JP2003328118A - Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 - Google Patents
Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体Info
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｂ２規則格子であるＲｕ−Ａｌ金属間化合物
からなる高抗折力の金属間化合物ターゲットの製造方
法、その製造方法によって作製されるターゲットと磁気
記録媒体を提供する。 【解決手段】 金属Ｒｕ粉末と金属Ａｌ粉末とを反応焼
結法により、実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ
金属間化合物とし、次いで該金属間化合物を粉砕したＲ
ｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結するＲｕ−Ａｌ金属間
化合物ターゲットの製造方法である。また、上記の製造
方法で作製した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａ
ｌ金属間化合物粉末の焼結体でなるＲｕ−Ａｌ金属間化
合物ターゲットである。また、上述したＲｕ−Ａｌ金属
間化合物ターゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子か
らなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非
磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする
磁気記録媒体である。
からなる高抗折力の金属間化合物ターゲットの製造方
法、その製造方法によって作製されるターゲットと磁気
記録媒体を提供する。 【解決手段】 金属Ｒｕ粉末と金属Ａｌ粉末とを反応焼
結法により、実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ
金属間化合物とし、次いで該金属間化合物を粉砕したＲ
ｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結するＲｕ−Ａｌ金属間
化合物ターゲットの製造方法である。また、上記の製造
方法で作製した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａ
ｌ金属間化合物粉末の焼結体でなるＲｕ−Ａｌ金属間化
合物ターゲットである。また、上述したＲｕ−Ａｌ金属
間化合物ターゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子か
らなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非
磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする
磁気記録媒体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として磁気ディ
スク装置用などの磁気記録媒体の下地層を形成するため
に用いられるＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化
合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物タ
ーゲットおよび磁気記録媒体に関するものである。
スク装置用などの磁気記録媒体の下地層を形成するため
に用いられるＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化
合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物タ
ーゲットおよび磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来Ｃｏ系磁性層は、高密度な磁気記録
が可能なように発展してきた。一般に磁性層をエピタキ
シャル成長させるために、磁性層の下に下地層が形成さ
れる。この下地層に対しては、磁性層を健全なエピタキ
シャル成長させるために、格子定数、結晶配向性、結晶
粒度および膜の均一性の改良が行われている。たとえ
ば、従来の下地層としては、Ｃｏ系磁性層との格子定数
の整合性から、純ＣｒおよびＣｒ合金が主流である。
が可能なように発展してきた。一般に磁性層をエピタキ
シャル成長させるために、磁性層の下に下地層が形成さ
れる。この下地層に対しては、磁性層を健全なエピタキ
シャル成長させるために、格子定数、結晶配向性、結晶
粒度および膜の均一性の改良が行われている。たとえ
ば、従来の下地層としては、Ｃｏ系磁性層との格子定数
の整合性から、純ＣｒおよびＣｒ合金が主流である。
【０００３】最近、Ｂ２規則格子金属間化合物の下地膜
が提案されている（例えば、特許文献１参照）。上述し
た特許文献１には、Ｂ２規則格子金属間化合物を、Ｃｒ
下地の代わりに直接磁性膜を形成する下地膜として使用
すること、および純Ｃｒの下地膜のさらに下地になる膜
として使用することが提案されている。特に、純Ｃｒの
さらに下地となる膜として使用すると、Ｃｒ膜の結晶粒
をより微細とすることができ、高保磁力の磁気記録媒体
が得られることが報告されている。
が提案されている（例えば、特許文献１参照）。上述し
た特許文献１には、Ｂ２規則格子金属間化合物を、Ｃｒ
下地の代わりに直接磁性膜を形成する下地膜として使用
すること、および純Ｃｒの下地膜のさらに下地になる膜
として使用することが提案されている。特に、純Ｃｒの
さらに下地となる膜として使用すると、Ｃｒ膜の結晶粒
をより微細とすることができ、高保磁力の磁気記録媒体
が得られることが報告されている。
【０００４】
【特許文献１】欧州特許出願公開第０７０４８３９号明
細書
細書
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者が上述のＢ２
規則格子金属間化合物の下地層を検討したところ、格子
定数がＣｏ系磁性層と近いこと、結晶配向性および膜の
微細均一性でＣｏ系磁気記録媒体の下地層に適している
ことを確認した。このＢ２規則格子金属間化合物の下地
層を作製する方法としては、上述した文献等に記載され
るようにＲＦスパッタリング法などが使用できる。スパ
ッタリング法においては、膜組成の供給源となるターゲ
ットが必要となる。
規則格子金属間化合物の下地層を検討したところ、格子
定数がＣｏ系磁性層と近いこと、結晶配向性および膜の
微細均一性でＣｏ系磁気記録媒体の下地層に適している
ことを確認した。このＢ２規則格子金属間化合物の下地
層を作製する方法としては、上述した文献等に記載され
るようにＲＦスパッタリング法などが使用できる。スパ
ッタリング法においては、膜組成の供給源となるターゲ
ットが必要となる。
【０００６】本発明者はＢ２規則格子金属間化合物の均
一な膜を形成するための化合物ターゲットを作製するこ
とを検討した。そして、Ｂ２規則格子金属間化合物から
なるターゲットを溶解法で作製したところ抗折力が低く
加工中に破断するといった問題が発生した。Ｂ２規則格
子金属間化合物の鋳造ターゲットは、ある程度微細なチ
ル晶、粗大でかつ冷却方向に依存する柱状晶、そしてあ
る程度微細な等軸晶が形成され粒径が大きくばらついて
しまうことを確認した。結晶粒のばらつきは、パーティ
クルの発生の原因になるばかりでなく、成膜した時の薄
膜の膜厚がばらつく原因になる。こうなると下地膜とし
てその上面に形成する薄膜をエピタキシャル成長させに
くくなり、結果として磁気記録特性を劣化する原因とな
る。本発明の目的は、Ｂ２規則格子であるＲｕ−Ａｌ金
属間化合物からなる高抗折力の金属間化合物ターゲット
の製造方法、その製造方法によって作製されるターゲッ
トと磁気記録媒体を提供することである。
一な膜を形成するための化合物ターゲットを作製するこ
とを検討した。そして、Ｂ２規則格子金属間化合物から
なるターゲットを溶解法で作製したところ抗折力が低く
加工中に破断するといった問題が発生した。Ｂ２規則格
子金属間化合物の鋳造ターゲットは、ある程度微細なチ
ル晶、粗大でかつ冷却方向に依存する柱状晶、そしてあ
る程度微細な等軸晶が形成され粒径が大きくばらついて
しまうことを確認した。結晶粒のばらつきは、パーティ
クルの発生の原因になるばかりでなく、成膜した時の薄
膜の膜厚がばらつく原因になる。こうなると下地膜とし
てその上面に形成する薄膜をエピタキシャル成長させに
くくなり、結果として磁気記録特性を劣化する原因とな
る。本発明の目的は、Ｂ２規則格子であるＲｕ−Ａｌ金
属間化合物からなる高抗折力の金属間化合物ターゲット
の製造方法、その製造方法によって作製されるターゲッ
トと磁気記録媒体を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｂ２規則格
子金属間化合物ターゲットの抗折力はターゲットのミク
ロ組織に大きく依存することを見いだした。そして、鋳
造ターゲットで確認された結晶粒の大きなばらつきを防
止しする手段として焼結ターゲットとすることが必要で
あることを見いだした。さらに、この金属間化合物ター
ゲットとしては、予め反応焼結法によりＢ２規則格子か
らなる金属間化合物粉末に調整し、これを焼結したター
ゲットが、高抗折力を確保できることを見いだし、本発
明に到達した。
子金属間化合物ターゲットの抗折力はターゲットのミク
ロ組織に大きく依存することを見いだした。そして、鋳
造ターゲットで確認された結晶粒の大きなばらつきを防
止しする手段として焼結ターゲットとすることが必要で
あることを見いだした。さらに、この金属間化合物ター
ゲットとしては、予め反応焼結法によりＢ２規則格子か
らなる金属間化合物粉末に調整し、これを焼結したター
ゲットが、高抗折力を確保できることを見いだし、本発
明に到達した。
【０００８】すなわち本発明は、金属Ｒｕ粉末と金属Ａ
ｌ粉末とを反応焼結法により、実質的にＢ２規則格子か
らなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物とし、次いで該金属間化
合物を粉砕したＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結する
Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法である。
ｌ粉末とを反応焼結法により、実質的にＢ２規則格子か
らなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物とし、次いで該金属間化
合物を粉砕したＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結する
Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法である。
【０００９】また、本発明は、上記の製造方法で作製し
た実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合
物粉末の焼結体でなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲッ
トである。上記ターゲットは、相対密度を９９％以上で
あることが好ましい。さらに、平均結晶粒径を２００μ
ｍ以下であることが望ましい。また、上述した条件を満
たすことにより、従来にない抗折力を２５０ＭＰａ以上
のターゲットを得ることができる。また、ターゲット中
の酸素量は６０００ｐｐｍ以下が好ましい。
た実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合
物粉末の焼結体でなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲッ
トである。上記ターゲットは、相対密度を９９％以上で
あることが好ましい。さらに、平均結晶粒径を２００μ
ｍ以下であることが望ましい。また、上述した条件を満
たすことにより、従来にない抗折力を２５０ＭＰａ以上
のターゲットを得ることができる。また、ターゲット中
の酸素量は６０００ｐｐｍ以下が好ましい。
【００１０】また、本発明は、上述したＲｕ−Ａｌ金属
間化合物ターゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子か
らなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非
磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする
磁気記録媒体である。
間化合物ターゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子か
らなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非
磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする
磁気記録媒体である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明においては、Ｂ２規則格子
金属間化合物ターゲットを、反応焼結法を用いて作製し
た粉末を使用して焼結法で得たことが重要な特徴であ
る。特にＲｕ−ＡｌのＢ２規則格子金属間化合物は、融
点が２０００℃を超えるため、焼結用原料粉末作製方法
として、溶解法で製造したインゴットを粉砕して焼結原
料粉末とする方法は、溶解工程においてスカル溶解等に
よって炉材との反応を避ける必要があり高価なものとな
り、さらに、密度の高いインゴット粉砕するには時間が
かかるとともに、不純物が混入する原因となるという問
題もある。また、アトマイズ法により焼結原料を作製す
る方法は、融点が高いために溶湯の温度低下によるノズ
ルの目詰まりやノズルとの反応といった問題がある。
金属間化合物ターゲットを、反応焼結法を用いて作製し
た粉末を使用して焼結法で得たことが重要な特徴であ
る。特にＲｕ−ＡｌのＢ２規則格子金属間化合物は、融
点が２０００℃を超えるため、焼結用原料粉末作製方法
として、溶解法で製造したインゴットを粉砕して焼結原
料粉末とする方法は、溶解工程においてスカル溶解等に
よって炉材との反応を避ける必要があり高価なものとな
り、さらに、密度の高いインゴット粉砕するには時間が
かかるとともに、不純物が混入する原因となるという問
題もある。また、アトマイズ法により焼結原料を作製す
る方法は、融点が高いために溶湯の温度低下によるノズ
ルの目詰まりやノズルとの反応といった問題がある。
【００１２】そのため、本発明では、溶解工程を必要と
しない反応焼結法により金属間化合物としたものを粉砕
して焼結原料粉末とする。この方法は、例えば、減圧雰
囲気もしくは不活性ガス雰囲気のチャンバー内で、Ｒｕ
粉末とＡｌ粉末の混合粉末をアーク、火花、電流等で着
火、あるいはチャンバー内を温度上昇させることによ
り、混合粉末の反応を誘発することで、ＲｕとＡｌの化
合時の自己発熱を利用して反応焼結させるものである。
Ｒｕ−Ａｌ系の反応焼結法は、自己発熱を利用できるた
め、高融点でありながら特殊な溶解設備を必要とせず、
容易に目的とする組成系の金属間化合物の作製ができる
という点で優れた方法である。また、反応焼結法により
作製したＲｕ−ＡｌからなるＢ２規則格子金属間化合物
は、隙間の多い多孔質焼結体であるため、粉砕が容易で
あるという利点もある。本発明のターゲットは、上述し
た方法で得られた金属間化合物を粉砕して粉末とし、こ
れを焼結することによって得ることができる。
しない反応焼結法により金属間化合物としたものを粉砕
して焼結原料粉末とする。この方法は、例えば、減圧雰
囲気もしくは不活性ガス雰囲気のチャンバー内で、Ｒｕ
粉末とＡｌ粉末の混合粉末をアーク、火花、電流等で着
火、あるいはチャンバー内を温度上昇させることによ
り、混合粉末の反応を誘発することで、ＲｕとＡｌの化
合時の自己発熱を利用して反応焼結させるものである。
Ｒｕ−Ａｌ系の反応焼結法は、自己発熱を利用できるた
め、高融点でありながら特殊な溶解設備を必要とせず、
容易に目的とする組成系の金属間化合物の作製ができる
という点で優れた方法である。また、反応焼結法により
作製したＲｕ−ＡｌからなるＢ２規則格子金属間化合物
は、隙間の多い多孔質焼結体であるため、粉砕が容易で
あるという利点もある。本発明のターゲットは、上述し
た方法で得られた金属間化合物を粉砕して粉末とし、こ
れを焼結することによって得ることができる。
【００１３】また、本発明においては、ターゲットの作
製に焼結法を適用することも大きな特徴である。溶解法
により金属間化合物ターゲットを得る場合で問題となる
結晶粒の粗大化による抗折力の低下を抑えることが可能
となるためである。
製に焼結法を適用することも大きな特徴である。溶解法
により金属間化合物ターゲットを得る場合で問題となる
結晶粒の粗大化による抗折力の低下を抑えることが可能
となるためである。
【００１４】本発明において、相対密度が９９％以上と
することにより、密度に依存する抗折力の低下を防止す
ることができる。また、平均結晶粒径を２００μｍ以下
と微小なものとすることは、結晶粒の持つ方位の違いよ
るスパッタリング速度の差を低減でき、均一な膜を得る
ことにおいて有利である。より好ましくは３０μｍ以下
とする。また、微細な結晶粒は、微細な歪みを吸収する
結晶粒界を多く有することになり、抗折力を向上すると
いう点でも有利であり、２５０ＭＰａ以上の高い抗折力
を得ることができる。ターゲット中の酸素量が６０００
ｐｐｍを超えるとターゲット中の酸化物量が増大しスパ
ッタ中に異常放電やパーティクルといった問題が急激に
増大し問題となることがある。さらに、ターゲット中の
酸素量が６０００ｐｐｍを超えると成膜した膜中の第２
相の量が増加し整合性の低下等により磁気特性が悪くな
る。
することにより、密度に依存する抗折力の低下を防止す
ることができる。また、平均結晶粒径を２００μｍ以下
と微小なものとすることは、結晶粒の持つ方位の違いよ
るスパッタリング速度の差を低減でき、均一な膜を得る
ことにおいて有利である。より好ましくは３０μｍ以下
とする。また、微細な結晶粒は、微細な歪みを吸収する
結晶粒界を多く有することになり、抗折力を向上すると
いう点でも有利であり、２５０ＭＰａ以上の高い抗折力
を得ることができる。ターゲット中の酸素量が６０００
ｐｐｍを超えるとターゲット中の酸化物量が増大しスパ
ッタ中に異常放電やパーティクルといった問題が急激に
増大し問題となることがある。さらに、ターゲット中の
酸素量が６０００ｐｐｍを超えると成膜した膜中の第２
相の量が増加し整合性の低下等により磁気特性が悪くな
る。
【００１５】また、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲット
で成膜したＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合
物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非磁性基板の間に形成する下地
膜の少なくとも１層とすることにより、パーティクルの
発生が少なく、膜厚のばらつきも少ない安定な磁気記録
媒体の製造を行うことができる。少なくとも１層と規定
するのは、Ｂ２規則格子薄膜の上に直接Ｃｏ系磁性膜を
形成しても良いが、たとえばＢ２規則格子薄膜の上にＣ
ｒやＣｒ合金層といった磁気記録媒体としての保磁力角
形比の増加が期待できる薄膜を配置することが可能であ
ることを意味するものである。
で成膜したＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合
物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非磁性基板の間に形成する下地
膜の少なくとも１層とすることにより、パーティクルの
発生が少なく、膜厚のばらつきも少ない安定な磁気記録
媒体の製造を行うことができる。少なくとも１層と規定
するのは、Ｂ２規則格子薄膜の上に直接Ｃｏ系磁性膜を
形成しても良いが、たとえばＢ２規則格子薄膜の上にＣ
ｒやＣｒ合金層といった磁気記録媒体としての保磁力角
形比の増加が期待できる薄膜を配置することが可能であ
ることを意味するものである。
【００１６】
【実施例】表１に示す、試料１は所望の組成となるよう
にそれぞれの単体金属粉末を混合した後、反応焼結法に
よりＢ２規則格子金属間化合物とした。ついでボールミ
ルで粉砕し粉末を作製した。各々の粉末を１２００℃×
１００ＭＰａ×３ｈの条件で焼結させて、φ１０１×４
ｔ(mm)のターゲットを作製した。さらに、試料９は所望
の組成になるようにスカル溶解法で溶解し、精密鋳造し
てのφ１０１のターゲットを作製した。
にそれぞれの単体金属粉末を混合した後、反応焼結法に
よりＢ２規則格子金属間化合物とした。ついでボールミ
ルで粉砕し粉末を作製した。各々の粉末を１２００℃×
１００ＭＰａ×３ｈの条件で焼結させて、φ１０１×４
ｔ(mm)のターゲットを作製した。さらに、試料９は所望
の組成になるようにスカル溶解法で溶解し、精密鋳造し
てのφ１０１のターゲットを作製した。
【００１７】それぞれのターゲットの抗折力、密度およ
びインターセプト法による体積平均径による平均結晶粒
径を表１に示す。また、図１に本発明のターゲットの典
型的な組織を示す例として、試料１と同様に製造した１
００倍の焼結体のミクロ組織を示す。表１および図１を
見て明らかなように、本発明によれば、金属間化合物粉
末を焼結することにより高密度および微結晶粒であっ
て、高抗折力のターゲットが得られたことがわかる。
びインターセプト法による体積平均径による平均結晶粒
径を表１に示す。また、図１に本発明のターゲットの典
型的な組織を示す例として、試料１と同様に製造した１
００倍の焼結体のミクロ組織を示す。表１および図１を
見て明らかなように、本発明によれば、金属間化合物粉
末を焼結することにより高密度および微結晶粒であっ
て、高抗折力のターゲットが得られたことがわかる。
【００１８】
【表１】
【００１９】試料１および９のターゲットにより成膜し
た基板上の２μｍ以上の異物の数を測定した。また、比
較例のターゲットにより成膜した基板上の２μｍ以上の
異物の数も測定した。測定した異物の数を表２に示す。
ただし、表２の異物の数は、試料１のターゲットにより
成膜した基板上の２μｍ以上の異物の数を１００として
表している。表２に示すように、本発明のターゲット
は、従来のターゲットに比べて異物の発生を抑制できる
ことがわかる。
た基板上の２μｍ以上の異物の数を測定した。また、比
較例のターゲットにより成膜した基板上の２μｍ以上の
異物の数も測定した。測定した異物の数を表２に示す。
ただし、表２の異物の数は、試料１のターゲットにより
成膜した基板上の２μｍ以上の異物の数を１００として
表している。表２に示すように、本発明のターゲット
は、従来のターゲットに比べて異物の発生を抑制できる
ことがわかる。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】本発明により、高抗折力のＢ２構造を有
するターゲットを提供することができるため、ターゲッ
トの取り扱いが容易になるとともに、異物の発生を低減
でき、高品質の磁気記録媒体を提供することが可能とな
る。
するターゲットを提供することができるため、ターゲッ
トの取り扱いが容易になるとともに、異物の発生を低減
でき、高品質の磁気記録媒体を提供することが可能とな
る。
【図１】本発明のターゲットの典型的な組織を示すミク
ロ組織顕微鏡写真である。
ロ組織顕微鏡写真である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１５年４月９日（２００３．４．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明の効果】本発明により、高抗折力のＢ２構造を有
するＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットを提供すること
ができるため、ターゲットの取り扱いが容易になるとと
もに、異物の発生を低減でき、高品質の磁気記録媒体を
提供することが可能となる。
するＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットを提供すること
ができるため、ターゲットの取り扱いが容易になるとと
もに、異物の発生を低減でき、高品質の磁気記録媒体を
提供することが可能となる。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 金属Ｒｕ粉末と金属Ａｌ粉末とを反応焼
結法により、実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ
金属間化合物とし、次いで該金属間化合物を粉砕したＲ
ｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結することを特徴とする
Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の製造方法で作製した実
質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉
末の焼結体でなることを特徴とするＲｕ−Ａｌ金属間化
合物ターゲット。 - 【請求項３】 相対密度が９９％以上であることを特徴
とする請求項２に記載のＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲ
ット。 - 【請求項４】 平均結晶粒径が２００μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項２または３に記載のＲｕ−Ａｌ金
属間化合物ターゲット。 - 【請求項５】 抗折力が２５０ＭＰａ以上であることを
特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載のＲｕ−Ａ
ｌ金属間化合物ターゲット。 - 【請求項６】 ターゲット中の酸素量が６０００ｐｐｍ
以下であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか
に記載のＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲット。 - 【請求項７】 請求項２乃至６のいずれかに記載のター
ゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−
Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非磁性基板の間
に形成する下地膜の少なくとも１層とすることを特徴と
する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003093647A JP3997527B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003093647A JP3997527B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 |
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| JP19198398A Division JP2000017433A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | Ｂ２規則格子金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003328118A true JP2003328118A (ja) | 2003-11-19 |
| JP3997527B2 JP3997527B2 (ja) | 2007-10-24 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003093647A Expired - Fee Related JP3997527B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3997527B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100885698B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | 희성금속 주식회사 | 단상구조를 갖는 고온재료용 Ｒｕ계 금속간화합물의제조방법 |
| KR100898746B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2009-05-25 | 희성금속 주식회사 | 분말야금법을 이용한 고밀도 단상의 ＲｕＡｌ 금속간화합물제조방법 |
| JPWO2011013471A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-01-07 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｃｕ−Ｇａ焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
| US20130330567A1 (en) * | 2010-12-01 | 2013-12-12 | Universitaet Des Saarlandes | Reactive metallic systems and methods for producing reactive metallic systems |
-
2003
- 2003-03-31 JP JP2003093647A patent/JP3997527B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP5144766B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-02-13 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Ｃｕ−Ｇａ焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
| KR101249566B1 (ko) * | 2009-07-27 | 2013-04-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Ｃｕ-Ｇａ 소결체 스퍼터링 타깃 및 동 타깃의 제조 방법 |
| US20130330567A1 (en) * | 2010-12-01 | 2013-12-12 | Universitaet Des Saarlandes | Reactive metallic systems and methods for producing reactive metallic systems |
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|---|---|
| JP3997527B2 (ja) | 2007-10-24 |
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