JP2005307235A - P含有w粉末およびこれを用いて製造されたスパッタリング焼結ターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光学顕微鏡による観察でWの平均結晶粒径が40μm以下である、パーティクル発生のきわめて少ないW薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲットを、P(リン)を2〜20ppmの割合で含有し、残りがW(タングステン)と不可避不純物からなり、前記Wの含有割合が99.997質量%以上、前記不可避不純物の含有割合が10ppm以下である組成を有し、さらに前記Wの平均結晶粒径が光学顕微鏡による観察で10μm以下であるP含有W粉末を原料粉末として用いて高温等方圧プレス(HIP)成形する。
【選択図】 なし
Description
(a)スパッタ時のパーティクル発生数と焼結ターゲットにおけるWの平均結晶粒径との間には密接な関係があり、前記Wの平均結晶粒径を、光学顕微鏡による観察で、40μm以下にするとパーティクルの発生を著しく減少させることができること。
以上(a)〜(c)に示される研究結果を得たのである。
(a)Pを2〜20ppmの割合で含有し、残りがWと不可避不純物からなり、前記Wの含有割合が99.997%以上、前記不可避不純物の含有割合が10ppm以下である組成を有し、さらに前記Wの平均結晶粒径が光学顕微鏡による観察で10μm以下である、スパッタリング焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適したP含有W粉末。
(b)Pを2〜20ppmの割合で含有し、残りがWと不可避不純物からなり、前記Wの含有割合が99.997%以上、前記不可避不純物の含有割合が10ppm以下である組成を有し、さらに前記Wの平均結晶粒径が光学顕微鏡による観察で10μm以下であるP含有W粉末を原料粉末として用いて、高温等方圧プレス(HIP)成形され、かつ同じく光学顕微鏡による観察でWの平均結晶粒径が40μm以下である、パーティクル発生のきわめて少ないW薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット。
に特徴を有するものである。
また、この発明のP含有W粉末において、Wの含有割合が99.997%未満になったり、不可避不純物の含有割合が10ppmを越えたりすると、上記の通り焼結ターゲットは勿論のこと、スパッタ後のW薄膜におけるWおよび不可避不純物の含有割合もそれぞれ99.997%未満になったり、10ppmを越えたりするようになり、いずれの場合も、W薄膜に所定の特性を確保することができなくなることから、Wの含有割合を99.997%以上、不可避不純物の含有割合を10ppm以下に定めている。
さらに、W粉末にP成分を含有させてWの平均結晶粒径を光学顕微鏡による観察で10μm以下としたのは、この場合平均結晶粒径が10μmを越えると、前記P成分による粒成長抑制効果が十分に発揮されても、焼結ターゲットにおけるWの平均結晶粒径が40μmを越えてしまい、W薄膜にパーティクルが発生し易くなるという理由によるものである。
スパッタガス:Ar、
Arガス圧力:0.5Pa、
スパッタ出力:2kW、
スパッタ時間:5分、
の条件でスパッタを行い、直径:200mmのSiウエハーの表面に、全面に亘って厚さ:0.3μmのW薄膜を形成した。
Claims (2)
- P(リン)を2〜20ppmの割合で含有し、残りがW(タングステン)と不可避不純物からなり、前記Wの含有割合が99.997質量%以上、前記不可避不純物の含有割合が10ppm以下である組成を有し、さらにWの平均結晶粒径が光学顕微鏡による観察で10μm以下であることを特徴とするスパッタリング焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適したP含有W粉末。
- P(リン)を2〜20ppmの割合で含有し、残りがW(タングステン)と不可避不純物からなり、前記Wの含有割合が99.997質量%以上、前記不可避不純物の含有割合が10ppm以下である組成を有し、さらにWの平均結晶粒径が光学顕微鏡による観察で10μm以下であるP含有W粉末を原料粉末として用いて高温等方圧プレス(HIP)成形され、かつ同じく光学顕微鏡による観察でWの平均結晶粒径が40μm以下であることを特徴とする、パーティクル発生のきわめて少ないW薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット。
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