化物は、Ｎｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃ
ｒ、Ｔｈ、Ｓｃ、Ｂｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇ
ａ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌのいずれか一
種以上の窒化物が好ましい。Ｄ群の物質を添加すること
により、膜の密着性が向上したり、膜の弾性率が変化し
て、記録層の熱膨張サイクルに対して、耐久性が向上
し、オーバーライト（以下ＯＷと称する）サイクル耐久
性が向上するものと考えられる。保護層に含まれる金属
若しくは合金の融点は６００℃以上の物質が好ましく、
より好ましくは６６０℃であり、更に好ましくは８５０
℃以上である。具体的にはＭｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｗ及びこれらの合金が好ましい。金属若しく
は合金を含有させることにより、記録層と保護層の間の
濡れ性が変化し、膜の密着性が向上するものと考えられ
る。

【００３３】これらの第一、第二保護層を構成する一種
以上の酸化物と下記Ｄ１群から選ばれる１種以上の物質
と１種以上の金属の混合膜のＤ１群の含有量はＤ１群／
（酸化物＋Ａ群）のモル比で５％以上〜７０％以下とす
ることが好ましく、より好ましくは１０％以上〜５０％
であり、更に好ましくは１５％以上〜４０％である。Ｄ１群：炭化物、窒化物Ｄ１群の含有量が７０ｍｏｌ％を超えると膜の消衰係数
（ｋ）が大きくなり、透明度が悪くなって相変化光記録
媒体として現実的ではなくなる。

【００３４】また、金属若しくは合金の含有量は、金属
若しくは合金／（（酸化物＋Ｄ１群）＋金属若しくは合
金）のモル比で０．１％以上〜２５％以下が好ましく、
より好ましくは０．４％以上〜２０％であり、更に好ま
しくは０．８％以上〜１０％である。金属若しくは合金
の含有量が２５ｍｏｌ％を超えると膜の消衰係数（ｋ）
が大きくなり、透明度が悪くなって相変化光記録媒体と
して現実的ではなくなる。

【００３５】記録層２３には、ＧｅＳｂＴｅ系薄膜、Ｉ
ｎＳｂＴｅ系薄膜等の可逆的相変化を有する膜を使用す
ることができるが、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅの合金、あるい
はこの合金を主成分とする材料を使用することが好まし
い。記録層と、少なくとも一方の保護層は接するように
形成する。記録層と上記保護層を接して形成する事によ
り、接触面（界面）において結晶核生成が促進され、結
晶化がより早く進行する。記録層として、ＧｅＳｂＴｅ
系薄膜、ＩｎＳｂＴｅ系薄膜等を使用する事ができる
が、ＧｅＳｂＴｅ系薄膜の結晶化は核生成が主体となっ
て起きるため上記保護層を有する本発明の相変化光記録
媒体の記録層として特に好ましい。

【００３６】反射層２５はＡｌ合金やＡｇ合金等の使用
するレーザーの波長域において反射率の高い膜から構成
される。

【００３７】上記第一、第二保護層は記録層を保護する
役割のほかに記録層への光吸収効率を高めたり、また、
記録前後の反射光の変化量を大きくする役割も有するた
めこれらの厚さは使用するレーザー波長や、記録層の膜
厚などを考慮して最適になるように設計する。

【００３８】本発明では、上述の構造の他、第一保護
層、あるいは、第二保護層のみに本発明の保護層を使用
し、他方は別の物質からなる保護層を形成して使用する
こともできる。

【００３９】以上の第一、第二保護層、記録層、反射層
はＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、真空蒸着法等の真
空成膜技術により成膜することができる。

【００４０】さらに、これらの層を形成した後、その上
に、必要に応じて合成樹脂等からなる保護コ−ト層を形
成しても良い。

【００４１】また、本発明の保護層は膜形成順序を逆に
した、いわゆる、表面再生型光記録媒体にも使用するこ
とができる。

【００４２】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定される
ものではない。

【００４３】（実施例１、比較例１）以下に示すように
して、図３に示すような構造の相変化光記録媒体を製造
した。０．７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成し
たポリカーボネート製のディスク状の基板３１上にＴａ
₂Ｏ₅とＳｉＣからなる第一保護層３２（膜厚：１００ｎ
ｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲットとＳｉＣターゲットとの同時
ＲＦスパッタリングにより成膜した。この後、Ｇｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅からなる記録層３３（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合金ターゲットのＤＣスパッタリングによ
り成膜した。さらにＴａ₂Ｏ₅とＳｉＣからなる第二保護
層３４（膜厚：２０ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲットとＳｉ
Ｃターゲットとの同時ＲＦスパッタリングにより成膜し
た。この後、反射層３５としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金
膜（膜厚：１５０ｎｍ）を形成した。この上に、保護コ
ート層３６として紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚みに形
成して相変化光記録媒体を完成させた。

【００４４】以上のような構造で保護層形成の際のＴａ
₂Ｏ₅ターゲット投入パワーとＳｉＣターゲット投入パワ
ーの比を変化させることによりＳｉＣの含有量が１〜７
０ｍｏｌ％の組成の保護層を有する相変化光記録媒体を
作製した（実施例１）。また、比較のためにＳｉＣを含
まない保護層（ＳｉＣ含有量０ｍｏｌ％）を有する相変
化光記録媒体をあわせて作製した（比較例１）。

【００４５】（実施例２）第一保護層、第二保護層の主
成分をＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｚｎ
Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＧｅＯとし、Ｓｉ
Ｃを１０ｍｏｌ％添加して形成した以外は、実施例１と
同様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００４６】（実施例３）第一保護層、第二保護層の主
成分をＴａ₂Ｏ₅とし、添加物としてＴｉＣ、Ａｌ ₄Ｃ₃、
ＺｒＣ、ＭｎＣ₂、ＨｆＣ、ＶＣ、Ｃｒ₃Ｃ₂、Ｂｅ₂Ｃ、
ＣｅＣ₂、ＳｍＣ₂、Ｍｏ₂Ｃ、Ｎｂ₂Ｃを１０ｍｏｌ％添
加して形成した以外は、実施例１と同様の方法で相変化
光記録媒体を作製した。

【００４７】（実施例４）第一保護層、第二保護層の主
成分をＴａ₂Ｏ₅とし、添加物としてＮｂ₂Ｎ、ＡｌＮ、
ＬａＮ、ＣｅＮ、ＺｒＮ、Ｃａ₃Ｎ₂、ＨｆＮ、ＣｒＮ、
Ｍｇ₃Ｎ₂、ＴｉＮ、ＳｃＮ、Ｂｅ₃Ｎ₂、ＶＮ、ＢＮ、Ｌ
ｉ₃Ｎ、ＧａＮ、Ｍｎ₄Ｎ、ＳｉＮ、ＧｅＮを１０ｍｏｌ
％添加して形成した以外は、実施例１と同様の方法で相
変化光記録媒体を作製した。

【００４８】（実施例５）第一保護層の主成分をＴａ₂
Ｏ₅とし、添加物としてＳｉＣを１０ｍｏｌ％添加して
形成し、第二保護層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂で
形成した以外は、実施例１と同様の方法で相変化光記録
媒体を作製した。

【００４９】（実施例６）第一保護層をＺｎＳ−２０ｍ
ｏｌ％ＳｉＯ₂で形成し、第二保護層の主成分をＴａ₂Ｏ
₅とし、添加物としてＳｉＣを１０ｍｏｌ％添加して形
成した以外は、実施例１と同様の方法で相変化光記録媒
体を作製した。

【００５０】（実施例７）基板上の膜形成順を反射層
（膜厚：１５０ｎｍ）、第一保護層（膜厚：２０ｎ
ｍ）、記録層（膜厚：２０ｎｍ）、第二保護層（膜厚：
１００ｎｍ）とし、この上に０．１ｍｍの保護コート層
を形成した以外は、実施例１と同様の方法で逆構成の表
面再生型相変化光記録媒体を作製した。

【００５１】実施例１〜７において主成分に添加した炭
化物、窒化物の５００℃における標準生成自由エネルギ
ーの値を表１に示す。

【００５２】

【表１】（比較例２）以下に示すようにして、図３に示すような
構造の相変化光記録媒体を製造した。０．７μｍの幅の
溝を１．４μｍピッチで形成したポリカーボネート製の
ディスク状の基板３１上にＺｎＳとＳｉＯ₂からなる第
一保護層３２（膜厚：１００ｎｍ）をＺｎＳ−２０ｍｏ
ｌ％ＳｉＯ₂ターゲットのＲＦスパッタリングにより成
膜した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録層３３
（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合金ターゲット
のＤＣスパッタリングにより成膜した。さらに第二保護
層３４としてＺｎＳとＳｉＯ₂からなる膜（膜厚：２０
ｎｍ）をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂ターゲットのＲ
Ｆスパッタリングにより形成した。この後、反射層３５
としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜厚：１５０ｎｍ）
を形成した。この上に、保護コート層３６として紫外線
硬化樹脂を１０μｍの厚みに形成して相変化光記録媒体
を完成させた。

【００５３】実施例１〜６及び比較例１、２の相変化光
記録媒体を記録再生装置にセットして、線速度６ｍ／ｓ
ｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザービ
ーム（対物レンズＮＡ：０．５５）を１０ｍＷの強度で
照射して記録層を結晶化させた。次に、記録層を結晶化
させた領域のトラック上に同じ装置を使用して、線速度
６ｍ／ｓｅｃで０．６μｍの長さのアモルファスマーク
を記録した（記録ピッチ：１．２μｍ）。この記録の
際、図４に示すようなオフパルスを付加したレーザー変
調パターンを使用し、オフパルスパワー（Ｐoff）およ
び再生パワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、また、ピークパワーの
幅を５０ｎｓ、オフパルスの幅は３３ｎｓとした。ボト
ムパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとしてピークパワー（Ｐｐ）
を変化させアモルファスマークを記録し、ＣＮＲが最大
となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ₀）とした。次に、Ｐｂ＝
５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀としてアモルファスマークを記録
し、種々のパワーのレーザービームを照射してアモルフ
ァスマークを消去した。この時、消去前後でのキャリア
レベルの差を消去率として測定し、消去率が最大となる
レーザーパワーを最適Ｐｂ（Ｐｂ₀）とした。次に、Ｐ
ｐを（Ｐｐ₀−１）ｍＷ、Ｐｂを（Ｐｂ₀−１）ｍＷとし
てアモルファスマーク（マーク長：０．６μｍ）を記録
し、（Ｐｂ₀−１）ｍＷのレーザーで消去する。この記
録−消去を１トラック当たり２０回行なった（以下、こ
の工程を初期化処理と呼ぶ）。

【００５４】初期化処理したトラックに対して、線速度
６ｍ／ｓｅｃで０．６μｍの長さのアモルファスマーク
をＰｒ＝１ｍＷ、Ｐoff＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝
Ｐｂ ₀のレーザーパワーで記録した（記録ピッチ：１．
２μｍ）。この記録マークを種々の線速度、消去パワー
で消去し、消去前後でのキャリアレベルの差を消去率と
して測定した。

【００５５】実施例１の各保護層組成のサンプルと比較
例１（ＳｉＣ含有量０ｍｏｌ％）、比較例２のサンプル
の消去率の線速依存性を図５に示す。Ｔａ₂Ｏ₅とＳｉＣ
の組成比は同条件で成膜した保護層の蛍光Ｘ線分析、Ｅ
ＰＭＡから求めた。図５から本発明の保護層では比較例
に比べて高線速領域(レーザービーム径をｄ（＝λ／Ｎ
Ａ）、線速度をｖとしたときにｄ／ｖ＜１．５×１０^-7
ｓの領域)において高い消去率が得られることがわか
る。

【００５６】また、実施例１のＳｉＣ含有量１０％のサ
ンプル及び実施例２の各サンプルの線速度１２ｍ／ｓで
の消去率の測定結果を表２に示す。表２から、酸化物と
してはＴａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂの酸化物が
特に好ましく、この中でも、Ｔａ、Ａｌの酸化物が特に
好ましいことが分かる。また、実施例３の各サンプルの
線速度１２ｍ／ｓでの消去率の測定結果を表３に示す
（表３には、実施例１のＳｉＣ含有量１０％のサンプル
の測定結果を炭化物ＳｉＣとして合わせて示してい
る）。炭化物としてはＳｉ、Ｔｉ、Ｎｂの炭化物が特に
好ましいことが分かる。

【００５７】

【表２】

【表３】さらに、実施例４〜６の各々のサンプルについても同様
な測定を行ない、比較例２に比べて高線速領域(レーザ
ービーム径をｄ（＝λ／ＮＡ）、線速度をｖとしたとき
にｄ／ｖ＜１．５×１０^-7ｓの領域)において高い消去
率が得られることが確認された。

【００５８】また、同サンプルに対して、Ｐｒ＝１ｍ
Ｗ、Ｐoff＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレー
ザーパワーで０．６μｍの長さのアモルファスマーク
（記録ピッチ：１．２μｍ）と１．６μｍの長さのアモ
ルファスマーク（記録ピッチ：３．２μｍ）のマークを
交互に記録（オーバーライト：ＯＷ）するＯＷサイクル
テストを行なった結果、実施例１〜６の各々のサンプル
は比較例１，２に比べてサイクル耐久性が向上している
ことが確認された。

【００５９】さらに、同じサンプルを８５℃、９５％Ｒ
Ｈの環境に２５０時間保存する加速環境試験を行なった
結果、実施例１〜６の各々のサンプルは比較例１，２に
比べて耐候性が向上していることが確認された。

【００６０】また、実施例７のサンプルについて、記録
再生テストを行なったところ、良好なＣＮＲ、および消
去率が得られ、表面再生型光記録媒体として使用可能で
あることが確認された。

【００６１】（実施例８）以下に示すようにして、図３
に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。０．
７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリカー
ボネート製のディスク状の基板３１上にＴａ₂Ｏ₅とＳｉ
ＣとＳｉＯ₂からなる第一保護層３２（膜厚：１００ｎ
ｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲット上にＳｉＣ材料およびＳｉＯ
₂材料をのせてＲＦスパッタリングすることにより成膜
した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録層３３
（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合金ターゲット
のＤＣスパッタリングにより成膜した。さらにＴａ₂Ｏ₅
とＳｉＣとＳｉＯ₂からなる第二保護層３４（膜厚：２
０ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲット上にＳｉＣ材料およびＳ
ｉＯ₂材料をのせてＲＦスパッタリングすることにより
成膜した。この後、反射層３５としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃ
ｒ合金膜（膜厚：１５０ｎｍ）を形成した。この上に、
保護コート層３６として紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚
みに形成して相変化光記録媒体を完成させた。

【００６２】以上のような構造で保護層形成の際のＴａ
₂Ｏ₅ターゲット上のＳｉＣ材料とＳｉＯ₂材料の数を変
化させることにより種々の組成の保護層を有する相変化
光記録媒体を作製した。

【００６３】（実施例９）第一保護層、および第二保護
層のＳｉＯ₂の代わりにＺｒＯ₂、あるいはＴｉＯ ₂、あ
るいはＴｈＯ₂、あるいはＬｉ₂Ｏ、あるいはＮａ₂Ｏ、
あるいはＫ₂Ｏ、あるいはＢａＯ₂、あるいはＺｎＯ、あ
るいはＢ₂Ｏ₃、あるいはＳｒＯ、あるいはＩｎ₂Ｏ₃、あ
るいはＨｆＯ₂、あるいはＳｎＯ₂をそれぞれ１０ｍｏｌ
％含有させ、ＳｉＣの含有量を３０ｍｏｌ％としたこと
以外は、実施例８と同様の方法で相変化光記録媒体を作
製した。

【００６４】（実施例１０）第一保護層をＳｉＣを３０
ｍｏｌ％、ＳｉＯ₂を１０ｍｏｌ％含有したＴａ₂Ｏ ₅と
し、第二保護層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂で形成
した以外は、実施例８と同様の方法で相変化光記録媒体
を作製した。

【００６５】（実施例１１）第一保護層をＺｎＳ−２０
ｍｏｌ％ＳｉＯ₂とし、第二保護層をＳｉＣを３０ｍｏ
ｌ％、ＳｉＯ₂を１０ｍｏｌ％含有したＴａ₂Ｏ₅で形成
した以外は、実施例８と同様の方法で相変化光記録媒体
を作製した。

【００６６】（実施例１２）基板上の膜形成順を反射層
（膜厚：１００ｎｍ）、第一保護層（膜厚：２０ｎ
ｍ）、記録層（膜厚：２０ｎｍ）、第二保護層（膜厚：
１００ｎｍ）とし、この上に０．１ｍｍの保護コート層
を形成した以外は、実施例８と同様の方法で逆構成の表
面再生型相変化光記録媒体を作製した。

【００６７】実施例８〜１１の相変化光記録媒体を初期
化装置を使用して記録層の初期結晶化を行なった。

【００６８】次に、記録層を結晶化させた領域のトラッ
ク上に、線速度６ｍ／ｓｅｃで０．６μｍの長さのアモ
ルファスマークを記録した（記録ピッチ：１．２μ
ｍ）。この記録の際、図４に示すようなオフパルスを付
加したレーザー変調パターンを使用し、オフパルスパワ
ー（Ｐoff）および再生パワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、ま
た、ピークパワーの幅を５０ｎｓ、オフパルスの幅は３
３ｎｓとした。バイアスパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとして
ピークパワー（Ｐｐ）を変化させアモルファスマークを
記録し、ＣＮＲが最大となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ₀）
とした。次に、Ｐｂ＝５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀としてアモ
ルファスマークを記録し、種々のパワーのレーザービー
ムを照射してアモルファスマークを消去した。この時、
消去前後でのキャリアレベルの差を消去率として測定
し、消去率が最大となるレーザーパワーを最適Ｐｂ（Ｐ
ｂ₀）とした。次に、Ｐｐを（Ｐｐ₀−１）ｍＷ、Ｐｂを
（Ｐｂ₀−１）ｍＷとしてアモルファスマーク（マーク
長：０．６μｍ）を記録し、（Ｐｂ ₀−１）ｍＷのレー
ザーで消去する。この記録−消去を１トラック当たり２
０回行なった。

【００６９】初期化処理したトラックに対して、Ｐｂ＝
Ｐｂ₀ｍＷとして、線速度６ｍ／ｓｅｃでアモルファス
マーク（マーク長：０．６μｍ）を記録し、ＣＮＲの記
録パワー（Ｐｐ）依存性（以下パワーカーブと呼ぶ）を
測定した。また、初期化処理したトラックに対して、線
速度６ｍ／ｓｅｃで０．６μｍの長さのアモルファスマ
ークをＰｒ＝１ｍＷ、Ｐoff＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐ
ｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパワーで記録し（記録ピッチ：
１．２μｍ）、この記録マークを種々の線速度、消去パ
ワーで消去し、消去前後でのキャリアレベルの差を消去
率として測定した。

【００７０】比較例１のＴａ₂Ｏ₅のみの保護層、実施例
１のＳｉＣを１０ｍｏｌ％含有させたＴａ₂Ｏ₅保護層、
及び実施例８のＳｉＣ、ＳｉＯ₂を各１０ｍｏｌ％含有
させたＴａ₂Ｏ₅保護層を有する各サンプルのパワーカー
ブを図６に示す。図６におけるパワーカーブがＣＮＲ＝
３０ｄＢと交わる交点を各々のサンプルの記録感度（Ｐ
ｔｈ）として定義した。実施例１のＳｉＣ含有量５及び
１０ｍｏｌ％のサンプル、実施例８並びに比較例１の各
保護層組成のサンプルのＰｔｈを表４に示す。

【００７１】ＳｉＣとＳｉＯ₂の組成は同条件で成膜し
た保護層の蛍光Ｘ線分析、ＥＰＭＡから求めた。表４か
ら本発明の保護層では、Ｔａ₂Ｏ₅のみの保護層に比べて
記録感度が高くなっていることがわかる。また、各サン
プルの消去率測定から高線速領域(レーザービーム径を
ｄ（＝λ／ＮＡ）、線速度をｖとしたときにｄ／ｖ＜
１．５×１０^-7ｓの領域)において比較例に比べて高い
消去率が得られることが確かめられた。

【００７２】

【表４】また、実施例９〜１１の各々のサンプルについても同様
な測定を行なった。実施例９の結果を表５に示す。表５
において、◎、○、△はそれぞれ記録感度がＴａ₂Ｏ₅−
３０ｍｏｌ％ＳｉＣ保護層に比べ１．５ｍＷ以上、０．
５〜１．５ｍＷ、０．１〜０．５ｍＷ以上高いことを表
わす。表５から、熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以下である酸
化物、あるいは、体積弾性率が２．５×１０⁶ｋｇ／ｃ
ｍ²以下である酸化物で記録感度の向上効果が高いこと
がわかる。特に、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｉｎの酸化
物を使用したときに感度向上の効果が大きいことが分か
る。また、各サンプルとも比較例１、２に比べて高線速
領域(レーザービーム径をｄ（＝λ／ＮＡ）、線速度を
ｖとしたときにｄ／ｖ＜１．５×１０^-7ｓの領域)にお
いて高い消去率が得られることが確認された。また、実
施例１０、１１の測定結果から第一保護層、あるいは第
二保護層のみに形成したサンプルでも消去率向上、記録
感度向上の効果が確認された。

【００７３】

【表５】また、同サンプルに対して、Ｐｒ＝１ｍＷ、Ｐoff＝１
ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパワーで
０．６μｍの長さのアモルファスマーク（記録ピッチ：
１．２μｍ）のダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）サ
イクルテストを行なった結果、実施例８〜１１の各々の
サンプルは比較例１、２に比べてサイクル耐久性が向上
していることが確認された。

【００７４】さらに、同じサンプルを８５℃、９５％Ｒ
Ｈの環境に２５０時間保存する加速環境試験を行なった
結果、実施例８〜１１の各々のサンプルは比較例１、２
に比べて耐候性が向上していることが確認された。

【００７５】また、実施例１２のサンプルについて、記
録再生テストを行なったところ、良好なＣＮＲ、および
消去率が得られ、表面再生型光記録媒体として使用可能
であることが確認された。

【００７６】（実施例１３）以下に示すようにして、図
３に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。
０．７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリ
カーボネート製のディスク状の基板３１上にＴａ₂Ｏ₅と
ＳｉＣからなる第一保護層３２（膜厚：１００ｎｍ）を
Ｔａ₂Ｏ₅ターゲットとＳｉＣターゲットとの同時ＲＦス
パッタリングにより成膜した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ
₅からなる記録層３３（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅合金ターゲットのＤＣスパッタリングにより成膜
した。さらにＴａ₂Ｏ₅とＳｉＣからなる第二保護層３４
（膜厚：２０ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲットとＳｉＣター
ゲットとの同時ＲＦスパッタリングにより成膜した。こ
の後、反射層３５としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜
厚：１５０ｎｍ）を形成した。この上に、保護コート層
３６として紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚みに形成して
相変化光記録媒体を完成させた。第一、および第二保護
層形成の際、Ｔａ₂Ｏ₅ターゲットとＳｉＣターゲットの
パワーを制御してＳｉＣの含有量を１０ｍｏｌ％とし
た。

【００７７】（実施例１４）第一保護層、および第二保
護層のＴａ₂Ｏ₅の代わりにＺｎＯ、Ｉｎ₂Ｏ₃又はＴｅＯ
₂としたこと以外は、実施例１３と同様の方法で相変化
光記録媒体を作製した。

【００７８】（実施例１５）第一保護層、および第二保
護層のＴａ₂Ｏ₅の代わりにＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂又はＭｇＯとしたこと以外は、実施
例１３と同様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００７９】（実施例１６）実施例１３と同様な方法で
相変化光記録媒体を作製した。ただし、本実施例の場
合、Ｔａ₂Ｏ₅ターゲットとＳｉＣターゲットのパワーを
制御して種々の組成の保護層とした。

【００８０】（実施例１７）第一保護層、および第二保
護層のＳｉＣの代わりにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｃ
ｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、又はＴｅの酸化物のいず
れかを１０ｍｏｌ％含有させたこと以外は、実施例１３
と同様の方法で相変化光記録媒体を作製した。

【００８１】（実施例１８）第一保護層、および第二保
護層のＳｉＣの代わりにＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍ
ｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、
又はＮｂの炭化物のいずれかを１０ｍｏｌ％含有させた
こと以外は、実施例１３と同様の方法で相変化光記録媒
体を作製した。

【００８２】（実施例１９）第一保護層、および第二保
護層のＳｉＣの代わりにＴａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｓ
ｃ、Ｂｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇａ、Ｍｎ、又
はＳｉの窒化物のいずれかを１０ｍｏｌ％含有させたこ
と以外は、実施例１３と同様の方法で相変化光記録媒体
を作製した。

【００８３】実施例１３〜１５の相変化光記録媒体を初
期化装置を使用して記録層の初期結晶化を行なった。

【００８４】次に、記録層を結晶化させた領域のトラッ
ク上に、線速度６ｍ／ｓｅｃ、記録ピッチ：１．２μｍ
の条件でアモルファスマークを記録した。この記録の
際、図４に示すようなオフパルスを付加したレーザー変
調パターンを使用し、オフパルスパワー（Ｐoff）およ
び再生パワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、また、ピークパワーの
幅を５０ｎｓ、オフパルスの幅は３３ｎｓとした。バイ
アスパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとしてピークパワー（Ｐ
ｐ）を変化させアモルファスマークを記録し、ＣＮＲが
最大となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ₀）とした。次に、Ｐ
ｂ＝５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀としてアモルファスマークを
記録し、種々のパワーのレーザービームを照射してアモ
ルファスマークを消去（結晶化）した。この時、消去前
後でのキャリアレベルの差を消去率として測定し、消去
率が最大となるレーザーパワーを最適Ｐｂ（Ｐｂ₀）と
した。さらに、線速度６ｍ／ｓｅｃ、記録ピッチ：１．
２μｍの条件でアモルファスマークをＰｒ＝１ｍＷ、Ｐ
off＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパ
ワーで記録し、この記録マークを種々の消去パワーで消
去し、消去前後でのキャリアレベルの差をＤＣ消去率と
して、ＤＣ消去率の消去パワー依存性を測定した。この
消去パワー依存性で最大のＤＣ消去率を最大消去率とし
た。実施例１３、１４の最大消去率の測定結果を表６に
示す。標準生成自由エネルギーが−３００ｋＪ／ｍｏｌ
以下で高い消去率が得られることが分かる。また、実施
例１３、１５の最大消去率の測定結果を表７に示す。熱
伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以下で高い消去率が得られること
が分かる。さらに、表６、７を合わせるとＴａ₂Ｏ₅は標
準生成自由エネルギーが−３００ｋＪ／ｍｏｌ以下でか
つ熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以下であり、同様な標準生成
エネルギー、あるいは熱伝導率を有する物質より高い消
去率を示すことがわかる。

【００８５】

【表６】

【表７】実施例１６〜１９の相変化光記録媒体を初期化装置を使
用して記録層の初期結晶化を行なった。

【００８６】次に、記録層を結晶化させた領域のトラッ
ク上に、線速度６ｍ／ｓｅｃ、記録ピッチ：１．２μｍ
の条件でアモルファスマークを記録した。この記録の
際、図４に示すようなオフパルスを付加したレーザー変
調パターンを使用し、オフパルスパワー（Ｐoff）およ
び再生パワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、また、ピークパワーの
幅を５０ｎｓ、オフパルスの幅は３３ｎｓとした。バイ
アスパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとしてピークパワー（Ｐ
ｐ）を変化させアモルファスマークを記録し、ＣＮＲが
最大となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ₀）とした。次に、Ｐ
ｂ＝５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀としてアモルファスマークを
記録し、種々のパワーのレーザービームを照射してアモ
ルファスマークを消去した。この時、消去前後でのキャ
リアレベルの差を消去率として測定し、消去率が最大と
なるレーザーパワーを最適Ｐｂ（Ｐｂ ₀）とした。さら
に、線速度６ｍ／ｓｅｃ、記録ピッチ：１．２μｍの条
件でアモルファスマークをＰｒ＝１ｍＷ、Ｐoff＝１ｍ
Ｗ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパワーで記録
し、この記録マークを種々の消去パワーで消去し、消去
前後でのキャリアレベルの差をＤＣ消去率として、ＤＣ
消去率の消去パワー依存性を測定した。この消去パワー
依存性で最大のＤＣ消去率を最大消去率とした。実施例
１６の最大消去率の組成依存性を表８に示す。

【００８７】

【表８】さらに、同サンプルに対して、Ｐｒ＝１ｍＷ、Ｐoff＝
１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパワーで
０．６μｍの長さのアモルファスマーク（記録ピッチ：
１．２μｍ）のダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）サ
イクルテスト、及び、８５℃、９５％ＲＨの環境に２５
０時間保存する加速環境試験を行なった。この結果、実
施例１６〜１９の酸化物、炭化物、窒化物を加えた保護
層では、消去率特性は主成分のみの保護層と同等である
と共に、ＯＷサイクル耐久性、耐候性が向上しているこ
とが確認された。

【００８８】（実施例２０）以下に示すようにして、図
７に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。
０．７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリ
カーボネート製のディスク状の基板７１上に第一保護層
７２（膜厚：１００ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲット、Ｓｉ
Ｃターゲット及びＷターゲットとの同時ＲＦスパッタリ
ングにより成膜した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からな
る記録層７３（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合
金ターゲットのＤＣスパッタリングにより成膜した。更
に第二保護層７４（膜厚：２０ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲ
ット、ＳｉＣターゲット及びＷターゲットとの同時ＲＦ
スパッタリングにより成膜した。この後、反射層７５と
してＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜厚：１５０ｎｍ）を
形成した。

【００８９】以上のような構造で保護層形成の際のＴａ
₂Ｏ₅ターゲット投入パワー、ＳｉＣターゲット投入パワ
ー及びＷターゲット投入パワーの比を変化させることに
より、組成の異なる保護層を有する相変化光記録媒体を
作製した。

【００９０】（実施例２１）以下に示すようにして、図
７に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。
０．７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリ
カーボネート製のディスク状の基板７１上に第一保護層
７２（膜厚：１００ｎｍ）を下記の酸化物ターゲット、
ＳｉＣターゲット及びＷターゲットとの同時ＲＦスパッ
タリングにより成膜した。

【００９１】酸化物ターゲット：ＴｅＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、
ＺｎＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃ この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録層７３（膜厚：
２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ ₂Ｔｅ₅合金ターゲットのＤＣス
パッタリングにより成膜した。更に第二保護層７４（膜
厚：２０ｎｍ）を第一保護層と同様に成膜した。この
後、反射層７５としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜
厚：１５０ｎｍ）を形成した。

【００９２】以上のような構造で保護層形成の際の酸化
物ターゲット投入パワー、ＳｉＣターゲット投入パワー
及びＷターゲット投入パワーの比を変化させることによ
り、酸化物：炭化物：金属のモル比で７０：２９：１の
保護層を有する相変化光記録媒体を作製した。

【００９３】（実施例２２）以下に示すようにして、図
７に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。
０．７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリ
カーボネート製のディスク状の基板７１上に第一保護層
７２（膜厚：１００ｎｍ）を成膜した。この第一保護層
の成膜はＴａ₂Ｏ₅ターゲット及びＳｉＣターゲット上に
５ｍｍ×５ｍｍ×３ｍｍの大きさの下記の金属チップを
乗せた状態で、同時ＲＦスパッタリングにより成膜し
た。

【００９４】金属若しくは合金チップ：Ｓｎ、Ｐｄ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、ＡｌＴ
ｉこの後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録層７３（膜厚：
２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ ₂Ｔｅ₅合金ターゲットのＤＣス
パッタリングにより成膜した。更に第二保護層７４（膜
厚：２０ｎｍ）を上述の第一保護層と同様な手段を用い
て成膜した。この後、反射層７５としてＡｌ−３ｗｔ％
Ｃｒ合金膜（膜厚：１５０ｎｍ）を形成した。

【００９５】以上のような構造で保護層形成の際のＴａ
₂Ｏ₅ターゲット投入パワー、ＳｉＣターゲット投入パワ
ー比を変化させ、更に、Ｔａ₂Ｏ₅ターゲット及びＳｉＣ
ターゲット上の金属若しくは合金チップ数を変化させる
ことにより、酸化物：炭化物：金属若しくは合金のモル
比で７０：２９：１の保護層を有する相変化光記録媒体
を作製した。

【００９６】（実施例２３）図７に示す第一保護層７２
（膜厚：１００ｎｍ）組成をＴａ₂Ｏ₅ターゲット投入パ
ワー、ＳｉＣターゲット投入パワー及びＷターゲット投
入パワーの比を変化させることにより、モル比で（Ｔａ
₂Ｏ₅：ＳｉＣ：Ｗ＝７０：２５：５）となるよう調整し
たこと及び第二保護層７４（膜厚：２０ｎｍ）をＺｎＳ
−ＳｉＯ₂（モル比でＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）タ
ーゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより成膜した
こと以外は実施例２０と同様にして相変化光記録媒体を
作製した。

【００９７】（実施例２４）図７に示す第一保護層７２
（膜厚：１００ｎｍ）をＺｎＳ−ＳｉＯ₂（モル比でＺ
ｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）ターゲットを用いて、Ｒ
Ｆスパッタリングにより成膜したこと及び第二保護層７
４（膜厚：２０ｎｍ）組成をＴａ₂Ｏ₅ターゲット投入パ
ワー、ＳｉＣターゲット投入パワー及びＷターゲット投
入パワーの比を変化させることにより、モル比で（Ｔａ
₂Ｏ₅：ＳｉＣ：Ｗ＝７０：２５：５）となるよう調整し
たこと以外は実施例２０と同様にして相変化光記録媒体
を作製した。

【００９８】（実施例２５）基板上の膜形成順序を反射
膜（膜厚：１００ｎｍ）、第一保護層（膜厚：２０ｎ
ｍ）、記録層（膜厚：２０ｎｍ）、第二保護層（１００
ｎｍ）としたこと及び第一保護層、第二保護層組成をＴ
ａ₂Ｏ₅ターゲット投入パワー、ＳｉＣターゲット投入パ
ワー及びＷターゲット投入パワーの比を変化させること
により、モル比で（Ｔａ₂Ｏ₅：ＳｉＣ：Ｗ＝７０：２
５：５）となるよう調整したこと以外は実施例２０と同
様にして逆構成の表面再生型相変化光記録媒体を作製し
た。

【００９９】（比較例３）以下に示すようにして、図７
に示すような構造の相変化光記録媒体を製造した。０．
７μｍの幅の溝を１．４μｍピッチで形成したポリカー
ボネート製のディスク状の基板７１上に第一保護層７２
（膜厚：１００ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅ターゲットのＲＦスパ
ッタリングにより成膜した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅
からなる記録層７３（膜厚：２０ｎｍ）をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔ
ｅ₅合金ターゲットのＤＣスパッタリングにより成膜し
た。更に第二保護層７４としてＴａ₂Ｏ₅ターゲットのＲ
Ｆスパッタリングにより形成した。この後、反射層７５
としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜厚：１５０ｎｍ）
を形成した。

【０１００】（比較例４）第一保護層及び第二保護層
を、Ｔａ₂Ｏ₅の代わりにＺｎＳ−ＳｉＯ₂（モル比でＺ
ｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）としたこと以外は、比較
例３と同様にして相変化光記録媒体を作製した。

【０１０１】（実施例２６）第一保護層（膜厚：１００
ｎｍ）及び第二保護層（膜厚：２０ｎｍ）をＴａ₂Ｏ₅タ
ーゲット投入パワー、ＳｉＣターゲット投入パワーの比
を変化させることにより、モル比で（Ｔａ₂Ｏ₅：ＳｉＣ
＝７０：３０）となるよう調整したこと以外は、比較例
３と同様にして相変化光記録媒体を作製した。

【０１０２】実施例２０〜２４、２６及び比較例３〜４
の相変化光記録媒体についてテープによる膜剥離テスト
を行った。この膜剥離テストは、セロハンテープ（ニチ
バン製）をＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜厚：１５０ｎ
ｍ）上に空気が混入しないように接着させた後、基板の
外周側から内周へ向かって剥離させるものである。その
後、基板上に残った膜の状態の観察を行い、膜剥離が全
く無いものを◎、僅かに剥離が生じた（１０％以下）も
のを○、剥離が半分程度まで（１０〜５０％）生じたも
のを△、半分以上膜剥離が生じたものを×とした。

【０１０３】また、実施例２０〜２４、２６及び比較例
３〜４の相変化光記録媒体のＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜
（膜厚：１５０ｎｍ）上に紫外線硬化樹脂を１０μｍの
厚みに形成した。その後、ＣＮＲ、ＤＣ消去率の測定、
ＯＷサイクル試験及び加速環境試験を行なった。

【０１０４】ＣＮＲ及びＤＣ消去率の測定は、まず、初
期化装置を使用して記録層の初期結晶化を行なった後、
トラック上に、線速度６ｍ／ｓｅｃ、記録ピッチ：１．
２μｍの条件でアモルファスマークを記録した。この記
録の際、図４に示すようなオフパルスを付加したレーザ
ー変調パターンを使用し、オフパルスパワー（Ｐｏｆ
ｆ）及び再生パワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、またピークパワ
ー（Ｐｐ）の幅を５０ｎｓ、オフパルスの幅を３３ｎｓ
とした。バイアスパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとし、ピーク
パワー（Ｐｐ）を変化させアモルファスマークを記録
し、キャリアレベルとノイズレベルの差をＣＮＲとし
た。更に、ＣＮＲが最大となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ
ｏ）とした。次にＰｂ＝５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐｏとしてア
モルファスマークを記録して、種々のパワーのレーザー
ビームを照射してアモルファスマークを消去（結晶化）
した。この時、消去前後のキャリアレベルの差をＤＣ消
去率とし、消去率が最大となるレーザーパワーを最適Ｐ
ｂ（Ｐｂｏ）とした。更に線速度６ｍ／ｓ、記録ピッチ
１．２μｍでアモルファスマークをＰｒ＝１ｍＷ、Ｐｏ
ｆｆ＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐｏ、Ｐｂ＝Ｐｂｏのレーザー
パワーで記録して、種々のパワーのレーザービームを照
射してアモルファスマークを消去（結晶化）し、ＤＣ消
去率のパワー依存性を測定した。

【０１０５】ＯＷサイクル試験は、ＤＣ消去率の測定の
際に用いた条件Ｐｒ＝１ｍＷ、Ｐｏｆｆ＝１ｍＷ、Ｐｐ
＝Ｐｐｏ、Ｐｂ＝Ｐｂｏのレーザーパワーで線速度６ｍ
／ｓ、記録ピッチ：１．２μｍの条件でアモルファスマ
ークのダイレクトオーバーライトを１０万回行なった。
オーバーライト前後での最大ＣＮＲの差が２ｄＢ未満の
ものを◎、３ｄＢ未満のものを○、５ｄＢ未満のものを
△、５ｄＢ以上のものを×とした。

【０１０６】加速環境試験は、８０℃ ８５％ＲＨの環
境に２５０時間保存することで実施し、試験後の目視及
び顕微鏡観察結果が非常に良好なものを◎とし、以下
○、△、×とランク付けを行なった。

【０１０７】膜剥離テスト、ＣＮＲ、ＤＣ消去率、ＯＷ
サイクル試験及び加速環境試験の評価結果を表９〜１２
に示す。表９および実施例２６の結果から、保護膜に金
属を添加する事によって密着性が向上し、金属の添加料
を２０ｍｏｌ％以下とする事によってＣＮＲ、消去率特
性と密着性、耐久性とのバランスのとれた特性が得られ
る事がわかる。また、表１０から、生成自由エネルギー
が−３００ｋＪ／ｍｏｌ以下でＣＮＲ、消去率特性と密
着性、耐久性とのバランスのとれた特性が得られる事が
わかる。さらに表１１から、添加する金属の融点が６６
０℃以上のサンプルにおいてＣＮＲ、消去率特性と密着
性、耐久性とのバランスのとれた特性が得られる事がわ
かる。実施例２３、２４の評価結果から、第一保護層、
あるいは第二保護層のみに本発明の保護層を形成したサ
ンプルでも効果が確認された。

【０１０８】

【表９】

【表１０】

【表１１】

【表１２】また、実施例２５について、膜剥離テスト、ＣＮＲの測
定、ＤＣ消去率の測定及び加速環境試験を実施したとこ
ろ、良好な特性を得ることができ、逆構成の表面再生型
相変化光記録媒体として使用可能であることが確認され
た。

【０１０９】

【発明の効果】本発明によれば、高線速において消し残
りが少なく、消去率が向上し、さらにＯＷサイクル特性
および耐候性の良い相変化光記録媒体を得ることが可能
となる。そのため、本発明により、高転送レートで耐久
性の高い相変化型光ディスクを作製することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】記録再生装置のレーザーパワーの関係を示す図
である。

【図２】本発明の相変化光記録媒体の一例の構造を示す
部分断面図である。

【図３】本発明の実施例および比較例の相変化光記録媒
体の構造を示す部分断面図である。

【図４】０．６μｍのマーク記録に使用したレーザーパ
ワーの関係を示す図である。

【図５】実施例１、比較例１及び比較例２のサンプルの
消去率の線速依存性を示す図である。

【図６】実施例８（ＳｉＣ（１０ｍｏｌ％）＋ＳｉＯ₂
（１０ｍｏｌ％））、実施例１（ＳｉＣ（１０ｍｏｌ
％））及び比較例１のサンプルのＣＮＲのピークパワー
依存性を示す図である。

【図７】本発明の実施例および比較例の相変化光記録媒
体の構造を示す部分断面図である。

【符号の説明】

２１、３１、７１：基板２２、３２、７２：第一保護層２３、３３、７３：記録層２４、３４、７４：第二保護層２５、３５、７５：反射層３６：保護コート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｍ５３５５３５Ｂ５３５Ｄ５３５Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に保護層、記録層を含む多層膜を
形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間の
可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行なう
相変化光記録媒体において、前記保護層が、元素の周期
表４〜６族及び１２〜１６族の元素の酸化物から選ばれ
るいずれか１種以上の酸化物及び下記Ａ群から選ばれる
少なくとも１種以上の物質を含むことを特徴とする相変
化光記録媒体。Ａ群：炭化物、窒化物
【請求項２】保護層が、５００℃における標準生成自
由エネルギーが負である炭化物を含む膜であることを特
徴とする請求項１に記載の相変化光記録媒体。
【請求項３】保護層が、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍ
ｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、
Ｎｂの炭化物から選ばれる１種以上の炭化物を含む膜で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載の相変化光
記録媒体。
【請求項４】保護層中の炭化物の含有量が１ｍｏｌ％
以上５０ｍｏｌ％未満であることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１項に記載の相変化光記録媒体。
【請求項５】保護層が、５００℃における標準生成自
由エネルギーが負である窒化物を含む膜であることを特
徴とする請求項１に記載の相変化光記録媒体。
【請求項６】保護層が、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｓ
ｃ、Ｂｅ、Ｖ、Ｂ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅの窒化物から選ばれる１種以上の窒化物を含む
ことを特徴とする請求項１又は５に記載の相変化光記録
媒体。
【請求項７】保護層中の窒化物の含有量が１ｍｏｌ％
以上５０ｍｏｌ％未満であることを特徴とする請求項
１、５又は６のいずれか１項に記載の相変化光記録媒
体。
【請求項８】基板上に保護層、記録層を含む多層膜を
形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間の
可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行なう
相変化光記録媒体において、前記保護層が、元素の周期
表４〜６族及び１２〜１６族の元素の酸化物から選ばれ
る１種以上の酸化物を主成分とする膜であることを特徴
とする相変化光記録媒体。
【請求項９】保護層がＴａの酸化物と、下記Ｂ群から
選ばれる１種以上の物質と、下記Ｃ群から選ばれる１種
以上の物質とから構成される膜からなることを特徴とす
る請求項８記載の相変化光記録媒体。Ｂ群：炭化物、窒化物Ｃ群：Ｔａ以外の元素の酸化物
【請求項１０】保護層中のＴａの酸化物の含有量が５
０ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項９に記載
の相変化光記録媒体。
【請求項１１】Ｃ群のＴａ以外の元素の酸化物を熱伝
導率が１０Ｗ／ｍＫ以下の酸化物とすることを特徴とす
る請求項９又は１０に記載の相変化光記録媒体。
【請求項１２】Ｃ群のＴａ以外の元素の酸化物を体積
弾性率が２．５×１０⁶ｋｇ／ｃｍ²以下の酸化物とする
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の相変化光記
録媒体。
【請求項１３】Ｃ群のＴａ以外の元素の酸化物が下記
Ｃ１群の物質から選ばれることを特徴とする請求項９又
は１０に記載の相変化光記録媒体。Ｃ１群：ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｈＯ₂、Ｌｉ₂
Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、ＢａＯ₂、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃、Ｓｒ
Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、ＨｆＯ₂
【請求項１４】保護層中の炭化物及び窒化物の含有量
の合計が１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満であることを
特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の相変
化光記録媒体。
【請求項１５】基板上に保護層、記録層を含む多層膜
を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、前記保護層が、標準生成
自由エネルギーが−３００ｋＪ／ｍｏｌ以下及び／又は
熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以下の酸化物、窒化物、又は炭
化物のいずれかからなる、あるいは、いずれかを５０ｍ
ｏｌ％以上含むことを特徴とする相変化光記録媒体。
【請求項１６】炭化物、窒化物、及び酸化物からなる
群から選ばれる物質であって、前記保護層とは異なる物
質を１種以上保護層に含むことを特徴とする請求項１５
に記載の相変化光記録媒体。
【請求項１７】基板上に保護層、記録層を含む多層膜
を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、保護層が１種以上の酸化
物と下記Ｄ群から選ばれる１種以上の物質、及び１種以
上の金属若しくは合金の混合膜からなることを特徴とす
る相変化光記録媒体。Ｄ群：炭化物、窒化物
【請求項１８】保護層に含まれる金属の融点が６００
℃以上であることを特徴とする請求項１７に記載の相変
化光記録媒体。
【請求項１９】保護層に含まれる酸化物の５００℃に
おける生成自由エネルギーが−３００ＫＪ／ｍｏｌ以下
であることを特徴とする特許請求項１７又は１８に記載
の相変化光記録媒体。
【請求項２０】基板上に保護層、記録層を含む多層膜
を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、前記保護層が、Ｔａの酸
化物と、少なくとも１種の炭化物とからなり、該保護層
の前記炭化物の含有量が１ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以
下であり、かつ、前記保護層が前記記録層に接して形成
されていることを特徴とする相変化光記録媒体。
【請求項２１】基板上に保護層、記録層を含む多層膜
を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、前記保護層が、Ａｌの酸
化物と、少なくとも１種の炭化物とからなり、該保護層
の前記炭化物の含有量が１ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以
下であり、かつ、前記保護層が前記記録層に接して形成
されていることを特徴とする相変化光記録媒体。
【請求項２２】基板上に保護層、記録層を含む多層膜
を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、前記保護層が、Ｔａの酸
化物と、少なくとも1種の炭化物と、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｈｆ及びＺｒからなる群から選ばれる元素の酸化物
の１種以上とを含有し、該保護層の前記炭化物の含有量
が１ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であり、かつ、前記
保護層が前記記録層に接して形成されていることを特徴
とする相変化光記録媒体。
【請求項２３】基板上に保護層、記録層を含む多層膜
を形成し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、前記保護層がＡｌの酸化
物と、少なくとも１種の炭化物と、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｈｆ及びＺｒからなる群から選ばれる元素の酸化物の１
種以上とを含有し、該保護層の前記炭化物の含有量が１
ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であり、かつ、前記保護
層が前記記録層に接して形成されていることを特徴とす
る相変化光記録媒体。
【請求項２４】保護層が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの
炭化物から選ばれる１種以上の炭化物を含むことを特徴
とする請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の相変化
光記録媒体。
【請求項２５】記録層がＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの合金、
あるいはこの合金を主成分とする材料により構成されて
いることを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか１項
に記載の相変化光記録媒体。
【請求項２６】記録層におけるレーザービーム径をｄ
（＝λ／ＮＡ、λはレーザー波長、ＮＡは対物レンズの
開口数）、線速度をｖとしたときに、ｄ／ｖ＜１．５×
１０^-7ｓの条件で使用することを特徴とする請求項２０
〜２５のいずれか１項に記載の相変化光記録媒体。