JP2011084804A - 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット - Google Patents
金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011084804A JP2011084804A JP2010028094A JP2010028094A JP2011084804A JP 2011084804 A JP2011084804 A JP 2011084804A JP 2010028094 A JP2010028094 A JP 2010028094A JP 2010028094 A JP2010028094 A JP 2010028094A JP 2011084804 A JP2011084804 A JP 2011084804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- metal
- oxide
- powder
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】スパッタリングターゲットは、金属酸化物Aと、金属Bとを含む複合スパッタリングターゲットであって、金属酸化物の円相当直径の最大値が低く粒度調整された原料粉末の焼結により、前記金属酸化物Aの円相当直径の最大値が200μm以下に制御されている。前記金属酸化物Aは凝集していても良い。
【選択図】図1
Description
2の誘電体層と、Cuからなる第2の反応層と、Siからなる第1の反応層と、ZnSとSiO2の混合物からなる第1の誘電体層を順次スパッタ法により形成した旨記載されているが、スパッタ法の詳細は全く記載されていない。
まず、測定対象となるスパッタリング面を用意する。ここでは、金属酸化物Aの円相当直径を測定し易いように、スパッタリングターゲットをスパッタリング面と平行する面で切断し、測定対象となるスパッタリング面を露出させる。測定対象は、スパッタリングターゲット表面近傍、好ましくはターゲット最表面の切断面を測定対象とする。
ましい。なお、金属のなかには、例えば、WやCoのように、金属酸化物Aとして使用しても良いし、金属Bとして使用しても良いものもある。後記する実施例に示すように、本発明では、WおよびCoを、いずれの形態でも使用している。
(1)混合機について
(1a)せん断作用を有する混合機の使用
混合工程に用いられる混合機は、攪拌羽根付きV型混合機、内設羽根付き水平円筒型混合機などのように、原料粉末のせん断作用を有する混合機を用いて混合することが好ましい。混合機に設置された攪拌羽根や内設羽根などにより、金属酸化物Aが凝集したとしても凝集部分(凝集相)が解砕されるため、原料粉末の凝集が抑制されるからである。
あるいは、本発明では、せん断作用を有しない通常の混合機[V型混合機(Vミキサー)、水平円筒型混合機など]を用いることもできる。この場合は、後記(2)に記載するように、金属酸化物Aについて、混合前に原料粉末(金属酸化物A)の粒度分布を適切に制御しておくことが好ましく、これにより、金属酸化物Aの円相当直径の最大値が適切に制御されたスパッタリングターゲットを得ることができる(後記する実施例を参照)。
あるいは、本発明では、ボールミルや振動ミルなどのミルを混合機として用いることもできる。ミルは通常、原料粉末を砕くのに用いられるが、本発明では、原料粉末の解砕と混合を兼ねてミルを用いることができる。ミルを用いて混合する場合は、湿式下で行なうことが好ましく、これにより、金属酸化物Aの円相当直径の最大値を、所定範囲に低く抑えることができる(後記する実施例を参照)。ここで、湿式下とは、水などの溶媒存在下で混合することを意味する。混合条件は特に限定されず、金属酸化物Aの円相当直径の最大値が200μmを超えないように、原料粉末の種類や量、ミルの種類などに応じて、適宜適切に設定すれば良い。具体的には、例えば、原料粉末とアルミナボールと水を、ボールミルに投入し、所定時間混合した後、取り出して乾燥し、好ましくは乳鉢内ですりつぶす等して粗粉砕を行い、36メッシュの篩にかけてから、焼結工程に供することが好ましい。
特に金属酸化物Aについて、混合前に粗大な粉末を除去して粒度分布を適切に制御する目的で、所定サイズの篩にかけ、篩を通ったもののみを混合することが好ましい。具体的には、金属酸化物Aについて、例えば、100メッシュ(=篩の目のサイズ150μm)の篩を用い、金属酸化物Aの円相当直径の平均値を、おおむね、150μm以下に制御しておくことが好ましい。
上記のようにして得られた混合粉末を焼結する。焼結方法としては、HIP(Hot Isostatic Pressing)、ホットプレスなどが挙げられるが、後記する実施例に記載の放電プラズマ焼結を行なうことが好ましい。放電プラズマ焼結法は、混合粉末を加圧しながら直流パルス電流を流し、粉末間で放電プラズマを発生させて焼結を行なう方法であり、短時間(数分程度)で焼結でき、取り扱いが容易であるなどの利点を有している。放電プラズマ焼結法の具体的な条件は、原料粉末の種類や量などによって相違するため、予備実験で加熱温度を決定する。また、密度を高くするためには、加圧力は高いほうがよく、おおむね、40〜50MPaの範囲内に制御することが好ましい。
上記のようにして得られた焼結体を機械加工することによってスパッタリングターゲットを製造する。機械加工方法としては、旋盤やフライス盤などを用いた機械加工が挙げられるが,後記する実施例に記載のNC旋盤を用いた機械加工が好ましい。
表1に示す様々な組成の金属酸化物A−金属Bを含む複合スパッタリングターゲット(No.1〜14)について、表1に記載の方法で混合した後、焼結し、機械加工を行って製造した。
原料粉末として、酸化In粉末(稀産金属製酸化In、純度99.9%、平均粒径7.3μm、標準偏差SD1.0μm)およびPd粉末(石福金属製、平均粒径2.0μm、標準偏差SD0.5μm)を用意した。
No.1において、原料粉末として、酸化In粉末の代わりに酸化Zn粉末(本庄ケミカル製酸化Zn:純度99.7%、平均粒径4.5μm、標準偏差SD1.1μm)を用い、酸化Zn粉末とPd粉末の混合量を、酸化Zn粉末:244g、Pd粉末:156 gとしたこと以外は、No.1と同様にして、No.2のスパッタリングターゲットを製造した。
原料粉末として、No.1に用いた酸化In粉末およびPd粉末のほかに、更にAg粉末(徳力化学製、純度99.9%、平均粒径10μm、標準偏差SD1.0μm)を用意した。このうち酸化In粉末は、No.1と同様、予め、100メッシュの篩を用いて粗大なものを除去し、篩を通過したもののみを用いた。
原料粉末として、No.1に用いた酸化In粉末およびPd粉末のほかに、更にW粉末(和光純薬製、純度99.9%、平均粒径3.5μm、標準偏差SD0.8μm)を用意した。このうち酸化In粉末は、No.1と同様、予め、100メッシュの篩を用いて粗大なものを除去し、篩を通過したもののみを用いた。
原料粉末として、酸化Zn粉末(No.2と同じ)、酸化W粉末(和光純薬製酸化W、純度99.9%、平均粒径6.5μm、標準偏差SD1.4μm)、およびNo.1に用いたPd粉末を用意した。
原料粉末として、No.1に用いた酸化In粉末およびPd粉末を用意した。
原料粉末として、酸化Bi粉末(三津和化学製酸化Bi、純度99.99%、平均粒径7.5μm、標準偏差SD1.1μm)、Co粉末(UMICORE製、純度99.9%、平均粒径10μm、標準偏差SD2.0μm)、およびGe粉末(和光純薬製、純度99.99%、平均粒径11μm、標準偏差SD2.4μm)を用意した。
原料粉末として、酸化Sn粉末(三津和化学製酸化Sn、純度99.9%、平均粒径5.0μm、標準偏差SD1.1μm)、並びにNo.3に用いたPd粉末およびAg粉末を用意した。このうち酸化Sn粉末は、予め、100メッシュの篩を用いて粗大なものを除去し、篩を通過したもののみを用いた。
原料粉末として、No.5に用いた酸化Zn粉末と、酸化Co粉末(三津和化学製酸化Co、純度99.9%、平均粒径6.3μm、標準偏差SD1.3μm)と、No.1に用いたPd粉末と、Cu粉末(山石金属製、純度99.9%、平均粒径12μm、標準偏差SD2.3μm)を用意した。
原料粉末として、No.7に用いた酸化Bi粉末と、酸化Ge粉末(稀産金属製酸化Ge、純度99.99%、平均粒径7μm、標準偏差SD1.0μm)と、No.1に用いたPd粉末を用意した。このうち酸化Bi粉末および酸化Ge粉末は、予め、100メッシュの篩を用いて粗大なものを除去し、篩を通過したもののみを用いた。
原料粉末として、No.2に用いた酸化Zn粉末と、No.1に用いたPd粉末、No.9に用いたCu粉末を用意した。
原料粉末として、No.1に用いた酸化In粉末と、No.1に用いたPd粉末を用意した。
原料粉末として、No.2に用いた酸化Zn粉末と、No.1に用いたPd粉末を用意した。
原料粉末として、酸化In粉末(No.1と同じ)、酸化Zn粉末(No.2と同じ)、酸化Al粉末(三津和化学酸化Al、純度99.99%、平均粒径0.3μm、標準偏差SD0.1μm)およびPd粉末(No.1と同じ)を用意した。
上記のスパッタリングターゲットをスパッタリング装置(島津製作所製のスパッタリングシステム「HSR−542S」)に取り付け、DCマグネトロンスパッタリングを行なった。このとき、スパッタリング装置の電源に接続したアークモニター(ランドマークテクノロジー製のマイクロアークモニター「MAM Genesis」計測器)によって異常放電(アーキング)の発生回数を測定した。なお、DCマグネトロンスパッタリングの条件は、Ar流量:10sccm、酸素流量:10sccm、ガス圧:0.4Pa、DCスパッタリングパワー:200W、基板温度:室温とした。
また、上記のスパッタリングターゲットをスパッタリング装置(島津製作所製のスパッタリングシステム「HSR−542S」)に取り付け、DCマグネトロンスパッタリングを行なうにあたり、スパッタリングチャンバーを背圧0.27×10-3Paまで真空引きを行なう。相対密度が低い場合は、スパッタリングターゲット中の気孔に存在するガスが放出され、この真空引きに長い時間を要する。そこで、所定の背圧に達するまでの真空引き時間を測定した。
Claims (6)
- 金属酸化物Aと、金属Bとを含む複合スパッタリングターゲットであって、前記金属酸化物Aは凝集していても良く、前記金属酸化物Aの円相当直径の最大値が200μm以下に制御されていることを特徴とする金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット。
- 相対密度が92%以上である請求項1に記載の金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物Aを構成する金属AMと、前記金属Bは、同一または異なっていても良いものである請求項1または2に記載の金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物Aは、酸化In、酸化Bi、酸化Zn、酸化W、酸化Sn、酸化Co、酸化Ge、および酸化Alよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項1〜3のいずれかに記載の金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット。
- 前記金属Bは、Pd、Ag、W、Cu、Ge、Co、およびAlよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項1〜4のいずれかに記載の金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット。
- 光情報記録媒体用記録層の形成に用いられるものである請求項1〜5のいずれかに記載の金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010028094A JP2011084804A (ja) | 2009-09-18 | 2010-02-10 | 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット |
PCT/JP2010/065988 WO2011034110A1 (ja) | 2009-09-18 | 2010-09-15 | 金属酸化物-金属複合スパッタリングターゲット |
US13/496,899 US20120181172A1 (en) | 2009-09-18 | 2010-09-15 | Metal oxide-metal composite sputtering target |
CN2010800410699A CN102498233A (zh) | 2009-09-18 | 2010-09-15 | 金属氧化物-金属复合溅射靶 |
EP10817223.0A EP2479312B1 (en) | 2009-09-18 | 2010-09-15 | Metal oxide-metal composite sputtering target |
TW099131641A TW201125999A (en) | 2009-09-18 | 2010-09-17 | Metal oxide-metal composite sputtering target |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217750 | 2009-09-18 | ||
JP2010028094A JP2011084804A (ja) | 2009-09-18 | 2010-02-10 | 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011084804A true JP2011084804A (ja) | 2011-04-28 |
Family
ID=43758711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010028094A Pending JP2011084804A (ja) | 2009-09-18 | 2010-02-10 | 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120181172A1 (ja) |
EP (1) | EP2479312B1 (ja) |
JP (1) | JP2011084804A (ja) |
CN (1) | CN102498233A (ja) |
TW (1) | TW201125999A (ja) |
WO (1) | WO2011034110A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011065730A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
JP2011065731A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
JP2012246574A (ja) * | 2012-09-18 | 2012-12-13 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
RU2515600C2 (ru) * | 2011-11-29 | 2014-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения наноструктурного покрытия |
RU2515733C2 (ru) * | 2011-11-30 | 2014-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Наноструктурное покрытие |
RU2521914C2 (ru) * | 2011-11-29 | 2014-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Износостойкое наноструктурное покрытие |
RU2608156C2 (ru) * | 2014-12-17 | 2017-01-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения нанокомпозитного металл-керамического покрытия с заданным значением микротвердости на поверхности полированной ситалловой пластины |
US9660127B2 (en) | 2011-04-29 | 2017-05-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target and method for producing same |
JP2022048423A (ja) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | Jx金属株式会社 | Cu-W-Oスパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5485091B2 (ja) | 2010-09-16 | 2014-05-07 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
TWI727322B (zh) * | 2018-08-09 | 2021-05-11 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 濺鍍靶及磁性膜 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09279334A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-28 | Tosoh Corp | クロム系スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2005135568A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット |
JP2006045587A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
JP2007169779A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 |
JP2008254245A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体及びスパッタリングターゲット |
JP2009102707A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2009228061A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲット |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3029178B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体太陽電池の製造方法 |
CN1120899C (zh) * | 1997-11-27 | 2003-09-10 | 中南工业大学 | 制造氧化铟/氧化锡溅射靶材的方法 |
JP2001236643A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
JP3752177B2 (ja) | 2000-12-18 | 2006-03-08 | 松下電器産業株式会社 | 追記型光学的情報記録媒体、その製造方法 |
JP2003041305A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 超微粒子、並びに、その製造方法及び製造装置 |
JP2003203383A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Tdk Corp | 追記型光記録媒体及び光記録方法 |
JP4216518B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-01-28 | 株式会社神戸製鋼所 | カソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲットおよびその製造方法 |
CN1918672B (zh) * | 2004-03-09 | 2012-10-03 | 出光兴产株式会社 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法 |
US20070029186A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Alexey Krasnov | Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using inorganic protective layer during tempering and product made using same |
US7488526B2 (en) * | 2005-11-22 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor |
JP5222281B2 (ja) * | 2006-04-06 | 2013-06-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ラージエリア基板への酸化亜鉛透明導電性酸化物の反応性スパッタリング |
JP4888731B2 (ja) | 2008-03-12 | 2012-02-29 | 日本電気株式会社 | コンピュータシステム、入出力優先度制御方法、及びプログラム |
JP5385002B2 (ja) | 2008-06-16 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
EP2326742B8 (de) * | 2008-08-17 | 2018-12-26 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Verwendung eines targets für das funkenverdampfen und verfahren zum herstellen eines für diese verwendung geeigneten targets |
PL2166128T3 (pl) * | 2008-09-19 | 2012-05-31 | Oerlikon Trading Ag | Sposób wytwarzania powłok z tlenków metali przez naparowywanie łukowe |
-
2010
- 2010-02-10 JP JP2010028094A patent/JP2011084804A/ja active Pending
- 2010-09-15 US US13/496,899 patent/US20120181172A1/en not_active Abandoned
- 2010-09-15 CN CN2010800410699A patent/CN102498233A/zh active Pending
- 2010-09-15 WO PCT/JP2010/065988 patent/WO2011034110A1/ja active Application Filing
- 2010-09-15 EP EP10817223.0A patent/EP2479312B1/en not_active Not-in-force
- 2010-09-17 TW TW099131641A patent/TW201125999A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09279334A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-28 | Tosoh Corp | クロム系スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2005135568A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット |
JP2006045587A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
JP2007169779A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 |
JP2008254245A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体及びスパッタリングターゲット |
JP2009102707A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2009228061A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲット |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6014040273; 日本金属学会: 金属データブック 改訂2版, 19840130, 90, 丸善株式会社 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011065730A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
JP2011065731A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
US9660127B2 (en) | 2011-04-29 | 2017-05-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target and method for producing same |
RU2515600C2 (ru) * | 2011-11-29 | 2014-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения наноструктурного покрытия |
RU2521914C2 (ru) * | 2011-11-29 | 2014-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Износостойкое наноструктурное покрытие |
RU2515733C2 (ru) * | 2011-11-30 | 2014-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Наноструктурное покрытие |
JP2012246574A (ja) * | 2012-09-18 | 2012-12-13 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
RU2608156C2 (ru) * | 2014-12-17 | 2017-01-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения нанокомпозитного металл-керамического покрытия с заданным значением микротвердости на поверхности полированной ситалловой пластины |
JP2022048423A (ja) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | Jx金属株式会社 | Cu-W-Oスパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
JP7162647B2 (ja) | 2020-09-15 | 2022-10-28 | Jx金属株式会社 | Cu-W-Oスパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102498233A (zh) | 2012-06-13 |
WO2011034110A1 (ja) | 2011-03-24 |
US20120181172A1 (en) | 2012-07-19 |
EP2479312A1 (en) | 2012-07-25 |
TW201125999A (en) | 2011-08-01 |
EP2479312A4 (en) | 2015-06-17 |
EP2479312B1 (en) | 2017-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2011034110A1 (ja) | 金属酸化物-金属複合スパッタリングターゲット | |
KR101967945B1 (ko) | Sb-Te기 합금 소결체 스퍼터링 타깃 | |
JP6526837B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP4708361B2 (ja) | Sb−Te系合金焼結体スパッタリングターゲット | |
TWI564416B (zh) | Magnetic sputtering target for magnetic recording film | |
CN102482765B (zh) | 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶 | |
KR101249153B1 (ko) | 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법 | |
JP2005533182A (ja) | ホウ素/炭素/窒素/酸素/ケイ素でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法 | |
SG172295A1 (en) | Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target | |
JP2008179892A (ja) | AlRuスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2006144124A (ja) | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット | |
US20130206591A1 (en) | Sputtering Target for Magnetic Recording Film and Method for Producing Same | |
WO2008044626A1 (en) | Sb-Te BASE ALLOY SINTER SPUTTERING TARGET | |
WO1997037801A1 (en) | Single phase tungsten-titanium sputter targets and method of producing same | |
JP4422574B2 (ja) | セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP4468461B2 (ja) | セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材の製造方法 | |
CN111183244B (zh) | 强磁性材料溅射靶 | |
TW202130841A (zh) | 濺鍍靶材之製造方法 | |
JP4758522B1 (ja) | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP5249963B2 (ja) | セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲット | |
TWI680198B (zh) | 強磁性材料濺射靶及其製造方法與磁記錄膜的製造方法 | |
JP2009228061A (ja) | パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲット | |
JP5601920B2 (ja) | Fe/Co−Pt系焼結合金の製造方法 | |
JP2007291512A (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2020147822A (ja) | MgO−TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150729 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151208 |