JPH0598433A - スパツタリング用ターゲツトの製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツトの製造方法Info
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- JPH0598433A JPH0598433A JP22056591A JP22056591A JPH0598433A JP H0598433 A JPH0598433 A JP H0598433A JP 22056591 A JP22056591 A JP 22056591A JP 22056591 A JP22056591 A JP 22056591A JP H0598433 A JPH0598433 A JP H0598433A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願のスパッタリング用ターゲットの製造方
法は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔもしくはこれらを２種以上含む
合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中におい
て加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記金属もし
くは合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中に
おいて粉体化し、これらの粉体を用いて成分比がＣｒ５
〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏから
なる金属粉、または金属と合金の混合粉、もしくは合金
粉を作成し、該粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴とする。 【効果】 極めて高純度かつ均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ系ターゲットを作成することができる。したがっ
て、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段に向
上させることができる。
法は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔもしくはこれらを２種以上含む
合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中におい
て加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記金属もし
くは合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中に
おいて粉体化し、これらの粉体を用いて成分比がＣｒ５
〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏから
なる金属粉、または金属と合金の混合粉、もしくは合金
粉を作成し、該粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴とする。 【効果】 極めて高純度かつ均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ系ターゲットを作成することができる。したがっ
て、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段に向
上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング用タ
ーゲットの製造方法に係り、特に均一な合金相からなる
ＣｏーＣｒ−Ｐｔ系スパッタリング用ターゲットの製造
方法に関するものである。
ーゲットの製造方法に係り、特に均一な合金相からなる
ＣｏーＣｒ−Ｐｔ系スパッタリング用ターゲットの製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の急激な進歩に伴い、記
憶装置の主要部を構成する磁気ディスクや磁気ヘッドに
対してもより高密度なものが求められている。
憶装置の主要部を構成する磁気ディスクや磁気ヘッドに
対してもより高密度なものが求められている。
【０００３】薄膜ハードディスクを例にとると、従来に
おいてはアルミ板の表面にスピンコート等により強磁性
材料を塗布する方法が一般的であったが、このような塗
布媒体では記録密度を更に向上させることが難しく、最
近では強磁性材料を高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッ
タリング等により直接基板上に形成する方法が採られて
いる。この方法は、従来の塗布法に比べて高密度記録可
能な磁性膜を形成することができ、電磁変換特性に優
れ、ＳＮ比が高い等の特徴を有するために、各製造メー
カー等において精力的に開発が進められている。
おいてはアルミ板の表面にスピンコート等により強磁性
材料を塗布する方法が一般的であったが、このような塗
布媒体では記録密度を更に向上させることが難しく、最
近では強磁性材料を高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッ
タリング等により直接基板上に形成する方法が採られて
いる。この方法は、従来の塗布法に比べて高密度記録可
能な磁性膜を形成することができ、電磁変換特性に優
れ、ＳＮ比が高い等の特徴を有するために、各製造メー
カー等において精力的に開発が進められている。
【０００４】しかし、上記のハードディスクでは、膜厚
が１μｍ以下と薄いことから従来に増して耐傷性や耐蝕
性に対する条件が厳しく、また、高密度化に対応するた
めにより高品質な膜が求められており、したがって、薄
膜形成に用いられるスパッタリング用ターゲット（以
下、単にターゲットと略称する）、例えばＣｏーＣｒ−
Ｐｔ系合金からなるターゲットについてもより高純度か
つ均一な組成のものが要望されている。
が１μｍ以下と薄いことから従来に増して耐傷性や耐蝕
性に対する条件が厳しく、また、高密度化に対応するた
めにより高品質な膜が求められており、したがって、薄
膜形成に用いられるスパッタリング用ターゲット（以
下、単にターゲットと略称する）、例えばＣｏーＣｒ−
Ｐｔ系合金からなるターゲットについてもより高純度か
つ均一な組成のものが要望されている。
【０００５】上記のターゲットは、通常図１９に示す粉
末冶金法により製造されている。まず、ターゲットの原
料となるＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔ各々を所定量秤量する。これ
らの原料の純度は一般的に３Ｎ〜４Ｎ程度である。次
に、これらの各原料をボールミル等の混合機により混合
した後、この混合した粉体をラバーモールドに充填し、
冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により加圧・成形する。次
に、得られた成形物をステンレススチール等の金属缶に
封入した後、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により焼結す
る。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いれば、上記の加
圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行うことができ
る。上記により得られた焼結体を所定の形状に加工した
後、ボンディング等の仕上加工がなされて製品（ターゲ
ット）とされる。
末冶金法により製造されている。まず、ターゲットの原
料となるＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔ各々を所定量秤量する。これ
らの原料の純度は一般的に３Ｎ〜４Ｎ程度である。次
に、これらの各原料をボールミル等の混合機により混合
した後、この混合した粉体をラバーモールドに充填し、
冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により加圧・成形する。次
に、得られた成形物をステンレススチール等の金属缶に
封入した後、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により焼結す
る。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いれば、上記の加
圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行うことができ
る。上記により得られた焼結体を所定の形状に加工した
後、ボンディング等の仕上加工がなされて製品（ターゲ
ット）とされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、スパッタ
リング時にターゲットに片減りが生じたり、ターゲット
の漏洩磁束密度が不均一になったりし易く、薄膜ハード
ディスクの品質や歩留まりが大幅に低下する等の問題が
あった。
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、スパッタ
リング時にターゲットに片減りが生じたり、ターゲット
の漏洩磁束密度が不均一になったりし易く、薄膜ハード
ディスクの品質や歩留まりが大幅に低下する等の問題が
あった。
【０００７】その理由は、従来の製造方法によるターゲ
ットでは、合金の成分であるＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔ各々は固
溶せずに粒子の形状を保持した状態で隣接する粒子同士
が密着した金属組織構造になっており、均一な合金相に
なっていないためである。
ットでは、合金の成分であるＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔ各々は固
溶せずに粒子の形状を保持した状態で隣接する粒子同士
が密着した金属組織構造になっており、均一な合金相に
なっていないためである。
【０００８】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、以上の問題点を有効に解決することができるＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットの製造方法を提供すること
にある。
もので、以上の問題点を有効に解決することができるＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットの製造方法を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なターゲットの製造方法を採用し
た。
に、この発明は次の様なターゲットの製造方法を採用し
た。
【００１０】すなわち、請求項１記載のターゲットの製
造方法は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還
元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状
態または凝固状態の前記Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不
活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化
し、これらの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴としてい
る。
造方法は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還
元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状
態または凝固状態の前記Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不
活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化
し、これらの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴としてい
る。
【００１１】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法は、ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元性のいず
れかの雰囲気中において加熱溶融してＣｏ−Ｃｒ合金と
し、溶融状態または凝固状態の前記Ｃｏ−Ｃｒ合金を不
活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化
するとともに、Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの
雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または凝固状態
の前記Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中
において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合金及びＰｔのそれ
ぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ
１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物を作成
し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成
型・焼結した後に、圧延することを特徴としている。
法は、ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元性のいず
れかの雰囲気中において加熱溶融してＣｏ−Ｃｒ合金と
し、溶融状態または凝固状態の前記Ｃｏ−Ｃｒ合金を不
活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化
するとともに、Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの
雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または凝固状態
の前記Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中
において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合金及びＰｔのそれ
ぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ
１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物を作成
し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成
型・焼結した後に、圧延することを特徴としている。
【００１２】また、請求項３記載のターゲットの製造方
法は、成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性または還元性
のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して合金とし、
溶融状態または凝固状態の前記合金を不活性または還元
性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、この粉体を
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結した後
に、圧延することを特徴としている。
法は、成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性または還元性
のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して合金とし、
溶融状態または凝固状態の前記合金を不活性または還元
性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、この粉体を
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結した後
に、圧延することを特徴としている。
【００１３】ここで、Ｃｒ，Ｐｔ各々の含有量が上記の
範囲を外れている場合には、生成膜の保磁力が所望の値
にならないために不適当である。
範囲を外れている場合には、生成膜の保磁力が所望の値
にならないために不適当である。
【００１４】
【作用】請求項１記載のターゲットの製造方法では、Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において加熱溶融することにより、加熱溶
融時にＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれが酸化するのを防止す
る。
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において加熱溶融することにより、加熱溶
融時にＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれが酸化するのを防止す
る。
【００１５】また、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉体化することにより、前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれの粉体が粉体化の工程中に酸化
するのを防止する。
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉体化することにより、前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれの粉体が粉体化の工程中に酸化
するのを防止する。
【００１６】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法では、ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元性のい
ずれかの雰囲気中において加熱溶融することにより、前
記混合物をより均一なＣｏ−Ｃｒ合金相とし、加熱溶融
時に該Ｃｏ−Ｃｒ合金が酸化するのを防止する。
法では、ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元性のい
ずれかの雰囲気中において加熱溶融することにより、前
記混合物をより均一なＣｏ−Ｃｒ合金相とし、加熱溶融
時に該Ｃｏ−Ｃｒ合金が酸化するのを防止する。
【００１７】また、溶融状態または凝固状態のＣｏ−Ｃ
ｒ合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中にお
いて粉体化することにより、このＣｏ−Ｃｒ合金粉が粉
体化の工程中に酸化するのを防止する。また、溶融状態
または凝固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のいず
れかの雰囲気中において粉体化することにより、前記Ｐ
ｔ粉が粉体化の工程中に酸化するのを防止する。
ｒ合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中にお
いて粉体化することにより、このＣｏ−Ｃｒ合金粉が粉
体化の工程中に酸化するのを防止する。また、溶融状態
または凝固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のいず
れかの雰囲気中において粉体化することにより、前記Ｐ
ｔ粉が粉体化の工程中に酸化するのを防止する。
【００１８】また、請求項３記載のターゲットの製造方
法では、成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５
重量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性または還元
性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融することによ
り、前記混合物をより均一なＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金相と
し、加熱溶融時に該Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金が酸化するの
を防止する。
法では、成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５
重量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性または還元
性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融することによ
り、前記混合物をより均一なＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金相と
し、加熱溶融時に該Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金が酸化するの
を防止する。
【００１９】また、溶融状態または凝固状態の前記合金
を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉
体化することにより、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉が粉
体化の工程中に酸化するのを防止する。
を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉
体化することにより、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉が粉
体化の工程中に酸化するのを防止する。
【００２０】
【実施例】以下、この発明の各実施態様について説明す
る。
る。
【００２１】（実施例１）まず、請求項１記載のターゲ
ットの製造方法の一実施例について、図１及び図２に基
づいて説明する。
ットの製造方法の一実施例について、図１及び図２に基
づいて説明する。
【００２２】まず、４Ｎの高純度Ｃｏ金属塊をマグネシ
アルツボ内に充填し、このルツボを真空高周波誘導加熱
炉内にセットし、該真空高周波誘導加熱炉の内部を不活
性（Ａｒ）または還元性（Ａｒ＋５％Ｈ2）雰囲気にし
て加熱・溶融した。このときのＣｏ金属塊の溶融温度は
１５５０〜１６００℃であった。この加熱溶融の際にＣ
ｏ中の不純物、例えばＣｏＯ等が揮発除去されるため
に、前記Ｃｏ金属は純化され５Ｎ以上の高純度の溶融物
となる。なお、上記真空高周波誘導加熱炉の替わりにプ
ラズマアークを用いても全く同様にＣｏ金属を加熱溶融
することができた。次に、この加熱溶融したＣｏ金属を
冷却し鋳造してインゴットとした。次に、このインゴッ
トを不活性（Ａｒ）雰囲気中で粉砕し５０〜１５０μｍ
の大きさのＣｏ粉とした。
アルツボ内に充填し、このルツボを真空高周波誘導加熱
炉内にセットし、該真空高周波誘導加熱炉の内部を不活
性（Ａｒ）または還元性（Ａｒ＋５％Ｈ2）雰囲気にし
て加熱・溶融した。このときのＣｏ金属塊の溶融温度は
１５５０〜１６００℃であった。この加熱溶融の際にＣ
ｏ中の不純物、例えばＣｏＯ等が揮発除去されるため
に、前記Ｃｏ金属は純化され５Ｎ以上の高純度の溶融物
となる。なお、上記真空高周波誘導加熱炉の替わりにプ
ラズマアークを用いても全く同様にＣｏ金属を加熱溶融
することができた。次に、この加熱溶融したＣｏ金属を
冷却し鋳造してインゴットとした。次に、このインゴッ
トを不活性（Ａｒ）雰囲気中で粉砕し５０〜１５０μｍ
の大きさのＣｏ粉とした。
【００２３】また、Ｃｒ及びＰｔについても前記Ｃｏと
同様の方法を適用し、Ｃｒ粉及びＰｔ粉とした。
同様の方法を適用し、Ｃｒ粉及びＰｔ粉とした。
【００２４】次に、各金属元素の成分比がＣｒ１０重量
％、Ｐｔ３１重量％、Ｃｏ残部となる様にＣｏ粉、Ｃｒ
粉、Ｐｔ粉をそれぞれ所定量秤量した。次に、これらの
金属粉をボールミル等の混合機を用いて不活性（Ａｒ）
雰囲気中で混合しＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ混合物とした。次
に、この混合物をラバーモールドに充填し、冷間静水圧
プレス（ＣＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2の下で成
形し、９８ｍｍ角で厚み１５ｍｍの板体とした。
％、Ｐｔ３１重量％、Ｃｏ残部となる様にＣｏ粉、Ｃｒ
粉、Ｐｔ粉をそれぞれ所定量秤量した。次に、これらの
金属粉をボールミル等の混合機を用いて不活性（Ａｒ）
雰囲気中で混合しＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ混合物とした。次
に、この混合物をラバーモールドに充填し、冷間静水圧
プレス（ＣＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2の下で成
形し、９８ｍｍ角で厚み１５ｍｍの板体とした。
【００２５】次に、この板体を、例えばステンレススチ
ール（ＳＵＳ３０４）等からなる缶に入れ、当該缶の内
部を真空脱気し封着した。次に、この缶を熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2，１２５０
℃の条件の下で２時間焼結した。
ール（ＳＵＳ３０４）等からなる缶に入れ、当該缶の内
部を真空脱気し封着した。次に、この缶を熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2，１２５０
℃の条件の下で２時間焼結した。
【００２６】次に、この焼結した缶に６００℃の下で６
０分予備加熱を施した後、クロス圧延処理を行い、１０
００℃の下で６０分焼鈍した。以上の予備加熱から焼鈍
までの工程をこの缶の全圧縮率が６０％になるまで、繰
り返し行った。
０分予備加熱を施した後、クロス圧延処理を行い、１０
００℃の下で６０分焼鈍した。以上の予備加熱から焼鈍
までの工程をこの缶の全圧縮率が６０％になるまで、繰
り返し行った。
【００２７】上記の缶を所定の形状に加工した後、ボン
ディング等の仕上加工を行い、製品（ターゲット）とし
た。このように、均一な合金相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ系ターゲットを製造することができる。
ディング等の仕上加工を行い、製品（ターゲット）とし
た。このように、均一な合金相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ系ターゲットを製造することができる。
【００２８】（実施例２）次に、請求項２記載のターゲ
ットの製造方法の一実施例について、図３及び図４に基
づいて説明する。
ットの製造方法の一実施例について、図３及び図４に基
づいて説明する。
【００２９】まず、各金属元素の成分比がＣｏ８５．５
重量％、Ｃｒ１４．５重量％となる様に４Ｎの高純度Ｃ
ｏ、４Ｎの高純度Ｃｒをそれぞれ所定量秤量した。次
に、これらの金属をマグネシアルツボ内に充填し、この
ルツボを真空高周波誘導加熱炉内にセットし、該真空高
周波誘導加熱炉の内部を不活性（Ａｒ）または還元性
（Ａｒ＋５％Ｈ2）雰囲気にして加熱・溶融した。この
ときのＣｏ−Ｃｒ混合物の溶融温度は１５５０〜１６０
０℃であった。この加熱溶融の際にＣｏ及びＣｒ中の不
純物、例えばＣｏＯ，Ｃｒ2Ｏ3等が揮発除去されるため
に、前記Ｃｏ及びＣｒは純化され５Ｎ以上の高純度のＣ
ｏ−Ｃｒ合金となる。なお、上述した実施例１と全く同
様に、上記真空高周波誘導加熱炉の替わりにプラズマア
ークを用いても同様の結果を得ることができる。次に、
この加熱溶融したＣｏ−Ｃｒ合金を冷却し鋳造してイン
ゴットとした。次に、このインゴットを不活性（Ａｒ）
雰囲気中でプラズマアークを用いて溶解し、２００００
ｒｐｍにてＲＥＰ処理を施し、５０〜１５０μｍの大き
さのＣｏ−Ｃｒ合金粉とした。
重量％、Ｃｒ１４．５重量％となる様に４Ｎの高純度Ｃ
ｏ、４Ｎの高純度Ｃｒをそれぞれ所定量秤量した。次
に、これらの金属をマグネシアルツボ内に充填し、この
ルツボを真空高周波誘導加熱炉内にセットし、該真空高
周波誘導加熱炉の内部を不活性（Ａｒ）または還元性
（Ａｒ＋５％Ｈ2）雰囲気にして加熱・溶融した。この
ときのＣｏ−Ｃｒ混合物の溶融温度は１５５０〜１６０
０℃であった。この加熱溶融の際にＣｏ及びＣｒ中の不
純物、例えばＣｏＯ，Ｃｒ2Ｏ3等が揮発除去されるため
に、前記Ｃｏ及びＣｒは純化され５Ｎ以上の高純度のＣ
ｏ−Ｃｒ合金となる。なお、上述した実施例１と全く同
様に、上記真空高周波誘導加熱炉の替わりにプラズマア
ークを用いても同様の結果を得ることができる。次に、
この加熱溶融したＣｏ−Ｃｒ合金を冷却し鋳造してイン
ゴットとした。次に、このインゴットを不活性（Ａｒ）
雰囲気中でプラズマアークを用いて溶解し、２００００
ｒｐｍにてＲＥＰ処理を施し、５０〜１５０μｍの大き
さのＣｏ−Ｃｒ合金粉とした。
【００３０】また、Ｐｔについては、上述した実施例１
と同様の方法を適用し、Ｐｔ粉とした。
と同様の方法を適用し、Ｐｔ粉とした。
【００３１】次に、各金属元素の成分比がＣｒ１０重量
％、Ｐｔ３１重量％、Ｃｏ残部となる様にＣｏ−Ｃｒ合
金粉、Ｐｔ粉をそれぞれ所定量秤量した。次に、これら
の粉体をボールミル等の混合機を用いて不活性（Ａｒ）
雰囲気中で混合しＣｏ−Ｃｒ合金粉とＰｔ粉の混合物と
した。次に、この混合物をラバーモールドに充填し、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2
の下で成形し、９８ｍｍ角で厚み１５ｍｍの板体とし
た。
％、Ｐｔ３１重量％、Ｃｏ残部となる様にＣｏ−Ｃｒ合
金粉、Ｐｔ粉をそれぞれ所定量秤量した。次に、これら
の粉体をボールミル等の混合機を用いて不活性（Ａｒ）
雰囲気中で混合しＣｏ−Ｃｒ合金粉とＰｔ粉の混合物と
した。次に、この混合物をラバーモールドに充填し、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2
の下で成形し、９８ｍｍ角で厚み１５ｍｍの板体とし
た。
【００３２】次に、この板体を、例えばステンレススチ
ール（ＳＵＳ３０４）等からなる缶に入れ、当該缶の内
部を真空脱気し封着した。次に、この缶を熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2，１２５０
℃の条件の下で２時間焼結した。
ール（ＳＵＳ３０４）等からなる缶に入れ、当該缶の内
部を真空脱気し封着した。次に、この缶を熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2，１２５０
℃の条件の下で２時間焼結した。
【００３３】次に、この焼結した缶に６００℃の下で６
０分予備加熱を施した後、クロス圧延処理を行い、１０
００℃の下で６０分焼鈍した。以上の予備加熱から焼鈍
までの工程をこの缶の全圧縮率が６０％になるまで、繰
り返し行った。
０分予備加熱を施した後、クロス圧延処理を行い、１０
００℃の下で６０分焼鈍した。以上の予備加熱から焼鈍
までの工程をこの缶の全圧縮率が６０％になるまで、繰
り返し行った。
【００３４】上記の缶を所定の形状に加工した後、ボン
ディング等の仕上加工を行い、製品（ターゲット）とし
た。このように、この実施例２においても上記実施例１
と同様に、均一な合金相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系タ
ーゲットを製造することができる。
ディング等の仕上加工を行い、製品（ターゲット）とし
た。このように、この実施例２においても上記実施例１
と同様に、均一な合金相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系タ
ーゲットを製造することができる。
【００３５】（実施例３）次に、請求項３記載のターゲ
ットの製造方法の一実施例について、図５及び図６に基
づいて説明する。
ットの製造方法の一実施例について、図５及び図６に基
づいて説明する。
【００３６】まず、Ｃｒ１０重量％、Ｐｔ３１重量％、
Ｃｏ残部となる様に４Ｎの高純度Ｃｏ、４Ｎの高純度Ｃ
ｒ、４Ｎの高純度Ｐｔをそれぞれ所定量秤量した。次
に、これらの金属の混合物をマグネシアルツボ内に充填
し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ混合物を不活性（Ａｒ）雰囲
気の下でプラズマアークにより加熱・溶融した。このと
きのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ混合物の溶融温度は１５５０〜１
６００℃であった。この加熱溶融の際にＣｏ及びＣｒ中
の不純物、例えばＣｏＯ，Ｃｒ2Ｏ3等が揮発除去される
ために、前記Ｃｏ及びＣｒは純化され５Ｎ以上の高純度
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金となる。次に、この加熱溶融し
たＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を前記ルツボの底部に設けられ
た穴から液滴にして落下させ、これらの液滴を高速のガ
スジェットを用いて５０〜１５０μｍの大きさのＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金粉とした（ガスアトマイズ法）。
Ｃｏ残部となる様に４Ｎの高純度Ｃｏ、４Ｎの高純度Ｃ
ｒ、４Ｎの高純度Ｐｔをそれぞれ所定量秤量した。次
に、これらの金属の混合物をマグネシアルツボ内に充填
し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ混合物を不活性（Ａｒ）雰囲
気の下でプラズマアークにより加熱・溶融した。このと
きのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ混合物の溶融温度は１５５０〜１
６００℃であった。この加熱溶融の際にＣｏ及びＣｒ中
の不純物、例えばＣｏＯ，Ｃｒ2Ｏ3等が揮発除去される
ために、前記Ｃｏ及びＣｒは純化され５Ｎ以上の高純度
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金となる。次に、この加熱溶融し
たＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を前記ルツボの底部に設けられ
た穴から液滴にして落下させ、これらの液滴を高速のガ
スジェットを用いて５０〜１５０μｍの大きさのＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金粉とした（ガスアトマイズ法）。
【００３７】次に、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉をボー
ルミル等の混合機を用いて不活性（Ａｒ）雰囲気中で混
合し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉をラバーモールドに
充填し、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により１０００気
圧／ｃｍ2の下で成形し、９８ｍｍ角で厚み１５ｍｍの
板体とした。
ルミル等の混合機を用いて不活性（Ａｒ）雰囲気中で混
合し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉をラバーモールドに
充填し、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により１０００気
圧／ｃｍ2の下で成形し、９８ｍｍ角で厚み１５ｍｍの
板体とした。
【００３８】次に、この板体を、例えばステンレススチ
ール（ＳＵＳ３０４）等からなる缶に入れ、当該缶の内
部を真空脱気し封着した。次に、この缶を熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2，１２５０
℃の条件の下で２時間焼結した。
ール（ＳＵＳ３０４）等からなる缶に入れ、当該缶の内
部を真空脱気し封着した。次に、この缶を熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）により１０００気圧／ｃｍ2，１２５０
℃の条件の下で２時間焼結した。
【００３９】次に、この焼結した缶に６００℃の下で６
０分予備加熱を施した後、クロス圧延処理を行い、１０
００℃の下で６０分焼鈍した。以上の予備加熱から焼鈍
までの工程をこの缶の全圧縮率が６０％になるまで、繰
り返し行った。
０分予備加熱を施した後、クロス圧延処理を行い、１０
００℃の下で６０分焼鈍した。以上の予備加熱から焼鈍
までの工程をこの缶の全圧縮率が６０％になるまで、繰
り返し行った。
【００４０】上記の缶を所定の形状に加工した後、ボン
ディング等の仕上加工を行い、製品（ターゲット）とし
た。このように、この実施例３においても上記実施例１
及び２と同様に、均一な合金相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ系ターゲットを製造することができる。
ディング等の仕上加工を行い、製品（ターゲット）とし
た。このように、この実施例３においても上記実施例１
及び２と同様に、均一な合金相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ系ターゲットを製造することができる。
【００４１】表１は、上記の実施例１ないし実施例３の
製造方法により製造したターゲットと従来の製造方法に
より製造したターゲット（比較例）の各々の特性を比較
したものである。
製造方法により製造したターゲットと従来の製造方法に
より製造したターゲット（比較例）の各々の特性を比較
したものである。
【００４２】表中、Ｎｏ．１は実施例１の方法により製
造されたもの、Ｎｏ．２は実施例２の方法により製造さ
れたもの、Ｎｏ．３〜７は実施例３の方法により製造さ
れたものである。また、Ｎｏ．８は従来例によるもの、
Ｎｏ．９はＮｏ．３と同一の製造方法において圧延処理
を施さなかったものである。
造されたもの、Ｎｏ．２は実施例２の方法により製造さ
れたもの、Ｎｏ．３〜７は実施例３の方法により製造さ
れたものである。また、Ｎｏ．８は従来例によるもの、
Ｎｏ．９はＮｏ．３と同一の製造方法において圧延処理
を施さなかったものである。
【００４３】ここでは、各ターゲットの漏れ磁束のバラ
ツキは、図７に示す様にターゲット上に２つの同心円を
描き、内側の円では等間隔に８箇所、また外側の円では
等間隔に１２箇所、計２０箇所の測定点をとり、Ｂｒ＝
５６００Ｇａｕｓｓの条件下におけるそれぞれの測定点
の漏れ磁束の大きさを測定し、内側と外側それぞれの最
大値及び最小値を求めバラツキの評価をおこなった。
ツキは、図７に示す様にターゲット上に２つの同心円を
描き、内側の円では等間隔に８箇所、また外側の円では
等間隔に１２箇所、計２０箇所の測定点をとり、Ｂｒ＝
５６００Ｇａｕｓｓの条件下におけるそれぞれの測定点
の漏れ磁束の大きさを測定し、内側と外側それぞれの最
大値及び最小値を求めバラツキの評価をおこなった。
【００４４】また、膜の保磁力のバラツキは、各ターゲ
ットを用いて成膜された薄膜の保磁力のバラツキを示す
もので、Ｈｃ＝１０５０ Ｏｅの条件下におけるそれぞ
れの薄膜の保磁力の大きさを測定し、それぞれの偏差を
求めバラツキの評価をおこなった。
ットを用いて成膜された薄膜の保磁力のバラツキを示す
もので、Ｈｃ＝１０５０ Ｏｅの条件下におけるそれぞ
れの薄膜の保磁力の大きさを測定し、それぞれの偏差を
求めバラツキの評価をおこなった。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１より、これらの実施例のターゲットで
は、漏れ磁束のバラツキ、膜の保磁力のバラツキ共に比
較例と比べて大幅に向上していることがわかる。特に、
Ｎｏ．３〜７のものではＮｏ．１やＮｏ．２と比べてバ
ラツキの幅が小さく、面内均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ系ターゲットであることがあきらかである。
は、漏れ磁束のバラツキ、膜の保磁力のバラツキ共に比
較例と比べて大幅に向上していることがわかる。特に、
Ｎｏ．３〜７のものではＮｏ．１やＮｏ．２と比べてバ
ラツキの幅が小さく、面内均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ系ターゲットであることがあきらかである。
【００４７】図８ないし図１１は、ターゲットの表面の
各点のＩＣＰ分析によるＣｒの偏析の測定値を表わした
もので、図８はＮｏ．１のターゲットの、図９はＮｏ．
２のターゲットの、図１０はＮｏ．３のターゲットの、
図１１は従来例であるＮｏ．８のターゲットの測定値を
それぞれ図示したものである。
各点のＩＣＰ分析によるＣｒの偏析の測定値を表わした
もので、図８はＮｏ．１のターゲットの、図９はＮｏ．
２のターゲットの、図１０はＮｏ．３のターゲットの、
図１１は従来例であるＮｏ．８のターゲットの測定値を
それぞれ図示したものである。
【００４８】ここでは、図１２に示す様にターゲットの
中心部から周辺部にかけて３つの同心円を描き、中心点
に１箇所、最も内側の円では等間隔に４箇所、中間部の
円では等間隔に１２箇所、また外側の円では等間隔に１
６箇所、計３３箇所の測定点をとり、各測定点から試料
を１〜２ｇ採取しＩＣＰ分析を行い、偏析の評価を行っ
た。
中心部から周辺部にかけて３つの同心円を描き、中心点
に１箇所、最も内側の円では等間隔に４箇所、中間部の
円では等間隔に１２箇所、また外側の円では等間隔に１
６箇所、計３３箇所の測定点をとり、各測定点から試料
を１〜２ｇ採取しＩＣＰ分析を行い、偏析の評価を行っ
た。
【００４９】図８ないし図１１から明らかな様に、これ
らの実施例のターゲットでは、Ｃｒの偏析が小さく比較
例と比べて大幅に向上していることがわかる。特に、Ｎ
ｏ．３のものではＮｏ．１やＮｏ．２と比べてもバラツ
キの幅が極めて小さくなっており、面内均一性に極めて
優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットであることがあき
らかである。
らの実施例のターゲットでは、Ｃｒの偏析が小さく比較
例と比べて大幅に向上していることがわかる。特に、Ｎ
ｏ．３のものではＮｏ．１やＮｏ．２と比べてもバラツ
キの幅が極めて小さくなっており、面内均一性に極めて
優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットであることがあき
らかである。
【００５０】図１３ないし図１６は、ターゲットの表面
の各点のＩＣＰ分析によるＰｔの偏析の測定値を表わし
たもので、図１３はＮｏ．１のターゲットの、図１４は
Ｎｏ．２のターゲットの、図１５はＮｏ．３のターゲッ
トの、図１６は従来例であるＮｏ．８のターゲットの測
定値をそれぞれ図示したものである。
の各点のＩＣＰ分析によるＰｔの偏析の測定値を表わし
たもので、図１３はＮｏ．１のターゲットの、図１４は
Ｎｏ．２のターゲットの、図１５はＮｏ．３のターゲッ
トの、図１６は従来例であるＮｏ．８のターゲットの測
定値をそれぞれ図示したものである。
【００５１】各測定点の採り方及び評価の仕方は上述し
たＣｒの偏析の場合と全く同一である。
たＣｒの偏析の場合と全く同一である。
【００５２】図１３ないし図１６から明らかな様に、こ
れらの実施例のターゲットでは、Ｐｔの偏析が小さく比
較例と比べて大幅に向上していることがわかる。特に、
Ｎｏ．３のものではＮｏ．１やＮｏ．２と比べてもバラ
ツキの幅が極めて小さくなっており、面内均一性に極め
て優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットであることがあ
きらかである。
れらの実施例のターゲットでは、Ｐｔの偏析が小さく比
較例と比べて大幅に向上していることがわかる。特に、
Ｎｏ．３のものではＮｏ．１やＮｏ．２と比べてもバラ
ツキの幅が極めて小さくなっており、面内均一性に極め
て優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットであることがあ
きらかである。
【００５３】図１７はＮｏ．３のターゲットの、また、
図１８はＮｏ．９のターゲット（比較例）の金属組織図
である。これらの図から明らかな様に、Ｎｏ．３のター
ゲットでは大きさの揃ったＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ３元系の合
金相で構成されており、比較例と比べて微視的な均一性
が大幅に向上していることがわかる。
図１８はＮｏ．９のターゲット（比較例）の金属組織図
である。これらの図から明らかな様に、Ｎｏ．３のター
ゲットでは大きさの揃ったＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ３元系の合
金相で構成されており、比較例と比べて微視的な均一性
が大幅に向上していることがわかる。
【００５４】以上説明した様に、請求項１記載のターゲ
ットの製造方法に係る一実施例では、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔ
それぞれを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中に
おいて加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉体化し、これらの粉体を用いて
成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、
残部がＣｏからなる混合物を作成し、該混合物を熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結した後に、圧
延することとしたので、加熱溶融時及び粉体化の工程中
にＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれの酸化を防止することがで
き、極めて高純度なＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔの粉体を得ること
ができ、したがって、極めて高純度かつ均一性に優れた
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成することができ
る。
ットの製造方法に係る一実施例では、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔ
それぞれを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中に
おいて加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉体化し、これらの粉体を用いて
成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、
残部がＣｏからなる混合物を作成し、該混合物を熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結した後に、圧
延することとしたので、加熱溶融時及び粉体化の工程中
にＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれの酸化を防止することがで
き、極めて高純度なＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔの粉体を得ること
ができ、したがって、極めて高純度かつ均一性に優れた
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成することができ
る。
【００５５】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法に係る一実施例では、ＣｏとＣｒの混合物を不活性ま
たは還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して
Ｃｏ−Ｃｒ合金とし、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気
中において粉体化するとともに、Ｐｔを不活性または還
元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状
態または凝固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のい
ずれかの雰囲気中において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合
金及びＰｔのそれぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜
２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからな
る混合物を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩ
Ｐ）を用いて成型・焼結した後に、圧延することとした
ので、加熱溶融時及び粉体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ合
金，Ｐｔそれぞれの酸化を防止することができ、極めて
高純度なＣｏ−Ｃｒ合金，Ｐｔの粉体を得ることがで
き、したがって、極めて高純度かつ均一性に優れたＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成することができる。
法に係る一実施例では、ＣｏとＣｒの混合物を不活性ま
たは還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して
Ｃｏ−Ｃｒ合金とし、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気
中において粉体化するとともに、Ｐｔを不活性または還
元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状
態または凝固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のい
ずれかの雰囲気中において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合
金及びＰｔのそれぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜
２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからな
る混合物を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩ
Ｐ）を用いて成型・焼結した後に、圧延することとした
ので、加熱溶融時及び粉体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ合
金，Ｐｔそれぞれの酸化を防止することができ、極めて
高純度なＣｏ−Ｃｒ合金，Ｐｔの粉体を得ることがで
き、したがって、極めて高純度かつ均一性に優れたＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成することができる。
【００５６】また、請求項３記載のターゲットの製造方
法に係る一実施例では、は、成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において加
熱溶融して合金とし、溶融状態または凝固状態の前記合
金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において
粉体化し、この粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することとしたので、加
熱溶融時及び粉体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の
酸化を防止することができ、極めて高純度なＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金の粉体を得ることができ、したがって、極め
て高純度かつ均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲ
ットを作成することができる。
法に係る一実施例では、は、成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において加
熱溶融して合金とし、溶融状態または凝固状態の前記合
金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において
粉体化し、この粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することとしたので、加
熱溶融時及び粉体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の
酸化を防止することができ、極めて高純度なＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金の粉体を得ることができ、したがって、極め
て高純度かつ均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲ
ットを作成することができる。
【００５７】以上により、極めて均一性が高くかつ高純
度のターゲットの製造方法を提供することができ、した
がって、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段
に向上させることができる。
度のターゲットの製造方法を提供することができ、した
がって、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段
に向上させることができる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のターゲットの製造方法によれば、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐ
ｔそれぞれを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中
において加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉体化し、これらの粉体を用いて
成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、
残部がＣｏからなる混合物を作成し、該混合物を熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結した後に、圧
延することとしたので、加熱溶融時及び粉体化の工程中
にＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれの酸化を防止することがで
き、極めて高純度なＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔの粉体を得ること
ができ、したがって、極めて高純度かつ均一性に優れた
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成することができ
る。
記載のターゲットの製造方法によれば、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐ
ｔそれぞれを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中
において加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性または還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉体化し、これらの粉体を用いて
成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、
残部がＣｏからなる混合物を作成し、該混合物を熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結した後に、圧
延することとしたので、加熱溶融時及び粉体化の工程中
にＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれの酸化を防止することがで
き、極めて高純度なＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔの粉体を得ること
ができ、したがって、極めて高純度かつ均一性に優れた
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成することができ
る。
【００５９】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法によれば、ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元性
のいずれかの雰囲気中において加熱溶融してＣｏ−Ｃｒ
合金とし、溶融状態または凝固状態の前記Ｃｏ−Ｃｒ合
金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において
粉体化するとともに、Ｐｔを不活性または還元性のいず
れかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または凝
固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの雰
囲気中において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合金及びＰｔ
のそれぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することとしたので、加
熱溶融時及び粉体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ合金，Ｐｔそ
れぞれの酸化を防止することができ、極めて高純度なＣ
ｏ−Ｃｒ合金，Ｐｔの粉体を得ることができ、したがっ
て、極めて高純度かつ均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
系ターゲットを作成することができる。
法によれば、ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元性
のいずれかの雰囲気中において加熱溶融してＣｏ−Ｃｒ
合金とし、溶融状態または凝固状態の前記Ｃｏ−Ｃｒ合
金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において
粉体化するとともに、Ｐｔを不活性または還元性のいず
れかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または凝
固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの雰
囲気中において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合金及びＰｔ
のそれぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することとしたので、加
熱溶融時及び粉体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ合金，Ｐｔそ
れぞれの酸化を防止することができ、極めて高純度なＣ
ｏ−Ｃｒ合金，Ｐｔの粉体を得ることができ、したがっ
て、極めて高純度かつ均一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
系ターゲットを作成することができる。
【００６０】また、請求項３記載のターゲットの製造方
法によれば、成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜
５５重量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性または
還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して合金
とし、溶融状態または凝固状態の前記合金を不活性また
は還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、この
粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結
した後に、圧延することとしたので、加熱溶融時及び粉
体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の酸化を防止する
ことができ、極めて高純度なＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の粉
体を得ることができ、したがって、極めて高純度かつ均
一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成する
ことができる。
法によれば、成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜
５５重量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性または
還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して合金
とし、溶融状態または凝固状態の前記合金を不活性また
は還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、この
粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼結
した後に、圧延することとしたので、加熱溶融時及び粉
体化の工程中にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の酸化を防止する
ことができ、極めて高純度なＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の粉
体を得ることができ、したがって、極めて高純度かつ均
一性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲットを作成する
ことができる。
【００６１】以上により、極めて均一性が高くかつ高純
度のターゲットの製造方法を提供することができ、した
がって、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段
に向上させることができる。
度のターゲットの製造方法を提供することができ、した
がって、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段
に向上させることができる。
【図１】本発明の請求項１記載のターゲットの製造方法
の粉体化の製造工程を示す工程図である。
の粉体化の製造工程を示す工程図である。
【図２】本発明の請求項１記載のターゲットの製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図３】本発明の請求項２記載のターゲットの製造方法
の粉体化の製造工程を示す工程図である。
の粉体化の製造工程を示す工程図である。
【図４】本発明の請求項２記載のターゲットの製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図５】本発明の請求項３記載のターゲットの製造方法
の粉体化の製造工程を示す工程図である。
の粉体化の製造工程を示す工程図である。
【図６】本発明の請求項３記載のターゲットの製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図７】ターゲットの漏れ磁束測定位置を示す平面図で
ある。
ある。
【図８】本発明のターゲットの表面のＩＣＰ分析による
Ｃｒの偏析の測定値を示すデータである。
Ｃｒの偏析の測定値を示すデータである。
【図９】本発明のターゲットの表面のＩＣＰ分析による
Ｃｒの偏析の測定値を示すデータである。
Ｃｒの偏析の測定値を示すデータである。
【図１０】本発明のターゲットの表面のＩＣＰ分析によ
るＣｒの偏析の測定値を示すデータである。
るＣｒの偏析の測定値を示すデータである。
【図１１】従来のターゲットの表面のＩＣＰ分析による
Ｃｒの偏析の測定値を示すデータである。
Ｃｒの偏析の測定値を示すデータである。
【図１２】ターゲットのＩＰＣ分析のサンプル採取位置
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１３】本発明のターゲットの表面のＩＣＰ分析によ
るＰｔの偏析の測定値を示すデータである。
るＰｔの偏析の測定値を示すデータである。
【図１４】本発明のターゲットの表面のＩＣＰ分析によ
るＰｔの偏析の測定値を示すデータである。
るＰｔの偏析の測定値を示すデータである。
【図１５】本発明のターゲットの表面のＩＣＰ分析によ
るＰｔの偏析の測定値を示すデータである。
るＰｔの偏析の測定値を示すデータである。
【図１６】従来のターゲットの表面のＩＣＰ分析による
Ｐｔの偏析の測定値を示すデータである。
Ｐｔの偏析の測定値を示すデータである。
【図１７】本発明のターゲットの金属組織を示す図であ
る。
る。
【図１８】比較例のターゲットの金属組織を示す図であ
る。
る。
【図１９】従来のスパッタリング用ターゲットの製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれを不活性また
は還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶
融状態または凝固状態の前記Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔそれぞれ
を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉
体化し、これらの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重
量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合
物を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を
用いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴とする
スパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項２】 ＣｏとＣｒの混合物を不活性または還元
性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融してＣｏ−Ｃ
ｒ合金とし、溶融状態または凝固状態の前記Ｃｏ−Ｃｒ
合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中におい
て粉体化するとともに、Ｐｔを不活性または還元性のい
ずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または
凝固状態の前記Ｐｔを不活性または還元性のいずれかの
雰囲気中において粉体化し、前記Ｃｏ−Ｃｒ合金及びＰ
ｔのそれぞれの粉体を用いて成分比がＣｒ５〜２０重量
％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物
を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用
いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴とするス
パッタリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項３】 成分比がＣｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０
〜５５重量％、残部がＣｏからなる混合物を不活性また
は還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融して合
金とし、溶融状態または凝固状態の前記合金を不活性ま
たは還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、こ
の粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて成型・焼
結した後に、圧延することを特徴とするスパッタリング
用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22056591A JPH0598433A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22056591A JPH0598433A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0598433A true JPH0598433A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=16752985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22056591A Pending JPH0598433A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0598433A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4438202A1 (de) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Target für eine Magnetron-Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
| JP2001076955A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Nikko Materials Co Ltd | 磁性体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2001303242A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US7229588B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-06-12 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidified alloy powders and elemental Pt metal |
| WO2007116834A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Mitsubishi Materials Corporation | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、および磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット |
| JP2007291512A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2008088546A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2008240011A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット |
| CN100445417C (zh) * | 2006-12-27 | 2008-12-24 | 湖南中精伦金属材料有限公司 | 垂直磁记录介质软磁性底层用钴基合金靶材的制造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP22056591A patent/JPH0598433A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4438202A1 (de) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Target für eine Magnetron-Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
| JP2001076955A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Nikko Materials Co Ltd | 磁性体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2001303242A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US7229588B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-06-12 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidified alloy powders and elemental Pt metal |
| WO2007116834A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Mitsubishi Materials Corporation | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、および磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット |
| JP2007291512A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2008088546A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN100445417C (zh) * | 2006-12-27 | 2008-12-24 | 湖南中精伦金属材料有限公司 | 垂直磁记录介质软磁性底层用钴基合金靶材的制造方法 |
| JP2008240011A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット |
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