TW202117031A - 磁性記錄媒體之種晶層用合金 - Google Patents
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Abstract
本發明係以提供一種可獲得大容量且耐蝕性優良的磁性記錄媒體之種晶層用合金為課題;為解決所述課題,本發明係提供一種磁性記錄媒體之種晶層用合金,其係包含:Ni、選自Fe及Co的至少1種、選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組的1種或2種以上之元素M1、選自由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組的1種或2種以上之元素M2與無可避免之雜質的磁性記錄媒體之種晶層用合金,其中元素M1的含有率為2at.%以上13at.%以下,元素M2的含有率為2at.%以上13at.%以下,元素M1的含有率與元素M2的含有率之和為4at.%以上15at.%以下,將合金中之Ni、Fe及Co的含有率(at.%)之比Ni:Fe:Co設為X:Y:Z時,X為20以上100以下,Y為0以上50以下,Z為0以上60以下。
Description
本發明係有關於一種磁性記錄媒體之種晶層用合金。詳言之,本發明係有關於一種適於種晶層的形成之Ni系合金。
為達記錄裝置的大容量化,已有人開發出採用垂直磁性記錄方式的記錄媒體。垂直記錄方式係在記錄媒體之磁性膜中,使易磁化軸與媒體面呈垂直方向地配向。採用此方式之垂直磁性記錄媒體的記錄密度較高。
垂直磁性記錄媒體係具有磁性記錄層與軟磁性層。磁性記錄層與軟磁性層之間形成有種晶層、基底膜層等中間層。垂直磁性記錄媒體,因磁性記錄層之晶粒的微細化,可獲得高記錄密度。種晶層之晶粒的微細化及結晶配向性有助於磁性記錄層的微細化。
日本特開2009-155722公報中揭示一種其材質為Ni-W合金的中間層用之靶材。就此靶材,藉由控制屬X光繞射中之fcc相的Ni固溶體的強度比,可抑制藉由濺鍍所得之合金膜的不均勻。
日本特開2012-128933公報中揭示一種其材質為Ni-Fe-Co-M合金的種晶層用靶材。此合金中,作為元素M係含有W、Mo、Ta、Cr、V或Nb。此靶材係有助於種晶層中之晶粒的微細化及朝(111)面的配向。
日本特開2017-191625公報中揭示一種其材質為Ni-Fe-Co-M合金的種晶層用靶材。此合金中,作為元素M係含有Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re或Pt。此靶材係有助於種晶層中之晶粒的微細化及朝(111)面的配向。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2009-155722公報
[專利文獻2] 日本特開2012-128933公報
[專利文獻3] 日本特開2017-191625公報
[發明所欲解決之課題]
近年來,磁性記錄媒體係要求進一步提升記錄密度。專利文獻1-3所揭示之使用以合金作為材質的靶材而得之種晶層之朝(111)面的配向性及晶粒的微細化尚有改善的空間。再者,本案發明人等發現,使用專利文獻3中所提出之靶材而得之種晶層其耐蝕性較低,而有在記錄媒體的使用環境下發生腐蝕的課題。
本發明目的在於提供一種可獲得記錄密度高且耐蝕性優良的磁性記錄媒體之種晶層用合金。
[解決課題之手段]
本發明之磁性記錄媒體之種晶層用合金係包含:Ni、選自Fe及Co的至少1種、選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組的1種或2種以上之元素M1、選自由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組的1種或2種以上之元素M2與無可避免之雜質。本發明之種晶層用合金中之元素M1的含有率為2at.%以上13at.%以下。本發明之種晶層用合金中之元素M2的含有率為2at.%以上13at.%以下。本發明之種晶層用合金中之元素M1的含有率與元素M2的含有率之和為4at.%以上15at.%以下。將本發明之種晶層用合金中之Ni的含有率(at.%)、Fe的含有率(at.%)及Co的含有率(at.%)之比Ni:Fe:Co設為X:Y:Z時,X為20以上100以下,Y為0以上50以下,Z為0以上60以下。
較佳為,本發明之種晶層用合金進一步包含選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C及Mn所成群組的1種或2種以上之元素M3。本發明之種晶層用合金中之元素M3的含有率係超過0at.%且為5at.%以下。
根據其他觀點,本發明之濺鍍靶材係由本發明之種晶層用合金所構成。本發明之濺鍍靶材能以本發明之種晶層用合金作為材質而得。
根據另一觀點,本發明之磁性記錄媒體係具有由本發明之種晶層用合金所構成的種晶層。此種晶層可藉由濺鍍而得。此濺鍍中可使用以本發明之種晶層用合金為材質的靶材。
[發明之效果]
根據本發明之種晶層用合金,可獲得朝(111)面的配向性高、晶粒度細微且耐蝕性優良的種晶層。本發明之種晶層用合金能有助於提升磁性記憶媒體的記錄密度及抑制腐蝕。
[實施發明之形態]
以下,基於較佳實施形態詳細說明本發明。此外,本案說明書中表示範圍的「X~Y」係指「X以上Y以下」。又,除非特別加以註記,否則「ppm」係指「質量ppm」。
本發明之磁性記錄媒體之種晶層用合金係包含:Ni、選自Fe及Co的至少1種、選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組的1種或2種以上之元素M1、選自由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組的1種或2種以上之元素M2與無可避免之雜質。
由Ni、選自Fe及Co的至少1種與無可避免之雜質所構成的Ni-Fe-Co系合金係具有fcc構造。雖然其機制尚不明確,元素M1及元素M2均具有使Ni-Fe-Co系合金之fcc構造的優先方位由(200)轉變為(111),並使其晶粒微細化之機能。於此,本發明之種晶層用合金的特徵在於使Ni-Fe-Co系合金均含有元素M1及元素M2此兩者。由此合金所得之種晶層,藉由元素M1及元素M2之相乘效果,可顯著提升朝(111)面的配向性,而使晶粒微細化。而且,本案發明人等致力研究的結果發現,迄此未受矚目之種晶層的低耐蝕性之課題,可透過併用元素M1及元素M2來解決。包含此種晶層的垂直磁性記錄媒體可達高記錄密度,並可避免在使用環境下發生腐蝕。
由提升朝(111)面的配向性及晶粒的微細化之觀點,元素M1的含有率為2at.%以上。過量的元素M1會使種晶層轉變為fcc構造以外的構造。由種晶層可維持fcc構造之觀點,元素M1的含有率為13at.%以下,較佳為10at.%以下。
諸如前述,元素M1係由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組選出1種或2種以上。若選擇2種以上之元素M1時,係以選出之2種以上的合計量來調整其含有率。
由提升朝(111)面的配向性及晶粒的微細化之觀點,元素M2的含有率為2at.%以上。由種晶層可維持fcc構造之觀點及提升耐蝕性之觀點,元素M2的含有率為13at.%以下,較佳為10at.%以下。
諸如前述,元素M2係由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組選出1種或2種以上。若選擇2種以上之元素M2時,係以選出之2種以上的合計量來調整其含有率。
由垂直磁性記錄媒體的高記錄密度化及提升耐蝕性之觀點,元素M1的含有率與元素M2的含有率之和為4at.%以上,較佳為5at.%以上。由種晶層可維持fcc構造之觀點,元素M1的含有率與元素M2的含有率之和為15at%以下,較佳為13at.%以下。
於本發明之種晶層用合金中,Ni的含有率(at.%)、Fe含有率(at.%)及Co的含有率(at.%)之比Ni:Fe:Co係表示為X:Y:Z。於此,X+Y+X為100。
於本發明之種晶層用合金中,X為20以上100以下。藉由X為20以上的合金,可獲得能抑制矯頑磁力的種晶層。由此觀點,X較佳為40以上,更佳為60以上。
於本發明之種晶層用合金中,Y為0以上50以下。藉由Y處於此範圍內的合金,可獲得能抑制矯頑磁力的種晶層。由此觀點,Y較佳為2以上,更佳為10以上且40以下。
於本發明之種晶層用合金中,Z為0以上60以下。藉由Z處於此範圍內的合金,可獲得尤其能抑制(111)方向之矯頑磁力的種晶層。由此觀點,Z較佳為40以下,更佳為30以下。
本發明之種晶層用合金可包含選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C及Mn所成群組的1種或2種以上之元素M3。元素M3可促進所得種晶層之晶粒的微細化。藉由使用包含元素M3之合金而得的種晶層,可達垂直磁性記錄媒體之更高的記錄密度。
由晶粒的微細化及種晶層可維持fcc構造之觀點,元素M3的含有率較佳超過0at.%且為5at.%以下。更佳之元素M3的含有率為3at.%以下。若選擇2種以上之元素M3時,係以選出之2種以上的合計量來調整其含有率。
本發明之濺鍍靶材係由本發明之種晶層用合金所構成。換言之,本發明之濺鍍靶材的材質係包含:Ni、選自Fe及Co的至少1種、選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組的1種或2種以上之元素M1、選自由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組的1種或2種以上之元素M2與無可避免之雜質的合金。本發明之濺鍍靶材中之元素M1的含有率為2at.%以上13at.%以下。本發明之濺鍍靶材中之元素M2的含有率為2at.%以上13at.%以下。本發明之濺鍍靶材中之元素M1的含有率與元素M2的含有率之和為4at.%以上15at.%以下。將本發明之濺鍍靶材中之Ni的含有率(at.%)、Fe的含有率(at.%)及Co的含有率(at.%)之比Ni:Fe:Co設為X:Y:Z時,X為20以上100以下,Y為0以上50以下,Z為0以上60以下。本發明之濺鍍靶材可藉由將以本發明之種晶層用合金為材質的原料粉末在高壓下加熱進行固化成形而形成燒結體,並利用機械手段等將此燒結體加工成適當的形狀而製造。
只要可獲得本發明之效果,則將以種晶層用合金為材質之原料粉末固化成形的方法及條件不特別限定,可適宜選擇熱靜水壓法(HIP法)、熱壓法、放電電漿燒結法(SPS法)、熱擠壓法等。
舉例而言,根據熱靜水壓法(HIP法),首先將以種晶層用合金為材質的原料粉末填充於碳鋼製罐內。將此罐進行真空除氣後加以密封,而形成小胚。對此小胚進行HIP成形(熱均壓)而形成燒結體。HIP成形的較佳壓力為50MPa以上300MPa以下,較佳燒結溫度為800℃以上1350℃以下。將所得燒結體進行線切割、車床加工及平面研磨,加工成既定形狀,可得濺鍍靶材。
用於濺鍍靶材的製造之原料粉末可藉由已知之霧化法來製造。霧化法的種類不特別限定,可為氣體霧化法、液體霧化法或離心力霧化法;較佳為氣體霧化法。實施霧化法之際,可適宜選擇已知之霧化裝置及製造條件來使用。
以霧化法所得之粉末係視需求進行分級。藉由分級,可去除例如會妨礙燒結之粒徑500μm以上的粒子(粗粉)。此分級後之粉末可作為靶材製造的原料粉末。
本發明之種晶層係由本發明之種晶層用合金所構成。透過使用以本發明之種晶層用合金為材質的靶材進行濺鍍,可形成組成與本發明之種晶層用合金相同的種晶層。換言之,本發明之種晶層可藉由使用靶材的濺鍍而得,該靶材係其材質包含:Ni、選自Fe及Co的至少1種、選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組的1種或2種以上之元素M1、選自由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組的1種或2種以上之元素M2與無可避免之雜質的合金。作為靶材使用之合金中之元素M1的含有率為2at.%以上13at.%以下。作為靶材使用之合金中之元素M2的含有率為2at.%以上13at.%以下。作為靶材使用之合金中之元素M1的含有率與元素M2的含有率之和為4at.%以上15at.%以下。將作為靶材使用之合金中之Ni的含有率(at.%)、Fe的含有率(at.%)及Co的含有率(at.%)之比Ni:Fe:Co設為X:Y:Z時,X為20以上100以下,Y為0以上50以下,Z為0以上60以下。本發明之磁性記錄媒體係具有本發明之種晶層。透過使用本發明之種晶層作為磁性記錄媒體中之種晶層,可獲得本發明之磁性記錄媒體。本發明之磁性記錄媒體較佳為垂直磁性記錄媒體。本發明之磁性記錄媒體的記錄密度較高。本發明之磁性記錄媒體其耐蝕性優良。
[實施例]
以下根據實施例來闡明本發明之效果,惟本發明不應由此實施例之記載而限定性地解釋。
磁性記錄媒體的種晶層係藉由使用具有與其成分相同之成分的靶材之濺鍍而成膜於玻璃基板上。此種晶層係藉由驟冷、凝固而得。形成種晶層需耗時費力。因此,替代種晶層,對以單輥式驟冷裝置所作成的驟冷薄帶,以後述之各評定試驗進行評定。就單輥式驟冷裝置,係與濺鍍同樣地經過驟冷、凝固之步驟而作成驟冷薄帶。透過使用驟冷薄帶作為試片,可簡易地評定由濺鍍所得之種晶層的各特性。
將以成為下述表1-3所示組成的方式秤量之原料30g投入至水冷銅鑄模(直徑:10mm、長度:40mm)中。將此鑄模減壓,在氬氣環境中進行電弧熔化,而得到熔化母材。將此熔化母材投入至直徑15mm的石英管中,由噴嘴釋出熔液,供予至單輥式驟冷裝置而作成驟冷薄帶。驟冷薄帶的作成條件如下。以所得驟冷薄帶為試片,供予各評定試驗。
出液噴嘴的直徑:1mm
環境氣壓:61kPa
噴霧差壓:69kPa
輥的材質:銅
輥的直徑:300mm
輥的旋轉數:3000rpm
輥與出液噴嘴的間隙:0.3mm
此外,關於表1-3所示成分組成,例如No.1之「2Ta」及「3Pt」係分別意指Ta的含有率為2at.%、Pt的含有率為3at.%,Ni、Fe及Co的含有率(at.%)之比X:Y:Z表示100:0:0。表1-3所示之合金的其餘部分為無可避免之雜質。
[保持力]
對振動試料型矯頑磁力計的試料台用雙面膠黏貼試片,以初始施加磁場144kA/m之條件測定矯頑磁力。基於下述基準進行分級。將此結果示於下述表1-3。評定係按III、II、I之順序為升序。
I :矯頑磁力為300A/m以下
II:矯頑磁力超過300A/m且為500A/m以下
III:矯頑磁力超過500A/m
[飽和磁通量]
由驟冷薄帶採取試片(約15mg),使用VSM裝置(振動試料型磁力計),以施加磁場1200kA/m之條件測定飽和磁通量。基於下述基準進行分級。將此結果示於下述表1-3。評定係按III、I之順序為升序。
I :為0.2T以上
III:未達0.2T
[結晶粒徑]
取得試片之輥方向剖面的微組織影像。依據「JIS G 0551」之「鋼-晶粒度之顯微鏡試驗方法」的規定,測定結晶粒徑。基於下述基準進行分級。將此結果示於下述表1-3。評定係按III、II、I之順序為升序。
I :P/Lt為1.5以上
II :P/Lt為1.2以上且未達1.5
III:P/Lt未達1.2
[配向性]
以與銅輥之接觸面為測定面的方式,對玻璃板用雙面膠黏貼試片,並以X光繞射裝置獲得繞射圖形。繞射條件如下。
X光源:Cu-α線
掃描速度:4°/min
於此繞射圖形中,求出在(111)面繞射之X光的強度I(111)相對於在(200)面繞射之X線的強度I(200)之強度比I(111)/I(200)。基於下述基準進行分級。
I :強度比I(111)/I(200)為0.7以上
III:強度比I(111)/I(200)未達0.7
此外,試片未保有fcc構造者及非晶質化者皆評定為III。將此結果示於下述表1-3。評定係按III、I之順序為升序。
[耐蝕性]
由驟冷薄帶採取試片(50mg),正確秤量其質量。將此試片浸漬於濃度3wt.%的HNO3
水溶液10ml。於室溫下靜置1小時後,以ICP測定在浸漬液之HNO3
水溶液中溶出之Ni、Fe及Co的量。求出Ni、Fe及Co的總溶出量(Ni+Fe+Co),基於下述基準進行分級。將此結果示於下述表1-3。評定係按III、II、I之順序為升序。
I :(Ni+Fe+Co)未達50ppm
II :(Ni+Fe+Co)為50ppm以上且未達150ppm
III:(Ni+Fe+Co)為150ppm以上
如表1-3所示,就實施例(No.1-39),在Ni、Fe及Co滿足既定比率的合金中,藉由將元素M1的含有率調整為2at.%以上13at.%以下、元素M2的含有率調整為2at.%以上13at.%以下,且元素M1與元素M2的含有率之和調整為4at.%以上15at.%以下,就矯頑磁力、飽和磁通密度、結晶粒徑、配向性及耐蝕性,可獲得良好的評定結果。再者,就實施例(No.20-39),藉由包含5at%以下的元素M3,可顯著提升結晶粒徑。
另一方面,就比較例(No.40、41及45),因元素M1及M2的含有率之和少至未達4at.%,晶粒無法充分微細化,耐蝕性較差。就比較例(No.48),元素M1及M2的含有率之和雖為4at.%,但元素M2少至未達2at.%,耐蝕性較差,且無法改善朝(111)面的配向性。就比較例(No.42-44、46、47及49),因元素M1及M2的含有率之和超過15at.%而偏多,導致朝(111)面的配向性降低,而無法保持fcc構造。再者,亦觀察到磁特性(飽和磁通密度)降低。
如以上所說明,根據本發明之種晶層用合金,可獲得各特性優良的種晶層。透過應用此種晶層,可獲得記錄密度高的磁性記錄媒體。由此評定結果闡明本發明之優越性。
[產業上可利用性]
由以上所說明之種晶層用合金及由此合金所構成的靶材可適用於各種磁性記錄媒體。
Claims (4)
- 一種磁性記錄媒體之種晶層用合金,其係包含:Ni、選自Fe及Co的至少1種、選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所成群組的1種或2種以上之元素M1、選自由Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re及Pt所成群組的1種或2種以上之元素M2與無可避免之雜質的磁性記錄媒體之種晶層用合金,其中, 上述元素M1的含有率為2at.%以上13at.%以下, 上述元素M2的含有率為2at.%以上13at.%以下, 上述元素M1的含有率與上述元素M2的含有率之和為4at.%以上15at.%以下, 將上述合金中之Ni、Fe及Co的含有率(at.%)之比Ni:Fe:Co設為X:Y:Z時,X為20以上100以下,Y為0以上50以下,Z為0以上60以下。
- 如請求項1之種晶層用合金,其中, 上述合金進一步包含選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C及Mn所成群組的1種或2種以上之元素M3, 上述元素M3的含有率係超過0at.%且為5at.%以下。
- 一種濺鍍靶材,其係由如請求項1或2中任一項之合金所構成。
- 一種磁性記錄媒體,其係具有由如請求項1或2中任一項之合金所構成的種晶層。
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