WO2011034188A1 - 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット - Google Patents

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WO2011034188A1
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recording layer
optical information
recording
metal
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田内　裕基
陽子 志田
康宏 曽根
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株式会社神戸製鋼所
ソニー株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a recording layer for an optical information recording medium, an optical information recording medium, and a sputtering target useful for forming the recording layer.
  • Optical information recording media are typified by optical discs such as CDs, DVDs, and BDs, and are roughly classified into three types according to recording / reproducing systems: read-only type, write-once type, and rewritable type.
  • the write-once type optical disc recording method mainly includes a phase change method for changing the phase of the recording layer, an interlayer reaction method for reacting a plurality of recording layers, a method for decomposing a compound constituting the recording layer, and a hole in the recording layer. It is roughly classified into a drilling method in which recording marks such as pits are locally formed.
  • Patent Document 1 proposes a recording layer containing Te—OM (where M is at least one element selected from a metal element, a metalloid element, and a semiconductor element), and Patent Document 2 proposes a recording layer containing Sb and Te. Layers have been proposed.
  • the first recording layer is made of an alloy containing In—O— (Ni, Mn, Mo), and the second recording layer is used.
  • the second recording layer is used.
  • a first recording layer a metal containing In as a main component
  • a second recording layer a metal other than an oxide or a nonmetal containing at least one element belonging to Group 5B or Group 6B are stacked.
  • Patent Document 5 shows a recording layer mainly composed of nitride, and recording can be performed by decomposing the nitride by heating. Materials to be performed and organic pigment materials are being studied.
  • Patent Document 6 proposes an alloy made of an alloy obtained by adding a 3B group, 4B group, or 5B group element to a Sn alloy.
  • Patent Document 7 proposes a recording layer made of a Sn-based alloy containing Ni and / or Co in the range of 1 to 50 atomic%.
  • Patent Document 8 discloses a recording layer made of an In alloy containing 20 to 65 atomic percent of Co, and further containing an In alloy containing 19 atomic percent or less of one or more elements selected from Sn, Bi, Ge, and Si. It is shown.
  • Patent Document 9 shows a recording layer that substantially consists of Pd, Ag, and O and that defines the ratio of the number of atoms of these Pd, Ag, and O.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-135568 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-331461 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-326848 Japanese Patent No. 3499724 International Publication No. 2003/101750 Pamphlet Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-225433 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-196683 Japanese Patent No. 4110194 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-238516
  • optical information recording media The required characteristics required for optical information recording media are mainly that it has sufficient reflectivity for reproduction, that it can be recorded with practical recording laser power, and that the recorded signal has sufficient signal amplitude for reproduction. (High modulation degree) is required.
  • the recording material disclosed as the prior art it is difficult for the recording material disclosed as the prior art to satisfy these required characteristics with the recording material alone.
  • the reflectance of the recording layer alone is low.
  • a reflection film is required, and in order to increase the degree of modulation, it is necessary to provide dielectric layers such as ZnS—SiO 2 above and below the recording layer, and the number of layers constituting the optical disk increases.
  • the interlayer reaction method also requires a plurality of recording layers, the number of layers constituting the optical disk increases. For this reason, there is a problem that the number of film layers increases and productivity decreases.
  • the perforation method has a high reflectivity of the recording layer itself and can secure a large degree of modulation, so that the number of layers constituting the optical disk can be reduced, but in achieving higher recording sensitivity, Further study is needed. Further, as in Patent Document 9, it is considered that it is difficult to improve the recording characteristics more stably only by forming an oxide of Pd or Ag.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide optical information capable of increasing the productivity of an optical information recording medium by satisfying the above required characteristics while reducing the number of layers of an optical disk.
  • the object is to provide a recording layer for a recording medium, an optical information recording medium provided with the recording layer, and a sputtering target useful for forming the recording layer.
  • a recording layer for an optical information recording medium on which recording is performed by laser light irradiation The total value of X metal atoms, Pd atoms, and Ag atoms contained in the recording layer, including oxides of X metal, oxide Pd and oxide Ag, whose absolute value of standard free energy of formation of oxide relative to 1 mol of oxygen is larger than Pd and Ag
  • An optical information recording medium comprising the recording layer according to any one of (1) to (4).
  • a sputtering target for forming a recording layer for an optical information recording medium according to any one of (1) to (4),
  • the total amount of X metal atoms, Pd atoms, and Ag atoms contained in the sputtering target is 10 to 60 atomic percent of Pd atoms, 5 to 45 atomic percent of Ag atoms, and the total of Pd and Ag atoms.
  • Sputtering target whose amount ratio is 75 atomic% or less.
  • the sputtering target according to (7), wherein the X metal is at least one selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, and Al.
  • the sputtering target according to (8), wherein the X metal is In.
  • a high modulation degree can be achieved with a practical and relatively low recording laser power (hereinafter, such characteristics are sometimes referred to as “excellent recording sensitivity”).
  • excellent recording sensitivity it is possible to provide a recording layer for a write once optical information recording medium) and an optical information recording medium (particularly a write once optical information recording medium) provided with the recording layer.
  • a sputtering target useful for forming the recording layer can be provided.
  • the inventors of the present invention have intensively studied to realize a recording layer for optical information recording media that is superior in recording sensitivity to conventional recording layers.
  • an oxide of a metal hereinafter, referred to as X metal
  • X metal oxide of a metal
  • the recording layer when the recording layer is irradiated with a laser, the oxidized Pd and the oxidized Ag contained in the oxide of X metal are heated by the laser irradiation, decomposed and released oxygen to be stable. It has been found that the recording sensitivity can be greatly improved by changing the structure of the recording layer, specifically, by generating bubbles in the part irradiated with the laser and performing irreversible recording. It was.
  • the recording method using the recording layer is different from the phase change method using the fact that the structure of the recording layer before the laser irradiation is amorphous and is amorphous after the laser irradiation. .
  • the reason why the recording layer of the present invention is excellent in recording sensitivity is that the transmittance is increased (that is, the reflectance is decreased) in the portion where bubbles are generated by laser irradiation compared to the portion where bubbles are not generated. It is conceivable that the modulation degree could be increased.
  • the total amount of X metal atoms, Pd atoms and Ag atoms contained in the recording layer is ⁇ Pd atom ratio: 10 to 60 atom%, The ratio of Ag atoms: 5 to 45 atomic%, and the total amount of Pd atoms and Ag atoms: 75 atomic% or less must be satisfied.
  • the ratio of the Pd atoms is set to 10 atomic% or more.
  • the ratio of Pd atoms is preferably 15 atomic% or more.
  • the effect of improving the recording sensitivity by oxidized Pd can be sufficiently enhanced by releasing oxygen by reducing oxidized Ag.
  • the ratio of Ag atoms is set to 5 atomic% or more.
  • Ag atoms are preferably 8 atomic% or more.
  • the upper limit of Pd atoms is 60 atomic% (the preferable upper limit is 50 atomic%, and the more preferable upper limit is 45 atoms).
  • the upper limit of Ag atoms is 45 atomic% (preferably upper limit is 40 atomic%), and the upper limit of the total amount of Pd atoms and Ag atoms is 75 atomic% (that is, X metal atoms, Pd atoms and Ag atoms The lower limit of the ratio of X metal atoms to the total amount was 25 atomic%).
  • the upper limit of the total amount of Pd atoms and Ag atoms is preferably 60 atom%.
  • the oxidized Pd contains Pd monoxide and Pd dioxide in particular because the recording sensitivity can be more sufficiently improved.
  • Pd dioxide which is more unstable than monoxide Pd, is easily decomposed by laser irradiation to release oxygen, and Pd dioxide is present in the monoxide Pd that is more stable than Pd dioxide.
  • the natural decomposition of Pd dioxide is suppressed and a stable recording layer can be obtained.
  • the ratio of the Pd dioxide to the total of the Pd monoxide and the Pd dioxide is 3 mol% or more. . More preferably, it is 5 mol% or more.
  • the amount of Pd dioxide relative to the sum of Pd and Pd is preferably 70 mol% or less. More preferably, it is 60 mol% or less.
  • the recording layer of the present invention requires an oxide of a metal (X metal) whose absolute value of the standard free energy of formation of oxide relative to 1 mol of oxygen is larger than Pd and Ag together with the oxidized Pd and oxidized Ag.
  • a metal oxide (X metal oxide) that is more stable than oxidized Pd and oxidized Ag together with oxidized Pd and oxidized Ag, oxygen is released when the oxidized Pd and oxidized Ag are decomposed.
  • the shape change can be made clear and large, and a sufficient reflectance change by recording, that is, a high degree of modulation can be achieved.
  • Examples of the metal (X metal) having a larger absolute value of the standard free energy of formation of oxide relative to 1 mol of oxygen than Pd and Ag include In, Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, and Al (room temperature).
  • the standard free energy of formation of oxide with respect to 1 mol of oxygen in Pd is about ⁇ 150 kJ / mol and Ag is ⁇ 40 kJ / mol, whereas In, Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, Al are -500, -520, -640, -330, -420, -420, -500, -270, and -1050 kJ / mol, respectively).
  • In and Bi that is, an oxide of X metal contained together with the Pd oxide and the Ag oxide is preferably In oxide or Bi oxide.
  • the recording layer of the present invention may contain metal Pd in addition to the oxide of X metal, oxide Pd and oxide Ag.
  • inevitable impurities that are inevitably mixed during production may be included.
  • the component composition of the recording layer of the present invention does not stipulate even the trace components that are inevitably mixed, and as long as the above characteristics of the present invention are not impaired, the trace amounts of these unavoidable impurities are allowed.
  • the recording layer of the present invention has a total content of Sn, Al, Bi, Cu, Nb, Ti, Si, Ta within about 30 atomic% or less for the purpose of improving the absorption rate and controlling the refractive index, for example, oxidation. It may be included as a thing.
  • the thickness of the recording layer depends on the structure of the optical information recording medium, such as inserting other layers such as a dielectric layer and an optical adjustment layer above and below the recording layer, but when the recording layer is used as a single layer ( When the dielectric layer and the optical adjustment layer are not provided), it is preferable that the recording layer has a thickness of 5 to 100 nm. This is because if the film thickness of the recording layer is smaller than 5 nm, it is difficult to obtain a sufficient reflectance change by recording. More preferably, it is 10 nm or more, More preferably, it is 20 nm or more, Most preferably, it is 25 nm or more.
  • the film thickness of the recording layer is larger than 100 nm, it takes a long time to form the film, the productivity is lowered, and the laser power required for recording may be increased, which is not preferable.
  • the film thickness of the recording layer is more preferably 70 nm or less, still more preferably 60 nm or less.
  • the recording layer of the present invention is preferably formed by a sputtering method.
  • sputtering conditions Ar flow rate: 10 to 100 sccm and oxygen flow rate: 10 to 100 sccm can be mentioned.
  • general sputtering conditions can be adopted.
  • the gas pressure is in the range of 0.1 to 1.0 Pa, for example, and the sputtering power is in the range of 0.5 to 20 W / cm 2 , for example. To control.
  • an X metal atom (preferably In, Sn, Zn, Bi, or the like) contained in the sputtering target is used as a sputtering target (hereinafter sometimes simply referred to as “target”).
  • target a sputtering target
  • -Pd atom ratio 10 to 60 atom%
  • a ratio of Ag atoms: 5 to 45 atomic% and a total amount of Pd atoms and Ag atoms: 75 atomic% or less are used.
  • the target include X metal as an oxide (that is, an oxide of X metal), Pd atoms as metal Pd and / or oxide Pd, and Ag atoms as metal Ag and / or oxide Ag. Are included.
  • the ratio of the above elements is a value obtained in terms of atoms excluding oxygen atoms in the oxide. .
  • the in-plane uniformity and thickness of the productivity and the composition of the formed thin film are obtained by mixing and sintering powders of X metal oxide, metal Pd and metal Ag. It is preferable in terms of control.
  • the target may contain inevitable impurities that are inevitably mixed during manufacture.
  • the component composition of the sputtering target of the present invention does not prescribe even the trace components that are inevitably mixed, and the trace amounts of these unavoidable impurities are allowed as long as the above characteristics of the present invention are not impaired.
  • an X metal target for example, an X metal target, a metal Pd target (pure Pd metal target), and a metal Ag target (pure Ag metal target) are used, and these are simultaneously discharged. And performing multi-source sputtering.
  • the optical information recording medium of the present invention has a recording layer exhibiting the above excellent characteristics, but in order to ensure excellent durability capable of maintaining the above excellent characteristics even in a high temperature and high humidity environment. It is preferable that a dielectric layer is formed adjacent to the recording layer. In the high temperature and high humidity environment, the oxidized Pd and oxidized Ag in the portion not irradiated with laser (that is, recording is not performed) are gradually reduced to release oxygen, and as a result, the optical characteristics change. Appearing as a decrease in reflectance is considered as a cause of a decrease in durability. However, it seems that by forming the dielectric layer, unnecessary decomposition of oxidized Pd (particularly Pd dioxide) and oxidized Ag can be suppressed and stably maintained.
  • the above-mentioned “formation of the dielectric layer adjacent to the recording layer” includes, for example, the case where the dielectric layer is formed between the substrate and the recording layer and adjacent to the recording layer, and / or the recording layer and will be described later. A case where it is formed between the light transmission layer and adjacent to the recording layer can be mentioned.
  • the dielectric layer also improves durability by acting as an oxygen barrier layer. By preventing the escape of oxygen caused by the decomposition of the oxidized Pd and oxidized Ag, it is possible to prevent a change in reflectance (particularly, a decrease in reflectance) and to secure the reflectance necessary for the recording layer. It is done.
  • recording characteristics can be improved by forming a dielectric layer. This is because the thermal diffusion of the laser incident by the dielectric layer is optimally controlled to prevent the bubbles in the recording portion from becoming too large or the decomposition of the oxidized Pd from proceeding too much to collapse the bubbles. This is considered to be possible to optimize.
  • Examples of the material of the dielectric layer include oxides, nitrides, sulfides, carbides, fluorides, or mixtures thereof.
  • Examples of the oxides include In, Zn, Sn, Al, Si, Ge, Ti, and Ta.
  • the nitride is a nitride of one or more elements selected from the group consisting of In, Sn, Ge, Cr, Si, Al, Nb, Mo, Ti, and Zn (preferably Si and / or Ge nitridation).
  • the carbide is a carbide of one or more elements selected from the group consisting of In, Sn, Ge, Cr, Si, Al, Ti, Zr, Ta and W (preferably from the group consisting of Si, Ti and W).
  • the carbide of one or more elements selected) and the fluoride include a fluoride of one or more elements selected from the group consisting of Si, Al, Mg, Ca, and La. Examples of such a mixture include ZnS—SiO 2 and the like.
  • the film thickness of the dielectric layer is preferably 1 to 40 nm. This is because if the thickness is less than 1 nm, the effect of the dielectric layer (particularly, the effect as an oxygen barrier) may not be sufficiently exhibited. More preferably, it is 3 nm or more. On the other hand, if the thickness of the dielectric layer is too large, it is difficult to cause a change in the recording layer due to laser irradiation, which may cause a decrease in recording characteristics. Therefore, the thickness of the dielectric layer is preferably 40 nm or less, more preferably 35 nm or less.
  • the present invention does not define the method for forming the dielectric layer, but it is preferable to form the dielectric layer by the sputtering method as in the recording layer.
  • the sputtering conditions are Ar flow rate, for example, in the range of 10 to 100 sccm, and when using a metal target as described below, the oxygen flow rate during oxide layer formation is For example, the range is 5 to 60 sccm, and the nitrogen flow rate when forming the nitride layer is, for example, 5 to 80 sccm.
  • the gas pressure may be in the range of 0.1 to 1.0 Pa, and the sputtering power may be in the range of 0.5 to 50 W / cm 2 , for example.
  • a sputtering target used for forming the dielectric layer in addition to a target made of the above compound (oxide, nitride, sulfide, carbide, fluoride), other than oxygen, nitrogen, sulfur, carbon, fluorine in the compound
  • a metal target containing a constituent element a target made of a pure metal or an alloy
  • the optical information recording medium of the present invention is characterized in that it includes the above-mentioned recording layer, and preferably further includes a dielectric layer. Except for the recording layer and the dielectric layer, structures known in the field of optical information recording media can be employed.
  • optical information recording medium As an optical information recording medium (optical disk), a structure in which a recording layer is laminated on a substrate in which a laser guide groove is engraved, and a light transmission layer is further laminated on the substrate.
  • examples of the material of the substrate include polycarbonate resin, norbornene resin, cyclic olefin copolymer, and amorphous polyolefin.
  • the light transmission layer polycarbonate or ultraviolet curable resin can be used.
  • the light transmission layer it is preferable that the light transmission layer has a high transmittance with respect to a laser for recording and reproduction, and has a small light absorption rate.
  • the thickness of the substrate is, for example, 0.5 to 1.2 mm. In addition, the thickness of the light transmission layer is, for example, 0.1 to 1.2 mm.
  • the recording layer of the present invention exhibits a high reflectance and exhibits excellent recording characteristics by itself. However, if necessary, the recording layer is interposed between the substrate and the recording layer in order to further increase the reflectance as an optical disk. Further, an optical adjustment layer may be provided. Examples of the material of the optical adjustment layer include Ag, Au, Cu, Al, Ni, Cr, Ti, and alloys thereof. The thickness of the optical adjustment layer is usually about 50 to 150 nm as a complete reflection film.
  • a single-layer optical disc in which one recording layer and one light transmission layer are formed is shown.
  • the present invention is not limited to this, and two or more optical discs in which a plurality of recording layers and light transmission layers are laminated are shown. It may be.
  • the recording layer is made of, for example, an ultraviolet curable resin between the recording layer group consisting of the optical adjustment layer and the dielectric layer laminated as necessary and another recording layer group. You may have a transparent intermediate
  • the feature of the present invention is that the above-mentioned recording layer (preferably, further a dielectric layer) is employed.
  • the substrate, the light transmission layer, the optical adjustment layer, and the transparent intermediate layer are used.
  • the formation method of the layer and the like is not particularly limited, and an optical information recording medium may be manufactured by forming by a usual method.
  • optical information recording medium examples include CD, DVD, and BD.
  • a BD capable of recording and reproducing data by irradiating a recording layer with blue laser light having a wavelength of about 380 nm to 450 nm, preferably about 405 nm.
  • a specific example is -R.
  • the sputtering conditions for forming the recording layer were as follows: Ar flow rate: 10 sccm, oxygen flow rate: 10 sccm, gas pressure: 0.4 Pa, DC sputtering power: 100 to 200 W, substrate temperature: room temperature.
  • the component composition of the formed recording layer [the ratio of In atom (atomic%), the ratio of Pd atom (atomic%), the ratio of Ag atom (atomic%) to In atom + Pd atom + Ag atom)] is X-ray fluorescence analysis. It was determined by measurement by the method or ICP emission analysis method.
  • an ultraviolet curable resin (“BRD-864” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) is spin-coated on the dielectric layer (No. 7 on the recording layer), and then irradiated with ultraviolet rays to give a film thickness of about A 0.1 mm light-transmitting layer was formed to obtain an optical disc.
  • No. 6 is a recording layer formed of In oxide, Pd oxide, and Cu oxide by sputtering using three targets of a pure In metal target, a pure Pd metal target, and a pure Cu metal target as the target for forming the recording layer. Formed.
  • optical disc evaluation apparatus (“ODU-1000” manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) was used, a recording laser center wavelength was set to 405 nm, and a lens with NA (numerical aperture): 0.85 was used.
  • NA number of NA
  • the degree of modulation (reflectance change rate) at the recording power at which the jitter is minimized is obtained from the following formula (1), the minimum jitter is less than 7%, and the degree of modulation is 0.40 or more.
  • Modulation degree (change rate of reflectance) (reflectance of unrecorded portion ⁇ reflectance of recorded portion) / (reflectance of unrecorded portion) (1)
  • the recording layers (Nos. 1 to 4 and 7) satisfying the component composition defined in the present invention have a high degree of modulation and excellent recording sensitivity at a practical recording laser power.
  • a recording layer for an optical information recording medium (in particular, a recording layer for a write once optical information recording medium) that can achieve a high degree of modulation with a practical and relatively low recording laser power, and the recording layer are provided.
  • An optical information recording medium (particularly, a write-once optical information recording medium) can be provided.
  • a sputtering target useful for forming the recording layer can be provided.

Abstract

　記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きいＸ金属の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０～６０原子％、Ａｇ原子の比率が５～４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量の比率が７５原子％以下である光情報記録媒体用記録層に関する。

Description

光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
　本発明は、光情報記録媒体用の記録層、光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットに関するものである。
　光情報記録媒体（光ディスク）は、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤといった光ディスクに代表され、記録再生方式により、再生専用型、追記型および書換え型の３種類に大別される。このうち追記型の光ディスクの記録方式は、主に、記録層を相変化させる相変化方式、複数の記録層を反応させる層間反応方式、記録層を構成する化合物を分解させる方式、記録層に孔やピットなどの記録マークを局所的に形成させる孔開け方式に大別される。
　前記相変化方式では、記録層の結晶化による光学特性の変化を利用した材料が、記録層の材料として提案されている。例えば特許文献１では、Ｔｅ－Ｏ－Ｍ（Ｍは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の元素)を含む記録層が提案され、特許文献２ではＳｂおよびＴｅを含む記録層が提案されている。
　前記層間反応方式の光情報記録媒体の記録層としては、例えば特許文献３に、第一記録層をＩｎ－Ｏ－(Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ)を含む合金からなるものとし、かつ第二記録層をＳｅ及び／又はＴｅ元素、Ｏ（酸素）、及びＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれた一つの元素を含む合金からなるものとした記録層が提案されている。また特許文献４では、第一記録層：Ｉｎを主成分とする金属、第二記録層：５Ｂ族または６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む、酸化物以外の金属あるいは非金属を積層して、加熱による反応または合金化により記録を行うことが提案されている。
　前記記録層を構成する化合物を分解する方式の記録層として、例えば特許文献５には、窒化物を主成分とした記録層が示されており、該窒化物を加熱により分解することで記録を行う材料や、有機色素材料が検討されている。
　前記孔開け方式の記録層としては、低融点金属材料からなるものが検討されている。例えば特許文献６では、Ｓｎ合金に３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族の元素を添加した合金からなるものが提案されている。特許文献７では、Ｎｉおよび／またはＣｏを１～５０原子％の範囲で含有するＳｎ基合金からなる記録層が提案されている。また特許文献８には、Ｃｏを２０～６５原子％含有するＩｎ合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩｎ合金からなる記録層が示されている。
　更に特許文献９には、実質的にＰｄ、Ａｇ、Ｏからなり、これらＰｄ、Ａｇ、Ｏの原子数の比率を規定した記録層が示されている。
日本国特開２００５－１３５５６８号公報 日本国特開２００３－３３１４６１号公報 日本国特開２００３－３２６８４８号公報 日本国特許第３４９９７２４号公報 国際公開第２００３／１０１７５０号パンフレット 日本国特開２００２－２２５４３３号公報 日本国特開２００７－１９６６８３号公報 日本国特許第４１１０１９４号公報 日本国特開２００５－２３８５１６号公報
　光情報記録媒体に求められる要求特性として、主に、再生に十分な反射率を有することや、実用的な記録レーザーパワーで記録が可能なこと、記録信号が再生に十分な信号振幅を有すること（高変調度であること）などが求められる。
　しかし、従来技術として開示されている記録材料は、これらの要求特性を記録材料単体で満たすことが難しく、前記相変化方式では、記録層単独での反射率が低いため、光ディスク状態での反射率を高めるべく反射膜が必要であり、かつ変調度を増加させるため、記録層の上下にＺｎＳ－ＳｉＯ２などの誘電体層も設ける必要があり、光ディスクを構成する層数が多くなる。また、前記層間反応方式でも複数の記録層が必要であることから、光ディスクを構成する層数が多くなる。このため膜層数が多くなり生産性が低下するという課題がある。これに対し前記孔開け方式は、記録層自体の反射率が高く、且つ、大きな変調度も確保できるため、光ディスクを構成する層の数を低減できるが、より高い記録感度を達成するにあたっては、更なる検討が必要である。また特許文献９の様に、ＰｄやＡｇの酸化物を形成するだけでは、安定かつ記録特性をより高めることが難しいと思われる。
　本発明はこの様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、光ディスクの層数を低減しながら上記要求特性を満たして、光情報記録媒体の生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録層と、該記録層を備えた光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することにある。
　本発明は以下の態様を含む。
（１）レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録層であって、
　酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きいＸ金属の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０～６０原子％、Ａｇ原子の比率が５～４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量の比率が７５原子％以下である光情報記録媒体用記録層。
（２）前記Ｘ金属が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である（１）に記載の光情報記録媒体用記録層。
（３）前記Ｘ金属がＩｎである（２）に記載の光情報記録媒体用記録層。
（４）レーザー光の照射された部分に気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる（１）～（３）のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録層。
（５）（１）～（４）のいずれかに記載の記録層を備える光情報記録媒体。
（６）前記記録層に隣接して形成される誘電体層を備える（５）に記載の光情報記録媒体。
（７）（１）～（４）のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録層形成用のスパッタリングターゲットであって、
　スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０～６０原子％、Ａｇ原子の比率が５～４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量の比率が７５原子％以下であるスパッタリングターゲット。
（８）前記Ｘ金属が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である（７）に記載のスパッタリングターゲット。
（９）前記Ｘ金属がＩｎである（８）に記載のスパッタリングターゲット。
　本発明によれば、実用的な比較的低い記録レーザーパワーで高変調度を達成できる（以下、この様な特性を「記録感度に優れた」ということがある）光情報記録媒体用記録層（特には、追記型光情報記録媒体用記録層）、および該記録層を備えた光情報記録媒体（特には、追記型光情報記録媒体）を提供することができる。また、本発明によれば、上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することができる。
　本発明者らは、従来の記録層よりも記録感度に優れた光情報記録媒体用記録層を実現すべく鋭意研究を行った。その結果、従来の記録層とは異なり、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含む記録層とすれば、該記録層にレーザーを照射させたときに、Ｘ金属の酸化物中に含まれる前記酸化Ｐｄと酸化Ａｇが、レーザー照射により加熱され、分解し酸素を放出して安定的に記録層の組織を変化させる、具体的には、レーザーが照射された部分に気泡を生成させて不可逆的な記録を行うようにすれば、従来よりも記録感度を格段に高めうることを見出した。
　上記記録層による記録方式では、レーザー照射前の記録層の構造はアモルファスであり、レーザー照射後もアモルファスである点で、アモルファスがレーザー照射により結晶に変化することを利用した相変化方式と相違する。
　本発明の記録層が記録感度に優れている理由として、レーザー照射により気泡が発生した部分では、気泡の発生していない部分と比べて透過率が増加（即ち、反射率が低下）することで、変調度を大きくすることができたことが考えられる。
　上記効果を十分発現させるには、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、
・Ｐｄ原子の比率：１０～６０原子％、
・Ａｇ原子の比率：５～４５原子％、および
・Ｐｄ原子とＡｇ原子の合計量：７５原子％以下
を満たすようにする必要がある。
　上記Ｐｄ原子の比率が１０原子％を下回ると、レーザー照射時に分解する酸化Ｐｄが少ないため、放出される酸素量が十分でなく生成する気泡が不足し、記録感度向上の効果が小さくなる。また、酸化Ａｇのみでは酸素放出による形態変化が不十分であり、酸化Ｐｄがある程度必要である。これらの観点から、本発明ではＰｄ原子の比率を１０原子％以上とした。Ｐｄ原子の比率は、好ましくは１５原子％以上である。
　更に本発明では、上記酸化Ｐｄと共に酸化Ａｇを含有させることにより、酸化Ｐｄによる記録感度の向上効果を、酸化Ａｇの還元による酸素放出により、十分高め得ることができる。この様な効果を発揮させるため、Ａｇ原子の比率を５原子％以上とする。Ａｇ原子は好ましくは８原子％以上である。
　一方、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共にＸ金属の酸化物を含有させることによって、後述する通り、レーザー照射による記録部分の形態変化を最適化することができる。この様に本発明では、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に、Ｘ金属の酸化物の存在も重要であることから、Ｐｄ原子の上限を６０原子％（好ましい上限は５０原子％、より好ましい上限は４５原子％）、Ａｇ原子の上限を４５原子％（好ましい上限は４０原子％）とすると共に、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量の上限を７５原子％（即ち、Ｘ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対する、Ｘ金属原子の比率の下限を２５原子％）とした。Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量の上限は、好ましくは６０原子％である。
　上記酸化Ｐｄが、特に一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであれば、記録感度をより十分に向上させることができるので好ましい。その理由として、一酸化Ｐｄよりも不安定な二酸化Ｐｄが、レーザー照射により容易に分解して酸素を放出すること、および、二酸化Ｐｄに比べて安定な一酸化Ｐｄ中に二酸化Ｐｄを存在させることで、この二酸化Ｐｄの自然分解が抑制されて、安定な記録層が得られることが考えられる。
　上記二酸化Ｐｄの分解による酸素放出量を高めて、記録による十分な反射率変化を得るには、前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比を、３モル％以上とすることが好ましい。より好ましくは５モル％以上である。
　一方、一酸化Ｐｄに対し二酸化Ｐｄが多過ぎると、二酸化Ｐｄは安定的に存在することができず、記録層の作製が困難となるため、前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比は７０モル％以下とすることが好ましい。より好ましくは６０モル％以下である。
　本発明の記録層は、上述した通り、上記酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（Ｘ金属）の酸化物を必須とするものである。この様に、酸化Ｐｄや酸化Ａｇよりも安定な金属酸化物（Ｘ金属の酸化物）を、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に含有させることによって、該酸化Ｐｄや酸化Ａｇが分解したときの酸素放出による形態変化を明瞭かつ大きくすることができ、記録による十分な反射率変化、即ち高変調度を達成することができる。
　ＰｄやＡｇよりも酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値が大きい金属（Ｘ金属）としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌが挙げられる（室温における酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーは、Ｐｄが約－１５０ｋＪ/ｍｏｌ、Ａｇが－４０ｋＪ/ｍｏｌであるのに対し、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌがそれぞれ－５００、－５２０、－６４０、－３３０、－４２０、－４２０、－５００、－２７０、－１０５０ｋＪ／ｍｏｌである）。このうち好ましくはＩｎ、Ｂｉ、即ち、前記酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に含まれるＸ金属の酸化物として、酸化Ｉｎや酸化Ｂｉが好ましい。
　尚、本発明の記録層には、前記Ｘ金属の酸化物、前記酸化Ｐｄおよび前記酸化Ａｇを含む他、金属Ｐｄが含まれうる場合がある。
　また、作製時に不可避的に混入する不可避不純物が含まれ得る。しかし、本発明の記録層の成分組成は、それら不可避に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容される。
　また本発明の記録層は、吸収率の向上や屈折率の制御を目的として、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａを合計約３０原子％以下の範囲内で、例えば酸化物として含んでいてもよい。
　記録層の膜厚は、記録層の上下に誘電体層や光学調整層等の他の層を挿入するなど、光情報記録媒体の構造にもよるが、記録層を単層で使用する場合（上記誘電体層や光学調整層等を設けない場合）には、記録層の膜厚を５～１００ｎｍとすることが好ましい。記録層の膜厚が５ｎｍより小さいと、記録による十分な反射率変化が得られにくいおそれがあるからである。より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは２５ｎｍ以上である。一方、記録層の膜厚が１００ｎｍより大きいと、膜の形成に時間がかかり、生産性が低下すると共に、記録に必要なレーザーパワーが大きくなるおそれがあるため好ましくない。記録層の膜厚は、より好ましくは７０ｎｍ以下、更に好ましくは６０ｎｍ以下である。
　本発明の記録層は、スパッタリング法で形成することが好ましい。スパッタリング条件としては、Ａｒ流量：１０～１００ｓｃｃｍ、酸素流量：１０～１００ｓｃｃｍとすることが挙げられる。また、スパッタリング法におけるその他の条件は、汎用されるスパッタリング条件を採用することができ、ガス圧を例えば０．１～１．０Ｐａの範囲、スパッタ電力を例えば０．５～２０Ｗ／ｃｍ２の範囲に制御することが挙げられる。
　前記スパッタリング法で本発明の記録層を形成するにあたっては、スパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」ということがある）として、スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子（好ましくはＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上、より好ましくはＩｎ）、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、
・Ｐｄ原子の比率：１０～６０原子％、
・Ａｇ原子の比率：５～４５原子％、および
・Ｐｄ原子とＡｇ原子の合計量：７５原子％以下
を満たすものを用いる。
　上記ターゲットの具体的態様としては、Ｘ金属が酸化物として含まれる（即ち、Ｘ金属の酸化物）と共に、Ｐｄ原子が金属Ｐｄおよび／または酸化Ｐｄ、かつＡｇ原子が金属Ａｇおよび／または酸化Ａｇとして含まれるものが挙げられる。
　その他の態様として、Ｘ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子のいずれもが金属、即ち、これらの元素を含む合金からなるものが挙げられる。
　尚、上記元素（Ｘ金属原子、Ｐｄ原子、Ａｇ原子）が酸化物の形態でターゲット中に存在する場合、上記元素の比率は、酸化物における酸素原子を除いた原子換算で求めた値を示す。
　上記ターゲットとしては、特に、Ｘ金属の酸化物、金属Ｐｄおよび金属Ａｇの粉末を混合し、焼結させたものを用いることが、生産性や形成された薄膜の組成の面内均一性や厚み制御の点で好ましい。上記ターゲットには、製造時に不可避に混入する不可避不純物が含まれ得る。しかし、本発明のスパッタリングターゲットの成分組成は、それら不可避に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容される。
　記録層の形成には、上記ターゲットを用いてスパッタリングを行う他、例えば、Ｘ金属ターゲット、金属Ｐｄターゲット（純Ｐｄ金属ターゲット）、および金属Ａｇターゲット（純Ａｇ金属ターゲット）を用い、これらを同時放電させて多元スパッタリングを行うことも挙げられる。
　本発明の光情報記録媒体は、上記優れた特性を示す記録層を有しているが、高温高湿環境下においても上記優れた特性を維持することのできる優れた耐久性を確保するには、記録層に隣接して誘電体層の形成されたものが好ましい。上記高温高湿環境下においては、レーザーを照射していない（即ち、記録を行っていない）部分の酸化Ｐｄや酸化Ａｇが徐々に還元して酸素を放出し、その結果、光学特性が変化し反射率の低下となって現れることが、耐久性の低下の原因として考えられる。しかし誘電体層を形成することで、酸化Ｐｄ（特には二酸化Ｐｄ）や酸化Ａｇの不要な分解を抑制して安定的に保持することができるものと思われる。
　上記「記録層に隣接して誘電体層を形成」の態様には、例えば、基板と記録層との間であって記録層に隣接して形成する場合、および／または、記録層と後述する光透過層との間であって記録層に隣接して形成する場合が挙げられる。
　上記誘電体層は、酸素バリア層として働くことによっても耐久性を向上させる。酸化Ｐｄや酸化Ａｇの分解で生じる酸素の逃散を防止することで、反射率の変化（特には反射率の低下）を防止でき、記録層として必要な反射率を確保することができるものと考えられる。
　更に誘電体層を形成することで記録特性を向上させることもできる。これは、誘電体層により入射したレーザーの熱拡散が最適に制御されて、記録部分における泡が大きくなりすぎたり、酸化Ｐｄの分解が進みすぎて泡が潰れるといったことが防止され、泡の形状を最適化できるためと考えられる。
　前記誘電体層の素材としては、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物が挙げられ、前記酸化物としては、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上の元素の酸化物（好ましくは、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、ＺｒおよびＺｎよりなる群から選択される１種以上の元素の酸化物）が挙げられる。前記窒化物としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＴｉおよびＺｎよりなる群から選択される１種以上の元素の窒化物（好ましくはＳｉおよび／またはＧｅの窒化物）が挙げられ、前記硫化物としてはＺｎ硫化物が挙げられる。前記炭化物としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物（好ましくはＳｉ、ＴｉおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物）、前記フッ化物としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａよりなる群から選択される１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、ＺｎＳ－ＳｉＯ２等が挙げられる。このうち好ましいのは、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇのいずれか１種以上を含む上記化合物（酸化物等）またはその混合物であり、より好ましくはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌのいずれか１種以上を含む上記化合物またはその混合物である。
　誘電体層の膜厚は、１～４０ｎｍとすることが好ましい。１ｎｍ未満では上記誘電体層の効果（特には、酸素バリアとしての効果）が十分発揮され難いおそれがあるためである。より好ましくは３ｎｍ以上である。一方、誘電体層の膜厚が厚すぎると、レーザー照射による記録層の変化が生じ難くなるおそれがあり、記録特性の低下をもたらすことがあるため好ましくない。よって誘電体層の膜厚は、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは３５ｎｍ以下である。
　本発明は、前記誘電体層の形成方法についてまで規定するものではないが、前記記録層と同じくスパッタリング法で形成することが好ましい。
　前記誘電体層をスパッタリング法で形成するにあたっては、スパッタリング条件として、Ａｒ流量を、例えば１０～１００ｓｃｃｍの範囲とし、下記の通り金属ターゲットを用いる場合には、酸化物層形成時の酸素流量を、例えば５～６０ｓｃｃｍの範囲、窒化物層形成時の窒素流量を、例えば５～８０ｓｃｃｍの範囲とすることが挙げられる。また、ガス圧を例えば０．１～１．０Ｐａの範囲、スパッタ電力を例えば０．５～５０Ｗ／ｃｍ２の範囲とすることが挙げられる。
　前記誘電体層の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、上記化合物（酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物）からなるターゲットの他、該化合物における酸素、窒素、硫黄、炭素、フッ素以外の構成元素を含む金属ターゲット（純金属や合金からなるターゲット）を用いることができる。
　本発明の光情報記録媒体は、上記記録層を備えている点に特徴を有しており、好ましくは更に誘電体層を備えているものである。上記記録層や誘電体層以外は、光情報記録媒体の分野に公知の構成を採用することができる。
　光情報記録媒体（光ディスク）として、その構造が、レーザーのガイド用の溝が刻まれた基板上に記録層が積層され、更にその上に光透過層を積層したものが挙げられる。
　例えば、前記基板の素材としては、ポリカーボネート樹脂、ノルボルネン系樹脂、環状オレフィン系共重合体、非晶質ポリオレフィンなどが挙げられる。また、前記光透過層としては、ポリカーボネートや紫外線硬化樹脂を用いることができる。光透過層の材質としては記録再生を行うレーザーに対して高い透過率を持ち、光吸収率が小さいことが好ましい。前記基板の厚さは、例えば０．５～１．２ｍｍとすることが挙げられる。また前記光透過層の厚さは、例えば０．１～１．２ｍｍとすることが挙げられる。
　本発明の記録層は、高い反射率を示し、記録層単独で優れた記録特性を示すものであるが、必要に応じて光ディスクとしての反射率をより高めるべく、基板と記録層との間に更に光学調整層を設けてもよい。前記光学調整層の素材としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等やそれらの合金などが例示される。また、前記光学調整層の厚さは、通常、完全反射膜としては、５０～１５０ｎｍ程度である。
　尚、上記では、記録層および光透過層がそれぞれ１層ずつ形成された１層光ディスクを示しているが、これに限定されず、記録層および光透過層が複数積層された２層以上の光ディスクであってもよい。
　前記記録層を複数備える場合には、記録層と必要に応じて積層される光学調整層や誘電体層からなる記録層群と別の記録層群との間に、例えば紫外線硬化樹脂等からなる透明中間層を有していてもよい。
　本発明の特徴は、前述した記録層（好ましくは、更に誘電体層）を採用した点にあり、この記録層や誘電体層以外の、基板や光透過層、更には光学調整層や透明中間層などの形成方法については特に限定されず、通常行われている方法で形成して、光情報記録媒体を製造すればよい。
　光情報記録媒体としてＣＤ、ＤＶＤ、またはＢＤが挙げられ、例えば波長が約３８０ｎｍから４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍの青色レーザー光を記録層に照射し、データの記録および再生を行うことが可能なＢＤ－Ｒが具体例として挙げられる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えて実施することも可能であり、それらは本発明の技術的範囲に包含される。
（１）光ディスクの作製
　ディスク基板として、ポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、該基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化Ｉｎ、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇからなる種々の記録層を形成した。記録層の膜厚は４０ｎｍとした。上記記録層は、純Ｉｎ金属ターゲット、純Ｐｄ金属ターゲット、および純Ａｇ金属ターゲットの３つのターゲット（表１のＮｏ．５、８は、このうちの２つのターゲット）の同時放電による多元スパッタリングを行って形成した。
　上記記録層形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０ｓｃｃｍ、酸素流量：１０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．４Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００～２００Ｗ、基板温度：室温とした。
　成膜した記録層の成分組成［Ｉｎ原子＋Ｐｄ原子＋Ａｇ原子に対する、Ｉｎ原子の比率（原子％）、Ｐｄ原子の比率（原子％）、Ａｇ原子の比率（原子％）］は、蛍光Ｘ線分析法またはＩＣＰ発光分析法により測定して求めた。
　次に表１のＮｏ．１～６、８については、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化Ｉｎターゲットを用い、誘電体層として酸化Ｉｎ層を１０ｎｍ形成した。この誘電体層形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．２Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００～２００Ｗ、基板温度：室温とした。
　次いで、誘電体層の上（Ｎｏ．７については記録層の上）に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ－８６４」）をスピンコートした後、紫外線を照射して膜厚約０．１ｍｍの光透過層を成膜し、光ディスクを得た。
　尚、表１のＮｏ．６は、上記記録層の形成に、ターゲットとして純Ｉｎ金属ターゲット、純Ｐｄ金属ターゲット、および純Ｃｕ金属ターゲットの３つのターゲットを用いてスパッタリングを行い、酸化Ｉｎ、酸化Ｐｄおよび酸化Ｃｕからなる記録層を形成した。
（２）光ディスクの評価
　作製した光ディスクについて下記の通り評価した。即ち、光ディスク評価装置（パルステック工業社製「ＯＤＵ－１０００」）を用い、記録レーザー中心波長は４０５ｎｍとし、ＮＡ（開口数）：０．８５のレンズを用いた。下記に示す反射率は、上記装置を用い、レーザーをトラック上に照射し、光ディスクにおける未記録部分のレーザー光の戻り光強度から求めた。
　上記光ディスク評価装置を用いて、線速：４．９２ｍ／ｓ、基準クロック：６６ＭＨｚの条件で、２Ｔから８Ｔのランダム信号を種々の記録レーザーパワー（記録パワー）で記録した。そして、横河電機社製タイムインターバルアナライザーＴＡ８１０を用いて測定したジッター値（再生レーザーパワー０．３ｍＷでの記録再生時の再生信号の時間軸上のゆらぎを示す値）が最小となる記録レーザーパワー（記録パワー）を求めた（ジッター最小値および記録パワーは表１に示す通りである）。
　このジッターが最小となる記録パワーでの変調度（反射率の変化率）を下記式（１）から求め、上記ジッター最小値が７％未満で、かつこの変調度が０．４０以上であるものを合格とした。
　変調度（反射率の変化率）＝（未記録部分の反射率－記録部分の反射率）／（未記録部分の反射率） …（１）
　これらの結果を表１に併記する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１より、本発明で規定する成分組成を満たす記録層（Ｎｏ．１～４、７）は、変調度が高く、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れていることがわかる。
　これに対し、本発明で規定する成分組成を満たさないＮｏ．５や６は、変調度が低く記録感度に劣るものとなった。またＮｏ．８は、変調度は高いものの、ジッター最小値が比較的大きくなった。
　本出願を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　本出願は、2009年9月18日出願の日本特許出願（特願2009－217351）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明によれば、実用的な比較的低い記録レーザーパワーで高変調度を達成できる光情報記録媒体用記録層（特には、追記型光情報記録媒体用記録層）、および該記録層を備えた光情報記録媒体（特には、追記型光情報記録媒体）を提供することができる。また、本発明によれば、上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することができる。

Claims (9)

  1. 　レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録層であって、
    　酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きいＸ金属の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０～６０原子％、Ａｇ原子の比率が５～４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量の比率が７５原子％以下である光情報記録媒体用記録層。
  2. 　前記Ｘ金属が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
  3. 　前記Ｘ金属がＩｎである請求項２に記載の光情報記録媒体用記録層。
  4. 　レーザー光の照射された部分に気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の記録層を備える光情報記録媒体。
  6. 　前記記録層に隣接して形成される誘電体層を備える請求項５に記載の光情報記録媒体。
  7. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の光情報記録媒体用記録層形成用のスパッタリングターゲットであって、
    　スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０～６０原子％、Ａｇ原子の比率が５～４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量の比率が７５原子％以下であるスパッタリングターゲット。
  8. 　前記Ｘ金属が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項７に記載のスパッタリングターゲット。
  9. 　前記Ｘ金属がＩｎである請求項８に記載のスパッタリングターゲット。
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