JP4970003B2 - Co−B系ターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)原子%で、B:0.5〜10%、残部Coおよび不可避的不純物よりなるCo−B系合金であって、該Co−B系合金中に、10μm以下のCo硼化物が分散していることを特徴とするCo−B系ターゲット材。
(2)Co−B系合金アトマイズ粉末の焼結体であることを特徴とする前記(1)に記載のCo−B系ターゲット材。
(3)不活性ガスアトマイズ法によって得られた原子%で、B:0.5〜10%、残部Coおよび不可避的不純物よりなる原料粉末を、800〜1000℃の温度で固化成形したことを特徴とするCo−B系ターゲット材の製造方法にある。
原子%で、B:0.5〜10%
Bは、スパッタ後の薄膜の磁気特性に影響し、0.5%未満では保磁力が十分でなく、10%を超えると飽和磁束密度が十分でなくなる。従って、その範囲を0.5〜10%とする。
表1に示すように、Co−B系合金を不活性ガスアトマイズ法によって作製した。ガスアトマイズ法の場合は、ガス種類がアルゴンガス、ノズル径が6mm、ガス圧が5MPaの条件で行う。作製した粉末を10μm以下に分級した。そのようにして作製した粉末を直径200mm、長さ100mmのSC材質からなる封入缶に充填し、到達真空度10-3torrで脱気真空封入した後、アップセット法で加熱温度750〜1100℃、成形圧力500MPa、加熱保持時間2時間の条件で成形体を作製した。上述したターゲット材の特性を表1に示す。
(1)密度
アップセット材より20×20×20mmの試験片を採取し、アルキメデス法により測定した。これを相対密度で表した。
アップセット材より採取した試験片を研磨し、光学顕微鏡にて観察し、n=10の平均径とした。
(3)パーティクル数
アップセット材よりワイヤカットおよび機械加工によりターゲット材を作製し、径3インチのSi基板にスパッタした。スパッタ条件は、アルゴンガス圧0.5MPa、DC電力500W、成膜厚さは500nmとした。この時発生したパーティクルの数は、スパッタした後ターゲット材を装置から取り出し、スパッタ面を目視して測定した。なお、表1に示すパーティクル数はNo.1のパーティクル数を100とした相対値で表した。
このように、10μm以下の微細なCo硼化物が分散したターゲット材においては、パーティクルの発生が極めて少なく抑えられることが可能となり、また、このターゲット材の製造方法としては、不活性ガスアトマイズによる急冷凝固粉末を800〜1000℃で固化成形することにより極めて優れた安定した薄膜を生成することができるターゲット材を提供できる。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (3)
- 原子%で、B:0.5〜10%、残部Coおよび不可避的不純物よりなるCo−B系合金であって、該Co−B系合金中に、10μm以下のCo硼化物が分散していることを特徴とするCo−B系ターゲット材。
- Co−B系合金アトマイズ粉末の焼結体であることを特徴とする請求項1に記載のCo−B系ターゲット材。
- 不活性ガスアトマイズ法によって得られた原子%で、B:0.5〜10%、残部Coおよび不可避的不純物よりなる原料粉末を、800〜1000℃の温度で固化成形したことを特徴とするCo−B系ターゲット材の製造方法。
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