JP2001236643A - 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録媒体のグラニュラー磁性層を成膜す
る時に生じる異常放電、およびそれに伴う磁気記録媒体
上への異物の発生を抑制するためのスパッタリングター
ゲット、該ターゲットを用いた磁気記録媒体の製造方
法、および該製造方法によって得られる磁気記録媒体の
提供。 【解決手段】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地
層、磁性層、保護層を順次積層してなる磁気記録媒体の
前記磁性層を成膜する時に使用する磁気記録媒体製造用
スパッタリングターゲットであって、前述のスパッタリ
ングターゲットは、金属と酸化物との混合体からなり、
および前記スパッタリングターゲット中の酸化物の粒径
が１０μｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載され
る磁気記録媒体の磁性層を成膜する時に使用される磁気
記録媒体製造用のスパッタリングターゲットに関してお
り、さらに該スパッタリングターゲットを用いた磁気記
録媒体の製造方法、および該製造方法によって製造され
た磁気記録媒体に関する。
【０００２】以下、「スパッタリングターゲット」を単
に「ターゲット」という。
【０００３】
【従来の技術】高い記録密度と低ノイズが要求される磁
気記録媒体に対し、従来から種々の磁性層の組成および
構造、ならびに非磁性下地層の材料等が提案されてい
る。特に近年、一般にグラニュラー磁性層と呼ばれる、
磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金
属物質で囲んだ構造をもつ磁性層が提案されている。
【０００４】グラニュラー磁性層は、非磁性非金属の粒
界相が磁性粒子を物理的に分離するため、磁性粒子間の
磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生
じるジグザグ磁壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性
が得られると考えられている。
【０００５】グラニュラー磁性層を用いる例としては、
特開平８−２５５３４２号および米国特許第５，６７
９，４７２号などがある。特開平８−２５５３４２号に
は非磁性膜・強磁性膜・非磁性膜を順次積層した後、加
熱処理を行うことにより非磁性膜中に強磁性の結晶粒が
分散したグラニュラー記録層を形成することで、低ノイ
ズ化を図ることが提案されている。この場合、非磁性膜
としてはシリコン酸化物や窒化物等が用いられている。
【０００６】また米国特許第５，６７９，４７３号に
は、ＳｉＯ2等の酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔター
ゲットを用い、ＲＦスパッタリングを行うことで、磁性
結晶粒が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離した構造
を持つグラニュラー記録層が形成でき、高いＨｃ（保磁
力）と低ノイズ化が実現されることが記載されている。
米国特許第５，６７９，４７３号に記載された、ＳｉＯ
2等の酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔターゲットを用
い、ＲＦスパッタリングを行ってグラニュラー磁性層を
成膜する方法は、加熱処理等の加工を経ずに磁気記録媒
体を製造できるために、量産性に優れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸化物
が金属中に分散したターゲットをスパッタリングする
と、絶縁物である酸化物粒子が特にスパッタ放電開始時
に帯電してしまうことによる異常放電が生じやすい。異
常放電が発生すると、ターゲットの表面が部分的に加熱
され、溶融して飛翔することにより、対向して配置され
ている磁気記録媒体上に数μｍの大きさの酸化物の粒子
が付着する場合がある。
【０００８】このように磁気記録媒体上に酸化物粒子が
付着した場合、その粒子がヘッドと衝突するという不具
合を生じる。またそれを防ぐために、スパッタ成膜した
媒体を例えばクリーニングテープで摺動する等により粒
子の除去を行うと、粒子と共に磁性層や保護層も剥離し
てしまい、信号欠陥や腐食などの問題を引き起こしてし
まう。
【０００９】また、日本特許第２９４８０１９号には、
絶縁性物質と導電性物質の混合物を焼結してなるスパッ
タ用ターゲットを用いてスパッタを行った場合に生じる
異常放電を解決するために、絶縁性物質の粒径を２０μ
ｍ以下にするとの記載がある。しかし、このスパッタ用
ターゲットは、薄膜サーマルヘッドの発熱抵抗体薄膜を
成膜するときに使うものであり、磁気記録媒体の磁性層
を成膜するときは、その磁気特性などから使用できるか
どうかはわからなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような異常放電と磁
気記録媒体への酸化物粒子付着を防止するために鋭意検
討した結果、磁性層を設けるためのターゲットに含まれ
る酸化物の粒径を制御することで、異常放電が抑制さ
れ、磁気記録媒体への酸化物粒子の付着がなくなること
が見いだされた。
【００１１】具体的には本発明における磁気記録媒体製
造用スパッタリングターゲットは、非磁性基体上に少な
くとも非磁性下地層、磁性層、および保護層を順次積層
してなる磁気記録媒体の前述の磁性層を成膜する時に使
用され、該スパッタリングターゲットは、金属と酸化物
との混合体からなり、該スパッタリングターゲット中の
酸化物の粒径が１０μｍ以下である。好ましくはこのス
パッタリングターゲット中の酸化物の粒径は５μｍ以下
である。
【００１２】ここで、前述のスパッタリングターゲット
は、少なくともＣｏおよびＰｔを含む合金と、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ａｌ、およびＣｒよりなる群から選択された
少なくとも１つの酸化物とからなる混合体であることが
好ましい。
【００１３】また、本発明における非磁性基体上に少な
くとも非磁性下地層、磁性層、および保護層を順次積層
してなる磁気記録媒体の製造方法は、前述のスパッタリ
ングターゲットをＲＦスパッタすることによって前述の
磁性層を形成する工程を具えている。
【００１４】また、本発明の製造方法によって製造され
た、非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層、磁性層、
および保護層を順次積層してなる磁気記録媒体は、磁性
層がＣｏを含有して強磁性を有する結晶粒を酸化物粒界
が取り巻いた構造をもつグラニュラー磁性層であり、タ
ーゲット中の酸化物の粒子に起因して発生する０．０５
μｍ以上の大きさを有する媒体上の欠陥が存在しない。
【００１５】上記のスパッタリングターゲットをＲＦス
パッタすることによって成膜することで、優れた磁性特
性、電磁変換特性を有するグラニュラー磁性層が単純な
工程によって形成でき、かつ酸化物粒子の磁気記録媒体
への付着という問題も起こさない。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、図を参照
しながらより詳細に説明する。
【００１７】本発明のスパッタリングターゲットは、図
１に記載された本発明の一例である磁気記録媒体の磁性
層を成膜する時に使用されるものである。図１は、本発
明の一例を示す磁気記録媒体の断面略図である。１は非
磁性基体、２は非磁性下地層、３は磁性層、特にグラニ
ュラー磁性層、４は保護層、５は液体潤滑剤層を表す。
【００１８】図１に示す磁気記録媒体は、非磁性基体１
の上に非磁性下地層２を設ける工程と、該非磁性下地層
２の上に磁性層３を設ける工程と、該磁性層３の上に保
護層４を設ける工程と、該保護層４の上に液体潤滑剤層
５を設ける工程とを具える製造方法によって得られる。
【００１９】非磁性下地層２の上に磁性層３を設ける工
程は、酸化物を含むターゲットをスパッタする工程であ
る。本発明では、磁気記録媒体への酸化物粒子の付着を
抑制するため、ターゲット中の酸化物の粒径を１０μｍ
以下にすることが重要であり、ターゲット中の酸化物の
粒径を５μｍ以下にすると完全に酸化物粒子の付着を抑
制することができる。
【００２０】このとき使用できるターゲットは、所望の
磁気特性および電磁変換特性の得られる組成のターゲッ
トであればよいが、強磁性金属部分の組成としては少な
くともＣｏとＰｔとを含む合金が望ましい。またその合
金に添加する酸化物としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａ
ｌ、およびＣｒよりなる群から選択された少なくとも１
つの酸化物であることが望ましい。
【００２１】本発明は上述したように磁性層３を設ける
時に用いるターゲットに添加された酸化物の粒径を小さ
くすることで、特にスパッタ放電開始時に見られる酸化
物の帯電の度合いが低下し、異常放電を起こさないレベ
ルとなる。そのため、酸化物粒子が磁性層の成膜中に磁
性層の表面に付着することもなくなる。つまり、本発明
におけるターゲットを用いて磁性層を成膜した磁気記録
媒体は、媒体上に酸化物の粒子に起因して発生する０．
０５μｍ以上の大きさを有する媒体上の欠陥が存在しな
い。
【００２２】
【実施例】［実施例１］非磁性基体１として表面が平滑
な結晶化ガラス基板（（株）オハラ社製ＴＳ−１０結晶
化ガラス基板、３．５インチ（８８．９ｍｍ）、厚さ
０．８ｍｍ）を複数枚用意し、これらを洗浄後スパッタ
装置内に導入し、それぞれに膜厚１５ｎｍの純Ｃｒ下地
層２を成膜した。
【００２３】次いで、（ＣｏＣｒ12Ｐｔ12）95−（Ｓｉ
Ｏ2）5ターゲットをＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＲＦス
パッタを行い、膜厚２０ｎｍのグラニュラー磁性層３を
成膜した。このとき用いた磁性層を成膜するためのター
ゲットとして、粒径の異なるＳｉＯ2粒子を含むターゲ
ットを用いた。
【００２４】さらにこれらに膜厚１０ｎｍのカーボン保
護層４を積層した後、真空中から取り出した。その後、
それぞれに液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、液体潤滑
剤層５を形成した。このようにして、図１に示すような
構成の磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基
体加熱は行っていない。
【００２５】図２は、使用したターゲット表面のＳＥＭ
（走査電子顕微鏡）像であり、図２（ａ）は粒径が５μ
ｍ以下のＳｉＯ2粒子を含んだターゲットの表面であ
り、図２（ｂ）は粒径が５０μｍ超のＳｉＯ2粒子を含
んだターゲットの表面である。これらは、ターゲットの
中のＳｉＯ2量が５％と等しいにもかかわらず、（ａ）
と（ｂ）とではＳｉＯ2の粒径が大きく異なることがわ
かる。
【００２６】図３に、図２（ｂ）に示した粒径が５０μ
ｍ超のＳｉＯ2粒子を含んだターゲットを用いて磁気記
録媒体を作製した時の、磁気記録媒体表面に付着した異
物のＳＥＭ像を示す。図４には、図３に示された異物の
ＥＤＸ（エネルギー分散性Ｘ線回折）による分析結果を
示す。異物はＳｉＯxであり、１０μｍ程度の大きさで
あることが分かる。
【００２７】上述のようにして得られた各磁気記録媒体
において、磁気記録媒体上に付着した異物数を、光学式
の外観検査装置を用いて測定した。表１に、磁性層を成
膜する時に用いられたターゲットに含まれるＳｉＯ2の
粒径と、磁気記録媒体上に付着した異物数を、１０枚の
平均値として示した。比較のため、ＳｉＯ2の添加され
ていないターゲットを用いた場合も示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１からわかるように、ＳｉＯ2粒径が１
０μｍ超では、磁気記録媒体上に多数の異物が検出され
ているが、それ以下の粒径では異物の数が急激に減少
し、粒径５μｍ以下ではほとんど検出されない。このよ
うに、ターゲットに添加されたＳｉＯ2の粒径を制御す
ることで、媒体への異物付着が防げることがわかる。
【００３０】［実施例２］磁性層ターゲットとして、粒
径の異なる（ＣｏＣｒ7Ｐｔ12）97−（Ｃｒ2Ｏ3）3ター
ゲットを用いた以外は実施例１に記載したのと全く同様
にして、磁気記録媒体を作製した。
【００３１】得られた各磁気記録媒体において、磁気記
録媒体上に付着した異物数を、光学式の外観検査装置を
用いて測定した。表２に、磁性層を成膜する時に用いら
れたターゲットに含まれるＣｒ2Ｏ3の粒径と、磁気記録
媒体上に付着した異物数を、１０枚の平均値として示し
た。比較のため、Ｃｒ2Ｏ3の添加されていないターゲッ
トを用いた場合も示した。
【００３２】
【表２】
【００３３】表２から、表１に示したＳｉＯ2添加ター
ゲットの場合と同様に、Ｃｒ2Ｏ3粒径が１０μｍ超で
は、磁気記録媒体上に多数の異物が検出されているが、
それ以下の粒径では異物の数が急激に減少し、粒径５μ
ｍ以下ではほとんど検出されないことが分かる。
【００３４】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
グラニュラー磁性層を成膜する際に使用する、強磁性合
金中に酸化物が添加されたターゲットに関し、その酸化
物の粒径を１０μｍ以下、望ましくは５μｍ以下に制御
することで、スパッタ中の異常放電が抑制されると共に
酸化物粒子の媒体への付着を抑制することができる。こ
のような制御されたターゲットをＲＦスパッタ成膜して
グラニュラー磁性層を形成することで、単純な工程によ
り欠陥や腐食などの発生しない優れた磁気記録媒体を製
造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明による磁気記録媒体の断面略図
である。
【図２】図２は、使用したターゲット表面のＳＥＭ像で
あり、（ａ）はＳｉＯ2の粒径が１０μｍ以下のターゲ
ットであり、（ｂ）はＳｉＯ2の粒径が５０μｍを超え
るターゲットを表す顕微鏡写真である。
【図３】図３は、図２（ｂ）に示したＳｉＯ2の粒径が
５０μｍを超えるターゲットを用いて磁性膜を成膜した
時の、磁気記録媒体表面に付着した異物のＳＥＭ像を表
す顕微鏡写真である。
【図４】図４は、図２（ｂ）に示したＳｉＯ2の粒径が
５０μｍを超えるターゲットを用いて磁気記録媒体を作
製した時の、磁気記録媒体表面に付着した異物のＥＤＸ
による分析結果を示す図である。
【符号の説明】 １ 非磁性基体 ２ 非磁性下地層 ３ 磁性層 ４ 保護層 ５ 液体潤滑剤層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA24 BA43 BA46 BD11 CA05 DC04 DC05 DC07 DC35 FA07 GA03 5D006 BB01 BB07 BB09 EA03 5D112 AA05 BB05 FA04 FB02 5E049 AA04 CC08 DB04 GC02

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地
    層、磁性層、および保護層を順次積層してなる磁気記録
    媒体の前記磁性層を成膜する時に使用する磁気記録媒体
    製造用スパッタリングターゲットであって、 前記スパッタリングターゲットが、金属と酸化物との混
    合体からなること、および前記スパッタリングターゲッ
    ト中の酸化物の粒径が１０μｍ以下であることを特徴と
    するスパッタリングターゲット。
  2. 【請求項２】 前記スパッタリングターゲットは、少な
    くともＣｏおよびＰｔを含む合金と、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
    ｒ、Ａｌ、およびＣｒよりなる群から選択された少なく
    とも１つの酸化物とからなる混合体であることを特徴と
    する請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
  3. 【請求項３】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地
    層、磁性層、および保護層を順次積層してなる磁気記録
    媒体の製造方法であって、 請求項１または２のいずれかに記載のスパッタリングタ
    ーゲットをＲＦスパッタすることによって前記磁性層を
    形成する工程を具えることを特徴とする磁気記録媒体の
    製造方法。
  4. 【請求項４】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地
    層、磁性層、および保護層を順次積層してなる磁気記録
    媒体であって、 前記磁性層がＣｏを含有して強磁性を有する結晶粒を酸
    化物粒界が取り巻いた構造をもつグラニュラー磁性層で
    あること、前記磁性層が請求項１または請求項２のいず
    れかに記載のスパッタリングターゲットをＲＦスパッタ
    することによって得られること、および前記酸化物の粒
    子による０．０５μｍ以上の大きさを有する欠陥が磁気
    記録媒体の表面上に存在しないことを特徴とする磁気記
    録媒体。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007114356A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Mitsubishi Materials Corporation 垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2007116834A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsubishi Materials Corporation パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、および磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP2007291512A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2007291489A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Mitsubishi Materials Corp 面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
JP2008088546A (ja) * 2006-09-08 2008-04-17 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2008095149A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
WO2008081841A1 (ja) * 2007-01-04 2008-07-10 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2008240011A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP2008240012A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Materials Corp 漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009087407A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Hoya Corp 垂直磁気記録媒体
WO2009054369A1 (ja) * 2007-10-24 2009-04-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2010156053A (ja) * 2010-02-01 2010-07-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲット
JP2011208167A (ja) * 2010-03-28 2011-10-20 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2012014504A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP4975647B2 (ja) * 2006-01-13 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6759005B2 (en) * 2002-07-23 2004-07-06 Heraeus, Inc. Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets
US20070189916A1 (en) * 2002-07-23 2007-08-16 Heraeus Incorporated Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials
US20050249981A1 (en) * 2004-05-10 2005-11-10 Heraeus, Inc. Grain structure for magnetic recording media
US20050274221A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Heraeus, Inc. Enhanced sputter target alloy compositions
US20050277002A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Heraeus, Inc. Enhanced sputter target alloy compositions
US20060078457A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Heraeus, Inc. Low oxygen content alloy compositions
US20060286414A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Heraeus, Inc. Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions
US20060289294A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 Heraeus, Inc. Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films
DE102005049328B4 (de) * 2005-10-12 2007-07-26 W.C. Heraeus Gmbh Materialmischung, Sputtertarget, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung der Materialmischung
US20070253103A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Heraeus, Inc. Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target
WO2009119812A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 日鉱金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
SG173128A1 (en) * 2009-03-03 2011-08-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target and process for producing same
MY150804A (en) 2009-03-27 2014-02-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target
US20110003177A1 (en) * 2009-07-06 2011-01-06 Solar Applied Materials Technology Corp. Method for producing sputtering target containing boron, thin film and magnetic recording media
MY148731A (en) 2009-08-06 2013-05-31 Jx Nippon Mining & Metals Corp Inorganic-particle-dispersed sputtering target
JP2011084804A (ja) * 2009-09-18 2011-04-28 Kobelco Kaken:Kk 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット
US9269389B2 (en) 2009-12-11 2016-02-23 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target of magnetic material
US9228251B2 (en) 2010-01-21 2016-01-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic material sputtering target
MY150826A (en) 2010-07-20 2014-02-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of perromagnetic material with low generation of particles
JP5876138B2 (ja) 2012-03-15 2016-03-02 Ｊｘ金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05311413A (ja) * 1992-05-14 1993-11-22 Alps Electric Co Ltd スパッタ用ターゲット
JPH07192259A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Sony Corp 磁気記録媒体の製造方法
JPH07311929A (ja) * 1994-03-22 1995-11-28 Asahi Komagu Kk 磁気記録媒体とその製造方法
JPH0873963A (ja) * 1994-09-08 1996-03-19 Japan Metals & Chem Co Ltd 高酸素クロムターゲット用焼結成形体の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4675091A (en) * 1986-04-16 1987-06-23 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Co-sputtered thermionic cathodes and fabrication thereof
JPH071537B2 (ja) * 1991-09-24 1995-01-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 磁気記録ディスク、基板及びその製造方法
US5679473A (en) * 1993-04-01 1997-10-21 Asahi Komag Co., Ltd. Magnetic recording medium and method for its production
US5478661A (en) * 1993-04-01 1995-12-26 Ag Technology Co., Ltd. Magnetic recording medium and method for its production
US5658659A (en) * 1994-01-28 1997-08-19 Komag, Inc. Magnetic alloy and method for manufacturing same
US5589221A (en) * 1994-05-16 1996-12-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head
JPH08255342A (ja) 1995-03-17 1996-10-01 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体の製造方法
US5774783A (en) * 1995-03-17 1998-06-30 Fujitsu Limited Magnetic recording medium
US5558977A (en) * 1995-12-22 1996-09-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising a transparent magnetic layer and a transparent electrically-conductive layer
US6174597B1 (en) * 1996-07-26 2001-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording apparatus
US6042752A (en) * 1997-02-21 2000-03-28 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate
US6139766A (en) * 1997-02-25 2000-10-31 Tdk Corporation Oxide magnetic material, ferrite particle, sintered magnet, bonded magnet, magnetic recording medium and motor
JP2001014649A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Hitachi Ltd 板状体、無機化合物基板、磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP2001025666A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 積層体およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05311413A (ja) * 1992-05-14 1993-11-22 Alps Electric Co Ltd スパッタ用ターゲット
JPH07192259A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Sony Corp 磁気記録媒体の製造方法
JPH07311929A (ja) * 1994-03-22 1995-11-28 Asahi Komagu Kk 磁気記録媒体とその製造方法
JPH0873963A (ja) * 1994-09-08 1996-03-19 Japan Metals & Chem Co Ltd 高酸素クロムターゲット用焼結成形体の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4975647B2 (ja) * 2006-01-13 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
WO2007116834A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsubishi Materials Corporation パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、および磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP2007291512A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2007291489A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Mitsubishi Materials Corp 面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
WO2007114356A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Mitsubishi Materials Corporation 垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2008088546A (ja) * 2006-09-08 2008-04-17 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2008095149A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
WO2008081841A1 (ja) * 2007-01-04 2008-07-10 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2008163438A (ja) * 2007-01-04 2008-07-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2008240011A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP2008240012A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Materials Corp 漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009087407A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Hoya Corp 垂直磁気記録媒体
WO2009054369A1 (ja) * 2007-10-24 2009-04-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2010156053A (ja) * 2010-02-01 2010-07-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲット
JP2011208167A (ja) * 2010-03-28 2011-10-20 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2012014504A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20040112734A1 (en) 2004-06-17
US6716542B2 (en) 2004-04-06
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