WO2010106946A1 - 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体の製造方法、光記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
WO2010106946A1
WO2010106946A1 PCT/JP2010/053957 JP2010053957W WO2010106946A1 WO 2010106946 A1 WO2010106946 A1 WO 2010106946A1 JP 2010053957 W JP2010053957 W JP 2010053957W WO 2010106946 A1 WO2010106946 A1 WO 2010106946A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
recording layer
oxygen
recording
recording medium
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/053957
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
剛 三木
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to US12/993,103 priority Critical patent/US20110064903A1/en
Priority to CN2010800015539A priority patent/CN102027541A/zh
Priority to BRPI1001271A priority patent/BRPI1001271A2/pt
Priority to EP10753438A priority patent/EP2410526A1/en
Publication of WO2010106946A1 publication Critical patent/WO2010106946A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic System, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2437—Non-metallic elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/2432—Oxygen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

　光記録媒体の製造コストを低減することを可能にする、光記録媒体の製造方法を提供する。基板１上に形成された記録層２と、記録層２上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を製造する際に、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層２を形成する工程を含む。

Description

光記録媒体の製造方法、光記録媒体
　本発明は、光記録媒体の製造方法、並びに、この製造方法によって製造される光記録媒体に係わり、追記型の光記録媒体に用いて好適なものである。
　従来の赤色レーザを使用した追記型光ディスクにおいては、記録層に有機色素を使用していた。
　しかし、青色レーザを使用した追記型光ディスクにおいては、青色レーザを照射できる適切な有機色素がないため、無機材料を使用することが検討されている。
　無機材料を使用する場合には、充分な反射率を得るためや、レーザ照射による熱を放射させる目的で、記録層を多層膜により形成することが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００７－１５７３１４号公報
　しかしながら、多層膜により記録層を形成すると、多層膜の成膜に時間を要すると共に、数個の成膜室を備えた高価な成膜装置を必要とする。
　そのため、光ディスクの製造コストが増大してしまう。
　上述した問題の解決のために、本発明においては、光記録媒体の製造コストを低減することを可能にする光記録媒体の製造方法、並びに、この製造方法によって製造される光記録媒体を提供するものである。
　本発明の第１の光記録媒体の製造方法は、基板上に形成された記録層と、記録層上に形成された光透過層とを含む光記録媒体を製造する方法である。そして、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層を形成する工程を含む。
　上述の本発明の第１の光記録媒体の製造方法によれば、スパッタ法により記録層を形成する工程において、酸素ガスに加えて窒素ガスをも流すことにより、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層における、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することができる。これにより、記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。特に、記録層の透過率を高く、かつ反射率を低くすることが可能になる。
　本発明の第２の光記録媒体の製造方法は、基板上に形成された２層以上の記録層と、各記録層の間に形成された中間層と、２層以上の記録層上に形成された光透過層とを含む光記録媒体を製造する方法である。そして、２層以上の記録層のうち、少なくとも最も光透過層側の記録層を形成する際に、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、記録層を形成する。このようにして、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層を形成する。
　上述の本発明の第２の光記録媒体の製造方法によれば、２層以上の記録層のうち、少なくとも最も光透過層側の記録層を形成する際に、酸素ガスに加えて窒素ガスをも流すことにより、この記録層における、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することができる。これにより、この記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になり、特に、透過率を高く、かつ反射率を低くすることが好ましい、最も光透過層側の記録層において、透過率を高く、かつ反射率を低く制御することが可能になる。
　本発明の一実施の形態に係る光記録媒体は、基板と、この基板上に形成され、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含み、酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている記録層と、この記録層上に形成された光透過層とを含む。
　上述の本発明の一実施の形態に係る光記録媒体の構成によれば、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層の、酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。これにより、少なくとも一部のＰｄ原子には酸素原子が結合していることになり、酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になり、記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　また、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層は、１層のみで記録層を構成することが可能であり、無機材料の多層膜を記録層に採用した場合と比較して、記録層を構成する層の数を低減することができる。
　本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば、記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。特に、記録層の透過率を高く、かつ反射率を低くすることが可能になる。
　また、本発明に係る光記録媒体によれば、酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になり、記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　従って、本発明により、記録層の透過率及び反射率を最適化して、良好な記録特性を有する光記録媒体を実現することができる。
　そして、本発明では、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層を形成するので、１層のみで記録層を構成することが可能であることから、記録層を構成する層の数を低減して、光記録媒体の製造コストを低減することができる。
本発明の光記録媒体の第１の実施の形態の概略構成図（断面図）である。 本発明の光記録媒体の第２の実施の形態の概略構成図（断面図）である。 本発明の光記録媒体の第２の実施の形態の変形例の概略構成図（断面図）である。 酸素の流量による、記録層の反射率Ｒ及び透過率Ｔの変化を示す図である。 窒素の流量による、記録層の反射率Ｒ及び透過率Ｔの変化を示す図である。
　以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
　なお、説明は以下の順序で行う。
１．本発明の概要
２．第１の実施の形態
３．第２の実施の形態
４．変形例
５．実験例
＜１．本発明の概要＞
　本発明の光記録媒体の製造方法は、基板上に形成された記録層と、記録層上に形成された光透過層とを含む光記録媒体を製造するときの、記録層を形成する工程に特徴を有している。そして、この記録層を形成する工程において、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層を形成する。
　また、他の本発明の光記録媒体の製造方法は、基板上に形成された２層以上の記録層と、各記録層の間に形成された中間層と、２層以上の記録層上に形成された光透過層とを含む光記録媒体を製造する方法である。そして、２層以上の記録層のうち、少なくとも最も光透過層側の記録層を形成する際の形成方法に特徴を有している。
　少なくとも最も光透過層側の記録層を形成する際に、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により記録層を形成する。このようにして、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層を形成する。
　本発明の光記録媒体は、前述した製造方法により製造される光記録媒体であり、基板と、基板上に形成された記録層と、記録層上に形成された光透過層とを含む。記録層では、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含み、酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。
　本発明の光記録媒体において、基板の材料としては、例えば、光ディスク等の光記録媒体に通常使用されている基板材料を使用することができる。具体的には、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。
　本発明の光記録媒体において、光透過層は、いわゆるカバー層と呼ばれる層である。
　情報の記録や情報の読み出しの際には、この光透過層（カバー層）の側から記録層へレーザ光を照射する。
　光透過層の材料としては、例えば、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を紫外線照射により硬化させたものを使用することができる。
　光透過層は、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を塗布した後に、紫外線を照射してＵＶレジンを硬化させることにより、形成することができる。
　本発明の光記録媒体において、記録層は、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む。　即ち、記録層の構成としては、（１）ＩｎとＰｄと酸素とを含む構成、（２）ＳｎとＰｄと酸素とを含む構成、（３）ＩｎとＳｎとＰｄと酸素とを含む構成、の３種類が考えられる。　Ｉｎ及び／又はＳｎ、Ｐｄ、酸素の各成分の含有率は、特に限定されず、任意の含有率とすることが可能である。
　記録層の各成分の含有率は、記録層の形成方法の原料や条件を変えることにより、制御することが可能である。スパッタ法によって記録層を形成する場合には、使用するターゲットの組成、各ターゲットに加える電力量、形成時に流すガスの種類と流量等の条件を変えることによって、制御することが可能である。
　本発明の光記録媒体の記録層は、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含むので、レーザ光等を照射することにより、照射された部分の反射率を変化させることができる。これにより、反射率が変化して周囲とは反射率が異なる部分を、記録マークとして形成することができるので、記録層に情報を記録することができる。
　また、本発明の光記録媒体の記録層は、酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。これにより、記録層中に含有されているＰｄ原子のうち、少なくとも一部のＰｄ原子には酸素原子が結合していることになる。そして、酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になるため、Ｐｄと酸素との結合状態を制御して記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　このとき、記録層中のＰｄ原子には、Ｐｄ原子単独で存在して酸素原子と結合していないもの（Ｐｄ）と、１つの酸素原子と結合しているもの（ＰｄＯ）と、２つの酸素原子と結合しているもの（ＰｄＯ２）の３つの状態がある。そして、酸素の含有量により、これらのうち、１つ～３つの状態が存在している。
　酸素原子と結合していない状態のＰｄ原子の比率が高いと、金属的な特性が強くなるため、記録層の透過率が低くなり、記録層の反射率が高くなる。一方、酸素原子と結合している状態のＰｄ原子の比率が高いと、酸化物的な特性が強くなるため、記録層の透過率が高くなり、記録層の反射率が低くなる。
　Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層をスパッタ法により形成する際に、酸素ガスを流すと、酸素ガスの流量によって、形成される記録層中の酸素の含有量を制御することができる。これにより、記録層中のＰｄと酸素との結合状態を制御することができる。
　しかしながら、酸素ガスのみ、もしくは酸素ガスとＡｒガスのみの場合、記録層中のＰｄと酸素との結合状態を制御することにより、記録層の透過率を高くすることはできるが、記録層の反射率をある程度（例えば１０％）よりも低くすることは難しい。
　これに対して、本発明の製造方法のように、酸素ガスに加えて窒素ガスを流すことにより、記録層中のＰｄと酸素との結合状態を制御して、記録層の透過率を高くするだけでなく、記録層の反射率をある程度（例えば１０％）よりも低くすることが可能になる。酸素ガスに加えて窒素ガスを流した場合には、２つの酸素原子と結合している状態（ＰｄＯ２）よりも、１つの酸素原子と結合している状態（ＰｄＯ）のＰｄ原子が増える傾向が見られる。
　また、酸素ガス及び窒素ガスの流量は、任意の量とすることが可能であるが、より好ましくは、酸素ガスの流量を１０ｓｃｃｍ～１００ｓｃｃｍの範囲内とし、窒素ガスの流量を２ｓｃｃｍ～５０ｓｃｃｍの範囲内とする。
　光記録媒体の大容量化を考えた場合に、記録層を２層（Ｄｕａｌ）にすれば、当然容量は２倍になる。現在の光ディスクでは、１層構造の場合の記録容量が２５ＧＢであり、２層構造の場合の記録容量が５０ＧＢである。
　記録層が２層以上である多層の光記録媒体を実現するためには、最も光の入射側、即ち、最も光透過層側にある記録層の反射率及び透過率を制御することが、非常に重要である。この記録層の反射率及び透過率を制御することにより、基板側の他の記録層に良好な記録を行うことが可能になる。
　そして、記録層を２層以上とする場合には、基板とＩｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層との間に形成された、１層以上の他の記録層と、それぞれの記録層の間に形成された中間層とをさらに含んで光記録媒体を構成する。
　他の本発明の光記録媒体の製造方法においては、２層以上の記録層のうち、少なくとも最も光透過層側の記録層を形成する際に、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層を形成する。
　これにより、この記録層の透過率及び反射率を、所望の値に制御することが可能になる。特に、この最も光透過層側の記録層は、透過率を高く、かつ反射率を低くすることが好ましく、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら記録層を形成することにより、透過率を高く、かつ反射率を低く制御することが可能になる。
　なお、２層以上の記録層のうち、最も光透過層側の記録層以外の、１層以上の他の記録層の構成及び形成方法については、特に限定されない。
　他の記録層を、最も光透過層側の同様にＩｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層としても、全く異なる材料や記録方式の記録層としても、いずれでも構わない。
　他の記録層を、最も光透過層側の記録層と同様に、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層とした場合には、追記型記録の記録容量を増大させることができる。
　また、他の記録層を、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層とする場合に、酸素ガスを流すが窒素ガスは流さないで形成しても、酸素ガス及び窒素ガスを流して形成しても、いずれでも構わない。さらに、酸素ガス及び窒素ガスを流す場合に、最も光透過層側の記録層と他の記録層とで、各ガスの流量を変えることにより、透過率及び反射率を各記録層で変えることも可能である。
　本発明における、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層は、特に、一回だけ記録する、追記型の記録を行う記録層に用いて好適である。
　また、このＩｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層は、１層のみで記録層を構成することが可能であり、無機材料の多層膜を記録層に採用した場合と比較して、記録層を構成する層の数を低減することができる。これにより、光記録媒体の材料コスト及び製造コストを低減して、安価に光記録媒体を構成することができる。
　本発明の光記録媒体は、通常光記録媒体として採用されているディスク形状とすることができるが、カード形状等、その他の形状とすることも可能である。
＜２．第１の実施の形態＞
　本発明の光記録媒体の第１の実施の形態の概略構成図（断面図）を、図１に示す。
　この光記録媒体１０は、基板１上に情報の記録を行うための記録層２が形成され、記録層２上に光透過層３が形成されて成る。
　光記録媒体１０は、従来の光ディスクと同様の、ディスク形状とすることができる。また、光記録媒体１０に、カード形状等、その他の形状を採用することも可能である。
　基板１の材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂を使用することができる。
　光透過層（いわゆるカバー層）３の材料としては、例えば、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を紫外線照射により硬化させたものを使用することができる。
　本実施の形態の光記録媒体１０においては、特に、記録層２が、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含み、酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。
　記録層２の構成は、前述した、（１）ＩｎとＰｄと酸素とを含む構成、（２）ＳｎとＰｄと酸素とを含む構成、（３）ＩｎとＳｎとＰｄと酸素とを含む構成、の３種類の構成のうちのいずれかである。
　このような記録層２は、例えば、スパッタ法により、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガス及び窒素ガスを流すことにより、形成することができる。
また、記録層２の酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっているので、記録層２中に含有されているＰｄ原子のうち、少なくとも一部のＰｄ原子には酸素原子が結合していることになる。
　この酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になるため、Ｐｄと酸素との結合状態を制御して記録層２の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　本実施の形態の光記録媒体１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
　まず、例えば、ポリカーボネート樹脂から成る基板１を用意する。光記録媒体１０を例えばディスク形状とする場合には、トラッキング用の溝を表面に形成した基板１を作製する。
　次に、基板１上に、スパッタ法により、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガス及び窒素ガスを流しながら、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層２を形成する。
　次に、記録層２の上に、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を塗布する。その後、紫外線を照射してＵＶレジンを硬化させることにより、光透過層３を形成することができる。
　このようにして、図１に示す光記録媒体１０を製造することができる。
　本実施の形態の光記録媒体１０によれば、記録層２の酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。これにより、記録層２中に含有されているＰｄ原子のうち、少なくとも一部のＰｄ原子には酸素原子が結合していることになる。そして、酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になるため、Ｐｄと酸素との結合状態を制御して、記録層２の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　また、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層２は、１層のみで記録層２を構成することが可能であり、無機材料の多層膜を記録層に採用した場合と比較して、記録層２を構成する層の数を低減することができる。これにより、光記録媒体１０の材料コスト及び製造コストを低減して、安価に光記録媒体１０を構成することができる。
　本実施の形態の光記録媒体１０の前述した製造方法によれば、スパッタ法により、酸素ガス及び窒素ガスを流しながら、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層２を形成している。
　このように、酸素ガスに加えて窒素ガスをも流すことにより、記録層２における、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することができる。これにより、記録層２の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。特に、記録層２の透過率を高く、かつ反射率を低くすることが可能になる。
　従って、本実施の形態により、記録層２の透過率及び反射率を最適化して、良好な記録特性を有する光記録媒体１０を実現することができる。
　上述の実施の形態の光記録媒体１０は、基板１と記録層２と光透過層３によって構成されていたが、本発明においては、光記録媒体のコストがあまり増大しない範囲であれば、その他の層を有していても構わない。
＜３．第２の実施の形態＞
　本発明の光記録媒体の第２の実施の形態の概略構成図（断面図）を、図２に示す。
　この光記録媒体２０は、基板１と光透過層３との間に、２層の記録層２，５が形成されて成る。２層の記録層２，５の間には、中間層４が形成されている。
　その他の構成は、図１に示した第１の実施の形態の光記録媒体１０と同様である。
　２層の記録層のうち、最も光の入射側、即ち、最も光透過層３側にある上層の記録層５がＬ１層となり、下層の記録層２がＬ０層となる。
　基板１及び光透過層３の材料は、第１の実施の形態の光記録媒体１０と同様の材料を使用することができる。
　中間層４の材料としては、記録層２，５へ記録を行うレーザ光の透過率が高い材料を使用する。例えば、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を紫外線照射により硬化させたものを使用することができる。
　本実施の形態の光記録媒体２０においては、特に、最も光透過層３側の記録層（Ｌ１層）５が、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含み、酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。
　これにより、記録層（Ｌ１層）５の構成は、前述した、（１）ＩｎとＰｄと酸素とを含む構成、（２）ＳｎとＰｄと酸素とを含む構成、（３）ＩｎとＳｎとＰｄと酸素とを含む構成、の３種類の構成のうちのいずれかである。
　記録層（Ｌ１層）５は、例えば、スパッタ法により、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガス及び窒素ガスを流すことにより、形成することができる。
　また、記録層（Ｌ１層）５の酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になるため、Ｐｄと酸素との結合状態を制御して記録層（Ｌ１層）５の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　なお、下層の記録層（Ｌ０層）２の構成は、特に限定されない。
　上層の記録層（Ｌ１層）５と同様に、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層としても、全く異なる材料や記録方式の記録層としても、いずれでも構わない。
　下層の記録層（Ｌ０層）２を、上層の記録層（Ｌ１層）５と同様に、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層とした場合には、追記型記録の記録容量を２倍に増やすことができる。
　下層の記録層（Ｌ０層）２を、上層の記録層（Ｌ１層）５とは全く異なる記録方式の記録層（例えば、再生専用の記録層や書き換え可能な記録層）とした場合には、２層の記録層２，５で異なる機能を実現することができる。
　本実施の形態の光記録媒体２０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
　まず、例えば、ポリカーボネート樹脂から成る基板１を用意する。光記録媒体１０を例えばディスク形状とする場合には、トラッキング用の溝を表面に形成した基板１を作製する。
　次に、基板１上に、スパッタ法により、下層の記録層（Ｌ０層）２を形成する。
　次に、記録層（Ｌ０層）２の上に、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を塗布する。その後、紫外線を照射してＵＶレジンを硬化させることにより、中間層４を形成することができる。
　次に、中間層４の上に、スパッタ法により、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガス及び窒素ガスを流しながら、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む上層の記録層（Ｌ１層）５を形成する。
　次に、記録層（Ｌ１層）５の上に、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）を塗布する。その後、紫外線を照射してＵＶレジンを硬化させることにより、光透過層３を形成することができる。
　このようにして、図２に示す光記録媒体２０を製造することができる。
　ここで、下層の記録層（Ｌ０層）２を、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層とする場合には、酸素ガスを流すが窒素ガスは流さないで形成しても、酸素ガス及び窒素ガスを流して形成しても、いずれでも構わない。
　さらに、酸素ガス及び窒素ガスを流してＬ０層２を形成する場合において、Ｌ０層２とＬ１層５とで、各ガスの流量を変えることにより、透過率及び反射率を各記録層２，５で変えることも可能である。
　上述の本実施の形態の光記録媒体２０によれば、記録層（Ｌ１層）５の酸素の含有量がＩｎ及び／又はＳｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている。これにより、記録層（Ｌ１層）５中に含有されているＰｄ原子のうち、少なくとも一部のＰｄ原子には酸素原子が結合していることになる。そして、酸素の含有量等により、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することが可能になるため、Ｐｄと酸素との結合状態を制御して、記録層（Ｌ１層）５の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
　また、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層（Ｌ１層）５は、１層のみで記録層５を構成することが可能であり、無機材料の多層膜を記録層に採用した場合と比較して、記録層５を構成する層の数を低減することができる。これにより、光記録媒体２０の材料コスト及び製造コストを低減して、安価に光記録媒体２０を構成することができる。　下層の記録層（Ｌ０層）２も、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む構成とした場合には、２層の記録層２，５において、構成する層の数を低減することができるため、光記録媒体２０の材料コスト及び製造コストをさらに低減することができる。
　本実施の形態の光記録媒体２０の製造方法によれば、スパッタ法により、酸素ガス及び窒素ガスを流しながら、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層（Ｌ１層）５を形成している。
　このように、酸素ガスに加えて窒素ガスをも流すことにより、記録層（Ｌ１層）５における、Ｐｄと酸素との結合状態を制御することができる。これにより、記録層（Ｌ１層）５の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。特に、透過率を高く、かつ反射率を低くすることが好ましい、記録層（Ｌ１層）５において、透過率を高く、かつ反射率を低く制御することが可能になる。
　従って、本実施の形態により、特にＬ１層となる記録層５の透過率及び反射率を最適化することができ、２層の記録層２，５を有し、かつ良好な記録特性を有する光記録媒体２０を実現することができる。
　上述の実施の形態の光記録媒体２０は、基板１、記録層２、中間層４、記録層５、光透過層３の５層によって構成されていたが、本発明においては、光記録媒体のコストがあまり増大しない範囲であれば、その他の層を有していても構わない。
＜４．変形例＞
　第２の実施の形態では、記録層を２層有する構造としていたが、本発明では記録層を３層以上有する構造とすることも可能である。
　第２の実施の形態の変形例として、記録層を３層有する構造とした光記録媒体の断面図を、図３に示す。
　図３に示すように、この光記録媒体３０は、基板１と光透過層３との間に、３層の記録層２，５，６が形成されて成る。３層の記録層２，５，６のそれぞれの間には、中間層４が形成されている。３層の記録層２，５，６のうち、最も光透過層３側にある最上層の記録層６がＬ２層となり、真ん中の記録層５がＬ１層となり、最下層の記録層２がＬ０層となる。
　この構成の場合、少なくともＬ２層となる最上層の記録層６について、第２の実施の形態における記録層（Ｌ１層）５について説明したように、本発明の構成及び製造方法を適用すればよい。
＜５．実験例＞
［実験１．酸素ガスの流量による、記録層の反射率及び透過率の変化］
　実際に、光記録媒体を作製して、記録層の反射率及び透過率を調べた。
　まず、酸素ガスの流量を変えて、それぞれ記録層を形成し、記録層の反射率及び透過率の変化を調べた。
（試料１）
　図１の光記録媒体１０を、以下のようにして作製した。
　基板１として、ディスク形状の厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート樹脂を用意した。
　次に、この基板１上に、スパッタ法により、記録層２として、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｐｄ－Ｏ膜を膜厚４０ｎｍで形成した。このとき、ターゲットとしては、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｐｄの３つのターゲットを使用した。また、アルゴンガスの流量を７０ｓｃｃｍとし、酸素ガスの流量を３０ｓｃｃｍとして、それぞれのガスを流しながら、各ターゲットのスパッタ電力をコントロールすることで組成を調整して、スパッタを行った。組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９：１、（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）：Ｐｄ＝８：２、となるように調整した。このようにして、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｐｄ－Ｏ膜の単層の記録層２を形成した。
　さらに、記録層２の上に紫外線硬化樹脂を塗布して、紫外線照射により硬化させることにより、厚さ１００μｍの光透過層３を形成して、ディスク形状であり、図１に示した断面構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料１とした。
（試料２）
　アルゴンガスの流量を６０ｓｃｃｍとし、酸素ガスの流量を４０ｓｃｃｍとして、その他は試料１と同様にして、図１に示した構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料２とした。
（試料３）
　アルゴンガスの流量を５０ｓｃｃｍとし、酸素ガスの流量を５０ｓｃｃｍとして、その他は試料１と同様にして、図１に示した構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料３とした。
（反射率及び透過率の測定）
　作製した試料１～試料３の各試料に対して、レーザ光を照射して、それぞれの記録層２の反射率及び透過率を測定した。
　測定結果として、記録層２の形成時の酸素ガスの流量（３０～５０ｓｃｃｍ）による、記録層２の反射率Ｒ及び透過率Ｔの変化を、図４に示す。
　図４より、酸素ガス（Ｏ２）の流量を増大させていくにつれて、記録層２が透明になり透過率Ｔを上げることができることがわかる。
　一方、反射率Ｒについては、１０％以上であり、１０％未満にまでは反射率を小さくできなかったことがわかる。
　Ｉｎ－Ｓｎ－Ｐｄ－Ｏ膜は、このように、成膜時の酸素ガスの流量を制御することによって透過率Ｔは制御できるが、反射率Ｒの制御は難しいことが分かった。
［実験２．窒素ガスの流量による、記録層の反射率及び透過率の変化］
　次に、酸素ガスに加えて窒素ガスを流して記録層を形成し、窒素ガスの流量の変化による、記録層の反射率及び透過率の変化を調べた。
（試料４；実施例）
アルゴンガスの流量を７０ｓｃｃｍとし、酸素ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、窒素ガスの流量を２ｓｃｃｍとして、それぞれのガスを流しながら、各ターゲットのスパッタ電力をコントロールすることで組成を調整して、スパッタを行った。その他は実験１の試料１と同様にして、図１に示した構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料４とした。
（試料５；実施例）
　窒素ガスの流量を５ｓｃｃｍとして、その他は試料４と同様にして、図１に示した構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料５とした。
（試料６；実施例）
　窒素ガスの流量を１０ｓｃｃｍとして、その他は試料４と同様にして、図１に示した構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料６とした。
（試料７；実施例）
　窒素ガスの流量を３０ｓｃｃｍとして、その他は試料４と同様にして、図１に示した構造の光記録媒体１０を作製した。これを、光記録媒体１０の試料７とした。
（反射率及び透過率の測定・評価）
　作製した試料４～試料７の各試料について、実験１と同様にして、記録層２の反射率及び透過率を測定した。
　測定結果として、記録層２の形成時の窒素ガスの流量（０～３０ｓｃｃｍ）による、記録層２の反射率Ｒ及び透過率Ｔの変化を、図５に示す。なお、窒素ガスを流さない場合（流量０ｓｃｃｍ）の値として、図４に示した試料１の測定値を、図５に併せて示す。
　図５より、窒素ガス（Ｎ２）の流量を増大させていくにつれて、透過率は高くなっていき、反射率は低くなっていく。
　即ち、窒素ガスの流量を変えることにより、記録層２の反射率及び透過率を共に制御することが容易になることがわかる。
　ここで、実験１の試料１と、実験２の試料６の、光記録媒体の各試料について、ＸＰＳを使用することにより、記録層２の表面付近のＰｄ原子の状態として、ＰｄとＰｄＯとＰｄＯ２の３つの状態の比率を測定した。
　測定結果を、表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１より、酸素ガス及び窒素ガスを流した試料６では、酸素ガスを流した試料１よりも、ＰｄＯの状態の比率が増えて、ＰｄＯ２の状態の比率が減っている。
　この結果から、酸素ガスの流量だけでは制御が難しかった、記録層の反射率及び透過率を、窒素ガスを流すことによって、制御することが可能になることが推測される。
　上述した実験例の各試料は、１層の記録層２のみを形成した場合であったが、記録層を２層以上形成する場合にも同様に、酸素ガスの流量及び窒素ガスの流量を制御することにより、記録層の反射率及び透過率を制御することが可能である。
　記録層を２層以上とする場合には、最も光透過層側にある記録層の透過率は、６０％以上であることが望ましい。ただし、この記録層の透過率が高過ぎると、記録感度が悪くなってしまうため、透過率は９０％以下であることが望ましい。また、最も光透過層側にある記録層の反射率は、４～８％程度であることが望ましい。
　今回作製した試料を見てみると、窒素ガスを流していない場合（実験１）には、酸素ガスの流量を多くすることにより、透過率は良好なものが得られているが、反射率が高めである。反射率を下げようとして、さらに酸素の流量を多くすると、透過率が高くなり過ぎるので、記録感度は大きく悪化してしまい、ジッターも悪化する。
　一方、酸素ガスが十分な状態であり、さらに加えて窒素ガスも流した場合（実験２）には、反射率・透過率の制御がともに容易である。
　窒素ガスの流量を３０ｓｃｃｍとした、試料７の光記録媒体において、透過率６５．４％、反射率６．８％が得られ、２層の記録層を有するＤｕａｌディスクの光透過層側の記録層（Ｌ１層）として良好な特性を持つことがわかった。
　この試料７の光記録媒体において、同じく連続５トラックの３番目のトラックのジッターを測定したところ、ボトムで４．６％が得られた。即ち、非常に良好な記録特性を有することがわかった。
　このように、酸素ガスに加えて窒素ガスを流して、記録層を形成することは、２層以上の記録層を有する光記録媒体を作製するのに非常に有用であることがわかった。
　また、上述の結果から、ジッターについても向上しており、１層の記録層のみの光記録媒体を製造する場合にも、もちろん有効である。
　本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

Claims (5)

  1. 　基板上に形成された記録層と、前記記録層上に形成された光透過層とを含む光記録媒体を製造する方法であって、
    　Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む前記記録層を形成する工程を含む
    　光記録媒体の製造方法。
  2. 　基板上に形成された２層以上の記録層と、各前記記録層の間に形成された中間層と、前記２層以上の記録層上に形成された光透過層とを含む光記録媒体を製造する方法であって、
    　前記２層以上の記録層のうち、少なくとも最も前記光透過層側の前記記録層を形成する際に、Ｉｎ２Ｏ３ターゲット及び／又はＳｎＯ２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む前記記録層を形成する
    　光記録媒体の製造方法。
  3. 　基板と、
    　前記基板上に形成され、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含み、前記酸素の含有量が前記Ｉｎ及び／又は前記Ｓｎが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多くなっている記録層と、
    　前記記録層上に形成された光透過層とを含む
    　光記録媒体。
  4. 　前記基板と前記記録層との間に形成された、１層以上の他の記録層と、前記記録層及び各前記他の記録層のそれぞれの間に形成された中間層とをさらに含む、請求項３に記載の光記録媒体。
  5. 　前記他の記録層は、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む、請求項４に記載の光記録媒体。
PCT/JP2010/053957 2009-03-17 2010-03-10 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 WO2010106946A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/993,103 US20110064903A1 (en) 2009-03-17 2010-03-10 Method of manufacturing optical recording medium, and optical recording medium
CN2010800015539A CN102027541A (zh) 2009-03-17 2010-03-10 制造光学记录介质的方法以及光学记录介质
BRPI1001271A BRPI1001271A2 (pt) 2009-03-17 2010-03-10 método para fabricar uma mídia de gravação óptica, e, mídia de gravação óptica.
EP10753438A EP2410526A1 (en) 2009-03-17 2010-03-10 Process for producing optical recording medium and optical recording medium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-064959 2009-03-17
JP2009064959A JP2010218636A (ja) 2009-03-17 2009-03-17 光記録媒体の製造方法、光記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010106946A1 true WO2010106946A1 (ja) 2010-09-23

Family

ID=42739607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/053957 WO2010106946A1 (ja) 2009-03-17 2010-03-10 光記録媒体の製造方法、光記録媒体

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20110064903A1 (ja)
EP (1) EP2410526A1 (ja)
JP (1) JP2010218636A (ja)
KR (1) KR20110127589A (ja)
CN (1) CN102027541A (ja)
BR (1) BRPI1001271A2 (ja)
RU (1) RU2010146667A (ja)
TW (1) TW201044387A (ja)
WO (1) WO2010106946A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011034153A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP2012161941A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Sony Corp 光情報記録媒体およびその製造方法、光情報記録媒体用記録層

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5152055B2 (ja) * 2009-03-17 2013-02-27 ソニー株式会社 光記録媒体及びその製造方法
JP5399836B2 (ja) * 2009-09-18 2014-01-29 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP5399184B2 (ja) * 2009-09-18 2014-01-29 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP5276557B2 (ja) * 2009-09-18 2013-08-28 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体
JP5485091B2 (ja) * 2010-09-16 2014-05-07 ソニー株式会社 光記録媒体
JP5760464B2 (ja) 2011-02-03 2015-08-12 ソニー株式会社 光情報記録媒体
JP5793881B2 (ja) * 2011-02-03 2015-10-14 ソニー株式会社 光情報記録媒体
TWI765654B (zh) * 2021-04-09 2022-05-21 光洋應用材料科技股份有限公司 複合陶瓷靶材、其製法以及複合陶瓷薄膜與其製法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07223372A (ja) * 1993-06-18 1995-08-22 Hitachi Ltd 情報記録用薄膜および情報記録媒体
JP2000190637A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Victor Co Of Japan Ltd 光学的情報記録媒体
JP2004174868A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Ricoh Co Ltd 相変化型光記録媒体
WO2006043357A1 (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学的情報記録媒体及びその製造法
WO2007063800A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置
JP2007157314A (ja) 2005-11-10 2007-06-21 Canon Inc 追記型光ディスク及び光記録方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0153033B1 (ko) * 1993-06-18 1998-12-15 가나이 쯔또무 정보기록용 박막 및 정보기록매체
EP1189216B1 (en) * 1999-12-21 2010-02-10 Panasonic Corporation Optical information recording medium, method of recording and reproducing, and optical recording and reproducing system
JP3852408B2 (ja) * 2002-07-09 2006-11-29 ソニー株式会社 光記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07223372A (ja) * 1993-06-18 1995-08-22 Hitachi Ltd 情報記録用薄膜および情報記録媒体
JP2000190637A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Victor Co Of Japan Ltd 光学的情報記録媒体
JP2004174868A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Ricoh Co Ltd 相変化型光記録媒体
WO2006043357A1 (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学的情報記録媒体及びその製造法
JP2007157314A (ja) 2005-11-10 2007-06-21 Canon Inc 追記型光ディスク及び光記録方法
WO2007063800A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011034153A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
US8597757B2 (en) 2009-09-18 2013-12-03 Kobe Steel, Ltd. Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
JP2012161941A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Sony Corp 光情報記録媒体およびその製造方法、光情報記録媒体用記録層

Also Published As

Publication number Publication date
US20110064903A1 (en) 2011-03-17
JP2010218636A (ja) 2010-09-30
BRPI1001271A2 (pt) 2016-02-16
TW201044387A (en) 2010-12-16
KR20110127589A (ko) 2011-11-25
RU2010146667A (ru) 2012-05-27
CN102027541A (zh) 2011-04-20
EP2410526A1 (en) 2012-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010106946A1 (ja) 光記録媒体の製造方法、光記録媒体
WO2007052614A1 (ja) 光学的情報記録媒体およびその製造方法
TWI449039B (zh) A recording layer for optical information recording medium, and an optical information recording medium
JP5726557B2 (ja) 光記録媒体
WO2012165472A1 (ja) 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体、並びに上記記録膜の形成に用いられるスパッタリングターゲット
JP5152055B2 (ja) 光記録媒体及びその製造方法
WO2011034188A1 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
WO2012120817A1 (ja) 情報記録媒体とその製造方法
JP2005339761A (ja) 光記録媒体
JP5485091B2 (ja) 光記録媒体
JP7130447B2 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
WO2021117470A1 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
JP2008065965A (ja) 光記録媒体
JPWO2008132940A1 (ja) 光学的情報記録媒体及びその製造方法
WO2012120816A1 (ja) 情報記録媒体とその製造方法
CN110603590B (zh) 只读的光信息记录介质和该光信息记录介质的反射膜形成用溅射靶
JP2007164896A (ja) 光学情報記録媒体
JP2004241103A (ja) 光記録媒体およびその製造方法
JP2008068491A (ja) 光記録媒体の製造方法
JP2008152839A (ja) 光記録媒体、及び光記録媒体の製造方法
JP2008004190A (ja) 光記録媒体
JP2011194617A (ja) 光記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080001553.9

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107025036

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10753438

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 7912/DELNP/2010

Country of ref document: IN

Ref document number: 2010753438

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010146667

Country of ref document: RU

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: PI1001271

Country of ref document: BR

Kind code of ref document: A2

Effective date: 20101110