JP2010001562A - 貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減できる、貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】
貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法が提供される。この方法は、最初に湿式粉末混合工程により、セラミック粉末を磁性金属粉末の表面に均一に付ける工程と、セラミック−金属複合体粉末を得るためにこれを乾燥する工程と、次いで乾式粉末混合工程により、貴金属粉末をセラミックと金属の粉末と均一に混合する工程と、最後に、成形及び圧縮工程を使用してセラミック−金属複合体粉末を成形体ターゲットにする工程とを含む。本発明の製造方法は、磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減することができ、これにより、ターゲットの品質を改良し、その製造コストを削減する。
【選択図】 図1
Description
この実施形態では、スパッタリング用のCoCrPt−SiO2合金ターゲットの製造を例として示す。まず、99.95%より高い純度を有する磁性Co粉末、並びに同様に99.95%より高い純度を有するCr粉末、Pt粉末、及びSiO2粉末(粒子径は0.25μm)を用意する。Co、Cr、Pt及びSiO2の含有率は、それぞれ46重量%、5重量%、42重量%及び7重量%である。次いで、Co粉末、Cr粉末及びSiO2粉末をpH7の脱イオン水に入れ、18時間湿式粉末混合する。次に、CoCrPt−SiO2のスラリーを真空炉に入れ、76torrの真空度で乾燥する。ここで、乾燥温度は120℃、乾燥時間は4時間であり、この工程により、SiO2粉末はCo粉末及びCr粉末の表面に均一に付くことができる。最後に、乾燥したCoCrPt−SiO2粉末とPt粉末を、溶媒を用いない乾式粉末混合で4時間充分に混合し、次に均一に混合した粉末をグラファイトの型に入れ、1100℃で1.5時間ホットプレスすることによって成形して、圧縮し、高純度、微細構造及び均一な組成を有するCoCrPt−SiO2ターゲットを形成する。
この実施形態では、スパッタリング用のCoCrPt−TiO2合金ターゲットの製造を例として示す。まず、99.95%より高い純度を有する磁性Co粉末、並びに同様に99.95%より高い純度を有するCr粉末、Pt粉末、及びTiO2粉末(粒子径は0.07μm)を用意する。Co、Cr、Pt及びTiO2の含有率は、それぞれ48重量%、13重量%、31重量%及び8重量%である。次いで、Co粉末、Cr粉末及びTiO2粉末を脱イオン水に入れ、アンモニア水で溶液をpH8に調整した後、12時間湿式粉末混合する。次に、CoCr−TiO2のスラリーを真空炉に入れて、76torrの真空度で乾燥する。ここで、乾燥温度は160℃、乾燥時間は2時間であり、この工程によりTiO2粉末はCo粉末及びCr粉末の表面に均一に付くことができる。最後に、乾燥したCoCr−TiO2粉末とPt粉末を、溶媒を用いない乾式粉末混合で6時間充分に混合し、次に均一に混合した粉末をステンレス鋼の缶で密封し、800℃で4時間ホットプレスすることによって成形して、圧縮し、高純度、微細構造及び均一な組成を有するCoCrPt−TiO2ターゲットを形成する。
Claims (20)
- 貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法であって、
(a)純度が99.9%より高い磁性金属粉末及びセラミック粉末を用意する工程と、
(b)スラリーを形成するために前記セラミック粉末と前記磁性金属粉末を溶媒中で湿式粉末混合する工程であって、前記セラミック粉末が前記磁性金属粉末の表面に付けられる工程と、
(c)セラミック−金属複合体粉末を形成するために前記スラリーを乾燥する工程と、
(d)前記セラミック−金属複合体粉末を99.9%より高い純度を有する貴金属粉末と乾式粉末混合する工程と、
(e)貴金属を含む前記金属系セラミック複合体ターゲットを形成するために、前記混合したセラミック−金属複合体粉末と貴金属粉末とを成形及び圧縮する工程と、
を含む方法。 - 工程(a)及び(d)において、前記磁性金属粉末、前記セラミック粉末、及び前記貴金属粉末の純度が、99.95%より高い、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)において、前記セラミック粉末の重量パーセント(重量%)が5%〜12%、前記貴金属粉末の重量%が20%〜50%、及び、残部の重量%が前記磁性金属粉末の含有量である、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)において、前記磁性金属粉末が、コバルト又はその合金である、請求項3に記載の方法。
- 工程(a)において、前記コバルト合金が、コバルト−クロム合金である、請求項4に記載の方法。
- 工程(a)において、前記コバルト−クロム合金中のクロムの重量%が、4%〜16%である、請求項5に記載の方法。
- 工程(a)において、前記セラミック粉末が、SiO2又はTiO2である、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)において、前記セラミック粉末の粒子径が、0.07〜1.0μmである、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)において、前記貴金属粉末が、Ptである、請求項1に記載の方法。
- 工程(b)において、水又はアルコールが溶媒として使用される、請求項1に記載の方法。
- 工程(b)において、前記磁性金属粉末の表面と前記セラミック粉末の表面を異なる電位に帯電し、これにより前記セラミック粉末が前記磁性金属粉末の表面に付くようにする、請求項1に記載の方法。
- 工程(b)が、pHを調整する工程をさらに含み、前記スラリーのpHを調整するために酸又は塩基溶液が添加される、請求項1に記載の方法。
- 工程(b)において、前記湿式粉末混合の時間が、6〜24時間である、請求項1に記載の方法。
- 工程(c)において、前記スラリーが、真空乾燥法で乾燥される、請求項1に記載の方法。
- 工程(c)において、前記真空乾燥の温度が、80℃〜160℃であり、前記真空乾燥の時間が、2〜6時間である、請求項14に記載の方法。
- 工程(c)において、前記真空乾燥の真空度が、760torr未満である、請求項15に記載の方法。
- 工程(d)において、前記乾式粉末混合の時間が、4〜8時間である、請求項1に記載の方法。
- 工程(e)において、前記成形及び圧縮の工程が、ホットプレス又は熱間静水圧プレス工程によって実行される、請求項1に記載の方法。
- 工程(e)において、前記成形及び圧縮の温度が、800℃〜1200℃であり、前記成形及び圧縮の時間が、1〜4時間である、請求項18に記載の方法。
- 貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する前記方法が、膜スパッタリング工程、磁気記録、光電気、及び半導体産業で用いられる、請求項1に記載の方法。
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