JPH11185289A

JPH11185289A - 追記型光学情報記録媒体

Info

Publication number: JPH11185289A
Application number: JP9348115A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Furuya; 一之古谷; Masaru Suzuki; 勝鈴木
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1997-12-17
Filing date: 1997-12-17
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】エッジ制御が容易でジッターが小さく、かつ
波長依存性の少ない光学情報記録媒体を提供する【解決手段】透明な基板の少なくとも一方の面に結晶
と非晶質間の相変化により情報が記録される記録層を有
する追記型光学情報記録媒体において、その記録層の直
上及びまたは直下に半導体材料からなる層を設け、その
記録層が結晶化した時に、記録層における基板と平行な
結晶面を構成する単位格子形状と、半導体材料からなる
層の最稠密面を構成する単位格子形状とを一致させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録層に結晶−非
晶質間の相変化を生じさせることにより、情報の記録を
行う追記型光学情報記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光学記録層にレーザー光を照射してデー
タを記録・再生する光学情報記録媒体（以下、単に、光
ディスクともいう）としては、一回だけ記録可能な追記
型光学情報記録媒体、及び記録された情報の消去と再記
録ができる書き換え可能型光学情報記録媒体が知られて
いる。

【０００３】このうち、追記型光ディスクに用いられる
記録原理としては、ａ）記録層に穴を開けるもの、記録
層の変形を利用するもの、ｂ）金属を合金化もしくは凝
集させる原理を使ったもの、ｃ）記録層の相変化を利用
するもの、ｄ）有機色素を用いたもの等の方式が従来よ
り提案されてきた。この中でも最近利用が進んでいるＣ
Ｄ−Ｒ（追記型ＣＤ）には、上記ｄ）の有機色素を用い
たものが広く使われている。なぜならＣＤ−Ｒには、デ
ィスクの反射率が６５％以上で有ることが要求されるた
め、１）記録層の光学定数が適切な値を持つこと、２）
高い反射率を有しながら記録可能であることの２点より
ｄ）以外の他の方式ではこれら要求を満たす事が出来な
いためである。

【０００４】また、近年ＣＤ−Ｒよりも記録密度を高め
たＤＶＤ−Ｒも製品化されている。しかしながら、ＤＶ
Ｄではディスクの反射率がＣＤ程高い必要性がないにも
関わらず、依然として有機色素を用いたものが使用され
ている。その理由としては、ＤＶＤ−Ｒでは記録方法が
ピットエッジ記録かつ高密度に記録されるため、記録ピ
ットのエッジがきれいで、かつクリアであることが要求
され、記録層の相変化特性を用いる方法や記録層に穴を
開ける方法、変形させる方法等は、エッジ形状を制御す
る事が難しく適用出来なかったことが挙げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような有機色素を
用いた記録層は、高い反射率やコントラストと言った点
では優れているものの、記録レーザー波長の波長依存性
が高く、記録レーザー波長が数十nm変動しただけで記録
及び再生が出来なくなるといった問題があった。また、
記録密度を高めるため、ドライブで記録波長を変更する
と、従来の製品が全く再生できなくなるため、互換が取
りにくいと言った問題もあった。

【０００６】一方、前記ｃ）の記録膜の相変化を利用し
た追記型光ディスクが数多く製品化されているが、その
構造としては、記録層の上に金属の反射層を設けたもの
が提案されてきた。（特開昭６２−１５４３４１号公
報、特開昭６３−１７６１８５号公報参照）これらの提
案は、記録層の上にＳｂ、Ｔｅ、Ｂｉを主成分とした金
属反射層を設けることにより高感度化及び光学的なコン
トラストを高めるようにしている。しかしながら、これ
らは反射層として上記材料の合金を用いているため、必
ずしもジッター低減には適さない光ディスクであった。
また、別の構成として記録層の上に光吸収層さらに記録
層そして反射層といった構成（特開昭６０−１６４９３
７号公報参照）も提案されているが、これも吸収層にＢ
ｉやＴｅ単独もしくはこれらの合金が使用されており、
記録感度の向上及び高いコントラストが得られるように
しているが、上記のものと同じようにジッターの低減に
は適したものではなかった。

【０００７】本発明は、このような従来技術の未解決の
問題点に着目してなされたものであり、エッジ制御が容
易でジッターが小さく、かつ波長依存性の少ない光学情
報記録媒体を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、記録層に
相変化をする合金を用いてデータを記録するタイプの追
記型光ディスクの場合、記録層が結晶化した際、その隣
接する層との間で生じる格子の歪みが結晶化を妨げ、引
いてはジッターの悪化に繋がると考えた。そこで本発明
者らは、この観点から鋭意検討した結果、本発明に至っ
た。

【０００９】すなわち、本願は以下の発明を提供する。（１）透明な基板の少なくとも一方の面に記録層を有
し、結晶と非晶質間の相変化を生じさせることで情報を
記録する追記型光学情報記録媒体において、その記録層
の直上及びまたは直下に半導体材料からなる層が設けら
れており、その記録層が結晶化した時に、記録層におけ
る基板と平行な結晶面を構成する単位格子形状と、半導
体材料からなる層の最稠密面を構成する単位格子形状と
が一致することを特徴とする追記型光学情報記録媒体。

【００１０】（２）記録層が結晶化した時に、記録層に
おける基板と平行な結晶面と、半導体材料からなる層の
最稠密面との格子不整合率（以下、ミスマッチともい
う）の絶対値が１０％以下であることを特徴とする上記
（１）記載の追記型光学情報記録媒体。半導体材料を積
層した光ディスクに関する従来技術としては、特開昭６
０−２８０４５号公報、または特開平９−６６６６８号
公報に開示されているような、記録層としてカルコゲン
系の材料を積層した例が知られている。しかしながら、
これらの技術の目的は、積層した記録膜を溶融混合させ
ることによって、記録層の光学的コントラストを増大さ
せる、いわゆる合金記録法である。この場合、記録は記
録層と化合物半胴体層とは相互拡散によるものであり、
半導体材料は原子に分解されることが必須である。すな
わち相互拡散による記録では、本発明が規定するミスマ
ッチは無関係であり、本発明とは記録原理及び効果も全
く異なるものである。

【００１１】また、相変化記録における従来技術とし
て、特開平５−３４２６２９号公報に開示されているよ
うな、記録層に接して補助層を設け、該補助層としてＳ
ｅやＴｅの合金または記録層合金よりＴｅの多い材料を
用いる技術が知られている。この技術は、記録層に隣接
して、カルコゲン系の材料を用いると言う点では似てい
るが、そもそも書き換え型光ディスクにおいてなされた
ものであり、またその目的が書き換え型光ディスクにお
いて必須である初期化工程の簡素化を狙ったものであ
り、本発明のジッター低減といった目的には全く合致し
ないものである。また本発明はアモルファスの状態から
結晶のピットを記録する方式に用いられる媒体であり、
特開平５−３４２６２９号公報に開示されたような、結
晶化された媒体にアモルファスのピットを記録する媒体
とは異なるものである。

【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本
発明で用いられる用語について説明する。（単位格子形状）記録層がＧｅＴｅやＡｇＳｂＴｅ２の
ような面心立方格子の結晶構造の場合、（１１１）面ま
たは（２００）面が基板と平行な面に現れやすい。（１
１１）面は図１に示すように正三角形が規則的に並んで
構成されている。従って（１１１）面の単位格子形状は
正三角形となる。（２００）面は図２に示すように正方
形が規則的に並んで構成されている。従って（２００）
面の単位格子形状は正方形となる。記録層の直上及びま
たは直下に設けられた半導体材料の最稠密面が正三角形
を並べて形成されている場合、この正三角形が半導体材
料の単位格子形状となり、記録層の（１１１）面と単位
格子形状が一致する。記録層の直上及びまたは直下に設
けられた半導体材料の最稠密面が正方形を並べて形成さ
れている場合、この正方形が半導体材料の単位格子形状
となり、記録層の（２００）面と単位格子形状が一致す
る。

【００１３】この場合、重要なのは記録層と記録層の直
上及びまたは直下に設けられた半導体材料との単位格子
の周期性が一致することであり、単位格子内に別原子が
存在しても構わない。最稠密面の単位格子形状が正三角
形となる結晶構造としてはＧａＳｂ，ＺｎＳｅ，ＡｌＳ
ｂ等のせん亜鉛鉱構造の（１１１）面や、Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｂｉ２Ｔｅ３，Ｓｂ２Ｔｅ３等の三方晶構造の（００
３）面等が挙げられる。最稠密面の単位格子形状が正方
形となる結晶構造としてはＰｂＳｅ，ＳｎＳｂ，ＳｎＴ
ｅ，ＰｂＴｅ等のＮａＣｌ構造の（２００）面等が挙げ
られる（格子不整合率）格子不整合率は以下の式で与えられ
る。

【００１４】格子不整合率（％）＝（Ｂ−Ａ）／Ａ×１００Ａ；記録層の基板に平行な結晶面の原子間距離Ｂ；記録層の直上及びまたは直下に設けた半導体材料か
らなる層の最稠密面の原子間距離上記式において原子間距離は通常、隣接する原子間のう
ち最短距離を選び、異種原子同士の距離であっても構わ
ない。但し上記式のＡ，Ｂの値が大きく異なるときは、
記録層の直上及びまたは直下に設けられた半導体材料層
の原子間距離Ｂを最短原子間距離の整数倍または整数分
の１としても構わない。

【００１５】（基板と平行な結晶面）一般的に相変化型
光ディスクに用いられる記録層には、カルコゲン元素を
主体としたものが多い。これら材料を成膜後加熱し得ら
れる結晶面を見ると、必ずしも全ての結晶が基板の一定
方位を向いているわけではない。この場合結晶面を決め
るために、Ｘ線回折法を用い、その強度から最頻面をも
って基板に平行な結晶面を割り出している。また、本発
明に用いられる半導体材料は、一般的に純金属で半導体
特性を示すＳｉやＧｅではなく、少なくとも２種以上の
元素が化合していて半導体特性を示すものを指す。むろ
ん２元素に限らず３種以上でも構わない。

【００１６】次に半導体材料層の現れる面は、その結晶
構造で概ね決まる。代表的な例を挙げると、ＮｉＡｓ構
造やウルツライト構造は（００１）面が、せん亜鉛鉱構
造やＮａＣｌ構造、菱面体構造や三方晶構造は、（１１
１）面が得られる。記録層にＧｅＴｅＳｂ合金を用いた
場合、得られる結晶面は記録膜に接する半導体材料によ
って異なり、面心立方晶の（１１１）面または（２０
０）面である。その原子間隔は（１１１）面の時０．４
３２５ｎｍ、（２００）面の時０．３０５８である。こ
の原子間隔を用いて各種材料のミスマッチの大きさを表
１に示す。

【００１７】

【表１】

【００１８】表１より分かるように、金属材料より圧倒
的に半導体材料材料のほうがミスマッチは小さい。実施
例において示すようにこのミスマッチの大きさとジッタ
ー特性は、良い相関を示す。さて、本発明の記録層の材
料として用いられる相変化合金としては、熱または光に
より相変化をする材料なら何でもかまわない。また相変
化合金は、非晶質から結晶への変化もしくは可逆性を示
しても良い。現状使用されている相変化合金としては、
Ｔｅ合金あるいはＳｅ合金が一般的に使用されている。
このような合金としては、例えば、Te-Ge,Te-Sb,Te-Ge-
Sb,Te-Ge-Sb-Pd,Te-Ge-Sb-Nb,Te-Ge-Sb-Cr,Te-Ge-Sb-B
i,Te-Ge-Sn-O,Te-Ge-Sb-Se,Te-Ge-Sn-Au,In-Sb-Te,In-S
b-Se,In-Sb-Te-Ag,In-Se,Te-Bi 等が挙げられる。

【００１９】これらの中でも、Te-Ge-Sb及びIn-Sb-Te-A
g合金は、非晶質から結晶への転移速度即ち、結晶化速
度が早いため、光ディスクにした場合、高速記録に適す
るので好ましい。一方、書き換え型でないため、繰り返
し使用による記録層の劣化を考慮しなくても良いので記
録層に結晶化速度を低下させる成分、例えば、ＣｕやＧ
ａ、ＣｄやＴｌを含む材料は本発明には適さない。

【００２０】また、本発明に適する半導体材料は、記録
層が結晶化した時に、記録層における基板と平行な結晶
面の原子間隔と記録層の直上及びまたは直下に設けた半
導体材料の最稠密面の原子間隔との格子不整合率の絶対
値が１０％以下であることが好ましい。さらに好ましく
は、格子不整合率は−２％以上６％以下の範囲が好適で
ある。

【００２１】本発明に適する半導体材料は、スパッタ法
もしくは真空蒸着法等により薄膜が得られるものであれ
ばよい。記録層材料によっても変わるが、適する材料と
して例えば、BaO,AgCl,BeTe,GaAs,AlAs,YSb,YP,ZnSe,Th
S,SnAs,YSe,AgBr,ThP,LaS,ScSb,ThSe,CaSe,PbS,ScBi,Th
As,BiSe,InAs,YTe,GaSb,PbSe,SnSb,AlSB,CuI,SrSe,SnT
e,ThSb,CaTe,BaS,LaTe,PbTe,BiTe,SrTe,AgI,InSb,CdTe,
Sb2Te3,Bi2Se3,Bi2Te3などが挙げられる。また上記材料
を２種以上混合させた混晶膜を用いても良い。

【００２２】さらに好ましくは、ThP,LaS,ScSb,ThSe,Ca
Se,PbS,ScBi,ThAs,BiSe,InAs,YTe,GaSb,PbSe,SnSb,AlS
B,CuI,SrSe,SnTe,ThSb,CaTe,BaS,LaTe,PbTe,BiTe,SrTe,
AgI,Sb2Te3,Bi2Se3,Bi2Te3などが用いられる。本発明の
光ディスクの記録層を形成する方法として、スパッタ
法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等いずれでも良い
が、生産性や操作性等を考慮するとスパッタ法が好まし
い。スパッタ法で半導体材料の膜を作成するには、半導
体材料そのもののターゲットから形成する方法や、化合
物を形成する元素のターゲットを各々作成し、別々に放
電させる共スパッタ法や、ターゲットの時点では金属状
態であったものを、成膜中にガスを添加させ化合物膜を
形成する方法がある。ディスクを生産する上では、半導
体材料そのもののターゲットから形成する方法が生産
性、制御性、均一性に優れる。また混晶膜を形成する時
は、各々の材料を混合させたターゲットを作成する事
で、形成が可能である。

【００２３】また、記録層の上に半導体材料層を設けさ
らにその上に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｄ、
Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＷおよびＴｉ等の金属またはこれら
の合金からなる反射層を設けてもよい。例えばＡｕ、Ａ
ｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ
−Ｐｄ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−
Ｖ合金等の合金系でも良い。反射層の記録層とは反対側
の面には反射層をなす薄膜の保護と強化のために、ＵＶ
硬化樹脂（ウレタン系、アクリル系、シリコン系、ポリ
エステル系等）やホットメルト系の接着剤等からなる層
を設けるとよい。

【００２４】なお、本発明の追記型光学情報記録媒体に
おいては、記録層の耐湿性やコントラストを高めるた
め、記録層と半導体化合物層の直上および／または直下
または化合物層と記録層の直上および／または直下に、
金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、窒化物、フッ化
物、および硫化物から選ばれた少なくとも一種類からな
る保護層を設けたものであってもよい。このような保護
層材料としては、ＺｎＳと、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｔａ₂
Ｏ₅、ＺｒＯ₂等の酸化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｃ等の炭
化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｍＳ、ＳｒＳ
等の硫化物、およびＭｇＦ₂等のフッ化物から選ばれた
一種類または複数種類の物質との混合物が挙げられる。

【００２５】ここで本願に供する追記型光学情報記録媒
体の構造の一例を図３に示す。すなわち、透明基板の上
に記録層、続いて半導体材料層、反射層、ＵＶ硬化樹脂
層の順に積層される。各々の膜厚は、要求される特性に
よっても変わるが通常の光ディスクであれば、ディスク
の反射率を考慮すると記録層は、５nm〜１００nmの範囲
であり、半導体材料層は１nm〜５０nmの範囲であり、反
射層は１０nm〜３００nmの範囲が好ましい。特に半導体
材料層の膜厚は、記録層に接して均一に付いていれば良
く、厚さは極薄い膜でも目的を達成する。但し膜厚が１
nmより薄いと膜が島状構造になり本願目的を達せられな
い。また膜厚が厚くなると共に、例えば光学的に吸収の
ある材料や、熱伝導率が悪い材料または、熱容量の小さ
い材料は、記録層に熱をこもらせてしまうため、再生光
による劣化を招き悪影響を及ぼす。記録層材料にもよる
が、５０nm以上の膜厚になるとこの影響が顕著になり好
ましくない。この点を考慮し、記録層は、１０nm〜５０
nmの範囲、半導体材料層は２nm〜１０nmの範囲、反射層
は２０nm〜１００nmの範囲がより好ましい。ＵＶ硬化樹
脂の膜厚は、２μｍ〜２０μｍの範囲が好ましい。

【００２６】本発明の一つの実施形態として、前記記録
層の直下と半導体材料層の直上に保護層を設けた層構造
の例を図４に示す。例えば、第一保護層、続いて記録
層、半導体材料層、反射層の順で積層した場合、生産性
等を考慮し第一保護層の厚さは、１０nm〜３００nmの範
囲が好ましい。さらに記録信号品質を高めるため、半導
体材料層と反射層の間に第二の保護層を設けてもよい。
この際、第二保護層の膜厚は、１０nm〜３００nmの範囲
が良い。

【００２７】本発明に用いられている基板としては、従
来より光ディスクの基板として慣用されている透明基板
を使用することができるが、光学的特性が良好で機械的
強度が大きく、寸法安定性にも優れたポリカーボネート
やポリメチルメタアクリレレートまたはガラス等を使用
することが好ましい。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により詳細
に説明する。

【００２９】

【実施例１】案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基
板（厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
幅０．３７μｍ、溝深さ７００Å）上に、厚さ２５ｎｍ
の記録層、厚さ５ｎｍの半導体材料層、厚さ４０ｎｍの
ＡｌＴｉ合金反射層を順次積層した相変化型光ディスク
をスパッタリング法により成膜し、ついで記録膜表面を
紫外線硬化樹脂で被覆した。記録層は成膜後の組成がＳ
ｂ１７Ｔｅ５３Ｇｅ３０となるよう組成を調整したＳｂ
ＴｅＧｅ３元合金ターゲットを用いスパッタにより成膜
を行った。半導体材料層としてはＧａＳｂ，ＳｎＳｂ，
ＡｌＳｂを用いた。

【００３０】こうして作成した光ディスクを線速度６ｍ
／ｓｅｃで回転させ、最短マーク長０．４μｍ、８−１
６変調方式のランダム信号を、各ディスク毎にレーザー
パワー、パルス幅、パルス発光のタイミングを最適化し
たマルチパルスにより記録した。なお記録は非晶質状態
の記録膜上にレーザー光を照射し結晶状態のピットを形
成することにより行われる。この時の光学系は、波長λ
＝６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡはＮＡ＝０．６であ
る。

【００３１】その結果を表２に示す。いずれの材料を用
いた場合も８％台の良好なジッターが得られた。

【００３２】

【表２】

【００３３】

【実施例２】案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基
板（厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
幅０．３７μｍ、溝深さ７００Å）上に、厚さ２ｎｍの
半導体材料層、厚さ２５ｎｍの記録層、厚さ４０ｎｍの
Ｓｂ反射層を順次積層した相変化型光ディスクをスパッ
タリング法により成膜し、ついで記録膜表面を紫外線硬
化樹脂で被覆した。記録層は成膜後の組成がＳｂ１７Ｔ
ｅ５３Ｇｅ３０となるよう組成を調整したＳｂＴｅＧｅ
３元合金ターゲットを用いスパッタにより成膜を行っ
た。半導体材料層としてはＧａＳｂ，ＳｎＳｂ，ＡｌＳ
ｂを用いた。

【００３４】こうして作成した光ディスクを線速度６ｍ
／ｓｅｃで回転させ、最短マーク長０．４μｍ、８−１
６変調方式のランダム信号を、各ディスク毎にレーザー
パワー、パルス幅、パルス発光のタイミングを最適化し
たマルチパルスにより記録した。なお記録は非晶質状態
の記録膜上にレーザー光を照射することにより結晶状態
のピットを形成することにより行われる。この時の光学
系は、波長λ＝６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡはＮＡ＝
０．６である。

【００３５】その結果を表３に示す。いずれの材料を用
いた場合も８％台の良好なジッターが得られた。

【００３６】

【表３】

【００３７】

【実施例３】案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基
板（厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
幅０．３７μｍ、溝深さ７００Å）上に、厚さ２５ｎｍ
の記録層、厚さ５ｎｍの半導体材料層、厚さ４０ｎｍの
ＡｌＴｉ合金反射層を順次積層した相変化型光ディスク
をスパッタリング法により成膜し、ついで記録膜表面を
紫外線硬化樹脂で被覆した。記録層は成膜後の組成がＡ
ｇ２．６Ｉｎ３．７Ｓｂ６４．２Ｔｅ２９．５となるよ
う組成を調整したＡｇＩｎＳｂＴｅ４元合金ターゲット
を用いスパッタにより成膜を行った。半導体材料層とし
てはＧａＳｂ，ＡｌＳｂを用いた。

【００３８】記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅ合金を用いた場
合、基板に平行な面を調べたところ結晶面は面心立方晶
の（１１１）面である事が分かり、その原子間隔は０．
４２９９ｎｍである。この原子間隔を用いて計算した、
本実施例に用いた半導体材料とのミスマッチの大きさを
表４にしめす。

【００３９】

【表４】

【００４０】こうして作成した光ディスクを線速度６ｍ
／ｓｅｃで回転させ、最短マーク長０．４μｍ、８−１
６変調方式のランダム信号を、各ディスク毎にレーザー
パワー、パルス幅、パルス発光のタイミングを最適化し
たマルチパルスにより記録した。なお記録は非晶質状態
の記録膜上にレーザー光を照射することにより結晶状態
のピットを形成することにより行われる。この時の光学
系は、波長λ＝６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡはＮＡ＝
０．６である。

【００４１】その結果を表５に示す。いずれの材料を用
いた場合も８％台の良好なジッターが得られた。

【００４２】

【表５】

【００４３】

【比較例１】案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基
板（厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
幅０．３７μｍ、溝深さ７００Å）上に、厚さ２５ｎｍ
の記録層、厚さ４０ｎｍの金属反射層、厚さ２０ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体保護層を順次積層した
相変化型光ディスクをスパッタリング法により成膜し、
ついで記録膜表面を紫外線硬化樹脂で被覆した。記録層
は成膜後の組成がＳｂ１７Ｔｅ５３Ｇｅ３０となるよう
組成を調整したＳｂＴｅＧｅ３元合金ターゲットを用い
スパッタにより成膜を行った。金属反射層としてはＳ
ｂ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｔａを
用いた。ＳｂＴｅＧｅ記録膜とこれら金属材料とのミス
マッチの大きさを表１に示す。

【００４４】こうして作成した光ディスクを線速度６ｍ
／ｓｅｃで回転させ、最短マーク長０．４μｍ、８−１
６変調方式のランダム信号を、各ディスク毎にレーザー
パワー、パルス幅、パルス発光のタイミングを最適化し
たマルチパルスにより記録した。なお記録は非晶質状態
の記録膜上にレーザー光を照射することにより結晶状態
のピットを形成することにより行われる。この時の光学
系は、波長λ＝６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡはＮＡ＝
０．６である。

【００４５】その結果を表６に示す。Ａｌ，Ａｕ，Ｗ，
Ｃｏ，Ｔｉ，Ｔａを金属反射層として用いたディスクは
ジッターの測定が不可能であった。Ｓｂ，Ｔｅ，Ｂｉを
金属反射層として用いたディスクにおいてはジッターは
１２％以上であった。

【００４６】

【表６】

【００４７】

【比較例２】案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基
板（厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
幅０．３７μｍ、溝深さ７００Å）上に、厚さ２５ｎｍ
の記録層、厚さ５ｎｍの半導体材料層、厚さ４０ｎｍの
Ａｌ合金反射層を順次積層した相変化型光ディスクをス
パッタリング法により成膜し、ついで記録膜表面を紫外
線硬化樹脂で被覆した。記録層は成膜後の組成がＳｂ１
７Ｔｅ５３Ｇｅ３０となるよう組成を調整したＳｂＴｅ
Ｇｅ３元合金ターゲットを用いスパッタにより成膜を行
った。半導体材料層としてはＣｒＳｂ，ＣｄＳ，ＭｎＳ
ｂ，ＣｄＳｅを用いた。これら半導体材料は最稠密面の
単位格子形状が長方形であり、記録膜の単位格子形状
（正三角形または正方形）と一致しない。。

【００４８】こうして作成した光ディスクを線速度６ｍ
／ｓｅｃで回転させ、最短マーク長０．４μｍ、８−１
６変調方式のランダム信号を、各ディスク毎にレーザー
パワー、パルス幅、パルス発光のタイミングを最適化し
たマルチパルスにより記録した。なお記録は非晶質状態
の記録膜上にレーザー光を照射することにより結晶状態
のピットを形成することにより行われる。この時の光学
系は、波長λ＝６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡはＮＡ＝
０．６である。

【００４９】その結果、これらの半導体材料を記録層直
上に設けた構成では１度のレーザー照射で十分に結晶化
できずジッター測定は不可能であった。

【００５０】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明（１）
によれば、ジッターが低減出来、良好なエラー特性を示
す媒体が得られる。また、本発明（１）により、記録層
の波長依存性が小さく、ドライブの記録波長を選ばない
互換性の高い媒体が得られる。さらに、本発明（１）の
媒体は、記録層に有機色素を用いていないため、日光等
の退色、耐候性にも優れ、再生光による劣化も少ない。

【００５１】また、本発明（２）によれば、さらに優れ
たジッター特性を示す媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】記録層の結晶構造が面心立方格子である時の
（１１１）面の原子の並び方を示す図である。

【図２】記録層の結晶構造が面心立方格子である時の
（２００）面の原子の並び方を示す図である。

【図３】本発明の実施例において作製した相変化型光デ
ィスクの層構造を示す断面図である。

【図４】本発明に関し、第一保護層、第２保護層を設け
た場合のディスクの層構造の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１基板２記録層３半導体材料層４反射層５ＵＶコート樹脂６第１保護層７第２保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基板の少なくとも一方の面に結晶
と非晶質間の相変化により情報が記録される記録層を有
する追記型光学情報記録媒体において、その記録層の直
上及びまたは直下に半導体材料からなる層が設けられて
おり、その記録層が結晶化した時に、記録層における基
板と平行な結晶面を構成する単位格子形状と、半導体材
料からなる層の最稠密面を構成する単位格子形状とが一
致することを特徴とする追記型光学情報記録媒体。
【請求項２】記録層が結晶化した時に、記録層におけ
る基板と平行な結晶面と、半導体材料からなる層の最稠
密面との格子不整合率の絶対値が１０％以下であること
を特徴とする請求項１記載の追記型光学情報記録媒体。