JP2008240011A - パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。
【選択図】なし

Description

この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するためのパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲットに関するものである。

ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が注目されてきた。この垂直磁気記録方式は、従来の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安定すると言われており、実用化が開始された。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の磁気記録層に適用する材料の有力な候補としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜が提案されており、このＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜はＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基焼結合金相と二酸化珪素相の混合相を有するＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により作製することが知られている（非特許文献１参照）。
このＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットは、通常、二酸化珪素粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＣｏ粉末を、二酸化珪素：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスなどの方法で加圧焼結することにより作製されることが知られており、前記二酸化珪素粉末として高温火炎加水分解法で製造された二酸化珪素粉末を使用し、ターゲットの素地中に分散する二酸化珪素相を１０μｍ以下の極めて細かい組織とすることによってパーティクルの発生を少なくしている（特許文献１、特許文献２などを参照）。
さらに、前記ＳｉＯ_２のほかにＴｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢｅＯ_２、ＭｇＯ、ＴｈＯ_２、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３などの非磁性酸化物が使用できることが知られている（特許文献３、４参照）。
「富士時報」Ｖｏｌ．７５Ｎｏ．３ ２００２（１６９〜１７２ページ） 特開２００１‐２３６６４３号公報 特開２００４‐３３９５８６号公報 特開２００３‐３６５２５号公報 特開２００６‐２４３４６号公報

しかし、前記従来のＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットは、パーティクルの発生が避けられず、一層パーティクル発生の少ないＣｏ基焼結合金からなるスパッタリングターゲットが求められていた。

そこで、本発明者は、一層パーティクル発生の少ないＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なったところ、
（イ）ターゲットの素地中に絶対最大長（粒子の輪郭線上の任意の２点間距離の最大値）が５μｍを超えるＣｒとＯを主成分とする凝集体または析出物（以下、クロム酸化物凝集体という）が５００個/ｍｍ^２を超えて分散しているとパーティクルが多く発生しやすくなることから、ターゲットの素地中に絶対最大長が５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であることが必要であること、
（ロ）５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であっても、ターゲットの素地中に絶対最大長が１０μｍを越える粗大なクロム酸化物凝集体が分散しているとパーティクルが発生しやすくなるのでの絶対最大長が１０μｍを越える粗大なクロム酸化物凝集体は存在しないことが一層好ましいこと、などの知見を得たのである。

この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
（１）非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であるパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット、
（２）ターゲット素地中に絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない前記（１）記載のパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。

この発明のパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの素地中に絶対最大長５μｍを超えるＣｒ酸化物粒子が５００個/ｍｍ^２以下に限定した理由は、絶対最大長５μｍ以下のサイズであれば、スパッタ中に脱落したり異常放電を生じたりする影響が小さいこと、また、絶対最大長５μｍを超えるＣｒ酸化物粒子が存在しても５００個／ｍｍ^２以下であれば、パーティクル発生が低レベルであり、成膜不良にまで至らないからである。

この発明のパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを製造するに際し、Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ合金粉末を使用することにより絶対最大長５μｍを超えるＣｒ酸化物粒子が５００個/ｍｍ^２以下のパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを製造することができる。Ｃｒ−Ｃｏ合金粉末の成分組成を前記のごとく限定した理由は、Ｃｒが５０原子％未満または７０原子％を越えて含有すると、粉末中に金属間化合物の他にＣｏとＣｒの結合が弱い固溶体Ｃｏまたは固溶体Ｃｒが存在する割合が多くなり、混合時や焼結時にＣｒが酸素や非磁性酸化物と反応して粗大なクロム酸化物凝集体を形成しやすくなるので好ましくないからである。Ｃｒ−Ｃｏ合金粉末に含まれるＣｒの一層好ましい範囲は５４〜６７原子％である。また、Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末又はＣｒ−Ｃｏ−Ｐｔ合金粉末を用いることによっても同様な効果が得られる。
クロム酸化物凝集体がパーティクル発生の原因となる理由は、クロム酸化物凝集体は非常にもろく、スパッタ中に脱落したり異常放電を生じたりし、またクロム酸化物凝集体のサイズが大きい場合にはターゲットの加工中にターゲット表面から脱落し、脱落した部分に欠陥が形成されるからである。Ｃｒ−Ｃｏ合金粉末を原料粉末として使用することによりクロム酸化物凝集体の生成が抑制される理由として、ＣｒとＣｏの間にはＣｒが５４〜６７原子％付近に金属間化合物相が存在するが、ＣｏとＣｒをこの付近の組成で合金化してＣｒのすべてあるいは大部分をＣｏとの金属間化合物の形で投入した場合、金属間化合物中のＣｒはＣｏと強固に結合された状態にあり、単体や固溶体として存在する場合よりも酸素や非磁性酸化物との反応が生じ難いためであると考えられる。

つぎに、この発明のパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法において使用するＣｒ−Ｃｏ合金粉末の粒径は、５０％粒径が１５０μｍを越えると混合粉砕時に粉砕が十分に進まないことから、Ｃｒ−Ｃｏ合金粉末の粒径は５０％粒径が１５０μｍ以下であることが好ましく、微細であるほど好ましいところから分級などにより５０％粒径が７５μｍ以下にすることが一層好ましく、さらに５０％粒径が４５μｍ以下とすることがさらに一層好ましい。さらにＣｏ粉末、Ｐｔ粉末はいずれも５０％粒径が５０μｍ以下（一層好ましくは５０％粒径が４０μｍ以下）、さらに非磁性酸化物粉末は５０％粒径が２０μｍ以下（一層好ましくは５０％粒径が１０μｍ以下）とすることが好ましい。その理由はＣｏ粉末、Ｐｔ粉末がこれ以上大きいと混合後に均一な組織が得られにくいためである。また、非磁性酸化物粉末の粒径がこれ以上大きくなると混合粉砕工程を経てもターゲット中に１０μｍ以上の大きな非磁性酸化物が存在しやすくなり、これがスパッタ中の異常放電やパーティクル発生の原因となるからである。
前記原料粉末の混合は不活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。これは混合中にＣｒが酸素と結合してクロム酸化物凝集体が形成されるのをより一層防止することができるからである。

この発明は、一層パーティクル発生の少ない優れた磁気記録膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得るものである。

原料粉末として、表１に示される成分組成を有するＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ａ〜Ｊをガスアトマイズ法により作製した。これらガスアトマイズ法により得られたＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ａ〜Ｊは５０％粒径が９５μｍであったので、これらＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ａ〜Ｊを４５μｍの目開きを持つ篩により分級し、レーザー回折法により測定される５０％粒径がいずれも３５μｍとなるように分級した。さらに市販の５０％粒径：１０μｍのＣｏ粉末、５０％粒径：：１５μｍのＰｔ粉末、５０％粒径：３μｍのＳｉＯ_２粉末、５０％粒径：３μｍのＴｉＯ_２粉末、５０％粒径：３μｍのＴａ_２Ｏ_５粉末および５０％粒径：１０μｍのＣｒ粉末を用意した。

実施例１
これら原料粉末を表２に示される配合組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：１５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表２に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット１〜８、比較ターゲット１〜２および従来ターゲット１を作製した。

前記本発明ターゲット１〜８、比較ターゲット１〜２および従来ターゲット１の素地中に分散するクロム酸化物凝集体の絶対最大長（粒子の輪郭線上の任意の２点間距離の最大値）をＥＰＭＡにより測定し、絶対最大長が５μｍを越えるクロム酸化物凝集体の数および絶対最大長が１０μｍを越える粗大なクロム酸化物凝集体の存在の有無を表２に示した。
ＥＰＭＡによるクロム酸化物凝集体の絶対最大長の測定は、次のようにして行なった。前記本発明ターゲット１〜８、比較ターゲット１〜２および従来ターゲット１で作製したホットプレス体から試料を切り出して断面を樹脂に埋め、鏡面研磨した。この断面組織についてフィールドエミッションＥＰＭＡ（日本電子社製ＪＸＡ−８５００Ｆ）により面分析を行い、Ｃｒの元素マッピング像を得た。面分析の実施に当たり、加速電圧：１５ｋＶ、照射電流：５×１０^−８Ａとした。Ｃｒマッピング像のピクセルサイズはＸ，Ｙ方向とも０．５μｍとし、ピクセル数はＸ，Ｙ方向とも８００とした。従って、このＣｒのマッピング像による分析範囲は４００μｍ×４００μｍとなる。測定時間は０．０１５秒、積算回数は１回とした。このＣｒの元素マッピング像は出来るだけＣｒが富化した領域（すなわちクロム酸化物凝集体）を明確に判別できるよう、コントラストおよび色調をつけた画像とした。得られたＣｒの元素マッピング像を画質を落とさずにビットマップ形式の画像ファイルとして保存し、この画像を別途パソコンの画像処理ソフト（三谷商事社製、Ｗｉｎ Ｒｏｏｆ）に読み込ませて二値化し、マトリックスよりＣｒが富化している領域の絶対最大長を画像処理により計測した。二値化の際にはＣｒ富化領域の大きさが元の画像と変化しないようにしきい値を選んだ。計測時の長さのキャリブレーションについては元のＥＰＭＡによるＣｒの元素マッピング像に表示されたスケールバーを用いた。サンプリングは、ターゲット毎に１０箇所を無作為で行った。ここで、クロム酸化物凝集体の組成は、原子％でＣｒ：３０〜５０％、酸素を５０％〜７０％含有し、残部がＣｏ，Ｐｔ及び非磁性酸化物を構成する金属元素である。

さらに、前記本発明ターゲット１〜８、比較ターゲット１〜２および従来ターゲット１を有機溶剤により脱脂し、ついで真空中、１５０℃、８時間保持真空乾燥を行なったのち銅製のバッキングプレートに接合して市販のスパッタ装置に装着し、
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ、
電力：直流８００Ｗ、
Ａｒガス圧：６．０Ｐａ、
ターゲット基板間距離：６０ｍｍ、
基板加熱：なし、
の条件でプレスパッタを行い、ターゲット表面加工層を除去したのち、一旦チャンバーを大気開放して、防着板などのチャンバー部材の清掃を行った。その後、再び上記真空度に達するまで真空引きを行い、真空引き後、３０分のプレスパッタを行ってターゲット表面の大気吸着成分や金属酸化層の除去を行ったのち、４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜した。同じ条件で合計２５枚の４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜し、成膜後のウエハについて市販の異物検査装置によりウエハ表面に付着した１．０μｍ以上のパーティクル数を計測し、２５枚の平均値を算出し、その結果を表２に示した。

表２に示される結果から、本発明ターゲット１〜８は、従来ターゲット１に比べて、パーティクルの発生が少ないことが分かる。比較ターゲット１〜２はパーティクルの発生が多くなるので好ましくないことが分かる。

実施例２
先に用意した原料粉末を表３に示される配合組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。
得られた混合粉末をＳＵＳ製の容器に充填し、５５０度、１２時間保持の真空脱ガス処理を行なったのち、ＳＵＳ容器を密封して混合粉末を真空封入した。この混合粉末を充填したＳＵＳ容器について、温度：１２００℃、圧力：１００ＭＰａ、３時間保持の条件で熱間静水圧プレスを施し、その後、ＳＵＳ容器を開封して表３に示される成分組成を有する熱間静水圧プレス体を作製し、この熱間静水圧プレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより本発明ターゲット９〜１６、比較ターゲット３〜４および従来ターゲット２を作製した。

前記本発明ターゲット９〜１６、比較ターゲット３〜４および従来ターゲット２で作製したターゲットの素地中に分散するクロム酸化物凝集体の絶対最大長（粒子の輪郭線上の任意の２点間距離の最大値）をＥＰＭＡにより測定し、絶対最大長が５μｍを越えるクロム酸化物凝集体の数および１０μｍを越える粗大なクロム酸化物凝集体の存在の有無を表３に示した。クロム酸化物凝集体の測定方法は実施例１と同じである。

さらに、前記本発明ターゲット９〜１６、比較ターゲット３〜４および従来ターゲット２を有機溶剤により脱脂し、ついで真空中、１５０℃、８時間保持真空乾燥を行なったのち銅製のバッキングプレートに接合して市販のスパッタ装置に装着し、
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ、
電力：直流８００Ｗ、
Ａｒガス圧：６．０Ｐａ、
ターゲット基板間距離：６０ｍｍ、
基板加熱：なし、
の条件でプレスパッタを行い、ターゲット表面加工層を除去したのち、一旦チャンバーを大気開放して、防着板などのチャンバー部材の清掃を行った。その後、再び上記真空度に達するまで真空引きを行い、真空引き後、３０分のプレスパッタを行ってターゲット表面の大気吸着成分や金属酸化層の除去を行ったのち、４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜した。同じ条件で合計２５枚の４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜し、成膜後のウエハについて市販の異物検査装置によりウエハ表面に付着した１．０μｍ以上のパーティクル数を計測し、２５枚の平均値を算出し、その結果を表３に示した。

表３に示される結果から、素地中に絶対最大長５μｍを超えるＣｒ酸化物粒子が５００個/ｍｍ^２以下である本発明ターゲット９〜１６は、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２を超える又は絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在する従来ターゲット２に比べて、パーティクルの発生が少ないことが分かる。

実施例３
先に用意した原料粉末を表４に示される配合組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：１５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表４に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット１７〜２４、比較ターゲット５〜６および従来ターゲット３を作製した。

前記本発明ターゲット１７〜２４、比較ターゲット５〜６および従来ターゲット３の素地中に分散するクロム酸化物凝集体の絶対最大長（粒子の輪郭線上の任意の２点間距離の最大値）をＥＰＭＡにより測定し、絶対最大長が５μｍを越えるクロム酸化物凝集体の数および１０μｍを越える粗大なクロム酸化物凝集体の存在の有無を表４に示した。クロム酸化物凝集体の測定方法は実施例１と同じである。

さらに、前記本発明ターゲット１７〜２４、比較ターゲット５〜６および従来ターゲット３で得られたターゲットを有機溶剤により脱脂し、ついで真空中、１５０℃、８時間保持真空乾燥を行なったのち銅製のバッキングプレートに接合して市販のスパッタ装置に装着し、
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ、
電力：直流８００Ｗ、
Ａｒガス圧：６．０Ｐａ、
ターゲット基板間距離：６０ｍｍ、
基板加熱：なし、
の条件でプレスパッタを行い、ターゲット表面加工層を除去したのち、一旦チャンバーを大気開放して、防着板などのチャンバー部材の清掃を行った。その後、再び上記真空度に達するまで真空引きを行い、真空引き後、３０分のプレスパッタを行ってターゲット表面の大気吸着成分や金属酸化層の除去を行ったのち、４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜した。同じ条件で合計２５枚の４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜し、成膜後のウエハについて市販の異物検査装置によりウエハ表面に付着した１．０μｍ以上のパーティクル数を計測し、２５枚の平均値を算出し、その結果を表４に示した。

表４に示される結果から、Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなるＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ａ〜Ｈを原料粉末として配合して作製した本発明ターゲット１７〜２４で作製したターゲットは、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末を添加することなく５０％粒径：１０μｍのＣｏ粉末、５０％粒径：１０μｍのＣｒ粉末、５０％粒径：１５μｍのＰｔ粉末および５０％粒径：３μｍのＴｉＯ_２粉末を配合し混合して作製する従来ターゲット３により作製したターゲットに比べて、パーティクルの発生が少ないことが分かる。しかし、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末がこの発明の範囲から外れた成分組成を有するＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ｉ〜Ｊを使用して作製した比較ターゲット５〜６で作製したターゲットはパーティクルの発生が多くなるので好ましくないことが分かる。

実施例４
先に用意した原料粉末を表５に示される配合組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。
得られた混合粉末をＳＵＳ製の容器に充填し、５５０度、１２時間保持の真空脱ガス処理を行なったのち、ＳＵＳ容器を密封して混合粉末を真空封入した。この混合粉末を充填したＳＵＳ容器について、温度：１２００℃、圧力：１００ＭＰａ、３時間保持の条件で熱間静水圧プレスを施し、その後、ＳＵＳ容器を開封して表５に示される成分組成を有する熱間静水圧プレス体を作製し、この熱間静水圧プレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより本発明ターゲット２５〜３２、比較ターゲット７〜８および従来ターゲット４を作製した。

前記本発明ターゲット２５〜３２、比較ターゲット７〜８および従来ターゲット４で作製したターゲットの素地中に分散するクロム酸化物凝集体の絶対最大長（粒子の輪郭線上の任意の２点間距離の最大値）をＥＰＭＡにより測定し、絶対最大長が５μｍを越えるクロム酸化物凝集体の数および絶対最大長が１０μｍを越える粗大なクロム酸化物凝集体の存在の有無を表５に示した。クロム酸化物凝集体の測定方法は実施例１と同じである。

さらに、前記本発明ターゲット２５〜３２、比較ターゲット７〜８および従来ターゲット４で得られたターゲットを有機溶剤により脱脂し、ついで真空中、１５０℃、８時間保持真空乾燥を行なったのち銅製のバッキングプレートに接合して市販のスパッタ装置に装着し、
到達真空度：５×１０^−５Ｐａ、
電力：直流８００Ｗ、
Ａｒガス圧：６．０Ｐａ、
ターゲット基板間距離：６０ｍｍ、
基板加熱：なし、
の条件でプレスパッタを行い、ターゲット表面加工層を除去したのち、一旦チャンバーを大気開放して、防着板などのチャンバー部材の清掃を行った。その後、再び上記真空度に達するまで真空引きを行い、真空引き後、３０分のプレスパッタを行ってターゲット表面の大気吸着成分や金属酸化層の除去を行ったのち、４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜した。同じ条件で合計２５枚の４インチＳｉウエハ上に厚さ：１００ｎｍの磁気記録膜を成膜し、成膜後のウエハについて市販の異物検査装置によりウエハ表面に付着した１．０μｍ以上のパーティクル数を計測し、２５枚の平均値を算出し、その結果を表５に示した。

表５に示される結果から、Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなるＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ａ〜Ｈを原料粉末として配合して作製した本発明ターゲット２５〜３２で作製したターゲットは、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末を添加することなく５０％粒径：１０μｍのＣｏ粉末、５０％粒径：１０μｍのＣｒ粉末、５０％粒径：１５μｍのＰｔ粉末および５０％粒径：３μｍのＴａ_２Ｏ_５粉末を配合し混合して作製する従来ターゲット４により作製したターゲットに比べて、パーティクルの発生が少ないことが分かる。しかし、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末がこの発明の範囲から外れた成分組成を有するＣｏ−Ｃｒ合金粉末Ｉ〜Ｊを使用して作製した比較ターゲット７〜８で作製したターゲットはパーティクルの発生が多くなるので好ましくないことが分かる。

Claims (2)

1. 非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長（粒子の輪郭線上の任意の２点間距離の最大値）が５μｍを超えるＣｒとＯを主成分とする凝集体または析出物（以下、クロム酸化物凝集体という）が５００個/ｍｍ^２以下であることを特徴とするパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。
2. ターゲット素地中に絶対最大長が１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しないことを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。