JP2000190637A

JP2000190637A - 光学的情報記録媒体

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Publication number: JP2000190637A
Application number: JP10372485A
Authority: JP
Inventors: Itsuro Nakamura; 逸郎中村; Katsunori Oshima; 克則大嶋; Osamu Akutsu; 収圷; Kenji Oishi; 健司大石; Junji Kuroda; 順治黒田
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1998-12-28
Filing date: 1998-12-28
Publication date: 2000-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】多数回の記録消去を繰り返しても、記録消去
動作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとん
どない良好な繰り返し記録特性が得られる構成の光情報
記録媒体を提供する。【解決手段】基板１上に、第１誘電体層２、記録層
３、第２誘電体層４、反射層５を順次積層してなり、光
の照射により前記記録層３を構成する原子の配列が変化
して情報の記録及び消去が行われる光学的情報記録媒体
であって、前記記録層３は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂ
と、Ｍ（ＭはＡｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍ
ｏ，Ｍｎ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐ
ｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉ
ｎ，Ｗ，Ｚｒからなる群から選択された少なくとも一つ
の元素）とを含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により記
録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および
消去が行なわれる光学的情報記録媒体であって、特に書
き換え特性および高密度記録に優れた光学的情報記録用
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、
結晶−非晶質間、あるいは結晶１−結晶２の２つの結晶
相間の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよ
く知られている。相変化形型記録媒体は、Ｔｅ、Ｓｅ等
のカルコゲンを主成分とし基板上に形成された記録層と
この記録層を両面から挟み込む２枚の透光性誘電体層と
レーザービームの入射側（基板側）とは反対に設けた反
射層と樹脂保護層から構成されている。この記録層の代
表的な材料系としては、ゲルマニウム・アンチモン・テ
ルル系（ＧｅＳｂＴｅ系）、銀・インジウム・アンチモ
ン・テルル系（ＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が良く知られてい
て、実用化されている。

【０００３】記録原理は次の通りである。成膜直後の記
録層は非晶質（アモルファス）状態で反射率は低い。ま
ずはじめに、レーザービームを照射して記録層を加熱
し、媒体全面を反射率の高い結晶状態にする。これを初
期化という。初期化した媒体にレーザービームを局所的
に照射して記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に
相変化させる。相変化に伴い記録層の光学的性質（反射
率、透過率、複屈折率等）が変化して、情報を記録す
る。再生は、弱いレーザ光を照射して結晶とアモルファ
スとの反射率差、または位相差を検出して行う。書き換
えは、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パワーの
上に重畳した記録ピークパワーを記録層に投入すること
により消去過程を経ることなくすでに記録された記録マ
ーク上にオーバーライトする。

【０００４】さて、上述したＧｅＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系材料を記録層に用いた相変化型記録媒体とし
ては、次のものが知られている。即ち、特開平１−２７
７３３８号公報には（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y（ここで、
原子比ｘは０．４≦ｘ＜０．７、原子比ｙはｙ≦０．
２、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の元素）で表され
る組成の合金からなる記録層を有する光記録媒体が提案
されている。この媒体は、ＳｂＴｅ２元系に第３元素を
添加することにより結晶化温度を高めて非晶質状態の安
定性を向上させ、さらに消去の高速化を図っている。し
かし、この公報には４元系以上の多元系媒体の具体的な
実施例は記載されていない。また、１ビームオーバーラ
イト時の書換性能は示されておらず、書き込み消去の繰
り返し回数も１０００回と書換媒体としての特性が不十
分である。

【０００５】また、本発明者等は、光記録材料の欠点を
見事に解決する新材料として、ＡｌＴｅＳｂ系ならびに
これにＩ族のＡｕ、Ａｇ、Ｃｕを加えた系の記録材料を
見いだし特開平２−１５０３８４号公報に開示してき
た。この開示技術により、極めて優れた性能を有する相
変化形光ディスクを獲得できることは、既に明らかであ
ったが、製造マージン特に膜厚管理を考えると、さらな
る改良が必要となった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】（１）繰返しオーバー
ライト記録による記録再生特性の劣化があった。即ち、
従来のＧｅＳｂＴｅ系材料では、記録、消去あるいは書
換の繰返しにより、記録時に溶融した記録膜材料がビー
ムの移動に伴って一緒に移動し、再生出力が減少すると
いった問題があった。（２）書換え可能なＤＶＤ−ＲＡＭ相当の転送速度なら
びに高い記録密度の実現が困難であった。特に所定の記
録ストラテジに対応した１ビームオーバーライト時の書
換性能向上を赤色レーザ波長域で達成できなかった。（３）記録感度が低いと記録、消去に要する光の照射パ
ワーが大きく、光ヘッドの半導体レーザに高出力のもの
が必要になり装置コストが高い。また、媒体の場合、光
の照射パワーが不足し高速回転では記録が困難になるな
どの問題があった。（４）高い記録密度で良好な記録再生特性を得るには
０．６以上の変調度が必要であるが、高密度化に伴い変
調度を向上させることは困難であった。

【０００７】そこで、このような課題を解決するため
に、本発明はなされたものであり、基板上に、第１誘電
体層、記録層、第２誘電体層、反射層を順次積層する
か、あるいは、基板上に、Ａｇ合金層、第１誘電体層、
記録層、第２誘電体層、反射層を順次積層してなり、光
の照射により前記記録層を構成する原子の配列が変化し
て情報の記録及び消去が行われる光学的情報記録媒体で
あって、記録層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂと、Ｍ（Ｍ
はＡｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐ
ｔ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈ
ｆ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒか
らなる群から選択された少なくとも一つの元素）とを含
有する合金からなることによって、多数回の記録消去を
繰り返しても、記録消去動作が安定しており、特性の劣
化、欠陥の発生がほとんどない良好な繰り返し記録特性
が得られる構成の光情報記録媒体を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、次の（１）〜（６）の構成を有する
光情報記録媒体を提供する。

【０００９】（１）基板上に、第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層を順次積層してなり、光の照
射により前記記録層を構成する原子の配列が変化して情
報の記録及び消去が行われる光学的情報記録媒体であっ
て、前記記録層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂと、Ｍ（Ｍ
はＡｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐ
ｔ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈ
ｆ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒか
らなる群から選択された少なくとも一つの元素）とを含
有することを特徴とする光学的情報記録媒体。（２）基板上に、Ａｇ合金層、第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層を順次積層してなり、光の照
射により前記記録層を構成する原子の配列が変化して情
報の記録及び消去が行われる光学的情報記録媒体であっ
て、前記記録層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂと、Ｍ（Ｍ
はＡｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐ
ｔ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈ
ｆ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒか
らなる群から選択された少なくとも一つの元素）とを含
有することを特徴とする光学的情報記録媒体。前記記録
層の組成は、（Ｃｕ_wＡｌ_xＴｅ_yＳｂ_z）_1-aＭａ但し，０．０１≦ｗ≦０．１５０．０１≦ｘ≦０．１００．２０≦ｙ≦０．３５０．４０≦ｚ≦０．６５０．００１≦ａ≦０．０５ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１（ａ：Ｍの原子比、ｗ：Ｃｕの原子比、ｘ：Ａｌの原子
比、ｙ：Ｔｅの原子比、ｚ：Ｓｂの原子比）の組成式を
満たすものであることを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の光学的情報記録媒体。（４）前記記録層の組成は、３／７≦（ｙ＋ｚ）／（ｗ＋ｘ）≦１９１．５≦ｚ／ｙ≦２．５（但し、ｗ：Ｃｕの原子比、ｘ：Ａｌの原子比、ｙ：Ｔ
ｅの原子比、ｚ：Ｓｂの原子比）の組成式を満たすもの
であることを特徴とする請求項１又は請求項３記載記載
の光学的情報記録媒体。（５）前記Ａｇ合金層の膜厚は、１〜２０ｎｍである
ことを特徴とする請求項２又は請求項３記載の光学的情
報記録媒体。（６）前記基板は、板厚０．６ｍｍ、グルーブピッチ
０．７４〜１．４８μｍの空溝を有する透光性基板であ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずかに記
載の光学的情報記録媒体。

【００１０】

【発明の実施の態様】以下、本発明の光情報記録媒体
を、［実施例１］、［実施例２］の順に詳細に説明す
る。

【００１１】［実施例１］本発明の光情報記録媒体は、
基板上に記録層を有し、光の照射により原子の配列が変
化して情報の記録および消去が行われる光情報記録媒体
であって、記録層が少なくとも銅Ｃｕ、アルミニウムＡ
ｌ、テルルＴｅ、アンチモンＳｂ、およびＭ（ＭはＡ
ｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐｔ，
Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｃ
ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒからなる
群から選択された少なくとも一つの元素である）からな
ることを特徴とする光学的情報記録媒体である。また、
前記記録層の組成は、（Ｃｕ_wＡｌ_xＴｅ_yＳｂ_z）_1-aＭ
ａ。ただし、０．０１≦ｗ≦０．１５、０．０１≦ｘ≦
０．１０、０．２０≦ｙ≦０．３５、０．４０≦ｚ≦
０．６５、０．００１≦ａ≦０．０５、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１である。また、本発明の光情報記録媒体は、基板上
に少なくとも誘電体層、記録層、誘電体層、反射層をこ
の順に積層してなる光学的情報記録媒体であって、前記
記録層の組成は、組成式３／７≦（ｙ＋ｚ）／（ｗ＋
ｘ）≦１９、１．５≦ｚ／ｙ≦２．５を満たすものであ
る。また、前記基板は板厚０．６ｍｍ、グルーブピッチ
０．７４〜１．４８μｍのプリグルーブ（空溝）を有す
る透光性基板である。

【００１２】本発明の記録材料は、結晶状態と非晶状態
の少なくとも２つの状態をとり得る少なくとも銅Ｃｕ、
アルミニウムＡｌ、テルルＴｅ、アンチモンＳｂ、およ
びＭ（ＭはＡｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，
Ｍｎ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔ
ａ，Ｈｆ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，
Ｚｒからなる群から選択された少なくとも一つの元素で
ある）からなる相変化型光記録材料である。消去状態で
ある結晶状態において、銅Ｃｕ、アルミニウムＡｌ、テ
ルルＴｅ、アンチモンＳｂのうちの単体の結晶相あるい
は２元素以上の組み合わせで構成される結晶相を形成す
るものである。結晶状態が単一相であるとは限らず、２
相以上の結晶相が混在していてもよい。記録状態である
非晶質状態において、Ｘ線回折パターンは示さないが局
所的には短距離秩序を有していてもよく、規則的な電子
線回折パターンを示す場合もある。

【００１３】また、本発明の記録層は、記録、消去、あ
るいは、オーバーライトによる書換を繰り返しても、従
来の記録層に比べ優れた繰返耐久性と高密度記録が得ら
れる。さらに、従来の記録層に比べ高い変調度が得られ
るため、高密度記録再生時のジッタが抑制され高性能で
ある。記録材料として銅Ｃｕ、アルミニウムＡｌ、テル
ルＴｅ、アンチモンＳｂを主成分とし、添加元素として
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐ
ｔ，Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈ
ｆ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒの
群から選ばれる少なくとも１種以上の元素を合計で０．
０１原子％以上５原子％未満含有することもできる。

【００１４】とりわけ、繰り返しオーバーライト性能に
優れていることから、記録層の膜厚方向の平均組成が下
記の組成式で表される組成であることが好ましい。組成式（Ｃｕ_wＡｌ_xＴｅ_yＳｂ_z）_1-aＭａ０．０1 ≦ｗ≦０．１５０．０1 ≦ｘ≦０．１００．２０≦ｙ≦０．３５０．４０≦ｚ≦０．６５０．００１≦ａ≦０．０５ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ここで、Ｃｕは銅、Ａｌはアルミニウム、Ｔｅはテル
ル、Ｓｂはアンチモンを表し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ａ及び
数字は、各元素の原子の数の比（各元素のモル比）を表
す。

【００１５】さらに、高い変調度が得られ高密度記録再
生性能に優れていることから、記録層の膜厚方向の平均
組成が下記の組成式で表される組成であることが好まし
い。３／７≦（ｙ＋ｚ）／（ｗ＋ｘ）≦１９１．５≦ｚ／ｙ≦２．５

【００１６】アンチモンＳｂの含有量が記録層の結晶化
速度を強く支配しており、Ｓｂ量の増加とともに結晶化
速度が速くなり、転送速度を高速にすることができる。
加えて、Ｓｂを成分に含むＴｅ系合金であるため、耐酸
化性にも優れている。しかし、Ｓｂ量が過剰であると繰
り返しオーバーライト性能が低下し、さらにＳｂ量が過
剰であると成膜直後から結晶状態となり、高反射率を呈
するようになる。Ｃｕ，ＡｌならびにＴｅの含有量につ
いては、過剰であると記録感度が低下し、非晶質から結
晶へ変化し再び非晶質に戻るような可逆的な変化を示さ
なくなり、ついには非晶質から結晶への不可逆的な相変
化を示さなくなる。

【００１７】本発明の光記録媒体の代表的な層構成は、
（ア）透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層
の積層体あるいは、（イ）透明基板／第１誘電体層／記
録層／第２誘電体層／反射層の積層体からなる（ここで
レーサ光は基板下面側から入射する）図１参照。但し本
発明の光記録媒体の構成はこれに限定するものではな
い。反射層上に本発明の効果を損なわない範囲でＳｉ
Ｏ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、
Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂等の金属酸化物、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮなどの窒
化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄等の硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物などの保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂層、他の基
板と張り合わせるための接着剤層などを設けてもよい。
記録感度を重視する用途には、反射層を設けない（ア）
の構成が好ましく、高記録密度で記録する場合、あるい
は、記録の繰返し耐久性を重視する用途では（イ）の反
射層を設けた構成が好ましい。

【００１８】図１は本発明の光記録媒体の実施例１の断
面構造を説明するための図である。本発明の光記録媒体
の具体的な実施例である光ディスクＤは、図１に示すよ
うに、基板１上に、第１誘電体層２、記録層３、第２誘
電体層４、反射層５、保護層６が順次積層されてなるも
のである。

【００１９】本発明の誘電体層（第１，第２誘電体層
２，４）は、記録時に基板、記録層などが熱によって変
形し記録特性が劣化することを防止するなど、基板、記
録層を熱から保護する効果、光学的な干渉効果により、
再生時の信号コントラストを改善する効果がある。さら
に、記録層の結晶化を促進して、消去率を向上する効果
もある。この誘電体層としては、ＺｎＳ，ＳｉＯ₂、窒
化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜がある。
特にＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａなどの金属あ
るいは半導体の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ，Ａｌなどの
金属あるいは半導体の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｓｉなどの金属あるいは半導体の炭化物の薄膜、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄、ＧｅＳ₂等の金属あるいは半
導体の硫化物の薄膜、及びこれらの化合物の２種類以上
の混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的に安定なことか
ら好ましい。さらに、記録層への誘電体層を構成する原
子の拡散がないものが好ましい。これらの酸化物、硫化
物、窒化物、炭化物は必ずしも化学量論的組成をとる必
要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、
混合して用いることも有効である。また、これらにＭｇ
Ｆ₂などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が
小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ₂の混合
膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ
／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好まし
い。

【００２０】前記した第１および第２誘電体層２，４の
厚さは、およそ１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層
２は、基板１や記録層３から剥離し難く、クラックなど
の欠陥が生じ難いことから、８０〜３００ｎｍが好まし
い。また第２誘電体層４は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録
特性、安定に多数回の書換が可能なことから１０〜５０
ｎｍが好ましい。第１誘電体層２と第２誘電体層４は、
同一ではなく異なる化合物から構成されてもよい。

【００２１】本発明の記録層（記録層３）の厚さとして
は、特に限定するものではないが１０〜１００ｎｍであ
る。特に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可
能であることから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすること
が好ましい。

【００２２】本発明の反射層（反射層４）の材質として
は、光反射性を有するＡｌ、Ａｕ，Ａｇなどの金属、及
びこれらを主成分とし、Ｔｉなどの添加元素を含む合金
及びＡｌ，Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金
属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属
化合物を混合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光
反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることから好ま
しい。前述の合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃ
ｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ、Ｍｎ，Ｐ
ｄ，Ｚｒなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子％
以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、ＡｕにＣ
ｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１
種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加えたも
のなどがある。とりわけ、耐腐食性が良好でかつ繰り返
し性能がのびることから、反射層を添加元素を合計で
０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａ
ｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれか
のＡｌを主成分とする合金で構成することが好ましい。

【００２３】反射層の厚さとしては、おおむね１０ｎｍ
以上３００ｎｍ以下である。特に、記録感度が高く、高
速でシングルビーム・オーバーライトが可能であり、か
つ消去率が大きく消去特性が良好であることから、次の
ごとく、光記録媒体の主要部を構成することが好まし
い。

【００２４】本発明の基板（基板１）の材料としては、
透明な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。
ほこり、基板の傷などの影響をさけるために、透明基板
を用い、集束した光ビームで基板側から記録を行なうこ
とが好ましく、この様な透明基板材料としては、ガラ
ス、ポリカーボネイト、ポリメチル・メタクリレート、
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂な
どがあげられる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性
が小さく、成形が容易であることからポリカーボネイト
樹脂が好ましい。さらに記録密度を向上するため、基板
上に積層媒体を設け極薄い板厚の透光性基板を通して、
いわゆる表読みを行ってもよく、この場合にはレーザ光
は基板を通過しないので不透明な基板を用いることが可
能となる。

【００２５】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着貼り合せ構造と
してもよい。

【００２６】本発明の光記録媒体（光ディスクＤ）の記
録に用いる光源としては、レーザ光を用いることが好ま
しく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外域の３０
０ｎｍの範囲にある。１次光を２次高調波発生素子（Ｓ
ＨＧ素子）を用いて短波長化した光源を利用することも
できる。

【００２７】本発明の光記録媒体の記録は結晶状態の記
録層にレーザ光パルスなどを照射してアモルファス（非
晶状態）の記録マークを形成して行う。また、反対に非
晶状態の記録層に結晶状態の記録マークを形成してもよ
い。消去はレーザ光照射によって、アモルファスの記録
マークを結晶化するか、もしくは、結晶状態の記録マー
クをアモルファス化して行うことができる。実用的に
は、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パワーの上
に重畳した記録ピークパワーを記録層に投入することに
より消去過程を経ることなくすでに記録された記録マー
ク上にオーバーライトする。

【００２８】このとき記録レーザパルスは、記録マーク
長より短い複数のパルスに分割される。分割パルスパタ
ーンの例を図３に示す。８―１６変調方式の３Ｔ（Ｔ：
チャンネル周期）と６Ｔマークを記録する場合、分割パ
ルスパターンは例えば図３に示すような波形とすること
が好ましい。３Ｔ信号の場合には、１つのパルスにする
場合もある。レーザパワーは、記録ピークパワーＰ１と
消去パワーＰ２の少なくとも２値で変調される。さらに
分割された記録パルス間のレーザパワーＰ３や最終パル
ス後の冷却パワーＰ４を追加して４値で変調されること
もある。

【００２９】レーザパワーＰ３は消去パワーの１／２よ
り小さく、ゼロでないレーザパワー（Ｐ３）とすると良
い。但し、フォーカスサーボやトラッキングサーボが掛
かることが必要なので、少なくともレーザパワーＰ3 は
再生パワーより（通常０．３〜１ｍＷ）大きいことが好
ましい。通常、レーザパワーＰ3 は０．２ｍＷ以上とさ
れる。

【００３０】このようにすることにより溶融後の記録マ
ークの再結晶化を防ぐことができ、記録パワーマージン
も広がる。分割したパルス間のレーザパワーＰ３が消去
パワーＰ２の１／２より大きくなるとこの効果は小さく
なる。分割法は、例えば８―１６変調方式の６Ｔマーク
を記録する場合、４〜６個のパルスに分割すると良い。
マークの先端部は温度が上がりにくいため、先頭の分割
パルスを他の分割パルスより２〜４倍長くすると良い場
合もある。

【００３１】図３において、分割パルスのパルス長Ｔ１
と分割パルス間の間隔Ｔ２は、Ｔ１＋Ｔ２＝Ｔとするの
が良い。また、Ｔ１はＴ２より短いほうがより効果的に
記録マークの再結晶化を防ぐことが出来る。すなわち、
Ｔ１≦Ｔ２とすると良い場合がある。但し、Ｔ１は０．
１Ｔより大きいことが必要である。０．１Ｔ以下では先
に記録された非晶質マークの消去が出来なくなる。

【００３２】次に、前述した構成の本発明の光記録媒体
の製造方法について述べる。反射層、記録層、誘電体層
などを基板上に形成する方法としては、公知の真空中で
の薄膜形成法、例えば真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビ
ーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法
（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）
などがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容
易であることから、スパッタリング法が好ましい。スパ
ッタ法では、例えば、記録材料と添加材料を各々のター
ゲットを同時にスパッタすることにより容易に混合状態
の記録層を形成することができる。成膜前の真空度は、
１×１０^-4Ｐａ以下にするのが好ましい。真空槽内で複
数の基板を同時に成膜するバッチ式や基板を１枚ずつ処
理する枚葉式成膜装置を使うことが好ましい。形成する
反射層、記録層、誘電体層などの厚さの制御は、スパッ
タ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜
厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで、容易
に行える。

【００３３】反射層、記録層、誘電体層などの形成は、
基板を固定したまま、あるいは移動、回転した状態のど
ちらでもよい。膜厚の面内の均一性に優れることから、
基板を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わ
せることが、より好ましい。必要に応じて基板の冷却を
行うと反り量を減少することができる。

【００３４】次に、実施例１のさらなる具体例につき、
［具体例１］〜［具体例３］について説明するが、本発
明はこの具体例に限定されるものではない。この具体例
では、波長６３５ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．
６０の光学レンズを搭載したパルステック社製光ディス
クドライブテスタ（ＤＤＵ１０００）を用いて記録（１
ビーム・オーバーライト）を行った。再生光パワーＰｒ
は１．０ｍＷで線速によらず一定とした。

【００３５】［具体例１］線速度６．０ｍ／ｓで８−１
６変調ランダムパターンによる評価を行なった。クロッ
ク周期Ｔは、３４．２ナノ秒（ｎｓ）である。再生信号
の振幅の中心でスライスし、クロック・トゥー・データ
・ジッタclock to data jitterを測定した。マークの検
出にはタイムインターバルアナライザー（横河電機社
製、ＴＡ３２０）を用いた。媒体は、直径１２０ｍｍ、
板厚０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂基板上に形成し
た。基板はＤＶＤ−ＲＡＭ規格に基づき物理フォーマッ
トがされている。トラックピッチが０．７４μｍ（グル
ーブピッチ１．４８μｍ）のランド・グルーブ方式で記
録を行った。溝深さは６５ｎｍでグルーブ幅とランド幅
の比は、およそ４６：５４であった。

【００３６】基板１を毎分６０回転で遊星回転させなが
ら、スパッタ法により、第１誘電体層２、記録層３、第
２誘電体層４、反射層５の順に真空成膜を行った。ま
ず、真空チャンバー内を６×１０^-5Ｐａまで排気した
後、１．６×１０^-1ＰａのＡｒガスを導入した。ＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを高周波マグネトロン
スパッタ法により基板１上に膜厚１００ｎｍの第１誘電
体層２を形成した。続いて、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂ、
Ｃｒからなる５元素単一ターゲット（直径２インチ、厚
さ３ｍｍ）を直流電源でスパッタして記録層３を形成し
た。組成Ｃｕ_0.15Ａｌ_0.12Ｔｅ_0.12Ｓｂ_0.52Ｃｒ_0.003
の膜厚２２ｎｍの記録層３を形成した。組成分析は同様
の記録層３を別に１００ｎｍの厚さでシリコン基板上に
形成し、これをＩＣＰ発光分析法により分析した。さら
に第１誘電体層２と同様の材質の第２誘電体層４を２０
ｎｍ形成し、この上にＡｌ，Ｃｒからなる２元素単一タ
ーゲットを直流スパッタ法にて、組成Ａｌ_0.97Ｃｒ_0.03
の厚さ１５０ｎｍの反射層５を形成した。

【００３７】この光ディスクＤを真空容器より取り出し
た後、反射層５上にアクリル系紫外線硬化樹脂（住友化
学製ＸＲ１１）をスピンコートし、紫外線照射により硬
化させて膜厚１０μｍの樹脂層である保護層６を形成
し、本発明の光記録媒体を得た。さらにスクリーン印刷
法を用いて遅効性紫外線硬化樹脂を保護膜６上に塗布
し、同様に形成した光ディスクＤを貼り合わせ加圧して
両面ディスクを作製した。

【００３８】こうして作製した光ディスクＤにレーザ光
やフラッシュランプ等を照射して、記録層３を結晶化温
度以上に加熱し初期化処理を行う。実用的には、特開平
７−２８２４７５号公報に記載されているような初期化
装置を用いる。スピンドルに光ディスクＤを装着した
後、大出力のレーザ光を照射して記録層３を加熱して高
反射率の状態に変化させる。光ディスクＤに照射される
レーザ光はトラック幅よりも大きなビーム径を有し、好
ましくは半径方向に長く、光ディスクＤを回転しながら
複数のトラックを同時に初期化する。具体的には初期化
レーザ光の波長は、８３０ｎｍ、照射ビームの形状は、
トラック方向が２μｍで半径方向が２０μｍの幅の広い
形をしている。光ディスクＤを線速度２ｍ／ｓで回転さ
せ、半径２２．０ｍｍから初期化を開始した。初期化レ
ーザ光は、パワー７６ｍＷで半径外周方向に５μｍ／回
転の速度で移動させ、半径５８．０ｍｍで初期化を終了
した。

【００３９】基板１側から相変化記録層３の案内溝であ
るグルーブ部に記録を行った。グルーブは、レーザ光の
入射方向からみて凸状になっている。記録の条件は、Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭの規格にあるストラテジを使い、ピークパ
ワー９．０ｍＷ，消去パワー３．５ｍＷ、クーリングパ
ワー１．０ｍＷである。再生信号のクロック・トゥー・
データ・ジッタと最長信号である１４Ｔの再生振幅Ｉ１
４を測定した。また、変調度は最長信号である１４Ｔの
再生信号振幅の最大値をＩ１４Ｈとすると、Ｉ１４／Ｉ
１４Ｈで表される。記録層３の物質が移動して膜厚が薄
くなったり、不純物の拡散混入によりＩ１４信号が減少
することが知られている。繰り返しダイレクト・オーバ
ー・ライトを行った時の結果を表１に示す。ジッタは、
記録マーク始端（ＬＥ）と終端（ＴＥ）の二乗平均であ
る。１０００回書き換えた後は、出力も一定値を示し、
記録層３の物質移動による出力の低下は認められない。
ジッタと出力ともに２０万回にわったって劣化が生じな
かった。さらに、イニシャルにおいて高い変調度が得ら
れ、繰り返しダイレクト・オーバー・ライト後も変調度
の減少は極めて少なく、高い値が持続されている。本発
明の光記録媒体が、良好な繰返記録耐久性と高い変調度
を有していることが明らかになった。

【００４０】

【表１】

【００４１】［具体例２］記録層３の組成をＣｕ_0.10Ａ
ｌ_0.07Ｔｅ_0.22Ｓｂ_0.61Ｃｒ_0.002とし、膜厚構成を第
１誘電体層２を１１０ｎｍ、第２誘電体層４を２０ｎ
ｍ、反射層５を１５０ｎｍにして、記録層３の膜厚を変
化させた以外は、前記した［具体例１］と同様にしてダ
イレクト・オーバーライト性能を調べた。線速度６ｍ／
ｓでは記録層３の膜厚ｄが２４〜２７の範囲でダイレク
ト・オーバーライト可能であり、変調度は０．７３。線
速度３．５ｍ／ｓ、クロック周波数を１４．６ＭＨｚに
下げたところ、記録層３の膜厚Ｘが１５〜３０ｎｍの範
囲でダイレクト・オーバーライト可能であった。

【００４２】［具体例３］記録層３の組成をＣｕ_0.05Ａ
ｌ_0.05Ｔｅ_0.30Ｓｂ_0.60Ｃｒ_0.002とし、膜厚構成を第
１誘電体層２を２００ｎｍ、記録層３を２２ｎｍ、第２
誘電体層４を１０ｎｍ、反射層５を３００ｎｍにした以
外は、前記した［具体例１］と同様にしてダイレクト・
オーバーライト性能を調べた。使用した基板１は、板厚
０．６ｍｍ、溝深さは３０ｎｍ、ランド・グルーブ幅の
比は５５／４５、連続溝でトラックピッチは、０．７４
μｍである。初期化は、２段階で行った。すなわち、初
期化装置を用い、パワー７６ｍＷで半径外周方向に５μ
ｍ／回転の速度で移動させ、第一段階の初期化を終了し
た後、評価機を使いグルーブ部分に１４ｍＷの連続光を
１回照射することによって行った。線速度３．５ｍ／ｓ
から６ｍ／ｓの範囲でダイレクト・オーバーライト可能
であった。次に、図３に示す記録ストラテジでＴｆ＝
０．５Ｔ、Ｔ１＝０．３Ｔ、Ｔ２＝０．７Ｔ、Ｔｃ＝
０．６Ｔに変更して評価を行った。線速度３．５ｍ／ｓ
でＰ１＝１３．５ｍＷ、Ｐ２＝７ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍ
Ｗ、Ｐ４＝０．５ｍＷで８−１６変調ランダムパターン
を記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロッ
ク・トゥー・データ・ジッタclock todata jitter及び
変調度を測定した。１００回オーバーライト後のマーク
始端ジッタ（ＬＥ）は、１０．７％、マーク終端ジッタ
（ＴＥ）は、１０．４％であった。２００回オーバーラ
イト後のマーク始端ジッタ（ＬＥ）は、１１．０％、マ
ーク終端ジッタ（ＴＥ）は、１０．４％、１万回オーバ
ーライト後のマーク始端ジッタ（ＬＥ）は、１１．７
％、マーク終端ジッタ（ＴＥ）は、１１．４％であっ
た。良好な繰り返し性能を示した。また、変調度はイニ
シャル記録から１万回オーバーライト後まで０．７２〜
０．７３の高い値で維持された。

【００４３】上述した構成によって、本発明の光記録媒
体の実施例１は、以下の効果が得られた。（１）高感度
で変調度が高く、かつジッタが低い。（２）多数回の記
録消去を繰り返しても、動作が安定しており、特性の劣
化、欠陥の発生がほとんどない。（３）スパッタ法によ
り容易に作製できる。（４）ＤＶＤ−ＲＡＭ以上の高密
度記録ができる。

【００４４】［実施例２］本発明の光情報記録媒体の実
施例２の構成は、上述した実施例１の構成における基板
の一方の面に膜厚が１〜２０ｎｍのＡｇ合金層を形成し
たものに等しい光学的情報記録媒体である。このＡｇ合
金層以外の構成は実施例１と同様であるので，同一構成
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。

【００４５】即ち、本発明の光記録媒体の実施例２の代
表的な層構成は、（ア）透明基板／Ａｇ合金層／第１誘
電体層／記録層／第２誘電体層の積層体あるいは、
（イ）透明基板／Ａｇ合金層／第１誘電体層／記録層／
第２誘電体層／反射層の積層体からなる（ここでレーサ
光は基板下面側から入射する）図２参照。図２は本発明
の光記録媒体の実施例２の断面構造を説明するための図
である。本発明の光記録媒体の具体的な実施例である光
ディスクＤは、図２に示すように、基板１上に、Ａｇ合
金層７、第１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、
反射層５、保護層６が順次積層されてなるものである。

【００４６】このＡｇ合金層７の具体的な組成として
は、Ａｇを９０原子％以上とし、残りの組成をＣｒ，Ａ
ｕ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１種の元
素を合計で１０原子％以下１原子％以上としたものが望
ましい。Ａｇ合金膜は光学的な相互作用によって、記録
部分（非晶質）と未記録部分（結晶質）の反射率差を実
効的に大きくするエンハンス効果を有し、変調度の向上
に大きく寄与する。また、最適な光学設計を施せば、記
録部分（非晶質）と未記録部分（結晶質）の反射光の位
相関係を逆にすることによって、初期の反射率を高めら
れ変調度の向上に大きく寄与することが可能となる。

【００４７】実施例２の反射層（反射層４）の材質とし
ては、上述した実施例１の合金の例として、ＡｌにＳ
ｉ、Ｍｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎ
ｂ、Ｍｎ，Ｐｄ，Ｚｒなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたもの、あるいは、ＡｇにＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１種の元素を合計で
７原子％以下１原子％以上加えたものなどがある。とり
わけ、耐腐食性が良好でかつ繰り返し性能がのびること
から、反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原
子％未満含む、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ
−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする
合金、あるいは、添加元素を合計で３原子％以上６原子
％未満含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金で構成することが好ま
しい。また、反射層の厚さとしては、おおむね１０ｎｍ
以上４００ｎｍ以下である。

【００４８】次に、実施例２のさらなる具体例につき、
［具体例１］〜［具体例３］について説明するが、本発
明はこの具体例に限定されるものではない。この具体例
では、波長６３５ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．
６０の光学レンズを搭載したパルステック社製光ディス
クドライブテスタ（ＤＤＵ１０００）を用いて記録（１
ビーム・オーバーライト）を行った。再生光パワーＰｒ
は１．０ｍＷで線速によらず一定とした。

【００４９】［具体例１］上述した実施例１の［具体例
１］と同様に基板１を毎分６０回転で遊星回転させなが
ら、スパッタ法により、Ａｇ合金層７、第１誘電体層
２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５の順に真空成
膜を行った。まず、真空チャンバー内を６×１０^-5Ｐａ
まで排気した後、１．６×１０^-1ＰａのＡｒガスを導入
した。Ａｇ_0. ₉₅（ＰｄＣｕ）_0.05の合金ターゲット（直
径２インチ、厚さ３ｍｍ）で基板１上に膜厚１０ｎｍを
直流電源でスパッタしてＡｇ合金層７を形成した。続い
てＳｉＯ₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを高周波マグ
ネトロンスパッタ法により基板１上に膜厚１００ｎｍの
第１誘電体層２を形成した。続いて、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ、Ｃｒからなる５元素単一ターゲット（直径２
インチ、厚さ３ｍｍ）を用いて直流電源でスパッタして
記録層３を形成した。組成Ｃｕ_0.15Ａｌ_0.12Ｔｅ_0. ₂₁Ｓ
ｂ_0.52Ｃｒ_0.003の膜厚１８ｎｍの記録層３を形成し
た。組成分析は同様の記録層３を別に１００ｎｍの厚さ
でシリコン基板上に形成し、これをＩＣＰ発光分析法に
より分析した。さらに第１誘電体層２と同様の材質の第
２誘電体層４を２０ｎｍ形成し、この上にＡｌ，Ｃｒか
らなる２元素単一ターゲットを直流スパッタ法にて、組
成Ａｌ_0.97Ｃｒ_0.03の厚さ１５０ｎｍの反射層５を形成
した。この光ディスクＤを真空容器より取り出した後、
この反射層５上にアクリル系紫外線硬化樹脂（住友化学
製ＸＲ１１）をスピンコートし、紫外線照射により硬化
させて膜厚１０μｍの樹脂層である保護層６を形成し本
発明の光記録媒体を得た。

【００５０】さらに、スクリーン印刷法を用いて遅効性
紫外線硬化樹脂を保護層３上に塗布し、同様に形成した
光ディスクＤを貼り合わせ加圧して両面ディスクを作製
した。こうして作製した光ディスクＤにレーザ光やフラ
ッシュランプ等を照射して、記録層３を結晶化温度以上
に加熱し初期化処理を行う。実用的には、特開平７−２
８２４７５号公報に記載されているような初期化装置を
用いる。スピンドルに光ディスクＤを装着した後、大出
力のレーザ光を照射して記録層３を加熱して高反射率の
状態に変化させる。光ディスクＤに照射されるレーザ光
はトラック幅よりも大きなビーム径を有し、好ましくは
半径方向に長く、光ディスクＤを回転しながら複数のト
ラックを同時に初期化する。具体的には初期化レーザの
波長は、８３０ｎｍ、照射ビームの形状は、トラック方
向が２μｍで半径方向が２０μｍの幅の広い形をしてい
る。光ディスクＤを線速度２ｍ／ｓで回転させ、半径２
２．０ｍｍから初期化を開始した。初期化レーザ光は、
パワー７６ｍＷで半径外周方向に５μｍ／回転の速度で
移動させ、半径５８．０ｍｍで初期化を終了した。

【００５１】基板１側から相変化記録層３の案内溝であ
るグルーブ部に記録を行った。グルーブは、レーザ光の
入射方向からみて凸状になっている。記録の条件は、Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭの規格にあるストラテジを使い、ピークパ
ワー９．０ｍＷ，消去パワー３．５ｍＷ、クーリングパ
ワー１．０ｍＷである。再生信号のクロック・トゥー・
データ・ジッタと最長信号である１４Ｔの再生振幅Ｉ１
４を測定した。また、変調度は最長信号である１４Ｔの
再生信号振幅の最大値をＩ１４Ｈとすると、Ｉ１４／Ｉ
１４Ｈで表される。記録層３の物質が移動して膜厚が薄
くなったり、不純物の拡散混入によりＩ１４信号が減少
することが知られている。繰り返しダイレクト・オーバ
ー・ライトを行った時の結果を表２に示す。

【００５２】

【表２】

【００５３】ジッタは、記録マーク始端（ＬＥ）と終端
（ＴＥ）の二乗平均である。初期化が適切でなっかたた
め、イニシャルのジッタが測定できなかったが、１００
０回書き換えた後は、出力も一定値を示し、記録層３の
物質移動による出力の低下は認められない。ジッタと出
力ともに２０万回にわったって劣化がなかった。さら
に、イニシャルにおいて高い変調度が得られ、繰り返し
ダイレクト・オーバー・ライト後も変調度の減少は極め
て少なく、高い値が持続されている。本発明の光記録媒
体が、良好な繰返記録耐久性と高い変調度を有している
ことが明らかになった。

【００５４】［具体例２］記録層３の組成をＣｕ_0.10Ａ
ｌ_0.07Ｔｅ_0.22Ｓｂ_0.61Ｃｒ_0.002とし、膜厚構成をＡ
ｇ合金層７を８ｎｍ、第１誘電体層２を１１０ｎｍ、第
２誘電体層４を２０ｎｍ、反射層５を１５０ｎｍにし
て、記録層３の膜厚を変化させた以外は、前記した［具
体例１］と同様にしてダイレクト・オーバーライト性能
を調べた。線速度６ｍ／ｓでは記録層の膜厚ｄが２４〜
２７の範囲でダイレクト・オーバーライト可能であっ
た。線速度３．５ｍ／ｓ、クロック周波数を１４．６Ｍ
Ｈｚに下げたところ、記録層３の膜厚Ｘが１５〜３０ｎ
ｍの範囲でダイレク・オーバーライト可能であった。

【００５５】［具体例３］記録層３の組成をＣｕ_0.05Ａ
ｌ_0.05Ｔｅ_0.30Ｓｂ_0.60Ｃｒ_0.002とし、膜厚構成をＡ
ｇ合金層７を９ｎｍ、第１誘電体層２を２００ｎｍ、記
録層３を２２ｎｍ、第２誘電体層４を１０ｎｍ、反射層
５を３００ｎｍにした以外は、前記した［具体例１］と
同様にしてダイレクト・オーバーライト性能を調べた。
使用した基板１は、板厚０．６ｍｍ、溝深さは３０ｎ
ｍ、ランド・グルーブ幅の比は５５／４５、連続溝でト
ラックピッチは、０．７４μｍである。初期化は、２段
階で行った。すなわち、初期化装置を用い、パワー７６
ｍＷで半径外周方向に５μｍ／回転の速度で移動させ、
第一段階の初期化を終了した後、評価機を使いグルーブ
部分に１４ｍＷの連続光を１回照射することによって行
った。線速度３．５ｍ／ｓから６ｍ／ｓの範囲でダイレ
クト・オーバーライト可能であった。次に、図３に示し
た記録ストラテジでＴｆ＝０．５Ｔ、Ｔ１＝０．３Ｔ、
Ｔ２＝０．７Ｔ、Ｔｃ＝０．６Ｔに変更して評価を行っ
た。線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１３．５ｍＷ、Ｐ２＝
７ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで８−１
６変調ランダムパターンを記録し、再生信号の振幅の中
心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタcl
ock to data jitter及び変調度を測定した。１００回オ
ーバーライト後のマーク始端ジッタ（ＬＥ）は、１０．
７％、マーク終端ジッタ（ＴＥ）は、１０．４％であっ
た。２００回オーバーライト後のマーク始端ジッタ（Ｌ
Ｅ）は、１１．０％、マーク終端ジッタ（ＴＥ）は、１
０．４％、１万回オーバーライト後のマーク始端ジッタ
（ＬＥ）は、１１．７％、マーク終端ジッタ（ＴＥ）
は、１１．４％であった。良好な繰り返し性能を示し
た。また、変調度はイニシャル記録から１万回オーバー
ライト後まで０．７２〜０．７３の高い値で維持され
た。クロスイレーズも認められなかった。

【００５６】上述した構成によって、本発明の光記録媒
体の実施例２の効果は、前述した実施例１の効果に加え
て、Ａｇ合金層を有したから、光学的な相互作用によっ
て、記録部分（非晶質）と未記録部分（結晶質）の反射
率差を実効的に大きくするエンハンス効果を有し、変調
度の向上に大きく寄与するため、再生時のジッタをさら
に大きく低減する効果があることである。

【００５７】

【発明の効果】上述した構成を有する本発明の光記録媒
体は、多数回の記録消去を繰り返しても、記録消去動作
が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどな
い良好な繰り返し記録特性が得られる。具体的には、次
の効果を有している。（１）高感度で変調度が高く、か
つジッタが低い。とくに、Ａｇ合金層を有する場合に
は、光学的な相互作用によって、記録部分（非晶質）と
未記録部分（結晶質）の反射率差を実効的に大きくする
エンハンス効果を有し、変調度の向上に大きく寄与する
ため、再生時のジッタをさらに大きく低減する効果があ
る。（２）多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安
定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。
（３）スパッタ法により容易に作製できる。（４）ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ以上の高密度記録ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の実施例１の断面構造を説
明するための図である。

【図２】記録レーザパルスの分割パルスパターンを説明
するための図である。

【図３】本発明の光記録媒体の実施例２の断面構造を説
明するための図である。

【符号の説明】

１基板２第１誘電体層３記録層４第２誘電体層５反射層６保護層７Ａｇ合金層Ｄ光ディスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大石健司神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内 (72)発明者黒田順治神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番地日本ビクター株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA32 EA36 FA01 FA12 FA21 FA31 FB06 FB07 FB09 FB12 FB16 FB17 FB18 FB19 FB21 FB23 FB30 4G062 AA18 BB01 MM27 5D029 JA01 JB35 JC18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、反射層を順次積層してなり、光の照射により前
記記録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録及
び消去が行われる光学的情報記録媒体であって、前記記録層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂと、Ｍ（ＭはＡ
ｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐｔ，
Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｃ
ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒからなる
群から選択された少なくとも一つの元素）とを含有する
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】基板上に、Ａｇ合金層、第１誘電体層、記
録層、第２誘電体層、反射層を順次積層してなり、光の
照射により前記記録層を構成する原子の配列が変化して
情報の記録及び消去が行われる光学的情報記録媒体であ
って、前記記録層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂと、Ｍ（ＭはＡ
ｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｐｔ，
Ｓｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｃ
ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｒからなる
群から選択された少なくとも一つの元素）とを含有する
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項３】前記記録層の組成は、（Ｃｕ_wＡｌ_xＴｅ_y
Ｓｂ_z）_1-aＭａ但し，０．０１≦ｗ≦０．１５０．０１≦ｘ≦０．１００．２０≦ｙ≦０．３５０．４０≦ｚ≦０．６５０．００１≦ａ≦０．０５ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１（ａ：Ｍの原子比、ｗ：Ｃｕの原子比、ｘ：Ａｌの原子
比、ｙ：Ｔｅの原子比、ｚ：Ｓｂの原子比）の組成式を
満たすものであることを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】前記記録層の組成は、３／７≦（ｙ＋ｚ）／（ｗ＋ｘ）≦１９１．５≦ｚ／ｙ≦２．５（但し、ｗ：Ｃｕの原子比、ｘ：Ａｌの原子比、ｙ：Ｔ
ｅの原子比、ｚ：Ｓｂの原子比）の組成式を満たすもの
であることを特徴とする請求項１又は請求項３記載記載
の光学的情報記録媒体。
【請求項５】前記Ａｇ合金層の膜厚は、１〜２０ｎｍで
あることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の光学
的情報記録媒体。
【請求項６】前記基板は、板厚０．６ｍｍ、グルーブピ
ッチ０．７４〜１．４８μｍの空溝を有する透光性基板
であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずか
に記載の光学的情報記録媒体。