JP4762862B2 - MoVB系ターゲット材の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)原子%で、V:5〜50%、B:0.5〜5%、残部Moからなり、原料粉末として、平均粒径が20μm以下のB粉末を使用し、成形温度1200〜1400℃で固化成形をしたことを特徴とするMoVB系ターゲット材。
(2)前記(1)に記載のB粉末の平均粒径を0.5〜20μmとしたことを特徴とするMoVB系ターゲット材にある。
本発明は、原子%でV:5〜50%、B:0.5〜5%、残部MoからなるMoVB系ターゲット材とした。これは、この範囲の組成において、磁気記録媒体の下地膜としての特性が良好であるためである。
表1に示すように、各平均粒径を持つ原料粉末としての、純Mo粉末、純V粉末および純B粉末をV型混合機により1時間攪拌混合する。その混合粉末を直径200mm、長さ100mmのSS材質からなる封入缶に充填し、到達温度10-1Pa以上で脱気真空封入した後、HIP(熱間静水圧プレス)にて、加熱温度1150〜1350℃、成形圧力150MPa、保持時間5時間の条件で成形体を作製し、HIPビレットとし、そのHIPビレットより20mm×20mm×20mmの試験片を採取したMoVB系ターゲット材の特性を表1に示す。
(1)密度
HIPビレットより20mm×20mm×20mmの試験片を採取し、アルキメデス法により測定した。それを相対密度で表した。
HIP材よりワイヤカットおよび機械加工によりターゲット材を作製し、径3インチのSi基板にスパッタした。このスパッタ条件は、Ar圧0.5Pa、DC電圧500W、成膜厚さは500nmとした。この時発生したパーティクルの数を目視にて測定した。なお、表1中のパーティクル数は、No.1のパーティクル数を100とした相対値で表している。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (2)
- 原子%で、V:5〜50%、B:0.5〜5%、残部Moからなり、原料粉末として、平均粒径が20μm以下のB粉末を使用し、成形温度1200〜1400℃で固化成形をしたことを特徴とするMoVB系ターゲット材。
- 請求項1に記載のB粉末の平均粒径を0.5〜20μmとしたことを特徴とするMoVB系ターゲット材。
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