JP2008078496A - 酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲットおよびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲットおよびその製造方法に関する。より詳しくは、磁気記録媒体の磁気記録膜（磁気記録層）として好適な、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜をスパッタリング法で形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、ならびに該ターゲット材の製造方法に関する。
一般に、ハードディスクメディアなどの磁気記録媒体の磁気記録膜（磁気記録層）として使用される磁性膜には、ある程度以上の保磁力を有すること、膜の面内での保磁力差（磁力のばらつき、以下、単に保磁力差ともいう。）が小さいことが要求される。これは、ある程度以上の保磁力がないと磁気記録ができず、また、膜の面内での保磁力差が大きいと読み出しエラーが多くなり、磁気記録膜として好ましくないためである。
また従来、磁気記録媒体の記録方式は、面内記録方式が主流であったが、磁気記録密度を向上させるために、垂直記録方式が開発され、近年、実用化されつつある。
そのため、磁気記録膜として使用される磁性膜の材料も、面内記録方式に適したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂから、垂直記録方式に適した、酸化物含有Ｃｏ系合金、たとえば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2などに移行しつつある（特許文献１〜３参照）。
そのため、磁気記録膜として使用される磁性膜の材料も、面内記録方式に適したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂから、垂直記録方式に適した、酸化物含有Ｃｏ系合金、たとえば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2などに移行しつつある（特許文献１〜３参照）。
このような、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、通常の場合、得ようとする磁性膜と同じ組成のターゲット材を、銅製あるいは銅合金製のバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングすることにより形成される。該ターゲット材においては、Ｃｏ系合金相と酸化物相とが均一に分散して存在することが求められていることから、通常は粉末冶金法によって製造されている。
しかしながら、いままでに得られている、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、保磁力の値自体の要求は満たすものの、その面内円周方向の保磁力差がたとえば、１８１〜２１０（Ｏｅ）と大きく、上記要求を満たしていないという問題がある。
特開２００５−２２２６７５号公報
特開平１０−８８３３３号公報
特開平７−３１１９２９号公報
本発明は、既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供することを課題としている。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜のＦｅ含量を所定値以下まで低減させることにより、該磁性膜の保磁力差を格段に小さくできることを見出して本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
本発明にかかる酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、そのＦｅ含量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴としている。なお、本明細書中、ｐｐｍは重量基準である。
本発明にかかる酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、そのＦｅ含量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴としている。なお、本明細書中、ｐｐｍは重量基準である。
前記酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、その面内円周方向の保磁力差が、望ましくは１１０（Ｏｅ）以下である。
さらに前記酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。
さらに前記酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。
また、本発明にかかる酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材は、Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴としている。
さらに、前記酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。
さらに、前記酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、前記酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなることを特徴としている。
また、本発明にかかる酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法は、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成することを特徴としている。
また、本発明にかかる酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法は、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成することを特徴としている。
なお、前記酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法においては、前記酸化物は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物であることが好ましい。
本発明の酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、既存のものと比較して保磁力差が格段に小さく、磁気特性の均一化が図られており、磁気記録媒体の磁気記録膜（磁気記録層）に要求される特性を満たす。そのため、本発明の酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、磁気記録媒体の磁気記録膜として好適に使用でき、該磁性膜を磁気記録膜として備えた磁気記録媒体を提供することができる。
また、本発明の酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材およびスパッタリングターゲットによれば、磁気記録媒体の磁気記録膜（磁気記録層）として好適な、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜を、必要に応じて他の層を備えた磁気記録媒体用基板上にスパッタリング法により容易に形成できる。
また、本発明の酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法によれば、各原料粉末のＦｅ含量を容易かつ確実に低減でき、このような原料粉末を使用することにより、保磁力差の小さい酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜を形成し得るターゲット材を製造できる。該製造方法は、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材がＣｒを含む場合にとくに好適である。
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明の、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材における、酸化物含有Ｃｏ系合金とは、主成分としてＣｏを含有し、かつ、Ｃｏ系合金相と酸化物（セラミックス）相とが均一に分散して存在している材料である。
本発明の、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材における、酸化物含有Ｃｏ系合金とは、主成分としてＣｏを含有し、かつ、Ｃｏ系合金相と酸化物（セラミックス）相とが均一に分散して存在している材料である。
該酸化物含有Ｃｏ系合金は、Ｃｏのほかに、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元
素を含んでいることが好ましい。
素を含んでいることが好ましい。
該酸化物含有Ｃｏ系合金の代表的な例としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物、Ｃｏ−Ｃｒ−酸化物、Ｃｏ−Ｐｔ−酸化物などが挙げられ、これらのうち、保磁力がより大きい点からは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物が好ましい。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物の組成比は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：０を超えて２０ａｔ％以下、Ｐｔ：０を超えて３０ａｔ％以下、Ｃｏ：残部（ａｔ％））が７０〜９９ｍｏｌ％、酸化物が残部（ｍｏｌ％）であることが望ましい。
より具体的には、上記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物の例として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2（以下、ＣＣＰＳともいう。）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＴｉＯ2（以下、ＣＣＰ−ＴｉＯ2ともいう。）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ2Ｏ5（以下、ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ともいう。）な
どが挙げられる。
どが挙げられる。
このような酸化物含有Ｃｏ系合金からなるターゲット材を、スパッタリングして得られる酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、保磁力が大きく、垂直記録方式の磁気記録媒体の磁気記録膜として有望視されている。
上記酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材は、上述したように、通常は各構成成分の原料粉末を混合した混合粉末などを用いて、粉末冶金法によって製造されている。これは、溶解・鋳造法を用いると、Ｃｏ系合金相と酸化物相とが均一に分散した組織のターゲット材を得ることが極めて困難であるからである。
粉末冶金法においては、各構成成分の原料粉末を混合した混合粉末（あるいは混合粉末を含有したスラリー）を成形して成形体を得た後であるいは成形すると同時に、焼成して該粉末粒子同士を焼結させるのが一般的である。
しかしながら、粉末冶金法では、原料粉末に含まれる不純物のうち、焼成などによりとり除くことができないものは、製造されるターゲット材に反映されてしまう。さらに、該ターゲット材に含まれる不純物は、該ターゲット材を備えたスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される磁性膜にも反映される。
そこで、該磁性膜に含まれる不純物と保磁力差との関係を検討したところ、該磁性膜の保磁力差は、不純物のうちでもＦｅの影響を大きく受け、該磁性膜のＦｅ含量を所定値以下まで低減させることにより、保磁力差を格段に小さくできることがわかった。これは、該磁性膜中にＦｅが所定値を超えて含まれていると、Ｆｅが局所的に偏析して、膜の面内、とくに膜の面内円周方向に保磁力分布を生じさせることによるものと推測される。
具体的には、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜のＦｅ含量を１００ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下、より好ましくは６０ｐｐｍ以下まで低減すると、該磁性膜の面内円周方向の保磁力差を、１１０（Ｏｅ）以下、好ましくは１００（Ｏｅ）以下まで低減することができる。
なお、該磁性膜のＦｅ含量は、保磁力差をより小さくする観点からは低いほどよく、その下限値はとくに限定されないが、通常は０．０５ｐｐｍ以上であってもよい。０．０５ｐｐｍ程度の量でＦｅを含んでいても、磁性膜の保磁力差は事実上問題とならないレベルにあるためである。
このような、Ｆｅ含量を所定値以下まで低減した酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜は、たとえば、Ｆｅ含量を所定値以下まで低減させた酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材を使用し
、該ターゲット材を備えたスパッタリングターゲットを常法に基づいてスパッタリングすることにより得ることができる。
、該ターゲット材を備えたスパッタリングターゲットを常法に基づいてスパッタリングすることにより得ることができる。
該ターゲット材としては、たとえば、Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下、より好ましくは６０ｐｐｍ以下の、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材が挙げられる。
なお、該ターゲット材のＦｅ含量は、スパッタリングにより得られる磁性膜の保磁力差をより小さくする観点からは低いほどよく、その下限値はとくに限定されないが、該磁性膜のＦｅ含量の下限値と同程度であってもよい。
上述したように、粉末冶金法によって製造されるターゲット材の不純物であるＦｅの量は、原料粉末に含まれるＦｅ不純物の量に影響される。したがって、該ターゲット材の製造の際には、Ｆｅ含量を低減した原料粉末を用いることが好ましい。
そのような原料粉末としては、得ようとする酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の組成比に基づいて、各構成成分の原料粉末を混合して得られた混合粉末のＦｅ含量を算出したときに、上述したターゲット材のＦｅ含量の条件を満たすもの、すなわち、該混合粉末のＦｅ含量が、１００ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下、より好ましくは６０ｐｐｍ以下となるものが好ましい。
したがって、各構成成分の原料粉末についても、そのＦｅ含量が、それぞれ１００ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下、より好ましくは６０ｐｐｍ以下であるものが望ましい。
上記の条件を満たす原料粉末が、該ターゲット材のすべての構成成分について、市販の原料粉末の選定によって得られる場合には、それらの原料粉末を用いて、粉末冶金法により、すなわち、それらの原料粉末を所望のターゲット材組成となるように秤量して、公知の手法により混合し、該混合粉末を用い、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成することにより、本発明のターゲット材を製造できる。
しかしながら、Ｆｅ含量を低減した原料粉末を用いようとしても、実際には原料粉末の製造過程に問題のあるケース、たとえば、原料粉末の原材料自体のＦｅ含量が多いケースや、たとえば、鋳塊を粉砕して粉末を得る過程で鉄製の粉砕機を使用しているケースなどが多く、市販の原料粉末の選定に拠るのには限界がある。
とくに市販のＣｒ粉末は、Ｆｅ含量が高く、通常の場合、数百ｐｐｍレベルでＦｅを含んでいる（たとえば、７８０ｐｐｍなど）。したがって、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材がＣｒを含む場合には、市販の原料粉末を使用しても、上記Ｆｅ含量の条件を満たすターゲット材を得ることは極めて困難である。
その一方、市販のＣｒ鋳塊は、そのＦｅ含量が市販の粉末よりも低く、Ｆｅ含量が小数点以下、たとえば０．１４ｐｐｍなどのものもあるが、該鋳塊を粉砕機で粉砕して粉末を得た場合には、粉砕時にＦｅが混入するため、得られたＣｒ粉末のＦｅ含量は市販のＣｒ粉末よりも高くなり、問題の解決には至らない。
また、このようなＦｅの混入のおそれが少なく、鋳塊から粉末を得るための他の方法として、アトマイズ法による処理が挙げられるが、Ｃｒは融点１９０３℃の高融点金属であるため、溶湯をアトマイズ装置に安定的に供給することが困難であり、アトマイズ法でＣｒ鋳塊から直接、Ｃｒ粉末を得ることは事実上難しい。
このような状況下、本発明者は、Ｃｒ鋳塊を単独で使用するかわりに、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融して、一旦Ｃｏ−Ｃｒ合金を調製した後で、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理すれば、Ｃｏ−Ｃｒ粉末が容易に得られることを見出した。これは、一旦Ｃｏ−Ｃｒ合金にすることにより、その液相線温度が低下するため、Ｃｏ−Ｃｒ合金溶湯をアトマイズ装置に安定的に供給することが可能となるからである。
なお、上記アトマイズ法としては、ガスアトマイズ法が好ましく挙げられ、その条件はとくに限定されず、公知の条件から適宜決定することができる。
また、Ｃｏ原料に関しても、市販のＣｏ粉末よりもＣｏ鋳塊の方が、Ｆｅ含量が低いため、Ｃｏ鋳塊とＣｏ粉末とを併せて使用するか、Ｃｏ鋳塊のみを使用すると、Ｃｏ粉末のみを使用した場合に比べて、得られるターゲット材のＦｅ含量をさらに低減することが可能である。さらに、Ｃｏ原料としてＣｏ鋳塊のみを使用すると、その効果がより大きくなり好ましい。
また、Ｃｏ原料に関しても、市販のＣｏ粉末よりもＣｏ鋳塊の方が、Ｆｅ含量が低いため、Ｃｏ鋳塊とＣｏ粉末とを併せて使用するか、Ｃｏ鋳塊のみを使用すると、Ｃｏ粉末のみを使用した場合に比べて、得られるターゲット材のＦｅ含量をさらに低減することが可能である。さらに、Ｃｏ原料としてＣｏ鋳塊のみを使用すると、その効果がより大きくなり好ましい。
なお、上記のＣｒ鋳塊、Ｃｏ鋳塊、Ｃｏ粉末についても、そのＦｅ含量はいずれも、１００ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下、より好ましくは６０ｐｐｍ以下であることが望ましいのは言うまでもない。すなわち、市販されている、Ｃｒ鋳塊、Ｃｏ鋳塊、Ｃｏ粉末には、Ｆｅ含量の高いものもあるので、すべての市販されている、Ｃｒ鋳塊、Ｃｏ鋳塊、Ｃｏ粉末が原料として使用できるわけではない。
こうして得られたＣｏ−Ｃｒ粉末を、Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下、より好ましくは６０ｐｐｍ以下である、酸化物粉末、および必要に応じて他の金属粉末（たとえば、Ｐｔ粉末など）と共に混合して混合粉末を得て、粉末冶金法により、すなわち、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成することにより、Ｃｒを含み、Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下の、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材を製造することができる。
混合手法としては、ボールミル混合、Ｖブレンダー混合、袋混合、スクリュー型混合機による混合などの公知の混合手法が挙げられる。成形方法としては、金型などを使用した冷間静水圧プレスや金型鋳込み法などの公知の成形方法が挙げられる。また、成形すると同時に焼成する方法としては、たとえば、ホットプレス（ＨＰ）法やホットアイソスタティックプレス（ＨＩＰ）法などが挙げられ、その条件はとくに限定されず、公知の条件から適宜選択することができる。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、上記酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材がボンディング材を介してバッキングプレートに接合されてなる。該ボンディング材としては、金属ＩｎまたはＩｎ合金などが挙げられる。
該スパッタリングターゲットを用いて、常法に従いスパッタリングすることにより、非磁性基板上に、あるいは非磁性基板上に非磁性下地層、軟磁性下地層の順で積層してなる積層体上に、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜を形成し、該磁性膜を磁気記録膜（磁気記録層）として有する磁気記録媒体を製造することが可能である。上記非磁性基板としては、ガラス基板、Ａｌ合金基板、樹脂製基板などが挙げられ、非磁性下地層の材料としては、Ｒｕ、Ｒｕ合金、Ｔｉなどが挙げられ、軟磁性下地層の材料としては、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金などが挙げられる。
なお、該磁気記録媒体の磁気記録層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。該保護層の材料としては、たとえばカーボンなどが挙げられる。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
例中で行った、Ｆｅ含量の測定方法は以下のとおりである。
＜Ｆｅ含量の測定＞
各種鋳塊、原料粉、ターゲット材および磁性膜（磁気記録層）のＦｅ含量は、ＩＣＰ発光分光分析装置SPS3000（セイコーインスツルメンツ株式会社製）にて測定した。
＜Ｆｅ含量の測定＞
各種鋳塊、原料粉、ターゲット材および磁性膜（磁気記録層）のＦｅ含量は、ＩＣＰ発光分光分析装置SPS3000（セイコーインスツルメンツ株式会社製）にて測定した。
［実施例１］
＜ＣＣＰＳターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
それぞれ純度99.9％の市販の、Ｃｏ鋳塊およびＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量は、それぞれ順に10ppm、0.14ppm）を使用し、以下の手順（１）〜（５）にしたがってアトマイズ処理をし、Ｃｏ−Ｃｒアトマイズ粉を得た。
＜ＣＣＰＳターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
それぞれ純度99.9％の市販の、Ｃｏ鋳塊およびＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量は、それぞれ順に10ppm、0.14ppm）を使用し、以下の手順（１）〜（５）にしたがってアトマイズ処理をし、Ｃｏ−Ｃｒアトマイズ粉を得た。
アトマイズ手順（装置：日新技研製）
（１）3×10-5Torrまで真空引
（２）-10cmHgまでＡｒを導入
（３）1680℃で計1.5ｋｇの原料を溶解して、Ｃｏ−Ｃｒ合金溶湯を調製
（４）アトマイズ温度1600℃、アトマイズガス圧30kgf/cm2、アトマイズガスＡｒでア
トマイズ処理
（５）グローブボックス内で目開き250μｍの篩で分級
得られたＣｏ−Ｃｒアトマイズ粉のＦｅ含量は5ppmであった。
（１）3×10-5Torrまで真空引
（２）-10cmHgまでＡｒを導入
（３）1680℃で計1.5ｋｇの原料を溶解して、Ｃｏ−Ｃｒ合金溶湯を調製
（４）アトマイズ温度1600℃、アトマイズガス圧30kgf/cm2、アトマイズガスＡｒでア
トマイズ処理
（５）グローブボックス内で目開き250μｍの篩で分級
得られたＣｏ−Ｃｒアトマイズ粉のＦｅ含量は5ppmであった。
ついで、該アトマイズ粉と、純度99.9％の市販の、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ2粉末（Ｆｅ
含量はそれぞれ順に4ppm、8ppm）を、所望の組成（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、Ｃｏ：残部（ａｔ％））９１ｍｏｌ％およびＳｉＯ2 ９ｍｏｌ％
）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得た。
含量はそれぞれ順に4ppm、8ppm）を、所望の組成（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、Ｃｏ：残部（ａｔ％））９１ｍｏｌ％およびＳｉＯ2 ９ｍｏｌ％
）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得た。
得られた混合粉を次のＨＰ条件でホットプレスし、成形体を得た。
ＨＰ条件
（１）ＨＰ温度 1300℃
（２）圧力 200kg/cm2
（３）保持時間 120min
（４）出来上がりサイズ φ4.3インチ×7mmt
得られた成形体を旋盤加工して、ＣＣＰＳターゲット材を得た。該ＣＣＰＳターゲット材のＦｅ含量は27ppmであった。
ＨＰ条件
（１）ＨＰ温度 1300℃
（２）圧力 200kg/cm2
（３）保持時間 120min
（４）出来上がりサイズ φ4.3インチ×7mmt
得られた成形体を旋盤加工して、ＣＣＰＳターゲット材を得た。該ＣＣＰＳターゲット材のＦｅ含量は27ppmであった。
ついで、得られたＣＣＰＳターゲット材を、Ｉｎボンディング材を介して、銅製のバッキングプレートにボンディングして、ＣＣＰＳスパッタリングターゲット（以下、単にＣＣＰＳターゲットともいう。）を得た。
＜ＣＣＰＳ磁性膜（磁気記録層）の形成＞
基板としてφ2.5インチの強化ガラスを用い、これをスパッタ装置（静止対向型マルチ
チャンバースパッタ機MSL-464；トッキ株式会社製）に導入して、基板加熱なし、Ａｒガ
ス圧20mTorrの条件で、Ｒｕターゲットをスパッタリングすることにより、該基板上に膜
厚200Åの非磁性下地層（Ｒｕ層）を形成した。
基板としてφ2.5インチの強化ガラスを用い、これをスパッタ装置（静止対向型マルチ
チャンバースパッタ機MSL-464；トッキ株式会社製）に導入して、基板加熱なし、Ａｒガ
ス圧20mTorrの条件で、Ｒｕターゲットをスパッタリングすることにより、該基板上に膜
厚200Åの非磁性下地層（Ｒｕ層）を形成した。
さらに、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒターゲット（（８７）Ｃｏ−（６）Ｎｂ−（７）Ｚｒ；括弧
内の数字はａｔ％を表す、以下同じ。）を、基板加熱なし、Ａｒガス圧5mTorrの条件で、スパッタリングすることにより、上記非磁性下地層上に膜厚2000Åの軟磁性下地層（Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ層）を形成した。
内の数字はａｔ％を表す、以下同じ。）を、基板加熱なし、Ａｒガス圧5mTorrの条件で、スパッタリングすることにより、上記非磁性下地層上に膜厚2000Åの軟磁性下地層（Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ層）を形成した。
さらに、上記ＣＣＰＳターゲットを、基板加熱なし、Ａｒガス圧5mTorrの条件で、スパッタリングすることにより、上記軟磁性下地層上に、膜厚200Åの磁気記録層（ＣＣＰＳ
磁性膜）を形成した。
磁性膜）を形成した。
その後、カーボンターゲットを、基板加熱なし、Ａｒガス圧5mTorrの条件で、スパッタリングすることにより、上記磁気記録層上に、膜厚50Åの保護層（カーボン層）を形成し、垂直記録方式の磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の半径28.5ｍｍの位置について、等分振り分け8点の面内円周方
向の保磁力を振動試料型磁力計ＶＳＭ（東英工業株式会社製）を使用して測定し、8点の
測定値の最大値と最小値の差から保磁力差を算出したところ、保磁力差は99(Oe)であり、ＣＣＰＳ磁性膜は磁気記録膜として極めて優れた性能を示した。
向の保磁力を振動試料型磁力計ＶＳＭ（東英工業株式会社製）を使用して測定し、8点の
測定値の最大値と最小値の差から保磁力差を算出したところ、保磁力差は99(Oe)であり、ＣＣＰＳ磁性膜は磁気記録膜として極めて優れた性能を示した。
なお、上記ＣＣＰＳターゲットを用いて、別の基板上に１μｍ厚のＣＣＰＳ磁性膜をスパッタリングにより単層膜として形成し、該ＣＣＰＳ磁性膜のＦｅ含量を測定したところ、Ｆｅ含量は26ppmであった。
これらの結果を表１にまとめて示す。
［比較例１］
それぞれ純度99.9％の市販の、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ2粉末原料（Ｆ
ｅ含量は、それぞれ順に55ppm、780ppm、4ppm、8ppm）を所望の組成（実施例１と同じ）
になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例１と同様にして行った。
［比較例１］
それぞれ純度99.9％の市販の、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ2粉末原料（Ｆ
ｅ含量は、それぞれ順に55ppm、780ppm、4ppm、8ppm）を所望の組成（実施例１と同じ）
になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例１と同様にして行った。
その結果、得られたＣＣＰＳターゲット材のＦｅ含量は114ppmであり、得られたＣＣＰＳ磁性膜のＦｅ含量は117ppm、保磁力差は210(Oe)であり、磁気記録膜として満足できる
ものではなかった。
ものではなかった。
これらの結果を表１にまとめて示す。
［比較例２］
純度99.9％の市販のＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量は0.14ppm）をメルトスピン法により急冷箔帯
とした後に機械粉砕して得た粉末（Ｆｅ含量は3500ppm）と、それぞれ純度99.9％の市販
の、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ2粉末原料（Ｆｅ含量はそれぞれ順に55ppm、4ppm、8ppm）を所望の組成（実施例１と同じ）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例１と同様にして行った。
［比較例２］
純度99.9％の市販のＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量は0.14ppm）をメルトスピン法により急冷箔帯
とした後に機械粉砕して得た粉末（Ｆｅ含量は3500ppm）と、それぞれ純度99.9％の市販
の、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ2粉末原料（Ｆｅ含量はそれぞれ順に55ppm、4ppm、8ppm）を所望の組成（実施例１と同じ）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例１と同様にして行った。
その結果、得られたＣＣＰＳターゲット材のＦｅ含量は420ppm、得られたＣＣＰＳ磁性膜のＦｅ含量は410ppmであり、保磁力差は212(Oe)であり、磁気記録膜として満足できる
ものではなかった。
ものではなかった。
これらの結果を表１にまとめて示す。
［比較例３］
純度99.9％の市販のＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量は0.14ppm）のみのアトマイズ処理を、溶融温
度1950℃とした以外は実施例１と同じ条件で行った。
［比較例３］
純度99.9％の市販のＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量は0.14ppm）のみのアトマイズ処理を、溶融温
度1950℃とした以外は実施例１と同じ条件で行った。
その結果、アトマイズ装置のノズルの先端でＣｒ溶湯が凝固し、アトマイズ処理できなかった。
［実施例２］
＜ＣＣＰ−ＴｉＯ2ターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
実施例１で得られたアトマイズ粉と、それぞれ純度99.9％の市販の、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ2粉末（Ｆｅ含量はそれぞれ順に4ppm、20ppm）を所望の組成（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、Ｃｏ：残部（ａｔ％））９１ｍｏｌ％およびＴｉＯ2
９ｍｏｌ％）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得た。
＜ＣＣＰ−ＴｉＯ2ターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
実施例１で得られたアトマイズ粉と、それぞれ純度99.9％の市販の、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ2粉末（Ｆｅ含量はそれぞれ順に4ppm、20ppm）を所望の組成（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、Ｃｏ：残部（ａｔ％））９１ｍｏｌ％およびＴｉＯ2
９ｍｏｌ％）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得た。
得られた混合粉を実施例１と同じホットプレス条件でホットプレスし、成形体を得た。得られた成形体を旋盤加工して、ＣＣＰ−ＴｉＯ2ターゲット材を得た。該ＣＣＰ−Ｔｉ
Ｏ2ターゲット材のＦｅ含量は65ppmであった。
Ｏ2ターゲット材のＦｅ含量は65ppmであった。
ついで、得られたＣＣＰ−ＴｉＯ2ターゲット材を、Ｉｎボンディング材を介して、銅
製のバッキングプレートにボンディングして、ＣＣＰ−ＴｉＯ2スパッタリングターゲッ
トを得た。
製のバッキングプレートにボンディングして、ＣＣＰ−ＴｉＯ2スパッタリングターゲッ
トを得た。
＜ＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜（磁気記録層）の形成＞
上記ＣＣＰ−ＴｉＯ2スパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１と同様にし
て、基板上に、非磁性下地層、軟磁性下地層、磁気記録層（ＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜）の
順に成膜して、積層した。
上記ＣＣＰ−ＴｉＯ2スパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１と同様にし
て、基板上に、非磁性下地層、軟磁性下地層、磁気記録層（ＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜）の
順に成膜して、積層した。
その後、実施例１と同様に、該磁気記録層上に保護膜を形成し、磁気記録媒体を得て、保磁力の測定を行い、保磁力差を算出したところ、保磁力差は92(Oe)であり、該ＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜は磁気記録膜として極めて優れた性能を示した。
なお、実施例１と同様にして、基板上に別途成膜したＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜のＦｅ含
量を測定したところ、55ppmであった。
これらの結果を表２にまとめて示す。
量を測定したところ、55ppmであった。
これらの結果を表２にまとめて示す。
［比較例４］
それぞれ、純度99.9％の市販の、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ2粉末原料（
Ｆｅ含量はそれぞれ順に55ppm、780ppm、4ppm、20ppm）を所望の組成（実施例２と同じ）になるように秤量し、ジルコニアボールにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例２と同様にして行った。
それぞれ、純度99.9％の市販の、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ2粉末原料（
Ｆｅ含量はそれぞれ順に55ppm、780ppm、4ppm、20ppm）を所望の組成（実施例２と同じ）になるように秤量し、ジルコニアボールにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例２と同様にして行った。
その結果、得られたＣＣＰ−ＴｉＯ2ターゲット材のＦｅ含量は168ppmであり、得られ
たＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜のＦｅ含量は154ppm、保磁力差は227(Oe)であり、磁気記録膜として満足できるものではなかった。
たＣＣＰ−ＴｉＯ2磁性膜のＦｅ含量は154ppm、保磁力差は227(Oe)であり、磁気記録膜として満足できるものではなかった。
これらの結果を表２にまとめて示す。
［実施例３］
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
実施例１で得られたアトマイズ粉と、それぞれ純度99.9％の市販の、Ｐｔ粉末、Ｔａ2
Ｏ5粉末（Ｆｅ含量はそれぞれ順に4ppm、23ppm）を所望の組成（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、Ｃｏ：残部（ａｔ％））９１ｍｏｌ％およびＴａ2Ｏ5
９ｍｏｌ％）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得た。
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
実施例１で得られたアトマイズ粉と、それぞれ純度99.9％の市販の、Ｐｔ粉末、Ｔａ2
Ｏ5粉末（Ｆｅ含量はそれぞれ順に4ppm、23ppm）を所望の組成（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、Ｃｏ：残部（ａｔ％））９１ｍｏｌ％およびＴａ2Ｏ5
９ｍｏｌ％）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得た。
得られた混合粉を実施例１と同じホットプレス条件でホットプレスし、成形体を得た。得られた成形体を旋盤加工して、ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材を得た。該ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材のＦｅ含量は78ppmであった。
ついで、得られたＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材を、Ｉｎボンディング材を介して、銅製のバッキングプレートにボンディングして、ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを得た。
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜（磁気記録層）の形成＞
上記ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１と同様にして、基板上に、非磁性下地層、軟磁性下地層、磁気記録層（ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜）の順に成膜して、積層した。
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜（磁気記録層）の形成＞
上記ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１と同様にして、基板上に、非磁性下地層、軟磁性下地層、磁気記録層（ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜）の順に成膜して、積層した。
その後、実施例１と同様に、該磁気記録層上に保護膜を形成し、磁気記録媒体を得て、保磁力の測定を行い、保磁力差を算出したところ、保磁力差は80(Oe)であり、該ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜は磁気記録膜として極めて優れた性能を示した。
なお、実施例１と同様にして、基板上に別途成膜したＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜のＦｅ含量を測定したところ、56ppmであった。
これらの結果を表３にまとめて示す。
これらの結果を表３にまとめて示す。
［実施例４］
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
Ｃｒ鋳塊として、純度99.9％の市販のＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量34ppm）を用いたほかは実施
例１と同様にして、Ｃｏ−Ｃｒアトマイズ粉を得た。このＣｏ−Ｃｒアトマイズ粉を使用した以外は実施例３と同様にして、ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材を得た。該ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材のＦｅ含量は96ppmであった。
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材およびスパッタリングターゲットの製造＞
Ｃｒ鋳塊として、純度99.9％の市販のＣｒ鋳塊（Ｆｅ含量34ppm）を用いたほかは実施
例１と同様にして、Ｃｏ−Ｃｒアトマイズ粉を得た。このＣｏ−Ｃｒアトマイズ粉を使用した以外は実施例３と同様にして、ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材を得た。該ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材のＦｅ含量は96ppmであった。
ついで、得られたＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材を、Ｉｎボンディング材を介して、銅製のバッキングプレートにボンディングして、ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを得た。
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜（磁気記録層）の形成＞
上記ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１と同様にして、基板上に、非磁性下地層、軟磁性下地層、磁気記録層（ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜）の順に成膜して、積層した。
＜ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜（磁気記録層）の形成＞
上記ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１と同様にして、基板上に、非磁性下地層、軟磁性下地層、磁気記録層（ＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜）の順に成膜して、積層した。
その後、実施例１と同様に、該磁気記録層上に保護膜を形成し、磁気記録媒体を得て、保磁力の測定を行い、保磁力差を算出したところ、保磁力差は102(Oe)であり、該ＣＣＰ
−Ｔａ2Ｏ5磁性膜は磁気記録膜として極めて優れた性能を示した。
−Ｔａ2Ｏ5磁性膜は磁気記録膜として極めて優れた性能を示した。
なお、実施例１と同様にして、基板上に別途成膜したＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜のＦｅ含量を測定したところ、70ppmであった。
これらの結果を表３にまとめて示す。
これらの結果を表３にまとめて示す。
［比較例５］
それぞれ、純度99.9％の市販の、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ2Ｏ5粉末原料（Ｆｅ含量はそれぞれ順に55ppm、780ppm、4ppm、23ppm）を所望の組成（実施例３と同じ）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例３と同様にして行った。
それぞれ、純度99.9％の市販の、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ2Ｏ5粉末原料（Ｆｅ含量はそれぞれ順に55ppm、780ppm、4ppm、23ppm）を所望の組成（実施例３と同じ）になるように秤量し、ジルコニアボールを使用したボールミルにて混合し、混合粉を得て、該混合粉を使用した以外は実施例３と同様にして行った。
その結果、得られたＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5ターゲット材のＦｅ含量は196ppmであり、得られたＣＣＰ−Ｔａ2Ｏ5磁性膜のＦｅ含量は175ppm、保磁力差は220(Oe)であり、磁気記録膜
として満足できるものではなかった。
として満足できるものではなかった。
これらの結果を表３にまとめて示す。
Claims (8)
- Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜。
- 面内円周方向の保磁力差が、１１０（Ｏｅ）以下であることを特徴とする、請求項１に記載の酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜。
- Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜。
- Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材。
- Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含み、さらにＣｒおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことを特徴とする、請求項４に記載の酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材。
- 請求項４または５に記載の酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成することを特徴とする、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。
- 前記酸化物が、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物であることを特徴とする請求項７に記載の酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2009001861A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2009001860A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2010001562A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | China Steel Corp | 貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットの製造方法 |
| JP2010102816A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2014159638A (ja) * | 2008-08-28 | 2014-09-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 貴金属粉末と酸化物粉末からなる混合粉末の製造方法及び貴金属粉末と酸化物粉末からなる混合粉末 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110003177A1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-01-06 | Solar Applied Materials Technology Corp. | Method for producing sputtering target containing boron, thin film and magnetic recording media |
| MY149640A (en) * | 2009-12-11 | 2013-09-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film |
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| CN112589099B (zh) * | 2020-12-15 | 2021-08-06 | 江苏应用元素科技有限公司 | 一种降低多弧铬靶生产成本的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1088333A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2001181832A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2002208125A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲット材および磁気記録媒体 |
| JP2002342908A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995003603A1 (fr) * | 1993-07-21 | 1995-02-02 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique et sa fabrication |
| US6759005B2 (en) * | 2002-07-23 | 2004-07-06 | Heraeus, Inc. | Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets |
| US7381282B2 (en) * | 2004-04-07 | 2008-06-03 | Hitachi Metals, Ltd. | Co alloy target and its production method, soft magnetic film for perpendicular magnetic recording and perpendicular magnetic recording medium |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1088333A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2001181832A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2002208125A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲット材および磁気記録媒体 |
| JP2002342908A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Sony Corp | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009001861A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2009001860A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2010001562A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | China Steel Corp | 貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットの製造方法 |
| TWI396759B (zh) * | 2008-06-18 | 2013-05-21 | China Steel Corp | A method for producing a metal - based ceramic composite target containing noble metal |
| JP2014159638A (ja) * | 2008-08-28 | 2014-09-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 貴金属粉末と酸化物粉末からなる混合粉末の製造方法及び貴金属粉末と酸化物粉末からなる混合粉末 |
| JP2010102816A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体 |
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